JPS5881437A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS5881437A JPS5881437A JP17972881A JP17972881A JPS5881437A JP S5881437 A JPS5881437 A JP S5881437A JP 17972881 A JP17972881 A JP 17972881A JP 17972881 A JP17972881 A JP 17972881A JP S5881437 A JPS5881437 A JP S5881437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- replenishment
- vapor phase
- heating table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相成長装置に係り、更に詳しくは気相化学反
応によって基板上に薄膜層を大量、且つ均一に形成する
ことができる縦（ロータリディスク）型の気相成長装置
に関する。
応によって基板上に薄膜層を大量、且つ均一に形成する
ことができる縦（ロータリディスク）型の気相成長装置
に関する。
従来、原料ガス補充方式の気相成長は横型炉でなされて
きた。一般に横型炉ではガス流の上流側で気相成長速度
が大きいため、基板上に成長する膜厚が不均一となる。
きた。一般に横型炉ではガス流の上流側で気相成長速度
が大きいため、基板上に成長する膜厚が不均一となる。
これを防ぐため、原料ガス導入口とは別に補充ガス導入
管を炉内に入ｒ１炉を流れるガス流の途中から新たに原
料ガスを補助的に加える方法がとられてきた。これはサ
ンプリング管により反応ガスの一部を抽出して分析計に
送り込み、ここで原料ガス及び副生成物の濃度を測定し
、この値をマイクロコンピュータに入れて補充ガス流量
制御装置にフィードバックし、必要な補充ガス流量を補
充ガス導入管から炉内に入れ、裂−な成長膜厚分布を得
ようとするものである。
管を炉内に入ｒ１炉を流れるガス流の途中から新たに原
料ガスを補助的に加える方法がとられてきた。これはサ
ンプリング管により反応ガスの一部を抽出して分析計に
送り込み、ここで原料ガス及び副生成物の濃度を測定し
、この値をマイクロコンピュータに入れて補充ガス流量
制御装置にフィードバックし、必要な補充ガス流量を補
充ガス導入管から炉内に入れ、裂−な成長膜厚分布を得
ようとするものである。
しかし、処理バッチ枚数が増加すると炉が大型化し、新
たな問題としてガス流方向に対して直角方向に膜厚不均
一性が）じてしまう。この１不均−性は規則性、再現性
に乏しいため、ガス流方向に対して直角方向に単に補充
ガス導入管を並べるとか、その補充ガス流量を調整する
だけでは容易に成長膜厚均一化をはかることはできない
。また、炉が大型化する以前にも、横型炉ガス補充方式
ではフランジが小さいことや加熱用ワークコイルが加熱
治具部分をおおっていることから、補充ガス導入管の配
置がスペース的に混み人づて複雑になるという問題があ
った。
たな問題としてガス流方向に対して直角方向に膜厚不均
一性が）じてしまう。この１不均−性は規則性、再現性
に乏しいため、ガス流方向に対して直角方向に単に補充
ガス導入管を並べるとか、その補充ガス流量を調整する
だけでは容易に成長膜厚均一化をはかることはできない
。また、炉が大型化する以前にも、横型炉ガス補充方式
ではフランジが小さいことや加熱用ワークコイルが加熱
治具部分をおおっていることから、補充ガス導入管の配
置がスペース的に混み人づて複雑になるという問題があ
った。
横型炉に補充ガス方式を適用した場合に生じる膜厚分布
の修正効果の片寄りを解決する方策として、第１図に示
すように縦型炉に補充ガス方式を適用することが考えら
れる。ベルジャ反応炉１内の加熱台３上に基板４を並べ
、軸１２で回転させながら加熱コイル２によって約１１
５０１：に昇温する。原料ガスを主ノズル（主ガス導入
管）５から供給すると共に補充ガスノズル（補充ガス導
入管）７からも原料ガスを少量供給し膜厚分布を修正す
