JPH0590167A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPH0590167A JPH0590167A JP3278238A JP27823891A JPH0590167A JP H0590167 A JPH0590167 A JP H0590167A JP 3278238 A JP3278238 A JP 3278238A JP 27823891 A JP27823891 A JP 27823891A JP H0590167 A JPH0590167 A JP H0590167A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の面内温度分布を均一化してスリップ等
の発生を低減することにより、高品質な薄膜を成長させ
ることが可能な気相成長方法を提供することを目的とし
ている。 【構成】 基板ホルダ６に載置した基板５に気相成長を
行う時に、下記に示す条件を満たすようにすることによ
り、基板５の面内温度分布が均一化され、スリップの発
生を低減することができる。 【数１】 ただし、Ｑ：基板ホルダ面積当りの供給ガス体積流量、
ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、Ｐ：反応炉内圧
力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内温度（入口ガス
と基板温度の平均）、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス
定数、 μ：温度Ｔにおける供給ガスの粘度
の発生を低減することにより、高品質な薄膜を成長させ
ることが可能な気相成長方法を提供することを目的とし
ている。 【構成】 基板ホルダ６に載置した基板５に気相成長を
行う時に、下記に示す条件を満たすようにすることによ
り、基板５の面内温度分布が均一化され、スリップの発
生を低減することができる。 【数１】 ただし、Ｑ：基板ホルダ面積当りの供給ガス体積流量、
ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、Ｐ：反応炉内圧
力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内温度（入口ガス
と基板温度の平均）、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス
定数、 μ：温度Ｔにおける供給ガスの粘度
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の製造に用い
られる気相成長装置による気相成長方法に関する。
られる気相成長装置による気相成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応炉内にガス（原料ガス、キャリアガ
ス等）を供給し、反応炉内に配置した基板ホルダ上に載
置され加熱手段により加熱されると共に、回転手段で回
転される基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置で
は、一般に基板が小径（例えば直径が２〜３インチ以
下）の場合には、基板の面内温度分布がほぼ均一状態に
なるので、スリップ等が発生することはなかった。
ス等）を供給し、反応炉内に配置した基板ホルダ上に載
置され加熱手段により加熱されると共に、回転手段で回
転される基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置で
は、一般に基板が小径（例えば直径が２〜３インチ以
下）の場合には、基板の面内温度分布がほぼ均一状態に
なるので、スリップ等が発生することはなかった。
【０００３】ところで、近年、作業効率の向上やコスト
低減等のために、径の大きい（例えば５インチ以上）基
板が一般的に使用されるようになってきた。
低減等のために、径の大きい（例えば５インチ以上）基
板が一般的に使用されるようになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、基板の径が
大きくなると、ガスの流量変化や加熱手段による加熱状
態の変化等によって、基板の面内温度分布に不均一が生
じやすくなる。
大きくなると、ガスの流量変化や加熱手段による加熱状
態の変化等によって、基板の面内温度分布に不均一が生
じやすくなる。
【０００５】基板の面内温度分布に不均一が生じると、
単結晶基板（Ｓｉ基板等）にスリップ等の転位が発生
し、デバイス特性を悪化させる現象が発生する。
単結晶基板（Ｓｉ基板等）にスリップ等の転位が発生
し、デバイス特性を悪化させる現象が発生する。
【０００６】スリップは、高温状態（例えば１０００℃
以上）の基板に面内温度分布の不均一が発生することに
よって、降伏値を越える応力が発生して、結晶格子に沿
ってすべり変形を生じる現象である。
以上）の基板に面内温度分布の不均一が発生することに
よって、降伏値を越える応力が発生して、結晶格子に沿
ってすべり変形を生じる現象である。
