KR950001839B1 - 종형 cvd장치 - Google Patents

종형 cvd장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950001839B1
KR950001839B1 KR1019910023374A KR910023374A KR950001839B1 KR 950001839 B1 KR950001839 B1 KR 950001839B1 KR 1019910023374 A KR1019910023374 A KR 1019910023374A KR 910023374 A KR910023374 A KR 910023374A KR 950001839 B1 KR950001839 B1 KR 950001839B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cvd apparatus
gas
gas introduction
gas injection
introduction pipe
Prior art date
Application number
KR1019910023374A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920013632A (ko
Inventor
신지 미야자끼
유이찌 미가따
다까히꼬 모리야
레이지 니이노
모또히꼬 니시무라
Original Assignee
가부시기가이샤 도시바
아오이 죠이찌
도꾜 일렉트론 리미티드
이노우에 아끼라
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18513651&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR950001839(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 가부시기가이샤 도시바, 아오이 죠이찌, 도꾜 일렉트론 리미티드, 이노우에 아끼라 filed Critical 가부시기가이샤 도시바
Publication of KR920013632A publication Critical patent/KR920013632A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950001839B1 publication Critical patent/KR950001839B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

종형 CVD장치
제1도는 본 발명의 1실시예에 의한 종형 CVD 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
제2도는 제1도중의 CVD장치의 높이방향 중앙부부근에 있어서 횡단면을 개략적으로 도시하는 도면.
제3도는 제1도의 CVD장치를 사용하여 막을 형성했을 때의 가스분사구의 방향(θ)과 막 두께분포의 관계를 나타내는 도면.
제4도는 제1도의 CVD장치를 사용하여 막을 형성했을때의 기판위치와 막 두께 분포의 관계를 나타내는 도면.
제5도는 제1도의 CVD장치를 사용하여 막을 형성했을때의 기판끝부-가스도입관의 끝부 사이의 거리와 막두께 분포의 관계를 나타내는 도면.
제6도는 제1도의 CVD장치를 사용하여 막을 형성했을때의 가스분사구의 직경과 막두께 분포의 관계를 나타내는 도면.
제7도는 제1도의 CVD장치를 사용하여 막을 형성했을때의 기판위치와 HF에칭레이트의 관계를 나타내는 도면.
제8도는 제1도의 CVD장치를 사용하여 막을 형성했을때의 기판위치와 막의 굴절률의 관계를 나타내는 도면.
제9도는 종래의 종형 CVD장치의 단면구조를 개략적으로 도시하는 도면.
제10도는 제9도의 CVD장치의 가열수단에 의해 가열된 반응 실내의 온도분호의 일례를 나타내는 도면.
제11a도 및 제11b도는 제9도의 CVD장치의 2개의 가스도입관을 대신하여 사용되는 1개의 가스도입관을 도시하는 단면도 및 측면도.
제12도는 제9도의 CVD장치를 사용하여 형성되는 막의 에칭 레이트의 변화를 나타내는 도면.
제13도는 제9도의 CVD장치를 사용하여 형성되는 막의 굴절률의 변화를 나타내는도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
18 : 보트 20 : 반도체기판
30' : 가스도입관 34 : 가스분사구
221,222 : 가스도입구
본 발명은 반도체 기판상에 예를 들면 질화실리콘막과 같은 막을 형성하기 위한 종형 CVD장치에 관한 것이다.
제9도는 종래의 CVD장치의 한 종류인 종형 CVD장치의 일례의 단면구조를 개략적으로 나타내고 있으며, 11은 석영제의 이너튜브, 12는 석영제의 아우터튜브, 13은 매니폴드 플랜지, 14는 덮개체, 15는 O링이며, 이들은 밀폐된 감압 CVD실(10)을 구성하고 있다.
