KR100576639B1 - 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조, 표시 장치, 전자 기기, 및 전자 소자부의 밀봉 방법 - Google Patents

전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조, 표시 장치, 전자 기기, 및 전자 소자부의 밀봉 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표시 장치 자체의 두께를 얇게 하고, 또 수분이나 산소에 대한 배리어성을 충분히 확복하여 발광층의 열화를 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 밀봉 구조 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 적어도 기체(2) 상에 형성된 전자 소자부(3) 상에, 평탄화 수지층(14c)과 배리어층(14d)이 1 이상씩 적층되어 이루어지는 다층 밀봉막(14b)을 적층함으로써 전자 소자부(3)를 밀봉하는 구조이고, 기체(2) 상에 전자 소자부(3)를 내측으로 둘러싸는 환상의 블로킹부(14a)가 형성되고, 평탄화 수지층(14c)가 블로킹부(14a)의 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부(3)의 배리어성 박막 밀봉 구조를 채용한다.
전자 소자, 박막 밀봉 구조, 표시 장치, 전자 기기

Description

전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조, 표시 장치, 전자 기기, 및 전자 소자부의 밀봉 방법{ELECTRONIC ELEMENT BARRIER PROPERTY THIN FILM SEALING STRUCTURE, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND ELECTRONIC ELEMENT SEALING METHOD}
본 발명은 표시 소자, 반도체 회로 소자 등의 전자 소자의 밀봉 구조에 관한 것으로서, 특히, 표시 장치, 전자 기기, 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조 및 그 밀봉 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 특히 유기 EL 표시 장치를 적합한 응용예로서 예시하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
근년, 한 쌍의 전극간에 정공 주입/수송층이나 발광층 등의 기능층이 끼어져 이루어지는 구조의 복수의 표시 소자를 갖는 칼라 표시 장치, 특히 발광층 재료로서 유기 발광 재료를 사용한 유기 EL(일렉트로루미네선스) 표시 장치가 개발되어 있다. 이 유기 EL 표시 장치는, 예를 들면, 유리, 플라스틱 등의 기체(基體) 상에 형성된 액티브 매트릭스 회로와, 그 액티브 매트릭스 회로 상에 매트릭스상으로 형성된 상기의 표시 소자와, 이 표시 소자를 덮어 밀봉하는 밀봉 캔을 적어도 구비하여 구성되어 있다.
밀봉캔은, 예를 들면, 유리, 금속 등을 상자 모양으로 성형한 것이다. 이 밀봉캔에 의한 밀봉 구조는, 예를 들면, 밀봉캔의 내부에 상기 표시 소자를 배치한 상태에서 이 밀봉캔을 상기 기체의 주연부에 접착제 등을 사용하여 접합하는 구조로 되어 있다. 밀봉캔의 내부에는, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스가 봉입되는 동시에, 수분, 산소를 흡수하는 게터(getter)재가 구비되어, 표시 소자로의 수분이나 산소의 침입을 방지하여 발광층의 열화를 방지할 수 있도록 되어 있다.
종래 표시 장치의 전체 두께는 통상 2∼5mm정도이고, 그 중 밀봉캔이 차지하는 두께의 한계는 1.5mm정도이다. 표시 소자는 밀봉캔내에 밀봉캔과의 접촉없이 포함되어야 하고, 밀봉캔내에는 게터제 등을 넣을 충분한 공간이 마련되어야 하기 때문에, 표시 소자의 사이즈가 커질수록 그 강도를 유지하기 위해 밀봉 구조를 두껍게 할 필요가 있었다.
또한, 밀봉캔과 기체의 접합에 접착제 등을 사용하기 때문에, 기체에 접착제 등을 도포할 영역을 확보할 필요가 있고, 이 때문에 상대적으로 표시 소자를 마련할 표시 영역이 좁아져서, 이것에 의해 표시 장치를 휴대 전화 등의 전자 기기의 표시부로서 채용한 경우에 디자인상의 제약이 커지는 문제도 있었다. 또한, 접착제 도포 영역과 표시 영역의 사이는, 접착제 퍼짐을 고려하여 간격을 둘 필요가 있고, 종래의 표시 장치에서는 이 간격과 도포 영역에 의해 형성된 영역, 이른바 프레임 영역을 좁힐 수 없는 문제가 있었다. 또한, 표시 영역을 크게 확보하고자 도포 영역을 좁게 하면, 수분이나 산소에 대한 배리어성을 저하하여 발광층이 열화(수명 저하)하는 문제가 있었다.
또한, 접착제 등을 기체에 도포했을 때에 생기는 도포 불균일이나 접착 정밀 도 불량 등에 의해, 도포 영역과 표시 영역의 경계를 설계대로 구획할 수 없고, 장소에 따라서 배리어성에 차이가 생겨, 신뢰성이 저하하는 문제도 있었다.
또한, 종래 장치에 비해 역방향으로 광을 취출하여, 개구(開口)율을 크게 할 수 있는 톱 에미션(top emission) 타입의 표시 소자를 제조하는 것은, 밀봉캔 방식으로는 게터제나 캔 재료가 광의 투과를 방해하기 때문에 곤란하였다.
[발명의 개시]
본 발명은 상기 사정을 감안하여 된것으로서, 표시 장치 자체의 두께를 얇게 하고, 수분이나 산소에 대한 배리어를 충분히 확보하여 발광층의 열화를 방지할 수 있는 배리어성 박막 밀봉 구조 및 표시 장치 및 그 구조를 갖는 표시 장치를 구비한 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.
본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조는, 적어도 기체 상에 형성 또는 장착된 전자 소자부상에, 평탄화 수지층과 배리어층이 1 이상씩 적층되어 형성되는 다층 밀봉막을 적층함에 의해 상기 전자 소자부를 밀봉하는 구조이고, 상기 기체 상에 그 전자 소자부 전체 또는 일부를 내측으로 둘러싸는 환상의 블로킹부(closed-loop blocking region)가 형성되고, 상기 평탄화 수지층이 상기 블로킹부의 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또, 평탄화층들 중 기체에 가장 인접하는 평탄화 수지층은, 전자 소자부가 형성되지 않은 영역에서 상기 기체에 인접해 있는 것이 바람직하다.
상기의 전자 소자부로는 더 구체적으로 EL(일렉트로루미네선스) 표시 소자, 반도체 회로 소자, 또는 기체 등의 위에 형성된 각종 회로 등을 들 수 있다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 평탄화 수지층 및 배리어층을 1 이상씩 적층하여 이루어지는 다층 밀봉막에 의해서 전자 소자부를 밀봉하고, 종래의 밀봉캔에 의한 밀봉 구조와 비교하여 다층 밀봉막을 더 얇게 형성할 수 있으므로, 밀봉 구조의 전체 두께를 종래의 밀봉 구조보다 얇게 할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층이 형성되어 있으므로, 이 평탄화 수지층 상에 형성되는 배리어층을 평탄하게 할 수 있고, 그 결과, 배리어층에 크래킹(cracking)이나 핀홀, 막두께 불균일이 발생하지 않고 배리어성이 높은 박막 밀봉을 실현할 수 있으므로, 신뢰성이 높고 수명이 긴 밀봉 구조를 제공할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층이 상기 블로킹부의 내측에 형성되어 있기 때문에, 평탄화 수지층이 형성된 영역을 블로킹부에 의해서 구획할 수 있으므로, 이른바 프레임 영역의 범위를 블로킹부의 위치에 따라서 조정할 수 있다. 따라서, 프레임 영역을 종래 밀봉 구조의 프레임 영역보다 좁게 하여 표시 영역의 범위를 넓힐 수 있다. 또한, 평탄화 수지층의 형성 영역을 블로킹부에 의해 구획함으로써, 배리어성의 장소에 따른 편차를 줄일 수 있어, 밀봉의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 도 21에 나타내는 바와 같은 대형 마더 기판에 의해 다수개의 표시 소자를 일괄 제조하여, 개별 표시 소자로 분리하는 경우에, 스크라이브(scribe) 영역에 밀봉막이 붙지 않도록 할 수 있으므로, 스크라이브 시의 밀봉막의 벗겨짐 등의 손상에 의한 배리어성 저하를 방지할 수 있다.
또한, 기체에 가장 인접하는 평탄화 수지층을 전자 소자부의 비형성 영역에서 상기 기체와 인접하도록 배치하면, 기체와 다층 밀봉막의 접촉 면적을 증가시킬 수 있으므로, 전자 소자부에 대한 물이나 산소의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에서는, 상기 배리어 층이 상기 블로킹부의 외측까지 뻗어 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 배리어층이 블로킹부의 외측까지 형성되어 있으므로, 배리어층의 형성 영역을 넓게 확보할 수 있고, 그 결과 다층 밀봉막의 배리어성이 더욱 향상하여, 물, 산소 등의 전자 소자부로의 침입을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조는, 상기 블로킹부의 외측에 다른 블로킹부가 적어도 1이상 더 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 블로킹부의 외측에 다른 블로킹부가 적어도 1 이상 형성됨에 의해, 복수의 블로킹부가 마련되고, 평탄화 수지층을 두껍게 형성한 경우라도 평탄화 수지층을 확실히 블로킹할 수 있어, 다층 밀봉막의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 다층 밀봉막을 평탄화 수지층과 배리어층이 반복하여 적층된 구조로 하는 것이 용이해져, 물, 산소 등에 대한 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조는, 복수의 평탄화 수지층이 각 상기 블로킹부의 내측에 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 복수의 평탄화 수지층이 복수의 블로킹부의 내측에 각각 형성되어 있으므로, 평탄화 수지층을 복수 형성한 경우라도 블로킹층에 의해 확실히 블로킹할 수 있어, 다층 밀봉막의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조는, 복수의 배리어층이 각 상기 블로킹부의 외측까지 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 복수의 배리어층이 각 블로킹부의 외측까지 각각 형성되어 있으므로, 각 배리어층의 형성 영역을 넓게 확보할 수 있고, 이것에 의해 다층 밀봉막의 배리어성이 더욱 향상하여, 물, 산소 등의 전자 소자부로의 침입을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에서는, 상기 블로킹부가 발액(撥液)성으로 표면 처리된 유기 재료로 이루어지는 외주 뱅크층인 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 블로킹부가 발액성으로 표면 처리된 외주 뱅크층이므로, 평탄화 수지층이 블로킹부의 외측으로 흘러넘치지 않고, 이것에 의해 밀봉 구조의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조는, 상기 블로킹부가 기체 상에 환상으로 형성된 발액성 영역인 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 상기 블로킹부가 기체 상에 환상으로 형성된 발액성 영역이므로, 평탄화 수지층이 블로킹부 외측으로 흘러넘치지 않고, 이것에 의해 밀봉 구조의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조는, 적어도 상기 블로킹부의 내측의 기체 상에, 친액성 처리막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 블로킹부의 내측의 기체상에, 친액성 처리막이 형성되어 있으므로, 이 친액성 처리막 상에 적층되는 평탄화 수지층과 기체의 밀착성을 높일 수 있어, 배리어성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에서는 상기 발액성 영역은 상기 친액성 처리막이 발액 처리됨에 의해 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조에 의하면, 친액성 처리막을 발액 처리함에 의해 발액성 영역이 형성되므로, 발액성 영역의 형성 위치를 소정의 위치에 용이하게 정할 수 있어, 밀봉 구조의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
