JPH0888187A

JPH0888187A - 半導体の気相成長装置及び方法

Info

Publication number: JPH0888187A
Application number: JP22455494A
Authority: JP
Inventors: Hironori Inoue; 洋典井上; Takaya Suzuki; 誉也鈴木; Mikio Akiyama; 幹夫秋山
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Haramachi Electronics Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Priority date: 1994-09-20
Filing date: 1994-09-20
Publication date: 1996-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】気相成長層の膜厚均一性が良好で、一度に多
数の気相成長ウエハを形成でき、しかも再現性の高い半
導体の気相成長装置及び方法を提供する。【構成】円板状サセプタ３１にウエハ３０を並べて回
転しながら加熱し、その中心に設けられたガス供給管３
２から原料ガスを放射状に供給し、気相成長層を形成す
るパン・ケーキ型気相成長装置において、ガス供給管３
２を上下方向に動かし噴出孔３３の位置を気相成長中に
変え、同時に原料ガスの流量も同期して変える。これに
より、膜厚均一性が良好で、かつ、その再現性が高いエ
ピタキシャル層を一度に多数形成することが可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体の気相成長装置及
び方法に係り、特に半導体基板上の薄膜形成に好適な半
導体の気相成長装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】気相成長方法は半導体工業における主要
なプロセス技術のひとつである。シリコン（Ｓｉ）の単
結晶基板（ウエハ）の上に基板と同じ方位をもつＳｉ単
結晶薄膜を気相化学反応で形成するＳｉエピタキシャル
（epitaxial）成長も気相成長方法であり、この技術で
形成されるエピウエハはＬＳＩ、撮像素子などの集積回
路素子をはじめとして、トランジスタ、ダイオード、サ
イリスタなどの個別半導体素子の製造にも広く適用され
る。

【０００３】従来、エピタキシャル成長は、図７又は図
８の断面概略図に示すような、いわゆるパン・ケーキ型
やバレル型とよばれるエピタキシャル成長炉を用い行わ
れている。

【０００４】図７のパン・ケーキ型エピタキシャル炉
は、回転する円板状のサセプタ（加熱台）１にウエハ２
を平面的に並べ、ベルジャ（反応炉）４内で加熱コイル
５により加熱し、エピタキシャル層の原料となるＳｉ化
合物ガスとエピタキシャル層の抵抗率を決めるドーピン
グガスとが、キャリヤガスの水素中に一定濃度で混入さ
れた原料ガスを、サセプタ１中心に設けられたガス供給
管３から放射状に供給しエピタキシャル成長する方式で
ある。

【０００５】また、図８のバレル型エピタキシャル炉
は、角錐状のサセプタ（加熱台）１の表面にウエハ２を
平面的に並べ、ベルジャ（反応炉）４内で加熱ランプ６
により加熱し、これを回転しながらサセプタ１の一方の
側から原料ガスを供給しエピタキシャル成長する方式で
ある。

【０００６】近年、大型化するウエハ径（６インチ以
上）への対応や、ウエハ・チャージ数の増大による生産
性の向上を目的とし、いずれの方式のエピタキシャル炉
においても、装置を改善し、大型化したサセプタを用い
たエピタキシャル成長が実施されている。

【０００７】しかしながら、大型サセプタによるエピタ
キシャル成長は、サセプタ表面の全ての領域に対する原
料ガスの均一供給が困難となり、回転によってこの不均
一を補償しても、サセプタ全領域にチャージしたウエハ
のエピタキシャル層膜厚を均一にすることは非常に困難
である。

【０００８】特に、図７のパン・ケーキ型エピタキシャ
ル成長装置は、その構造上、サセプタの半径方向で均一
な膜厚を達成することが難しい。結局、サセプタを大型
化することで、大口径ウエハのチャージは実現されて
も、そのチャージ領域は、エピタキシャル層膜厚の均一
性が確保されるサセプタの一部の領域に限られ、チャー
ジ数を増大し、生産性を向上するもう一つの目的は達成
されていない。