상기 이너튜브(10)에는 CVD실 외부의 회전기구(16)에 접속된 보트받이대(17)가 배설되고, 이 받이대(17)위에 석영보트(18)가 배설되어 있다. 또, 상기 CVD실(10)이 외부에는 실내를 바라는 온도로 하기(예를 들면 제10도에 도시한 바와 같은 온도분포로 한다) 위한 가열수단(히터)(19)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 온도분포 가운데 완만한 온도구배를 가지는 균열존에 복수개의 반도체기판(웨이퍼)(20)이 상하방향에 소정의 간격을 두어 각각 수평하게 배치된다. 또, 상기 매니폴드플랜지(13)에는 배기구(21)가 형성되어 있으며, 이 배기구(21)에 접속된 외부의 배기수단에 의해 실내를 감압상태를 유지하도록 되어 있다. 또한, 상기 매니폴드플랜지(13)에는 예를 들면 2개의 원료가스도입구(221,222)가 형성되어 있으며, 이들의 가스도입구에서 CVD실의 내부로 향하여 가스도입관(231,232)이 세워져 있다. 이 경우, 적어도 1개의 도입관(231)은 기판의 측방을 따라 반응실의 최상부부근까지 연장하고, 선단이 밀봉되고, 길이방향으로 가스분사구(34)가 형성되어 있으며, 다른쪽의 가스도입관(232)은 이너튜브(11)의 받이대(17)의 근방까지 연장하고 있다. 또한, 24는 반송기구이다.
상기한 바와 같은 종형 CVD장치에 있어서는 가스도입구(221,222)를 통하여 각각 소요의 원료가스(예를 들면 디클로르실란가스 및 암모니아가스)를 공급함으로써 복수개의 기판(20)위에 바라는 CVD막(본예에서는 질화실리콘막)을 생성할 수 있다.
또한, 균열존에 기판(20)을 배치하는 이유는 복수개의 기판(20)위에 각각 퇴적되는 질화실리콘막의 막두께가 보트(18)내에서의 기판설치위치에 의해 고르지 않게 되는 것을 억제하기 위함이다.
또, 상기한 바와 같이 독립된 2개의 가스도입관(231,232)을 사용하고, 각각 이너튜브(11) 내측까지 연장하고 있는 이유는, 만일에 매니폴드플랜지(13)나 덮개체(14)의 근방의 저온분위기에서 상기 2종류의 원료가스를 혼합시키면 바라지 않는 염화암모늄을 생성하는 것을 피하기 위함이다.
또, 상기 2개의 가스도입관(231,232)에 대신하여 제11a도 및 제11b도에 도시한 바와 같이 선단이 밀봉됨과 동시에 기단부가 2분기된 1개의 가스도입관(30)으로 구성하며, 이 가스도입관(30)의 분기부(31)보다 상부에 위치하는 인젝터(injector) 노즐부(33)에는 길이 방향으로 복수개의 가스분사구(34)가 형성되어 있으며, 분기선단의 2개의 가스입구(321,322)에 각각 소요의 원료가스가 독립으로 공급된다. 이와 같은 가스도입관을 사용함에 따라, 상기 온도구배의 균열존에 균일한 농도의 원료가스를 공급할 수 있는 것이 보고되어 있다(예를 들면 실개소 64-37464호).
그러나, 상기한 바와 같은 일괄처리에 의해 질화실리콘막의 막두께의 기판사이의 불균형을 억제할 수가 있어도, 생성된 질화실리콘막 본래의 성질(막질, 조성)의 기판 사이에서의 불균형을 무시할 수 없다는 문제가 있다.
여기서, 질화실리콘막의 막질의 기판사이의 불균형을 간이적으로 조사하기위해, 기판(20)의 위치(반응실의 입구에서의 거리)에 대한 질화실리콘막의 HF에칭레이트 및 굴절률의 각각의 분포를 측정한 결과의 일례를 제12도 및 제13도에 도시한다. 제12도 및 제13도에서 분명한 바와 같이, 질화실리콘막의 막 조성은 기판의 설치위치에 대해 불균형이 크다.
즉, CVD막의 막두께 및 조성은 기판사이에서 각각 균일한 것이 가장 좋지만, 종래의 종형 CVD장치의 특징은 일괄처리는 주로 CVD막의 막두께 차이를 억제하는 것이 중요시되고, 막조성의 기판사이의 불균형은 무시되고 있다.
여기서, 종래의 종형 CVD장치의 구조대로 CVD막의 조성을 기판사이에서 균일하게 하려고 하면, 감압분위기조건, 원료가스의 유량조건을 바꿔도 효과가 없기 때문에, 상기 균열존에 온도구배를 정하지 않고 일정온도로 할 필요가 있으나, 종형 CVD장치의 특징인 일괄 처리의 처리용량이 현저하게 저하하므로, 이 방법은 채용되고 있지 않는다.
또한, 상기한 바와 같은 문제는 제11a도 및 제11b도에 도시한 바와 같은 기단부가 2분기된 가스도입관(30)을 사용하면 약간 개선되지만, 가스분사구의 방향이 기판면내 중심방향이며, 생성되는 CVD막의 막두께가 기판중앙부와 기판 바깥둘레부에서 상당히 다르다(기판면내에서의 막두께가 상당히 커진다)는 문제가 있다.