る方法である。図中１３はベース、６は排気口、１４は
コイル保護用カッく−である。通常、縦型炉の膜厚分布
は加熱台３を軸１２で回転させていることから加熱台同
心円状では均一となり、加熱台３半径方向で不均一とな
る。補充ガスによる分布修正の効果もまた、加熱台を回
転させていることから加熱台同心円方向では均一となる
。この結果、第２図に示すように加熱台３半径方向の膜
厚分布の修正は容易となり（図中、実線は修正前の分布
、点線は修正後の分布）、横型炉で見られたような欠点
は軽減される。
の修正効果の片寄りを解決する方策として、第１図に示
すように縦型炉に補充ガス方式を適用することが考えら
れる。ベルジャ反応炉１内の加熱台３上に基板４を並べ
、軸１２で回転させながら加熱コイル２によって約１１
５０１：に昇温する。原料ガスを主ノズル（主ガス導入
管）５から供給すると共に補充ガスノズル（補充ガス導
入管）７からも原料ガスを少量供給し膜厚分布を修正す
る方法である。図中１３はベース、６は排気口、１４は
コイル保護用カッく−である。通常、縦型炉の膜厚分布
は加熱台３を軸１２で回転させていることから加熱台同
心円状では均一となり、加熱台３半径方向で不均一とな
る。補充ガスによる分布修正の効果もまた、加熱台を回
転させていることから加熱台同心円方向では均一となる
。この結果、第２図に示すように加熱台３半径方向の膜
厚分布の修正は容易となり（図中、実線は修正前の分布
、点線は修正後の分布）、横型炉で見られたような欠点
は軽減される。
縦型炉を用い、補充ガス方式により膜厚分布を修正する
方法について実験的に確かめた結果、下記するような事
実゛がわかった。
方法について実験的に確かめた結果、下記するような事
実゛がわかった。
第１に、補充ガスによって修正できる加熱台半径方向の
範囲は、噴出孔形状が一定であれば補充ガスノズルの噴
出孔から加熱台表面までの距離（ノズル高さ）によって
調節できる。即ち、補充を加熱台３上方から行なえば補
充ガスは加熱台上の基板４表面に到達する前に主ガスに
よって生じるガス流や炉内の熱対流によって生じるガス
の流れの影響を強く受け、その結果修正効果が表われる
範囲は第３図に、曲線Ａで示すように広くなる。
範囲は、噴出孔形状が一定であれば補充ガスノズルの噴
出孔から加熱台表面までの距離（ノズル高さ）によって
調節できる。即ち、補充を加熱台３上方から行なえば補
充ガスは加熱台上の基板４表面に到達する前に主ガスに
よって生じるガス流や炉内の熱対流によって生じるガス
の流れの影響を強く受け、その結果修正効果が表われる
範囲は第３図に、曲線Ａで示すように広くなる。
逆に、ノズル孔を基板４表面に近づければ曲線Ｂ。
Ｃで示すように補充効果を局所的に制限することができ
る。第２に、補充効果が表われる加熱台３上の位置はノ
ズ友高さを一定にすればノズル孔中心の加熱台半径方向
位置によって決まる。即ち、第４図の曲線りとＦは２個
の補”充ガスノズルを回転中心からの距離を変えた場合
の修正効果を示している。第３に、補充効果の量（膜厚
）はノズルの形状、ノズルの高さを一定とすれば、補充
ガス中の原料濃度を変えれば、効果の範囲、位置が変わ
ることなく調節できる。即ち、第５図の曲線Ｅ〜ＨはＥ
の方がＨの曲線より原料ガスの濃度を高くした結果であ
る。
る。第２に、補充効果が表われる加熱台３上の位置はノ
ズ友高さを一定にすればノズル孔中心の加熱台半径方向
位置によって決まる。即ち、第４図の曲線りとＦは２個
の補”充ガスノズルを回転中心からの距離を変えた場合
の修正効果を示している。第３に、補充効果の量（膜厚
）はノズルの形状、ノズルの高さを一定とすれば、補充
ガス中の原料濃度を変えれば、効果の範囲、位置が変わ
ることなく調節できる。即ち、第５図の曲線Ｅ〜ＨはＥ
の方がＨの曲線より原料ガスの濃度を高くした結果であ
る。
以上説明したように、縦型炉に補充ガス方式を適用する
場合には補充ノズル調節が非常に重要であることが分か
った。
場合には補充ノズル調節が非常に重要であることが分か
った。
それゆえ、本発明の目的は補充ガス方式を縦←−タリデ
ィスク）型炉に適用しバッチ当りのウェハ処理数を大幅