【０００９】前述した大型サセプタを使用する場合の問
題点を解消する方策の一つとして、本出願人による特開
昭５７−１２２５１３号公報記載の考案がある。

【００１０】図９は、従来のパン・ケーキ型エピタキシ
ャル成長装置で形成されるサセプタ半径方向の膜厚分布
である。サセプタ１中心に設けたガス供給管３のガス噴
出孔７とサセプタ１表面の距離ｈが高く、かつ流量が多
く、孔７からの噴出速度が早い原料ガスを供給する場合
には、主としてサセプタ１外周側でエピタキシャル成長
が生じ、図９に示すように、サセプタ１が回転されてい
ることから外周側の同心円領域のエピタキシャル成長層
の膜厚が厚くなる。

【００１１】また、噴出孔距離ｈが低く、かつ流量が少
なく、噴出速度が遅い場合には、逆に、図１０に示すよ
うに、主としてサセプタ１の中心側の同心円領域で膜厚
が厚くなる。

【００１２】前述の考案は、大型サセプタを用いるパン
・ケーキ型エピタキシャル炉の膜厚均一性を向上するた
め、サセプタ中心に設けられたガス供給管から主原料ガ
スを放射状に供給する従来方法のほかに、別に補充ガス
導入管を設けて、前に述べた理由により、サセプタの同
心円状領域に発生する膜厚の不均一領域に、Ｓｉ化合物
ガスの濃度や供給ガスの流速が主原料ガスとは異なる補
充ガスを補助的に供給して膜厚の不均一を修正する方法
である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例は、供給す
る補充ガス中のＳｉ化合物ガス濃度、補充ガスの流速、
補充ガス導入管端部のノズル位置の制御精度などが膜厚
の均一性に直接影響を及ぼし、制御する因子が増え均一
化の再現性に難点がある。特に、Ｓｉ化合物ガスの濃度
が異なる補充ガスの供給はその供給ガス配管経路を複雑
化する。

【００１４】さらに、補充ガスの局所的な供給は、ウエ
ハ表面の局所的な領域のエピタキシャル層の抵抗率に強
く影響を及ぼす。この問題を防ぐため、主原料ガスと異
なる量のドーピングガスを補充ガスに供給するなど、ガ
スの供給が複雑化し、補充ガスの導入管の設置や、Ｓｉ
化合物ガス濃度のコントロール装置の増設など、装置の
構成も複雑となる難点がある。

【００１５】さらにまた、上記従来例は、設置する補充
ガス導入管端部のノズル（噴出口）が、サセプタの熱輻
射を受け高温となり、Ｓｉの析出が生じ易く、このＳｉ
が剥離、落下してエピタキシャル層に結晶欠陥が発生す
るという問題がある。

【００１６】本発明の目的は、前述した問題点を解消
し、サセプタの全領域に形成されるエピタキシャル成長
層の膜厚を均一にし、かつ、一度に多数のエピタキシャ
ルウエハを形成でき、しかも、その再現性の高い半導体
の気相成長装置及び方法を提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体の気相成長装置は、サセプタに半導体
の基板を並べて加熱し、前記サセプタ中心に設けられた
ガス供給管から原料ガスを供給し前記基板に気相成長層
を形成する半導体の気相成長装置において、前記サセプ
タ表面と前記ガス供給管の原料ガス噴出孔との距離を変
化させる手段を有することを特徴とするものである。

【００１８】また、前記サセプタ表面と前記ガス供給管
の原料ガス噴出孔との距離を変化させる手段を有し、前
記距離変化に同期して前記原料ガスの流量を調節するガ
ス流量調節手段を備えることを特徴とする。

