JP4874527B2 - 炭化珪素半導体基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
デバイスを作製する領域であるエピタキシャル層のマイクロパイプを低減させる方法として、基板となるSiC単結晶を高温処理することで、SiCが昇華し、マイクロパイプに析出、閉塞させることが提案された(特許文献1参照)。また、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、SiCを成長させ、熱処理によりマイクロパイプの端部を閉塞し、熱エッチングにより閉塞された表面を露出し、これを種結晶としてSiC単結晶を成長させる方法もあり(特許文献2参照)、さらに、CVD法により、調整した成膜条件でSiCを成長することでマイクロパイプを転位などの欠陥に展開する方法もある(非特許文献1参照)。
即ち、マイクロパイプはバーガースベクトルb=|nc|(nは整数、cはc軸方向の原子1個分の変位)を有しており、気相(昇華)でマイクロパイプを閉塞してもバーガースベクトルは保存されるので、バーガースベクトルのより小さな転位に分解される。つまり、1つのマイクロパイプに最大n個の転位が発生する。この転位は、不対電子を有するためキャリアの散乱源となって移動度を低下させたり、低抵抗領域を形成して電流のリークパスとなって耐圧を低下させる。
即ち、本発明は、次の方法等を提供するものである。
及び、<111>軸方向にSi面とC面が交互に積層した立方晶において、SiやCの一部がGeによって置換されたもの若しくは格子間にGeが挿入されたものを言う。
図1(a)に、本発明方法により得られた炭化珪素半導体基板の一態様を示す。
製造工程を次に示す。
A)基板
まず、SiC基板1を取得する。SiC基板としては、4H−SiC、3C−SiC、6H−SiCなどが使用でき、ウエーハの面方位、オフ角、面(Si,C)に制限はない
CVD法により、Geドープバッファー層3をSiC基板1上に設ける。
ここで用いる原料ガスは、SiH2Cl2、C2H2、SiH4、C3H8、Si2H6等が挙げられる。
ドープ原料ガスとしては、(C2H5)4Ge、(CH3)2GeH2、GeH4 等が挙げられる。
キャリアガスとしては、H2、Ar等が挙げられる。
これらガス中のGe濃度は、原子供給量比でCの0.0001〜2倍が好ましく、特に、0.001〜1倍が好ましい。
基板の温度は、3C−SiCを成長させる場合は、800〜1450℃が好ましく、特に900〜1400℃が好ましい。4H−SiC及び6H−SiCを成長させる場合は、1450から1770℃が好ましく、特に1500〜1650℃が好ましい。
バッファー層のゲルマニウム量は、10atm%以下が好ましく、特に5atm%以下が好ましく、更に3atm%以下が好ましい。
バッファー層の膜厚は1nm〜10μmが好ましく、特に1nm〜1μmが好ましく、更に1nm〜500nmが好ましい。
GeをドープしたSiCは基板SiCに比べ格子定数が大きく界面に欠陥を形成する。この欠陥と基板から伸びる欠陥がぶつかり、欠陥の進展方向が面内方向に曲げられたり、ループ化することによってエピタキシャル層へ伝播する欠陥の数を抑制できる。この界面領域にて、多くの欠陥が消滅する為、その領域を欠陥終端領域2と記述した。従って、欠陥終端領域2は、SiC基板1とGeドープSiCバッファ層3の境界である。
かようにして、図1(a)に示す炭化珪素半導体基板が得られる。
第2実施形態は、図2に示すような形態である。これは第1実施形態のGeドープバッファー層3とSiCエピタキシャル層4を複数を設けたものである。すなわち、Geドープバッファー層が多層存することにより、欠陥をさらに抑制することを狙ったものである。
製法は、第1実施形態の2層作成の工程を繰り返せばよい。
第3実施形態は、図3に示すごとく、第2実施形態のものの応用である。
即ち、第2実施形態の基板に、次の層が設けられているものである。
A)SiCエピタキシャル層22(コレクタ層)
エピタキシャルSiC層がp型のもので、ドーピング元素はGa,Al,Bなどである。
B)GeをドープしたエピタキシャルSiC層23(ベース層)
本層はn型でドーピング元素はN、P、Asなどである。
C)B)の上にp型エピタキシャル層24
エピタキシャルSiC層がp型のもので、ドーピング元素はGa,Al,Bなどである。
第4実施形態は、図l(b)に示すような形態である。これは第3実施形態(バッファー層の数は異なる)の基板にベース12、エミッタ11、コレクタ10の電極を配置したものである。