즉, 상기한 바와 같이 종래의 종형 CVD장치는 일괄저리에 의해 복수개의 기판위에 CVD막을 생성할 수 있다는 특징을 가지며, CVD막의 막두께의 기판사이의 불균형을 억제할 수는 있으나 막질의 기판사이에서의 불균형을 무시할 수 없다는 문제가 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은 복수개의 기판위에 CVD막을 생성할때, CVD막의 막두께 및 조성을 기판사이에서 각각 거의 균일하게 생성할 수 있는 종형 CVD장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 의하면, 반응실과 그 반응실에 수직으로 수납되고, 복수개의 반도체 웨이퍼를 수평하게 유지하는 보트수단과, 길이방향에 따라 복수개의 가스분사구를 가짐과 동시에 상기 보트수단의 길이방향에 따라 연장되고, 반응가스를 상기 반응실에 도입하는 가스도입관을 구비하고, 상기 가스분사구의 각각의 방향을 상기 가스도입관의 중심과 상기 반도체웨이퍼의 중심을 연결하는 직선을 기준으로 한 각도(θ)로 설정되고 그 각도(θ)가 0°＜θ90°이 범위에, 바람직하게는 25°θ80°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치가 제공된다.
이하, 본 발명의 실시예에 대한 도면을 참조하면 설명한다.
제1도에 도시하는 종형 CVD장치는 제9도를 참조하여 상술한 종래의 종형 CVD장치에 있어서 2개의 가스도입관(231,232)을 대신하여 제11a도 및 제11b도에 도시된 기단부가 2분기됨과 동시에 선단이 밀봉된 1개의 가스도입관(30')을 이용하고 있다. 이 가스도입관(30')은 복수개의 가스분사구(34)를 가지며 그 가스분사구(34)의 방향을 후술하듯이 설정되어 있으며, 그 외는 같으므로 제9도와 같은 부호를 붙이고 있다.
이 종형 CVD장치에 있어서는 가스도입관(30')의 가스도입구(221,222)를 통하여 각각 소요의 원료가스를 독립으로 공급하고, 도입관내의 가스유통과정에서 혼합되고(통상은 먼지발생이나 부생물이 생기는 일이 없는 분기구(31) 부근에서 혼합된다.) 가스분사구(34)에서 반응실내로 도입한다.
제2도는 감압 CVD장치(10)의 높이 방향 중앙부 부근에서 횡단면을 개략적으로 나타내고 있으며, 11은 이너튜브, 18은 기판을 유지하는 보트, 20은 보트(18)에 의해 수평하게 유지된 하나의 6인치의 실리콘기판을 나타내고 있으며 20a는 이 기판(20)의 오리엔테이션·플랫, 30'는 가스도입관, 34는 이 가스도입관(30')의 가스분사구, A는 상기 가스도입관의 중심(P)과 기판의 중심(O)을 연결하는 직선, B는 상기 가스도입관의 중심(P)과 기판(20)의 바깥둘레끝부의 1개소를 연결하는 직선(즉, 가스도입관의 중심(P)과 거의 원형의 기판의 바깥둘레부를 연결하는 접선), θ는 상기 직선(A)를 기준으로 하는 가스분사구(34)의 방향이며, 상기 직선(A)과, 상기 중심(P)을 지나는 직선(C)과의 사이의 각도, θ0은 상기 직선(A)을 기준으로 하여 가스도입관의 중심(P)을 지나는 접선에 의해 부여되는 각도, l은 가스도입관(30')의 끝부와 기판(20)의 끝부와의 거리를 나타내고 있다. 여기서, 상기 가스도입관(30')의 가스분사구(34)의 방향(θ)은 상기 접선(B)이 상기 중심선(A)에 대하여 이루는 각도 이상의 일정범위내에 설정되어 있으며, 복수개의 가스분사구(34)의 각각의 방향(θ)은 서로 같은 방향이라도 다른 방향이라도 좋고, 상기 일정범위내에서 각각 임의의 방향으로 설정되고 있다.