【０００７】本発明は上記した課題を解決する目的でな
され、ＣＶＤで本質的に存在する流体による伝熱の不均
一を解消することで基板の面内温度分布を均一にし、ス
リップ等の発生を防止して高品質な薄膜を気相成長させ
ることができる気相成長方法を提供しようとするもので
ある。
され、ＣＶＤで本質的に存在する流体による伝熱の不均
一を解消することで基板の面内温度分布を均一にし、ス
リップ等の発生を防止して高品質な薄膜を気相成長させ
ることができる気相成長方法を提供しようとするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために本発明に係る気相成長方法は、圧力調整手段で成
長圧力が調整される反応炉内にガス流量制御手段により
原料ガスを供給し、前記反応炉内に配置した基板ホルダ
上に載置され加熱手段により加熱されると共に、回転駆
動手段で回転される基板に薄膜を気相成長させる気相成
長装置において、気相成長時に、
ために本発明に係る気相成長方法は、圧力調整手段で成
長圧力が調整される反応炉内にガス流量制御手段により
原料ガスを供給し、前記反応炉内に配置した基板ホルダ
上に載置され加熱手段により加熱されると共に、回転駆
動手段で回転される基板に薄膜を気相成長させる気相成
長装置において、気相成長時に、
【０００９】
【数２】
【００１０】ただし、Ｑ：基板ホルダ面積当りの供給ガ
ス体積流量、ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、
Ｐ：反応炉内圧力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内
温度、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス定数、μ：温度
Ｔにおける供給ガスの粘度 の条件を満たすようにして前記基板上に薄膜を気相成長
させることを特徴としている。
ス体積流量、ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、
Ｐ：反応炉内圧力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内
温度、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス定数、μ：温度
Ｔにおける供給ガスの粘度 の条件を満たすようにして前記基板上に薄膜を気相成長
させることを特徴としている。
【００１１】
【作用】反応炉内に供給するガスの流量を、回転する基
板ホルダが発生させる流量におおむね近く設定すること
によって、流体が基板から奪う熱量を基板面内で均一に
することができる（即ち、基板の面内温度分布が均一に
なる）。
板ホルダが発生させる流量におおむね近く設定すること
によって、流体が基板から奪う熱量を基板面内で均一に
することができる（即ち、基板の面内温度分布が均一に
なる）。
【００１２】そして、本発明者は、基板の面内温度分布
の均一化のために鋭意研究を重ねた結果、気相成長時に
下記の条件を満たす時に、スリップの発生が抑制される
ことが判明した。
の均一化のために鋭意研究を重ねた結果、気相成長時に
下記の条件を満たす時に、スリップの発生が抑制される
ことが判明した。
【００１３】
【数３】
【００１４】ただし、Ｑ：基板ホルダ面積当りの供給ガ
ス体積流量、ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、
Ｐ：反応炉内圧力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内
温度、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス定数、μ：温度
Ｔにおける供給ガスの粘度 この式の意味するところは、分母である回転体に誘起さ
れる流量と分子である供給ガス流量の比であり、これが
１なら両者は等しい。
ス体積流量、ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、
Ｐ：反応炉内圧力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内
温度、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス定数、μ：温度
Ｔにおける供給ガスの粘度 この式の意味するところは、分母である回転体に誘起さ
れる流量と分子である供給ガス流量の比であり、これが
１なら両者は等しい。
【００１５】よって、本発明では上記した条件を満足す
るようにして気相成長を行うことにより、基板の面内温
度分布を均一化してスリップの発生を防止することがで
きる。
るようにして気相成長を行うことにより、基板の面内温
度分布を均一化してスリップの発生を防止することがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を図示の一実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】図１は、本実施例に係る気相成長装置を示
