TW580843B - Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element - Google Patents

Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element Download PDF

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Description

580843 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關顯示元件、半導體電路元件等電子元件 的密封構造者，特別是有關顯示裝置、電子機器、電子元 件部的障壁性薄膜密封構造及其製造方法者。本發明特別 以有機電激發光顯示裝置作爲最佳應用例所舉的實例，但 並不限於此。 【先前技術】 近年採行在一對電極間具有夾持正孔注入/輸送層、 發光層等機能層而成的構造的複數個顯示元件的彩色顯示 裝置，特別是當作發光層材料而採用有機發光材料的有機 電激發光（電發光）顯示裝置的開發。該有機電激發光顯示 裝置至少具備有例如形成在玻璃、塑膠等基體上的有效矩 陣電路、和矩陣狀形成在該有效矩陣電路上的上述顯示元 件、和覆蓋該顯示元件而密封的密封罐所構成。 密封罐是種例如將玻璃、金屬等形成箱狀者。藉由該 密封罐的密封構造是成爲例如在密封罐的內部配置前述顯 示元件的狀態，將該密封罐在前述基體的周緣部介著接著 劑等而接合的構造。在密封罐的內部密封有氮、氬等非活 性氣體，同時還具備吸收水份、氧的吸氣劑，防止水份、 氧侵入顯示元件，而成爲可防止發光層劣化。 習知的顯示裝置例如整個厚度爲2〜5mm左右，其中 密封罐的所佔的厚度界限爲1. 5 m m左右，爲了防止密封 -5- (2) 罐與顯示元件的接觸，必須設置放入吸氣劑等的空間’所 以顯示尺寸變得愈大保持強度，密封構造就需要增厚。 而爲了在密封罐與基體的接合，使用接著劑等’就需 要在基體確保有接著劑等的塗佈區域，因此相對地設置顯 示元件的顯示區域變窄，藉此在採用以顯示裝置作爲行動 電話等的電子機器的顯示部的情形下，也會有所謂設計上 受到很大限制的問題。而塗佈區域與顯示區域之間，考慮 擴大接著劑，就需要空出間隔，習知的顯示裝置乃有所謂 配合該間隔與塗佈區域的框緣區域無法變窄的問題。甚至 一旦確保顯示區域很大，塗佈區域變窄，就會有所謂針對 水份、氧的障壁性降低，發光層劣化（壽命降低）的問 題。 更因在將接著劑等塗佈到基體時所發生的塗佈變動、 接著精度不良等，無法如設計般地晝分塗佈區域與顯示區 域的邊界，也會有所謂因場所使障壁性發生差異，可靠性 降低的問題。 而對於在與習知相反方向取得光線，實現開口率可增 大的頂放射式的顯示元件上，以密封罐方式會有吸氣劑、 罐材料妨礙光線穿透的困難。 【發明內容】 本發明乃爲鑑於上述情形的發明，其目的在於提供一 顯不裝置本體厚度很薄，且能充分確保針對水份、氧的障 壁性’防止發光層劣化的障壁性薄膜密封構造及顯示裝置 -6- (3) (3)580843 及具備設有其構造的顯示裝置的電子機器以及顯示裝置的 製造方法。 爲達成上述目的，本發明採用以下的構成。 本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造是種在至 少形成或安裝在基體上的電子元件部上，積層有平坦化樹 脂層與障壁層各積層一層以上的多層密封膜，藉此密封前 述電子元件部的構造，在前述基體上形成將該電子元件部 整體或一部分圍在內側的環狀攔阻部，前述平坦化樹脂層 是形成在前述攔阻部的內彳則爲其特徵。 尙且在最鄰接於基體的平坦化樹脂層乃以顯示元件部 的非形成區域，鄰接在前述基體爲佳。 再者，上述電子元件部是以電激發光（電發光）顯示元 件、半導體電路元件、形成在其他基體等上的各式各樣的 電路等舉例示之。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 就能經由各積層一層以上的平坦化樹脂層及障壁層所成的 多層密封膜，來密封電子元件部，與習知經由密封罐的密 封構造相比，能形成很薄的多層密封膜，密封構造本身的 整個厚度還比習知薄。 而因形成平坦化樹脂層，所以形成在該平坦化樹脂層 上的障壁層就很平坦，藉此就能實現障壁層不會發生裂 痕、針孔、膜厚變動之障壁性高的薄膜密封，所以能提供 可靠性高、壽命長的密封構造。 而平坦化樹脂層被形成在攔阻部內側的緣故，就能將 -7- (4) (4)580843 平坦化樹脂層的形成區域經由攔阻部來畫分，因此所謂的 框緣區域的範圍就能經由攔阻部的位置來調整。藉此框緣 區域比習知窄，顯示區域就變寬。而將平坦化樹脂層的形 成區域經由攔阻部來晝分，藉此障壁性就不會因場所而偏 差，得以提高密封的可靠性。更如第2 1圖所示，在大型 母基板一倂製造更多個，且分成個別顯示體的情況下，密 封膜不會附著在劃線區域，所以能防止因劃線時密封膜捲 曲等損傷的障壁性降低。 而最鄰接在基體的平坦化樹脂層一旦以電子元件部的 非形成區域與前述基體鄰接，就能提高基體與多層密封膜 的接觸面積，藉此就能更進一步提高針對電子元件部的 水、氧的障壁性。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，前述障壁 層是形成到前述攔阻部的外側爲其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 障壁層就會被形成到攔阻部的外側，所以能確保擴大障壁 層的形成區域，藉此更進一步提高多層密封膜的障壁性， 更有效的防止水、氧等侵入電子元件部。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，在前述攔 阻部的外側，至少形成一層以上的別的攔阻部爲其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 在攔阻部的外側至少形成一層以上的別的攔阻部，藉此設 -8- (5) (5)580843 有複數個攔阻部，連平坦化樹脂層形成很厚的情況下，還 是能確實的攔阻平坦化樹脂層，更進一步提高多層密封膜 的障壁性。藉此，多層密封膜就很容易成爲重複積層平坦 化樹脂層與障壁層的構造，可更進一步提高針對水、氧等 的障壁性。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，複數個平 坦化樹脂層是各自形成在各前述攔阻部的內側爲其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 複數個平坦化樹脂層就會被各自形成在複數個攔阻部的內 側，所以就連形成複數個平坦化樹脂層的情況下，攔阻層 還是能更確實的攔阻，更進一步提高多層密封膜的障壁 性。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，複數個障 •壁層是被各自形成到各前述攔阻部的外側爲其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 複數個障壁層就會被形成到各攔阻部的外側，所以可確保 擴大各障壁層的形成區域，藉此更進一步提高多層密封膜 的障壁性，更有效的防止水、氧等侵入電子元件部。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，前述攔阻 部乃爲由被排液性表面處理的有機材料所形成的外圍間隔 壁層爲其特徵。 -9- (6) (6)580843 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造’ 就會因爲攔阻部是屬於被排液性表面處理的外圍間隔壁 層，所以平坦化樹脂層不會溢出到攔阻部的外側，就能藉 此提高密封構造的可靠性。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，前述攔阻 部乃爲環狀形成在基體上的排液性區域爲其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造’ 前述攔阻部屬於環狀形成在基體上的液性區域，所以平坦 化樹脂層不會溢出到攔阻部外側，就能藉此提高密封構造 的可靠性。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，至少至在 前述攔阻部內側的基體上形成親液性處理膜爲其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 在攔阻部內側的基體上形成親液性處理膜，就能提高積層 在該親液性處理膜上的平坦化樹脂層與基體的密著性，更 進一步提高障壁性。 而本發明的電子元件部的障壁性薄膜密封構造乃爲先 前所記載的電子元件部的障壁性薄膜密封構造，前述排液 性區域乃屬於前述親液性處理膜是經由排液處理所形成爲 其特徵。 只要根據相關的電子元件部的障壁性薄膜密封構造， 將親液性處理膜進行排液處理，藉此形成排液性區域，排 -10- (7) (7)580843 液性區域的形成位置就容易定位在所定的位置，提高密封 構造的可靠性。 其次，本發明的顯示裝置乃具備有：形成或安裝在基 體上的顯示元件部、和圍在內側地形成該顯示元件部的環 狀攔阻部、和平坦化樹脂層與障壁層成爲至少各一層以上 被積層在前述顯示元件上的多層密封膜，前述平坦化樹脂 層是被形成到前述攔阻部的內側爲其特徵。 只要根據相關的顯示裝置，藉由各一層以上積層平坦 化樹脂層及障壁層而成的多層密封膜來密封顯示元件部， 與藉由習知的密封面的密封構造相比，能形成很薄的多層 密封膜，所以顯示裝置本身的整個厚度比習知還薄。 而形成平坦化樹脂層，所以形成在該平坦化樹脂層上 的障壁層就很平坦，藉此就不會在障壁層發生裂痕、針 孔，能提供障壁性高的顯示裝置。 而平坦化樹脂層被形成在攔阻部內側的緣故，平坦化 樹脂層的形成區域就能經由攔阻部來畫分，因此所謂的框 緣區域的範圍就能經由攔阻部的位置來調整。藉此框緣區 域就會比習知窄，顯示區域就很寬廣。而平坦化樹脂層的 形成區域經由攔阻部晝分，藉此障壁性就不會因場所而產 生偏差，就能提高密封的可靠性。 而一旦最鄰接在基體的平坦化樹脂層是用顯示元件部 的非形成區域與前述基體隣接，基體與多層密封膜的接觸 面積就會增多，就能藉此更進一步提高針對顯示元件部的 水、氧的障壁性。 -11 - (8) (8)580843 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，前 述障壁層是被形成到前述攔阻部的外側爲其特徵。 只要根據相關的顯示裝置，障壁層被形成到攔阻部的 外側’所以障壁層的形成區域很廣，而障壁性更進一步提 商’就能更有效的防止水、氧等侵入顯示元件部。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，在 即述攔阻部的外側至少形成一層以上的別的攔阻部爲其特 徵。 只要根據相關的顯示裝置，在攔阻部的外側至少形成 一層以上的別的攔阻部，藉此設置複數個攔阻部，就算平 坦化樹脂層形成很厚或積層的情況下，還是可確實的攔阻 平坦化樹脂層，更進一步提高多層密封膜的障壁性。