CN107887405A - 有机电激发光显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种有机电激发光显示面板，包括一基板，包括一显示区和围绕上述显示区的一外围区。一有机电激发光结构，设置于上述显示区中。一第一虚线形挡墙，设置于上述外围区中，且围绕上述有机电激发光结构。一封闭线形挡墙，设置于上述外围区中，其中上述封闭线形挡墙围绕上述第一虚线形挡墙且位于上述第一虚线形挡墙的外侧。一第一无机材料层，覆盖上述有机电激发光结构且覆盖位于上述封闭线形挡墙外侧的上述阵列基板的一顶面。

Description

有机电激发光显示面板
技术领域
本发明涉及一种有机电激发光显示面板，特别是涉及一种外围区具有挡墙的有机电激发光显示面板。
背景技术
近年来，有机电激发光显示面板(organic light emission display panel，简称OLED panel)已经被大量应用在各式各样产品的显示元件上，其具有自发光、高亮度、广视角、高应答速度及制作工艺容易等特性。然而，有机电激发光面板容易因水气、氧气等有害气体渗入而造成损坏，因此无法有效提高有机电激发光面板本身的寿命(lifetime)。
发明内容
有鉴于此，本发明的一目的是提供一种有效隔绝水气和氧气渗入的有机电激发光显示面板。
根据本发明一实施例，上述有机电激发光显示面板包括一基板，包括一显示区和围绕上述显示区的一外围区；一有机电激发光结构，设置于上述显示区中；一第一虚线形挡墙，设置于上述外围区中，且围绕上述有机电激发光结构；一封闭线形挡墙，设置于上述外围区中，其中上述封闭线形挡墙围绕上述第一虚线形挡墙且位于上述第一虚线形挡墙的外侧；以及一第一无机材料层，覆盖上述有机电激发光结构且覆盖位于上述封闭线形挡墙外侧的上述阵列基板的一顶面。
附图说明
图1显示本发明一些实施例的有机电激发光显示面板的剖面示意图；
图2显示本发明其他实施例的有机电激发光显示面板的剖面示意图；
图3显示本发明其他实施例的有机电激发光显示面板的剖面示意图；
图4为图1～图3的部分元件剖面示意图；
图5为第图～图3的部分元件剖面示意图；
图6显示本发明一些实施例的一有机电激发光显示面板的俯视示意图；
图7为图6的部分元件放大示意图；
图8显示本发明其他实施例的一有机电激发光显示面板的俯视示意图。
符号说明
200～阵列基板；
201、231、235～顶面；
202～显示区；
204～外围区；
206～基板；
208～阻障层；
210～薄膜晶体管；
220～有机电激发光结构；
222～第一虚线形挡墙；
222-1、224-1～下部；
222-2、224-2～上部；
222a～第一阻挡物；
224～第二虚线形挡墙；
224a～第二阻挡物；
226～封闭线形挡墙；
226T～顶面；
226S～外侧壁；
228、228a～第一无机材料层；
230～有机材料层；
234～第二无机材料层；
240～有机发光二极管；
242～第一像素定义层；
244～第二像素定义层；
248～开口；
252～第一电极；
254～空穴注入层；
256～空穴传输层；
258～发光层；
260～电子传输层；
262～电子注入层；
264～第二电极；
270～导电接线；
300～第一方向；
302～第二方向；
500a～500c～有机电激发光显示面板；
560～发光层；
S1、S11、S12、S13～第一间隙；
S2、S21、S22～第二间隙；
H1、H2～高度。
具体实施方式
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图示，做详细的说明。本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置是为说明之用，并非用以限制本发明。且实施例中附图标号的部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。