す概略図である。この図に示すように、反応炉１内の上
部には、円盤状の整流板２と、ガス供給管３を介して反
応炉１内にガス（原料、キャリアガス等）を供給するガ
ス流量制御装置４が配設されており、反応炉１内の下部
には、基板（本実施例では直径が５インチのシリコン基
板）５を載置する基板ホルダ（本実施例では直径が６イ
ンチ）６と、基板ホルダ６を着脱自在に支持する回転軸
７と、基板ホルダ６および基板５を加熱するヒータ８が
配設されている。
す概略図である。この図に示すように、反応炉１内の上
部には、円盤状の整流板２と、ガス供給管３を介して反
応炉１内にガス（原料、キャリアガス等）を供給するガ
ス流量制御装置４が配設されており、反応炉１内の下部
には、基板（本実施例では直径が５インチのシリコン基
板）５を載置する基板ホルダ（本実施例では直径が６イ
ンチ）６と、基板ホルダ６を着脱自在に支持する回転軸
７と、基板ホルダ６および基板５を加熱するヒータ８が
配設されている。
【００１８】整流板２には、複数の小径孔２ａが形成さ
れており、開口率は例えば０．１に設定されている。ま
た、整流板２は、基板５から十分離して（例えば５cm以
上）配置されている。ガス供給管３は、整流板２の上方
で反応炉１の上部側面に配置されている。
れており、開口率は例えば０．１に設定されている。ま
た、整流板２は、基板５から十分離して（例えば５cm以
上）配置されている。ガス供給管３は、整流板２の上方
で反応炉１の上部側面に配置されている。
【００１９】また、反応炉１の外側下部には、回転軸７
を回転駆動する回転駆動装置９と、回転駆動装置９の回
転駆動を制御する回転駆動制御装置１０と、排気管１１
を介して反応炉１内の圧力調整および未反応ガス等を排
気する排気装置１２と、反応炉１内で生成される粉等を
捕集するフィルタ１３が配設されている。
を回転駆動する回転駆動装置９と、回転駆動装置９の回
転駆動を制御する回転駆動制御装置１０と、排気管１１
を介して反応炉１内の圧力調整および未反応ガス等を排
気する排気装置１２と、反応炉１内で生成される粉等を
捕集するフィルタ１３が配設されている。
【００２０】ピッチ８には、ヒータ電源１４と、温度制
御装置１５と、基板５の温度を測定する放射温度計等の
温度計１６が接続されており、温度計１６は、反応炉１
の上部側面の整流板２の下方に形成した石英窓１７の外
側に配設されている。
御装置１５と、基板５の温度を測定する放射温度計等の
温度計１６が接続されており、温度計１６は、反応炉１
の上部側面の整流板２の下方に形成した石英窓１７の外
側に配設されている。
【００２１】本実施例に係る気相成長装置は上記のよう
に構成されており、排気装置１２で反応炉１内を排気し
て反応炉内圧力を所定の圧力（例えば３８Torr）に調整
し、ヒータ８によって基板ホルダ６を加熱して基板５を
所定温度（例えば１０００℃）に上昇させると共に、回
転駆動装置９の回転駆動により基板５を所定の回転数
（例えば８００rpm ）で回転させ、ガス供給制御装置４
からガス供給管３を介して反応炉１内に、整流板２の小
径孔２ａを通して原料ガス（例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）を
キャリアガス（例えばＨ2 ）と共に供給することによっ
て、基板５上に半導体薄膜が気相成長する。
に構成されており、排気装置１２で反応炉１内を排気し
て反応炉内圧力を所定の圧力（例えば３８Torr）に調整
し、ヒータ８によって基板ホルダ６を加熱して基板５を
所定温度（例えば１０００℃）に上昇させると共に、回
転駆動装置９の回転駆動により基板５を所定の回転数
（例えば８００rpm ）で回転させ、ガス供給制御装置４
からガス供給管３を介して反応炉１内に、整流板２の小
径孔２ａを通して原料ガス（例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）を
キャリアガス（例えばＨ2 ）と共に供給することによっ
て、基板５上に半導体薄膜が気相成長する。
【００２２】そして、本発明では上記した気相成長装置
によって気相成長を行う時に、下記に示す条件を満たす
ようにする。
によって気相成長を行う時に、下記に示す条件を満たす
ようにする。
【００２３】
【数４】
【００２４】ただし、Ｑ：基板ホルダ面積当りの供給ガ
ス体積流量、ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、
Ｐ：反応炉内圧力、ω：基板回転角速度、Ｔ：ガス入口
温度と基板温度の平均温度（Κ）、Ｍ：ガスの平均分子
量、Ｒ：ガス定数、μ：温度Ｔにおける供給ガスの粘度 上記した条件を満足するように運転条件を設定すると、
基板面内の温度境界層の厚みがおおむね均一になって、
基板面内の温度分布が均一化された。
ス体積流量、ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、
Ｐ：反応炉内圧力、ω：基板回転角速度、Ｔ：ガス入口
温度と基板温度の平均温度（Κ）、Ｍ：ガスの平均分子
量、Ｒ：ガス定数、μ：温度Ｔにおける供給ガスの粘度 上記した条件を満足するように運転条件を設定すると、