藉此 多層密封膜就很容易重複積層平坦化樹脂層與障壁層的構 造’更進一步提高針對水、氧等的障壁性。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，複 數個平坦化樹脂層是被各自形成在各前述攔阻部的內側爲 其特徵。 只要根據相關的顯示裝置，複數個平坦化樹脂層被各 自形成在複數個攔阻部的內側，所以就算形成複數個平坦 化樹脂層的情況下，還是能經由攔阻部確實的被攔阻，更 進一步提高多層密封膜的障壁性。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，複 數個障壁層各自被形成到各前述攔阻部的外側爲其特徵。 只要根據相關的顯示裝置，複數個障壁層各自被形成 -12- 580843 Ο) 到各攔阻部的外側，所以可擴大確保各障壁層的形成區 域’藉此更進一步提高多層密封膜的障壁性，更有效的防 止水、氧等侵入顯示元件部。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，前 述攔阻部乃爲由被排液性表面處理的有機材料所形成的外 圍間隔壁層爲其特徵。 只要根據相關的顯示裝置的密封構造，因爲攔阻部是 種被排液性表面處理的外圍間隔壁層，所以平坦化樹脂層 不會溢出到攔阻部的外側，就能藉此更進一步提高密封構 造的可靠性。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，前 述攔阻部乃爲環狀形成在基體上的排液性區域爲其特徵。 只要根據相關的顯示裝置的密封構造，前述攔阻部爲 被環狀形成在基體上的排液性區域，平坦化樹脂層就不會 溢出到攔阻部外側，就能藉此提高密封構造的可靠性。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，至 少在前述攔阻部的內側的基體上形成親液性處理膜爲其特 只要根據相關的顯示裝置，在攔阻部內側的基體上形 成親液性處理膜，就能提高與積層在親液性處理膜上的平 坦化樹脂層及基體的密著性，更進一步提高障壁性。 而本發明的顯示裝置乃爲先前所記載的顯示裝置，前 述排液性區域乃爲前述親液性處理膜是經由排液處理所形 成爲其特徵。 -13- (10) Λ要根據相關的顯示裝置，將 處理’藉此形成排液性區域，就能 的形成位置定位在所定位置，提高 而本發明的顯示裝置中，前述 發光元件、和晝分該複數個發光元 前述發光元件是由電極、和鄰接在 接在該機能層所形成的對向電極所 而本發明的顯示裝置乃爲先前 備有用來驅動前述顯示元件部的驅 經由至少各一個的前述平坦化樹脂 爲其特徵。 只要根據相關的顯示裝置，驅 的前述平坦化樹脂層及前述障壁層 氧等侵入驅動電路，更進一步提高 而本發明的電子機器乃爲具備 顯示裝置爲其特徵。 只要根據相關的電子機器，具 置’電子機器本身的厚度就很薄， 水份、氧等可靠性高的電子機器。 其次，本發明的電子元件部的 具備有形成在基體上的電子元件部 法，其特徵爲具備有：在前述電子 成環狀攔阻部的攔阻部形成工程、 佈含有樹脂單體或樹脂低聚物的樹 親液性處理膜進行排液 很容易地將排液性區域 顯示裝置的可靠性。 顯示元件部是由複數個 件的間隔壁部所構成， 該電極的機能層、和鄰 成爲佳。 所記載的顯示裝置，具 動電路，該驅動電路是 層及前述障壁層所密封 動電路經由至少各一個 所密封，就能防止水、 顯示裝置的可靠性。 有先前任一項所記載的 備有上述任一個顯示裝 因爲這樣就能實現針對 製造方法，乃屬於至少 的電子元件部的製造方 元件部周圍的基體上形 和在該攔阻部的內側塗 脂塗劑後而聚合形成平 -14- (11) (11)580843 坦化樹脂層的平坦化樹脂層形成工程、和形成至少覆蓋前 述平坦化樹脂層與前述攔阻部的障壁層的障壁層形成工 程。 再者，上述的電子元件部是以電激發光（電發光）顯示 元件、半導體電路元件、形成在其他基體等上各式各樣的 電路等舉例示之。 只要根據相關的電子元件部的製造方法，在基體上形 成環狀攔阻部，將樹脂塗劑塗佈在該攔阻部的內側，就能 經由攔阻部來防止樹脂塗劑擴大，藉此就能任意設定密封 的區域，製造障壁性無論在基體的那一部分都很均勻的顯 示裝置。 並於形成平坦化樹脂層後，形成障壁層，就能防止障 壁層發生裂痕、針孔，藉此提高針對水、氧的障壁性。 而本發明的電子元件部的製造方法乃爲先前所記載的 顯示裝置的製造方法，於交互複數次施行使用具有前述流 動性的樹脂的平坦化樹脂層形成工程與前述障壁層形成工 程的薄膜密封中，其特徵爲：將前述平坦化樹脂層與前述 障壁層交互積層的積層密封膜形成在環狀攔阻部的內側。 只要根據相關的顯示裝置的製造方法，交互積層平坦 化樹脂層與障壁層，就能再現性佳的形成積層密封膜端 部’由積層密封膜端部提高水、氧的耐穿透性，製造障壁 性優的顯示裝置。 【實施方式】 -15- (12) [用以實施發明的最佳形態〕 [第~實施形態] 以下，本發明的第一實施形態，針對在電子元件部應 用有機電激發光顯示裝置（顯示裝置）用的顯示元件的例 子’參照圖面做說明。本實施形態是表示本發明之一形態 者’本發明並不限於此，在本發明之技術思想範圍內均可 任意變更。再者，於以下所示的各圖中，爲了各層、各構 件具有可在圖面上辨識程度的大小，各層、各構件的每個 縮放比例都不相同。 於第1圖表示本實施形態的顯示裝置（有機電激發光 顯示裝置）的配線構造的平面模式圖。於第1圖所示的顯 示裝置1是當作直接驅動元件，爲使用薄膜電晶體（Thin Film Transistor)的主動矩陣方式的有機電激發光顯示裝置。 第1圖所示的顯示裝置1乃具有：複數個掃描線 1 0 1…、和延伸至針對掃描線1 0 1…而交叉的方向的複數 個訊號線1 02…、和並列延伸至訊號線i 〇2…的複數個發 光用電源配線1 〇3…各個配線的構成，同時在掃描線 101…及訊號線1〇2…的各交點附近設有畫素區域A…。 在各訊號線1〇2…連接具備有移位暫存器、位準移動 器、視頻線路及模擬開關的資料側驅動電路1 04。並在各 掃描線1 〇 1…連接具備有移位暫存器及位準移動器的掃描 側驅動電路1 0 5、I 0 5。 更在畫素區域A的每一個設有：介著掃描線1 〇〗讓 掃描訊號供給到閘電極的開關薄膜電晶體1 1 2、和介著該 -16 - (13) 開關薄膜電晶體1 1 2保持自訊號線1 02供給的畫像訊號的 保持容量Cap、和藉由該保持容量Cap所保持的畫像訊號 供給到閘電極的電流薄膜電晶體1 23、和介著該電流薄膜 電晶體1 23而電氣連接到發光用電源配線1 03時自發光用 電源配線103流入驅動電流的畫素電極（第一電極）1 11、 夾入該畫素電極111與陰極（第二電極）12之間的機能層 110。而且陰極12是連接在陰極用電源電路131。 而在機能層1 1 〇包括：由正孔注入/輸送層、和鄰接 在該正孔注入/輸送層而形成的有機電發光材料所構成的 發光層，更在發光層包括：紅色發光的發光層1 1 0R、綠 色發光的發光層110G、藍色發光的發光層11 0B的三種發 光層，各發光層1 l〇R、1 l〇G、1 10B是條帶狀配置。 然後，介著電流薄膜電晶體123被連接在各發光層 110R、110G、110B的發光用電源配線 103R、103G、 103B是各別連接在發光用電源電路132。在每一色配線有 發光用電源配線l〇3R···，發光層1 10R…的驅動電位在每 一色均不相同。 在該顯示裝置1中，一旦掃描線1 01被驅動，開關薄 膜電晶體1 1 2成爲ON，這時訊號線1 02的電位被保持在 保持容量cap，於該保持容量cap配合狀態來決定電流薄 膜電晶體123的ON、OFF狀態。然後介著電流薄膜電晶 體1 2 3的通道自發光用電源配線1 〇 3 R、1 〇 3 G、1 0 3 B對畫 素電極1 1 1流入驅動電流，更介著發光層1 1 〇R、1〗〇 G、 1 1 0 B對陰極（第二電極）1 2流入電流。各機能層1〗〇則配 -17- (14) 合流入電流的電流量而發光。 其次，本實施形態的顯示裝置1的具體形態樣參照第 2圖〜第4圖做說明。於第2圖表示本實施形態的顯示裝 置的平面模式圖，於第3圖表示沿著第2圖的A-A’線的 斷面圖，於第4圖表示沿著第2圖的B -B ’線的斷面圖。 如第2圖、第3圖及第4圖所示，於本實施形態的顯 示裝置1中，在由玻璃、塑膠等製成的透明基板2上，設 有連接在圖示省略的電流薄膜電晶體的畫素電極（電極） 被矩陣狀配置的顯示區域1 1 a、和配置在顯示區域1 1 a周 圍而成的非顯示區域1 1 b。然後在非顯示區域1 1 b具備 有：連接在各畫素電極的發光用電源配線1 03 ( 1 03 R、 1 0 3 G、1 0 3 B )及掃描線驅動電路 1 0 5。而在顯示區域 1 1 a 上具備有平面視之略呈矩形的顯示元件部3 (電子元件 部）。 如第2圖所示，形成在非顯示區域1 1 b的發光用電源 配線103R、103G、103B是自基板2的圖中下側，沿著掃 描線驅動電路1 05延長至圖中上方，且自掃描線驅動電路 1 〇 5被中斷的位置而彎曲，並沿著顯示元件部3做延伸， 連接到位在顯示元件部3內之圖示省略的畫素電極。 並如第2圖及第4圖所示，在基體2的一端黏貼有在 基材使用聚醯亞胺、聚酯的撓性貼帶1 3 0，在該撓性貼帶 130上實裝有控制用IC130a。在該控制用IC130a內裝有 第1圖所示的資料側驅動電路1 〇4、陰極用電源電路1 3 1 及發光用電源電路1 3 2。在撓性貼帶1 3 0上，自控制用 -18- (15) ICl30a取出的複數個外部端子130b是沿著撓性貼帶130 的一邊而配置。 其次，如第3圖及第4圖所示，在基板2上形成電路 部1 1，在該電路部1 1上形成顯示元件部3。在電路部1 1 的中央部分設有前述的顯示區域Π a。在位於該顯示區域 11a內的電路部11具備有電流薄膜電晶體123以及連接 在該電流薄膜電晶體1 23的晝素電極1 1 1。電流薄膜電晶 體123是積層在基板2上的基層保護層281、第二層間絕 緣層2 8 3及置入第一層間絕緣層284所形成；而畫素電極 111是形成在第一層間絕緣層284上。尙在電路部11亦 形成前述的保持容量cap及開關薄膜電晶體142，但第3 圖及第4圖中省略該些的圖示。 並在各畫素電極1 1 1…之間形成間隔壁部1 1 2。間隔 壁部1 1 2是由形成在第一層間絕緣層284上的無機物間隔 壁層1 1 2 a、和形成在該無機物間隔壁層1 1 2 a上的有機物 間隔壁層1 1 2 b所構成。無機物間隔壁層1 1 2 a不光是顯示 區域1 1 a，還形成略覆蓋非顯示區域1 1 b。無機物間隔壁 層1 1 2a乃被親液性表面處理，另一方面有機物間隔壁層 1 1 2b則被排液性表面處理。並在各畫素電極1 1 1…上各自 形成機能層1 1 〇，更在各機能層1 1 〇…及有機物間隔壁層 1 1 2b上形成陰極1 2。無機物、有機物間隔壁層1 1 2 a、 ]1 2b是放置在畫素電極1 1 1的周緣部上所形成，而無機 物間隔壁層1 1 2a是形成到畫素電極1 1 1比有機物間隔壁 層1 1 2b的更中央側。尙可在無機物間隔壁層1 1 2a與有機 -19- (16) 物間隔壁層1 1 2b之間，配置遮光層。 