TWI757761B - 有機發光二極體裝置 - Google Patents
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Abstract
一種有機發光二極體裝置可具有用於防止濕氣從外部滲透的增強的薄膜封裝層。薄膜封裝層可具有一或多個無機層及一或多個有機層交替層疊於其中的多層結構。屏障可形成在有機發光二極體形成於其上的基板的部分的外部。薄膜封裝層的有機層可被形成在藉由屏障定義的區域的內部。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年2月7日向韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2013-0013832之優先權，其全部內容於此併入作為參考。
本揭露係關於一種具有用於防止濕氣從外部滲透的改善的封裝結構的有機發光二極體裝置及其製造方法。
有機發光二極體裝置具有有機發光二極體單元因氧氣或濕氣滲透而惡化的特性。因此，為了避免氧氣或濕氣從外部滲透，用於密封並保護有機發光二極體單元的封裝結構被典型地使用。
作為封裝結構，藉由有機層及無機層交替層疊的多層結構覆蓋有機發光二極體單元的薄膜封裝結構已被廣泛採用。有機發光二極體單元是藉由在基板的有機發光二極體單元上交替層疊的有機及無機層來密封。
有機層用於提供平板顯示器可撓性，且無機層用於避免氧氣或濕氣滲透。因此，為了避免氧氣或濕氣從外部滲透，有機層係位在內部相鄰於有機發光二極體單元，且無機層係位在有機發光二極體單元的外部。
然而，有機層係藉由在單體沈積之後因暴露在紫外光而固化的單體或類似物形成，且為了沈積單體，一般使用急驟蒸發(flash evaporation)法。當蒸發的單體被沈積，一些單體進入遮罩的下部且因此可能被沈積在不需沈積的區域。由於所沈積的區域是僅需沈積無機層的區域，當有機層存在此區域時，附著力下降且因此可能產生脫落問題，且更進一步的，可能造成濕氣及氧氣從外部滲透且因此可能發生暗點缺陷。
本揭露已致力提供一種有機發光二極體裝置，其包含藉由形成避免單體流入遮罩的下部使得沈積僅在需要沈積的區域內實行的屏障而具有增強的黏合力且避免濕氣及氧氣從外部滲透的薄膜封裝層，以及前述有機發光二極體裝置之製造方法。
本揭露的一個實施例提供了一種有機發光二極體裝置，包含：基板；形成在基板之一部分上的有機發光二極體單元；以及形成以覆蓋有機發光二極體單元的薄膜封裝層，其中薄膜封裝層具有其中一或多個無機層及一或多個有機層交互層疊之多層結構，屏障形成在基板上之該部分上之有機發光二極體單元之外部，且薄膜封裝層之一或多個有機層形成在藉由屏障定義之區域內。
有機發光二極體單元可包含第一電極、有機發光層、以及第二電極依序地形成在基板之該部分上。
無機層及有機層之數量可分別在2至20層之間。
屏障之高度可等於或小於薄膜封裝層之一或多個無機層位在離有機發光二極體最遠的其中之一無機層的高度。
形成屏障之材料可為有機材料或無機材料，且詳細地說，可以是包含一或多個：光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚亞醯胺樹脂、以及丙烯酸樹脂之有機材料，或包含矽化合物的無機材料。
本揭露的另一實施例提供了一種有機發光二極體裝置的製造方法，方法包含：製備基板；在基板之一部分上形成有機發光二極體單元；形成屏障以間隔在基板的部分上的有機發光二極體單元；以及形成薄膜封裝層以覆蓋有機發光二極體單元，其中薄膜封裝層之形成包含在藉由屏障定義的區域內形成複數個無機層及形成複數個有機層。
有機發光二極體之形成可包含在基板之部分上形成絕緣層；在絕緣層上形成第一電極之圖樣；形成像素定義層使得圖樣化之第一電極藉由一像素單元劃分；在第一電極上形成有機發光層；以及在有機發光層上形成第二電極，其中屏障之形成可與像素定義層之形成同時的實行。
複數個無機層的形成及複數個有機層的形成可分別交替的進行2至20次。
屏障之高度可等於或低於複數個無機層位在離有機發光二極體單元最遠之無機層之高度。