に向上すると共に成長膜厚分布の均一性をも高めること
ができる装置を提供するにある。
ィスク）型炉に適用しバッチ当りのウェハ処理数を大幅
に向上すると共に成長膜厚分布の均一性をも高めること
ができる装置を提供するにある。
本発明の特徴は、少なくとも１ヶ以上の補充ガスノズル
を備えた縦（ロータリディスク）型炉において前述した
実験結果をもとに、前記補充ガスノズルに回転及び上下
調節機能を持たせたことにある。′ 以下本発明を図に従って更江詳細に説明する。
を備えた縦（ロータリディスク）型炉において前述した
実験結果をもとに、前記補充ガスノズルに回転及び上下
調節機能を持たせたことにある。′ 以下本発明を図に従って更江詳細に説明する。
第６図は補充ガスノズル７を１本設けた縦型炉の断面構
造を示している。１は石英製ベルジャ、４は基板、３は
カーボン製加熱台で軸１２によって矢印方向に回転して
いる。２は加熱用の高周波コイル、５は原料ガスを供給
するための主ノズル、１３はベルジャベース、６は排気
孔である。これらの構成は従来の縦型炉と同一であるが
、後で述べるように補充ガス方式によって加熱台半径方
向の膜厚分布を大幅に向上できることから加熱台の直径
は補充ガス方式を適用しない従来の縦型炉に比べて約１
．５９大きくしである。以上の構成の他、本発明の装置
には補充ガスノズルが別に設けてあり、膜厚分布を修正
するための補充ガスはノズル先端の噴出孔より図中矢印
に示すように基板４表面に供給される。また、本発明に
より補充ガスノに ズル７には炉ヘーータ駆動による補充ガスノズル上下調
整機構１５が取りつけてあや、前述■で説明したように
補充効果の範囲を容易に調節できることから、膜厚分布
の精密な制御が可能となる。
造を示している。１は石英製ベルジャ、４は基板、３は
カーボン製加熱台で軸１２によって矢印方向に回転して
いる。２は加熱用の高周波コイル、５は原料ガスを供給
するための主ノズル、１３はベルジャベース、６は排気
孔である。これらの構成は従来の縦型炉と同一であるが
、後で述べるように補充ガス方式によって加熱台半径方
向の膜厚分布を大幅に向上できることから加熱台の直径
は補充ガス方式を適用しない従来の縦型炉に比べて約１
．５９大きくしである。以上の構成の他、本発明の装置
には補充ガスノズルが別に設けてあり、膜厚分布を修正
するための補充ガスはノズル先端の噴出孔より図中矢印
に示すように基板４表面に供給される。また、本発明に
より補充ガスノに ズル７には炉ヘーータ駆動による補充ガスノズル上下調
整機構１５が取りつけてあや、前述■で説明したように
補充効果の範囲を容易に調節できることから、膜厚分布
の精密な制御が可能となる。
更にまた、補充ガスノズル７にはモータ駆゛動の補充ガ
スノズル回転機構１６が取り付けられている。
スノズル回転機構１６が取り付けられている。
補充ガスノズル７を回転することによって第７図に示す
ように、はぼ加熱台４半径方向のノズル孔中心位置の調
節が可能となり、この結果、上記第２で述べた補充効果
の位置の調節が容易にでき１、 膜厚分布を正確に修
正することができる。
ように、はぼ加熱台４半径方向のノズル孔中心位置の調
節が可能となり、この結果、上記第２で述べた補充効果
の位置の調節が容易にでき１、 膜厚分布を正確に修
正することができる。
以上説明した本発明の補充ガスノズルを設置した縦型炉
を用いて気相成長を行なえば加熱台半径方向膜厚分布均
一性が大幅に改善でき、実質的にウェハのパッチ当りの
処理数の向上を図ることができる。
を用いて気相成長を行なえば加熱台半径方向膜厚分布均
一性が大幅に改善でき、実質的にウェハのパッチ当りの
処理数の向上を図ることができる。
次←具体的な′実１りについてシリコンのエピタキシャ
ル成長を例として説明する。
ル成長を例として説明する。
加熱台３直径を約６００ｍｍとし、３インチ径（約φ７
６ ｍｍ ）のシリコンウェハ（基板４）を３６枚並べ
、加熱台３を回転しながら加熱コイル２によって約１１
５０Ｃに加熱する。主ガスノズル５から四塩化シリコン
を約２ｍ０ｔ％含む水素ガスを約８０ ｔ／ｍｉｎの流
量で供給し、ウェハ４上にシリコンエピタキシャル層を
形成する。この場合、主ガスの流量、主ガスノズル５の
形状、孔位置は第８図に曲線■で示すように補充ガスを
供給しない場合の加熱台直径方向エピタキシャル層厚み
分布が最小（約±６％）となる条件を選んだ。主ガスノ
ズル５から四塩化シリコンを供給しエピタキシャル成長
を行なうと同時に補充ガスノズル７がら四塩化ケイ素約
１．５ ｍｏｔ％を含む水素ガスを補充ガスとして約２
ｔ／ｍｉｎ供給する。補充ガスノズル７の上下調節機構
１５及び回転機構１６を駆使して予備実験を行ない、ノ
ズルの噴出口直径を３０態、孔先端からウェハ４表面ま
での距離を３０闘、ノズル孔中心の加熱台直径方向位置
を加熱台の回転中心から４５０＋ｏに決めた。
６ ｍｍ ）のシリコンウェハ（基板４）を３６枚並べ
、加熱台３を回転しながら加熱コイル２によって約１１
５０Ｃに加熱する。主ガスノズル５から四塩化シリコン
を約２ｍ０ｔ％含む水素ガスを約８０ ｔ／ｍｉｎの流
量で供給し、ウェハ４上にシリコンエピタキシャル層を
形成する。この場合、主ガスの流量、主ガスノズル５の
形状、孔位置は第８図に曲線■で示すように補充ガスを
供給しない場合の加熱台直径方向エピタキシャル層厚み
分布が最小（約±６％）となる条件を選んだ。主ガスノ
ズル５から四塩化シリコンを供給しエピタキシャル成長
を行なうと同時に補充ガスノズル７がら四塩化ケイ素約
１．５ ｍｏｔ％を含む水素ガスを補充ガスとして約２
ｔ／ｍｉｎ供給する。補充ガスノズル７の上下調節機構
１５及び回転機構１６を駆使して予備実験を行ない、ノ
ズルの噴出口直径を３０態、孔先端からウェハ４表面ま
での距離を３０闘、ノズル孔中心の加熱台直径方向位置
を加熱台の回転中心から４５０＋ｏに決めた。
以上の条件によって２０分間エピタキシャル成長を行な
い、約２０μｍのシリコンエピタキシャル層を形成した
。この時の加熱台直径方向膜厚分布を第８図に曲＃Ｊで
示す。
い、約２０μｍのシリコンエピタキシャル層を形成した
。この時の加熱台直径方向膜厚分布を第８図に曲＃Ｊで
示す。
以上説明した本発明の気相成長装置によれば第８図に示
すように、膜厚分布は補充をしない場合の約±６％を約
±３％に、補充ガス方式を採用しない場合、±３％以内
の均一性が得られるウエノ・数は全チャージ数のほぼ１
／２であることから実質的にバッチ当りのウェハ処理枚
数を約２倍に向上することができる。
すように、膜厚分布は補充をしない場合の約±６％を約
±３％に、補充ガス方式を採用しない場合、±３％以内
の均一性が得られるウエノ・数は全チャージ数のほぼ１
／２であることから実質的にバッチ当りのウェハ処理枚
数を約２倍に向上することができる。
第９図は補充ガスノズルを３本設置した場合の縦型炉平
面図を示す。補充ガスノズル７１，７２゜７３はそ、れ
ぞれ加熱台３上の領域（Ｉ）、 （［）、 （［）を分
担し膜厚分布を修正する。第１０図の′＠線Ｎ、 Ｐは
この場合修正前後め膜厚分布を示したものである。図中
にはノズル７１〜７３に対応子る各ノズル単独の補充効
果も曲線に−Ｍで同時に示しである。補充ガスノズイレ
７３によって大部の・領域の修正ヲ行ない、補充ガスノ
ズル７１．７２のノズル孔とウェハ表面間の距離、ガス
中の原料濃度を補充ガスノズル７ｊに比べて小さくシ、
補充効果を局所的で且つ少量左して炙りの部分の膜厚修
正を行なった。この場合、数回の予備実験時に補充ガス
ノズル回転によるノズル孔中心位ｐの調整を行ない補充
位置のずれを直した、。膜厚分布の精密な修正ができる
ことから均一性は約±１％まで向上できた。
面図を示す。補充ガスノズル７１，７２゜７３はそ、れ
ぞれ加熱台３上の領域（Ｉ）、 （［）、 （［）を分
担し膜厚分布を修正する。第１０図の′＠線Ｎ、 Ｐは
この場合修正前後め膜厚分布を示したものである。図中
にはノズル７１〜７３に対応子る各ノズル単独の補充効
果も曲線に−Ｍで同時に示しである。補充ガスノズイレ
７３によって大部の・領域の修正ヲ行ない、補充ガスノ
ズル７１．７２のノズル孔とウェハ表面間の距離、ガス
中の原料濃度を補充ガスノズル７ｊに比べて小さくシ、
補充効果を局所的で且つ少量左して炙りの部分の膜厚修
正を行なった。この場合、数回の予備実験時に補充ガス