有機物間隔壁層1 1 2b是由丙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂 等普通的光阻劑所形成。該有機物間隔壁層1 1 2b的厚度 以0.1〜3.5μηι的範圍爲佳’尤以2μιη程度爲佳。厚度未 滿0 . 1 μιη，有機物間隔壁層1 1 2b就會變得比構成機能層 1 1 〇的正孔注入/輸送層及發光層的總厚度還薄，發光層 有可能會自上部開口部1 1 2d溢出很不理想。而厚度一旦 超過3.5 μιη，因上部開口部1 12d的段差變大，就無法確 保形成在有機物間隔壁層1 1 2b上的陰極1 1 2的分步塗層 很不理想。而有機物間隔壁層112b的厚度若爲2μιη以 上，提高與陰極1 1 2和晝素電極1 1 1的絕緣點來看就更理 想。 並在間隔壁部1 1 2及其周邊形成表示親液性的區域、 和表示排液性的區域。 表示親液性的區域乃爲無機物間隔壁層1 1 2 a及畫素 電極1 1 1，在該些區域經由以氧爲反應氣體的電漿處理而 導入羥基等親液基。而表示撥液性的區域乃爲有機物間隔 壁層1 1 2b，經由以四氟化甲烷爲反應氣體的電漿處理而 導入氟等撥液基。 機能層110乃如第3圖及第4圖所示，積層在各個畫 素電極1 1 1…上。而間隔壁部1 1 2是配備在各畫素電極 1 1 1及各機能層1 1 〇之間，畫分各機能層1 1 0。機能層 Π0是由積層在晝素電極111上之圖示省略的正孔注入/ 輸送層、和鄰接在正孔注入/輸送層上而形成之圖示省略 -20- (17) (17)580843 的發光層所構成。發光層是結合由正孔注入/輸送層被注 入的正孔、和來自陰極的電子而產生螢光。發光層則具有 紅色 （R)發光的紅色發光層、綠色 （G)發光的綠色發光 層、及藍色 （B)發光的藍色發光層三種，例如各發光層是 條帶狀配置。尙且發光層的配置並不限於條帶狀配置，也 可爲鑲嵌配置、三角形配置。 陰極1 2是由以氟化鋰與鈣的積層體所形成的下部陰 極層12b、和以AI、Ag、Mg/ Ag積層體等所形成的上部 陰極層1 2c所構成。下部陰極層1 2b只形成在有機物間隔 壁層11 2b上，另一方面，上部陰極層12c是形成在自有 機物間隔壁層112b上至非顯示區域lib上，同時被連接 到陰極用配線12a。陰極12是當作畫素電極1 1 1的對向 電極，達到對機能層1 1 〇流入電流的作用。 其次，如第2圖及第3圖所示，在顯示元件部3兩側 的非顯示區域設有前述的掃描線驅動電路1 〇 5。在該掃描 線驅動電路1 05配備構成包括移位暫存器的反相器的N 通道型或P通道型的薄膜電晶體l〇5c，薄膜電晶體105c 除了連接在畫素電極1 1 1這點外，其餘是與上述電流薄膜 電晶體123同樣的構造。 而如第3圖所示，在掃描線驅動電路1 〇5、1 05近傍 的基層保護層2 8 1上，形成掃描線電路用控制訊號配線 1 0 5 a。更在掃描線電路用控制訊號配線1 〇 5 a近傍的第二 層間絕緣層2 8 3上，配置掃描線電路用電源配線1 〇 5 b。 而如第3圖所示，在掃描線電路用電源配線1 〇 5 b近 -21 - (18) (18)580843 傍，配置發光用電源配線l〇3R、103G、103B。 而如第 3圖所示，在比發光用電源配線1 〇 3 R、 1 0 3 G、1 0 3 B外側的非顯示區域1 1 b，形成連接在陰極1 2 的陰極配線1 2a。該陰極配線12a是平面視之略呈U字狀 形成圍住發光用電源配線l〇3R、103G、103B。 其次，針對本實施形態的顯示裝置1的密封構造做說 明。 如第2圖、第3圖及第4圖所示，在基體2上的顯示 元件部3的周圍，環狀形成外圍間隔壁層1 4a(攔阻部）。 並如第3圖及第4圖所示，在顯示元件部3上積層多層密 封膜 Mb。該多層密封膜 14b是按平坦化樹脂層 14c(14cl、14c2)和障壁層 14d(14dl、14d2)的順序各積層 兩層而形成。各平坦化樹脂層1 4 c 1…均被形成於形成環 狀的外圍間隔壁層1 4 a的內側，成爲藉由外圍間隔壁餍 1 4 a被攔阻的狀態。而各障壁層]4 d 1…是形成在各平坦化 樹脂層Mcl…上（外圍間隔壁層14a的內側），同時其端 部l4e(Mel、14e2)延長到外圍間隔壁層14a的外側而形 成。再者，平坦化樹脂層14c及障壁層14d的層數，只要 各一層以上無論幾層都可，但以二層〜四層程度爲佳。 而外圍間隔壁層14a是以厚度爲1〜3μιη的範圍所形 成，並與有機物間隔壁層1 1 2b同樣地，表面被排液性處 理。 平坦化樹脂層1 4c是由例如聚丙烯樹脂等製成，埋置 非顯不區域1 1 b與顯示區域1 1 a (非顯示區域丨丨b上的無機 -22- (19) (19)580843 物間隔壁層1 1 2 a與顯示元件部3 )的段差（1〜3 μ m)，並儘 量將其表面形成平坦化，就可儘量縮小形成在該平坦化樹 脂層14c上的障壁層14d的分步塗層，具有防止障壁層 l4d方面產生針孔、裂痕、膜厚變動的作用。障壁層I4d 是由Si02等無機物膜製成，屬於水、氧阻斷性優者。多 層密封膜14b是該些平坦化樹脂層14c與障壁層14d依序 積層而構成，藉此防止水份、氧、雜質離子等侵入顯示元 件部3，而防止陰極1 2、機能層1 1 〇劣化。 針對密封構造做更詳細描述的話，如第3圖及第4圖 所示，平坦化樹脂層1 4c之中，最下層的平坦化樹脂層 1 4 c 1是形成在非顯示區域1 1 b的無機物間隔壁層1 1 2 a(親 液性處理膜）及顯示元件部3上，被攔阻在外圍間隔壁層 1 4 a的內側。該平坦化樹脂層1 4 c 1是形成比外部間隔壁 層1 4 a還薄。無機物間隔壁層1 1 2 a的表面爲親液性的緣 故，構成平坦化樹脂層1 4c 1的聚丙烯樹脂等就很容易溶 合，因此無機物間隔壁層1 1 2a與平坦化樹脂層1 4c 1之間 的密著性就變強。另一方面，外圍間隔壁層1 4a是表面被 排液性處理的緣故，平坦化樹脂層14cl就很難溶合，因 此外圍間隔壁層14a會確實的攔阻平坦化樹脂層14c 1。 其次，在該平坦化樹脂層14cl上積層障壁層14dl。 該障壁層1 4 d 1是形成覆蓋外部間隔壁層1 4 a，同時越過 外部間隔壁層1 4 a而延長到外圍間隔壁層1 4 a的外側，其 端部14el是位於第上層間絕緣層2 84上。在外部間隔壁 層1 4 a近處’藉者平坦化樹脂層1 4 c 1和外圍間隔壁層 •23- (20) 14a的膜厚差形成段差14f，障壁層14dl是越過該段差 1 4 f而到達外圍間隔壁層1 4 a的外側。 並在該障壁層1 4 d 1上積層別的平坦化樹脂層1 4 c2。 該平坦化樹脂層1 4c2是藉著利用外圍間隔壁層1 4a與平 坦化樹脂層1 4c 1的段差1 4f被攔阻，而位於外圍間隔壁 層14a的內側。於第3圖及第4圖中，平坦化樹脂層 1 4 c2的上面是形成略與外圍間隔壁層14a的上面相同的 位置，但平坦化樹脂層1 4c2的上面可處在低於外圍間隔 壁層14a上面的位置。 更在該平坦化樹脂層14c2上積層別的障壁層14d2。 該障壁層14d2是與先前的障壁層14dl同樣地，形成覆蓋 外部間隔壁層14a，同時越過外部間隔壁層14a而延長到 其外側，且端部l4e2位於第一層間絕緣層284上。障壁 層1 4d2之下的平坦化樹脂層1 4c2被攔阻在外圍間隔壁層 1 4 a內側的緣故，在外圍間隔壁層1 4 a的更外側，障壁層 1 4 d 1、1 4 d 2彼此會直接接觸。 外圍間隔壁層1 4a乃如前所述，是由丙烯樹脂、聚醯 亞胺樹脂等具耐熱性、耐溶媒性的光阻劑所形成，被排液 性表面處理。該外圍間隔壁層1 4 a的厚度以0 . 1〜3 . 5 μιη 的範圍爲佳，尤以2 μ m程度爲佳。厚度未滿〇 . 1 μ m，平坦 化樹脂層1 4 c就無法被攔阻很不理想，而一旦厚度超過 3 . 5 μιη，斷面形狀比變大，力□工穩定性會受波及很不理 想。 而平坦化樹脂層Mcl、Me2都是由丙烯系樹脂等所 -24- (21) 形成。該平坦化樹脂層1 4 c 1、1 4 c2的厚度以〇 . 〇 5〜 的範圍爲佳，尤以 0.1〜Ιμπι程度爲佳。厚度 〇.〇5μπι，平坦性差很不理想，一旦厚度超過3μπι，平 樹脂層1 4 c就會從外圍間隔壁層1 4 a溢出很不理想。 各平坦化樹脂層l4cl、14c2的厚度可爲相同，也可 厚度。 更且，障壁層14dl、14d2是由Si02、Al2〇3等 成。該障壁層14dl、14d2的厚度以5〜500nm的範 佳，尤以 30〜3 00nm程度爲佳。厚度未滿5nm，就 防止水、氧侵入很不理想，一旦厚度超過5 00nm，就 易因熱、機械性應力產生斷裂很不理想。尙且，各障 Mdl、l4d2的厚度可爲相同，也可改變厚度。 藉此，多層密封膜14b的厚度即可爲1〜3μπι 圍。而自顯示裝置1的第一層間絕緣層284起上面的 構造的厚度就可爲1〜3 μπι的範圍。 藉著採用相關的密封構造，多層密封膜1 4b就能 很薄，顯示裝置1本身的整個厚比習知罐密封型的顯 置薄得多。而形成平坦化樹脂層1 4c的關係，各別形 該平坦化樹脂層1 4c上的障壁層1 4d就很平坦，藉此 會在障壁層1 4d發生裂痕、針孔，就能提供障壁性高 封膜。 而平坦化樹脂層14c被形成在外圍間隔壁層14a 的緣故，就能將平坦化樹脂層1 4 c的形成區域經由外 隔壁層1 4a而畫分，因此所謂的框緣區域的範圍就可 -3 μπι 未滿 坦化 尙且 改變 所形 圍爲 無法 很容 壁層 的範 密封 形成 示裝 成在 就不 的密 內側 圍間 經由 -25- (22) (22)580843 外圍間隔壁層1 4a的位置來調整。藉此框緣區域就會比習 知窄，而顯示區域1 1 a就會被擴大。而將平坦化樹脂層 Me的形成區域經由外圍間隔壁層14a來晝分，藉此障壁 性就不會因場所而產生偏差，就可提高密封的可靠性。 而最鄰接基體2的平坦化樹脂層I4cl是在顯示元件 部3的非形成區域1 1 b與基體2鄰接的話，基體2與多層 密封膜1 4b的接觸面積就會變高，藉此就能針對顯示元件 部自膜界面更加提高水、氧的障壁性。 其次，以第1圖〜第4圖所示的本實施形態的電子元 件部的製造方法的顯示裝置的製造方法爲例，參照圖面做 說明。該顯示裝置的製造方法乃具備有：在基體2上形成 環狀攔阻部的攔阻部形成工程、和在攔阻部的內側塗佈含 有樹脂單體或樹脂低聚物的樹脂塗劑後予以聚合而形成平 坦化樹脂層的平坦化樹脂層形成工程、和至少形成覆蓋前 述平坦化樹脂層與前述攔阻部的障壁層的障壁層形成工 程。並藉著交互複數次施行前述平坦化樹脂層形成工程和 前述障壁層形成工程，就會形成前述平坦化樹脂層與前述 障壁層被交互積層的積層密封層。 參照第5圖至第1 2圖，針對在基板2的電路部n上 形成顯示元件部3 (電子元件部）及密封該顯示元件部3的 密封構造的方法做說明。再者，第5圖至第1 2圖所示的 各斷面圖是對應沿著第2圖中的A-A’線的斷面。再者， 於以下說明中，雜質濃度都是以活性化退火後的雜質而示 之。 -26- (23) 首先如第5圖所示，在基體2上形成電路部11，更 覆蓋電路部1 1的整個面地形成由ITO等透明電極材料製 成的薄膜，將該薄膜圖案化，藉此在第一層間絕緣層284 上形成晝素電極1 1 1。