JP2022056257A - 温度検出装置、表示装置及びヘッドアップディスプレイ - Google Patents

Abstract

【課題】より広い温度域で高精度な温度検出を行える温度検出装置等を提供する。【解決手段】温度検出装置は、温度変化と電気抵抗値の変化との関係がそれぞれ異なる第１抵抗素子ＥＲａと第２抵抗素子ＥＲｂとが設けられた検出部と、第１抵抗素子ＥＲａが接続された配線を含む第１回路又は第２抵抗素子ＥＲｂが接続された配線を含む第２回路の一方と接続するよう切替動作可能に設けられたスイッチＳＷ１，ＳＷ２と、当該一方が接続された配線に電圧を印加して電気的信号を生じさせる電源回路９１と、当該電気的信号の強さに基づいて検出部の温度を検出する制御部８０と、を備える。制御部８０は、第１回路で生じた電気的信号と第２回路で生じた電気的信号の両方を得られるよう周期的にスイッチＳＷ１，ＳＷ２を動作させる。【選択図】図７

Description

本開示は、温度検出装置、表示装置及びヘッドアップディスプレイに関する。

温度検出素子として設けられた電極の電気抵抗値の変化に基づいて温度を特定する温度情報取得方法が知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１５－２００７２０号公報

単一の種類の電極が示す温度変化と電気抵抗値の変化との関係では、温度域によっては温度変化に対する電気抵抗値の変化が厳密に温度を特定できるほど顕著にならないことがある。このため、より広い温度域で高精度な温度検出を行いたい場合に特許文献１の方法を採用することは困難であった。

本開示は、上記の課題に鑑みてなされたもので、より広い温度域で高精度な温度検出を行える温度検出装置、表示装置及びヘッドアップディスプレイを提供することを目的とする。

本開示の一態様による温度検出装置は、温度変化と電気抵抗値の変化との関係がそれぞれ異なる第１抵抗素子と第２抵抗素子とが設けられた検出部と、前記第１抵抗素子が接続された配線を含む第１回路又は前記第２抵抗素子が接続された配線を含む第２回路の一方と接続するよう切替動作可能に設けられたスイッチと、前記一方が接続された配線に電圧を印加して電気的信号を生じさせる電源回路と、前記電気的信号の強さに基づいて前記検出部の温度を検出する制御部と、を備え、前記制御部は、周期的に前記スイッチを切替動作させる。

本開示の一態様による表示装置は、画像を表示する表示パネルと、上述の温度検出装置を備え、前記温度検出装置は、前記表示パネルと重なるよう配置される。

本開示の一態様によるヘッドアップディスプレイは、画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの表示面に重ねて配置される温度検出装置とを備え、該温度検出装置は、温度変化と電気抵抗値の変化との関係がそれぞれ異なる第１抵抗素子と第２抵抗素子とが設けられた検出部と、前記第１抵抗素子が接続された配線を含む第１回路又は前記第２抵抗素子が接続された配線を含む第２回路の一方と接続するよう切替動作可能に設けられたスイッチと、前記一方が接続された配線に電圧を印加して電気的信号を生じさせる電源回路と、前記電気的信号の強さに基づいて前記検出部の温度を検出する制御部と、を備え、前記制御部は、周期的に前記スイッチを切替動作させる。

図１は、ＨＵＤ装置を模式的に説明する説明図である。 図２は、温度検出装置の主要構成例を示すブロック図である。 図３は、温度検出装置に設けられた各種の構成の積層構造例を示す模式図である。 図４は、平面視点で温度検出装置を見た場合の模式図である。 図５は、検出部で概念的に存在する複数の部分温度検出領域の配置例を平面視点で示す模式図である。 図６は、複数の部分温度検出領域の各々に個別に設けられる抵抗素子と、各抵抗素子に接続される各種の配線との関係の一例を平面視点で示す模式図である。 図７は、切替部及びマルチプレクサを介した複数の第１抵抗素子及び複数の第２抵抗素子と抵抗素子の制御部８０との接続形態例と、制御部８０の主要構成例と、を示す模式的な回路図である。 図８は、図７に示す各種構成によって実現される、１つの第１抵抗素子又は１つの第２抵抗素子のいずれか一方と接続可能に設けられた入出力系を示す模式的な簡略回路図である。 図９は、第１抵抗素子の温度と第１抵抗素子の体積抵抗率との関係及び第２抵抗素子の温度と第２抵抗素子の体積抵抗率との関係の一例を示すグラフである。 図１０は、それぞれ異なる金属の温度と体積抵抗率との関係及びある合金等の温度と体積抵抗率との関係を示すグラフである。 図１１は、スイッチ及びスイッチを介して制御部と接続される対象の切替動作の流れの一例を示すフローチャートである。 図１２は、温度の測定に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１３は、実施形態１における測定方法判定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１４は、実施形態１の第１抵抗素子が制御部に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化と、実施形態１の第２抵抗素子が制御部に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧と変化と、を０℃から５０℃の範囲と５０℃から１００℃の範囲の２つの温度範囲で個別に示す表である。 図１５は、温度とデジタル信号の出力値との関係の一例を示す表である。 図１６は、実施形態２における測定方法判定処理の流れの別の一例を示すフローチャートである。 図１７は、実施形態２の第１抵抗素子が制御部に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化と、実施形態２の第２抵抗素子が制御部に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧と変化と、を４９℃から５１℃の範囲内で１℃刻みに示す表である。 図１８は、変形例１による検出部の構成例を示す平面視点での模式図である。 図１９は、変形例２による検出部の構成例を示す平面視点での模式図である。 図２０は、変形例３による１つの部分温度検出領域内の第１抵抗素子と、第２抵抗素子と、第３抵抗素子と、第４抵抗素子と、第５抵抗素子の形状及び配置の一例を示す平面視点での模式図である。 図２１は、変形例４による１つの部分温度検出領域内の第１抵抗素子と、第２抵抗素子と、第３抵抗素子と、第４抵抗素子と、第５抵抗素子の形状及び配置の一例を示す平面視点での模式図である。 図２２は、変形例５による検出部の構成例を示す平面視点での模式図である。

以下に、本開示の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、ＨＵＤ（ＨＥＡＤ Ｕｐ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置１を模式的に説明する説明図である。ＨＵＤ装置１は、光源部６、拡散板９、表示パネル２、表示パネル２からの画像を拡大して投影板ＷＳへ投影する光学系ＲＭと、を備える。

筐体４は、光源装置として機能する光源部６、光源部６からの光Ｌを光源として画像を出力する表示パネル２、表示パネル２と光源部６との間に設けられる拡散板９と、光学系ＲＭと、温度検出装置１０と、を収容する。

光源部６から発せられた光Ｌは、拡散板９により拡散されて表示パネル２を経ることで一部又は全部が透過し、画像の光となる。実施形態１のＨＵＤ装置１では、ミラー部材ＲＭ１と、ミラー部材ＲＭ２と、を含む光学系ＲＭは、表示パネル２を通った後の光Ｌを投影板ＷＳへ導いている。ミラー部材ＲＭ１は、平面鏡であり、ミラー部材ＲＭ２は、凹面鏡である。ミラー部材ＲＭ１は、凹面鏡であってもよい。また、ミラー部材ＲＭ２は、平明鏡であってもよい。光学系ＲＭはこれに限られず、光学系ＲＭが、ミラー部材の枚数は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

光学系ＲＭを通過した画像の光は、投影板ＷＳにより反射されてユーザＨに到達することで、ユーザＨの視界内で画像ＶＩとして認識される。すなわち、実施形態１のＨＵＤ装置１は、投影板ＷＳへ画像を投影する表示システムとして機能する。投影板ＷＳは、ユーザＨの視線上に位置する透光性を有する部材であればよい。投影板ＷＳは、例えば車両のフロントガラス、ウインドシールド、またはフロントガラスとは別体に設けられたコンバイナーと呼ばれる透光性の板部材である。

図１に示すように、ＨＵＤ装置１には、太陽ＳＵＮの相対位置によっては、太陽光ＬＬが筐体４の開口４Ｓに入射することがある。太陽光ＬＬは、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２に向かって集光することがある。集光された太陽の光は、動作中の表示パネル２に異常を生じさせてさせる可能性があるため、表示領域の部分的な発熱状態を検出することが望まれている。

