JPS5877224A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPS5877224A JPS5877224A JP17464081A JP17464081A JPS5877224A JP S5877224 A JPS5877224 A JP S5877224A JP 17464081 A JP17464081 A JP 17464081A JP 17464081 A JP17464081 A JP 17464081A JP S5877224 A JPS5877224 A JP S5877224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- main
- raw material
- nozzles
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体薄膜等の気相成長方法に関し。
さらに詳しくは基板上に薄膜を気相化学反応により大量
にかつ均一に形成する方法に関する。
にかつ均一に形成する方法に関する。
従来１例えば半導体の気相成長層を形成するには高温に
刀口熱された半導体ウェハ（基＆）を収納した反応容器
を用い、原料ガス主導入口から反応原料ガスを供給し、
該ウェハ上での成長反応によシ気相成長層を形成しつつ
１反応容器内の気相成長層の博い部分拓、容器内に挿入
した別のノズルから補助的に原料ガスを供給して、容器
内で均一な気相成長層を形成しながら１反応容器の排出
口から排ガスを排出する方法が採られていた。
刀口熱された半導体ウェハ（基＆）を収納した反応容器
を用い、原料ガス主導入口から反応原料ガスを供給し、
該ウェハ上での成長反応によシ気相成長層を形成しつつ
１反応容器内の気相成長層の博い部分拓、容器内に挿入
した別のノズルから補助的に原料ガスを供給して、容器
内で均一な気相成長層を形成しながら１反応容器の排出
口から排ガスを排出する方法が採られていた。
“ 従来の方法ケ第１図により説明する。
第１図は縦型気相成長装置を示しており１反応容器（ペ
ルジャー）１内の回転可能な加熱治具、（サセプタ）２
の上に載置された多数枚のウニ・・。
ルジャー）１内の回転可能な加熱治具、（サセプタ）２
の上に載置された多数枚のウニ・・。
３上に反応原料ガス供給系４から水素をキャリヤガスと
して反応原料ガス、すなわち半導体原料化合物ガスと不
純物ドーピングガスとを纒入管（主ガスノズル）５を通
して送り込み、成長膜厚が小さい領域に別の反応原料ガ
ス供給ノズル（補充ガスノズル）６を挿入し、半導体原
料化合物ガスと不純物ドーピングガスとを補助的に導入
し１例えば１１５０Ｃの高温で気相化学反応を起こさせ
、ウェハ３上に所定の均一な膜厚と抵抗率をゼする半導
体層（気相成長層）を堆積させる。ウェハ３上を通過し
た反応原料ガスは排出管８から糸外に排出される。彦お
、７は高周波力■熱コイルである。
して反応原料ガス、すなわち半導体原料化合物ガスと不
純物ドーピングガスとを纒入管（主ガスノズル）５を通
して送り込み、成長膜厚が小さい領域に別の反応原料ガ
ス供給ノズル（補充ガスノズル）６を挿入し、半導体原
料化合物ガスと不純物ドーピングガスとを補助的に導入
し１例えば１１５０Ｃの高温で気相化学反応を起こさせ
、ウェハ３上に所定の均一な膜厚と抵抗率をゼする半導
体層（気相成長層）を堆積させる。ウェハ３上を通過し
た反応原料ガスは排出管８から糸外に排出される。彦お
、７は高周波力■熱コイルである。
この場合、半導体原料化合物としてはウェハ３がシリコ
ン（Ｓｉ）の暮合には四塩化珪素（ＳｉＣ４）三塩化シ
ラン（ＳｉＨｃｚ、）、ジクロルシラ／（ｓ ；ｎ２ｃ
ｚ２） 、モノシラン（ＳｉＨ４）等が、−また。
ン（Ｓｉ）の暮合には四塩化珪素（ＳｉＣ４）三塩化シ
ラン（ＳｉＨｃｚ、）、ジクロルシラ／（ｓ ；ｎ２ｃ
ｚ２） 、モノシラン（ＳｉＨ４）等が、−また。
不純物ドーピングガスとしてはホスフィン（ＰＨ３）ア
ルシン（ＡＳＨ３）、またはジボラン（Ｂ２Ｈａ）等が
使用される。
ルシン（ＡＳＨ３）、またはジボラン（Ｂ２Ｈａ）等が
使用される。
第２図は上記従来法を用いたときの加熱治具の回転中心
軸からの距離と気相成長層の膜厚との関係を示したもの
である。（ａ）は補充ガスノズル６から原料ガス（反応
原料ガス）を供給しないで、主ガスノズル５だけから原
