JPH0648716A - ダイヤモンドの欠陥除去方法 - Google Patents
ダイヤモンドの欠陥除去方法Info
- Publication number
- JPH0648716A JPH0648716A JP4198591A JP19859192A JPH0648716A JP H0648716 A JPH0648716 A JP H0648716A JP 4198591 A JP4198591 A JP 4198591A JP 19859192 A JP19859192 A JP 19859192A JP H0648716 A JPH0648716 A JP H0648716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- ultraviolet rays
- irradiation
- atmosphere
- ultraviolet ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ダイヤモンドに存在する格子欠陥やグラファイ
トなどの非ダイヤモンド成分を除去する方法の提供。 【構成】ダイヤモンドあるいは基板素材上のダイヤモン
ド薄膜１０１に、酸素又は水素雰囲気下でエキシマレー
ザ光の紫外線１０４を照射する。
トなどの非ダイヤモンド成分を除去する方法の提供。 【構成】ダイヤモンドあるいは基板素材上のダイヤモン
ド薄膜１０１に、酸素又は水素雰囲気下でエキシマレー
ザ光の紫外線１０４を照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子工業における半導
体や絶縁体およびコーティング膜などに用いられるダイ
ヤモンドの欠陥除去方法に関するものである。
体や絶縁体およびコーティング膜などに用いられるダイ
ヤモンドの欠陥除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは炭素原子がダイヤモンド
構造に規則正しく配列した構造をとるが、何等かの原因
によってその原子配列が乱れたり、あるいは構造変化に
よってグラファイトや一般的に非晶質カーボンと呼ばれ
る成分が混入したりすることがある。特に、メタンや一
酸化炭素などの炭素源ガスと水素ガスなどを混合した原
料ガスをプラズマなどで分解するＣＶＤ法（化学気相成
長法）などによって合成される多結晶状のダイヤモンド
薄膜の場合、その結晶粒界部分などに前記の非ダイヤモ
ンド成分が混入することが多い。また、単結晶ダイヤモ
ンドにおいても、導電性を持たせる目的でボロンなどの
イオンを照射した場合、その注入領域ではイオン注入に
よる残留欠陥（格子欠陥）や非ダイヤモンド成分の生成
が観測されている。これらの格子欠陥や非ダイヤモンド
成分はダイヤモンドの持つ優れた諸特性例えば、絶縁性
やキャリア移動度などの電気的特性や熱伝導性、機械的
特性を著しく低下させるため、除去あるいは格子構造の
回復を行なう必要がある。
構造に規則正しく配列した構造をとるが、何等かの原因
によってその原子配列が乱れたり、あるいは構造変化に
よってグラファイトや一般的に非晶質カーボンと呼ばれ
る成分が混入したりすることがある。特に、メタンや一
酸化炭素などの炭素源ガスと水素ガスなどを混合した原
料ガスをプラズマなどで分解するＣＶＤ法（化学気相成
長法）などによって合成される多結晶状のダイヤモンド
薄膜の場合、その結晶粒界部分などに前記の非ダイヤモ
ンド成分が混入することが多い。また、単結晶ダイヤモ
ンドにおいても、導電性を持たせる目的でボロンなどの
イオンを照射した場合、その注入領域ではイオン注入に
よる残留欠陥（格子欠陥）や非ダイヤモンド成分の生成
が観測されている。これらの格子欠陥や非ダイヤモンド
成分はダイヤモンドの持つ優れた諸特性例えば、絶縁性
やキャリア移動度などの電気的特性や熱伝導性、機械的
特性を著しく低下させるため、除去あるいは格子構造の
回復を行なう必要がある。
【０００３】これまでこのような欠陥除去の方法として
