JPS5898917A - 原子層エビタキシヤル装置 - Google Patents

原子層エビタキシヤル装置

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Publication number
JPS5898917A
JPS5898917A JP19785881A JP19785881A JPS5898917A JP S5898917 A JPS5898917 A JP S5898917A JP 19785881 A JP19785881 A JP 19785881A JP 19785881 A JP19785881 A JP 19785881A JP S5898917 A JPS5898917 A JP S5898917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
specimen
epitaxial growth
atomic layer
vacuum vessel
Prior art date
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Pending
Application number
JP19785881A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5898917A publication Critical patent/JPS5898917A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、原子装置エピタキシャル装置に関する。
最近、Ｔ、　８　ａ　ｎ　ｔ　ｏ　（ａ、　Ｊ、ムｎｔ
ａｏｎ、　　ム。
Ｐａｋｋａ（ａ　　ａｎｄ　　８．ＬｉｎｄｆＯｒ＃、
’ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒ　　Ｅｐｉｔａｘｙ　ｆｏｒ
　Ｐｒｏ＋ｌｕｃｉｎｇ　　ＩＣＬ−Ｔｈｉｎ　　Ｆｉ
ｌｍｓ、”、１９８０　８／Ｄ　　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａ１８ｙｍｐｏｓｉａｍ、Ｄｉｇｅｓｔ　　ｏｆ　
　ＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ、Ｐ、Ｐ、１０Ｂ−
１０９、Ａｐｒ、１９８０゜に示される如く、真空容器
内の試料表１ｉｌｉにガス吸着を１層づつ行ない、該ガ
ス吸着層を還元することにより１原子層のエピタキシャ
ル層成長が可能となった。
しかるに、前記従来技術では、試料基板の加熱を要する
事および２種のガス導入を要するなど、処理時間を要し
、低源成長が不可能等の欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、高速でかつ
低温の原子）ｔｉｔエピタキシャル成長が可能な装置を
提供することを目的とする。
上記目的ｔ−達成するための不発明の基本的な構ｒｆｔ
は、真空容器内には試料保持がなされ、かつ、該真空容
器内にエピタキシャル成長させるための原子を含むガス
化合物の導入部が設けられ、かつ少なくとも試料表面を
光照射するランプが設けられた事を％淑とする。
以下、実施例を用いて本発明を詳＃ａｌＫ説明する。
第１図は、本発明による原子層エビタキ７ヤル装置の一
実施例を承す。ＩＦｉ真空容器支持基板、２はペルジャ
ー、５Ｆｉ真空ポンプ、’Ｆｉ試料台、５は８１ウエー
八等の試料、６はガス導入口であり、７はバルブ、８は
流量計である。
９および１０はゴム等からなる真空保持の几めのパツキ
ンであり、１１は光シヤツター、１２は石英窓、１５は
シャッター駆動モーター、１４は水銀ランプ、１５はラ
ンプ・ハウスである。真空容器内は真空ポンプ５により
１０−ｓＴｏｒｒ以上の真空層に保たれ、試料表面は予
め通常のムｒガス放電による清浄化が計られるものとす
る。ガス導入口６から微量の日ｉｏｊ！、等のガスを導
入することにより、試料表面には一分子層の８１　ＣＡ
、が形成され、その後、シャッター１１ｆ：開き、Ｈｊ
ランプ１４からの光を試料表面に照射することにより、
試料表面に吸着せる１分子層の５ｉ（１−が分解し、日
１と０１とに光分解され、Ｂ１が試料表面［１原子層で
形成されることとなる。
この反応を１従来の方式による反応との対比で今少し詳
細にのべると、従来技術では、第２図に不すごとく、８
１ウエーハ基板上にｓ１原子′ｆ１層エピタキシャル成
長させる場合、（ａ）　Ｂ　ｉ基型上への８１ｃＪ２．
吸着、（ｂ）　８　ｉ　Ｃｉ＠　ｅＬ着層上へのＨ層吸
着９反応、（（りＨＣｊｌ除去の３工程が基板ｆｆｉ［
を常ｉｌ〜３００もの範囲で制御しながら行なわれるの
に対し、本発明では、第５図に示すごとく、（ａ）８１
基撤上へのＳ　ｉ　Ｃ！　１．吸着、（ｂ）光照射によ
る８　１０　Ｊ！、分解による０名ガス除去の２工程が
常温から１００℃以下で行なわれる。
上記の如く、本発明による原子層エビタキ７ヤル装置で
は、反応工程が短縮され、高速で原子層エピタキシャル
処理ができると共に、常温で原子層エピタキシャルが可
能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
＄１図は、本発明の一実施例を示す原子層エピタキシャ
ル装置の概略図である。第２図は、従来の原子層エピタ
キシャル反応、第５図は、本発明による原子層エピタキ
シャル反応を模式的に示したものである。 １・・・真空容器基板　　　２・”°ベンジャー３・・
・真空ポンプ　　　　４・・・試料台５・・・試　料　
　　　　　６・・・ガス導入ロア・・・ドルブ　　　　
　　８・・・流量計９．１０・・・パツキン １１・・・シャッター　　　１２・・・石英窓１５・・
・モーター　　　　１４・・・水銀ランプ１５・・・ラ
ンプ・ハウス。 以上 出願人　株式会社諏訪精工舎 嶌１図・

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空容器内には試料保持がなされ、かつ、該真空容器内
    にエピタキシャル成長させるための原子を含むガス化合
    物の導入部が設けられ、かつ、少なもとも試料表面を光
    照射するランプが設けられた事ヲ哲倣とする原子層エピ
    タキシャル装置。
JP19785881A 1981-12-09 1981-12-09 原子層エビタキシヤル装置 Pending JPS5898917A (ja)

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