本发明实施例是提供一种使用薄膜封装(Thin Film Encapsulation，简称TFE)方式的有机电激发光显示面板。本发明实施例提供的有机电激发光显示面板是使用至少一列虚线形挡墙和至少一列线形挡墙围绕设置于显示区中的有机电激发光结构，并以交错层叠的无机材料封装层和有机材料封装层包覆有机电激发光结构。在进行薄膜封装制作工艺时，上述虚线形挡墙可允许多余的有机封装材料沿其间隙流至虚线形挡墙和封闭线形挡墙之间的空间而被外侧的封闭线形挡墙完全阻挡，因此不会溢流至封闭线形挡墙以外的区域。因此，本发明实施例提供的有机电激发光显示面板被无机封装层完全包覆，可有效防止水气与氧气从有机电激发光显示面板的外侧或顶面渗入至有机电激发光装置。此外，以有机材料形成的虚线形挡墙和封闭线形挡墙可做为无机封装层的缓冲层，在阵列基板产生形变时可避免无机封装层产生破裂或剥离。另外，本发明实施例的虚线形挡墙是有助于可挠式有机电激发光显示面板的应用。在阵列基板产生形变时可释放应力，其可防止阵列基板形变时造成挡墙破裂而造成水气与氧气从外界渗入至有机电激发光装置。
图1为依据本发明一实施例的有机电激发光显示面板的剖面示意图，图6为俯视示意图。请参考图1、图6，阵列基板200包括一显示区202和围绕显示区202的一外围区204。有机电激发光显示面板500a包括一阵列基板200、一有机电激发光结构220、一第一虚线形挡墙222、一封闭线形挡墙226以及一第一无机材料层228。有机电激发光结构220、第一虚线形挡墙222、封闭线形挡墙226以及第一无机材料层228皆设置于阵列基板200的一顶面201上。图6特别显示有机电激发光结构220、虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226的配置，为了方便说明起见，有机材料层和无机材料层在此不予显示。
图4为图1的部分元件剖面示意图，其特别显示有机电激发光结构、虚线形挡墙和封闭线形挡墙的配置，为了方便说明起见，有机材料层和无机材料层在此不予显示。在本发明一些实施例中，如图4所示，阵列基板200可包括一基板206、顺应性覆盖基板206的一阻障层208，以及设置于显示区202中的阻障层208上的一薄膜晶体管层210。基板206可包括例如玻璃基板的硬式基板或例如塑胶基板的可挠式基板。在本发明一些实施例中，阵列基板200的外围区204的顶面201是指阻障层208的顶面。在本发明一些实施例中，阻障层208可为无机材料，例如包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiNOx)、氧化铝(Al2O3)、类钻碳(DLC)、类似的材料或上述组合。
请同时参考图1、图4、图6，有机电激发光结构220设置于阵列基板200的显示区202中，位于薄膜晶体管210上且电连接至薄膜晶体管210。如图4所示，有机电激发光结构220可包括一有机发光二极管240、一第一像素定义层242和一第二像素定义层244。第一像素定义层242和第二像素定义层244依序设置于薄膜晶体管210上。在本发明一些实施例中，每一个有机发光二极管240可视为一子像素元件(sub-pixel device)。第一像素定义层242和第二像素定义层244的材质可为有机光致抗蚀剂。
图5显示图4中有机发光二极管240的详细构造。如图4、5所示，有机发光二极管240可为上发光式(top-emission)有机发光二极管，或者下发光式有机发光二极管。有机发光二极管240可包括一第一电极252、一第二电极264、和位于第一电极252和第二电极264之间的发光层560。发光层560可为单层的发光层258，也可为一层叠结构。图5显示发光层560包括层叠结构，层叠结构可包括沿垂直于基板200的顶面201的方向依序堆叠的空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)254、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)256、发光层(Light Emitting Layer，简称EML)258、电子传输层(Electron TransportLayer，简称ETL)260、以及电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)262。有机发光二极管240可通过第一电极252电连接至薄膜晶体管210。并且，有机发光二极管240的第一电极252可形成于第一像素定义层242的顶面上。第二电极264可设置覆盖第二像素定义层244的顶面。在本发明一些实施例中，第一电极252可为例如氧化铟锡(ITO)的透明导体材料构成的阳极(anode)，而第二电极264可为金属材料构成的阴极(cathode)。如图4所示，空穴注入层254、空穴传输层256、发光层258、电子传输层260、以及电子注入层262可设置在第二像素定义层244的开口248中。