畫素電極11 1只形成在電流薄膜電 晶體123的形成部分，是介著接觸孔111a而連接在電流 薄膜電晶體1 2 3。 其次，如第6圖所示，在第一層間絕緣層284及畫素 電極1 1 1上形成無機物間隔壁層1 1 2a。無機物間隔壁層 1 1 2a以晝素電極丨〗丨的一部分爲開口的形態所形成。而 無機物間隔壁層1 1 2a不光是顯示區域1 1 a，也形成在基 體2的非顯示區域1 1 b上。無機物間隔壁層1 1 2 a是例如 藉由CVD法、TEOS法、濺鍍法、蒸鍍法等在第一層間絕 緣層284及晝素電極ui的整個面形成si〇2、Ti〇2、SiN 等無機質膜後，將該無機質膜圖案化藉此所形成。 更如第6圖所示，在無機物間隔壁層1 1 2 a上形成有 機物間隔壁層1 1 2 b。有機物間隔壁層1 1 2 b是介著無機物 間隔壁層11 2 a並以畫素電極1 1 1的一部分爲開口的形態 所形成。像這樣在第一層間絕緣層284上形成間隔壁部 112° 更且’攔阻部形成工程是在形成有機物間隔壁層 1 12b的同時，於非顯示區域1 lb的無機物間隔壁層1 12a 上形成外圍間隔壁層i 4 a。外圍間隔壁層1 4 a是藉著與有 機物間隔壁層1 1 2b相同的材料所形成。 接著，在間隔壁部1 1 2的表面，形成表示親液性的區 •27- (24)580843 域、和表示排液性的區域。於本實施例中，藉由電 工程形成各區域。具體而言，該電漿處理工程至少 晝素電極1 1 1及無機物間隔壁層n 2 a成爲親液性 化工程、和有機物間隔壁層1 1 2b及外圍間隔壁層 爲排液性的排液化工程。 亦即，間隔壁部1 1 2加熱到所定溫度（例如 °C程度），其次，親液化工程是在大氣環境氣中施 爲反應氣體的電漿處理（〇2電漿處理）。接著，排 程是在大氣環境氣中施行以四氟化甲烷爲反應氣體 處理（CF4電漿處理），將因電漿處理被加熱的間 1 1 2冷卻到室溫，就會在所定處獲得親液性及排液 第7圖以實線來表示被親液處理的畫素電極1 u及 間隔壁層1 1 2a的輪廓，且以中心線來表示被排液 有機物間隔壁層1 1 2b及外圍間隔壁層1 4a的輪廓< 其次，如第8圖所示，分別在畫素電極1 1 1… 噴墨法形成機能層110···。機能層110是在吐出、 括正孔注入/輸送層材料的組成物後，吐出、乾燥 光層材料的組成物，藉此所形成。 其次，如第9圖所示，形成覆蓋間隔壁部1 1 2 層1 1 0的陰極1 2。陰極1 2是在間隔壁部1 1 2及 110上形成第一陰極層12b後，藉此覆蓋第一陰極 而形成連接在基體2上的陰極用配線1 2 a的第二 12c所獲得。 其次，如第1 〇圖所示，平坦化樹脂層形成工 漿處理 具備有 的親液 14a成 70 〜80 行以氧 液化工 的電漿 隔壁部 性。於 無機物 處理的 〇 上藉由 乾燥包 含有發 及機能 機能層 層 12b 陰極層 程是於 -28- (25) (25)580843 處在顯示元件部3上及非顯示區域的無機物間隔壁層 1 1 2b上，將含有樹脂單體或樹脂低聚物的樹脂塗劑、有 機矽化合物（矽酸乙酯TEOS、Si3N4等），於真空下加熱 氣化而噴霧塗佈在外圍間隔壁層1 4 a內，對這裡使用例如 水銀燈、金屬鹵化物燈等紫外線照射用燈來照射真空紫外 線，使含在樹脂塗劑的樹脂單體或樹脂低聚物硬化，形成 平坦化樹脂層14cl。尙在樹脂塗劑噴霧之際，將具有開 口部ml的遮罩Ml面對面配置在基體2上，基體2與開 口部m 1是以在外圍間隔壁層1 4 a的內側面對面配置的狀 態，介著該開口部ml而噴霧爲佳。使用此種遮罩mi， 樹脂塗劑就不會附著在外圍間隔壁層1 4 a的外側。而在樹 脂單體或樹脂低聚物的硬化也有藉著電漿照射的方法。 由於硬化前的樹脂塗劑在常溫具有5 0 0 cP以下，最好 爲1 00 cP以下程度的粘度，故流動性豐富，但於噴霧塗佈 後，藉由外圍間隔壁層1 4a被攔阻的緣故，就不會流到外 圍間隔壁層1 4a的外側。如此在外圍間隔壁層1 4a的內側 形成平坦化樹脂層1 4 c 1。尙且，平坦化樹脂層〗4 c 1的厚 度可藉由樹脂塗劑的噴霧量來調整，例如0 . 1〜1 μηι的範 圍爲佳。 尙且’本實施形態所用的樹脂塗劑，試舉第一成份爲 由丙烯系、異丁烯、聚酯、PET、聚丙烯等乙烯基系的樹 脂單體或樹脂低聚物所組成的樹脂成份、和第二成份爲與 光聚合引發劑混合的丙烯樹脂塗劑爲例示之。此時，第一 成份試舉具有例如醇酸、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、 -29- (26) (26)580843 丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、矽丙烯酸 酯、聚甲醛丙烯酸酯、聚丁二烯系丙烯酸酯、三聚氰胺丙 烯酸酯等聚合性二重結合的丙烯系樹脂單體或樹脂低聚 物。而樹脂單體或樹脂低聚物可配合其丙烯醯基的保有數 適當選定一官能、二官能、三官能、及這個以上的多官能 者使用。該些丙烯系樹脂單體或樹脂低聚物可混合兩種以 上使用。而丙烯系樹脂單體或樹脂低聚物的分子量爲 】〇,〇〇〇以下，理想爲2，000以下，更好爲100〜600。 第二成份的光聚合引發劑是用例如苯偶姻乙醚類、二 苯甲酮類、咕噸酮類、乙醯苯衍生物等相對於第一成份的 樹脂單體或樹脂低聚物爲0.0 1重量％〜1 〇重量％，理想 爲〇. 1〜2重量％。 有關本實施形態的樹脂塗劑是混合由上述的丙烯系樹 脂單體或樹脂低聚物組成的第一成份和由光聚合引發劑組 成的第二成份，藉此所調製。而樹脂塗劑的粘度在常溫爲 5 00CP以下，理想爲100 cP以下。藉此就算顯示區域部的 凹凸很多的情形下也很容易平坦化。 其次，如第1 1圖所示，障壁層形成工程是藉著蒸鍍 法在平坦化樹脂層1 4 C 1上形成障壁層丨4 d 1。障壁層1 4 d 1 可爲以鋁、矽 '鎂、鈦、銦、錫等金屬、金屬氧化物、 S i Ο 2、A12 Ο3等爲蒸鍍材料所形成。蒸鍍方法可採用真空 蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等。 尙於蒸鍍之際，將具有開口部m2的別的遮罩M2， 面對面配置在基體2上’基體2與開口部m2的周緣部是 -30- (27) (27)580843 在外圍間隔壁層1 4a的外側以面對面配置的狀態，介著該 開口部m2進行蒸鍍爲佳。使用此種遮罩M2，障壁層 1 4 d 1不會回流到基體2的側面側。尙且，障壁層1 4 d 1的 厚度以5〜5 00nm的範圍爲佳。 藉著形成平坦化樹脂層1 4c 1，就能比較平坦地製成 障壁層1 4d 1的形成面，就能以沒有針孔、裂痕等缺陷而 均勻的形成縝密的障壁層1 4 d 1。 而在平坦化樹脂層14cl上形成障壁層14dl，因平坦 化樹脂層14cl的增黏效果，平坦化樹脂層14cl與障壁層 1 4 d 1的密著性提高，就能提高針對水份、氧的障壁性。 其次，如第1 2圖所示，藉著再度重複上述的平坦化 樹脂層形成工程和障壁層形成工程，在障壁層1 4d 1上依 平坦化樹脂層14c2及障壁層14d2的順序積層而形成多層 密封膜14b。 像這樣獲得如第1圖〜第4圖所示的顯示裝置1。 [第二實施形態] 其次，參照第1 3圖做說明本發明的第二實施形態。 第1 3圖乃爲本實施形態的顯示裝置2〇 1的密封構造要部 的斷面圖。 尙且，第1 3圖所示的顯示裝置20 1的構成要素中， 對與第1圖〜第4圖所示的第一實施形態的顯示裝置1的 構成要素相同的構成要素附上相同圖號’簡單地進行其說 明，或省略其說明。 -31 - (28) (28)580843 如第1 3圖所示，於本實施形態的顯示裝置2 0 1形成 複數個外圍間隔壁層（攔阻部）214al、214a2、214a3。以 圖號2 1 4 a 1所示的最內周的外圍間隔壁層的外側，形成以 圖號2 1 4 a2所示的別的外圍間隔壁層，更在其外側另形成 別的外圍間隔壁層214a3。 各外圍間隔壁層2 1 4 a 1、2 1 4 a2、2 1 4 a3的相互間隔d 以 10〜3 00 μηι的範圍爲佳。各外圍間隔壁層 214al〜 2 1 4 a3是由略與第一實施形態的外圍間隔壁層1 4 a同材質、 略同厚度所形成。再者，各外圍間隔壁層 214al〜214a3 的高度可爲相同，也可改變高度。 並在該顯示裝置形成以圖號2 1 4b所示的多層密封 膜。該多層密封膜2 1 4b是交互積層三個平坦化樹脂層 214cl〜214c3及三個障壁層214dl〜214d3所形成。 三個平坦化樹脂層2 1 4 c 1〜2 1 4 c 3中，最下層的平坦 化樹脂層2 1 4 c 1是形成在非顯示區域〗1 b的無機物間隔壁 層1 1 2a(親液性處理膜）及圖示省略的顯示元件部上，被攔 阻在最內周的外圍間隔壁層2 1 4 a 1的內側（圖中左側）。該 平坦化樹脂層2 1 4 c 1形成比最內周的外部間隔壁層2 1 4 a 1 還薄。無機物間隔壁層1 1 2 a的表面爲親液性（氧化物）的 緣故，易與構成平坦化樹脂層2 1 4 c 1的聚丙烯樹脂等溶 合，因此無機物間隔壁層1 12a與平坦化樹脂層214c 1之 間的密著性變強。另一方面，外圍間隔壁層2 1 4 a 1乃爲表 面被排液性處理的緣故，很難與平坦化樹脂層2丨4c〗溶 合，因此外圍間隔壁層2 1 4a 1就很容易攔阻平坦化樹脂層 •32- (29) (29)580843 214cl。但對達成本發明之目的，不一定需要排液處理。 其次，在該平坦化樹脂層 2 1 4 c 1上積層障壁層 2 1 4d 1。該障壁層2 1 4d 1是形成覆蓋三個外部間隔壁層 214al〜214a3，同時越過所有的外部間隔壁層 214al〜 2l4a3而延長到最外周的外圍間隔壁層214a3的外側，其 端部2 1 4 e 1是位於無機物間隔壁層1 1 2 a上。在最內周的 外部間隔壁層2 1 4 a 1近傍，藉著平坦化樹脂層2 1 4 c 1與外 圍間隔壁層 2 Mai的膜厚差形成段差 214fl，障壁層 2l4dl是越過該段差214Π而達到最外周的外圍間隔壁層 2 1 4a3的外側。 並在該障壁層 214dl上積層別的平坦化樹脂層 2 1 4 c 2。該平坦化樹脂層 2 1 4 c 2是形成先前的障壁層 2 1 4 d 1上，越過最內周的外圍間隔壁層2 1 4 a 1而被攔阻在 其相鄰的外圍間隔壁層2 1 4 a2的內側。先前所形成的障壁 層2 14dl是由Si02等製成，其表面爲親液性的緣故，易 與構成平坦化樹脂層214c2的聚丙烯樹脂等溶合，因此越 過最內周的外圍間隔壁層2 1 4 a 1的段差2 1 4 fl而達到其相 鄰的外圍間隔壁層2 1 4 a2的內側。 其次，在該平坦化樹脂層2 1 4 C2上積層別的障壁層 2 1 4 d 2。該障壁層2 1 4 d 2是形成覆蓋外側的兩個外部間隔 壁層2 1 4 a2、2 1 4 a3，同時延長到最外周的外圍間隔壁層 2Ma3的外側，其端部2Me2是位於無機物間隔壁層〗12a 上。在外部間隔壁層2 14 a 2附近，藉著平坦化樹脂層 2Mc2與外圍間隔壁層214a2的膜厚差形成段差214f2， -33- (30) (30)580843 障壁層214d2是越過該段差214f2而達到最外周的外圍間 隔壁層214a3的外側。 