そこで、実施形態１では、表示パネル２に対してミラー部材ＲＭ１側に温度検出装置１０が設けられている。図１に示すように、温度検出装置１０は、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２に向かって集光した光を表示パネル２のミラー部材ＲＭ１側で受けられるよう配置されている。温度検出装置１０は、当該温度検出装置１０の温度を検出可能に設けられている。従って、実施形態では、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２に向かって集光した光により生じる温度変化を温度検出装置１０によって検出できる。温度検出装置１０に生じた温度変化に基づいて表示パネル２の動作を制御するようにすることで、表示パネル２による表示出力品質の劣化を抑制できる。

なお、温度検出装置１０は、表示パネル２と離隔していてもよいし、表示パネル２と当接していてもよい。また、温度検出装置１０は、表示パネル２と一体的に設けられてもよい。

図２は、温度検出装置１０の主要構成例を示すブロック図である。温度検出装置１０は、第１温度センサ部４０、第２温度センサ部５０、接続部６０，６５、切替部７０及び制御部８０を備える。第１温度センサ部４０、第２温度センサ部５０及び接続部６０，６５は、例えば基板２０に設けられる。切替部７０及び制御部８０は、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）３０に設けられる。基板２０は、例えばガラス基板のように、透光性を有する基板である。

図３は、温度検出装置１０に設けられた各種の構成の積層構造例を示す模式図である。図３に示すように、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０とは絶縁層４１を挟んで基板２０に積層される。また、第２温度センサ部５０を挟んで絶縁層４１の反対側に保護層５１が設けられる。絶縁層４１及び保護層５１は、例えば透光性を有する合成樹脂製の薄膜であるが、これに限られるものでない。絶縁層４１は、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０と、を電気的に絶縁する透光性の部材であればよい。保護層５１は、第２温度センサ部５０の積層面のうち絶縁層４１の反対側を覆う透光性の部材であればよい。

図３では、基板２０側から第１温度センサ部４０、絶縁層４１、第２温度センサ部５０、保護層５１の順でこれらの構成が積層されているが、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０の配置は逆でもよい。以降、基板２０に対する第１温度センサ部４０、絶縁層４１、第２温度センサ部５０、保護層５１の積層方向を第３方向Ｄｚとし、第３方向Ｄｚに直交する２方向を第１方向Ｄｘ、第２方向Ｄｙとする。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとは直交する。以下、平面視点と記載した場合、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙが沿う平面を第３方向Ｄｚに正視する視点をさす。第３方向Ｄｚは、ミラー部材ＲＭ１と温度検出装置１０と表示パネル２の並び方向に対応する。

図４は、平面視点で温度検出装置１０を見た場合の模式図である。接続部６０は、第１温度センサ部４０から第２方向Ｄｙの一端側に延出する。接続部６５は、第２温度センサ部５０から第２方向Ｄｙの一端側に延出する。接続部６０と接続部６５とは、第１方向Ｄｘの位置が異なる。接続部６０及び接続部６５は、複数のコンタクトＣを有する。接続部６０が有する複数のコンタクトＣは、第１温度センサ部４０に設けられた配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｍの各々を、基板２０に設けられた配線ＰＬと個別に接続する。接続部６５が有する複数のコンタクトＣは、第２温度センサ部５０に設けられた配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｍの各々を、基板２０に設けられた配線ＰＬと個別に接続する。

ＦＰＣ３０は、例えば基板２０において第２方向Ｄｙの一端側に設けられ、接続端子ＣＰを介して基板２０の配線ＰＬと接続される。なお、ＦＰＣ３０は、図４で図示する接続端子ＣＰ以外の接続端子を介して基板２０に設けられた図示しない他の配線とさらに接続されていてもよい。

図４に示すように、第１温度センサ部４０及び第２温度センサ部５０の配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｍは、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０とが第３方向Ｄｚに重なり合う検出部ＳＡから延出している。

図５は、検出部ＳＡで概念的に存在する複数の部分温度検出領域ＰＡの配置例を平面視点で示す模式図である。図５に示すように、検出部ＳＡは、複数の部分温度検出領域ＰＡを含む。

図６は、複数の部分温度検出領域ＰＡの各々に個別に設けられる抵抗素子ＥＲと、各抵抗素子ＥＲに接続される各種の配線との関係の一例を平面視点で示す模式図である。図６に示すように、複数の部分温度検出領域ＰＡの各々には個別に抵抗素子ＥＲが設けられる。抵抗素子ＥＲは、合金、金属を含む化合物（金属化合物）又は金属を素材とした電気抵抗である。抵抗素子ＥＲは、金属、合金、金属化合物の少なくとも１つに該当する素材が複数種類積層された積層体であってもよい。実施形態１の説明で合金等と記載した場合、抵抗素子ＥＲの組成として採用され得る素材をさす。図６に示す例では、抵抗素子ＥＲは、長辺が第２方向Ｄｙに沿うＬ字状の配線が第１方向Ｄｘに複数接続された形態である。当該形態では、第１方向Ｄｘに隣接する２つのＬ字状の配線の各々の短辺が第２方向Ｄｙに互い違いになるよう、複数のＬ字状の配線が接続されて抵抗素子ＥＲの形態が形成されている。

抵抗素子ＥＲの一端は、基準電位線ＣＬと接続される。基準電位線ＣＬは、抵抗素子ＥＲに基準電位を与える。実施形態１では、当該基準電位はいわゆる接地電位（ＧＮＤ：ＧｒｏｕＮＤ）である。基準電位線ＣＬは、温度検出装置１０に設けられて外部の電源と接続されない図示しない板金等のフレームグランド又は電源の接地線と接続される。

抵抗素子ＥＲの他端は、配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｍのうちいずれか１つと接続される。配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｍがそれぞれ接続される抵抗素子ＥＲはそれぞれ異なる抵抗素子ＥＲである。すなわち、ｍは抵抗素子ＥＲの数に対応する。ｍは自然数である。抵抗素子ＥＲは、基準電位線ＣＬと配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，…，Ｌｍのうちいずれか１つとの間に介在する電極として機能する。

なお、図５及び図６に示す例では、Ｄｘ－Ｄｙ平面視点で４×３＝１２の部分温度検出領域ＰＡが配置されているが、これは一例であってこれに限られるものでなく、部分温度検出領域ＰＡの配置及び数は任意である。

第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０はそれぞれ複数の抵抗素子ＥＲを有する。従って、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０はそれぞれ複数の部分温度検出領域ＰＡを含む検出部ＳＡを有する。第１温度センサ部４０が有する検出部ＳＡと第２温度センサ部５０が有する検出部ＳＡとは第３方向Ｄｚに重なり合う。また、第１温度センサ部４０が有する検出部ＳＡに含まれる複数の部分温度検出領域ＰＡの配置と第２温度センサ部５０が有する検出部ＳＡに含まれる複数の部分温度検出領域ＰＡの配置とは同一である。ただし、第１温度センサ部４０に設けられた抵抗素子ＥＲと第２温度センサ部５０に設けられた抵抗素子ＥＲとは組成が異なる。

後述する図７を参照した説明では、抵抗素子ＥＲのうち、第１温度センサ部４０に設けられた抵抗素子ＥＲを第１抵抗素子ＥＲａとしている。また、図７を参照した説明では、抵抗素子ＥＲのうち、第２温度センサ部５０に設けられた抵抗素子ＥＲを第２抵抗素子ＥＲｂとしている。従って、第１抵抗素子ＥＲａと第２抵抗素子ＥＲｂとでは組成が異なる。なお、上記の通り第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０は互いに重畳している関係にあるが、図７では、わかりやすさのためにこれらセンサ部は敢えて互いに左右方向にずれた状態で示されている。

図７は、切替部７０及びマルチプレクサＭＰを介した複数の第１抵抗素子ＥＲａ及び複数の第２抵抗素子ＥＲｂと抵抗素子ＥＲと制御部８０との接続形態例と、制御部８０の主要構成例と、を示す模式的な回路図である。

切替部７０は、第１抵抗素子ＥＲａ又は第２抵抗素子ＥＲｂのいずれか一方と、制御部８０と、を接続する。具体的には、切替部７０は、出力線ＯＬａ１，ＯＬａ２，…，ＯＬａｍと、出力線ＯＬｂ１，ＯＬｂ２，…，ＯＬｂｍと、複数のスイッチＳＷ１と、コンタクトＣａ１，Ｃａ２，…，Ｃａｍと、コンタクトＣｂ１，Ｃｂ２，…，Ｃｂｍと、第１基準抵抗４５と、第２基準抵抗５５と、入力線ＩＬａと、入力線ＩＬｂと、スイッチＳＷ２と、を有する。