ノズル回転によるノズル孔中心位ｐの調整を行ない補充
位置のずれを直した、。膜厚分布の精密な修正ができる
ことから均一性は約±１％まで向上できた。
本実施例ではシリコンのエピタキシャル成長を列に説明
したが他のシリコン酸化膜、７リコン窒化膜、リンガラ
ス、多結晶シリコン等縦（ロータリディスク）型炉を用
いて形成する各種の気相成長膜の膜厚分布の均一性向上
に適用できることは云うまでもない。
したが他のシリコン酸化膜、７リコン窒化膜、リンガラ
ス、多結晶シリコン等縦（ロータリディスク）型炉を用
いて形成する各種の気相成長膜の膜厚分布の均一性向上
に適用できることは云うまでもない。
本実施列では補充ガスノズルの□炉内への挿入はベルジ
ャベースを通して行なった。勿論、構造上可能乏位置か
ら補充ガスノズルを炉内挿入し、ノズル孔と基板表面の
距離及びノズル孔の加熱台半径方向位置の調節が回層で
あれば本実施例と同一効果が得られることは当然Ｃある
。
ャベースを通して行なった。勿論、構造上可能乏位置か
ら補充ガスノズルを炉内挿入し、ノズル孔と基板表面の
距離及びノズル孔の加熱台半径方向位置の調節が回層で
あれば本実施例と同一効果が得られることは当然Ｃある
。
第１図は補充ガス方式を適用した縦型気相成長装置を示
す断面図、第２図は第１図に示す装置による成長結果を
示す図、第３図〜第５図は第１図に示す装置において、
補充ガスノズルの位置、原料ガス濃度を変えた時の成長
結果を示す図、第６図は本発明の一実施例を示す縦型気
相成長装置を示す断面図、第７図は第６図に示す装置の
加熱台と主及び補充ガスノズルの関係を示す図、第８図
は第６図に示す装置による成長結果を示す図、第９図は
本発明の池の実施例になる縦型気相成長装置の加熱台と
主及び補充ガスノズルの関係を示す図、第１０図は第９
図に示す装置による成長結果を示す図である。 １・・・反応炉、ベルジャ、２・・・加熱コイル、３・
・・加熱台、４・・・基板、５・・・主ガスノズル、６
・・・排気口、７．７１，７２．７３・・・補充ガスノ
ズル、１２・・・回転軸、１３・・・ベース、１４・・
・コイルカバー、１５・・・補充ガスノズル上下調整機
構、１６・・・補充ガスノズル回転機構。 １１ｙｔ 口 第゛６Ｉ２Ｊ ′ＩＩｙｓ 図 ロ申ム中Ｉ（かうの距勉（凰ηｔ） 第９１２］ 第 ｌＯ図 ｒ］ｈ中Ｉｃがう／）ｉ（ＭＦＫ）
す断面図、第２図は第１図に示す装置による成長結果を
示す図、第３図〜第５図は第１図に示す装置において、
補充ガスノズルの位置、原料ガス濃度を変えた時の成長
結果を示す図、第６図は本発明の一実施例を示す縦型気
相成長装置を示す断面図、第７図は第６図に示す装置の
加熱台と主及び補充ガスノズルの関係を示す図、第８図
は第６図に示す装置による成長結果を示す図、第９図は
本発明の池の実施例になる縦型気相成長装置の加熱台と
主及び補充ガスノズルの関係を示す図、第１０図は第９
図に示す装置による成長結果を示す図である。 １・・・反応炉、ベルジャ、２・・・加熱コイル、３・
・・加熱台、４・・・基板、５・・・主ガスノズル、６
・・・排気口、７．７１，７２．７３・・・補充ガスノ
ズル、１２・・・回転軸、１３・・・ベース、１４・・
・コイルカバー、１５・・・補充ガスノズル上下調整機
構、１６・・・補充ガスノズル回転機構。 １１ｙｔ 口 第゛６Ｉ２Ｊ ′ＩＩｙｓ 図 ロ申ム中Ｉ（かうの距勉（凰ηｔ） 第９１２］ 第 ｌＯ図 ｒ］ｈ中Ｉｃがう／）ｉ（ＭＦＫ）
Claims (1)
- １、円板型加熱台上に基板を載置し、該加熱台を回転し
ながら加熱手段により加熱し、加熱台回転中心位置より
原料ガスを供給し前記基板上に気相化学反応により薄膜
層を形成し、加熱台円周位置から廃ガスを排気する構造
の縦型の気相成長装置において、主原料ガス導入管とは
別に補充ガス導入管を１ヶ以上設け、前記補充ガス導入
管は上下調整機構、及び回転機構を備えたことを特徴と