【００１９】また、本発明は、回転する円板状のサセプ
タに半導体の基板を並べて加熱し、前記サセプタ中心に
設けられたガス供給管から原料ガスを放射状に供給し、
前記基板に気相成長層を形成する半導体の気相成長装置
において、前記ガス供給管の近傍位置に設けられ、前記
基板の成長層材の化合物ガス濃度が前記原料ガスと同一
の補助原料ガスをサセプタ半径方向へ供給する１本以上
の補助供給管と、前記補助原料ガスの流量を独立に制御
する手段とを有することを特徴とする。

【００２０】また、前記ガス供給管の近傍位置に、前記
基板の成長層材の化合物ガス濃度が前記原料ガスと同一
の補助原料ガスをサセプタ半径方向へ供給する１本以上
の補助供給管を設け、前記ガス供給管又は補助供給管の
ガス噴出孔と前記サセプタ表面との距離を変化させる手
段を有し、前記距離変化に同期して、前記原料ガス又は
補助原料ガスの流量を調節するガス流量調節手段を備え
たことを特徴とするものである。

【００２１】さらに、本発明の半導体の気相成長方法
は、サセプタに半導体の基板を並べて回転しながら加熱
し、前記サセプタの中心に設けたガス供給管から原料ガ
スを放射状に供給し、前記基板に気相成長層を形成する
半導体の気相成長方法において、前記サセプタ表面と前
記ガス供給管の原料ガス噴出孔の距離を気相成長中に変
化させることにより、前記基板の気相成長層の膜厚を制
御することを特徴とする。また、前記サセプタ表面と
前記ガス供給管の原料ガス噴出孔の距離を気相成長中に
変化させ、これと同期して前記原料ガスの流量を調節す
ることにより、前記基板の気相成長層の膜厚を制御する
ことを特徴とする。

【００２２】また、本発明は、サセプタに半導体の基板
を並べて回転しながら加熱し、前記サセプタの中心に設
けたガス供給管から原料ガスを放射状に供給し前記基板
に気相成長層を形成する半導体の気相成長方法におい
て、前記基板の成長層材の化合物ガス濃度が前記原料ガ
スと同一の補助原料ガスを、前記原料ガスと共に前記ガ
ス供給管の近傍から前記サセプタ半径方向へ流量を独立
に制御して供給することを特徴とする。

【００２３】また、前記サセプタ表面と前記ガス供給管
の原料ガス噴出孔の距離を気相成長中に変化させ、これ
と同期して前記原料ガスの流量を調節するとともに、前
記基板の成長層材の化合物ガス濃度が前記原料ガスと同
一の補助原料ガスを前記サセプタの中心から供給し、前
記補助原料ガスの噴出孔と前記サセプタ表面との距離を
変化させ、かつ前記補助原料ガスの流量を独立に調節す
ることを特徴とする。

【００２４】

【作用】上記構成からなる本発明によれば、流量と、サ
セプタ表面からのガス噴出孔の距離とを定めた原料ガス
を、例えば、円板状のサセプタ中心に設けたガス供給管
から供給し、主としてサセプタ同心円上の一部の領域の
気相成長を達成し、次いで、気相成長中に供給管を上下
方向に動かし、サセプタ表面からの噴出孔の距離を変
え、同時に、供給管の移動に同期させて原料ガスの流量
を変え、主としてサセプタ同心円上の他の領域の成長を
達成し、前述した成長に重ね合わせることで、サセプタ
同心円上の全領域で均一な膜厚の成長を達成することが
できる。