基板面内の温度境界層の厚みがおおむね均一になって、
基板面内の温度分布が均一化された。
【００２５】図２は、上記した条件で基板５に発生する
スリップ量を示す実験結果である。尚、この時の基板５
の直径は５インチで基板５を載置する基板ホルダ６の直
径は６インチであるが、計算上の半径ｒは２．５インチ
（６．３cm）である。また、ガス（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）と
水素ガスの平均分子量Ｍとガス定数Ｒは、それぞれ２×
１０-3kg／mol と８．３１Ｊ／mol ・k であり、Ｔは８
００℃（１０７３Ｋ）である。
スリップ量を示す実験結果である。尚、この時の基板５
の直径は５インチで基板５を載置する基板ホルダ６の直
径は６インチであるが、計算上の半径ｒは２．５インチ
（６．３cm）である。また、ガス（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）と
水素ガスの平均分子量Ｍとガス定数Ｒは、それぞれ２×
１０-3kg／mol と８．３１Ｊ／mol ・k であり、Ｔは８
００℃（１０７３Ｋ）である。
【００２６】図２に示した実験結果から明らかなよう
に、
に、
【００２７】
【数５】
【００２８】が０．３〜１．７、望ましくは０．５〜
１．５の範囲にあればスリップ発生量が大幅に減少し、
０．８程度の時はスリップの発生量がほとんど零になっ
た。
１．５の範囲にあればスリップ発生量が大幅に減少し、
０．８程度の時はスリップの発生量がほとんど零になっ
た。
【００２９】尚、図２に示した実験結果は、基板温度は
一定温度（１０００℃）にして、各測定点では供給ガス
体積流量Ｑ、反応炉内圧力Ｐ、基板回転角速度ωのうち
いずれかを任意に変化させた時の状態を示しており、例
えばスリップ発生量がほとんど零になる位置（図の１番
下の測定点）では、供給ガス体積流量Ｑは９×１０-3ｍ
3 ／sec 、反応炉内圧力Ｐは１×１０4 Ｐａ（０．１at
m ）、基板回転角速度ωは８４rad/s （８００rpm ）で
ある。これは、
一定温度（１０００℃）にして、各測定点では供給ガス
体積流量Ｑ、反応炉内圧力Ｐ、基板回転角速度ωのうち
いずれかを任意に変化させた時の状態を示しており、例
えばスリップ発生量がほとんど零になる位置（図の１番
下の測定点）では、供給ガス体積流量Ｑは９×１０-3ｍ
3 ／sec 、反応炉内圧力Ｐは１×１０4 Ｐａ（０．１at
m ）、基板回転角速度ωは８４rad/s （８００rpm ）で
ある。これは、
【００３０】
【数６】
【００３１】が同じ値となる他の圧力，流量，回転数の
組合せでも同様にスリップ発生量はほとんど極小とな
る。
組合せでも同様にスリップ発生量はほとんど極小とな
る。
【００３２】また、直径が２インチの基板（基板ホルダ
の直径は３インチ程度）で前記同様の実験を行った場合
では、基板の面内温度分布がほぼ均一であったので、ス
リップはどの領域でもほとんど発生しなかった。
の直径は３インチ程度）で前記同様の実験を行った場合
では、基板の面内温度分布がほぼ均一であったので、ス
リップはどの領域でもほとんど発生しなかった。
【００３３】また、直径が４インチ程度（基板ホルダの
直径は５インチ程度）よりも大きい基板であれば、前記
した条件を満たすようにすることによって、スリップ発
生量を大幅に低減することができた。
直径は５インチ程度）よりも大きい基板であれば、前記
した条件を満たすようにすることによって、スリップ発
生量を大幅に低減することができた。
【００３４】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように本発明によれば、径が大きな基板に気相成長を
行う場合でも、基板の面内温度分布の均一化を図ること
ができるので、基板にスリップ等が発生することが防止
され、高品質の薄膜を得ることができる。
たように本発明によれば、径が大きな基板に気相成長を
行う場合でも、基板の面内温度分布の均一化を図ること
ができるので、基板にスリップ等が発生することが防止
され、高品質の薄膜を得ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る気相成長装置を示す概略
図である。
図である。
【図２】本発明に係る気相成長方法による基板のスリッ
プ発生量の変化を示す図である。
プ発生量の変化を示す図である。
１ 反応炉 ２ 整流板 ４ ガス流量制御装置 ５ 基板 ６ 基板ホルダ ８ ヒータ ９ 回転駆動装置 １０ 回転駆動制御装置 １２ 排気装置 １５ 温度制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】 圧力調整手段で成長圧力が調整される反
応炉内にガス流量制御手段により原料ガスを供給し、前
記反応炉内に配置した基板ホルダ上に載置され加熱手段
により加熱されると共に、回転駆動手段で回転される基
板に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、気相
成長時に、 【数１】 ただし、Ｑ：基板ホルダ面積当りの供給ガス体積流量、