は、熱アニールによる方法や硝酸と硫酸の混合液に浸す
ことによる化学的なエッチングが行なわれているのみで
ある。
は、熱アニールによる方法や硝酸と硫酸の混合液に浸す
ことによる化学的なエッチングが行なわれているのみで
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そもそもダイヤモンド
あるいはダイヤモンド薄膜が有する欠陥を除去するため
には、その欠陥部分をダイヤモンド構造に修復するか、
あるいは欠陥部分を除去しなければならない。そして、
上述の熱アニールによる方法は試料を加熱することによ
ってエネルギーを与え、結晶格子の修復を図るものであ
り、試料がシリコンなどではイオン注入による欠陥の除
去などの場合、良く行なわれている方法である。
あるいはダイヤモンド薄膜が有する欠陥を除去するため
には、その欠陥部分をダイヤモンド構造に修復するか、
あるいは欠陥部分を除去しなければならない。そして、
上述の熱アニールによる方法は試料を加熱することによ
ってエネルギーを与え、結晶格子の修復を図るものであ
り、試料がシリコンなどではイオン注入による欠陥の除
去などの場合、良く行なわれている方法である。
【０００５】しかしながら、ダイヤモンドの場合、ある
程度以上の温度例えば、真空中において1500℃以上で加
熱することによってグラファイトの生成が起こってしま
うという課題がある。従って、この加熱修復方法では充
分に格子欠陥除去を行なうことはできない。
程度以上の温度例えば、真空中において1500℃以上で加
熱することによってグラファイトの生成が起こってしま
うという課題がある。従って、この加熱修復方法では充
分に格子欠陥除去を行なうことはできない。
【０００６】また硝酸・硫酸混合液によるエッチング修
復方法は、表面に付着した非ダイヤモンド成分を除去で
きるが、結晶中の格子欠陥や多結晶ダイヤモンド薄膜の
結晶粒界に存在する非ダイヤモンド成分の除去は困難で
あるという課題があった。
復方法は、表面に付着した非ダイヤモンド成分を除去で
きるが、結晶中の格子欠陥や多結晶ダイヤモンド薄膜の
結晶粒界に存在する非ダイヤモンド成分の除去は困難で
あるという課題があった。
【０００７】以上のように、これまで行なわれてきたダ
イヤモンドの欠陥除去方法はそれぞれ不充分であった。
イヤモンドの欠陥除去方法はそれぞれ不充分であった。
【０００８】本発明は、このような従来のダイヤモンド
の欠陥除去方法の課題を考慮し、ダイヤモンドあるいは
ダイヤモンド薄膜に紫外線を照射することによって、ダ
イヤモンド中に存在する格子欠陥や非ダイヤモンド成分
の除去を行なう方法を提供することを目的とする。
の欠陥除去方法の課題を考慮し、ダイヤモンドあるいは
ダイヤモンド薄膜に紫外線を照射することによって、ダ
イヤモンド中に存在する格子欠陥や非ダイヤモンド成分
の除去を行なう方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のダイヤモンドの欠陥除去方法は、ダイヤ
モンドあるいは基板素材上のダイヤモンド薄膜に、紫外
線を照射することからなる。
めに、本発明のダイヤモンドの欠陥除去方法は、ダイヤ
モンドあるいは基板素材上のダイヤモンド薄膜に、紫外
線を照射することからなる。
【００１０】その本発明のダイヤモンドの欠陥除去方法
においては、照射する紫外線のエネルギー密度が、0.1
〜10J/cm2であることが好ましい。
においては、照射する紫外線のエネルギー密度が、0.1
〜10J/cm2であることが好ましい。
【００１１】また、その本発明のダイヤモンドの欠陥除
去方法においては、照射する紫外線はエキシマレーザ光
であることが好ましい。
去方法においては、照射する紫外線はエキシマレーザ光
であることが好ましい。
【００１２】また、その本発明のダイヤモンドの欠陥除
去方法においては、紫外線を照射する雰囲気が、少なく
とも水素を含む雰囲気であることが好ましい。
去方法においては、紫外線を照射する雰囲気が、少なく
とも水素を含む雰囲気であることが好ましい。