여기서, 제1 의 종형 CVD장치내에 균열존에 복수개의 기판(20)을 설치하고, 가스도입구(221,222)을 통하여 원료가스(예를 들면 디클로르실란가스 및 암모니아가스)를 공급하고, 복수개의 기판(20)위에 각각 질화실리콘막을 생성할 경우에, 가스분사구(34)의 방향(θ), 가스도입관(34')과 기판(20)의 거리(l), 가스분사구(34)의 직경(d)을 각각 패러미터로 하여 변화시킨 경우에 있어서 막두께 분포(기판면내)에 대해 서술한 결과의 예를 제3도 내지 제6도에 도시하고 있다.
즉, 제3도는 θ을 0°＜θ90°의 범위내(θ0을 0~±45°의 범위내)에서 변화시킨 경우에 대하여 조사한 결과의 일례를 나타내고 있다. 이 경우, 가스도입관과 기판과의 거리(l) 및 가스분사구의 직경(d)을 각각 최적화(후술하듯이, 예를 들면 l은 15mm, d는 1.0mm)하고 있다.
또한, 기준선(A)에 대해 좌회전 방향에서 가스분사구의 방향의 0°＜θ90°의 범위내에서 변화시킨 경우에는 제3도와 같은 결과가 얻어진다.
이 제3도에서 가스분사구(34)의 방향(θ)을 접선(B)의 방향(θ0)에 일치시킨 경우에 막두께 분포(기판면내)의 불균형이 가장 적다는 양호한 결과가 얻어지고 있으며, 가스분사구(34)의 방향을 상기 직선(A)을 기준으로 하여 25°θ80°의 범위내에서 변화시킨 경우(다시말하면, 가스분사구(34)의 방향(θ)을 상기 접선(B) 방향이 상기 중심선(A)에 대하여 이루는 각도 이상의 일정범위내에 설정한 경우)에, 기판면의 막두께 분포가 불균형이 적다(실용적인 막두께 분포의 범위인 예를 들면 5% 이하)라는 양호한 결과가 얻어지는 것을 알 수 있다.
또, 제4도는 본 실시예 장치 및 종래에 장치에 각각 균열존을 거의 일정온도로 하여 처리한 경우에 얻어지는 기판(20)의 위치(반응실의 입구에서의 거리)에 대한 질화 실리콘막의 기판면의 막두께 분포를 나타내고 있다. 이 경우, 본 실시예 장치에 있어서는 가스분사구의 방향(θ), 가스도입관과 기판의 거리(l) 및 가스분사구의 직경(d)을 각각 최적화(예를 들면 θ는 상기 접선(B) 방향인 45°,l은 15mm, d는 1.0mm)하고 있다.
이 제4도에서, 기판(20)의 위치에 대한 질화실리콘막의 막두께 분포의 불균형은 본 실시예 장치에 있어서 경우의 편이 종래에 장치의 경우보다도 매우 적다는 양호한 결과가 얻어지는 것을 아 수 있다.
또, 제5도는 가스도입관(30')의 끝부와 기판끝부의 거리(l)를 10~20mm의 범위내에서 변화시킨 경우(10mm이하는 장치의 구조상, 기판과 가스 분사구의 간섭이 생기는 등의 이유에서 실현이 불가능하다)에 대해 조사한 결과의 일례를 나타내고 있다. 이 경우, 가스분사구의 방향(θ) 및 가스분사구의 직경(d)을 각각 최적화(예를 들면 θ는 상기 접선(B) 방향인 45°, d는 1.0mm)하고 있다.
이 제5도에서 l=12~18mm의 범위내가 최적인 것을 알 수 있다.
또, 제6도는 가스분사구의 직경(d)을 0.5~1.5mm의 범위내에서 변화시킨 경우(0.5mm이하는, 구멍지름의 가공정밀도상, 실현이 불가능하다.)에 대해 조사한 결과의 일례를 나타내고 있다. 이 경우, 가스분사구의 방향(θ) 및 가스도입관과 기판의 거리(l)를 각각 최적화(예를 들면 θ는 상기 접선(B)의 방향인 45°, l은 15mm)하고 있다.
이 제6도에서 d=0.7~1.3mm의 범위내가 최적인 것을 알 수 있다.
제7도 및 제8도는 제1도의 종형 CVD장치에 의해 복수개의 기판(20)에 질화실리콘막을 생성할 경우에 가스분사구의 방향(θ), 가스도입관과 기판의 거리(l), 가스분사구의 직경(d)을 각각 최적화한 경우에 생성되는 질화실리콘막의 막질의 기판사이의 불균형을 조사한 결과의 일례를 나타내고 있다.