ｒ：基板ホルダ半径（回転最大半径）、Ｐ：反応炉内圧
力、ω：基板回転角速度、Ｔ：反応炉内温度（入口ガス
と基板温度の平均）、Ｍ：ガスの平均分子量、Ｒ：ガス
定数、 μ：温度Ｔにおける供給ガスの粘度 の条件を満たすようにして前記基板上に薄膜を気相成長
させることを特徴とする気相成長方法。 - 【請求項２】 前記基板ホルダの直径は、４インチ以上
であることを特徴とする請求項１記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278238A JP3050970B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278238A JP3050970B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590167A true JPH0590167A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3050970B2 JP3050970B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=17594548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3278238A Expired - Fee Related JP3050970B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050970B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849775A2 (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-24 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| US6022806A (en) * | 1994-03-15 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a film in recess by vapor phase growth |
| US6059885A (en) * | 1996-12-19 | 2000-05-09 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and method for forming thin film |
| US9285172B2 (en) | 2009-04-29 | 2016-03-15 | Westinghouse Electric Company Llc | Modular plate and shell heat exchanger |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3278238A patent/JP3050970B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6022806A (en) * | 1994-03-15 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a film in recess by vapor phase growth |
| EP0849775A2 (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-24 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| EP0849775A3 (en) * | 1996-12-19 | 1999-04-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| US6059885A (en) * | 1996-12-19 | 2000-05-09 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus and method for forming thin film |
| US9285172B2 (en) | 2009-04-29 | 2016-03-15 | Westinghouse Electric Company Llc | Modular plate and shell heat exchanger |
| US10175004B2 (en) | 2009-04-29 | 2019-01-08 | Westinghouse Electric Company Llc | Method of servicing modular plate and shell heat exchanger |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3050970B2 (ja) | 2000-06-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |