JPH1197361A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH1197361A JPH1197361A JP27643497A JP27643497A JPH1197361A JP H1197361 A JPH1197361 A JP H1197361A JP 27643497 A JP27643497 A JP 27643497A JP 27643497 A JP27643497 A JP 27643497A JP H1197361 A JPH1197361 A JP H1197361A
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- JP
- Japan
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- gas
- reaction gas
- substrate
- reaction tube
- reaction
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Abstract
(57)【要約】
【課題】枚葉式の半導体製造装置に於いて上流側と下流
側での反応ガス濃度の差を解消する。 【解決手段】水平に配置された管状の反応管１の上流側
から反応ガスを導入すると共に反応管内部の所要位置に
ガス補充ノズル１７ａを設け、該ガス補充ノズルより補
充反応ガスを供給する様構成した半導体製造装置に係
り、前記ガス補充ノズルより供給する補充反応ガスが反
応管上流より供給した反応ガスの消耗分を補い、上流下
流での反応ガスの濃度差を解消する。
側での反応ガス濃度の差を解消する。 【解決手段】水平に配置された管状の反応管１の上流側
から反応ガスを導入すると共に反応管内部の所要位置に
ガス補充ノズル１７ａを設け、該ガス補充ノズルより補
充反応ガスを供給する様構成した半導体製造装置に係
り、前記ガス補充ノズルより供給する補充反応ガスが反
応管上流より供給した反応ガスの消耗分を補い、上流下
流での反応ガスの濃度差を解消する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、特
に枚葉式半導体製造装置の改良に関するものである。
に枚葉式半導体製造装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハ、或はガラス基板等の被処理基
板の表面に薄膜を生成し、或はエッチング等の処理を施
して半導体素子を製作する半導体製造装置には、多数の
被処理基板を同時に処理するバッチ式のものと一枚ずつ
処理する枚葉式のものがある。図６、図７により従来の
枚葉式の半導体製造装置について説明する。
板の表面に薄膜を生成し、或はエッチング等の処理を施
して半導体素子を製作する半導体製造装置には、多数の
被処理基板を同時に処理するバッチ式のものと一枚ずつ
処理する枚葉式のものがある。図６、図７により従来の
枚葉式の半導体製造装置について説明する。
【０００３】水平方向に偏平な筒状の反応管１の一方の
端に反応ガス導入フランジ２が気密に取付けられ、他方
の端には排気フランジ３が気密に取付けられている。
端に反応ガス導入フランジ２が気密に取付けられ、他方
の端には排気フランジ３が気密に取付けられている。
【０００４】前記反応ガス導入フランジ２は被処理基板
４の搬送ゲートを兼ね、搬送口６はゲート弁７により開
閉可能になっている。又、前記反応ガス導入フランジ２
には反応ガス供給管８が連通されている。前記排気フラ
ンジ３は気密に閉塞されていると共に排気管９が連通さ
れている。
４の搬送ゲートを兼ね、搬送口６はゲート弁７により開
閉可能になっている。又、前記反応ガス導入フランジ２
には反応ガス供給管８が連通されている。前記排気フラ
ンジ３は気密に閉塞されていると共に排気管９が連通さ
れている。
【０００５】前記反応管１の外周囲にはヒータ１１が設
けられ、該ヒータ１１の更に外周囲は断熱材１２で囲繞
されている。前記反応管１の内部中央には基板支持台１
３が設けられ、該基板支持台１３には被処理基板４が載
置される。該被処理基板４は前記ゲート弁７を通して図
示しない基板搬送機により搬入搬出される。
けられ、該ヒータ１１の更に外周囲は断熱材１２で囲繞
されている。前記反応管１の内部中央には基板支持台１
３が設けられ、該基板支持台１３には被処理基板４が載
置される。該被処理基板４は前記ゲート弁７を通して図
示しない基板搬送機により搬入搬出される。
【０００６】図示しない基板搬送機により搬入され、前
記基板支持台１３に載置された被処理基板４は前記ヒー
タ１１により加熱される。前記反応ガス供給管８から反
応ガスが導入され、前記反応管１の軸心に沿って流れ、
前記排気管９より排気される。反応ガスが反応管１を流
れる過程で加熱され、熱分離して前記被処理基板４の表
面に付着堆積して薄膜を生成する。
記基板支持台１３に載置された被処理基板４は前記ヒー
タ１１により加熱される。前記反応ガス供給管８から反
応ガスが導入され、前記反応管１の軸心に沿って流れ、
前記排気管９より排気される。反応ガスが反応管１を流
れる過程で加熱され、熱分離して前記被処理基板４の表
面に付着堆積して薄膜を生成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置に於いて、供給された反応ガスは反応して前記
被処理基板４に薄膜を生成するので、消費されつつ流下
して行く。この為、上流側と下流側とでは反応ガス濃度
に著しい差を生じており、被処理基板４全面で均一な膜
厚、膜質とするのが困難となっている。
製造装置に於いて、供給された反応ガスは反応して前記
被処理基板４に薄膜を生成するので、消費されつつ流下
して行く。この為、上流側と下流側とでは反応ガス濃度