料ガスを供給した場合の成長膜厚分布である。気相成長
層の膜厚分布は中央部で凹型の不均一な分布をしている
。（ｂ）は補光ガスノズル６から原料ガスを供給して、
（ａ）に示す不均一な分布を修正し、より均一な分布を
めざしたものである。（Ｃ）は１曲線Ａで（ａ）に示す
膜厚分布を児全に均一にするために必要な膜厚増加分を
。
軸からの距離と気相成長層の膜厚との関係を示したもの
である。（ａ）は補充ガスノズル６から原料ガス（反応
原料ガス）を供給しないで、主ガスノズル５だけから原
料ガスを供給した場合の成長膜厚分布である。気相成長
層の膜厚分布は中央部で凹型の不均一な分布をしている
。（ｂ）は補光ガスノズル６から原料ガスを供給して、
（ａ）に示す不均一な分布を修正し、より均一な分布を
めざしたものである。（Ｃ）は１曲線Ａで（ａ）に示す
膜厚分布を児全に均一にするために必要な膜厚増加分を
。
また１曲ｍＢで補充ガスノズルを用いることによって得
られた実際の膜厚増加分と２示している。
られた実際の膜厚増加分と２示している。
均一な成長膜厚分布を得るためには曲線ＡとＢが一致し
なければならない。ところが、実際には曲ＭＡとＢの分
布は高さ、極太直を示す位置１分布の型が異なっている
。（ａ）に比べ（ｂ）では膜厚のばらつきが小さくなっ
てはいるが、なお膜厚分布に不均一性がある。これは（
Ｃ）における曲線ＡとＢの分ｔｐ不一致が原因している
。
なければならない。ところが、実際には曲ＭＡとＢの分
布は高さ、極太直を示す位置１分布の型が異なっている
。（ａ）に比べ（ｂ）では膜厚のばらつきが小さくなっ
てはいるが、なお膜厚分布に不均一性がある。これは（
Ｃ）における曲線ＡとＢの分ｔｐ不一致が原因している
。
上記従来法では（Ｃ）に曲線Ｂで示すように補充ガスに
よる膜厚増加分布の再現性が悪い。すなわち。
よる膜厚増加分布の再現性が悪い。すなわち。
補充ガスによる膜厚増加分布の高さ、°極大値の位置１
分布の型がバッチ間によって変化する。したがって、補
充ガスノズル６の加熱治具２回転中心からの距離と加熱
治具２からの高さ、補充ガスの流量と濃度を調節して、
補充ガスによる膜厚増加分布を均一化に必要力膜厚増加
分布と一致させるには限界がある。ひいては膜厚分布の
均一化にも限界がある。
分布の型がバッチ間によって変化する。したがって、補
充ガスノズル６の加熱治具２回転中心からの距離と加熱
治具２からの高さ、補充ガスの流量と濃度を調節して、
補充ガスによる膜厚増加分布を均一化に必要力膜厚増加
分布と一致させるには限界がある。ひいては膜厚分布の
均一化にも限界がある。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、補充ガスによ
る膜厚増加分布の再現性がよく気相成長層の膜厚の均一
性が優れ、従って、反応容器を大型化して１バツチ当シ
の処理量を多くすることができる気相成長方法を提供す
ることにある。。
る膜厚増加分布の再現性がよく気相成長層の膜厚の均一
性が優れ、従って、反応容器を大型化して１バツチ当シ
の処理量を多くすることができる気相成長方法を提供す
ることにある。。
本発明は縦型気相成長装置を用いに気相成長法において
、反応原料ガスを供給する主ガスノズル供給することを
特徴としている。
、反応原料ガスを供給する主ガスノズル供給することを
特徴としている。
本発明は、従来装置において反応容器内に主原料ガス流
による局所的なガスの流れがあり、これが原料ガス、特
に補充ガスが基板上に再現性よく安定に達することを妨
げていることを見出すことによって成し遂げられた。す
なわち、補充ガスノズルから原料ガスを供給して膜厚分
布を修正する場合、補充の効果は補充ガスノズルの型、
中心からのノズルの距離、加熱治具表面から・の高さ、
補充ガスの流量と濃度だけでなく、主ガスノズルと補充
ガスノズルの位置関係に強く依存する。
による局所的なガスの流れがあり、これが原料ガス、特
に補充ガスが基板上に再現性よく安定に達することを妨
げていることを見出すことによって成し遂げられた。す
なわち、補充ガスノズルから原料ガスを供給して膜厚分
布を修正する場合、補充の効果は補充ガスノズルの型、
中心からのノズルの距離、加熱治具表面から・の高さ、
補充ガスの流量と濃度だけでなく、主ガスノズルと補充
ガスノズルの位置関係に強く依存する。
本梅明は、補充ガスノズルの位置を主ガスの流れの外に
置くことによって、再現性のよい補充効果を安定して得
るものである。
置くことによって、再現性のよい補充効果を安定して得
るものである。
第３図は補充ガス流の主ガス流による影響の状況を示す
もので３個の主ガスノズルを１２０°間隔で主ガス吹出
し方向が水平と々るように配置し。
もので３個の主ガスノズルを１２０°間隔で主ガス吹出
し方向が水平と々るように配置し。
補充ガスノズルは加熱治具の半径の約半分の位置に補充
ガスの吹出し方向が垂直になるように配置し、補充ガス
ノズルを主ガスノズルの間隔、すなわち、０°〜１，２
０°の間で変化させた結果を示しテイル。図中１曲線Ａ
は補充ガスノズルと主ガスノズルが半径方向に同軸上に
ある時、すなわち。
ガスの吹出し方向が垂直になるように配置し、補充ガス
ノズルを主ガスノズルの間隔、すなわち、０°〜１，２
０°の間で変化させた結果を示しテイル。図中１曲線Ａ
は補充ガスノズルと主ガスノズルが半径方向に同軸上に
ある時、すなわち。
両ノズルの間隔が角度で０８である時の膜厚増加分布を
示している。また曲線Ｂは補充ガスノズルが丁度、２個
の主ガスノズルと６０°ずつの間隔をもって配置されて
いる時の膜厚増加分布を示している。曲線Ａが示すよう
に、主ガスノズルと補充ガスノズルが同軸上に存在する
場合は補充ガスは強い主ガス流の影響を受けて最大増加
膜厚が加ゝ熱治具の外周方向にずれているが１曲線Ｂに
示すように補充ガスノズルが主ガスノズルの中間にある
場合は主ガス流がこの場所で外周から回転棚方向に向う
弱い流れを形成しており、このガス流に軸 影響されてやや１回転？向に鰍大増加膜厚分布位置がず
れている。
示している。また曲線Ｂは補充ガスノズルが丁度、２個
の主ガスノズルと６０°ずつの間隔をもって配置されて
いる時の膜厚増加分布を示している。曲線Ａが示すよう
に、主ガスノズルと補充ガスノズルが同軸上に存在する
場合は補充ガスは強い主ガス流の影響を受けて最大増加
膜厚が加ゝ熱治具の外周方向にずれているが１曲線Ｂに
示すように補充ガスノズルが主ガスノズルの中間にある
場合は主ガス流がこの場所で外周から回転棚方向に向う
弱い流れを形成しており、このガス流に軸 影響されてやや１回転？向に鰍大増加膜厚分布位置がず
れている。
第４図は第３図の場合と同じノズル配置で細光ガスノズ
ルを２個の主ガスノズルの間、すなわち。
ルを２個の主ガスノズルの間、すなわち。
０〜１２０° の間で変化させた時、増加膜厚の最大値
を示す位置が、どのように変化するかを示すもので、補
充ガスノズルが配置されている場所を基準として最大増
加膜厚が加熱治具の外画方向に表われる場合を正符号、
加熱治具の回転軸方向に表われる場合を負符号として、
取犬増加膜厚を示す位置との間隔をずれδで示したもの
である。第４図によれば、補充ガスノズルが主ガスノズ
ルとあまり角度を持たない領域でずれδはかなり変動し
、主ガス流の影響を強く受けているが主ガスノズルに対
して２０〜１００° の領域に置けば安定で制御し易い
補充効果が得られ、ひいては均一な気相成長膜厚分布を
得ることができることが分る。
を示す位置が、どのように変化するかを示すもので、補
充ガスノズルが配置されている場所を基準として最大増
加膜厚が加熱治具の外画方向に表われる場合を正符号、
加熱治具の回転軸方向に表われる場合を負符号として、
取犬増加膜厚を示す位置との間隔をずれδで示したもの
である。第４図によれば、補充ガスノズルが主ガスノズ
ルとあまり角度を持たない領域でずれδはかなり変動し
、主ガス流の影響を強く受けているが主ガスノズルに対
して２０〜１００° の領域に置けば安定で制御し易い
補充効果が得られ、ひいては均一な気相成長膜厚分布を
得ることができることが分る。
以下、本発明の一実施例を第５図第６図により説明する
。第５図は縦断面図、第６図は第５図のＡ−Ａ切断線に
沿った横断面図で２うる。
。第５図は縦断面図、第６図は第５図のＡ−Ａ切断線に
沿った横断面図で２うる。
補充ガス導入系は３つの場合で５イ）る。図において、
Ｓｉウェハ３は石英反応容器（ペルジャー）１内の加熱
治具２上に載置され、ノ・ｌ熱治具２の下の高周波加熱
コイル７に電流を通１−ることによって加熱される。反
応原料ガス１１原刺ガス供給系４から主ガスノズル５を
経て導入されｓＳｉウェハ３上を通って排出管８より排
出される。反応原料ガスは主ガスノズル５の他に補充ガ
スノズル６からも導入される。