更在該障壁層 214d2上另積層別的平坦化樹脂層 2 14c3。該平坦化樹脂層214c3是形成在先前的障壁層 2 14d2上，越過兩個外圍間隔壁層214al、214a2而被攔 阻在最外周的外圍間隔壁層2 1 4a3的內側。先前所形成的 障壁層214d2是由Si 02等的氧化物製成，其表面爲親液 性的緣故，易與構成平坦化樹脂層2 1 4c3的聚丙烯樹脂等 溶合，因此越過內周側的兩個外圍間隔壁層 2 1 4c 1、 2 14〇2的段差而到達其相鄰的外圍間隔壁層214c3的內 側。 其次，在該平坦化樹脂層214c3上更積層別的障壁層 2 14d3。該障壁層214d3是形成覆蓋最外周的外部間隔壁 層2 1 4 a3，同時延長到該外圍間隔壁層2 1 4 a3的外側，其 端部214e3是位於無機物間隔壁層1 12a上。 如此在本實施形態的顯示裝置20 1形成複數個外圍間 隔壁層214al〜2214a3，各平坦化樹脂層214cl〜214c3是 分別形成在各外圍間隔壁層2 1 4 a 1〜2 1 4 a3的內側，更且 各障壁層 214dl〜214d3是分別形成到各外圍間隔壁層 2 1 4 a 1〜2 1 4 a 3的外側，藉此構成多層密封膜2 1 4 b。 只要根據本實施形態的顯示裝置20 1的密封構造，在 外圍間隔壁層的外周側至少形成一層以上的別的外圍間隔 壁層，藉此具備有複數個外圍間隔壁層214al〜214a3， 連形成很厚的平坦化樹脂層214cl〜214c3的情形下，也 -34- (31) 能確實的攔阻平坦化樹脂層2 1 4a 1…，更加提高多層密封 膜2 1 4b的障壁性。藉此多層密封膜2 1 4b就很容成爲重複 積層平坦化樹脂層214cl〜214c3與障壁層214dl〜214d3 的構造，能更加提高針對水、氧等的障壁性。 而各平坦化樹脂層〜214c3是分別形成在各外 圍間隔壁層2 1 4a 1〜2 1 4a3的內側的緣故，連平坦化樹脂 層形成複數個的情形下，也能藉由攔阻部確實的被攔阻， 就能更加提高多層密封膜的障壁性。 更且只要根據本實施形態的顯示裝置20 1的密封構 造，複數個障壁層2 1 4d…是分別形成到各外圍間隔壁層 2 1 4a…的外側，就能擴大確保各障壁層的形成區域，藉此 更進一步提高與多層密封膜2Mb的基體2的界面方向的 密著性、障壁性，更有效的防止水、氧等侵入顯示元件 部。 其次，藉由第 14A、B圖、第 15A、B、C圖說明本 實施形態的顯示裝置20 1的製造方法。本實施形態的顯示 裝置2 0 1是用大致與第一實施形態的顯示裝置1相同的方 法所製造。再者，本實施形態的顯示裝置的顯示元件部是 用與第一實施形態的顯示裝置1的顯示元件部3相同的方 法所製造，在此針對顯示元件部形成以後的工程做說明。 於第1 4 A圖表示在無機物間隔壁層1 1 2 a上形成三個 外圍間隔壁層 2 1 4 a 1〜2 1 4 a 3的狀態。無機物間隔壁層 1 1 2 a的表面是被親液性處理，外圍間隔壁層 2 1 4 a 1〜 2 1 4 a3的表面是被排液性處理。 -35- (32) 然後如第1 4 A圖所示，平坦化樹脂層形成工程是在 處於非顯示區域的無機物間隔壁層1 1 2 b上，將含有樹脂 單體或樹脂低聚物的樹脂塗劑，於真空下使其加熱氣化並 噴霧塗佈到外圍間隔壁層2 1 4 a 1內，對此使用例如水銀 燈、金屬鹵化物燈等紫外線照射用燈來照射真空紫外線， 使包含在樹脂塗料層的樹脂單體或樹脂低聚物硬化，形成 平坦化樹脂層2 1 4 c 1。尙在樹脂塗劑噴霧之際，將具有開 口部m3的遮罩M3面對面配置在基體2上，基體2與開 口部m 3是在外圍間隔壁層2 1 4 a 1的內側面對面配置的狀 態，介著該開口部m3而噴霧爲佳。使用此種遮罩M3， 樹脂塗劑就不會直接附著在外圍間隔壁層214al的外側。 尙且，在此所用的樹脂塗劑是與第一實施形態所說明 者相同的物質，流動性豐富者，但於噴霧塗佈後，藉著外 圍間隔壁層2 1 4 a 1被攔阻的緣故，就不會流到外圍間隔壁 層2 1 4 a 1的外側。像這樣在外圍間隔壁層2 1 4 a 1的內側形 成平坦化樹脂層2 1 4 c 1。尙且，平坦化樹脂層2 1 4 c 1的厚 度就藉由樹脂塗劑的噴霧量調整，例如外圍間隔壁層 214al高度的1/3〜2/3厚爲佳。 其次，如第1 4B圖所示，障壁層形成工程是藉由蒸鍍 法在平坦化樹脂層2 1 4 c 1上形成障壁層2 1 4 d 1。障壁層 2 14dl就能以Si02、Al2〇3等爲蒸鍍材料而形成。蒸鍍方 法是與第一實施形態的情形同樣的。尙且，於蒸鍍之際， 將具有開口部m4的別的遮罩M4，面對面配置在基體2 上，開口部m4的周緣部與基體2是以在最外周的外圍間 •36- (33) 隔壁層2 1 4a3的外側面對面配置的狀態，介著該開口部 m 4進行蒸鍍爲佳。使用此種遮罩M4，障壁層2 14 d 1就 不會回流到基體2的側面側。尙且，障壁層2 1 4d 1的厚度 是以5〜5 0 0 n m的範圍爲佳。 其次，如第1 5 A圖所示，平坦化樹脂層形成工程是 在先前形成的障壁層2 1 4 d 1上，使樹脂塗劑於真空下加熱 氣化並噴霧塗佈在外圍間隔壁層2 1 4 a 1及2 1 4 a2內，對此 照射真空紫外線而進行硬化，形成平坦化樹脂層2 1 4c2。 尙且，於樹脂塗劑噴霧之際，先前工程的遮罩M3與先前 工程同樣地配置在基體2上，介著開口部m3而噴霧爲 佳。所噴霧的樹脂塗劑是越過外圍間隔壁層2 1 4 a 1，在障 壁層214dl上濕潤擴散，藉著外圍間隔壁層214a2被攔 阻。因此樹脂塗劑不會流到外圍間隔壁層2 1 4 a2的外側。 像這樣在外圍間隔壁層2 1 4 a 1及2 1 4 a2的內側形成平坦化 樹脂層214c2。尙且，平坦化樹脂層214c2的厚度可藉由 樹脂塗劑的噴霧量調整，例如外圍間隔壁層2 1 4 a2高度的 1/3〜2/3厚爲佳。 其次，如第1 5B圖所示，障壁層形成工程是藉著蒸鍍 法在平坦化樹脂層214c2上形成障壁層214d2。障壁層 214d2能以Si02、A12〇3等爲蒸鍍材料而形成。蒸鍍方法 是與第一實施形態情形同樣的。尙且，在蒸鍍之際，將具 有開口部m6的別的遮罩M6面對面配置在基體2上，開 口部m 6的周緣部與基體2是以在最外周的外圍間隔壁層 2 1 4a3的外側面對面配置的狀態，介著該開口部m6進行 -37- (34) 蒸鍍爲佳。使用此種遮罩M6，障壁層214d2就不會回流 到基體2的側面側。尙且，障壁層214d2的厚度以5〜 5 0 0 n m的範圍爲佳。 其次，如第1 5 C圖所示，藉著再者重複上述的平坦化 樹脂層形成工程與障壁層形成工程，在障壁層214d2上依 平坦化樹脂層214c3及障壁層214d3的順序積層而形成多 層密封膜214b。尙且，爲了形成平坦化樹脂層214 c3的 樹脂塗劑的噴霧是將先前工程的遮罩M3與先前工程同樣 地面對面配置在基體2上而進行爲佳。所噴霧的樹脂塗劑 是越過外圍間隔壁層214al及214a2而在障壁層214d2上 濕潤擴散，藉著外圍間隔壁層2 1 4a3被攔阻。因此樹脂塗 劑就不會流到外圍間隔壁層2 1 4 a3的外側。 更且，在障壁層2 1 4d3蒸鍍之際，將具有開口部的別 的遮罩面對面配置在基體2上，遮罩的開口部的周緣部與 基體2是以在最外周的外圍間隔壁層2 1 4a3的外側面對面 配置的狀態，介著該遮罩進行蒸鍍爲佳。像這樣障壁層 2 1 4d3就不會回流到基體2的側面側。 像這樣獲得如第1 3圖所示的顯示裝置2 0 1。 藉著形成各平坦化樹脂層214cl〜214c3，各障壁層 2 1 4d 1〜d 3的形成面就變得比較平坦，就能形成沒有針 孔、裂痕等缺陷之均勻的障壁層2 1 4 d 1〜2 1 4 d 3。 並在平坦化樹脂層 214cl〜214c3上形成障壁層 214dl〜214d3，藉著各平坦化樹脂層 214cl〜214c3的增 黏效果，提高平坦化樹脂層2 1 4 c 1〜2 1 4 c 3與障壁層 -38- (35) (35)580843 2 14dl〜2；Ud3的密著性，就能提高針對水、氧的障壁 性0 [第三實施形態] 其次，參照第1 6圖說明本發明的第三實施形態。第 1 6圖乃爲本實施形態的顯示裝置3 〇 ][的密封構造要部的 斷面圖。 尙且，第1 6圖所示的顯示裝置3 〇〗的構成要素中， 在與第1圖〜第4圖所示的第一實施形態的顯示裝置1的 構成要素相同的構成要素，附上相同圖號，簡單進行其說 明，或省略其說明。 如第1 6圖所示，在本實施形態的顯示裝置3 〇丨乃於 無機物間隔壁層1 1 2 a (基體2 )的周緣部形成複數個環狀的 排液性區域（攔阻部）3 1 4 a 1、3 1 4 a2、3 1 4 a3。亦即在圖 號3 1 4 a 1所示的最內周的排液性區域的外側形以圖號 3 1 4a2所示的別的排液性區域，更在其外側另形成別的排 液性區域 3 1 4 a3。各排液性區域 3 1 4 a 1〜3 1 4 a3的相互問 隔d以3 0〜4 0 0 μπι的範圍爲佳。 各排液性區域 3 1 4 a 1〜3 1 4 a 3是與第一^實施形態的有 機物間隔壁層1 1 2b同樣的，在無機物間隔壁層1 1 2a的表 面’藉著以四氟化甲烷爲反應氣體的電漿處理，導入氟等 排液基而構成。因此，該些排液性區域3 1 4 a 1〜3 1 4 a 3是 與第一、第二實施形態所說明的外圍間隔壁層1 4a、 2 14al…同樣地，具有不沾黏平坦化樹脂層原料的樹脂塗 -39- (36) 劑，攔阻平坦化樹脂層的作用。 並在該顯示裝置形成圖號3 1 4b所示的多層密封膜。 該多層密封膜314b是三個平坦化樹脂層314cl〜314c3及 三個障壁層314dl〜314d3被交互積層而形成。 三個平坦化樹脂層3 14cl〜3 14c3中，處於最下層的 平坦化樹脂層314cl是形成在非顯示區域lib的無機物間 隔壁層1 1 2a(親液性處理膜）及圖示省略的顯示元件部上， 被攔阻在最內周的排液性區域3 Mai的內側（圖中左側）。 無機物間隔壁層11 2a的表面是親液性的緣故，就很容易 與構成平坦化樹脂層314c 1的聚丙烯樹脂等溶合，因此無 機物間隔壁層1 l2a與平坦化樹脂層3 14cl之間的密著性 變強。另一方面，在排液性區域3 14a，無機物間隔壁層 1 l2a的表面被排液性處理，很難與平坦化樹脂層3 14c 1 溶合，因此排液性區域 3 1 4 a 1就會攔阻平坦化樹脂層 3 1 4c 1 〇 其次’在該平坦化樹脂層 314cl上積層障壁層 3 l4dl。該障壁層3 I4dl是形成覆蓋三個排液性區域 3 1 4 a 1〜3 1 4 a3，同時越過所有的排液性區域3 1 4 a 1〜3 1 4 a3 而延長到最外周的排液性區域3 1 4 a3的外側，其端部 3 1 4e 1是位於無機物間隔壁層]〗2a上。在最內周的排液 性區域3 1 4 a 1近傍，平坦化樹脂層3〗4 c丨就會被排液性區 域3Mal攔阻，障壁層314dl是越過該平坦化樹脂層 3 1 4c 1而達到最外周的排液性區域3丨4a3的外側。 並在該障壁層3 1 4d 1上積層別的平坦化樹脂層 -40- (37) 3 14c2。