다음에 본 발명의 표시 장치는, 기체 상에 형성 또는 장착된 표시 소자부와, 그 표시 소자부를 내측으로 둘러싸도록 형성된 환상의 블로킹부와, 평탄화 수지층과 배리어층이 1 이상씩 적어도 상기 표시 소자 상에 적층시켜 되는 다층 밀봉막을 구비하여 이루어지고, 상기 평탄화 수지층이 상기 블로킹부의 내측까지 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 평탄화 수지층 및 배리어층을 1이상씩 적층하여 이루어지는 다층 밀봉막에 의해서 표시 소자부를 밀봉하고 있고, 종래의 밀봉캔에 의한 밀봉 구조와 비교하여 다층 밀봉막을 얇게 형성할 수 있으므로, 표시 장치 자 체의 전체 두께를 종래보다 얇게 할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층이 형성되어 있으므로, 이 평탄화 수지층 상에 형성되는 배리어층을 평탄하게 할 수 있고, 이것에 의해 배리어층에 크래킹이나 핀홀의 발생없이, 배리어성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층이 블로킹부의 내측에 형성되어 있기 때문에, 평탄화 수지층의 형성 영역을 블로킹부에 의해서 구획할 수 있고, 이 때문에 이른바 프레임 영역의 범위를 블로킹부의 위치에 따라서 조정할 수 있다. 이에 의해, 프레임 영역을 종래보다 좁게 하여 표시 영역을 넓힐 수 있다. 또한, 평탄화 수지층의 형성 영역을 블로킹부에 의해서 구획함으로써, 배리어성의 장소에 따른 편차를 줄일 수 있어, 밀봉의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 기체에 가장 인접하는 평탄화 수지층이 표시 소자부의 비형성 영역에서 상기 기체와 인접하도록 하면, 기체와 다층 밀봉막의 접촉 면적을 크게 할 수 있고, 이것에 의해 표시 소자부에 대한 물이나 산소의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 표시 장치에서는, 상기 배리어층이 상기 블로킹부의 외측까지 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 배리어층이 블로킹부의 외측까지 형성되어 있으므로, 배리어층의 형성 영역이 넓어져 배리어성이 더욱 향상하여, 물, 산소 등의 표시 소자부로의 침입을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치는 상기 블로킹부의 외측에 다른 블로킹부가 적어 도 1 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 블로킹부의 외측에 다른 블로킹부가 적어도 1이상 형성됨에 의해, 복수의 블로킹부가 마련되어, 평탄화 수지층을 두껍게 적층 형성한 경우라도 평탄화 수지층을 확실히 블로킹할 수 있어, 다층 밀봉막의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 다층 밀봉막을 평탄화 수지층과 배리어층이 반복 적층한 구조로 하는 것이 용이해져, 물, 산소 등에 대한 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치는 복수의 평탄화 수지층이 각 상기 블로킹부의 내측에 각각 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 복수의 평탄화 수지층이 복수의 블로킹부의 내측에 각각 형성되어 있으므로, 평탄화 수지층을 복수 형성한 경우에도 블로킹부에 의해 확실히 블로킹할 수 있어, 다층 밀봉막의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치는 복수의 배리어층이 각 상기 블로킹부의 외측까지 각각 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 복수의 배리어층이 각 블로킹부의 외측까지 각각 형성되어 있으므로, 각 배리어 층의 형성 영역을 넓게 확보할 수 있고, 이것에 의해 다층 밀봉막의 배리어성이 더욱 향상하여, 물, 산소 등의 표시 소자부로의 침입을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치는 상기 블로킹부가 발액성으로 표면 처리된 유기 재료로 이루어지는 외주 뱅크층인 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치의 밀봉 구조에 의하면, 블로킹부가 발액성으로 표면 처리된 외주 뱅크층이므로, 평탄화 수지층이 블로킹부의 외측으로 흘러넘치지 않고, 이에 의해 밀봉 구조의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치는 상기 블로킹부가 기체 상에 환상으로 형성된 발액성 영역인 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치의 밀봉 구조에 의하면, 상기 블로킹부가 기체 상에 환상으로 형성된 발액성 영역이므로, 평탄화 수지층이 블로킹부 외측으로 흘러넘치지 않고, 이것에 의해 밀봉 구조의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치는 적어도 상기 블로킹부의 내측의 기체 상에, 친액성 처리막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 블로킹부의 내측의 기체 상에, 친액성 처리막이 형성되어 있으므로, 이 친액성 처리막상에 적층되는 평탄화 수지층과 기체의 밀착성을 높일 수 있어, 배리어성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치에서는 상기 발액성 영역은 상기 친액성 처리막이 발액 처리됨에 의해 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 친액성 처리막을 발액 처리함에 의해 발액성 영역이 형성되므로, 발액성 영역의 형성 위치를 소정의 위치에 용이하게 정할 수 있어, 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 표시 장치에서는, 상기 표시 소자부가 복수의 발광 소자와, 그 복수의 발광 소자를 구획하는 뱅크부로 구성되고, 상기 발광 소자는 전극과, 그 전극에 인접하여 형성된 기능층과, 그 기능층에 인접하여 형성된 대향 전극으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 표시 장치는 상기 표시 소자부를 구동하는 구동 회로가 구비되고, 그 구동 회로가 적어도 각 하나의 상기 평탄화 수지층 및 상기 배리어층에 의해 밀봉되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치에 의하면, 구동 회로가 적어도 각 하나의 상기 평탄화 수지층 및 상기 배리어층에 의해 밀봉되므로, 구동 회로로의 물이나 산소 등의 침입을 방지할 수 있어, 표시 장치의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 기기는 상기 표시 장치 중 어느 하나를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 기기에 의하면, 상기의 어느 하나의 표시 장치를 구비하고 있으므로, 전자 기기 자체의 두께를 얇게 할 수 있으면서도, 수분이나 산소 등에 대한 신뢰성이 높은 전자 기기를 실현할 수 있다.
다음에 본 발명의 전자 소자부의 밀봉 방법은 기체 상에 형성된 전자 소자부를 적어도 구비하여 이루어지는 전자 소자부의 밀봉 방법이며, 상기 전자 소자부 주위의 기체 상에 환상의 블로킹부를 형성하는 블로킹부 형성 공정과, 그 블로킹부의 내측에 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 함유하는 수지 코팅제를 도포한 후에 중합하여 평탄화 수지층을 형성하는 평탄화 수지층 형성 공정과, 적어도 상기 편탄화 수지층과 상기 블로킹부를 덮는 배리어층을 형성하는 배리어층 형성 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 전자 소자부로는 EL(일렉트로루미네선스) 표시 소자나, 반도체 회로 소자, 기타 기체 등의 위에 형성된 각종 회로 등을 예시할 수 있다.
상기 전자 소자부의 밀봉 방법에 의하면, 기체 상에 환상의 블로킹부를 형성하고, 수지 코팅제를 이 블로킹부의 내측에 도포하므로, 블로킹부에 의해서 수지 코팅제의 퍼짐이 방지되고, 이것에 의해 밀봉하는 영역을 임의로 설정할 수 있어, 배리어성이 기체의 어느 부분에서도 균일한 표시 장치를 제조할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층을 형성한 뒤에 배리어층을 형성하므로, 배리어층의 크래킹이나 핀홀의 발생을 방지할 수 있고, 이에 의해 물이나 산소에 대한 배리어성를 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 전자 소자부의 밀봉 방법은 상기 유동성이 있는 수지를 사용한 평탄화 수지층 형성 공정과 상기 배리어층 형성 공정을 교대로 복수회 행하는 박막 밀봉에 있어서, 상기 평탄화 수지층과 상기 배리어층이 교대로 적층되어 이루어지는 적층 밀봉막을 환상 블로킹부의 내측에 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 소자부의 밀봉 방법에 의하면, 평탄화 수지층과 배리어층을 교대로 적층하여 이루어지는 적층 밀봉막 단부를 재현성 좋게 형성할 수 있으므로, 적층 밀봉막 단부로부터의 물이나 산소의 내투과성을 향상시켜, 배리어성이 뛰어난 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 배선 구조를 나타내는 평면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치를 나타내는 평면 모식도이다.
도 3은 도 2의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시 형태의 표시 장치의 밀봉 구조의 요부를 나타내 는 단면도이다.
도 14a, 14b는 본 발명의 제2 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 15a, 15b, 15c는 본 발명의 제2 실시 형태의 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 16은 본 발명의 제3 실시 형태의 표시 장치의 밀봉 구조의 요부를 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제4 실시 형태의 표시 장치를 나타내는 평면 모식도이다.
도 18은 도 17의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 19는 도 17의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 20a, 20b, 20c는 본 발명의 제5 실시 형태인 전자 기기를 나타내는 사시도이다.
도 21은 수지 코팅제를 도포할 때에 사용하는 마스크와 마더 기판의 배치 상태를 나타내는 평면도이다.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
[제1 실시 형태]
이하, 본 발명의 제1 실시 형태로서, 전자 소자부에 유기 EL 표시 장치(표시 장치)용의 표시 소자를 적용한 예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태는 본 발명의 일 태양을 나타내는 것이며, 이 발명을 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 임의로 변경할 수 있다. 또한, 이하에 나타 내는 각 도면에서는, 각층이나 각 부재를 도면상에서 인식가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 달리 하고 있다.
도 1은 본 실시 형태의 표시 장치(유기 EL 표시 장치)의 배선 구조의 평면 모식도를 나타낸다. 도 1에 나타내는 표시 장치(1)는 직접 구동 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 사용한 액티브 매트릭스 방식의 유기 EL 표시 장치이다.
도 1에 나타내는 표시 장치(1)는 복수의 주사선(101)과, 주사선(101)에 대해 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 신호선(102)과, 신호선(102)에 병렬로 뻗은 복수의 발광용 전원 배선(103)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에, 주사선(101)과 신호선(102)의 각 교점 부근에, 화소 영역(A)이 마련되어 있다.
각 신호선(102)에는, 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비하는 데이터측 구동 회로(104)가 접속되어 있다. 또한, 각 주사선(101)에는, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사선 구동 회로(105)가 접속되어 있다.
또한, 화소 영역(A)의 각각에는, 주사선(101)을 거쳐서 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭 박막 트랜지스터(142)와, 이 스위칭 박막 트랜지스터(142)를 거쳐서 신호선(102)으로부터 공급되는 화상 신호를 유지하는 유지 용량(Cap)과 그 유지 용량(Cap)에 따라 유지된 화상 신호가 게이트 전극에 공급되는 커런트 박막 트랜지스터(123)와, 이 커런트 박막 트랜지스터(123)를 거쳐서 발광용 전원 배선(103)에 전기적으로 접속했을 때에 발광용 전원 배선(103)으로부터 구동 전류가 흘러드는 화소 전극(제1 전극)(111)과, 이 화소 전극(111)과 음극(제2 전극)(12)의 사이에 끼어져 있는 기능층(110)이 마련되어 있다. 또한, 음극(12)은 음극용 전원 회로(131)에 접속되어 있다.
또한, 기능층(110)에는 정공 주입/수송층과, 그 정공 주입/수송층에 인접하여 형성되는 유기 일렉트로루미네선스 재료로 이루어지는 발광층이 포함되고, 또한 발광층에는 적색으로 발광하는 발광층(110R), 녹색으로 발광하는 발광층(110G), 청색으로 발광하는 발광층(110B)의 3종의 발광층이 포함되고, 각 발광층(110R, 110G, 110B)이 스트라이프 배치되어 있다.
또한, 커런트 박막 트랜지스터(123)를 거쳐서 각 발광층(110R, 110G, 110B)에 접속되는 발광용 전원 배선(103R, 103G, 103B)이 각각, 발광용 전원 회로(132)에 접속되어 있다. 각색마다 발광용 전원 배선(103R, 103G, 103B)이 배선되어 있는 것은, 발광층(110R, 110G, 110B)의 구동 전위가 각색마다 다르기 때문이다.
이 표시 장치(1)에서는, 주사선(101)이 구동되어 스위칭 박막 트랜지스터(142)가 온으로 되면, 그 때의 신호선(102)의 전위가 유지 용량(Cap)으로 유지되고, 그 유지 용량(Cap)의 상태에 따라, 커런트 박막 트랜지스터(123)의 온·오프 상태가 정해진다. 또한, 커런트 박막 트랜지스터(123)의 채널을 거쳐서, 발광용 전원 배선(103R, 103G, 103B)에서부터 화소 전극(111)으로 구동 전류가 흐르고, 또한 발광층(110R, 110G, 110B)을 거쳐서 음극(제2 전극)(12)으로 전류가 흐른다. 각 기능층(110)은 이것을 흐르는 전류량에 따라 발광한다.
다음에, 본 실시 형태의 표시 장치(1)의 구체적인 태양을 도 2∼도 4를 참조 하여 설명한다. 도 2에 본 실시 형태의 표시 장치의 평면 모식도를 나타내고, 도 3에는 도 2의 A-A'선에 따른 단면도를 나타내고, 도 4에는 도 2의 B-B'선에 따른 단면도를 나타낸다.
도 2 및 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 표시 장치(1)에서는, 유리, 플라스틱 등으로 이루어지는 투명한 기체(2) 상에, 도시하지 않은 커런트 박막 트랜지스터에 접속된 화소 전극(전극)이 매트릭스상으로 배치되는 표시 영역(11a)과, 표시 영역(11a)의 주위에 배치되는 비표시 영역(11b)이 마련되어 있다. 또한, 비표시 영역(11b)에는, 각 화소 전극에 접속되는 발광용 전원 배선(103(103R, 103G, 103B)) 및 주사선 구동 회로(1O5)가 구비되어 있다. 또한, 표시 영역(11a)상에는, 평면으로 보아 거의 직사각형의 표시 소자부(3)(전자 소자부)가 구비되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 비표시 영역(11b)에 형성된 발광용 전원 배선(103R, 103G, 103B)은 기체(2)의 도면 중 하측에서부터 주사선 구동 회로(105)를 따라 도면 중 위쪽으로 뻗어, 주사선 구동 회로(105)가 중단된 위치로부터 접혀서 표시 소자부(3)를 따라 뻗어서, 표시 소자부(3)내에 있는 도시하지 않은 화소 전극에 접속되어 있다.
또한 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 기체(2)의 일단에는 폴리이미드나 폴리에스테르를 기재로 사용한 플렉시블 테이프(130)가 부착되고, 이 플렉시블 테이프(130)상에 제어용 IC(130a)가 실장되어 있다. 이 제어용 IC(130a)에는, 도 1에 나타낸 데이터측 구동 회로(104), 음극용 전원 회로(131) 및 발광용 전원 회로(132)가 내장되어 있다. 플렉시블 테이프(130)상에는, 제어용 IC(130a)로부터 취출한 복수의 외부 단자(130b)가 플렉시블 테이프(130)의 한 변을 따라 배치되어 있다.
다음에 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 기체(2) 상에는 회로부(11)가 형성되고, 이 회로부(11) 상에 표시 소자부(3)가 형성되어 있다. 회로부(11)의 중앙 부분에는, 상술한 표시 영역(11a)이 마련되어 있다. 이 표시 영역(11a)내에 있는 회로부(11)에는, 커런트 박막 트랜지스터(123)와 그 커런트 박막 트랜지스터(123)에 접속된 화소 전극(111)이 구비되어 있다. 커런트 박막 트랜지스터(123)는 기체(2) 상에 적층된 하지 보호층(281), 제2 층간 절연층(283) 및 제1 층간 절연층(284)에 매립되어 형성되고, 또한 화소 전극(111)은 제1 층간 절연층(284) 상에 형성되어 있다. 또한, 회로부(11)에는, 상술한 유지 용량(Cap) 및 스위칭 박막 트랜지스터(142)도 형성되어 있지만, 도 3 및 도 4에서는 이들의 도시를 생략하고 있다.
또한, 각 화소 전극(111)의 사이에는 뱅크부(112)가 형성되어 있다. 뱅크부(112)는 제1 층간 절연층(284) 상에 형성된 무기물 뱅크층(112a)과, 이 무기물 뱅크층(112a)상에 형성된 유기물 뱅크층(112b)으로 구성되어 있다. 무기물 뱅크층(112a)은 표시 영역(11a)만이 아니라, 비표시 영역(11b)을 거의 덮도록 형성되어 있다. 무기물 뱅크층(112a)은 친액성으로 표면처리되고, 한편, 유기물 뱅크층(112b)은 발액성으로 표면 처리되어 있다. 또한, 각 화소 전극(111)상에는 기능층(110)이 각각 형성되어 있고, 또한 각 기능층(110) 및 유기물 뱅크층(112b) 상에는 음극(12)이 형성되어 있다. 무기물 뱅크층(112a)과 유기물 뱅크층(112b)은 화소 전극(111)과 부분적으로 겹치도록 형성되어 있고, 또한 무기물 뱅크층(112a)은 유기물 뱅크층(112b)보다도 화소 전극(111)의 중앙측에 가깝게 형성되어 있다. 또한, 무기물 뱅크층(112a)과 유기물 뱅크층(112b)의 사이에 차광층을 배치해도 좋다.
유기물 뱅크층(112b)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 통상의 레지스트로 형성되어 있다. 이 유기물 뱅크층(112b)의 두께는 0.1∼3.5㎛의 범위가 바람직하고, 특히 2㎛정도가 좋다. 두께가 0.1㎛ 미만에서는, 기능층(110)을 구성하는 정공 주입/수송층과 발광층의 합계 두께보다 유기물 뱅크층(112b)이 얇아져서, 발광층이 상부 개구부(112d)로부터 흘러넘칠 우려가 있어 바람직하지 않다. 또한, 두께가 3.5㎛를 넘으면, 상부 개구부(112d)에 의한 단차가 커져서, 유기물 뱅크층(112b)상에 형성하는 음극(12)의 스텝 커버리지를 확보할 수 없게 되므로 바람직하지 않다. 또한, 유기물 뱅크층(112b)의 두께를 2㎛이상으로 하면, 음극(12)과 화소 전극(111)의 절연을 높일 수 있는 점에서 보다 바람직하다.
또한, 뱅크부(112) 및 그 주변에는, 친액성을 나타내는 영역과, 발액성을 나타내는 영역이 형성되어 있다.
친액성을 나타내는 영역은 무기물 뱅크층(112a) 및 화소 전극(111)이며, 이들의 영역에는, 산소를 반응 가스로 하는 플라즈마 처리에 의해서 수산기 등의 친액기가 도입되어 있다. 또한, 발액성을 나타내는 영역은 유기물 뱅크층(112b)이며, 4불화메탄을 반응 가스로 하는 플라즈마 처리에 의해서 불소 등의 발액기가 도 입되어 있다.
기능층(110)은, 도 3 및 4에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(111)상의 각각에 적층되어 있다. 또한 뱅크부(112)는 각 화소 전극(111) 및 각 기능층(110)의 사이에 구비되어 있어, 각 기능층(110)을 구획하고 있다. 기능층(110)은 화소 전극(111) 상에 적층된 도시하지 않은 정공 주입/수송층과, 정공 주입/수송층 상에 인접하여 형성된 도시하지 않은 발광층으로 구성되어 있다. 발광층에서는, 정공 주입/수송층으로부터 주입된 정공과, 음극으로부터 발생한 전자가 결합하여 형광을 발생시킨다. 발광층은 적색(R)으로 발광하는 적색 발광층, 녹색(G)으로 발광하는 녹색 발광층, 및 청색(B)으로 발광하는 청색 발광층의 3종류를 갖고, 예를 들면 각 발광층이 스트라이프 배치된다. 또한, 발광층의 배치는 스트라이프 배치에 한정되는 것은 아니며, 모자이크 배치나 델타 배치로 해도 좋다.
음극(12)은 불화리튬과 칼슘의 적층체로 이루어지는 제 1 음극층(12b)과, Al, Ag, Mg/Ag 적층체 등으로 이루어지는 제 2 음극층(12c)으로 구성되어 있다. 제 1 음극층(12b)은 유기물 뱅크층(112b)상에만 형성되고, 한편, 제 2 음극층(12c)는 유기물 뱅크층(1l2b)상에서부터 비표시 영역(1lb)상까지 형성되는 동시에 음극용 배선(12a)에 접속되어 있다. 음극(12)은 화소 전극(111)의 대향 전극으로서 기능층(110)으로 전류를 흘리는 역할을 한다.
다음에, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 표시 소자부(3) 양측의 비표시 영역에는 상술한 주사선 구동 회로(105)가 마련되어 있다. 이 주사선 구동 회로(105)에는 시프트 레지스터에 포함되는 인버터를 구성하는 N 채널형 또는 P채 널형의 박막 트랜지스터(105c)가 구비되고, 박막 트랜지스터(105c)는 화소 전극(111)에 접속되어 있지 않은 점을 제외하고 상기의 커런트 박막 트랜지스터(123)와 같은 구조로 되어 있다.
또한 도 3에 나타내는 바와 같이, 주사선 구동 회로(105) 근방의 하지 보호층(281) 상에는, 주사선 회로용 제어 신호 배선(105a)이 형성되어 있다. 또한 주사선 회로용 제어 신호 배선(105a) 근방의 제2 층간 절연층(283)상에는, 주사선 회로용 전원 배선(105b)이 배치되어 있다.
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 주사선 회로용 전원 배선(105b) 근방에는, 발광용 전원 배선(103R, 103G, 103B)이 배치되어 있다.
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 발광용 전원 배선(103R, 103G, 103B)보다 외측의 비표시 영역(11b)에는, 음극(12)에 접속되는 음극 배선(12a)이 형성되어 있다. 이 음극 배선(12a)은 발광용 전원 배선(103R, l03G, 103B)을 둘러싸도록 평면에서 보아 거의 U자 모양으로 형성되어 있다.
다음에 본 실시 형태의 표시 장치(1)의 밀봉 구조에 대해서 설명한다.
도 2 및 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 기체(2)상의 표시 소자부(3)의 주위에, 외주 뱅크층(14a)(블로킹부)이 환상으로 형성되어 있다. 또한 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 표시 소자부(3)상에는 다층 밀봉막(14b)이 적층되어 있다. 이 다층 밀봉막(14b)은 평탄화 수지층(14c(14c1,14c2))과 배리어층(14d (14d1,14d2))이 순차적으로 2층씩 적층되어 형성되어 있다. 각 평탄화 수지층 (14c1,14c2)은 모두 환상으로 형성된 외주 뱅크층(14a)의 내측에 형성되고, 외주 뱅크층(14a)에 의해서 블로킹된 상태로 되어 있다. 또한, 각 배리어층(14d1, 14d2)은 각 평탄화 수지층(14c1,14c2)상(외주 뱅크층(14a)의 내측)에 형성되는 동시에 그 단부(14e(14e1,14e2))가 외주 뱅크층(14a)의 외측에까지 연장하여 형성되어 있다. 또한, 평탄화 수지층(14c) 및 배리어층(14d)의 수는 각 1층 이상이면 수층이어도 좋지만, 2층∼4층 정도가 바람직하다.
또한, 외주 뱅크층(14a)은 두께가 1∼3㎛의 범위로 형성된 것으로서, 유기물 뱅크층(112b)과 동일하게 표면이 발액성으로 처리되어 있다.
평탄화 수지층(14c)은, 예를 들면 폴리아크릴 수지 등으로 되고, 비표시 영역(11b)과 표시 영역(11a)(비표시 영역(11b)상의 무기물 뱅크층(112a)과 표시 소자부(3))의 단차(1∼3㎛)를 메워서 그 표면을 가능한 한 평탄화하도록 형성되어 있고, 이 평탄화 수지층(14c)상에 형성되는 배리어층(14d)의 스텝 커버리지를 가능한 한 작게 하여, 배리어층(14d)에서의 핀홀이나 크래킹, 막두께 불균일의 발생을 방지하는 역할을 한다. 배리어층(14d)은 SiO2 등의 무기물막으로 되고, 물이나 산소의 차단성이 뛰어난 것이다. 다층 밀봉막(14b)은 이들 평탄화 수지층(14c)과 배리어층(14d)이 순차적으로 적층되어 구성됨에 의해, 표시 소자부(3)로의 수분이나 산소, 불순물 이온 등의 침입을 막아 음극(12)이나 기능층(110)의 열화를 방지한다.
밀봉 구조에 대해서 더욱 상세하게 말하면, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 평탄화 수지층(14c) 중, 최하층의 평탄화 수지층(14c1)은 비표시 영역(11b)의 무기물 뱅크층(112a)(친액성 처리막) 및 표시 소자부(3) 상에 형성되어, 외주 뱅크층(14a)의 내측에 블로킹되어 있다. 이 평탄화 수지층(14c1)은 외주 뱅크층(14a)보다 얇게 형성되어 있다. 무기물 뱅크층(112a)의 표면이 친액성이기 때문에, 평탄화 수지층(14c1)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화되기 쉽고, 이 때문에 무기물 뱅크층(112a)과 평탄화 수지층(14c1) 사이의 밀착성이 강하게 되어 있다. 한편, 외주 뱅크층(14a)은 표면이 발액성으로 처리되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(14c1)과는 친화되기 어렵게 되어 있고, 이 때문에 외주 뱅크층(14a)이 평탄화 수지층(14c1)을 확실히 블로킹하도록 되어 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(14c1)상에는 배리어층(14d1)이 적층되어 있다. 이 배리어층(14d1)은 외주 뱅크층(14a)을 덮도록 형성되는 동시에, 외주 뱅크층(14a)을 넘어서 외주 뱅크층(14a)의 외측까지 연장하고, 그 단부(14e1)가 제1 층간 절연층(284) 상에 위치하고 있다. 외주 뱅크층(14a) 근처에는 평탄화 수지층(14c1)과 외주 뱅크층(14a)의 막 두께 차이에 의해 단차(14f)가 형성되고, 배리어층(14d1)은 이 단차(14f)를 넘어서 외주 뱅크층(14a)의 외측에 이르고 있다.
또한, 이 배리어층(14d1)상에는 다른 평탄화 수지층(14c2)이 적층되어 있다. 이 평탄화 수지층(14c2)은 외주 뱅크층(14a)과 평탄화 수지층(14c1)에 의한 단차(14f)에 의해서 블로킹되어 외주 뱅크층(14a)의 내측에 위치해 있다. 도 3 및 도 4에서는, 평탄화 수지층(14c2) 윗면이 외주 뱅크층(14a) 윗면과 거의 같은 위치로 되도록 형성되어 있지만, 평탄화 수지층(14c2)의 윗면이 외주 뱅크층(14a)의 윗면보다 낮은 위치에 있어도 좋다.
또한 이 평탄화 수지층(14c2)상에는 다른 배리어층(14d2)이 적층되어 있다. 이 배리어층(14d2)은 상기 배리어층(14d1)과 마찬가지로, 외주 뱅크층(14a)을 덮도록 형성되는 동시에 외주 뱅크층(14a)을 넘어서 그 외측까지 연장하여, 그 단부(14e2)가 제1 층간 절연층(284)상에 위치해 있다. 배리어층(14d2) 아래의 평탄화 수지층(14c2)이 외주 뱅크층(14a)의 내측에서 블로킹되어 있기 때문에, 외주 뱅크층(14a)보다 외측에서 배리어층(14d1, 14d2)끼리 직접 접해 있다.
외주 뱅크층(14a)은 상술한 바와 같이, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 레지스트로 형성되고, 발액성으로 표면 처리되어 있다. 이 외주 뱅크층(14a)의 두께는 0.1∼3.5㎛의 범위가 바람직하고, 특히 2㎛정도가 좋다. 두께가 0.1㎛미만에서는, 평탄화 수지층(14c)을 블로킹할 수 없게 되므로 바람직하지 않고, 또한 두께가 3.5㎛를 넘으면, 단면 형상비가 커져서, 가공 안정성이 손상되어 버리므로 바람직하지 않다.
또한 평탄화 수지층(14c1, 14c2)은 모두 아크릴계 수지 등으로 형성되어 있다. 이 평탄화 수지층(14c1, 14c2)의 두께는 0.05∼3㎛의 범위가 바람직하고, 특히 0.1∼1㎛ 정도가 좋다. 두께가 0.05㎛ 미만에서는, 평탄성이 나빠지므로 바람직하지 않고, 두께가 3㎛를 넘으면, 평탄화 수지층(14c)이 외주 뱅크층(14a)으로부터 흘러넘쳐 버리므로 바람직하지 않다. 또한, 각 평탄화 수지층(14c1, 14c2)의 두께는 동일해도 좋고, 두께를 다르게 해도 좋다.
또한 배리어층(14d1, 14d2)은 SiO2, Al2O3 등으로 형성되어 있다. 이 배리어층(14d1, 14d2)의 두께는, 5∼500nm의 범위가 바람직하고, 특히 30∼300nm정도가 좋다. 두께가 5nm미만에서는, 물이나 산소의 침입을 방지할 수 없으므로 바람직하고 않고, 두께가 500nm를 넘으면, 열이나 기계적인 응력에 의해 크랙이 생기기 쉬우므로 바람직하지 않다. 또, 각 배리어층(14d1, 14d2)의 두께는 동일해도 좋고, 두께를 다르게 해도 좋다.
이것에 의해, 다층 밀봉막(14b)의 두께를 1∼3㎛의 범위로 할 수 있다. 또한, 표시 장치(1)의 제1 층간 절연층(284)에서부터 위쪽의 밀봉 구조의 두께를 1∼3㎛의 범위로 할 수 있다.
상기 밀봉 구조를 채용함으로써, 다층 밀봉막(14b)을 얇게 형성할 수 있으므로, 표시 장치(1) 자체의 전체 두께를 종래의 캔밀봉형의 표시 장치보다 더욱더 얇게 할 수 있다. 또한, 평탄화 수지층(14c)이 형성되어 있으므로, 이 평탄화 수지층(14c) 상에 각각 형성되는 배리어층(14d)을 평탄하게 할 수 있고, 이것에 의해 배리어층(14d)에 크래킹이나 핀홀이 발생하지 않아, 배리어성이 높은 밀봉막을 제공할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층(14c)이 외주 뱅크층(14a)의 내측에 형성되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(14c)의 형성 영역을 외주 뱅크층(14a)에 의해서 구획할 수 있고, 이 때문에, 이른바 프레임 영역의 범위를 외주 뱅크층(14a)의 위치에 따라서 조정할 수 있다. 이것에 의해, 프레임 영역을 종래보다 좁게 하여 표시 영역(11a)을 넓힐 수 있다. 또한, 평탄화 수지층(14c)의 형성 영역을 외주 뱅크층(14a)에 의해서 구획함으로써, 배리어성의 장소에 따른 편차가 없어, 밀봉의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 기체(2)에 가장 인접하는 평탄화 수지층(14c1)이 표시 소자부(3)의 비형성 영역(11b)에서 기체(2)와 인접하도록 하면, 기체(2)와 다층 밀봉막(14b)의 접촉 면적을 넓힐 수 있고, 이것에 의해 표시 소자부에 대한 막 계면에서의 물이나 산소의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
다음에 본 실시 형태의 전자 소자부의 제조 방법을 도 1∼도 4에 나타낸 표시 장치의 제조 방법을 예로 하여 도면을 참조하여 설명한다. 이 표시 장치의 제조 방법은 기체(2) 상에 환상의 블로킹부를 형성하는 블로킹부 형성 공정과, 블로킹부의 내측에 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 함유하는 수지 코팅제를 도포한 후에 중합하여 평탄화 수지층을 형성하는 평탄화 수지층 형성 공정과, 적어도 상기 평탄화 수지층과 상기 블로킹부를 덮는 배리어층을 형성하는 배리어층 형성공정을 구비하여 된다. 또한, 상기 평탄화 수지층 형성 공정과 상기 배리어층 형성 공정을 교대로 복수회 행함으로써, 상기 평탄화 수지층과 상기 배리어층이 교대로 적층되어 이루어지는 적층 밀봉층을 형성한다.
도 5 내지 도 12를 참조하여, 기체(2)의 회로부(11)상에 표시 소자부(3)(전자 소자부) 및 이 표시 소자부(3)를 밀봉하는 밀봉 구조를 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 또한, 도 5 내지 도 12에 나타내는 각 단면도는 도 2 중의 A-A'선에 따른 단면에 대응하고 있다.
우선, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기체(2)상에 회로부(11)를 형성하고, 회로부(11)의 전면을 덮도록 ITO(인듐주석 산화물) 등의 투명 전극 재료로 이루어지 는 박막을 형성하고, 그 박막을 패터닝함으로써, 제1 층간 절연층(284)상에 화소 전극(111)을 형성한다. 화소 전극(111)은 커런트 박막 트랜지스터(123)의 형성 부분에만 형성되어, 컨택트홀(11la)을 거쳐서 커런트 박막 트랜지스터(123)에 접속된다.
다음에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 층간 절연층(284) 및 화소 전극(111)상에 무기물 뱅크층(112a)을 형성한다. 무기물 뱅크층(112a)은 화소 전극(111)의 일부가 개구하는 태양으로 형성한다. 또한 무기물 뱅크층(112a)은 표시 영역(11a)뿐만이 아니라, 기체(2)의 비표시 영역(11b)상에도 형성한다. 무기물 뱅크층(112a)은 예를들면 CVD법, TEOS법, 스퍼터법, 증착법 등에 의해서 제1 층간 절연층(284) 및 화소 전극(111)의 전면에 SiO2, TiO2, SiN 등의 무기질막을 형성한 뒤에, 그 무기질막을 패터닝함으로써 형성한다.
또한 도 6에 나타내는 바와 같이, 무기물 뱅크층(112a)상에 유기물 뱅크층(112b)을 형성한다. 유기물 뱅크층(112b)은 무기물 뱅크층(112a)을 거쳐서 화소 전극(111)의 일부가 개구하는 태양으로 형성한다. 이와 같이 하여, 제1 층간 절연층(284)상에 뱅크부(112)를 형성한다.
또한, 블로킹부 형성 공정으로서, 유기물 뱅크층(112b)의 형성과 동시에, 비표시 영역(11b)의 무기물 뱅크층(112a)상에 외주 뱅크층(14a)을 형성한다. 외주 뱅크층(14a)은 유기물 뱅크층(112b)과 동일한 재료에 의해 형성한다.
이어서, 뱅크부(112)의 표면에, 친액성을 나타내는 영역과, 발액성을 나타내 는 영역을 형성한다. 본 실시예에서는 플라즈마 처리 공정에 의해, 각 영역을 형성하고 있다. 구체적으로 그 플라즈마 처리 공정은, 화소 전극(111) 및 무기물 뱅크층(112a)을 친액성으로 하는 친액화 공정과, 유기물 뱅크층(112b) 및 외주 뱅크층(14a)을 발액성으로 하는 발액화 공정을 적어도 구비하고 있다.
즉, 뱅크부(112)를 소정 온도(예를 들면 70∼80℃ 정도)로 가열하고, 그 다음에 친액화 공정으로서 대기 분위기 중에서 산소를 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(O2 플라즈마 처리)를 행한다. 이어서, 발액화 공정으로서 대기 분위기 중에서 4불화메탄을 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(CF4 플라즈마 처리)를 행하고, 플라즈마 처리를 위해서 가열된 뱅크부(112)를 실온까지 냉각함으로써, 친액성 및 발액성이 소정 개소에 부여되게 된다. 도 7에는, 친액 처리된 화소 전극(111) 및 무기물 뱅크층(112a)의 윤곽을 실선으로 나타내고, 발액 처리된 유기물 뱅크층(112b) 및 외주 뱅크층(14a)의 윤곽을 일점쇄선으로 나타내고 있다.