半導体素子構造:HEMT(High Electron Mobility Transistor)への適用例
第5実施形態は、図l(c)に示すような形態である。
第1実施形態の基板に加え、アンドープSiC13上に、NドープSiCキャリア供給層14、アンドープSiC層13(スペーサ層)、GeドープSiCチャネル層14、アンドープSiC層13(スペーサ層)、NドープSiCキャリア供給層15、アンドープSiC層13(バリア層)をCVD法で形成し、その上に、ゲート19、ソース18、ドレイン電極を配置したものである。
(1)SiC基板
基板としては、4H−SiC基板:ウエーハ表面結晶面方位(0001)8°オフ[11−20]を用いた。
CVD条件は次の通りである。
原料ガス:SiH2Cl2を13mL/min、C2H2を3.3mL/min、
ドープ原料ガス:15℃にした(C2H5)4Ge中をArキャリアガスを10mL/minで流した、
キャリアガス:H2を500mL/min
基板温度:1450〜1770℃ (*4H−SiCに限る)
得られた層の厚さは、50nmであった。
また、層中のゲルマニウムの量は0.6atm%であった。
原料ガス:SiH2Cl2を13mL/min、C2H2を3.3mL/min、
キャリアガス:H2を500mL/min
基板温度:1450〜1770℃ (*4H−SiCに限る)
得られた層の厚さは、4μmであった。
エッチピット計数
エッチングは、550℃のKOHに20分浸漬して行った。
計数は、光学顕微鏡(計数倍率は75mm×90mmの領域にピットが102台観察できる倍率にした。)によった。
その結果、本基板のエッチピット計数は100cm-2以下であった。
市販基板(4H−SiCウエーハ)上に上記(3)半導体素子層(SiCエピタキシャル層)のCVD法により直接エピタキシャル成長したもののエッチピット密度は1000cm2以上であった。
実施例1において(2)と(3)の工程を3回繰り返した他は実施例1と同様にして、第2実施形態の炭化珪素半導体基板を得た。そして実施例1と同様に評価したところ、本基板のエッチピット計数は50cm-2以下であった。
(1) 実施例2の基板において最後のエピタキシャルSiC成長時にp型になるように原料ガスに微量の(CH3)3Gaガスを添加して成長させたものである。
最後のエピタキシャルSiC層の成長条件、仕様等は実施例1の(3)と同じとした。
但し、Ga濃度は6×1019/cm3。
(2)(1)の上にGe,NドープSiC層を成長する。n型になるように原料ガスに微量のN2ガスを添加して成長させた。(その他は実施例1の(2)と同じ)
但し、N濃度は1×1017/cm3
(3) (2)の上にエピタキシャルSiCを成長させた。
方法は(1)と同様であった。但し、Gaの濃度は3×1020/cm3
(1)実施例3の基板上にデバイス作成したい領域を開口するようにレジストをフォトリソ工程により作成する。
(2)ドライエッチングまたはウエットエッチングによりエミッタ電極部のSiC膜厚が所望膜厚になるまでエッチングする。
(3)ベース電極、コレクタ電極部分が開口するようにレジストをフォトリソ工程により作成する。
(4)ドライエッチングまたはウエットエッチングによりベース電極部のSiC膜厚が所望膜厚になるまでエッチングする。
(5)コレクタ電極部分が開口するようにレジストをフォトリソ工程により作成する。
(6)ドライエッチングまたはウエットエッチングによりコレクタ電極部のSiC膜厚が所望膜厚になるまでエッチングする。
(7)ベース電極、コレクタ電極、エミッタ電極部分が開口するようにレジストをフォトリソ工程により作成する。
(8)Niをスパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法により蒸着する。
(9)電極部以外のNi蒸着膜をアセトンでレジストを溶解させることで除去する。
(10)ArまたはH2雰囲気で1000℃に数分間加熱することで、ベース、エミッタ、コレクタ電極のオーミック特性を確保する。
(11)ベース電極、コレクタ電極の中心部と(周囲は開口)エミッタ電極を覆うようなパタン形状にフォトレジストを形成し、CVD法またはスパッタ法等でSiO2膜を形成し、フォトレジストを除去する。
(12)引き出し配線を形成するようなパタン形状にフォトレジストを形成したのち、Niをスパッタ法や電子ビーム蒸着法を用いて蒸着する。
(13)フォトレジストをアッシング工程により除去する。