出力線ＯＬａ１，ＯＬａ２，…，ＯＬａｍは、第１抵抗素子ＥＲａと接続されている配線Ｌ１，Ｌ２，…，Ｌｍと１対１の関係で接続される。図７では、出力線ＯＬａ１と配線Ｌ１とが接続され、出力線ＯＬａ２と配線Ｌ２とが接続され、…、出力線ＯＬａｍと配線Ｌｍとが接続されている。

出力線ＯＬｂ１，ＯＬｂ２，…，ＯＬｂｍは、第２抵抗素子ＥＲｂと接続されている配線Ｌ１，Ｌ２，…，Ｌｍと１対１の関係で接続される。図７では、出力線ＯＬｂ１と配線Ｌ１とが接続され、出力線ＯＬｂ２と配線Ｌ２とが接続され、…、出力線ＯＬｂｍと配線Ｌｍとが接続されている。

複数のスイッチＳＷ１はスイッチとして機能する回路である。複数のスイッチＳＷ１のうち１つは、出力線ＯＬａ１又は出力線ＯＬｂ１のうち一方と接続するよう切替動作可能に設けられる。複数のスイッチＳＷ１のうち他の１つは、出力線ＯＬａ２又は出力線ＯＬｂ２のうち一方と接続するよう切替動作可能に設けられる。複数のスイッチＳＷ１の数は、ｍである。複数のスイッチＳＷ１のうち、前述の２つのスイッチＳＷ１と異なる他の１つは、出力線ＯＬａｍ又は出力線ＯＬｂｍのうち一方と接続するよう切替動作可能に設けられる。すなわち、ｍ個のスイッチＳＷ１はそれぞれ、第１抵抗素子ＥＲａが接続された出力線ＯＬａｋ又は出力線ＯＬｂｋのうち一方と接続するよう切替動作可能に設けられる。ｋは、１からｍの範囲内のいずれかの自然数である。

コンタクトＣａ１，Ｃａ２，…，Ｃａｍは、出力線ＯＬａｋ及び第１抵抗素子ＥＲａと接続されている配線Ｌｋと電気的に接続されるコンタクトである。コンタクトＣａ１は、出力線ＯＬａ１及び配線Ｌ１と接続され、コンタクトＣａ２は、出力線ＯＬａ２及び配線Ｌ２と接続され、…、コンタクトＣａｍは、出力線ＯＬａｍ及び配線Ｌ２ｍと接続される。

コンタクトＣｂ１，Ｃｂ２，…，Ｃｂｍは、出力線ＯＬｂｋ及び第２抵抗素子ＥＲｂと接続されている配線Ｌｋと電気的に接続されるコンタクトである。コンタクトＣｂ１は、出力線ＯＬｂ１及び配線Ｌ１と接続され、コンタクトＣｂ２は、出力線ＯＬｂ２及び配線Ｌ２と接続され、…、コンタクトＣｂｍは、出力線ＯＬｂｍ及び配線Ｌ２ｍと接続される。

第１基準抵抗４５は、コンタクトＣａ１と接続されることで第１抵抗素子ＥＲａと接続される。図示しないが、コンタクトＣａ２，…，Ｃａｍの各々にも、第１基準抵抗４５と同様の構成が接続される。１つの第１基準抵抗４５がコンタクトＣａ１，Ｃａ２，…，Ｃａｍに共有して接続されてもよいし、コンタクトＣａ１，Ｃａ２，…，Ｃａｍの各々に対して個別に接続されるｍ個の第１基準抵抗４５が設けられてもよい。

第２基準抵抗５５は、コンタクトＣｂ１と接続されることで第２抵抗素子ＥＲｂと接続される。図示しないが、コンタクトＣｂ２，…，Ｃｂｍの各々にも、第２基準抵抗５５と同様の構成が接続される。１つの第２基準抵抗５５がコンタクトＣｂ１，Ｃｂ２，…，Ｃｂｍに共有して接続されてもよいし、コンタクトＣｂ１，Ｃｂ２，…，Ｃｂｍの各々に対して個別に接続されるｍ個の第２基準抵抗５５が設けられてもよい。

第１基準抵抗４５と第２基準抵抗５５は、それぞれ電気抵抗値が異なる電気抵抗である。第１基準抵抗４５の電気抵抗値は、第１抵抗素子ＥＲａの具体的構成に対応して決定される。第２基準抵抗５５の電気抵抗値は、第２抵抗素子ＥＲｂの具体的構成に対応して決定される。

入力線ＩＬａは、第１基準抵抗４５と接続されることで第１抵抗素子ＥＲａと接続される。入力線ＩＬｂは、第２基準抵抗５５と接続されることで第２抵抗素子ＥＲｂと接続される。スイッチＳＷ２は、入力線ＩＬａ又は入力線ＩＬｂのうち一方と接続するよう切替動作可能に設けられるスイッチとして機能する回路である。

実施形態１では、複数のスイッチＳＷ１は複数の第１抵抗素子ＥＲａ又は複数の第２抵抗素子ＥＲｂのいずれか一方と電気的に接続するように動作する。また、スイッチＳＷ２は、複数のスイッチＳＷ１が複数の第１抵抗素子ＥＲａと電気的に接続している場合に入力線ＩＬａと接続し、複数のスイッチＳＷ１が複数の第２抵抗素子ＥＲｂと電気的に接続している場合に入力線ＩＬｂと接続する。すなわち、スイッチＳＷ２は、複数のスイッチＳＷ１が出力線ＯＬａ１，ＯＬａ２，…，ＯＬａｍと接続している場合に入力線ＩＬａと接続し、複数のスイッチＳＷ１が出力線ＯＬｂ１，ＯＬｂ２，…，ＯＬｂｍと接続している場合に入力線ＩＬｂと接続する。このような複数のスイッチＳＷ１の動作及びスイッチＳＷ２の動作は、制御部８０によって制御される。

実施形態１では、制御部８０と複数のスイッチＳＷ１との間にマルチプレクサＭＰが介在する。マルチプレクサＭＰは、複数のスイッチＳＷ１のうちいずれか１つと、制御部８０と、を接続する。マルチプレクサＭＰは、複数のスイッチＳＷ１のうちいずれが制御部８０と接続されるかを規則的にシフトさせて切り替える。これによって、複数の第１抵抗素子ＥＲａのうち１つ又は複数の第１抵抗素子ＥＲａのうち１つと接続される電気回路が制御部８０と接続される。

図８は、図７に示す各種構成によって実現される、１つの第１抵抗素子ＥＲａ又は１つの第２抵抗素子ＥＲｂのいずれか一方と接続可能に設けられた入出力系を示す模式的な簡略回路図である。以下、図７における出力線ＯＬａ１，ＯＬａ２，…，ＯＬａｍのうちマルチプレクサＭＰによって制御部８０と接続される１つのスイッチＳＷ１と接続可能に設けられたものを出力線ＯＬａとしている。また、図７におけるコンタクトＣａ１，Ｃａ２，…，Ｃａｍのうち、出力線ＯＬａに該当するものに接続されているものをコンタクトＣａとしている。また、図７における出力線ＯＬｂ１，ＯＬｂ２，…，ＯＬｂｍのうちマルチプレクサＭＰによって制御部８０と接続される１つのスイッチＳＷ１と接続可能に設けられたものを出力線ＯＬｂとしている。また、図７におけるコンタクトＣｂ１，Ｃｂ２，…，Ｃｂｍのうち、出力線ＯＬｂに該当するものに接続されているものをコンタクトＣｂとしている。

図８に示す入出力系は、入力Ｖｉｎに対する電圧の印加に対応して生じる電気的信号が出力Ｖｏｕｔから出力される。以下、当該電気的信号を出力信号と記載する。図７では、入力ＶｉｎがスイッチＳＷ２と接続される。また、図７及び図８に示すように、出力ＶｏｕｔがスイッチＳＷ１と接続される。

