JP2007537601A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 処理チャンバ内で、誘電材料とソース領域及びドレイン領域を上部に有する基板上にシリコンベース材料を形成する方法であって、
   ジクロロシラン、ゲルマニウム源、第１のエッチャント、キャリアガスを含む第１のプロセスガスに前記基板を晒し、上部に第１のシリコン含有層を堆積するステップであって、前記第１のシリコン含有層は、前記基板の前記ソース領域及びドレイン領域に選択的に堆積されると同時に、前記基板の誘電材料の前記表面で前記第１のシリコン含有層がエッチングで除去される、前記ステップと、
   シランおよび第２のエッチャントを含む第２のプロセスガスに前記基板を曝し、前記第１のシリコン含有層の前記表面にわたり選択的に前記基板上に第２のシリコン含有層を堆積するステップと、
   を備える方法。
2. 前記第１のプロセスガスが、
   流速が約５０ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍの範囲にあるジクロロシランと、
   流速が約０．５ｓｃｃｍ〜約５ｓｃｃｍの範囲にあるゲルマンと、
   流速が約３０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの範囲にある塩化水素と、
   流速が約１０ｓｌｍ〜約３０ｓｌｍの範囲にある水素と、
   を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１のシリコン含有層が、リセス層であり、前記第２のシリコン含有層が、ソース／ドレイン特徴部内にあるエレベート層である、請求項１に記載の方法。
4. 前記第１のシリコン含有層が、段階的なゲルマニウム濃度を含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスの各々が、ジボラン、アルシン、ホスフィン、およびそれらの誘導体からなる群から独立して選択されたドーパント前駆体を含む、請求項２に記載の方法。
6. 前記第１のシリコン含有層及び前記第２のシリコン含有層が、約５×１０^１９原子／ｃｍ^３〜約２×１０^２０原子／ｃｍ^３の範囲にあるホウ素濃度を有する、請求項５に記載の方法。
7. 前記第２のシリコン含有層は、前記第１のシリコン含有層より大きいドーパント濃度を有する、請求項５に記載の方法。
8. 処理チャンバ内で、誘電材料とソース領域及びドレイン領域を上部に有する基板上にシリコンベース材料を形成する方法であって、
   ジクロロシラン、ゲルマニウム源、炭素源、第１のエッチャント、キャリアガスを含む第１のプロセスガスに前記基板を晒し、上部に第１のシリコン含有層を堆積するステップであって、前記第１のシリコン含有層は、前記基板の前記ソース領域及びドレイン領域に選択的に堆積されると同時に、前記基板の誘電材料の前記表面で前記第１のシリコン含有層がエッチングで除去される、前記ステップと、
   シランおよび第２のエッチャントを含む第２のプロセスガスに前記基板を曝し、前記第１のシリコン含有層の前記表面にわたり選択的に前記基板上に第２のシリコン含有層を堆積するステップと、
   を備える方法。
9. 前記第１のシリコン含有層は、結晶格子内に格子間部位を有し、前記格子間部位内に約３ａｔ％以下の炭素を含有する、請求項８に記載の方法。
10. 前記結晶格子内で前記炭素の少なくとも一部を包含するように前記第１のシリコン含有層をアニールするステップを更に有する、請求項９に記載の方法。
11. 前記炭素源は、メチルシランである、請求項１０に記載の方法。
12. 前記第１のシリコン含有層は、約１×１０^２０原子／ｃｍ^３より大きいホウ素濃度を有する、請求項９に記載の方法。
13. 前記ホウ素濃度は、約２×１０^２０原子／ｃｍ^３以上である請求項１２に記載の方法。
14. 前記第２のシリコン含有層は、約１×１０^２０原子／ｃｍ^３より大きいホウ素濃度を有する、請求項９に記載の方法。
15. 前記ホウ素濃度は、約２×１０^２０原子／ｃｍ^３以上である請求項１２に記載の方法。