【００２５】また、サセプタ中心に設けられた主ガス供
給管から放射状に供給される主原料ガスにより、主とし
てサセプタ同心円上の外周側の一部の領域の気相成長を
達成し、この主原料ガスと化合物ガス濃度が同一で、流
量が主原料ガスと独立に制御された補助原料ガスを、ガ
ス供給管の近傍位置に設けられた１本以上の補助供給管
から主原料ガスと同時に供給し、主としてサセプタ同心
円上の中心側の領域の気相成長を達成できる。そして、
これらの気相成長を重ね合わせることにより、サセプタ
同心円上の全領域で均一な膜厚の成長を達成することが
可能となる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳
細に説明する。図１は、本発明の半導体の気相成長装置
の一実施例であるパン・ケーキ型エピタキシャル炉を説
明するための構成図である。ウエハ（基板）３０を載置
するサセプタ（加熱台）３１の中心に、原料ガスを供給
するガス供給管３２を設け、ガス供給管３２の原料ガス
噴出孔３３と、サセプタ３１表面からの距離ｈを、原料
ガスの流量に同期して変えるため、ガス供給管３２の下
部に噴出孔距離ｈを調節するための自動調節装置３４が
設置され、さらに、原料ガスの流路には、流量を調節す
るガス流量調節装置３５が設けられている。尚、符号３
６はベルジャ（反応炉）、３７は加熱コイルである。

【００２７】図２は、サセプタ３１表面からの噴出孔３
３の距離ｈと供給ガスの流量の気相成長中における変化
を示したものである。距離ｈは供給ガス流量に同期し
て、流量の多い場合ｈを大きく、流量の少ない場合ｈを
小さくなるようにステップ状に変わる。これらのシーケ
ンスは、原料ガス流路のガス流量調節装置３５とガス供
給管３２の噴出孔距離自動調節装置３４とを制御し、エ
ピタキシャル層の厚みが所望の厚みに達するまで続けら
れる。

【００２８】この結果、図９及び図１０に示したよう
に、流量が多くて噴出のガス流速が大きく、かつ、ｈが
大きい場合は、主としてサセプタ３１の外周側でエピタ
キシャル層が形成され、また、流量が少なくて噴出のガ
ス流速が小さく、かつ、ｈが低い場合には、サセプタ３
１の内周側でエピタキシャル層が形成される。これら２
つの成長が所定の成長時間中に、２回以上好ましくは数
十回繰り返されて重ね合わされ、パン・ケーキ型エピタ
キシャル炉のサセプタ３１の半径方向で均一な厚みのエ
ピタキシャル層の形成が達成される。

【００２９】図３は、各々最適化された原料ガスの流量
及び噴出孔距離ｈの最大値と最小値の間で、時間的に正
弦波様に変える場合を示す。この場合にも、図２とほぼ
同様の効果が得られ、サセプタ３１の半径方向で均一な
厚みのエピタキシャル層の形成が達成される。

【００３０】図４は、本発明の他の実施例を説明するパ
ン・ケーキ型エピタキシャル炉を説明するための構成図
である。図４に示すように、ガス供給管３２とは別に、
サセプタ中心位置に３本の補助供給管３６が設けられて
いる。原料ガスの供給系にはＳｉ原料と水素との混合比
を流量調節装置３５で調節し、一定濃度で供給されるＳ
ｉ原料ガスを２系統に分割し、その後の配管系にはそれ
ぞれの系統毎に流量調節装置３８が設置され、主ガス供
給管３２と補助供給管３６の原料ガスの流量がそれぞれ
独立に制御できるようになっている。この場合、一つの
系のガス流量制御の影響が他の系のガス流量に影響しな
いように、必要流量に比べ供給ガス流量を多くし余剰ガ
スは廃棄する排気系３９が設けてある。

【００３１】図５は、ガス供給状態を説明するための斜
視図である。流量が多く主ガス供給管３２からの流速の
速い、放射状で３方向のガス流（矢印を長く図示した）
と、流量が少なく補助供給管３６のからの流速の遅い放
射状で３方向のガス流（矢印を短く図示した）とが、互
いにガス流が交叉しないようにそれぞれ６０度の間隔で
供給される。主ガス供給管３２からの流量が多く流速の
速いガス流により、主としてサセプタ外周部の同心円状
領域のエピタキシャル層が形成され、補助ガス供給管３
６からの流量が少なく流速の遅いガス流により、主とし
てサセプタ中心近傍の同心円状領域が形成される。主ガ
ス供給管３２、補助ガス供給管３６の噴出孔３３の径や
数が一定の場合、噴出するガスの流速はガスの流量を調
節する方法で制御できる。