スイッチＳＷ１が出力線ＯＬａと接続されている場合、入力Ｖｉｎに対する電圧の印加に応じて生じた電流がグランドＧＮＤ側に流れようとするが、第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率に応じて当該電流のグランドＧＮＤ側への流れが阻まれることで、出力線ＯＬａ側に向かう電流が生じる。この出力線ＯＬａ側に向かった電流が、出力Ｖｏｕｔで出力信号を生じさせる。すなわち、第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率が高い程、出力信号が強くなる。

スイッチＳＷ１が出力線ＯＬｂと接続されている場合、入力Ｖｉｎに対する電圧の印加に応じて生じた電流がグランドＧＮＤ側に流れようとするが、第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率に応じて当該電流のグランドＧＮＤ側への流れが阻まれることで、出力線ＯＬｂ側に向かう電流が生じる。この出力線ＯＬｂ側に向かった電流が、出力Ｖｏｕｔで出力信号を生じさせる。すなわち、第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率が高い程、出力信号が強くなる。

ここで、入力線ＩＬａ、第１基準抵抗４５、コンタクトＣａ、第１抵抗素子ＥＲａ及び出力線ＯＬａを含む回路は、実施形態１の第１回路として機能する。また、入力線ＩＬｂ、第２基準抵抗５５、コンタクトＣｂ、第２抵抗素子ＥＲｂ及び出力線ＯＬｂを含む回路は、実施形態１の第２回路として機能する。

図９は、第１抵抗素子ＥＲａの温度と第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率との関係及び第２抵抗素子ＥＲｂの温度と第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率との関係の一例を示すグラフである。上述のように、第１抵抗素子ＥＲａの組成と第２抵抗素子ＥＲｂの組成とは異なる。従って、図９に示すように、第１抵抗素子ＥＲａの温度と第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率との関係と、第２抵抗素子ＥＲｂの温度と第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率との関係とは異なる。図９に示す例では、５０℃以下では第１抵抗素子ＥＲａの温度上昇に対する第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率の上昇の度合いが第２抵抗素子ＥＲｂの温度上昇に対する第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率の上昇の度合いよりも高い。また、図９に示す例では、５０℃以上では第２抵抗素子ＥＲｂの温度上昇に対する第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率の上昇の度合いが第１抵抗素子ＥＲａの温度上昇に対する第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率の上昇の度合いよりも高い。

図１０は、それぞれ異なる金属の温度と体積抵抗率との関係及びある合金等の温度と体積抵抗率との関係を示すグラフである。図１０に示すグラフＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９はそれぞれ、異なる金属の温度と体積抵抗率との関係を示す。グラフＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９が示すように、異なる金属は、温度と体積抵抗率との関係が異なる。また、素材として利用される金属（元の金属）の選択によっては、合金等の温度と体積抵抗率との関係を当該元の金属と異ならせることができる。例えば、図１０では、グラフＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９のいずれとも異なる温度と体積抵抗率との関係を示す合金等のグラフＭｘが例示されている。このような考え方に基づき、元の金属を異ならせることで、第１抵抗素子ＥＲａと第２抵抗素子ＥＲｂをそれぞれ作製できる。

次に、マルチプレクサＭＰを介して第１抵抗素子ＥＲａ又は第２抵抗素子ＥＲｂと接続される制御部８０について、説明する。例えば、図７に示すように、制御部８０は、フィルタ８１と、増幅回路８２と、Ａ／Ｄ変換回路８３と、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８４と、バス８５と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）８６と、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒy）８７と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）８８と、ＧＰＩＯ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐｕｒｐｏｓｅ Ｉｎｐｕｔ Ｏｕｔｐｕｔ）８９と、通信ＩＦ（ＩｎｔｅｒＦａｃｅ）９０と、電源回路９１と、を有する。

フィルタ８１は、マルチプレクサＭＰを介して接続されたスイッチＳＷ１の出力Ｖｏｕｔで得られた出力信号からノイズを消去するフィルタ回路である。増幅回路８２は、フィルタ８１によってノイズが処理された出力信号を増幅する。Ａ／Ｄ変換回路８３は、増幅回路８２によって増幅されたアナログの出力信号をデジタル信号に変換する。

ＣＰＵ８４は、Ａ／Ｄ変換回路８３によって生成されたデジタル信号に基づいた処理等、制御部８０が各種の演算処理を行う。

バス８５は、Ａ／Ｄ変換回路８３から出力されるデジタル信号をＣＰＵ８４に伝送する等、制御部８０内における各種のデジタル信号の伝送経路として機能する。Ａ／Ｄ変換回路８３、ＣＰＵ８４、バス８５、ＲＯＭ８６、ＥＥＰＲＯＭ８７、ＲＡＭ８８、ＧＰＩＯ８９及び通信ＩＦ９０はバス８５と接続される。

ＲＯＭ８６は、プログラム等を書き換え不能に記憶する。プログラム等とは、ＣＰＵ８４が行う処理に際して読み出されるソフトウェア・プログラム及び当該ソフトウェア・プログラムの実行に伴い参照されるデータを指す。ＥＥＰＲＯＭ８７は、プログラム等を書き換え可能に記憶する。ＲＡＭ８８は、ＣＰＵ８４によるプログラム等の実行処理に伴い生じる各種のデータやパラメータを一時的に記憶する。

ＧＰＩＯ８９は、バス８５を介して行われるＣＰＵ８４等からの出力に対応して外部に信号を伝送する。例えば、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２の切替動作を行う信号は、ＣＰＵ８４から出力されてバス８５及びＧＰＩＯ８９を介してスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２に伝送される。また、ＧＰＩＯ８９は、外部の機器からの信号の入力をバス８５に入力する入力経路としても機能する。通信ＩＦ９０は、ＮＩＣ（Ｎｅｔｗｏｒｋ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として機能するための回路を含み、外部の通信機器との通信を行う。電源回路９１は、入力Ｖｉｎに電圧を印加する。

なお、図３に示すように、切替部７０、マルチプレクサＭＰ及び制御部８０は、例えばＦＰＣ３０に設けられるが、これに限られるものでなく、基板２０に設けられて配線ＰＬ及び接続部６０、接続部６５を介して第１温度センサ部４０、第２温度センサ部５０と接続されてもよい。また、図７に示す制御部８０の具体的構成は、あくまで一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。例えば、ＲＯＭ８６はフラッシュＲＯＭのように書き換え可能であってもよいし、通信ＩＦ９０は、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、Ｉ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等であってもよい。

以下、制御部８０が行う各種の処理の一例について、図１１から図１３のフローチャートを参照して説明する。

図１１は、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２を介して制御部８０と接続される対象の切替動作の流れの一例を示すフローチャートである。まず、温度検出装置１０の電源がＯＮであるかで処理が行われるか否かの分岐が生じる（ステップＳ１）。温度検出装置１０の電源がＯＦＦである場合（ステップＳ１；Ｎｏ）、処理は行われない。

温度検出装置１０の電源がＯＮである場合（ステップＳ１；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ８４が第１温度センサ部４０に接続するためのスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２の切替動作を行う（ステップＳ２）。具体的には、ＣＰＵ８４は、出力線ＯＬａに接続するようスイッチＳＷ１を動作させ、入力線ＩＬａに接続するようスイッチＳＷ２を動作させる。これによって、第１温度センサ部４０の第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０と接続される。ステップＳ２の処理後、第１温度センサ部４０への電圧印加が行われる（ステップＳ３）。具体的には、電源回路９１が入力Ｖｉｎに対して電圧を印加する。次に、第１温度センサ部４０の出力の取得が行われる（ステップＳ４）。具体的には、ステップＳ３の処理で行われた電圧の印加に応じて、出力Ｖｏｕｔから出力信号が得られる。当該出力信号は、マルチプレクサＭＰを介してフィルタ８１に入力される。

ステップＳ４の処理後、ＣＰＵ８４が第２温度センサ部５０に接続するためのスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２の切替動作を行う（ステップＳ５）。具体的には、ＣＰＵ８４は、出力線ＯＬｂに接続するようスイッチＳＷ１を動作させ、入力線ＩＬｂに接続するようスイッチＳＷ２を動作させる。これによって、第２温度センサ部５０の第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０と接続される。ステップＳ２の処理後、第２温度センサ部５０への電圧印加が行われる（ステップＳ６）。具体的には、電源回路９１が入力Ｖｉｎに対して電圧を印加する。次に、第２温度センサ部５０の出力の取得が行われる（ステップＳ７）。具体的には、ステップＳ６の処理で行われた電圧の印加に応じて、出力Ｖｏｕｔから出力信号が得られる。当該出力信号は、マルチプレクサＭＰを介してフィルタ８１に入力される。ステップＳ７の処理後、ステップＳ１の分岐に移行する。