該平坦化樹脂層314c2是形成在先前的障壁層 3 14dl上，越過最內周的排液性區域3 14al而被攔阻在相 鄰的排液性區域3 1 4a2的內側。先前形成的障壁層3 1 4d 1 是由Si02等製成，表面成爲親液性的緣故，很容易與構 成平坦化樹脂層3 1 4c2的聚丙烯樹脂等溶合，更且，該障 壁層314dl是覆蓋最內周的排液性區域3 14al，而平坦化 樹脂層314c2是越過該排液性區域314al而到達其相鄰的 排液性區域3 1 4 a 2的內側。 其次，在該平坦化樹脂層314c2上積層別的障壁層 3l4d2。該障壁層314d2是形成覆蓋外側的兩個排液性區 域3Ma2、3 14a3，同時延長到最外周的排液性區域314a3 的外側，其端部3 14e2是位於無機物間隔壁層1 12a上。 在排液性區域314a2近傍，平坦化樹脂層314c2是被該排 液性區域3 14a2攔阻，障壁層314d2是越過該平坦化樹脂 層3 1 4c2而到達最外周的排液性區域3 1 4a3的外側。 更在該障壁層 314d2上另積層別的平坦化樹脂層 3 14c3。該平坦化樹脂層3i4c3是形成在先前的障壁層 3 l4d2上，越過兩個排液性區域3 I4al、3 14a2而被攔阻 在最外周的排液性區域3 1 4a3的內側。先前形成的障壁層 3 14d2是由Si02等製成，表面成爲親液性的緣故，就很容 易與構成平坦化樹脂層3 14c3的聚丙烯樹脂等溶合，更且 該障壁層3 14d2是覆蓋最內周的排液性區域3 14a2，平坦 化樹脂層3〗4c3是越過該排液性區域3 14a2而到達其相鄰 的排液性區域3 1 4 a 3的內側。 -41 - (38) 其次，在該平坦化樹脂層3 1 4 c 3上另積層別的障壁層 3 1 4 d 3。該障壁層3 1 4 d 3是形成覆蓋最外周的排液性區域 3 1 4a3，同時延長到該排液性區域3 1 4a3的外側，其端部 3 l4e3是位於無機物間隔壁層1 12a上。 如此在本實施形態的顯示裝置3 0 1，形成複數個排液 性區域314al〜314a3，各平坦化樹脂層314cl〜314c3是 分別形成在各排液性區域3 1 4 a 1〜3 1 4 a 3的內側，更且各 障壁層3 1 4 d 1〜3 1 4 d 3是分別形成到各排液性區域3 1 4 a 1 〜3 1 4 a 3的外側，藉此構成多層密封膜3 1 4 b。 只要根據本實施形態的顯示裝置3 0 1的密封構造，在 排液性區域的外周側至少形成一層以上的別的排液性區 域，藉此障壁層3 1 4 d的形成區域變得更廣，而障壁性更 高，就能更有效的防止水份、氧等侵入顯示元件部3。特 別是，多層密封膜314b是重複積層平坦化樹脂層3 14c與 障壁層3 1 4d的構造，更能提高針對水份、氧等的障壁 性。 而各平坦化樹脂層3 1 4 c 1〜3 1 4 c 3是分形成在各排液 性區域3 1 4a 1〜3 1 4a3的內側的緣故，就算多層密封膜 3 l4b爲重複積層平坦化樹脂層3 14c與障壁層3 14d的構 造的情形下，還是可進一步提高針對水、氧等的障壁性。 更且，只要根據本實施形態的顯示裝置3 0 1的密封構 造，複數個障壁層3 1 4d…是分別形成在各排液性區域 3 l4a…的外側，而且多層密封膜314b是重複積層平坦化 樹脂層214〇與障壁層214d的構造，就能更加提高針對 -42- (39) 水、氧等的障壁性。 而各擬液性區域3 1 4 a 1…是形成環狀，各平坦化樹脂 層3 14cl…是保留在排液性區域3 14al ···的內側，藉此障 壁性就不會因場所而產生偏差，就可提高密封的可靠性。 本實施形態的顯示裝置3 0 1不形成外圍間隔壁層，針 對處於基體周緣部上的無機物間隔壁層的一部分進行電漿 處理而形成排液性區域3 14al〜314a3以外，大致上與第 二實施形態的顯示裝置20 1同樣的加以製造。再者，針對 無機物間隔壁層1 1 2a的電漿處理可與針對有機物間隔壁 層的CF4電漿處理同時進行。 [第四實施形態] 其次，參照第1 7圖至第1 9圖說明本發明的第四實施 形態。第1 7圖是表示本實施形態的顯示裝置4 0 1的平面 模式圖，於第1 8圖表示沿著第1 7圖的 A · A ’線的斷面 圖，於第1 9圖表示沿著第1 7圖的B -B 5線的斷面圖。 尙且，第I7〜19圖所示的顯示裝置401的構成要素 中，在與第1圖〜第4圖所示的第一實施形態的顯示裝置 1的構成要素相同的構成要素上，附上相同圖號，簡單的 進行其說明，或省略其說明。 該顯示裝置4 0 1的密封構造乃如第1 7圖〜第1 9圖所 示，在基體2上的顯示元件部3的周圍，環狀形成外圍間 隔壁層1 4a(攔阻部）。更於黏黏在基板2 —端的撓性貼帶 1 3 0形成別的攔阻間隔壁層4 1 4a(攔阻部）。該攔阻間隔壁 -43- (40)580843 層乃如第17圖及第19圖所示，位於控制用IC] 部端子1 3 Ob之間，而形成在撓性貼帶的兩面。 並在顯示元件部3上積層多層密封膜414b 密封膜414b是依平坦化樹脂層14c 1、14 c2及4: 壁層14dl、14d2及414d3的順序各三層交互積 的。三個平坦化樹脂層中，兩個平坦化樹脂擢 14c2都是形成在形成環狀的外圍間隔壁層14a 成爲藉著外圍間隔壁層1 4a被攔阻的狀態。而三 中，兩個障壁層14dl、14d2是形成在各平坦’ 1 4 c 1、1 4 c 2上（外圍間隔壁層 1 4 a的內側），同 1 4e是延長到外圍間隔壁層1 4a的外側而形成。 更且，剩下的平坦化樹脂層414c3是形成基 壁層14d2、撓性貼帶130的一部分及覆蓋控制月 的攔阻間隔壁層4 14a的基體2側。然後，該平 層4 14c3是藉著攔阻間隔壁層414a被攔阻，成 外部端子130b的狀態。 尙且，在第1 8圖及第19圖省略記載，但該 脂層414c3實際上會回流到基體2的背面。 更且，剩下的障壁層414d3是形成在平坦' 4 1 4c3上，同時其端部4 1 4e延長到攔阻間隔壁層 外側而形成。 攔阻間隔壁層414a是以厚度爲2〜5 00 μπι 形成，與有機物間隔壁層1 1 2b、外圍間隔壁層 地，表面被排液性處理爲佳。 1 3 0 a與外 。該多層 I 4 c 3與障 層而形成 f 14cl 、 的內側， 個障壁層 化樹脂層 時其端部 體2、障 目 IC130a 坦化樹脂 爲不接觸 平坦化樹 化樹脂層 4 14a 的 的範圍所 1 4 a同樣 -44 - (41) 平坦化樹脂層414c3是與其他平坦化樹脂層Mcl、 1 4 c2同樣地，由聚丙烯樹脂等製成的，用來保護撓性貼 帶130與基體2的接合部以及控制用IC 130a。而能儘量 縮小形成在平坦化樹脂層414c3上的障壁層414d3的分步 塗層，具有防止障壁層414d3方面發生針孔、裂痕的作 用。而障壁層414d3是與其他障壁層14dl、；Ud2同樣 地，由Si 02等無機物膜製成的，屬於水、氧阻隔性優 者。多層密封膜414b是依該些平坦化樹脂層14cl…和障 壁層1 4d 1…的順序積層的，藉此防止水、氧侵入顯示元 件部3及撓性貼帶1 30與基體2的接合部以及控制用 IC 1 3 0a。 若針對密封構造做更詳細描述，即如第1 8圖及第1 9 圖所示，平坦化樹脂層414c3是形在障壁層14d2和基體 2以及撓性貼帶1 3 0的兩面和控制用IC 1 3 a上，被攔阻在 攔阻間隔壁層4 1 4 a的基體2側。亦即，該平坦化樹脂層 4 14c3是以攔阻間隔壁層414a更薄，或相同厚度而形 成。 其次，在該平坦化樹脂層 414c3上積層障壁層 4；Md3。該障壁層414d3是形成覆蓋攔阻間隔壁層414a， 同時越過該攔阻間隔壁層4 1 4 a而形成到外部端子1 3 0 b的 這面。 外圍間隔壁層4 1 4 a乃如前所述，是由丙烯樹脂、聚 醯亞胺樹脂等具耐熱性、耐溶媒性的光阻劑所形成。該外 圍間隔壁層4Ma的厚度以2〜600μπι的範圍爲佳。厚度 -45- (42) (42)580843 是利用可兼作撓性貼帶所使用的光阻劑、配線圖案、劃線 等外周間隔壁的層，保存此厚度。或使用噴墨打印法，塗 佈樹脂形成所定的厚度。 而平坦化樹脂層4 1 4c3是由丙烯樹脂等所形成。該平 坦化樹脂層414c3的厚度以0.1〜ΙΟμιη的範圍爲佳。厚度 是可配合撓性貼帶表面的凹凸而調整。 更且，障壁層 414d3是由鋁、鈦等金屬、Si02、 Al2〇3等氧化物所形成。該障壁層414d3的厚度以10〜 10 OOnm的範圍爲佳。厚度可配合使用形態、要求障壁性 能而調整。 藉著採用相關的密封構造，包含驅動用I C 1 3 0 a的驅 動電路是藉著平坦化樹脂層414C3及障壁層414 d3 —倂被 密封，就能防止水、氧等侵入具耐濕性爲課題的驅動電路 與顯示體的連接部，就可更加提高顯示裝置全體的可靠 性0 [第五實施形態] 其次’針對具備有第一〜第四實施形態的顯示裝置的 任一個的電子機器的具體例做說明。 第 20A圖是表示行動電話、遙控器之一例的立體 圖。於第2〇A圖中，圖號600是表示行動電話本體，圖 號601是表示使用前述的顯示裝置1、2〇1、3〇1、4〇1的 任一個的顯示部。 第2〇B圖是表示PDA、個人電腦等的攜帶型資訊處 -46- (43) (43)580843 理裝置之一例的立體圖。於第20B圖中，圖號700是表示 資訊處理裝置，圖號1是表示鍵盤等的輸入部，圖號 703是表示資訊處理裝置本體，圖號702是表示使用前述 的顯示裝置1、201、301、401的任一個的顯示部。 第2 0C圖是表示錶型電子機器之一例的立體圖。於第 20C圖中，圖號800是表示鐘錶本體，圖號801是表示使 用前述的顯示裝置 1、201、301、401的任一個的顯示 部。 第20A〜20C圖所示的各個電子機器是具備有使用前 述的第一實施形態的顯示裝置1、2 0 1、3 0 1、4 0 1的任一 個的ϋ示部，具有先前的第一〜第五實施形態的顯示裝置 的特徵，成爲具有薄型、顯示品質優之效果的電子機器。 在製造該些電子機器上，與第一〜第五實施形態同樣 地’構成具備有如第2圖舉例所示的驅動IC6 a(驅動電路） 的顯示裝置 1、2 0 1、3 0 1、4 0 1的任一個，將該顯示裝置 1、20 1、3 0 1、40 1的任一個，組裝於行動電話、資訊處 理裝置、錶型電子機器，藉此所製造者。 尙且，本發明的技術範圍並不限於上述實施的形態， 於不脫本發明的主旨範圍，均可加以進行各種變更。 例如’本發明的顯示裝置是在一片母基板2A上形成 複數個顯示元件D 3…後，分割該母基板2 A，一次製造 多數個顯示裝置。此時，塗佈樹脂塗劑時所用的遮罩Μ， 如第2 1圖所示，以具有配合各顯示元件 D3…的複數個 開口部m者爲佳。該遮罩Μ的開口部m，在母基板2 a方 -47- (44) (44)580843 面的各顯示裝置的切斷線2B上沒有開口。藉此就不會在 切斷線2 B上形成平坦化樹脂層、障壁層，母基板2 A於 分割時就不會有平坦化樹脂層剝離之虞。 而到目前爲止的說明中，雖然攔阻部主要是表示使用 與有機物間隔壁層相同的材料、以相同的工程所形成的情 形，但最好是利用無源型有機電激發光元件是相當於陰極 分離器、電路基板是相當於光阻劑、劃線等等，且在既有 工程中具有攔阻機能者爲佳。 