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Description
いくつかの実施形態において、図２Ｃに図示されるように、第１の吸入口１１４は、基板１２５の処理面上の第１の高さ２１６に配置されてもよく、第２の吸入口は、基板１２５の処理面上の第２の高さ２１８に配置されてもよい。第１の高さ２１６および第２の高さ２１８は、調整可能であり、例えば、各高さが、チャンバ１００内で基板１２５を処理する前に設定されてもよく、または各吸入口１１４、１７０が可動プラットフォーム（図示せず）上に設けられてもよく、または第１の高さ２１６および第２の高さ２１８を調整するために、基板支持体アセンブリ１６４が中心軸２００に沿って動かされてもよい（例えば、ここで基板支持体アセンブリ１６４は、様々な処理面に基板１２５を置くために垂直に移動可能である）。いくつかの実施形態において、第２の吸入口１７０の第２の高さ２１８は、第１の吸入口１１４の第１の高さ２１６より高い。そのような実施形態において、第２の方向２１２は基板表面（図２Ｃに図示せず）に対し平行または角度がある場合がある。
第１のプロセスガスは、１つまたは複数のプロセスガスを含むことができる。例えば、プロセスガスが、選択的エピタキシャル成長プロセスのためなど、堆積ガスおよび／またはエッチングガスを含むことができる。いくつかの実施形態において、第１のプロセスガスは、１つまたは複数の堆積ガス、および任意選択で、ドーパント前駆体ガス、エッチャントガス、またはキャリアガスの１つまたは複数を含むことができる。堆積ガスは、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロロシラン（Ｈ２ＳｉＣｌ２）のうちの少なくとも１つなどのシリコン前駆体を含むことができる。ドーパント前駆体ガスは、ゲルマン（ＧｅＨ４）、ホスフィン（ＰＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、アルシン（ＡｓＨ３）、またはメチルシラン（Ｈ３ＣＳｉＨ３）のうちの少なくとも１つを含むことができる。エッチャントガスは、メタン（ＣＨ ４ ）、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素（Ｃｌ２）、またはフッ化水素（ＨＦ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。キャリアガスは、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、または水素（Ｈ２）のうちの少なくとも１つを含むことができる。
Claims (15)
- 基板を処理するための装置であって、
中に基板の処理面をプロセスチャンバ内の所望の位置に支持するための基板支持体を有するプロセスチャンバと、
前記基板の前記処理面上に第１の方向に第１のプロセスガスを提供するための第１の吸入口と、
前記基板の前記処理面上に前記第１の方向と異なる第２の方向に第２のプロセスガスを提供するための第２の吸入口であって、前記基板支持体の中心軸に対して前記第１の方向と前記第２の方向の間で測定される方位角が最大約１４５度である第２の吸入口と、
前記第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスを前記プロセスチャンバから排気するために、前記第１の吸入口の反対側に配置された排気口と
を備える装置。 - 前記方位角が約９０度である、請求項１に記載の装置。
- 前記処理面に対する前記第１の吸入口および前記第２の吸入口の一方または両方の高さが調整可能である、請求項１または２に記載の装置。
- 前記処理面に対する前記第２の吸入口の高さが、前記処理面に対する前記第１の吸入口の高さよりも大きい、請求項１または２に記載の装置。
- 前記基板の前記処理面を前記処理面に垂直な軸に沿った複数の位置に支持するために、前記基板支持体が前記プロセスチャンバ内でさらに移動可能に配置される、請求項１または２に記載の装置。
- 前記第２の流れの方向が前記処理面に向けられる、請求項１または２に記載の装置。
- 前記第１の吸入口が、それぞれが前記第１のプロセスガスを送達可能な第１の複数の２次的な入口をさらに備え、かつ／または
前記第２の吸入口が、それぞれが前記第２のプロセスガスを送達可能な第２の複数の２次的な入口をさらに備える、
請求項１または２に記載の装置。 - 前記第１の複数の２次的な入口のうちの少なくとも１つの２次的な入口が、前記第１の複数の２次的な入口のうちの少なくとも１つの他の２次的な入口とは異なる組成物の前記第１のプロセスガスを提供することができ、および／または前記第２の複数の２次的な入口のうちの少なくとも１つの２次的な入口が、前記第２の複数の２次的な入口のうちの少なくとも１つの他の２次的な入口とは異なる組成物の前記第２のプロセスガスを提供することができる、請求項７に記載の装置。
- 前記第１の複数の２次的な入口および／または前記第２の複数の２次的な入口のうちの１つまたは複数の前記２次的な入口からのプロセスガスの流量が独立して調整可能である、請求項７に記載の装置。
- 前記基板支持体を前記中心軸の周りで回転させるように前記基板支持体に結合されている回転機構、および
前記基板支持体を前記中心軸に沿って動かすように前記基板支持体に結合されているリフト機構
のうちの少なくとも１つをさらに備える、請求項１または２に記載の装置。 - 基板上に層を堆積させるための方法であって、
基板の処理面にわたって第１の方向に第１のプロセスガスを流すステップと、
前記基板の前記処理面にわたって前記第１の方向とは異なる第２の方向に第２のプロセスガスを流すステップであって、前記基板の中心軸に対して前記第１の方向と前記第２の方向の間で測定される方位角が最大約１４５度であるステップと、
前記基板上に、少なくとも部分的に前記第１のプロセスガスと第２のプロセスガスのクロスフロー相互作用から形成される層を堆積させるステップと
を含む方法。 - 前記第１のプロセスガスと第２のプロセスガスとが同一でも異なってもよく、それぞれが、
シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、およびジクロロシラン（Ｈ２ＳｉＣｌ２）のうちの少なくとも１つを含む堆積ガスと、
メチルシラン（Ｈ３ＣＳｉＨ３）、ゲルマン（ＧｅＨ４）、ホスフィン（ＰＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、およびアルシン（ＡｓＨ３）のうちの少なくとも１つを含むドーパント前駆体ガスと、
メタン（ＣＨ ４ ）、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素（Ｃｌ２）、およびフッ化水素（ＨＦ）の１つまたは複数を含むエッチャントガスと、
窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、および水素（Ｈ２）のうちの少なくとも１つを含むキャリアガスと
を含む、請求項１１に記載の方法。 - 前記第２の流れの方向が前記処理面に対して角度を有する、請求項１１または１２に記載の方法。
- 前記第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスのうちの少なくとも１つを流すときに、前記基板を前記中心軸の周りで回転させるステップ、および／または
前記第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスのうちの少なくとも１つを流すときに、前記基板を前記中心軸に沿って動かすステップ
をさらに備える、請求項１１または１２に記載の方法。 - 前記第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスを、交互のパターンまたは周期的なパターンで律動的に送る、または前記第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスを同時に流す、請求項１１または１２に記載の方法。
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