このように、ＣＰＵ８４は、制御部８０に接続される対象を第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０とで周期的に切り替えるようスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２を動作させる。

制御部８０は、第１温度センサ部４０又は第２温度センサ部５０の出力の取得に基づいた温度の測定に係る処理を行う。図１２は、温度の測定に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、第１温度センサ部４０又は第２温度センサ部５０の出力の取得が行われる（ステップＳ１１）。ステップＳ１１の処理は、図１１を参照して説明したステップＳ４の処理又はステップＳ７の処理をさす。

フィルタ８１は、ステップＳ１１の処理で得られた出力信号に対してフィルタ処理を行う（ステップＳ１２）。増幅回路８２は、ステップＳ１２の処理でフィルタ処理が行われた出力信号を増幅する（ステップＳ１３）。Ａ／Ｄ変換回路８３は、ステップＳ１３の処理で増幅されたアナログの出力信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換処理を行う（ステップＳ１４）。

ＣＰＵ８４は、ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号に基づいた測定方法判定処理を行う（ステップＳ１５）。

図１３は、実施形態１における測定方法判定処理の流れの一例を示すフローチャートである。ＣＰＵ８４は、ステップＳ１１の処理で第１温度センサ部４０の出力が取得されたか判定する（ステップＳ２１）。第１温度センサ部４０の出力が取得された場合（ステップＳ２１；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ８４は、ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第１温度センサ部４０の良特性範囲内であるか判定する（ステップＳ２２）。

ここで、良特性範囲について説明する。良特性範囲とは、温度検出装置１０の温度を所定温度以下の差（例えば、１℃以下の差）単位で判定可能となる程に温度の変化に対する出力値の変化が生じる温度範囲をさす。

図１４は、実施形態１の第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化と、実施形態１の第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧と変化と、を０℃から５０℃の範囲と５０℃から１００℃の範囲の２つの温度範囲で個別に示す表である。出力電圧とは、出力信号が生じさせる電圧をさす。なお、図１４に示す数値はあくまで一例であってこれに限られるものでなく、第１抵抗素子ＥＲａの具体的構成及び第２抵抗素子ＥＲｂの具体的構成によって数値は変化する。

図１４に示す例では、０℃から５０℃の温度範囲で、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化が１０である。一方、０℃から５０℃の温度範囲で、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化が２である。このように、図１４に示す例では、０℃から５０℃の温度範囲における１℃の温度変化に対する出力電圧の変化に関し、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の方が第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合に比して顕著である。これは、図９の例で示すように、５０℃以下では第１抵抗素子ＥＲａの温度上昇に対する第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率の上昇の度合いが第２抵抗素子ＥＲｂの温度上昇に対する第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率の上昇の度合いよりも高いために生じる。すなわち、図８に示す入出力系において、５０℃以下では第１抵抗素子ＥＲａの温度上昇に対する第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率の上昇の度合いがより高いことで、温度変化に応じた出力Ｖｏｕｔの変化もより顕著になることによる。換言すると、０℃～５０℃の温度帯では、第１抵抗素子ＥＲａの方が第２抵抗素子ＥＲｂよりも感度が高い。

図１４を参照して説明した例の場合、０℃から５０℃の温度範囲では、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の方が、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合よりも出力値に基づいた温度の特定精度をより高められる。従って、ステップＳ２１の処理で第１温度センサ部４０の出力が取得された場合（ステップＳ２１；Ｙｅｓ）、すなわち、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されている状態での出力信号が得られている場合に０℃から５０℃の温度範囲において第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合に生じ得る出力値が得られている場合、ＣＰＵ８４は、ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第１温度センサ部４０の良特性範囲内であると判定する（ステップＳ２２；Ｙｅｓ）。

ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第１温度センサ部４０の良特性範囲内であると判定された場合（ステップＳ２２；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ８４は、第１温度センサ部４０の出力値に基づいた温度検出装置１０の温度の特定を行う（ステップＳ２３）。

図１５は、温度とデジタル信号の出力値との関係の一例を示す表である。図１５の例で示すように、温度が２５℃である場合に第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は５１２を示す。従って、出力値が５１２であった場合、ＣＰＵ８４は、ステップＳ２３の処理で温度を２５℃であると特定する。なお、図示しないが、０℃から５０℃の温度範囲では、２５℃でない温度の場合に第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られる出力値と、２５℃である場合に第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られる出力値とはそれぞれ異なる。

なお、ステップＳ１１の処理で第１温度センサ部４０の出力が取得されなかった場合（ステップＳ２１；Ｎｏ）又はステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第１温度センサ部４０の良特性範囲内でないと判定された場合（ステップＳ２２；Ｎｏ）、ＣＰＵ８４は、ステップＳ１１の処理で第２温度センサ部５０の出力が取得されたか判定する（ステップＳ２４）。第２温度センサ部５０の出力が取得された場合（ステップＳ２４；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ８４は、ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第２温度センサ部５０の良特性範囲内であるか判定する（ステップＳ２５）。

図１４に示す例では、５０℃から１００℃の温度範囲で、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化が２である。一方、５０℃から１００℃の温度範囲で、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化が１０である。このように、図１４に示す例では、５０℃から１００℃の温度範囲における１℃の温度変化に対する出力電圧の変化に関し、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の方が第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合に比して顕著である。これは、図９の例で示すように、５０℃以上では第２抵抗素子ＥＲｂの温度上昇に対する第２抵抗素子ＥＲｂの体積抵抗率の上昇の度合いが第１抵抗素子ＥＲａの温度上昇に対する第１抵抗素子ＥＲａの体積抵抗率の上昇の度合いよりも高いために生じる。換言すると、５０℃～１００℃の温度帯では、第２抵抗素子ＥＲｂの方が第１抵抗素子ＥＲａよりも感度が高い。

図１４を参照して説明した例の場合、５０℃から１００℃の温度範囲では、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の方が、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合よりも出力値に基づいた温度の特定精度をより高められる。従って、ステップＳ２１の処理で第２温度センサ部５０の出力が取得された場合（ステップＳ２４；Ｙｅｓ）、すなわち、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されている状態での出力信号が得られている場合に５０℃から１００℃の温度範囲において第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合に生じ得る出力値が得られている場合、ＣＰＵ８４は、ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第２温度センサ部５０の良特性範囲内であると判定する（ステップＳ２５；Ｙｅｓ）。

ステップＳ１４の処理でデジタル信号に変換された出力信号が示す出力値が第２温度センサ部５０の良特性範囲内であると判定された場合（ステップＳ２５；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ８４は、第２温度センサ部５０の出力値に基づいた温度検出装置１０の温度の特定を行う（ステップＳ２６）。ステップＳ２３の処理後又はステップＳ２６の処理後、図１２に示す測定方法判定処理（ステップＳ１５）は終了する。

図１５の例で示すように、温度が７５℃である場合に第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は５７２を示す。従って、出力値が５７２であった場合、ＣＰＵ８４は、ステップＳ２６の処理で温度を７５℃であると特定する。なお、図示しないが、５０℃から１００℃の温度範囲では、７５℃でない温度の場合に第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られる出力値と、７５℃である場合に第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られる出力値とはそれぞれ異なる。

なお、図１５の例では、温度が７５℃である場合に第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は５１２を示す。ここで、５０℃から１００℃の温度範囲では、温度が７５℃でない場合でも第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られるデジタル信号の出力値が５１２になってもよい。なぜなら、実施形態１では、５０℃から１００℃の温度範囲では、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られる出力値から温度検出装置１０の温度を特定できるからである。また、図１５の例では、温度が２５℃である場合に第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は４５２を示す。ここで、０℃から５０℃の温度範囲では、温度が２５℃でない場合でも第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られるデジタル信号の出力値が４５２になってもよい。なぜなら、実施形態１では、０℃から５０℃の温度範囲では、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られる出力値から温度検出装置１０の温度を特定できるからである。

また、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合に生じ得る出力値のうち良特性範囲に含まれる出力値の範囲を示すデータ及び第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合に生じ得る出力値のうち良特性範囲に含まれる出力値の範囲を示すデータは、ＲＯＭ８６又はＥＥＰＲＯＭ８７が記憶するプログラム等に含まれる。