〔產業上的可利用性〕 如以上詳細說明，只要根據本發明的顯示裝置的密封 構造，藉著將平坦化樹脂層及障壁層成爲各積層一層以上 的多層密封膜，就能選擇性確實的密封包括顯示元件部的 特定區域，與習知藉由密封罐的密封構造相比，就算密封 面積變大，還是能形成多層密封膜厚度爲很薄的膜，就能 比習知更大幅的薄化顯示裝置本身的整個厚度。 而一旦平坦化樹脂層藉此由針孔、裂痕、膜厚變動極 少的障壁層製成的多層密封膜的端部，成爲能藉由攔阻部 而正確定位。而其端部成爲被親液處理的基體表面和多層 密封膜的接觸面積變大，並提高密著性，而且能藉由攔阻 部的凹凸增長針對界面方向的水份、氧、雜質離子等的浸 入路線，就連很窄的攔阻區域也能長期間維持高障壁性、 可靠性。 此結果，有機電激發光、L C D等的顯示裝置的框緣區 -48- (45) (45)580843 域可比習知窄，一旦顯示裝置的薄度、輕量度效果顯著， 就能實現設計自由度、空間效率高的電子機器。並因框緣 區域不當的面積減少，就能由一枚母基板增加獲得顯示面 板的數量，提高生產性。 更藉著採用本發明的構造，就能針對搭載多數零件的 電路基板、電子光學模組、1C卡等的電子、電氣機器、 模組、零件，作爲可一體密封、薄型輕量並具可動性的高 可靠性的氣密密封手段而廣泛應用。 〔圖面的簡單說明〕 第1圖是表示本發明的第一實施形態的顯示裝置的配 線構造的平面模式圖。 第2圖是表示本發明的第一實施形態的顯示裝置的平 面模式圖。 第3圖是沿著第2圖的A-A，線的斷面圖。 第4圖是沿著第2圖的B -B ’線的斷面圖。 第5圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的製 造方法的工程圖。 第6圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的製 造方法的工程圖。 第7圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的製 造方法的工程圖。 第8圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的製 造方法的工程圖 •49- (46) (46)580843 第9圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的製 造方法的工程圖。 第1 0圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的 製造方法的工程圖。 第1 1圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的 製造方法的工程圖。 第1 2圖是說明本發明的第一實施形態的顯示裝置的 製造方法的工程圖。 第1 3圖是表示本發明的第二實施形態的顯示裝置的 密封構造要部的斷面圖。 第14A、14B圖是說明本發明的第二實施形態的顯示 裝置的製造方法的工程圖。 第15A、15B、15C圖是說明本發明的第二實施形態 的顯示裝置的製造方法的工程圖。 第1 6圖是表示本發明的第三實施形態的顯示裝置的 密封構造要部的斷面圖。 第1 7圖是表示本發明的第四實施形態的顯示裝置的 平面模式圖。 第18圖是沿著第17圖的A-A，線的斷面圖。 第1 9圖是沿著第1 7圖的B -B，線的斷面圖。 第20A、20B、20C圖是表示本發明的第五實施形態 中的電子機器的立體圖。 第2 1圖是表示塗佈樹脂塗劑時所用的遮罩與母基板 的配置狀態的平面圖。 -50- (47) (47)580843 【主要元件對照表】 1…顯示裝置 2…基體 3…顯示元件部（電子元件部） 1 1…電路部 1 1 a···顯示區域 1 lb…非顯示區域 I2…陰極（對向電極） 1 2a…陰極用配線 】4a…外圍間隔壁層（攔阻部） 14b···多層密封膜 14c…平坦化樹脂層 1 4d…障壁層 103R、103G、103B…發光用電源配線 1 10…機能層 1 1 1…晝素電極（電極） 1 1 2…間隔壁 1 12a…無機物間隔壁層（親液性處理膜） 1 12b…有機物間隔壁層 13 0…撓性貼帶（控制電路） 130a…控制用1C(控制電路） 13 Ob…外部端子（控制電路） 3 1 4a 1、3 1 4a2、3 1 4a3…排液性區域（攔阻部） -51 - (48) (48)580843 600···行動電話本體（電子機器） 700···資訊處理裝置（電子機器） 8 0 0···鐘錶本體（電子機器） -52-

Claims (1)

  1. (1) (1)580843 拾、申請專利範園 1 · 一種電子元件部的障壁性薄膜密封構造，乃屬於 在至少形成或安裝在基體上的電子元件部上，積層有平坦 化樹脂層和障壁層各積層一層以上的多層密封膜，藉此密 封前述電子元件部的構造，其特徵爲： 在前述基體上形成將該電子元件部全體或一部分圍在 內側的環狀攔阻部，前述平坦化樹脂層是形成在前述攔阻 部的內側。 2 _如申請專利範圍第1項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，前述障壁層是形成到前述攔阻 部的外側。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，在前述攔阻部的外側，至少形 成一層以上的別的攔阻部。 4 .如申請專利範圍第3項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，複數個平坦化樹脂層是各自形 成在各個前述攔阻部的內側。 5 ·如申請專利範圍第3項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，複數個障壁層是各自形成到各 個前述攔阻部的外側。 6 ·如申請專利範圍第1項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，前述攔阻部是指由排液性表面 處理的有機材料所製成的外圍間隔壁層。 7 ·如申請專利範圍第1項所記載的電子元件部的障 -53· (2) (2)580843 壁性薄膜密封構造，其中，前述攔阻部是指環狀形成在基 體上的排液性區域。 8 .如申請專利範圍第1項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，至少在前述攔阻部內側的基體 上形成親液性處理膜。 9 .如申請專利範圍第7項所記載的電子元件部的障 壁性薄膜密封構造，其中，前述排液性區域是指前述親液 性處理膜爲經由排液處理所形成者。 I 〇 · —種顯示裝置，其特徵爲： 具備有： 形成或安裝在基體上的顯示元件部、和該顯示元件部 的全體或一部分形成在圍在內側的環狀攔阻部、和平坦化 樹脂層與障壁層成爲至少各一層以上被積層在前述顯示元 件上的多層密封膜，前述平坦化樹脂層是形成在前述攔阻 部的內側。 II ·如申請專利範圍第10項所記載的顯示裝置，其 中，前述障壁層是形成到前述攔阻部的外側。 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項所記載的顯示裝置，其 中，在前述攔阻部的外側，至少形成一層以上的別的攔阻 部。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載的顯示裝置，其 中，複數個平坦化樹脂層是各自形成在各個前述攔阻部的 內側。 1 4 ·如申請專利範圍第12項所記載的顯示裝置，其 -54 - (3) (3)580843 中，複數個障壁層是各自形成在各個前述攔阻部的外側。 1 5 .如申請專利範圍第1 0項所記載的顯示裝置，其 中’即述攔阻部是指由排液性表面處理的有機材料所製成 的外圍間隔壁層。 1 6 ·如申請專利範圍第〗〇項所記載的顯示裝置，其 中’前述攔阻部是指環狀形成在基體上的排液性區域。 1 7 .如申請專利範圍第1 0項所記載的顯示裝置，其 中，至少在前述攔阻部內側的基體上，形成親液性處理 膜。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所記載的顯示裝置，其 中’前述排液性區域是指前述親液性處理膜是經由排液處 理所形成。 1 9 ·如申請專利範圍第1 0項所記載的顯示裝置，其 中’前述顯示元件部是由複數個發光元件、和區分該複數 個發光元件的間隔壁部所構成，前述發光元件是由電極、 和鄰接該電極而形成的機能層、和鄰接在該機能層而形成 的對向電極所形成。 2 〇 ·如申請專利範圍第10項所記載的顯示裝置，其 中，具備有驅動前述顯示元件部的驅動電路，該驅動電路 是經由至少各一的前述平坦化樹脂層及前述障壁層被密 封。 2 1 . —種電子機器，其特徵爲：具備申請專利範圍第 1 〇項所記載的顯示裝S。 22 . —種電子兀件部的製造方法，乃屬於至少具備有 -55- (4) (4)580843 形成在基體上的電子元件部的電子元件部的製造方法，其 特徵爲具備有： 在前述電子元件部的全部或一部分周圍的基體上形成 環狀攔阻部的攔阻部形成工程、和在該攔阻部的內側塗佈 含有樹脂單體或樹脂低聚物的樹脂塗劑後，聚合而形成平 坦化樹脂層的平坦化樹脂層形成工程、和形成至少被覆前 述平坦化樹脂層及前述攔阻部的障壁層的障壁層形成工 程。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項所記載的電子元件部的 製造方法，經由交互複數次施行前述平坦化樹脂層形成工 程及前述障壁層形成工程，形成交互積層則述平坦化樹脂 層和前述障壁層的積層密封層。 -56-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9705107B2 (en) 2013-02-07 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (203)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
KR100652039B1 (ko) * 2000-11-23 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자
AU2003288999A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit and method of fabricating display unit
JP4432367B2 (ja) * 2003-05-28 2010-03-17 カシオ計算機株式会社 表示パネル
US20060159892A1 (en) * 2003-06-16 2006-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Barrier laminate for an electroluminescent device
NL1024090C2 (nl) * 2003-08-12 2005-02-15 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel.
