JP2008538161A5 - - Google Patents

Claims (24)

1. 基板の処理方法であって：
   上に酸化膜が形成されている前記基板を処理チャンバ内に供する工程；
   前記処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程；
   約９００℃よりも低温である第１基板温度の前記基板を前記の励起した水素含有ガス流に曝露することで前記基板から前記酸化膜を除去する工程；
   前記基板を前記第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持する工程；及び
   前記基板が前記第２基板温度のまま、Si ₂ Cl ₆ を含むシリコン含有ガスに前記基板上を曝露することによって、前記基板上にシリコン含有膜を成膜する工程；
   を有する方法。
2. 前記水素含有ガスがＨ_２ガスを有する、請求項１に記載の方法。
3. 前記水素含有ガスが不活性ガスをさらに有する、請求項１に記載の方法。
4. 前記不活性ガスが、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ若しくはＸｅ又はこれら２以上の混合ガスを有する、請求項３に記載の方法。
5. 前記水素含有ガスの流速が、約０．０１０ｓｌｍから約２０ｓｌｍである、請求項１に記載の方法。
6. 前記シリコン含有ガスが、ＳｉＨ_４、ＳｉＣｌ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、若しくはＳｉＨ_２Ｃｌ_２ 又はこれら２以上の混合ガスを有する、請求項１に記載の方法。
7. 前記シリコン含有ガスは、ＧｅＨ_４、ＧｅＣｌ_４、又はこれらの混合ガスを含むゲルマニウム含有ガスをさらに有する、請求項７に記載の方法。
8. 前記の曝露工程及び前記の成膜工程が、約１００Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバ圧力で実行される、請求項１に記載の方法。
9. 前記の曝露工程及び前記の成膜工程が、約１０Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバ圧力で実行される、請求項１に記載の方法。
10. 前記の基板を供する工程が、前記基板をバッチ処理チャンバ内に供する工程を有する、請求項１に記載の方法。
11. 前記基板がシリコン含有膜材料を有する、請求項１に記載の方法。
12. 前記シリコン含有膜材料が、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、又はＳｉＣＯを有する、請求項１２に記載の方法。
13. 前記シリコン含有膜が、多結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、エピタキシャル成長Ｓｉ又はＳｉＧｅを有する、請求項１に記載の方法。
14. 前記第１基板温度が約５００℃よりも低温である、請求項１に記載の方法。
15. 前記第１基板温度が約２００℃から約３００℃である、請求項１に記載の方法。
16. 前記第２基板温度が約５００℃から約９００℃である、請求項１に記載の方法。
17. 前記第２基板温度が約５５０℃から約７５０℃である、請求項１に記載の方法。
18. 前記基板が、１以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を有するパターニング基板を有する、請求項１に記載の方法。
19. 前記シリコン含有膜が、前記基板の曝露されたシリコン含有表面上に選択的に形成される、請求項１に記載の方法。
20. 前記シリコン含有膜が、前記基板上に非選択的に形成される、請求項１に記載の方法。
21. 前記励起工程が、前記基板の直接視野内に存在しないリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程を有する、請求項１に記載の方法。
22. 前記基板を曝露する工程と前記シリコン含有膜を成膜する工程との間の期間、前記基板を大気に曝露しない工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
23. 基板上にシリコン含有膜を成膜する方法であって：
    バッチ処理チャンバ内に複数のシリコン含有基板を供する工程であって、該シリコン含有基板の各々は酸化物含有マスク又は窒化物含有マスクのうちの少なくとも1つを上に有し、それにより前記シリコン含有基板の曝露表面は前記マスクを介して曝露され、前記曝露表面は酸化膜を上に有する、工程；
    前記バッチ処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程；
    前記複数のシリコン含有基板を、前記の励起された水素含有ガス流に、約５００℃よりも低温の第１基板温度で曝露して、前記複数のシリコン含有基板の各々から前記酸化膜を除去する、工程；
    前記複数のシリコン含有基板の温度を、少なくとも５００℃である第２基板温度へ昇温する工程；及び
    前記複数のシリコン含有基板を、Si _２ Cl ₆ を含む処理ガスへ曝露することによって、前記複数のシリコン含有基板の各々の曝露表面上にシリコン含有膜を選択的に成膜する工程；
    を有する方法。
24. 基板上にシリコン含有膜を成膜する方法であって：
    バッチ処理チャンバ内に複数のシリコン含有基板を供する工程であって、該シリコン含有基板の各々は酸化物含有マスク又は窒化物含有マスクのうちの少なくとも1つを上に有し、それにより前記シリコン含有基板の曝露表面は前記マスクを介して曝露され、前記曝露表面は酸化膜を上に有する、工程；
    前記バッチ処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程；
    前記複数のシリコン含有基板を、前記の励起された水素含有ガス流に、約５００℃よりも低温の第１基板温度で曝露して、前記複数のシリコン含有基板の各々から前記酸化膜を除去する、工程；
    前記複数のシリコン含有基板の温度を、少なくとも５００℃である第２基板温度へ昇温する工程；及び
    前記複数のシリコン含有基板を、Si _２ Cl ₆ を含む処理ガスへ曝露することによって、前記複数のシリコン含有基板の各々の曝露表面上にシリコン含有膜を非選択的に成膜する工程；
    を有する方法。