図１２を参照して説明した温度の測定に係る処理は、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０との接続の切り替わりに応じて生じるステップＳ４とステップＳ７の両方をトリガーとして個別に行われる。従って、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の出力値に基づいた処理と第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の出力値に基づいた処理の両方が行われることで、第１温度センサ部４０の良特性範囲と第２温度センサ部５０の良特性範囲の両方を活かした温度検出装置１０の温度の検出を行える。

なお、マルチプレクサＭＰによる接続切替のタイミングと、図１１を参照して説明した周期的な第１温度センサ部４０又は第２温度センサ部５０への接続切替のタイミングとの関係は任意である。例えば、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２によって第１温度センサ部４０と制御部８０とが接続されている状態でマルチプレクサＭＰが切替動作を行い、第１温度センサ部４０の検出部ＳＡに含まれる複数の部分温度検出領域ＰＡの各々の第１抵抗素子ＥＲａへの接続の切替が進行するようにしてもよい。この場合、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２によって第１温度センサ部４０から第２温度センサ部５０に制御部８０への接続対象の切替が行われた後、マルチプレクサＭＰが改めて切替動作を行い、第２温度センサ部５０の検出部ＳＡに含まれる複数の部分温度検出領域ＰＡの各々の第２抵抗素子ＥＲｂへの接続の切替が進行する。また、マルチプレクサＭＰがある１つのスイッチＳＷ１へ接続している状態で図１１を参照して説明した周期的な第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０への接続切替が行われてもよい。この場合、図１１のステップＳ１の処理からステップＳ７の処理までの１周期が完了する度にマルチプレクサＭＰが接続対象とするスイッチＳＷ１を順次切り替える。これによって、温度検出装置１０は、検出部ＳＡに含まれる複数の部分温度検出領域ＰＡの各々の位置の温度を個別に特定できる。

なお、検出部ＳＡが表示パネル２による画像の表示領域ＡＡ（図１８等参照）をカバーするよう温度検出装置１０と表示パネル２とが第３方向Ｄｚに重なることで、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２の表示領域ＡＡに向かって集光した光が生じさせる可能性のある温度変化を温度検出装置１０によって検出できる。これによって、当該温度変化に対応した表示パネル２の動作制御を行える。例えば、表示パネル２の表示出力品質を確保できない程の高温が温度検出装置１０によって検出された場合、表示パネル２の動作を停止させるようにしてもよい。また、この場合、当該高温が検出された温度検出装置１０の一部分（部分温度検出領域ＰＡ）に対応する範囲のみ表示パネル２による画像の表示出力を停止するようにしてもよい。このような表示パネル２の動作制御は、ＣＰＵ８４が行ってもよい。その場合、例えばＧＰＩＯ８９又は通信ＩＦ９０を介してＣＰＵ８４と表示パネル２とが接続され、表示パネル２がＣＰＵ８４の動作制御を受けられるよう設けられる。また、このような表示パネル２の動作制御は、制御部８０とは異なる動作制御装置が行ってもよい。その場合、当該動作制御装置は、ＧＰＩＯ８９又は通信ＩＦ９０を介して制御部８０と接続され、ＣＰＵ８４が特定した温度検出装置１０の温度を示す情報を取得可能に設けられる。

以上、実施形態１によれば、温度検出装置１０は、温度変化と電気抵抗値の変化との関係がそれぞれ異なる第１抵抗素子ＥＲａと第２抵抗素子ＥＲｂとが設けられた検出部ＳＡと、第１抵抗素子ＥＲａが接続された配線を含む第１回路又は第２抵抗素子ＥＲｂが接続された配線を含む第２回路の一方と接続するよう切替動作可能に設けられたスイッチＳＷ１，ＳＷ２と、当該一方が接続された配線に電圧を印加して電気的信号を生じさせる電源回路９１と、当該電気的信号の強さに基づいて検出部ＳＡの温度を検出する制御部８０と、を備える。制御部８０は、第１回路で生じた電気的信号と第２回路で生じた電気的信号の両方を得られるよう周期的にスイッチＳＷ１，ＳＷ２を動作させる。

これによって、第１抵抗素子ＥＲａがより顕著に温度変化に応じた体積抵抗率の変化を生じさせる温度範囲と、第２抵抗素子ＥＲｂがより顕著に温度変化に応じた体積抵抗率の変化を生じさせる温度範囲の両方で高精度に温度を検出できる。従って、１種類の抵抗素子のみが採用されている場合に比して、より広い温度域で高精度な温度検出を行える。

また、第１抵抗素子ＥＲａと第２抵抗素子ＥＲｂとは、検出部ＳＡに対する外部の光（例えば、太陽光ＬＬ）の照射方向（第３方向Ｄｚ）に重なる。従って、当該光が生じさせる温度変化を第１抵抗素子ＥＲａと第２抵抗素子ＥＲｂの両方に生じさせやすくなる。従って、当該第１抵抗素子ＥＲａ及び当該第２抵抗素子ＥＲｂが設けられた位置（例えば、１つの部分温度検出領域ＰＡ）における温度をより高精度に検出できる。

また、検出部ＳＡは、第１抵抗素子ＥＲａが複数並べられた第１温度センサ部４０と、第１温度センサ部４０と積層されて第２抵抗素子ＥＲｂが複数並べられた第２温度センサ部５０と、を備える。これによって、複数の第１抵抗素子ＥＲａ及び複数の第２抵抗素子ＥＲｂが並べられた複数の箇所で、第１回路で生じた電気的信号と第２回路で生じた電気的信号の両方に基づいたより広い温度域で高精度な温度検出を行える。

また、１℃以下の温度変化を検出可能な電気的信号の変化が生じる温度範囲が第１回路と第２回路とで異なる。これによって、より広い温度域で高精度な温度検出を行える。

また、制御部８０は、第１回路で生じた電気的信号又は第２回路で生じた電気的信号に基づいて検出部ＳＡの温度を検出する。これによって、第１回路で生じた電気的信号又は第２回路で生じた電気的信号の一方で温度を特定可能な温度範囲について、より迅速に温度を検出できる。

また、第１回路で生じる電気的信号の強さは、第１抵抗素子ＥＲａの温度に応じて変化し、第２回路で生じる電気的信号の強さは、第２抵抗素子ＥＲｂの温度に応じて変化する。これによって、電気的信号の強さに基づいて、より広い温度域で高精度な温度検出を行える。

また、ＨＵＤ装置１は、画像を表示する表示パネル２と、温度検出装置１０と、を備える。温度検出装置１０は、表示パネル２と重なるよう配置される。これによって、表示パネル２に温度変化が生じるような環境条件の変化（例えば、太陽光ＬＬの照射）が生じた場合の温度変化を温度検出装置１０で検出できる。

また、検出部ＳＡは、表示パネル２で画像が表示される表示領域ＡＡ（図１８等参照）と重なるよう配置される。これによって、ＡＡに温度変化が生じるような環境条件の変化（例えば、太陽光ＬＬの照射）が生じた場合の温度変化を温度検出装置１０で検出できる。

なお、図１２に示す測定方法判定処理（ステップＳ１５）は、図１３を参照して説明したものに限られない。以下、測定方法判定処理（ステップＳ１５）の具体的な処理の流れが実施形態１と異なる実施形態２について説明する。

実施形態１の説明において図１４及び図１５を参照して説明した例と異なり、第１抵抗素子ＥＲａの組成及び第２抵抗素子ＥＲｂの組成によっては、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０と接続された場合の出力値又は第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０と接続された場合の出力値のいずれか一方のみでは温度検出装置１０の温度を正確に特定できない温度（境界温度）が生じる場合もある。そこで、実施形態２では、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０と接続された場合に境界温度で生じる出力値と第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０と接続された場合に境界温度で生じる出力値の両方に基づいて温度検出装置１０の温度を特定する。

（実施形態２）
図１６は、実施形態２における測定方法判定処理の流れの別の一例を示すフローチャートである。図１６に示すフローチャートの説明では、実施形態１の説明において行った図１３に示すフローチャートの説明と異なる部分について特筆する。

実施形態２では、図１６に示すように、ステップＳ２２において、出力値が第１温度センサ部４０の良特性範囲内でないと判定された場合（ステップＳ２２；Ｎｏ）、ＣＰＵ８４は、当該出力値を第１温度センサ部４０の出力値として保持する（ステップＳ３１）。具体的には、ＣＰＵ８４は、例えばＲＡＭ８８に当該出力値を第１温度センサ部４０の出力値として記憶させる。