(1)実施例1と同様にSiC基板(半絶縁性)1上に、GeドープSiCバッファ層(欠陥低減目的)3、続けて、アンドープSiC層13、NドープSiCキャリア供給層15、アンドープSiC層(スペーサ層)13、GeドープSiCチャネル層14、アンドープSiC層(スペーサ層)13、NドープSiCキャリア供給層15、アンドープSiC層(バリア層)13、NドープSiCコンタクト層16をCVD法で形成した(図4a)。
(2)CVD法またはスパッタ法等でエピタキシャル成長表面側にSiO2膜を形成する。
(3)ソース及びドレイン電極を作成したい領域を開口するようにレジストをフォトリソ工程により作成する。
(4)ドライエッチングまたはウエットエッチングにより、SiO2層を開口し、エッチングする。
(5)Ni(又は、MoSiなど)をスパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法により蒸着する。
(6)リフトオフプロセスにて、アセトンなどのレジスト剥離機能を持った溶剤にて、下層のレジスト毎、ソース及びドレイン電極部以外のNi層を除去することで、ソース及びドレイン電極のパターニングを行う。
(7)ArまたはH2雰囲気で1000℃に数分間加熱することで、ソース及びドレイン電極のオーミック特性を確保する。
(8)(3)と同様に、ゲート電極部分が開口するようにレジストをフォトリソ工程により作成する。
(9)ドライエッチングまたはウエットエッチングによりゲート電極を形成したい領域のSiO2をエッチングする。
(10)アッシング或いはレジスト剥離機能を持った溶剤にて、レジストを除去する。
(11)CVD法またはスパッタ法等でエピタキシャル成長表面側にSiO2膜を形成し、(8)〜(10)と同様の工程にて、ソース、ドレイン、ゲート電極を形成したい部分のSiO2を開口し、レジストを除去する(図4b)。
(12)Ti/TiN/Al膜をスパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法により蒸着する。
(13)フォトリソ工程により、ソース、ドレイン、ゲート電極を残すようにレジストを形成する(図4c)。
(14)(13)のレジストをエッチング用マスクとし、ドライエッチング又は、ウエットエッチングにより、Ti/TiN/Al膜20をエッチングすることで、ソース、ドレイン、ゲート電極を形成する。
(15)エッチング用マスクのレジストをアッシング工程或いはレジスト剥離液により除去する。
製造工程は、実施例4と同様に行った。
実施例7 pnp型HBTの素子構造2(図6)
製造工程は、実施例4と同様、ただし、コレクタ 電極を裏面に形成した。
これは、大きなコレクタ電極領域が確保できる為、素子面積あたりの電流量が確保でき、大電流用素子に有効であった。
実施例8 pnp型HBTの素子構造2(図7参照)
製造工程は、実施例4と同様にした。マルチチャネル構造。
実施例9 npn型HBTの素子構造(図8)
エミッタに対し、禁制帯幅の小さいベース/コレクタを用いる工ピタキシャルウエーハ構造をとる(図8)。
実施例4と同様の手法で、npn型HBTの素子構造を実現した。
2 欠陥終端領域
3 GeドープSiCバッファー層
4 SiCエピタキシャル層
5 欠陥
6 AlドープSiC層
7 Ge及びNドープSiC層
8 AlドープSiC層
9 SiO2
10 コレクタ電極
11 エミッタ電極
12 ベース電極
13 アンドープSiC層
14 GeドープSiCチャネル層
15 NドープSiCキャリア供給層
16 NドープSiCコンタクト層
17 SiO2
18 ソース電極
19 ゲート電極
20 Ti/TiN/Al
21 レジスト
22 GaドープSiC層
23 Ge及びNドープSiC層
24 GaドープSiC層
25 SiCエピタキシャルバッファー層
26 Ge及びNドープSiC層
27 Ge及びAl(又はGa)
28 NドープSiC層
Claims (4)
- 炭化珪素基板上に、ゲルマニウムの量が0.6atm%以上10atm%以下である炭化ケイ素バッファー層を化学気相成長法により形成し、該バッファー層上に化学気相成長法によりSiCエピタキシャル層を形成することを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。
- バッファー層とSiCエピタキシャル層をそれぞれ交互に二層以上設けることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の製造方法により得られた炭化珪素半導体基板。
- 請求項1又は請求項2に記載の製造方法により得られた炭化珪素半導体基板に電極を設けたことを特徴とする炭化珪素半導体。
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