TWI254264B - EL display device and the method for driving the same - Google Patents

Description

1254264 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術'内容、實施方式及圖式簡單說則 【韻^明戶斤屬泛^才支4椅冷貝】 技術領域 本發明係有關於一種使用有機或無機電場發光（EL) 5元件之EL顯不面板等自發光顯示面板。此外，並有關於 該等顯示面板之驅動電路（IC)。更有關於EL顯示面板之 驅動方法與驅動電路及使用其等之資訊顯示裝置等。

L· mT 'J 背景技術 1〇 一般而言，主動矩陣型顯示裝置中呈矩陣狀排列有多 數像素，並依其賦予之映像信號控制每一像素之光強度而 顯示影像。舉例言之，利用液晶作為電光物質時，像素之 透射率將隨寫入各像素之電壓而改變。使用有機電場發光 (EL)材料作為電光轉換物f之主動矩陣型影像顯示裝置 15則隨寫入像素之電流而改變發光亮度。 液晶顯示面板係使各像素作為光閘而動作，且藉由像 素之光閘作用開關背光源發出之光而顯示影像。有機el 顯示面板為各像素中具有發光元件之自發光型顯示面板。 2〇因此，有機EL S頁示面板相較於液晶顯示面板具有影像辨 識丨生呵、不需設置背光源、反應速度快等優點。 有機EL顯示面板係藉由電流量控制各發光元件（像 儿度gp ’於發光元件為電流驅動型或電流控制型 此點上’則與液晶顯示面板大異其趣。 讀EL _示面板亦可為單純輯方式與主動矩陣方 Ϊ254264 玖、發明說明 式之構造。前者之構造單純但難以實現大型且高畫質之顯 :面板’然其價格低廉。後者則可實現大型且高晝質之顯 面板唯’有控制方法之技術面較為因難、價格較高之 門題現今’主動矩陣式之開發大為盛行。主動矩陣式乃 藉由設於像w卩之薄膜電㈣而㈣流至設 之發光元件之電流。 像素上 10 15 干之有機EL顯示面板揭示於曰本專身 f開公報特開平8 —234683號中。於第Μ圖顯示該顯示3 反之一料中之等效電路。像素16係由發光元件之扯_ 2 15、第/電晶體山、第2電晶體川及健存電容19賴 j發光疋件15為有機電場發光叫元件。本發明中 r=r供給(控制)電流於EL元件15之電晶體11 ::驅動用電晶體u。又，如第46圖之電晶體η，則將 為開關動作之電晶體稱為開關用電晶體u。

有機EL元件15 (有機發光二極體）。 體之記號。 大多具有整流性，故有時稱為OLED 第46圖等中發光元件15係、使用二極

隹’本發明中之發 藉流至元件件15亚非以〇LED為限，凡； 件。 ^里控制免度者皆可’例如無機EL ^ 件。其他則可舉 ^ ^ 肢構成之白色發光二極體為例，此 外，亦可舉例如―如 ' 。又，菸杏一、又5光二極體，另，發光電晶體亦可 "几件15未必要具有整 。以l·诂么丨t卜 力」马雙向一極體 白可作為本發明之EL元件]5。 第4 6圖之例φ，人 1 ,々P迆道型電晶體]】a之源極端子（ 20 Ϊ254264 玖、發明說明 S)為Vdd (電源電位），且肛 接於接地電位（Vk)。另… 之負極（陰極）連 lla 極（陽極）則連接於電晶體

Ua之汲極端子（D)。此外，p 端子連接於閘極俨铲 11b 5 10 15 線1且閉心端子則連接於源極信號 極端子（Gr 儲存電容19及電晶體-之間 為使像素1 6動作，营春，脸p日 t 、〶極信號線17a設為選擇 恕，亚於源極信號線18施加用以顯示亮度資訊之映像信 琥。如此—來’電晶體lla將導通，館存電容19可充電或 放電，且電晶It llb之閘極電位與映像信號之電位一致。 若將閉極信I線17a設為非選擇狀態，則電晶體Ua將關 閉’且電晶體llb與源極信號線18間之電性連接切斷。但 ’電晶體lla之閘極電位可藉儲存電容（電容器）Η保持 穩定。經電晶體lla流向EL元件15之電流為因應電晶體 lla之閘極/源極端子間電壓Vgs之值，且el元件Μ以可 因應通過電晶體lla而供給之電流量之亮度持續發光。 另，上述文獻之全部揭示乃直接完全引用而於此加以 一體化。 液晶顯示面板並非自發光裝置，因而有不使用背光源 20則無法顯示影像之問題點。為構成背光源需有預定之厚度 ，故有顯示面板之厚度變厚之問題產生。又，為以液晶顯 示面板進行色彩顯示，則需使用彩色濾光片。因此，將產 生光利用效率低之問題點。此外，並有色彩範圍 range)狹窄之問題點。 1254264 玖、發明說明 有機el顯示面板係利用低溫多晶矽電晶體陣列而構 成面板。但，有機EL元件乃藉電流而發光，因此若電晶 體之特性上有不均之情形，將產生顯示不均之問題。 頒不不均可藉由將像素採用電流程式方式之構造而降 5低。為流程心需設有電流驅動t式之驅動電路。 但，電流驅動方式之驅動電路仍會有用以構成電流輸出級 _私日日體元件上產生不均之情形。因而會有各輸出端子所 輸出之灰階輸出電流發生不均，且無法達到良好之影像顯 示效果之問題。 1〇 【潑^明内容L】 發明之揭示 為達成該目的，本發明之EL顯示面板（EL顯示裝置 )之驅動電路係具有多數用以輸出單位電流之電晶體，並 藉由改變該等電晶體之個數而輸出輸出電流者。又，其特 铽在於以多級之電流鏡（current mirr〇r)電路構成。信號之輸 适可作為電壓輸送之電晶體群形成緊密，且與電流鏡電路 群間信號之輸送乃採用電流輸送之構造。此外，基準電流 係以多數電晶體進行。 第1本發明為一種EL顯示裝置之驅動方法，該Εί >〇 一 -只 不放置係於各像素中具有用以控制驅動用電晶體與元 件間之電流通路開閉之開關元件者，該EL顯示裝置之驅 動方法係··總計影像資料或依循影像資料產生之資料，及 ，相較於前述總計出之資料少時，於總計資料多時延長關 閉前述開關元件之期間。 !254264 玖、發明說明 / 2本發明為—種EL_示裝置，包含有：顯示面板 ，係呈轉狀形成有EL元件者；及，源極驅動電路，係 用以對前述顯示面板供給程式電流者·，而，前述源極驅動 !路具有—具多數單位電流元件之輪出級，及-用以控制 珂述單位電流元件所通過之電流之可變電路。 10 15 -第3本發明為一種EL顯示裝置之驅動方法，該虹顯 不裝置係具有用以進行動畫檢測之動畫檢測電路，鱼用以 掏出映像之特徵之特徵操出電路者，豸el顯示裝置之驅 動方法係具有：第1步驟，依據前述動畫檢測電路之輸出 =更選擇之像素行數’及，第2步驟，依據前述特 * 电路之輸出貢料而變更選擇之像素行數。 第4本發明為—種肛顯示裝置，仙畫面之非顯示 領域與顯示領域之比例而控制畫面之亮度者，言亥虹顯示 裳置包含有：顯示領域’係呈矩陣狀形成有el元件及用 以驅動前述EL元件之驅動用電晶體者；閉極信號線’伟 用以傳達可令前述EL元件於每一像素行開閉之電愿者； 閉極驅動電路’係用以驅動前述閘極信號線者；總計電路 係用以總計影像資料或依循影像資料產生之資料者；及 =換電路’係用以將前述總計電路之總計結果轉換成前述 開極驅動電路之起始脈衝信號者。 '壯罘5本發明為-種EL顯示裝置之驅動方法，該EL顯 :裝置係以晝面之非顯示領域與顯示領域之比例而控制晝 之冗度者，該EL顯示裝置之驅動方法，係於令前述晝 '員示湏 >或與頌示領域之比例由第】比例變更為第9 20 1254264 玖、發明說明 比例時，產生延遲時間。 第6發明乃如第5本發明之£ ., 頌不裝置之驅動方法 ，八中該顯示領域/(晝面之非顯 1/1/: 丁靖域+頻不領域）係 1/16以上I/〗以下。 5 10 15 20 第7本發明為一種EL顯示裝置， 匕5有·顯示面板 ，係衣各像素形成有電容器、El 十夂用以對則述EL元 件i、給電流之p通道驅動用雷曰 n 且像素呈矩陣狀形成 f，及，源極驅動電路，係用以對 帝士 、颂不面板供給程式 仏者H述源極驅動電路具有—輪出級 係具有用以輸出多數單位電流之Ν通道之單位電晶Γ者 弟8本發明乃如第7本發 4不裝置，若令電 谷裔之谷置為Cs ( pF )，今1後丰π p ) 7 1像素所佔面積為S (平方_) ，則滿足500/SSCSS20000/S之條件。 第9本發明乃如第7本發明 el龜-壯 又^ 絲員不裝置，其中該 源極驅動電路所發出之程式電流" μ ^右像素大小為Α (平方_，令亮閃光顯示預定亮度為B(nt)，則 AxB) /20SIS (AxB)之條件。 第1〇本發明乃如第7本發明之此顯示襄置，若^ 階數為κ，令單位電晶體之大小為 40SK/，（St)且St$3〇〇之條件。 卜疋 第11本發明乃如第7本發明之EL顯示裝置，若令欠 階數為K’令單位電晶體之通道長為L (相)，令通道^ 為 W (μπο 時，則滿足（/ (K/16)) K/16 )) x20 之條件。 10 I254264 10 15 &、發明說明 * 12本發明為一種EL顯示裝置’包含有1肌顯 有/，係具有第1顯示畫面者；第耻顧示面板’係具 ‘ 2顯示晝面者；及’撓性基板，係用以連接前述第 顯示面板之源極信號線與前述第耻顯示面板之源極 P線者；而4令用以驅動像素之驅動電晶體之通道 :广㈣’令通道長為L(_)，則用以驅動前述第 晝面之像素之驅動電晶體之魏異於用以驅動前述 2顯不畫面之驅動電晶體之W/L。 圖式簡單說明 第1圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第2圖係本發明之㈣面板之像素構造圖。 第3⑷、⑻圖係本發明之顯示面板之動作說明圖。 第4圖係本發明之顯示面板之動作說明圖。 第5⑷、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 見 第 圖 第6圖係本發明之顯示t置之構造圖。 第7圖係本發明之顯示面板之製造方法說明圖。 第8圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第9圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第10圖係本發明之顯示面板之截面圖。 第11圖係本發明之顯示面板之載面圖。 第12圖係本發明之顯示面板之說明圖。 弟Wa)、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說 明 圖 11 20 1254264 玖、發明說明 第14(a) (c)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 〇 第15圖係、本㉝明之顯示袭置之驅動方法說明圖。 第16⑷、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 5 圖。 第n(a)-(c)圖係本發明之顯示震置之驅動方法說明圖 〇 第18圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第19(al-a3)〜（cl-c3)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 10 法說明圖。 第20(a)、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第21圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第22⑷、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 15 圖。 第23圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第24(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第25圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 20 第26圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第27(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第28圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第29(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 12 1254264 玖、發明說明 第30(al)、（a2)、（bl)、（b2)圖係本發明之顯示裝置之 驅動方法說明圖。 第31圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第32圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第33(aHc)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 第34圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第35圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 ίο 第36圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第37圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第38圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 弟39(aHc)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 15 20 第40圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第41圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第42(a) (b)D係本發明之顯示面板之像素構造圖。 2 43圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 弟44(a)⑷圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 圖。 第45⑷、刚係本發明之顯示裝置 之驅動方法說明 第46圖係本發明之顯示 衣置之動方法說明圖 第47圖係本發明之驅動+ 功电路之說明圖。 13 1254264 玖、發明說明 第48圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第49圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第50圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第51圖係本發明之驅動電路之說明圖。 5 第52圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第53圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第54圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第55圖係本發明之驅動電路之說明圖。 φ 第56圖係本發明之驅動電路之說明圖。 10 第57圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第58圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第59圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第60圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第61圖係本發明之驅動電路之說明圖。 15 第62圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第63圖係本發明之驅動電路之說明圖。 Φ 第64圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第65圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第66圖係本發明之驅動電路之說明圖。 ’ 20 第67圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第68圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第69圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第70圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第7 1圖係本發明之驅動電路之說明圖。 14 1254264 玖、發明說明 第72圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第73圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第74圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第75(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 5 圖。 第76圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第77圖係本發明之驅動電路之說明圖。

第78(al-a4)〜（cl-c4)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法說明圖。 10 第79圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第80(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第81(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 15 第82(al-an)〜（bl-bn)圖係本發明之顯示裝置之驅動方

法說明圖。 第83圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第84圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第85圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 20 第86圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第87圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第88圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第89圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第90圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 15 1254264 玖 10 圖 圖 15 圖 20 •發明說明 第91圖係本發明之 …、貝不裝置之驅動電路說明圖。 第92圖係本發明之 ”、、貝不裳置之驅動電路說明圖。 第93圖係本發明之 ”、、負不裝置之驅動電路說明圖。 第94圖係本發明之盈 ”、、貝不裝置之驅動電路說明圖。 第95圖係本發明之显 *、、、負不裝置之驅動電路說明圖。 第96圖係本發明之甚 ”、、負不裝置之驅動電路說明圖。 第97(a)-(d)圖係本發 月之顯不裝置之驅動電路說明圖 弟9 8圖係本發明之龜一 ”、、員不裝置之驅動電路說明圖。 ^ 99圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第100⑷（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 第101(a)、（b)U係本發明之顯示面板之驅動方法說明 第102(a)、(b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 第103圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第104圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第105圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第106圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第107圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第108(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 第1 09(aHd)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖 16 1254264 玖、發明說明 〇 第110圖係本發明之顯 、、不面板之驅動方法說明圖。 第111圖係本發明之顯 ”、面板之驅動方法說明圖。 第112圖係本發明之 Μ、不裝置之驅動電路說明圖。 第113圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第114圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第115圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 弟116圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第117圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 10 15 20 第118圖係本發明之_ - d叉顯不裝置之驅動電路說明圖。 第119圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第120圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第121圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第122圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第123圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第124圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第125圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第126圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第127(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 〇 第128(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 第129(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖 17 1254264 玖、發明說明 圖 第130(a)、（b)圖係本發明 第131(a)、（b)圖係本發明 之顯示面板之驅動方法說明 之_示面板之驅動方法說明 圖 5 第13 2圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第133圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第134⑷、⑻圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖。 第135(al-a3)〜（c 1 -c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 10 方法說明圖。 第136(al-a3)〜（cl-c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第137(bl-b3)〜（cl_c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第138(bl-b3)〜（cl-c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第139(al-a3)〜（bl-b3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第140圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第141圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第142圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第143圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第1 44圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第]45(aHc)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 18 1254264 玖、發明說明 〇 第146(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 〇 第147圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 5 第148圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第149圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第150(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第151圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第152圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 10 第153圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第154圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第155圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第156圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第157圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 15 第158圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第159圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第160圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第161圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第162圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 20 第163圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第164圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第165圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第166圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第1 67圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 ]9 1254264 玖、發明說明 第168圖係本發明之源極驅動ic之說明圖。 第169圖係本發明之源極驅動ic之說明圖。 第170圖係本發明之源極驅動ic之說明圖。 第171圖係本發明之源極驅動ic之說明圖。 5 第172圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第173圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第174圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第175圖係本發明之源極驅動ic之說明圖。 第176(a)、（b)圖係本發明之源極驅動Ic之說明圖。 10 【實施方式】 用以實施發明之較佳形態 本說明書中為使各圖式易於理解或/及易於製圖，故有 省略或/及擴大縮小之處。舉例言之，第1 1圖所示之顯示 面板之截面圖中乃將薄膜密封膜U1等之厚度大為详加。 15另，第10圖中，密封覆層85之圖式厚度則較薄。此外並 有省略之部位。舉例言之，本發明之顯示面板等需具有圓 偏光片等相位膜以防止反射。但，本說明書之各圖式中則 加以省略。以上所述相對於以下圖式亦同。又，桿示同一 標號或記號等之部位則具有相同或類似之形態或材料抑或 20 機能或動作。 另，即便未特別事先聲明，亦可瞭解，各圖式等所說明 之内容可與其他實施例等加以組合。舉例言之，可於第$ 圖之顯示面板上附加觸控面板等而形成第157圖、第I% 圖至第161圖所示之資訊顯示裝置。此外，亦可裝設放大 1254264 玖、發明說明 透叙1582而構成視訊攝影機（參照第159圖等）等所 觀景器（參照第58圖）。又Μ 4 寺所用之 J 又，弟 4、15、18、2；1、23、 、30 、 35 、 36 、 40 、 41 心 9 驅動方法⑽圖等所說明之本發明之 5。 則可相於本發明之任-顯示裝置或顯示㈣ 係以:二兄明書中’驅動用電晶體11'開關用電晶體u 係以涛艇電晶體之形能 心進仃况明，但並非以此為限，亦可 由濤膜一極體（丁)、 — 衣狀一極體（nng di〇de)等構成。 10 15 20 夕又不限為薄膜元件，亦可為形成於石夕晶圓上之電晶體 凡以石夕晶圓形成陣列基板71即可。當然亦可為FET\ MOS-FET、MOS 雷曰雕 ^肢、雙極電晶體。其等基本上亦為薄 晶體。此外變阻器、閘流體、環狀二極體、光電二木 月旦光电日日體、PLZT元件等亦可，此乃無須再言。即， 以上所舉諸例皆可為本發明之電晶體元件η、閘極驅動電 路12、源極驅動電路14等所用。 以下就本發明之EL面板參照圖式加以說明。如第⑺ 圖所示，有機EL顯示面板係於形成有作為像素電極用之 透明電極1〇5之玻璃板71 (陣列基板）上，層積有由電子 傳輸層、發光層、電洞傳輸層等構成之至少^有^能 層（EL層）15及金屬電極（反射膜）（陰極）1〇6者。藉 由在透明電極（像素電極）1G5之陽極（正極）施加正^ 壓’並於金屬電極（反射電極）1〇6之陰極（負極）施力： 負電壓1，於透明電極105及金屬電極1〇6間施加直流 電，則可使有機機能層（EL層）]5發光。 21 Ϊ254264 玖、發明說明 金屬電極1〇6上宜使用鋰、银m、鋼或各 金屬之合金等功函數小者，尤以如A1_u合金之使用特別 理想。又，於透明電極105上可使用IT〇等功函數大之導 電性材料或金等。另，使用金作為電極材料時，電極呈半 透明之狀態。此外，前述ΙΤ0亦可改用ΙΖ〇等其他材料。 該等事項相對於其他像素電極105亦同。 另，於密封覆層85與陣列基板71間之空間中配置乾 燥劑1〇7。此係由於有機ELmi5之抗濕性低，而藉由乾 10 無劑m則可吸收滲透密封劑之水分並防止有機肛膜i5 劣化。 、 第i〇 ®侧时叙覆層85進行贿之構造，然亦 11圖以膜（薄膜亦可，亦即，薄膜密封膜）⑴進 丁山封舉例δ之，密封膜（薄膜密封膜）⑴ 15 20 已於電解電容器之膜上墓鍍菜 广 ^ LC (類鑽碳diamond Like ar 〇n)者。該膜之水分滲透性極差（防潮性高），是以使 用该膜作為薄膜密封膜⑴。又 莖古拉一 』將DLC (類鑽碳）膜 =接:鑛於金屬電極106表面，此屬當然而無須再言。 2 層積多層樹脂薄膜與金屬薄膜而構«膜㈣ 薄膜之膜厚η · d (η Αe 4 1 膜時則總計其等之折射率後 ^革之層積有多數薄 。"薄膜之膜厚，層積有多數薄：二:训 膜之膜厚與折射率後再計算“其寺複數4 主波長而為肛元件15之發光 曰彳此一條件，則源自EL元件〗5之 22 1254264 玖、發明說明 t^^〇lght'ext^ B"達2倍以上。此外，亦可形成㈣銀之合金或混合物抑 或積層物。 10 15

如上以薄膜密封膜111密封而不使用密封覆層85之槽 造稱為薄膜密封。由陣列基板71側取出光之「下向取光（ 朗H)圖’取光方向為第10圖之箭頭方向)」時之薄脖 街封’係於形成EL膜後’力EL膜上形成可作為陰極之敍 電極。繼之於該㈣上形成—作為緩衝層之樹脂層。該緩 衝層可使用如丙烯酸樹脂、環氧樹脂等有機材料。又，膜 θ、 μ X上ΙΟμηι以下之厚度為宜。更理想之膜厚為 >以上6_以下之厚度。於該緩衝膜（緩衝層）上形成 密封膜ill。若無緩彳《，EL膜之構造將因應力而崩解， 並產生細長形缺陷。薄膜密封膜lu則如前述，可以似 (類鑽碳）或電解電容器之層構造（交互蒸鍍多層介電質 薄膜與鋁薄膜之構造）為例。

由EW 15側取出光之「上向取光（參照第u圖， 取光方向為第η圖之箭頭方向）」時之_密封，係於形 成el膜15後，於EL膜15上形成可作為陰極（陽極）之 Ag-Mg膜，且膜厚為2〇埃以上3〇〇埃以下。其上則形成 2〇 ΠΌ等透明電極赠低電阻。繼之於該電極膜上形成作為 緩衝層之樹脂層，並於該緩衝膜上形成一薄膜密封膜^ 有機EL層15所產生之光，一半將受到金屬電極】％ 反射並穿透陣列基板71而射出。但，金屬電極1〇6則反射 23 1254264 玖、發明說明 外部光線並產生光透入現象而使顯示對比降低。為解決此 一問題乃於陣列基板71上配置人/4相位板108及偏光板（ 偏光膜）109，而其等一般稱為圓偏光板（圓偏光片）。 10 15 另，像素為反射電極時EL·層15所產生之光將朝上方 射出。因此，相位板108及偏光板1〇9當配置於光射出側 。另，反射型像素係以鋁、鉻、銀等構成像素電極1〇5而 製仔。又，藉由在像素電極1〇5表面設置凸部（或凹凸部 )可使其與有機ELI 15之界面擴大並增加發光面積，且 可提南發光效率。$ ’於透明電極上形成可作為陰極ι〇6 (陽極105)之反射膜、或可將反射率降低至以下時 ’則不需設置偏光板，此乃光透人現象大幅減少之故。此 卜光之干擾亦得以減少而達到理想之狀態。 電晶體11宜採用LDD (低摻雜濃度沒極，Low D〇ping 構造。此外，本說明書中el元件係舉有機紅 件（可以〇EL、PEL、PLED、0LED等各種簡稱為記 ),15為例進行說明，但並非以此為限，無機虹元件亦 當可用作本發明之EL元件。 百先’㈣EL顯示面板所用之主動矩陣方式務須滿 次一们^件’―為可選擇特定像素並給予必要之顯示 貝Λ —為可使電流於1，貞期間内通至EL元件。 =滿足^個條件，第46圖所示之習知有機乩之像 、k中，第1電晶體Ub係作為用以、n | 電晶體，第2恭曰㈣ 作為用以讀像素之開關用 笔曰曰】la係作為用以供給電流於EL元件 瓜膜）15之驅動用電晶體。 兀件 24 1254264 10 15 20 玖、發明說明 利用該構造使灰階顯示時，需施加可因應灰階之電壓 以作為驅動用電晶體丨1 a之閘極電壓。因此，驅動用電晶 體11a之開啟電流之不均將直接呈現於顯示面上。 關於電晶體之開啟電流，凡以單結晶形成之電晶體其 開啟電流皆極為平均，但可形成於價廉之玻璃基板上並以 形成溫度為450度以下之低溫多晶石夕技術形成之低溫多晶 電晶體，其臨界值之偏差於级2v〜〇5v之範圍内，故有 開啟電流不均之情形。因此，通過驅動用電晶冑山之開 啟電流乃隨之不均，並產生顯示不均之情形。該等不均不 僅發生於臨界值電壓之不均，亦發生於電晶體之移動度、 間極絕緣狀厚度等上。❹卜，隨電㈣U之劣化其特性 亦將產生變化。 此見象亚不限於低溫多晶石夕技術，亦好發於製程溫 度為450度（摄 向溫多晶石夕技術，及利用業妙 固相（⑽）*晶之半導體膜而形成電晶體等者上。此： ’亦發生於有機電晶體及非晶矽電晶體上。 、月之本發明’乃可對應該等技術並加以解決之 構造或方式。另，太％ 、 本°兄月曰中係以經低溫多晶矽技射形成 之電晶體為主進行說明。 风 ^ ②46圖藉由寫人電壓而使灰階顯示之方法， 為得到均勻之顯示。 貝不則尚嚴密控制裝置之特性。但，現入 低溫多晶石夕電晶，笨 7 曰&寺尚热法滿足將該不均控制以内之規格。 只义视固

本發明之jp丨站- ^頭不裝置之像素構造，具 體而言係如第 25 1254264 玖、發明說明 圖所示，由最少4個單位像素所構成之多數電晶體^及 EL元件形成。像素電極係以與源極信號線重疊之狀態而構 成。即，於雜信號線18上形成絕緣膜或㈣烯酸材料構 成之平坦化膜以使其絕緣，並於^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ I万、及纟巴緣膜上形成像素電極 105。如此於源極信號線18 工王v 1。卩分重豐像素電極之 構造即稱為兩開口率（Ha、播、生 午⑽）構造，而此構造可降低不需要 之干擾光等，並可望達到良好之發光狀態。 藉由活化（施加⑽電流）閘極信號線（第丄掃㈣ )17a，可使應流向前述el # & 10 15 20 L兀件15之電流值由源極驅動 電路14經由EL元件15夕g「壬 之驅動用電晶體11a及開關 晶體11c流至EL元件15。 ]用电 為使电晶體1 la之閘極與 源極間短路，則藉由令間極 /、 ^現綠17a活化（施加〇N雷 壓）而使電晶體lib開啟门士 ^ 極間所連接之電容器（電容 …贵、 ^ 儲存電谷、附加電容）19巾 儲存電晶體11a之閘極電 ^ )圖）。 （或沒極電壓）（參照第3 (a 另，電容器（儲存電容） 9 p ) 19之大小應為〇.2pF以上 2pF以下，其中電容器 乂上

ri μ 1 (儲存笔容）19之大小又以0.4PF 上1.2pF以下為佳。電容哭 —曰 Λυ n 'L· ^ 之谷量需慮及像素大小再 所佔面積（並非開口率） ’、，、s P ) * ：1像素 宜為500/S ' P (平方叫〇,則電容器大 且马 500/SPSCsg 20000/Sn ^ J 〇〇ΑΠ/ς 更理想者為 l〇〇〇/Sp 2 Cs < ]〇〇〇〇/Sp。另，由於雷 θ 灿 Psisg Γ 日日紅之閘極容量小，故在此所神$ Q乃儲存電容（電容器） 匕所明之 」19早獨之容量。 26 I254264 玖、發明說明 —令開極信號線17a鈍化（施加〇FF電壓），並令問極 信號線17b活化，使電流通過之通路切換為含有前述第^ 電晶體Ua及連接EL元件15之電晶體山及前述此元 牛15之通路’以使儲存之電流流至前述⑪元件μ (參照 ’第 3 ( b)圖）。 10 15 20 該電路係1像素内具有4個電晶體11，而電晶體lla 之問極連接於電晶體llb。又，電晶體m及電晶體… 之閑極係連接於間極信號線17a。電晶體Ub之汲極係連 接電晶體UC之源極及電晶體lld之源極，而電晶體llc 之沒極則連接於源極信號線18。電晶體⑴之閘極係連接 於閘極信號線17b ’而電晶體Ud之汲極則連接於肛元件 1 5之陽極電極。 另，第1圖中所有電晶體皆由p通道構成。p通道電 晶體之移動率較N通道電晶體略低，但耐慶力強且難以產 生劣化情形，故效果較佳。但，本發明並非僅限於以P通 道構成EL元件構造’亦可僅以N通道構成，此外，亦可 利用N通道與p通道二者而構成。 最理想者為全以P通道形成用以構成像素之電晶體η ’且内建式閘極驅動電路12亦由p通道形成。如此—來藉 由僅具P通道之電晶體形成陣列，可使光罩片數形成5片 ，並可貫現低成本及高成品率之效果。 以下’為使本發明更易於理解，乃以第3圖說明本發 明之EL元件構造。本發明《肛元件構造係由：個時序 控制。第】時序為用以健存必須電流值之時序。样 27 !254264 玖、螢明說明 :該時序使電晶體llb及電晶體llc開啟，則成為等效電 雷^成第/ (a)圖之狀態。此時，可由信號線寫入預定 Ήχν。秸此’電晶體⑴即形成閘極與汲極連接之狀態 ，而電則可經由該電晶體…與電晶體nc而通過。 α此’以體lla之閘極_源極電壓乃成Iw通過之電壓。 10 第2時序為電晶體lla與電晶體Uc關閉而電晶:… 開啟之時序，此時之等效電路則形成第3⑴圖之狀態。 電晶體1U之源極-閘極間之電壓可保持如常。此時，電晶 體Ha經常於飽和領域中動作’故^之電流可維持一定。 如此動作後，則形成如第5圖所示之狀態。即，第5 ⑴圖之51a係表示顯示畫自5"某—時刻正行電流程 式化之像素（行）（寫入像素行）。該像素（行）化呈第$ 15

⑴圖所示之非點亮（非顯示像素（行））狀態。其他像素 (行）則作為顯示像素（行）53 (電流流至顯示領域53之 像素16之EL元件15而使EL元件15發光）。

呈第i圖之像素構造時乃則如第3⑴圖所示，進行 電流程式化時程式電流Iw流至源極信號線18。該電流^ 流過電晶體Ua’並由電容器19設定電壓（程式化）以保 持流過Iw之電流。此時，電晶體叫為斷路狀態' (關閉狀 20 態）。 其次’令電流流至EL元件15之期間則如第3⑴圖 所示’電晶體lie、11b關閉而電晶體Ud進行動作。即， 於間極信號線】7a施加斷開電壓（Vgh)if^ m ]1 c關閉。此外，於閘極作择玲 、□拉就線l/b施加開啟電壓（Vy) 28 1254264 玖、發明說明 ，則電晶體11 d開啟。 該時序圖顯示於第4圖。另，Μ 附具文字(例如⑴等)係表示像中，括弧内之 信號線na⑴係表示像辛 ，、丁之、扁號。即，閉極 ’第4圖上部之*H(「" 之間極信號線na。又 水平掃目苗線之編號），係表示水平^7δ己號、數值’乃表示 1水平掃聪期間。另，以上事广期間。即’汨為第 以此為…之二：事項係為便於說明之故，而非 由第4_^ 像素行編號之順序等）。 口 j知’各業經選擇 10 15 20 )中，於閘極信號線17a施加開啟電塵二^擇期間為1H 17b施加斷開電壓。又，該期間電流:::：_言號線 (非點亮狀態)。未受選擇之 ::件15 祐如齡門帝r 万、閘極化5虎線l7a 並於閘極信號線17b施加開啟電厂堅。又， 该期間$流流至虹元件15 (點亮狀態 另，電晶體Ha之閘極與電晶體…之閘極係連接於 :一問極信號線17a。但，亦可將電晶體⑴之閉極與電 晶體11c之閘極各連接於不同之閘極信號線17 (參照第Μ 圖）。1像素之閘極信號線為3條（第丨圖之構造為2條） 。藉由個別控制電晶體llb之閘極之〇n/〇ff時序與電晶 體He之閘極之ΟΝ/OFF日寺序，則可更為降低電晶體^ 之不均所導致之EL元件丨5電流值不均情形。 若使閘極信號線l7a與閘極信號線17b相通，並使電 曰曰L lie與i】d作成不同之導電型（N通道與p通道），則 可簡化驅動電路並提升像素之開口率。 29 1254264 玖、發明說明 若構造成如此狀態，則本發明之動作時序為源於信號 線之寫入通路形成關閉狀態。即，儲存預定電流時，電流 流經之通路若有分歧則正奴電流值不會儲存於電晶體 lla之源極⑴-閘極（G)間電容（電容器）。藉由將電 晶體Uc與電晶體lld作成不同之導電型，則可餘制相 互之臨界值而於掃目苗線變換之時序且必定於電晶冑…關 閉後，使電晶體lid開啟。 10 15 20 唯，此時因需正確控制相互之臨界值，故需對製程加 以注意。S，上述之電路雖以最少4個電晶體即可實現， 但縱使為進行正確之時序控制或如後述為降低鏡像效岸 ㈣贿effect) ’而如第2圖所示串聯電晶體lle並使電晶 體總數達4個以上，其動作眉搜介π , t ^ /、動作原理亦同。如此藉由形成添加 電晶體11 e之構造，則可使章妳鋁彳彳 系、、二私式化之電流經由電晶體

Uc更精確地流向EL元件15。 另’本發明之像素構造並非以第i圖、第2圖之構造 為限。舉例言之，亦可構造成第113圖之狀態。第⑴圖 與第1圖之構造相較則少了電晶體lld，而改為形成或配 置切換開關1131。第1圖之開關Ud具有控制由驅動用電 晶體11a流至EL元件15之電流開閉（令電流通過或不： 過）之機能。下列之實施例亦將加以說明，但本發明中該 電晶體lid之開閉控制機能為重要構成要素。而可於不形 成電晶體lid之狀態下實現開閉機能者則為第]]3圖之 造。 。冓 第11 3圖中，切換開關11 3 1 之 力而子係連接於陽極電 30 I254264 玖、發明說明 壓Vdd。另，施加於a端子之電壓並非以陽極電壓Vdd為 限，凡可關閉流至EL元件15之電流之電塵皆可施加於a 令而子。 5 切換開關1131之^端子係連接於陰極電壓（第113圖 5中榡示為接地電Μ )。另，施加μ端子之電壓並非以陰極 電堡為限’凡可開啟流至EL元件15之電流之電壓皆可施 力17於b端子。 切換開關1131之c端子與EL元件15之陰極端子連 1〇接。另，切換開關1131只要為具有可開閉流至元件15 〇之電流之機能者即可。因此，該開關只要設於EL元件15 之電流所流過之通路即可，而非以第113圖之形成位置為 限又，不限為開關之機能，凡可開閉流至EL元件丨5之 電流者即可。即，本發明中，只要EL元件15之電流通路 上具備可開閉流至EL元件15之電流之開關機構，則作成 15 任何像素構造皆可。 又，所謂關閉並非指電流完全不通過之狀態，而是只 將机至EL元件15之電流減少至低於平常之狀態即可。 以上事項於本發明之其他構造中亦同。 切換開關1131藉由組合ρ通道與ν通道之電晶體即 2 0 車取 si 不目 具故媒須再做說明。舉例言之，只要將類比開 關形成2電路狀態即可。由於開關1131僅用以開閉流至 EL元件 1 $夕兩、& __ ,, 之兒 '极，因此當然亦可由P通道電晶體或N通 道電晶體形成。 叩蒯1131連接於a端子時，將於EL元件15之陰極 31 1254264 玖、發明說明 :子施加電壓。因此，無論驅動用電晶體Ua之閘極 而子G王任何甩壓保持狀態電流皆不會流至a元件b。 疋以EL兀件15形成非點亮狀態。 開關1131連接於b端子時，將於EL元件15之陰極 而子施加GND电壓。因此，電流將視驅動用電晶體山之 閘極端子G所保持之電壓狀態而流至虹元件15。是以虹 元件15形成點亮狀態。 10 15

由以上所述可知，第113圖之像素構造中，驅動用電 日晴11a與EL 7〇件15間並未形成開關用電晶體，但 ’藉由控制開關1131仍可進行此元件15之點亮控制。 、第1圖、第2圖等之像素構造中，驅動用電晶體山 為1像素1個。本發明並非以此為限，驅動用電晶體山 亦可於1像素中形成或配置有多數個。第116圖即其實施 < j第116圖中，1像素中形成有2個驅動用電晶體u 、山2，且2個驅動用電晶體nal、㈤之閘極端子連接 於共通之電容器19。藉由形成多數個驅動用電晶體Ua， 則具有減少程式化電流不均之效果。其他構造同於第丨圖 等，故省略其說明。 第1圖、第2圖係將驅動用電晶體lla輸出之電流流 2〇至EL元件15，並藉配置於驅動用電晶體Ua與元件 15間之電晶體lld控制前述電流開閉。但，本發明並非以 此為限，又可舉第11 7圖之構造為例。 第1】7圖之實施例中’流至B元件】5之電流係由驅 動用電晶體】丨3控制。流至EL元件]5之電流之開閉則由 32 1254264 玖、發明說明 配置於Vdd端子與EL元件15間之開關元件Ud控制。因 此’本發明可將開關元# lld配置於任何位置，只要可控 制流至EL元件15之電流即可。 。為減少特 5μπι以上 電晶體11a特性之不均與電晶體大小有關 t生不均之情形’第i電晶體⑴之通道長宜為 μ以下£理想之第i電晶體山通道長則宜為1〇㈣ 以上5〇_ ^下。此乃考量到延長通道長L時，通道所含 之晶界增加而使電場鬆弛且可降低扭曲效應之故。 10 如以上所述，本發明係於電流流入EL元件15之通路 、或電流由EL元件15流出之通路（即EL元件15之電流 通路）上’構成或形成或配置有用以控制流至&元件。 之電流之電路機構。 如第114圖所示，電流程式化方式之一之電流鏡方式 亦可藉由在驅動用電晶體丨比與£1元件15間形成或配置 15 -作為開關元件之電晶體llg，而開閉（控制）流至虹元

件15之電流。電晶體llg當然亦可置換為第ιΐ3圖之開關 1131 〇 另，第m圖之開關用電晶體Ud、Uc係連接於^条 間極信號線17a，但如第115圖所示，則構造成電晶體… 20由閘極信號線而控制，電晶體m由閘極信號線㈤ 亡制之狀悲。第1丨5圖之構造其像素16之控制通用性較高 又，如第42 (a)圖所示，電晶體nb、&等亦可由 N通道電晶體形成。此外如f 42 (b)圖所示，電晶體川 33 1254264 玖、發明說明 、lld等亦可由p通道電晶體形成。 曰曰 本專利發明之目的係在於提出一種電晶體特性之不均 不會影響顯示效果之電路構造，是以需要4個以上之電 體。藉該等電晶體特性決定電路常數時，¥ 4個電晶:之 特性不一，則難以求取谪 '狀遇田之包路常數。通道方向相對於 雷射照射之長軸方向成水平時以及成垂直時，電晶體特性 之臨界值與移動度相異，而兩者之不均程度均相同。於水 千方向與垂直方向上，移動度及臨界值之數值之平均值皆 10 15 20 不同。因此，用以構成像素之所有電晶體之通道方向宜為 同一方向。 又，令儲存電容19之電|彳貞& p X ^ 电合值為Cs，令弟2電晶體llb 之關閉電流值為Ioff時，宜滿足下列算式， 3 < Cs/Ioff < 24 若滿足下列算式則更為理想。 6< Cs/Ioff < 18 將電晶體1 lb之關閉雷产Μ中炎< Λ 甩机叹疋為5ρΑ以下，則可將通 過EL之電流值變化控制在 仕以下。此係由於若漏電流增 加，則無法於電壓非寫人# # π i 心下將儲存於閘極-源極間（電 谷為兩端）之電荷保持於〗 、1欄（field)間。因此，若電容器 =、之儲存用電容大則關閉電流之容許量亦變大。藉由滿足 月】ϋ^式則可將田比連像素間之電流值變動控制在2%以下 0 又用以才再成主動矩陣之電晶體係由Ρ通道多晶石夕薄 膜·电晶體構成，且電晶體]〗h — ]b且形成雙閘以上之多閘構造 34 1254264 5 10 15 20 玖、發明說明 。電晶體Ub係用作電晶體1h之源極-汲極間之開關，因 此要求極盡高ΟΝ/OFF比之特性。藉由將電⑽爪之問 極構造作成雙閘構造以上之多閘構造，則可實現； ΟΝ/OFF比之特性。 ° 用以構成像素16之電晶體u之半導體膜，_般於低 溫多晶石夕技術中乃藉由雷射退火而形成。該雷射退火俾件 之不均將導致電晶體11特性之不均。但，若丨像素^ 之寸性-致，則以第i圖等之電流程式化之方式， 將可驅動預定電流流至EL元件 5。此乃電壓程式化所沒 有之優點。而雷射方面宜使用激分子雷射。 另，本發明中，丰暮辦 、 且、之形成並非以雷射退火方法 為限，亦可使用熱退火方法、固 相（CGS )長晶之方法形 成半導體膜。此外，當X Jjp认 田不限於低溫多晶矽技術，亦可使用 兩溫多晶矽技術。又， 非日日矽技術形成之半導體膜亦適 用於本發明中。 對於此一課題’本發明 _ 圖所示，以與源極信 唬線1 8成平行之狀態照射 r . 〇 火％之雷射照射點（雷射照射 已圍）72。又，可使雷射 致之狀能〜 [、、、射點㈣以與1像素列達成- 双之狀恶。當然，並非以 素列為限，舉例言之，亦可 以弟55圖之RGB為所 時為3像素列）。又，亦可… 單位照射而雷射（此 昭射-η μ °同~照射多數像素。此外，雷射 a射乾圍之移動當然亦可重聂 範圍多半重疊)。 且（通吊’移動之雷射光照射 像素係以RGB之3傻 * 衣作成正方形之形狀。因此， ❿ 35 1254264 玖、發明說明 B之各像素乃形成長方形之像素形狀。& 雷射照射點72形成f b 由將 曰^^ 成絲再知退火，則可使1像素内^ ^特性不均之情形產生。此外，並可使連接们” : 線18上之電晶體11之特性（移動率、Vt、s值等 )士達到均勾之狀態（即，Btt連之源極信號線18之電晶體有 %有特性相異之情形，但連接於1個源極信號線上之電晶 體11之特性則可達到約略相等之狀態）。 曰曰 10 15 20 第7圖之構造中，雷射照射點72之長度範圍内形成有 3個面板並呈縱向配置之狀態。用以照射雷射照射點72之 2火衣置可辨識玻璃基板74之定位標該73a、別（經圖 木辨識而自動定位）再使雷射照射點Μ移動。定位標誌 73广辨識係以圖案辨識裝置進行。退火裝置（未圖示）可 辨識定位標鍵、73並推斷出像素列之位置（雷射照射範圍 72與源極信號線18成平行狀態）。於像素列位置以重疊之 方式照射雷射照射點72再依序進行退火。 第7圖所說明之雷射退火方法（呈平行於源極信號線 18之狀態照射線狀之雷射光點之方式），於有機此顯示面 板進行電流程式化方式時特別適於採用。原因在於若與源 極信號線成平行方向則電晶體u之特性一致（縱向相鄰之 象素电aB to之特性近似）。因此，於電流驅動時源極信號線 之電壓位準變化較少，且難以發生電流寫人不^之情形。 舉例§之，若為亮閃光顯示，則流至相鄰各像素之電 曰曰體1 la之電流大致相同’故由源極驅動】c】4輪出之電流 振幅變化少。假若第】圖之電晶體⑴之特性相I司，且各 36 J254264 玖、發明說明 像素中進行電流程式 電产1化之^值為各像素列均等，則進行 爪耘式化蚪之源極信號線18 信號線18之電位不… -位為-d匕，源極 線18上之雷曰雕” ㊉接万、1個源極信號 艾包日日肢lla之特性大致相同 電位變動即變小。此於第 Μ 18之 去m 圖寺其他電流程式化方式之像 素i中亦同（即，宜運用第7圖之製造方法）。 辛二方圖、第3°圖等所說明之同時寫入多數像 方式可貫現均勾之像素顯示要是由於電晶體特 生不均所致之顯示不均難以 10 多數像素行，因此只要相鄰像之^圖寺係同時選擇 絲精素仃之電晶體㈣，則縱向 之電晶體特性不均可由源極驅動電路14吸收。 另、’第7圖中顯示，源極驅動電路14裳载有Ic晶片 田非以此為限’亦可以與像素Μ相同之製程形成源 極驅動電路14。 15 本發明特別設定使驅動用電晶體lib之臨界電壓Vth2 不低於像素内相對應之驅動用電晶體lla之臨界電堡vthl 。舉例言之’縱使電晶體llb之閘極長L2長於電晶體lla 之閘極長，以致該等薄膜電晶體之製程參數有所變動，

Vth2亦不會較Vthl低。藉此即可控制少量之電流茂漏情 20 形。 另’以上事項亦可適用於第38圖所示之電流鏡之像素 構&第38圖中，像素構造除信號電流所通過之驅動用電 晶體山、用以控制流至由EL元件Μ等組成之發光元件 之驅動電流之驅動用電晶體m外，並包含可藉問極信镜 37 1254264 玖、發明說明 5 7al之控制而連接或隔斷像素電路與資料線仏之提 =電，Uc、可藉問極信號線㊈之控制而… 、吏兒曰曰11a之開極與汲極短路之開關用電晶體叫 寫入兀辛後編續保持電晶體lla之閘極-源極間電 U，容C19、及作為發光元件之EL元件15等。 + θ ^中电θ曰月且UC、Ud乃由N通道電晶體構成， /、他電晶體則由p诵首 m P通心晶體，但此僅為-例，未必皆須 如此。電容Cs其一方之端子連接於電晶體iu之閉極，另 10 15 20 方之端子則連接於Vdd (電源電位），但亦可為任何一定 之電為而不限為Vdd。EL分姓！ C . 於接地電位。 15之負極(陰極)係連接 “其^針對本發明之EL顯示面板或el顯示裝置進行 。兄明。弟6圖係以EL顯示 伤 矿罝夂电路為中心之說明圖。 象素16係配置或形成成矩陣狀。各俊音μ γ t 可進行各像素之” μ 係與用以輸出 '、电々丨L王式之電流之源極驅動電路][4連接。 =區動電路14之輸出級則形成有可與映像信號之位元數 pb電流鏡電路（說明於後）。舉例言之，若為64灰 二則構造成63個電流鏡魏形成於各源極錢線，並可 二二擇該等電流鏡電路之個數而施加所需電流於源極信 5虎線18上（參照第48圖）。 t 5n另，將1個電流鏡電路之最小輪出電流設為H)nA以 ” llA以下。若電流鏡電路之最小輪出電流為15nA以上 一下尤佳。此係為確保用以構成源極驅…内之 笔流鏡電路之電晶體之精確度。 38 ^54264 坎、發明說明 ’該裝置内藏有用以強制放出或充人源極信號線u 电狀預先充電電路或放電電路。用以強制放出或充入 :m線18之電荷之預先充電電路或放電電路，宜構造 乃电I ( “）輪出值可依R、G、B獨立設定之狀態。此 =EL凡件15之臨界值因刪而異之故（關於預先充電 兒路可苓照第65圖、第67圖及其說明）。 10 15 20

士有機EL兀件已知具有高度之溫度相依性特性（溫度 :?。為調整該溫度特性所引起之發光亮度變化，則於電 4兒路附加可使輸出電流變化之熱阻器或正溫度係數熱 敏電：等非線性元件，並以前述熱阻器等調整溫度特性所 致之變化，藉以類比式調整（改變）基準電流。

本么明中，源極驅動電路14係由半導體石夕晶片形成， 二藉玻耦復日日（（2〇(j · Chlp 〇n Glass)技術與陣列基板π 之源極k唬線18之端子連接。源極驅動電路Μ之構裝並 非以COG技術為限，亦可以薄膜覆晶（·· ο# 〇n Fllm)技術作成裝載有前述源極驅動IC14等，並與顯示面 板之信號線連接之構造。又，驅動Ic亦可將電源ic82另 外製作，並作成3晶片構造。 另，閘極驅動電路12係由低溫多晶矽技術形成，即， 以與像素之電晶體相同之製程形成。此乃内部之構造較源 極驅動電路14簡單，且動作頻率亦較低之故。因此，縱以 低溫多晶矽技術亦可輕易形成，且可實現窄邊框化之效果 °备然亦可以矽晶片形成閘極驅動電路】2，並利用c:〇G 技術寻安裝於陣列基板7丨上。又，像素電晶體等開關元件 39 1254264 玖、發明說明 、閘極驅動器等亦 错向溫多晶矽技術形成，亦可由有趟 材料形成（有機電晶體)。 丨了由有機 閘極驅動電路彳2 μ # | 器電路-與·^ = w用之移位暫存 各移位暫存器電路之純暫存器電路61b。 CLKxP '、相位與負相位之時脈信號（ 。 XN)、起始脈衝（STX)控制（參照第6圖） 制閘極錢線 能（ENABL) f言於、田” ㈣出之Η 儿用以上下逆轉移位方向之上 UPDWN)信號。又，宜訊 10 15 20 又置用以確認起始脈衝移位至移位 暫存器並進行輪出之輸出 … 鞠出缟子寺。另’移位暫存器之移位 蚪係由控制IC81所發出之控制信號控制。此外，並内藏 有用以進行外„料之鱗移位之㈣移位電路。 由於移位暫存器電路61之緩衝能力小，故無法直接驅 動閑極信號線17。因此’於移位暫存器電路61之輸出盘 用以驅動閑極信號線17之輸出閉63間至少形成有2個二 上之反相器電路62。 以低v皿多晶矽等多晶矽技術將源極驅動電路μ直接形 成於陣列基板71上時亦同，於用以驅動源極信號線18^ 轉移閘等類比開關之閘極與源極㈣電路14之移位暫存器 ㈣a以下之事項（移位暫存器之輸出 與用以驅動信號線之輪出級（有關配置於輪出閘或轉移閘 等輸出級間之反相器電路之事項）），為源極驅動電路及閘 極驅動電路之共通事項。 舉例5之，第6圖中顯示源極驅動電路）4之輪出直接 40 !254264 玖、發明說明 連接於源極信號線18，但實際上，源極驅動器之移位暫存 器之輪出為連接多級之反相器電路，而反相器之輪出則連 接於轉移閘等類比開關之閘極。 反相器電路62係由P通道M〇S電晶體與N通道 M〇S電晶體構成者。—如先前之說明，閘極驅動電路^ 之移㈣存11電路61《輸出端呈多級連接有反向器電路 62，其最終輸出則連接於輸出閘電路63。另，反相器電路 62亦可僅由p通道構成。唯，此時亦可僅構成閘電路而非 構成反相器。 10 乐圖係本發明之顯示袭置信號、電壓供給之構迭 或顯示裝置之構造圖。由控制咖供給於源極驅動電 14之信號（電源佈線、資料佈線等）係透過撓性基板 而供給。 15 20

弟圖中，閘極驅動電路12之控制信號係由控制 產生’並藉源極驅動電路14進行位準移位後再施加於閉

驅動電路〜源極驅動電路14之驅動_為4〜8(v) 故可將控制IC81所輸出之3 一 ·3 (V)振幅之控制信號轉 為間祕動電路12可接收之5 (V)振幅。 另’第8圖等中係蔣 為驅動器，亦可内藏=載為源極驅動器’但叫 寺電路）、貧料轉換電 仔- 路、位址轉換電路、存'路、命令解瑪器、移位電 矣-路、影像記憶體等。此外 明之構造當然可取第Q ρ ; 8圖寺所說

圖寺所說明之3邊I 構成、驅動方式等加以應用。 ^路之構造或 4] 1254264 玖、發明說明 _將顯示面板使用於行動電話等資訊顯示裝置上時，如 乐9圖所示，源極驅動Ic (電路）14、閘極驅動冗（電路 )12宜安裝（形成）於顯示面板之—邊（另，如上述將驅 5 10 15 20 動IC (電路）安裝（形成）於一邊之形態乃稱為3邊益電 路構造。以往係於顯示領域之X邊安裝閉極驅動，並 於Y邊安裝源極驅動1C〗4Λ。+及& θ 力儿14)。此係為易於設計成使畫面％ 之中心線為顯示裝置之中心’亦易於安裝驅動1C之故。另 ，亦可藉高溫多晶m溫多晶梦技術等並以3邊無電路 之構造製作閘極驅動電路（即，以多晶矽技術將第9圖之 源極驅動電路14與閘極驅動電路12中至少—方直接形成 於陣列基板71上）。 、另’利3邊無電路構造，不僅是直接將以載或形 成於陣列基板71上之構造，亦包含將裝設有源極驅動忙 (電路）14、閘極驅動1C (電路）12等之薄膜（TCP、 葡技術等）㈣於陣列基板7ι之—邊（或約略一邊） 之構造。即，意指未於2邊安裝或裝設IC之構造、配置或 與其類似之所有構造。 若如第9圖將間極驅動電路12配置於源極驅動電路 14旁邊’則問極信號線17需沿著邊c而形成。另，第$ 圖等中以粗實線標示之處絲示閘極信號線17並列形成之 處。因此，b之部分（畫面下部）並列形成有與掃目苗信號 線數量相等之問極信號線17，^部分（畫面上部）則形 成有1條閘極信號線17。 々紅C.邊之閘極信號線π之節距為以上】如 42 1254264 玖、發明說明 以下。若未達細，則因寄生電容之影響而使雜訊傳導至 相鄰之間極信號線。依據實驗…_以下寄生電容之影 響明顯產生。再者若未達5吨，顯示畫面上會激烈產生跳 動狀等之影像雜訊。特別是雜訊之產生隨晝面之左右而異 ’對於降低該跳動狀等之影像雜訊實有困難。X，若間距 超過12μιη則顯示面板之邊框寬度㈣大，不符實用之效益。 10 15 20

