TW201428793A - 陶瓷電子零件及其製造方法 - Google Patents

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Yukio Sanada
Koji Sato
Seiichi Matsumoto
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Murata Manufacturing Co
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Abstract

提供一種具備形成於陶瓷坯體上之基底電極層、及具有形成於基底電極層上之Cu鍍膜之外部電極且具有高可靠性之陶瓷電子零件。陶瓷電子零件1，具備陶瓷坯體10、及外部電極13、14。外部電極13、14形成於陶瓷坯體10上。外部電極13、14，具有基底電極層15、及第1Cu鍍膜16。基底電極層15形成於陶瓷坯體10上。第1Cu鍍膜16形成於基底電極層15上。基底電極層15，包含能擴散於Cu之金屬、及陶瓷結合材。在第1Cu鍍膜16之至少基底電極層15側之表層，擴散有能擴散於Cu之金屬。

Description

陶瓷電子零件及其製造方法
本發明係有關陶瓷電子零件及其製造方法。尤其，本發明係有關能較佳作為埋設於配線基板之埋設型陶瓷電子零件而使用之陶瓷電子零件及其製造方法。
近年來，隨著行動電話或可攜式音樂播放器等電子機器之小型化或薄型化，搭載於電子機器之配線基板之小型化亦隨之進展。
作為配線基板小型化之方法，例如，於下述專利文獻1中，提案有將陶瓷電子零件埋設於配線基板內部，且藉由形成於陶瓷電子零件上之通孔導體，構成對陶瓷電子零件之配線之方法。依據此方法，不僅不需確保於配線基板表面配置陶瓷電子零件之區域，且不需個別確保對陶瓷電子零件設置之區域、與設置陶瓷電子零件之區域。因此，可將內設零件配線基板小型化。
陶瓷電子零件連接用之通孔，例如，使用CO2雷射等雷射形成。在使用雷射形成通孔之情形，雷射直接照射於陶瓷電子零件之外部電極。因此，外部電極，較佳係具有將雷射以高反射率反射之Cu鍍膜。若對外部電極之雷射之反射率低，雷射會到達陶瓷電子零件內部，而使陶瓷電 子零件損傷之故。
專利文獻1：日本特開2002-100875號公報
另一方面，對埋設於配線基板內部之陶瓷電子零件，從使配線基板厚度薄型化之觀點，被強烈要求低背化。
就使陶瓷電子零件低背化之方法而言，較佳係在外部電極之中，將位於緊鄰陶瓷坯體上方之基底電極層與包含內部電極之陶瓷坯體同時燒成，亦即，藉由共燒(cofire)形成。藉由此種方式，例如，相較於藉由將滴下塗布之導電性糊料燒附以形成基底電極層之情形，可減少基底電極層之最大厚度之故。
但，在藉由共燒形成基底電極層之情形時，為確保陶瓷坯體與基底電極層之高密合性，必須增加陶瓷材料等陶瓷接合材在基底電極層中之含量。然而，若在基底電極層中之陶瓷接合材之含量增加，則在基底電極層中之金屬成分之含量變少。因此，使得基底電極層與形成於基底電極層上之鍍層之密合性降低。因此，會有電子零件之可靠性降低之問題。
本發明有鑒於此，其目的在於，提供一種具備形成於陶瓷坯體上之基底電極層、及具有形成於基底電極層上之Cu鍍膜之外部電極且具有高可靠性之陶瓷電子零件。
本發明之陶瓷電子零件，具備陶瓷坯體、及外部電極。外部電極形成於陶瓷坯體上。外部電極，具有基底電極層、及第1Cu鍍膜。基底電極層形成於陶瓷坯體上。第1Cu鍍膜形成於基底電極層上。基底電極層，包含能擴散於Cu之金屬、及陶瓷結合材。在第1Cu鍍膜之至少基底電 極層側之表層，擴散有能擴散於Cu之金屬。
在本發明之陶瓷電子零件之某一特定之態樣中，在第1Cu鍍膜存在有粒界。能擴散於Cu之金屬係沿著第1Cu鍍膜之粒界擴散。
在本發明之陶瓷電子零件之另一特定之態樣中，能擴散於Cu之金屬，係擴散至第1Cu鍍膜之與基底電極層相反側之表面。依此構成，可更提高第1Cu鍍膜與基底電極層之密合性。
在本發明之陶瓷電子零件之另一特定之態樣中，能擴散於Cu之金屬，係選自由Ni、Ag、Pd及Au構成之群之一種以上之金屬。
在本發明之陶瓷電子零件之另一特定之態樣中，外部電極進一步具有形成於第1Cu鍍膜上之第2Cu鍍膜，在第2Cu鍍膜，能擴散於Cu之金屬不擴散。在此構成中，由於設置有能擴散於Cu之金屬不擴散之第2Cu鍍膜，故可更提高射入外部電極之雷射光在外部電極之反射率。因此，就算將雷射光照射於外部電極之情形，陶瓷坯體亦難以損傷。從而，能較佳作為埋設型陶瓷電子零件而使用。
在本發明之陶瓷電子零件之另一特定之態樣中，在基底電極層，從第1Cu鍍膜擴散有Cu。在此情形，可更提高基底電極層與第1Cu鍍膜之密合性。
本發明之陶瓷電子零件之製造方法，該陶瓷電子零件具備陶瓷坯體、及形成於陶瓷坯體上之外部電極。在本發明之陶瓷電子零件之製造方法中，在陶瓷坯體上，形成包含能擴散於Cu之金屬、及陶瓷結合材的基底電極層，進而，在基底電極層上形成第1Cu鍍膜。其後，藉由加熱基底電極層與第1Cu鍍膜，在第1Cu鍍膜之至少基底電極層側之表層使能擴 散於Cu之金屬擴散，以形成外部電極。
在本發明之陶瓷電子零件之製造方法之某一特定之態樣 中，藉由加熱基底電極層與第1Cu鍍膜，在第1Cu鍍膜之至少基底電極層側之表層使能擴散於Cu之金屬擴散後，在第1Cu鍍膜上進一步形成第2Cu鍍膜，以形成外部電極。在此情形，由於設置有能擴散於Cu之金屬不擴散之第2Cu鍍膜，故可更提高射入外部電極之雷射光在外部電極之反射率，因此能製造較佳作為埋設型陶瓷電子零件而使用之陶瓷電子零件。
在本發明之陶瓷電子零件之製造方法之另一特定之態樣 中，藉由加熱基底電極層與第1Cu鍍膜至350℃~800℃，在第1Cu鍍膜之至少基底電極層側之表層使能擴散於Cu之金屬擴散，以形成外部電極。在此情形，能擴散於Cu之金屬能更佳地擴散。
在本發明中，在第1Cu鍍膜之至少基底電極層側之表層， 包含於基底電極層之能擴散於Cu之金屬擴散。因此，可提高基底電極層與第1Cu鍍膜之密合性。從而，可提高陶瓷電子零件之可靠性。
1‧‧‧陶瓷電子零件
10‧‧‧陶瓷坯體
10a‧‧‧陶瓷坯體之第1主面
10b‧‧‧陶瓷坯體之第2主面
10c‧‧‧陶瓷坯體之第1側面
10d‧‧‧陶瓷坯體之第2側面
10e‧‧‧陶瓷坯體之第1端面
10f‧‧‧陶瓷坯體之第2端面
10g‧‧‧陶瓷層
11‧‧‧第1內部電極
12‧‧‧第2內部電極
13‧‧‧第1外部電極
13a‧‧‧第1外部電極之第1部分
13b‧‧‧第1外部電極之第2部分
13c‧‧‧第1外部電極之第3部分
14‧‧‧第2外部電極
14a‧‧‧第2外部電極之第1部分
14b‧‧‧第2外部電極之第2部分
14c‧‧‧第2外部電極之第3部分
15‧‧‧基底電極層
15a‧‧‧粒界
16‧‧‧第1Cu鍍膜