に著しい差を生じており、被処理基板４全面で均一な膜
厚、膜質とするのが困難となっている。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、枚葉式の半導
体製造装置に於いて上流側と下流側での反応ガス濃度の
差を解消しようとするものである。
体製造装置に於いて上流側と下流側での反応ガス濃度の
差を解消しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、水平に配置さ
れた管状の反応管の上流側から反応ガスを導入すると共
に反応管内部の所要位置にガス補充ノズルを設け、該ガ
ス補充ノズルより補充反応ガスを供給する様構成した半
導体製造装置に係り、前記ガス補充ノズルより供給する
補充反応ガスが反応管上流より供給した反応ガスの消耗
分を補い、上流下流での反応ガスの濃度差を解消する。
れた管状の反応管の上流側から反応ガスを導入すると共
に反応管内部の所要位置にガス補充ノズルを設け、該ガ
ス補充ノズルより補充反応ガスを供給する様構成した半
導体製造装置に係り、前記ガス補充ノズルより供給する
補充反応ガスが反応管上流より供給した反応ガスの消耗
分を補い、上流下流での反応ガスの濃度差を解消する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１１】尚、図１、図２中、図６、図７中で示した
ものと同様のものには同符号を付してある。
ものと同様のものには同符号を付してある。
【００１２】水平方向に偏平な筒状の反応管１の一方の
端に、反応ガス導入フランジ２が気密に取付けられ、他
方の端には排気フランジ３が気密に取付けられている。
端に、反応ガス導入フランジ２が気密に取付けられ、他
方の端には排気フランジ３が気密に取付けられている。
【００１３】前記反応ガス導入フランジ２は被処理基板
４の搬送ゲートを兼ね、搬送口６はゲート弁７により開
閉可能になっている。又、前記反応ガス導入フランジ２
には反応ガス供給管８が連通されている。
４の搬送ゲートを兼ね、搬送口６はゲート弁７により開
閉可能になっている。又、前記反応ガス導入フランジ２
には反応ガス供給管８が連通されている。
【００１４】前記排気フランジ３は密閉板１５により気
密に閉塞されていると共に排気管９が連通されている。
又、前記排気フランジ３には補充ガス供給管１６が連通
され、該補充ガス供給管１６にはガス補充ノズル１７が
接続されている。該補充ガス供給管１６は図１〜図３に
示される様に、反応管１の側壁に沿って延出し、反応管
１の中央位置で立上がり、更に前記被処理基板４の上方
を天井面に沿って水平に横断する如く屈曲されている。
水平に横断する部分は反応ガス吹出し部１７ａとなって
おり、反応ガス吹出し部１７ａの先端は閉塞されると共
に下面には所要ピッチでガス吹出し孔１８が穿設されて
いる。
密に閉塞されていると共に排気管９が連通されている。
又、前記排気フランジ３には補充ガス供給管１６が連通
され、該補充ガス供給管１６にはガス補充ノズル１７が
接続されている。該補充ガス供給管１６は図１〜図３に
示される様に、反応管１の側壁に沿って延出し、反応管
１の中央位置で立上がり、更に前記被処理基板４の上方
を天井面に沿って水平に横断する如く屈曲されている。
水平に横断する部分は反応ガス吹出し部１７ａとなって
おり、反応ガス吹出し部１７ａの先端は閉塞されると共
に下面には所要ピッチでガス吹出し孔１８が穿設されて
いる。
【００１５】前記反応管１の外周囲にはヒータ１１が設
けられ、該ヒータ１１の更に外周囲は断熱材１２で囲繞
されている。前記反応管１の内部中央には基板支持台１
３が設けられ、該基板支持台１３には被処理基板４が載
置される。該被処理基板４は前記ゲート弁７を通して図
示しない基板搬送機により搬入搬出される。
けられ、該ヒータ１１の更に外周囲は断熱材１２で囲繞
されている。前記反応管１の内部中央には基板支持台１
３が設けられ、該基板支持台１３には被処理基板４が載
置される。該被処理基板４は前記ゲート弁７を通して図
示しない基板搬送機により搬入搬出される。
【００１６】図示しない基板搬送機により搬入され、前
記基板支持台１３に載置された被処理基板４は前記ヒー
タ１１により加熱される。前記反応ガス供給管８から反
応ガスが導入され、前記反応管１の軸心に沿って流れ
る。更に前記補充ガス供給管１６から前記ガス吹出し孔
１８を介して消耗分の補充反応ガスが導入される。
記基板支持台１３に載置された被処理基板４は前記ヒー
タ１１により加熱される。前記反応ガス供給管８から反
応ガスが導入され、前記反応管１の軸心に沿って流れ
る。更に前記補充ガス供給管１６から前記ガス吹出し孔
１８を介して消耗分の補充反応ガスが導入される。
【００１７】従って、前記反応ガス吹出し部１７ａより
上流側では前記反応ガス供給管８より供給された反応ガ
スにより被処理基板４上に薄膜が生成され、前記反応ガ
ス吹出し部１７ａより下流側では反応ガス供給管８より
供給された反応ガスにガス補充ノズル１７からの補充反
応ガスが加わって前記被処理基板４上に薄膜が生成され
る。
上流側では前記反応ガス供給管８より供給された反応ガ
スにより被処理基板４上に薄膜が生成され、前記反応ガ
ス吹出し部１７ａより下流側では反応ガス供給管８より
供給された反応ガスにガス補充ノズル１７からの補充反
応ガスが加わって前記被処理基板４上に薄膜が生成され
る。
【００１８】而して、反応ガス供給管８により供給され
た反応ガスの消費分が前記ガス補充ノズル１７からの補
充反応ガスにより補充されるので反応管１内での上流、
下流の反応ガスの濃度の不均一を解消し、均一な膜厚、
膜質の成膜が可能になる。
た反応ガスの消費分が前記ガス補充ノズル１７からの補
充反応ガスにより補充されるので反応管１内での上流、
下流の反応ガスの濃度の不均一を解消し、均一な膜厚、
膜質の成膜が可能になる。