形成屏障之材料可為有機材料或無機材料，且詳細地說，可以是包含：光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚亞醯胺樹脂、以及丙烯酸樹脂至少其中之一之有機材料，或包含矽化合物的無機材料。
在根據本揭露實施例的有機發光二極體裝置中，由於藉由形成屏障以防止單體流入遮罩的下部，沈積僅在需要沈積的區域中實行，這能夠改善黏合力且避免濕氣及氧氣從外部滲透。
此外，由於在產品設計過程中藉由僅在所需沈積的區域中實行沈積使閒置區(dead space)減少並改善，對加強產品競爭力是有利的。
此外，由於根據本揭露的屏障可藉由相同於當像素定義層形成的材料及遮罩來形成，不需額外的製程及材料。
上述發明內容僅是說明性的，並不意在以任何方式進行限制。除了上述說明性的態樣、實施例、及特徵，進一步的態樣、實施例、及特徵將藉由參考附圖及以下的詳細說明變得顯而易見。
下文中，本揭露的特定實施例將參考附圖詳細描述。
雖然本揭露可藉由數個實施例進行修改及實施，特定實施例係在附圖中示出且將在本說明書中重點描述。然而，本揭露之範疇並非限制於特定實施例，且應該理解的是，在本揭露的精神及範疇中包含的所有變更、等效物、及替換係包含在本揭露的範疇內。
在本揭露中使用的用語係選自現今被廣泛使用的用語，但在某些情況下，存在由申請人任意選擇的用語，且在這種情況下，其意義應藉由考量所揭露或在本揭露的描述中使用的意義來理解。
與本說明書無關的部分係省略以具體的描述本揭露，且在通篇說明書中類似的元件符號代表類似的元件。此外，在附圖中，各元件的尺寸及厚度為了方便而任意地描述，且本揭露並不一定限制於附圖中所示。
在附圖中，層及區域的厚度為了清楚而被放大。在附圖中，某些層及區域的厚度可為了方便描述而被誇大。其將被理解的是，當元件如層、膜、區域、或基板被提及是「在」另一元件「上（on）」，其可直接在其他元件上或也可存在中間元件。
第1圖係為示出有機發光二極體裝置的結構的示意圖。
如第1圖所示，有機發光二極體裝置包含基板10；形成在基板10上的有機發光二極體單元20；及形成以覆蓋有機發光二極體單元20的薄膜封裝層30。
如第2圖所示，有機發光二極體單元20具有絕緣層21、第一電極22、像素定義層23、發光層24、及第二電極（未示出）依序的形成在基板10上的結構。此外，有機發光二極體裝置可被劃分成發光區(emission space)E及閒置區(dead space)D，在第3圖中簡單的示出。
請復參考第1圖，薄膜封裝層30具有無機層31及33以及有機層32交替的層疊的結構。
有機層32主要是提供平板顯示器可撓性，且無機層31及33作為防止氧氣或濕氣滲入。因此，為了防止氧氣或濕氣從外部滲透，有機層32位在內部相鄰於有機發光二極體單元，且無機層31及33係位在有機發光二極體單元的外部。
然而，有機層係藉由在單體沈積之後將單體或類似物暴露於紫外光以固化單體而形成，且為了沈積單體，一般使用急驟蒸發(flash evaporation)法。當蒸發的單體被沈積時，一些單體流入遮罩的下部且因此一些單體32’可能被沈積在不需沈積的區域中。由於所沈積的區域是僅需沈積無機層31及33的區域，當有機層32存在此區域，附著力下降且因此可能發生脫落問題，且更進一步的，可能造成濕氣及氧氣從外部滲透且因此可能出現暗點缺陷。
為了解決這些問題，本揭露提供一種包含具有加強的附著力且避免濕氣及氧氣從外部滲透的薄膜封裝層的有機發光二極體裝置，且藉由形成防止單體從遮罩下部流入使得沈積僅在所需的區域中被實行的屏障來避免濕氣及氧氣從外部滲透，及其之製造方法。
第4圖係為根據本揭露的實施例示意性地示出有機發光二極體裝置的結構的剖視圖。
如第4圖所示，根據本揭露的實施例的有機發光二極體裝置包含基板100；形成在基板100上的有機發光二極體單元200；及形成以覆蓋有機發光二極體單元的薄膜封裝層300，其中薄膜封裝層300具有一或多個無機層310及330及至少一有機層320交替層疊的多層結構。有機發光二極體裝置也包含形成以與有機發光二極體單元200間隔隔開的屏障400，屏障400形成在基板100上的有機發光二極體單元200的外部，且薄膜封裝層300的有機層320係形成在屏障400內部。
基板100可為玻璃基板或透明塑膠基板，其具有優異的機械強度、熱穩定性、透明度、表面平滑性、可處理性、及防水性。雖然未示於第4圖中，基板100可以進行各種修改，且例如，平坦化層、絕緣層、及類似物可被進一步提供在基板100上。
參考第5圖，有機發光二極體單元200係提供在基板100之上。有機發光二極體單元200包含依序形成的絕緣層210、第一電極220、像素定義層230、有機發光層240、及第二電極（未示出）。
此外，在第5圖中，為了簡化描述，半導體裝置並非個別的描述而被省略，但半導體裝置可被設置在基板100及絕緣層210之間。半導體裝置的範例包含薄膜電晶體（thin film transistor, TFT)，其包含閘極、源極、及汲極。
在第一電極是正極的情況下，第一電極220可與薄膜電晶體的汲極電性耦接。半導體裝置可藉由形成薄膜電晶體的一般方法形成。因此，省略形成半導體裝置或薄膜電晶體的詳細方法的描述。
如第5圖中所示，絕緣層210係設置在基板100上。
在包含開關元件、接點、焊墊、接點、電極、導電圖樣、絕緣圖樣、及其類似物的下部結構提供在基板上的情況下，絕緣層210可具有足夠覆蓋下部結構的厚度。
絕緣層210可形成在單一結構中，但可被形成在包含二或多個絕緣層的多層結構中。
對了改善形成在基板上的絕緣層210的平坦化程度，可在基板上進行平坦化製程。例如，基板可藉由在基板上施加化學機械研磨（chemical mechanical polishing, CMP）製程、反蝕刻(etch-back)製程及類似製程而具有平坦的上表面。
根據本揭露的實施例，絕緣層210可包含有機材料。例如，絕緣層210可包含選自光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚亞醯胺樹脂、以及丙烯酸樹脂聚醯胺聚合物，矽氧烷聚合物，含有感光性丙烯酸羧基的聚合物，酚醛清漆樹脂，或鹼顯影性樹脂的材料。這些材料可單獨或以其組合使用。
根據本揭露另一實施例，絕緣層可藉由使用無機材料如矽化合物、金屬、或金屬氧化物而形成。例如，絕緣層210可具有選自矽氧化物（SiOx
）、矽氮化物（SiNx
）、矽氮氧化物（SiOx
Ny
）、矽碳氧化物（SiOx
Cy）、矽碳氮化物（SiCx
Ny）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鋅（Zn）、鉿（Hf）、鋯（Zr）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、鋁氧化物（AlOx
）、鈦氧化物（TiOx
）、鉭氧化物（TaOx
）、鎂氧化物（MgOx
）、鋅氧化物（ZnOx
）、鉿氧化物（HfOx
）、鋯氧化物（ZrOx
）和鈦氧化物（TiOx
）的材料。這些材料可單獨或以其組合使用。
絕緣層210可根據構成材料藉由使用旋塗製程、印刷製程、濺鍍製程、化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）製程、原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）製程、離子增強化學氣相沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD）製程、高密度電漿化學氣相沈積（high density plasma-chemical vapor deposition, HDP-CVD）製程、真空沈積製程、及其類似方法形成在基板上。
第一電極220形成在絕緣層210上。第一電極220可以藉由使用真空沈積製程、濺鍍製程、或類似的製程形成，且可為陰極或陽極。第一電極220可以是透明電極，半透明電極或反射電極，並且可以藉由使用氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化錫（SnO）、氧化鋅（ZnO）、鋁、銀、鎂等形成，但不限於此。此外，第一電極220可以進行各種修改，且例如，可以藉由使用兩種或更多種不同的材料而具有兩層或更多層的結構。
接著，像素定義層230係形成在絕緣層210及第一電極220上。像素定義層230可藉由使用有機材料、無機材料、或其類似物形成。例如，像素定義層230可包含選自如光阻劑、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、及丙烯酸類樹脂的有機材料，或如矽化合物的材料的無機材料。
第二電極（未示出）可藉由使用真空沈積法、濺鍍法、或類似方法形成，且可為陰極或陽極。用於形成第二電極的金屬可使用具有低功函數金屬，合金、導電性化合物、及其混合物。金屬的詳細範例可包含鋰（Li）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鋁-鋰（Al-Li）、鈣（Ca）、鎂-銦（Mg-In）、鎂-銀（Mg-Ag）等及其類似物。此外，此外，第二電極可以進行各種修改，且例如，可以藉由使用兩種或更多種不同的材料而具有兩層或更多層的結構。
有機發光層240係提供在第一電極210及第二電極(未示出)之間。有機發光層240可包含習知的發光材料。有機發光層240可包含習知的主體如Alq3、4,4'-N，N'-二咔唑-聯苯（4,4’-N,N’-dicarbazole-biphenyl, CBP）、聚（n-乙烯基咔唑）（poly(n-vinylcarbazole), PVK）、及苯乙烯基亞芳基（distyrylarylene, DSA），及習知的摻質如紅色摻質，如PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、及DCJTB，綠色摻質如Ir(ppy)3(ppy=苯啶)、Ir(ppy)2(acac)及Ir(mpyp)3、藍色摻質，如F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、及三芴(ter-fluorene)，但不限於此。
同時，雖然第5圖中未詳細示出，選自除了有機層240以外之電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、及電子注入層的一或多層可進一步被包含在第一電極210及第二電極之間。電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、及電子注入層可藉由使用習知的材料及習知的方法形成。
參考第4圖，薄膜封裝層300係提供以覆蓋有機發光二極體單元200且包含第一無機層310、第一有機層320、及第二無機層330。
薄膜封裝層300可以無機層及有機層分別以2至20層交替層疊的多層結構形成，但有機層及無機層分別的數量不在此限。
參考第4圖及第5圖，屏障400係形成以與有機發光二極體單元200間隔隔開，且在基板100上的有機發光二極體單元200的外部。
屏障400與有機發光二極體單元200間隔隔開以在閒置區D中形成，且薄膜封裝層300的第一有機層320係形成在屏障內部使得用於形成有機層的單體可僅被沈積在所需位置。
屏障400是在當像素定義層230形成時形成。因此，不需額外製造分離遮罩，且用於形成屏障400的材料可與用於形成像素定義層230的材料相同。用於形成屏障400的材料可包含選自如光阻劑、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、及丙烯酸類樹脂的有機材料，或如矽化合物的材料的無機材料。
根據本揭露，屏障400可不限於位置、形狀、尺寸、及數量來形成。
屏障400可被設置在閒置區D的任何位置，但可被放置鄰近發光區E以改善閒置區D。此外，屏障400的形狀可以所需的形狀如四角形、圓形、三角形、或類似形狀形成。
關於屏障400的尺寸，高度可為薄膜厚度或小於薄膜厚度因為被薄膜的厚度影響，且寬度可為閒置區D的寬度因為被閒置區D影響。
根據本揭露的實施例，屏障400的高度可相當於或高於薄膜封裝層300的最上方有機層的高度。此外，根據另一實施例，屏障400的高度可相當於或低於薄膜封裝層300的最上方無機層的高度。
此外，屏障400可被形成在四邊、兩邊、或所需的位置，因為屏障400僅藉由在像素定義層遮罩上以所需形狀進行圖樣化來形成。
第4圖及第5圖對應於單一屏障400形成在閒置區D的結構的例子且具有屏障400在如第6圖所示的四邊形成為單一屏障400的結構，如第6圖中所示。在第4圖中，無機層及有機層係一層接一層的交替形成，但無機層及有機層的數量可為複數的。屏障400的高度係根據層數來控制。