Ｓｉウェハ３は石英反応容器（ペルジャー）１内の加熱
治具２上に載置され、ノ・ｌ熱治具２の下の高周波加熱
コイル７に電流を通１−ることによって加熱される。反
応原料ガス１１原刺ガス供給系４から主ガスノズル５を
経て導入されｓＳｉウェハ３上を通って排出管８より排
出される。反応原料ガスは主ガスノズル５の他に補充ガ
スノズル６からも導入される。
以上の構成は従来と変らないが１本実施例においては、
補充ガスノズル６の位置が主ガスノズル５の吹出し方向
とずらした位置に置いである。すなわち主ガスノズル５
の吹出し口は３段、３方向で１２０° 間隔に合計９個
ある。補充ガスノズルは３本用い、各主ガスノズル５の
間の位置（主ガスノズルから６０°ずれた位置）で、加
熱治具６の半径方向で回転軸から異なる距離をもって置
く。
補充ガスノズル６の位置が主ガスノズル５の吹出し方向
とずらした位置に置いである。すなわち主ガスノズル５
の吹出し口は３段、３方向で１２０° 間隔に合計９個
ある。補充ガスノズルは３本用い、各主ガスノズル５の
間の位置（主ガスノズルから６０°ずれた位置）で、加
熱治具６の半径方向で回転軸から異なる距離をもって置
く。
補充ガスノズル６はいずれも縦２０ｍ、横６０ｒｔｒｍ
の長方形の下方への吹出し口を持っている。補充ガスノ
ズルの高さはＳｉウエノ・３から３０ｍｍの位置に置く
。
の長方形の下方への吹出し口を持っている。補充ガスノ
ズルの高さはＳｉウエノ・３から３０ｍｍの位置に置く
。
反応原料ガスとじ四塩化ケイ素（Ｓｉｃｔ、） を用
いる。主ガスノズル５からは、四塩化ケイ素磯度１．２
ｍ０ｔ％、流量７０１／ｍ１ｙｒの反応原料カスを流す
。３つの補充ガスノズルからは、原料ガスｓ！度３、
ｉ ｍａｔ％のガスを、それぞれ１回転軸に最も近いも
のでＬｅｔ／ｍｉＲ，回転軸から敢も離れたもので２．
１ｔ／Ｍ、中間に位置するもので２．５２ ／ ｍＵ＋
流す。ドーピングガスとしてホスフィン（１）Ｉ−Ｉ３
）を用いている。
いる。主ガスノズル５からは、四塩化ケイ素磯度１．２
ｍ０ｔ％、流量７０１／ｍ１ｙｒの反応原料カスを流す
。３つの補充ガスノズルからは、原料ガスｓ！度３、
ｉ ｍａｔ％のガスを、それぞれ１回転軸に最も近いも
のでＬｅｔ／ｍｉＲ，回転軸から敢も離れたもので２．
１ｔ／Ｍ、中間に位置するもので２．５２ ／ ｍＵ＋
流す。ドーピングガスとしてホスフィン（１）Ｉ−Ｉ３
）を用いている。
加熱治具２の直径は６００ｍである。加熱治具２上には
、直径４インチのＳｉウエノ・が２０枚載置しである。
、直径４インチのＳｉウエノ・が２０枚載置しである。
Ｓｉウェハは１２００ｔ：’まで加熱する。
加熱治具２を毎分１５５回転回転させながら気相成長を
行わせる。
行わせる。
本実施例によれば、バッチ内４インチＳｉウェハ２０枚
の膜厚および抵抗率のばらつきケ、それぞれ、従来の±
６％、±８％から、±２％、±２５％に改善できた。ま
た、バッチ間の膜厚および抵抗率のばらつきケ、それぞ
れ、従来の±１０％！±１５％から±２．５％、±３％
に改善できた。
の膜厚および抵抗率のばらつきケ、それぞれ、従来の±
６％、±８％から、±２％、±２５％に改善できた。ま
た、バッチ間の膜厚および抵抗率のばらつきケ、それぞ
れ、従来の±１０％！±１５％から±２．５％、±３％
に改善できた。
本発明は主ガスノズルに球状ノズルを用いた場合でも適
用できる。球状ノズルとは、ノズル先端を球状にピで、
吹出し口を加熱治具の水平半径方向だけでなく、斜めの
方向にも設けたものである。
用できる。球状ノズルとは、ノズル先端を球状にピで、
吹出し口を加熱治具の水平半径方向だけでなく、斜めの
方向にも設けたものである。
球状ノズルを用いた場合も、補充ガスノズルおよびその
補充ガス流が主ガスノズルの吹出し方向でない位置に置
くようにする。このようにすれば。
補充ガス流が主ガスノズルの吹出し方向でない位置に置
くようにする。このようにすれば。
前と同様に安定な補充を行うことができ、膜厚の分布も
向上する。
向上する。
以上説明したように８本発明によれば、補充ガスによる
膜厚増加分布は再現性がよく、均一性に優れている。従
って１反応容器を大型化して１ノくッチ尚りの処理量を
多くすることができる。
膜厚増加分布は再現性がよく、均一性に優れている。従
って１反応容器を大型化して１ノくッチ尚りの処理量を
多くすることができる。
伺１本発明はＳｉの気相成長の他ｓ Ｇ ｅ＊ Ｓ １