また、実施形態２では、ステップＳ２５において、出力値が第２温度センサ部５０の良特性範囲内でないと判定された場合（ステップＳ２５；Ｎｏ）、ＣＰＵ８４は、当該出力値を第２温度センサ部５０の出力値として保持する（ステップＳ３２）。具体的には、ＣＰＵ８４は、例えばＲＡＭ８８に当該出力値を第２温度センサ部５０の出力値として記憶させる。

ステップＳ３１の処理後又はステップＳ３２の処理後、ＣＰＵ８４は、第１温度センサ部４０の出力値及び第２温度センサ部５０の出力値の両方が保持されているか判定する（ステップＳ３３）。ここで、第１温度センサ部４０の出力値及び第２温度センサ部５０の出力値の少なくとも一方が保持されていないと判定された場合（ステップＳ３３；Ｎｏ）、ＣＰＵ８４は、いったん測定方法判定処理を終了する。ＣＰＵ８４は、この場合、温度の特定について、図１１を参照して説明した第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０との接続の切り替わりに応じて生じる温度の測定に係る処理（図１２参照）の再開を待つ状態になる。

一方、ステップＳ３３において第１温度センサ部４０の出力値及び第２温度センサ部５０の出力値の両方が保持されていると判定された場合（ステップＳ３３；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ８４は、第１温度センサ部４０の出力値と第２温度センサ部５０の出力値の組み合わせに基づいた温度の特定を行う（ステップＳ３４）。すなわち、ステップＳ３４の処理において、ＣＰＵ８４は、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０と接続された場合の出力値又は第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０と接続された場合の出力値の両方に基づいた温度の特定を行う。以下、ステップＳ３４の処理が行われる場合について、図１７を参照して説明する。

図１７は、実施形態２の第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧の変化と、実施形態２の第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続された場合の１℃の温度変化に対する出力電圧と変化と、を４９℃から５１℃の範囲内で１℃刻みに示す表である。なお、実施形態２における第１温度センサ部４０の良特性範囲は０℃から４９℃であるものとする。また、実施形態２における第２温度センサ部５０の良特性範囲は５１℃から１００℃であるものとする。

図１７に示すように、温度が４９℃である場合に第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は５６０を示す。一方、温度が５０℃又は５１℃である場合に第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は５６２を示す。従って、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の出力値に基づいた場合、４９℃と５０℃との区別はできるが、５０℃と５１℃との区別ができない。

また、図１７に示すように、温度が４９℃又は５０℃である場合に第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は４６２を示す。一方、温度が５１℃である場合に第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されると、デジタル信号の出力値は４６４を示す。従って、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続された場合の出力値に基づいた場合、５０℃と５１℃との区別はできるが、４９℃と５０℃との区別ができない。

図１７に示す例の場合、第１抵抗素子ＥＲａ及び第２抵抗素子ＥＲｂの温度が共に５０℃である場合、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られる出力値（５６２）のみでは、５０℃なのか５１℃なのか区別ができない。また、この場合、第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られる出力値（４６２）のみでは、４９℃なのか５０℃なのか区別ができない。一方、第１抵抗素子ＥＲａ及び第２抵抗素子ＥＲｂの温度が共に５０℃である場合に生じる、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られる出力値（５６２）と第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られる出力値（４６２）との組み合わせは、５０℃の場合に生じ、４９℃又は５１℃の場合に生じない。従って、第１抵抗素子ＥＲａが制御部８０に接続されることで得られる出力値（５６２）と第２抵抗素子ＥＲｂが制御部８０に接続されることで得られる出力値（４６２）との組み合わせに基づいて、ＣＰＵ８４は、第１抵抗素子ＥＲａ及び第２抵抗素子ＥＲｂの温度が共に５０℃であることを特定できる。ＣＰＵ８４は、ステップＳ３４の処理においてこのようにして第１抵抗素子ＥＲａ及び第２抵抗素子ＥＲｂの温度を特定し、特定された温度を温度検出装置１０の温度とする。図１７に示す例では、５０℃が境界温度に該当する。

実施形態２では、ステップＳ２３の処理後、ステップＳ２６の処理後又はステップＳ３４の処理後に、ステップＳ３１の処理及びステップＳ３２の処理の少なくとも一方で保持されている出力値があった場合に当該出力値を消去する（ステップＳ３５）。これによって、ステップＳ３４の処理後に、既に温度の特定に利用された古い出力値がＲＡＭ８８に記憶され続けて以後の処理で意図せず再利用されることを防止できる。また、ステップＳ２３の処理が行われたということは、第１温度センサ部４０の良特性範囲内の出力値に基づいて温度検出装置１０の温度を特定できたということである。すなわち、仮に事前にステップＳ３２の処理が行われて第２温度センサ部５０の出力値が保持されていたとしても、当該出力値は温度の特定に不要である。従って、ステップＳ２３の処理後に当該出力値が消去される。また、ステップＳ２６の処理が行われたということは、第２温度センサ部５０の良特性範囲内の出力値に基づいて温度検出装置１０の温度を特定できたということである。すなわち、仮に事前にステップＳ３１の処理が行われて第１温度センサ部４０の出力値が保持されていたとしても、当該出力値は温度の特定に不要である。従って、ステップＳ２６の処理後に当該出力値が消去される。

以上、特筆した事項を除いて、実施形態２は実施形態１と同様である。実施形態２によれば、制御部８０は、第１回路で生じた電気的信号と第２回路で生じた電気的信号の両方に基づいて、第１回路で１℃以下の温度変化を検出可能な電気的信号の変化が生じる温度範囲及び第２回路で１℃以下の温度変化を検出可能な電気的信号の変化が生じる温度範囲と重複しない温度範囲（例えば、境界温度）の温度を検出する。これによって、より広い温度域で高精度な温度検出を行える。

（変形例）
次に、実施形態１及び実施形態２に適用可能な各種の変形例について、図１８から図２２を参照して説明する。

（変形例１）
図１８は、変形例１による検出部ＳＡの構成例を示す平面視点での模式図である。部分温度検出領域ＰＡは、表示領域ＡＡの外側に配置されてもよい。例えば、図１８に示すように、矩形状の表示領域ＡＡの四辺の各々の外側で表示領域ＡＡに当接するように４つの部分温度検出領域ＰＡが配置されていてもよい。この場合、検出部ＳＡは、表示領域ＡＡの額縁領域に対応する範囲をカバーする。また、変形例１における基板２０の大きさは、表示領域ＡＡの額縁領域に対応する範囲をカバーできる大きさである。なお、温度検出装置１０のうち表示領域ＡＡと第３方向Ｄｚに重なる範囲は、基板２０のみが設けられるか、又は空洞である。このように、検出部ＳＡを額縁領域に対応する範囲とすることで、温度検出装置１０は、表示領域ＡＡから出力される画像表示のための光をより良好に通過させることができる。

なお、図１８を参照して説明した変形例１では、実施形態１及び実施形態２と同様、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０が個別に検出部ＳＡを有する。すなわち、図１８に示す複数の部分温度検出領域ＰＡの各々では、第１抵抗素子ＥＲａが設けられた第１温度センサ部４０と第２抵抗素子ＥＲｂが設けられた第２温度センサ部５０とが積層されている。

（変形例２）
図１９は、変形例２による検出部ＳＡの構成例を示す平面視点での模式図である。図１９の第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５の位置関係及び形状で例示するように、表示領域ＡＡの額縁領域に対応する範囲をカバーする検出部ＳＡ内に、表示領域ＡＡの四辺を縁取る形状の抵抗素子を互いに非接触となるよう複数設けてもよい。図１９に示す第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５は、それぞれ組成が異なる抵抗素子である。これによって、第１抵抗素子ＥＲ１、第２抵抗素子ＥＲ２、第３抵抗素子ＥＲ３、第４抵抗素子ＥＲ４及び第５抵抗素子ＥＲ５がそれぞれ示す良特性範囲内の出力値に基づいたより高精度な温度の検出を行える。

なお、変形例２のように３種類以上の抵抗素子ＥＲが設けられる場合、図１１を参照して説明した切替動作において、当該３種類以上の抵抗素子ＥＲのうち１種類が制御部８０と接続され、接続された当該１種類を含む回路に対する電圧の印加に応じた出力信号の取得が行われる工程が当該３種類以上の抵抗素子ＥＲの各々について順次行われる。