如上所述，藉由數層有機層及無機層交替層疊形成的薄膜封裝層及根據層數控制屏障的高度的範例係在第7圖中示出。
在第7圖中示出的有機發光二極體裝置的封裝層300包含第一無機層310、第一有機層320、第二無機層330、第二有機層340、及第三無機層350。在第7圖中，包含三個無機層及二個有機層的封裝層300如範例所示，但根據本揭露的有機發光二極體裝置可包含以更多層或較少層的有機層及無機層交替層疊於其中的封裝層。
在第7圖中，形成第一有機層320的及形成第二有機層340的第二有機材料可彼此相同或不同。為了便於描述，此處，形成第一有機層320的第一有機材料係描述作為範例，但形成封裝層300的其他有機層可由下列有機材料製成。
形成第一有機層320的第一有機材料可包含一或多個選自丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、纖維素樹脂、苝樹脂、以及其他的聚合物材料所組成群組的材料。
丙烯酸樹脂的範例包含丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯、或類似物，甲基丙烯酸樹脂的範例包含丙烯乙二醇甲基丙烯酸酯、四氫過呋喃甲基丙烯酸酯、或類似物，乙烯基樹脂的範例包含乙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、或類似物，環氧樹脂的例子包含脂環族環氧化物、環氧丙烯酸酯、乙烯基環氧類樹脂、或類似物，在聚氨酯樹脂的範例包含聚氨酯丙烯酸酯或類似物，及纖維素樹脂的例子包括硝酸纖維素或類似物，但本發明並不限於此。
類似的，形成第一無機層310的第一無機材料、形成第二無機層330的第二無機材料、及形成第三無機層350的第三無機材料可彼此相同或不同。為了方便描述，形成第一無機層310的無機材料係描述作為範例，但形成封裝層300的其他無機層可由下列的無機材料製成。
形成第一無機層310的第一無機材料可為一或多個選自氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰、及氮氧化矽（SiON）所組成群組的材料。
第8圖示出本揭露的另一實施例，其中屏障400具有虛線形狀。如第4圖及第5圖中所示，屏障係藉由在四邊上的單一屏障形成，且以虛線形狀形成的結構的範例係在第8圖中示出。
在第6圖及第8圖中，示出屏障400形成為分別具有直線形狀及虛線形狀的單一屏障的範例，但如上述，屏障400的形狀可以各種形狀如圓形、四角形、三角形、及類似物形成。
第9圖根據本揭露再一實施例示意性的示出有機發光二極體裝置的結構，其中屏障400的數量為二個。
如第9圖所示，二個屏障400可被形成。二個屏障係在當有機發光二極體單元200形成時形成，有機發光二極體單元200係在當像素定義層230形成時形成。之後，薄膜封裝層300的第一無機層310係形成以覆蓋有機發光二極體單元200，且第一無機層310係透過基板100的上側沈積在除了屏障400以外之處。接著，第一有機層320係形成在較靠近於發光區E的二屏障其中之一之內，且第二無機層330係形成以覆蓋第一有機層320及二屏障400。
如第10圖及第11圖所示，根據本揭露的再一實施例的有機發光二極體裝置包含形成在閒置區D的二個屏障400。二個屏障係示出作為範例，但屏障的數量並不特別限制，且可在不超過閒置區D的範圍內。
在第11圖中的雙層屏障400係以直線形狀形成，但雙層屏障可具有如第8圖中所示的虛線形狀且可以各種形狀如圓形、三角形、及類似物形成。
根據本揭露的有機發光二極體裝置的製造方法的實施例包含形成基板；在基板上形成有機發光二極體：形成屏障以與二極體單元間隔隔開，且在基板上的有機發光二極體單元的外部；及形成薄膜封裝層以覆蓋有機發光二極體單元，其中薄膜封裝層的形成包含形成無機層；及形成有機層，且在有機層的形成中，有機層係形成在屏障之內。
根據本揭露的實施例的有機發光二極體裝置的製造方法將參考第4圖及第5圖在以下更詳細的描述。
首先，有機發光二極體單元200係形成在基板100上。