０２ ｒ８’３Ｎ４等、各種の気相成長に適用可能であ
る。
０２ ｒ８’３Ｎ４等、各種の気相成長に適用可能であ
る。
第１図は従来の縦型気相成長装置を示す縦断面図、第２
図（ａ）〜（Ｃ）は第１図に示す従来装置において主ガ
スノズル、および補充ガスノズルを用いた時の気相成長
層の膜厚、＃厚増加分布を示す図。 第３図、第４図は本発明を得るに際して得た。補充ガス
ノズルの位置を変えた時の膜厚増加分布および最大増加
膜厚分布と補充１スノズルのずれの関係を示す図、第５
図は本発明の一実施例に際して用いた縦型気相成長装置
の縦断面図、第６図は第５図のＡ−Ａ切断線に沿った横
断面図である。 １・・・反応容器、２・・・加熱治具、３・・・Ｓｉウ
ェハ。 ４・・・反応原料ガス供給系、５・・・主ガスノズル、
６・・・補充ガスノズル、７・・・高周波加熱コイル、
８・・・排出管。 代理人 弁理士 高橋明イ。 第 ２ 目 回転東しかうのＩＥ青窪 第 ３ 目 ？ 第４０
図（ａ）〜（Ｃ）は第１図に示す従来装置において主ガ
スノズル、および補充ガスノズルを用いた時の気相成長
層の膜厚、＃厚増加分布を示す図。 第３図、第４図は本発明を得るに際して得た。補充ガス
ノズルの位置を変えた時の膜厚増加分布および最大増加
膜厚分布と補充１スノズルのずれの関係を示す図、第５
図は本発明の一実施例に際して用いた縦型気相成長装置
の縦断面図、第６図は第５図のＡ−Ａ切断線に沿った横
断面図である。 １・・・反応容器、２・・・加熱治具、３・・・Ｓｉウ
ェハ。 ４・・・反応原料ガス供給系、５・・・主ガスノズル、
６・・・補充ガスノズル、７・・・高周波加熱コイル、
８・・・排出管。 代理人 弁理士 高橋明イ。 第 ２ 目 回転東しかうのＩＥ青窪 第 ３ 目 ？ 第４０
Claims (1)
- １、 加熱台上に基板を載置し、該加熱台を回転させな
がらその回転軸位置から反応原料ガスを供給し上記基板
上に薄膜の気相成環を行わせ、加熱台の周囲位置から排
ガスを排出する縦型の気相成長方法において、上記反応
原料ガスを供給する主ガスノズルとは別に補充ガスノズ
ルを設け、該補充ガスノズルから反応原料ガスの補充ガ
スを上記主＼ガスの流れにより乱されないように供給す
ることを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17464081A JPS5877224A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17464081A JPS5877224A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877224A true JPS5877224A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0324054B2 JPH0324054B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=15982121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17464081A Granted JPS5877224A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102277561A (zh) * | 2010-06-14 | 2011-12-14 | 硅绝缘体技术有限公司 | 用于多个基板的气体处理的系统和方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55117229A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Growing method of semiconductor at gas phase |
| JPS55158623A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Hitachi Ltd | Method of controlling semiconductor vapor phase growth |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP17464081A patent/JPS5877224A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55117229A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Growing method of semiconductor at gas phase |