【００１９】ここで前記ガス吹出し孔１８の径、形状、
数、ピッチ、ガス吹出し孔１８の被処理基板４からの距
離、反応ガス流量、更に反応ガス吹出し部１７ａは下流
側に向かって所要の間隔で複数設けることができる等、
成膜する膜質、膜厚に応じて適宜選択できることは言う
迄もない。更に、吹き出し流量の均一性を考慮し、前記
ガス吹出し孔１８の孔径は先端に向かって大きくするこ
ともできる。
数、ピッチ、ガス吹出し孔１８の被処理基板４からの距
離、反応ガス流量、更に反応ガス吹出し部１７ａは下流
側に向かって所要の間隔で複数設けることができる等、
成膜する膜質、膜厚に応じて適宜選択できることは言う
迄もない。更に、吹き出し流量の均一性を考慮し、前記
ガス吹出し孔１８の孔径は先端に向かって大きくするこ
ともできる。
【００２０】成膜後のガスは前記排気管９を介して排気
される。
される。
【００２１】図４はガス補充ノズル１７の他の形態を示
すものであり、反応ガス吹出し部１７ａの下面に前記被
処理基板４と平行な整流板１９を設けたものである。
すものであり、反応ガス吹出し部１７ａの下面に前記被
処理基板４と平行な整流板１９を設けたものである。
【００２２】該整流板１９を設けることで反応ガス吹出
し部１７ａによる反応ガスの整流状態が乱されることが
なく、安定なガス流れを実現することができる。膜厚の
均一性、均質性を更に高めることができる。
し部１７ａによる反応ガスの整流状態が乱されることが
なく、安定なガス流れを実現することができる。膜厚の
均一性、均質性を更に高めることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応管
内部での反応ガス濃度差を解消することができるので、
被処理基板上に成膜する膜の膜厚、膜質の均一性を向上
でき、ひいては製品品質の向上、信頼性の向上を図るこ
とができる。
内部での反応ガス濃度差を解消することができるので、
被処理基板上に成膜する膜の膜厚、膜質の均一性を向上
でき、ひいては製品品質の向上、信頼性の向上を図るこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す平断面図である。
【図２】同前実施の形態を示す立断面図である。
【図３】同前実施の形態で使用されるガス補充ノズルを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】同前実施の形態で使用される他のガス補充ノズ
ルを示す斜視図である。
ルを示す斜視図である。
【図５】図４のＡ−Ａ矢視図である。
【図６】従来例を示す平断面図である。
【図７】同前従来例を示す立断面図である。
１ 反応管 ２ 反応ガス導入フランジ ３ 排気フランジ ４ 被処理基板 ８ 反応ガス供給管 ９ 排気管 １６ 補充ガス供給管 １７ ガス補充ノズル １７ａ 反応ガス吹出し部 １８ ガス吹出し孔 １９ 整流板
Claims (1)
- 【請求項１】 水平に配置された管状の反応管の上流側
から反応ガスを導入すると共に反応管内部の所要位置に
ガス補充ノズルを設け、該ガス補充ノズルより補充反応
ガスを供給する様構成したことを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27643497A JPH1197361A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27643497A JPH1197361A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197361A true JPH1197361A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17569375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27643497A Pending JPH1197361A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197361A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507004A (ja) * | 2009-10-05 | 2013-02-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | クロスフローを有するエピタキシャルチャンバ |
| JP2020087991A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法、エッチング装置及び不純物分析方法 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP27643497A patent/JPH1197361A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507004A (ja) * | 2009-10-05 | 2013-02-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | クロスフローを有するエピタキシャルチャンバ |
| US9127360B2 (en) | 2009-10-05 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial chamber with cross flow |
| JP2020087991A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法、エッチング装置及び不純物分析方法 |
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