17‧‧‧第2Cu鍍膜
20‧‧‧陶瓷坯片
21‧‧‧導電圖案
22‧‧‧母積層體
23‧‧‧導電圖案
31、32‧‧‧通孔電極
圖1係第1實施形態之陶瓷電子零件之概略立體圖。
圖2係第1實施形態之陶瓷電子零件之概略側視圖。
圖3係圖1之線III-III之概略剖面圖。
圖4係將以圖3之線IV圍繞之部分放大之概略剖面圖。
圖5係將圖1之外部電極之一部分放大之示意剖面圖。
圖6係圖3之線VI-VI之概略剖面圖。
圖7係形成有導電圖案之陶瓷坯片之概略俯視圖。
圖8係母積層體之概略俯視圖。
圖9係將第2實施形態之陶瓷電子零件之一部分放大之概略剖面圖。
圖10係第3實施形態之陶瓷電子零件之概略剖面圖。
圖11係第4實施形態之陶瓷電子零件之概略剖面圖。
圖12係第5實施形態之陶瓷電子零件之概略側視圖。
圖13係第6實施形態之陶瓷電子零件之概略剖面圖。
圖14係第7實施形態之陶瓷電子零件之沿著高度方向H及長度方向L之概略剖面圖。
圖15係第7實施形態之陶瓷電子零件之沿著高度方向H及長度方向L之概略剖面圖。
圖16係將變形例之第1外部電極之一部分放大之示意剖面圖。
(第1實施形態)
以下，以圖1所示之陶瓷電子零件1為例說明本發明之較佳實施形態。但，陶瓷電子零件1僅係例示。本發明未限於以下所說明之陶瓷電子零件1及其製造方法。
圖1係第1實施形態之陶瓷電子零件之概略立體圖。圖2係第1實施形態之陶瓷電子零件之概略側視圖。圖3係圖1之線III-III之概略剖面圖。圖4係將以圖3之線IV圍繞之部分放大之概略剖面圖。圖5係將圖1之外部電極之一部分放大之示意剖面圖。圖6係圖3之線VI-VI之概略剖面圖。
首先，參照圖1~圖6說明陶瓷電子零件1之構成。
如圖1~圖3及圖6所示，陶瓷電子零件1具備陶瓷坯體10。陶瓷坯體10係由對應於陶瓷電子零件1之功能之適當陶瓷材料構成。具體而言，在陶瓷電子零件1為電容器之情形，能以電介質陶瓷材料形成陶瓷坯體10。作為電介質陶瓷材料之具體例，可舉例如BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。又，在陶瓷坯體10中，可視所要之陶瓷電子零件1之特性，以上述陶瓷材料為主成分，適當添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等副成分。
在陶瓷電子零件1為陶瓷壓電元件之情形，能以壓電陶瓷材料形成陶瓷坯體10。作為壓電陶瓷材料之具體例，可舉例如PZT(鋯鈦酸鉛)系陶瓷材料等。
在陶瓷電子零件1為熱敏電阻元件之情形，能以半導體陶瓷材料形成陶瓷坯體10。作為半導體陶瓷材料之具體例，可舉例如尖晶石系陶瓷材料等。
在陶瓷電子零件1為電感元件之情形，能以磁性體陶瓷材料形成陶瓷坯體10。作為磁性體陶瓷材料之具體例，可舉例如肥粒鐵陶瓷材料等。
陶瓷坯體10之形狀未特別限定。在本實施形態，陶瓷坯體10形成為長方體狀。如圖1~圖3所示，陶瓷坯體10，具有沿著長度方向L及寬度方向W延伸之第1及第2主面10a、10b。陶瓷坯體10，如圖1、圖2及圖6所示，具有沿著高度方向H及長度方向L延伸之第1及第2側面10c、10d。又，如圖2、圖3及圖6所示，具備沿著高度方向H及寬度方向 W延伸之第1及第2端面10e、10f。
又，在本說明書中，於「長方體狀」中，亦包含角部或稜線 部呈去角狀或R去角狀之長方體。即，所謂「長方體狀」之構件，係指具有第1及第2主面、第1及第2側面以及第1及第2端面之構件整體。又，亦可在主面、側面、端面之一部分或全部形成凹凸等。
陶瓷坯體10之尺寸，雖未特別限定，但，當陶瓷坯體10， 設其厚度尺寸為T、長度尺寸為L、寬度尺寸為W時，較佳係滿足T≦W<L、(1/5)W≦T≦(1/2)W、T≦0.3mm之薄型者。具體而言，較佳係0.1mm≦T≦0.3mm、0.4mm≦L≦1mm、0.2mm≦W≦0.5mm。
如圖3及圖6所示，在陶瓷坯體10內部，大致矩形狀之複 數個第1及第2內部電極11、12沿著高度方向H以等間隔交互配置。第1及第2內部電極11、12分別與第1及第2主面10a、10b平行。第1及第2內部電極11、12，於高度方向H，隔著陶瓷層10g而彼此對向。
又，陶瓷層10g之厚度未特別限定。陶瓷層10g之厚度，例 如可設為0.5μm~10μm程度。第1及第2內部電極11、12之各厚度亦未特別限定。第1及第2內部電極11、12之各厚度，例如可設為0.2μm~2μm程度。
第1及第2內部電極11、12，能以適當之導電材料形成。 第1及第2內部電極11、12，例如能以Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金屬、或Ag-Pd合金等之包含其等金屬一種以上之合金形成。
如圖1~圖3所示，在陶瓷坯體10之表面上形成有第1及第 2外部電極13、14。第1外部電極13電氣連接於第1內部電極11。第1外 部電極13，具備形成於第1主面10a上之第1部分13a、形成於第2主面10b上之第2部分13b、及形成於第1端面10e上之第3部分13c。在本實施形態中，第1外部電極13，實質上未形成於第1及第2側面10c、10d上。
另一方面，第2外部電極14電氣連接於第2內部電極12。 第2外部電極14，具備形成於第1主面10a上之第1部分14a、形成於第2主面10b上之第2部分14b、及形成於第2端面10f上之第3部分14c。在本實施形態中，第2外部電極14，實質上未形成於第1及第2側面10c、10d上。
其次，說明第1及第2外部電極13、14之構成。又，在本 實施形態中，第1及第2外部電極13、14具有實質上相同之膜構成。因此，在此針對第1及第2外部電極13、14之構成，主要參照描繪有第1外部電極13的一部分之圖4加以說明。
如圖4所示，第1及第2外部電極13、14，分別以基底電 極層15與第1及第2Cu鍍膜16、17之積層體構成。基底電極層15形成於陶瓷坯體10上。第1Cu鍍膜16形成於基底電極層15上。第2Cu鍍膜17形成於第1Cu鍍膜16上。
基底電極層15，係用以提高第1及第2外部電極13、14與 陶瓷坯體10之密合強度之層。因此，基底電極層15，具有提高基底電極層15與陶瓷坯體10之密合強度、且基底電極層15與第1Cu鍍膜16之密合性之組成。具體而言，基底電極層15，包含能擴散於Cu之金屬與陶瓷結合材。
在基底電極層15中，能擴散於Cu之金屬之含量，較佳係 在50體積%~70體積%的範圍內。在基底電極層15中，陶瓷結合材之含量， 較佳係在30體積%~50體積%的範圍內。
陶瓷結合材，係用以提高對陶瓷坯體10之密合強度之成 分。陶瓷結合材，例如，在陶瓷坯體與基底電極層同時燒成時，以使陶瓷坯體之收縮動作與基底電極層之收縮動作接近之方式，來選擇其種類。陶瓷結合材，較佳係包含構成包含於陶瓷坯體10之陶瓷材料之主成分之元素，其中，較佳係與包含於陶瓷坯體10之陶瓷材料之主成分相同之陶瓷材料。