有機發光二極體單元200的形成包含在基板100上形成絕緣層210；在絕緣層210上形成第一電極220的圖樣；形成像素定義層230使得圖樣化的第一電極220係藉由像素單元劃分；在藉由像素單元劃分的第一電極220上形成有機發光層240；及在有機發光層上形成第二電極（未示出）。
形成有機發光二極體單元200的第一電極220、有機發光層240、及第二電極（未示出）的方法可藉由如使用沈積、濺鍍、塗佈法實行。除了有機發光層240，一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層可形成在第一電極210及第二電極（未示出）之間。
根據本揭露，屏障400的形成係與像素定義層230的形成同時進行。
屏障400可不需分離遮罩的額外製程而形成，且是因為屏障400係在用於形成像素定義層的遮罩被製造時，藉由在閒置區中增加用於屏障的圖樣而形成。
屏障400可藉由使用相同於用於形成像素定義層230的材料形成。用於形成屏障400的材料可包含選自如光阻劑、聚丙烯酸類樹脂、聚亞醯胺類樹脂、以及丙烯酸類樹脂的有機材料，或如矽化合物的無機材料。
屏障400可不受位置、形狀、尺寸、及數量的具體的限制而形成。屏障400可設置在閒置區D中的任何位置，但可靠近發光區E放置以改善閒置區D。此外，屏障400的形狀可以所需的形狀如四角形、圓形、三角形、及類似形狀形成。
關於屏障400的尺寸，高度可受薄膜的厚度所影響而為薄膜的厚度或更薄，且寬度可受閒置區D所影響而為閒置區D的寬度或更窄。
根據本揭露的實施例，屏障400的高度可相當於或高於薄膜封裝層300的最上方有機層的高度。此外，根據另一實施例，屏障400的高度可相當於或低於薄膜封裝層300的最上方無機層的高度。
在有機發光二極體單元200形成在基板100上之後，薄膜封裝層300係形成以覆蓋有機發光二極體單元200。薄膜封裝層300的形成包含形成無機層；及形成有機層，且具有多層結構的薄膜封裝層可藉由交替的實行無機及有機層的形成2至20次來形成。
如第4圖中所示，第一無機層310係形成以覆蓋在具有有機發光二極體單元200的基板100上的有機發光二極體單元200。第一無機層310係藉由在整個基板100除了屏障400以外的位置執行沉積而形成。
形成第一無機層310的材料可為一或多個選自氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氮氧化矽（SiON）所組成群組的材料。
此後，第一有機層320及第二無機層330係依序的形成在第一無機層310上。
形成第一有機層320的材料可包含一或多個選自丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、纖維素樹脂、苝樹脂、及其他聚合物所組成群組的材料。
丙烯酸樹脂的範例包括丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯、或類似物，甲基丙烯酸樹脂的範例包括丙烯乙二醇甲基丙烯酸酯，四氫過呋喃甲基丙烯酸酯、或類似物，乙烯基樹脂的範例包括乙酸乙烯酯，N-乙烯基吡咯烷酮、或類似物，環氧樹脂的範例包括脂環族環氧化物、環氧丙烯酸酯、乙烯基環氧基樹脂或類似物、聚氨酯樹脂的範例包含聚氨酯丙烯酸酯或類似物，及纖維素樹脂的範例包含硝酸纖維素或類似物，但形成第一有機層320的材料不限於此。
有機層320係藉由沈積單體形成且基於屏障400形成在內部。因此，有機層係藉由僅在所需藉由屏障400沈積的部分沈積單體，且因此，能夠避免單體流入無機層形成的區域以劣化附著力及造成暗點缺陷的問題。
形成第二無機層330的方法及材料可被同樣地應用於上述的第一無機層310及上述提及的那些。
在第4圖中，額外在第一無機層310上形成第一有機層320及第二無機層330的範例被示出，但無機層的形成及有機層的形成係交替地實行2至20次以形成以多層有機及無機層層疊的薄膜封裝層。
如上所述，藉由交替地重複無機層的形成及有機層的形成數次而形成的薄膜封裝層300及屏藉由控制根據薄膜封裝層300的高度而形成的屏障400於第7圖中說明。
在第7圖中示出的有機發光二極體裝置的封裝層300包含第一無機層310、第一有機層320、第二無機層330、第二有機層340、及第三無機層350。此外，在第7圖中示出的有機發光二極體裝置的屏障400可被形成以被控制以具有相同於第二有機層340的高度。
在第7圖中，包含三個無機層及二個有機層封裝層300係示出作為範例，但根據本揭露的有機發光二極體裝置可包含以更多或更少的有機層及無機層交替層疊於其中的封裝層。此外，屏障400的高度可相等或低於為薄膜封裝層300的最上方無機層的第三無機層350的高度，且可相等或高於為薄膜封裝層300的最上方有機層的第二有機層340的高度。
如上所述，根據本揭露的有機發光二極體裝置包含在像素定義層的形成中同時形成的屏障，且其結果是，能夠不需因增加製程、遮罩、及材料而造成額外的成本而改善黏合力且避免濕氣及氧氣從外部滲透。
從上述，其將被理解的是本揭露的各種實施例已經在本文中基於說明的目的描述了，且可在不脫離本揭露的範疇及精神內進行各種修改。因此，各種在本文中所公開的實施例並非意在限制，而在藉由所附之申請專利範圍指出本揭露的真實範疇及精神。
10:基板
20:有機發光二極體單元
21:絕緣層
22:第一電極
23:像素定義層
24:發光層
30:薄膜封裝層
31、33:無機層
32:有機層
32’:單體
100:基板
200:有機發光二極體單元
210:絕緣層
220:第一電極
230:像素定義層
240:有機發光層
300:薄膜封裝層
310:第一無機層
320:第一有機層
330:第二無機層
340:第二有機層
350:第三無機層
400:屏障
D:閒置區
E:發光區
第1圖係為示出有機發光二極體裝置的結構的示意圖。
第2圖係為示出有機發光二極體裝置的有機發光二極體單元的剖視圖。
第3圖係為用於描述有機發光二極體裝置中的發光區及閒置區的結構的示意圖。
第4圖係為根據本揭露的實施例示意性地示出有機發光二極體裝置的結構的剖視圖。
第5圖係為根據本揭露實施例示出有機發光二極體裝置的有機發光二極體單元的剖視圖。
第6圖係為根據本揭露實施用於描述屏障的形狀的示意圖。
第7圖係為根據本揭露的另一實施例用於描述有機發光二極體裝置的示意圖。
第8圖係為根據本揭露另一實施例用於描述屏障的形狀的示意圖。
第9圖係為根據本揭露的再一實施例示出有機發光二極體裝置的結構的剖視圖。
第10圖係為根據本揭露的再一實施例示出有機發光二極體裝置的有機發光二極體單元的剖視圖。
第11圖係為根據本揭露的再一實施例用於描述屏障的形狀的示意圖。
100:基板
200:有機發光二極體單元
300:薄膜封裝層
310:第一無機層
320:第一有機層
330:第二無機層
400:屏障
D:閒置區
E:發光區
Claims (26)
- 一種有機發光二極體裝置，其包含： 一基板； 一有機發光二極體單元，位於該基板上，該有機發光二極體單元包含設置在該基板上之一絕緣層、設置在該絕緣層上之一第一電極、一有機發光層及一第二電極； 一第一屏障，設置在該基板上且在一平面圖中與該絕緣層間隔隔開；以及 一薄膜封裝層，設置在該有機發光二極體單元上， 其中該薄膜封裝層包含在該有機發光二極體單元上之一有機層及在該有機層上之一第一無機層，以及 其中該有機層係設置在由該第一屏障所定義之區域中且該第一無機層係設置在該有機層上並與該第一屏障重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該薄膜封裝層進一步包含一第二無機層，係位於該有機發光二極體單元與該有機層之間。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一無機層與該第二無機層在由該第一屏障所定義之區域外側直接接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，進一步包含一薄膜電晶體，係設置在該機板與該絕緣層之間，該薄膜電晶體包含一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體裝置，其中設置在該薄膜電晶體上之該絕緣層具有一平坦上表面。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體裝置，其中該第二無機層接觸該第一屏障面對該有機發光二極體單元之一內側表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一屏障直接接觸該基板。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體裝置，其中該基板包含下部結構，其包括一開關元件、一接點、一焊墊、一接點、一電極、一導電圖樣及一絕緣圖樣當中至少一個。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該薄膜封裝層具有其中一或多個無機層及一或多個有機層交替設置之多層結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一無機層設置在該第一屏障上。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一屏障具有虛線形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其進一步包含設置在由該第一屏障所定義之區域內之一像素定義層。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一屏障具有與該像素定義層相同之材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一屏障包含選自包含光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚亞醯胺樹脂、以及丙烯酸樹脂之一有機材料及包含矽化合物之一無機材料中之至少一材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其進一步包含設置在由該第一屏障所定義之區域外之一第二屏障。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體裝置，進一步包含設置在由該第一屏障所定義之區域外之一第二屏障。
- 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體裝置，其中在該第一屏障與該第二屏障之間，該第一無機層與該第二無機層彼此直接接觸。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機發光二極體裝置，其進一步包含設置在由該第一屏障所定義之區域內之一像素定義層， 其中該第二屏障具有與該像素定義層相同之材料。
- 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體裝置，其中該第二屏障包含選自包含光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚亞醯胺樹脂、以及丙烯酸樹脂之一有機材料及包含矽化合物之一無機材料中之至少一材料。
- 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一屏障直接接觸該基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該第一屏障與該絕緣層不重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該絕緣層包含一有機材料。
- 如申請專利範圍第22項所述之有機發光二極體裝置，其中該有機發光二極體單元進一步包含直接位於該絕緣層上之一像素定義層。
- 如申請專利範圍第22項所述之有機發光二極體裝置，其中具有該有機材料之一層不設置在該第一屏障與該基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中具有與該絕緣層相同材料之一層在一平面圖中不設置在該第一屏障與該基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體裝置，其中該有機材料包含光阻劑、聚丙烯酸樹脂、聚亞醯胺樹脂、以及丙烯酸樹脂聚醯胺聚合物，矽氧烷聚合物，含有感光性丙烯酸羧基的聚合物，酚醛清漆樹脂以及鹼顯影性樹脂中之至少一種。
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