请同时参考图1、图4、图6、图7。图7为图6的部分元件放大示意图，其特别显示虚线形挡墙和封闭线形挡墙的配置。有机电激发光显示面板500a的第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226设置于阵列基板200的外围区204中，位于有机电激发光结构220的外侧且围绕有机电激发光结构220。封闭线形挡墙226设置于第一虚线形挡墙222的外侧且围绕第一虚线形挡墙222。第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226沿平行于基板200的顶面201的一方向以一距离彼此隔开。因此，阵列基板200的外围区204的部分顶面201从第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226暴露出来。如图6所示的一上视图中，封闭线形挡墙226可为完全围绕显示区202的封闭环形，第一虚线形挡墙222可为完全围绕显示区202的虚线环形。第一虚线形挡墙222可大体上与封闭线形挡墙226平行设置。在本发明一些实施例中，第一虚线形挡墙222具高度H1，封闭线形挡墙226具高度H2。举例来说，第一虚线形挡墙222的高度H1可为3～20μm，封闭线形挡墙226的高度H2例如可为0.5～3μm。在本发明一些实施例中，封闭线形挡墙226的高度H2低于第一虚线形挡墙222的高度H1。举例来说，封闭线形挡墙226的高度H2可为第一虚线形挡墙222的高度H1的20％～60％。举例来说，封闭线形挡墙226的高度H2可低于或等于第一虚线形挡墙222的高度H1的二分之一。举例来说，封闭线形挡墙226的高度H2可为第一虚线形挡墙222的高度H1的30％～50％。在本发明一些实施例中，第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226的材质可为有机光致抗蚀剂。第一像素定义层242、第二像素定义层244、第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226可为相同的材质。
如图7所示，在本发明一些实施例中，第一虚线形挡墙222可包括多个第一阻挡物222a，这些第一阻挡物222a是沿一第一方向300设置，分别通过一第一间隙S1彼此隔开。
如图1、图4、图6、图7所示，在本发明一些实施例中，有机电激发光显示面板500a还包括相邻于第一虚线形挡墙222的一第二虚线形挡墙224。第二虚线形挡墙224设置于阵列基板200的外围区204中。第二虚线形挡墙224是围绕第一虚线形挡墙222。并且，第二虚线形挡墙224是沿平行于基板200的顶面201的上述方向位于第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226之间。如图6所示的一上视图中，第二虚线形挡墙224可为完全围绕显示区202的虚线环形，且第二虚线形挡墙224可大体上与第一虚线形挡墙222及/或封闭线形挡墙226平行设置。在本发明一些实施例中，第二虚线形挡墙224和第一虚线形挡墙222可为相同的材质，例如可为有机光致抗蚀剂。另外，第二虚线形挡墙224、第一像素定义层242和第二像素定义层244可为相同的材质。
如图7所示，在本发明一些实施例中，第二虚线形挡墙224可包括多个第二阻挡物224a，这些第二阻挡物224a大体上沿上述第一方向300设置，分别通过一第二间隙S2彼此隔开。在本发明一些实施例中，第一间隙S1与第二间隙S2分别位于沿一第二方向302的不同直线上。第二方向302是与第一方向300垂直。具体而言，彼此最接近的第一间隙和第二间隙设置于沿第二方向302的不同直线上。例如，图7中显示第一间隙S11,S12,S13，第二间隙S21,S22。以第一间隙S12而言，最接近此第一间隙S12的第二间隙为S21,S22。第一间隙S12和第二间隙S21设置于沿第二方向302的不同直线上。第一间隙S12和第二间隙S22设置于沿第二方向302的不同直线上。换句话说，彼此最接近的第一间隙S1与第二间隙S2在沿一第二方向上为不对齐。换句话说，第一间隙S1与第二间隙S2大体上沿上述第二方向302交错设置。
图8显示本发明不同实施例的一有机电激发光显示面板的第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226的俯视示意图，为了方便说明起见，有机材料层和无机材料层在此不予显示。有机电激发光显示面板的第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226可顺应显示区202的形状而配置。在此图8显示的面板为圆形，因此，第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226是顺应圆形而配置。详细来说，图8显示的第一虚线形挡墙222包括多个第一阻挡物222a，这些第一阻挡物222a大体上沿一第一方向(例如圆形显示区202的切线方向)设置，并且这些第一阻挡物222a分别通过一第一间隙S1彼此隔开。图8显示的第二虚线形挡墙224包括多个第二阻挡物224a，这些第二阻挡物224a大体上沿上述第一方向(例如圆形显示区202的切线方向)设置，并且这些第二阻挡物224a分别通过一第二间隙S2彼此隔开。第一间隙S1与第二间隙S2设置于沿一第二方向(例如圆形显示区202的径向方向)的不同直线上，第一方向和第二方向为垂直。图6中第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226，则为顺应长方形而配置。举例来说，第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226的俯视图形状可为长方形、圆形或其他的形状，可依据面板的形状而作调整。另外，有机电激发光显示面板的导电接线270可设置于阵列基板200的顶面201上，且从阵列基板200的显示区202延伸至外围区204。导电接线270可电连接至有机发光二极管240的第一电极252和第二电极264。
如图1所示，在本发明一些实施例中，有机电激发光显示面板500a还包括设置有机电激发光结构220上的一薄膜封装结构。上述薄膜封装结构从显示区202延伸覆盖外围区204，且薄膜封装结构的一顶面即为有机电激发光显示面板500a的顶面。如图1所示，上述薄膜封装结构可包括第一无机材料层228，顺应性覆盖且可直接接触有机电激发光结构220、第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226的顶面和侧壁。在如图1所示的实施例中，第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226位于第一无机材料层228和阵列基板200的顶面201之间。第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226可直接接触阵列基板200的顶面201。第一无机材料层228可直接接触位于有机电激发光结构220外侧的阵列基板200的显示区202的部分顶面201。第一无机材料层228可直接接触位于第一虚线形挡墙222及/或第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226之间的阵列基板200的外围区204的部分顶面201。并且，第一无机材料层228可直接接触位于外围区204中且位于封闭线形挡墙226外侧的阵列基板200的顶面201。
在本发明一些实施例中，第一无机材料层228的材质可包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiNOx)、氧化铝(Al2O3)、类钻碳(DLC)、类似的材料或上述组合。
如图1所示，在本发明一些实施例中，有机电激发光显示面板500a的上述薄膜封装结构可还包括一有机材料层230。有机材料层230可完全覆盖阵列基板200的显示区202，有机材料层230可完全覆盖有机电激发光结构220、第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224。有机材料层230可完全填充有机电激发光结构220和第一虚线形挡墙222之间的空间，使有机材料层230位于显示区202中的部分顶面大体上为一平坦表面。有机材料层230可填入第一虚线形挡墙222和封闭线形挡墙226之间的一空间内，但可不覆盖封闭线形挡墙226的顶面226T和外侧壁226S。亦即，封闭线形挡墙226的顶面226T和外侧壁226S上的第一无机材料层228，未被有机材料层230所覆盖。第一无机材料层228可覆盖封闭线形挡墙226的整体。位于封闭线形挡墙226上的部分第一无机材料层228可从有机材料层230暴露出来。并且，有机材料层230覆盖且直接接触第一无机材料层228。在图1所示的实施例中，有机材料层230的一顶面231即为有机电激发光显示面板500a的顶面。
在本发明一些实施例中，有机材料层230的材质可包括例如环氧树脂(epoxy)、压克力的高分子材料或类似的有机材料。
请同时图1、图6、图7，在本发明一些实施例中，有机材料层230可完全填充第一虚线形挡墙222的第一间隙S1。或者，有机材料层230更可完全填充第二虚线形挡墙224的第二间隙S2。有机材料层230不会完全覆盖封闭线形挡墙226的外侧侧壁。因此，封闭线形挡墙226的外侧侧壁被第一无机材料层228完全包覆，可有效阻挡外部环境的水气或氧气从有机电激发光显示面板500a的外侧进入。并且，当有机电激发光显示面板500a的外侧边缘承受应力时，利用例如有机光致抗蚀剂的有机材料形成的封闭线形挡墙226可做为第一无机材料层228的缓冲层，以避免第一无机材料层228产生破裂或剥离。此外，第一虚线形挡墙222和第二虚线形挡墙224是有助于可挠式有机电激发光显示面板的应用。在阵列基板产生形变时可释放应力，其可防止阵列基板形变时造成挡墙破裂而造成水气与氧气从外界渗入至有机电激发光装置。
如图2所示，在本发明其他实施例中，有机电激发光显示面板500b的一薄膜封装结构还包括一第二无机材料层234。第二无机材料层234从显示区202延伸覆盖外围区204。第二无机材料层234可完全覆盖有机电激发光结构220、第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226。第二无机材料层234可完全覆盖有机材料层230和第一无机材料层228。第二无机材料层234可顺应性覆盖且直接接触有机材料层230。并且，第二无机材料层234可覆盖且直接接触位于封闭线形挡墙226外侧的第一无机材料层228。在图2所示的实施例中，第二无机材料层234可直接接触封闭线形挡墙226的顶面和侧壁上的第一无机材料层228。在本发明一些实施例中，第一无机材料层228和第二无机材料层234可包括相同的材质。在图2所示的实施例中，第二无机材料层234的一顶面235即为有机电激发光显示面板500b的顶面。
在图2所示的实施例中，有机电激发光显示面板500b的封闭线形挡墙226的外侧侧壁被第一无机材料层228和第二无机材料层234两者完全包覆，可有效阻挡外部环境的水气或氧气从有机电激发光显示面板500b的外侧(例如封闭线形挡墙226的外侧或第二无机材料层234的顶面)进入。并且，当有机电激发光显示面板500b的外侧边缘承受应力时，利用例如有机光致抗蚀剂的有机材料形成的封闭线形挡墙226可做为第一无机材料层228和第二无机材料层234的缓冲层，以避免第一无机材料层228和第二无机材料层234产生破裂或剥离。
图3显示本发明其他实施例的有机电激发光显示面板500c，薄膜封装结构包括层叠的第一无机材料层228a、有机材料层230和第二无机材料层234。图3和图2的主要差异为，第一无机材料层228a的设置位置不同。如图3所示，第一无机材料层228a可完全覆盖且直接接触有机电激发光结构220。第一无机材料层228a可完全覆盖且直接接触位于有机电激发光结构220外侧的阵列基板200的显示区202和外围区204的顶面201。第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226是设置于第一无机材料层228a上。封闭线形挡墙226可直接接触有机材料层230、第一无机材料层228a和第二无机材料层234，其中封闭线形挡墙226的顶面和外侧侧壁可直接接触第二无机材料层234。另外，第一虚线形挡墙222和第二虚线形挡墙224可被有机材料层230完全包覆。并且，有机材料层230可覆盖且可直接接触第一虚线形挡墙222和第二虚线形挡墙224的顶面和侧壁。第一无机材料层228a可直接接触第一虚线形挡墙222和第二虚线形挡墙224的底面。在图3所示的实施例中，第二无机材料层234的顶面235即为有机电激发光显示面板500c的顶面。
在图3所示的实施例中，有机电激发光显示面板500c的封闭线形挡墙226的外侧侧壁和底面分别被第二无机材料层234和第一无机材料层228a完全包覆。并且，于阵列基板200的外围区204的顶面201上封闭线形挡墙226的外侧，第一无机材料层228a被第二无机材料层234覆盖。如此，第一无机材料层228a和第二无机材料层234可有效阻挡外部环境的水气或氧气从有机电激发光显示面板500c的外侧(例如封闭线形挡墙226的外侧或第二无机材料层234的顶面)进入。并且，当有机电激发光显示面板500c的外侧边缘承受应力时，利用例如有机光致抗蚀剂的有机材料形成的封闭线形挡墙226可做为第二无机材料层234的缓冲层，以避免第一无机材料层228和第二无机材料层234产生破裂或剥离。此外，第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226设置于第一无机材料层228a上，可对第一无机材料层228a施加压应力以避免第一无机材料层228a产生翘曲或剥离。
以下利用图1、图4、图5说明本发明一实施例的有机电激发光显示面板500a的制造方法。首先，形成如图4所示的一阵列基板200，包括提供一基板206。接着，可利用例如原子层沉积法(ALD)、物理气相沉积法(PVD)或化学气相沉积法(CVD)等沉积方式，顺应性于基板206的一顶面上形成一阻障层208。
接着，形成如图4所示的薄膜晶体管210。利用沉积制作工艺(包括例如物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)等沉积方式)，准分子激光退火(ELA)和图案化制作工艺(包括例如光刻、蚀刻、光致抗蚀剂剥除等方式)等制作工艺，于阻障层208上形成一个或多个薄膜晶体管210，以形成一阵列基板200。在本发明实施例中，薄膜晶体管210位于阵列基板200的显示区202中，每个薄膜晶体管210可独立驱动一个子像素(sub-pixel)单元。
之后，形成有机电激发光结构220、虚线形挡墙、和封闭形挡墙。如图4所示，可利用包括光致抗蚀剂涂布、光致抗蚀剂曝光、光致抗蚀剂显影的光刻制作工艺，于阵列基板200的显示区202中的薄膜晶体管210上形成由例如有机光致抗蚀剂的有机材料构成的第一像素定义层242，并同时于阵列基板200的外围区204的顶面201上形成第一虚线形挡墙222的下部222-1、第二虚线形挡墙224的下部224-1和封闭线形挡墙226。因此，第一像素定义层242、第一虚线形挡墙222的下部222-1、第二虚线形挡墙224的下部224-1和封闭线形挡墙226为相同的材质。第一像素定义层242、第一虚线形挡墙222的下部222-1、第二虚线形挡墙224的下部224-1和封闭线形挡墙226可具有相同高度。或者，依据其他实施例，可利用半色调光刻制作工艺(Half tone photolithography process)形成具不同高度的第一像素定义层242、第一虚线形挡墙222的下部222-1、第二虚线形挡墙224的下部224-1和封闭线形挡墙226。第一像素定义层242具有平坦化功能，也可称为平坦化层。
然后，可利用例如蒸镀法(evaporation)、溅镀法、涂布法的薄膜沉积制作工艺，和后续的图案化制作工艺，于第一像素定义层242的顶面上形成有机发光二极管240的第一电极252。第一电极252电连接至薄膜晶体管210。
接着，可利用包括光致抗蚀剂涂布、光致抗蚀剂曝光、光致抗蚀剂显影的光刻制作工艺，于阵列基板200的显示区202中的第一像素定义层242上形成由例如有机光致抗蚀剂的有机材料构成的第二像素定义层244。并且，上述光刻制作工艺同时分别于阵列基板200的外围区204中的第一虚线形挡墙222的下部222-1、第二虚线形挡墙224的下部224-1上形成第一虚线形挡墙222的上部222-2和第二虚线形挡墙224的上部224-2。因此，第二像素定义层244、第一虚线形挡墙222的上部222-2和第二虚线形挡墙224的上部224-2为相同的材质，且可由相同制作工艺形成。并且，于第二像素定义层244中具有多个开口248，以定义有机电激发光结构220的子像素(sub-pixel)的形成位置。开口248的形成位置对应第一电极252的形成位置。另外，可利用半色调光刻制作工艺(Half tone photolithographyprocess)形成具不同高度的第二像素定义层244、第一虚线形挡墙222的上部222-2和第二虚线形挡墙224的上部224-2。值得注意的是，第一虚线形挡墙222及/或第二虚线形挡墙224的高度H1可大于封闭线形挡墙226的高度H2。
然后，如图4、图5所示，可利用薄膜沉积制作工艺，于第二像素定义层244的开口248中形成发光层(EML)258。例如，可于第二像素定义层244的开口248中依序形成空穴注入层(HIL)254、空穴传输层(HTL)256、发光层(EML)258、电子传输层(ETL)260、电子注入层(EIL)262。最后，形成第二电极264。有机发光二极管240通过第一电极252电连接至薄膜晶体管210。有机发光二极管240的第二电极264可延伸覆盖第二像素定义层244的上面，或者可延伸覆盖至阵列基板200的顶面201(图未显示)。不同有机发光二极管240的第二电极264可以相连。在各个开口248形成的单一有机发光二极管240视为一子像素元件(sub-pixeldevice)。经过上述制作工艺，完成如图1所示的有机电激发光结构220。
之后，形成如图1所示的第一无机材料层228。可利用包括例如原子层沉积法(ALD)、物理气相沉积法(PVD)或化学气相沉积法(CVD)等沉积制作工艺，于有机电激发光结构220、第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226的顶面和侧壁上顺应性形成第一无机材料层228。
然后，形成如图1所示的有机材料层230。可利用液晶滴入法(One Drop Filling，ODF)、喷墨印刷法(inkjet printing，IJP)、网版印刷法(Screen Printing)、狭缝式涂布法(silt coating)等沉积方式，于显示区202中的第一无机材料层228上沉积一液态有机材料(图未显示)。上述液态有机材料会从显示区202流动至外围区204。在本发明一些实施例中，上述液态有机材料可被第一虚线形挡墙222阻挡。或者，上述液态有机材料可溢流穿过第一虚线形挡墙222的间隙S1至第二虚线形挡墙224且被第二虚线形挡墙224阻挡。更或者，上述液态有机材料可溢流穿过第一虚线形挡墙222的间隙S1、第二虚线形挡墙224的间隙S2至封闭线形挡墙226且被封闭线形挡墙226阻挡。因此，上述液态有机材料的外部边缘高度会低于中间部分高度。之后，对上述液态有机材料进行例如紫外线硬化法(UV curing)的一硬化制作工艺，使上述液态有机材料硬化成型为有机材料层230。有机材料层230覆盖有机电激发光结构220，且完全被封闭线形挡墙226阻挡，因而不会覆盖封闭线形挡墙226的顶面和外侧侧壁。有机材料层230的外部边缘高度会低于中间部分高度。经过上述制作工艺，完成如图1所示的有机电激发光显示面板500a。
图2的有机电激发光显示面板500b的制造方法为，形成有机材料层230之后，可利用包括例如原子层沉积法(ALD)、物理气相沉积法(PVD)或化学气相沉积法(CVD)等沉积制作工艺，全面性且顺应性于阵列基板200的显示区202和外围区204形成第二无机材料层234，以覆盖且直接接触有机材料层230。并且，第二无机材料层234覆盖且直接接触由有机材料层230所暴露出的第一无机材料层228。第二无机材料层234覆盖且直接接触位于封闭线形挡墙226的顶面226T和外侧壁226S上的第一无机材料层228。经过上述制作工艺，完成如图2所示的有机电激发光显示面板500b。
图3的有机电激发光显示面板500c的制造方法为，有机电激发光显示面板的有机电激发光结构和挡墙可于不同制作工艺形成。如图3所示，形成阵列基板200的薄膜晶体管(例如，图4所示的薄膜晶体管210)之后，再形成电连接至薄膜晶体管的有机电激发光结构220。有机电激发光结构220的形成方式可参考前述说明。
如图3所示，形成有机电激发光结构220之后，接着形成第一无机材料层228。可利用包括例如原子层沉积法(ALD)、物理气相沉积法(PVD)或化学气相沉积法(CVD)等沉积制作工艺，于有机电激发光结构220的顶面上顺应性形成第一无机材料层228a。因此，第一无机材料层228a直接接触有机电激发光结构220外侧的阵列基板200的顶面201。
如图3所示，形成第一无机材料层228a之后，接着于外围区204中的第一无机材料层228a上形成第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226。可利用喷墨印刷法(inkjet printing，IJP)、点胶法(dispensing)等方法用液态或粘稠状有机材料在有机电激发光结构220外侧的阵列基板200的顶面201直接描画出于外围区204中的第一无机材料层228a上形成第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226的形状，之后，对上述液态或粘稠状有机材料进行例如紫外线硬化法(UV curing)的一硬化制作工艺，完成有机电激发光显示面板500c的第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226。
如图3所示，形成第一虚线形挡墙222、第二虚线形挡墙224和封闭线形挡墙226之后，可利用类似图1、图2所示制作工艺，依序形成有机材料层230和第二无机材料层234。经过上述制作工艺，完成如图3所示的有机电激发光显示面板500c。
依据本发明一些实施例，在外围区设置虚线形挡墙，可阻挡有机材料层外流，封闭线形挡墙可设置得较低。而且，虚线形挡墙增加面板弯折的弹性，因此本发明一些实施例的有机电激发光显示面板可适用于可挠性面板。
虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种有机电激发光显示面板，包括：
基板，包括显示区和围绕该显示区的外围区；
有机电激发光结构，设置于该显示区中；
第一虚线形挡墙，设置于该外围区中，且围绕该有机电激发光结构；
封闭线形挡墙，设置于该外围区中，其中该封闭线形挡墙围绕该第一虚线形挡墙且位于该第一虚线形挡墙的外侧；以及
第一无机材料层，覆盖该有机电激发光结构且覆盖位于该封闭线形挡墙外侧的该阵列基板的一顶面。
2.如权利要求1所述的有机电激发光显示面板，其中该第一无机材料层覆盖该第一虚线形挡墙和该封闭线形挡墙之间的该阵列基板的该顶面。
3.如权利要求1所述的有机电激发光显示面板，还包括：
第二虚线形挡墙，设置于该外围区中，围绕该第一虚线形挡墙且位于该第一虚线形挡墙和封闭线形挡墙之间。
4.如权利要求3所述的有机电激发光显示面板，其中该第一虚线形挡墙包括多个第一阻挡物，该些第一阻挡物沿一第一方向设置，分别通过一第一间隙彼此隔开。
5.如权利要求4所述的有机电激发光显示面板，其中该第二虚线形挡墙包括多个第二阻挡物，该些第二阻挡物沿该第一方向设置，分别通过一第二间隙彼此隔开。
6.如权利要求5所述的有机电激发光显示面板，其中该第一间隙与该第二间隙设置于沿一第二方向的不同直线上，第一方向和第二方向为垂直。
7.如权利要求1所述的有机电激发光显示面板，还包括：
有机材料层，设置于该第一无机材料层上，且填入该第一虚线形挡墙和该封闭线形挡墙之间的一空间内。
8.如权利要求7所述的有机电激发光显示面板，还包括：
第二无机材料层，设置于该有机材料层上，且覆盖位于该封闭线形挡墙外侧的该第一无机材料层。
9.如权利要求1所述的有机电激发光显示面板，其中该第一虚线形挡墙和该封闭线形挡墙设置于该第一无机材料层上。
10.如权利要求1所述的有机电激发光显示面板，其中该封闭线形挡墙的高度低于该第一虚线形挡墙的高度。
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