為減少前述影像雜訊’藉由在形成有閘極信號線^之 部分之下層或上層，配置接地圖案（grand _⑽）（將電承 固定成-定電壓或全體設定成穩定電位之導電圖案）即可 使雜訊減少。此外，只需將另外設置之屏蔽板（屏蔽金屬 =片（將電墨固定成一定電壓或全體設定成穩定電位之導 书圖案））配置於閘極信號線Π上即可。

第9圖中C邊之閑極信號線17亦可由ιτ〇電極形成 ，為達到低電阻化之效果，則絲ΙΤ()與㈣薄膜層積 後再形成閘極信號線。又，宜由金屬膜形成。與ιτ〇層積 時，係於ΙΤΟ上形成鈦膜，再於其上形成鋁或鋁與鉬之合 孟薄膜，抑或於1丁〇上形成鉻膜。金屬膜係由鋁薄膜、鉻 薄膜形成。以上事項於本發明之其他實施例中亦同。 另，第9圖等中，閘極信號線丨7等乃配置於顯示領域 之側，但並非以此為限，亦可將其配置於兩側。舉例言 之，亦可將閘極信號線17a配置（形成）於顯示晝面5〇之 右側，並將閘極信號線17b配置（形成）於顯示畫面5〇之 左側。以上事項於其他實施例中亦同。 又，亦可將源極驅動]C]4與閘極驅動]ci2作成】 43 1254264 玖、發明說明 片。若可達到1晶片化，則僅需於顯示面板上安裝j個IC 晶片，因此安裝成本亦可降低。此外，1晶片驅動1C内使 用之各種電壓亦可同時產生。 另，源極驅動IC14、閘極驅動JC12係由矽等半導體 5晶圓製作並安裝於顯示面板，又當然並非以此為限，亦可 藉由低溫多晶矽技術、高溫多晶矽技術而直接形成於顯示 面板71上。 另，像素乃形成R、G、B3原色，但並非以此為限， 亦可為青綠色（cyan)、黃色、紫紅&(magenta)3色，又可為 10 B與黃色2色，當然單色亦可。此外，亦可為R、B、 青綠色、黃色、紫紅色6色，又可為R、G、B、青綠色、 I、工色5色。其等乃作為真實色彩（naU^al 俾使色彩 範圍擴大並可實現良好之顯示效果。—如上述，本發明之 虹顯示裝置並不限以咖3原色進行色彩顯示。 15 、有機EL顯示面板之彩色化主要有三種，光色轉換方 弋（〇r changing method)為其中之一。該方法形成僅具藍 色之單層作為發光層即可，而全彩化（fuU c〇i〇r)所需之其 ：彔色與紅色則可藉由光色轉換而由藍色產生。因此 其具有無須分開塗布RGB各層、無須使RGB各色之有 20 機EL私來1 , 、 〃、至之優點，且光色轉換方式不同於分開塗布 式有成口°率降低之問題。本發明之EL顯示面板等則適 用以上任一種方式。 “又，除3原色外，亦可形成白色發光之像素。白色發 光之像素可藉由爲 /曰I貝R、G、B發光之構造進行製作（形成 44 1254264 玖、發明說明 或構成）而實現。：！組像素係由RGB3原色與白色發光之 像素腳構成。藉由形成白色發光之像素’則白色之峰值 冗度更易於顯現’因而可實現呈真痒汗 只兄具冗度感之影像顯示效果。 以咖等3原色為1組像素時，仍宜使各色之像素電 極面積相異。當然，若各色之發光效率平衡佳，色彩純度 亦得良好之平衡’則面積相同亦無妨。但，若〗個或多數 色彩平衡不佳，則宜調整像素電極（發光面積）。各色之電

極面積以電流密度為基準加以決^即可色彩溫度方I 10 15 测K(kelvin••克耳文）以上12〇〇〇κ以下之範圍内，且白 平衡（whlte balance)業經調整0寺，則各色之電流密度差於 ±30%以内，於土15%以内更佳。舉例言之若令電流密度 為100A/平方公尺，則3原色皆於7〇a/平方公尺以上 職/平方公尺以下之範圍内。更理想者為3原色皆於 85A/平方公尺以上115A/平方公尺以下之範圍内。 有機EL兀件15為自發光元件。該發光所產生之光射 入作為開關元件之電晶體後則產生光導體現象(photo-conductor) 。 所 s胃光導 體現象 ，係指 因光激 發* 使電 晶體等 開關元件關閉時之、;髮漏（不正常洩漏：。ff㈣吻）增加 之現象。 為解決此一課題，本發明乃形成有閘極驅動電路12 ( 有時為源極驅動電路14)下層、像素電晶體11下層之遮 光膜。遮光膜係由鉻等金屬_形成，其膜厚為5〇nm以 上15〇nm以下。若膜厚較薄則遮光效果不足，若較厚則產 生凹凸而難以於上層之電晶體]lal進行圖案化。 45 1254264 坎、發明說明 驅動電路12等不僅對裏面，亦需抑制光由表面進入。 此乃因光導體之影響將造成故障之故。因此，本發明中， 陰極電極為金屬膜時，驅動電路12等之表面亦形成陰極電 極，並將該電極作為遮光膜使用。 驅動电路12上右形成陰極電極，則有該陰極電極 所產生之電場導致驅動電路故障或陰極電極與驅動電路產 生電性連接之可能。為解決此一課題，本發明乃於像素電 極上之有機EL膜形成之同時’於驅動電路η等上形成至 少1層、理想者為多層之有機EL膜。 10 15 20 若像素中】個以上之電晶體u之端子間或電晶體u 與信號線間短路，則EL元件15通常成為點亮之亮點。該 ^在《上十分醒目’因此需加以黑點化（非點亮狀態） 。對於党點’檢測出其像素16’並於電容器19照射雷射 光以使電容器之端子間短路。因此，電容器 電荷’故可使電流不通過電晶體lla。此時宜二 射光照射位置之陰極膜’此乃藉由雷射照射可防止電容器 19之端子電極與陰極膜間短路之故。 像素16之電晶體u之缺陷亦會影響源極驅動咖等 、。舉例言之，第45圖中若驅動用電晶體lla中發生源極· >及極（SD)短路452，則而扣夕+ r 幻面板之Vdd電壓將施加於源極驅 動们4。因此，源極驅動ICM之電源電壓宜先設定為與 面板之電源電M wd 4目同或較高。另，源極驅動ic所使 用之基準電流宜預先構造成可藉由電子電壓控制器 (electromc ν〇1则e)451 調整之狀態。 46 I254264 玖、發明說明 5 10 15 20 右電晶體11a中發生SD短路452，將有過大之電流流 至EL兀件15。即，EL元件15形成點亮狀態（亮點），亮 點較為顯眼而成為缺陷。舉例言之，第45圖中，發生電晶 體1U之源極-汲極（SD)短路後，無論電晶體11a之間極 (G)端子電位大小如何，電流通常由vdd電壓流至£乙元 件15 (電晶體lld開啟時），因而形成亮點。 此外，右電晶體11a中發生SD短路，則於電晶體Uc 呈開啟狀態時，Vdd電塵將施加於源極信號線i8並使Vdd ㈣施加於源極驅動電4 14。若源極驅動電路Η之電源 電壓在Vdd以下，則有超過耐心致破壞源極驅動電路μ 之虞。因此，源極驅動電路14 <電源電壓宜設定在福 電壓（面板中較高之電壓）以上。 電晶體Ha之SD短路等，不僅造成點缺陷，甚而恐 有對面板之源極驅動電路造成破壞之虞，且因亮點醒目而 使面板效果不良。因此’需截斷連接電晶體Ha與此元 件15間之佈線，並將亮點作成黑點缺陷。該截斷宜以雷射 光等光學機構進行切斷。 以下就本發明之驅動方法進行說明。如第i圖所示’ 間極信I線W於行選擇期間乃形成導通狀態（於此第】 圖之電晶體11為p通道雷晶㈣ 日日肢，故形成以低位準導通之狀 態）’閘極信麟i 7 b I松麵軸間心導通狀態。 源極彳§號線18上存有寄生雷交r 土 王兒谷（未圖示寄生電容 係由源極信號線18與閘極信號線17之交又部之電容、電 晶體11 b、Π C之通道電容等而產生。 47 I254264 玖、發明說明 +源極信號線18之電流值變化所需之時間t，若令雜散 電容之大小為c、源極信號線之電壓為v、流至源極信號 :之電流為1f 因此若可將電流值擴大1〇 ^則表不電流值變化所需時間可縮短至將近1G分之！，或 縱=源極信號線18之寄生電容增為1G倍亦可改變成預定 2電流值：因此，為於較短之水平掃瞄期間内寫入預定之 电流值，增加電流值實為一有效之辦法。 10 15 20 右將輸入電流增為1G倍則輸出電流亦增為w倍，且 !_L之亮度變成10倍’因而得到預定之亮度，是以藉由將 弟1圖之電晶體lld之導通期間設為之前的1〇分之i，並 將發光期間設為10分之卜俾可顯示預定亮度。另，以1〇 倍為例進行說明乃為利於理解之故，並非以1〇倍為限。 即，為充分進行源極信號線18之寄生電容之充放電， 並於像素16之電晶體ua中對預定之電流值進行程式化’ 則需由源極驅動電路14輸出較大之電流。但，若如此令較 大電流流至源極信號線18’則該電流值將於像素中程式化 ’且相對於預定電流較大之電流將流至EL元件15。舉例 二之’若以1G倍電流進行程式化，則w倍電流當然流至 —讀15,且EL元件15以1()倍之亮度發光。為達到預 …亮度’僅需將流至EL元件15之時間縮短為ι/ι〇 即可。错由如此驅動，則可對源極信號線Μ之寄生電容充 分進行充放電，並可得到預定之發光亮度。 :二10倍電流寫入像素之電晶體山(正癌地說乃 4谷益19之端子電壓），並將肛元件】.5之開啟時間 48 1254264 玖、發明說明 設為1 /1 〇僅為盆由 ，·、 . 、/、 9。視情況亦可將10倍電流值寫入 象素之電晶體11 a，並將FT ; 土 ' 兀件15之開啟時間設為1/5。 反之有時則可將1 〇 电飢值舄入像素之電晶體11a，並將 元件15之開啟時間設為丨。 明之特徵在於將寫入像素之電流設為預定值以外 =二歇狀態驅動流至EL元件15之電流。本說明

Lu便方;/兄明’則解說成將N倍之電流值寫入像素之電 日日月丑，亚將EL元件15之開啟時間設為 以此為限，當然亦可將N1 仁並非 10 、 σ之电机值寫入像素之電晶體 11，亚將EL元件15之開 奶不同）。 ！/㈤）倍㈤與 於亮閃光顯示中，假設顯 ^ ^ ^ ^ 之1攔（幀）期間 千句冗度為Β0，此時，則採 以使各像素】6夕丄# d 退仃电机（电壓）程式化 丈分1豕常16之売度B1較平 15 20 十均冗度BQ兩之驅動方法， 且為可於至少U§1 (鴨）期 _ 生非頭不領域Μ之驅動 〆。因此，本發明之驅動方、、+ + 均亮度較別低。動方法中，1搁⑻期間之平 限為ί門間歇之間=(非顯示知或52/顯示領域53)並不 。舉例言之’亦可為隨機間歇之間隔（整體而 〜 功間達預定值（-定比例）即 可）。又，亦可隨RGB而異。 ,# ^ ^ , 為使白平衡達最佳狀態 僅而调整（設定）至R、G、 頭不期間或非顯示期間達 J預疋值（一定比例）即可。 為便於說明本發明之驅. 動方法，所謂L/N，係解釋成 49 1254264 玖、發明說明 以1FU欄或為基準而令該1?為_。但 選擇1像素行並對電 …、有 丁I對电机值進订程式化之時間（通常為 平掃猫期間（1H))，且隨掃目苗狀態亦有誤差產生。 舉例…亦可以N=10倍之電流於像素16進行+ 流程式化，並於1/5之期間内使肛元件15點亮，則^ 兀件15卩10/5 = 2倍之亮度點亮。亦可以N=2倍之電 於像素16進行電流程式化，並於ι/4之期間内使虹= 15點亮，則EL元件15以2/4=〇5倍之亮度點亮。即，本 發明係以非1佟夕+, 10 15 20 。之电〜進仃程式化，且實施平時點亮 (1/1 ’即’非間歇顯示）狀態以外之顯示者。又，本發明 乃採取於"“或"闇）之期間内將用以供給於肛二牛 15之電流關閉至少1次之驅動方式，且，採取以較預定值 大之電流於像素16中進行程式化，並至少實施間歇顯示之 驅動方式。 有機（無機）EL顯示裝置與例> CRT等以電子搶作 成線狀顯示之集合而顯示影像之顯示器，亦有顯示方法基 本上即為不同此一方面之問題。即，EL顯示農置可於丨； (1攔或1巾貞）之期間内，保持業已輸入於像素中之電流 (兒幻因此’右進灯動畫顯示則會發生顯示影像 糊之問題。 、 本發明中，僅於1F/N之期間内使電流流至扯元件15 ”他日守間（IF ( N- 1 ) /N )則不使電流通過。實施該驅 動方式並觀測畫面之一點之情形。於該顯示狀態下，可在 可U反覆顯不影像資料顯示與黑顯示（非點亮）。即，影 50 1254264 玖、發明說明 像資料顯示狀態係呈時間性間歇顯示狀態。若於間歇顯示 狀態下觀看動晝資料顯示，則影像無輪廊模糊之情形且可 實現良好之顯示狀態。即，可實現接近CRT效果之動畫顯 示。 5 10 15 20 本發明之駆動方法可實現間歇顯示，但，間歇顯示僅 於m週期中對電晶豸lld進行開閉控制即可。因此，電 路之主時脈與習知無異’故電路之電力消耗量亦無增力二 液晶顯示面板中，為實現間歇顯示乃需具有影像記憶體， 本發明則將影像資料保持於各像素16中，因此無須另設用 以貫施間歇顯示之影像記憶體。 本發明係僅藉由開閉開關電晶體nd或電晶體…等 而控制流至EL元件15之電流。即’縱使關閉流至EL元 件15之電流IW，影像資料仍可照常保持於電容器w中。 因此’若於下一時序令電晶體ud等開啟並使電流流至虹 牛15 %其所通過之電流與先前流過之電流值相同。本 發明縱於實現黑插入（黑顯示等間歇顯示）時，亦不需提 高電路之主時脈。又’亦不需要可不實施時基延長之^象 ㈣體。此外’有機EL元件15自施加電流後至發光為止 二寺間甚短，且可高速回應’因此適用於動畫顯示，進而 可错由實施間歇顯示而解決以往資料保持型顯示面板（液 ^不面板、EL顯示面板等）之動畫顯示問題。 進而’大型顯示裝置中源極信號線18之佈線長增長， =極信號線]8之寄生電容變大時，可藉由增加N值加 以對應。令施加於源極信號線18之程式電流值增為N倍 51 1254264 10 15 玫、發明說明 時，僅需將閘極信號岣 七唬、'表Hb(電晶體nd)之導通 1F/N即可。藉此亦 又勹 ^ 適用於電視、監視器等大型顯示裝置 等上。 下麥知圖式並就本發明之驅動方法再加 明。源極信號線18之 孑、、田0兄 〇 毛谷係由相鄰之源極信號岭 間之耦合電容、源極謳動 彳_IC(電路）Η之緩衝輸出 閘極信號線17金湄炻产％ & 源極化號線18之交又電容等 生電容通常為10pF以卜+广 忒寄 ΤΓ1Δ . ^ 〇电壓驅動時，電壓由源極驅動 以低阻抗施加於源極作 σ藏線1 8 ’因此縱使寄生雷 大亦不影響驅動。 包合稍 但’電流驅動時，鞋則θ 9η Δ 彳寸別是黑位準之影像顯示時需 2〇nA以下之微小電流 了而 使像素之電容器19程式化。因此， 寄生电谷之產生若為預定值以上之大丨 主—丄 上之大小’則無法於在1德 素行中進行程式化之時間 才间内（通常為1H以内 同時寫入2像素行之情形，故不限 隹亦有 容充放電。若無法於1H期門充放;;H以内）對寄生電 足，且解析度不會增加。B电，則對像素之寫入不 呈第1H之像素構造時， 程式化時裎i+ 4 T 圖所不，於電流 '化化…流IW將流至源極信號線! 過電晶體11a，且為徂姓π 〜甩机Iw通 n 4料可通過1W之電 進仃_定（程式化）。此時，電^ 關閉狀態）。 王斷路狀態（ 其次，使電流流至EL元件】5 所示，電晶體llc '丨lb叼閉 S、。弟3“）圖 相’而規晶體W進行動作。即 18 以 19 20 1254264 玖、發明說明 ’於閘極信號線17a施加斷開電壓（Vgh)而使電晶體爪 lie關閉。反之’於閘極信號線施加開啟電壓（Vgi )而使電晶體lid開啟。 現右電流II為本來通過之電流（預定值）之N倍，第 5 3 (b)圖中則流至EL兀件15之電流亦變成^。因此， EL兀件15可以預定值1〇倍之亮度發光。即，如第η圖 斤丁七率N恩冋’則像素i 6之顯示亮度B亦愈高。因 此，倍率與像素16之亮度係成比例關係。 因此，若令電晶體Ud僅於本來開啟時間（約ιρ) 10 ^之期間開啟，而於其餘期間（N—〇 /n期間關閉，則 1F全體之平均亮度將達到預定之亮度。該顯示狀態則近似 CRT以兒子搶掃目苗晝面時之狀態，相異點在於晝面全體之 1/N (設全晝面為υ呈點亮狀態（CRT之點亮範圍為丄像 素行（嚴格來說為1像素））。 15 本發明中，該1F/N之影像顯示領域53係如第13 (b )圖所示由畫面50上方向下移動。本發明並僅於if/n^ 期間内使電流流至EL元件15，其餘期間（1f (n—〇 /N)則無法通過電流。因此，各像素16即成間歇顯示。但 ，人類之肉眼受殘留影像影響而形成可保持影像之狀態， 20故所見如同全畫面均勻顯示之狀態。 能另，如第13圖所示，寫入像素行W為非點亮顯示狀 〜、但，此乃呈第1圖、第2圖等之像素構造時之情形。 右呈第38圖等所示之電流鏡像素構造，則寫入像素行 亦可為點亮狀態。但本說明書中為便於說明，主要仍以第 1254264 玖、發明說明 1圖之像素構造為例進行說 明。此外，第13圖、第16圖 等以u疋驅動電流Iw大之電流加以程式化並進行間歇驅 動之驅動方法則稱為N倍脈衝驅動。 10 15 20 θ _於此—顯示狀態下每1F可反覆顯示影像資料顯示、黑 ’頁不（非點冗）’即’影像資料顯示狀態係成時間性不連續 顯示（間歇顯示）狀態。液晶顯示面板（本發明以外之肛 、員丁面板）A IF之期間内乃使資料保持於像素中，故於動 晝顯示時縱使影像資料改變亦無法隨之變化，因而形成動 糊之狀（影像之輪廓模糊）。但，本發明係間歇顯示 衫像，故無影像輪廉模糊之情形並可實現良好之顯示狀態 ’即’可實現接近CRT效果之動畫顯示。 另，如第13圖所示，為進行驅動，需獨立控制像素 16之電流m時間（第1圖之像素構造中，閘極信號線 W上施加有開啟電麼Vgl之期間)、與控制肛元件㈣ 閉或㈣之期間（帛1圖之像素構造中，閘極信號線17b 上施加有開啟電壓Vgl或斷開電壓Vgh之期間)。因此， 開極信號線17a與閘極信號線m必須分離。 舉例言之，由閘極驅動電路12佈線至像素16之閉極 ㈣線17為1條時，於將施加於閘極信號線η之邏輯電 ^ (¥夠）施加於電晶體叫，並以反相器轉換施加 =極h虎線π之邏輯電壓（Vgl 一或vgh)而使其施加於 电晶體】ld之構造中’無法實施本發明之驅動方法。因此 ’本發明令需有用以操作間極信號線…之間極驅動電路 ⑽用以操作閉極信號線”b之閉極驅動電路丨2b。 54 I254264 玖、發明說明 圖之像素構造中，及 ’皆為非點亮顯示之 又，本發明之驅動方法係於第夏 於電流程式化期間（1H)以外之期間 驅動方法。 弟圖之驅動方法之時序圖乃顯示於第14圖。另， ί發明等中’無特別事先聲明時之像素構造為第！圖。由 弟14圖可知，各經選擇之# 象素仃（璲擇期間為1Η)中， 於閘極信號線17a施加開啟電壓 Q Vgl )日T (苓照第14圖 之⑴)，閉極信號線17b上則施加斷開電壓（戰參 10 15 20 照…之⑴)。又’該期間電流並未流至扯元件;5 (非點免狀態）。在未獲選擇之像素行中，則於閘極信號線 17a施加斷開電壓（v ， 並於閘極信號線17b施加開啟 電壓（Vgl ) ’而該期間電流將、、亡 一 爪將机至EL凡件15 (點亮狀態） 。此外，於點亮狀態下，EL元件15係以預定之n倍亮度 (Ν·Β)點亮’其點亮期間則為職。因此，平均π後 之顯示面板之顯示亮唐g I盏f "度則為（Ν · B) X ( 1/N) (預定 亮度）。 弟15圖係將第14圖之動作制於各像素行之實施例 斤丁者為施加方、閘極信號線17之電壓波形。電壓波形係 令斷開電壓為Vgh(H位準），並令開啟電壓為Vgl(L位 準）⑴（2)等附具文字係表示選擇之像素行編號。 第15圖中，％擇閘極信號線17a ( 1) (Vgl電壓），且 程式電流由所選像素行之電晶體⑴朝源極驅動電路"再 流至源極信號線18。該程式電流為預定值之N倍（為便於 說明，則以N =] 〇也穴〜、 連订况明，當然所謂預定值乃用以顯示 55 1254264 玖、發明說明 因此 〜像之貝料電流，故若非亮閃光顯示等則非固定值、 ，乃於電容器1”使電流程式化達10倍而流至電曰： 山。選擇像素行⑴時，於第1圖之像素構造中問滅 號線17b⑴上施加斷開電麼（Vgh)，使電流無法流至 5 EL元件15。 方、1H後，選擇閘極信號線17a ( ( 電壓），且 私式电/瓜由所遙像素行之電晶體lla朝源極驅動電路Μ再 概至源極信號線18。該程式電流為預定值之N倍（為便於 。兒月則以10進行說明）。因此，乃於電容器19中使 1〇电流轾式化達10倍而流至電晶體11a。選擇像素行（2) 時，於第1圖之像素構造中閘極信號線m⑺上施加斷 開電壓（Vgh)，使電流無法流至EL元件15。但，先前像 素行（1 )之閘極信號線丨7a ( i )上施加有斷開電壓（v妨 )，且閘極信號線丨7b (丨）上施加有開啟電壓（Vgi )，故 15 形成點亮狀態。 於下一 1H後，選擇閘極信號線17a (3)，並於閘極信 號線17b (3)施加斷開電壓（Vgh)，使電流無法流至像素 行（3)之EL元件15。但，先前像素行（丨）（2)之閘極 信號線17a ( 1) (2)上施加有斷開電壓（vgh)，閘極信號 2〇線17b ( 1) (2)上施加有開啟電壓（Vgl)，故形成點亮狀 態。 令以上動作與1H之同步信號同步以顯示影像。但， 第1 5圖之驅動方式乃使1 〇倍之電流流至el元件]5，因 此，顯示畫面50係以約〗〇倍之亮度顯示。為於此一狀態 56 1254264 玖、發明說明 下進行預定之亮度顯示當然只要先將程式電流設為⑽即 可，但若為mo之電流則因寄生電容影響而產生寫入不足 之現象’故本發明之基本主旨係以高電流進行程式化，並 藉由插人非點亮領域52而得到預定之亮度。 另’本發明之驅動方法般 .., 、、 勒力沄蘩於一使較預定電流高之電 10 15 20 八至EL το件15，亚使源極信號線18之寄生電容充分充 放電之概念。即，不使N倍之電流流至虹元件15亦可。 舉例言之，亦可纽元件15並列形成電流通路（形成虛 =之EL元件，而該EL元件則形成有遮光膜以使其不發光 寺）’亚使電流分流而流入虛擬EL元件與el元件Η。舉 例言之，信號電流為〇·2μΑ時，令程式電流為2取二 使2·2μΑ流至電晶體Ua。此例係使該電流中信號電流 〇·2μΑ流至EL元件15，而使_流至虛擬之肛元件等 之方式，_，使第27圖之虛擬像素行271常呈選擇狀態。 另’使虛擬像素行構造成不會發光，或形成遮光膜等俾使 其於發光時視覺上亦無法看見之狀態。 藉由構成如上，使用以流至源極信號線18之電流增加 為N倍，則可經程式化而使N倍之電流流至驅動用電晶體 11a，且可使退少於N倍之電流流至電流el元件η。以上 方法即如如第5圖所示，可不設置非點亮領域52而使全顯 不畫面50為影像顯示領域53。 第丨3 (a)圖係表示對顯示晝面5〇之寫入狀態。第u (a)圖中，51a為寫入像素行。程式電流係由源極驅動 1C14供給於各源極信號線18。另，第丨3圖等中]η期間 57 1254264 玖、發明說明 寫入之像素仃為1行，但並無限定ih之意，亦可為吻 期間或2H期間。此外’雖於源極信號線18寫人程式電流 ，但本發明並未以電流程式化方式為限，寫人源極信號線 Μ者亦可為電壓之電壓程式化方式（例如㈣圖等）。 弟13 U)圖中’若選擇閘極信號線17a則流至源極 信號線18之電流將於電晶體1la加以程式化。此時，於閘 極信號線17b施加斷開電壓而使電流不會流至虹元件b 匕係由方、EL兀件J 5側若電晶體i id為開啟狀態，則由 源極信號線15即可g ρ 4 ! π 10 15 20 ΡΤ見EL兀件15之電容成分，受到該電 容之影響將無法於電容器19進行十分正確之電流程式化。 口此右以第1圖之構造為例’則如第13 ( b)圖所示， 寫入有電流之像素行為非點亮領域52。 現在，右經N倍（於此乃如前述Ν=ι〇)之電流進行 程式化，則畫面之亮度& 10倍。因此，只要將顯示晝面 刈之9〇%之範圍形成非點亮㈣52 μ 不領域之水平掃晦線為QCIF之220條（S = 22())，則僅需 使22條為顯示領域53 ’ 22q —22= 198料非顯示領域2 即可。—般而言’假設水平掃瞒線（像素行素）為S，則 以S/N之領域為顯示領域53，並以N倍之亮度使該顯示領 域53發光，且，朝畫面之上下方向掃目苗該顯示領域53。 (N 1 ) /N之領域為非點亮領域52。該非點亮領 ，，顯示（非發光)。此外，該非發光部Μ可藉由關 閉笔晶體l]d而命T目 χρ 、 貝見。另，雖說是以Ν倍之亮度使其點亮 …、而亦田1Τ错由明亮度調整、伽瑪⑺調整而調整Ν倍之 58 1254264 玖、發明說明 值。 又’先前之實_中’若以1G倍之電流進行程式化， 難面之亮度變成1G倍，且只要使顯示畫面50之90%之 範圍為非點亮領域52即可。但，此並未限定使rgb之像 素全為非點亮領域52。舉例言之，亦可使^像素中Μ 為非點亮領域52，G之像素中1/6為非點亮領域52，b之 像素中1/10為非點亮領域52，隨各色而作變化。此外，亦 10 °、 之色個別6周整非點党領域52 (或點亮領域53 )。 為實現其等’則R、G、B需要個別之閘極信號線17b。然 ，因可進行上述RGB之個別調整，故可㈣白平衡，且易 於各灰階中進行色彩之平衡調整（參照第Μ圖）。 弟13 (b)圖所不，含寫入像素行5ia之像素行為 非點亮領域52 ’且使高於寫入像素行5la之畫面S/N (時 15 ]為1F/N)之祀圍為顯示領域53 (此乃寫入掃蹈係由畫 面上方朝下進行時，若由下往上婦聪畫面時則相反）。影像 顯讀態係顯示領域53呈帶狀’且由畫面上方向下移動。 ♦弟13圖之圖式中’ 1個顯示領域53係由畫面上方向 下私動右幀逮率（frame rate)低，則顯示領域53之移動可 由視覺辨識。特別θ^ 2。辨識。’]疋閉眼…或將臉上下移動時等尤易於 對於此一 |要靡 —,^ 碭，可如弟16圖所示將顯示領域53分割 成多數。只^ ^ 亥經分告彳之總和為s (Ν—υ /N之面積，即 等同於第]3 ff) + α > — 、 "明冗度。另’業經分割之顯示領域53盔 須相等（等分, … ’且，業經分割之非顯示領域52亦無須相 59 1254264 玖、發明說明 等。 如上所述，ϋ由將顯示領域53分割成多數使畫面閃燦 之f月形減少。因此，將無閃爍情形發生且可實現良好之影 像頜不。另，分剎可再多做細分，但分割越多則動畫顯示 5 性能越低。 第17圖所示者為間極信號線17之電屡波形及 10 15 20 毛光儿度。由第17圖中清楚可知’將設定閘極信號線17b 為Vgl之期間（1F/N)分割成多數（分割數K)。即，設成 Vgl之期間係實施κ :欠1F/ (K· N)之期間。如此一經控 制，财抑制閃燦發生，並可實現低幢速率之影像顯示。 且構k成。亥衫像之分割數亦可加以改變之狀態。舉例 言之’使用者可藉由按壓明亮度調整開關，或旋轉明亮度 控制器（ν〇ι_)’檢測出該變化從而變更Κ之值。此外， 亦可構造成由使用者調整亮度之狀態，又可構造成藉由顯 厂、7/像之内谷H而手動或自動使其改變之狀態。 另第17圖等中’係將設定閘極信號、線17b為Vgl之 期間（1F/N)分割成多數（分割數K)，且設成Vgl之期間 騎施1欠1F/(K.N)之期間，但並非以此為限，亦可 實施L(L章K):欠1F/(K.N)之期間。即，本發明係藉 由控制流至EL元株1 s+ 兀仵15之期間（時間）而使顯示晝面5〇 顯示者。因此，實施L(L#K)次m(KN)之期間乃含 括於本發明之技術性思想中。又，藉由改變l之值則可^ 位式變更顯示晝面50之亮度。舉例言之，㈤與h時 π d κ之冗度（對比）變化。此外，分割影像之顯示 60 1254264 玖、發明說明 領域53時，設定閘極信號線17b為 g t期間並不限為同 一期間。 連接流至此元件15之電流’而開閉（點亮、非點亮）孽 示畫面50者。即’藉由電容器19所保持之電荷而多次使 略㈣電流流至電晶體lla。然本發明並非以此為限，舉 例言之，亦可為藉由使電容器19所保持之電荷充放電，而 開閉（點亮、非點亮）顯示畫面5〇之方式。 10 15 20 第18圖係用以實現第16圖之影像顯示狀態之施加於 閘極信號線17上之電壓波形。第18圖與第15圖之差異在 於閘極H線17b之動作。閘極信號線17b係對應於分割 晝面之個數而僅以其個數量之次數進行開閉（Vgl與Vgh )動作。其餘則與第15圖相同故省略其說明。 EL顯不裝置中黑顯示為完全非點亮之狀態，故如間歇 顯示液晶顯示面板時，亦無對比降低之問題。又，第i圖 、弟2圖、第32圖、第43圖、第ιΐ7圖之構造中，僅藉 由開閉操作電晶體Ud即可實現間歇顯示。而第％圖、第 。圖第U5圖之構造中，僅藉由開閉操作電晶體lle即 可實現間歇顯示。此外，第H3圖中藉由控制切換電路 1131即可實現間歇顯示。而第114圖中藉由開閉控制電晶 版1 Ig即可貫現間歇顯示。此乃電容器19中儲存有（由於 為』比值故灰階數無限大）影像資料之故。即，各像素 中’影像:#懸保持於】F之顧中。是否使相當於所保持 之〜冬貝料之電流流至EL元件】5則藉由電晶體】、1】e 61 1254264 玖、發明說明 之控制而實現。 因此，以上之驅動方法並非以電流驅動方式為限，亦 可運用電壓驅動方式。即，於使流至EL元件15之電流保 存於各像素内之構造中，藉由開閉EL it件15間之電流通 路而员現間歇驅動電晶體11之目的。 維持電容H 19之端子電壓係以減少閃爍及降低電力消 ^為要。此係由於若於1攔（巾貞）期間中電容器19之端子 產生化（充放電）’畫面亮度將改變。而若晝面亮度 參 文爻則幀連率降低時會產生忽明忽暗（閃爍等）之情形 。電晶體11a於1巾貞（1搁）期間中流至el元件Μ之電 至^必須不低至65%以下。該65%係指寫入像素Μ 中且机至EL兀件15之電流最初為1〇〇%時，於下一幀（ 搁）欲寫入前述像辛 豕京16内刖流至EL元件15之電流在65 %以上。 第1圖之像素構造中，實現與不實現間歇顯示時，構 成1像素之電晶體11之個數並無改變。即，像素構造在維 · :不變之狀態下，可去除源極信號線18之寄生電容影響並 _ 只見良好之“私式化。且’可實現接近crt效果之動晝 顯示。 二 又，問極驅動電路12之動作時脈較源極驅動電路14 之動作4脈延遲，午多，因此無電路之主時脈提高之情形。 此外，N值之變更亦較為容易。 另’景> 像％員不方而「旦彡你# 乃门（衫像寫入方向）於第]欄（第] 貞^亦可由畫面上方向下，於後續之第2欄（第2巾貞） 62 !254264 玖、發明說明 則可由晝面下方向上。即，由上往下與由下往上交互反覆 進行。 進而’影像顯示方向亦可於第】棚（第"貞）時由晝 面上方向下，且暫令全畫面為黑顯示（非顯示）後，後續 5之第2攔（幢）則由晝面下方向上，且可再暫使全畫面形 成黑顯不（非顯示）。 另，以上之驅動方法之說日月t，乃使晝面之寫入方法 $由畫面上方向下或由下往上’但並非以此為限。晝面之 寫入方向亦可固定為不斷由畫面上方向下或由下往上，並 10使非顯示領域52之動作方向於第㈠閑時為由畫面上方向下 ’而於後績之第2欄時由畫面下方往上。又，亦可將"貞 分割為3攔’並令第1欄為R、第2欄為G、第3欄為B ，而由3攔形成i + 貞。此外，亦可於每ι水平掃蹈期間（ 1H)切換R、G、B *進行顯示（參照第125圖至第132 15圖及其說明等）。以上事項於其他本發明之實施例中亦同。 :顯不領域52無須完全為非點亮狀態，縱有微弱發光 或低冗度之影像顯示，於實用上亦不造成問題，即，非顯 不領域52應解釋為顯示亮度較影像顯示領域53低之領域 。又’所謂非顯示領域52，亦包含在R、G、Bf》像顯示 中僅有i色或2色為非顯示狀態之情形。此外，亦包含在 R/G、B影像顯示中僅1色或2色為低亮度之影像顯示狀 態之情形。 基本上顯示領域53之亮度（明亮度）維持於預定值時 1不領域53之面積愈大則畫面50之亮度愈高。舉例言 63 1254264 软、發明說明 之，顯示領域53之亮度為1 〇〇 ( nt)時，若顯示領域53於 全畫面50所佔比例由10%變為20%，則晝面之亮度將變 為2倍。因此，藉由改變顯示領域53於全晝面所佔之面積 ，即 < 改變晝面之顯示亮度。是以畫面50之顯示亮度與顯 5 示領域53於晝面50所佔之比例成比例關係。 顯示領域53之面積可藉由控制施於移位暫存器61之 資料脈衝（ST2 )而任意設定。又，藉由改變資料脈衝之 輸入時序、週期，則可轉換第16圖之顯示狀態與第丨3圖 之顯示狀態。1F週期内之資料脈衝數愈多則晝面5〇愈亮 10 ，若少則晝面5 0變暗。此外，若連續施加資料脈衝則形成 第13圖之顯示狀態，若間歇輸入資料脈衝則形成第16圖 之顯示狀態。 第19 ( a )圖乃如第13圖所示顯示領域53為連續時 之明亮度調整方式。第19 (al)圖之晝面5〇顯示亮度最 15 亮，第19 ( a2 )圖之畫面50顯示亮度則次之，第19 ( a3 )圖之畫面50顯示亮度最暗。而第19(a)圖最適於動畫 顯示。 由第19 ( al )圖至第19 ( a3 )圖之變化（或順序反之 )亦如先前之記載，可藉由閘極驅動電路12之移位暫存器 黾路61等之控制而輕易貫現。此時，無須使第1圖之vdd 電壓改變，即，可於不改變電源電壓之狀態下實施顯示晝 面50之亮度變化。又，由第19 (ai)圖轉變至第Μ (a3 )時，畫面之伽瑪（γ)特性完全不變。因此，無論畫面5〇 之売度如何，皆可維持顯示影像之對比與灰階特性。此乃 64 1254264 玖、發明說明 本發明特具效果之特徵。 以往畫面之亮度調整，於畫面50亮度低時灰階性能降 低，即，縱於高亮度顯示時可實現64灰階顯示，然於低亮 度顯示時大多僅可顯示一半以下之灰階數。相較於此，本 I明之驅動方法無論畫面之顯示亮度如何，皆可實現最高 之64灰階顯示效果。 10 15 20 明：度調整方式。帛19(bl)圖之畫面50顯示亮度最亮 ，弟19 (b2)圖之畫面50顯示亮度則次之，第19 (b3) 圖之畫面5〇顯示亮度最暗。由第19 (Μ)圖至第19⑴ )圖之變化（或順序反之）亦如先前之記載’可藉由閘極 :動：路12之移位暫存器電路61等之控制而輕易實現。 :::=)。圖使顯示領域53分散，縱使W低亦無 第進而為達縱為低㈣率亦不產生閃爍之效果，僅需如 (〇圖所示將顯示領域53多加細分即可^動 样貝不性能則降低。因此，若 I之 之驅動方Μ社 以人頌不動畫則以第19(a)圖 動方法為佳。欲顯示靜書並I 則以第 -L低電力消耗量時， 19(c )圖之驅動方法為佳。由㈣⑴圖至第 )圖驅動方法之轉換亦可择 而輕易實現。 "错由移位暫存器6〗之控制 么專之貫施例。但， N = 2以上。舉例言 一半以下之領域為非 以上實施例主要為令2倍、4 本设明當然不以整數倍為限，且不限 之，有時亦於某一時刻使顯示畫面5〇 65 !254264 玖、發明說明 點壳領域52。只要以預定值5/4倍之電流Iw進行電流程 式化並使1F之4/5期間呈點亮狀態，即可實現預定之亮度 本毛明並非以此為限，舉例言之，亦有以1 〇/4倍之電 流1w進行電流程式化，並使1F之4/5期間呈點亮狀態之 方法。此時係以預定亮度之2倍點亮。又，亦有以5/4倍 10 15 2電流Iw進行電流程式化，並使1F之2/5期間呈點亮狀 態之方法。此時係以預定亮度之1/2倍點亮。此外，亦有 、 七之兒流Iw進行電流程式化，並使1F之1/丨期間 王點冗狀態之方法。此時係以預定亮度之5/4倍點亮。 即，本發明所採方式乃藉由控制程式電流之大小與1Ρ 之點亮期間而控制顯示晝面之亮度。且，藉由點亮較巧期 間^之期間，則可插人非點亮領$ 52，並可提高動晝顯示 II此。令1F之期間經常點亮則可顯示明亮之晝面。 寫入像素中之電流源極驅動電路14輸出之程式電 >刀L ) ’於像素大小為A单古

- 千方mm，焭閃光顯示預定亮度為B (nt)時，程式電流I (μΑ)宜於 (Αχβ) /20^1^ ( Αχβ) 20 之範圍内。如此一來，發光效率良好 不足之情形。 且可解除電流寫入 進而’更理想者為程式電流Ι(μΑ)於 (ΑΧΒ) /10^1^ (ΑχΒ) 之範圍内。 】8之電流增大之另一實 第20圖係使流至源極信號線 66 1254264 玖、發明說明 施例說明圖。基本上為同時選擇多數之像素行，、，夕 像素行合併後之電流對源極信號線 夕數 .^ <可生電容等進行充 电’且可大幅改善電流寫入不足情形之方式。唯 時選擇多數像素行，故可使每1像素驅動之電流減少，因 此可使流至EL元件15之電流減少。在此為便於說明，乃 舉N=10為例進行說明（假設流至源極信號線 為10倍）。 包机 10 15 20 第20圖中說明之本發明在像素行部分為同時選擇Μ 像素行。由源極驅動㈣將财電流之Ν倍電流施加於 源極信號線18。於各像素使流至EL元件15之電流之讀 倍電流程式化。舉例言之，為使EL元件15_預定發光 骨度’乃將流i EL元件15之時間設為1鴨（ι搁）之 M/N時間（唯，並不限為M/N，設成麵乃為便於理解之 故’亦當可如先前說明，視顯示之晝面50亮度而自由設定 )、、二由如此驅動，則可使源極信號線丨8之寄生電容充分 充放電，亚可達到預^之發光亮度而得到良好之解析度。 本發明係呈僅於1幢（1攔）之M/N期間内使電流流 至虹兀件15，其餘時間（IF (N—1) M/N)則不使電流 通過之狀態而顯示。於該顯示狀態下每可反覆顯示影像 貢料顯示及黑顯示（非點亮），即，影像資料顯示狀態係呈 π間11不連鉍頒示（間歇顯示）狀態，因此，影像無輪廓 模翱之^形且可貫現良好之動畫顯示。此外，由於源極信 唬線18乃以N倍之電流驅動，故不受寄生電容影響，亦 °」對應南畫質顯示面板。 67 1254264 玖、發明說明 第21圖係用以實現第2〇圖之驅動方法之驅動波形說 明圖。彳§唬波形係設定斷開電壓為Vgh ( h位準），並令開 啟甩塵為Vgl (L位準）。各信號線之附具文字係記載像素 仃之、、·扁號（（1) (2) (3)等）。另，行數於QaF顯示面板 時為220條，於VGA面板時為48〇條。 弟21圖中，選擇閘極信號線17a (1) (Vgl電壓），並 使程式電流由所選像素行之電晶體Ua㈣極㈣電路Μ 流至源極信號線18。在此為便於說明，首先，以寫入像素 行51a作為第（1)像素行而進行說明。 10 15 20 又’流至源極信號線18之程式電流為預定值之N倍 (為便於說明，乃以in a 、，_»、 加以说明，當然所謂預定值係 指用以顯示影像之資料電流，因此若非亮閃光顯示等則不 為固定值）。此外，同時選擇5像素行（m=5)進行說明 。因此’理想者係於1個像素之電容器19中使電流程式化 達2倍（N/M=10/5 = 2)而流至電晶體山。 馬入像素订為弟⑴像素行時，如第Η圖所示，閘 極信號線W將選擇⑴（2)(3)(4)(5)，即，像素行 ⑴⑴⑴⑷⑸之開關用電晶體Ub電晶體山為 開啟狀態。又’開極信號線m則形成閘極信號線η之 逆相位。因此，像素行⑴⑺（3)(4)(5)^開_電 晶體⑴為關閉狀態’且電流不會流至相對應像素 兀件15，即，呈非點亮狀態52。 理想上，5像素之電晶體…係分別使㈣之電流流 至源極#唬線】8 (即，源極信號線

上之毛说為Iwx2xN 68 !254264 玖、發明說明 f iWX2X5 = IWXlG ’因此，假設未實施本發明之N倍脈衝 :動時為預定電流-則有…倍電流流至源極信號 線 1 8 )。 5 10 15 20 。。猎由以上動作（驅動方法），則可於各像素16之電容 裔19中使2倍之電流加以程式化。在此為便於理解，乃使 各電晶體Ua以特性（vt、s值）—致之狀態進行說明。 同時選擇之像素行為5像素行（Μ")，故為$個驅 2用電晶體na進行動作，即，每U素有勒=2倍之 2流流至電晶體Ua。源極信號線18則流人包含5個電晶 體lla之程式電流之電流。舉例言之，屌 < 原本寫入像素行 a寫入之電流為Iw，則流至源極信號線1 —於寫繼行⑴咖以寫爾f料之2 像素仃51b會使輸往源極信號線18之電流量增加，故為輔 助=使用之像素行。但’寫入像素行51b之後可寫入正規 之影像資料，故不會造成問題。 因此’於4像素行51b中，在1H期間内係與51a成 相同顯示。是以至少使寫人像素彳51a與為增加電流而選 擇之像素行Mb形成非顯示狀態52。唯，如第38圖所示 之電流鏡之像素構造、其他電壓程式化方式之像素構造亦 可形成顯示狀態。 汨後，問極信號線17a⑴形成非選擇狀態，並於 間極信號'線17b施力雜電壓（替同時，又選擇問極 信號線17a(6)(vg】電壓），並使程式電流由所選像素行 (6)之電晶體l]a朝源極驅動電路14流至源極信號線】8 69 1254264 玖、發明說明 保持正規之影像資料 。藉由如此動作，則可於像素行 於下^一 1 Η後，閉極作缺綠1，/ ㈣H線17a(2)形成麵擇狀態 ’亚於閘極信號線m施加開啟電壓（Vgi)。同時，又選 信號線17a(7)(Vgl電壓)，並使程式電流由所選 綠订（7)之㈣體1U朝源極驅動電路14流至源極信 二:。1!由如此動作’、則可於像素行（2)保持正規之 貝…經由以上動作並-面於每1像素行移位且一面 進仃掃瞄，藉此則可改寫1晝面。 10 15 20 第20圖之驅動方法中，係於 壓） 像素以2倍之電流（電 )進仃耘式化，因此各像素 想上為2倍。故，顯示書面 :15之發光亮度理 倍。為使料亦增為2 〜在一畫含* 域52即可。 之1/2靶圍為非顯示領 同於第13圖，如第2〇圖所干w 上方向T ^所不1個顯示領域53由畫面 移動時，若幀速率低則顯示 視覺辨識。牿別貝义53之私動可經由 識。、j疋閉眼%或將臉上下移動時等，尤易於辨 對於此-課題，可如第22 成多數。^ i 、 竹…員不項域53分割 ii) /N，；太 $ 52相加之部分為S ( 之面知，即與未分割時相同。 C加於閘極信號線17之電壓波形。第2]圖 〜異基本上在於閑極信號線17b之動作。閉極 70 1254264 玖、發明說明 信號線17b係對應分割晝面之個數而僅以該個數數進行開 閉（vgi與vgh)動作。其他部分則與第21圖大致相同或 可以此類推，故省略其說明。 如上所述，猎由將顯示領域53分割成多數而減少畫面 之閃爍，因此，將無閃燦之情形產生，並可實現良好之影 像顯示。另，分割可再多做細分，但分割越細則閃燦情形 更為減少。特別是EL以牛15之回應性快，因此縱以較 短之時間進行開閉，亦不致降低顯示亮度。 本發明之驅動方法中，Ρ 了分处,< 10 15 E1L兀件15之開閉可藉由開閉 施加於閘極信號線17b之信號而控制。因此，本發明之驅 動方法可由KHZ階（order)之低頻率加以控制。又，在實現 黑畫面插入（插入非顯示領域52)上，無須設置影像記憶 體等。因此’可以低成本實現本發明之驅動電路或方法。 第24圖係同時選擇之像素行為2像素行時之情形。經 檢討所得之結果可知，以低溫多晶石夕技術形成之顯示面板 中同^•透擇2像素行之方法對顯示均勾性甚為實用。推 測此乃相鄰像素之驅動用電晶體…之特性極為_致之故 。此外，進行雷射退火時’帶狀雷射之照射方向係以平行 於源極信號線18之狀驗行照射，故 由於同-時間内進行退火之範圍之二 性句勻gP，於帶狀之雷射照射範圍内可均勾製作半導姊 膜:且利用該半導體膜之電晶體…移動率大致相等： 故。因此’藉由平行於源極信號線18之形成方向而照射帶 狀之雷射射束’並移動該照射位置，則可使沿源極信號線 20 1254264 玖、發明說明 18:成之像素（像素列、畫面上下方向之像素）形成大致 相等之4寸性。因此，同時使多數像素行開啟而進行電流程 式化選擇程式電流，而於多數像素中使程式電流 除以選狀像素數後之電流以大致相同之方式進行電流程 式化疋以可實施接近目標值之電流程式化，並可實現均 勾』不之效果。因此，雷射射束方向配合第24圖等所說明 之驅動方式將可得到相乘效果。 10 15 20 斤处藉由7雷射射束之方向與源極信號線Μ之 形成方向約略—致（參照第7圖），則可使像素上下方向之 :晶體na特性達到約略相同之狀態，並可實施良好之電 *私式化（縱使像素左右方向之電晶體lla特性不一致)。 以上動作係與1H(1水平婦目苗期間）同步，而於！像素行 或於多數像素行一·選擇像素行位置後再行實施。 另’如第8圖之說明，係使雷射射束之方向與源極信 號線^平行，但未必非為平行。相對於源極㈣線18朝

斜向知、射雷射射束亦可伸，L 了使/〇 1個源極信號線18形成之像素 上下方向之電晶體lla之特性形成約略—致。因此，所謂 平行於源極信號線照射雷射射束，係形成使沿源極信號線 18形成之任何像素之上或下所田比連之像素納入i個雷射昭 射範圍内之㈣。此外’源極信號線18 —般而言係用以傳 達可作映像^號之程式電流或電壓之佈線。 另，本發明之實施例中係於每1H使寫入像素行位置 移位，但並非以此為限，亦可每2H進行移位（每2像辛 行）’亦可每2像素行以上之《行進行移位。又，亦可以 72 I254264 玖、發明說明 任意之時間單位進行移位，或可以隔 像素行再進行移 位 5 10 15 20 亦可因應晝面位置而改變移位時間。舉例言之，可縮 短晝面中央部之移位時間，並於畫面之上下部延長移位: Z。例如’畫面50中央部為每2_sec移位ι像素行，而 息面50之上下部為每1〇(Hisec移位i像素行。藉如上方式 進仃移位，則可提高畫面5G中央部之發光亮度，並可降低 ，邊（畫面50之上部與下部）亮度。另，畫面5q之中央 部與畫面上部之移位時間、晝面％之中央部與畫面下部之 矛:位時間當需使時間變化順暢進行，並需控制達不會出現 亮度輪廓之狀態。 曰 另，亦可對應畫面5 G之掃❹置而改變源極驅動電路 之基準電流（參照帛146圖等)。舉例言之， 中央部之基準電流設為10μΑ，書fi5〇 — 則設為如此一•由對庫—金^下权基準電流 、 稭甶對應里面50位置而改變基準带 :’則可提高畫面50中央部之發光亮度，並可降低周邊： 旦面50之上部與下部）古 冗又。另，畫面50之中央部盥蚩 流、畫面5°之中央部與晝面下部間= ^使時間變化順暢進行，並需控制基準電 復以達热売度輪廓出現之狀態。 外，當'然亦可組合«因應畫面位置而控制將像素 订私值之時間之驅動方 京 對應-面50位置而改變基準電 '瓜〜驅動方法後再進行影像顯示。 亦可彻改變移位時間。此外，並未限定要選擇連 73 1254264 玖、發明說明 續之多數像素行 素行。 +例。之’亦可選擇相隔1像素行之像 即’遠驅動方法係於第 素行與第3像打μ -人水平“期間選擇第^象 行與第4像计丁於」2次水平掃瞎期間選擇第2像素 篆素仃，於弟3次水平掃 與第5像素行k❹3像素行 第6像素行…於 掃晦期間選擇第4像素行與 行與第3像辛;I:，次水平掃瞒期間選擇第1像素 像素仃及弟5像素行之驅動方 10 缚。另當然亦可選擇相隔多數像素行之像素行位置。一技術範 造，；=第1圖、第2圖，圖之像素構 、第42g :他電流驅動方式之像素構造，如第％圖 弟42圖、第5〇圖箄雷泣 口 用於第们圖、第51S 像素構造。此外，亦可適 弟51圖、第54 15 20 像素構造。即，若傻^ 弟46圖寺電塵驅動之 於力⑽ 素下之電晶體特性一致，則可_由 把加於同-源極信號線18之電屢 。 ϋ刀17 $知電壓程式化 苐24圖中，寫入像素行為笛 號線⑺係選擇⑴⑺（參昭第25 ^象素行時，閉極信 )(2)之開關用電晶體llb、電日粬^即，像素行〇 此，至少像素行Γι w、 日日月且UC為開啟狀態。因 ，且電、、六合 2之開關用電晶體…為關閉狀態 且甩献不會流至相對應像素 點亮狀態52。另，…中為咸件&即，呈非 示領域53分割成5份。為減少閃燦之產生，乃將顯 74 1254264 玖、發明說明 理想上，2像去r /一、 像素（仃）之電晶體11a係分別使Iwx5 ( 10時，即，由於κ ;κ=2，故流至源極信號線18之電流 為 IwxKx5 二 iwxl〇) J之毛流流至源極信號線1δ。且，於夂 像素16之電容哭】 、口 5 10 15 口口 D中使5倍之電流程式化。 同時選擇之像素行為2象 動用電晶體lla進行動作 故為2個驅 進订動作。即’每1像素行有10/2=5倍 之電流流至雷曰稱，， 曰曰豆la。源極信號線18則流入包含2個電 晶體11a之程式電流之電流。 亡舉例言之’原本寫入像素行51a中寫入之電流為iw， 則肌至源極信號線18之電流為Iwx10。寫入像素行51b之 後可寫入正規之影像資料，故不會造成問題。像素行51b 於1Η期間内係與51成相 — 一 a成相冋顯不。因此至少使寫入像素 打51a與為增加電流而 评 冢素仃51b形成非顯示狀態 52 ° 於下-吏，閘極信號線17a⑴形成非選擇狀態 ’亚於閘極信號線17b施加開啟電壓（Vgl)。同時，又選 擇開極信號線na(3)(Vgl電壓），並使程式電流由所選 像素灯（3)之電晶體lla朝源極驅動電路14流至源極作 號線18。藉由如此動作，料於像素行⑴保持正狀 影像資料。 再下-1H後’閘極信號線na⑺形成非選擇狀態 ，並於閘極信號、線m施加開啟電壓（VgU。同時，又選 擇問極信號線ΐ73(4)(νθ電壓），並使程式電流由所！; (4)之電晶體lla朝源極驅動電路流至源極信 75 20 I2s4264 玖、發明說明 〜、、泉1 8。藉由如此動作，則可於 影傻L 豕言仃（2)保持正規之 d象貝枓。經由以上動作並一面於 亦可於盔夕去 、母1像素行移位（當然 方、母夕數像素行進行移位，舉 動，則為每2行 。之，若為偽交錯驅 亦有於多數傻： 由影像顯示之觀點而言， H像素行寫人同—影像之情形h-面__ 错此則可改寫1晝面。 同於第16圖，第24圖之 5 ^ ^ 勒万去中，係於各像素以 口之氧流（電壓）進行程式化，因此夂禮去 H u此各像素之EL·元件 10 15 20 之务光壳度理想上為5倍。 較於預定值心兔 頭-領域53之亮度相 預疋值亦增為5倍。為使 第16圖等所干以f 】頂疋之冗度，僅需如 包含寫人像素行51在内，使顯示畫面50 5範圍為非顯示領域52即可。 如第27圖所示’選擇2條寫人像素行51(51a、51b) ’亚由畫面5G上邊向下依序選擇（亦可參照第26圖，第 26圖乃選擇像素16a、16b)。作，如第27彳1 y 1一如弟27 (b)圖所示， &旦面下邊後寫入像素行5Ia尚且存在，而51b則消失 P ^擇之像素彳了僅存1條，故施加於源極信號線18之 電流將全部寫入像素行…t。因此，相較於像素行化 ’則有2倍之電流於像素進行程式化。 對於此-課題，本發明乃如第27⑴圖所示，於畫 面5〇下邊形成（配置）有虛擬像素行271。因此，選擇像 素行選至晝面50下邊护 π、#挪& 仏％，可遠擇晝面50之最終像素行與 虛擬像素行2 7】，仿贷n /，、 罘-7 ( b )圖之寫入像素行中可寫入符 合規定之電流。 76 1254264 玖、發明說明 山另’圖中顯示虛擬像素行271係峨連顯示畫面％之上 2或下端而形成’但並非以此為限，亦可形成於與顯示畫 分離之位置。此外，虛擬像素行271無須形成第！圖 ;之:關用電晶體⑴纽元件〗5等，由於不需形成該等 故可縮小虛擬像素行271之大小。 10 15 20 对弟28圖係顯示第27⑴圖之狀態。由第28圖中清 選擇像切選至畫面料叙像素W行時，將 Γ面50之最終像素行（虛擬像素行）⑺。虛擬像素 :/1#、配置於顯示畫面5G外’即’虛擬像素行（虛擬像 ’、構造成不點亮或不使其點亮，抑或縱使點亮亦益 7見其顯示之狀態。舉例言之，可贿像素電極如與電 曰曰體11之接觸孔’或秘擬像素行271上形成肛膜15。 此外，更有例如於虛擬像素行之像素電極101上形成絕緣 膜之構造等。 後去第/27圖中’畫面5(3下邊設有（形成、配置有）虛擬 ’、仃）271 ’但並非以此為限，舉例言之，如第29 (a ^圖所示由畫面下邊往上掃猫（上下逆轉掃蹈）時，可如 * ⑴圖所不亦於畫面5〇上邊形成虛擬像素行功， 即’於畫面5〇之上邊與下邊分別形成（配置）虛擬像素行 27匕藉由構造如上’無論於晝面上下逆轉掃瞒皆可對應。 以上實施例係同時選擇2像素行時之情形。 毛月並非以此為限，舉例言之，亦可採取同時選擇 77 1 士像素行之方式（參照第23圖）。即，同時驅動5像素行 時’虛擬像素行27]僅需形成4行左右即可。因此，虛擬 玖、發明說明 素行2 71只要形成同 即可。唯，此乃^ 素订叫之像素行數量 於每多數像辛^母1像素所選擇之像素行進行移位時。 夕數像素仃柄料時，假設 位之像素行數為L，則僅需形成(〜)=M’移 。 ^ X L像素行即可 =明之虛擬像素行構造或虛擬像素行驅 ==像素，，一虛擬 象素仃駆動方法與N倍脈衝驅動後再使用更為理想。 10 行數擇多條像素行之驅動方法中’同時選擇之像素 “ 則愈難以吸收電晶體山之特性不均。卜 =選擇像素行數Μ變少’則於1像素中程式化 增加，且致使較大電流流至肛元件15。若流至肛元 们5之電流甚大，則EL元件15將更易於劣化。 15 第圖即用以解決此一課題者。第3〇圖之基本概念 係一種如第22@、第29圖所朗，於咖（水平掃猫期 間之1/2)同時選擇多數像素行之方法。其後之（1/2)H( 20 水平掃晦期間之叫則如第5圖、第i3圖等之說明，更 組合有選擇1像素行之方法。藉由如此組合，則可吸收電 晶體Ua之特性不均’並可達到更高速且更良好之面内均 勻性之效果。另’此乃為便於理解而於說明時以（叫Η 進行操作’但並非以此為限，亦可令最初之期間為（ι/4) Η，並使後半之期間為（3/4 ) η。 第30圖中，為便於說明，而做出於第！期間同時選擇 5像素行，並於第2期間選擇】像素行之說明。首先，如 78 1254264 玖、發明說明 弟30(al)圖所示，於笛 、弟1期間（前半之1/2H)同時選擇 5像素行，此一動作p私结 匕表乐22圖說明故在此省略。舉例言 10 15 20 之，抓至源極信號線18之電流為預定值之25倍，因此， 有5倍電流（25/5像素行叫於各像素16之電晶體lla (呈第1圖之像素構造時）進行程式化。因為25倍之電流 二故於源極信號線18等產生之寄生電容可於極短期間内進 丁充放屯目此’源極信號線】8之電位可於短時間内達到 各像素16之電容器19之端子電壓亦程式化 :可使25倍電流通過之狀態。該25倍電流之施加時間為 月il半之1/2H ( 1水平掃瞄期間之1/2)。 田d由方、寫人像素行之5像素行可寫人同—影像資 料，為使其不顯示則5像素行之電晶體ud形成關閉狀態 。因此，顯示狀態形成第3〇 (a2)圖之狀態。 繼之後半之1/2H期間，則選擇1像素行並進行電流（ 電壓）程式化。該狀態係顯示於帛30(bl)圖。寫入像素 行51a則與先前同樣進行電流（電壓）程式化以使5倍電 過第30 ( ai )圖與第3〇 ( bl )圖中使流至各像素之 电极相同’係為減少業經程式化之電容器19之端子電壓變 化’以使目標電流更高速通過之故。 即，弟30 (al)圖中，係使電流流至多數像素，並高 速趨近於概略電流通過之值。於該第i階段中，因由多數 電晶體11a進行程式化，故相對於目標值會產生電晶體不 均所導致之誤差。繼之第2階段中，僅選擇可寫入且保持 貢料之像素行，而由概略之目標值進行完全之程式化以達 79 Ϊ254264 坎、發明說明 預定之目標值。 另，由畫面上方向下掃瞄非點亮領域52，此外，寫入 像素行51a亦由畫面上方向下掃瞄，此與第Η圖等之實施 例相同故省略其說明。 弟31圖係可實施第3〇圖之驅動方法之驅動波形。由 罘31圖可知，1H (1水平掃瞄期間）係由2個相位所構成 。前述2個相位係由ISEL信號切換。观：信號之圖式於 第31圖。 10 15 20 2電路U’係具有電流輸出電路A與電流輸出電路B。 “輪出電路則由用以使8位元灰階資料進行Μ轉換 電路與運算放大㈣構成。第％圖之實施例中，電 路、:係構造成可輸出25倍電流，此外電流輸出 則構造成可輸出5倍電流。帝 於 L电&輸出電路A與電流 月ϋ琶路B之輸出係藉由ISEL _ $ & + 於 仏虎而控制形成（配置） 电机輸出部之開關電路， ^ ^ 、’⑦加衣源極信號線18。該電 •輪出電路乃配置於各源極信號線中。 ISEL t破於L位準時，選擇 輸出電路A而由源極驅動—：出…流之電流 之電流（ 及收源極信號線18所輸出 兒机（更適切之說法為， 電流輪出電路A吸收)。25立源極驅動電路14内之 之大小易於調整，此乃其可：二：等電流輸出電路電流 成之故。 夕笔阻與類比開關輕易構

3〇圖所示 寫入像素行為 1)像素行時（參 80 1254264 玖、發明說明 照第31圖之m襴)’問極信號線17a選擇⑴⑺⑶ ⑷⑸（呈第i圖之像素構造時）。即，像素行⑴p )⑴⑷⑸之開關用電晶體llb、電晶體llc為開啟 狀態。又，由於ISEL為L位準，故選擇可輪出25倍電流 之電流輪出電路A，並與源極信號線18連接。此外，於問 極信號線…施加斷開電壓（¥)。因此’像素行⑴（ 2)⑶⑷(5)之開關用電晶體nd為關閉狀態，且血電 流流至相對應像素行之EL元件 σ 件15即’壬非點亮狀態％ 〇 10 15 2〇 理想上’ 5像素之電晶體lu係分別使㈣之電流汽 至源極信號線18，且，使5 ^ " 之電流於各像素16之電容 态1 9紅式化。在此為便於理解，說明g士 t .°兄明日守各電晶體11a為特 性（Vt、S值）一致之狀態。 寸 同時選擇之像素行為5 ㈣5像素行（Κ=5)，故為5個 動用電晶體11a進行動作 丨母1像素有25/5 = 5佟夕 :^至電^體lla。源極信號線18則流人包含^ 之電流，言之，寫人像素行51a ’以習知之驅動方法寫人像素中之中 極信號線18之電流A Iwx” 了則流至源 以寫m 於寫入像素行（1)以後用 —料之寫入像素行51b會 用 之電流量增加，故為輔助性❹之像素行。但 仃训之後可寫入正規之影像資料，故不會造成問題。 因此，像素行训於出期間内係與…成 。是以至少使寫入像切5 广“ ，曰加A流而選擇之像辛 J254264 玖、發明說明 订51b形成非顯示狀態％。 於下—1/2H (水平掃猫期間之1/2)中，僅選擇寫入 像素行5U，即，僅選擇第⑴像素行。由第3!圖清楚 可知’僅於問極信號線17a⑴施加開啟電壓（Vgl)，而 閉極信號、線17a⑺(3)(4)(5)則施加斷開電壓⑽ 口此’像素行（1)之電晶體Ua係呈動作狀態（供給電 流於源極信號線18之狀態），而像素行⑴⑴⑷⑸ 之開關用電晶體丨lt)、雷曰雕 日肪· 1 lc則呈關閉狀態，即，非 選擇狀態。 10 15 20 千、又，由於ISELW位準，故選擇可輪出5倍電流之 兒流輸出電路B，並遠接兮+、古认， 連接忒电、抓輸出電路B與源極信號線 18 °此外’閘極信號線17b之狀態與前_ _之狀態無異 ’乃施加斷開電壓（Vgh)。因此，像素行⑴⑺（3)( 4)⑸之開關用電晶體Ud係呈關閉狀態，且無電流流至 相對應像素行之El 彳生1 ς „ 、 L凡件15，即，呈非點亮狀態52。 由上述可知，傻音 “ ）之電晶體11 a係分別使 Μ之電流流至源極信號線18。且，使5倍之電流於像 素打（1)之電容器19程式化。 於下一水平掃目苗期間使寫入像素行移位i像素行。即 ，此…像素行為⑺。最出之㈣間中，如第31圖 斤C像素仃為弟（2)像素行時，閘極信號線17a係選 擇⑺⑺⑷⑴⑷，_，像素行（2)(3)(4)(5) ⑷之開關用電晶體Ub、電晶體呈開啟狀態。又， 由方、ISEL為L位準’故選擇可輪出^倍電流之電流輸出 82 J254264 玖、發明說明 私路A I與源極信號線18連接。此外，於閘極信號線 17b則施加斷開電壓（Vgh)。 二此，像素行（2)(3)⑷⑴⑷之開關用電晶體 lid係王關閉狀態’且無電流流至相對應像素行之豇元件 15,即，呈非點亮狀態52。反之，像素行⑴之閑極信 :虎線17b(1)施加有％電壓，故電晶體m乃呈開啟狀 態，且像素行⑴之ELS件15為點亮狀態。 =選擇之像素行為5像素行仏5)，故為5個驅 動用晶體1 1 a淮;f千裔J yf/t Bn /- 10 15 20 進订動作。即，每1像素有25/5K立之 電流流至電晶體lla。源極信號線18 ° 触 W机入包含5個電晶 月立11 a之程式電流之電流。 於下一咖（水平掃猫期間之1/2)中，僅選擇寫入 像素行51a，即’僅選擇第⑺像素行。由第η圖清楚 可知’僅於閘極信號線丨 、J她加開啟電壓（Vgl )，而 於閘極信號線17a ( 3 ) Γ 4 W st …⑷（5) (6)施加斷開電壓（vgh) 〇 因此，像素行（1)(2)之雷曰卿1Ί Μ )之兒日日體Ua係呈動作狀態（ 象素行⑴使電流流至EL元件15，像素行⑺則供給 U流於源極錢線18之«)，*«行（3)(4)⑸（6 )之開關用電晶體11 b、電晶I#〗〗 电日日11c則呈關閉狀態，即， 呈非選擇狀態。 又，由於ISEL為Η位準，故選禮 、 干现V擇可輪出5倍電流之 電流輸出電路Β，並連接該電流輪出+ ι路Β與源極信號線 ]8。此外，閘極信號線丨7b 狀心、昇削一】/2H之狀態無異 83 1254264 玖、發明說明 ’乃施加有斷間带两、/ 崎t壓（Vgh )。因此，像素行（2 ) ( 3 ) ( 4 )(5 )( 6 )之開關用電晶體⑴係、呈關閉狀態，且無電流 流至相對應像素行 仃之EL兀件15，即，呈非點亮狀態52。 由上述可知，^ ,一 像素行（2 )之電晶體11 a係分別使 W 5之电机流至源極信號線，且，使5倍之電流於各 像素行⑺之電容器19程式化。藉由依序實施以上動作 ’即可顯示1畫面。 10 15 20 第30圖所㈣之驅動方法係於第丨期間選擇G像素 仃（G為2以上），並於各像素行進行程式化以使n倍電 流通過。帛1期間後之第2期間則選擇B像素行⑴交。 小’且於1以上），並於像素進行程式化以使N被之電流 通過。 然而亦有其他方式。於第1期間選擇G像素行（（}為 2以上）’並進行程式化而使各像素行之總和電流形成μ 之電流。於第1期間後之第2期間則選擇Β像素行（Β較 G小，且於1以上)，並逸杆链斗、儿 進仃桎式化而使所選像素行之總和 電流（唯，選擇像素行為丨時，則 了則為1像素行之電流）形 成N倍電流。舉例言之’第3〇(al)圖中，係同時選擇5 像素行，並使2倍電流流至各像素之fΜ以。因此， 則有5x2倍二10倍之電流流至源搞f % μ 摩極化唬線18。繼之第2期 間於第3〇(bU ®中乃選擇i像素 ， 為1像素之電晶體 11 a則流入10倍之電流。 另，第31圖中，係令同時選 ★ 夕數像素行之期間為 1/2H.，令選擇1像不行之期間為 ，但並非以此為限， 84 1254264 玖、發明說明 亦可令同時選擇多數像素行之期間為1/4H，而令選擇1像 素行之期間為3/4H。此外，並未限定同時選擇多數像素行 之期間與選擇1像素行之期間相加後之期間為1H，舉例言 之，亦可為2H期間或1.5期間。 5 又，第30圖中，亦可設定同時選擇5像素行之期間為 1/2H，而於其次之第2期間同時選擇2像素行。此時於實 用上亦可實現毫無問題之影像顯示。 又，第30圖中，係形成令同時選擇5像素行之第1期 間為1/2H，並令選擇1像素行之第2期間為1/2H之兩階 10 段，但並非以此為限。舉例言之，亦可形成於第1階段同 時選擇5像素行，第2期間則於前述5像素行中選擇2像 素行，最後選擇1像素行之三個階段。即，亦可分成多個 階段於像素行寫入將影像資料。 以上實施例係採取依序選擇1像素行並於像素中進行 15 電流程式化之方式，或依序選擇多數像素行並於像素中進 行電流程式化之方式，但本發明並非以此為限。亦可因應 影像資料而將依序選擇1像素行並於像素中進行電流程式 化之方式及依序選擇多數像素行並於像素中進行電流程式 化之方式組合使用。 20 以下，針對本發明之交錯驅動進行說明。第133圖係 用以進行交錯驅動之本發明之顯示面板構造。第13 3圖中 ，奇數像素行之閘極信號線17a係連接於閘極驅動電路 12al，偶數像素行之閘極信號線17a則連接於閘極驅動電 路]2a2。此外，奇數像素行之閘極信號線1 7b係連接於閘 85 1254264 玖、發明說明 極驅動電路12bl，偶數像素行之 極心遽線1 7b則連接於 閘極驅動電路12b2。 因此’藉由問極驅動電路12al之動作（控制）即可依 5 10 15 20 =奇數像素行之影像資料。奇數像素行係藉由閘極驅 動電路12bl之動作（控制） 古 L凡件之點亮與非點 儿工1。又，藉由閘極驅動電路〗 分^ — 之動作（控制）則可 依序改舄偶數像素行之影像資料。此外 由閘極驅動電路咖之動作“ ，偶數像素行係藉 1 t 之動作（控制）而進行EL元件之點 壳與非點亮控制。 第134 (a)圖係第} 頌不面板之動作狀態，第 134 ( b )圖則為第2搁 ^ 颂不面板之動作狀態。另，為便 於說明，而形成1鴨由 、 貞由2攔構成之狀態。帛134圖中，畫 有斜線之閘極驅動電路丨2 _ 〃 勒％路12係表不尚未進行資料之掃目苗動作 即’弟13 4 ( a)圖之第1納士 、乂一 肩中’係由閘極驅動電路12a 1 進订動作以作為程式電流之寫入控制，並由閘極驅動電路 咖進行動作以作為EL元件15之點亮控制。f i34(b )圖之第2攔中，在山日g』 係由閉極驅動電路na2進行動作以作為 程式電流之寫入控制， I由閘極驅動電路12M進行動作以 作為EL元件15之 、 4儿拴制。以上動作係於幀内反覆進行 弟13 5圖倍篆彳4 —…⑽弟1欄之影像顯示狀態。帛135(a)圖所 不者係寫入像素杆f+ 〆 — 、仃笔流（電壓）程式化之奇數像素 舄入1象素行位置係如第135圖（al) — (a2) —U3)mm ]攔中’依序改寫奇數像素^ 86 1254264 玖、發明說明 偶數像素行之影像資料保持不變/ 奇數像素行之顯示狀態〜 圖係表示 ^ 另，弟135 (b)圖僅顯示奇 素行’偶㈣切咖杯 讀像 圖亦可得知，與奇數像专： ⑴圖。由第出“） 像素行相對應之像素之E]L元 呈非點亮狀態。此外，偶 係 ， 數像素行則如第135 (〇圖所+ 知瞄顯示領域53盥非顯-姑丄 所不 一非頒不領域52 (N倍脈衝驅動）。 第136圖係第2攔之影像顯示狀態。第U6(a)圖所 示者係寫入像素行(進行電流(電壓)程式化之奇數= 行位置）。寫入像辛彳亍# 素 10 15 20 冢素仃位置係如第136圖（al) — (a2)〜 (a3 )依序移位。於第 、乐2攔中，依序改寫偶數像素行 數像素行之影像資料保持^ ^ 弟136 (b)圖係表示奇 一像素灯之顯讀態。另，帛136⑴圖僅顯示奇數像素 仃’偶數像素行則顯示於帛136 (c)圖。由第136 (b)圖 亦可得知，與偶數像切⑽叙像素之EL元件Η係呈 非點亮狀態。此外，音勃德丰—0丨，_ 一 了數像素订則如弟136 (c)圖所示掃 目苗顯示領域53與非顯示領域52⑼倍脈衝驅動）。 藉由上3t驅動’即可以队_示面板輕易實現交錯驅 動。此外，因實施N倍脈衝驅動，故無寫入不足之情形， 亦不會產生動畫模糊之問題。χ，電流（電壓）程式化之 控制與EL兀件15之點亮控制亦甚容易，並可輕易實現電 路構造。 另，本發明之驅動方式並不限於第】35圖、第136圖 之驅動方式，第]37圖之驅動方式亦為其中一例。第】％ 圖、第】36圖係使進行電流（電壓）程式化之奇數像素行 87 1254264 玖、發明說明 或偶數像素行為非顯示領域52(非點亮、黑顯示）。第m 圖之貫施例則令用以進行EL元 動電路叫、_兩者同時 者^動作。唯，進行電流（電幻 程式化之像素行51當然需控制為非顯示領域（若 圖之電流鏡像素構造則無此必要）。第m圖中，奇數像素 行與偶數像素行之點亮控 # ^ q 、 動電路咖、12b2，而可故热須設置2個閘極驅 _ 了由1個閘極驅動電路12b進行點 亮控制。 π 10 15 20 门第137圖係使奇數像素行與偶數像素行之點亮控制相 。之驅動方法’但本發明並非以此為限。帛138圖係使奇 數像素行與偶數像素行之點亮控制相異之實施例，特別是 ’第⑶圖乃將奇數像素行之點亮狀態（顯示領域…非 、、貝或52)之相反圖案為偶數像素行之點亮狀態。因此 、:顯示領域53面積與非顯示領域52面積為相同，當然， 非限疋領域53 ©積與非顯示領域面積需為相同。 又第136圖、帛135圖中，並非限定奇數 偶數像素行中全部像素行皆為非點亮狀態。 以上貫施例係對每i像素行實施電流（電壓）程式化 之驅動方法，’本發明之驅動方法並未以此為限，當然 =如第139圖所示同時使2像素行（多數像素行）進行 电* (電壓）程式化（亦可參照帛27圖及其說明）。第 139(〇圖為奇數欄之實施例，帛139U)___ 之貫施例。於奇數欄中’係以（1、2)像素行、（3、4)像 素行、（5、6)像素行、（7'8)像素行、（9、1〇)像素行 88 1254264 玖、發明說明 、(11、12)像素行······.·“、“"_& 以上之整幻之分組依序選擇2像素行，並漸::為i 程式化。於偶數攔中，以（2 人違订電流 )像素行、（4、5) # 、（6、7)像素行、（8、9)像素行、…、u)料素行 12、13)像素行U+1、n + 2)像素行（素n 行、（ =整數)之分組依序選擇2像素行’並漸次進彳 如上所述’藉由於各攔選擇多 式化’則可增加流至源極信號線18之電流， 10 15 20 進灯良好。此外，令於奇數搁與偶數搁選擇之多^ 之分組至少錯開1像素行’藉此即可提高影像之解析广 第⑶圖之實施例係設定各欄選擇之像素行為^ 订’但並非以此為限，亦可設定為3像素行。此時 種方式可供選擇，-為使奇數欄與偶數搁選擇之 分組錯開1像素行之方法，一為錯開2像素行之方法3 :各搁選^像素行亦可為4像素行以上。此外，亦可如 弟125圖弟132圖所不，形成由3攔以上構成1幢之狀 態。 、n 又’弟139圖之實施例中係同時選擇2像素行，但並 非以此為限’亦可進行如下驅動··將1H分為前半咖與 後半之1/2H’且於奇數攔中，於第m期間之前半咖期 間選擇第1像素行進行電流程式化，而於後半之1/2H期間 選擇第2像素行進行電流程式化，繼之第2h期間之前半 ㈣期間選擇苐3㈣行進行電流程式化，而於後半之 89 1254264 玖、發明說明 聰期騎„4像素行進行電心 間之第1H期間之前半ΜΗ期間選擇第5後：於第3H期 程式化，而於後半之1/2H期間選擇第6 j、仃進行電流 式化。 像素行進行電流程 一亦可進订如下驅動：於偶數攔中， 之前半聰期間選擇第2像素行進行^ : Η期間 10 半之贿期間選擇第3像素行進行二王式化’而於後 纽期間之前半_期間選擇第4像==式化，繼之第 ’而於後半之咖期間選擇第5像:仃」丁電流程式化 再於第3 Η期間之第i Η期間 電流程式化， 一流程式化，，二：= 行進行電流程式化。 、释弟7像素 以上實施例中同樣設定各欄選擇之像素行為 15 20 ，但並非以此為限，亦可設為3像素行。此/像素行 彳π也，搜 、 此％ ’有2種方 L ^ 一為使奇數攔與偶數襴選擇之3像素行八, 錯開1像素行之方法’-為錯開2像素行之方法:、又二 欄廷擇之像素行亦可為4像素行以上。 。 本發明之N倍脈衝驅動方法係於各像素行將間極信號 後再為相同’並以m之間隔使像素行移位 如此藉由軸即可將el元件_亮之㈣ 見疋為職’料依序使點亮之像素行移位。如此 則可輕易實現於各像素行㈣—m之波形設定為 ㈣亚使像素行移位。此乃由於僅f控制施加於第 移位暂存器電路61a、6]b之⑽之st】、st2即可。舉^ 90 1254264 玖、發明說明 言之，若輸入ST2為ί你、、隹# , - 值準日守，輸出Vgl於閘極信號線 17b，而輸入ST2為η位進护认， 旱日守’輸出Vgh於閘極信號線 61b貝J僅方、1F/N之期間位準輸入用以施加於移位暫 存器17b之ST2’其他期間則為η位準。將該輸入之st2 以與1H同步之時脈CLK2移位。 另，用以開閉EL元件15之週期需設定為〇 5_以 上。若該週期短，則會因人類肉眼之殘留影像特性而無法 形成完全之黑顯不狀態，且影像模糊不清，形同解析度降 低。此外，並形成資料保持型顯示面板之顯示狀態。但， 1〇若使開閉週期達100msec以上，視之則呈忽明忽滅之狀態 。因此，EL元件之開閉週期應設定在〇.5msec以上 100msec以下。若欲達較為理想之狀態，應將開閉週期設 定在2msec以上30msec以下，而更理想者則應將開閉週 期設定在3msec以上20msec以下。 15 先前亦曾述及，黑畫面52之分割數若為1將可達到良 好之動畫顯示，但畫面易見閃爍之狀況，因此，宜將黑插 入部分割為多數，但若使分割數過多，則將產生動畫模糊 之情形。是以分割數應設定在1以上8以下，若在1以上 5以下則更為理想。 2〇 另，黑畫面之分割數宜構造成可隨靜畫與動畫加以變 更之狀態。所謂分割數，係指時，75%為黑晝面而 25%為影像顯示。此時，於75%之黑帶狀態下朝畫面之上 下方向掃瞄75%之黑顯示部即為分割數1。以25%之黑畫 面與25/3%之顯示畫面所構成之3區塊進行掃瞄則為分割 91 1254264 玖、發明說明 數3。靜畫時需設定較多 數。其等之切換可奸入Γ 動畫時則設定較少分割 、見輪入W像而自動（動書檢挪箄） ，亦可由❹者手動進行。Μ ^ ⑷進行 ^ 卜，、需構造成對應顯示裝 5 10 15 置之映像讀人内容而進行切換即可。 /舉例言之，行動電話等在背景顯示、輸入畫面 係將分割數設定為1〇以上 (更極知者亦可於每1H進行開 …於顯示NTSC之動晝時，則將分割數設定為！以上5 以下^外’分割數宜構造成可切換為3以上多階段狀態 之之^形，例如，無分割數、2、4、8等。 又，將全畫面之面積設為1時，黑畫面相對於全顯亍 畫面之比例宜為〇·2以上〇.9以下（若❹表示，則為12 以上9以下)。又’特別是在〇25以上〇6以下（若以N 表示’則為L25以上6以下）尤為理想。若於〇2〇以下則 動畫顯示上之改善效果低’若於0.9以上則顯示部分之亮 度將變高’且視覺上容㈣識出顯示部分之上下移動情= 又，每1秒之幀數宜為10以上100以下（1〇Hz以上 100Hz以下），更理想者為12以上65以下（i2Hz以上 65Hz以下）。若幀數少，將導致畫面閃爍之情形明顯可見 20 ，若幀數過多，則源自驅動電路14等之寫入將難以進行且 解析度劣化。 另，上述事項當然亦可適用於第38圖等電流程式化之 像素構造及第43圖、第51圖、第54圖等電壓程式化之像 素構造上。第38圖中僅需開閉控制電晶體]]d即可，第 92 1254264 玖、發明說明 43圖中僅需開閉控制電晶體⑴即可 開閉控制電晶體lle即可。 $ 3圖中僅需 流流至EL元件15之㈣ 來’藉由開閉用以使電 衝驅動。 即#易實現本㈣之N倍脈 5 10 又 V, ’僅於問極信號物之卿期間内，可使設定成 g為1F^不限於1F’為單位期間即可）期間中

之任—時刻。此乃由於在單位時間中，僅於預定期間使EL 兀件15開啟將可得到預定之平均亮度。唯，應於電流程式 化』間（1H)後’立即將閘極信號線i7b ^為Μ而使 ^元件15發光。此係由於該作法不易受到第i圖中電容 裔19之保持率特性影響之故。 又，宜構造成該影像之分割數亦可加以改變之狀態。 舉例言之，使用者可藉由按壓明亮度調整開關，或轉動明 :度調節鈕’檢測出其變化從而變更κ之值。亦可構造成 15藉由顯示影像之内容、資料，而手動或自動使其改變之狀 態0 如此一來，欲使κ之值（影像顯示部53之分割數） 改變亦可輕易實現。此係由於第6圖中可先構造成可調整 或改、丈％加於ST之資料之時序（於1F中某時設定成L位 20準）之故。 另，第16圖等中，係令將閘極信號線nb設定為Vgl 之期間（1F/N )分割成多數（分割數M)，且設定為Vgl 之期間乃實施K次]F/ (、Κ · N)之期間，但並非以此為限 ，亦可實施L. (L#K)次1F7 (K . N)之期間。即，本發 93 1254264 玖、發明說明 明係藉由控制流入EL元件15之期間（時間）而顯示出顯 示畫面50。因此，實施L (L^K)次1F/ (κ. N)之期間 亦包含在本發明之技術性思想内。又，藉由改變L之值， 則可數位式變更顯示晝面50之亮度。舉例言之，於乙二2 5與時，將有50%之亮度（對比）變化。該等控制亦 可適用於本發明之其他實施例中則自不待言（當然，亦可 適用於下述之本發明）。其等亦為本發明之N倍脈衝驅動 〇 上述實施例係於EL元件15與驅動用電晶體Ua間配 1〇置（形成）作為開關元件之電晶體Ud，並藉由控制該電 晶體lid而開關顯示晝面5〇。藉由該驅動方法，可弭除電 流程式化方式於黑顯示狀態下之電流寫入不足之情形，並 可貝現良好的解析度或黑顯示。即，電流程式化方式中， 係以貝現良好之黑顯示為要。下述驅動方法則為重設驅動 15用電晶體Ua，並實現良好之黑顯示。以下，利用第32圖 並就該實施例進行說明。 第32圖基本上為第1圖之像素構造。第32圖之像素 構造中，業經程式化之Iw電流將流入EL元件15，並致使 EL元件15發光。即，驅動用電晶體Ua係藉由程式化而 2〇保持發出電流之能力。利用該發出電流之能力而重設（關 閉狀態）電晶體Ua之方式即為第32圖之驅動方式。以下 乃將該驅動方式稱作重設驅動。 為以第1圖之像素構造實現重設驅動，須構造成可獨 立知閉控制電晶體]]b與電晶體n c之狀態。即，如第32 94 1254264 玖、發明說明 圖所示’形成可獨立控制用 ^ 制用以開閉控制電晶體nb之 "ί吕號線1 7a (間極作缺綠、 錢WR)、用以開閉控制電晶體llc 之間極信號線1 7c (間極卢骑綠 w私號線EL)。閘極信號線17a盥 間極信號線nc之控制'、 a故士时 ®所不以獨立之2個移 位曰存為電路61進行即可。 宜使用以驅動雷S姊！，u ^ α 動“日脰11b之閘極信號線17a與用以驅 動电晶體11 d之閘極作缺綠 ^ 七5虎線17b之驅動電壓有所不同（呈 第1圖之像素構造時），即 P將閘極化唬線之振幅值（ 開啟電屢與關閉電壓差）μ 10 15 20 差）5又疋成小於閘極信號線l7b之 振幅值。 ”㈣I線17之振幅值大，則閘極信號線17 A像 素16之衝穿電壓將變大，並產生泛白（黑色變淡）之現象 。閘極信號線17a之振幅僅需控制源極信號線18之電位不 要施加（施加（選擇時））於像素16即可4於源極信號線 18之電位變動小’故可縮小閘極信號線17a之振幅值。 另方面，閘極信號線17b須實施EL·之開閉控制， 振巾田值將寬大。為與此對應，則需改變移位暫存器 61a與61b之輪出電壓。於以p通道電晶體形成像素時， 則使私位暫存器電路61a與61b之Vgh (關閉電壓）大致 相同’亚使移位暫存器電路61a之Vgl (開啟電壓）低於 移位暫存器電路61b之Vgl (開啟電壓）。 、 、下 面芩照第3 3圖，一面就重設驅動方式進行說 月呆圖為重設驅動之原理說明圖。首先，如第33 ( & )圖所不，令電晶體n c、電晶體1〗d呈關閉狀態，且令 95 1254264 玫、發明說明 電晶體lib呈開啟狀態。如此一來，驅動用電晶體山之 汲極（D)端子與閘極⑹端子將形成短路狀態，並流過 lb電流。一般而言，電晶體lla係於前一攔（幀）進行電 流程式化。於此-狀態下，電晶^ Ud將形成關閉狀態， 只要將電晶體llb設定成開啟狀態，則驅動電流化將流至 電晶體Ua之閘極（G)端子。因此’電晶體ua之問極（ G)端子與汲極（D)端子將形成同_電位，且電晶體山 (未使電流流過之狀態）將重設。 10 15 20 另方、進仃第33 (a)圖之動作前，宜實施一將電晶 妝nb t曰曰1 lc没定為關閉狀態，將電晶體1 η設定 為開啟狀態’並使電流流入驅動用電晶體Ua之動作。且 該動作宜在極短時間内完成，此係由於恐有電流流至π 疋件15以致EL元件15點亮並使顯示對比降低之虞。該 動作時間宜設定在1H (丨水平掃p期 瓜十抑目田期間）之0.1 %以上10 %以下。更理想者為〇 2 9^ μ ο 〇/ 义以上2%以下，或為0.2pSec以 上5psec以下。又，亦可於書 王旦面之像素16中一併實施前 述動作（第33(a)圖之前辦、# — 之則所進仃之動作）。藉由實施上述 動作，則可達到驅動用雷s鱗】]^ 兒日日脰lla之汲極（D)端子電壓 降低，並可於第33 ( a ) R^ ^ )圖之狀恶下流過平順的lb電流之 效果。此外，上述事頂允、& 、 、、、用灰本發明之其他重設驅動方 式。 第33 (a)圖之實施時 T…、長則有lb電流流過且電 容器]9之端子電壓俞+夕締a — …」之傾向。因此，第33 (a)圖之實 苑時間必須設定為固定信 ,.^ U疋饭。根據實驗及檢討，第33 (a) 96 1254264 玖、發明說明 圖之實施時間宜為1H以上5H以下。 另，該期間宜隨 色傻冢素而有所不同。此乃各 巴像素中EL材料皆不同，且 所別 ^ 材料之升高電壓等亦有 所別之故。RGB之各像素中， 冬 α丨員應EL材料而設定最適 田之功間。此外，實施例中， Γ. _ μ』間係設定為1Η以上5Η 乂下，但於以黑插入（寫入里蚩 ♦缺+ ，、、…、旦面）為主之驅動方式中， 备然亦可為5以上。又，嗲期 態愈佳。 長’職素之,胃、顯示狀 只施第3 3 ( a )圖德，方人Ί订 10 15 20 ;Η以上5Η以下之期間内， 形成弟33 (b)圖之狀離。第 狀心弟3〕（b)圖係使電晶體Uc、 电晶體1 lb開啟且使雷曰雕 更包日日月豆lid關閉之狀態。第33 (b) 圖之狀態於先前亦已說明， 、 n与進仃電流程式化之狀態。即 ’由源極驅動電路14於山γ 、 ^ 14輸出（或吸收）程式電流Iw，且使 吕亥程式電流Iw流$萌；田+ n

、 ·、’、動用龟日日體lla。為使該程式電流IW %比過’則需設定驅動用雷 勒用私日日體lla之閘極（G)端子之電 位（設定電位係保持於電容器19)。 方私式電流Iw為〇 (A)，則電晶體山將形成可使電 流持續保持不使第33 (〇圖之電流流過之狀態，故可實 現良好之黑顯示。又，gp彳由 — 、 又即便於第33 (b)圖中進行白顯示 之包U式化4 ^使發生各像素之驅動用電晶體特性不 均亦σ由…、顯不狀態之偏移電壓完整進行電流程式化。 口此人仃式化達目標電流值之時間乃因應灰階而達到 相寺疋故’將無電晶體lla特性不均導致灰階誤差之情 不 形，並可實現良好的影像顯 97 1254264 玖、發明說明 業經第33(b)圖之電流程式化後，如第33(c)圖所 示’令電晶體m、電晶體llc關閉，並令電晶體⑴開 啟’而使源自驅動用電晶體lla之程式電流iw(=ie)流 至队元件15，並使EL元件15發光。有關第33(c)圖 亦已於Μ如第i圖等中說明，故省略其詳細說明。 10 15 2〇 即’第33圖所說明之驅動方式（重設驅動），係實施 2個動作，弟i動作為切斷驅動用電晶體山肖el元件 Μ間之連結（電流不通過之狀態），且使驅動用電晶體之 沒極（D)端子與閘極⑼端子（抑或源極（S)端子盘 問極⑹端子’更一般性地表達，則為含有驅動用電晶 體：閘極（G)端子之2端子）間形成短路，帛2動作乃 於前述動作後，於驅動用電晶體進行電流（電壓）程式化 。且’至少第2動作係在第1動作後進行。另，為實施重 又辱動貝員如弟32圖之構造，先構造成可獨立控制電晶 體lib與電晶體Uc之狀態。 影像顯示狀態係（若可觀察瞬間之變化），首先，進行 電流程式化之像素行為重設狀態（黑顯示狀態），且於1H 後進行電流程式化（此時亦為黑顯示狀態，此乃電晶體 lld關閉之故）。繼之，將電流供給至EL元件15，像素^ 則以預定亮度（業經程式化之電流）發光。即，應可看出 黑顯示之像素行由晝面上方朝下方移動，且影像於該像素 行所通過之位置依序改寫。 另，重設後’MH後進行電流程式化，但該期間亦 可於大約5H以内。此係由於第33u)圖之重設雖可完全 98 1254264 玖、發明說明 進仃，部需要較長之時 行應形為5H，則5像素 6像素行）。（右將進㈣隸“之像素行計入則為 多數=重設狀g並不限料1像素行――進行，亦可以 像辛4行Μ㈣時設為重設狀態。此外，亦可以多數 面^:為單位同時設為重設狀態，且—面重疊（。响）- 10 於第\舉例吕之，若同時重設4像素行，其驅動狀態係 4二2平掃_間（1單位），將像素行⑴⑵⑶（ 叹為重設狀態，且於後續之第2水平掃瞎期間，將像素 订3)(4)(5)(6)設為重設狀態，繼之於第3水平掃聪 期間，將像素行（5)(6)⑺⑴設為重設狀態。又，於 後繼之第4水平掃_間，將像素行⑺⑴⑺（10) 15 設為重設狀態。此外，當然，第33(b)圖、第33(c)圖 之驅動狀態亦可與第33 (a)圖之驅動狀態同步實施。 田J亦可冑1晝面之所有像素同時或於掃猫狀態 下設為重設狀態後’實施第33(b)(c)圖之驅動。此外 ’當㈣可以交錯驅動狀態（跳過i像素行或多像素行進 行掃目苗）設為重設狀態（跳過i像素行或多像素行）。又， 亦可實施隨機之重設狀態。此外，本發明之重設驅動之說 20明為操作像素行之方式（即，控制晝面之上下方向）。但， 重設驅動之概念並未限定控制方向為像素行，例如，當然 亦可依像素列方向實施重設驅動。 另，第33圖之重設驅動藉由與本發明之N倍脈衝驅 動等組合’以及與交錯驅動組合，則可實現更良好之影像 99 1254264 玖、發明說明 ’員不特別是第22圖之構造可輕易實現間歇Ν/κ倍脈衝 "(為1旦面中设有多數點允領域之驅動方法。該驅動方 法可藉由控制閘極信號線17b且使電晶體lld進行開關動 作而輕易地實現。此於先前業已說明），故閃爍之情形亦不 5會發生，並可實現良好之影像顯示。 又，藉由與其他驅動方法，例如下面將說明之預先充 電驅動方式組合，當然可實現更良好之影像顯示。一如上 述，同於本發明，重設驅動當然亦可與本說明書之其他實 施例組合而實施。 10 第34圖係用以實現重設驅動之顯示裝置之構造圖。閘 極驅動電路12a係控制第32目中之閘極信號、線17a及閉極 化號線17b。藉由於賴信號線17a施加開閉電壓，可開 閉控制電晶體lib。又，藉由於閘極信號線nb施加開閉 電壓可開閉控制電晶體lld。間極驅動電路⑶則控制第 15 32圖中之閘極信號線17e。藉由於閘極信號線η。施加開 閉電壓’可開閉控制電晶體丨丨c。 20 因此，閘極信號線17a^閘極㈣電路i2a操作， 而閘極信號線17c則以閘極驅動電路⑽操作。是故，可 自由設定開啟電晶請而重設驅動用電晶體⑴之時序 以及開啟電晶豸llc而於驅動用電晶體山進行電流程式 化之時序。其他構造等則由於與先前之說明相同或類似： 故省略其說明。 於閘極信號線17a施加 ，且重設驅動用電晶體 第3 5圖係重設驅動之時序圖。 開啟電壓，並使電晶體】jb開啟 100 1254264 玖、發明說明 5 17b施加關閉電壓 即形成第32 ( a)圖

Ua時，則於閘極信號線 Ud形成關閉狀態。如此 该期間内會通過ib電流。 第35圖之時序圖中， L號線17 a施加開啟電堡， 此為限，亦可為2H以上。 重設時間亦可未滿1H。 ，並使電晶體 之狀態，且於 重σ又日^間係設定為2H (於閘極 且電晶體lib開啟），但並非以 又’當重設可極快速進行時，

重設期間欲設為幾H期間可依輸入閘極驅動電路12 之DATA (ST)脈衝期間而輕易變更。舉例言之，若❹ 10 2 Η期間内將欲輸入s τ端子之D Ατ A設為H位準，則由各 閘極信號線17a輸出之重設期間為2H期間。同樣地，若 欲於5H期間内將欲輸入8丁端子之data設為h位準，則 由各閘極k號、線i 7a輸出之重設期間為5h期間。 於1H期間之重設後，於像素行⑴ 15 17c⑴施加開啟電壓。藉由電晶體Uc之開啟，則業已

施加於源極信號線18之程式電流Iw將透過電晶體Ik寫 入驅動用電晶體1 1 a。 在進行電流程式化後，於像素（1)之閘極信號線17c 施加關閉電壓，且電晶體llc關閉，而像素與源極信號線 20之連結切斷。同時，亦於閘極信號線17a施加關閉電壓， 並解除驅動用電晶體lla之重設狀態（另，該期間呈現電 流程式化狀態較呈現重設狀態更適當）。又，於閘極信號線 17b施加開啟電壓，且電晶體1](1開啟，而使業已於驅動 周電晶體]]a程式化之電流流至£L元件】5。此外，就偉 ]〇1 1254264 玖、發明說明 素行（2)以後而言亦與像素行（])相同，又，由第35圖 觀之可清楚明白其動作，故省略其說明。 於第35圖中，重設期間為1H期間。第36圖係一將 重設期間設為5H之實施例。重設期間欲設為幾H期間可 5依輸入閘極驅動電路12之data (ST)脈衝期間而輕易變 更。第36圖中之實施例係於5H期間内將欲輪入閘極驅動 電路12a之ST1端子之DATA設為H位準，且將由各間極 信號線17a輸出之重設期間設為5H期間。重設期間俞手 ，則可愈完整進行重設，並可實現良好之黑顯示。但，重 1〇没期間之比例部分則會造成顯示亮度降低之情形。 第36圖係一將重設期間設為5H之實施例。又，該重 設狀態為連續狀態。但，重設狀態並不限於連續進行，舉 例。之，亦可使由各閘極信號線17a輸出之信號於每 進行開閉動作。如此一來開閉動作可藉由操作移位暫存器 15之輸出級所形成之賦能電路（未圖示）而輕易實現。此: ，亚可藉由控制輸入閘極驅動電路12之DATA (ST)脈衝 20 第34圖之電路構造中，閘極驅動電路12a至少需要2 们各位暫存器電路（-為閘極信號線Ha控制用，另 虎線l7b控制用)。因此，乃有閘極驅動電路仏： 兒路規模變大之問題。第37圖係一將問極驅 移位暫存器設為丨個之實施例。業已使第37圖之電： =作之輸出信號之時序圖則如第35圖所示。另，須注音二 d圖與第37圖中由閘極驅動電路⑶、⑶輪出之閘：： 102 1254264 玖、發明說明 號線17之記號不同。 =37圖附加有〇r電路371可清楚得知 唬線17a之輪出係 1 口

位暫存器電路6U與前級輸出之〇R 而备出。gp，Βθ 兩壓 H _信號線17a所輸出者為開啟 閘極信號線l7c則直接輸出移位暫存器電路 輸出因此’於1H期間内施加開啟電壓。 舉例5之，當Η位準信號輸出至第2移位暫存器電路 61 a時’開啟電壓將輪 將輸出至像素16⑴之閘極信號線17c 10 ’且像素16⑴為電流（電幻程^化之狀態。同時， 開啟電壓亦輪出 Κ至像素16 (2)之閘極信號線17a，而像素 16 (2)之電晶體nb形成開啟狀態，且使像素π (”之 驅動用電晶體11a重設。 同樣地，當Η位準信號輸出至第3移位暫存器電路 61a時，開啟電壓將輸出至像素16⑺之閑極信號二 15，且像素16 (2)為電流（電M)程式化之狀態。同時， 開啟電壓亦輸出至像素16 (3)之閘極信號線17a，而像素 16 (3)之電晶體lib形成開啟狀態，且使像素16 (3)之 驅動用電晶體11a重設。即，2H期間内，閘極信號線 所輸出者為開啟電壓，且使開啟電壓於1H期間内輸出至 2〇 閘極信號線17c。 若程式化狀態時，電晶體lib與電晶體Uc同時形成 開啟狀態（第33 ( b )圖），而轉換至非程式化狀態時（第 33 (c)圖），電晶體11c較電晶體Ub先成為關閉狀態， 則將形成第33 ( b )圖之重設狀態◦為了防止該狀態，電 103 1254264 玖、發明說明 晶體lie必須在電晶體m之後才成為關閉狀態。因此， 必須控制閘極信號線17a較閘極信號線17c先施加開啟電 壓。 上述實施例係有關第32圖（基本上為第丨圖）之像素 5構造之貫施例，但，本發明並非以此為限，舉例言之，縱 為第38圖所示之電流鏡像素構造亦能實施。另，第38圖 中，藉由開閉控制電晶體lle，可實現第13圖、第15圖 等所示之N倍脈衝驅動。第39圖為第38圖之電流鏡像素 構造之貫施例說明圖。以下，一面參照第39圖，一面就電 10流鏡像素構造中之重設驅動方式進行說明。 如第39 (a)圖所示，將電晶體Uc、電晶體Ue設為 關閉狀態，並將電晶體lld設為開啟狀態。如此一來，電 流程式化用電晶體lla之汲極（D)端子與閘極（G)端子 將形成短路狀態，並如圖示使Ib電流流過。一般而言，電 15晶體Ub係於前一欄（幀）進行電流程式化，並具有使電 流流過之能力（由於閘極電位可於電容器19保持ιρ期間 ，並進行圖像顯示，故具有使電流流過之能力實為當然。 隹，*進行元全黑顯示時，電流不會通過）。於該狀態下， 右電晶體lie為關閉狀態，電晶體ud為開啟狀態，則驅 2〇動電流比將流至電晶體lla之閘極（G)端子之方向（閘 極（G)端子與汲極（D)端子呈短路狀態）。因 帝曰 兒曰曰 體11a之閘極（G)端子與汲極（D)端子將形成同一電位 ，電晶體11a則重設（未使電流通過之狀態）。又，由於驅 動用電晶ϋ 1 lb t閘極（G )端子與電流程式化用電晶體 104 1254264 玖、發明說明 故驅動用電晶體11 b亦形成重 山之_ (G)端子共通， 設狀態。 該等電晶體1U、電曰^ + 之重設狀態（未使電流 逋過之狀恶），传盘楚 ^ .. 〜、 圖等說明之電壓偏移補償方式所 二之:移電屢之狀態等效。即，於“⑴圖之狀態 開二：二:9之端子間保持有偏移電虔（電流開始流動之 幵口电i 精由施加高於_帝廢 门々、3电Μ絶對值之電壓，即可 流流至電晶體丨i )。哕 μ偏私黾壓乃依電晶體Ua、電晶體 11 b之知性而不同夕命阿从 10 15 门之以值。因此，藉由實施第39(a)圖 之動作，可保持電晶俨 ^ s ^ a、电日日肢lib不使電流流入各 像素之電谷裔19 (即，里強-+、士 / P…、顯不電流（幾乎等於〇))之狀態 (重δ又成黾流開始流出之開始電壓）。 另’第39(a)圖中亦同於第3 矛1 a)圖，重設之實施 時間愈長，則有Ib電流將流過且電容器19之端子電μ 小之傾向。因此’帛39(a)圖之實施時間必須為固定值 。根據貫驗及檢討’第39 (a)圖之實施時間宜設定為出 以上10H (10水平掃目苗期間）以下。更理想者^出以上 5H以下，或於20psec以上丨” τ 丨l 士 咖以下。此事項於第33圖 之驅動方式亦同。 第33 (a)圖亦同，於同步進行第％ 圖之重設狀 態與第39 ( b )圖之電流程式化狀態時， 田弟39 U)圖之 重設狀態至第39 (b)圖之電流程式化狀態之期間為固定 值（一定值）’故無問題產生（形成固定值）。 即，由第33 (:a )圖或第3 9 ( a )圖之重設狀態至第3 3 (丨、 、…」圖或第39 105 20 1254264 玖、發明說明 (b)m^化狀態之期間，宜設定為m以上蘭 (1〇水平掃晦期間）以下。更理想者為m以上5H以下 :或於2〇lxsec以上化咖以下。若該期間短，則驅動用電 晶體11a無法完全重設。又，若該期間過長，則驅動用電 晶體11將完全成為_狀態，致使下次欲將電流程式化需 要較長時間。此外，晝面5G之亮度亦會降低。 10 15 —於實施第39 U)圖後，則形成第39⑴圖之狀態。 弟39⑴圖係—使電晶體nc、電晶體…開啟，並使電 晶體⑴關閉之狀態。帛39⑴圖之狀態係一進行電流 程式化之㈣。即，由源極驅動電路Η輸出（或吸收）程 式電流hv，且使該程式電流Iw流人電流程式化用電晶體 ⑴。為使該程式電流Iw流過’乃將驅動用電晶们化之 閘極（G)端子之電位設定於電容器19。 若程式電流Iw為0(A)(黑顯示），則電晶體m將 形成可使電流持續保持不使$ 39(a)圖之電流通過之狀 態’故可實現良好之黑顯示。又，第39⑴圖中進行亮 顯示之電流程式化時’即使發生各像素之驅動用電晶體特 性不均之情形，亦可由黑顯示狀態之偏移電壓（發出依照 各驅動用電晶體之特性而設定之電流之開始電壓）完整進 行電流程式化。因Λ ’欲行程式化達目標電流值之時間乃 因應灰階而達到相等。是故，將無電晶體山或電晶體 m特性不均導致灰階誤差之情形，並可實現良好的影像 顯示。 於弟39 (b)圖之電流程式化後，如第39⑴圖所示 20 1254264 玖、發明說明 ，將電晶體llc、雷— 曰曰to d έ又疋為關閉，並使電晶體2e 開啟’而使源自凝動用電晶體lib之程式電力Iw(=Ie) 流至EL元件15，鉍诂PT - 使肛兀件15發光。有關第39 (c) 圖於先前亦已說明，故省略其詳細說明。 5 μ Θ帛39圖所說明之驅動方式（重設驅動）係 動作第1動作為切斷驅動用電晶體1 la或電晶 體lib與EL元件Η門夕、击从_ ,兩 曰1之連、、、σ (琶流未流過之狀態。以電 晶體lie或電晶體】η / 一 d進仃），且使驅動用電晶體之汲極 D)端子與閘極〔Γ、山 10 15 20