다음에, 도 8에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(111)상에 각각, 기능층(110)을 잉크젯법에 의해 형성한다. 기능층(110)은 정공 주입/수송층 재료를 함유하는 조성물을 토출·건조한 뒤에, 발광층 재료를 함유하는 조성물을 토출·건조함으로써 형성된다.
다음에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 뱅크부(112) 및 기능층(110)을 덮는 음극(12)을 형성한다. 음극(12)은 뱅크부(112) 및 기능층(110)상에 제1 음극층(12b)을 형성한 뒤에, 제1 음극층(12b)을 덮어서 기체(2)상의 음극용 배선(12a)에 접속 되는 제2 음극층(12c)을 형성함에 의해 얻어진다.
다음에, 도 10에 나타내는 바와 같이, 평탄화 수지층 형성 공정으로서, 표시 소자부(3)상 및 비표시 영역에 있는 무기물 뱅크층(112b) 상에 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 함유하는 수지 코팅제나 유기 실리콘 화합물(테트라에톡시실란 TEOS, Si3N4 등)을, 진공 하에서 가열 기화시켜 외주 뱅크층(14a)내에 분무 코팅하고, 이것에, 예를 들면 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등의 자외선 조사용 램프를 사용하여 진공하에 자외선을 조사하고, 수지 코팅제에 함유되는 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 경화시켜, 평탄화 수지층(14c1)을 형성한다. 또한, 수지코팅제의 분무 시에는, 개구부(m1)를 갖는 마스크(M1)를 기체(2)상에 대향하여 배치하고, 기체(2)와 개구부(m1)가 외주 뱅크층(14a)의 내측에 대향하도록 배치시킨 상태에서, 이 개구부(m1)를 거쳐서 분무시키는 것이 바람직하다. 이러한 마스크(M1)를 사용함으로써, 외주 뱅크층(14a)의 외측에 수지 코팅제가 부착하지 않는다. 또한 수지 모노머 또는 수지 올리고머의 경화시키기 위해서는, 플라즈마 조사에 의한 방법도 있다.
경화 전의 수지 코팅제는 상온에서 500cP 이하, 바람직하게는 100cP 이하 정도의 점도를 가지고 있기 때문에 유동성이 풍부한 것이지만, 분무 코팅시킨 후에 외주 뱅크층(14a)에 의해서 블로킹되기 때문에, 외주 뱅크층(14a)의 외측으로 유출하지 않는다. 이와 같이 하여, 외주 뱅크층(14a)의 내측에 평탄화 수지층(14c1)을 형성한다. 또한, 평탄화 수지층(14c1)의 두께는 수지 코팅제의 분무량에 의하여 조정할 수 있고, 예를 들면, O.1∼1㎛의 범위가 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서 사용하는 수지 코팅제로는, 제1 성분으로서, 아크릴계나 메타크릴, 폴리에스테르, PET, 폴리프로필렌 등의 비닐계의 수지 모노머 또는 수지 올리고머로 이루어지는 수지 성분과, 제２ 성분으로서 광중합 개시제를 혼합한 아크릴 수지 코팅제를 예시할 수 있다. 이 경우, 제1 성분으로는, 예를 들면 알키드, 폴리에스테르아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 아크릴아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 실리콘아크릴레이트, 폴리아세탈아크릴레이트, 폴리부타디엔계 아크릴레이트, 멜라민아크릴레이트 등의 중합성 이중 결합을 갖는 아크릴계의 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 들 수 있다. 또한, 수지 모노머 또는 수지 올리고머로는 그 아크릴로일기의 보유수에 따라서 1관능, 2관능, 3관능, 및 그 이상의 다관능의 것을 적당히 선정하여 사용할 수 있다. 이들 아크릴계 수지 모노머 또는 수지 올리고머는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 아크릴계 수지 모노머 또는 수지 올리고머의 분자량은 10,000 이하, 바람직하게는 2,000 이하, 보다 바람직하게는 100∼600으로 한다.
제2 성분의 광중합 개시제로는, 예를 들면 벤조인에테르류, 벤조페논류, 크산톤류, 아세토페논 유도체 등을, 제1 성분의 수지 모노머 또는 수지 올리고머에 대하여 0.01중량%∼10중량%, 바람직하게는 0.1∼2중량%를 사용한다.
본 실시 형태에 의한 수지 코팅제는 상술한 아크릴계 수지 모노머 또는 수지 올리고머로 이루어지는 제1 성분과 광중합개시제로 이루어지는 제2 성분을 혼합함에 의해 제조할 수 있다. 또한, 수지 코팅제의 점도는 상온에서 500cP이하, 바람 직하게는 100cP이하로 한다. 이것에 의해, 표시 영역부의 요철이 많아도 평탄화되기 쉽게 된다.
다음에 도 11에 나타내는 바와 같이, 배리어층 형성 공정으로서, 증착법에 의해, 평탄화 수지층(14c1)상에 배리어층(14d1)을 형성한다. 배리어층(14d1)은 알루미늄, 실리콘, 마그네슘, 티타늄, 인디움, 주석 등의 금속이나 금속 산화물(SiO2, Al2O3 등) 등을 증착 재료로서 형성할 수 있다. 증착 방법으로는 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등을 사용할 수 있다.
또한, 증착 시에는, 개구부(m2)를 갖는 다른 마스크(M2)를 기체(2) 상에 대향하여 배치하고, 기체(2)와 개구부(m2)의 주연부가 외주 뱅크층(14a)의 외측에 대향하도록 배치시킨 상태에서, 이 개구부(m2)를 거쳐서 증착을 행하는 것이 바람직하다. 이러한 마스크(M2)를 사용함으로써, 배리어층(14d1)이 기체(2)의 측면측에 형성되는 것이 방지된다. 또한, 배리어층(14d1)의 두께는 5∼500nm의 범위가 바람직하다.
평탄화 수지층(14c1)의 형성에 의해, 배리어층(14d1)의 형성면을 비교적 평탄하게 할 수 있으므로, 핀홀이나 크래킹 등의 결함이 없는 균일하고 조밀한 배리어층(14d1)을 형성할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층(14c1)상에 배리어층(14dl)을 형성하므로, 평탄화 수지층(14c1)의 앵커 효과에 의해 평탄화 수지층(14c1)과 배리어층(14d1)의 밀착성이 향상하고, 수분이나 산소에 대한 배리어성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 도 12에 나타내는 바와 같이, 상기의 평탄화 수지층 형성 공정과 배리어층 형성 공정을 재차 반복함으로써, 배리어층(14d1)상에 평탄화 수지층(14c2) 및 배리어층(14d2)를 순차 적층하여 다층 밀봉막(14b)을 형성한다.
이와 같이 하여, 도 1∼도 4에 나타내는 바와 같은 표시 장치(1)를 얻을 수 있다.
[제2 실시 형태]
다음에 본 발명의 제2 실시 형태를 도 13을 참조하여 설명한다. 도 13은 본 실시 형태의 표시 장치(201)의 밀봉 구조의 요부의 단면도이다.
또한, 도 13에 나타내는 표시 장치(201)의 구성 요소 중, 도 1∼도 4에 나타낸 제1 실시 형태의 표시 장치(1)의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는, 동일 부호를 붙여서 그 설명을 간단히 하거나, 또는 그 설명을 생략한다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 표시 장치(201)에는, 복수의 외주 뱅크층(블로킹부)(214a1, 214a2, 214a3)이 형성되어 있다. 부호 214a1로 나타내는 최내주의 외주 뱅크층의 외측에 부호 214a2로 나타내는 다른 외주 뱅크층이 형성되고, 또한 그 외측에 또 다른 외주 뱅크층(214a3)이 형성되어 있다.
각 외주 뱅크층(214a1, 214a2, 214a3)의 상호 간격(d)은 10∼300㎛의 범위로 하는 것이 바람직하다. 각 외주 뱅크층(214a1∼214a3)은 제1 실시 형태의 외주 뱅크층(14a)과 거의 같은 재질, 거의 같은 두께로 된다. 또한, 각 외주 뱅크층(214a1∼214a3)의 높이는 동일해도 좋고, 높이를 다르게 해도 좋다.
또한, 이 표시 장치에는, 부호 214b로 나타내는 다층 밀봉막이 형성되어 있 다. 이 다층 밀봉막(214b)은 3개의 평탄화 수지층(214c1∼214c3) 및 3개의 배리어층(214d1∼214d3)이 교대로 적층되어 형성되어 있다.
3개의 평탄화 수지층(214c1∼214c3) 중, 최하층의 평탄화 수지층(214c1)은 비표시 영역(11b)의 무기물 뱅크층(112a)(친액성 처리막) 및 도시하지 않은 표시 소자부 상에 형성되어, 최내주의 외주 뱅크층(214a1)의 내측(도면 중 자측)에 블로킹되어 있다. 이 평탄화 수지층(214c1)은 최내주의 외주 뱅크층(214a1)보다 얇게 형성되어 있다. 무기물 뱅크층(112a)의 표면이 친액성(산화물)이기 때문에, 평탄화 수지층(214c1)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화되기 쉽고, 이 때문에 무기물 뱅크층(112a)과 평탄화 수지층(214c1) 사이의 밀착성이 강하게 되어 있다. 한편, 외주 뱅크층(214a1)은 표면이 발액성으로 처리되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(214c1)과 친화되기 어렵게 되어 있고, 이 때문에 외주 뱅크층(2l4a1)이 평탄화 수지층(214c1)을 블로킹하기 쉽게 되어 있다. 단, 본 발명의 목적을 달성하기 위해서는 반드시 발액 처리를 필요로 하는 것은 아니다.
다음에 이 평탄화 수지층(214c1)상에는 배리어층(214d1)이 적층되어 있다. 이 배리어층(214d1)은 3개의 외주 뱅크층(214a1∼214a3)을 덮도록 형성되는 동시에, 모든 외주 뱅크층(214a1∼214a3)을 넘어서 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측까지 연장하여, 그 단부(214e1)가 무기물 뱅크층(112a)상에 위치해 있다. 최내주의 외주 뱅크층(214a1) 근방에는, 평탄화 수지층(214c1)과 외주 뱅크층(214a1)의 막 두께 차이에 의해 단차(214f1)가 형성되고, 배리어층(214d1)은 이 단차(214f1)를 넘어서 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측까지 이르러 있다.
또한, 이 배리어층(214d1)상에는 다른 평탄화 수지층(214c2)이 적층되어 있다. 이 평탄화 수지층(214c2)은 상기 배리어층(214d1)상에 형성되어, 최내주의 외주 뱅크층(214a1)을 넘어서 그 근처의 외주 뱅크층(214a2)의 내측으로 블로킹되어 있다. 먼저 형성된 배리어층(214d1)이 SiO2 등으로 되고, 그 표면이 친액성으로 되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(214c2)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화되기 쉽고, 이 때문에 최내주의 외주 뱅크층(214a1)의 단차(214f1)를 넘어서 그 근처의 외주 뱅크층(214a2)의 내측까지 이르러 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(214c2)상에는 다른 배리어층(214d2)이 적층되어 있다. 이 배리어층(214d2)은 외측의 2개의 외주 뱅크층(214a2, 214a3)을 덮도록 형성되는 동시에 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측까지 연장하여, 그 단부(214e2)가 무기물 뱅크층(112a)상에 위치해 있다. 외주 뱅크층(214a2) 근방에는 평탄화 수지층(214c2)과 외주 뱅크층(214a2)의 막 두께 차이에 의해 단차(214f2)가 형성되고, 배리어층(214d2)은 이 단차(214f2)를 넘어서 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측까지 이르러 있다.
또한 이 배리어층(214d2)상에는 또 다른 평탄화 수지층(214c3)이 적층되어 있다. 이 평탄화 수지층(214c3)은 상기 배리어층(214d2)상에 형성되고, 2개의 외주 뱅크층(214a1,214a2)를 넘어서 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 내측으로 블로킹되어 있다. 먼저 형성된 배리어층(214d2)이 SiO2 등의 산화물로 되고, 그 표면이 친액성으로 되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(214c3)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화되기 쉽고, 이 때문에 내주측의 2개의 외주 뱅크층(214a1, 214a2)의 단차를 넘어서 그 근처의 외주 뱅크층(214a3)의 내측까지 이르러 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(214c3) 상에는 또 다른 배리어층(214d3)이 적층되어 있다. 이 배리어층(214d3)은 최외주의 외주 뱅크층(214a3)을 덮도록 형성되는 동시에 이 외주 뱅크층(214a3)의 외측까지 연장하여, 그 단부(214e3)가 무기물 뱅크층(112a)상에 위치해 있다.
이와 같이 본 실시 형태의 표시 장치(201)에서는, 복수의 외주 뱅크층(214a1∼214a3)이 형성되고, 각 평탄화 수지층(214c1∼214c3)이 각 외주 뱅크층(214a1∼ 214a3)의 내측에 각각 형성되고, 또한 각 배리어층(214d1∼214d3)이 각 외주 뱅크층(214a1∼214a3)의 외측까지 각각 형성됨에 의해, 다층 밀봉막(214b)이 구성되어 있다.
본 실시 형태의 표시 장치(201)의 밀봉 구조에 의하면, 외주 뱅크층의 외주측에 다른 외주 뱅크층이 적어도 1이상 형성됨에 의해, 복수의 외주 뱅크층(214a1∼214a3)이 구비되어 있으므로, 평탄화 수지층(214c1∼214c3)을 두껍게 형성한 경우라도 평탄화 수지층(214c1∼214c3)을 확실히 블로킹할 수 있고, 다층 밀봉막(214b)의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다. 이것에 의해, 다층 밀봉막(214b)을 평탄화 수지층(214c1∼214c3)과 배리어층(214d∼214d3)이 반복하여 적층한 구조로 함이 용이해져, 물, 산소 등에 대한 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 각 평탄화 수지층(214c1∼214c3)이 각 외주 뱅크층(214a1∼21 4a3)의 내측에 각각 형성되어 있기 때문에, 평탄화 수지층을 복수 형성한 경우라도 블로킹부에 의해 확실히 블로킹할 수 있어, 다층 밀봉막의 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 표시 장치(201)의 밀봉 구조에 의하면, 각 배리어층(214d1∼214d3)이 각 외주 뱅크층(214a1∼214a3)의 외측까지 각각 형성되어 있으므로, 각 배리어층의 형성 영역을 넓게 확보할 수 있고, 이것에 의해 다층 밀봉막(214b)의 기체(2)와의 계면 방향의 밀착성, 배리어성이 더욱 향상하고, 물, 산소 등의 표시 소자부로의 침입을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
다음에 본 실시 형태의 표시 장치(201)의 제조 방법을 도 14a, 14b, 도 15a, 15b, 15c에 의해 설명한다. 본 실시 형태의 표시 장치(201)는 제1 실시 형태의 표시 장치(1)와 거의 동일한 방법으로 제조한다. 또한, 본 실시 형태의 표시 장치의 표시 소자부는 제1 실시 형태의 표시 장치(1)의 표시 소자부(3)와 같은 방법으로 제조되므로, 여기서는 표시 소자부의 형성 이후의 공정에 대해서 설명한다.
도 14a에서는, 무기물 뱅크층(112a)상에 3개의 외주 뱅크층(214a1∼214a3)이 형성된 상태를 나타낸다. 무기물 뱅크층(112a)의 표면은 친액성으로 처리되고, 외주 뱅크층(214al∼214a3)의 표면은 발액성으로 처리되어 있다.
또한 도 14a에 나타내는 바와 같이, 평탄화 수지층 형성 공정으로서, 비표시 영역에 있는 무기물 뱅크층(112b) 상에, 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 함유하는 수지 코팅제를, 진공 하에서 가열 기화시켜 외주 뱅크층(214a1)내에 분무코팅하고, 이것에, 예를 들면 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등의 자외선 조사용 램프를 사용하여 진공 하에 자외선을 조사하고, 수지 코팅층에 포함되는 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 경화시켜, 평탄화 수지층(214c1)을 형성한다. 또한, 수지 코팅제의 분무 시에는, 개구부(m3)를 갖는 마스크(M3)를 기체(2)상에 대향하여 배치하고, 기체(2)와 개구부(m3)가 외주 뱅크층(214a1)의 내측에 대향하도록 배치시킨 상태에서, 이 개구부(m3)를 거쳐서 분무시키는 것이 바람직하다. 이러한 마스크(M3)를 사용함으로써, 외주 뱅크층(214a1)의 외측에 수지 코팅제가 직접 부착하지 않는다.
또한, 여기서 사용하는 수지 코팅제는 제1 실시 형태에서 설명한 것과 같은 것이며, 유동성이 풍부한 것이지만, 분무 코팅된 뒤에 외주 뱅크층(214a1)에 의해서 블로킹되기 때문에, 외주 뱅크층(214a1)의 외측으로 유출되지 않는다. 이와 같이 하여, 외주 뱅크층(214a1)의 내측에 평탄화 수지층(214c1)을 형성한다. 또한, 평탄화 수지층(214c1)의 두께는 수지 코팅제의 분무량에 의해 조정할 수 있고, 예를 들면, 외주 뱅크층(214a1)의 높이의 1/3∼2/3의 두께가 바람직하다.
다음에 도 14b에 나타내는 바와 같이, 배리어층 형성 공정으로서, 증착법에 의해, 평탄화 수지층(214c1) 상에 배리어층(214d1)을 형성한다. 배리어층(214d1)은 SiO2, Al2O3 등을 증착 재료로서 사용하여 형성할 수 있다. 증착 방법은 제1 실시형태의 경우와 동일하다. 또한, 증착 시에는 개구부(m4)를 갖는 다른 마스크(M4)를 기체(2)상에 대향하여 배치하고, 개구부(m4)의 주연부와 기체(2)가 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측에 대향하도록 배치시킨 상태에서, 이 개구부(m4)를 거쳐서 증착을 행하는 것이 바람직하다. 이러한 마스크(M4)를 사용 함으로써, 배리어층 (214d1)이 기체(2)의 측면측에 형성되지 않게 된다. 또한, 배리어층(214d1)의 두께는 5∼500nm의 범위가 바람직하다.
다음에 도 15a에 나타내는 바와 같이, 평탄화 수지층 형성 공정으로서, 먼저 형성한 배리어층(214d1)상에, 수지 코팅제를 진공 하에서 가열 기화시켜 외주 뱅크층(214a1 및 214a2)내측에 분무 코팅하고, 이것에 진공 하 자외선을 조사하여 경화시켜, 평탄화 수지층(214c2)을 형성한다. 또한, 수지 코팅제의 분무 시에는, 조금 전의 마스크(M3)를 조금 전과 동일하게 하여 기체(2) 상에 배치하고, 개구부(m3)를 거쳐서 분무시키는 것이 바람직하다. 분무된 수지 코팅제는 외주 뱅크층(214a1)을 넘어서 배리어층(214d1)상으로 흐르고, 외주 뱅크층(214a2)에 의해서 블로킹된다. 따라서, 수지 코팅제는 외주 뱅크층(214a2)의 외측으로 유출되지 않는다. 이와 같이 하여, 외주 뱅크층(214a1 및 214a2)의 내측에 평탄화 수지층(214c2)을 형성한다. 또한, 평탄화 수지층(214c2)의 두께는 수지 코팅제의 분무량에 따라 조정할 수 있고, 예를 들면, 외주 뱅크층(214a2)의 높이의 1/3∼2/3의 두께가 바람직하다.
다음에 도15b에 나타내는 바와 같이, 배리어층 형성 공정으로서, 증착법에 의해, 평탄화 수지층(214c2)상에 배리어층(214d2)을 형성한다. 배리어층(214d2)은 SiO2, Al2O3 등을 증착 재료로서 사용하여 형성할 수 있다. 증착 방법은 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지다. 또한, 증착 시에는, 개구부(m6)를 갖는 다른 마스크(M6)를 기체(2) 상에 대향하여 배치하고, 개구부(m6)의 주연부와 기체(2)가 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측에 대향하도록 배치시킨 상태로, 이 개구부(m6)를 거쳐서 증착을 행하는 것이 바람직하다. 이러한 마스크(M6)를 사용함으로써, 배리어층(214d2)이 기체(2)의 측면측에 형성되지 않는다. 또한, 배리어층(214d2)의 두께는 5∼500nm의 범위가 바람직하다.
다음에, 도 15c에 나타내는 바와 같이, 상기의 평탄화 수지층 형성 공정과 배리어층 형성 공정을 재차 반복함에 의해, 배리어층(214d2)상에 평탄화 수지층(214c3) 및 배리어층(214d3)을 순차 적층하여 다층 밀봉막(214b)을 형성한다. 또한, 평탄화 수지층(214c3)을 형성하기 위한 수지 코팅제의 분무는, 조금 전의 마스크(M3)를 조금 전과 마찬가지로 기체(2) 상에 대향하여 배치하여 행함이 바람직하다. 분무된 수지 코팅제는 외주 뱅크층(214a1 및 214a2)를 넘어서 배리어층(214d2)상으로 흐르고, 외주 뱅크층(214a3)에 의해서 블로킹된다. 따라서, 수지 코팅제는 외주 뱅크층(214a3)의 외측으로 유출되지 않는다.
또한, 배리어층(214d3)의 증착 시에는 개구부(m6)를 갖는 다른 마스크(M6)를 기체(2)상에 대향하여 배치하고, 마스크(M6)의 개구부(m6)의 주연부와 기체(2)가 최외주의 외주 뱅크층(214a3)의 외측에 대향하도록 배치시킨 상태에서, 이 마스크(M6)를 거쳐서 증착을 행하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 배리어층(214d3)이 기체(2)의 측면측에 형성되지 않는다.
이와 같이 하여, 도 13에 나타내는 바와 같은 표시 장치(201)를 얻을 수 있다.
각 평탄화 수지층(214c1∼214c3)의 형성에 의해, 각 배리어층(214d1∼214d3)의 형성면이 비교적 평탄하게 되므로, 핀홀이나 크래킹 등의 결함이 없는 균일한 배리어층(214d1∼214d3)을 형성할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층(214c1∼214c3)상에 배리어층(214d1∼214d3)을 형성하므로, 각 평탄화 수지층(214c1∼214c3)의 앵커 효과에 의해 평탄화 수지층(214c1∼214c3)과 배리어층(214d1∼214d3)의 밀착성이 향상하여, 물이나 산소에 대한 배리어성을 향상시킬 수 있다.
[제3 실시 형태]
다음에 본 발명의 제3 실시 형태를 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은 본 실시 형태의 표시 장치(301)의 밀봉 구조의 요부의 단면도이다.
또한, 도 16에 나타내는 표시 장치(301)의 구성 요소 중, 도 1∼도 4로 나타낸 제1 실시 형태의 표시 장치(1)의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는, 동일 부호를 붙여 그 설명을 간단히 하거나, 또는 그 설명을 생략한다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 표시 장치(301)에는, 무기물 뱅크층(112a)(기체(2))의 주연부에 복수의 환상의 발액성 영역(블로킹부)(314a1, 314a2, 314a3)가 형성되어 있다. 즉, 부호 314a1로 나타내는 최내주의 발액성 영역의 외측에 부호 314a2로 나타내는 다른 발액성 영역이 형성되고, 또한 그 외측에 또 다른 발액성 영역(314a3)이 형성되어 있다. 각 발액성 영역(314a1∼314a3)의 상호 간격(d)은 30∼400㎛의 범위로 하는 것이 바람직하다.
각 발액성 영역(314a1∼314a3)은 제1 실시 형태의 유기물 뱅크층(112b)과 동일한, 무기물 뱅크층(112a)의 표면에, 4불화메탄을 반응 가스로 하는 플라즈마 처리에 의해 불소 등의 발액기가 도입되어 구성되어 있다. 이 때문에, 이들 발액성 영역(314a1∼314a3)은 제1, 제2 실시 형태에서 설명한 외주 뱅크층(14a, 214a1∼214a3)과 마찬가지로, 평탄화 수지층의 원료인 수지 코팅제를 발액하여, 평탄화 수지층을 블로킹하는 역할을 한다.
또한, 이 표시 장치에는, 부호 314b로 나타내는 다층 밀봉막이 형성되어 있다. 이 다층 밀봉막(314b)은 3개의 평탄화 수지층(314c1∼314c3) 및 3개의 배리어층(314d1∼314d3)이 교대로 적층되어 형성되어 있다.
3개의 평탄화 수지층(314c1∼314c3) 중, 가장 하층에 있는 평탄화 수지층(314c1)은 비표시 영역(11b)의 무기물 뱅크층(112a)(친액성 처리막) 및 도시하지 않은 표시 소자부 상에 형성되고, 최내주의 발액성 영역(314a1)의 내측(도면 중 좌측)으로 블로킹되어 있다. 무기물 뱅크층(112a)의 표면이 친액성이기 때문에, 평탄화 수지층(314c1)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화되기 쉽게 되어 있고, 이 때문에 무기물 뱅크층(112a)과 평탄화 수지층(314c1) 사이의 밀착성이 강하게 되어 있다. 한편, 발액성 영역(314a)에서는 무기물 뱅크층(112a)의 표면이 발액성으로 처리되어 있어, 평탄화 수지층(314c1)과 친화되기 어려우며, 이 때문에 발액성 영역(314a1)은 평탄화 수지층(314c1)을 블로킹하도록 되어 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(314c1) 상에는 배리어층(314d1)이 적층되어 있다. 이 배리어층(314d1)은 발액성 영역(314a1)을 덮도록 형성되는 동시에, 그 단부(314e1)가 무기물 뱅크층(112a) 상에 위치해 있다. 최내주의 발액성 영역(314a1) 근방에는, 평탄화 수지층(314c1)이 발액성 영역(314a1)으로 블로킹되어 있고, 배리어층(314d1)은 이 평탄화 수지층(314c1)을 넘어서 발액성 영역(314a1)의 외측까지 이르러 있다.
또한, 이 배리어층(314d1) 상에는 다른 평탄화 수지층(314c2)이 적층되어 있다. 이 평탄화 수지층(314c2)은 상기 배리어층(314d1)상에 형성되고, 최내주의 발액성 영역(314a1)을 넘어서 그 근처의 발액성 영역(314a2)의 내측으로 블로킹되어 있다. 먼저 형성된 배리어층(314d1)이 SiO2 등으로 되고 그 표면이 친액성으로 되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(314c2)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화하기 쉽고, 또한 이 배리어층(314d1)이 최내주의 발액성 영역(314a1)을 덮고 있으므로, 평탄화 수지층(314c2)이 이 발액성 영역(3l4a1)을 넘어서 그 근처의 발액성 영역(314a2)의 내측까지 이르러 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(314c2) 상에는 다른 배리어층(314d2)이 적층되어 있다. 이 배리어층(314d2)은 발액성 영역(314a2)을 덮도록 형성되는 동시에 발액성 영역(314a2)의 외측까지 연장하여, 그 단부(314e2)가 무기물 뱅크층(112a) 상에 위치하고 있다. 발액성 영역(314a2)의 근방에는, 평탄화 수지층(314c2)이 이 발액성 영역(314a2)으로 블로킹되어 있고, 배리어층(314d2)는 이 평탄화 수지층(314c2)을 넘어서 발액성 영역(314a2)의 외측까지 이르러 있다.
또한 이 배리어층(314d2)상에는 또 다른 평탄화 수지층(314c3)이 적층되어 있다. 이 평탄화 수지층(314c3)은 상기 배리어층(314d2) 상에 형성되고, 발액성 영역(314a2)을 넘어서 최외주의 발액성 영역(314a3)의 내측으로 블로킹되어 있다. 먼저 형성된 배리어층(314d2)이 SiO2 등으로 되고 그 표면이 친액성으로 되어 있기 때문에, 평탄화 수지층(314c3)을 구성하는 폴리아크릴 수지 등과 친화하기 쉽고, 또한 이 배리어층(314d2)이 발액성 영역(314a2)을 덮고 있으므로, 평탄화 수지층(314c3)이 이 발액성 영역(314a2)을 넘어서 그 근처의 발액성 영역(314a3)의 내측까지 이르러 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(314c3)상에는 또 다른 배리어층(314d3)이 적층되어 있다. 이 배리어층(314d3)은 최외주의 발액성 영역(314a3)을 덮도록 형성되는 동시에 이 발액성 영역(314a3)의 외측까지 연장하여, 그 단부(314e3)가 무기물 뱅크층(112a) 상에 위치하고 있다.
이와 같이 본 실시 형태의 표시 장치(301)에서는, 복수의 발액성 영역(314a1∼314a3)이 형성되고, 각 평탄화 수지층(314c1∼314c3)이 각 발액성 영역(314a1∼314a3)의 내측에 각각 형성되고, 또한 각 배리어층(314d1∼314d3)이 각 발액성 영역(314a1∼314a3)의 외측까지 각각 형성됨으로써, 다층 밀봉막(314b)이 구성되어 있다.
본 실시 형태의 표시 장치(301)의 밀봉 구조에 의하면, 발액성 영역의 외주측에 다른 발액성 영역이 적어도 1 이상 형성됨으로써, 배리어층(314d)의 형성 영역이 더 넓어져 배리어성이 보다 향상하여, 수분, 산소 등의 표시 소자부(3)로의 침입을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 다층 밀봉막(314b)이 평탄화 수지 층(314c)과 배리어층(314d)이 반복하여 적층한 구조이므로, 수분, 산소 등에 대한 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 각 평탄화 수지층(314c1∼314c3)이 각 발액성 영역(314a1∼314a3)의 내측에 각각 형성되어 있기 때문에, 다층 밀봉막(314b)을 평탄화 수지층(314c)과 배리어층(314d)이 반복 적층 구조로 한 경우라도, 물, 산소 등에 대한 배리어성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 표시 장치(301)의 밀봉 구조에 의하면, 복수의 배리어층(314d1∼314d3)이 각 발액성 영역(314a1∼314a3)의 외측까지 각각 형성되어 있고, 또한 다층 밀봉막(314b)이 평탄화 수지층(314c)과 배리어층(314d)이 반복 적층 구조이므로, 물, 산소 등에 대한 배리어성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 각 발액성 영역(314a1∼314a3)이 환상으로 형성되어 있으므로, 각 평탄화 수지층(314c1∼314c3)이 발액성 영역(314a1∼314a3)의 내측에 위치하고, 이것에 의해 배리어성의 장소에 따른 편차가 없어, 밀봉의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태의 표시 장치(301)는 외주 뱅크층을 형성하지 않고, 기체의 주연부상에 있는 무기물 뱅크층의 일부에 대해서 플라즈마 처리를 행하여 발액성 영역(314a1, 314a2, 및 314a3)을 형성하는 것 외에는, 제2 실시 형태의 표시 장치(201)와 거의 동일하게 하여 제조한다. 또한, 무기물 뱅크층(112a)에 대한 플라즈마 처리는 유기물 뱅크층에 대한 CF4 플라즈마 처리와 동시에 행하면 좋다.
[제4 실시 형태]
다음에 본 발명의 제4 실시 형태를 도 17 내지 도 19를 참조하여 설명한다. 도 17은 본 실시 형태의 표시 장치(401)의 평면 모식도를 나타내고, 도 18에는 도 17의 A-A '선에 따른 단면도를 나타내고, 도 19에는 도 17의 B-B'선에 따른 단면도를 나타낸다.
또한, 도 17∼19에 나타내는 표시 장치(401)의 구성 요소 중, 도 1∼도 4에 나타낸 제1 실시 형태의 표시 장치(1)의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는, 동일 부호를 붙여 그 설명을 간단히 하거나, 또는 그 설명을 생략한다.
이 표시 장치(401)의 밀봉 구조는 도 17∼도 19에 나타내는 바와 같이, 기체(2)상의 표시 소자부(3)의 주위에, 외주 뱅크층(14a)(블로킹부)가 환상으로 형성되어 있다. 또한, 기체(2)의 일단에 부착된 플렉시블 테이프(130)에는, 다른 블로킹 뱅크층(414a)(블로킹부)가 형성되어 있다. 이 블로킹 뱅크층은 도 17 및 도 19에 나타내는 바와 같이, 제어용IC(130a)와 외부 단자(130b) 사이에 위치하여 플렉시블 테이프의 양면에 형성되어 있다.
또한, 표시 소자부(3) 상에는 다층 밀봉막(414b)이 적층되어 있다. 이 다층 밀봉막(414b)은 평탄화 수지층(14c1, 14c2 및 414c3)과 배리어층(14d1, 14d2 및 414d3)이 순차 3층씩 교대로 적층되어 형성되어 있다. 3개의 평탄화 수지층 중, 2개의 평탄화 수지층(14c1, 14c2)은 모두 환상으로 형성된 외주 뱅크층(14a)의 내측에 형성되고, 외주 뱅크층(14a)에 의해서 블로킹된 상태로 되어 있다. 또한, 3개의 배리어층 중, 2개의 배리어층(14d1, 14d2)은 각 평탄화 수지층(14c1, 14c2)상(외주 뱅크층(14a)의 내측)에 형성되는 동시에 그 단부(14e)가 외주 뱅크층(14a)의 외측에까지 연장하여 형성되어 있다.
또한 나머지 평탄화 수지층(414c3)은 기체(2) 및 배리어층(14d2) 및 플렉시블 테이프(130)의 일부 및 제어용 IC(130a)를 덮고, 블로킹 뱅크층(414a)의 기체(2)측에 형성되어 있다. 그리고 이 평탄화 수지층(414c3)은 블로킹 뱅크층(414a)에 의해서 블로킹되어, 외부 단자(130b)에 접하지 않은 상태로 되어 있다.
또한, 도 18 및 도 19에서는 기재를 생략하고 있지만, 이 평탄화 수지층 (414c3)은 실제로 기체(2)의 이면까지 확장되어 있다.
또한 나머지 배리어층(414d3)은 평탄화 수지층(414c3)상에 형성되는 동시에, 그 단부(414e)가 블로킹 뱅크층(414a)의 외측에까지 연장하여 형성되어 있다.
블로킹 뱅크층(414a)는 두께가 2∼500㎛의 범위로 형성된 것으로서, 유기물 뱅크층(112b)이나 외주 뱅크층(14a)과 마찬가지로 표면이 발액성으로 처리되어 있으면, 더욱 바람직하다.
평탄화 수지층(414c3)은 다른 평탄화 수지층(14c1, 14c2)과 마찬가지로 폴리아크릴 수지 등으로 되고, 플렉시블 테이프(130)와 기체(2)의 접합부 및 제어용 IC(130a)를 보호하고 있다. 또한, 평탄화 수지층(414c3)상에 형성되는 배리어층(414d3)의 스텝 커버리지를 가능한 한 작게 하고, 배리어층(414d3)에서의 핀홀이나 크래킹의 발생을 방지하는 역할을 한다. 또한, 배리어층(414d3)은 다른 배리어층(14d1, 14d2)과 마찬가지로 SiO2 등의 무기물 막으로 되어, 물이나 산소의 차단성이 뛰어난 것이다. 다층 밀봉막(414b)은 이들 평탄화 수지층(14c1, 14c2, 및 414c3)과 배리어층(14d1, 14d2, 및 414d3)이 순차 적층됨으로써, 표시 소자부(3) 및 플렉시블 테이프(130)와 기체(2)의 접합부 및 제어용 IC(130a)로의 물이나 산소의 침입을 방지한다.
밀봉 구조에 대해서 더욱 상세하게 서술하면, 도 18 및 도 19에 나타내는 바와 같이, 평탄화 수지층(414c3)은 배리어층(14d2) 및 기체(2) 및 플렉시블 테이프(130)의 양면 및 제어용 IC(13a)상에 형성되고, 블로킹 뱅크층(414a)의 기체(2) 측으로 블로킹되어 있다. 즉, 이 평탄화 수지층(414c3)은 블로킹 뱅크층(414a)보다 얇거나, 또는 같은 두께로 형성되어 있다.
다음에 이 평탄화 수지층(414c3)상에는 배리어층(414d3)이 적층되어 있다. 이 배리어층(414d3)은 블로킹 뱅크층(414a)을 덮도록 형성되는 동시에, 이 블로킹 뱅크층(414a)을 넘어서 외부 단자(130b)의 근처까지 형성되어 있다.
블로킹 뱅크층(414a)은 상술한 바와 같이, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성인 레지스트로 형성되어 있다. 이 블로킹 뱅크층(414a)의 두께는 2∼600㎛의 범위가 바람직하다. 두께는 플렉시블 테이프에 사용되는 레지스트나 배선 패턴, 마킹(marking) 등의 블로킹 뱅크로서 겸용할 수 있는 층을 이용하고, 이 두께에 의존한다. 또는 잉크젯 프린팅법을 사용하여 수지를 도포하여 소정의 두께로 형성한다.
또한 평탄화 수지층(414c3)은 아크릴 수지 등으로 형성되어 있다. 이 평탄화 수지층(414c3)의 두께는 0.1∼10㎛의 범위가 바람직하다. 두께는 플렉시블 테 이프 표면의 요철에 따라 조정된다.
또한 배리어층(414d3)은 알루미늄이나 티탄 등의 금속이나 SiO2, Al2O3 등의 산화물로 형성되어 있다. 이 배리어층(414d3)의 두께는 10∼10Onm의 범위가 바람직하다. 두께는 사용 형태, 요구되는 배리어 성능에 따라 조정된다.
상기 밀봉 구조를 채용함으로써, 구동용 IC(130a)를 포함하는 구동 회로가 평탄화 수지층(414c3) 및 배리어층(414d3)에 의해 일괄 밀봉되므로, 내습성에 약한 있는 구동 회로와 표시체의 접속부로의 물이나 산소 등의 침입을 방지할 수 있어, 표시 장치 전체의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
[제5 실시 형태]
다음에, 제1∼제4 실시 형태의 표시 장치 중 어느 하나를 구비한 전자 기기의 구체예에 대해서 설명한다.
도 20a는 휴대 전화나 리모트 콘트롤러의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 20a에서, 부호 600은 휴대 전화 본체를 나타내고, 부호 601은 상기의 표시 장치(1, 201, 301, 401) 중 어느 하나를 사용한 표시부를 나타내고 있다.
도 20b는 PDA, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 20b에서, 부호 700은 정보 처리 장치, 부호 701은 키보드 등의 입력부, 부호 703은 정보 처리 장치 본체, 부호 702는 상기의 표시 장치(1, 201, 301, 401) 중 어느 하나를 사용한 표시부를 나타내고 있다.
도 20c는 손목시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 20c에서, 부호 800은 시계 본체를 나타내고, 부호 801은 상기의 표시 장치(1, 201, 301, 401) 중 어느 하나를 사용한 표시부를 나타내고 있다.
도 20a∼20c에 나타내는 각각의 전자 기기는 상기의 제1 실시 형태의 표시 장치(1, 201, 301, 401) 중 어느 하나를 사용한 표시부를 구비한 것이고, 상기 제1∼제5 실시 형태의 표시 장치의 특징을 가지므로, 박형으로 표시 품질이 뛰어난 효과를 갖는 전자 기기로 된다.
이들 전자 기기를 제조하기 위해서는, 제1∼제5 실시 형태와 마찬가지로, 도 2에 예시한 바와 같은 구동 IC(130a)(구동 회로)를 구비한 표시 장치(1, 20l, 301 , 401) 중 어느하나를 구성하고, 이 표시 장치(1, 201, 301, 401) 중 어느 하나를, 휴대 전화, 정보 처리 장치, 손목시계형 전자 기기에 조합함으로써 제조한다.
또한, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시의 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 변경을 가할 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 표시 장치는 하나의 마더 기판(2A)상에 복수의 표시 소자부(3)을 형성한 뒤에, 이 마더 기판(2A)을 분할함으로써, 한 번에 다수의 표시 장치를 제조할 수 있다. 그 때에, 수지 코팅제를 도포할 때에 사용하는 마스크(M)로, 도 21에 나타내는 바와 같이, 각 표시 소자부(3)에 대응하는 복수의 개구부(m)를 갖는 것이 바람직하다. 이 마스크(M)의 개구부(m)는 마더 기판(2A)에서의 각 표시 장치의 절단선(2B)상에서 개구하지 않도록 되어 있다. 따라서, 절단선(2B)상에 평탄화 수지층이나 배리어층이 형성되지 않으므로, 마더 기판(2A)의 분할 시에 평탄화 수지층이 박리될 우려가 없다.
또한 지금까지의 설명에서는, 블로킹부는 유기물 뱅크층과 동일 재료, 동일 공정으로 형성하는 경우를 주로 나타냈지만, 패시브형 유기 EL의 경우는 음극 세퍼레이터(separator)나 회로 기판은 레지스트나 마킹 등이 블로킹부에 상당하고, 기존 공정에 있는 블로킹 기능을 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하다.
이상, 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명의 표시 장치의 밀봉 구조에 의하면, 평탄화 수지층 및 배리어층을 1이상씩 적층하여 이루어지는 다층 밀봉 막에 의해서, 표시 소자부를 포함하는 특정 영역을 선택적으로 확실히 밀봉할 수 있고, 종래의 밀봉캔에 의한 밀봉 구조와 비교하여 밀봉 면적이 커져도 다층 밀봉막의 두께를 얇게 형성할 수 있으므로, 표시 장치 자체의 전체 두께를 종래보다 큰폭으로 얇게 할 수 있다.
또한, 평탄화 수지층과 이것에 의해서 핀홀이나 크래킹, 막두께 불균일이 매우 적은 배리어층으로 이루어지는 다층 밀봉막의 단부는 블로킹부에 의해 정확히 위치결정할 수 있도록 되었다. 또한 그 단부는 친액 처리가 된 기체 표면과 다층 밀봉막의 접촉 면적을 크게 하여 밀착성을 높이도록 하고, 또한 블로킹부의 요철에 의해 계면 방향의 수분이나 산소, 불순물 이온 등에 대한 침입 통로를 길게 할 수 있기 때문에, 좁은 블로킹 영역이라도 높은 배리어성, 신뢰성을 장기간 유지할 수 있다.
이 결과, 유기 EL이나 LCD 등의 표시 장치의 프레임 영역을 종래보다 좁게 할 수 있고, 표시 장치의 박막화나 경량화와 함께 디자인의 자유도나 스페이스 효 율이 높은 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한 프레임 영역 중 필요없는 면적이 줄어듬에 의해, 1 매의 마더 기판으로부터 취한 표시 장치수가 증가하여, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 구조를 채용함으로써, 다수의 부품이 탑재된 회로 기판, 전자 광학 모듈, IC 카드 등의 전자, 전기 기기, 모듈, 부품에 대하여, 일체 밀봉할 수 있는 박형 경량으로 유용한 고신뢰의 기밀 밀봉 수단으로서, 널리 응용할 수 있다.

Claims (23)

  1. 기체 상에 형성 또는 장착된 전자 소자부 상에, 평탄화 수지층과 배리어층이 적층되어 이루어지는 다층 밀봉막을 적층함으로써 상기 전자 소자부를 밀봉하는 구조이고,
    상기 기체 상에 그 전자 소자부 전체 또는 일부를 내측으로 둘러싸는 외주(外周) 블로킹부가 형성되고, 상기 평탄화 수지층이 상기 외주 블로킹부의 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배리어층이 상기 외주 블로킹부의 외측까지 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부의 외측에 다른 블로킹부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  4. 제3항에 있어서,
    복수의 평탄화 수지층이 각 상기 블로킹부의 내측까지 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  5. 제3항에 있어서,
    복수의 배리어층이 각 상기 블로킹부의 외측까지 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부가 발액성으로 표면 처리된 유기 재료로 이루어지는 외주 뱅크층인 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부가 기체 상에 환상으로 형성된 발액성 영역인 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부의 내측의 기체 상에, 친액성 처리막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 발액성 영역은 상기 친액성 처리막을 발액 처리함으로써 형성된 것임을 특징으로 하는 전자 소자부의 배리어성 박막 밀봉 구조.
  10. 기체 상에 형성 또는 장착된 표시 소자부와, 그 표시 소자부의 전체 또는 일부를 내측으로 둘러싸도록 형성된 외주 블로킹부와, 평탄화 수지층과 배리어층이 상기 표시 소자상에 적층되어 이루어지는 다층 밀봉막을 구비하여 이루어지고, 상기 평탄화 수지층이 상기 외주 블로킹부의 내측에 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 배리어층이 상기 외주 블로킹부의 외측까지 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부의 외측에 다른 블로킹부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    복수의 평탄화 수지층이 각 상기 블로킹부의 내측에 각각 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    복수의 배리어층이 각 상기 블로킹부의 외측까지 각각 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부가 발액성으로 표면 처리된 유기 재료로 이루어지는 외주 뱅크층인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부가 기체 상에 환상으로 형성된 발액성 영역인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 외주 블로킹부의 내측의 기체 상에, 친액성 처리막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 발액성 영역은 상기 친액성 처리막을 발액 처리함으로써 형성된 것임을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 표시 소자부는,복수의 발광 소자와, 그 복수의 발광 소자를 구획하는 뱅크부로 구성되고, 상기 발광 소자는 전극과, 그 전극에 인접하여 형성된 기능층과, 그 기능층에 인접하여 형성된 대향 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제10항에 있어서,
    상기 표시 소자부를 구동하는 구동 회로가 구비되고, 그 구동 회로가 상기 평탄화 수지층 및 상기 배리어층에 의해 밀봉되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 제10항 기재의 표시 장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  22. 기체 상에 형성된 전자 소자부를 구비하여 이루어지는 전자 소자부의 밀봉 방법이며,
    상기 전자 소자부의 전부 또는 일부의 주위의 기체 상에 외주 블로킹부를 형성하는 블로킹부 형성 공정과, 그 외주 블로킹부의 내측에 수지 모노머 또는 수지 올리고머를 함유하는 수지 코팅제를 도포한 뒤에 중합하여 평탄화 수지층을 형성하는 평탄화 수지층 형성 공정과, 상기 평탄화 수지층과 상기 외주 블로킹부를 덮는 배리어층을 형성하는 배리어층 형성 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 밀봉 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 평탄화 수지층 형성 공정과 상기 배리어층 형성 공정을 교대로 복수회 행함으로써, 상기 평탄화 수지층과 상기 배리어층이 교대로 적층되어 이루어지는 적층 밀봉층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 소자부의 밀봉 방법.
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