즉, 제7,8도는 기판의 위치(반응실의 입구에서의 거리)에 대한 질화실리콘막의 HF 에칭레이트의 분포를 측정한 결과의 일례를 나타내고 있으며, 제8도는 보트위의 각 기판의 위치(반응실의 입구에서의 설치매수)에 대한 질화실리콘막의 굴절률의 분포를 측정한 결과의 일례를 나타내고 있다.
제7도 및 제8도에서 생성막의 막두께 및 조성이 기판사이에서 각각 거의 균일하게 생성되는 양호한 결과가 얻어지는 것을 알 수 있다.
또한, 제1도에 도시한 종형 CVD장치중의 1개의 가스도입관(30')을 대신하여 제9도에 도시한 종형 CVD장치처럼 2개의 가스도입관(231,232)을 이용한 경우에도, 적어도 한쪽의 가스도입관(231)의 가스분사구의 방향(θ)을 상기한 바와같이 설정해 둠으로써 상기 실시예와 같은 효과가 얻어진다.
또, 상기한 바와 같이 가스분사구의 방향을 설정하는 것은 질화 실리콘막등의 CVD 절연막의 생성에 한하지 않고, 예를 들면 다결정 실리콘막에 도프할 불순물 가스(PH3가스, B2H6가스등)를 도입할 경우라든가 CVD막 자신을 반도체의 일부로서 이용할 경우 등에도 적용가능하다. 상술한 바와 같이 본 발명의 종형 CVD장치에 의하면, 복수개의 기판상에 CVD막을 생성할 수 있으며, CVD막의 막두께 및 조성을 기판사이에서 각각 거의 균일하게 생성할 수가 있다. 이와 같이 생성된 CVD막을 에칭등의 바라는 막 가공에 즈음해서는 기판사이의 가공차이가 적으며, 또한 CVD막 자시늘 반도체의 일부로서 이용할 경우에도 기판사이의 특성차이가 적어지는 등의 이점이 있다.

Claims (8)

  1. 반응실과, 그 반응실에 수직으로 수납되고, 복수개의 반도체 기판을 수평하게 유지하는 보트수단과, 길이방향에 따라 복수개의 가스분사구를 가짐과 동시에 상기 보트수단의 길이방향에 따라 연장되고, 반응가스를 상기 반응실에 도입하는 가스도입관을 구비하고, 상기 가스분사구의 각각의 방향은 상기 가스도입관의 중심과 상기 반도체기판의 중심을 연결하는 직선을 기준으로 한 각도(θ)로 설정되고, 그 각도(θ)가 0°＜θ90°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 가스도입관은 상기 보트수단의 정상부까지 연장하는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 반응실을 형성하는 아우터 튜브의 외측에 배치되고, 균열존을 형성하는 가열수단을 가지는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  4. 제1 항에 있어서, 가스도입관은 2분기된 가스도입구를 가지며 다른 종류의 원료가스를 상기 반응실로 도입하는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 복수개의 가스분사구는 각각 동일한 방향을 가지는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 복수개의 가스분사구는 각각 다른 방향을 가지는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 가스도입관의 가장자리부와 상기 반도체 기판의 가장자리부와의 거리(l)는 12~18mm이며, 각 가스분사구의 직경(D)은 0.7~1.3mm인 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 각도(θ)는 바람직하게는 25°θ80°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 종형 CVD장치.