| JPS55158623A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Hitachi Ltd | Method of controlling semiconductor vapor phase growth |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102277561A (zh) * | 2010-06-14 | 2011-12-14 | 硅绝缘体技术有限公司 | 用于多个基板的气体处理的系统和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324054B2 (ja) | 1991-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950001839B1 (ko) | 종형 cvd장치 | |
| US3854443A (en) | Gas reactor for depositing thin films | |
| EP0637058B1 (en) | Method of supplying reactant gas to a substrate processing apparatus | |
| US5152842A (en) | Reactor for epitaxial growth | |
| KR100765866B1 (ko) | 박막 기상 성장 방법 및 이 방법에 이용되는 박막 기상성장 장치 | |
| JP2641351B2 (ja) | 可変分配率ガス流反応室 | |
| TWI754765B (zh) | 用於磊晶沉積製程之注入組件 | |
| KR20230125281A (ko) | 반도체 웨이퍼 반응기에서의 예열 링을 위한 시스템들및 방법들 | |
| CN113287188A (zh) | 气相生长装置 | |
| JPS6090894A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5877224A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS62263629A (ja) | 気相成長装置 | |
| US5685905A (en) | Method of manufacturing a single crystal thin film | |
| JPH05251359A (ja) | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JPH01129973A (ja) | 反応処理装置 | |
| JPS5881437A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2000297375A (ja) | 炭化珪素膜の製造方法及び製造装置、並びにｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH08250429A (ja) | 半導体の気相成長方法及び装置 | |
| JPH02212393A (ja) | 気相成長方法及びその装置 | |
| JPS5876139A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH06349748A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPH02146725A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP2022159954A (ja) | サセプタ | |
| JP2775837B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPS63164222A (ja) | Ｃｖｄ装置用ガスヘツド |