【００１３】また、その本発明のダイヤモンドの欠陥除
去方法においては、紫外線を照射する雰囲気が、少なく
とも酸素を含む雰囲気であることが好ましい。
去方法においては、紫外線を照射する雰囲気が、少なく
とも酸素を含む雰囲気であることが好ましい。
【００１４】
【作用】格子欠陥や非ダイヤモンド成分を有するダイヤ
モンドあるいはダイヤモンド薄膜に紫外線を照射するこ
とによって、紫外線は高いフォトンエネルギーのため、
特に欠陥などが存在する領域において吸収される。その
結果、乱れたダイヤモンド構造は回復すると共に、ダイ
ヤモンドの格子欠陥は除去される。また、グラファイト
や非晶質カーボンなどの成分は、紫外線のエネルギーを
得て反応し、エッチングされる。
モンドあるいはダイヤモンド薄膜に紫外線を照射するこ
とによって、紫外線は高いフォトンエネルギーのため、
特に欠陥などが存在する領域において吸収される。その
結果、乱れたダイヤモンド構造は回復すると共に、ダイ
ヤモンドの格子欠陥は除去される。また、グラファイト
や非晶質カーボンなどの成分は、紫外線のエネルギーを
得て反応し、エッチングされる。
【００１５】また、照射紫外線のエネルギー密度が0.1
〜10J/cm2であることによって、効率よく欠陥を除去す
ることが出来る。
〜10J/cm2であることによって、効率よく欠陥を除去す
ることが出来る。
【００１６】また、照射紫外線源としてエキシマレーザ
を用いることによって、容易に高エネルギー密度の紫外
線を照射することが可能となる。
を用いることによって、容易に高エネルギー密度の紫外
線を照射することが可能となる。
【００１７】また、紫外線を照射する際の雰囲気が、少
なくとも水素を含む雰囲気あるいは少なくとも酸素を含
む雰囲気であることによって、グラファイトや非晶質カ
ーボン成分などが炭化水素あるいは一酸化炭素の様な酸
化物の形で反応し、気化するため除去が容易になる。
なくとも水素を含む雰囲気あるいは少なくとも酸素を含
む雰囲気であることによって、グラファイトや非晶質カ
ーボン成分などが炭化水素あるいは一酸化炭素の様な酸
化物の形で反応し、気化するため除去が容易になる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１９】図１は欠陥の存在するダイヤモンドあるい
はダイヤモンド薄膜に、紫外線を照射する手順を示した
工程図である。ダイヤモンド１０１は、その表面および
内部に非ダイヤモンド成分１０２や格子欠陥１０３を持
っているとする。このダイヤモンド１０１に紫外線１０
４の照射を行なう。紫外線の光源としては、重水素ラン
プ、窒素レーザ、エキシマレーザなどがあげられる。照
射方法としては、連続光あるいはパルス光のいずれでも
良く、また照射紫外線のエネルギー密度を0.1〜10J/cm2
程度に高める目的で、レンズで集光する手段も用いられ
る。照射面積が大きく、紫外線光が広い範囲にわたって
照射不可能な場合は、ダイヤモンド１０１を並進移動さ
せる、あるいは紫外線光１０４をスキャンさせるなどの
方法が用いられる。中でも、一般的に用いられる光源と
しては、照射紫外線の波長や照射パワーの兼ね合いか
ら、エキシマレーザ（波長：308nmや179nmなど）を採用
することが多い。上記のいずれかの手段で紫外線光を照
射した結果、処理されたダイヤモンド１０５では非ダイ
ヤモンド成分１０２および格子欠陥１０３が除去される
と共に、格子構造も回復する。
はダイヤモンド薄膜に、紫外線を照射する手順を示した
工程図である。ダイヤモンド１０１は、その表面および
内部に非ダイヤモンド成分１０２や格子欠陥１０３を持
っているとする。このダイヤモンド１０１に紫外線１０
４の照射を行なう。紫外線の光源としては、重水素ラン
プ、窒素レーザ、エキシマレーザなどがあげられる。照
射方法としては、連続光あるいはパルス光のいずれでも
良く、また照射紫外線のエネルギー密度を0.1〜10J/cm2
程度に高める目的で、レンズで集光する手段も用いられ
