JP5354073B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

表示装置および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP5354073B2
JP5354073B2 JP2012183922A JP2012183922A JP5354073B2 JP 5354073 B2 JP5354073 B2 JP 5354073B2 JP 2012183922 A JP2012183922 A JP 2012183922A JP 2012183922 A JP2012183922 A JP 2012183922A JP 5354073 B2 JP5354073 B2 JP 5354073B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
barrier
display device
bank layer
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2012183922A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012253036A (ja
Inventor
陽一 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2012183922A priority Critical patent/JP5354073B2/ja
Publication of JP2012253036A publication Critical patent/JP2012253036A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5354073B2 publication Critical patent/JP5354073B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、表示素子、半導体回路素子等の電子素子の封止構造に関するもので、特に、表示装置、電子機器、電子素子部のバリア性薄膜封止構造並びにその製造方法に関するものである。本発明では、特に有機EL表示装置を好適な応用例として例示するが、これに限定されるものではない。
近年、一対の電極間に正孔注入／輸送層や発光層等の機能層が挟持されてなる構造の複数の表示素子を有するカラー表示装置、特に発光層材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス、プラスチック等の基体上に形成されたアクティブマトリックス回路と、該アクティブマトリックス回路上にマトリックス状に形成された上記の表示素子と、この表示素子を覆って封止する封止缶とを少なくとも具備して構成されている。
封止缶は、例えば、ガラス、金属等を箱状に成形したものである。この封止缶による封止構造は、例えば、封止缶の内部に前記表示素子を配置した状態でこの封止缶を前記基体の周縁部に接着剤等を介して接合する構造となっている。封止缶の内部には、窒素、アルゴン等の不活性なガスが封入されるとともに、水分、酸素を吸収するゲッター材が備えられ、表示素子への水分や酸素の侵入を防止して発光層の劣化を防止できるようになっている。
従来の表示装置は、例えば全厚が２〜５ｍｍ程度であり、そのうち封止缶の占める厚さの限界は１．５ｍｍ程度で、封止缶と表示素子との接触を防ぎ、ゲッター剤等を入れる空間を設ける必要から、表示サイズが大きくなるほど強度を保つために封止構造を厚くする必要があった。
また、封止缶と基体との接合に接着剤等を用いるため、基体に接着剤等の塗布領域を確保する必要があり、このため相対的に表示素子を設ける表示領域が狭くなり、これにより表示装置を携帯電話等の電子機器の表示部として採用した場合にデザイン上の制約が大きくなるという問題もあった。また、塗布領域と表示領域の間は、接着剤の広がりを考慮して間隔を開けておく必要があり、従来の表示装置ではこの間隔と塗布領域を合わせたいわゆる額縁領域を狭くできないという問題があった。更に、表示領域を大きく確保すべく塗布領域を狭くすると、水分や酸素に対するバリア性が低下して発光層が劣化（寿命低下）するという問題があった。
更に、接着剤等を基体に塗布した際に生じる塗りムラや接着精度不良等により、塗布領域と表示領域の境界を設計通りに区画できず、場所によってバリア性に差が生じ、信頼性が低下するという問題もあった。
また従来と逆方向に光を取り出し、開口率を大きくできるトップエミッションタイプの表示素子を実現するには、封止缶方式ではゲッター剤や缶材料が光の透過を妨げ困難であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、表示装置自体の厚さを薄くし、しかも水分や酸素に対するバリア性を充分に確保して発光層の劣化を防止できるバリア性薄膜封止構造及び表示装置及びその構造を有する表示装置を備えた電子機器並びに表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、少なくとも基体上に形成もしくは取り付けられた電子素子部上に、平坦化樹脂層とバリア層とが１以上ずつ積層されてなる多層封止膜を積層することにより前記電子素子部を封止する構造であり、前記基体上に該電子素子部全体もしくは一部を内側に囲む環状の堰止部が形成され、前記平坦化樹脂層が前記堰止部の内側に形成されていることを特徴とする。
尚、基体に最も隣接する平坦化樹脂層は、表示素子部の非形成領域で前記基体に隣接していることが好ましい。
なお、上記の電子素子部としては、EL（エレクトロルミネッセンス）表示素子や、半導体回路素子、その他基体等の上に形成された様々な回路等を例示できる。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、平坦化樹脂層及びバリア層を１以上ずつ積層してなる多層封止膜によって電子素子部を封止しており、従来の封止缶による封止構造と比べて多層封止膜を薄く形成できるので、封止構造自体の全厚を従来より薄くすることができる。
また、平坦化樹脂層が形成されているので、この平坦化樹脂層上に形成されるバリア層を平坦にすることができ、これによりバリア層に割れやピンホール、膜厚ムラが発生することがないバリア性の高い薄膜封止が実現できるので、信頼性が高く長寿命な封止構造を提供できる。
また、平坦化樹脂層が堰止部の内側に形成されているため、平坦化樹脂層の形成領域を堰止部によって区画することができ、このためいわゆる額縁領域の範囲を堰止部の位置によって調整することができる。これにより、額縁領域を従来より狭くして表示領域を広げることができる。また、平坦化樹脂層の形成領域を堰止部によって区画することにより、バリア性が場所によってばらつくことがなく、封止の信頼性を向上することができる。さらに図２１に示すような大型のマザー基板により多数個一括製造し、個別表示体に分離する場合に、スクライブ領域に封止膜が付かないようにできるので、スクライブ時の封止膜のめくれ等の損傷によるバリア性低下を防止できる。
また、基体に最も隣接する平坦化樹脂層が電子素子部の非形成領域で前記基体と隣接するようにすれば、基体と多層封止膜との接触面積を高くすることができ、これにより電子素子部に対する水や酸素のバリア性をより向上できる。
また本発明の本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、前記バリア層が前記堰止部の外側まで形成されていることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、バリア層が堰止部の外側まで形成されているので、バリア層の形成領域を広く確保でき、これにより多層封止膜のバリア性が更に向上し、水、酸素等の電子素子部への侵入をより効果的に防止できる。
また本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、前記堰止部の外側に別の堰止部が少なくとも１以上形成されていることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、堰止部の外側に別の堰止部が少なくとも１以上形成されることにより、複数の堰止部が設けられることになり、平坦化樹脂層を厚く形成した場合でも平坦化樹脂層を確実に堰き止めることができ、多層封止膜のバリア性をより向上できる。これにより、多層封止膜を平坦化樹脂層とバリア層の繰り返し積層構造とすることが容易となり、水、酸素等に対するバリア性をより向上できる。
また本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、複数の平坦化樹脂層が各前記堰止部の内側に各々形成されていることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、複数の平坦化樹脂層が複数の堰止部の内側に各々形成されているので、平坦化樹脂層を複数形成した場合でも堰止層により確実に堰き止めることができ、多層封止膜のバリア性をより向上できる。
また本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、複数のバリア層が各前記堰止部の外側まで各々形成されていることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、複数のバリア層が各堰止部の外側まで各々形成されているので、各バリア層の形成領域を広く確保でき、これにより多層封止膜のバリア性が更に向上し、水、酸素等の電子素子部への侵入をより効果的に防止できる。
また本発明の本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、前記堰止部が、撥液性に表面処理された有機材料からなる外周バンク層であることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、堰止部が、撥液性に表面処理された外周バンク層であるので、平坦化樹脂層が堰止部の外側に溢れることがなく、これにより封止構造の信頼性を向上することができる。
また本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、前記堰止部が、基体上に環状に形成された撥液性領域であることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、前記堰止部が、基体上に環状に形成された撥液性領域であるので、平坦化樹脂層が堰止部外側に溢れることがなく、これにより封止構造の信頼性を向上することができる。
また本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、少なくとも前記堰止部の内側の基体上に、親液性処理膜が形成されていることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、堰止部の内側の基体上に、親液性処理膜が形成されているので、この親液性処理膜上に積層される平坦化樹脂層と基体との密着性を高めることができ、バリア性を更に向上できる。
また本発明の電子素子部のバリア性薄膜封止構造は、先に記載の電子素子部のバリア性薄膜封止構造であり、前記撥液性領域は、前記親液性処理膜が撥液処理されることにより形成されたものであることを特徴とする。
係る電子素子部のバリア性薄膜封止構造によれば、親液性処理膜を撥液処理することにより撥液性領域が形成されるので、撥液性領域の形成位置を所定の位置に容易に定めることができ、封止構造の信頼性を向上できる。
次に本発明の表示装置は、基体上にもしくは取り付けられた表示素子部と、該表示素子部を内側に囲むように形成された環状の堰止部と、平坦化樹脂層とバリア層とが１以上ずつ少なくとも前記表示素子上に積層されてなる多層封止膜を具備してなり、前記平坦化樹脂層が前記堰止部の内側まで形成されてなることを特徴とする。
次に本発明の表示装置は、基体上に、第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した凹部を区画する第１バンク層と、前記凹部に設けられた発光層と、前記第１バンク層および前記発光層上に設けられた第２電極と、前記第１バンク層および前記第２電極の外側に設けられた第２バンク層と、前記第２電極の全面を覆うように設けられ、有機化合物により形成された樹脂層と、前記樹脂層と接するように設けられ、無機化合物により形成されたバリア層と、を備え、前記バリア層は、前記樹脂層の全面を覆い、かつ前記第２バンク層の外側において、前記基体と接しており、前記樹脂層は、前記第２バンク層の内側面と接しており、前記第２バンク層の外側には設けられていないことを特徴とする。
係る表示装置によれば、平坦化樹脂層及びバリア層を１以上ずつ積層してなる多層封止膜によって表示素子部を封止しており、従来の封止缶による封止構造と比べて多層封止膜を薄く形成できるので、表示装置自体の全厚を従来より薄くすることができる。
また、平坦化樹脂層が形成されているので、この平坦化樹脂層上に形成されるバリア層を平坦にすることができ、これによりバリア層に割れやピンホールが発生することがなく、バリア性の高い表示装置を提供できる。
また、平坦化樹脂層が堰止部の内側に形成されているため、平坦化樹脂層の形成領域を堰止部によって区画することができ、このためいわゆる額縁領域の範囲を堰止部の位置によって調整することができる。これにより、額縁領域を従来より狭くして表示領域を広げることができる。また、平坦化樹脂層の形成領域を堰止部によって区画することにより、バリア性が場所によってばらつくことがなく、封止の信頼性を向上することができる。
また、基体に最も隣接する平坦化樹脂層が表示素子部の非形成領域で前記基体と隣接するようにすれば、基体と多層封止膜との接触面積を多くすることができ、これにより表示素子部に対する水や酸素のバリア性をより向上できる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記バリア層が前記堰止部の外側まで形成されてなることを特徴とする。
係る表示装置によれば、バリア層が堰止部の外側まで形成されているので、バリア層の形成領域が広がってバリア性が更に向上し、水、酸素等の表示素子部への侵入をより効果的に防止できる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記堰止部の外側に別の堰止部が少なくとも１以上形成されていることを特徴とする。
係る表示装置によれば、堰止部の外側に別の堰止部が少なくとも１以上形成されることにより、複数の堰止部が設けられることになり、平坦化樹脂層を厚くまたは積層形成した場合でも平坦化樹脂層を確実に堰き止めることができ、多層封止膜のバリア性をより向上できる。これにより、多層封止膜を平坦化樹脂層とバリア層の繰り返し積層構造とすることが容易となり、水、酸素等に対するバリア性をより向上できる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、複数の平坦化樹脂層が各前記堰止部の内側に各々形成されてなることを特徴とする。
係る表示装置によれば、複数の平坦化樹脂層が複数の堰止部の内側に各々形成されているので、平坦化樹脂層を複数形成した場合でも堰止部により確実に堰き止めることができ、多層封止膜のバリア性をより向上できる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、複数のバリア層が各前記堰止部の外側まで各々形成されてなることを特徴とする。
係る表示装置によれば、複数のバリア層が各堰止部の外側まで各々形成されているので、各バリア層の形成領域を広く確保でき、これにより多層封止膜のバリア性が更に向上し、水、酸素等の表示素子部への侵入をより効果的に防止できる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記堰止部が、撥液性に表面処理された有機材料からなる外周バンク層であることを特徴とする。
係る表示装置の封止構造によれば、堰止部が、撥液性に表面処理された外周バンク層であるので、平坦化樹脂層が堰止部の外側に溢れることがなく、これにより封止構造の信頼性を向上することができる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記堰止部が、基体上に環状に形成された撥液性領域であることを特徴とする。
係る表示装置の封止構造によれば、前記堰止部が、基体上に環状に形成された撥液性領域であるので、平坦化樹脂層が堰止部外側に溢れることがなく、これにより封止構造の信頼性を向上することができる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、少なくとも前記堰止部の内側の基体上に、親液性処理膜が形成されていることを特徴とする。
係る表示装置によれば、堰止部の内側の基体上に、親液性処理膜が形成されているので、この親液性処理膜上に積層される平坦化樹脂層と基体との密着性を高めることができ、バリア性を更に向上できる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記撥液性領域は、前記親液性処理膜が撥液処理されることにより形成されたものであることを特徴とする。
係る表示装置によれば、親液性処理膜を撥液処理することにより撥液性領域が形成されるので、撥液性領域の形成位置を所定の位置に容易に定めることができ、表示装置の信頼性を向上できる。
また本発明の表示装置では、前記表示素子部が、複数の発光素子と、該複数の発光素子を区画するバンク部とから構成され、前記発光素子は、電極と、該電極に隣接して形成された機能層と、該機能層に隣接して形成された対向電極とからなることが好ましい。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であり、前記表示素子部を駆動する駆動回路が備えられ、該駆動回路が、少なくとも各一の前記平坦化樹脂層及び前記バリア層により封止されることを特徴とする。
係る表示装置によれば、駆動回路が少なくとも各一の前記平坦化樹脂層及び前記バリア層により封止されるので、駆動回路への水や酸素等の侵入を防止でき、表示装置の信頼性をより向上できる。
また本発明の電子機器は、先のいずれかに記載の表示装置を具備してなることを特徴とする。
係る電子機器によれば、上記のいずれかの表示装置を備えているので、電子機器自体の厚さを薄くでき、それでいて水分や酸素等に対する信頼性の高い電子機器を実現できる。
次に本発明の電子素子部の製造方法は、基体上に形成された電子素子部を少なくとも具備してなる電子素子部の製造方法であり、前記電子素子部の周囲の基体上に環状の堰止部を形成する堰止部形成工程と、該堰止部の内側に樹脂モノマーまたは樹脂オリゴマーを含有する樹脂コーティング剤を塗布した後に重合して平坦化樹脂層を形成する平坦化樹脂層形成工程と、少なくとも前記平坦化樹脂層と前記堰止部を覆うバリア層を形成するバリア層形成工程とを具備してなることを特徴とする。
なお、上記の電子素子部としては、EL（エレクトロルミネッセンス）表示素子や、半導体回路素子、その他基体等の上に形成された様々な回路等を例示できる。
係る電子素子部の製造方法によれば、基体上に環状の堰止部を形成し、樹脂コーティング剤をこの堰止部の内側に塗布するので、堰止部によって樹脂コーティング剤の広がりが防止され、これにより封止する領域を任意に設定することができ、バリア性が基体のどの部分でも均一な表示装置を製造できる。
また、平坦化樹脂層を形成した後にバリア層を形成するので、バリア層の割れやピンホールの発生を防止でき、これにより水や酸素に対するバリア性を向上できる。
また本発明の電子素子部の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記の流動性のある樹脂を用いた平坦化樹脂層形成工程と前記バリア層形成工程を交互に複数回行う薄膜封止において、前記平坦化樹脂層と前記バリア層とが交互に積層されてなる積層封止膜を環状堰止部の内側に形成することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、平坦化樹脂層とバリア層とを交互に積層して積層封止膜端部を再現性よく形成できるので、積層封止膜端部からの水や酸素の耐透過性を向上させ、バリア性に優れた表示装置を製造できる。
本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造を示す平面模式図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置を示す平面模式図である。 図２のＡ-Ａ'線に沿う断面図である。 図２のＢ-Ｂ'線に沿う断面図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第２の実施形態の表示装置の封止構造の要部を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第２の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第３の実施形態の表示装置の封止構造の要部を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態の表示装置を示す平面模式図である。 図１７のＡ-Ａ'線に沿う断面図である。 図１７のＢ-Ｂ'線に沿う断面図である。 本発明の第５の実施形態である電子機器を示す斜視図である。 樹脂コーティング剤を塗布する際に用いるマスクとマザー基板の配置状態を示す平面図である。
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態として、電子素子部に有機EL表示装置（表示装置）用の表示素子を適用した例について図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
図１には本実施形態の表示装置（有機EL表示装置）の配線構造の平面模式図を示す。図１に示す表示装置１は、直接駆動素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置である。
図１に示す表示装置１は、複数の走査線１０１…と、走査線１０１…に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、信号線１０２…に並列に延びる複数の発光用電源配線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…及び信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ａ…が設けられている。
各信号線１０２…には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また各走査線１０１…には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５、１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１２３と、このカレント薄膜トランジスタ１２３を介して発光用電源配線１０３に電気的に接続したときに発光用電源配線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（第２電極）１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。尚、陰極１２は陰極用電源回路１３１に接続されている。
また、機能層１１０には、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層が含まれ、更に発光層には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光層が含まれ、各発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂがストライプ配置されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して各発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂに接続される発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線１０３Ｒ…が配線されているのは、発光層１１０Ｒ…の駆動電位が各色毎に異なるためである。
この表示装置１においては、走査線１０１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capに状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂから画素電極１１１に駆動電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを介して陰極（第２電極）１２に電流が流れる。各機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
次に、本実施形態の表示装置１の具体的な態様を図２〜図４を参照して説明する。図２に本実施形態の表示装置の平面模式図を示し、図３には図２のＡ-Ａ'線に沿う断面図を示し、図４には図２のＢ-Ｂ'線に沿う断面図を示す。
図２及び図３並びに図４に示すように、本実施形態の表示装置１においては、ガラス、プラスチック等からなる透明な基板２上に、図示略のカレント薄膜トランジスタに接続された画素電極（電極）がマトリックス状に配置されてなる表示領域１１ａと、表示領域１１ａの周囲に配置されてなる非表示領域１１ｂとが設けられている。そして非表示領域１１ｂには、各画素電極に接続される発光用電源配線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）及び走査線駆動回路１０５が備えられている。また、表示領域１１ａ上には、平面視略矩形の表示素子部３（電子素子部）が備えられている。
図２に示すように、非表示領域１１ｂに形成された発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂは、基板２の図中下側から走査線駆動回路１０５に沿って図中上方に延在し、走査線駆動回路１０５が途切れた位置から折曲して表示素子部３に沿って延在し、表示素子部３内にある図示略の画素電極に接続されている。
また図２及び図４に示すように、基体２の一端にはポリイミドやポリエステルを基材に用いたフレキシブルテープ１３０が貼り付けられ、このフレキシブルテープ１３０上に制御用ＩＣ１３０ａが実装されている。この制御用ＩＣ１３０ａには、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１及び発光用電源回路１３２が内蔵されている。フレキシブルテープ１３０上には、制御用ＩＣ１３０ａから取り出された複数の外部端子１３０ｂがフレキシブルテープ１３０の一辺に沿って配置されている。
次に図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示素子部３が形成されている。回路部１１の中央部分には、前述の表示領域１１ａが設けられている。この表示領域１１ａ内にある回路部１１には、カレント薄膜トランジスタ１２３と該カレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、また画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量cap及びスイッチング薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略している。
また、各画素電極１１１…の間にはバンク部１１２が形成されている。バンク部１１２は、第１層間絶縁層２８４上に形成された無機物バンク層１１２ａと、この無機物バンク層１１２ａ上に形成された有機物バンク層１１２ｂとから構成されている。無機物バンク層１１２ａは、表示領域１１ａのみならず、非表示領域１１ｂをほぼ覆うように形成されている。無機物バンク層１１２ａは親液性に表面処理され、一方、有機物バンク層１１２ｂは撥液性に表面処理されている。また、各画素電極１１１…上には機能層１１０が各々形成されており、更に各機能層１１０…及び有機物バンク層１１２ｂ上には陰極１２が形成されている。無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げて形成されており、また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側まで形成されている。尚、無機物バンク層１１２ａと有機物バンク層１１２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、機能層１１０を構成する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
また、バンク部１１２及びその周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａ及び画素電極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１１２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
機能層１１０は図３及び４に示すように、画素電極１１１…上の各々に積層されている。またバンク部１１２は、各画素電極１１１及び各機能層１１０の間に備えられており、各機能層１１０を区画している。機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された図示略の正孔注入／輸送層と、正孔注入／輸送層上に隣接して形成された図示略の発光層とから構成されている。発光層では、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、例えば各発光層がストライプ配置される。尚、発光層の配置は、ストライプ配置に限るものではなく、モザイク配置やデルタ配置としても良い。
陰極１２は、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる下部陰極層１２ｂと、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ/Ａｇ積層体等からなる上部陰極層１２ｃとから構成されている。下部陰極層１２ｂは有機物バンク層１１２ｂ上にのみ形成され、一方、上部陰極層１２ｃは有機物バンク層１１２ｂ上から非表示領域１１ｂ上まで形成されるとともに陰極用配線１２ａに接続されている。陰極１２は、画素電極１１１の対向電極として機能層１１０に電流を流す役割を果たす。
次に、図２及び図３に示すように、表示素子部３両側の非表示領域には前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。この走査線駆動回路１０５にはシフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられ、薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
また図３に示すように、走査線駆動回路１０５、１０５近傍の下地保護層２８１上には、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。更に走査線回路用制御信号配線１０５ａ近傍の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが配置されている。
また図３に示すように、走査線回路用電源配線１０５ｂ近傍には、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂが配置されている。
また、図３に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂより外側の非表示領域１１ｂには、陰極１２に接続される陰極配線１２ａが形成されている。この陰極配線１２ａは、発光用電源配線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂを囲むように平面視略Ｕ字状に形成されている。
次に本実施形態の表示装置１の封止構造について説明する。
図２及び図３並びに図４に示すように、基体２上の表示素子部３の周囲に、外周バンク層１４ａ（堰止部）が環状に形成されている。また図３及び図４に示すように、表示素子部３上には多層封止膜１４ｂが積層されている。この多層封止膜１４ｂは、平坦化樹脂層１４ｃ（１４ｃ1、１４ｃ2）とバリア層１４ｄ（１４ｄ1、１４ｄ2）とが順次２層ずつ積層されて形成されている。各平坦化樹脂層１４ｃ1…はいずれも環状に形成された外周バンク層１４ａの内側に形成され、外周バンク層１４ａによって堰き止められた状態になっている。また、各バリア層１４ｄ1…は、各平坦化樹脂層１４ｃ1…上（外周バンク層１４ａの内側）に形成されるとともにその端部１４ｅ（１４ｅ1、１４ｅ2）が外周バンク層１４ａの外側にまで延長して形成されている。なお、平坦化樹脂層１４ｃ及びバリア層１４ｄの数は、各１層以上であれば何層でも良いが、２層〜４層程度が好ましい。
また、外周バンク層１４ａは、厚さが１〜３μｍの範囲で形成されたもので、有機物バンク層１１２ｂと同様に表面が撥液性に処理されている。
平坦化樹脂層１４ｃは、例えばポリアクリル樹脂等からなり、非表示領域１１ｂと表示領域１１ａ（非表示領域１１ｂ上の無機物バンク層１１２ａと表示素子部３）との段差（１〜３μｍ）を埋めてその表面をできるだけ平坦化するように形成されており、この平坦化樹脂層１４ｃ上に形成されるバリア層１４ｄのステップガバレッジをできるだけ小さくし、バリア層１４ｄにおけるピンホールや割れ、膜厚ムラの発生を防止する役割を有する。バリア層１４ｄはＳｉＯ2等の無機物膜からなり、水や酸素の遮断性に優れるものである。多層封止膜１４ｂは、これら平坦化樹脂層１４ｃとバリア層１４ｄとが順次積層されて構成されることにより、表示素子部３への水分や酸素、不純物イオン等の侵入を防いで陰極１２や機能層１１０の劣化を防止する。
封止構造について更に詳細に述べると、図３及び図４に示すように、平坦化樹脂層１４ｃのうち、最下層の平坦化樹脂層１４ｃ1は、非表示領域１１ｂの無機物バンク層１１２ａ（親液性処理膜）及び表示素子部３上に形成され、外周バンク層１４ａの内側で堰き止められている。この平坦化樹脂層１４ｃ1は外部バンク層１４ａより薄く形成されている。無機物バンク層１１２ａの表面が親液性であるため、平坦化樹脂層１４ｃ1を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすく、このため無機物バンク層１１２ａと平坦化樹脂層１４ｃ1の間の密着性が強くなっている。一方、外周バンク層１４ａは表面が撥液性に処理されているため、平坦化樹脂層１４ｃ1とはなじみにくくなっており、このため外周バンク層１４ａが平坦化樹脂層１４ｃ1を確実に堰き止められるようになっている。
次にこの平坦化樹脂層１４ｃ1上にはバリア層１４ｄ1が積層されている。このバリア層１４ｄ1は、外部バンク層１４ａを覆うように形成されるとともに、外部バンク層１４ａを越えて外周バンク層１４ａの外側まで延長し、その端部１４ｅ1が第１層間絶縁層２８４上に位置している。外部バンク層１４ａ近くでは、平坦化樹脂層１４ｃ1と外周バンク層１４ａとの膜厚差により段差１４ｆが形成され、バリア層１４ｄ1はこの段差１４ｆを越えて外周バンク層１４ａの外側に達している。
また、このバリア層１４ｄ1上には別の平坦化樹脂層１４ｃ2が積層されている。この平坦化樹脂層１４ｃ2は、外周バンク層１４ａと平坦化樹脂層１４ｃ1による段差１４ｆによって堰き止められて外周バンク層１４ａの内側に位置している。図３及び図４においては、平坦化樹脂層１４ｃ2の上面が外周バンク層１４ａの上面とほぼ同じ位置になるように形成されているが、平坦化樹脂層１４ｃ2の上面が外周バンク層１４ａの上面より低い位置にあっても良い。
更にこの平坦化樹脂層１４ｃ2上には別のバリア層１４ｄ2が積層されている。このバリア層１４ｄ2は、先のバリア層１４ｄ1と同様に、外部バンク層１４ａを覆うように形成されるとともに外部バンク層１４ａを越えてその外側まで延長し、端部１４ｅ2が第１層間絶縁層２８４上に位置している。バリア層１４ｄ2の下の平坦化樹脂層１４ｃ2が外周バンク層１４ａの内側で堰き止められているため、外周バンク層１４ａより外側でバリア層１４ｄ1、１４ｄ2同士が直接に接している。
外周バンク層１４ａは、前述したように、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成され、撥液性に表面処理されている。この外周バンク層１４ａの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、平坦化樹脂層１４ｃを堰き止めることができなくなるので好ましくなく、また厚さが３．５μｍを越えると、断面形状比が大きくなり、加工安定性が損なわれてしまうので好ましくない。
また平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2は、いずれもアクリル系樹脂等から形成されている。この平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2の厚さは、０．０５〜３μｍの範囲が好ましく、特に０．１〜１μｍ程度がよい。厚さが０．０５μｍ未満では、平坦性が悪くなるので好ましくなく、厚さが３μｍを越えると、平坦化樹脂層１４ｃが外周バンク層１４ａから溢れてしまうので好ましくない。尚、各平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2の厚さは同一でも良く、厚さを変えても良い。
更にバリア層１４ｄ1、１４ｄ2は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等から形成されている。このバリア層１４ｄ1、１４ｄ2の厚さは、５〜５００ｎｍの範囲が好ましく、特に３０〜３００ｎｍ程度がよい。厚さが５ｎｍ未満では、水や酸素の侵入を防止できなくなるので好ましくなく、厚さが５００ｎｍを越えると、熱や機械的な応力によりクラックがはいりやすくなるので好ましくない。尚、各バリア層１４ｄ1、１４ｄ2の厚さは同一でも良く、厚さを変えても良い。
これにより、多層封止膜１４ｂの厚さを１〜３μｍの範囲とすることができる。また、表示装置１の第１層間絶縁層２８４から上の封止構造の厚さを１〜３μｍの範囲とすることができる。
係る封止構造を採用することにより、多層封止膜１４ｂを薄く形成できるので、表示装置１自体の全厚を従来の缶封止型の表示装置よりはるかに薄くすることができる。また、平坦化樹脂層１４ｃが形成されているので、この平坦化樹脂層１４ｃ上に各々形成されるバリア層１４ｄを平坦にすることができ、これによりバリア層１４ｄに割れやピンホールが発生することがなく、バリア性の高い封止膜を提供できる。
また、平坦化樹脂層１４ｃが外周バンク層１４ａの内側に形成されているため、平坦化樹脂層１４ｃの形成領域を外周バンク層１４ａによって区画することができ、このためいわゆる額縁領域の範囲を外周バンク層１４ａの位置によって調整することができる。これにより、額縁領域を従来より狭くして表示領域１１ａを広げることができる。また、平坦化樹脂層１４ｃの形成領域を外周バンク層１４ａによって区画することにより、バリア性が場所によってばらつくことがなく、封止の信頼性を向上させることができる。
また、基体２に最も隣接する平坦化樹脂層１４ｃ1が表示素子部３の非形成領域１１ｂで基体２と隣接するようにすれば、基体２と多層封止膜１４ｂとの接触面積を高くすることができ、これにより表示素子部に対する膜界面からの水や酸素のバリア性をより向上できる。
次に本実施形態の電子素子部の製造方法を図１〜図４に示した表示装置の製造方法を例にして図面を参照して説明する。この表示装置の製造方法は、基体２上に環状の堰止部を形成する堰止部形成工程と、堰止部の内側に樹脂モノマーまたは樹脂オリゴマーを含有する樹脂コーティング剤を塗布した後に重合して平坦化樹脂層を形成する平坦化樹脂層形成工程と、少なくとも前記平坦化樹脂層と前記堰止部を覆うバリア層を形成するバリア層形成工程とを具備してなる。また、前記平坦化樹脂層形成工程と前記バリア層形成工程を交互に複数回行うことにより、前記平坦化樹脂層と前記バリア層とが交互に積層されてなる積層封止層を形成する。
図５ないし図１２を参照して、基板２の回路部１１上に表示素子部３（電子素子部）及びこの表示素子部３を封止する封止構造を形成する方法について説明する。なお、図５ないし図１２に示す各断面図は、図２中のＡ-Ａ’線に沿う断面に対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
まず、図５に示すように、基体２上に回路部１１を形成し、更に回路部１１の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、第１層間絶縁層２８４上に画素電極１１１を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３に接続される。
次に、図６に示すように、第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１上に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成する。また無機物バンク層１１２ａは、表示領域１１ａのみならず、基体２の非表示領域１１ｂ上にも形成する。無機物バンク層１１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機質膜を形成した後に、当該無機質膜をパターニングすることにより形成する。
更に図６に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層は１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク部１１２を形成する。
更に、堰止部形成工程として、有機物バンク層１１２ｂの形成と同時に、非表示領域１１ｂの無機物バンク層１１２ａ上に外周バンク層１４ａを形成する。外周バンク層１４ａは、有機物バンク層１１２ｂと同一の材料により形成する。
続いて、バンク部１１２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施例においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に該プラズマ処理工程は、画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１１２ｂ及び外周バンク層１４ａを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも具備している。
すなわち、バンク部１１２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク部１１２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。図７には、親液処理された画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａの輪郭を実線で示し、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂ及び外周バンク層１４ａの輪郭を一点鎖線で示している。
次に、図８に示すように、画素電極１１１…上にそれぞれ、機能層１１０…をインクジェット法により形成する。機能層１１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物を吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物を吐出・乾燥することにより形成される。
次に、図９に示すように、バンク部１１２及び機能層１１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１１２及び機能層１１０上に第１陰極層１２ｂを形成した後に、第１陰極層１２ｂを覆って基体２上の陰極用配線１２ａに接続される第２陰極層１２ｃを形成することにより得られる。
次に、図１０に示すように、平坦化樹脂層形成工程として、表示素子部３上及び非表示領域にある無機物バンク層１１２ｂ上に、樹脂モノマーまたは樹脂オリゴマーを含有する樹脂コーティング剤や有機シリコン化合物（テトラエトキシランTEOS、Ｓｉ3Ｎ4等）を、真空下において加熱気化させて外周バンク層１４ａ内に噴霧コーティングし、これに、例えば水銀ランプ、メタルハライドランプ等の紫外線照射用ランプを用いて真空紫外線を照射し、樹脂コーティング剤に含まれる樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーを硬化させ、平坦化樹脂層１４ｃ1を形成する。尚、樹脂コーティング剤の噴霧の際には、開口部ｍ1を有するマスクＭ1を基体２上に対向して配置し、基体２と開口部ｍ1とが外周バンク層１４ａの内側で対向するように配置させた状態で、この開口部ｍ1を介して噴霧させることが好ましい。このようなマスクＭ1を用いることで、外周バンク層１４ａの外側に樹脂コーティング剤が付着することがない。また樹脂モノマーまたは樹脂オリゴマーの硬化には、プラズマ照射による方法もある。
硬化前の樹脂コーティング剤は、常温で５００ｃＰ以下、好ましくは１００ｃＰ以下程度の粘度を有しているために流動性に富むものであるが、噴霧コーティングされた後に外周バンク層１４ａによって堰き止められるため、外周バンク層１４ａの外側に流出することがない。このようにして、外周バンク層１４ａの内側に平坦化樹脂層１４ｃ1を形成する。尚、平坦化樹脂層１４ｃ1の厚さは、樹脂コーティング剤の噴霧量により調整でき、例えば、０．１〜１μｍの範囲が好ましい。
尚、本実施形態で用いる樹脂コーティング剤としては、第一の成分として、アクリル系やメタクリル、ポリステル、PET、ポリポロピレン等のビニル系の樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーからなる樹脂成分と、第二の成分として光重合開始剤とを混合したアクリル樹脂コーティング剤を例示できる。この場合、第一の成分としては、例えばアルキド、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、アクリルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、シリコーンアクリレート、ポリアセタールアクリレート、ポリブタジエン系アクリレート、メラミンアクリレートなどの重合性二重結合を有するアクリル系の樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーを挙げることができる。また、樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーとしては、そのアクリロイル基の保有数に応じて一官能、二官能、三官能、及びそれ以上の多官能のものを適宜選定して用いることができる。これらアクリル系樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーは、二種類以上を混合して用いることができる。また、アクリル系樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーの分子量は１０，０００以下、好ましくは２，０００以下、より好ましくは１００〜６００とする。
第二の成分の光重合開始剤としては、例えばベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、キサントン類、アセトフェノン誘導体等を、第一成分の樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーに対して０．０１重量％〜１０重量％、好ましくは０．１〜２重量％を用いる。
本実施形態に係る樹脂コーティング剤は、上述のアクリル系樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーからなる第一の成分と光重合開始剤からなる第二の成分とを混合することにより調製することができる。また、樹脂コーティング剤の粘度は、常温で５００ｃＰ以下、好ましくは１００ｃＰ以下とする。これにより、表示領域部の凹凸が多いところでも平坦化されやすくなる。
次に図１１に示すように、バリア層形成工程として、蒸着法により、平坦化樹脂層１４ｃ1上にバリア層１４ｄ1を形成する。バリア層１４ｄ1は、アルミニウム、シリコン、マグネシウム、チタニウム、インジウム、錫などの金属や金属酸化物や、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等を蒸着材料として形成することができる。蒸着方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等を用いることができる。
尚、蒸着の際には、開口部ｍ2を有する別のマスクＭ2を基体２上に対向して配置し、基体２と開口部ｍ2の周縁部とが外周バンク層１４ａの外側で対向するように配置させた状態で、この開口部ｍ2を介して蒸着を行うことが好ましい。このようなマスクＭ2を用いることで、バリア層１４ｄ1が基体２の側面側に回り込むことがない。尚、バリア層１４ｄ1の厚さは５〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
平坦化樹脂層１４ｃ1の形成により、バリア層１４ｄ1の形成面を比較的平坦にできるので、ピンホールや割れなどの欠陥のない均一で緻密なバリア層１４ｄ1を形成できる。
また、平坦化樹脂層１４ｃ1上にバリア層１４ｄ1を形成するので、平坦化樹脂層１４ｃ1のアンカー効果により平坦化樹脂層１４ｃ1とバリア層１４ｄ1との密着性が向上し、水分や酸素に対するバリア性を向上させることができる。
次に、図１２に示すように、上記の平坦化樹脂層形成工程とバリア層形成工程を再度繰り返すことにより、バリア層１４ｄ1上に平坦化樹脂層１４ｃ2及びバリア層１４ｄ2を順次積層して多層封止膜１４ｂを形成する。
このようにして、図１〜図４に示すような表示装置１が得られる。
［第２の実施形態］
次に本発明の第２の実施形態を図１３を参照して説明する。図１３は本実施形態の表示装置２０１の封止構造の要部の断面図である。
尚、図１３に示す表示装置２０１の構成要素のうち、図１〜図４に示した第１の実施形態の表示装置１の構成要素と同一の構成要素には、同一符号を付してその説明を簡単に行うか、あるいはその説明を省略する。
図１３に示すように、本実施形態の表示装置２０１には、複数の外周バンク層（堰止部）２１４ａ1、２１４ａ2、２１４ａ3が形成されている。符号２１４ａ1で示す最内周の外周バンク層の外側に符号２１４ａ2で示す別の外周バンク層が形成され、更にその外側に更に別の外周バンク層２１４ａ3が形成されている。
各外周バンク層２１４ａ1、２１４ａ2、２１４ａ3の相互の間隔ｄは、１０〜３００μｍの範囲とすることが好ましい。各外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3は、第１の実施形態の外周バンク層１４ａとほぼ同じ材質、ほぼ同じ厚さからなる。なお、各外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3の高さは同一でも良く、高さを変えても良い。
また、この表示装置には、符号２１４ｂで示す多層封止膜が形成されている。この多層封止膜２１４ｂは、３つの平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3及び３つのバリア層２１４ｄ1〜２１４ｄ3が交互に積層されて形成されている。
３つの平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3のうち、最下層の平坦化樹脂層２１４ｃ1は、非表示領域１１ｂの無機物バンク層１１２ａ（親液性処理膜）及び図示略の表示素子部上に形成され、最内周の外周バンク層２１４ａ1の内側（図中左側）で堰き止められている。この平坦化樹脂層２１４ｃ1は最内周の外部バンク層２１４ａ１より薄く形成されている。無機物バンク層１１２ａの表面が親液性（酸化物）であるため、平坦化樹脂層２１４ｃ1を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすく、このため無機物バンク層１１２ａと平坦化樹脂層２１４ｃ1の間の密着性が強くなっている。一方、外周バンク層２１４ａ1は表面が撥液性に処理されているため、平坦化樹脂層２１４ｃ1となじみにくくなっており、このため外周バンク層２１４ａ1が平坦化樹脂層２１４ｃ1を堰き止められやすくなっている。ただし本発明の目的を達成するには、必ずしも撥液処理は必要ではない。
次にこの平坦化樹脂層２１４ｃ1上にはバリア層２１４ｄ1が積層されている。このバリア層２１４ｄ1は、３つの外部バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3を覆うように形成されるとともに、全ての外部バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3を越えて最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側まで延長し、その端部２１４ｅ1が無機物バンク層１１２ａ上に位置している。最内周の外部バンク層２１４ａ1近傍では、平坦化樹脂層２１４ｃ1と外周バンク層２１４ａ1との膜厚差により段差２１４ｆ1が形成され、バリア層２１４ｄ1はこの段差２１４ｆ1を越えて最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側まで達している。
また、このバリア層２１４ｄ1上には別の平坦化樹脂層２１４ｃ2が積層されている。この平坦化樹脂層２１４ｃ2は、先のバリア層２１４ｄ1上に形成され、最内周の外周バンク層２１４ａ1を越えてその隣の外周バンク層２１４ａ2の内側で堰き止められている。先に形成されたバリア層２１４ｄ1がＳｉＯ2等からなり、その表面が親液性になっているため、平坦化樹脂層２１４ｃ2を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすく、このため最内周の外周バンク層２１４ａ1の段差２１４ｆ1を越えてその隣の外周バンク層２１４ａ2の内側まで達している。
次にこの平坦化樹脂層２１４ｃ2上には別のバリア層２１４ｄ2が積層されている。このバリア層２１４ｄ2は、外側の２つの外部バンク層２１４ａ2、２１４ａ3を覆うように形成されるとともに最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側まで延長し、その端部２１４ｅ2が無機物バンク層１１２ａ上に位置している。外部バンク層２１４ａ2近くでは、平坦化樹脂層２１４ｃ2と外周バンク層２１４ａ2との膜厚差により段差２１４ｆ2が形成され、バリア層２１４ｄ2はこの段差２１４ｆ2を越えて最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側まで達している。
更にこのバリア層２１４ｄ2上には更に別の平坦化樹脂層２１４ｃ3が積層されている。この平坦化樹脂層２１４ｃ3は、先のバリア層２１４ｄ2上に形成され、２つの外周バンク層２１４ａ1、２１４ａ2を越えて最外周の外周バンク層２１４ａ3の内側で堰き止められている。先に形成されたバリア層２１４ｄ2がＳｉＯ2等の酸化物からなり、その表面が親液性になっているため、平坦化樹脂層２１４ｃ3を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすく、このため内周側の２つの外周バンク層２１４ｃ1、２１４ｃ2の段差を越えてその隣の外周バンク層２１４ｃ3の内側まで達しているのである。
次にこの平坦化樹脂層２１４ｃ3上には更に別のバリア層２１４ｄ3が積層されている。このバリア層２１４ｄ3は、最外周の外部バンク層２１４ａ3を覆うように形成されるとともにこの外周バンク層２１４ａ3の外側まで延長し、その端部２１４ｅ3が無機物バンク層１１２ａ上に位置している。
このように本実施形態の表示装置２０１では、複数の外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3が形成され、各平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3が各外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3の内側に各々形成され、更に各バリア層２１４ｄ1〜２１４ｄ3が各外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3の外側まで各々形成されることにより、多層封止膜２１４ｂが構成されている。
本実施形態の表示装置２０１の封止構造によれば、外周バンク層の外周側に別の外周バンク層が少なくとも１以上形成されることにより、複数の外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3が備えられているので、平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3を厚く形成した場合でも平坦化樹脂層２１４ａ1…を確実に堰き止めることができ、多層封止膜２１４ｂのバリア性をより向上できる。これにより、多層封止膜２１４ｂを平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3とバリア層２１４ｄ1〜２１４ｄ3の繰り返し積層構造とすることが容易となり、水、酸素等に対するバリア性をより向上できる。
また、各平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3が各外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3の内側に各々形成されているため、平坦化樹脂層を複数形成した場合でも堰止部により確実に堰き止めることができ、多層封止膜のバリア性をより向上できる。
更に、本実施形態の表示装置２０１の封止構造によれば、複数のバリア層２１４ｄ…が各外周バンク層２１４ａ…の外側まで各々形成されているので、各バリア層の形成領域を広く確保でき、これにより多層封止膜２１４ｂの基体２との界面方向の密着性、バリア性が更に向上し、水、酸素等の表示素子部への侵入をより効果的に防止できる。
次に本実施形態の表示装置２０１の製造方法を図１４（ａ），（ｂ）、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）により説明する。本実施形態の表示装置２０１は、第１の実施形態の表示装置１とほぼ同じ方法で製造される。なお、本実施形態の表示装置の表示素子部は、第１の実施形態の表示装置１の表示素子部３と同じ方法で製造されるので、ここでは表示素子部の形成以後の工程について説明する。
図１４（ａ）には、無機物バンク層１１２ａ上に３つの外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3が形成された状態を示す。無機物バンク層１１２ａの表面は親液性に処理され、外周バンク層２１４ａ1〜２１４ａ3の表面は撥液性に処理されている。
そして図１４（ａ）に示すように、平坦化樹脂層形成工程として、非表示領域にある無機物バンク層１１２ｂ上に、樹脂モノマーまたは樹脂オリゴマーを含有する樹脂コーティング剤を、真空下において加熱気化させて外周バンク層２１４ａ1内に噴霧コーティングし、これに、例えば水銀ランプ、メタルハライドランプ等の紫外線照射用ランプを用いて真空紫外線を照射し、樹脂コーティング層に含まれる樹脂モノマーあるいは樹脂オリゴマーを硬化させ、平坦化樹脂層２１４ｃ1を形成する。尚、樹脂コーティング剤の噴霧の際には、開口部ｍ3を有するマスクＭ3を基体２上に対向して配置し、基体２と開口部ｍ3とが外周バンク層２１４ａ1の内側で対向するように配置させた状態で、この開口部ｍ3を介して噴霧させることが好ましい。このようなマスクＭ3を用いることで、外周バンク層２１４ａ1の外側に樹脂コーティング剤が直接付着することがない。
尚、ここで用いる樹脂コーティング剤は、第１の実施形態で説明したものと同じ物であり、流動性に富むものであるが、噴霧コーティングされた後に外周バンク層２１４ａ1によって堰き止められるため、外周バンク層２１４ａ1の外側に流出することがない。このようにして、外周バンク層２１４ａ1の内側に平坦化樹脂層２１４ｃ1を形成する。尚、平坦化樹脂層２１４ｃ1の厚さは、樹脂コーティング剤の噴霧量により調整でき、例えば、外周バンク層２１４a１の高さの１／３〜２／３の厚みが好ましい。
次に図１４（ｂ）に示すように、バリア層形成工程として、蒸着法により、平坦化樹脂層２１４ｃ1上にバリア層２１４ｄ1を形成する。バリア層２１４ｄ1は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等を蒸着材料として形成することができる。蒸着方法は、第１の実施形態の場合と同様である。尚、蒸着の際には、開口部ｍ4を有する別のマスクＭ4を基体２上に対向して配置し、開口部ｍ4の周縁部と基体２とが最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側で対向するように配置させた状態で、この開口部ｍ4を介して蒸着を行うことが好ましい。このようなマスクＭ4を用いることで、バリア層２１４ｄ1が基体２の側面側に回り込むことがない。尚、バリア層２１４ｄ1の厚さは５〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
次に図１５（ａ）に示すように、平坦化樹脂層形成工程として、先に形成したバリア層２１４ｄ1上に、樹脂コーティング剤を真空下において加熱気化させて外周バンク層２１４ａ1及び２１４ａ2内に噴霧コーティングし、これに真空紫外線を照射して硬化を行い、平坦化樹脂層２１４ｃ2を形成する。尚、樹脂コーティング剤の噴霧の際には、先程のマスクＭ3を先程と同様にして基体２上に配置し、開口部ｍ3を介して噴霧させることが好ましい。噴霧された樹脂コーティング剤は、外周バンク層２１４ａ1を乗り越えてバリア層２１４ｄ1上で濡れ広がり、外周バンク層２１４ａ2によって堰き止められる。このため樹脂コーティング剤は、外周バンク層２１４ａ2の外側に流出することがない。このようにして、外周バンク層２１４ａ1及び２１４ａ2の内側に平坦化樹脂層２１４ｃ2を形成する。尚、平坦化樹脂層２１４ｃ2の厚さは、樹脂コーティング剤の噴霧量により調整でき、例えば、外周バンク層２１４ａ2の高さの１／３〜２／３の厚みが好ましい。
次に図１５（ｂ）に示すように、バリア層形成工程として、蒸着法により、平坦化樹脂層２１４ｃ2上にバリア層２１４ｄ2を形成する。バリア層２１４ｄ2は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等を蒸着材料として形成することができる。蒸着方法は、第１の実施形態の場合と同様である。尚、蒸着の際には、開口部ｍ6を有する別のマスクＭ6を基体２上に対向して配置し、開口部ｍ6の周縁部と基体２とが最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側で対向するように配置させた状態で、この開口部ｍ6を介して蒸着を行うことが好ましい。このようなマスクＭ6を用いることで、バリア層２１４ｄ2が基体２の側面側に回り込むことがない。尚、バリア層２１４ｄ2の厚さは５〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
次に、図１５（ｃ）に示すように、上記の平坦化樹脂層形成工程とバリア層形成工程を再度繰り返すことにより、バリア層２１４ｄ2上に平坦化樹脂層２１４ｃ3及びバリア層２１４ｄ3を順次積層して多層封止膜２１４ｂを形成する。尚、平坦化樹脂層２１４ｃ3を形成するための樹脂コーティング剤の噴霧は、先程のマスクＭ3を先程と同様に基体２上に対向して配置して行うことが好ましい。噴霧された樹脂コーティング剤は、外周バンク層２１４ａ1及び２１４ａ2を乗り越えてバリア層２１４ｄ2上で濡れ広がり、外周バンク層２１４ａ3によって堰き止められる。このため樹脂コーティング剤は、外周バンク層２１４ａ3の外側に流出することがない。
更に、バリア層２１４ｄ3の蒸着の際には、開口部を有する別のマスクを基体２上に対向して配置し、マスクの開口部の周縁部と基体２とが最外周の外周バンク層２１４ａ3の外側で対向するように配置させた状態で、このマスクを介して蒸着を行うことが好ましい。こうすることで、バリア層２１４ｄ3が基体２の側面側に回り込むことがない。
このようにして、図１３に示すような表示装置２０１が得られる。
各平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3の形成により、各バリア層２１４ｄ1〜ｄ3の形成面が比較的平坦になるので、ピンホールや割れなどの欠陥のない均一なバリア層２１４ｄ1〜２１４ｄ3を形成できる。
また、平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3上にバリア層２１４ｄ1〜２１４ｄ3を形成するので、各平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3のアンカー効果により平坦化樹脂層２１４ｃ1〜２１４ｃ3とバリア層２１４ｄ1〜２１４ｄ3との密着性が向上し、水や酸素に対するバリア性を向上させることができる。
［第３の実施形態］
次に本発明の第３の実施形態を図１６を参照して説明する。図１６は本実施形態の表示装置３０１の封止構造の要部の断面図である。
尚、図１６に示す表示装置３０１の構成要素のうち、図１〜図４に示した第１の実施形態の表示装置１の構成要素と同一の構成要素には、同一符号を付してその説明を簡単に行うか、あるいはその説明を省略する。
図１６に示すように、本実施形態の表示装置３０１には、無機物バンク層１１２ａ（基体２）の周縁部に複数の環状の撥液性領域（堰止部）３１４ａ1、３１４ａ2、３１４ａ3が形成されている。即ち、符号３１４ａ1で示す最内周の撥液性領域の外側に符号３１４ａ2で示す別の撥液性領域が形成され、更にその外側に更に別の撥液性領域３１４ａ3が形成されている。各撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3の相互の間隔ｄは、３０〜４００μｍの範囲とすることが好ましい。
各撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3は、第１の実施形態の有機物バンク層１１２ｂと同様、無機物バンク層１１２ａの表面に、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によりフッ素等の撥液基が導入されて構成されている。このため、これらの撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3は、第１、第２実施形態で説明した外周バンク層１４ａ、２１４ａ1…と同様に、平坦化樹脂層の原料である樹脂コーティング剤をはじき、平坦化樹脂層を堰き止める役割を果たす。
また、この表示装置には、符号３１４ｂで示す多層封止膜が形成されている。この多層封止膜３１４ｂは、３つの平坦化樹脂層３１４ｃ1〜３１４ｃ3及び３つのバリア層３１４ｄ1〜３１４ｄ3が交互に積層されて形成されている。
３つの平坦化樹脂層３１４ｃ1〜３１４ｃ3のうち、最も下層にある平坦化樹脂層３１４ｃ1は、非表示領域１１ｂの無機物バンク層１１２ａ（親液性処理膜）及び図示略の表示素子部上に形成され、最内周の撥液性領域３１４ａ1の内側（図中左側）で堰き止められている。無機物バンク層１１２ａの表面が親液性であるため、平坦化樹脂層３１４ｃ1を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすくなっており、このため無機物バンク層１１２ａと平坦化樹脂層３１４ｃ1の間の密着性が強くなっている。一方、撥液性領域３１４ａでは無機物バンク層１１２ａの表面が撥液性に処理されており、平坦化樹脂層３１４ｃ1となじみにくく、このため撥液性領域３１４ａ1は平坦化樹脂層３１４ｃ1を堰き止められるようになっている。
次にこの平坦化樹脂層３１４ｃ1上にはバリア層３１４ｄ1が積層されている。このバリア層３１４ｄ1は、３つの撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3を覆うように形成されるとともに、全ての撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3を越えて最外周の撥液性領域３１４ａ3の外側まで延長し、その端部３１４ｅ1が無機物バンク層１１２ａ上に位置している。最内周の撥液性領域３１４ａ1近傍では、平坦化樹脂層３１４ｃ1が撥液性領域３１４ａ1に堰き止められており、バリア層３１４ｄ1はこの平坦化樹脂層３１４ｃ1を越えて最外周の撥液性領域３１４ａ3の外側まで達している。
また、このバリア層３１４ｄ1上には別の平坦化樹脂層３１４ｃ2が積層されている。この平坦化樹脂層３１４ｃ2は、先のバリア層３１４ｄ1上に形成され、最内周の撥液性領域３１４ａ1を越えてその隣の撥液性領域３１４ａ2の内側で堰き止められている。先に形成されたバリア層３１４ｄ1がＳｉＯ2等からなるもので表面が親液性になっているために、平坦化樹脂層３１４ｃ2を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすく、更にこのバリア層３１４ｄ1が最内周の撥液性領域３１４ａ1を覆っているので、平坦化樹脂層３１４ｃ2がこの撥液性領域３１４ａ1を越えてその隣の撥液性領域３１４ａ2の内側まで達している。
次にこの平坦化樹脂層３１４ｃ2上には別のバリア層３１４ｄ2が積層されている。このバリア層３１４ｄ2は、外側の２つの撥液性領域３１４ａ2、３１４ａ3を覆うように形成されるとともに最外周の撥液性領域３１４ａ3の外側まで延長し、その端部３１４ｅ2が無機物バンク層１１２ａ上に位置している。撥液性領域３１４ａ2近傍では、平坦化樹脂層３１４ｃ2がこの撥液性領域３１４ａ2に堰き止められており、バリア層３１４ｄ2はこの平坦化樹脂層３１４ｃ2を越えて最外周の撥液性領域３１４ａ3の外側まで達している。
更にこのバリア層３１４ｄ2上には更に別の平坦化樹脂層３１４ｃ3が積層されている。この平坦化樹脂層３１４ｃ3は、先のバリア層３１４ｄ2上に形成され、２つの撥液性領域３１４ａ1、３１４ａ2を越えて最外周の撥液性領域３１４ａ3の内側で堰き止められている。先に形成されたバリア層３１４ｄ2がＳｉＯ2等からなるもので表面が親液性になっているために、平坦化樹脂層３１４ｃ3を構成するポリアクリル樹脂等となじみやすく、更にこのバリア層３１４ｄ2が最内周の撥液性領域３１４ａ2を覆っているので、平坦化樹脂層３１４ｃ3がこの撥液性領域３１４ａ2を越えてその隣の撥液性領域３１４ａ3の内側まで達している。
次にこの平坦化樹脂層３１４ｃ3上には更に別のバリア層３１４ｄ3が積層されている。このバリア層３１４ｄ3は、最外周の撥液性領域３１４ａ3を覆うように形成されるとともにこの撥液性領域３１４ａ3の外側まで延長し、その端部３１４ｅ3が無機物バンク層１１２ａ上に位置している。
このように本実施形態の表示装置３０１では、複数の撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3が形成され、各平坦化樹脂層３１４ｃ1〜３１４ｃ3が各撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3の内側に各々形成され、更に各バリア層３１４ｄ1〜３１４ｄ3が各撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3の外側まで各々形成されることにより、多層封止膜３１４ｂが構成されている。
本実施形態の表示装置３０１の封止構造によれば、撥液性領域の外周側に別の撥液性領域が少なくとも１以上形成されることにより、バリア層３１４ｄの形成領域が更に広がってバリア性がより向上し、水分、酸素等の表示素子部３への侵入をより効果的に防止できる。特に、多層封止膜３１４ｂが平坦化樹脂層３１４ｃとバリア層３１４ｄの繰り返し積層構造なので、水分、酸素等に対するバリア性をより向上できる。
また、各平坦化樹脂層３１４ｃ1〜３１４ｃ3が各撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3の内側に各々形成されているため、多層封止膜３１４ｂを平坦化樹脂層３１４ｃとバリア層３１４ｄの繰り返し積層構造とした場合でも、水、酸素等に対するバリア性を更に向上できる。
更に、本実施形態の表示装置３０１の封止構造によれば、複数のバリア層３１４ｄ…が各撥液性領域３１４ａ…の外側まで各々形成されており、しかも多層封止膜３１４ｂが平坦化樹脂層２１４ｃとバリア層２１４ｄの繰り返し積層構造であるので、水、酸素等に対するバリア性をより向上できる。
また、各撥液性領域３１４ａ1…が環状に形成されているので、各平坦化樹脂層３１４ｃ1…が撥液性領域３１４ａ1…の内側に留まり、これによりバリア性が場所によってばらつくことがなく、封止の信頼性を向上できる。
本実施形態の表示装置３０１は、外周バンク層を形成することなく、基体の周縁部上にある無機物バンク層の一部に対してプラズマ処理を行って撥液性領域３１４ａ1〜３１４ａ3を形成すること以外は、第２実施形態の表示装置２０１とほぼ同様にして製造される。なお、無機物バンク層１１２ａに対するプラズマ処理は、有機物バンク層に対するＣＦ4プラズマ処理と同時に行えばよい。
［第４の実施形態］
次に本発明の第４の実施形態を図１７ないし図１９を参照して説明する。図１７は本実施形態の表示装置４０１の平面模式図を示し、図１８には図１７のＡ-Ａ'線に沿う断面図を示し、図１９には図１７のＢ-Ｂ'線に沿う断面図を示す。
尚、図１７〜１９に示す表示装置４０１の構成要素のうち、図１〜図４に示した第１の実施形態の表示装置１の構成要素と同一の構成要素には、同一符号を付してその説明を簡単に行うか、あるいはその説明を省略する。
この表示装置４０１の封止構造は、図１７〜図１９に示すように、基体２上の表示素子部３の周囲に、外周バンク層１４ａ（堰止部）が環状に形成されている。更に、基板２の一端に貼り付けられたフレキシブルテープ１３０には、別の堰止バンク層４１４ａ（堰止部）が形成されている。この堰止バンク層は、図１７及び図１９に示すように、制御用ＩＣ１３０ａと外部端子１３０ｂの間に位置してフレキシブルテープの両面に形成されている。
また、表示素子部３上には多層封止膜４１４ｂが積層されている。この多層封止膜４１４ｂは、平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2及び４１４ｃ3とバリア層１４ｄ1、１４ｄ2及び４１４ｄ3が順次３層ずつ交互に積層されて形成されている。３つの平坦化樹脂層のうち、２つの平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2はいずれも環状に形成された外周バンク層１４ａの内側に形成され、外周バンク層１４ａによって堰き止められた状態になっている。また、３つのバリア層のうち、２つのバリア層１４ｄ1、１４ｄ2は、各平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2上（外周バンク層１４ａの内側）に形成されるとともにその端部１４ｅが外周バンク層１４ａの外側にまで延長して形成されている。
更に残りの平坦化樹脂層４１４ｃ3は、基体２及びバリア層１４ｄ2並びにフレキシブルテープ１３０の一部並びに制御用ＩＣ１３０ａを覆い、堰止バンク層４１４ａの基体２側に形成されている。そしてこの平坦化樹脂層４１４ｃ3は、堰止バンク層４１４ａによって堰き止められ、外部端子１３０ｂに接しない状態となっている。
尚、図１８及び図１９では記載を省略しているが、この平坦化樹脂層４１４ｃ3は実際には基体２の裏面まで回り込んでいる。
更に残りのバリア層４１４ｄ3は、平坦化樹脂層４１４ｃ3上に形成されるとともに、その端部４１４ｅが堰止バンク層４１４ａの外側にまで延長して形成されている。
堰止バンク層４１４ａは、厚さが２〜５００μｍの範囲で形成されたもので、有機物バンク層１１２ｂや外周バンク層１４ａと同様に表面が撥液性に処理されていれば、なお好ましい。
平坦化樹脂層４１４ｃ3は、他の平坦化樹脂層１４ｃ1、１４ｃ2と同様にポリアクリル樹脂等からなり、フレキシブルテープ１３０と基体２との接合部並びに制御用ＩＣ１３０ａを保護している。また、平坦化樹脂層４１４ｃ3上に形成されるバリア層４１４ｄ3のステップガバレッジをできるだけ小さくし、バリア層４１４ｄ3におけるピンホールや割れの発生を防止する役割を有する。またバリア層４１４ｄ3は、他のバリア層１４ｄ1、１４ｄ2と同様にＳｉＯ2等の無機物膜からなり、水や酸素の遮断性に優れるものである。多層封止膜４１４ｂは、これら平坦化樹脂層１４ｃ1…とバリア層１４ｄ1…とが順次積層されてなることにより、表示素子部３及びフレキシブルテープ１３０と基体２との接合部並びに制御用ＩＣ１３０ａへの水や酸素の侵入を防止する。
封止構造について更に詳細に述べると、図１８及び図１９に示すように、平坦化樹脂層４１４ｃ3は、バリア層１４ｄ2及び基体２並びにフレキシブルテープ１３０の両面並びに制御用ＩＣ１３ａ上に形成され、堰止バンク層４１４ａの基体２側で堰き止められている。即ち、この平坦化樹脂層４１４ｃ3は堰止バンク層４１４ａより薄いか、あるいは同じ厚さで形成されている。
次にこの平坦化樹脂層４１４ｃ3上にはバリア層４１４ｄ3が積層されている。このバリア層４１４ｄ3は、堰止バンク層４１４ａを覆うように形成されるとともに、この堰止バンク層４１４ａを越えて外部端子１３０ｂの手前まで形成されている。
外周バンク層４１４ａは、前述したように、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。この外周バンク層４１４ａの厚さは、２〜６００μｍの範囲が好ましい。厚さは、フレキシブルテープに使われるレジストや配線パターン、マーキング等の外周バンクとして兼用可能な層を利用し、この厚みに依存する。もしくはインクジェットプリンティング法を用いて樹脂を塗布して所定の厚みに形成される。
また平坦化樹脂層４１４ｃ3はアクリル樹脂等から形成されている。この平坦化樹脂層４１４ｃ3の厚さは、０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。厚さは、フレキシブルテープ表面の凹凸に応じて調整される。
更にバリア層４１４ｄ3は、アルミニウムやチタン等の金属やＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物から形成されている。このバリア層４１４ｄ3の厚さは、１０〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。厚さは、使用形態、要求バリア性能に応じて調整される。
係る封止構造を採用することにより、駆動用ＩＣ１３０ａを含む駆動回路が平坦化樹脂層４１４ｃ3及びバリア層４１４ｄ3により一括封止されるので、耐湿性に課題のある駆動回路と表示体との接続部への水や酸素等の侵入を防止でき、表示装置全体の信頼性を更に向上できる。
［第５の実施形態］
次に、第１〜第４の実施形態の表示装置のいずれを備えた電子機器の具体例について説明する。
図２０（ａ）は、携帯電話やリモコンの一例を示した斜視図である。図２０（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置１、２０１、３０１、４０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図２０（ｂ）は、ＰＤＡ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置１、２０１、３０１、４０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図２０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２０（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置１、２０１、３０１、４０１のいずれかを用いた表示部を示している。
図２０（ａ）〜図２０（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態の表示装置１、２０１、３０１、４０１のいずれかを用いた表示部を備えたものであり、先の第１〜第５の実施形態の表示装置の特徴を有するので、薄型で表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１〜第５の実施形態と同様にして、図２に例示すような駆動ＩＣ６ａ（駆動回路）を備えた表示装置１、２０１、３０１、４０１のいずれかを構成し、この表示装置１、２０１、３０１、４０１のいずれかを、携帯電話、情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。
尚、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本発明の表示装置は、１つのマザー基板２Ａ上に複数の表示素子部３…を形成した後に、このマザー基板２Ａを分割することで、一度に多数の表示装置を製造することができる。その際に、樹脂コーティング剤を塗布する際に用いるマスクＭとして、図２１に示すように、各表示素子部３…に対応する複数の開口部ｍを有するものが好ましい。このマスクＭの開口部ｍは、マザー基板２Ａにおける各表示装置の切断線２Ｂ上で開口しないようになっている。これにより、切断線２Ｂ上に平坦化樹脂層やバリア層が形成されることがないので、マザー基板２Ａの分割の際に平坦化樹脂層が剥がれる恐れがない。
また今までの説明では、堰止部は、有機物バンク層と同一材料、同一工程で形成する場合を主に示したが、パッシブ型有機ＥＬは、カソードセパレータ、回路基板はレジストやマーキング等がこれに相当し、既存工程にあり堰止機能を持つものを利用することが好ましい。
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置の封止構造によれば、平坦化樹脂層及びバリア層を１以上ずつ積層してなる多層封止膜によって、表示素子部を含む特定領域を選択的に確実に封止でき、従来の封止缶による封止構造と比べて封止面積が大きくなっても多層封止膜の厚みをが薄く形成できるので、表示装置自体の全厚を従来より大幅に薄くすることができる。
また、平坦化樹脂層とこれによってピンホールや割れ、膜厚ムラの極めて少ないバリア層からなる多層封止膜の端部は、堰止部によって正確に位置決めできるようになった。またその端部は、親液処理がされた基体表面と多層封止膜との接触面積を大きくとって密着性を高めるようにし、なおかつ堰止部の凹凸により界面方向の水分や酸素、不純物イオン等に対する浸入パスを長くできるため、狭い堰止領域でも高いバリア性、信頼性を長期にわたって維持できる。
この結果、有機ＥＬやＬＣＤなどの表示装置の額縁領域を従来より狭くすることができ、表示装置の薄さや軽量さとあいまってデザインの自由度やスペース効率の高い電子機器を実現することができる。また額縁領域の無駄な面積が減ることにより、一枚のマザー基板から取れる表示パネル数が増え、生産性を向上できる。
さらに本発明の構造を採ることによって、多数の部品が搭載された回路基板や電子光学モジュール、ＩＣカード等の電子、電気機器、モジュール、部品に対して、一体封止ができ薄型軽量で可とう性のある高信頼の気密封止手段として、広く応用することが可能である。
１…表示装置、２…基体、３…表示素子部（電子素子部）、１１…回路部、１１ａ…表示領域、１１ｂ…非表示領域、１２…陰極（対向電極）、１２ａ…陰極用配線、１４ａ…外周バンク層（堰止部）、１４ｂ…多層封止膜、１４ｃ…平坦化樹脂層、１４ｄ…バリア層、１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ…発光用電源配線、１１０…機能層、１１１…画素電極、１１２…バンク、１１２ａ…無機物バンク層（親液性処理膜）、１１２ｂ…有機物バンク層、３１４ａ１，３１４ａ２，３１４ａ３…撥液性領域（堰止部）、６００…携帯電話本体（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計本体（電子機器）。

Claims (5)

  1. 基体上に、
    第１電極と、
    前記第１電極の形成位置に対応した凹部を区画する第１バンク層と、
    前記凹部に設けられた発光層と、
    前記第１バンク層および前記発光層上に設けられた第２電極と、
    前記第１バンク層および前記第２電極の外側に設けられた第２バンク層と、
    前記第２電極の全面を覆うように設けられ、有機化合物により形成された樹脂層と、
    前記樹脂層と接するように設けられ、無機化合物により形成されたバリア層と、を備え、
    前記バリア層は、前記樹脂層の全面を覆い、かつ前記第２バンク層の外側において、前記基体と接しており、
    前記樹脂層は、前記第２バンク層の内側面と接しており、前記第２バンク層の外側には設けられていないことを特徴とする表示装置。
  2. 前記基体は、層間絶縁膜を含み、
    前記バリア層は、前記層間絶縁膜と接するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 平面視において、前記第１バンク層と前記第２バンク層との間には、前記第２電極と電気的に接続された第２電極用配線が設けられていることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の表示装置。
  4. 平面視において、前記第１バンク層と前記第２バンク層との間には、前記第１電極と電気的に接続された電源線が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
JP2012183922A 2002-01-15 2012-08-23 表示装置および電子機器 Expired - Lifetime JP5354073B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012183922A JP5354073B2 (ja) 2002-01-15 2012-08-23 表示装置および電子機器

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006572 2002-01-15
JP2002006572 2002-01-15
JP2012183922A JP5354073B2 (ja) 2002-01-15 2012-08-23 表示装置および電子機器

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008060152A Division JP5169335B2 (ja) 2002-01-15 2008-03-10 表示装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012253036A JP2012253036A (ja) 2012-12-20
JP5354073B2 true JP5354073B2 (ja) 2013-11-27

Family

ID=19191245

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003561299A Expired - Lifetime JP4285241B2 (ja) 2002-01-15 2003-01-15 表示装置の製造方法
JP2008060152A Expired - Lifetime JP5169335B2 (ja) 2002-01-15 2008-03-10 表示装置及び電子機器
JP2012183922A Expired - Lifetime JP5354073B2 (ja) 2002-01-15 2012-08-23 表示装置および電子機器

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003561299A Expired - Lifetime JP4285241B2 (ja) 2002-01-15 2003-01-15 表示装置の製造方法
JP2008060152A Expired - Lifetime JP5169335B2 (ja) 2002-01-15 2008-03-10 表示装置及び電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7109653B2 (ja)
JP (3) JP4285241B2 (ja)
KR (1) KR100576639B1 (ja)
CN (2) CN101257096B (ja)
TW (1) TW580843B (ja)
WO (1) WO2003061346A1 (ja)

Families Citing this family (204)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
KR100652039B1 (ko) * 2000-11-23 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자
AU2003288999A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit and method of fabricating display unit
JP4432367B2 (ja) * 2003-05-28 2010-03-17 カシオ計算機株式会社 表示パネル
US20060159892A1 (en) * 2003-06-16 2006-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Barrier laminate for an electroluminescent device
NL1024090C2 (nl) * 2003-08-12 2005-02-15 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel.
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
JP2005078979A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US20050062052A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Fu-Hsiang Yang Panel of organic electroluminescent display
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005116483A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
CN100466328C (zh) * 2003-10-29 2009-03-04 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
JP4678124B2 (ja) * 2003-11-10 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4643138B2 (ja) * 2003-11-27 2011-03-02 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2005353398A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
KR100993827B1 (ko) * 2003-12-01 2010-11-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100663028B1 (ko) * 2003-12-30 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4346459B2 (ja) * 2004-01-20 2009-10-21 三洋電機株式会社 発光装置
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4776949B2 (ja) * 2004-03-16 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2006004650A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子及び光学デバイス
ATE476757T1 (de) * 2004-10-21 2010-08-15 Lg Display Co Ltd Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
WO2006071106A1 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Otb Group B.V. Method for manufacturing an oled or a blank for forming an oled as well as such a blank or oled
JP2008097828A (ja) * 2005-01-21 2008-04-24 Pioneer Electronic Corp 有機ｅｌ素子の製造方法およびこれにより得られた有機ｅｌ素子
JP2006216297A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ用基板およびその製造方法
JP4891554B2 (ja) * 2005-03-11 2012-03-07 セイコーエプソン株式会社 表示パネル、これを用いた移動体の表示モジュール、および電子機器
JP2006332592A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Ricoh Co Ltd 電気部品、導電パターンの形成方法、およびインクジェットヘッド
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
JP4600254B2 (ja) * 2005-11-22 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2007234678A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4337852B2 (ja) * 2006-08-30 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP4245032B2 (ja) * 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4809186B2 (ja) * 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR100779003B1 (ko) * 2006-12-27 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2003713A3 (en) * 2007-06-12 2011-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP4884320B2 (ja) * 2007-06-29 2012-02-29 京セラ株式会社 画像表示装置
JP2009037799A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光素子およびその製造方法
KR100884477B1 (ko) * 2007-08-08 2009-02-20 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2009070708A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100839430B1 (ko) * 2007-09-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP4930303B2 (ja) * 2007-09-14 2012-05-16 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
EP2051311A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-22 Applied Materials, Inc. Method of providing an encapsulation layer stack, coating device and coating system
US20090098293A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 Applied Materials, Inc. Method of providing an encapsulation layer stack, coating device and coating system
JP5328261B2 (ja) * 2008-08-13 2013-10-30 ローム株式会社 有機ｅｌ素子
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4489135B1 (ja) * 2008-12-26 2010-06-23 パナソニック株式会社 携帯電子機器
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP4947103B2 (ja) * 2009-07-16 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 表示パネル
JP4947104B2 (ja) * 2009-07-16 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 表示パネル
KR20110019498A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP4873065B2 (ja) * 2009-11-05 2012-02-08 カシオ計算機株式会社 表示パネルの製造方法
JP5409315B2 (ja) * 2009-12-11 2014-02-05 キヤノン株式会社 表示装置
JP5611811B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置
JP5290268B2 (ja) * 2009-12-31 2013-09-18 三星ディスプレイ株式會社 バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法
JP5611812B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法
KR101202353B1 (ko) * 2009-12-31 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 배리어 필름 복합체, 이를 포함하는 표시 장치, 배리어 필름 복합체의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
JP5197666B2 (ja) * 2010-03-23 2013-05-15 株式会社東芝 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
FR2958795B1 (fr) * 2010-04-12 2012-06-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
KR101132045B1 (ko) * 2010-05-07 2012-04-02 삼성모바일디스플레이주식회사 휴대폰
EP2579353B1 (en) * 2010-07-07 2018-09-05 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device comprising an encapsulation structure
KR101695739B1 (ko) 2010-09-14 2017-01-13 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP5003808B2 (ja) * 2010-09-17 2012-08-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101430173B1 (ko) * 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011258577A (ja) * 2011-09-01 2011-12-22 Otb Group Bv Ｏｌｅｄまたはｏｌｅｄを形成するためのブランクを製造する方法およびこのようなブランクまたはｏｌｅｄ
US9853245B2 (en) 2011-10-14 2017-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101809659B1 (ko) 2011-10-14 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101900364B1 (ko) * 2011-12-22 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2013149533A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Ulvac Japan Ltd 有機膜の処理方法および処理装置
JP5812887B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-17 株式会社沖データ 表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法
KR101923176B1 (ko) * 2012-06-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
CN103904231B (zh) * 2012-12-25 2016-03-30 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6054763B2 (ja) 2013-02-12 2016-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2014170686A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Toshiba Corp 表示素子の製造方法、表示素子及び表示装置
JP6267449B2 (ja) * 2013-03-15 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイスの製造装置
KR20140113386A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유기 디바이스의 제조 방법, 유기 디바이스의 제조 장치 및 유기 디바이스
KR102034253B1 (ko) * 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6201411B2 (ja) 2013-05-14 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP6182985B2 (ja) 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP6191260B2 (ja) * 2013-06-12 2017-09-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及び電子機器
JP6331276B2 (ja) * 2013-06-28 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR102093393B1 (ko) * 2013-08-14 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102117612B1 (ko) 2013-08-28 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015050022A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR20150025994A (ko) 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102218573B1 (ko) 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6282832B2 (ja) 2013-10-01 2018-02-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2015072770A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
KR102080296B1 (ko) * 2013-12-03 2020-02-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150082013A (ko) * 2014-01-07 2015-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102454664B1 (ko) * 2014-06-25 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106795386A (zh) 2014-07-25 2017-05-31 科迪华公司 有机薄膜油墨组合物和方法
CN104241550B (zh) * 2014-08-05 2017-08-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其封装方法
KR101667800B1 (ko) * 2014-08-29 2016-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102323194B1 (ko) * 2014-09-30 2021-11-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치
KR102317715B1 (ko) * 2014-09-30 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP4258844A3 (en) * 2014-09-30 2023-11-15 LG Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device
KR102449751B1 (ko) * 2014-12-15 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6674764B2 (ja) * 2014-12-01 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルの作製方法
KR102479019B1 (ko) * 2015-03-05 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102396296B1 (ko) 2015-03-06 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102314470B1 (ko) 2015-03-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160110597A (ko) 2015-03-09 2016-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102404577B1 (ko) * 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104900681B (zh) * 2015-06-09 2019-02-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其形成方法
KR102402195B1 (ko) * 2015-06-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102486876B1 (ko) 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20180048690A (ko) 2015-08-31 2018-05-10 카티바, 인크. 디- 및 모노(메트)아크릴레이트 기초 유기 박막 잉크 조성물
KR102414110B1 (ko) * 2015-09-07 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102415052B1 (ko) * 2015-09-18 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102407569B1 (ko) * 2015-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN106848088B (zh) * 2015-12-07 2020-11-03 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN105609532B (zh) * 2015-12-21 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN105449118B (zh) * 2016-01-04 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构、显示装置和封装方法
WO2017118574A1 (de) * 2016-01-05 2017-07-13 Osram Oled Gmbh Verfahren zur herstellung von organischen leuchtdioden und organische leuchtdiode
KR102407869B1 (ko) * 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
JP2017147165A (ja) 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101973163B1 (ko) 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102567547B1 (ko) 2016-03-22 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102451726B1 (ko) 2016-03-28 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170133812A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6640034B2 (ja) 2016-06-17 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6717700B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
KR101964934B1 (ko) 2016-07-29 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102553910B1 (ko) * 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
KR102688970B1 (ko) * 2016-09-19 2024-07-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109792818B (zh) * 2016-09-30 2021-06-11 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
CN109845406A (zh) * 2016-10-03 2019-06-04 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
CN106384743B (zh) * 2016-10-20 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
US10743425B2 (en) 2016-10-31 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2018081768A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6343649B2 (ja) * 2016-12-01 2018-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102671370B1 (ko) * 2016-12-06 2024-06-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2018116576A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102696807B1 (ko) * 2017-02-06 2024-08-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108400252A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及电子设备
JP6830011B2 (ja) * 2017-03-01 2021-02-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN106653820B (zh) * 2017-03-08 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及制作方法、柔性显示装置
US20200020880A1 (en) * 2017-03-27 2020-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN118510305A (zh) 2017-04-21 2024-08-16 柯狄公司 用于形成有机薄膜的组合物和技术
CN107104127B (zh) * 2017-04-27 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
JP6947536B2 (ja) * 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102438255B1 (ko) 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019003819A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル
US10991906B2 (en) * 2017-06-21 2021-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, method for manufacturing display device, and manufacturing apparatus of display device
CN110800123A (zh) * 2017-06-26 2020-02-14 3M创新有限公司 结构化膜及其制品
JP2019012099A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US20190312228A1 (en) * 2017-07-14 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of electro-optical device and electro-optical device
US10516012B2 (en) 2017-08-10 2019-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha Electro-optical device and manufacturing method thereof
WO2019038884A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 シャープ株式会社 表示装置
CN107565066A (zh) * 2017-08-28 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
US20190312091A1 (en) * 2017-09-28 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2019064415A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN111149431B (zh) * 2017-09-28 2022-08-09 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法
WO2019082303A1 (ja) * 2017-10-25 2019-05-02 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102408164B1 (ko) 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR101940231B1 (ko) * 2017-12-11 2019-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2019130427A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2019130417A1 (ja) 2017-12-26 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
WO2019130480A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102524346B1 (ko) 2018-01-03 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
JP6983080B2 (ja) * 2018-01-19 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102603869B1 (ko) * 2018-02-08 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6654270B2 (ja) * 2018-02-21 2020-02-26 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
WO2019167270A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP6515224B2 (ja) * 2018-03-05 2019-05-15 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスの製造方法および成膜装置
WO2019171584A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2019186721A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイスおよびその製造方法
US11751422B2 (en) 2018-03-28 2023-09-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
WO2019186814A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102256298B1 (ko) 2018-06-26 2021-05-26 삼성에스디아이 주식회사 리튬이차전지용 니켈계 활물질 전구체, 이의 제조방법, 이로부터 형성된 리튬이차전지용 니켈계 활물질 및 이를 포함하는 양극을 함유한 리튬이차전지
JP6759287B2 (ja) * 2018-07-19 2020-09-23 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
CN109065749A (zh) 2018-07-23 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
CN109037289B (zh) * 2018-08-01 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
US11721807B2 (en) 2018-08-14 2023-08-08 Samsung Sdi Co., Ltd. Nickel-based active material precursor for lithium secondary battery, preparation method thereof, nickel-based active material for lithium secondary battery formed therefrom, and lithium secondary battery including cathode including the nickel-based active material
KR102623838B1 (ko) 2018-08-20 2024-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109065760B (zh) * 2018-08-22 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、显示装置
JP7178216B2 (ja) * 2018-09-03 2022-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR101990131B1 (ko) * 2019-01-14 2019-06-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP7269050B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
US20220181582A1 (en) * 2019-03-28 2022-06-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, and method for manufacturing display device
US12096650B2 (en) * 2019-03-29 2024-09-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP2020184426A (ja) * 2019-04-26 2020-11-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
RU2729699C1 (ru) 2019-08-01 2020-08-11 Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. Подложка отображения и устройство отображения
JPWO2021049433A1 (ja) 2019-09-12 2021-03-18
CN111106259B (zh) * 2019-12-04 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示屏
KR20210072465A (ko) * 2019-12-09 2021-06-17 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP2020098792A (ja) * 2020-01-29 2020-06-25 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
KR20210097878A (ko) * 2020-01-30 2021-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102235606B1 (ko) * 2020-03-05 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102198966B1 (ko) * 2020-04-16 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102218650B1 (ko) * 2020-05-26 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210003072A (ko) * 2020-12-29 2021-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102520492B1 (ko) * 2021-01-07 2023-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114122099A (zh) * 2021-11-25 2022-03-01 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN114256317B (zh) * 2021-12-22 2024-08-27 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800177A (en) * 1971-12-20 1974-03-26 Motorola Inc Integrated light emitting diode display device with housing
JPS62115755A (ja) 1985-11-14 1987-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6358394A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 鈴木　康夫 エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2705078B2 (ja) * 1988-02-10 1998-01-26 富士通株式会社 半導体素子表面の平坦化方法
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JPH02271557A (ja) 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH0772324A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Fujitsu Ltd カラーフィルタの製造方法
US5718955A (en) * 1996-03-12 1998-02-17 The Procter & Gamble Company Composite for controlling oxygen flux into thermal cells
JPH09288996A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池
EP0862156B1 (en) 1996-09-19 2005-04-20 Seiko Epson Corporation Method of production of a matrix type display device
JPH10275680A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機ｅｌ素子
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
DE69829458T2 (de) * 1997-08-21 2005-09-29 Seiko Epson Corp. Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH11121177A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 注入形電場発光デバイス
US6327011B2 (en) * 1997-10-20 2001-12-04 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display device having thin glass substrate on which protective layer formed and method of making the same
KR100577903B1 (ko) 1998-03-17 2006-05-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막패터닝용 기판 및 그 표면처리
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
JP2000021578A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Sony Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2000068050A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4186289B2 (ja) 1998-12-24 2008-11-26 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2001068271A (ja) 1999-08-24 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
JP3838827B2 (ja) * 1999-10-05 2006-10-25 新光電気工業株式会社 薄膜コンデンサ素子及びプリント回路基板の製造方法
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US7112115B1 (en) 1999-11-09 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4432171B2 (ja) * 1999-11-22 2010-03-17 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP4004709B2 (ja) 2000-03-30 2007-11-07 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2001326070A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Denso Corp 有機ｅｌ素子
KR100403714B1 (ko) 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
TW522752B (en) * 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
US6787249B2 (en) * 2001-03-28 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the same
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP2003059646A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜表示装置
TW519853B (en) * 2001-10-17 2003-02-01 Chi Mei Electronic Corp Organic electro-luminescent display and its packaging method
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6710542B2 (en) * 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
JP3791618B2 (ja) * 2003-02-20 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US7109653B2 (en) 2006-09-19
TW580843B (en) 2004-03-21
KR100576639B1 (ko) 2006-05-08
US20030164674A1 (en) 2003-09-04
US20060270305A1 (en) 2006-11-30
US7524228B2 (en) 2009-04-28
TW200302673A (en) 2003-08-01
CN1533682A (zh) 2004-09-29
CN101257096A (zh) 2008-09-03
CN101257096B (zh) 2011-02-02
JP2012253036A (ja) 2012-12-20
CN100389509C (zh) 2008-05-21
JP4285241B2 (ja) 2009-06-24
JPWO2003061346A1 (ja) 2005-05-19
US7928656B2 (en) 2011-04-19
KR20040015360A (ko) 2004-02-18
JP2008165251A (ja) 2008-07-17
JP5169335B2 (ja) 2013-03-27
US20090179566A1 (en) 2009-07-16
WO2003061346A1 (fr) 2003-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5354073B2 (ja) 表示装置および電子機器
US7915823B2 (en) Organic electroluminescent device with surface-modifying layer, method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the same
JP4240276B2 (ja) 発光装置
US7537948B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus
JP4401657B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP4561201B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2010257957A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2016163367A1 (ja) Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の製造方法
JP2008235089A (ja) 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2012209215A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP2009048835A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP4215750B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP6064351B2 (ja) 有機ｅｌ装置およびその製造方法
JP2009252687A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20080086577A (ko) 유기발광다이오드 소자와 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120920

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130730

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130812

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5354073

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term