另一方面，能擴散於Cu之金屬(以下，亦有設成「能擴散金 屬」之情形)，係用以提高對第1Cu鍍膜之密合強度之成分。在本實施形態中，該能擴散於Cu之金屬，係擴散於第1Cu鍍膜16之至少基底電極層15側之表層。又，在基底電極層15，從第1Cu鍍膜16擴散有Cu。在本實施形態中，藉由相互擴散，以實現基底電極層15與第1Cu鍍膜16之高密合性。
更具體而言，在本實施形態中，於第1Cu鍍膜16存在有粒 界。沿著該粒界擴散能擴散金屬。又，如圖5所示，在第1Cu鍍膜16之中，能擴散金屬擴散之擴散部分16a，係到達第1Cu鍍膜16之與基底電極層15相反側之表面。另一方面，在基底電極層15之第1Cu鍍膜16側之表層，存在有Cu擴散之擴散部分15a。
又，擴散有能擴散金屬，係將陶瓷電子零件1之側面研磨至 W方向之中心附近，使與相反側之側面平行之剖面露出，使用會聚離子束(FBI)處理該剖面，能藉由WDX(波長分散型)之元素映射(mapping)加以檢測。
能擴散金屬的種類未特別限定。能擴散金屬，例如能以選自 由Ni、Ag、及Au構成之群之一種以上之金屬構成。其中，作為能擴散金屬，較佳係使用Ni。
但，在本實施形態中，於第2Cu鍍膜17，能擴散金屬不擴散。因此，第2Cu鍍膜17實質上以Cu形成。
又，基底電極層15之最大厚度，例如可設成1μm~20μm程度。第1Cu鍍膜16之最大厚度，較佳係例如2μm~6μm程度。第2Cu鍍膜17之最大厚度，較佳係例如3μm~6μm程度。
其次，說明本實施形態之陶瓷電子零件1之製造方法之一例。
首先，準備包含用以構成陶瓷坯體10之陶瓷材料之陶瓷坯片20(參照圖7)。其次，如圖7所示，在該陶瓷坯片20上塗布導電性糊，藉此形成導電圖案21。又，導電圖案之塗布，例如能以網版印刷法等各種印刷法來進行。導電性糊，除了導電性微粒子之外，亦可包含公知之結合劑或溶劑。
其次，將未形成有導電圖案21之複數片陶瓷坯片20、對應於第1或第2內部電極11、12之形狀之形成有導電圖案21之陶瓷坯片20、及未形成有導電圖案21之複數片陶瓷坯片20依序積層，藉由往積層方向施以均壓，以製作圖8所示之母積層體22。
其次，在母積層體22上，以網版印刷法等適當之印刷法，形成與構成第1及第2外部電極13、14之基底電極層15之第1及第2部分13a、13b的部分對應之形狀之導電圖案23。又，該導電圖案23之形成所使用之導電性糊，包含能擴散金屬與陶瓷結合材。
其次，藉由沿著虛擬的切割線L切割母積層體22，以從母 積層體22製作複數個未加工陶瓷積層體。又，母積層體22之切割，能以切割或壓切進行。
未加工陶瓷積層體作成後，亦能以滾磨等進行未加工陶瓷積 層體之角部及稜線部之去角或R去角及表層之研磨。
其次，藉由在未加工陶瓷積層體之兩端面塗布導電性糊，形 成與構成第1及第2外部電極13、14之基底電極層15之第3部分13c的部分對應之形狀之導電圖案。該導電性糊之塗布，例如能以滴下或網版印刷等進行。又，該導電圖案之形成所使用之導電性糊，包含能擴散金屬與陶瓷結合材。
其次，進行未加工陶瓷積層體之燒成。在此燒成步驟，基底 電極層15與第1及第2內部電極11、12同時燒成(共燒)。燒成溫度能根據使用之陶瓷材料或導電性糊的種類適當設定。燒成溫度例如可設為900℃~1300℃程度。
其次，藉由在基底電極層15上施以鍍Cu，形成第1Cu鍍膜 16。在本實施形態中，其後，對陶瓷積層體施以熱處理，以加熱第1Cu鍍膜16與基底電極層15。藉由此加熱步驟，在第1Cu鍍膜16之至少基底電極層15側之表層包含於基底電極層15之能擴散金屬層擴散。與此同時，第1Cu鍍膜16之Cu擴散於基底電極層15之至少第1Cu鍍膜16側之表層。即，在基底電極層15與第1Cu鍍膜16之間進行相互擴散。
在第1Cu鍍膜16與基底電極層15之熱處理步驟，較佳係將 第1Cu鍍膜16與基底電極層15加熱至350℃~800℃，更佳係加熱至 550℃~650℃。若第1Cu鍍膜16與基底電極層15之加熱溫度過低，會有無法進行充分擴散之情形。另一方面，若第1Cu鍍膜16與基底電極層15之加熱溫度過高，會有包含於第1Cu鍍膜16之Cu熔解之情形。
上述熱處理步驟，較佳係在氮或氬等惰性氣體環境氣氛中進 行。藉此，能抑制第1Cu鍍膜16之氧化。
其後，在第1Cu鍍膜16上，藉由鍍Cu以形成第2Cu鍍膜 17，藉此，完成圖1所示之陶瓷電子零件1。如此，在本實施形態中，在第1Cu鍍膜16及基底電極層15之熱處理後，形成第2Cu鍍膜17。因此，雖在第1Cu鍍膜16能擴散金屬擴散，而在第2Cu鍍膜17能擴散金屬實質上不擴散。從而，第2Cu鍍膜17實質上由Cu構成。
如以上說明，在本實施形態中，藉由共燒形成基底電極層 15。因此，能形成較薄之第1及第2外部電極13、14之第1及第2部分13a、14a、13b、14b。從而，能使陶瓷電子零件1之厚度變薄。
又，基底電極層15包含陶瓷結合材。因此，就算在藉由共 燒形成之情形，亦能提高基底電極層15與陶瓷坯體10之密合性。
進而，基底電極層15包含能擴散於Cu之金屬，能擴散於 該Cu之金屬，擴散於第1Cu鍍膜16之至少基底電極層15側之表層。因此，可提高基底電極層15與第1Cu鍍膜16之密合性。尤其，能擴散於該Cu之金屬，在擴散至第1Cu鍍膜16之與基底電極層15相反側之表面之情形，可更提高基底電極層15與第1Cu鍍膜16之密合性。
又，在本實施形態中，於第1Cu鍍膜16上，形成有實質上 由Cu構成之第2Cu鍍膜17。因此，就算在將雷射光照射於第1及第2外部 電極13、14之情形，雷射光以高反射率在第1及第2外部電極13、14被反射。從而，就算在將雷射光照射於第1及第2外部電極13、14之情形，陶瓷坯體10不易損傷。即，本實施形態之陶瓷電子零件1，對雷射光具有高耐受性。
如此，在本實施形態中，可使陶瓷電子零件1之厚度變薄， 可提高陶瓷坯體10、基底電極層15及第1Cu鍍膜16間之密合性，且可提高在第1及第2外部電極13、14之雷射光之反射率。從而，具有本實施形態之高可靠性之陶瓷電子零件1，能較佳使用作為埋設型陶瓷電子零件。在本實施形態之陶瓷電子零件1使用作為埋設型陶瓷電子零件之情形，使用雷射光，可於陶瓷電子零件1之第1及第2外部電極13、14之上部，不會使陶瓷電子零件1損傷而良好地形成通孔。
又，在本實施形態中，係以陶瓷電子零件具備至少一對內部電極、以及第1及第2外部電極為例加以說明。但，本發明未限於此構成。在本發明，陶瓷電子零件，可具有至少一個外部電極，例如亦可不具有內部電極。
以下，說明本發明之較佳實施形態之另一例。但，在以下說明中，與上述實施形態實質上具有共通功能之構件，以共通功能參照而省略其說明。
(第2實施形態)
圖9係將第2實施形態之陶瓷電子零件之一部分放大之概略剖面圖。
在上述第1實施形態中，第1及第2外部電極13、14，係以藉由基底電極層15以及第1及第2Cu鍍膜16、17之積層體形成之例加以 說明。但，本發明未限於此構成。外部電極，只要具有積層於基底電極層上之至少一個Cu鍍膜，並未特別限定。
例如，如圖9所示，第1及第2外部電極13、14，能以基 底電極層15、與形成於第1Cu鍍膜16之積層體形成。在此情形，包含於基底電極層15之能擴散金屬，較佳係未擴散至第1Cu鍍膜16之與基底電極層15相反側之表面。即，第1Cu鍍膜16之與基底電極層15相反側之表層，較佳係由Cu構成。
但，控制使能擴散金屬不擴散至第1Cu鍍膜16之與基底電 極層15相反側之表面有其困難。因此，為使第1及第2外部電極13、14之與陶瓷坯體10相反側之表層設成確實由Cu構成，較佳係形成第2Cu鍍膜17。
(第3實施形態)
圖10係第3實施形態之陶瓷電子零件之概略剖面圖。
在上述第1實施形態中，係以在第1及第2主面10a、10b 之中，形成有第1及第2外部電極13、14之部分、與未形成有第1及第2外部電極13、14之部分形成相同高度為例加以說明。但，本發明未限於此構成。在第1及第2主面10a、10b之中，形成有第1及第2外部電極13、14之部分、與未形成有第1及第2外部電極13、14之部分，亦可高度不同。
例如，如圖10所示，在第1及第2主面10a、10b之中，形 成有第1及第2外部電極13、14之部分，位於比未形成有第1及第2外部電極13、14之部分更靠高度方向H之內側。在此情形，能使陶瓷電子零件1更低背化。
(第4實施形態)
圖11係第4實施形態之陶瓷電子零件之概略剖面圖。
在上述第1實施形態中，係以第1及第2外部電極13、14， 分別形成於第1及第2主面10a、10b之兩者上為例加以說明。但，本發明未限於此構成。第1及第2外部電極13、14，可分別形成於陶瓷坯體10表面之任一部分上。
例如，如圖11所示，可使第1及第2外部電極13、14，分 別僅形成於第1及第2主面10a、10b中之第2主面10b上。如此，藉由將第1及第2外部電極13、14分別形成於第1及第2主面10a、10b中之至少一者上，能提高陶瓷電子零件1之構裝容易性。
(第5實施形態)
圖12係第5實施形態之陶瓷電子零件之概略側視圖。
在上述第1實施形態中，係以在第1及第2側面10c、10d 上，實質上不形成第1及第2外部電極13、14為例加以說明。但，如圖12所示，亦可在第1及第2側面10c、10d上形成第1及第2外部電極13、14。
(第6實施形態)
圖13係第6實施形態之陶瓷電子零件之概略剖面圖。
在上述第1實施形態中，係以將第1及第2內部電極11、 12引出至第1及第2端面10e、10f，且在第1及第2端面10e、10f上，形成第1及第2外部電極13、14，藉此，使第1及第2內部電極11、12與第1及第2外部電極13、14電氣連接為例加以說明。但，本發明未限於此構成。
例如，如圖13所示，亦可形成通孔電極31、32，將第1及 第2內部電極11、12引出至第1及第2主面10a、10b，在第1及第2主面10a、10b電氣連接第1及第2外部電極13、14。在此情形，第1及第2外部電極13、14，亦可形成於第1及第2主面10a、10b之至少一者，在第1及第2側面10c、10d或第1及第2端面10e、10f上，未必要形成第1及第2外部電極13、14。
(第7實施形態)
圖14及圖15係第7實施形態之陶瓷電子零件之沿著高度方向H及長度方向L之概略剖面圖。
在上述第1實施形態中，係以第1及第2內部電極11、12 與第1及第2主面10a、10b平行形成、且引出至第1及第2端面10e、10f為例加以說明。但，本發明未限於此構成。
例如，如圖14及圖15所示，亦可將第1及第2內部電極 11、12沿著高度方向H及長度方向L平行形成，將第1及第2內部電極11、12沿著寬度方向W積層。在此情形，可將第1及第2內部電極11、12直接引出至第1及第2主面10a、10b之至少一者，而與形成於第1及第2主面10a、10b之至少一者上之第1及第2外部電極13、14直接連接。
(變形例)
圖16係將變形例之第1外部電極之一部分放大之示意剖面圖。
在上述第1實施形態中，如圖5所示，係以擴散部分16a到 達第1Cu鍍膜16之與基底電極層15相反側之表面為例加以說明。但，本發明未限於此構成。例如，如圖16所示，擴散部分16a亦可不到達第1Cu鍍 膜16之與基底電極層15相反側之表面。
(實施例1)
在本實施例中，將具有與上述第1實施形態之陶瓷電子零件1同樣構成之作為陶瓷電容器之陶瓷電子零件，以上述第1實施形態所說明之製造方法，根據以下條件製作。
陶瓷電子零件之尺寸：1.0mm×0.5mm×0.15mm
陶瓷電子零件之電容：10nF
陶瓷電子零件之額定電壓：6.3V
構成陶瓷坯體之陶瓷材料之主成分：BaTiO3
基底電極層：作為能擴散於該Cu之金屬，含50體積%之Ni。又，含50體積%之陶瓷結合材。
基底電極層之形成條件：1200℃、2小時燒成
基底電極層之厚度：5μm
第1Cu鍍膜之厚度：4μm
第2Cu鍍膜之厚度：4μm
使Ni擴散於第1Cu鍍膜之熱處理條件：600℃(最高溫度)保持10分鐘，總熱處理時間：1小時，環境氣氛為10ppm以下之惰性氣體環境氣氛。
對上述製作之陶瓷電子零件之側面研磨至W方向之中心附近，使與相反側之側面平行之剖面露出，使用聚焦離子束(FIB)處理該剖面，進行WDX(波長分散型)之元素映射，藉此，確認出於第1Cu鍍膜擴散有Ni。
(比較例1)
除不進行使Ni擴散於第1Cu鍍膜之熱處理以外，與上述實施例1同樣製作陶瓷電子零件。
藉由切斷上述製作之陶瓷電子零件，使外部電極之剖面露出，使用電子顯微鏡觀察之結果，確認出於第1Cu鍍膜未擴散有Ni。
(膠帶剝離測試)
將以上述實施例1及比較例1分別製成之陶瓷電子零件之第2主面側使用導電性黏著劑黏著於玻璃環氧基板。其後，在陶瓷電子零件之第1主面側貼上黏著膠帶(積水化學公司製Cellotape(註冊商標)No.252)，沿著陶瓷電子零件之長度方向，以一定張力拉伸加以剝離(180°)。其後，使用電子顯微鏡觀察於鍍膜是否產生剝離。將此測試針對實施例1及比較例1各進行100試料，測定於鍍膜觀察剝離之試料之比例。其結果，在實施例1中，於任一試料皆未觀察到剝離。相對於此，在比較例1中，觀察到75%之試料剝離。
根據此結果，可知藉由使未含於基底電極層之金屬擴散於第1Cu鍍膜，能提高第1Cu鍍膜之密合強度。
(剪斷測試)
將以上述實施例1及比較例1分別製成之陶瓷電子零件之第2主面側使用導電性黏著劑黏著於玻璃環氧基板。其後，使用負載治具從陶瓷電子零件之長度方向兩側以0.5mm/秒施加負載至外部電極剝離為止。