山 （G)立而子（或源極（S)端子與閘極（G )山。1幻生地表達，即為含有驅動用電晶體之閘極 (G) ^子之2端子）間形成短路，帛2動作則為在前述 賴，於驅動用電晶體進行電流（電壓）程式化。 弟2動作至少在第1動作後進行。另，第1動作中切 斷驅動用電晶體Ua或電晶體m#EL元件Μ間之連处 t動作並非必要之條件。此係由於縱使第^動作中不_ 驅動用電晶體11a或雷曰雕 A电日日體lib與EL元件15間之連έ士， 而進行使驅動用電晶體之沒極（d)端子與閘極⑹端子 :形成短路之第i動作，僅會產生些許重設狀態誤差而不 斤妨礙此乃仏讨所製作之陣列的電晶體特性而作之 決定。 弟39圖之電流鏡像素構造係藉由重設電流程式化電曰 體山，而重設驅動用電晶體ub之動方法。 日日 第39圖之電流鏡像素構造中，於重設狀態下，未必要 切斷驅動用電晶體丨】b與乩元件】5間之連結。因此，即 107 1254264 玖、發明說明 為實施一使電流程式化用電晶體lla之汲極（D)端子與 閘極（G )端子間（或源極（s )端子與閘極（g )端子， 更觳丨生地表達，則為含有電流程式化用電晶體之問極（ G)端子之2端子，抑或含有驅動用電晶體之閘極（g)端 5子之2端子）形成短路之第1動作，以及》於前述 ，於電流程式化用電晶體進行電流（電壓）程式化之第2 動作。且，第2動作至少在第丨動作後進行。 圖像顯示狀態係（若可觀察瞬間之變化），首先，進行 電流程式化之像素行形成重設狀態（黑顯示狀態），並於預 S Η後進行電流程式化。應可看出黑顯示之像素行由晝面 上方朝下方移動，且影像於該像素行所通過之位置將改寫 15 20 、上述實施例所作之說明係以電流程式化之像素構造為 中心’但本發明之重設驅動亦可適用於電μ程式化之像素 構造。第43圖係用以實施電壓程式化像素構造中之重設驅 動之本务明像素構造（面板構造）說明圖。 、弟_ 3圖之像素構造中，形成有用以使驅動用電晶體 ⑴進仃重设動作之電晶體…。藉由在閘極信號線⑺施 加開啟電壓，則使電⑽Ue開啟，並使驅動用電晶體 ⑴之閑極⑹端子與《⑼端子間形成短路。又， =有=切斷EL元件15與驅動用電晶體…間之電流 l之電晶體ud。以下’―面參照第44圖，—面就電壓 像素構造中之本發明重設驅動方式加以說明。 h 44(a)圖所示，將電晶體川、電晶體】^設為 108 1254264 玖、發明說明 關閉狀態’且將電晶體11…開啟狀態。驅動用電晶體 Ua之沒極（D)端子與閘極⑹端子將形成短路狀態， θ通過ib包抓。因此，電晶體lu之問極⑹端 子與没極（D)端子將成為同一電位，且電晶體⑴將重 設（未使電流通過之狀態）。另，於重設電晶體Ha之前， 先如第33 _或第39圖之說明，與肋同步信號同時，起 初使電晶體Ud開啟，並使電晶體lle關閉，而使電流流 至電晶體11a。其後，實施第44 (a)圖之動作。 10 15 20 另，電壓程式化之像素構造中亦與電流程式化之像素 構每同t，右弟44 (a)圖之重設實施時間愈長，則有比 電流將通過且電容器19之端子電壓愈小之傾向。因此，第 料（a)圖之實施時間必須為固定值。實施時間宜設為 ㈣以上5H(5水平掃目苗期間）以下。更理想者為㈣ 以上4H以下，或於Msec以上40(^sec以下。 又，閘極k號線17e宜先設為與前級像素行之閉極信 號線17&共通。即’以短路狀態形成閘極錢、線17e與前 級像素行之閘極信號線17a。該構造則稱為前級閘極控制 ，方式。另所謂前級閉極控制方式係利用較定位像素行至 v方、1H刖以上所選擇之像素行的閘極信號線波形。因此 ’並不限於1像素行前。舉例言之，亦可利用2像素行前 之間極信號線的信號波形實施定位像素之驅動用電晶體 11 a之重設。 以下則為前級閘極控制方式之更具 像素行設為（N )像素行· 體記述。所定位 之 閉極信號線設為 閘極信號 109 Ϊ254264 玖、發明說明 線17e (N)、閘極信號線17a (N)。 H則所選擇之前級像 素行係像素行設為（N— 1)像素行，且复 具閘極化唬線設為 閘極信號線17e (N—n、閘極信號線(n—u。又， 定位像素行之下一 1H後所選擇之像素行係設為（n=)’ 像素订，且其閛極信號線設為閘極信號線丨7e (N+丨）、門 極信號線17a ( n+ 1 )。 甲 10 15 20 於第（N-1)H期間内，若於第⑷〇像素行之開 純號線nWN-i)施加開啟，則於第⑻像素 订之閘極信號線17e (N)亦施加開啟電壓。此乃閘極信號 、.泉He (N)與河級像素行之閘極信號線π (n— 〇係以 短路狀態形成之故。因此， ^ ^ 像素行之像素之電 晶體 llb(N— 〇 .rr , i)開啟，且源極信號線18之㈣將寫入驅 動用電晶體11 a ( N — 1 )之間朽,广、山 )之閘極⑹端子。同時，第（N n 像素之電晶體Ue(N)開啟，且驅動用電晶體 a N)之閘極⑹端子與汲極⑼端子間短路，並重 设驅動用電晶體11a (N)。 :弟（N-丨）H期間後之第（N)期間内，若於第（N )像素行之閘極信號線 /a I N )施加開啟電壓，則於第（ N + 1 )像素行之閘極作號妗 表ne (N + 1 )亦施加開啟電壓 〇 口此，第（N)像素行 曰 彳冢京之包日日肢1 lb ( N )開啟， 且施加於源極信號線Μ 之电壓將舄入驅動用電晶體lla( N )之閘極（〇 )端子。 雪a 5日守，第（N+1)像素行之像素之 包曰日’月豆1 le ( N + ] ) pg仏 碣啟，且驅動用電晶體i〗a (Ν + j ) 之問極（G)端子與汲極 ， ^ )·☆而丁，日j短路，並重設驅動用 110 1254264 玖、發明說明 電晶體11a (N+1)。 一 -V 、丄，,X y ^V} iaj 10 内’若於第（Ν+l)像素行之閘極信號線（n+i)施 加開啟電壓，則於第（N+2)像素行之閘極信號線ne( N+2)亦施加開啟電壓。因此，第（n+i)像素行之像素 之電晶體Ub (N+1)開啟，且施加於源極信號線18之電 壓將寫入驅動用電晶體lla (N+1)之閘極⑹端子。同 時’弟（N+2)像素行之像素之電晶體山（n+2)開啟 ’且驅動用電晶體lla(N+2)之閘極⑹端子與沒極（ D)端子間短路，並重設驅動用電晶體山（财2)。 上述本發明之前級閘極控制方式，係於m期間内， 重設驅動用電晶體lla，其後，實施電壓（電流）程式化 弟33 (a)圖亦相同，於同時進行第44⑴圖之重設 15狀態與帛44 (b)圖之電壓程式化狀態時，由於自第44 “ )圖：重設狀態至第44 (b)圖之電流程式化狀態之期間 為口疋值（-疋值），故無問題產± (形成固定值）。若該 期間短’則驅動用電晶體n無法完全重設。又，若該期間 過長，則驅動用電晶體lla將完全形成關閉狀態，且下次 2〇對電流進行程式化需要很多時間。此外，畫面％之亮度亦 降低。 於實施第44 (a)圖之後，則形成第料（b)圖之狀態 ^ ()圖k使電晶體1】b開啟，且使電晶體】】e、 兒曰日收Ud關閉之狀態。第44 (b)圖之狀態乃正在進行 Π1 ，土長式化之狀態。即，由源極驅動電路14輪出程式電塵 ’且將該程式電壓寫入驅動用電晶體lla t閘極⑻端 恭〜字驅動用電晶體Jla之問極⑹端子之電位設定於 工電容器19)。3，於電I程式化方式之情形下，在電慶程 广化時未必要關閉電晶體lld。又，若無須與第13圖、第 ~圖等N倍脈衝驅動等組合，或實施前述間歇N/K倍脈 衝驅動（M i畫面設有多數點亮領域之驅財法，_ 動方法可稭由使電晶體lle進行開閉動作而輕易實現），則 不需設置電晶M lie。該事項已於先前說明，故省略其說 m 〇 … +以第43圖之構造或第44圖之驅動方法進行亮顯示之 電堡程式化時，即使發生各像素之驅動用電晶體特性不均 之情形，亦可由黑顯示狀態之偏移(發出依照各驅動 用電晶體之特性而設定之電流的開始電壓）完整進行電壓 程式化。因此，欲行程式化達目標電流值之時間會因應灰 階而達到相等。是故，將無電晶體Ua特性不均導致灰階 誤差之情形，並可實現良好之影像顯示。 於第44 ( b )圖之電壓程式化後，如第44 ( c )圖所示 關閉電晶體11 b，且開啟電晶體11 d，而使源自驅動用電 晶體11a之程式電流流入EL元件15，並使EL元件15發 光。 如上所述，第43圖之電壓程式中本發明之重設驅動係 實施3個動作，首先，第〗動作為與HD同步信號同步， 先貫施開啟電晶體]〗d，關閉電晶體]]e，而使電流流至電 1254264 玖、發明說明 晶體11 a，第2私 間之 勒作為切斷驅動用電晶體11a與£L·元件15 且使驅動用雷s娜 極（G)端用电"山之汲極（D)端子與閉 —般性 ，(或源極(S)端子與閘極⑹端子’更 則為含有驅動用電晶體之閘極（σ)端子 曰 夕成，第3動作為在前述動作後，於驅動用電 曰曰體山進行.程式化。 一；、苑例中，為控制由驅動用電晶體元件1 la ( 壬弟1圖之像素構造時 電曰_ 才瓜至兀件15之電流，需開閉 私日日體11 d而推仁 , 1〇 '、'、開閉電晶體Ud，必須掃瞄閘極信 1U號線17b，而欲冶> # 仃7^瞒則需有移位暫存器電路61 (閘極 /動電路12)。但，移 曰存态電路61之規模大，且於閘 去:號線^控制上利用了移位暫存器彻^ :窄邊框化之效果。第-圖所說明之方式則可解決:： 另，雖然本發明主要 傻情…,、 要乂弟1圖相不之電流程式化之 像；r、構k為例進行說明曰 仁亚非以此為限，即便為第38 寺所說明之另一雷、'亡和/ 私式化構造（電流鏡之像素構造）亦 可適用，此乃自不牿t ” 、ϋ。，縱於第41圖等之電壓 之像素構造，當麸亦可々田广a 式化 2〇。 …、方了適用以區塊進行開閉之技術性概念 ’為便於說明， 71上，或將矽 上來作說明。又 會造成圖面複雜 第4〇圖係塊驅動方式之實施例。首先 乃以閘極驅動電路12直接形成於陣列基板 晶片之閘極驅動]C〗2搭載於陣列基板7〗 ，由於源㈣動電H及源極信號線】8 113 1254264 玖、發明說明 ，故將其等省略。 、弟40圖中，閘極信號線17a係與閘極驅動電路以相 4連二。此外’各像素之閘極信號線π則與點亮控制線 /連接。帛40圖中，4條閘極信號線m係、與i條點 免控制線401連接。 10 15 另，所謂以4條閉極信號線m進行成塊化並非音指 以此為限’ #然亦可多於4條…般而言，顯示書面50宜 至少分割為5份以上，更理想者為分割成1〇份以上，最理 想者為分割成20份以上。若分割數少，則容易看見閃燦， ^分割數過多，則點亮控制、線4〇1之數目需變多，而使點 亮控制線401之佈局變得困難。 因此’為QCIF顯示面板時’垂直掃瞒線之數目為⑽ 條，故至少須以220/5二44條以上進行成塊化，更理想者 則以22G/1G = 22條以上進行成塊化“隹，以奇數行與偶數 行進行2個成塊化時，縱為低幀速率，亦較少發生閃爍之 情形，故有時以2個成塊化即足夠。 第40圖之實施例中，點亮控制線4〇la、4〇ib、4〇k 、401d……401n依序施加開啟電壓（Vgl)，或施加關閉電 壓（vgh)，且於每一區塊皆使流至EL元件15之電流進行 20 開閉。 另，第40圖之實施例中，閘極信號線丨7b與點亮控制 線401並未相交。因此，閘極信號線丨7b與點亮控制線 401不會發生短路缺陷之問題。又，由於閘極信號線1 % 與點亮控制線401並未電容結合，故由點亮控制線4〇 ]觀 114 1254264 玫、發明說明 測閉極信號線m #|時所見之電容負荷極小。因此，容易 驅動點亮控制線401。 r甲1極驅動琶路12上連接有閘極信 5 10 極信號線17a施加開啟電壓，則可選擇像素行，且所選各 像素之電晶體Hb' llc開啟，並使施加於源極信號線18 之電流（㈣）於各像素之電容器19程式化。此外’閘極 信號線17b則與各像素之電晶體nd之閉極⑹端子連 接。因此，於點亮控制線4〇1施加有開啟電壓（vg】）時， 將形成驅動用電晶體Ua與EL元件15間之電流通路，反 之’施加有闕閉電壓（Vgh)時，則使EL元件15之陽極 端子形成斷路。 另，施加於點亮控制線4〇1之開閉電壓之控制時序與 閘極驅動電路12輸出至閘極信號線17&之像素行選擇電壓 § )可序且與1水平掃目苗時脈（1Η )同步，但並 15 非以此為限。 施加於點亮控制線4〇1之信號僅對流向EL元件i之 “ 、y亍碣閉又，亦無須與源極驅動電路14所輸出之會 像貝料同步。此乃施加於點亮控制線之信號係用以控 制業已於各像素16之電容器19程式化之電流之故。因此 ’未必要與像素行之選擇信號同步。此外，縱使同步，時 脈亦不限於1H信號，1/2H或ι/4Η皆可。 於縱為帛38目所示之電流鏡像素構造，亦可藉由將閘極 ^號、泉17b連接於點亮控制線4〇1而開閉控制電晶體 。因此，則可實現塊驅動。 6 115 1254264 玖、發明說明 另，第32圖中，若將間極信號線17a連接於點亮控制 線401並實施重設，則可實現塊驅動。即，本發明所謂之 塊驅動，係卩1條控制線使多數像素行同時成為非點亮狀 態（或黑顯示）之驅動方法。 5 10 15 上述實施例係每i像素行皆配置（形成）！條選擇開 極#唬線之構造。本發明並非以此為限，亦可於多數像素 订配置（形成）丨條選擇閘極信號線。 記號表示紅色之像素關係 第41圖為其實施例。此外，為便於說明，像素構造主 要以第1圖為例進行說明。第41目中，像素行之選擇閘極 信號線17&係同時選擇3個像素（16R、16g、^^。厌之 G之記號表示綠色之像素關係 而B之記號則表示藍色之像素關係。 因此’藉由閘極信號線I7a之選擇，可㈣選擇像素 脱、像素16G及像素16B且形成資料寫入狀態。像素 16R係由源極信號線18R冑資料寫入電容器服，像素 16G乃由源極信號線腦將資料寫入電容器⑽，而像素 ⑽則由源極信號線⑽將資料寫人電容器刚。 像素16R之電晶體lld係連接於間極信號線17伙。又 ’像素⑽之電晶體lld係連接於閘極信號線㈣，而 像素16B之電晶體nd則連接於閘極信號線（。因此， 像素邮之虹元件15R、像素16(}之肛元件⑼、料 16B之EL元件別可個別進行開閉控制。即，EL元件 件15G、EL元件15B可藉由控制各自之間極 \ 1 /bR 1 /bG、】/bB❼個別控制點亮時間與點亮週 20 1254264 玖、發明說明 期。

為貫現該動作，筮A 圖之構造中，宜形成（配置）用 以掃目皆閘極信號線丨7a 。 夕位g存器電路61、用以掃瞄閘 極信號線17bR之移位暫 恭 5 10 15 20 仔叩电路61、用以掃瞄閘極信號 線l7bG之移位暫存哭命 曰仔的甩路61及用以掃瞄閘極信號線 17bB之移位暫存哭雷攸a > 。。电路61等4個移位暫存器電路。 另’雖使預定電流之N仵帝泣冷 η饴电机流至源極信號線18，且 於而期間内使預定電流之Ν倍電流流至此元件^但 實用上並無法實現。此係由於實際上施加於閘極信號線η 之信號脈衝會穿至電容器19，而無法於電容器ΐ9設定希 望之電壓值（電流值)。_般而言，於電容器19中可設定 較希望之電壓值（電流值）更低 尺低之電壓值（電流值）。舉例 言之’縱使欲驅動達蚊1G倍之電流值，亦僅可於電容哭 19中設定5倍左右之電流。舉例言之，縱使N=10，_ 際上流至EL元件15之電流仍與N=5時相同。因此，： 發明乃-以設定N倍之電流值且使與N倍成比例或對應之 電流流至EL元件15之形式驅動之方法，或為將大於希望 值之電流呈脈衝狀施加於EL元件15之驅動方法。 王 又，藉由對大於希望值之電流（若直接使電流連續泣 至EL元件15則亮度會高於希望亮度之電流）於驅動用： 晶體lla (以g 1圖為例時）進行電流（電壓）程式化电 且使電流間歇流至EL元件15，可得到”之 發光亮度。 又，第1圖等開關用電晶體i lb、}彳c 寸且M 通道 117 1254264 玖、發明說明 形成。此乃可降低輸至電容器19之衝穿電壓之故。此外， 由於電谷态19之不正常洩漏亦將減少，故於1〇Hz以下之 低幀速率亦可適用。 又’依像素構造之不同，當衝穿電壓朝增加流至el 5兀件15之電流之方向作用時，白峰值電流會增加，且影像 頦不之對比感會增強。因此，可實現良好之影像顯示。 反之’藉由將第1圖之開關用電晶體ilb、Uc設為p 通運致使衝穿情形產生，而使黑顯示更為良好之方法亦屬 有效。P通道電晶體i lb關閉時將形成Vgh電壓。因此， 毛令态19之端子電壓會稍微移位至vdd側。如此一來， 電晶體11a之閘極（G)端子電壓將上升，且黑顯示效果 更佳。又，由於可增加作為第1灰階顯示之電流值（至灰 P白1為止可通過一定之基準電流），故以電流程式化方式可 減少寫入電流不足之情形。 15 下，一面芩照圖式，一面就本發明之另一驅動方式 進行說明。第125圖侧以實施本發明之順序（sequence )驅動之顯示面板說明圖。源極驅動電路14係將R、（3、 B資料切換輸出至連接端子681。因此，源極驅動電路Μ 扣之輪出端子數相較於第48圖等，僅1/3輸出端子數即足夠 0 〜由源極驅動電路14輸出至連接端子681之信號係藉由 、刀換兒路1251而分配至源極信號線18R、18G、18B 、j出刀換兒路1251係藉多晶#技術或非晶碎技術直接形 ' 引基板Η上。又，輸出切換電路174]亦可以矽晶 118 !254264 坎、發明說明 ^ %成’並藉COG技術、TAB技術、c〇F技術而安裝於 基板71上。此外，輸出切換電路丨25〗亦可以輸出切 、1251作為源極驅動電路14之電路，且内藏於源極 •辱區動電路Μ中。 Μ切換_ 1252連接於R端子時，源自源極驅動電路 之輪出信號將施加於源極信號線18R。切換開關UK 連接於G端子時，源自源極驅動電路14之輸出信號將施 加於源極信號線18G。切換開關1252連接於b端子時， 源自源極驅動電路14之輸出信號則施加於源極信號線ΐ8β 力，弟126圖之構造 W >7； XV ^ 子日寸’切換開關之G端子及8端子為斷路狀態。因此，輸 入源極信號線18G及⑽之電流為〇A。故，連接於^ 信號線18G及18B之像素16呈黑顯示狀態。 15 切換開關1252連接於G端子時，切換開關之r端子 及B端子為斷路狀態。因此，輸入源極信號線咖及⑽ 之電流為0A。故’連接於源極信號線咖及⑽之像素 16呈黑顯示狀態。 ' 另’第126圖之構造中，切換開關1252連接於b端 子時’切換開關之R端子及G端子為斷路狀態。因此，輪 入源極信號線18R及18G之電流為〇A。故，連接於源2 信號線18R及18G之像素16呈黑顯示狀態。 基本上’當Η貞係以3攔構成時，第丨欄乃於顯示晝 面5〇之像素16依序寫人&影像資料。第示# Π9 20 Ϊ254264 玖、發明說明 面5〇之像素16依序寫入G影像資 一 戶、1才又，弟3攔則於顯 示晝面50之像素16依序寫影像資料。 “'、 如上所述，每一欄以R資料^資料―B資料〜r資 料—G資料—B資料—......之川i忘分产 貝 《順序依序改寫，而實現順序 驅動。如第1圖般使開關電晶體叫開閉而實現N倍脈衝 驅動等則業已於第5圖、第13圖、第㈣等說明。而今 等驅動方法當然可與順序驅動組合，當然亦可將其他本發 明之驅動方法與順序驅動加以組合。 1〇 15 2〇 又’先前說明之實施例中，於R像素16寫入影像資 料時，G像素及b像素則寫人黑f料。於g像素μ寫入 影像資料時’ R像素及B像素則寫入黑資料。⑨B像素a 寫入影像資料時’ R像素及G像素則寫人黑資料。但本發 明並非以此為限。 牛j 口之方、R像素16寫人影像資料時，G像素及B 像素之〜像貝料亦可保持前—攔所改寫之影像資料。如此 ㈣即可使晝面5〇之亮度變亮。於G像素16寫入影像資 料卞_ I素及B像素之影像資料將保持前-欄所改寫之 〜像貝料& B像素16寫人影像資料時，G像素及R像 素之衫像貝料則保持前—攔所改寫之影像資料。 1上所24 ’欲保持改寫之色彩像素以外的像素之影像 貢料日守’只要設定成可UGB像素獨立控制閘極信號線 1 7 a即可。舉例十夕

牛則。之，如第125圖所示，閘極信號線17aR 係作為用以控制R彳务A . 义素之電晶月豆1 ] b、電晶體11 c開閉之 信號線。又，問掩传$ ' °歲線17aG係作為用以控制G像素之 120 1254264 玖、發明說明 電晶體llb、電晶體11c開閉之信號線。閘極信號線17aB 係作為用以控制B像素之電晶體lib、電晶體11c開閉之 ^號線。反之，閘極信號線17b則作為用以使R像素、G 像素、B像素之電晶體lld共同開閉之信號線。 5 10 若構造如上，則於源極驅動電路14輪出r之影像資 料，且切換開關1252切換至R接點時，可於閘極信號線 17认施加開啟電壓，且於閘極信號線aG與閘極信號線aB 施加關閉電壓。因此，可將R之影像資料寫入R像素Μ， 且G像素16 像素16可繼續保持前一攔之影像資料。 15 於第2攔中源極驅動電路14輸出G之影像資料，且 刀換開關1252切換至g接點日寺，可於閘極信號線} 7犯施 加開啟電壓，且於閘極信號線aR與閘極信號線化施加關 閉電壓。因此，可將G之影像資料寫入G像素16，且r 像素16及B像素16可繼續保持前—攔之影像資料。 於第 切換開關 3攔中源極驅動電路14輸出B之影像資料，且 1252切換至B接料，可於閘極信號線MB施 20 加開啟電壓，且於閘極作缺始 彳°唬線aR與閘極信號線aG施加關 閉電壓。因此，可將B夕旦，冬- 竹B之衫像肓料寫入B像素16，且r 像素16及G像素16可繼續你垃1 ”貝保持則一攔之影像資料。 弟12 5圖之貫施你丨由，备 、 母一 RGB皆形成或配置有用以 使像素16之電晶體 明並非以此為限，舉例言之 RGB之像素16形成或配置 造。 llb開閉之閘極信號線17a。但，本發 ’如第126圖所示，亦可為於 有共通之閘極信號線]7a之構 12] 1254264 玖、發明說明 第125圖等之構造中所作之說明，係於切換開關1252 選擇R之源極信號線時，G之源極信號線與B之源極信號 線形成斷路之狀態。但，斷路狀態乃一種浮動狀態，並非 理想之狀態。 5 帛126圖係—為消除該浮動狀態而採行因應對策之構 造。輸出切換電路1251之切換„ 1252 ^端子係連接 於Vaa電堡（形成黑顯示之電壓）。匕端子則與源極驅動電 路Η之輸出端子連接。切換開關1252係分別設於臟。 10 弟126圖之狀態中，切換開關12训係連接於—端 子口此，源極信號線18R上施加有I電壓（黑電壓） 切換開關1252Θ係連接_ v 受、Vaa鳊子。因此，源極信號線 、&加有1電壓（黑電壓）。切換開關1252B係連 接於源極驅動電路14

^ 之輸出鳊子。因此，源極信號線18B 上施加有B之映像信號。 15 上述狀態係B像辛之& & 卜 常之改寫狀悲，且於R像素與Θ像素 施加黑顯示電壓。如上 _ — 所迷，稭由控制切換開關1252可改 2素16之影像。另，關於閘極信號線m之控制等由於 μ明之實施例相同，故省略其說明。 椚上“〜例中’係於第1攔改寫R像素16,且於第2 改寫G像素16’並於第3攔改寫Β像素16。即’ y 攔所改寫之像夸 PP /、彡、g有所改變。但本發明並非以此為 限，亦可每1水平掃瞄期 % A J間（m)改變所欲改寫之像素之 頭色。舉例言之，可 Γ梓 、弟Η改寫R像素，於第2Η改寫 G像素，於第3H改 ’、、 吟彖，於第4H改寫R像素，… 20 1254264 玖、發明說明 ··•之方式驅動之方法。當然，亦可每2Η以上之多數水平 掃目苗期間改變所欲改寫之像素之顏色’或可每μ欄改變 所欲改寫之像素之顏色。 第127圖係每1Η改變所欲改寫之像素的顏色之奋施 例。另’由第127圖至第129圖中，以斜線標示之像二 係表示未改寫像素而保有前一欄之影像資料或呈現黑顯示 者。當然，亦可反覆實施使像素形成黑顯示或保持前 之資料。 10 音 15 20 另’由第125圖至第129圖之.驅動方式中，當然亦可 施弟13圖等之Ν倍脈衝驅動或Μ行同時驅動。第⑵ 圖至第129圖等係說明像素Μ之寫入狀態。EL元件以 點亮控制並未說明，但可使先前或之後說明之實施例加以 組合乃=不待言。當然，亦可組合第27中說明之形成有虛 擬像素行271之構造及使用虛擬像素行之驅動方法。 又，"貞並不限於以3欄構成’ 2欄，或是4攔以上皆 了 1 t貞為2攔’且為RGB三原色時，可舉於第！搁改寫 尺與G像素，且於第2欄改寫B像素之實施例為例。又 ”貞為4攔’且為刪三原色時，可舉於第！攔改寫Μ 素且於弟2襴改寫G像素，並於第3搁與第4搁改寫β 像素之實施例為例。該等順序藉由考慮並檢討RGB之扯 元件15發光效率’可有效率地取得白平衡。 一上述實施例中，係於第1欄改寫R像素，於第2欄 文寫G ‘素16 ’並於第3欄改寫B像素】6。即 所改舄之像素之顏色會有所改變。 123 1254264 玖、發明說明

弟127圖之貫施例，係一以於第1攔之第1H改寫R 像素，於第2H改耷πi ·，、、像素，於第3H改寫B像素，於第 4H改寫R像素，····.·之方式驅動之方法。當然，亦可每 5 2H ^上之多數水平掃目苗期間使所改寫之像素的顏色改變， 亦可每1/3欄改變所改寫之像素的顏色。 \127圖之貫施例中，係於第1攔之第m改寫&像 素’於第2H改寫g推本 像素，於第3H改寫β像素，並於第 4Η改寫R像素。於第2納夕# 弟 改耷η飧I 索弟1Η改寫G像素，於第2Η 改寫Β像素，於第3Η 、， 10 15 20 舄R像素，亚於第4Η改寫G像 素。於第3攔之第1Η改 舄Β像素，於第2Η改寫R像辛 ，於第3Η改寫G像辛，像京 像素亚於弟4H改寫Β像素。 如上所述，藉由在各 或以一定之規則性改寫 K Ci Β像素，可防止尺、

B之色彩分離。此外，亦 可抑制閃爍發生。 I 第128圖中，每m _㈣呈多數。第127ffl由寫之像素16之色彩數e 之像+ D ’於弟1搁内’第1H所改寫 像素16為R像素，第 ,^ 听文舄之像素16為G像素。 弟3Η所改寫之像素16為β '、 豕I 弟4Η所改耷夕綠 素16為R像素。 ^文舄之像 第128圖中，於每m皆使欲 文舄像素之色彩位罟；^ 同。藉由在各攔更變R、G、B像 p!f Μ , - ^ ^ ^ '、（虽然亦可依一定之規 貝Π生）亚依序改寫，可防止R、G、 可抑制閃雜生。 之色形分離。又，亦 另，第128圖之實施例亦於 合像* ( RGB像素之組） 124 1254264 玖、發明說明 使RGB之點亮時間或發光強度達到一致。此事項當然亦於 第126圖、第127圖等之實施例中實施，此係由於會形成 色彩不均之故。 5 10 15 如第128圖所示，欲將每1H欲改寫像素之色彩數（ 第128圖中第！欄之第1H係改寫r、〇、B三色）設為多 數，僅需於第125圖中，構造成源極驅動電路14可將任意 (亦可具一疋之規則性）色彩之映像信號輸出至各輸出端 子之狀態，並構造成切換開關1252可任意（亦可具一定之 規則性）連接接點R、G、B之狀態即可。 第129圖之實施例之顯示面板中，除rgb三原色外， 並具有W (白）之像素16W。藉由形成或配置像素腳， 可實現良好之色彩峰值亮度。又，可實現高亮度顯示。第 12=)圖係—於1像素行形成* R、G、B、W像素16

J第I29 (b)圖則為於每1像素行配置有RGBW 之像素16之構造。 μ 29 _之驅動方法當然亦可實施帛圖、第 128圖等之驅動方式。 1 田然亦可實施N倍脈衝驅動 或M像素行同時驅動等。哕 ,^ 寺°亥寺事項對在所屬領域具有通常 知識者而言可依據 20省略其說明。 ,& & 月曰而輕易加以具體實現，故在此 右、月 出本發明之顯示面板具 有RGB三原色之說明，但並 π丄 1非以此為限，除RGB外，亦 可加上青綠色、|色、共红备 A 4 'τ、色’或為利用R、G、B其中一 色、或R、G、W中兩色之顯示面板。 125 Ϊ254264 玖、發明說明 又，上述順序驅動方式中，係於每1攔操作RGB，但 本發明當不以此輕。此外，第125圖至第129圖之實施 例係針對將影像資料寫人像素16之方法進行說明，而非說 广‘作弗1圖等之電晶體lld且使電流流至EL元件以 頌不影像之方式（其間當然有所關連）。流至EL元件15 之電流於第1圖之像素構造中係藉由控制電M lld而進 行。 又弟127圖、帛128圖等之驅動方法中，藉由控制 電I曰體lid (第i圖之狀態），可依序顯示咖影像。舉 ， 帛13G ( a)圖係於1巾貞（1攔）期間中由晝面上 方朝下方（亦可由下往上）掃目苗R顯示領域53R、G一顯示 員或53G B絲員不領域53B。RGB顯示領域以外之領域則 設為非顯示領域52。g[7，實施間歇驅動。 第( b )圖係一作成於j棚（i幢）期間中產生多 15數咖顯示領域53之實施例。該動方法係與第16圖之 驅動方法類似’因此應無說明之必要。由於第13〇⑴圖 中將顯示領域53分割為多數，故縱為更低之幅速率亦不會 發生閃爍之情形。 20 第⑶⑷圖係依RGB之顯示領域53而改變顯示領 域二之面積（顯示領域53之面積當，然與點亮期間成比例） 。弟131⑴圖中’係將R顯示領域53R與G顯示領域 5 3 G之面積設為相同

並使B顯示領域53B之面積大於G 顯示領域53G。有機EL顯示面板中’ β之發光效率多半不 佳’藉由如第】3】（a)圖所示，使”示領域53β之面積 126 1254264 玖、發明說明 大於其他色彩之顯示領域53， 筮 有效率地取得白平衡。 (b)圖係一於1攔（幀）湘 53B A ^ 貝）期間内，β顯示領域 別為多數（53Β1、53Β2) ^ WS1 D θ W 乐 131 (a)圖係_ 义1们β _不領域53B之方法， 平 由改變可善加調整白 +衡〶⑶（b)圖則藉由顯 问—面積之B顯示領 或53B，而使白平衡狀態良好。 本舍明之驅動方式並不限於 ⑦31 (a)圖與第131 (b )圖中任一者，其目的在於 „、，、*/ 厓玍R、G、B之顯示領域 53,亚進行間歇顯示，而解決動書 10 15 20 一俱糊之情形，且改善對 像素16寫人不^之問題。另，第w圖之驅動方法中，並 WB為獨立之顯示領域53之情形，而為咖同時 减不（應表現為顯示W顯示領域53)。此外，當然亦可租 合第⑶⑴圖與第131⑴圖。舉例言之，可實施改變 弟131 (a)圖中咖之顯示面们3,且產生多數第131 (b)圖之RGB顯示領域53之驅動方法。 另弟130圖至第131圖之驅動方式並不限於第⑵ 圖至第129圖中本發明之驅動方式。若如第4ι圖所示，為 每廳皆可控制流向EL元件15 (el元件说、虹元件 15G EL兀件15B)之電流之構造，則當然可輕易地實施 第130 ®帛131圖之驅動方式。藉由於閉極信號線 施加開閉電壓’可開閉控制R像素敵。藉由於問極信號 線⑽施加開閉電壓，可開閉控制G像素⑽。藉由於 閘極信號線⑽施加開閉電M，可開閉控制β像素湖 127 Ϊ254264 玖、發明說明 又，為實現上述驅動，需如第132圖所示，形成或配 置用以控制閘極信號線l7bR之閘極驅動電路12bR、用以 控制閘極信號線17bG之閘極驅動電路12bG及用以控制閘 極信號線17bB之閘極驅動電路12bB。藉第6圖等所說明 之方法驅動第132圖之閘極驅動電路12bR、12b(}及 ’則可實現第130圖、g 131圖之驅動方法。當然，以第 132圖之顯示面板構造亦可實現第16圖之驅動方法等。 入，右局以第 10 η工布_(稱造於用以改寫影 像貪料之像素16以外的像素16改寫黑影像資料之方式， 則縱使不分成用以控制E L元件i 5 R之閘極信號線i 7 b r、 用以控制EL元件15G之閘極信號線mG及用以控制肛 元件15B之閘極信號、線17bB，而為與卿像素丘通 極信號線17b，亦可實現第⑽圖、帛131圖< 15 第15圖、第18圖、第21 線17b (EL側選擇信號線）係 單位而施加開啟電壓（Vgl )、

圖等中，業已說明閘極信號 以1水平掃瞄期間（1H)為 關閉電壓（Vgh)。但，EL 元件15之發光量於通過之電流為定 毛1·為疋/敬時，則與電流通過之 時間成比例。因此’電流通過之時門a κ守間热須限定於1H單位 由 為導入輸出賦能（0EV)之概念， 進行OEV控制，於丨水平掃瞄期間 乃有如下規定。藉 (1H:)以内之閘極 信號線]7a、17b將開閉電壓（Vgl 於像素]6 ° 電壓、Vgh電壓）施加 128 20 !254264 玖、發明說明 為便方、。兒β纟發明之顯示面板，係以用以選擇可進 行電流程式化之像素行的閘極信號線17a (第！圖之狀態 :進行說明。又’將用以控制閘極信號線i7a《閘極驅動 電路12a之輸出稱為WR側選擇信號線。更以用以選擇此 元件15之閘極信號線17b (第i圖之狀態）進行說明。又 1用以控制開極信號線17b之閘極驅動電路⑶之輸出 稱為EL側選擇信號線。 10 /閉極驅動電路12賴人起始脈衝，且所輸人之起始脈 衝依序作為保持資料而於移位暫存器内移位。藉由閉極驅 動電路…於移位暫存器内之保持資料，可決定輸出至 WR側選擇信號線之電|為開啟電堡（vgi)或關閉電壓（ vgh)。再者’於閘極驅動電路I2a之輸出級，形成或配置 有用以強制關閉輸出之〇Ενι ^ 、 电岭1禾圖不）。OEV1電路 15 ,、、、位準時，將閘極驅動電路12a之輸出之 號直接輸出至閘極信沪線17a 惻&擇t … 號線17a。若將上述關係作邏輯性之 鮮員不，則形成第224 (a)圖 邏輯位準之Lrn、 設為 。 ）’且將關閉電壓設為邏輯電壓之H (1) 即’ ^閘極驅動電路12a ά/ν丨 20 門…… 2a正在輪出關_時，則於 閘極w、線17a施加關閉 、 輸_電_—):=電:二正在 _電路之輸出與⑽而輸出至閉極信二_得 〇-電路於Η位準時，將輪出至間極信^:。即’ 設為關閉電壓（ν ) a之電壓 4 176®之時序圖的例子）。 129 1254264 玖、發明說明 5 10 15 20 藉由閉極驅動電路12b於移位暫存器内之保持資料， 可決定輪出至閉極信號線17b (EL側選擇信號線）之電塵 為㈣電麼（Vgl)或關閉職（Vgh)。再者，於閉極驅 動電路12b之輸出級形成或配置有用以強制關閉輪出之 ’2電路（未圖示）。_2電路為l位準時，將閑極驅 動電路12b之輸出直接輸出至閘極信號線。若將上述 關係作邏輯性之顯示，則形成第m⑴圖之關係。另处 將開啟電塵設為邏輯位準之L (〇),且將關閉電塵設為邏 輯電壓之Η ( 1)。 即，當間極驅動電路12b正在輸出關閉電壓時（扯側 _信號為關閉電壓）’於閘極信號線17b施加關閉電壓。 當閘極驅動電路12b正在輸出開啟電壓（邏輯上為L位準 )時’則藉OR電路取得0EV2電路之輸出與〇r而輸出 至1極信號線17b。即，0EV2電路係於輸入信號為h位 準日t冑輸出至間極信號線17b之電塵設為關閉電壓（ Vgh)目此，縱因〇EV2電路而使側選擇信號為開啟 電壓輸出狀態’受強制輸出至閘極信號線m之信號亦將 形成關閉電壓（Vgh)。另，若〇EV2電路之輸入為l，則 ^則選擇信號可以直通之方式輸出至閑極信號線⑺（參 照第176圖之時序圖的例子）。 另，藉由OEV2之控制，而調整畫面亮度。且可依畫 面儿度又化之明受度有其容許範圍。帛175圖係顯示容許 芰化（％)與畫面亮度（nt)之關係。由帛175圖可知， 車乂 B曰之衫像上，其容許變化量較小。因此，依所進 130 1254264 玖、發明說明 订之控制或依duty比控制而進行之畫面5G的亮度調整， 係考慮晝面5G之亮度而控制，且依控制而產生之容許變化 使畫面暗沈時較明亮時為小。 弟14〇圖為lMduty比驅動。4H期間令於1H期間内 、’於閉極信號線17b (EL侧選擇信號線）施加開啟電壓， 尺平同步仏號（HD)同步掃聪施加有開啟電屋之位置 。因此’開啟期間為1H單位。 10 15 但’本發明並非以此為限’亦可如第143圖所示，設 為出以上（第143圖為1/2H)，又，亦可設為m以下二 即’並不限為1H單位’亦容易發生非m單位之情形。使 用形成或配置於閘極驅動電路12b(乃用以控制閘極信號 線17b之電路）之輸出級之〇EVl電路即可。㈣2電路 與先前說明之0EV1電路相同，故在此省略其說明。 第⑷圖顯示閘極信號線m(EL側選擇信號線）之 開啟時間非以m為單位。奇數像素行之閘極信&線⑺（ EL側選擇信號線）於未滿1H之期間施加開啟電壓。偶數 像素行之閘極信號線m (EL側選擇信號線）則於極短期 間施加開啟電壓。又’將施加於奇數像素行之間極㈣線 m(EL側選擇信號線）之開啟健相τι與施加於偶數 像素行之問極信號線m(EL側選擇信號線）之開啟電壓 時間T2相加後之時間為m期間。第141圖則視為第"閣 之狀態。 繼弟1爛之後之弟2欄中，偶赵/多主/ 偶數像素行之閘極信號線 l7b( EL側選擇信號線）於未滿出之期間施加開啟電壓 20 1254264 玖、發明說明 叮數像素仃之閘極信號線17b (EL侧選擇信號線）則於 極短期間施加開啟電壓。又，將施加於偶數像素行之閑極 ;Λ 17b (EL側選擇信號線）之開啟電壓時間與施 加於奇數像素行之問極信號線m㈤側選擇信號幻之 5開啟電壓時間T2相加後之時間為川期間。 如上所述，令多數像素行中施加於問極信號線m( EL側選擇信號線）之開啟時間相加之和為一定，又，亦可 於多攔使各像素行之ELit件15之點亮期間為一定。 第I42圖係顯示閘極信號線17b (£L·側選擇信號線） 之開啟時間為之情形。又，A點上之問極信號線⑺ (EL側選擇信號線）之上升與下降呈重疊狀態。閘極信號 、’泉b ( EL側运擇彳§號線）與源極信號線1 $呈輕合狀態 。因此，右閘極信號線丨7b ( EL側選擇信號線）之波形改 變，則波形之變化會衝穿源極信號線18。若因該衝穿情形 15而使源極^唬線1 8發生電位變動，則電流（電壓）程式化 之精確度將下降，且會顯現驅動用電晶體Ua特性不均之 情形。 第142圖中’於a點上，閘極信號線丨7]B ( el側選擇 信號線）（1)係由開啟電壓（Vgl)施加狀態變為關閉電壓 20 ( vgh)施加狀態。閘極信號線17B (EL側選擇信號線）（ 2 )則由關閉電壓（Vgh )施加狀態變為開啟電壓（vgl ) 施加狀態。因此，於A點上，閘極信號線πβ ( EL侧選擇 信號線）（1 )之信號波形與閘極信號線丨7B ( el側選擇信 號線）（2 )之信號波形將相互抵銷。故，縱使源極信號線 1254264 玖、發明說明 18與閘極信號線17B (EL側選擇信號線）编合，問極信 號、、泉17B ( EL側遥擇信號線）之波形變化亦不會衝穿源極 信號線18。因此，可達到良好之電流（電壓）程式化精破 度，並可實現均一之影像顯示。 5 另，第I42圖係開啟時間為1.5H之實施例。但，本發 明並非以此為限，當然亦可如第144圖所示，將開啟電壓 之施加時間設為1Η以下。 猎由調整於閘極錢線17B (EL側選擇信號線）施加 開啟電壓之期間’可線性調整顯示畫面5〇之亮度。此可藉 1〇由控制OEV2電路而輕易實現。舉例言之，第145圖中， 弟I45 (b)圖之顯示亮度較第145 (a)圖低，且，第145 (C)圖之顯示亮度則較第145 (b)圖低。 第1〇9圖所示者係0EV2與閘極信號線nb之信號波 t之關係。第1Q9圖中’第⑽（& )圖乃⑽π達到匕位 15準之期間最短者。因此，於閘極信號線m施加開啟電壓 之期間較短，故可使電流流至EL元件15之電流期間將變 紐。此狀態則為duty比小之狀態。繼之第1〇9 (b)圖中 EV2達到L位準之期間較長。進而第⑺9 ( c )圖中 EV2達到L位準之期間較第( b)圖長。因此，第 20 109 (Ο圖之dmy比大於第1〇9⑴圖之㈣比。 另第109 ( a ) ( b ) ( c )圖之實施例係以較j H短之 月間進仃duty比控制者。但，本發明並非以此為限，亦可 第1 09 ( d )圖所不以〗Η單位進行加巧比控制。另，第 1〇9 ( d )圖係一 1/2dmy比之實施例。 133 1254264 玖、發明說明 弟109 (a)圖乃0EV2達到L位準之期間最短者。因 二：閉極信號線17b施加開啟㈣之期間較短，故可使 電流流至EL元件15之電流期間將變短。此狀態則為duty 比小之狀態。 5 10 15 20 又’如第146圖所示’亦可多次設置方令m期間施加 開啟㈣之期間與施加關閉電壓之期間所組成之组。第 146 設有6次之實施例’第⑷⑴圖為設有3 次之實施例，而第M6 ( c ) y α马δ又有j次之實施例。第 圖中第146(b)圖之顯示亮度較第146(a)圖低。 又，弟146 (〇圖之顯示亮度較第146⑴圖低。因此， 藉由控制開啟期間之次數，可輕易調整（控制）顯示亮度 〇 、下針對本* 之電流驅動方式中之源極驅動1C ( 祕）14進行說明。本發明之源極驅動Ic係為實現先前 況明之本發明驅動方法與驅 勁包路而使用。此外，並將本 發明之驅動方法、驅動電路、 壯 ，、肩不衣置加以組合使用。另 ，本說明中係以1C晶片進行# M ^^ 仃况明，但亚非以此為限，當然 亦可使用低溫多晶石夕技術、非曰 非日日矽技術等而於顯示面板之 陣列基板71上進行製作。 首先，於第55顯示習知電流驅動方式之驅動電路之一 例。唯，第55圖係用以說明太 I月兒 >爪驅動方式之源極驅 動I.C (源極驅動電路）14之原理圖。 弟圖中，551為D/A轉換器。D/A轉換器55ί中可

輸入η位元之資料信號，並可依據該輪入之資料而由⑴A 134 1254264 玖、發明說明 轉換:輸出類比信號。該類比信號則輸入運算放大器初 。運异放大552將其輪人N通道電晶體4川，並使流至 電晶體仙之電流流至電阻531。電阻R之端子電壓將形 成運异放大$ 552之-輪人，且該—端子之電壓與運算放 大态552之+端子為同_電壓。因此d/a轉換器551之輸 出電壓成為電阻531之端子電壓。 ίο 15 2〇 若電阻531之電阻值為1ΜΩ，〇/Α轉換器551之輸出 y⑺，則電阻531將流入i (ν) /ιμω==ι (⑷之電 流。此將形成定流電路。因此，D/A轉換器⑸之類比輸 出將因應資料信號之值而改變，該類比輸出並依據該值使 預定電流流至電阻531而形成程式電流iw。 但，DA轉換電路551之電路規模甚大，且，運算放 大裔552之電路規模亦大，若於i輸出電路上形成DA轉 換电路551與運异放大器552，則源極驅動之形體將 變得十分；&大。因此，實際運用上並無法製作。 本發明即有鏗於此點而形成者。本發明之源極驅動電 路Η係-具有可將電流輸出電路之規模縮小，並可將電流 輸出端子間之輸出電流不均情形盡量減至最低限之電路構 k、佈局構造者。 第47圖中顯示本發明之電流驅動方式中源極驅動κ (電路）14之-實施例構造圖。第47圖舉例呈現_將電 流源形成3級構造（471、472、473 )之多級式電流鏡電: 第47圖中，第1級電流源47]之電流值可於以個 .135 l254264 坎、發明說明 隹，N為任意之整數）第2級電流源472藉由電流鏡電路 複製。進而，第2級電流源472之電流值可於M個（唯， Μ為任意之整數）第3級電流源473藉由電流鏡複製。藉 由此一構造，第1級電流源471之電流值將複製成ΝχΜ個 5 第3級電流源473。 舉例a之’於QCIF形式之顯示面板之源極信號線j 8 以1個源極驅動IC14進行驅動時，將形成176輸出（由於 源極信號線於各RGB需有176輸出）。此時，將N設為16 個，且11個。因此，16x11= 170，而可對應176輸出 如此一來’藉由將N或]y[其中一方設為8抑或16或其 倍數，則可使驅動1C之電流源佈局設計較為容易。 以本發明多級式電流鏡電路進行之電流驅動方式之源 極驅動1C (包路）14中，如上所述，並非直接藉電流鏡電 路將第1級電流源471之電流值複製至NxM個第3級電流 15源473，而是於中間配置有第2級電流源472，因此可吸收 電晶體特性之不均。 特別是’本發明具有將第1級電流鏡電路（電流源 471 )與第2級電流鏡電路（電流源472 )緊密配置之特徵 。若為第1級電流源471至第3級電流源473 (即，電流 2〇鏡電路之2級構造），則與第1級電流源連接之第3級電流 源473之個數甚多，而無法緊密配置第1級電流源47丨與 第3級電流源473。 如同本發明之源極驅動電路14，其為一將第1級電流 鏡電路（電流源471 )之電流複製至第2級電流鏡電路（ 136 1254264 玖、發明說明 電流源472 )，並將第2級電流鏡電路（電流源472 )之電 流複製至第3級電流鏡電路（電流源473 )之構造。該構 造中，連接於第1級電流鏡電路（電流源471 )之第2級 電流鏡電路（電流源472 )之個數甚少。因此，可緊密配 5 置第1級電流鏡電路（電流源471 )與第2級電流鏡電路 (電流源472 )。 若可緊密配置用以構成電流鏡電路之電晶體，當然可 減少電晶體之不均，因此所複製之電流值之不均亦會變少 。又，連接於第2級電流鏡電路（電流源472)之第3級 10 電流鏡電路（電流源473 )之個數亦變少。因此，可緊密 配置第2級電流鏡電路（電流源472)與第3級電流鏡電 路（電流源473 )。 即，整體而言，可緊密配置第1級電流鏡電路（電流 源471 )、第2級電流鏡電路（電流源472 )、第3級電流鏡 15 電路（電流源473 )之電流接收部之電晶體。因此，可緊 密配置用以構成電流鏡電路之電晶體，因而電晶體之不均 情形變少，且源自輸出端子之電流信號不均情形將減至極 少（精確度高）。 本發明中，係以電流源471、472、473，或電流鏡電 20 路呈現，而該等皆同義，即，此係由於所謂電流源乃本發 明之基本構造概念’若具體構成電流源即形成電流鏡電路 。因此，電流源並非僅限於電流鏡電路，亦可為運算放大 器5 52與電晶體471a及電阻R組合所構成之定流電路。 第48圖係更具體之源極驅動1C (電路）]4之構造圖 137 1254264 玖、發明說明 。第64圖係顯示第3電流源切之部分，gp，乃連接於i 個源極信號線18之輸出部。最終級之電流鏡構造係由多數 同一尺寸之電流鏡電路（單位電晶體484(1單位））構成， 其個數則對應影像資料之位元而進行位元加權。 ，另’用以構成本發明源極驅動1C (電路）14之電晶體 並不限於M0S型’亦可為雙極型。又，並不限為料導體 ’亦可為坤化料導體，抑或料導體。X，亦可為藉低 溫多晶㈣多㈣技術、非晶料術直接形成於基板者。 10 15 20 由第48圖清楚可知，圖中顯示6位元之數位輸入狀態 以作為本發明之1實施例。即，乃2之6次方，故為64灰 階顯示。由於將該源極驅動IC14搭載於陣列基板，故紅（ R)、綠（G)、藍（B)各為64灰階，因此可顯示 64x64x64二約 26 萬色。 其為64灰階時，D〇位元之單位電晶體樹為】個， D1位元之單位電晶體484為2個，D2位元之單位電晶體 偏為4個，D3位元之單位電晶體484為8個，以位元 之單位電晶體484為16個’ D5位元之單位電晶體彻為 32個，故總計單位電晶體_為63個。即，本發明係將 灰階之表現數（此實施例為64灰階）^個之單位電晶體 4料構成（形成）為！輸出。另，縱使i個單位電晶體分 割為多數子單位電晶體，單位電晶體亦僅分割為子單位電 晶體。因此’本發明與由灰階之表現數-1個之單位電晶 體構成者無異（同義）。 曰 第补圖中’ D0顯示LSB輪入，而〇5顯示msb輪入 138 斗264 玖、發明說明 。DO輸入端子為Η位準（正邏輯時）時，開關術& (其 為開閉機構。當然，亦可由單位電晶體構成，或為p通道 電晶體與N通道電晶體組合而成之類比開關等）開啟。如 此一來，則使電流流向用以構成電流鏡之電流源（1單位 )484。該電流將流至IC14内之内部佈線483。由於該内 4佈線483乃經由IC14之端子電極而連接於源極信號線 18,因此流至該内部佈線483之電流即成為像素16之程式 電流。 舉例言之，D1輸入端子為H位準（正邏輯時）時， 1〇開關481b開啟。如此一來，則使電流流向用以構成電流鏡 之2個電流源（丨單位）484。該電流將流至内之内 部佈線483。由於該内部佈線483乃經由IC14之端子電極 而連接於源極信號線18，因此流至該内部佈線料3之電流 即成為像素16之程式電流。 15 於其他開關481亦相同。D2輸入端子為H位準（正 域輯％ )時，開關48 lc開啟。如此一來，則使電流流向用 以構成電流鏡之4個電流源（1單位）484。D5輸入端子 為Η位準（正邏輯時）時，開關48If開啟。如此一來，則 使兒机流向用以構成電流鏡之32個電流源（1單位）484 20 〇 如上所述’因應源自外部之資料（D0〜D5 )，可使電流 級向相對應之電流源（1單位）。因此，依照資料，構造成 使兒",L佤至〇個至63個電流源（1單位）之狀態。 另’本發明為便於說明，電流源設為6位元者63個， 139 1254264 玖、發明說明 並非以此為限，4 8位元時，應形成（配置）况個單 位電㈣484 °又’為4位元時’應形成（配置）15個單 位電晶體484。用以構成單位電流源之電㈣_ __ 相同之通道寬度W、通道長度L。如此以相同之電晶體構 成，則可構成不均情形較少之輸出級。 單位電晶體彻並非以全部發出同一電流為限， 舉例言之’亦可使各單位電晶體484加權。例如，亦可摻 雜1單位之單位電晶體484、2倍之單位電晶體484與4倍 10 15 20 之單位電晶體484 #而構成電流輸出電路。但，若使單位 %晶體484加權再構成，則有各經加權之電流源不符加權 之比例，以致產生不均之可能性。因此，縱使欲進行加權 ，各電流源亦宜藉由形成多靖1單位電流源之電晶體 而構成。 用以構成單位電晶體484之電晶體之大小須為—定以 ^上之大小。電晶體尺寸愈小’則輸出電流之不均愈大 謂電晶體484之大小咅指诵、蓄且洛τ & μ扣通逼長度L與通道寬度w相乘後 之尺寸。舉例言之’若W，而則用以構 成1個單位電流源之電晶體484之尺寸為wxL=i2平方 般認為電晶體尺寸愈小則不均愈大乃受 田γ ㈡退^日日 |之狀恶衫響之故。因此，若i個電晶體為橫跨多數处 晶界面而形成’則電晶體之輸出電流不均將變小。π “ “ 119圖顯不電晶體尺寸與輸出電流不均之關係。 弟⑽圖中圖表之橫轴為電晶體尺寸（平方㈣，而 則以％表示輸出電流之不均。唯 ^ ^出電流之不均％係以 140 1254264 玖、發明說明 63個組形成單位電流源（1個單位 個），並將該組形成於多組晶圓上， 。因此，圖表之橫軸雖以用以構成 體尺寸（單位電晶體484之尺寸） 5 電晶體）484 (形成63 而求出輸出電流之不均 1個單位電流源之電晶 表示，但實際上並列之 電晶 位電 顯示時輸 體有63個’故面積為63倍。但，第119圖中係以單 晶體484之大小為單位進行檢討。因此，帛ιΐ9圖中 ’當形成有63個30平方μηι之單位電晶體484時，此 出電流之不均為0.5%。 10 64灰階時’輸出電流之不均為⑽/64=15%。因此 ’輸出電流不均必須於L5%以内。由帛119圖可知，為了 達成1.5%以下’單位電晶體之尺寸必須設為2平方帅以 15 上（64灰階係63個2平方_之單位電晶體作動）。此外 ’電晶體尺寸更有所限制。此係由於在1C晶片尺寸變大之 點與每-輸出之橫向寬度上有所限制之故。由此點觀之， 單位電晶體484之尺寸上限為3〇〇平方牌。因此，於64 灰階顯示中，單位電晶冑484之尺寸須為2平方_以上 300平方μηι以下。 為128灰階時，輸出電流之不均為100/128= 1%。 因此，輸出電流不均須於1%以内。由第119圖可知，為 2〇控制在1%以下，單位電晶體之尺寸須於8平方_以上。 口此’於128灰階顯示中，單位電晶豸484之尺寸須為8 平方μηι以上300平方从爪以下。 、般而σ 7灰階數為Κ，且令單位電晶體484之大 為St ν平方μηΊ ) ^，可滿足κ々厂（St)且u⑻ 141 1254264 玖、發明說明 之關係。更理想者則為滿足臨K/，（s〇a 之 關係。 上述所舉之例係64灰階中形成有63個電晶體之情形 。以m個單位電晶體484構成64灰階時，此時單位電晶 體彻之尺寸則為2個單位電晶體彻相加之尺寸。舉例 言之’64灰階中，單位電晶體484之尺寸為⑺平方㈣， 10 15 20 B 127_#’則第119®中單位電晶體之尺寸必須設 為10X2 = 20搁。同樣地，64灰階中，單位電晶體楊之 尺寸為ίο平方_，若由255個形成，則第ιΐ9圖中，單 位電晶體之尺寸必須設為10x4=40攔。 單位電晶體484所需考慮者不僅於大小，亦須將形狀 考慮在内。此係為減少扭曲效應之影響。所謂扭曲，係指 在將單位電晶H 484之閘極健維持於—定之狀態下，改 變單位電晶體484之源極（S)-沒極⑼電壓時，致使 流至單位電㈣484之電流產生變化之現象。益扭㈣ 響時（理想狀態），縱使改變施加於源極（s)—沒極（D )間之f壓’流至單位電晶體484之電流亦不會改變。 扭曲之影響係發生於第1圖等驅動用電晶體山之％ 不均導致源極信號線18之電位有異時。驅動電路Μ使程 式電流流至源極信號線18，以使程式電流流至像素之驅動 用電晶體11 a。受該程式雷、、亡旦/伽 枉八包机影響之故，驅動用電晶體lla

之閘極端子電壓改轡，B P 4 A 式笔流將流至驅動用電晶體 lla由弟J圖可知，所選像素16為程式化狀態時，驅動 用電晶體】.]a之閘極端子雷厭〜、^ t 兒—源極信號線]8之電位。 142 1254264 玫、發明說明 鄕因此、，受各像素16之驅動用電晶體山〇不均影 曰所致，源極信號線丨8電 I %位將有所不同。源極信號線 18之電位乃成為驅動電路14之單位電晶體484之源極— 汲極電壓。即，受傻夸 素16之驅動用電晶體11a之Vt不均 影響所致，施加於單位電晶體似之源極—汲極電壓將有 同且因σ亥源極—汲極間之電壓，將使單位電晶體 484受到扭曲而產生輪出電流不均之情形。 10 15 20 弟123圖係單位電晶體之L/w距離目標值之偏差（不 均）之圖表。單位電晶體之L/w比為2以下時，距離目桿 =之偏差大（直線之傾斜度幻。但，隨著l/w漸大，目 魏之偏差則有變小之傾向。單位電晶體之l/w為2以上 時’距離目標值之偏差之變化將變小。又，於飢=2以 上時’距離目標值之偏差（不均）將達到0.5%以下。因此 則可作為a Ba體之精確度而為源極驅動電路Μ所採用。 另’ L為單位電晶體484之涓、音且 之通道長度，W則為單位電晶體 之通道寬度。 但，單位電晶體484之通道長度L無論多長皆無法增 :’此乃L愈長則IC晶片14將愈大之故。且，單位電晶 β之問極立而子电壓上升，源極驅動IC14所需之電源電 壓變高。電源電壓若變高則須採 :壓…程形成之源極驅動_^ 幸則出不均較大（來昭第12 1同甘〜、ηο、 /…、弟 圖及其况明）。經檢討所得結果 ，L/'V宜為]彻下’更理想之L/w則宜㈣以下。 由上述情形可知，單位電晶體之L/W宜為2以上，且 M3 1254264 玖、發明說明 ，L/W以1〇〇以下為宜，於4〇以下尤佳。 又之大小亦與灰階數有關。由於灰階數少時， 灰階與灰階之差距大，因此縱使受到扭曲影響以致單位電 晶體634之輸出電流不均，亦不致產生問題。但，灰階數 5多之顯示面板中灰階與灰階之差距小，因此若受到扭曲影 錾以致單位電晶體484之輸出電流略有不均，則灰階數將 減少。 考量上述情形，令灰階數為κ，且令單位電晶體484 之L/W (L為單位電晶體484之通道長度，w為單位電晶 1〇體484之通道寬度）時，本發明之驅動電路14乃構造（形 成）成滿足（K/16)) SL/Ws 且（/ (κ/16)) χ2〇 之關係。若以圖式表露此關係則如第12〇圖所示。第ΐ2〇 圖之直線上側為本發明之實施範圍。 單位電晶體484之輸出電流不均亦與源極驅動IC14之 15耐壓有關。所谓源極驅動1C之耐壓一般而言意指ic之電 源電壓。舉例言之，所謂5 (V)耐壓係以標準電壓5 (V )使用電源電壓。另，所謂IC耐壓亦可另解為最大使用電 壓。該等耐壓係半導體IC製造者以5 (V)耐壓製程、1〇 (V)耐壓製程進行標準化而保有者。 2〇 IC耐壓之所以會影響單位電晶體484之輸出不均，應 為單位電晶體484之閘極絕緣膜之膜質、膜厚所致。以Ie 耐壓兩之製程所製造之電晶體484其閘極絕緣膜較厚。此 (丁、為使其於施加高電壓時亦不致產生絕緣破壞。若絕緣膜 厚’將導致閘極絕緣膜厚之控制甚為困難，且閘極絕緣膜 144 Ϊ254264 玖、發明說明 膜貝不均問題亦變大。因此，電晶體之不均將加劇，且 以同耐壓製程所製造之電晶體其移動率變低。若移動率 •則^要'主入電晶體之閘極之電子稍有變化，特性即不 2目此’電晶體之不.均將加劇。是以，為減少單位電晶 4之不均，宜採用1C耐壓低之ic製程。 10 15 20 〃第1圖係顯不Ic而才壓與單位電晶體之輸出不均之關 =縱軸之不均比率係將以18(v)耐壓製程製作之單位 曰月且484之不均設為！。另，第圖乃顯示將單位電 晶體彻之形㈣w設為12(μη〇/6(μπι)，且以各耐麼 :“王所衣1^之早位電晶體484之輸出不均。X，以各1C耐 [衣私形成多數早位電晶體，並求出輸出電流不均。唯， 耐壓製程係1·8 ( V)耐虔、 i 2·5 ( V)耐壓、3.3 ( V)耐壓 5 (V)耐壓、8 (V)耐壓、10 (V)耐壓、15 (v)耐 Γ離散值。但，為便於說明，故將各_所形成之電晶 粗之不均記入圖表，並以直線相連。 由第12i圖亦可知，Ic耐壓於9 (v) 率（單位電晶體484之輸出電& 二七 加比例甚小。但，一旦Ic耐壓 二之曰 V v J以上，不均比率 相對於1C耐壓之傾斜度則變大。 第121圖中之不均比率於3以 階 者為64灰階至256灰 P白顯不時之不均容許範圍。唯 俨_ 亥不均比率乃因單位電晶 且 之面積、L/W而異。但縱使 口 之便改芰早位電晶體484 形欢寺，不均比率相對於 。…4r_ 了&之艾化傾向亦幾無改變 】C耐壓於9〜10 (V)以上時， 則有變大之傾 145 1254264 玖、發明說明 向。 第48圖之輸出端子681之電位則因㈣ 1曰6之驅動用電晶體山之程式電流而改變。約與驅動用電 5 晶體山之閘極端子電堡及源極信號線18之電位相等。: 源極L 5虎線18之電位則成為源極驅動Ic (電路）Μ之 ，出端子⑻之電位。將像素^驅動用電晶體lla發出 免閃光（最大白顯示）之電流時之間極端子電位設為Vw -將像素16之驅動用電晶體Ua發出暗閃光（完全愛顯 10 示）之電流時之閑極端子電位設為nVb之絕對值 獻2 (V)以上。此外，Vw電壓施加於端子681時，單 位電晶體484之通道間電壓須為〇·5 (v)。 、 75方、輪出端子681 (端子681係與源極信號線 8連接’且於電流程式化時，施加像素μ之驅動用電晶 體11a之閘極端+带 15 而子4)上’施加0·5 (V)至（（Vw_Vb )+〇·5)(ν)之雷厭^ , 之电&。由於Vw—Vb為2 (ν)，故端子 咖最大將施加 2(ν)+0.5(ν)=2·5(ν)_, ，縱使源極驅動lGl4

Ll4之輸出電壓（電流）呈rail_t〇_rail電 路構造（可輸出電壓達1C電源電位之電路構造），IC耐壓 亦須為2.5 (v)，而, 肉^子681之振幅必要範圍則須於2.5 ( 20 V)以上。 V月/可知，源極驅動1C 14之耐壓宜使用2.5 ( V )以上 1 〇 ( v ) 下之製程，更理想者為使用3 (V)以 上9 (V)以下之製程。 另’上述說明中， '原極驅動I c 14之使用耐壓製程係使 146 1254264 玖、發明說明 用2.5 (V)以上1〇 (v)以下之製裎。但，該耐壓亦適用 方、直接;^陣列基板71形成源極驅動電路14之實施例（低 溫多晶碎製程等）。形成於陣列基板71之源極驅動電路Μ 之使用耐壓有時高it 15⑺以上。此時亦可將源極驅動 電路14所使用之電源電壓置換成第i2i圖所示之1(：耐壓 。又’縱於源極驅動IC14中亦可不使用lc时壓，而置換 成所使用之電源電壓。 —早位電晶體484之面積與輸出電流之不均有所關連。 10 15 20 第122圖係將單位電晶體484之面積設為一定，而改變單 位電晶體484之通道寬彦w日本 ^ 、、見度w %之圖表。第122圖係將單位 笔晶體484通道宽彦从r— 9 γ,,、 見度W—2 (叫1)之不均設為1。圖表之 縱軸與通道寬度(Um)之又士, 士 、μ j之不均设為1時的不均比率 由2 ( 以上時 W-2 如第122圖所示，不均比率於單位電晶體之w μ )至9〜10 (μηι)時呈緩慢增加，至10 (μηι) 不均比率之增加則有變大之傾向。此外，通道寬度 (_)以下時，不均比率亦有增加之傾向。 w弟1221中之不均比率於3以内者為64灰階至256灰 階顯示時之不均容許範 ㈤唯5亥不均比率乃因單位電晶 肢84之形狀而異。但，縱使改變單位電晶體楊之形狀， 由上述情形可知，單位電晶體484之通道寬度W宜為 …以上1。(叫)以下’更理想者為2(_)以上9 )以下。唯，灰階數為64灰階時，通道寬度W縱為 不均比率相對於通道寬度w之變化傾向亦幾無差異。 147 1254264 玖、發明說明 2 ( μηι)以上15 ( μηι)以下亦無實用上之障礙。 如第52圖所示，通過第2級電流鏡電路472b之電流 係複製至用以構成第3級電流鏡電路之電晶體473a，且電 流鏡倍率為1倍時，該電流將流至電晶體473b。該電流則 5 複製至最終級之單位電晶體484。 對應DO之部分係由1個單位電晶體484構成，故為 流至最終級電流源之單位電晶體473之電流值。對應D1 之部分係由2個單位電晶體484構成，故為最終級電流源 2倍之電流值。對應D2之部分係由4個單位電晶體484構 10 成，故為最終級電流源4倍之電流值，…，對應D5之部 分係由32個單位電晶體484構成，故為最終級電流源32 倍之電流值。唯，乃於最終級電流鏡電路之鏡比為1時。 經由受6位元影像資料DO、D1、D2.....D5控制之 開關，可使程式電流Iw輸出至源極信號線（引入電流）。 15 因此，乃因應6位元影像資料DO、Dl、D2.....D5之 ON、OFF，加上最終級電流源473之1倍、2倍、4倍、 …、3 2倍電流再輸出至輸出線上。即，藉由6位元之影像 資料DO、Dl、D2.....D5，使最終級電流源473之0〜 63倍電流值由輸出線輸出（由源極信號線引入電流）。 20 實際上，如第77圖所示，源極驅動IC14内係構造成 每一 R、G、B之基準電流（IaR、IaG、IaB )可藉由電阻 491 ( 491R、491G、491B)等調整之狀態。藉由調整基準 電流la，則可輕易調整白平衡。 EL顯示面板中，為實現全彩化顯示，須於RGB—— 148 1254264 玖、發明說明 形成（作成）基準電流。藉由RGB之基準電流之比率可調 整白平衡。又，為電流驅動方式時，本發明係由1個基準 電流決定單位電晶體484所流出之電流值。因此，只要決 定基準電流的大小，即可決定單位電晶體484所流出之電 5 流。因此，只要設定R、G、B各自之基準電流，即可取得 所有灰階中之白平衡。上述事項係由於源極驅動電路14為 電流刻度輸出（電流驅動）方能發揮之效果。因此，如何 可於每一 RGB設定基準電流之大小即為重點。 EL元件之發光效率係由EL材料上蒸鍍或塗布之膜厚 10 決定，或為支配性之要因。膜厚每批大致一定。因此，只 要批量管理EL元件15之形成膜厚，即可決定流至EL元 件15之電流與發光亮度之關係。即，每批可取得白平衡之 電流值為固定。 第49圖中，顯示由3級式電流鏡電路構成之176輸出 15 (ΝχΜ= 176)之電路圖一例。第49圖中，將第1級電流 鏡電路之電流源4 71記為母電流源’且將第2級電流鏡電 路之電流源472記為子電流源，並將第3級電流鏡電路之 電流源473記為孫電流源。藉由最終級電流鏡電路之第3 級電流鏡電路所構成之電流源之整數倍構造，則可盡力抑 20 制176輸出之不均，並可實現高精確度之電流輸出。 另，所謂密集配置係指將第1電流源471與第2電流 源472至少配置於8mm以内之距離（電流或電壓之輸出側 與電流或電壓之輸入側），更理想者為配置於5mm以内。 此係由於在該範圍内5根據檢討’配置於石夕晶片内則電晶 149 1254264 玖、發明說明 體之特性（Vt、移動率（μ))差異幾乎不會發生之故。又 ，同樣地，第2電流源472與第3電流源473亦至少配置 於8mm以内之距離，更理想者為配置於5mm以内之位置 。上述事項當然亦適用於本發明之其他實施例。 5 雨述所謂電流或電壓之輸出侧與電流或電壓之輸入側 意指下述關係。於進行第50圖之電壓輸送時，為密集配置 第（I )級電流源之電晶體471 (輸出側）與第（〗+丨）級 電流源之電晶體472a (輸入側）之關係。於進行第51圖 之電流輸送時，則為密集配置第（1)級電流源之電晶體 471a(輸出側）與第（1+1)級電流源之電晶體47訃（輸 入側）之關係。 另，第49圖、第50圖等中，電晶體471雖設為_個 ，但亚非以此為P艮，舉例言之，亦可形成多數小的次電晶 體47卜並使該等多數次電晶體之源極或汲極端子與電阻 15 491連接而構成單位電晶體484。藉由並聯多數小的次電晶 體，將可減少單位電晶體484之不均。 同榼地，包晶體472a雖為1個，但並非以此為限，舉 例吕之，亦可形成多數小的電晶體472a，並將該電晶體 Wa之多數閘極端子與電晶體471之間極端子連接。藉由 並聯多數小的電晶體472a，將可減少電晶體仙之^均 〇 “口此本發明之構造，係舉連接1個電晶體471與多 ^兒曰曰體472a之構造、連接多數電晶體471與1個電晶體 〜、身心連接多數電晶體471與多數電晶體47 150 1254264 玖、發明說明 構造為例。上述實施例容後詳細說明。 上述事項亦適用於第52圖之電晶體473a與電晶體 473b之構造。例如，連接1個電晶體473a與多數電晶體 473b之構造、連接多數電晶體473a與1個電晶體473b之 5 構造、連接多數電晶體473a與多數電晶體473b之構造。 藉由並聯多數小的電晶體473，將可減少電晶體473之不 均。 上述事項亦可適用於與第52圖之電晶體472a、472b 之關係。又，第48圖之電晶體473b亦宜由多數電晶體構 10 成。就第56圖、第57圖之電晶體473而言，同樣亦宜由 多數電晶體構成。 於此，有關源極驅動1C 14之說明雖是以矽晶片形成， 但並非以此為限。源極驅動IC14亦可為鎵基板、鍺基板等 所形成之其他半導體晶片。又，單位電晶體484亦可為雙 15 極電晶體、CMOS電晶體、FET、雙CMOS電晶體、 DMOS電晶體任一者。但，由減少單位電晶體484輸出不 均之觀點而言，單位電晶體484宜由CMOS電晶體構成。 單位電晶體484宜以N通道構成。以P通道電晶體構 成之單位電晶體，其輸出不均為以N通道電晶體構成之單 20 位電晶體之1.5倍。 源極驅動IC14之單位電晶體484宜以N通道電晶體 構成’故源極驅動IC14之程式電流成為自像素1 6至源極 驅動1C之引入電流。因此，像素16之驅動用電晶體11 a 可以P通道構成。又，第1圖之開關用電晶體]]d亦可以 151 1254264 玖、發明說明 p通道電晶體構成。 由上述k形可知，所謂以N通道電晶體構成源極驅動 (电路）14之輸出級之單位電晶體484，並以P通道電 曰曰心構成像素16之驅動用電晶體之構造為具本發明特 5徵的之構造。另，可將用以構成像素16之電晶體11全部 (電日日日體11a、llb、Ue、Ud)形成p通道。由於可去除 形成N通道電晶體之製程，故可實現低成本與高成品率之 效果。 另，單位電晶體484雖形成於IC14，但並非以此為限 1〇 ，亦可藉低溫多晶矽技術形成源極驅動電路14。此時，源 木1°動電路14内之單位電晶體484亦宜以N通道電晶體 構成。 第51圖為電流輸送構造之實施例。另，第50圖為電 1輸匕構這之貝鉍例。第5〇圖、第5 i圖同為電路圖，但 佈局構k，即，佈線之佈設方式不同。第5〇圖中，471為 第1級電流源用N通道電晶體，472a為第2級電流源用n 通逼電晶體，472b為第2級電流源用p通道電晶體。 第51圖中，471a為第丨級電流源用N通道電晶體， 472a為第2級電流源用N通道電晶體，47孔為第2級電 20流源用P通道電晶體。 弟50圖中，可變電阻491 (用以改變電流者）與N通 1¾日日體471所構成之第丨級電流源之閘極電壓係輸送至 弟2級電流源之N通道電晶體472&之問才亟，故形成電壓 輪送方式之佈局構造。 1254264 玖、發明說明 另一方面，第51圖中，可變電阻491與N通道電晶 體471a所構成之第1級電流源之閘極電壓係施加於毗連之 第2級電流源中N通道電晶體472a之閘極，而使流至電 曰曰體之電流值輪送至第2級電流源之p通道電晶體472b， 5故形成電流輸送方式之佈局構造。 另’本發明之實施例為便於說明，或為使其易於理解 ’而以第1電流源與第2電流源之關係為中心進行說明， 但並非以此為限，當然亦適用（可適用）於第2電流源與 第3電流源之關係，或與其他電流源之關係上。 10 第50圖所示之電壓輸送方式之電流鏡電路之佈局構造 中’用以構成電流鏡電路之第1級電流源之N通道電晶體 471與第2級電流源之N通道電晶體472a呈分散狀態（應 该說容易呈分散狀態），故兩者之電晶體特性上容易產生差 異。因此’第1級電流源之電流值無法正確傳達至第2級 15 電流源，而容易產生不均。 相對於此，第51圖所示之電流輸送方式之電流鏡電路 之佈局構造中，用以構成電流鏡電路之第丨級電流源之N 通道包晶體471 a與第2級電流源之N通道電晶體472a相 郯（合易相鄰配置），故兩者之電晶體特性上難以產生差異 2〇 ，且第1級電流源之電流值可正確傳達至第2級電流源， 而難以產生不均。 由上述情形可知，藉由將本發明之多級式電流鏡電路 之电路構造（本發明之電流驅動方式之源極驅動電路（W )】4 )作成开> 成電流輻送而非電壓輸送之佈局構造，可更 153 1254264 玖、發明說明 為減少不均情形而達到理想之狀態。當然上述實施例亦可 適用於本發明之其他實施例。 另’為便於說明而以第1級電流源至第2級電流源之 情形加以顯示，但第2級電流源至第3級電流源、第3級 5電流源至第4級電流源、…等之情形當然亦相同（參照第 164、165、166 圖等）。 弟52圖係頒示將第49圖之3級構造電流鏡電路（3 級構造之電流源）設為電流輸送方式時之例（因此，第49 圖為電壓輸送方式之電路構造）。 1〇 第52圖中’首先，由可變電阻491與N通道電晶體 471作成基準電流。另，雖說以可變電阻491調整基準電 /;,L仁貝際上係構造成藉由形成（或配置）於源極驅動ic (電路）14内之電子電壓控制器（v〇iume)電路設定電晶 體471之源極電壓並加以調整之狀態，或藉由將由第48圖 15所示之多數電流源（1單位）484構成之電流方式之電子電 壓控制器所輸出之電流直接供給至電晶體471之源極端子 而調整基準電流（參照第53圖）。 由電晶體471構成之第1級電流源之閘極電壓施加於 相鄰之第2級電流源之N通道電晶體472a之閘極，而使 20流至電晶體之電流值輸送至第2級電流源之p通道電晶體 b又’第2級電流源之電晶體472b的閘極電壓施加於 相鄰之第3級電流源之N通道電晶體473a之閘極，而使 流至電晶體之電流值輸送至第3級電流源之N通道電晶體 4 hb。第3級電流源之N通道電晶體473b之閘極上則因 154 1254264 玖、發明說明 應所需位元數而形成（配置）第48圖所示之多數單位電晶 體484。 甩日日 第53圖之特徵在於，前述多級式電流鏡電路之第1級 電流源471中具有電流值調整用元件。根據該構造，則可 猎由改變第1級電流源471之電流值而控制輪出電流。 電晶體之Vt不均（特性不均）於！晶圓内約有1〇( 工右之不均。但，幾近1〇叫以内而形成之電晶體之 vt不均則至少於1〇 (mV)以下（實際檢測所得）。即，藉 10 15 20 由鄰近化成電晶體而構成電流鏡電路，可減少電流鏡電路 :::不均。因此，可減少源極一—

Vt 2 ’雖說電晶體之不均為Vt，但電晶體之不均不僅為 -而，由於Vt不均為電晶體特性不均之主要 為便:理解，一不均，體不均進行說明/ 電晶圖顯示電晶體之形成面積（平方公厘）與單位 均係二二輸出電流不均之測定結果。所謂輸出電流不 作m為預定形成面積内所製 18圖之A領域(形成面積。·5平方公厘以内 二電晶體中，則幾無輸出電流不均(幾乎成 出電流不均，即’輸出1之輪出，反之 域（形成面積2.”方公厘以上出广小反之於C領 於形成面積有急遽增大之 _ ’輸出電流不均相對 平方公厘以上9 4 ” 、。而B領域（形成面積〇.5 —平方公厘以下）中，輸出電流不均相對 155 1254264 玖、發明說明 於形成面積則為大致成比例關係。 唯，輸出電流之絕對值乃因每一 B θ 日日w而異。但，該問 題於本發明之源極驅動電路（1) ^ ^中，可藉由調整基準 電流或將基準電流設為預定值而對 ^ +^ ^ ^ j您又，可藉由電流鏡 電路等電路設計而對應（可解決）。 本發明係依據輸入數位資料（D)切換流至單位電晶 體彻之電流數’藉以改變（控制）流至源極信號線18之 電流量。若灰階數為64灰階以上，貝1/64= 0 015，因此 10 15 20 理論上’須控制在卜2%以内之輸出電流不均以内。另， 1%以内之輸出不均在視覺上不易判 刀別而0.5%以下則幾 乎無法判別（視之呈均一之狀態）。 為使輸出電流不均（％)控制在1%以内，須如第118 圖之結果所示’使電晶體群（可抑制不均發生之電晶體） 之形成面積於2平方公厘以内。更理想者為使輸出電流不 均（即’電晶體之％不均）於0.5%以内。可如第118圖 之結果所示’使電晶體群521之形成面積於1.2平方公厘 乂内另所明开> 成面積係縱X橫向長度之面積。舉例言 之，h2平方公厘為lmmx 1.2mm。 又，有關單位電晶體484之組（若為64灰階則為Μ 個電晶體484之群組）（參照第“圖等）亦同。需使單位 兒日日肢484之組之形成面積為2平方公厘以内，若為1 2 以内則更為理想。 另，上述事項特別指8位元（250灰階）以上時。若 為低於256灰階時，舉例言之，於6位το ( 64灰階）時， 156 坎、發_兌明 輪出兒流之不均亦可為2%左 並無問題） （衫像頭示上，實際情形 。又干A，電晶體群521需形成於5平方公厘以内 电晶體群521 (第52圖中所示為 52 ] |-) — 4^ ~电日日體群521 a金 ―方=)無須兩者皆滿足該條件。僅需構造成至少其中、 滿足^有3個以上時’則為1個以上之電晶體群52!) 带日二條件’即可發揮本發明之效果。特別是關於下位之 电日日歧群52：! (521a為上位， 〇 ^ 21b為下位之關係）宜滿 〆U{。此乃影像顯示上不易發生問題之故。 10 呈本發^源極縣電路（IC) 14係如第52圖所示， 母子、孫之階層狀態將多數電流源作成多級連接，且 將各電流源緊密配置（當'然，亦可作成母、子2級連接）。 15 20 2’^各電流源間（電晶體群521間）進行電流輸送。具 體而又:’乃將第68圖中以虛線框選之範圍（電晶體群521 )緊密配置。該電晶體群521為電壓輸送之關係。又，母 電流源471與子電流源低係形成或配置於源極驅動 B曰片之約略中央部。此係由於可較為縮短配置於晶片 左右之用以構成子電流源之電晶體472a與用以構成子電流 源之電晶體472b間之距離之故。即，將最上位之電晶體群 521 a配置方；ic晶片之約略中央部。且，於晶片左 右配置下位之電晶體群521b。若配置、形成或製作成該下 位電晶體群521b之個數於IC晶片之左右大致相等之狀態 。此外’上述事項並不限於1C晶片14，亦適用於以低溫 多晶石夕技術或高溫多晶矽技術直接形成於陣列基板71之源 極驅動電路14。其他事項亦同。 157 1254264 玖、發明說明 本發明中，電晶體群521a係於Ic晶片14之約略中央 部構成、配置、形成或編！個，並於晶片左右各形成 有8個電晶體群521 b ( N = 8 + 8，參照第47圖）。子電晶 體群521b宜構造成於晶片左右數目相等，或，相對於晶片 5中央形成有母電晶體之位置，形成或配置於左側之電晶體 羊521b之個數與形成或配置於晶片右側之電晶體群“a 之個數之差距在4個以内。更理想者為構造成形成或配置 衣晶片左側之電晶體群521b之個數與形成或配置於晶片右 側之電晶體群521b之個數之差距在丨個以内。上述事項對 1〇相當於孫級之電晶體群（第52圖中省略之）而言亦同。 母電流源471與子電流源472a間可進行電壓輸送（電 壓連接），因此容易受到電晶體之vt不均影響。故，將電 晶體群521a之部分緊密配置。令該電晶體群521a之形成 面積如第118圖所示形成成2平方公厘以内之面積，更理 15心者為形成於1 ·2平方公厘以内。當然，灰階數為04灰階 以下時，亦可於5平方公厘以内。 由於電晶體群521a與子電晶體472b間係藉電流進行 貢料輸送（電流輸送），因此縱有些距離亦無妨。該距離之 範圍（例如，上位電晶體群521a之輸出端至下位電晶體群 20 52 lb之輸入端之距離）乃如先前所述，將用以構成第2電 流源（子）之電晶體472a與用以構成第2電流源（子）之 電晶體472b配置於至少1〇mm以内之距離，更理想者為配 置或形成於8mm以内，若配置於5mm以内尤佳。 此係由於若於該範圍内，根據檢討，配置於矽晶片内 158 1254264 玫、發明說明 可使電晶體之特性卩v ,# ^ 、夕動率（㈠）差異於電流輸送時 成^成影響之情形。特別是該關係宜由下曰麟 群實施。舉例tB 电日日月立 晶一，;下:又=群一^^ 甩日曰體群521c ,則可使電晶體群 ”包日日,豆群521c之電流輸送滿足該關係。因此，本 發明亚未限定所有電晶體群521皆須滿足該關係，僅需至 、且电B日體群521滿足該關係即可。特別是下位之部分 ，其電晶體群521個數變多之故。 10 15 20 就用以構成第3電流源（孫）之電晶體473a與用以構 成第3電流源之電晶體47扑而言亦同。另，縱為電壓輸送 ’大致上當然亦可適用。 電晶體群521b係形成、製作或配置於晶片之左右方向 (長向1 ’與輸出端子681相對之位置）。該電晶體群 521b之個數M於本發明中為n個（參照第〇圖）。 子電流源472b與孫電流源473a間係進行電壓輸送（ 電壓連接）。因此，同於電晶體群521a，將電晶體群 之部分緊密配置。將該電晶體群521b之形成面積如第US 圖所不形成成2平方公厘以内之面積，更理想者為形成於 L2平方公厘以内。唯，若該電晶體群521b部分之vt有歧 許不均，則影像上易於辨識。因此，為達幾無不均產生之 境界，形成面積宜設定於第118圖之A領域（〇·5平方公 厘以内）中。 電晶體群521b與孫電晶體473a及電晶體473b間係藉 笔細适資料（電流輸送），因此縱有些許距離亦妨。有關 159 1254264 玖、發明說明 5玄距邊之範圍亦與先前之說明相同。將用以構成第3電流 源（孫）之電晶體473a與用以構成第3電流源（孫）之電 曰日脰473b配置於至少8mm以内之距離，更理想者為配置 於5 mm以内。 第53圖頒示前述電流值控制用元件由電子電壓控制器 構成之情形。電子電壓控制器係由電阻531 (作成電流限 制及各基準電壓。電阻531係以多晶矽形成）、解碼器電路 532位準移位電路533等構成。另，電子電壓控制器係輸 出電流。電晶體481則具有類比開關電路之功能。 另，源極驅動1C (電路）14中，有時將電晶體記為電 流源。此係由於電晶體構成之電流鏡電路等具有電流源之 機能。 又，電子電壓控制器電路係依EL顯示面板之色彩數 而形成（或配置）。舉例言之，若為RGB三原色，則宜設 15計成形成有（或配置）可對應各色之3個電子電壓控制器 私路’亚可獨立調整各色。但，w i個顏色為基準（固定 1個顏色）日寺，則形成（或配置）色彩數Η份之電子電壓 控制器電路。 20 弟68圖係一使RGB三原色獨立形成（配置）有用以 控制基準電流之電阻元# 491之構造。當然，電阻元件 州亦可置換成電子電壓控制器。又，電阻元件491亦可 内藏於源極驅動IC (電路）14^電流源π、電流源 W等母電流源、子電流源等作為基本（根本）之電流源 ，係於第68圖所示之領域與輸出電流電路⑹密集配置。 160 I254264 玖、發明說明 错由密集配置，則可減少源自各源極信號線18之輸出不均 如弟68圖所示，藉由在1(：晶片（電路）14之中央部配 置於輸出電流電路691 (不限於電流輸出電路，亦可為基 5 2電流產生電路部、控制部。gp，所冑691乃未形成輸^ 电路之領域則易於自電流源471、472等將電流均等分 • 日片（黾路）14左右。如此一來，即難以發生左 右輸出不均之情形。 ，唯’並非限定於中央部配置於輸出電流電路654，亦 可形成於1C晶片之一端或兩端’又’亦可與輸出電流電路 10 654平行形成或配置。 於1C晶片14之中央部形成控制部或輸出電流電路 654 ’容易受到IC…4中單位電晶體之yt分布影 響’因此稱不上理想（此係由於晶圓之力於晶圓内產生平 順之分布）。 15

弟52圖之電路構造中，i個電晶體與^個電占 體473b係以—對一之關係連接。第51圖中，i個電^ 472a與！個電晶體機亦以一對—之關係連接。第^

寺亦同。 B 20 m，1個電晶體與 μ %曰日月豆右以 對一之關係立 ，則對應之電晶體特性（Vt等）不均 + ，與該電晶體 之電晶體之輸出將發生不均。 用以解決該課題之構造之實施例係第58圖之構造 58圖之構造例係使4個電晶體473a 丄 , 所構成之傳輸電 群 521b ( 52]bl、52.1b2、521b3 ) | + ，、4個電晶體473b 161 1254264 玖、發明說明 成之傳輸電晶體群521c (521cl、521c2、521c3)連接。唯 ，並非限定傳輸電晶體群521b、傳輸電晶體群521c須各 由4個電晶體473構成，當然亦可為3個以下或5個以上 。即，藉用以構成電晶體473a與電流鏡電路之多數電晶體 5 473輸出流至電晶體473a之基準電流lb，並藉多數電晶體 473b接收該輸出電流。 宜設定成多數電晶體473a與多數電晶體473b成約略 同一尺寸，且相同個數。又，用以構成1輸出之單位電晶 體484之個數（如第48圖所示，64灰階時為63個）與用 10 以構成單位電晶體484與電流鏡電路之電晶體473b之個數 宜設定為約略同一尺寸，且相同個數。具體而言，單位電 晶體484之尺寸與電晶體473b之尺寸之差距宜為±25%以 内。只要構成如上，則可精準設定電流倍率，且，輸出電 流之不均亦減少。另’所謂電晶體之面積係指電晶體之通 15 道長度L與電晶體之通道寬度W相乘所得之面積。 另，相對於流至電晶體473b之電流Icl，流至472b之 電流lb宜設定為5倍以上。此係由於電晶體473a之閘極 電位穩定，且可抑制輸出電流所致之過渡現象發生之故。 又，其係形成呈於傳輸電晶體群521M上毗連配置有 20 4個電晶體473a，而傳輸電晶體群52lb2則與傳輸電晶體 群521bl相鄰配置，且該傳輸電晶體群521b2上毗連配置 有4個電晶體473a之狀態，但並非以此為限，舉例言之， 亦可配置或形成呈傳輸電晶體群52 lbl之電晶體473a與傳 輸電晶體群521 b2之電晶體473a相互交錯位置關係之狀態 162 1254264 玖、發明說明 。藉由使位置關係交錯（於傳 體-之配置），可更為減Λ 體群521間更換電晶 )之不均。心各端子中輸出電流(程式電流 送電晶體， 並可更為減 如此藉由以多數電晶體構成可進行電流輪 就電晶體群全體而言’輸出電流之不均減少， 少各端子中輪出電流（程式電流）之不均。 ^ ^ < π风面積 總和乃一重要項目。基本上 八 土不上电日日體473之形成面積總和 10 怨大’輸出電流（由源極信號線18流入之程式電流）之不 均則愈小。即’傳輸電晶料521之形成面積（電晶體 473之形成面積總和）愈大則不均愈小。但，若電晶體⑺ 之形成面積變大，則晶片面積變 又 阳1c晶片14之價袼 即變高。 ' 另’所謂傳輸電晶體群521之形成面積，乃用以構成 15傳輸電晶體群521之電晶體473之面積總和。χ，所謂電 晶體473之面積，係指電晶體473之通道長度L與電晶體 473之通逼覓度w相乘後所得之面積。因此，若電晶體群 521由10個電晶體473構成，且電晶體473之通道長度l 為ΙΟμηι，電晶體473之通道寬度w為5)^m，則傳輸電晶 2〇體群521之形成面積Tm (平方_)為叫献如训個 二 500 (平方μηι)。 傳輸電晶體群521之形成面積須維持與單位電晶體 之預疋關係。又，傳輪電晶體群5 21 a與傳輪電晶體群 521b須維持預定之關係。 163 1254264 玖、發明說明 針對傳輸電晶體群521之形成面積與單位電晶體484 之關係進行說明。第48圖中亦有所示，相對於1個電晶體 473b連接有多數單位電晶體484。64灰階時，對應1個電 晶體473b之單位電晶體484為63個（第48圖之構造時） 5 。若單位電晶體484之通道長度L為ΙΟμηι，且電晶體473 之通道寬度W為ΙΟμηι，則該單位電晶體群（此例中，單 位電晶體484為63個）之形成面積Ts (平方μηι)為 10μιηχ10μηιχ63 個= 6300 平方 μηι 〇 第48圖之電晶體473b於第58圖中則相當於傳輸電晶 10 體群681c。單位電晶體群之形成面積Ts與傳輸電晶體群 521c之形成面積Tm形成以下之關係。 l/4^Tm/Ts^6 更理想者為單位電晶體群之形成面積Ts與傳輸電晶體 群521c之形成面積Tm形成以下之關係。 15 l/2^Tm/Ts^4 藉由滿足上述關係，則可減少各端子中輸出電流（程 式電流）之不均。 傳輸電晶體群521b之形成面積Tmm與傳輸電晶體群 521c之形成面積Tms形成以下之關係。 20 1/2 ^ Tmm/Tms ^ 8 更理想者為單位電晶體群之形成面積Ts與傳輸電晶體 群521c之形成面積Tm形成以下之關係。 1 ^ Tm/Ts^ 4 籍由滿足上述關係，則可減少各端子中輸出電流（程 164 1254264 玖、發明說明 式電流）之不均。 〇又疋/原自包晶體群52 lb 1之輸出電流Ic 1、源自電晶體 群521b2之輪出電流Ic2、源自電晶體群52㈤之輸出電流 Ic3牯須使輪出電流Icl、輪出電流Ic2及輸出電流Ic3 一致。本發明中，電晶體群521係'由多數電晶體473構成 ’因此縱使各個電晶體473形成不均，就電晶體群521而 言，亦不會發生輸出電流Ic不均之情形。 10 15 20 另上边貫施例並未如第52圖所示限定為3級電流鏡 連接（多級電流鏡連接）之構造，可適詩1級電 流鏡連接。又’第52圖之實施例係-連接有多數電晶體 4733所構成之電日日日體群㈣（52lbl、52lb2、52lb3…… )與多數電晶體473b所構成之電晶體群灿（MW、 灿2、52lC3 .·.··.)之實施例。但，本發明並非以此為限 ，亦可連接^個電晶體473a與多數電晶體他所構成之 電晶體群521c(521c1、521c2、521c3……）。此外，亦可 連接多數電晶體473a所構叙電晶體群52ib(52iM、 521b2 > 521b3......)與 1 個電晶體 473b。 第48圖中，開關481a係對應於第〇位元，開關侧 對應於第1位元’開關481c對應於第2位元，..…開關 481 f對應於第5位元。第〇付分总山，^ 〇 ^ 位兀係由1個皁位電晶體構成 ’第1位元係由2個單位電晶鋏婼士 — 口口 甩日日構成，第2位元係由4個

單位電晶體構成，......第5位元#由3 $ a + B 、 、由32個早位電晶體構成 。為便於說明，源極驅動電路14古/^ 七卜θ 兒峪14於64灰階顯示對應上， 乃以6位元進行說明。 165 1254264 玖、發明說明 本發明之源極驅動1C (電路）14之構造中，第1位元 相對於第0位元輸出2倍之程式電流。第2位元相對於第 1位元輸出2倍之程式電流。第3位元相對於第2位元輸 出2倍之程式電流。第4位元相對於第3位元輸出2倍之 5 程式電流。第5位元相對於第4位元輸出2倍之程式電流 。反言之，各相鄰位元須構造成可正確輸出2倍之程式電 流。 第58圖之構造係藉多數電晶體473b接收多數電晶體 473a之輸出電流，以使各端子之輸出電流不均減少。第60 10 圖係一由電晶體群之兩側供給基準電流，藉以減少輸出電 流不均之構造。即，設置多數電流lb之供給源。本發明中 ，電流lb 1與電流Ib2係設為同一電流值，且以成對之電 晶體，例如用以產生電流lb 1之電晶體與用以產生電流Ib2 之電晶體構成電流鏡電路。 15 因此，本發明係一形成或配置有多個可產生用以規定 單位電晶體484輸出電流之基準電流之電晶體（電流產生 機構）之構造。更理想之構造係將源自多數電晶體之輸出 電流連接至用以構成電流鏡電路之電晶體等電流接收電路 ’並藉該等多數電晶體所產生之閘極電壓控制早位電晶體 20 484之輸出電流。即，本發明係一形成有多數單位電晶體 484與用以構成電流鏡電路之電晶體473b之構造。第58 圖中，相對於形成有63個單位電晶體484之電晶體群，則 配置（形成）有5個用以形成電流鏡電路之電晶體473b。 ]C晶片為矽晶片時*單位電晶體484之閘極端子電壓 1254264 玖、發明說明 宜設定於0.52以上0·68 (V)以下之範圍内。只要於該範 圍内，單位電晶體484之輸出電流不均即變少。上述事項 於第163、164、165圖等本發明其他實施例中亦同。

第60圖中，若先構造成可個別調整基準電流Ibl與基 5 準電流Ib2之狀態，則可自由設定閘極端子581之a點電 壓與b點電壓。藉由基準電流Ibl與Ib2之調整，則使1C 晶片14左右之單位電晶體之Vt有別，故於輸出電流產生 傾斜時亦可修正。

輸送用以構成電流鏡電路之電晶體所產生之電流時， 10 宜以多數電晶體進行輸送。而1C晶片14内所形成之電晶 體中則發生特性不均之情形。為抑制電晶體之特性不均， 有一方法為增大電晶體尺寸。但，縱使增大電晶體尺寸， 有時電流鏡電路之電流鏡倍率仍大為偏差。為了解決該課 題，可構造成藉多數電晶體進行電流或電壓輸送。若由多 15 數電晶體構成，各電晶體之特性縱有不均，整體上之特性 不均仍算變小，且，電流鏡倍率之精確度亦提高。整體而 言’ 1C晶片之面積亦縮小。 第58圖係由電晶體群521a與電晶體群521b構成電流 鏡電路。電晶體群521a係由多數電晶體472b構成。另， 20 電晶體群521b係由多數電晶體473a構成。同樣地，電晶 體群521c亦由多數電晶體473b構成。 用以構成電晶體群52 Ibl、電晶體群52 lb2、電晶體群 521b3、電晶體群521b4……之電晶體473a係形成相同個 數。又，各電晶體群52】b之電晶體473a總面積（電晶體 167 1254264 玖、發明說明 群521b内電晶體473a之WL尺寸X電晶體473a個數）係 形成（大約）相等之狀態。就電晶體群521c而言亦同。 將電晶體群521c之電晶體473b總面積（電晶體群 521c内電晶體473b之WL尺寸X電晶體473b個數）設為 5 Sc。又，將電晶體群521b之電晶體473a總面積（電晶體 群521b内電晶體473a之WL尺寸X電晶體473a個數）設 為Sb。將電晶體群521a之電晶體472b之總面積（電晶體 群521a内電晶體472b之WL尺寸X電晶體472b個數）設 為Sa。又，將1輸出之單位電晶體484之總面積設為Sd ( 10 第48圖之實施例為單位電晶體484之WL面積X63)。 總面積Sc與總面積Sb宜形成大約相等之狀態。且宜 將用以構成電晶體群521b之電晶體473a之個數與電晶體 群521c中電晶體473b之個數設為相同數目。唯，由1C晶 片14之佈局限制等觀之，亦可使用以構成電晶體群521b 15 之電晶體473a之個數少於電晶體群521c中電晶體473b之 個數，並使用以構成電晶體群521b之電晶體473a之尺寸 大於電晶體群521c中電晶體473b之尺寸。 該實施例顯示於第59圖。電晶體群521a係由多數電 晶體472b構成。電晶體群521a與電晶體473a則構成電流 20 鏡電路。電晶體473a可產生電流Ic。1個電晶體473a係 用以驅動電晶體群521c中之多數電晶體473b (源自1個 電晶體473a之電流Ic分流至多數電晶體473b)。一般而言 ，電晶體473a之個數係配置或形成輸出電路份之個數。舉 例言之，QCIF +面板時，於R、G、B電路中形成或配置 168 1254264 玖、發明說明 各176個之電晶體473a。 總面積Sd與總面積Se之關係與輸出不均有關。於第 以圖顯示此一關係。另’有關不均比率等則參照第i2i 圖。不均比率於總面積Sd:總面積Sc=2:i(Sc/sd=i/2 )時設為1。由第m圖亦可知，若Sc/S(M、，則不均比 率將急遽惡化。特別是於Sc/Sd=1/2 α下時有惡化之傾向 。Sc/Sd於1/2以上時，輸出不均將減少。其減少效果緩慢 又Sc/Sd- 1/2左右時，輸出不均達容許範圍内。由上 述可知，宜形成邮Sc/Sd之關係。但，若&變大，扣 10 15 晶片尺寸亦變大。因此’上限宜為咖=4。即，應滿足 1/2$ Sc/Sdg 4 之關係。 另，A-B意指A為B以上。a>b意指A大於B。A ^ B意指A為B以下。a < B意指a小於B。 體473b之個數為相同數目。即’若為料灰階顯示，則1 輪出之單位電晶體484形成63個。因此，用以構成電晶體 進而，總面積Sd與總面積Sc宜大約相等。再者，宜 使1輸出之單位電晶體484之個數與電晶體群521。中電= 群521 c之電晶體473b之個數形成63個。 又，電晶體群521a、電晶體群521b、電晶體群如 、單位電晶體484宜由WL面積比率在4倍以内之電晶體 構成。更理想者乃* WL面積比率在2倍以内之電晶體二 成。最理想者乃由全部同_尺寸之電晶體構成。即，宜由 約略同-形狀之電晶體構成電流鏡電路、輸出電流電路 654。 20 1254264 玖、發明說明 、，心叫>r貝 入-芯可馮構造成滿 足200心心4Sb之關係。此外’並構造成所有用以構 成電晶體群521b之電晶體473a之總面積與^約略相等。 5 10 "第60圖等係-於閘極佈線581兩端配置電晶體或電晶 體群之構造。ID此’配置於閘極佈線581兩側

Wla。本發明之特徵在於形成於閘極佈線581之電晶體或 電晶體群切形成有多數。藉由多數形成，可使閘H線 581低阻抗化，並提高穩定度。 2個’或’電晶體群為2組。但’本發明並非以此為限： 亦可如第61圖所示’於閘極佈線581之中央部等亦配置或 形成電晶體或電晶體群。第61圖中，形成有3個電晶體群 為更加提高穩定度，宜如第62圖所示，於閑極佈線 581形成或配置電容器621。電容器62i亦可形成於IC晶 片14或源極驅動電路14内，或可配置或搭載於晶片外部 以作為源極驅動IC14之外加電容器。將電容器621形成外 加狀悲k ’則於1C晶片之端子配置電容器連接端子。 上述貝把例係一可發出基準電流並藉電流鏡電路複製 該基準電流’且傳達至最終級單位電晶體彻之構造。影 像顯示為黑顯示（完全之暗閃光）時，任一單位電晶體 484皆無電流流至，此係由於所有開關481皆呈斷路狀態 。因此，流至源極信號線18之電流為〇 (A)，故無電力消 耗之情形。 但，縱為暗閃光顯示，仍可發出基準電流，例如第Μ 圖之電流Jb及電流Ic。該電流為無效電流。基準電流若構 ]?0 1254264 玖、發明說明 造成於電流程式化時流出，其效率甚佳。因此’於影像之 垂直遮沒期間、水平遮沒期間限制基準電流流出。又，於 等待期間等亦限制基準電流流出。 5 10 15 20 欲使基準電流不流出，僅需如第63圖所示，使睡眠開 關63 1形成斷路狀恶。睡眠開冑63 i為類比㈣。類比開 關係形成於源極驅動電路或源極驅動Ici4内。當然，亦可 4外。M&置睡眠開關63丨並控制該睡眠開關州。 藉由關閉睡眠開關631，可使基準電流化不會流出。 因此’電流不會流至電晶體群5加内之電晶體仙，則 基準電流1C亦為〇(A)。如此一來，電晶體群521c之電 sa 47:b亦無電流流至，因而可提高電力效率。 第64圖為時序圖。遮沒信號與水平同步信號肋同 二產生、。遮沒信號^位準時’為遮沒期間，而為L位準 ^"貝J為映像^號正行施加之期間。睡眠開關631於L位 準時關閉（斷路）’於Η位科則開啟。 因此’於遮沒期間Α時’睡眠開關631關閉，故不 基準電流。於D之期間’睡眠開關631開啟，並產

生基準電流。 I 舉例言之Y〜像貝料進行睡眠開關631之開閉控制。 I行之影像資料全為黑影像資料時（1H期 曰内所有輸出至源極信號線18之程 睡 眠開關631 關閉睡 亦可對應各源師、Ib#)不得通過。又， 控制。例如，當心’成或配置睡眠開關並進行開閉 -弟可數條源極信號線18為黑顯示（縱黑條 171 1254264 玖、發明說明 紋顯示）時，則關pj M + t _ 子應該弟奇數條源極信號線之睡眠開 關。 $ Μ ®帛77圖係—具有多級連接電流鏡構造之源 極驅動電路（1C) 14姓、★ π ， 、 構k圖。本發明並非以第52圖等之 多級連接構造為限，亦可為1級連接之源極驅動電路。第 圖至第172圖即為1級連接之源極驅動電路（1C)構 造圖。 10 ― j疋1 '及連接之源極驅動電路中，若於顯示面板領 示影像則源極錢線電㈣施加於源極信號線18之電流而 產生變動。受到該電位變動影響，則有源極驅動IC14之閘 極佈線581振盪之問題。該振盪係受到源極驅動！C14之恭 源電壓影響所致’此乃產生振幅至最大電麼之故。第= 圖係以源極驅動IC14之電 私源电壓為丨·8 (V)時為基準之 15 2〇 極佈線電位變動比率。隨著源極驅㈣之電帽變 動比率亦變大。變動比率之容許範圍在3左右。若變 動比率大於3,則會發生橫向串音。又，變動比 _b〇〜i2(V)以上時， 、- 伽古d 康^壓之變化比 ί有支大之傾向。因此，源極驅 為12(乂）以下。 之电源電麼須設定 此外，為使驅動用電晶體lla通 之命、ώ 、以 由儿頒不至黑顯示 电机，源極信號線18之電位必須進 ^ 疋之振幅變化。 w振te必要範圍須在2.5 (v)以上， 電湄+斤、， . 振幅必要範圍在 ’、兒i 1下。此係由於源極信號 過】C之電源電壓。 之“電堡不可超 172 1254264 玖、發明說明 由上述情形可知，源極驅動IC14之電源電壓必須在 2·5(ν)以上12(V)以下。藉由設為該範圍，則可將閉 極佈線581之變動抑制於規定範圍内，且無橫向串音情形 發生，而可實現良好之影像顯示。 月7 5 10 15 20 閘極佈線581之料電阻亦成為問題。所謂閉極佈線 训之佈線電阻RW，係第167时電晶體47則至電 晶體他2之佈線全長之電阻，$，閘極佈線全長之電： 。閘極佈線581之過渡現象大小亦與】水平婦晦期間（旧 )有關。此係由於# 1H期間短，過渡現象之影響仍大。 佈線屯阻R (Ω)愈高，過渡現象愈容易發生。該現象特 別在第⑹圖至帛172圖之！級電流鏡連接之構造中成為 問題’。此係由於問極佈、線581長’且連接於丄閉極佈線 581之單位電晶體484之數量多。 弟I64圖係以閘極佈線训之佈線電阻r⑼與汨 期間T ( sec )之乘積（r.t)^ 木積、R T)為^軸，並以變動比率為縱 軸之圖表。變動比率1係以R.T，〇為基準。由第164 圖可知，R · T在5以下時，變動比率有變大之傾向。又， R.T在1000以上時，變動比率有變大之傾向。因此，R .T且為5以上1 〇〇〇以下。 弟167圖中，電晶體472b與2個電晶體仍&構成一 電流鏡電路1晶體473al與電晶體4加為同—尺寸。 因此’電晶體4 7 3 a 1所、、古ψ夕兩、、亡τ 斤飢出之'电机Ic與電晶體473a2所流 出之電流Ic相同。 第1 67圖中由單位電晶體椒構成之電晶體㈣1。與 !73 1254264 玖、發明說明 電晶體473bl及電晶體473b2構成一電流鏡電路。於電晶 體群521c之輸出電流會產生不均。但，鄰近構成電流鏡電 路之電晶體群521之輸出可精確規定電流。電晶體473bl 與電晶體群52 lcl係接近構成電流鏡電路。又，電晶體 5 473b2與電晶體群521 cn係接近構成電流鏡電路。因此， 若流至電晶體473M之電流與流至電晶體473b2之電流相 等，則電晶體群521cl之輸出電流與電晶體群521cn之輸 出電流將形成相等。只要於各1C晶片精確產生電流Ic，則 無論任一 1C晶片，輸出級兩端之電晶體群521c之輸出電 10 流皆相等。因此，縱使級聯1C晶片，亦可使1C與1C之接 頭不明顯。 電晶體473b亦可與第62圖同樣由多數電晶體形成， 且作為電晶體群521bl、電晶體群521b2。又，電晶體 473a亦可與第62圖同樣作為電晶體群521a。 15 又，雖然電晶體472b之電流如第167及168所示由電

阻R1規定，但並非以此為限，亦可如第170圖所示，形 成電子電壓控制器451a、451b。第170圖之構造中，可使 電子電壓控制器451a與電子電壓控制器451b獨立動作。 因此，可變更電晶體472al與電晶體472a2所流出之電流 20 值。如此一來，可調整晶片左右之輸出級521c之輸出電流 傾斜。另，電子電壓控制器451亦可如第171圖所示構造 成設為1個，並控制2個運算放大器552。此外，業已於 第63圖中就睡眠開關631進行說明。同樣地，當然亦可如 第]72圖所示配置或形成有睡眠開關。 174 1254264 玖、發明說明 第166圖至第172圖中電流鏡之}級構造中，單位電 晶體484之個數非常多，因此先針對源極驅動電路 之驅動電路輸出級加以說明。另，為便於說明，乃以第 5 10 15 20 ⑽圖、帛169圖為例進行說明。但，說明係有關電晶體 473b之個數與其總面積、單位電晶體484之個數與總面積 之事項，因此當然亦可適用於其他實施例。 第168圖、第169圖中，將電晶體群521b中電晶體 473b之總面積（電晶體群521b内電晶體叨扑之尺寸 X電晶體473b之個數）設為Sb。另，如第168圖、第169 圖所示，於閘極佈線581之左右有電晶體群㈣時，將面 積設為2倍。例如第167圖，電晶體群篇為]個時，即 為電晶體473b之面積x2。此外，電晶體群咖係由^ 電晶體⑽構成時，面積當然為1個電晶體473b之尺寸 又，將電晶體群521c中單位電晶體偏之總面積（電 晶體群5仏内電晶體484《WL尺寸X電晶體彻之個數 )設為SC。並將電晶體群521c之個數設為n。n於卯汗 面為176 (於每一 Rgb形成有基準電流電路時)。 e第165圖之橫軸為Scxn/Sb，縱軸為變動比率，且將 變動比率最佳之壯 取1之狀况玟為1。如第165圖所示，隨著 變大，變動比率則變差。Scxn/Sb變大表示若將輸 出端子數11設為-定’則電晶體群52lc之單位電晶體484 總面積相對於電晶體群咖之電晶體偶總面積較廣。 此時變動比率變差。 175 1254264 玖、發明說明

Scxn/Sb變小表示若將輸出端子數^設為一定，則 電晶體群521e之單位電日日日體484總面積相對於電晶體群 521b之電晶體473b總面積較窄。此時變動比率則變小。 變動容許範圍係SCxn/Sb在5〇以下。若^心在％ 以下’則變動比率在容許範圍内，且閑極佈線58ι之電位 變動變得極小。因A，亦不無橫向串音發生，且輸出不均 亦在容許範圍内，而可實現良好之影像顯示。雖然 Scxn/Sb在50以下為容許範圍，但縱將§…娜設為$以 10 15 20 下亦幾無效果，相反地，Sb會變大，且㈣之晶片面積 增加。因此，Scxn/Sb宜為5以上5〇以下。 、 、右乂 P通迢構成用以構成像素16之電晶體U，則程 式電流之方向係由像素16流出至源極信號線18。因此， 雜驅動電路之單位電晶體484(參照第48圖、第57圖 等）須由N通逼之電晶體構成。即，源極驅動電路μ須 形成可引入程式電流Iw之電路構成。 、 、口此像素16之驅動用電晶體⑴（第i圖之情形） 為P通道電晶體暗，、'盾士 ^ ^源極驅動電路14為引入程式電流Iw /貝以 '通逼電晶體構成單後電晶體484。為將源極驅動 I成方；P車列基板7卜則須使用N通道用光罩（努 程）與P通道用光罩（製程）兩者。概念式地敛述即4 發明之顯示面板（鞀狀 匕，、、員衣置）係以p通道電晶體構成像素 16與問極驅動雷政1 ’而源極驅動電路之引入電流源之電 晶體則以N通道構成。 因此，以p通道電晶體形成像素16之電晶體丨]，並 176 1254264 玖、發明說明 以P通道電晶體形成閘極驅動電路l2。如此藉由p通道電 晶體形成像素16之電晶體〗1與閘極驅動電路丨2兩者，則 可降低陣列基板71之成本。但，源極驅動電路14須以n 通道電晶體形成單位電晶體484。因此，源極驅動電路Μ 5無法直接形成於陣列基板71上。故另时晶片等製作源極 驅動電路14，並載置於陣列基板71 i。即，本發明為外 加源極驅動IC14 (用以輸出作為映像信號之程式電流之機 構）之構造。 另，源極驅動電路14雖以石夕晶片構成，但並非以此為 1〇 ^，舉例言之，亦可藉低溫多晶矽技術等於玻璃基板上同 成夕數個’並切成晶片狀後载置於陣列基板]上。此 外，別述說明係將源極驅動電路载置於陣列基板71，但並 =限為載置，若將源極驅動電路14之輸出端子連接於 5女2板71之源極信號線18，則任何一種形態皆可。例 之错TAB技術將源極驅動電路Μ連接於源極信號線μ ^式即為其中_例。藉由於^片等另外形成源極驅動 :。14’則可減少輸出電流之不均，並實現良好之影像顯 又，可達到低成本化之效果。 20 道命a 通道構成像素16之選擇電晶體，且以Ρ通 自發、構成間極驅動電路之構造，並不限於有機EL等 於置（顯示面板或顯示裝置）。舉例言之，亦可適用 '、員不衣置、FED (場致發射顯示器）。 形成若像：16之開關用電晶體m、uc以p通道電晶體 、\gh恰像素16形成選擇狀態，而於Vgl時像 177 1254264 玖、發明說明 素16則形成非選擇狀態。先前亦已說明，閘極信號線l7a 由開啟CVgi)變為關閉（Vgh)時電壓會衝穿（衝穿電壓 )。若像素16之驅動用電晶體lla以P通道電晶體形成， 則於黑顯示狀態時，因該衝穿電壓影響，電晶體lla更無 5電流通過。因此，將可實現良好之黑顯示。難以實現黑顯 不之部分則為電流驅動方式之課題。 本發明中，藉由以p通道電晶體構成閘極驅動電路12 ，則開啟電壓形成Vgh。因此，與P通道電晶體所形成之 像素16匹配性佳。又，為發揮使黑顯示良好之效果，最重 1〇要的是如同第1圖、第2圖、第32圖、第113圖、第116 圖中像素16之構造，構造成使程式電流Iw由陽極電壓 vdd經由驅動用電晶體Ua、源極信號線18流入源極驅動 電路14之單位電晶體484之狀態。因此，以p通道電晶體 構成閘極驅動電路12及像素16，並將源極驅動電路Μ載 15置方；基板，且以N通道電晶體構成源極驅動電路丨4之單 位電晶體484，將可發揮良好之相乘效果。又，以N通道 形成之單位電晶體484相較於以p通道形成之單位電晶體 484 ’其輸出電流不均較小。以相同面積（w · l)之電晶 體484比較時，N通道之單位電晶體4料相較於p通道之 2〇單位電晶體634,其輸出電流不均為1/15幻&由該理 由亦知，源極驅動IC14之單位電晶體484宜以n通道形 成。 另’於第42 (b)圖中亦同。第42 (b)圖中電流並非 、’'工甴I動用電晶體n b流人源極驅動電路】4之單位電晶體 178 1254264 玖、發明說明 彻。但為程式電流Iw由陽極電壓竊經由程式用電曰屬 ⑴、源極信號線18流入源極驅動電路 ; 之構造。因此’同於第1圖，以。通道電晶體構= 極驅動電路12 βK 、， 再成間 路12及㈣16，亚將源極驅動電路μ載置於基 反 且以Ν通道電晶體構成源極驅動電路14之 晶體484可發揮良好之相乘效果。 立電 _ /月中係以Ρ通返構成像素16之驅動用電晶 月且a，亚以Ρ通道構成開關電晶體llb、Uc。又，以Ν 10 15 20 通道構成源極驅動IC14之輸出級之單位電晶體484。= ’更理想者為以P通道電晶體構成閘極驅動電路& 當然與前述相反之構造亦可發揮效果1 n通道構成 像素16之驅動電晶體lla，並以N通道構成開關電晶體 爪、11c。又，以p通道構成源極驅動咖之輸出級之單 位電晶體484。此外，更理想者為以N通道電晶體構成閘 極驅動笔路12。該構造亦為本發明之構造。 以下針對基準電流電路進行說明。如第68圖所示， 基準電流電路691係形成（配置）於每一 R、G、b，且， 該等基準電流電路691R、691G、69比乃係鄰近配置。 於R基準電流電路691R配置用以調整基準電流之控 制器（電子電壓控制器（electr〇nic v〇lume)) 491R，於〇基 準電流電路691G配置用以調整基準電流之控制器' (電子 兒壓控制器）491G。並於B基準電流電路691B配置用以 調整基準電流之控制器（電子電壓控制器）491B。 另，控制器49〗等為可補償EL元件]5之溫度特性， 179 J254264 玖、發明說明 。又，如第09圖所示，基準 路692控制。藉由基準電流 晶體484所輪出之單位電流 宜構造成依溫度而變化之狀態 電流電路691乃由電流控制電 之控制（調整），則可使單位電 改變。 5 10 15 20 於1C晶片之輸出端子形成或配置有輸出。該 輪出墊片與顯示面板之源極信號線18相連接。輸出墊月 咖藉由電鑛技術或釘頭式接合技術(nallhead bon㈣形成 有凸免（大起）。大起之南度係設為1〇㈣以上卿m以下 之南度。 則逑凸塊與各源極信號線18係經由導電性接合層（未 圖示）而成電性連接。導電性接合層係以環氧系、盼系等 為主劑，且混有銀（Ag)、金（Au)、錄（Νι)、碳⑹、 ，化^ (Sn02)等之小片以作為黏著劑者，或紫外線硬化 樹月曰寻。導電性接合層係藉轉料技術形成於凸塊上。另 ’凸塊或輸出墊片681與源極信號線18之連接並不限於上 述方式。又’亦可不將IC14載置於陣列基板上而使用膜 載版技術（film camer)。此外，亦可利用聚醯亞胺薄膜等與 源極信號線18等相連接。 發明中，w述基準電流電路691係分成R用、g用 、B用3系、统，故可於R、G、b分別調整發光特性與溫度 特性，而可獲得最適當之白平衡（參照第70圖）。 、之就預先充電電路進行說明。先前亦已說明，電流 驅動方式中，於里顯+ 士 — ，，、、"、、負不0守，舄入像素之電流甚小。因此， 源極泉18等中若有寄生電容，則有]水平掃礙期間（ 180 1254264 玖、發明說明 1H)内無法於像素16寫入充分電流之問題。_般而言， 電流驅動型發光元件中，黑位準之電流值為數^左右般 微弱’故欲藉其信號值驅動數1〇奸左右之寄生電容（佈線 負荷電容）甚為困難。為了解決此_課題，有效方法係於 將影像資料寫人源極信號線18前，施加預先充電電壓，且 將源極信號線18之電位位準設為像素之電晶體山之黑顯 示電流（基本上電晶體lla為關閉狀態）。 ： 壓之形請成）上，有效方法係藉由將影像資料之2 位兀解碼，而進行黑位準之定壓輸出。 10 15 20 第65圖顯示本發明中具有縣充電機能之電流輸出方 式之源極驅動電路（IC) 14之—例。第Μ圖所示者係於6 ^元之定流輸出電路之輸出級財贱充電功能之情形。 #圖中預先充电控制^號係構造成於影像資料〜 仍之上位3位元D3、D4、D5全為〇時藉職電路松 解碼’且利用具有水平同步信號HD所產生之重設機能之 點時脈CUC與計數器電路651之輸出的娜電路⑹， 於一定期間輸出里位準带厭λ/ . 卓电屋VP。其餘則是使源自電流輸出 =654(具體而言為第48、56、57圖等之構造）之輸出電 >瓜施加於源極信號,線18 (由源極信號線18吸收程式電流 Iw。错由該構造’於影像資料為接近黑位準之第〇灰階至 :7灰階時’可僅於i水平期間初始之一定期間寫入相當 灰黑位準之電麼’而減輕電流驅動之負擔，並彌補寫入不 ^此外，令完全黑顯示為第〇灰階，並令完全白顯示為 弟b灰％ ( 64灰階顯示時）。 181 I254264 玖、發明說明 第65圖中，若施加預先充電電壓，則可於内部佈線 4趵之B點施加預先充電電壓。因此，預先充電電壓亦施 加於電流輸出級654。但，電流輸出級654乃定流電路， 故為高阻抗。因此，縱於定流電路654施加預先充電電壓 5 ，亦無電路動作上之問題產生。另，為使預先充電電壓不 施加於電流輸出級654，僅需於第65圖中之A點切斷，並 配置開關655即可（參照第66圖）。前述開關係控制成可 與預先充電開關481a連動，並於預先充電開關481a開啟 k關閉。 1〇 預先充電亦可於全灰階範圍實施，而理想者應將用以 進订預先充電之灰階限定於黑顯示領域。即，判定寫入影 像貝料，亚選擇黑領域灰階（低亮度，即，電流驅動方式 中寫入電流甚小（微小））進行預先充電（稱為選擇預先充 電）。若對全灰階資料進行預先充電，則下次將於白顯示領 15域發生骨度降低之情形（未達到目標亮度）。又，有時更將 發生影像顯示出縱紋之問題。 較理想者係於灰階資料之灰階〇至全灰階之 1/8領域 之灰階領域中進行選擇預先充電（例如，64灰階時，於第 〇灰階至第7灰階之影像資料時進行預先充電後再寫入影 2〇像資料）’更理想者則於灰階資料之灰階0至1/16領域之 灰階中進行選擇預先充電（例如，64灰階時，於第〇灰階 至第3灰階之影像貧料時進行預先充電後再寫入影像資料） 〇 4寸/7彳疋於黑顯不中，為提高對比，僅檢測灰階〇而進 182 1254264 玖、發明說明 5 10 15 行預先充電之方式亦屬有效。且黑顯示變得極為良好。僅 對灰階0預先充電之方法甚少發生對影像顯示造成弊宝之 情形。因此，最宜採用為預先充電技術。 另，使預先充電電壓、灰階範圍隨R、G、B而不同亦 屬有效，此乃EL元件15之發光開始電壓、發光亮度隨r 、G、B而不同之故。舉例言之，進行使R於灰階資料之 灰階0至1/8領域之灰階中進行選擇預先充電（例如，料 灰階時，於第0灰階至第7灰階之影像資料時進行預先充 電後再寫入影像資料），而其他顏色（G、B)則於灰階資 料之灰階G至i/16領域之灰階中進行選擇 ，64灰階時，於第。灰階至第3灰階之影像= 先充電後再寫入影像資料）等控制。又，預先充電電壓亦 構造成若R為7 (V)，其他顏色（G、B)貝㈣7·5 (v) 之電壓寫入源極信號線18。最適當之預先充電電壓大多隨 EL顯示面板之製造批量而不同，因此，聽充電電壓宜先 構造成可藉外部控制器”整之狀態。該調整電路亦可藉 由使用電子電壓控制器電路而輕易實現。

20 另，預先充電電壓宜定*么给，η 且°又疋為弟1圖之陽極電壓Vdc 0.5 (V)以下、陽極電壓Vdd—2·5 以上。 縱於僅對灰階0預先充帝 尤兄兒之方法中，選擇r、g、b 1色或2色進行預先充電之方 乃忐亦屬有效，且甚少發生 影像顯示造成弊害之情形。 入’旦面亮度在預定亮度以 或預定亮度以上時，進行預先 只兀元兒亦為有效。特別是晝 5〇之亮度為低亮度時，黑_ , 一 '、’、/雇以形成。低亮度時，藉 】83 1254264 玖、發明說明 可使影像之對比感 實施0灰階預先充電等預先充電驅動 良好。 人 ，且稱造⑽定完全未預先充電之第。模態、僅對 階0預先充電之第1模態、於灰階。至灰階3之範圍預 士充電之第2模態、於灰階0至灰階7之範圍預先充電之 弟3模態、於全灰階之範圍預先充電之第*模能等，且依 命令切換料模態之耗。此等狀態於源極㈣電路Μ )14内藉由構成（設計）邏輯電路可輕易實現。 10 15 20 第66圖係選擇預先充電電路部之具體化構造圖。 為預先充電電壓之輸人端子。藉由外部輸人或電子電壓控 ㈣電路，於別之預先充電電壓。另，雖 於R、G、B設定個別之預先充電電壓，但並非以此為限， 亦可為R、G、B共通。此係由於預先充電電壓乃與像素 16之.驅動用電晶體山之vt相關者，且該像素 G B像素皆同。令像素16之驅動用電晶體山之w/l比 等隨R、G、B而異（形成不同之設計）時，宜對應不同設 計而調整預先充電電壓。舉例言之，若驅動用電晶體lla 之通道長度L愈大，則電晶冑lla之二極體特性愈差，且 源極-汲極（SD)電壓增大。因此，預先充電電壓須設定 成較源極電位（Vdd)低。 預先充電電壓PV係輸入於類比開關561。為減少開啟 電阻，該類比開關之W (通道寬度）須設定為10μηΊ以上 仁右w過大則寄生電容亦變大，故須設定為]00jIm 、下若通道1度W設定為]5μτη以上όΟμηι以下則更加 184 1254264 玖、發明說明 理想。 另，該選擇預先充電亦可固定為僅對灰階〇預先充電 或於灰階0至灰階7之範圍進行預先充電，但亦可使其與 低灰階領域連動，如對低灰階領域進行選擇預先充電（第 5 79圖之灰階〇至灰階R1或灰階（R1 —1))。即，選擇預先 充電係呈低缝領域為灰階〇至灰階R1時於該範圍實施 ，且低灰階領域為灰階〇至灰階R2時於該範圍實施之狀 態連動實施。此外，該控制方式相較於其他方式，其硬體 規模較小。 10 依據以上之信號施加狀態可開閉控制開關481a，且於 開關481a開啟時，使預先充電電壓pv施加於源極信號線 18。另，施加預先充電電壓PV之時間係藉由另外形成之 計數器（未圖示）而設定。該計數器係構造成可依命令而 設定之狀態。又，預先充電電壓之施加時間宜設定為i水 ^平掃目苗期間（m)之1/100以上1/5以下之時間。舉例言 之，若1H為l〇(Hlsec，則設為丨㈣以上鄉似以下（ 川之〇以上且於出之1/5以下），設為以上 lOpsec以下（111之2/100以上且於汨之1/1〇以下）尤佳 〇 2〇 “7圖為第65圖或第66圖之變形例。第67圖係一 用以判定是否依照輸入影像資料進行預先充電，並進行預 先充電控制之預先充電電路。舉例言之，可進行影像資料 僅為灰階0時進行予I务奋雷令< + ^ 才适仃」貝无允l之-疋、影像資料僅為灰階〇 、1時進行聽充電之設定、灰階Q時—定進行預先充電 185 1254264玫、發明說明 而灰階1則於連續產生一定Η以上時進行預先充電之設定 弟0/圖係顯示本發明具有 识兀兀电機能之電流輸出方 10 15 20 式之源極驅動電路（IC) 14之—例。帛〇圖中所示者係 於6位元之定流輪出電路之輸出級載有預先充電機能之情 形。第67圖_ ’符合電路671係依照影像資料d〇〜d5進 行解碼，並判定是否以具有水平同步信號hd所產生之重 設機能之REN端子輸人、料脈CLK端子輸人進行預先 充電。又，符合電路671具有記憶體，並保持有數Η或數 攔（鴨）影像資料之預先充電輸出結果，且具有可根據保 持結果而判定〇進行預先充電並進行預先充電控制之機 能。舉例言之，可進行一灰階〇時一定進行預先充電，而 灰階1則於連續產生6H( 6水平掃目苗期間）以上時進行預 先充包之a又疋。又’可進行一灰階〇、i時一定進行預先充 電，而灰階2則於連續產生3F (3 _間）以上時進行預 先充電之設定。 ' 符合電路67!之輸出與計數器電路651之輸出係構造 成藉侧電路703形成AND輸出狀態，且於—定期間輸 出黑位準電虔Vp。其餘則使源自第52圖等所說明之輸出 電流施加於源極信號線18 (由源極信號線Μ吸收程式電 流1W)。其他構造與第65圖、第66圖等相同或類似，故 癌略其說明。另’ f 67圖中預先充電電壓係施加於A點 ’當然亦可施加於B點（> 併參照第从圖）。 依據施加於源極信號線】8之影像資料可改變預先充電 186 1254264 玖、發明說明 10 電壓PV施加時間，藉此亦可得到良好之結果。例如，於 完:黑顯示之灰階〇時增加施加時間，於灰階4則縮減成 “者短寺。又’若將1H前之影像資料與繼之施加之影 像資料之差考慮在内再設定施加時間，亦可得到良好之結 果+例口之，方；1H财於源極信號線寫入用以使像素形 成白顯示之電流，且於下一 m寫入用以使像素形成黑顯 示之電流時，增加預先充電時間，此係由於黑顯示之電流 微^反之，於1Η前於源極信號線寫入用以使像素形成 黑頒不之電流，且於下—m寫入用以使像素形成白顯示 之電流時，縮短預先充電時間，或停止（不進行）預先充 電，此係由於白顯示之寫入電流較大。 15 依施加之影像資料改變預先充電電壓亦屬有效，此係 由於黑顯示之寫入電流微小，而白顯示之寫入電流較大。 因此，採取隨著變為低灰階領域而提高預先充電電麼（相 對於Vdd而σ。另’像素電晶體為ρ通道時），且隨 著變為咖編(㈣晶體lla 為P通迢時）之控制方法亦屬有效。 以下’為便於理解，乃以第66圖為中心進行說明。另 ，以下說明之事項亦適用於第65圖、第67圖之預先充電 20 電路係屬當然。 '程式電流斷路端子（P0端子）為“〇，，時，開關^

形成關閉狀態，且IL遮；Θ TU # 2 A ^子及1H端子與源極信號線18斷開 U祕端子與源極信號線18連接）。因此，程式電产㈣ 會流至源極信號線18 °Ρ◦端子於將程式電流Uv施加於源 187 1254264 玖、發明說明 極信號線時設為“y 流至源極信號線1 8。 於p 〇端子施加 且開啟開關655，並使程式電流Iw 且使開關655形成斷路時，係 ㈣避释顯示領域之任-像素行時。單位電晶體_依據 5輸入貧料（D〇〜D5)不斷由源極信號線a引入電流。該 電流係由所選像素16之㈣端子經由電晶體Ua流入源 極信號線18之電流。因此，尚未選擇任-像素行時，並無 可使電流由像素16流至源極信號線18之通路。所謂尚未 選擇任-像素行時，係發生於選擇任意之像素行至選擇下 一像素行之間。料，上述尚未任—像素（像素行） 而無流入（流出）源極信號線18之通路之狀態稱作完全非 選擇期間。 於此狀態下，若輸出端子681連接於源極信號線18, 則電流將流至開啟之單位電晶體484 (雖然實際上開啟者 b乃D0〜D5端子之資料所控制之開關481)。因此，業已於 源極信號線18之寄生電容充電之電荷將放電，域極信號 =18之電位急遽下降。如此—來，—旦源極信號線以之 屯位下降’右欲藉本欲寫人源極信號線丨8之電流恢復至原 本電位則需耗費時間。 2〇 為解決此一課題，本發明乃於完全非選擇期間於p〇 端子施加“0” ，並使第66圖之開關655關閉，且切斷輸 出端子681與源極信號線18之連結。藉由斷開連結，電流 即無法由源極信號線18流入單位電晶體484，因此完全非 選擇期間内源極信號線18不會產生電位變化。如上所述， 188 1254264 玖、發明說明 藉由在完全非選擇期間控制P〇端子，並將電流源自源極 信號線18斷開，可實施良好之電流寫入。 又，附加一當晝面上摻雜白顯示領域（具一定亮度之 領域）之面積（白面積）與黑顯示領域（低於預定亮度之 5領域）之面積（黑面積），且白面積與黑面積之比例於一定 範圍日守，停止預先充電之功能實屬有效（適當預先充電）， 此係由於在該一定範圍内，影像將產生縱紋之故。當然， 有時反於-定範圍内進行預先充電。而，此係由於影像移 動日守〜像會形成雜訊之故。適當預先充電可藉由運算電 路汁^ (運异）與白面積及黑面積相當之像素之資料而輕 易實現。 、先充電控制隨R、G、Β而不同亦屬有效，此 EL元件15之發光開始電壓、發光亮度隨R、G、B而不 15 20

之故。舉例言之，有一方法為，R於預定亮度之白面積 預定亮度之黑面積之比m以上時停止或開始預先 電，而G與B則於預定亮度之白面積··預定亮度之里面 之比為1:16以上時停止或開始預先充電。此外，根據 驗及檢討結果，為有機EL面板時，宜於職亮度之白 積·預定党度之黑面積之比為i : 1〇〇以± (即，黑面積 白面積之_倍以上）時停止預先充電。更理想者乃於 定亮度之白面積：預定亮度之黑面積之比為丨：細以上 即，黑面積為白面積之倍以上）時停止預先充電。 如弟]圖所示，傻音丨6 曰 、像素】6之驅㈣電晶體⑴、選擇, 曰曰月豆（]1 b、1 ] c )兔 P 、sa 為通逼電晶體時，將產生衝穿電壓 189 1254264 玖、發明說明 此係由於閘極信號線17a之電位變動將經由選擇電晶體（ llb、之G—s電容（寄生電容）而於電容器19之端 子形成衝牙。p通道電晶體！〗b關閉時會形成V奸電壓。 因此，電容器19之端子電壓將稍微移位至Vdd側。因而 5 ，電晶體lla之閘極（G)端子電壓上升，而形成更暗之 黑顯示。如此一來，即可實現良好之黑顯示。 弟0灰P白之元全黑顯示雖可實現，但第1灰階等 則變得難以顯示，或，第0灰階至第1灰階發生極大的灰 階不連續狀態，抑或於特定之灰階範圍產生曝光不足（黒◦ 10 $札）之現象。 用以解決該課題之構造為第54圖之構造。該構造之特 徵在於具有增高輸出電流值之機能。增高電路541之主要 目的為補償衝穿電壓。又，縱使影像資料為黑位準〇，仍 形成可使某種程度（數10nA)之電流通過之狀態，亦可使 15 用於黑位準之調整。 基本上，第54圖係於第48圖之輸出級追加有增高電 路（第54圖中以虛線框選之部分）者。第54圖係假定3 位元（K0、ΚΙ、K2 )作為電流值增高控制信號者，且藉由 该3位元之控制信號，可將孫電流源之電流值之〇〜7倍電 20 流值加到輸出電流。 以上係本發明之源極驅動電路（IC) 14之基本概要。 以下則針對本發明之源極驅動電路（IC) 14再加以詳細說 明。 *至EL元件15之電流1 ( A)與發光亮度b (m)具 190 1254264 玖、發明說明 有線形關係。即，流至EL元件b之電流〗（A)與發光亮 度B ( nt)成比例關係。電流驅動方式中，丨步級( 灰階刻度）為電流（單位電晶體484 ( i單位））。 5 10 15 20 人類對亮度之視覺具平方特性。，以平方之曲線變 化時’可辨識出明亮度呈直線式變化。但，若為第83圖之 關係，則無論低亮度領域或高亮度領域，流至元件b 之電流I (A)與發光亮度B㈤^匕成比例關係。因此， 若使每1 乂、，及（11階）刻度皆進行改變，則低灰階部（ 黑領域）中，相對於丨步級之亮度變化甚大（發生對比差 過大（黒飛I；))。高灰階部（白領域）貝彳由於大致與平方曲 線之直線領域-致，故可辨識出相對⑨i步級之亮度變化 呈等間隔變化。由上述情形可知，電流驅動方< (1步級 為電流刻度時）中（電流驅動方式之源極驅動電路（ic) 14中），特別以黑顯示領域之顯示為課題。 對於此一課題，則減少低灰階領域（灰階〇(完全黑 顯示）至灰階（R1))中輸出電流之傾斜，且增加高灰： 領域（灰階（R1)至最大灰階（R))中輸出電流之傾斜。 即，於低灰階領域中，減少# i灰階（1步級）所增加之 電流量。而於高灰階領域中，增加每丨灰階（1步級）所 曰加之包抓里。藉由使南灰階領域與低灰階領域中每1步 級所變化之電流量相異，則灰階特性趨近於平方曲線，且 低灰階領域中不會發生對比差過大之情形。 另，雖然上述實 施例設為低灰階領土或與高灰階領域 階段之電流傾斜，但並非以此為限，當然亦可為 19] 1254264 玖、發明說明 上。但，由於2階段時電路構造簡單，因此較為理想。更 理想者為構成伽馬電路以可產生5階段以上之傾斜。 本發明之技術性思想係於電流驅動方式之源極驅動 電路（1C) #巾（基本上乃藉電流輸出進行灰階顯示之電 5路。因此，顯*面板並不限於主動矩陣型，純含單純矩 陣土 ），每1灰階步級之電流增加量存在複數。 EL等電流驅動型之顯示面板，顯示亮度係與所施加之 電流量成比例地變化。因此，本發明之源極驅動電路（K )14中，藉由调整流向}個電流源（丨單位電晶體）4料 10之作為基準之基準電流，即可輕易調整顯示面板之亮度。 EL顯示面板中，發光效率隨R、G、b而異，又，色 彩純度相對於NTSC標準有所偏差。因此，為使白平衡達 最佳狀態’須適當調整RGB之比率。調整係藉由分別調整 RGB之基準電流而進行。舉例言之，將r之基準電流設為 15冰八，將G之基準電流設為ΐ 5μΑ，並將β之基準電流設 為3·5μΑ。如上所述，宜至少構造成多數顯示色之基準電 流中，至少1色之基準電流為可變更或調整抑或控制者。 電流驅動方式係，流至EL之電流工與亮度之關係呈直 線關係。因此，由RGB混合所產生之白平衡之調整，僅以 20預定焭度之一點調整RGB之基準電流即可。即，若以預定 亮度之一點調整RGB之基準電流，並調整白平衡，則基本 上全灰階皆可取得白平衡。因此，本發明之特徵在於具備 -可調整RGB基準電流之調整機構，並具備一】點彎折或 多點彎折伽馬曲線產生電路（產生機構）。上述事項乃電流 ]92 1254264 玖、發明說明 控制之EL顯示面板中特有之電路方式。 本發明之伽馬電路中，舉例言之，係於低灰階領域中 每1灰階增加1〇ηΑ (低灰階領域中伽馬曲線之傾斜）。又 ，高灰階領域中每1灰階增加50nA (高灰階領域中伽馬曲 5 線之傾斜）。 另，將高灰階領域中每1灰階之電流增加量/低灰階領 域中每1灰階之電流增加量稱作伽馬電流比率。該實施例 中，伽馬電流比率為50nA/10nA = 5。RGB之伽馬電流比 率設為相同。即，於RGB中，以伽馬電流比率設為相同之 10 狀態控制流至EL元件15之電流（=程式電流）。 如此一來，若於伽馬電流比率在RGB維持相同之狀態 下進行調整，則電路構造將較為簡單。此係由於僅需於各 色製作一可產生用以施加於低灰階部之基準電流之定流電 路及一可產生用以施加於高灰階部之基準電流之定流電路 15 ，並製作（配置）一用以調整相對流入該等定流電路之電 流之控制器即可。 第56圖為低電流領域之定流產生電路部之構造圖。又 ，第57圖為高電流領域之定流電路部及增高電流電路部之 構造圖。如第56圖所示，低電流源電路部係施加基準電流 20 INL，基本上該電流乃成為單位電流，且根據輸入資料L0 〜L4，必要個數之單位電晶體484產生動作，而其總和後 發出低電流部之程式電流IwL。 又，如第57圖所示，高電流源電路部係施加基準電流 IN Η ’基本上該電〉/it乃成為早位電流’且根據輸入資料Η 〇 193 1254264 玖、發明說明 H5义要個數之單位電晶體484產生動作，而其總和後 發出高電流部之程式電流IwH流動。 5 10 15 增π電流電路部亦同，如第57圖所示施加基準電流 臓，基本上該電流乃成為單位電流，且根據輸入資料 ΑΚ0〜ΑΚ2，必要個數之單位電晶體咖產生動作，而其 總和後發出與增高電流對應之電流lwK。

流至源極信號線18之程式電流Iw為Iw二IwH+Iw]L + IwK。IwH與iwL之比率，亦即伽馬電流比率，係設定 為滿足先前亦已說明之第丨關係。 如第56圖、第57圖所示，開閉開關481係由一反相 器562、P通道電晶體與N通道電晶體所構成之類比開關 561構成。如此藉由以反相器562、p通道電晶體與n通道 電晶體所構成之類比« 561構成開關481，可降低開啟 電阻，並可使單位電晶體484與源極信號線18間之電壓下 降極度減少。此亦適用於本發明之其他實施例乃自不待言

針對第56圖之低電流電路部與第57圖之高電流電路 部之動作加以說明。本發明之源極驅動電路（IC) 14係由 低電流電路部L0〜L4之5位元構成，並由高電流電路部 20 H0〜H5之6位元構成。另，由電路外部輸入之資料為d〇 〜D5之6位元（各色64灰階）。將該6位元資料轉換為 L0〜L4之5位元、高電流電路部H〇〜H5之6位元後，於 源極信號線施加與影像資料對應之程式電流Iw。即，將輪 八6位元資料轉換為5 + 6=Π位元資料。因此，可形成高 194 1254264 玖、發明說明 精讀度之伽馬曲線。 如上所述，將輸入6位元資料轉換為5+6=u位元資 料。本發明中，高電流領域電路之位元數（H)係設為與 輸入資料（D )之位元數相同，而低電流領域電路之位元 數（L)則設為輸入資料（D)之位元數一丨。另，低電流 領域電路之位元數（L)亦可設為輸入資料（D)之位元數 一2。藉由構造如上，則低電流領域之伽馬曲線與高電流領 域之伽馬曲線達最適合EL顯示面板之影像顯示之狀態。 10 15 20 閘極驅動電路12通常以N通道電晶體與p通道電晶 體構成，但僅以P通道電晶體形成尤佳。此係由於可減: 陣列製作所需之光罩數，且可望提高製造成品率、增加通 量（throughput)之故。因此，如第丨圖、第2圖等所示，將 用以構成像素16之電晶體設為P通道電晶體，同時閑極驅 =路12亦以p通道電晶體形成或構成。若以n通道電 晶體與P通道電晶體構成閘極驅動電路，則所需光罩數為 10片，但若僅以p通道電晶體形成，則光罩數變成5片。 但，若僅以P通道電晶體構成閘極驅動電路12等，1 :法將位準移位電路㈣於陣列基板71上。此係由於位準 私位講75以N通道電晶體與P通道電晶體構成之故。 、以下，針對内藏於陣列基板71中僅以p通道電晶體構 成:極驅動電路12之本發明閘極驅動電路12加以說日;。 崎已說明’此係由於僅藉由p通道電晶體形成像素:6 :問極驅動電4 12 (即’形成於陣列基板71之電晶芦入 ...'P逍道電晶體。反言之，為不使用心道電晶體之二 195 1254264 玖、發明說明 )，可減少製作陣列所需之光罩數，且可望提高製造成品率 、增加通量。又，由於可僅針對p通道電晶體之性能盡力 加以提高，因此特性改善上較為容易。舉例言之，vt電壓 之降低（更接近0 ( V )等）、Vt不均之減少皆較CM〇s構 5造（使用P通道與N通道電晶體之構造）可更輕易地實施 〇 本發明之貫施例主要以第〗圖之像素構造為例進行說 明，但並非以此為限，亦可為其他像素構造乃自不待言。 又’以下說明之閘極驅動電路12構造或配置型態並不限於 有機示面板等自發光裳置，於液晶顯示面板、電磁 誘^顯示面板或㈣（場致發射顯示器）等亦可採用。舉 例言之，液晶顯示面板中，亦可採用本發明之間極驅動電 路12之構造或方式作為像素之選擇關元件之控制。另， 0 9 J-ΤΓ 乂· 一》

係形成或 電路711 一1卞马像素之開關 個於像素中連接於保持電容之i CC驅動。此外，第71圖、第73 巧極驅動電路12，當然亦可於源 12之方塊圖。雖為 如第71圖所示， ]2b)係由4個時脈蠕子 本务明之間極驅動電路 (SCKO、SCKJ、SCK2、 】2 ( ]2a、 'SCK3)> 196 1254264 玖、發明說明 1個起始端子（資料信號（SSTA))及用以上下反轉控制移 位方向之2個反轉端子（DIRA、DIRB，其等係用以施加 負相之信號）之信號端子所構成。又，電源端子則由l電 源端子（VBB )及Η電源端子（Vd )等構成。 5 10 15 20 以P通迢電晶體構成像素16，藉此可使與P通道電晶 體所形成之閘極驅動電路12之匹配達良好狀態。p通道電 晶體（第1圖之像素構造中，為電晶體Ub、uc、電晶體 lid)係藉L電壓而開啟。此外，閘極驅動電路i2亦以l 電壓為選擇電壓。p通道之閘極驅動由第73圖之構造亦可 知，若將L位準設為選擇位準，則匹配性良好。此係乃L 位準無法長期保持之故。反之，Η電壓則可長期保持。 藉由將用以供給電流至肛元件15之驅動用電晶體（ 第1圖中為電晶體Ua)以Ρ通道構成，則EL元件15之 陰極可構成金屬薄膜之全面電極。又，可由陽極電位 順向使電流流至肛元件15。由上述事項可知，可將像素 16之電晶體設為p通 ， 、 τ極驅動電路12之電晶體亦 Γ:由上述情形可知，所謂以Ρ通道形成本發明 用以構成像素16之電晶俨Γ 動用電晶體、開關用電晶體 、逼構成閘極驅動電路 僅只為單純之設計事項。 《一之事項亚非 另亦可將位準移位（L S、恭 71上。 笔路直接形成於陣列基板 ρ ’以Ν通道與ρ诵洁

)t ^ 龟晶體形成位準移位（LS )包路。源自控制器（未圖示） 成於陣列基板7】上之位準移位心^係錯由直接形 电路而升壓至適合P通道電 197 1254264 玖、發明說明 :體：形成之閘極驅動電路12之邏輯位準。並將該業經升 壓之迦輯電壓施加於前述閘極驅動電路12。 另，亦可以半導體晶片形成位準移位電路’並於陣列 基板71進行C0G安裝等。又，源極驅動電路14係以半導 體ί片形成，並於陣列基板71料⑺G安裝。唯，並非 限疋以半導體晶片形成源極驅動電路14,亦可利用多晶石夕 技術直接形成於陣列基板71上。 10 右以ρ通道構成用以構成像素16之電晶體η，則程 式電流將形成由像素16流出至源極信號線μ之方向。因 此，源極驅動電路之單位電晶體（單位電流源“Μ (參照 弟56圖、第57圖等）必須以^道電晶體構成。即，源 極驅動電路14須呈可引人程式電流Iw之電路構造。 因此，像素16之驅動用電晶體ua(第【圖之情形） 為p通道電晶體時，泝炼叙+ 15 原祕動電路14為引入程式電流Iw +須以N通道電晶體構成單位電晶體_。為將源極驅動 包路14形成於陣列基板71上 肩利用N通道用光罩（製 “ ”/—通逼用光軍（製程）兩者。概念式地敘述即，本 】6與__路】2:^ 20 乃以N通道構成。 驅動之引人電流源之電晶體 因此…通道電晶體形成像素^之電晶體11，且 :通逼電晶體形成閑桎驅動電路12。如此一來 P通道電晶體形成像素16 轉由以 兒日日肢11與閘極驅動電 兩者，可使陣列基板7丨 '路12

成本。但，源極驅動電路H ]98 1254264 玖、發明說明 必眉以N通逼電晶體形成單位電晶體484。因此，源極驅 動包路14热法直接形成於陣列基板71上。因此，另外以 矽晶片等製作源極驅動電路14，並載置於基板71上。另 ’源極驅動電路14雖以石夕晶片構成，但並非以此為限，舉 5例。之，亦可藉低溫多晶矽技術等於玻璃基板同時形成多 们並切成晶片狀，再載置於陣列基板71上。此外，雖說 將雜驅動電路錢於陣列基板71，但並不限為載置，若 將源極驅動電路14之輸出端子681連接於陣列基板71之 源極信號線18，則任一形態皆可。例如，有一方式為藉 10 TAB技術將源極驅動電路14連接於源極信號、線18。藉由 於夕曰曰片等另外形成源極驅動電路i 4，可降低輸出電流之 不均，亚貫現良好之影像顯示。且，可達到低成本化之效

15通道電晶體構成閘極驅動電路之構造，並不限於有機EL 等自發光裝置（顯示面板或顯示裝置）。舉例言之，液晶顯 示裝置、FED (場致發射顯示器）亦可適用。 反轉端子r A -----

，邏輯信號線數為4條。4 但本發明並非以此為限，4 711施加共通s 20 可理解，反轉端子（DIRA、DIRB ) 電壓值。又，令移位塹在器之播 於反轉端子（DIRA、DIRB ) 另，第71圖之電路構3 條於本發明為最適當之數目 199 1254264 玖、發明說明 條以下、4條以上皆可。 5 10 15 20 、時脈信號（SCK〇、SCK1、SCK2、SCK3)之輪入係隨 毗連之單位閘極輸出電路711而異。舉例言之，於單位開 極輸出電路711a中，時脈端子之SCK〇乃輪入於％,而 SCK2則輸人RST。該狀態於單位閘極輸出電路川 。晚連單㈣極輸出電路711a之單位閘極輸出電路咖 (下-級之單位閘極輸出電路）則為時脈端子《$⑻輸 入OC，而咖輪入RST。因此，輸入單位閘極輪出= 711之時脈端子係呈咖輸入OC，而SCK2輪入RST’ 下-級中時脈端子之SCK1輸入〇c，且咖輸入咖， 而再下-級中輸入單位閘極輸出電路711脈 _輸入⑽，且SCK2輸入RST，之狀態交互更異/為 弟73圖係單位閘極輸出電路7ιι之電路構造。所構 之電晶體僅以P通道構成。第74圖係用以說明第乃 電路構造之時序圖。2 ^ 士 另，弟72圖所示者係第73圖中多級 才序圖□此’藉由理解第73圖即可理解整體之動作。 動作之理解與其藉由文章說明，毋寧以一面參照第73圖之 等效電路圖，並-面理解第74圖之時序圖之方式更可達成 故名略各電晶體之動作詳細說明。 广二：以ρ通道作成驅動電路構造’則基本上可將閘極 5虎.泉17維持於Η料（第73时為Vd電壓）。然而， 斤難以長期維持於L位準（第73圖中為VBB電壓）。但， 選擇像素行時等短時間則可充分維持。 — 右像素】6之開關用電晶體1Ib、nci p通道電晶體 200 Ϊ254264 坎、發明說明 形成，則於Vgh時像素16形成選擇狀態，而於Vg】時像 素16則形成非選擇狀態。先前亦已說明，閘極信號線l7a 開啟（Vgl )轉為關閉（Vgh )時電壓會衝穿（衝穿電壓 )。若像素16之驅動用電晶體Ua由p通道電晶體形成， 5則於黑顯示狀態時，受到該衝穿電壓影響，冑曰曰曰體山將 更無法使電流流出。因此，可實現良好之黑顯示。難以實 現黑顯示之部分為電流驅動方式之課題。但，藉由以p通 逼電晶體構成閘極驅動電路12，開啟電壓則形成vgh。因 此，與P通道電晶體所形成之像素16匹配性佳。又，如同 10乐1圖、第2圖、第32圖、第113圖、第116圖之像素 16之構造，最重要者即構造成使程式電流Iw由陽極電壓 vdd經由驅動用電晶體lla、源極信號線18而流至源極驅 動電路14之單位電晶體484之狀態。因此，以？通道電晶 體構成閘極驅動電路12及像素16，並將源極驅動電路14 15載置於基板，且以N通道電晶體構成源極驅動電路14之 單位電晶體484，即可發揮良好之相乘效果。 另，第42 (b)圖中亦同。第42 (b)圖中電流並非經 由驅動用電晶體lib流至源極驅動電路14之單位電晶體 484。但構造成使程式電流Iw由陽極電壓經由程式用 20電晶體lla、源極信號線18而流至源極驅動電路μ之單 位電晶體484之狀態。因此，同於第1圖，以Ρ通道電晶 體構成閘極驅動電路12及像素16，並將源極驅動電路Μ 載置於基板，且以Ν通道電晶體構成源極驅動電路14之 單位電晶體484，即可發揮良好之相乘效果。 20] 1254264 玖、發明說明 因輪入IN端子之信號與輪入RST端子之sck時脈， 而使η 1產生_ # 0 生义化且Μ形成nl之反轉信號狀態。雖然 2之电位與n4之電位為同一極性，但因輪入〇c端子之 了脈’ Π4之電位位準會變得更低。制於該變低之位 端子於該期間維持為L位準（開啟電麼由閉極信號 ::17輪出）。輸入SQ或Q端子之信號則轉送至下一級之 單位閘極輸出電路711。 第71圖、第同

θ之笔路構造中，藉由控制IN ( INA 10 15 20 泰路^端子、時脈端子之施加信號之時序，則可以同一 ΐΓ Μ U)圖所示之選擇1閘極信號線Η之 。“及弟75 (b)圖所示之選擇2閘極信號線17之狀態 每擇側之閘極驅動電路12a巾 … 為同時選擇丨像+ 一 （ a )圖之狀態 ，選擇像素行係1#1行地η &(正常驅動）。又 像素行仃地移位。第75⑴圖為選擇2 所說明之夕方式係第27圖'第28圖、第29圖 擬像辛行:二象素仃(51a、51b)同時選擇驅動(構成虛 象素仃之方式）。選擇像素行係於每 且同時選擇相鄰之2像专^4主 像素订--私位， z像素仃。特別是， 動方法係相對;^ π * 75(b)圖之驅 素行训進行預備充電。因此，像=⑽而使像 ，本發日月# i 4 、 欠得容易舄入。即 U错由施加於端子之信號 切換。 Θ現2個驅動方式之 另，弟75 (b)圖乃選擇相鄰像冬 m，τ、16行之方式，但亦 202 !254264 玖、發明說明 可如弟7 6圖所示，撰埋卜 、… 、擇非相鄰之像素16行（第76圖俜— 砥擇/刀隔3像素行位置之 ’、 豕I仃之貝轭例）。又，第 之構造係以4像素行之組 圖 從全 4像素仃中，可實施選擇i ’或選擇連'續2像素行之控制。此係因所使用之B± 脈（SCK)為4條而產生之限制。若時脈⑼κ)為 ，則可以8像素行之組實施控制。 選擇側之閘極職電路12a之動作即第75圖之動作。 如第75(a)圖所示’選擇丨像素行，且使選擇位置與1 10 水平同步錢同步於每丨像素行_ —移位。又，如第乃（ b)圖所示’選擇2像素行’且使選擇位置與！水平同师 號同步於每1像素行一一移位。 ° 以下，參照圖示並就以電流驅動方式（電流程式化方 式）進订之同晝質顯不方法加以說明。電流程式化方式係 於像素16施加電流信號，而使電流信號保持於像素… 15且施加一保持於EL·元件15之電流。 虹元件15係與施加之電流大小成比例發光。即，扯 元件15之發光亮度與欲進行程式化之電流之值有線性關係 。反之’電Μ程式化方式係藉像素16將施加之電_換為 電流。該電麼一電流轉換並非線性，而非線性之轉換 20制方法甚為複雜。 /'工 電流驅動方式係將映像資料之值直接線性轉換為程式 電流。簡單舉一例示之，若為64灰階顯示，則映像資料〇 設為程式電流iw=_A，而映像資料63設為程式電流iw 6·’Α (成比例關係）。同樣地，映像資料32設為程式電 203 1254264 玖、發明說明 * ϋ2μΑ，映像資料1〇設為程式電流Ιν^1·〇μΑ。即 ’映像資料係直接以比例關係轉換為程式電流^。 為便於理解，乃以映像資料與程式電流呈比例關係轉 ^弋進行°兒明。貫際上，可更輕易轉換映像資料與程 式電流。此係由於如帛48 所示，本發明為單位電晶體 佔4之單位電流相當於映像資料之！，再者，單位電流藉由 =整基準電流電路，可輕易調整為任意值，此外，基準電 流乃於R、G、B電路一 一設置，藉由在RGB電路調整基 準包/”路可於全灰階範圍取得白平衡。此即電流程式方 10 15 20 式’且為本發明之源極驅動電路14、顯示面板構造之相乘 效果。 EL顯示面板之特徵在於程式電流與el元件丨5之發 光亮度呈線性關係。此乃電流程式化方式之最大特徵。即 ’控制程式電流之大小即可線性調整EL元件Μ之發光亮 度。 驅動電晶體lla施加於閘極端子之電麗與驅動用電晶 體Ua發出之電流係非線性關係（大多形成平方曲線因 此’電壓程式化方式中，程式電壓與發光亮度即呈非線性 關係，以致極難進行發光控制。相較於電壓程式化方式， 電流程式化方式則㈣進行發光控制。特別是，第丨圖之 像素構造中，程式電流與流至EL元件15之電流理論上應 為相等。因此，發光控制極易理解，且容易控制。於本發 明之N倍脈衝驅動時，亦可藉由將程式電流設為㈣再計 算而掌控發光亮度·因此具有發光控制容易之優點。於第 204 上254264 玖、發明說明 38圖等像素構造為電流鏡構造時，驅動用電晶體m與程 工用電晶體Ua相異，並發生電流鏡倍率偏差之情形，故 $發光亮度產生誤差之主要因素。但，第1圖之像素構造 3驅動用電晶體與程式用電晶體相同，因此亦無此-課 題存在。 乩元件15係依接通電流量而與發光亮度成比例變化 1加於EL元件Μ之電塵（陽極電壓）為固定值。因此 EL顯不面板之發光亮度係與電力消耗量成比例關係。 10 15 20 由上述情形可知，映像資料與程式電流成比例，程式 電㈣EL元件15之發光亮度成比例，而EL元件15之發 光亮度與電力消耗量成比例。因此，將映像資料進行邏輯 處理即可㈣肛顯示面板之電流（電力）消耗及肛顯示 面板之發光党度。gp ’藉由對映像資料進行邏輯處理（相 加寻），即可掌控EL顯示面板之亮度、電力消耗量。因此 例士 &制蜂值電流不超過設定值等處理則極為容易。 寸別疋本备明之EL顯示面板為電流驅動方式。且 猎由具特徵之構造而使影像顯示控制容易進行。具特徵之 影像顯示控制方法有二，一為基準電流之控制，二為_ 比才工制#由將5亥基準電流控制與加以比控制單獨或組合 實施’則可使動態範圍廣，且可實現高晝質顯示及高對I 之效果。 百先’基準電流控制乃如第77圖所示，源極驅動電路 (1C ) 14仏具有用以調整各RGB之基準電流之電路。又 ，源自源極驅動電路14之程式電流iw流至幾個單位電晶 205 1254264 玖、發明說明 你田足否輪出而決定 .I。。姐104尸坏輸出 之“係與基準電流之大小成比例。因此，藉由調整基準 :流：可決定1個單位電晶體484所輸出之電流，並可決 定程式電流之大小。基準電流與單位電晶體484之輪出電 流係呈線性關係’ 1，程式電流與亮度呈線性關係，因： 若以亮閃光顯示調整各娜之基準電流而調整白平衡，則 可以全部灰階維持白平衡。 另’第77圖為連接有多級電流鏡之構造，但本發明並 非以此為限。縱為第166圖至冑17〇圖等i級構造之源極 10驅動電路（1C) 14 ,亦可輕易調整基準電流，並可以全灰階 維持白平衡，此乃自不待言。此外，當然亦可藉由基準電 /;丨L之凋整而控制EL顯示面板之亮度。 第78圖係'duty比控制方法。第78 (a)圖為連續插入 非顯示領域52之方法，該方法適用於動晝顯示。又，第 b 78 (al)圖之影像最暗，第78 (a4)圖最亮。藉由閑極信 號線17b之控制即可自由變更duty比。第78⑷圖係將 非顯示領域52分割成多數再插人之方法，^特別適於靜晝 顯示。又，第78 (cl)圖之影像最暗，g 78 (c4)圖最亮 。藉由閘極信號線17b之控制即可自由變更dmy比。此外 2〇 ’第78 (b)圖為第78 (a)圖與第78 (c)圖之中間狀態 。第78 (b)圖亦同樣可藉由閘極信號線m之控制而自 由變更duty比。 若顯示面板之像素行數為22〇條，且為】/4duty時 則220/4=55，因此顯示領域52之分散為】至55 (可由 206 1254264 玖、發明說明 =明亮度調整至55倍之明亮度又，若顯示面板之像素 仃為220條’且為1/2duty時，則22〇/2=ιι〇 領域52之分散…叫可由k明亮度調整至11〇倍 之明売度)。因此’畫面50亮度之明亮度調整範圍非常廣 (影像顯示之動態範圍廣)。此外，無論明亮度為何，皆可 維持可顯現之灰階數，此乃另—特徵。舉例言之，若為料 灰階顯示’則亮閃光狀態下之晝面5()亮度無論為·加或 3nt，皆可實現04灰階顯示。 另，先前亦已說明，duty藉由控制輸至閘極驅動電路 10 i2b之起始脈衝可更容易變更。因此’可輕易變更1/2duty 、l/4duty、3/4duty、3/8duty 與各種 duty。 1水平掃瞄期間（1H)單位之duty比驅動，僅需與水 平同步信號同步施加閘極信號線17b之開閉信號即可。進 而，縱為1H單位以下亦可進行duty比控制。此乃第145 15圖、第146圖之驅動方法。於1H期間内，藉由進行〇EV2 控制，則可進行微小步級之明亮度控制（dmy比控制）（一 併蒼照第109圖及其說明，與第} 75圖及其說明）。 進行1H以内之duty比控制，係於duty比為iMduty 以下時實施。若像素行為220像素行，則為55/22〇duty以 20下。即，於1/22〇至55/220duty之範圍内進行。i步級之 變化係變化前至變化後改變達1/20 (5%)以上時實施。更 理想者為縱使變化在1/5〇 (2% )以下仍進行0EV2控制並 進行微小之duty比驅動控制。即，閘極信號線]7b進行之 duty比控制中，變化前至變化後明亮度之變化達以上 207 1254264 玖、發明說明 枯’藉由進仃0EV2之控制使變化量漸漸變至5%以下。 该變化中，宜導入第94圖說明之Wait機能。

Duty比為1/4dmy以下時實施iH以内之duty比控制 ，乃每1步級之變化量大之故，亦因影像為半色調，縱有 5為小變化亦容易經視覺辨識之故。人類之視覺於一定以上 之暗畫面上，對明亮度變化之檢測能力低。又，縱於一定 以上之明7C晝面上，對明亮度變化之檢測能力仍低。此應 即人類視覺依賴平方特性之故。 第175圖係對晝面變化之檢測機能經製圖後所顯現者 10 。杈軸為晝面之明亮度（nt )，縱軸為容許變化（％ )。容 卉k化（％ )係記載由任意duty變為下一 duty後明亮度 之變化比例（％)可否容許之臨界點。唯，容許變化（％ )乃隨影像内容（變化比例、畫面等）而使變動比例大。 此外’並容易仰賴個人動晝檢測能力等。 15 由第174圖亦可知，畫面50之亮度高時，相對於duty 變化之容許變化大。又，畫面5〇之亮度較暗時’相對於 duty變化’容許變化亦有偏大之傾向。但，半色調顯示時 ’容許變化之臨界值（％)小。此係由於影像為半色調， 故縱有為小變化亦可輕易由視覺辨識。 20 舉例言之，若面板之像素行為2〇〇條，則於 50/200duty以下（ 1/200以上5〇/2〇〇以下）進行护 制，而進行1H以下期間之duty比控制。若由]/2_吻 變為 2/200duty，則 l/’20〇duty 與 2/200duty 之差為 1/?〇〇 形成]00%之變化。此變化乃形成閃襟而 几王吓由視覺辨 208 I254264 玖、發明說明 識出來。因此，則進行0EV2控制（參照第i75目等），並 於1H (1水平掃瞎其間）以下之期間控制對此元件^之 電流供給。另，並非㈣於1H期間以下（ih期間以内） 進4亍duty比控制’由第】q同介 田弟19圖亦可知，非顯示領域％為連 續狀態。即，如1〇·5Η期間之控制亦屬本發明之範缚。亦 即’本發明並不限於1Η期間（產生小數點以下）進行 duty比驅動。 若由 4〇/2_Uty 變為 41/2_卿，貝40/200duty 鱼 彻_uty之差為·，且（咖）/(細）形成以 10 15 20 %之一變化。該變化是否形成閃爍而可由視覺辨識，與晝面 50亮度相關之可能性高1，由於術2_卿為半色調顯 示’故視覺辨識靈敏。因此，宜進行0EV2控制（參照第 175圖等)’並於1H ( i水平掃猫其間）以下之期間控制對 EL元件15之電流供給。 如上所述，本發明之驅動方法及顯示裝置，係一具有 可於像素16儲存流至EL元件15之電流值之構造（第i 圖中電容器19與此相符）’與可開啟關閉驅動用電晶體 山與發光元件（可舉EL元件15為例）之電流通路之: 造曰（第卜43、113、114、117圖等之像素構造與此相符） 之顯示面板’以及至少於可顯示影像之顯示狀能下產生β 19圖之顯示狀態（亦可依影像之亮度使晝面％形成顯I 領域53(dutyl/1))之驅動方法。且，-y比驅動（至少 畫面5〇 一部分形成非顯示領域52之驅動方法或驅動狀緣 )為預定duty比以下時，控制限於】水平掃目苗期間㈤ 209 1254264 玖、發明說明 期間）以内或1H期間單位流至EL元件15之電流，而進 行顯示晝面50之亮度控制。該控制乃藉由〇eV2控制實施 (有關OEV2可參照第175圖及其說明）。 用以進行1H單位以外之duty比控制之預定duty比， 5係於加以比為IMduty以下時實施。反之，預定dmy比於 IMduty以上時，則以1H單位進行duty比控制，或不實施 OEV2控制。又，1H期間以外之duty比控制，係於}步級 之變化由變化前至變化後改變1/2〇 (5%)時實施。更理想 者為’縱使變化於：1/50(2% )以下仍進行〇EV2控制並進 10行微小之duty比控制驅動。或以亮間光之最大亮度之μ 以下売度實施。 1 ^ ^ ^圃尸不， 15 20 若EL顯示面板之灰階顯示數為64灰階，則無論顯示晝面 50之顯不凴度（nt)為何皆可維持64灰階顯示。舉例言之 ，像素行數為220條，且僅】像素行為顯示領域53 (顯示 狀態）時Umy比1/220)，仍可實現64灰階顯示。此係 由於各像素行可藉㈣極㈣電路14之程式電流〜依序 ==傻«由閘極信號線17b而使該^素行部 斤進仃影像顯示。 當然’縱於220像素行全為 時（’比議2〇 = dutytbl/n ^ 3(_不狀態） ^ π比1/1)，亦可實現64灰 。此係由於藉由源極驅動電路 〜不 像素行寫入mi 之矛王式电流^可依序於 素行進? Hi 17b同時使全部像 ''不。，緃於僅20像素行為顯示領域53 210 玖、發明說明 (顯示狀態）時（(11^20/220= duty 1/11 )，亦可實現64灰 階顯示。此係由於各像素行可藉由源極驅動電路14之程式 兔流Iw依序寫入影像，並藉由閘極信號線} 7b依序掃瞄該 20像素行部分而使影像顯示。

本發明之duty比控制驅動係EL元件15之點亮時間控 制，故晝面50相對於duty比之明亮度呈線性關係。因此 ，景》像之明壳度控制極為容易，其信號處理電路亦簡單， 並可貫現低成本化之效果。如第77圖所示調整RGB之基 準電流，並獲取白平衡。duty比控制中，由於使R、G、B 同時進行明亮度控制，故於任何灰階、晝面5〇明亮度，皆 可維持白平衡。 duty比控制係藉由使相對於顯示晝面％之顯示領域

之亮度。當然，與顯示面積 53成比例流至EL顯示面板之電流則約略成比例變化。因 此’ II由求取映像資料之總和，^p筲山月5二> π〜 ，

RGB之基準電流即可。

duty比。最大diny為】力。 舉例言之， 冗度，並將此時設定為 1/8。自然影像則增加 之’將畫面50僅顯示 1254264 玖、發明說明 1/100影像之自然影像設為duty 1/1。由duty比1/1至 dutyl/8係於畫面5〇之自然影像顯示狀態下使其平順變化 〇 由上述舉一實施例，亮閃光顯示（以自然影像言之為 5全部像素100%點亮之狀態）時設為duty比1/8，並將晝 面5 〇中Η1⑻像素點亮之狀態設為duty比1 /1。概略之電 力/肖耗1即可藉像素數x點亮像素數之比例xduty比而算出 〇 為便於說明，若設定像素數為 100，則亮閃光顯示時 10之電力消耗量為100X1 ( 100%) xduty比1/8=80。反之， 1/100點亮之自然影像之電力消耗量則為100X ( 1/100) ( 1 % ) xduty比i/1= i。duty比ιη〜dmy比1/8可因應影像 之點亮像素數（實際上，點亮像素之總電流=1幀之程式 包流總和）平順實施duty比控制而不使閃爍情形產生。 15 如上所述，亮閃光時電力消耗量比例為80，1/100點 冗之自然影像之電力消耗量比例為1。因此，設定亮閃光 顯不時之預定亮度，並將此時設為dmy比最小，即可抑制 最大電流。 本發明係將1晝面之程式電流總和設為s，並將duty 2〇比。又為D，而以SxD實施驅動控制者。且，本發明係將亮 閃光顯示時之程式電流總和設為sw，將最大duty比設為 Dmax (通常，duty比μ為最大），並將最小此以比設為 Dmin，又，將任意自然影像時之程式電流總和設為Ss時 ，可維持SwxDmiii-SsxDmax之關係之驅動方法及用以實 2]2 I254264 5久、發明說明 5見該驅動方法之顯示裝置。 另，duty比最大設為1/1，最小宜設為duty比1/16以 上。即，duty比設定為1/8以上ι/丨以下。此外，當然並 非限定必須使用1/1。理想者為最小duty比設為1/1〇以上 。此係由於若duty比過小，則閃爍之產生醒目，且，影像 内谷所致之晝面亮度變化過大’以致影像難見。 10 先前亦已說明，程式電流與映像資料成比例關係。因 此，所謂映像資料之總和乃與程式電流之總和同義。另， 並不限於求取㈣（1欄）期間之程式電流總和，亦可W 鴨（1欄）中’將以預定間隔或預定週期等加上程式電流 之像素採樣做為程式電流（映像資料）之總和。又， 利用用以進行控制之幢（攔）前後之總和資料’亦可以'推 測或欲測之總和資料進行duty比控制。 15 另，以上說明係以duty * D進行控制，* d吻比係 預定期間（通常為1欄或Η貞，即，-般而言乃任意像素 之影像資料可改寫之週期或時） ^ ” W T 兀件15之點亮期

間。即，所謂duty比1/8係指EL 干D於1幀之1/8期 間（關中點亮。因此’duty比於像素16可改寫之週期 時間設為Tf’且像素之點亮期間為Tas#，可另解為如 20 比=Ta/Tf。 ',、另’並非限定將像素16可改寫之週期時間設為Tf， 並以Tf為基準。本發明之加丨比批 y匕彳工制驅動不需於1幀或1 攔結束動作，gp，亦可以數攔 又愣朋間為1週期而實施 dmy比控制（參照第1〇4圖 C J f亚非僅限於改 213 1254264 玖、發明說明 寫像素之週期，亦可為 ' Ί1貞或1搁以上。舉例t夕 λ. 攔或每1幀中點亮期 ° ，母1

Tf 1 ^ 不同時，令反覆週期（期間）為

Tf，亚採用該期間之細 马 ^ 〜2冗期間Ta即可。即，亦可蔣 或數幀期間之平均點直栌 ^ 、索

’、儿宁日h又為Ta。就duty比而言亦同。 duty於每幀（攔） J 白5日寸，僅需异出多數幀（攔）之 十均duty比再使用即可。 Μ明係’令亮閃光顯示時之程式電流總和為 二=意自然!像時之程式電流總…，並設最小點 10 15 一 丁衫，取大點亮期間為Tam (通常Tam二丁f，故 Tam/Tf = 1 )時，可维柱 ^ 准持 SwX ( Tas/T〇 2 Ssx ( Tam/Tf) 之關係之驅動方法及用以實現該驅動方法之顯示褒置。 用以控制畫面50之明亮度之方式，更有第77圖等所 說明之構造。該方式即，藉由調整基準電流而改變流至單 位電晶體彻之電流並調整程式電流之大小，藉以使畫面 儿度改炎。另，有關基準電流之調整方式則以第53圖 等說明。 苐77圖之491R為用以調整紅色（R)之基準電流之 才工制為。唯，以控制器呈現係為便於說明，實際上為電子 電壓控制器（electromc volume)，並構造成可由外部藉由6 〇位元之數位^號以64階段線性調整R電路之基準電流iaR 之狀態。藉由調整基準電流IaR，可使流至電晶體471R與 用以構成電流鏡電路之電晶體472a之電流線性改變。因此 ，流至電晶體群521a之電晶體472a與由電晶體472a進行 電流輸送之電晶體472b之電流將產生變化。流至電晶體 214 1254264 玖、發明說明 472b與用以構成電流鏡電路之電晶體群521b之電晶體 473a之電流改變，且業已由電晶體473a進行電流輸送之 電晶體473b改變。因此，單位電晶體484之驅動電流（單 位電流）改變，故可使程式電流產生變化。另，G之基準 5 電流IaG、B之基準電流IaB亦同。 第77圖係母子孫3階段之電晶體連接，但本發明並非 以此為限，舉例言之，縱如第166圖至第170圖中用以產 生基準電流之電路與單位電晶體484直接連結之1級構造 ，當然亦可適用。即，本發明係一於可藉由1個基準電流 10 或基準電壓變更程式電流或程式電壓之電路構造中，以基 準電流或基準電壓使晝面50之明亮度改變之方式。 如第77圖所示，（電子電壓）控制器491係分別形成 於紅（R )、綠（G )、藍（B )之電路中。因此，藉由調整 控制器491R、491G、491B，即可改變（控制或調整）各 15 自連接之單位電晶體484之電流，是以可藉由RGB之比例 調整而輕易進行白（W )平衡調整。當然，若於出貨時預 先調整RGB之基準電流（流至電晶體472R、472G、472B 之電流），則亦可藉由另外設置一可一併改變RGB之電子 電壓控制器（491R、491G、491B)之電子電壓控制器，而 20 進行白（W)平衡調整。舉例言之，第170圖、第171圖 中，係將電阻R1之值調整成可於各RGB電路中取得白平 衡之狀態。於此狀態下，若將第169圖、第170圖中之電 子電壓控制器451之開關S於RGB切換成相同，則可於維 持白平衡之狀態下調整畫面亮度。 215 1254264 玖、發明說明 如上所述’本發明之基 、士 ， 兒’爪驅動方法係調整RGB之 基準電流值以取得白平銜。 何且，以該狀態為中心，以同一 比率調整RGB之基準雷户。山# ；，L由方；以同一比率調整，故可难 持白平衡。 # 如上所述，藉由電子電壓 控制裔491之調整，則可線 性改變程式電流。另，為# 馮便於况明方以第1圖所示之像素 構造為例進行說明，作太癸 、 本1明亚非以此為限，當然亦可為 其他像素構造。 10 如第圖所示或其說明’藉由基準電流之控制可線性 調整程式電流，此乃每i個單位電晶體彻之輸出電流改 變之故。若使單位電晶體484之輸出電流改變’則程式電 流Iw亦產生變化。於像素之電容器19程式化之電流（實 際上為相當於程式電流之電壓）愈大，則流至el元件Η 之電流亦變大。流至EL元件15之電流與發光亮度成線性 比例。因此，藉由改變基準電流可使EL元件15之發光亮 度產生線性變化。 另，本發明係於第77圖所說明之基準電流控制方式與 第78圖所說明之duty比控制方式中，採用至少一種方式 進行畫面明亮度等之控制。理想者宜將第77圖與第78圖 20 之方式組合實施。 以下，針對使用第77圖、第78圖所說明之方式之驅 動方法再加以詳細說明。本發明之驅動方法其目的之一在 方、限制EL顯示面板所消耗之電流消耗量上限。el顯示面 板中流至EL元件〗5之電流與亮度成比例關係。因此，若 216 1254264 玖、發明說明 面板之亮度亦 =電力消耗量 使流至EL元件15之電流增大，則EL顯 逐無k党。而與亮度成比例丨肖耗之電流 )亦增大。 乃本發明目的之一 用於行動裝置時，電池等之容量有所限制。此外，* 源電路亦隨雜之電流增加而致規模變大。因&，對消^ 之電流必須設限。該對電流設限之部分（抑制峰值電 又，影像藉由增加對比可達到良好之顯示。藉由轉換 影像而顯示影像達影像鮮明之狀態，可使顯示良好。如上 1〇使影像顯示良好乃本發明之第2個目的。用以實現上述2 個目的（或其中一方）之本發明乃稱為AI驅動。 百先’為便於說明，本發明之IC晶片14係設為料灰 P白滅不為貝現AI驅動，宜擴大灰階顯現範圍。為便於說 明’本發明之源極驅動電路（IC) 14係設為64灰階顯示 15 ，且影像資料設為256灰階。為使該影像資料適合队顯 示衣置之伽馬4寸性’乃進行伽馬轉換。伽馬轉換係藉由將 輸入256灰階擴大為1〇24灰階而實施。業經伽馬轉換之影 像資料為達適合源極驅動電路之64灰階之狀態，可進行誤 差擴散處理或巾貞速率控制（FRC)處理，並施加於源極驅 20 動 IC14。 FRC係藉由在每攔中使影像顯示疊合而實現高灰階顯 示者。誤差擴散處理舉例言之即如第99圖所示，係一使像 素A之影像資料朝處理方向之右方分散成7/16 ,朝左下方 分散成J/16 ’朝下方分散成，朝右下方分散成1/16之 217 1254264 玖、發明說明 方法。藉由分散處理可竇目古七- 汽見阿灰P白鮮員不，此乃一種面積灰 階。 ' θ顧及圖示之容易性，第80圖、第81圖中乃以64灰階 喊不轉換為512灰階進行說明。轉換乃以誤差擴散處理方 5式或誠率控制（FRC)進行。唯，第80圖中與其稱為進 行灰階轉換，科可解釋為轉換影像之明亮度。 弟80圖係說明本發明之驅動方法所進行之影像轉換處 理。第⑽圖中橫軸為灰階（編號），其顯示灰階（編號） 愈大則畫面50之亮度愈亮。反之灰階（編號）愈小則影像 1〇愈暗。縱軸為頻率。縱轴係表示用以構成影像之像素之明 亮度出現率。舉例言之，第8〇⑷圖中ai係表示影像呈 32灰階位準之亮度時之像素最多。 ;、·隹符衫像之灰階顯現數之狀態下 使顯示明亮度改變之例。若A】Μ盔搭旦/ 15 Α1 0又為原影像，則原影像大 約為64灰階之顯現範圍。a2例俏於維杜—μ 例係衣維持灰階顯現數之狀 態下將明亮度之中心轉換為256灰階。幻例同樣於維持灰 階顯現數之狀態下將明亮度之中，讀換為州灰階。如此 之轉換可藉由在影像資料加上箱定士 — 上預疋大小之資料進行轉換而 達成。 但，第80 ( a)圖之灰階轉換於本發明之驅動方式十 難以實現。本發明之驅動方式中乃進行第8G(b)圖之灰 階轉換。 第^⑴圖係一擴大原影像頻率分佈之例。若將BI 設為原影像’則原影像大约“灰階之顯現範園。扣例 218 1254264 玖、發明說明 係將灰階顯現範圍擴大至256灰階。晝面之亮度變亮，灰 階顯現範圍亦擴大。B3例進而將灰階顯現範圍擴大至犯 灰階。則畫面顯示亮度更亮，且灰階顯現範圍亦擴大。 第80 (b)圖之實現，以本發明之驅動方式可易於實 現。可藉由第77圖說明之改變基準電流而實 由第78圖之變更（控制）duty比而實現。或 現。又，可藉 ’可藉由組合 第77圖與第78 B之方式而實現。藉由基準電流控制或 duty比控制，可使影像之明亮度控制較為容易。舉例言之 ’ duty比為1/4時若為第8〇⑴圖中B2之顯示狀態，僅 10 15 20 需將duty比設為1/16即可形成第8〇 (b)圖中幻之顯示 狀態。又，若將duty比設為1/2，則形成第8〇⑴圖中 B3之顯示狀態。為基準電流控制時亦同，藉由將基準電流 之大小設為2倍或1/4即可形成第8〇⑴圖之影像顯示 第80 ( b )圖之;j：K軸為灰階數。本發明之驅動方法並 非灰階數之增加。本發明之驅動方法特徵在於，如第79圖 之說明’顯示亮度縱有變化亦可維持灰階數。R，第80 ( )圖中B1之64灰階於B2則轉換為256灰階。但，B2 之灰階數為64灰階。i個灰階範圍相較於m則擴大為4 °由B1至B2之轉換然非是影像顯示之動態轉換。因此 ’等同於貫現高灰階顯示，故可實現高畫質顯示之效果。 同仏地’第80 ( b )圖中B1之64灰階數於B3則轉換 為512灰階。但，B3之灰階數為64灰階。1個灰階範圍 相幸乂於B1則擴大為8倍。由m至扪之轉換無非是影像 顯示之動態轉換。 219 1254264 玖、發明說明 第80 (a)圖中，可使晝面5〇之亮度提高。但，畫面 50全體白色變淡（泛黑）。但，電流消耗量之增加較少（ 縱然如此，電流消耗量仍與晝面亮度成比例增大）。第8〇 〇)圖中，可提高晝S 50之亮度，且灰階之顯示範圍亦 擴大因此亦然畫質劣化之情形。但，電流消耗量之增加 較大。 10 15 20 將灰P白數與畫面免度形成比例，若原影像設為Μ灰階 ，則灰階數之增加（動態範圍之擴大卜亮度之增大。因 此电力’肖耗1 (消耗電流）將增加。為解決此一課題， 本發明乃於第77圖之調整（控制）基準電流之方式、第 78圖之控制〜比之方式中採用其一，或將兩者組合施用 1晝面之影像資料全體為大時影像資料之總和亦變大 。舉例言之，亮閃光^ 64灰階顯示時影像資料^ 63，因 —面50之像素數χ63即為影像資料之總和。moo之白 士 d( hue w〇nd―顯不且白顯示部為最大亮度之白顯示 時’畫面50之像素數χ (1/1〇〇)⑹㈣影像資料之總和 之總和或可預測畫面電流消耗 而進行duty比控制或基準電流 本發明係求取影像資料 里之值，並藉由該總和或值 控制。 位準 ’亚非限定於求取影像資料之總和，亦可求取影像 Γ貞之平均位準再用於進行控制。^類比信號，則 」错由電容器將類比影像信號進行渡波而得到平均 220 1254264 坎、發明說明 亦可對类員比影像信號藉由濟 流位準進r Λ— …掏出直流位準’並將該直 丁 AD車才換而成為影 資料亦可稱為机料。貞狀鮮。此時，影像 又’亦可拾取晝面5〇之iy 出以j W(W為大於1之值）並擷 出乂求侍業經拾取之資料總和， 像全部資料相加。 而“將構成晝面5〇之影 、為便於說明’上述情形仍以求取影像資料之總和進行 "兄明1像資料之總和大多與彙"像之飢位準一致。 10 又’所謂影像資料之總和亦含數位相加之方法，而上述數 位及類比之影像資料總和’以下為便於說明乃稱為APL位 準。 亮閃光時影像為RGB各6位元，因此饥位準為63 (由於為第63灰階故以資料呈現即為63) χ像素數（沉正 面板時為176x3x220)。因此，APL位準達最大狀態。唯， 15於RGB之EL元件15消耗之電流各異，因此宜於卿分 別算出影像資料。 對於此一課題，可使用第84圖所示之運算電路。第 84圖中，841、842為乘法器。841係用以將發光亮度加權 之乘法器。於R、G、B之可見度不同。NTSC中之可見度 2〇為R: G : B = 3 : 6 : 1。因此，R之乘法器841R中，係對 R影像資料（Rdata)進行3倍之乘算。又，〇之乘法器 841G中，係對G影像資料（Gdata)進行6倍之乘算。此 斗，B之米法為841B中，係對B影像資料（Bdata)進行 1倍之乘算。 221 1254264 玖、發明說明

虹元件15於RGB中之發光效率各異。通常，b之發 光效率最差，次之為B，而R之發光效率最佳。因此，乃 以乘法& 842進行發光效率之加權。R之乘法器842R _， 係對R影像資，料（Rdata)進行R之發光效率之乘算。又 5 ，〇之乘法器842G中’係對G影像資料（Gdata)進行G 之發光效率之乘算。此外，B之乘法器842B中，係對B 影像資料（Bdata)進行b之發光效率之乘算。 乘法器841及842計算所得之結果，係以加法器⑷ 進行相加⑽存於總和電路m。繼而根據該總和電路_ 10之結果貫施帛77 _之duty比控制與第78圖之基準電流控 制。 瓜二 依第84圖所示方式進行控制，即可實施對亮度信號（ Y信號）之duty比控制及基準電流控制。但，若求取亮度 信號（Y信號）再進行duty控制等有時會產生問題。舉例 I5㊂之’會產生冷光背光（blue back)顯示。冷光背光顯示中

EL面板所消耗之電流較大，但顯示亮度低。此乃冷光（B )之可見度低之故。因此，亮度信號（Y信號）之總和（ APL位準）算出為少，&㈣控制達高duty。因而有發 生閃爍情形等問題產生。 20 對於此一課題，應直接使用乘法器841，此係由於可 求取對消耗電流量之總和（APL位準）。亮度信號（γ信號 )之二和（APL值準）與消耗電流量之總和（ApL位準） 宜取兩者相加而求得總和APL位準。並藉總和APL位準 貫把duty比控制及基準電流控制。 222 1254264 玖、發明說明 暗閃光於64灰階顯示時為第〇灰階，因此饥位準 :最小值。第80圖之驅動方式中，電力消耗量（消耗電流 量）係與影像資料成比例。另，影像資料無須計算用以構 ^晝面50之資料全部位元，舉例言之，影像以6位元顯現 τ亦可僅6十异上位位兀（MSB )。此時，灰階數為Μ以 上，並進行i次計算。因此，饥位準乃依據構成畫面％ 之影像資料而改變。 本發明中，係依據所得APL位準之大小而實施第78 圖之基準電流控制或第77圖之dmy比控制。 1〇 歧於理解，乃以具體數值為例進行說明。唯，此純 屬假σ又’貝際上則需依實驗、影像評價決定控制資料與控 制方法。 15 20 假設EL面板中流入最大之電流為1〇〇 (就）。於亮閃 光時總和APL位準達(無單位）。該ApL位準為· 時，若直接施加於面板則有2〇〇 (mA)流至el面板。另 ’胤位準為〇時，流至EL面板之電流為0(mA)。此外 ’ APL位準為⑽時’ dmy比係以ι/2進行驅動。 因^飢為⑽以上時，須設定限制為1〇〇(mA) 以下。簡單言之’ APL位準A 時，將duty設定為（ 1/2) X (1/2) =1/4，ApL位準為1〇〇時，將细乂設定為 1/2。APL 為 1〇〇以上200以下時，則控制為duty於1/4〜 1/2之間。duty比1/4〜1/2可藉由EL選擇側之閘極驅動電 路]㉛控制同時選擇之閘極錢線Μ之條數而實現。 唯，右僅考慮APL位準即實施duty比控制，則依照 223 1254264 坎、發明說明 衫像之不同，畫面5〇之平均亮度（Apl)將會改變，並發 生閃爍之情形。對於此一課題，彙整之APL·位準係保持至 ,、巾貞’理想者為1 〇巾貞，更理想者為60巾貞以上之期間， 並於該期間進行運算後依據APL位準算出duty比控制之 5 dUty比。此外，宜進行畫面50之最大亮度（ΜΑχ)、最小 壳度（MIN)、亮度分佈狀態（SGM)等影像之特徵擷出再 進行duty比控制。上述事項當然亦適用於基準電流控制。 又，藉由影像之特徵擷出而實施黑擴展（黒伸張）、白 擴展（白伸張）/亦甚為重要。此宜考慮最大亮度（ΜΑχ) 1〇 、最小亮度（MIN)、亮度分佈狀態（SGM)而進行。舉例 吕之，第81 (a)圖中，影像之中心資料Kb係分佈於256 灰階附近，高亮度部Kc係分佈於32〇灰階附近，而低亮 度部Ka係分佈於12 8灰階附近。 第81 ( b )圖係一對第8丨（a )圖之影像實施黑擴展及 15白擴展之例。唯，不需同時進行黑擴展與白擴展，亦可僅 實施其中一方。又，亦可使影像之中心部分（第81 φ 圖之Kb)移動至低灰階部或高灰階部。該等適當之移動資 訊可由APL位準、最大亮度（ΜΑχ)、最小亮度（咖）、 亮度分佈狀態（SGM) !集而來。唯，亦可依經驗判斷。 、 20此乃人類可見度影響之故。因此’須反覆檢討影像評價與 實驗。但，由於可藉運算或查找表（lookup table)彙整伽馬 曲線，因此黑擴展或白擴展等影像處理可輕易實現。藉由 如第81 (b)圖所示進行處理，則影像濃淡鮮明，而可實 現良好之影像處理。 224 1254264 玖、發明說明 〜另’藉由duty比控制使畫面50之明亮度改變，係依 =82圖方式進行。第82(a)圖係—使顯示領域53連續 變化之驅動方法。帛82 (a2)圖之晝面5〇亮度較第82 ( al)圖之晝面5G亮度亮。最亮者為帛82㈤圖之狀態 。第82 (a)圖之duty比控制所進行之驅動係適用於動晝 顯示。 10 15 20 第82 (b)圖係一使顯示領域53分割變化之驅動方法 。第82 (M)圖係使畫面5〇上2處產生顯示領域53之一 例。第82 U2)亦與第82 (bl)圖同樣於畫面50上2處 產生顯示領域53 ’但於2處其中1處上增加顯示領域53 之像素行（―處係、1像素行為顯示領域53，另-處係2像 素行為顯示領域53)。帛82㈤）圖亦與第82 (b2)圖同 才取方'旦面50上2處產生顯示領域53，但2處其中工處上 增加顯示領域53之像素行（兩處皆是2像素行為顯示領域 53)。亦可如上述般使顯示領域53分散而進行^吻比控制 。一般而言第82 (b)圖適用於靜晝顯示。 第82 (b)圖係將顯示領域53之分散形成2分散。但 ，此係為利於製圖方如此設計，實際上，顯㈣域Μ之分 散係設為3分散以上。 第83圖係、本發明之驅動電路之方塊圖。以下即針對本 發明之驅動電路進行說明。第83圖中，係構造成γ/υν映 像信號與合成（CqMP)映像錢可由外部輸人之狀態。 入？「们映像L號’係由開關電路83 !選擇。

開關電路831所選擇之映像信號係藉由解碼器及A/D 225 !254264 玖、發明說明 電路進行解碼及AD轉換，並轉換為數位之RGB影像資料 RGB衫像貧料係各8位元。又，RGB影像資料乃藉由伽 馬私路834進行伽馬處理，同時求取亮度（γ )信號。藉 由伽馬處理，RGB影像資料將可轉換為各1〇位元之影像 5資料。 / 經伽馬處理後，影像資料乃以處理電路835進行frc 處理或誤差擴散處理。RGB影像資料藉由FRc處理或誤差 擴散處理而轉換為6位元。該影像資料再以ai處理電路 836只& AI處理或峰值電流處理。此外，i藉動畫檢測電 10路837進行動畫檢測。同時，藉由彩色管理電路㈣進行 彩色管理處理。 AI處理電路836、動畫檢測電路837、彩色管理電路 838之處理結果迗至運算電路839，並藉運算處理電路咖 轉換為控制運算、duty比控制、基準電流控制資料，轉換 。果則作為&制貝料而送出至源極驅動電路Μ及閑極驅 動電路12。 -y t匕控制資料將送至問極驅動電路14並實施一 比㈣。此外，基準電流控制資料則送至源極驅動電路μ 並貫施基準電流控制。婉伯I彳欠 、、、工伽馬修正亚經FRC或誤差擴散處 20理之影像資料亦送至源極驅動電路14。 第81 (b)圖之影像資料轉換須藉由伽馬電路834之 伽馬處理進行。伽馬電路834則依據多點彎折伽馬曲線進 灯灰階轉換。256灰階之影像資料依據多點彎折伽馬曲線 而罕專換為1 0 2 4灰階。 226 1254264 玖、發明說明 月D述雖错由伽馬電路gw並以多點彎折伽馬曲線進广 伽馬轉換，但並非以此為限，亦可如第85圖所示以—點綠 折伽馬曲線進行伽馬轉換。構成一點彎折伽馬曲線之硬触 規模較小，因此可降低控制器…之成本。 紅 5 10 15 第85圖中，a為第32灰階之彎折線伽馬轉換，&為 64灰階之彎折線伽 ·”、 、— 寻換C為弟96灰階之彎折線伽馬轉 換’d為第128灰階之彎折線伽馬轉換。影像資料隼中於 高灰階時，為增加高灰階時之灰階數，乃選擇第85圖之d 伽馬曲線。影像資料集中於低灰階時，為增加低灰階時之 灰階數’乃選擇第85圖之3伽馬曲線。影像資料之分佈分 散時，則選擇第85圖之b、c笙办巨冰〜 C寺伽馬曲線。另，上述實施 例中雖選擇伽馬曲線，但實際上伽馬㈣料算所產生， 故並非選擇。 伽馬曲線之選擇係加上APL位準、最大亮度（max) 、以、亮度（刪）、亮度之分佈狀態（sgm)而進行，此 外，亚加上duty比控制、基準電流控制。 弟86圖得、-多點彎折伽馬曲線之實施例。影像資料华 中於高灰階時’為增加高灰階時之灰階數，乃選擇第㈣ 之η伽馬曲線。影像資料集中於低灰階時，為增加低灰階 時之灰階數，乃選擇第％ R + /χ ^ 圖之a伽馬曲線。影像資料之分 佈分散時’則選擇第86圖中^ η—!之伽馬曲線。伽馬 曲線之選擇係加上APL位準、最大亮度（ΜΑχ)、最小亮 度（MJN)、亮度之分佈狀態（sgm)而進行，此外，並加 上duty比控制、基準電流控制。 20 1254264 玖、發明說明 將配合顯示面板（顯示t£) 几压、 7岍便用之壞境而選擇之 二線力，變亦屬有效之方式。特別是EL顯示面板 =屋内可實現良好之影像顯示，於屋外卻無法看見低灰階 # ^曰^尤之故。因此，亦可如 弟圖所示使伽馬曲線改變。伽馬曲線3為屋内用伽馬曲 10 15 20 線，而伽馬曲線b為屋外用伽馬曲線。伽馬曲線U b之 切換係藉由使用者操作開關而進行切換。X，亦可藉光感 :器檢測外部光線之明亮度並自動進行切換。另，並非限 定要切換伽馬曲線，當然亦可藉由計算而產生伽馬曲線。 方、屋外％外4光線明党，故無法看見低灰階顯示部。因此 ，有效方式乃選擇用以銷毀低灰階部之伽馬曲線b。 於屋外時，如第88圖所示產生伽馬曲線之方式亦屬有 效。伽馬曲線a至第128灰階前輸出灰階乃設為〇。並由 128灰階進行伽馬轉換。如上所述，即可藉由伽馬轉換形 成低灰階部完全不顯示之狀態而減少電力消耗量。此外， 亦可如第88圖之伽馬曲線b般進行伽馬轉換。第88圖之 伽馬曲線至第128灰階前係將輸出灰階設為〇。128以上則 將輸出灰階設為512以上。第88圖之伽馬曲線b中乃顯示 咼灰階部，並減少輸出灰階數，藉此則具有縱於屋外亦可 輕易見到影像顯示之效果。 本發明之驅動方式係藉由duty比控制與基準電流控制 而控制影像壳度，並擴大動態範圍，此外，更實現高對比 顯示。 液曰B痛示面板中，白顯示及黑顯示係由背光源之穿透 228 1254264 玖、發明說明 率決定。縱如本發明之duty比驅動於畫面5〇產生非顯示 領域52,黑顯示中之穿透率仍為ϋ之由於產生非顯 示領域52將使1幀期間中之白顯示亮度降低，因此顯示對 比下降。 5 EL顯示面板之黑顯示乃流至EL元件15之電流為〇 之狀悲。因此，縱如本發明之duty比驅動於晝面％產生 非顯示領域52，黑顯示之亮度仍為〇。若增加非顯示領域 52之面積則白顯示亮度降低。但，由於黑顯示之亮度為〇 _ ，故對比為無限大。因此，duty比驅動係一最適用於EL 1〇顯示面板之驅動方法。上述事項於基準電流控制中亦同。 縱使改變基準電流之大小，黑顯示之亮度亦為〇。若增加 基準電流則白顯示亮度增加。因此，縱於基準電流控制亦 可實現良好之影像顯示。 duty比控制可於全灰階範圍保持灰階數，且可於全灰 15階範圍維持白平衡狀態。又，藉由duty比控制可使晝面5〇 之π度，又化產生近10倍之變化。此外，其變化與匕 φ 成線性關係，因此控制亦較為容易。但，一比控制係N _ 倍脈衝驅動，故流至EL元件15之電流大小較大，且，無 論畫面50亮度為何，通常流至el元件之電流大小皆變大 20 ，以致有EL元件15容易劣化之問題。 基準％机控制係於增高畫自5〇㉟度時增加基準電流量 因此僅方；晝面党度高時流至el元件i 5之電流變大， 故EL.兀件15不致產生劣化。基準電流控制之問題則在於 改變基準電流時白平衡之維持甚為困難。 229 1254264 玖、發明說明 本發明中係一併運用其 + 土準电流控制與duty比控制。書 面50接近亮閃光顯示時，美進 一 了丞旱電流係固定於一定值，並僅 控制_比而使顯示亮度等改變。畫面5Q接近暗閃光時 ’ duty比係固定於—定值’並僅控制基準電流而使顯示亮 5 度等改變。 duty比控制係於資料和/最大值於ι/ι〇以上至之範 圍内時實施。更理想者乃於資料和/最大值於ι/ι〇〇以上至 1/1之範圍内時實施。又，基準電流之倍率變化（單位電晶 體484之輸出電流變化），係於資料和/最大值於ι/ι〇以上 1〇至1/1000之範圍内時實施。更理想者乃於資料和/最大值 於1/100以上至1/2000之範圍内時實施。基準電流控制與 duty比控制宜控制成不產生重疊之狀態。第89圖中資料和 /最大值於1/100以下時會使基準電流之倍率改變，於 1/100以上時則使duty比改變，因此將無重疊之情形產生 15 〇 在此為便於說明，duty比最大設為duty比1/1，最小 設為duty比1/8。基準電流係設定為改變1倍至3倍。又 ，資料和係指畫面50之資料總和，（資料和之）最大值為 最大亮度時之亮閃光顯示之影像資料總和。另，當然無須 2〇 使用達duty比1/1，duty比1/1乃記載作為最大值之用。 本發明之驅動方法中當然亦可將最大之duty比設定為 210/220等。此外，220係舉例說明QCIF+之顯示面板之 像素行數。 另，duty比宜最大設為duty比1/]，最小設為duty比 230 1254264 玖、發明說明 川6以内。理想者係將最小設為duty比1/1〇以内，此係 由於如此則可抑制閃爍之情形發生。基準電流之變化範圍 宜設定為4倍以内’理想者為設定在25倍以内。此係由 於若將基準電流之倍數過度擴增，則基準電流產生電路將 5無線性性，並導致白平衡偏差之情形發生。 所謂資料和/ (資料和之）最大值二1/1〇()，舉例言之 ，即1/100之白視窗顯示。乃指自然影像中，影像顯示之 像素之資料和可換异為壳閃光顯示之1/100之狀態。因此 ，每1GG像素中i點之白亮點顯示亦為資料和/最大值為 10 1/100 〇 以下說明中最大值乃亮閃光之影像資料之相加值，此 係為便於說明之故。最大值為影像資料之加法處理或apl 處理等時產生之最大值。因此，資料和/最大值即進行處理 之畫面之影像資料相對於最大值之比例。 15 另，資料和無論以消耗電流量推算或以亮度估算皆可 。在此為便於說明，乃以亮度（影像資料）之相加方式進 行說明。一般而言亮度（影像資料）相加之方式處理較為 容易，且控制器1C之硬體規模亦可縮小。此外，亦無duty 比控制導致閃燦產生之情形，1可取得較廣之動態範圍， 20 效果甚為理想。 第89圖係本發明一實施基準電流控制與duty比控制 之例。第89圖中資料和/最大值於1/1〇〇以下時使基準電 流之倍率變化達3倍。於1/100以上時則使dmy比由 遍主1/8。因此，資料和/最大值為】/]至1/10000，duty比 231 1254264 玖、發明說明 才工制為8倍，基準電流控制為3倍，因此乃實施8x3二24 么之’支化。基準電流控制及duty比控制皆使畫面亮度改變 ’因此24倍之動態範圍得以實現。 資料和/最大值為1/1時duty比為1/8。因此，顯示亮 5度即為最大值之1/8。由於資料和/最大值為1，故為亮閃 光顯示。即，亮閃光顯示時顯示亮度低至最大值之ι/8。晝 面50之1/8為影像顯示領域53，非顯示領域％則佔 。貧料和/最大值接近丨/丨之影像乃像素16幾乎全為高灰 階顯示。若以直方圖呈現，則大多數之資料分佈於直方圖 1〇之高灰階顯示領域。該影像顯示中影像呈過度曝光（白◦石 杜）狀態而無濃淡鮮明感。因此，乃選擇第86圖等中之伽 馬曲線η或接近η者。 資料和/最大值為1/1〇〇時，dmy比為"丨。晝面5〇全 體皆為顯示領域53。因此，N倍脈衝驅動無法實施。杜 15兀件15之發光免度則直接成為畫面5Q之顯示亮度。影像 顯示幾乎全為黑顯示，且一部分呈影像顯示之狀態。若以 影像呈現，則所謂:#料和/最大值^ ι/ι〇〇之影像顯示，即 於全黑之夜空中出現月亮之影像。該影像中將_比設為 1/1，則形成月亮之部分以亮閃光亮度8倍之亮度顯示之情 20形。有影像顯示者為1/1〇〇之領域，因此縱將ι/ι〇〇之領 域之亮度設為8倍，電力消耗量亦僅有微量之增加。 貝料和/取大值接近1/1〇〇之影像乃像素Μ幾乎全為 低灰階顯示。若以吉古闰〇 :日 、 直方圖壬現，則大多數之資料分佈於直 方圖之低灰階顯示領域。該影像顯示中影像呈曝光不足狀 232 1254264 玖、發明說明 態而無濃淡鮮明感。因此，乃選擇第86圖等中之伽馬曲線 b或接近b者。 如上所述，本發明之驅動方法係隨duty比變大而增加 伽馬之X乘數，且隨duty比變小而減少伽馬之X乘數。第 5 89圖中資料和/最大值於1/100以下時使基準電流之倍率變 化達3倍。資料和/最大值為1/100時令duty比為1Λ，並 藉由duty比提高畫面亮度。隨資料和/最大值變小且低於 i/loo時，增加基準電流之倍率。因此，發光之像素16即 以更南之亮度發光。舉例言之，所謂資料和/最大值為 10 1/1000，若以影像呈現，即於全黑之夜空中出現星星之影 像。該影像中將duty比設為i/i，則形成星星之部分以亮 閃光亮度8x2=16倍之亮度顯示之情形。因此，可實現動 悲範圍廣之影像顯不。有影像顯示者為1/1〇〇〇之領域，因 此縱將1/1000之領域之齐；fί Α μ 只χ儿度σ又為16倍，電力消耗量亦僅 15 有微量之增加。 之驅 基準電流之控制有-難以維持白平衡之問題點。伸， 例如全黑之夜空中出現星星之影像中，縱使白平衡有所偏 差亦難以由視覺辨識出白平衡偏差。由此可知，於資料和/ 最大值於極小範圍内進行基準電流控制乃本發明最佳0 20 動方法。 資料和/最大值為"刪時，duty比為 i面 50 全體皆為顯示領域53。因此，N倍脈衝驅動無法實施。虹