また、第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５は、それぞれ異なる層に設けられてもよい。この場合、第１温度センサ部４０と第２温度センサ部５０との積層関係のように、第１抵抗素子ＥＲ１が設けられた層と、第２抵抗素子ＥＲ２が設けられた層と、第３抵抗素子ＥＲ３が設けられた層と、第４抵抗素子ＥＲ４が設けられた層と、第５抵抗素子ＥＲ５が設けられた層とが積層される。また、第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５は、同一の層に形成されてもよい。これによって、積層数の増加による温度検出装置１０の厚みの増加を抑制できる。

（変形例３）
図２０は、変形例３による１つの部分温度検出領域ＰＡ内の第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５の形状及び配置の一例を示す平面視点での模式図である。図２０に示すように、部分温度検出領域ＰＡ内で第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５が並べられて設けられてもよい。この場合、第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５は同一の層に形成されることが望ましい。これによって、積層数の増加による温度検出装置１０の厚みの増加を抑制できる。

なお、図２０に示す例では、第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５が第１方向Ｄｘに並んでいるが、第２方向Ｄｙに並んでもよいし、平面視点で他の方向に並んでもよい。また、変形例３は、変形例１と組み合わされてもよい。

また、図２０に示す第１抵抗素子ＥＲ１、第２抵抗素子ＥＲ２、第３抵抗素子ＥＲ３、第４抵抗素子ＥＲ４及び第５抵抗素子ＥＲ５は、形状が実施形態１における抵抗素子ＥＲの形状（図６参照）と同様の形状であるが、これに限られるものでない。

（変形例４）
図２１は、変形例４による１つの部分温度検出領域ＰＡ内の第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５の形状及び配置の一例を示す平面視点での模式図である。図２１に示すように、第１抵抗素子ＥＲ１、第２抵抗素子ＥＲ２、第３抵抗素子ＥＲ３、第４抵抗素子ＥＲ４及び第５抵抗素子ＥＲ５はそれぞれ一端が基準電位線ＣＬと接続し、他端が個別の配線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５と接続される一続きの形状であればよく、それ以外の部分の形状が図２１に示すように矩形状であってもよいし、図示しない他の形状であってもよい。

また、検出部ＳＡが複数の部分温度検出領域ＰＡを含むことは必須でない。

（変形例５）
図２２は、変形例５による検出部ＳＡの構成例を示す平面視点での模式図である。図２２に示すように、検出部ＳＡ内に１つの抵抗素子ＥＲが設けられるようにしてもよい。この場合、ｍ＝１であり、スイッチＳＷ１の数は１つである。図２２では、ｍ＝１の場合であるので、抵抗素子ＥＲの他端に接続される配線を配線Ｌ１としている。また、この場合、マルチプレクサＭＰは省略される。すなわち、この場合、スイッチＳＷ１とフィルタ８１とがマルチプレクサＭＰを介さず接続される。

なお、実施形態１、実施形態２及び変形例５のうち少なくとも１つ以上の抵抗素子ＥＲの形状が図２１に示す第１抵抗素子ＥＲ１と、第２抵抗素子ＥＲ２と、第３抵抗素子ＥＲ３と、第４抵抗素子ＥＲ４と、第５抵抗素子ＥＲ５の形状と同様であってもよいし、図示しない他の形状であってもよい。

また、温度検出装置１０は、ＨＵＤ装置１に設けられなくてもよい。例えば、他の形態の表示装置に重なるよう温度検出装置１０が設けられてもよいし、温度検出装置１０が表示装置以外の装置と組み合わせられてもよいし、温度検出装置１０単体であってもよい。

また、温度検出装置１０が有する抵抗素子の種類は、３であってもよいし６以上であってもよい。温度検出装置１０が有する抵抗素子の種類は、複数であればよい。

また、検出部ＳＡが表示領域ＡＡと第３方向Ｄｚに重なる場合、抵抗素子ＥＲを構成する電極は、透光性を有する電極であるか、表示領域ＡＡからミラー部材ＲＭ１側に出力される光の遮蔽率を無視できるほどに小さい微細化された電極であることが望ましい。

また、第１回路及び第２回路の具体的構成は、上述した例に限られない。例えば、複数種類の抵抗素子に直接電圧を印加して当該抵抗素子かを流れる電流を出力信号として扱い、当該出力信号の強弱に基づいて温度を特定するようにしてもよい。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと解される。

１ ＨＵＤ装置
２ 表示パネル
１０ 温度検出装置
４０ 第１温度センサ部
５０ 第２温度センサ部
ＥＲａ，ＥＲ１ 第１抵抗素子
ＥＲｂ，ＥＲ２ 第２抵抗素子
ＥＲ３ 第３抵抗素子
ＥＲ４ 第４抵抗素子
ＥＲ５ 第５抵抗素子
７０ 切替部
８０ 制御部
ＭＰ マルチプレクサ
ＳＷ１，ＳＷ２ スイッチ

Claims (12)

1. 温度変化と電気抵抗値の変化との関係がそれぞれ異なる第１抵抗素子と第２抵抗素子とが設けられた検出部と、
   前記第１抵抗素子が接続された配線を含む第１回路又は前記第２抵抗素子が接続された配線を含む第２回路の一方と接続するよう切替動作可能に設けられたスイッチと、
   前記一方が接続された配線に電圧を印加して電気的信号を生じさせる電源回路と、
   前記電気的信号の強さに基づいて前記検出部の温度を検出する制御部と、を備え、
   前記制御部は、周期的に前記スイッチを切替動作させる
   温度検出装置。
2. 前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子とは、前記検出部に対する外部の光の照射方向に重なる
   請求項１に記載の温度検出装置。
3. 前記検出部は、
   前記第１抵抗素子が複数並べられた第１温度センサ部と、
   前記第１温度センサ部と積層されて前記第２抵抗素子が複数並べられた第２温度センサ部と、を備える
   請求項１又は２に記載の温度検出装置。
4. 前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子は、同一の層に形成される
   請求項１に記載の温度検出装置。
5. １℃以下の温度変化を検出可能な前記電気的信号の変化が生じる温度範囲が前記第１回路と前記第２回路とで異なる
   請求項１から４のいずれか一項に記載の温度検出装置。
6. 前記制御部は、前記第１回路で生じた前記電気的信号又は前記第２回路で生じた前記電気的信号に基づいて前記検出部の温度を検出する
   請求項５に記載の温度検出装置。
7. 前記制御部は、前記第１回路で生じた前記電気的信号と前記第２回路で生じた前記電気的信号の両方に基づいて、前記第１回路で１℃以下の温度変化を検出可能な前記電気的信号の変化が生じる温度範囲及び前記第２回路で１℃以下の温度変化を検出可能な前記電気的信号の変化が生じる温度範囲と重複しない温度範囲の温度を検出する
   請求項５又は６に記載の温度検出装置。
8. 前記第１回路で生じる前記電気的信号の強さは、前記第１抵抗素子の温度に応じて変化し、
   前記第２回路で生じる前記電気的信号の強さは、前記第２抵抗素子の温度に応じて変化する
   請求項１から７のいずれか一項に記載の温度検出装置。
9. 画像を表示する表示パネルと、
   請求項１から８のいずれか一項に記載の温度検出装置と、を備え、
   前記温度検出装置は、前記表示パネルと重なるよう配置される
   表示装置。
10. 前記検出部は、前記表示パネルで画像が表示される表示領域と重なるよう配置される
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記検出部は、前記表示パネルで画像が表示される表示領域を縁取るよう配置される
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 画像を表示する表示パネルと、
    前記表示パネルの表示面に重ねて配置される温度検出装置とを備え、
    該温度検出装置は、
    温度変化と電気抵抗値の変化との関係がそれぞれ異なる第１抵抗素子と第２抵抗素子とが設けられた検出部と、
    前記第１抵抗素子が接続された配線を含む第１回路又は前記第２抵抗素子が接続された配線を含む第２回路の一方と接続するよう切替動作可能に設けられたスイッチと、
    前記一方が接続された配線に電圧を印加して電気的信号を生じさせる電源回路と、
    前記電気的信号の強さに基づいて前記検出部の温度を検出する制御部と、を備え、
    前記制御部は、周期的に前記スイッチを切替動作させる
    ヘッドアップディスプレイ。

Images