其結果，在比較例1中，觀察到鍍膜剝離，而在實施例1中，就算持續測試至陶瓷坯體破壞，仍未觀察到Cu鍍膜剝離。
根據此結果，亦可知藉由使未含於基底電極層之金屬擴散於 第1Cu鍍膜，能提高第1鍍膜之密合強度。
(耐溼負載測試)
將以實施例1及比較例1分別製成之陶瓷電子零件之試料各72個，使用共晶焊料構裝於玻璃環氧基板。其後，將試料以85℃、相對溼度83%RH之高溫高溼槽內，施加6.3V之電壓1000小時。此耐濕負載測試後之試料之絕緣電阻值若為10GΩ以下，則計算為不良。其結果，在實施例1，於72個試料中，判定為不良之試料係0個。另一方面，在比較例1，於72個試料中，判定為不良知試料係30個。
根據此結果可知，藉由使未含於基底電極層之金屬擴散於第1Cu鍍膜，能改善陶瓷電子零件之耐溼性。
1‧‧‧陶瓷電子零件
10‧‧‧陶瓷坯體
13‧‧‧第1外部電極
15‧‧‧基底電極層
16‧‧‧第1Cu鍍膜
17‧‧‧第2Cu鍍膜

Claims (12)

  1. 一種陶瓷電子零件，其特徵在於，包括：包括第1和第2主面、第1和第2側面、以及第1和第2端面的陶瓷坯體；至少位於所述第1和第2主面的預定區域的基底電極層；以及至少位於所述基底電極層上的鍍膜；各個所述基底電極層包括金屬與陶瓷結合材料；各個所述鍍膜包括熱處理後的材料，所述熱處理後的材料包括Cu與來自各個所述基底電極層的所述金屬。
  2. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述基底電極層僅位於所述預定區域。
  3. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述鍍膜位於所述第1和第2端面的預定區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述鍍膜位於所述第1和第2側面的預定區域。
  5. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述基底電極層還位於所述第1和第2端面的預定區域。
  6. 如申請專利範圍第4項之陶瓷電子零件，其中，所述鍍膜還位於所述第1和第2端面上的所述基底電極層上。
  7. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述基底電極層還位於所述第1和第2側面的預定區域。
  8. 如申請專利範圍第6項之陶瓷電子零件，其中， 所述鍍膜還位於所述第1和第2側面上的所述基底電極層上。
  9. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述陶瓷電子零件的厚度為大約0.15mm。
  10. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述陶瓷坯體的尺寸滿足以下公式：TW<L，(1/5)WT(1/2)W，以及T0.3mm；其中，T是所述陶瓷坯體的厚度尺寸，L是所述陶瓷坯體的長度尺寸，以及W是所述陶瓷坯體的寬度尺寸。
  11. 如申請專利範圍第10項之陶瓷電子零件，其中，所述陶瓷坯體的尺寸滿足以下公式：0.1mmT0.3mm，0.4mmL1mm，以及0.2mmW0.5mm。
  12. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，所述基底電極層與所述陶瓷坯體具有相同或實質上相同的收縮特性。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5589891B2 (ja) 2010-05-27 2014-09-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
JP5796568B2 (ja) * 2012-02-03 2015-10-21 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP5794222B2 (ja) * 2012-02-03 2015-10-14 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
KR101309326B1 (ko) 2012-05-30 2013-09-16 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체
JP6079040B2 (ja) * 2012-08-10 2017-02-15 Tdk株式会社 積層コンデンサ
JP5765318B2 (ja) 2012-11-07 2015-08-19 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP5971236B2 (ja) * 2013-03-26 2016-08-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びガラスペースト
JP6112027B2 (ja) 2013-03-26 2017-04-12 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びセラミック電子部品内蔵配線基板
JP6201474B2 (ja) * 2013-07-18 2017-09-27 Tdk株式会社 積層コンデンサ
KR101548804B1 (ko) * 2013-09-16 2015-08-31 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판
KR102037264B1 (ko) * 2014-12-15 2019-10-29 삼성전기주식회사 기판 내장용 소자, 그 제조 방법 및 소자 내장 인쇄회로기판
JP6547762B2 (ja) 2015-01-30 2019-07-24 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および電子部品
JP2016181597A (ja) 2015-03-24 2016-10-13 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6632808B2 (ja) 2015-03-30 2020-01-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR101884392B1 (ko) * 2015-03-30 2018-08-02 다이요 유덴 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서
JP6291452B2 (ja) * 2015-04-14 2018-03-14 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
KR102222611B1 (ko) * 2015-07-10 2021-03-05 삼성전기주식회사 수동소자 외부전극 형성방법 및 외부전극을 갖는 수동소자
JP6854593B2 (ja) * 2015-07-14 2021-04-07 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2017103377A (ja) 2015-12-03 2017-06-08 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP6405329B2 (ja) * 2016-02-26 2018-10-17 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2017216329A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 株式会社村田製作所 セラミックコンデンサ
KR101867982B1 (ko) 2016-07-20 2018-06-18 삼성전기주식회사 커패시터 및 그 실장 기판
TWI665691B (zh) * 2017-01-25 2019-07-11 禾伸堂企業股份有限公司 積層陶瓷電容器及其製造方法
JP6677228B2 (ja) * 2017-08-31 2020-04-08 株式会社村田製作所 コイル部品
CN107799247B (zh) * 2017-09-25 2020-03-10 江苏时恒电子科技有限公司 一种负温度系数热敏电阻及其制备方法
JP6962282B2 (ja) * 2018-06-27 2021-11-05 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR102101933B1 (ko) * 2018-09-06 2020-04-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102101932B1 (ko) * 2018-10-02 2020-04-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102148446B1 (ko) * 2018-10-02 2020-08-26 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102121579B1 (ko) 2018-10-02 2020-06-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
JP7211004B2 (ja) * 2018-10-29 2023-01-24 株式会社村田製作所 セラミックコンデンサ
CN109688699A (zh) * 2018-12-31 2019-04-26 深圳硅基仿生科技有限公司 陶瓷电路板及其制造方法
JP7151543B2 (ja) * 2019-02-22 2022-10-12 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP7081550B2 (ja) * 2019-03-27 2022-06-07 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP7196732B2 (ja) * 2019-03-28 2022-12-27 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法
KR20190116122A (ko) * 2019-07-04 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
CN112185693B (zh) * 2019-07-04 2022-11-04 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
KR102620521B1 (ko) 2019-07-05 2024-01-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR20190116126A (ko) 2019-07-05 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR102333095B1 (ko) 2019-08-19 2021-12-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
JP7172927B2 (ja) * 2019-09-19 2022-11-16 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品、およびその製造方法
KR20210075669A (ko) * 2019-12-13 2021-06-23 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
JP2021108328A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 太陽誘電株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法
JP7363654B2 (ja) 2020-04-20 2023-10-18 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR20230031615A (ko) * 2021-08-27 2023-03-07 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법
KR20230068021A (ko) 2021-11-10 2023-05-17 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
KR20230075086A (ko) * 2021-11-22 2023-05-31 삼성전기주식회사 세라믹 전자부품

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3612963A (en) * 1970-03-11 1971-10-12 Union Carbide Corp Multilayer ceramic capacitor and process
US4811162A (en) * 1987-04-27 1989-03-07 Engelhard Corporation Capacitor end termination composition and method of terminating
JPH02150007A (ja) 1988-11-30 1990-06-08 Taiyo Yuden Co Ltd 積層磁器コンデンサ
JP2852372B2 (ja) * 1989-07-07 1999-02-03 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
US5155656A (en) * 1991-12-12 1992-10-13 Micron Technology, Inc. Integrated series capacitors for high reliability electronic applications including decoupling circuits
JPH05343259A (ja) * 1992-06-11 1993-12-24 Tdk Corp セラミック電子部品及びその製造方法
JP3135754B2 (ja) * 1993-08-09 2001-02-19 太陽誘電株式会社 積層コンデンサとその製造方法
JPH08264372A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Taiyo Yuden Co Ltd 無電解メッキ膜付電子部品の製造方法
JPH08264371A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Taiyo Yuden Co Ltd 無電解メッキ膜付電子部品の製造方法
JPH097878A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック電子部品とその製造方法
JPH1187167A (ja) * 1997-09-16 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 端子電極用ペーストおよびそれを用いたセラミック電子部品とその製造方法
US5963416A (en) * 1997-10-07 1999-10-05 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic device with outer electrodes and a circuit module having the electronic device
JP2000100647A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP3477692B2 (ja) * 1998-12-18 2003-12-10 株式会社村田製作所 電子部品
JP4953499B2 (ja) 1999-09-02 2012-06-13 イビデン株式会社 プリント配線板
EP2265101B1 (en) * 1999-09-02 2012-08-29 Ibiden Co., Ltd. Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board
JP2001307947A (ja) 2000-04-25 2001-11-02 Tdk Corp 積層チップ部品及びその製造方法
JP3475910B2 (ja) * 2000-05-24 2003-12-10 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板
JP2002008938A (ja) * 2000-06-23 2002-01-11 Kyocera Corp 積層型電子部品およびその製法
JP2002184645A (ja) 2000-12-12 2002-06-28 Fdk Corp 表面実装方式のチップ部品
JP4859270B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-25 イビデン株式会社 コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法
JP4544387B2 (ja) * 2001-02-06 2010-09-15 Ｔｄｋ株式会社 セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP3743406B2 (ja) * 2001-10-05 2006-02-08 株式会社村田製作所 導電性ペースト、積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品
JP3855792B2 (ja) * 2002-02-15 2006-12-13 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP3744439B2 (ja) * 2002-02-27 2006-02-08 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
US6704189B2 (en) * 2002-04-09 2004-03-09 Tdk Corporation Electronic device with external terminals and method of production of the same
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
US6982863B2 (en) 2002-04-15 2006-01-03 Avx Corporation Component formation via plating technology
US7576968B2 (en) 2002-04-15 2009-08-18 Avx Corporation Plated terminations and method of forming using electrolytic plating
US7177137B2 (en) 2002-04-15 2007-02-13 Avx Corporation Plated terminations