KR1019910023374A 1990-12-19 1991-12-18 종형 cvd장치 KR950001839B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2403943A JP2839720B2 (ja) 1990-12-19 1990-12-19 熱処理装置
JP90-403943 1990-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920013632A KR920013632A (ko) 1992-07-29
KR950001839B1 true KR950001839B1 (ko) 1995-03-03

Family

ID=18513651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910023374A KR950001839B1 (ko) 1990-12-19 1991-12-18 종형 cvd장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5252133A (ko)
EP (1) EP0491393B1 (ko)
JP (1) JP2839720B2 (ko)
KR (1) KR950001839B1 (ko)
DE (1) DE69118337T2 (ko)

Families Citing this family (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JPH0786174A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US5461011A (en) * 1994-08-12 1995-10-24 United Microelectronics Corporation Method for reflowing and annealing borophosphosilicate glass to prevent BPO4 crystal formation
JP3373990B2 (ja) * 1995-10-30 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びその方法
JP3971810B2 (ja) * 1995-11-30 2007-09-05 三星電子株式会社 縦型拡散炉
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
JP2000514136A (ja) 1996-06-28 2000-10-24 ラム リサーチ コーポレイション 高密度プラズマ化学蒸着装置および方法
US5879458A (en) 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
US6184158B1 (en) 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
JP2973971B2 (ja) 1997-06-05 1999-11-08 日本電気株式会社 熱処理装置及び薄膜の形成方法
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
JP4620288B2 (ja) * 2001-06-13 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置
US20030070620A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
KR100464773B1 (ko) * 2002-08-22 2005-01-05 동부전자 주식회사 수직형 퍼니스를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
JP3913723B2 (ja) * 2003-08-15 2007-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP4899744B2 (ja) 2006-09-22 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化装置
US9068263B2 (en) * 2009-02-27 2015-06-30 Sandvik Thermal Process, Inc. Apparatus for manufacture of solar cells
JP5661523B2 (ja) * 2011-03-18 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10752991B2 (en) * 2017-02-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Half-angle nozzle
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
CN109285887B (zh) * 2017-07-20 2021-07-30 长鑫存储技术有限公司 喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
JP2019186335A (ja) 2018-04-06 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置と基板処理方法
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR102432915B1 (ko) * 2020-05-22 2022-08-17 내일테크놀로지 주식회사 붕소 전구체의 열처리를 통한 질화붕소나노튜브의 제조방법 및 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2155959B (en) * 1984-03-14 1987-02-04 Secr Defence Chemical vapour deposition
EP0164928A3 (en) * 1984-06-04 1987-07-29 Texas Instruments Incorporated Vertical hot wall cvd reactor
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
CA1251100A (en) * 1985-05-17 1989-03-14 Richard Cloutier Chemical vapor deposition
JPH0616491B2 (ja) * 1986-04-07 1994-03-02 日本電気株式会社 気相エピタキシヤル成長装置
JPS62263629A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd 気相成長装置
JPS6481216A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Nec Corp Vapor growth apparatus
DE3885833T2 (de) * 1987-09-22 1994-03-24 Nippon Electric Co Chemischer Dampfabscheidungsapparat für die Herstellung von hochqualitativen epitaktischen Schichten mit gleichmässiger Dichte.
JPH01235235A (ja) * 1988-03-15 1989-09-20 Nec Corp 気相成長装置
JP2683671B2 (ja) * 1988-06-27 1997-12-03 東京エレクトロン株式会社 半導体基板への成膜方法及び成膜装置
JPH02174224A (ja) * 1988-12-27 1990-07-05 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
DD286825A5 (de) * 1989-07-31 1991-02-07 Fz D. Werkzeugindustrie,De Einrichtung zur abscheidung von hartstoffschichten durch chemisch-thermische prozesse

Also Published As

Publication number Publication date
DE69118337D1 (de) 1996-05-02
US5252133A (en) 1993-10-12
EP0491393A3 (en) 1993-03-03
EP0491393A2 (en) 1992-06-24
JP2839720B2 (ja) 1998-12-16
JPH04218916A (ja) 1992-08-10
EP0491393B1 (en) 1996-03-27
KR920013632A (ko) 1992-07-29
DE69118337T2 (de) 1996-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001839B1 (ko) 종형 cvd장치
US4846102A (en) Reaction chambers for CVD systems
JP3184000B2 (ja) 薄膜の形成方法およびその装置
US5152842A (en) Reactor for epitaxial growth
US4632058A (en) Apparatus for uniform chemical vapor deposition
US5244694A (en) Apparatus for improving the reactant gas flow in a reaction chamber
US5261960A (en) Reaction chambers for CVD systems
US5096534A (en) Method for improving the reactant gas flow in a reaction chamber
JPH0786174A (ja) 成膜装置
JP4588894B2 (ja) 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
US5044315A (en) Apparatus for improving the reactant gas flow in a reaction chamber
JPH0587128B2 (ko)
JPH01305524A (ja) プラズマｃｖｄ装置
US6197373B1 (en) Gas injection methods for a LPCVD furnace
JPH04184923A (ja) 熱処理装置
US5685905A (en) Method of manufacturing a single crystal thin film
JPS6383275A (ja) 被処理体の処理方法
JPS6168393A (ja) ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置
JPS63199412A (ja) 気相成長装置
KR0133677B1 (ko) 열처리장치
JP3082559B2 (ja) 成膜用基板保持具とそれを用いた気相成長装置
JPS60153116A (ja) 縦型拡散炉型気相成長装置
JPS5877224A (ja) 気相成長方法
JPH01129973A (ja) 反応処理装置
JPH07183220A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080225

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee