JP7269050B2 - 表示装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 91
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 44
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 417
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 49
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 41
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
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- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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Description
1.全体構成
本発明の一実施形態の表示装置100の模式的上面図を図1に示す。図1に示すように、表示装置100は基板102を有し、その上に複数の画素104が設けられる。複数の画素104を包含する単一の領域、およびこれを取り囲む領域がそれぞれ基板102の表示領域106と周辺領域として定義される。
2-1.画素回路
各画素104には、表示素子130を含む画素回路が設けられる。画素回路は走査線駆動回路108や信号線駆動回路110などによって駆動される。これにより、表示素子130の動作が制御され、その結果、画像を表示領域106上に表示することが可能となる。以下、表示素子130として発光素子を用いる例を用いて画素回路を説明する。
隣接する二つの画素104の断面模式図を図3に示す。図3には、表示素子130と、これに接続される保持容量140、駆動トランジスタ150、付加容量170が図示されている。
3-1.構造
図4に、表示装置100の四隅の構造の模式的上面図を示す。この図では、表示素子130やパッシベーション膜230、樹脂膜240などの構成は省略されている。以下に詳細に述べるように、表示装置100は、表示領域106を囲む少なくとも一つのガイド260、および複数のダム250を有している。図4に示した例では、四つのダム(第1のダム250-1、第2のダム250-2、第3のダム250-3、第4のダム250-4)と四つのガイド(第1のガイド260-1、第2のガイド260-2、第3のガイド260-3、第4のガイド260-4)を有する例が示されている。各ガイド260は複数の絶縁膜(以下、ガイド絶縁膜)262を含む。具体的には、第1のガイド260-1、第2のガイド260-2、第3のガイド260-3、第4のガイド260-4はそれぞれ、複数の第1のガイド絶縁膜262-1、複数の第2のガイド絶縁膜262-2、複数の第3のガイド絶縁膜262-3、複数の第4のガイド絶縁膜262-4を含むように構成される。以下、これらの構造を詳細に説明する。
表示領域106に対して端子112と反対側に位置する領域118-1(図1参照)の上面模式図を図5に、図5の鎖線A-A´に沿った断面模式図を図6に示す。これらの図には、周辺領域、および周辺領域に近接する画素104の一部が示されている。
表示装置100の長辺の一部を含む領域118-2(図1参照)の上面模式図を図7に、図7の鎖線B-B´に沿った断面模式図を図8に示す。これらの図には、周辺領域、および周辺領域に近接する画素104の一部が示されている。以下、領域118-1と同一、または類似する構成については説明を割愛することがある。
表示領域106の端子112側に位置する領域118-3(図1参照)の上面模式図を図9に、図9の鎖線C-C´に沿った断面模式図を図10に示す。これらの図には、周辺領域、および周辺領域に近接する画素104の一部が示されている。以下の説明においても、領域118-1、118-2と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
図4に示すように、各ガイド260は、平坦化膜220に含まれる有機化合物を含有する複数のガイド絶縁膜262によって構成される。ガイド絶縁膜262は、最長辺が表示領域106に向くように配置される。すなわち、ガイド絶縁膜262の各々は、そのガイド絶縁膜262に最も近い表示領域106の一つの辺が延伸する方向に対し、最長辺が垂直、あるいは実質的に垂直になるように配置される。
上述したように、有機膜234や樹脂膜240を湿式成膜法を適用して形成する場合、吐出・塗布された原料液が第1の無機膜232、あるいは第2の無機膜236上で広がる。原料液の量、粘性、および第1の無機膜232や第2の無機膜236に対する親和性を適切に制御することにより、原料液は該当するダム250によって確実に堰き止められ、その結果、有機膜234や樹脂膜240の位置や形状を制御することができる。
各ガイド260におけるガイド絶縁膜262の配置や形状は、上述したそれらに限られない。ガイド絶縁膜の配置や形状の他の例を図15(A)から図15(D)に示す。
本実施形態では、ガイド絶縁膜262の配置が、第1実施形態で述べた表示装置100のそれと異なる表示装置に関して説明する。第1実施形態と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
本実施形態の表示装置と表示装置100の相違点の一つは、各ガイド260のガイド絶縁膜262の最長辺が、ガイド絶縁膜262に最も近い表示領域106(あるいは基板102)の辺が延伸する方向に平行、あるいは実質的に平行である点である。具体的な例を領域118-1の上面模式図(図16)、および図16の鎖線E-E´に沿った模式的断面図(図17)に示す。図16に示すように、各ガイド260において、複数のガイド絶縁膜262は千鳥配置を取る。したがって、一つのガイド260において、複数のガイド絶縁膜262はガイド260の延伸方向に沿って二列に配列し、隣接するガイド絶縁膜262の重心を結ぶ線はジグザグ構造を取る(図16、図17)。一つの列に着目すると、隣接するガイド絶縁膜262間の距離は、ガイド絶縁膜262の最長辺の長さよりも短い。また、基板102の主面に平行な方向(矢印292の方向)において観察した場合、一方の列の隣接するガイド絶縁膜262の間は、他方の列のガイド絶縁膜262によって塞がれる。その他の構成は表示装置100のそれと同一であるので、説明は割愛する。
本実施形態において、各ガイド260におけるガイド絶縁膜262の配置や形状は、上述したそれらに限られない。例えば図20(A)に示すように、二列に配列した複数のガイド絶縁膜262を備え、一方の列を形成するガイド絶縁膜262は一体化されて表示領域106を囲む一本の絶縁膜となるように各ガイド260を構成してもよい。この場合、各ガイド260において、一本の絶縁膜として形成されるガイド絶縁膜262が、他の列を形成する複数のガイド絶縁膜262よりも表示領域106に近くてもよく、遠くてもよい。
本実施形態では、ガイド絶縁膜262の配置や形状が、第1、第2実施形態で述べたそれらと異なる表示装置に関して説明する。第1、第2実施形態と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
本実施形態では、第1実施形態で述べた表示装置100の製造方法について、図6、および図23(A)から図27を用いて説明する。図23(A)から図27は、図6に対応する断面模式図である。第1から第3実施形態と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
図23(B)に示すように、第2の層間膜218をエッチング加工し、第1の接続配線138と低電位電源線184との電気的接続のための開口を第2の層間膜218に形成する。その後、この開口を覆うように、第2の層間膜218上に第1の接続配線138を形成する(図23(C))。第1の接続配線138は、スパッタリング法や化学気相堆積(CVD)法などを適用して形成することができる。
引き続き、平坦化膜220と第2の層間膜218に形成された開口を覆うように接続パッド224を、平坦化膜220の上面の一部を覆うように付加容量電極172が形成される。これらもCVD法やスパッタリング法を適用して形成することができる。この時、同時に端子112において配線122を保護する保護導電膜124を形成してもよい(図10参照)。
CVD法を利用し、第1の無機膜232を基板102のほぼ全面に形成する。これにより、表示素子130のみならず、ダム250が第1の無機膜232によって覆われる(図26(B))。
引き続き、樹脂膜240を形成する(図27)。樹脂膜240も、原料液をインクジェット法や印刷法を利用して形成する。表示装置100には複数のガイド絶縁膜262を有するガイド260が少なくとも一つ、周辺領域に設けられる。このため、第1から第3実施形態で述べた機構が働き、樹脂膜240の形状や位置を精密に制御することができる。ここで示した例では、樹脂膜240は第1のガイド絶縁膜262-1から第3のガイド絶縁膜262-3、第1のダム250-1、および第2のダム250-2を覆い、第3のダム250-3の一部と重なるように設けられる。
Claims (9)
- 表示領域、および前記表示領域を囲む周辺領域を有する基板、
前記表示領域上のトランジスタ、
前記トランジスタ上に位置し、前記トランジスタを覆う平坦化膜、
前記平坦化膜上に位置し、前記トランジスタと電気的に接続される表示素子、
前記周辺領域上に位置し、前記表示領域を囲む第1のダム、
前記周辺領域上に位置し、前記第1のダムを囲む第2のダム、
前記平坦化膜と前記第1のダムとの間、および前記第1のダムと前記第2のダムの間の少なくともいずれかに位置するガイドを備え、
前記ガイドは、前記平坦化膜に含まれる第1の有機化合物を含み、
前記ガイドは、複数のガイド絶縁膜を有し、
前記平坦化膜と前記第1のダムとの間に位置する前記複数のガイド絶縁膜は、前記第1のダムと前記平坦化膜の少なくとも一方から離隔し、
前記第1のダムと前記第2のダムの間に位置する前記複数のガイド絶縁膜は、前記第1のダムと前記第2のダムの少なくとも一方から離間し、
前記複数のガイド絶縁膜の高さは、前記第1のダムの高さ、および前記第2のダムの高さよりも小さい、表示装置。 - 前記複数のガイド絶縁膜は、最長辺が前記表示領域へ向くように配置される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記複数のガイド絶縁膜は、それぞれの最長辺が、前記最長辺から最も近い前記表示領域の辺に対して平行になるように配置される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記複数のガイド絶縁膜は、前記表示領域の前記辺に平行な方向において千鳥配置される、請求項3に記載の表示装置。
- 前記ガイドは、前記平坦化膜と前記第1のダムとの間、および前記第1のダムと前記第2のダムの間に位置し、
前記平坦化膜と前記第1のダムとの間の前記複数のガイド絶縁膜の最長辺が延伸する第1の方向は、前記第1のダムと前記第2のダムの間の前記複数のガイド絶縁膜の最長辺が延伸する第2の方向と異なる、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の方向は前記表示装置に向き、
前記第2の方向は、前記最長辺から最も近い前記表示領域の辺に対して平行である、請求項5に記載の表示装置。 - 前記表示領域上に隔壁をさらに有し、
前記表示素子は画素電極を有し、
前記隔壁は前記画素電極の端部を覆い、
前記第1のダムと前記第2のダムのそれぞれは、前記第1の有機化合物を含む第1の層、および前記第1の層上に位置し、前記隔壁に含まれる第2の有機化合物を含む第2の層を備える、請求項1に記載の表示装置。 - 基板上にトランジスタを形成すること、
第1の樹脂を前記トランジスタを覆うように形成すること、
前記第1の樹脂を加工することにより、前記トランジスタ上の平坦化膜、前記平坦化膜を囲むガイド、前記ガイドを囲む第1のダム、および前記第1のダムを囲む第2のダムを形成すること、ならびに
前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成することを含み、
前記ガイドは、前記第1の樹脂から形成される複数のガイド絶縁膜を含み、
前記平坦化膜と前記第1のダムとの間に位置する前記複数のガイド絶縁膜は、前記第1のダムと前記平坦化膜の少なくとも一方から離隔するように形成され、
前記第1のダムと前記第2のダムの間に位置する前記複数のガイド絶縁膜は、前記第1のダムと前記第2のダムの少なくとも一方から離間するように形成され、
前記複数のガイド絶縁膜の高さは、前記第1のダムと前記第2のダムの高さよりも小さい、表示装置の製造方法。 - 前記第1の樹脂の前記加工は、
透光部、遮光部、および半透光部を有するフォトマスクを、前記半透光部によって覆われる第1の領域が前記トランジスタから離隔しつつ前記トランジスタを囲むように、かつ、前記遮光部によって覆われる領域が前記第1の領域を囲むように第1の樹脂上に配置すること、
前記フォトマスクを介して前記第1の樹脂に光照射を行うこと、
前記第1の樹脂を現像することを含む、請求項8に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019054990A JP7269050B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
PCT/JP2020/004110 WO2020195181A1 (ja) | 2019-03-22 | 2020-02-04 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
US17/474,749 US20210408480A1 (en) | 2019-03-22 | 2021-09-14 | Display device and manufacturing method of the display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019054990A JP7269050B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020154235A JP2020154235A (ja) | 2020-09-24 |
JP2020154235A5 JP2020154235A5 (ja) | 2022-03-30 |
JP7269050B2 true JP7269050B2 (ja) | 2023-05-08 |
Family
ID=72558908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019054990A Active JP7269050B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210408480A1 (ja) |
JP (1) | JP7269050B2 (ja) |
WO (1) | WO2020195181A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210107218A (ko) * | 2020-02-21 | 2021-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 가요성 표시 장치 |
CN117425368A (zh) * | 2022-07-08 | 2024-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2024134878A1 (ja) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012003989A (ja) | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2012253036A (ja) | 2002-01-15 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
US20160204373A1 (en) | 2015-01-14 | 2016-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
JP2017147165A (ja) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2018179035A1 (ja) | 2017-03-27 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2019012680A1 (ja) | 2017-07-14 | 2019-01-17 | シャープ株式会社 | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置 |
-
2019
- 2019-03-22 JP JP2019054990A patent/JP7269050B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-04 WO PCT/JP2020/004110 patent/WO2020195181A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-09-14 US US17/474,749 patent/US20210408480A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012253036A (ja) | 2002-01-15 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2012003989A (ja) | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
US20160204373A1 (en) | 2015-01-14 | 2016-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
JP2017147165A (ja) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2018179035A1 (ja) | 2017-03-27 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2019012680A1 (ja) | 2017-07-14 | 2019-01-17 | シャープ株式会社 | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020154235A (ja) | 2020-09-24 |
US20210408480A1 (en) | 2021-12-30 |
WO2020195181A1 (ja) | 2020-10-01 |
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