US6960366B2 (en) 2002-04-15 2005-11-01 Avx Corporation Plated terminations
TWI260657B (en) 2002-04-15 2006-08-21 Avx Corp Plated terminations
US7463474B2 (en) 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
US7345868B2 (en) 2002-10-07 2008-03-18 Presidio Components, Inc. Multilayer ceramic capacitor with terminal formed by electroless plating
JP2005109125A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Tdk Corp チップ型電子部品
JP2006216781A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP3918851B2 (ja) * 2005-06-03 2007-05-23 株式会社村田製作所 積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法
CN101180690B (zh) * 2005-05-23 2011-06-15 株式会社村田制作所 陶瓷电子元件及其制造方法
JP3861927B1 (ja) * 2005-07-07 2006-12-27 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法
US7697262B2 (en) 2005-10-31 2010-04-13 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7414857B2 (en) 2005-10-31 2008-08-19 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7580240B2 (en) * 2005-11-24 2009-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Via array capacitor, wiring board incorporating a via array capacitor, and method of manufacturing the same
JP5180588B2 (ja) * 2005-12-22 2013-04-10 ナミックス株式会社 熱硬化性導電ペースト及びそれを用いて形成した外部電極を有する積層セラミック部品
JP2007281400A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Taiyo Yuden Co Ltd 表面実装型セラミック電子部品
JP4936850B2 (ja) 2006-09-15 2012-05-23 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
CN101356602B (zh) * 2006-11-15 2012-07-04 株式会社村田制作所 叠层型电子部件及其制造方法
WO2009001842A1 (ja) * 2007-06-27 2008-12-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層セラミック電子部品及びその実装構造
JP5056485B2 (ja) * 2008-03-04 2012-10-24 株式会社村田製作所 積層型電子部品およびその製造方法
JP2008227515A (ja) * 2008-03-31 2008-09-25 Tdk Corp 電子部品及びその製造方法
JP5217584B2 (ja) 2008-04-07 2013-06-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP5176775B2 (ja) 2008-06-02 2013-04-03 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
JP5078759B2 (ja) * 2008-06-03 2012-11-21 日本特殊陶業株式会社 配線基板内蔵用電子部品及び配線基板
JP5115349B2 (ja) * 2008-06-13 2013-01-09 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP5282634B2 (ja) 2008-06-25 2013-09-04 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2010016306A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ及びその実装構造
JP5245611B2 (ja) * 2008-07-28 2013-07-24 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP5287658B2 (ja) * 2008-11-14 2013-09-11 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP4752901B2 (ja) * 2008-11-27 2011-08-17 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品内蔵基板
JP5282653B2 (ja) * 2009-05-13 2013-09-04 株式会社村田製作所 積層型電子部品およびその製造方法
JP5589891B2 (ja) 2010-05-27 2014-09-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
JP2012164966A (ja) * 2011-01-21 2012-08-30 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品
JP5276137B2 (ja) * 2011-04-13 2013-08-28 太陽誘電株式会社 積層型コンデンサ

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