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
JP2005078979A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US20050062052A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Fu-Hsiang Yang Panel of organic electroluminescent display
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005116483A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
CN100466328C (zh) * 2003-10-29 2009-03-04 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
JP4678124B2 (ja) * 2003-11-10 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4643138B2 (ja) * 2003-11-27 2011-03-02 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2005353398A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
KR100993827B1 (ko) * 2003-12-01 2010-11-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100663028B1 (ko) * 2003-12-30 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4346459B2 (ja) * 2004-01-20 2009-10-21 三洋電機株式会社 発光装置
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4776949B2 (ja) * 2004-03-16 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2006004650A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子及び光学デバイス
ATE476757T1 (de) * 2004-10-21 2010-08-15 Lg Display Co Ltd Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
WO2006071106A1 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Otb Group B.V. Method for manufacturing an oled or a blank for forming an oled as well as such a blank or oled
JP2008097828A (ja) * 2005-01-21 2008-04-24 Pioneer Electronic Corp 有機ｅｌ素子の製造方法およびこれにより得られた有機ｅｌ素子
JP2006216297A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ用基板およびその製造方法
JP4891554B2 (ja) * 2005-03-11 2012-03-07 セイコーエプソン株式会社 表示パネル、これを用いた移動体の表示モジュール、および電子機器
JP2006332592A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Ricoh Co Ltd 電気部品、導電パターンの形成方法、およびインクジェットヘッド
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
JP4600254B2 (ja) * 2005-11-22 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2007234678A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4337852B2 (ja) * 2006-08-30 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP4245032B2 (ja) * 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4809186B2 (ja) * 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR100779003B1 (ko) * 2006-12-27 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2003713A3 (en) * 2007-06-12 2011-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP4884320B2 (ja) * 2007-06-29 2012-02-29 京セラ株式会社 画像表示装置
JP2009037799A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光素子およびその製造方法
KR100884477B1 (ko) * 2007-08-08 2009-02-20 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2009070708A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100839430B1 (ko) * 2007-09-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP4930303B2 (ja) * 2007-09-14 2012-05-16 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
EP2051311A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-22 Applied Materials, Inc. Method of providing an encapsulation layer stack, coating device and coating system
US20090098293A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 Applied Materials, Inc. Method of providing an encapsulation layer stack, coating device and coating system
JP5328261B2 (ja) * 2008-08-13 2013-10-30 ローム株式会社 有機ｅｌ素子
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4489135B1 (ja) * 2008-12-26 2010-06-23 パナソニック株式会社 携帯電子機器
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP4947103B2 (ja) * 2009-07-16 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 表示パネル
JP4947104B2 (ja) * 2009-07-16 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 表示パネル
KR20110019498A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP4873065B2 (ja) * 2009-11-05 2012-02-08 カシオ計算機株式会社 表示パネルの製造方法
JP5409315B2 (ja) * 2009-12-11 2014-02-05 キヤノン株式会社 表示装置
JP5611811B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置
JP5290268B2 (ja) * 2009-12-31 2013-09-18 三星ディスプレイ株式會社 バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法
JP5611812B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法
KR101202353B1 (ko) * 2009-12-31 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 배리어 필름 복합체, 이를 포함하는 표시 장치, 배리어 필름 복합체의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
JP5197666B2 (ja) * 2010-03-23 2013-05-15 株式会社東芝 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
FR2958795B1 (fr) * 2010-04-12 2012-06-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
KR101132045B1 (ko) * 2010-05-07 2012-04-02 삼성모바일디스플레이주식회사 휴대폰
EP2579353B1 (en) * 2010-07-07 2018-09-05 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device comprising an encapsulation structure
KR101695739B1 (ko) 2010-09-14 2017-01-13 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP5003808B2 (ja) * 2010-09-17 2012-08-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101430173B1 (ko) * 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011258577A (ja) * 2011-09-01 2011-12-22 Otb Group Bv Ｏｌｅｄまたはｏｌｅｄを形成するためのブランクを製造する方法およびこのようなブランクまたはｏｌｅｄ
US9853245B2 (en) 2011-10-14 2017-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101809659B1 (ko) 2011-10-14 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101900364B1 (ko) * 2011-12-22 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2013149533A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Ulvac Japan Ltd 有機膜の処理方法および処理装置
JP5812887B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-17 株式会社沖データ 表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法
KR101923176B1 (ko) * 2012-06-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
CN103904231B (zh) * 2012-12-25 2016-03-30 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP6054763B2 (ja) 2013-02-12 2016-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2014170686A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Toshiba Corp 表示素子の製造方法、表示素子及び表示装置
JP6267449B2 (ja) * 2013-03-15 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイスの製造装置
KR20140113386A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유기 디바이스의 제조 방법, 유기 디바이스의 제조 장치 및 유기 디바이스
KR102034253B1 (ko) * 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6201411B2 (ja) 2013-05-14 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP6182985B2 (ja) 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP6191260B2 (ja) * 2013-06-12 2017-09-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及び電子機器
JP6331276B2 (ja) * 2013-06-28 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR102093393B1 (ko) * 2013-08-14 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102117612B1 (ko) 2013-08-28 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015050022A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR20150025994A (ko) 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102218573B1 (ko) 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6282832B2 (ja) 2013-10-01 2018-02-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2015072770A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
KR102080296B1 (ko) * 2013-12-03 2020-02-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150082013A (ko) * 2014-01-07 2015-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102454664B1 (ko) * 2014-06-25 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106795386A (zh) 2014-07-25 2017-05-31 科迪华公司 有机薄膜油墨组合物和方法
CN104241550B (zh) * 2014-08-05 2017-08-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其封装方法
KR101667800B1 (ko) * 2014-08-29 2016-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102323194B1 (ko) * 2014-09-30 2021-11-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치
KR102317715B1 (ko) * 2014-09-30 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP4258844A3 (en) * 2014-09-30 2023-11-15 LG Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device
KR102449751B1 (ko) * 2014-12-15 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6674764B2 (ja) * 2014-12-01 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルの作製方法
KR102479019B1 (ko) * 2015-03-05 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102396296B1 (ko) 2015-03-06 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102314470B1 (ko) 2015-03-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160110597A (ko) 2015-03-09 2016-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102404577B1 (ko) * 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104900681B (zh) * 2015-06-09 2019-02-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其形成方法
KR102402195B1 (ko) * 2015-06-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102486876B1 (ko) 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20180048690A (ko) 2015-08-31 2018-05-10 카티바, 인크. 디- 및 모노(메트)아크릴레이트 기초 유기 박막 잉크 조성물
KR102414110B1 (ko) * 2015-09-07 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102415052B1 (ko) * 2015-09-18 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102407569B1 (ko) * 2015-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN106848088B (zh) * 2015-12-07 2020-11-03 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN105609532B (zh) * 2015-12-21 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN105449118B (zh) * 2016-01-04 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构、显示装置和封装方法
WO2017118574A1 (de) * 2016-01-05 2017-07-13 Osram Oled Gmbh Verfahren zur herstellung von organischen leuchtdioden und organische leuchtdiode
KR102407869B1 (ko) * 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
JP2017147165A (ja) 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101973163B1 (ko) 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102567547B1 (ko) 2016-03-22 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102451726B1 (ko) 2016-03-28 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170133812A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6640034B2 (ja) 2016-06-17 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6717700B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
KR101964934B1 (ko) 2016-07-29 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102553910B1 (ko) * 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
KR102688970B1 (ko) * 2016-09-19 2024-07-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109792818B (zh) * 2016-09-30 2021-06-11 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
CN109845406A (zh) * 2016-10-03 2019-06-04 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
CN106384743B (zh) * 2016-10-20 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
US10743425B2 (en) 2016-10-31 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2018081768A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6343649B2 (ja) * 2016-12-01 2018-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102671370B1 (ko) * 2016-12-06 2024-06-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2018116576A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102696807B1 (ko) * 2017-02-06 2024-08-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108400252A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及电子设备
JP6830011B2 (ja) * 2017-03-01 2021-02-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN106653820B (zh) * 2017-03-08 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及制作方法、柔性显示装置
US20200020880A1 (en) * 2017-03-27 2020-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN118510305A (zh) 2017-04-21 2024-08-16 柯狄公司 用于形成有机薄膜的组合物和技术
CN107104127B (zh) * 2017-04-27 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
JP6947536B2 (ja) * 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102438255B1 (ko) 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019003819A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル
US10991906B2 (en) * 2017-06-21 2021-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, method for manufacturing display device, and manufacturing apparatus of display device
CN110800123A (zh) * 2017-06-26 2020-02-14 3M创新有限公司 结构化膜及其制品
JP2019012099A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US20190312228A1 (en) * 2017-07-14 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of electro-optical device and electro-optical device
US10516012B2 (en) 2017-08-10 2019-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha Electro-optical device and manufacturing method thereof
WO2019038884A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 シャープ株式会社 表示装置
CN107565066A (zh) * 2017-08-28 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
US20190312091A1 (en) * 2017-09-28 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2019064415A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN111149431B (zh) * 2017-09-28 2022-08-09 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法
WO2019082303A1 (ja) * 2017-10-25 2019-05-02 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102408164B1 (ko) 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR101940231B1 (ko) * 2017-12-11 2019-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2019130427A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2019130417A1 (ja) 2017-12-26 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
WO2019130480A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102524346B1 (ko) 2018-01-03 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
JP6983080B2 (ja) * 2018-01-19 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102603869B1 (ko) * 2018-02-08 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6654270B2 (ja) * 2018-02-21 2020-02-26 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
WO2019167270A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP6515224B2 (ja) * 2018-03-05 2019-05-15 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスの製造方法および成膜装置
WO2019171584A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2019186721A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイスおよびその製造方法
US11751422B2 (en) 2018-03-28 2023-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
WO2019186814A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102256298B1 (ko) 2018-06-26 2021-05-26 삼성에스디아이 주식회사 리튬이차전지용 니켈계 활물질 전구체, 이의 제조방법, 이로부터 형성된 리튬이차전지용 니켈계 활물질 및 이를 포함하는 양극을 함유한 리튬이차전지
JP6759287B2 (ja) * 2018-07-19 2020-09-23 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
CN109065749A (zh) 2018-07-23 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
CN109037289B (zh) * 2018-08-01 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
US11721807B2 (en) 2018-08-14 2023-08-08 Samsung Sdi Co., Ltd. Nickel-based active material precursor for lithium secondary battery, preparation method thereof, nickel-based active material for lithium secondary battery formed therefrom, and lithium secondary battery including cathode including the nickel-based active material
KR102623838B1 (ko) 2018-08-20 2024-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109065760B (zh) * 2018-08-22 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、显示装置
JP7178216B2 (ja) * 2018-09-03 2022-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR101990131B1 (ko) * 2019-01-14 2019-06-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP7269050B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
US20220181582A1 (en) * 2019-03-28 2022-06-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, and method for manufacturing display device
US12096650B2 (en) * 2019-03-29 2024-09-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP2020184426A (ja) * 2019-04-26 2020-11-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
RU2729699C1 (ru) 2019-08-01 2020-08-11 Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. Подложка отображения и устройство отображения
JPWO2021049433A1 (zh) 2019-09-12 2021-03-18
CN111106259B (zh) * 2019-12-04 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示屏
KR20210072465A (ko) * 2019-12-09 2021-06-17 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP2020098792A (ja) * 2020-01-29 2020-06-25 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
KR20210097878A (ko) * 2020-01-30 2021-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102235606B1 (ko) * 2020-03-05 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102198966B1 (ko) * 2020-04-16 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102218650B1 (ko) * 2020-05-26 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210003072A (ko) * 2020-12-29 2021-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102520492B1 (ko) * 2021-01-07 2023-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114122099A (zh) * 2021-11-25 2022-03-01 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN114256317B (zh) * 2021-12-22 2024-08-27 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800177A (en) * 1971-12-20 1974-03-26 Motorola Inc Integrated light emitting diode display device with housing
JPS62115755A (ja) 1985-11-14 1987-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6358394A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 鈴木　康夫 エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2705078B2 (ja) * 1988-02-10 1998-01-26 富士通株式会社 半導体素子表面の平坦化方法
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JPH02271557A (ja) 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH0772324A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Fujitsu Ltd カラーフィルタの製造方法
US5718955A (en) * 1996-03-12 1998-02-17 The Procter & Gamble Company Composite for controlling oxygen flux into thermal cells
JPH09288996A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池
EP0862156B1 (en) 1996-09-19 2005-04-20 Seiko Epson Corporation Method of production of a matrix type display device
JPH10275680A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機ｅｌ素子
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
DE69829458T2 (de) * 1997-08-21 2005-09-29 Seiko Epson Corp. Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH11121177A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 注入形電場発光デバイス
US6327011B2 (en) * 1997-10-20 2001-12-04 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display device having thin glass substrate on which protective layer formed and method of making the same
KR100577903B1 (ko) 1998-03-17 2006-05-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막패터닝용 기판 및 그 표면처리
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
JP2000021578A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Sony Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2000068050A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4186289B2 (ja) 1998-12-24 2008-11-26 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2001068271A (ja) 1999-08-24 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
JP3838827B2 (ja) * 1999-10-05 2006-10-25 新光電気工業株式会社 薄膜コンデンサ素子及びプリント回路基板の製造方法
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US7112115B1 (en) 1999-11-09 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4432171B2 (ja) * 1999-11-22 2010-03-17 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP4004709B2 (ja) 2000-03-30 2007-11-07 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2001326070A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Denso Corp 有機ｅｌ素子
KR100403714B1 (ko) 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
TW522752B (en) * 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
US6787249B2 (en) * 2001-03-28 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the same
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP2003059646A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜表示装置
TW519853B (en) * 2001-10-17 2003-02-01 Chi Mei Electronic Corp Organic electro-luminescent display and its packaging method
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6710542B2 (en) * 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
JP3791618B2 (ja) * 2003-02-20 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9705107B2 (en) 2013-02-07 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device and manufacturing method thereof
TWI602336B (zh) * 2013-02-07 2017-10-11 三星顯示器有限公司 有機發光二極體裝置及其製造方法
US10586947B2 (en) 2013-02-07 2020-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device and display device
TWI699020B (zh) * 2013-02-07 2020-07-11 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光二極體裝置
US10892442B2 (en) 2013-02-07 2021-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device
TWI757761B (zh) * 2013-02-07 2022-03-11 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光二極體裝置
US11696462B2 (en) 2013-02-07 2023-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device including two inorganic layers and an outer barrier arranged on a substrate

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