する気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17972881A JPS5881437A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17972881A JPS5881437A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881437A true JPS5881437A (ja) | 1983-05-16 |
| JPS6221869B2 JPS6221869B2 (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=16070825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17972881A Granted JPS5881437A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881437A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348417B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| CN103540912A (zh) * | 2012-07-09 | 2014-01-29 | 中晟光电设备（上海）有限公司 | Mocvd设备及该设备中的托盘支撑旋转系统 |
| CN106006647A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 山东瑞川硅业有限公司 | 三氯氢硅合成炉 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9127360B2 (en) | 2009-10-05 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial chamber with cross flow |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4834926U (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-26 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP17972881A patent/JPS5881437A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4834926U (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-26 |
Cited By (5)
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| US6348417B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| US6391116B2 (en) | 1998-04-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| CN103540912A (zh) * | 2012-07-09 | 2014-01-29 | 中晟光电设备（上海）有限公司 | Mocvd设备及该设备中的托盘支撑旋转系统 |
| CN103540912B (zh) * | 2012-07-09 | 2016-06-08 | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 | Mocvd设备及该设备中的托盘支撑旋转系统 |
| CN106006647A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 山东瑞川硅业有限公司 | 三氯氢硅合成炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6221869B2 (ja) | 1987-05-14 |
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