【００３２】尚、サセプタ同心円領域における成長の分
担は、主ガス供給管３２と補助ガス供給管３６のそれぞ
れのガス流量や噴出孔距離ｈを最適化することにより、
前述の実施例と逆にすることも可能である。

【００３３】以上説明したように、これらの実施例によ
れば、図６に示すように、Ｓｉ原料濃度が同一で最適化
された２つのガス流により形成される分布Ａと分布Ｂが
重ね合わされ、Ａ＋Ｂの分布が形成され、サセプタの全
領域の膜厚を均一にすることができる。

【００３４】次に、本発明の半導体の気相成長方法の一
実施例について、図１を借りて説明する。およそ直径９
５０ｍｍのサセプタ３１に直径２００ｍｍのＳｉウエハ
３０を同心円状に２列に並べて１４枚チャージする。ベ
ルジャ（反応炉）３６に水素ガスを１５０（ｌ／ｍｉ
ｎ）供給し、サセプタ３１を回転しながら昇温し、ウエ
ハ３０を１０００℃まで加熱する。サセプタ３１中心の
ガス供給管３２より水素ガス中にＳｉを原料とするジク
ロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）を０.５％含む原料ガスを
供給し、エピタキシャル成長を開始する。この場合、最
初の１分間はガス供給管３２の噴出孔距離ｈを２５ｍｍ
として原料ガスを１００(ｌ／ｍｉｎ)供給する。次い
で、ガス供給管３２の噴出孔距離ｈを５ｍｍとし、原料
ガスを５０（ｌ／ｍｉｎ）に流量を減らし１分間は供給
する。これらの流量は、例えば図６に示すように、それ
ぞれの流量で得られる成長を重ねた場合に、サセプタ３
１半径方向で均一な膜厚がえられる所定流量を予め実験
的に求めて決定される。前述の１分間ずつの供給サイク
ルを、シーケンサで制御し所望の厚みが得られるまで実
施しエピタキシャル成長をした後、Ｓｉ原料の供給を止
め、水素ガスのみを供給しながらウエハ３０を降温す
る。ウエハを冷却した後、水素ガスを窒素ガスに置き換
え、ウエハ３０をベルジャ３６から取り出す。

【００３５】次に、成長方法の別の実施例について図４
を借りて説明する。およそ直径９５０ｍｍのサセプタ３
１に直径２００ｍｍのＳｉウエハ３０を同心円状に２列
に並べて１４枚チャージする。反応炉に水素ガスを１５
０（ｌ／ｍｉｎ）供給し、サセプタ３１を回転しながら
昇温しウエハを１０００℃まで加熱する。サセプタ中心
の主ガス供給管３２と補助ガス供給管３６より水素ガス
中にＳｉを原料とするジクロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）
を０.５％、及びエピタキシャル層を一定の抵抗率にす
るためのドーピングガスを一定濃度含む原料ガスを供給
し、エピタキシャル成長を開始する。

【００３６】この場合、サセプタ３１中心の主ガス供給
管３２には、図５に示すように、直径３ｍｍの噴出孔３
３が９孔設けられ、１００（ｌ／ｍｉｎ）の原料ガスが
供給される。一方、噴出孔３３が図５に示すように配置
された補助ガス供給管３６には、５０（ｌ／ｍｉｎ）の
原料ガスを、前述の主ガス供給管３２のガス流と重なら
ない方向に供給される。これらの流量比は、図６に示す
ように、それぞれの流量で得られる成長を重ねた場合
に、サセプタ３１半径方向で均一な膜厚が得られる所定
流量を予め実験的に求めて決定する。

