NL1024090C2 - Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. - Google Patents
Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1024090C2 NL1024090C2 NL1024090A NL1024090A NL1024090C2 NL 1024090 C2 NL1024090 C2 NL 1024090C2 NL 1024090 A NL1024090 A NL 1024090A NL 1024090 A NL1024090 A NL 1024090A NL 1024090 C2 NL1024090 C2 NL 1024090C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- organic
- thin film
- organic layer
- liquid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 76
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 40
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 241001062357 Psilocybe cubensis Species 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
»· «
Titel: Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film- afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film· afsluitlaagsamenstel.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor Ket aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel (e. thin film barrier stack) op een device met microstructuren, zoals bijvoorbeeld een OLËD, waarbij het dunne-film-afsluitlaagsamenstel een barrière vormt voor 6 althans vocht en zuurstof, waarbij de stack is opgebouwd uit een combinatie van organische en niet-organische lagen.
Een dergelijke werkwijze is bijvoorbeeld bekend uit US 6,413,645 of DE 196 03 746 Al.
Devices waarop de dunne-film-afsluitlaagsamenstellen worden 10 aangebracht kunnen bijvoorbeeld OLED's zijn welke bijvoorbeeld zijn beschreven in US 6,582,888 BI.
Bij de bekende werkwijze voor het aanbrengen van een dunne film afsluitlaagsamenstel wordt op het microdevice eerst een relatief dikke egaliserende laag over het device aangebracht teneinde het aanbrengen van 15 daarop volgende lagen die de daadwerkelijke afsluiting tegen zuurstof en vocht vormen, te vergemakkelijken. Met name bij devicee waarbij de microstructuren ondersneden gebieden bevatten, zoals bijvoorbeeld het geval is bij paddo's op OLED's, dient deze vereffeninglaag een aanzienlijke dikte te hebben. Het nadeel van het eerst moeten aanbrengen van een dikke 20 egaliserende laag over het device is dat vocht en zuurstof vanaf de zijkant van het device toch tot het device kan binnendringen en dat er luchtinsluitsels kunnen ontstaan tussen de actieve lagen van het device en de relatief dikke egaliserende laag. Bovendien treedt bij dergelijke dikke polymere egaliserende lagen gemakkelijk delaminatie op, hetgeen het 25 verlies van het device tot het gevolg heeft. Bij devicee welke zijn voorzien van microstructuren met scherpe hoeken, steile of zelfs negatieve hellingen 1024090_ _ t r 2 en ondersneden gebieden, zoals bijvoorbeeld van paddo's voorziene OLED's, is het aanbrengen van een afsluitende anorganische laag met voldoende laagdikte over het gehele oppervlak, dat wil zeggen ook in de ondersneden gebieden, een probleem.
5 Het doel van de uitvinding is het verschaffen van een werkwijze voor het vervaardigen van een encapsulatielaag voor een device dat is I voorzien van microstructuren, waarbij de encapsulatielaag een dunne-film- I afsluitlaagsamenstel omvat die is opgebouwd uit een combinatie van organische en niet-organische lagen en waarbij de hierboven beschreven I 10 nadelen van de bekende encapsulatielagen zijn opgelost.
I De uitvinding verschaft hiertoe een werkwijze van het in de aanhef I beschreven type welke wordt gekenmerkt doordat een eerste organische tussenlaag wordt aangebracht, waarbij de organische tussenlaag wordt I aangebracht in vloeibare vorm, waarbij de viscositeit van de organische 15 tussenlaagvloeistof zodanig laag is dat groeven, holtes en dergelijke nauwe caviteiten althans ten dele worden opgevuld met de organische vloeistof I onder invloed van capillaire krachten terwijl overige delen van het device slechts met een dunne laag van de organische vloeistof worden bedekt, zodanig dat een laag met variabele dikte wordt gevormd.
20 Volgens de uitvinding wordt een dunne organische laag in vloeibare vorm opgebracht en vullen de caviteiten zich althans ten dele met de organische vloeistof onder invloed van capillaire krachten terwijl de overige delen van het device slechts met een zeer dunne laag van de H organische vloeistof wordt bedekt. Daarmee wordt mogelijke doorgroei van 25 pin holes in anorganische lagen verhinderd. Op die wijze kan eventueel in een aantal stappen een gehele opvulling van de caviteiten worden bereikt zonder dat de organische laag een zodanige dikte aanneemt dat deze tot delaminatie geneigd is. Doordat de organische laag bovendien zeer dun is in vergelijking met de bekende egalisatielagen, is de kans op luchtinsluitsels in 30 de laag veel kleiner.
I 1024090
• I
3
Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding wordt eerst een eerste afsluitende niet-organische laag wordt opgebracht voordat de eerste organische laag wordt opgebracht.
Daarbij zijn de functionele lagen van het device reeds door de 5 eerste afsluitende niet-organische laag tegen vocht en zuurstof beschermd, zodat, wanneer er onverhoopt toch een luchtinsluitsel in de eerste organische laag aanwezig is, dit veel minder schadelijk is voor de functionele lagen van het device. Doordat nadat de' organische laag is opgebracht de ondersneden gebieden, de groeven, holtes of dergelijke 10 caviteiten gedeeltelijk zijn opgevuld, zal het device reeds een egaler oppervlak hebben, zodat een daarna op te brengen anorganische laag een stabielere structuur zal verkrijgen en daarmee een betere afdichting zal vormen. Wanneer vervolgens nogmaals op dezelfde wijze als hierboven beschreven een organische laag in vloeibare vorm met lage viscositeit wordt 15 opgebracht wordt een nog verdere vereffening van de microstructuren verkregen en zal een daarna op te brengen anorganische laag nóg stabielere en betere afsluitende eigenschappen hebben.
De organische vloeistof kan bijvoorbeeld worden opgebracht door middel van spincoaten, sprayen, dompelen, condensatie of wedgeooating.
20 Bovendien kan de organische vloeistof sterk zijn verdund in een oplosmiddel teneinde een lage viscositeit te verkrijgen. Daarbij moet worden gedacht aan een viscositeit die vergelijkbaar is aan die van water, zodat de capillaire krachten inderdaad tot plaatselijke laagdikte verschillen in de organische laag zullen leiden.
25 Na het opbrengen van de laag dient het oplosmiddel althans ten dele uit de organische laag te worden verwijderd waarna vervolgens de organische laag wordt gepolymeriseerd of op andere wijze uitgehard. De polymerisatie of uitharding kan op bekende wijze plaatsvinden door middel van UV-beetraling, electronen- of ionen-bestraling, thermisch, chemisch of 30 op dergelijke wijze.
1024090 4 1 1
De eerste afsluitende laag kan een keramische conforme laag zijn.
Het is echter tevens mogelijk om een niet-conforme laag aan te brengen. De anorganische lagen, waaronder de eerste niet-organische afsluitende laag kunnen zijn vervaardigd uit tranparante en niet-transparante keramische 5 materialen zoals metaalnitrides, metaaloxides, metaaloxinitrides, metaalcarbidee, metaaloxyborides of combinaties daarvan. Als voorbeelden voor metaal kan men denken aan aluminium, silicium, boron, zirconium, titanium, hafnium, tantalum, niobium en tungsten.
De eerste afsluitende laag kan bijvoorbeeld worden opgebracht 10 door vacuümdepositie, zoals bijvoorbeeld PVD, PECVD of dergelijke. De organische tussenlagen die in vloeibare vorm worden opgebracht kunnen polymeer bevatten, zoals bijvoorbeeld acrylaat, epoxy, fluorpolymer, ppx, organo-siliconen en dergelijke. Ook andere polymeren kunnen worden I toegepast. Andere voorbeelden zijn genoemd in het eerder genoemde I 15 Amerikaanse octrooi US-6,413,645 BI.
Na het opbrengen van een aantal combinaties van een I anorganische en een organische laag verdient het volgens een nadere
uitwerking van de uitvinding de voorkeur wanneer nog een laatste I
I anorganische laag wordt opgebracht voor het afsluiten van de bovenste I
I 20 organische laag van de buitenwereld. Het is echter tevens mogelijk dat een I
organische laag de laatste laag van het dunne-film-afsluitlaagsamenstel I
vormt. I
De uitvinding heeft tevens betrekking op een device voorzien van I
I microstructuren voorzien van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel I
I 25 vervaardigd volgens een werkwijze volgens de uitvinding. Daarbij kan het I
I device volgens een nadere uitwerking van de uitvinding een organic light I
I emitting diode (OLED) zijn, waarbij de OLED is voorzien van een I
microstructuur die paddo’s omvat. I
I De uitvinding zal thans nader worden verduidelijkt aan de hand I
I 30 van een uitvoeringsvoorbeeld onder verwijzing naar een tweetal foto's. I
I 1Qg.4·".»··_
» I
5
Figuur 1 toont een doorsnede van een gedeelte van een OLED; en
Figuur 2 toont een detail van de in figuur 1 weergegeven foto.
Figuur 1 toont een gedeelte van een OLED-device, waarbij op een substraat S een paddo 1 is aangebracht. De paddo 1 verschaft ondersneden 5 gebieden die het mogelijk maken om met behulp van een verticale depositietechniek geleidende banen op het substraat S aan te brengen die zijn onderbroken in de ondersneden gebieden van de paddo. Onder deze geleidende banen zijn functionele lagen 2 aangebracht, die in het onderhavige geval licht emitterende eigenschappen hebben. Deze 10 functionele lagen 2 zijn zeer gevoelig voor vocht en zuurstof en moeten derhalve worden afgeschermd van de omgeving. Daartoe dient het dunne· film-afsluitlaagsamenstel die in het onderhavige uitvoeringevoorbeeld is opgebouwd uit drie anorganische lagen 3, 5, 7 en twee organisch lagen 4,6. Duidelijk zichtbaar is, met name in het detail van figuur 2 dat de polymere, 15 organische lagen 4,6 niet overal dezelfde dikte hebben, maar in het ondersneden gebied onder de paddo 1 aanzienlijk dikker zijn. Dit is het gevolg van het feit dat de organische laag in vloeibare vorm is opgebracht, waarbij de viscositeit van de vloeistof zeer laag is gekozen, zodanig dat capillaire krachten welke in de nauwe ruimte onder de paddo heersen 20 ervoor zorgen dat vloeistof zich daar ophoopt. Duidelijk zichtbaar is in figuur 2 dat het ondersneden gebied na het opbrengen van twee polymere lagen volledig is opgevuld en dat er geen ondersneden gebied meer aanwezig is. Naarmate het verloop van de keramische lagen geleidelijker is, waarbij de keramische laag die is aangeduid met verwijzingscijfer 7 een zeer 25 geleidelijk verloop heeft zonder scherpe buigingen daarin, is de stabiliteit van een dergelijke laag groter. Doordat bovendien de polymere lagen zeer dun zijn, is de kans op delaminatie bijzonder gering. Slechts op de gebieden waar enige dikte vereist is voor het opvullen van holtes, groeven en dergelijke nauwe caviteiten, wordt deze extra dikte automatisch verkregen 1024090
I
I 6 I
I doordat de organische laag in vloeibare vorm met lage viscositeit wordt I
I op gebracht. I
I Na het opbrengen van een organische laag wordt het oplosmiddel I
I daaruit verdampt waarna de laag wordt uitgehard op de wijze zoals I
I 5 hierboven beschreven. Na het uitharden van een organische laag kan een I
keramische laag worden opgebracht met behulp van de technieken die I
I hierboven reeds zijn genoemd. I
I Voordat de eerste organische laag in vloeibare vorm wordt I
I opgebracht, wordt het device eerst afgeschermd met een eerste keramische I
I 10 laag 3. Dit verhindert dat de functionele laag 2 onder invloed van de I
vloeibare organische laag zou beschadigen. Bovendien hebben eventuele I
I luchtinsluitsels in de organische laag, hetgeen zich overigens nauwelijks zal I
I voordoen vanwege de zeer geringe dikte van de organische laag, minder snel I
I een nadelige invloed op de functionele lagen 2 doordat deze reeds zijn I
I 16 afgeschermd met de eerste keramische laag 3. Teneinde een goede I
I bescherming van de laatst opgebrachte organische laag 6 te bewerkstelligen, I
I wordt de laatst opgebrachte laag van het dunne-film-afsluitlaagsamenstel I
I gevormd door een keramische laag 7 die vocht· en zuurstofdicht ie. I
I Het moge duidelijk zijn dat de uitvinding niet is beperkt tot het I
I 20 beschreven uitvoeringsvoorbeeld. Ook ander devices kunnen op geschikte I
I wijze van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel worden voorzien. Daarbij I
kan worden gedacht aan bijvoorbeeld chips, LCD’s, en dergelijk devices die I
I zijn voorzien van microstructuren met scherpe hoeken, steile of zelfs I
I negatieve hellingen en ondersneden gebieden. I
I 25 I
I 1024090
Claims (17)
1. Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel (e. thin film barrier etack) op een device met microstructuren, zoals bijvoorbeeld een OLED, waarbij het dunne-film-afsluitlaagsamenstel een barrière vormt voor althans vocht en zuurstof 5 waarbij de stack is opgebouwd uit een combinatie van organische en niet-organische lagen, met het kenmerk, dat een eerste organische tussenlaag wordt aangebracht, waarbij de organische tussenlaag wordt aangebracht in vloeibare vorm, waarbij de viscositeit van de organische tussenlaagvloeistof zodanig laag is dat groeven, holtes en dergelijke nauwe caviteiten althans 10 ten dele worden opgevuld met de organische vloeistof onder invloed van capillaire krachten terwijl overige delen van het device slechts met een dunne laag van de organische vloeistof worden bedekt, zodanig dat een laag met variabele dikte wordt gevormd.