兀件15之發光亮度則直接成為晝面 EL < ,，、、M不売度。 顯不幾乎全為黑顯示，且—部分呈影像顯示之狀態。 233 1254264 玖、發明說明 資料和/最大值接近1/1000之影像乃像素16幾乎全為 低灰階顯示。若以直方圖呈現，則大多數之資料分佈於直 方圖之低灰階顯示領域。該影像顯示中影像呈曝光不足狀 態而無濃淡鮮明感。因此，乃選擇第86圖等中之伽馬曲線 5 b或接近b者。 如上所述，本發明之驅動方法係隨基準電流變小而增 加伽馬之X乘數，且隨基準電流變大而減少伽馬之χ乘數 第89圖中顯示，基準電流之變化及dmy比控制之變 10化為直線變化，但本發明並非以此為限，亦可如第9〇圖所 示呈曲線頦示基準電流之倍率控制及duty比控制。第 圖、第90圖中，橫軸之資料和/最大值為對數，因此基準 電流控制及duty比控制之線形成曲線自屬當然。資料和/ 最大值與基準電流倍率之關係、資料和/最大值與duty比 15控制之關係，宜配合影像資料之内容、影像顯示狀態、外 部環境而設定。 20 第89圖、第90圖係使RGB之duty比控制、基準電 流控制相同之實施例、然，本發明並非以此為限，亦可如 第91圖所示於RGB改變基準電流倍率之傾斜。㈣圖中 係將監色（B )之基準電流倍率之變化傾斜設為最大， 將、、、彔色（G)之基準電流倍率之變化傾斜設為次大，而將 、、工色（R )之基準電流倍率之變化傾斜設為最小。若增加 基準m，則流至EL元件15之電流亦變大。ej^元件之 RGB W U流至Εχ元件Η之電流 234 1254264 玖、發明說明 變大則相對於施加電流之發光效率變差，特別Ib於此之 傾向甚為顯著。因此’若不依咖調整基準電流量則益法 取得白平衡。故’如第91圖增加基準電流倍率時（流至各 刪之此元件15之電流較大之領域），為可維持白平衡 ’則使臟之基準電流倍率各異乃屬有效之方法。資料和 /最大值與基準電流倍率之關係、資料和/最大值與d吻比 控制之關係’宜配合影像資料之内容、影像顯示狀態、外 部環境而設定。 10 15 第圖係-使RGB之基準電流倍率皆不同之實施例 。第92圖則使duty比控制亦不相同。資料和/最大值於 麵以上時MG設為相同，W之傾斜較小。又G 與R於moo以下時為’比1Λ，而6於1/1〇〇以下時 為duty比1/2。上述驅動方法可藉由第125圖至第圖 所說明之驅動方法加以實施。若以上述方式進行驅動，則 可使膽之白平衡調整達最佳之狀態。f料和/最大值與 基準電流倍率之關係、資料和/最大值與㈣比控制之關 係’宜配合影像資料之内容、影像顯示狀態、外部環境而 設定。此外’宜構造成可由使用者自由設定或調整之狀態 第89圖至第91圖係舉例以資料和/最大值於ι/ι〇〇時 為分界而改變基準電流倍率與duty比之方法。其係設定成 以資料和/最大值於一定值時為分界而改變基準電流倍率與 duty比，且不使改變基準電流之領域與改變duty比之領域 重疊。構造成如此狀態則白平衡之維持容易。即，資料和/ 235 1254264 玖、發明說明 最大值於1/100以上時使duty比改變，資料和/最大值於 1Π00以下時則改變基準電流。且不使改變基準電流倍率之 領域與改變duty比之領域重疊。此方法即為具有本發明特 徵之方法。 5 另，先前乃設定為資料和/最大值於1/100以上時改變 duty比，資料和/最大值於1/1〇〇以下時改變基準電流，但 設定為與上述相反之關係亦可。即，亦可為資料和/最大值 於1/100以下時改變duty比，資料和/最大值於1/1〇〇以上 時改變基準電流。又，亦可為資料和/最大值於ι/ι〇以上 10時改變duty比，資料和/最大值於1/100以下時改變基準電 流，資料和/最大值方H/HK)以上1/10以下時使基準電流倍 率及duty比為一定值。 15 20 此應視情況而定，本發明並不以上述方法為限，亦可 如第93圖所示為資料和/最大值於1/1〇〇以上時改變—y 比’資料和/最大值於1/10以下時改變B之基準電流。此 使B之基準電流變化與RGB之duty比變化重疊。 以較快速度交互反覆明亮畫面與暗晝面時，將產生隨 變化改變duty比而導致閃爍之情形。因此’由某一 比變為另-duty比時’宜設定遲滞（時間延遲）再使其改 變。舉例言之，若將遲滯時間設為_，則於⑻期間内 ’縱使晝面亮度明暗反覆多次亦可維持以前之㈣比，亦 即，duty比不會改變。 該遲滞（時間延遲）時間稱為細時間，又，改變前 之_比稱為變化前duty比’改變後之—比稱為變化 236 1254264 玖、發明說明 後duty比。 由變化前duty比小之狀態變為另一 duty時，容易引 卷口改’欠所致之閃爍。變化前d如y比小之狀態係畫面 之資料和小之狀恶或晝面5〇上黑顯示部多之狀態。因此， 5推測晝面50為半色調顯示時可見度較高。又，此係由於 duty比小之領域中，具有變化前後此以之差變大之傾向。 當然，duty比之差變大時則以〇EV2端子控制。但，縱為 OEV2控制亦有所限。由上述可知，變化前加汐比較小時 ’須延長wait時間。 1〇 由變化前此以比大之狀態變為另一 duty時，容易引 么因改變所致之閃爍。變化前duty比大之狀態係畫面％ 之資料和大之狀態或晝面50上白顯示部多之狀態。因此， 推測畫面50全體為白顯示時可見度甚低。由上述可知，變 化别duty比較大時宜縮短wait時間。 15 以上關係頒示於第94圖。橫軸為變化前duty比，縱 軸為Wait時間（秒）。duty比於1/16以下時，Wait時間增 長為3秒（sec)。duty比於ι/16以上且為duty比8/16 (二 1/2)時，因應duty比將Wait時間由3秒變為2秒。如^ 比8/16以上且duty比16/16二1時，則因應duty比由2秒 20 變為0秒。 如上所述，本發明之duty比控制係因應duty比而改 變Wah時間。duty比小時增長Wait時間，如以比大時則 縮短Wait時間。即，此係一至少可改變dmy比之驅動方 法，其特徵在於第1變化前duty比設定為較第2變化前 237 1254264 玖、發明說明 duty比小，第1變化前duty比之Wait時間設定為較第2 變化前duty比之Wait時間長。 另’上述貫施例中，係以變化前duty比為基準而控制 或規疋Wait時間。但，變化前duty比與變化後duty比之 5 差距甚微。因此，前述實施例中亦可將變化前duty比另解 為變化後duty比。 又，上述實施例中，係以變化前duty比與變化後duty 比為基準進行說明。變化前duty比與變化後duty比之差 距大時當然必須增長Wait時間。此外，duty比之差距大時 10 ’最好經由中間狀態之duty比再變為變化後duty比，此 乃自不待言。 本發明之duty比控制方法係一變化前duty比與變化 後duty比差距大時則增長Wait時間之驅動方法。即，係 一因應duty比之差而改變Wait時間之驅動方法。此外， 15 並為一 duty比之差大時增長Wait時間之驅動方法。 又，本發明之duty比方法，係一於duty比之差距大 時將經由中間狀態之duty比再變為變化後duty比之驅動 方法。 第94圖之實施例係將相對於duty比之Wait時間設為 20 R (紅）G (綠）B (藍）相同所作之說明。但本發明當然 亦可如第95圖所示隨RGB而改變Wait時間。此乃RGB 中可見度不同之故。藉由配合可見度設定Wait時間，即可 實現更為良好之影像顯示。 上述實施例係有關duty比控制之實施例，縱為基準電 238 1254264 玖、發明說明 流控制仍宜設定Wait時間。第96圖即其實施例。 基準電流較小時畫面50暗，基準電流大時晝面5〇明 亮。即’基準電流倍率小時可改稱半色調顯示狀態。基準 電流倍率高時，則為高亮度之影像顯示狀態。因此，基準 5電流倍率低時對變化之可見度高，故須增長Wait時間。反 之’基準電流倍率高時對變化之可見度低，是以亦可縮短 Wait時間。因此，僅需如第96圖所示設定相對於基準電 流倍率之Wait時間即可。 本發明係异出（檢測出）資料和或APL，並依據該值 1〇進行如ty比控制、基準電流控制者。第98圖係求取該 duty比與基準電流倍率之流程圖。 15 20 如第98圖所示，所輸入之影像資料可算出概略之 APL (算出暫時性ApL)，並可由該ApL決定基準電流值 與基準電流倍率。業經蚊之基準電流、基準電流倍率則 轉換為氣子笔壓控制器資料並施加於源極驅動電路1 *。 ，衫像貧料係輸入伽馬處理電路，並決定伽馬特 性。由伽馬特性業經處理之影像資料可算A APL，並由算 :之飢決定dmy比。其次，影像依據動晝或靜畫而決 疋duty圖案。所謂_圖案係非顯示領域μ與顯示領域 53之分佈狀態。動晝時係將非顯示領域52 —併插入，靜 =陶顯示領域52分散插入。因此，靜畫時係轉換成 不領域52分散插人之duty ®案。而動畫時則轉換 ::併插入非顯示領域5…吻圖案。業經轉換之圖案 广為閘極驅動電路12b之起始脈衝灯（參照第6圖）施 239 1254264 玖、發明說明 加0 第94圖帛95圖係說明因應duty比控制Wait時間 第89圖至第93圖中係說明因應資料和進行 _比控制之情形。第⑻圖制以進行_比控制及

Wait時間控制之更詳細說明圖 係數等縮小表示。 5 唯’為便於說明故將時間 第1 〇3圖中’最上段為幀（欄）編號。第2段為APL 位準（與資料和相#)。第3段表示由胤位準算出之對 應dUty比。最下段表示參考Wait時間修正後之duty比（ U)處理duty比）。即，依據各鴨之ApL位準，對應_比（ 第 3 級）變成 8/64_9/64—9/64— 1〇/64—9/64—ι〇/64 — 11/64-^ 11/64— 12/64— 14/64—....... 相對於對應duty比，處理duty比則參考Wait時間而 變成 8/64— 8/64— 8/64— 9/64— 9/64— 9/64— 10/64- 10/64 15 — 11/64— 12/64— 12/64—...... 〇 弟103圖中係依據Wait時間修正對應duty比。又， 處理duty比係分子設為整數（相較於第1〇7圖為分子具有 小數點）。第103圖係以duty比變化平順而難以產生閃爍 之方式進行驅動。第103圖中，幀3、4、5之對應duty比 20 變為9/64、10/64、9/64，但實施Wait時間控制後，處理 duty比變為9/64、9/64、9/64 (幀4中以虛線標記修正處） 。此外，第103圖中，幀9、10、11之對應duty比變為 12/64、14/64、11/64，但實施Wait時間控制後，處理（11^乂 比變為1 2/64、12/64、11/64 (幀10中以虛線標記修正處） 240 1254264 玖、發明說明 。如上述進行Wait時間控制而使duty比控制維持遲滯（ 時間延遲或低通濾波器），藉以控制為縱使APL位準急遽 變化duty比亦不改變。 如上述之duty比控制無須於1幀或1欄完結，亦可於 5數攔（數幀）之期間進行duty比控制。此時之duty比係 以數攔（數幀）之平均值為duty比。另，縱於數攔（數幀 )進行duty比控制時，數攔（數幀）期間仍宜設定在6攔 (6幀）以下。此係由於若高於此數目將產生閃爍之情形 。又，所謂數欄（數幀）並非僅限整數，亦可為2.5 φ貞（ 1〇 2.5攔）等。即，攔（幀）單位並未限定。 第104圖係一於數攔（數幀）進行duty比控制時之實 轭例。第104圖顯示進行數攔（數幀）時之概念。M為進 仃duty比控制之長度。若工欄（i幀）為像素行數256， 則]V[=l〇24相當於4攔（4幀）。即，第1〇4圖係一於* 15欄（4幀）進行duty比控制之實施例。 Μ係表示假想性閘極驅動電路121)之移位暫存器6ib 之保持資料列（參照第6圖）。保持資料列中保持有欲將施 加於閘極信號線17b之電壓設為關閉電壓或開啟電壓之資 料（開閉電壓）。該保持資料列之平均值係表示dmy比。 另第104圖中Μ當然亦可二N，此外，當然亦可視情況 以Μ< Ν之關係進行duty比控制。 舉例言之，於M= 1024之保持資料列中，若開啟電壓 貝料為256 ’關閉電壓資料為768，％ —y比為256/1咖 1 /4。另，開啟電壓資料之分佈狀態於顯示影像為動晝時 241 1254264 玖、發明說明 乃聚集保持，顯示影像為靜畫時開啟電壓資料之分佈狀態 則為分散保持。 即’設想開閉電壓資料列依序施加於EL顯示面板之 閘極信號線17b。藉由開閉電壓依序施加，則EL顯示面板 5 經duty比控制而以預定之明亮度顯示。 弟105圖係用以貫現弟104圖之duty比控制之電路構 造方塊圖。首先，映像信號（影像資料）藉由γ轉換電路 1051轉換為亮度信號。繼之，藉由APL運算電路1〇52求 取APL位準（資料和或資料和/最大值）。依據該apl位準 10而以攔（幀）單位算出duty比，結果則儲存於堆疊電路 1053中。堆疊電路1053係一 first in first 〇ut構造。另， 藉由Wait時間控制修正duty比再儲存於堆疊電路} 〇53中 。儲存於堆疊電路1053之duty比資料藉由平行/串列轉換 (P/S)電路1054形成移位暫存器61b之ST脈衝（參照第 15 6圖）而施加，並依照所施加之資料編號由閘極驅動電路 12b輸出閘極信號線丨7b之開閉電壓。 上述貫施例中係以欄或幀實施duty比控制，但本發明 並非以此為限，舉例言之，亦可令丨幀=4欄，並以多數 棚為單位而進行duty比控制。以多數爛進行㈣比控制 20可實現無閃爍產生之平穩影像顯示。 第106圖中，1 一1係指1幀中之第1攔，1 一 2指1幀 中之第2攔，卜3指1幀中之第3欄，1 —4指i幀中之第 4攔。此外，2—1則指2幅中之第！攔。 —y比為；|28/1〇24— 132/1〇24之轉變時，係呈1—】 242 1254264 玖、發明說明 中為 128/1024，1 — 2 中為 129/1024，1 — 3 中為 130/1024 ’ 1 — 4中為131/1024，2—1中為132/1024之狀態變化。 依據以上’交化即由128/1024緩緩變為132/1024。 duty 比為 128/1024— 130/1024 之轉變時，係呈 i—i 5 中為 128/1024，1 — 2 中為 128/1024，1一3 中為 129/1024 ，1 一4中為129/1024，2— 1中為130/1024之狀態變化。 依據以上變化即由128/1024緩緩變為130/1024。 duty 比為 128/1024— 136/1024 之轉變時，係呈 1 — ι 中為 128/1024，1 — 2 中為 130/1024，1一3 中為 132/1024 10 ，1 一 4中為134/1024，2 — 1中為136/1024之狀態變化。 依據以上變化即由128/1〇24緩緩變為136/1024。 攔（幀）之duty比控制中duty比之分子無需為整數 ，舉例言之，亦可如第107圖所示控制為小數點以下。分 子為小數點以下可藉由控制〇EV2端子而輕易實現。又， 15利用多幀（攔）之平均duty比即可使duty比之分子看起 來為小數點以下。反之，亦可使duty比之分母為小數點以 下第107圖中係使分子為30.8、31.2等小數點以下之狀 〜、另，藉由將分母、分子設定為一定大小之整數則可無 須设為小數點以下。 動畫與靜晝中，係使duty比圖案改變。若使duty比 圖案急遽改變則可辨識影像變化，此外，有時將產生閃爍 之^形。此一課題乃因動晝之duty比與靜畫之duty比之 是異而產生。動晝係使用將非顯示領域52 —併插入之duty 圖案，靜畫則使用將非顯示領域52分散插入之加巧圖案 243 1254264 玖、發明說明 。非顯示領域52之面積/畫面面積50之比率即為duty比 。但，縱為同一 duty比，人類之可見度亦因非顯示領域52 之分散狀態而異。 中門動I係非頒示領域5 2之分散狀態介於動書分散狀 5怨與靜晝分散狀態中間之分散狀態。另，中間動晝亦可準 備多數狀態，再對應變化前之動畫狀態或靜畫狀態而由多 數中間動畫中加以選擇。所謂多數之中間動晝狀態乃非顯 不項域之为散狀態接近動畫顯示，此可舉非顯示領域W分 告’J為3之構造為例。 縱為靜晝亦有明亮影像及暗影像，而動畫亦同。因此 ，依據變化前之狀態決定轉移至哪一中間動畫之狀態即可 。又’亦可視情形而轉中間動畫直接㈣畫轉移至靜畫 。亦可不經巾間動畫直接由靜畫轉移至動畫。舉例言之'" 低亮度畫面50之影像縱為動畫顯示與靜晝顯示直接移動亦 15無失調感。此外，亦可經由多數中間動畫顯示而轉移顯示 狀態，舉例言之’亦可由動畫顯示之㈣比狀態轉移至中 間動畫顯示！之㈣比狀態，再轉移至中間動畫顯示：之 duty比狀態後轉為靜畫顯示之如以比狀態。 戈口弟圖所示由動畫顯示移動至靜 20 由中間動畫狀態。又，由藉壹日5 _ / ，丄 、、’工 由砰！頦不經由中間動畫顯示而轉 移至動畫顯示。各狀態之轉移時間宜設置㈣時間。τ 第U0圖係顯示轉移動晝與靜畫及中間動畫時〜比 、非顯示領域之分散數。楚7 , Λ ®中顯示，動晝靜晝 為0時影像顯示為動書位進，炎 / —位旱，為〗時影像顯示為準動晝 244 I254264 玖、發明說明 中間動晝）狀態。此外並顯示動壹 助旦砰畫位準為2時影像顯 不為靜晝狀態。 、分散數為非顯示領域52之分割數。1係表示非顯示領 或52併插入畫面。30係表示非顯示領域52分割成3〇 而插入。同樣地5〇即表示非顯示領域52分割為50而插入 y比先刚亦已祝明’係表示白顯示之亮度降低率。即 ，所謂duty比1/2乃表示最高白亮度μ之顯示狀態。 如第no圖所示，由動畫轉移至靜晝時以及由靜晝轉 l〇 15 20 動旦％冑晝靜晝位準於經由中間動畫（準動晝）後 降低。 里 二畫轉移至靜畫之時間宜如㈣圖所示設置_ 一 川了由動晝之比例決定。第⑴圖中橫轴之 不同資料數係表示於笨_ — 方、某幀與下一幀間進行動晝檢測，並 藉動晝檢測而測出之動全★v, " J出之動畫比例。即’橫軸為於鴨間進行運 鼻且影像資料不同之# + 丁堤 〜 象素比例。因此，數值愈大即愈接近 = 弟111圖中愈接近動晝顯示則胸1間保持愈 控制進行說明，乃針對本發明之有機 ”、'頁不衣置之電源雷枚 路况明。第H2圖係本發明 路構造圖。：k ^ * 為控制電路，用以控制電阻U25a鱼 1125b之中點電位’並輪出電晶體⑴ 、 壓哭mi夕， ㈤杜“號。於變 °口 之1次側施加電源vPc，並藉由電晶體n2 開閉控制使1次側 之 人側之毛流傳至2次側。U23為整流 ]】24為平流電容器。 且 245 1254264 玫、發明說明 有機EL顯示面板於陽極vdd與陰極Vk間形成（配置 )有EL元件15。由第112圖之電源電路接收陽極Vdd電 壓及陰極Vk電壓之供給。EL元件15不發光時，於陽極-陰極間通過之電流為〇。本發明之duty比控制係於每一像 5素行施加閘極信號線17b之開閉電壓，並進行元件15 之電流控制。又，並掃瞄業經施加開啟電壓之閘極信號線 17b之位置。舉例言之，第97圖係一將非顯示領域52分 割為4之實施例。第97“)、(13)、（〇、“）81中非顯示 領域52之大小各異。但，非顯示領域％係由晝面％之上 1〇部掃瞄至下部（逐漸移動）。同樣地顯示領域53亦由晝面 50上方向下掃瞄。相當於非顯示領域之像素μ之 元件15中並無電流流至。反之，相當於顯示領域兄之像 素16之EL元件15中則通過電流。 在此為說明此一課題，乃舉一非顯示領域52與顯示領 5域53於母_像素行中反覆顯示之顯示圖案為例。該顯示狀 恶為黑白之橫條紋顯示。即，奇數像素行為白顯示，偶數 像素行為黑顯示。另，該顯示圖案稱為1橫條紋。 舉一令像素行數為220像素行且dmy比為11〇/22〇之 2〇狀態為例。所謂細口匕刪2〇係、對閘極信號線17b於每 2〇 1像素行施加有開啟電壓與關閉電壓之狀態。又，業經施 力’啟電壓或關閉電壓之閘極信號線m位置係與水平同 步信號同步掃目替。因此，若僅著眼於某一像素行之問極信 號泉17b’則該閑極信號線17b中與水平同步信號同步交 互重複顯現開啟電壓施加狀態與關閉電壓施加狀態。若以 246 1254264 玖、發明說明 畫面50全體為去旦 間中，奇數像夺置則於偶數像素行施加開啟電麼。於該期 後則… 施加有關閉電麼’於1水平掃猫期間 象素行施力，刚，在此期間偶數像素行上 乃鈀加闕閉電壓。 5 紋顯=像^丁為白顯示且偶數像素行為黑顯示之1橫條 路奇數像素行上施加有開啟電塵時電流由電源電 頌不7員域。但’偶數像素行上施加有開啟電壓時， 由於偶數像素行為黑 顯示領域。因此，1^ 會由電源電路流至 10 电源電路於每1水平掃瞒期間反覆進行 =一動作與完全不通過電流之動作。此動作對電源 电路而言並非良好之現象。此係由於電源電路將產生過渡 現象，且導致電源效率惡化。 15 第100圖所示者即用以解決此一課題之驅動方式。第 100圖中非將dUty比設為1/2，而形成畫面50内產生多數 _比之狀態，且控制成縱為1横條紋顯示仍隨時通過電 流之狀態。 第_⑴⑴圖係產生dmyttl/2與㈣比㈣ 心比1/3,且全體實現（1_間之平WdUty比^ 如上所述，藉由在1幢期間中組合多數一比’則縱為i 20橫條紋顯示，源自電源電路之輪出電流仍無法形成開閉狀 態。即，大多可顯示多數如1橫條紋等較具規則之顯示圖 案。相對於此’若進行非顯示領域52寬度形成等間隔之 duty比圖案之duty比控制，則雷

Ji源電路亦產生負擔。因此 ，宜驅動成畫面50上同時產生客 夕数duty比圖案之狀態。 247 1254264 玖、發明說明 又，duty比圖案並非為單一 duty比圖案，宜為1幀或多數 幀（攔）之平均而形成預定duty比。 另，第100圖中，duty比圖案當然可如第97圖所示由 畫面50上方向下掃目苗。又，本發明之duty比控制方法中 ’係與水平同步信號同步使掃瞄位置每隔1像素行移動， 但並非以此為限。舉例言之，亦可與水平信號同步於多數 像素行 移動掃瞄位置。此外，掃瞄方向並未限定為由 畫面50上方向下移動，舉例言之，亦可第i欄中由晝面 50上方向下掃瞄，而第2攔則由晝面50下方向上掃瞄。 10 15 20 第1〇〇圖係於1像素行中每一業已分散之閘極信號線 1几施加開啟電壓與關閉電壓之驅動方法，但本發明並非 、此為限帛101 ( a)圖為第100圖之驅動狀態。用以實 現同樣晝面50亮度之驅動，可藉第1G1⑴圖之duty比 θ卞見見帛101 (b)圖中係使施加開啟電塵或關閉電壓 之像素行成連續狀態。 用以貫現同一書面50古疮+ j 一 一 儿度之duty比圖案有各種圖案 有士第102 ( a )圖所示將非频

Fi、、、貝不7員域52分散成極多部 刀之圖案？亦有如繁 狀能r , ⑴圖般非顯示領域52之分散 狀悲較少之圖案。若 )同夕同余 （a)圖之圖案連同第102 (b )圖之圖案之duty比約分，將 ^ 將圮成相同分散狀態。因此， 旦面50免度可形成相同。 EL顯示面板中因E]L元 門弱。奸w θ 之另化而有影像暫留之 锊別疋影像容易以固定 ,本發明㈡木曰邊。為對應此一課題 枣心明具備有用以顯示固 疋圖案之次影像顯示領域50b 248 ί254264 玖、發明說明 曰（次畫面）。顯示領域50a (主畫面）為電視影像等之動晝 _示領域。 5 10 15 20 第147圖之本發明EL顯示面板中，次畫面働與主 晝面術之閘極驅動電路12為共通狀態。次書面鄕設為 2〇像素行以上。因此，舉例言之即畫面5W像素行 之主畫面50a與24像夸;^夕；+ 言仃之-人旦面5〇b構成。另，像素列 數為 176xRGB。 主晝面50a與次晝面通亦可如第149圖所示般明確 離第149圖中，主畫面5〇a與次晝面鳩間設有空間 BL。空間BL係一無像素16形成之領域。 另，亦可改變主晝面（主面板）與次晝面（次面板） 之像素中驅動用電晶體W之魏（w為驅動用電晶體之 ^道寬度、L為驅動用電晶體之通道長度）。基本上係增加 -人晝面（次面板）t W/L。又，亦可改變主晝面（主面板 )池之像素16a尺寸與次畫面（次面板）通之像素⑽ 大小。此外，亦可將主晝面（主面板）5〇a之陽極電壓或 陰極電壓、與次晝面（次面板）攝之陽極電Μ㈣或陰 極包壓Vk設為另一電壓，並改變施加之電壓。 又，將次面板71b與主面板71a如第15〇 (b)圖所示 重=使用時’於密封基板（密封薄膜層）W與密封基板 (岔封缚膜層）85b間配置或形成緩衝層1504。該緩衝層 1504可以鎂合金等金屬形成之薄板或薄片、聚酯等樹脂 形成之薄板或薄片為例。 亦可如第150圖所示，將用以顯示次晝面5〇b之次面 249 1254264 玖、發明說明 板71b另外設置。主面板71a與次面板7lb係藉撓性基板 84而與源極信號線18a及18b連接。撓性基板84上先形 成連接佈線1503，並於源極信號線18a之終端配置由類比 開關1501構成之類比開關群。類比開關15〇1係用以控制 5是否將源自源極驅動電路14之電流信號供給於次面板71b 為進行類比開關1501之開閉控制而形成開關控制線 1502。藉由輸至開關控制線15〇2之邏輯信號可控制對次面 板之信號供給並顯示影像。 1〇 另，亦可如第9圖之說明於WR側形成祕信號線17 ，亚形成或配置第40圖所說明之點亮控制線4〇1，而不於 次面板71b上形成閘極驅動電路或安裝閘極驅動冗晶片。 類比開關1501宜為如第152圖所示組合p通道與n L C之CMOS型。於開關控制線1502之中途配置反相器 B 1521藉以開閉控制開關15〇1。此外，亦可如第⑸圖所示 僅以P通道形成類比開關1501b。 人面板71 b與主面板71 a中之源極信號線1 $數目 不同時，亦可構造成如第154圖所示之狀態。令類比開關 1501a與1501b之輸出短路，並連接於同一端子1522&。此 外亦可如第I55圖所示構造成將類比開關1501b之輸出 連接於vdd電壓且不開啟之狀態。另，亦可如第156圖所 厂、不而入人面板7 1 b連接之源極信號線1 8終端配置或形 成類比開關1 50〗a Γ 1 ςm 1 , ^ λ (1501al、】5〇】a2 )。類比開關15〇〗a係 構造成施加關閉電壓且不開啟之狀態。 250 1254264 玖、發明說明 繼之，針對有關用以實施本發明驅動方式之本發明顯 示機器之實施例進行說明。第157圖係一資訊終端裝置實 例之行動電話平面圖。框體1573上裝設有天線⑼、按 鍵1572等，而1572等為顯示色切換鍵或電源開關鍵、幢 5 速率切換鍵。 砀則、口J構造成按 模式，再按㈣-按鍵1572則顯示色變成4_色模式， 再按該按鍵1572則顯示色變成26萬色模式之順序。按鍵 10 15 20 為每經按壓即改變顯示色模式之雙態觸變開關(t〇ggle _h)。另，亦可另外設置對顯示色之變更按鍵。此時， 按鍵1572變成3個（以上）。 按鍵1572除按鍵式開關外’亦可為滾輪開關等其他機 械開關，此外亦可為藉由語音辨識等㈣者。舉例言之， 可構造成以語音輸入來實施4096色之變更，例如將「古。 質顯示」、「侧色模式」或「低顯示色模式」語音輸二 筒而使顯示於顯示面板之顯示畫面5G上之顯示色改變之狀 態。此可藉㈣用現行語音韻技餘易實現。 …又，顯示色之切換亦可藉由電性切換開關，或藉觸碰 心於顯⑶板之顯示部5G上之選單進行選擇之觸碰面板 而進行。此外，亦可構造成憑按壓開關之次數切換'或如 鍵音球（chck ball)般藉旋轉或方向切換之狀熊。 1572為顯示色切換鍵，但亦可料^切換巾貞速率之 按鍵等’此外’亦可作為用以切換動晝與靜晝之按鍵等。 又，亦可將動晝、靜晝與刪等多數要件同時切換。另 251 1254264 玫、發明說明 ，亦可構造成若持續按壓則幀速率緩緩（連續地）變化之 片〜。此日守可於用以構成振盪器之電容器C、電阻R中藉 由將甩阻R設為可變電阻或設為電子電壓控制器而實現。 “各扣T藉由δ又為可調電容（trimmer capacit〇r)而實現 此外，亦可藉由先於半導體晶片形成多數電容器，並選 擇1個以上之電容器，再將其等形成電路並聯而實現。 進而，就採用本發明之EL顯示面板抑或EL顯示裝置 或驅動方法之貫施型態，參照圖式加以說明。 隹為便方；δ兒明乃作模式化描述。此外並有部分擴大 1〇或縮小之部分且亦有省略之部分，舉例言之，第158圖中 省略目鏡護罩（eyepiece c〇ver)。上述事項亦適用於其他 式中。 框體1573裏面係形成暗色或黑色。此係為防止EL顯 示面板（顯示裝置）1574所射出之雜散光於框體1573内 15面亂反射而使顯示對比降低。又，顯示面板之光射出側配 置有相位板（λ/4板等）1〇8、偏光板1〇9等。此於第1〇 圖、第11圖中亦已說明。 目鏡環（eyepiece ring)158i上裝設有放大透鏡1582, 觀察者可改變目鏡環1581於框體1573内之插入位置，調 20 整至顯示面板1574之顯示影像50上有焦點之狀態。 又’僅需視必要於顯示面板1574之光射出侧配置凸透 鏡1583，即可收聚射入放大透鏡1582之主光線。因此， 可縮小放大透鏡1582之透鏡直徑，並可將觀景器變小。 第159圖係視訊攝影機之透視圖。視訊攝影機具備攝 252 1254264 玖、發明說明 影（錄像）透鏡部Η%與視絲職本體助，且攝影 透鏡部1592與觀景器部1573呈相背向狀態。又，觀^ (-併參照第158圖）1573中裝設有目鏡，觀察者（使用 者）即由忒目鏡部觀察顯示面板1574之影像。 此外’本發明之EL顯示面板亦作為顯示勞幕使用。 顯示晝面50可以支點1591自由調整角度。不使用顯示書 面50時，則收回放至收藏部1593。 10 15 開關1594係—用以實施以下機能之切換或控制開關。 開關测乃顯示模式切換開關。開關1594宜亦裝設於行 動電話等中。現就該顯示模式切換開關1594進行說明。 本發明之驅動方法之-係將N倍電流流至EL元件15 並僅方、1F之1/M帛間使其點亮。藉由改變該點亮期間則 可數位式變更明亮度。舉例言之，令N=4，而將4倍之電 流流至EL元件15。若令點亮期間為i/m，且切換成^丄 、2、3、4’則可進行丨至4倍之明亮度切換。另，亦可構 造成可變更為M=1、以、2、3、4、5、6等之狀態。 以上切換動作係用於—使顯示亮度降低，以於將行動 电居㉙不☆等之電源開啟時，使顯示畫面⑽非常明亮， 且經過-定時間後儲存電力之構造上。又，亦可作為用以 設定成使用者希望之明亮度之機能使用。舉例言之，於屋 外等時將晝面調成非常明亮，此係由於在屋外時周邊明亮 將導致畫面完全看不見。但’若以高亮度持續顯示則此 元件】5將急遽劣化。因此，調成非常明亮時，須先構造成 可於短時間内回覆-般亮度之狀態。進而，以高亮度顯示 20 Ϊ254264 坎、發明說明 ^ ’須先構造成可藉由使用者按壓按鈕而提高顯示亮度之 狀態。 口此’且先形成使用者可藉按紐開關1594進行切換之 狀悲’或，先構造成可藉設定模式自動變更或可測出外部 光線明亮度而自動切換之狀態。此外，宜先構造成使用者 等可將顯示亮度設定為50%、60%、80%之狀態。 10 15 20 另，顯示晝面50宜為高斯分佈顯示。所謂高斯分佈顯 不乃中央部之亮度較明亮，而使周邊部較暗之方式。視覺 上，若中央部明亮則周邊部縱使較暗亦感覺明亮。依據主 觀砰價，若周邊部相較於中央部保有7〇%之亮度，則視覺 上感覺亳不遜色。縱使再作降低而使其保有50%亮度，大 致上仍無問題。本發明之自發光型顯示面板係利用先前說 明之N倍脈衝驅動（將N倍電流流至el元件Μ並僅於 1F之1/M期間内點亮之方法）而使畫面由上往下產生高斯 分佈。具體而言，乃於畫面之上部與下部增加M之值，而 表中央部降低M之值。此係藉由調變閘極驅動電路12之 移位暫存H動作速料而實現。晝面左右之明亮度調變乃 表中資料與映像資料相乘而發生。藉由上述動作，則於周 邊亮度（視角0.9)為50%時，較1〇〇%亮度時可降低約 /之电力/肖耗里。周邊壳度（視角〇·9 )為川％時，較 100%亮度時可降低約15%之電力消耗量。 2，高斯分佈顯示為可進行開閉宜設置切換開關等。 舉:s之’此乃在屋外時若進行高斯顯示則畫面周邊部完 全看不見之故。因m形成使用者可藉按-進行切換 254 1254264 玖、發明說明 之狀態，或，先構造成可藉設定模式自動變更或可測出外 部光線明亮度而自動切換之狀態。此外，宜先構造成使用 者等可將顯示亮度設定為50%、60%、80%之狀態。 液晶顯示面板中背光源產生有固定之高斯分佈，因此 5無法進行高斯分佈之開閉。可開閉高斯分佈乃自發光型顯 示裝置特有之效果。 又，幀速率為預定速率時，有時因室内螢光燈等之點 儿狀怨干擾而產生閃燦之情形。即，螢光燈以6〇hz之交 流點亮時，EL顯示元件15即以幀速率6〇Hz進行動作， 10如此一來將產生微妙之干擾，且感覺晝面呈緩緩忽明忽滅 之狀態。為避免此情形則應改變幀速率。本發明即附加有 幀速率之變更機能。此外，於N倍脈衝驅動（將N倍電流 流至EL元件15並僅於1F之1/M期間點亮之方法）中， 構造成可改變N或Μ之值之狀態。 15 形成可以開關1594實現上述機能之狀態。隨顯示晝面 50之選單多次按壓開關丨594，藉以切換實現以上說明之機 厶匕 月匕° 另’上述事項並非僅限於行動電話，當然亦可用於電 視、螢幕等。又，為使使用者可立即辨識呈何種顯示狀態 20 ，則宜先於顯示畫面進行圖像（icon)顯示。上述事項對下列 事項而言亦同。 本實施型態之EL顯示裝置等並不僅用於視訊攝影機 ，亦可適用於第160圖所示之電子攝影機、靜像攝影機等 。顯示裝置係用作攝影機本體]601所附屬之營幕5〇。攝 1254264 玖、發明說明 影機本體1601上除快門16〇3外，並裝設有開關1594。 上述情形係顯示面板之顯示領域為較小型時，但若為 寸乂上之大型者則頭示畫面50容易產生偏轉。為採取 對朿，本發明乃如第161圖所示於顯示面板加上外框1611 ，亚裝設有一可懸吊外框1611之固定構件1614。利用該 固定構件1614則可裝設於牆壁等。 但，顯示面板之畫面尺寸若變大則重量亦變重。因此 ，乃於顯示面板之下側配置腳架裝設部1613，而可由多數 腳架1612支持顯示面板之重量。 10 20 腳架1612係構造成可如a所示左右移動，且可如b 所不收縮之狀態。因此，縱於狹窄場所亦可輕易設置顯示 裝置。 ’'V *第161圖之電視中係以保護膜（亦可為保護板）被覆 旦面之表面。纟目的之一係為防止物體觸碰顯示面板表面 而導致破損。保護膜表面形成有AIR锻層，且，藉由對表 面進行壓紋加工以抑制外部狀況（外部光線）寫入顯示面 板0 面板間散佈珠承（bea(js)等 於保護膜裏面形成微細之 構造成藉由在保護膜與顯示 而可配置一定空間之狀態。又， 凸部’並藉該凸部使顯示面板與保護膜間保持空間。如此 藉由保持空間而控制保護膜所帶來之衝擊傳至顯示面板。 又，於保護膜與顯示面板間配置或注入醇、乙二醇等 液體或凝膠狀之丙稀酸樹脂或環氧等固體樹脂等之光結合 劑亦甚具效果。此係由於其可防止界面反射，且前述光: 256 1254264 玖、發明說明 合弹]發揮作為緩衝材之功用。 5 前述保護膜可以聚碳酸醋膜（板）、聚丙稀膜（板）、 丙烯酸膜㈠反）、聚醋膜（板）、PVAM (板）等為例，者 然亦可使用其他如工程樹脂膜（ABS等）。此外，亦可為 強化玻璃等無機材料所製成者。將配置保護膜改為將顯示 面板之表面塗敷o.5mm以上2.0mm以下厚度之環氧樹脂、 齡樹脂、丙烯酸樹脂，亦具有同樣之效果。此外，於該等 樹脂表面進行壓紋加工等亦屬有效。 10 15 20 又，於保護膜或塗敷材料之表面塗佈氟亦甚具效果， 此係由於如此即可以洗劑等㈣揩拭附著^表面之辩污。 此外村增厚形成保護膜以兼作前光源（from light)之用 Ο 本^明貝施例中之顯示面板與3邊無電路構造組合當 '、亦屬有’文’特別是3邊無電路構造為利用非晶石夕技術f 作像素時甚為有效。又，以非晶石夕技術形成之面板益法進 行電晶體元件特性不均之製程控制’因此宜實施本發明之 N倍脈衝驅動、 重°又驅動、虛擬像素驅動等。即，本發明 中之電晶體1 ]笙、， 石夕技術製成者。，=限以多晶碎技術製成’亦可為藉非晶 /、P ’本發明之顯示面板中用以構成 16之電晶體 '、可為利用非晶石夕技術形成之電晶體。此 外，閘極驅動電敗 、源極驅動電路14當然亦可以非曰 石夕技術形成或構成。 ^非日日 七月之N倍脈衝驅動（第）3、} 6、j 9、” 、24、30 圖莫） 一 ，寺，4於以非晶矽技術形成電晶體u之 257 χ254264 玖、發明說明 顯不面板較以低溫多晶石夕技術形成電晶體η之顯示面板有 效。此係由於非晶矽技術製成之電晶體u中相鄰電晶體之 特性約略-致之故。因此，縱以業經加算之電流驅動，各 電晶體之驅動電流亦大致達到目標值（特別是第22、^、 5 30圖之N倍脈衝驅動於非晶石夕技術所形成之電晶體之像素 構造中甚為有效）。

Duty比控制驅動、基準電流控制、n倍脈衝驅動等本 說明書中所載之本發明驅動方法及驅動電路等，並非限定 為有機EL顯示面板之驅動方法及驅動電路。第173圖所 W示場致發射顯示器（FED)等其他顯示器中當然亦可適用 15 20 乐…圖之FED中陣列基板71上形成有用以呈矩陣 狀發射電子之電子發射突起1733 (與帛10圖中之像素電 極105相當）。像素中形成有用以保持源自映像信號電^ 1732 (與第i圖中之源極驅動電路14相當）之影像資料之 保持電路叫與第】圖中之電容器相當）。控制電極 咖則藉由開閉控制電路1735 (與第ι圖中之閘極驅動電 路12相當）施加電壓信號。 以第173圖之像素構造並如g m圖所示構成周邊電 路’即可實施duty比控制驅動或N倍脈衝驅動等。影像資 料信號㈣像信號電路1732施加於源極信料Μ。由二 閉控制電路n35a施加像素選擇信號於選擇信號線2丨73教 依序選擇像素16，且寫人影像資料。此外，由開閉控制電 路1735b施加開閉信號於開閉信號線n42，並對之 258 1254264 玖、發明說明 像素進行開閉控制（duty比控制）。 本發明之實施例所說明之技術性思想可適用於視訊攝 影機、投影機、立體電視、投影電視等，此外，亦可適用 方、觀厅、為'、行動電話之螢幕、PHS、行動資訊終端機及其 5 螢幕、數位相機及其螢幕。 又’電子照相系統、頭盔顯示器（head mount display) 、直視螢幕顯示器、筆記型個人電腦、視訊攝影機、電子 靜像攝影機亦可適用。此外，亦可適用於現金自動提領櫃 員機之螢幕、公眾電話、視訊電話、個人電腦、手錶及其 10 顯示裝置。 進而’當然亦適用或可拓展應用於家庭電器機器之顯 示營幕、小型遊戲機及其螢幕、顯示面板用背光源或家庭 抑或業務用之照明裝置等。照明裝置宜構造成可改變色溫 之狀態。此可藉由將RGB之像素形成條紋狀或點陣狀，並 15凋整流至其等中之電流而變更色彩溫度。此外，亦可應用 於廣告或海報等顯示裝置、RGB之信號器、警報顯示燈等 肇 〇 又，有機EL顯示面板對作為掃描器之光源亦為有效 以RGB之點陣為光源而於對象物上照射光，並讀取影像 〇 田然亦可為單色。此外，並不限為主動矩陣，亦可為單 、、屯矩陣。右僅需調整色彩溫度，則影像讀取精石隹度亦提高 〇 有核：EL _示裝置對於液晶顯示裝置之背光源亦 屬有效。藉由將EL顯示裝置（背光源）之RGB像素形成 259 1254264 玫、發明說明 條紋狀或點陣狀並調整流至其等中之電流，可改變色彩溫 度，且壳度調整亦容易。此外，因其為面光源，故可輕易 構成晝面中央部明亮並使周邊部灰暗之高斯分佈。另，交 互掃瞄r、g、b光、連續切換攔（field_sequential)方式之 液日日_不面板之背光源亦為有效。此外，縱使背光源忽明 心滅亦可藉由黑插入而用作動畫顯適用等液晶顯示面板之 背光源。 本發明之源極驅動電路係形成呈用以構成電流鏡電路 黾曰曰體為田比連狀悲，故臨界值偏差所致之輸出電流不均 小。因此，可抑制EL顯示面板產生亮度不均之情形，其 實用性效果甚大。 又，本發明之顯示面板、顯示裝置等可因應高畫質、 良好之動晝顯示性能、低電力消耗量、低成本化、高亮度 化等各種構造而發揮具特徵之效果。 另，使用本發明即可構成低電力消耗量之資訊顯示裝 置等，因此不致消耗電力；又，因其可達小型且輕量化之 效果，故無耗費資源之情形；此外，縱為高精密度之顯示 面板亦可70全對應其需求，因此，對地球環境、宇宙環境 皆具優良之效果。 20 歸納上述，本發明之，故確實能達到本發明之目的。 惟以上所述者’僅為本發明之較佳實施例而已，當不 能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利 範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修飾，皆 應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 260 1254264 玫、發明說明【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 之顯示面板之像素構造圖。 第3(a)、（b)圖係本發 <_不面板之動作說明圖。 第4圖係本發明之鞀 -貝不面板之動作說明圖。 第5(a)、（b)圖係本發 Θt顯不裝置之驅動方法說明 弟2圖係本發明 圖 第6圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 弟7圖係本發明之顯示面板之製造方法說明圖。 10 第8圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第9圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第10圖係、本發明之顯示面板之截面圖。 第11圖係、本發明之顯示面板之截面圖。 第12圖係本發明之顯示面板之說明圖。 15 第13⑷、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 第14⑷-⑷圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 第15圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第16(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 第17(a)-(c)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 第18圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 26] 1254264 玫、發明說明 第i9(a[a3)〜（ei_e3)圖係'本發明之顯示裝置之驅動方 法說明圖。 第20⑷、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 5第21圖係本發明之顯示裳置之驅動方法說明圖。 第22(a)、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第23圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第24⑷、⑻圖係本發明之顯示裝置之㈣方法說明 10 圖。 第25圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第26圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第27⑷、⑻圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 15 第28圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 帛29⑷、_係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第30(al)、（a2)、（bl)、（b2)圖係本發明之顯示裝置之 驅動方法說明圖。 2〇 第31圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第32圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第33(aHc)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 第34圖係本發明之顯示裝置之構造圖 262 1254264 玖、發明說明 第3 5圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第36圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第37圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第3 8圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 5 第39(aHc)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 〇 第40圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第41圖係本發明之顯示裝置之構造圖。 第42(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 10 第43圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第44(a)-(c)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖 〇 第45(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 15 第46圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第47圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第48圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第49圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第50圖係本發明之驅動電路之說明圖。 20 第51圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第52圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第53圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第54圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第55圖係本發明之驅動電路之說明圖。 263 1254264 玖、發明說明 第56圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第57圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第58圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第59圖係本發明之驅動電路之說明圖。 5 第60圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第61圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第62圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第63圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第64圖係本發明之驅動電路之說明圖。 10 第65圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第66圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第67圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第68圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第69圖係本發明之驅動電路之說明圖。 15 第70圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第71圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第72圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第73圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第74圖係本發明之驅動電路之說明圖。 20 第75(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖。 第76圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第77圖係本發明之驅動電路之說明圖。 第78(a]-a4)〜(c]-c4)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 264 1254264 玖、發明說明 法說明圖。 弟79圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明圖。 第⑷、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 圖 圖 第W⑷、（b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法說明 第 82(al-an)〜(bl-bn) 圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法說明圖 第8 3圖係本發明之堪— 七月之_不裝置之驅動電路說明圖。 10 15 20 第84圖係本發明之 d之”、、員不裝置之驅動電路說明圖。 弟8 5圖係本發明之顯千姑 *、、、負不裝置之驅動電路說明圖。 弟8 6圖係本發明之題+壯 d又硝不裝置之驅動電路說明圖。 第87圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第88圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第89圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第90圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第91圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第92圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第93圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第94圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第95圖係本务明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第96圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第97(a) (d)圖係本發明之頰示裝置之驅動電路說明圖 265 1254264 玖、發明說明 第98圖係本發明之粵 貝不I置之驅動電路說明圖。 弟9 9圖係本發明之甚目一壯 之頒不裝置之驅動電路說明圖。 弟l〇〇(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖。 5 $ 1G1⑷、_係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖。 第102(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖。 第103圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 1〇 帛1G4圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第105圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第106圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第107圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第1〇8⑷-⑷圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 15 0 第1〇9⑷-⑷圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 0 第110圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第111圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 20 第112圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第113圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第114圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第115圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第Π6圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 266 1254264 玖、發明說明 第Π7圖係本發明之顯示面板之像素構造圖。 第11 8圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第119圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第120圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 5 第121圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第122圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第123圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第124圖係本發明之顯示裝置之驅動電路說明圖。 第125圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 10 第126圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第127(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 〇 第128(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 〇 15 第129(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖。 第130(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 圖。 第131(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 20 圖。 第132圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第133圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第134(a)、（b)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明 267 1254264 玖、發明說明 第13 5(a 1 -a3)〜（c 1-C3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第〜（cl-c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 5 第137(bl_b3)〜（cl_c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第138(bl-b3)〜（cl-c3)圖係本發明之顯示面板之驅動 方法說明圖。 第139(al-a3)〜（bl-b3)圖係本發明之顯示面板之驅動 10 方法說明圖。 第140圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第141圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第142圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第143圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 15 第144圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖。 第145(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 〇 第146(a)-(c)圖係本發明之顯示面板之驅動方法說明圖 〇 20 第147圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第148圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第149圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第1 50(a)、（b)圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第15 ]圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 268 1254264 玖、發明說明 第152圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第153圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第154圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第155圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 5 第156圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第157圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第158圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第159圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第160圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 10 第161圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第162圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第163圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第164圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第165圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 15 第166圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第167圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第168圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第169圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第170圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 20 第171圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第172圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 第173圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第174圖係本發明之顯示裝置之說明圖。 第1 75圖係本發明之源極驅動1C之說明圖。 269 1254264 玖、發明說明 第176(a)、（b)圖係本發明之源極驅動IC之說明圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 11 (a、a卜a2、b、c、d、e、g)…電晶83···印刷基板 體（酺電驢） 84…撓性鉍 12 (a、b)…閘極驅動ic (電路） 14…源極驅動ic (電路） 15…EL元件(¾¾¾件、有卿勒⑹ 16 (c)…像素 17 (a、b、c、d、e) .··閘極信號線 18…源極信號線 19···儲存電容（p丨枷電容、R伽容量） 50. ··顯示晝面（主、次晝面） 51、 51a·.·寫入像素（行） 52 (a、b) 象素❻障新^勺陰續續纪 53 (a、b)...顯示像(顯示 61 (a、b)…移位暫存器電路 62···反相器電路 63··.輸出閘、輸出緩衝器 71. · ·陣歹,反(玻谢反”!际勒反） 72..·雷射照射範圍（雷射照射點） 73 (a、b)…定位標誌 74···玻璃基板（陣列基板） 81·.·控制1C (電路） 82·..電源1C (電路） 85…密爾層(密封基fe、密却: 86· ··陰極佈線 87…陽極佈線（vdd) 88···資料信號線 89·.·閘極控制信號線 101···肋(rib) 102··.層間絕緣膜 104…接觸連接部 105···透明電極（像素電極） 106.··陰極電極（金屬電極） 107···乾燥劑 108...X/4相位板 109. ·.偏光板 111···薄膜密封膜 271…虛擬像素行 341.··輸出級電路 371電路 401…點亮控制線 451…電子電壓控制器 4〕2…電(雜麻)鱗 270 125426^、發明說明 471.. .逆偏壓線 472.. .閘極電位控制線 47卜472、473· ·.電獅、(單位電晶ft) 481…開關（開閉機構） 483.. .内部佈線 484.··電流源（早位電晶體） 491…可變電阻（電子電壓控制器） 521.. .電晶體群 531.. .電阻 532.. .解碼電路 533.. .位準移位電路 541.. .增高電路 551.. .D/A轉換器 552…運算放大器 561.. .類比開關 562.. .反相器 581.. .閘極佈線 621.. .電容器 631…睡眠開關 651…計數器電路 652.. .NOR 電路 653….AND電路 654…電流輸出電路（級） 655.. .開關 671.. .符合電路 681…接^子(輸》f、輸出蟄片） 691.. .基準電流電路 692.. .電流控制電路 701.. .溫度檢測機構 702.. .溫度控制電路 Ή1...單位閘極輸出電路 831.. .開關電路 832.. .解碼器及A/D電路 834.. .伽馬電路 835··.處理電路 836.. .AI處理電路 837.. .動畫檢測電路 838.. .彩色管理電路 839.. .運算電路 84卜842...乘法器 843.. .加法器 844.. .總和電路 1051 ...Y轉換電路 1052.. .APL運算電路 1053…堆疊電路 1054·..平行/串列轉換（P/S)電路

27] 125426^、發明說明 1131..太滕開關（切換電路、類时幵糊) 1121·…變壓器（線圈） 1122.. .控制電路 1123…整流二極體 1124.. .平流電容器 1125.. .電阻 1126.. .電晶體 1251.. .輸出切換電路 1252.. .切換開關 1501…類比開關 1502…開關控制線 1503.. .連接佈線 1504···緩衝層（薄板) 1521···反相器 1522.··連接端子 15Ή...天線 1572··.按鍵 1573.. .框體 1574.. .顯示面板 1581···目鏡環 1582.. .放大透鏡 1583.. .凸透鏡 1591.··支點（旋轉部) 1592…攝影透鏡部 1593···收藏部 1594.. .開關 1601.··本體 1602.. .攝影部 1603.. .快門開關 1611.. .外框 1612··.腳架 1613…腳架裝設部 1614·.·固定構件 1731.. .控制電極 1732.. .映像信號電路 1733.. .電子發射突起 1734.. .保持電路 1735.. .開閉控制電路 1741.. .選擇信號線 1742…開閉信號線

參 272

Claims (1)

1. Ϊ254264 SB- 拾、申 顯示裝置係於各 種EL·顯示裝置之驅動方法，該el 像素中具有用以控制驅動用電晶體與EL元件間之電 通路開閉之開關元件者，該EL |員示裝置之驅動方法係 總計影像資料或依循影像資料產生之資料；及 於總計資料多時延長 相較於前述總計出之資料少時， 關閉前述開關元件之期間。 2·—種EL·顯示裝置，包含有： 10 15 20 顯示面板，係呈矩p車狀形成有EL元件者；及 源極驅動電路，係用以對前述顯示面板供給程式電流 者； 而’前述源極驅動電路具有—具多數單位電流元件之 輪出級’及-用以控制前述單位電流元件所通過之電流 之可變電路。 3 · 一種EL顯示裝置之驅動方 田、… 動^ _ EL _示裝置係具有 以進行動晝檢測之動書檢測 ^ 旦才双，貝]電路，與用以擷出映像之 斗寸徵之特徵擷出電路者，該E]L ^不衣置之驅動方法係 具有： 第1步驟，依據前述動畫檢測 、p 一 电路之輸出資料而變更 这擇之像素行數；及 第2步驟，依據前述特徵 、p 兔路之輪出資料而變更 廷擇之像素行數。 4. 一種EL顯示裝置，係以蚩 ^ 非顯示領域與顯示領域 之比例而控制晝面之亮度者 tL嘁不裝置包含有： 273 1254264 拾、申請專利範圍 顯示領域，係呈矩陣狀形成有el元件及用以驅動前述 E L兀件之驅動用電晶體者； 閘極信號線，係用以傳達可令前述EL元件於每一像素 行開閉之電壓者； 5 閘極驅動電路，係用以驅動前述閘極信號線者； 總計電路’係用以總計影像資料或依循影像資料產生 之資料者；及 轉換電路’係用以將前述總計電路之總計結果轉換成 珂述閘極驅動電路之起始脈衝信號者。 1〇 5· 一種EL顯示裝置之驅動方法，該EL顯示裝置係以晝 面之非顯示領域與顯示領域之比例而控制畫面之亮度者 »亥EL顯不裝置之驅動方法，係於令前述畫面之非顯示 15 20 領域與顯示領域之比例由第1比例變更為第2比例時，、產 生延遲時間。 6. 如申請專利範圍第 固乐 > 項之：EL·顯不裝置之驅動方法，立 I 中該顯示領域/ f金t β 4 π '/ (旦面之非顯示領域+顯示領域）係 1/16以上1/丨以下。 7. —種EL顯示裝置，包含有： 以 2示面板，絲各像切成有電容H、EL元件及用… 對雨述EL7t件供給電流之p通道驅動用電晶體，且像幸 呈矩陣狀形成者；及 牙、 係用以對前述顯示面板供給程式 源極驅動電路 • ’ ’ ’…e W !翔不由板供給程式電流 者， 274 Ϊ254264 拾、申請專利範圍 而，W述源極驅動電路具有_輸出級 有用以輸出多數單位電流之N通道之單位 8.如申請專利範圍第7項之EL顯示裝置 容量為CS(PF)，令1像素所佔面積為 則滿足5〇〇/SgCs$2〇〇〇〇/s之條件。 該輪出級係具 電晶體者。 ’若令電容器之 S (平方 μηι )， 9.如申請專利範圍第7項之EL顯示裝置，其 動電路所發出之程式電流ί (μΑ) ’若像素大 方mm)’令亮閃光顯示預定亮度為B (nt) AxB) /20^1$ ( ΑχΒ)之條件。 中該源極驅 小為Α (平 ，則滿足（ 10 15 若令灰階數為 則滿足40 $ 1〇·如申請專利範圍第7項之EL顯示裝置， K，令單位電晶體之大小為st (平方μη〇 K//" ( St)且 St $ 300 之條件。 11·如申晴專利範圍第7項之EL顯示震置，若令灰階數為 K，令單位電晶體之通道長為μ㈣，令㈣“ w (㈣時，則滿足（，（K/16))gLA^(yA(K/i6) )X20之條件。 12·—種EL顯示裝置，包含有： 第1EL顯示面板，係具有第}顯示畫面者； 第2EL顯示面板，係具有第2顯示晝面者；及 挽性基板，係用以連接前述第1EL顯示面板之源極信 號線與前述第2EL顯示面板之源極信號線者； 而，若令用以驅動像素之驅動電晶體之通道寬為 μπ〇,令通道長為L (μη〇,則用以驅動前述第】顯示晝 面之像素之動電晶體之W/L異於用以驅動前述第2顯示 晝面之驅動電晶體之W/L。 275 25