【００３７】所望の厚みが得られる時間、Ｓｉ原料を含
む原料ガスを供給し、エピタキシャル成長をした後、Ｓ
ｉ原料の供給をとめ、水素ガスのみを供給しながらウエ
ハ３０を降温する。ウエハ３０を冷却した後、水素ガス
を窒素ガスに置き換え、ウエハ３０を反応炉から取り出
す。

【００３８】これらの実施例の方法により、直径９５０
ｍｍのサセプタにチャージした１４枚の直径２００ｍｍ
ウエハにエピタキシャル層を形成し、赤外干渉法により
各ウエハのエピタキシャル層の膜厚を調べた結果、膜厚
バラツキが±３％以下の均一なエピタキシャル層が形成
されていることがわかった。また、得られた全てのエピ
タキシャルウエハは結晶欠陥のない良質のエピタキシャ
ルウエハであった。

【００３９】以上の実施例では、原料ガスをサセプタ表
面とほぼ水平に供給する場合について説明したが、サセ
プタ表面に水平以外に供給するパン・ケーキ型成長装
置、及び方法にも適用可能である。

【００４０】さらにまた、本発明の実施例は、Ｓｉのエ
ピタキシャル成長を例に説明したが、パン・ケーキ型成
長炉を用い、ガス状原料を供給しながら気相反応で薄膜
を形成する他の気相成長装置及び方法にも適用可能であ
る。

【００４１】以上、本発明の実施例により、直径９５０
ｍｍのサセプタを使用するパン・ケーキ方式エピタキシ
ャル炉のエピタキシャルウエハ生産能力を、９枚から１
４枚に増大することができ、生産効率を５５％向上でき
た。また、エピタキシャルウエハにおける結晶欠陥発生
の不良率を、従来法の１０％から３％以下まで低減する
ことができた。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したとおり本発明によれば、気
相成長層の膜厚均一性が良好で、一度に多数の気相成長
ウエハを形成でき、しかも再現性の高い半導体の気相成
長装置及び方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の気相成長装置の一実施例を示
す構成図である。

【図２】図２は、本実施例装置によりエピタキシャル成
長する場合の原料ガス供給状態とガス供給管の噴出孔位
置との関係の一例を示す図である。

【図３】図３は、本実施例装置によりエピタキシャル成
長する場合の原料ガス供給状態とガス供給管の噴出孔位
置との関係の他の例を示す図である。

【図４】図４は、本発明の気相成長装置の他の実施例を
示す構成図である。

【図５】図５は、図４に示す実施例の一部詳細図であ
る。

【図６】図６は、本発明の実施例による２つの分布が重
ね合わされて膜厚が均一になることを示す図である。

【図７】図７は、従来のエピタキシャル成長装置を説明
するための図である。

【図８】図８は、従来の他のエピタキシャル成長装置を
説明するための図である。

【図９】図９は、原料ガス噴出孔の位置が高い場合の膜
厚分布を説明するための図である。

【図１０】図１０は、原料ガス噴出孔の位置が低い場合
の膜厚分布を説明するための図である。

【符号の説明】

１サセプタ２ウエハ３ガス供給管４ベルジャ（反応炉）５加熱コイル６加熱ランプ７ガス噴出孔３０ウエハ（基板）３１サセプタ（加熱台）３２ガス供給管３３原料ガス噴出孔３４噴出孔距離自動調節装置３５ガス流量調節装置３６ベルジャ（反応炉）３７加熱コイル３８ガス流量調節装置３９排気系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者秋山幹夫茨城県日立市弁天町三丁目10番２号日立原町電子工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】サセプタに半導体の基板を並べて加熱
し、前記サセプタ中心に設けられたガス供給管から原料
ガスを供給し前記基板に気相成長層を形成する半導体の
気相成長装置において、前記サセプタ表面と前記ガス供
給管の原料ガス噴出孔との距離を変化させる手段を有す
ることを特徴とする半導体の気相成長装置。
【請求項２】サセプタに半導体の基板を並べて加熱
し、前記サセプタ中心に設けられたガス供給管から原料
ガスを供給し前記基板に気相成長層を形成する半導体の
気相成長装置において、前記サセプタ表面と前記ガス供
給管の原料ガス噴出孔との距離を変化させる手段を有
し、前記距離変化に同期して前記原料ガスの流量を調節
するガス流量調節手段を備えることを特徴とする半導体
の気相成長装置。
【請求項３】回転する円板状のサセプタに半導体の基
板を並べて加熱し、前記サセプタ中心に設けられたガス
供給管から原料ガスを放射状に供給し、前記基板に気相
成長層を形成する半導体の気相成長装置において、前記
ガス供給管の近傍位置に設けられ、前記基板の成長層材
の化合物ガス濃度が前記原料ガスと同一の補助原料ガス
をサセプタ半径方向へ供給する１本以上の補助供給管
と、前記補助原料ガスの流量を独立に制御する手段とを
有することを特徴とする半導体の気相成長装置。
【請求項４】回転する円板状のサセプタに半導体の基
板を並べて加熱し、前記サセプタ中心に設けられたガス
供給管から原料ガスを放射状に供給し、前記基板に気相
成長層を形成する半導体の気相成長装置において、前記
ガス供給管の近傍位置に、前記基板の成長層材の化合物
ガス濃度が前記原料ガスと同一の補助原料ガスをサセプ
タ半径方向へ供給する１本以上の補助供給管を設け、前
記ガス供給管又は補助供給管のガス噴出孔と前記サセプ
タ表面との距離を変化させる手段を有し、前記距離変化
に同期して、前記原料ガス又は補助原料ガスの流量を調
節するガス流量調節手段を備えたことを特徴とする半導
体の気相成長装置。
【請求項５】サセプタに半導体の基板を並べて回転し
ながら加熱し、前記サセプタの中心に設けたガス供給管
から原料ガスを放射状に供給し、前記基板に気相成長層
を形成する半導体の気相成長方法において、前記サセプ
タ表面と前記ガス供給管の原料ガス噴出孔の距離を気相
成長中に変化させることにより、前記基板の気相成長層
の膜厚を制御することを特徴とする半導体の気相成長方
法。
【請求項６】サセプタに半導体の基板を並べて回転し
ながら加熱し、前記サセプタの中心に設けたガス供給管
から原料ガスを放射状に供給し、前記基板に気相成長層
を形成する半導体の気相成長方法において、前記サセプ
タ表面と前記ガス供給管の原料ガス噴出孔の距離を気相
成長中に変化させ、これと同期して前記原料ガスの流量
を調節することにより、前記基板の気相成長層の膜厚を
制御することを特徴とする半導体の気相成長方法。
【請求項７】サセプタに半導体の基板を並べて回転し
ながら加熱し、前記サセプタの中心に設けたガス供給管
から原料ガスを放射状に供給し前記基板に気相成長層を
形成する半導体の気相成長方法において、前記基板の成
長層材の化合物ガス濃度が前記原料ガスと同一の補助原
料ガスを、前記原料ガスと共に前記ガス供給管の近傍か
ら前記サセプタ半径方向へ流量を独立に制御して供給す
ることを特徴とする半導体の気相成長方法。
【請求項８】サセプタに半導体の基板を並べて回転し
ながら加熱し、前記サセプタの中心に設けたガス供給管
から原料ガスを放射状に供給し前記基板に気相成長層を
形成する半導体の気相成長方法において、前記サセプタ
表面と前記ガス供給管の原料ガス噴出孔の距離を気相成
長中に変化させ、これと同期して前記原料ガスの流量を
調節するとともに、前記基板の成長層材の化合物ガス濃
度が前記原料ガスと同一の補助原料ガスを前記サセプタ
の中心から供給し、前記補助原料ガスの噴出孔と前記サ
セプタ表面との距離を変化させ、かつ前記補助原料ガス
の流量を独立に調節することを特徴とする半導体の気相
成長方法。