2 Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij eerst een eerste afsluitende 15 niet-organische laag wordt opgebracht voordat de eerste organische laag wordt opgebracht.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarbij de organische vloeistof wordt opgebracht door middel van spincoaten, sprayen, dompelen, condensatie of wedge coating.
4. Werkwijze volgens één der conclusies 1*3, waarbij de organische vloeistof een sterk is verdund in een oplosmiddel teneinde een lage viscositeit te verkrijgen.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, waarbij het oplosmiddel na het opbrengen van de laag door verdamping althans ten dele uit de organische 25 laag wordt verwijderd. 1024u^0 Η I 8 ι
6. Werkwijze volgens conclusie 5, waarbij na de althans gedeeltelijke I verwijdering van het oplosmiddel uit de organische laag, deze organische I laag wordt gepolymeriseerd en/of uitgehard.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij de polymerisatie en/of I 5 uitharding door middel van UV-bestraling, electronen* of ionen-bestraling, thermisch, chemisch of op dergelijke wijze wordt uitgevoerd.
8. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de de I niet-organische laag een keramische conforme laag (e. ceramic conformal I layer) is die de contouren van de microstructuren van het device in I 10 hoofdzaak volgt.
9. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de I eerste afsluitende laag een keramische laag (e. ceramic layer) is, zoals bijvoorbeeld een laag uit metaalnitrides, metaaloxides, metaaloxinitrides, metaalcarbidee, metaaloxyborides of combinaties daarvan.
10. Werkwijze volgens conclusie 9, waarbij het metaal aluminium, silicium, boron, zirconium, titanium, hafnium, tantalum, niobium of I tungsten is.
11. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de eerste afsluitende laag wordt opgebracht door vacuümdepositie, zoals I 20 bijvoorbeeld PVD, PECVD of dergelijke.
12. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de organische tussenlaag die in vloeibare vorm wordt opgebracht een polymeer bevat, zoals bijvoorbeeld acrylaat, epoxy, fluoropolymer.ppx, organo- siliconen en dergelijke. I 25
13. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij na het aanbrengen van een eerste anorganische laag en een organische laag op I bovenbeschreven wijze ten minste nog één volgende combinatie van een anorganische en een organische laag wordt opgebracht op een wijze zoals beschreven onder verwijzing naar de eerste anorganische en de eerste 30 organische laag. I 1024090_ « ·
14. Werkwijze volgens conclusie 13, waarbij na het opbrengen van de laatste combinatie van een anorganische en organische laag nog een laatste anorganische laag wordt opgebracht voor het afsluiten van de bovenste organische laag van de buitenwereld.
15. Device voorzien van microstructuren voorzien van een dunne-film- afsluitlaagsamenstel vervaardigd volgens een werkwijze volgens één der voorgaande conclusies.
16. Device volgens conclusie 15, waarbij het device een organic light emitting diode (OLED) ie.
17. Device volgens conclusie 16, waarbij de OLED ie voorzien van een microstructuur die paddo's omvat. 1024090
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1024090A NL1024090C2 (nl) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. |
| PCT/NL2004/000563 WO2005015655A1 (en) | 2003-08-12 | 2004-08-11 | Method for applying a thin film barrier stack to a device with microstructures, and device provided with such a thin film barrier stack |
| TW093124090A TW200511623A (en) | 2003-08-12 | 2004-08-11 | Method for applying a thin film barrier stack to a device with microstructures, and device provided with such a thin film barrier stack |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1024090 | 2003-08-12 | ||
| NL1024090A NL1024090C2 (nl) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1024090C2 true NL1024090C2 (nl) | 2005-02-15 |
Family
ID=34132419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1024090A NL1024090C2 (nl) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL1024090C2 (nl) |
| TW (1) | TW200511623A (nl) |
| WO (1) | WO2005015655A1 (nl) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US7648925B2 (en) | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| US7342356B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
| US20060063015A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
| JP4716773B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-07-06 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリアフィルムとそれを用いた有機デバイス |
| US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| CN108539047B (zh) * | 2018-05-11 | 2020-08-25 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜封装结构、显示屏及其制造方法、显示装置 |
| CN109728165B (zh) * | 2019-01-04 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板及其制作方法、显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711247A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ素子の封止方法およびこの封止方法により得られた発光装置 |
| US5650692A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Planar Systems, Inc. | Electroluminescent device construction employing polymer derivative coating |
| EP0809420A1 (en) * | 1995-02-06 | 1997-11-26 | Idemitsu Kosan Company Limited | Multi-color light emission apparatus and method for production thereof |
| EP1139453A2 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| US20010054867A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-12-27 | Hirofumi Kubota | Organic electroluminescence display panel and method of manufacturing the same |
| US6413645B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US20030085654A1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
| WO2003061346A1 (fr) * | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Seiko Epson Corporation | Structure d'etancheite a film fin possedant une propriete de barriere pour un element electronique, dispositif d'affichage, equipement electronique et procede de fabrication d'un element electronique |
-
2003
- 2003-08-12 NL NL1024090A patent/NL1024090C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-08-11 WO PCT/NL2004/000563 patent/WO2005015655A1/en active Application Filing
- 2004-08-11 TW TW093124090A patent/TW200511623A/zh unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711247A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ素子の封止方法およびこの封止方法により得られた発光装置 |
| EP0809420A1 (en) * | 1995-02-06 | 1997-11-26 | Idemitsu Kosan Company Limited | Multi-color light emission apparatus and method for production thereof |
| US5650692A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Planar Systems, Inc. | Electroluminescent device construction employing polymer derivative coating |
| EP1139453A2 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| US20010054867A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-12-27 | Hirofumi Kubota | Organic electroluminescence display panel and method of manufacturing the same |
| US6413645B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US20030085654A1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
| WO2003061346A1 (fr) * | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Seiko Epson Corporation | Structure d'etancheite a film fin possedant une propriete de barriere pour un element electronique, dispositif d'affichage, equipement electronique et procede de fabrication d'un element electronique |
| US20030164674A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-09-04 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 04 31 May 1995 (1995-05-31) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005015655A1 (en) | 2005-02-17 |
| TW200511623A (en) | 2005-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1024090C2 (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. | |
| JP4750339B2 (ja) | 封入されたマイクロ電子デバイス | |
| KR101843481B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조방법 | |
| US7651735B2 (en) | Orienting, positioning, and forming nanoscale structures | |
| US7305161B2 (en) | Encapsulated photonic crystal structures | |
| CN1204444C (zh) | 改进的有机发光二极管器件 | |
| US20100032775A1 (en) | Thin-film lid mems devices and methods | |
| US9966572B2 (en) | Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same | |
| KR20210153676A (ko) | 캐리어 기판을 구비하는 디스플레이를 제조하기 위한 방법, 이 방법에 따라 제조된 캐리어 기판, 그리고 유연한 디스플레이를 위해 의도된 커버 유리 | |
| TW200918181A (en) | Articles with super-hydrophobic and-or super-hydrophilic surfaces and method of formation | |
| CN107111984A (zh) | 无基板柔性显示器及其制造方法 | |
| US8192672B2 (en) | Method for producing a retention matrix comprising a functional liquid | |
| US20150255748A1 (en) | Low permeation gas ultra-barrier with wet passivation layer | |
| US20060159892A1 (en) | Barrier laminate for an electroluminescent device | |
| KR102236190B1 (ko) | 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법 | |
| KR102279446B1 (ko) | 시트, 무기물 적층 시트 및 그것을 이용하여 이루어지는 전자 디바이스 | |
| US11653526B2 (en) | Light extraction substrate of organic light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP7431795B2 (ja) | 環境保護されたフォトニック集積回路 | |
| ES2790836T3 (es) | Anillo de rodamiento para un elemento de rodamiento y procedimiento para producir un anillo de rodamiento | |
| US10037398B2 (en) | Pattern decomposition method for wiring patterns with chemoepitaxy based directed self assembly | |
| EP1647197A3 (fr) | Procédé de réalisation d'un gant de protection | |
| US11955585B2 (en) | Method for coating chips | |
| KR101930421B1 (ko) | 나노마이크로기반 회절광학소자 및 이의 형성방법 | |
| CN109411630B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
| CN104465409A (zh) | 图案化薄层通过旋涂在基板上的沉积 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20080301 |