る。照射面積が大きく、紫外線光が広い範囲にわたって
照射不可能な場合は、ダイヤモンド１０１を並進移動さ
せる、あるいは紫外線光１０４をスキャンさせるなどの
方法が用いられる。中でも、一般的に用いられる光源と
しては、照射紫外線の波長や照射パワーの兼ね合いか
ら、エキシマレーザ（波長：308nmや179nmなど）を採用
することが多い。上記のいずれかの手段で紫外線光を照
射した結果、処理されたダイヤモンド１０５では非ダイ
ヤモンド成分１０２および格子欠陥１０３が除去される
と共に、格子構造も回復する。
【００２０】また、この手順で紫外線照射を行なうとき
の雰囲気としては、真空中や酸素あるいは水素を含む雰
囲気中で行なわれる。真空で行なう時の圧力としては、
10-5Torr以下にすることが好ましい。また、酸素あるい
は水素を含む雰囲気で行なう時の圧力は10-4〜1Torr程
度が好ましい。
の雰囲気としては、真空中や酸素あるいは水素を含む雰
囲気中で行なわれる。真空で行なう時の圧力としては、
10-5Torr以下にすることが好ましい。また、酸素あるい
は水素を含む雰囲気で行なう時の圧力は10-4〜1Torr程
度が好ましい。
【００２１】以下にさらに具体的な実施例を述べる。
【００２２】（実施例１）ダイヤモンド１０１として、
マイクロ波プラズマＣＶＤ法でシリコン基板上に厚さ2
μｍ堆積したダイヤモンド薄膜を使用し、図１に示した
手順によって紫外線照射を行なった。まず、真空ポンプ
によってダイヤモンド薄膜を設置した容器を充分に真空
排気し、圧力が1×10-6Torr以下になるようにした。こ
の試料の状態は多結晶状であり、ラマン分光測定の結
果、非晶質カーボン成分の存在を示すシグナルが得られ
た。この試料に紫外線１０４として、波長が308nmのエ
キシマレーザ光を用い、パルス状で照射した。照射条件
としては１パルス当り400〜500mJのエネルギーで、照射
回数は10〜1000回である。そのときの平均照射エネルギ
ー密度は1〜2J/cm2であった。その結果、多結晶ダイヤ
モンドの結晶粒界に存在していたと考えられる非晶質カ
ーボン成分が除去されていることが、ラマン分光法並び
にカソードルミネセンス法などの方法によって確かめら
れた。
マイクロ波プラズマＣＶＤ法でシリコン基板上に厚さ2
μｍ堆積したダイヤモンド薄膜を使用し、図１に示した
手順によって紫外線照射を行なった。まず、真空ポンプ
によってダイヤモンド薄膜を設置した容器を充分に真空
排気し、圧力が1×10-6Torr以下になるようにした。こ
の試料の状態は多結晶状であり、ラマン分光測定の結
果、非晶質カーボン成分の存在を示すシグナルが得られ
た。この試料に紫外線１０４として、波長が308nmのエ
キシマレーザ光を用い、パルス状で照射した。照射条件
としては１パルス当り400〜500mJのエネルギーで、照射
回数は10〜1000回である。そのときの平均照射エネルギ
ー密度は1〜2J/cm2であった。その結果、多結晶ダイヤ
モンドの結晶粒界に存在していたと考えられる非晶質カ
ーボン成分が除去されていることが、ラマン分光法並び
にカソードルミネセンス法などの方法によって確かめら
れた。
【００２３】また、他の紫外線の照射方法として、重水
素ランプ光をレンズで集光して照射した場合においても
同様の結果を得た。
素ランプ光をレンズで集光して照射した場合においても
同様の結果を得た。
【００２４】（実施例２）（実施例１）と同様の方法、
試料で、紫外線照射を酸素を含む雰囲気で行なった。紫
外線照射時の酸素分圧は1×10-4Torr程度とした。波長3
08nmのエキシマレーザ光の照射条件は１パルス当りのエ
ネルギー200〜300mJ、平均照射エネルギー密度0.5〜0.8
J/cm2と、（実施例１）よりも低いエネルギーで行なっ
た。その結果、紫外線の照射エネルギーが低いにも関わ
らず、（実施例１）と同等の効果が得られた。これは、
雰囲気中の酸素原子と非ダイヤモンド成分中の炭素原子
とが紫外線のエネルギを得て反応し、一酸化炭素ガスの
ような形で気化する機構が加味されるため、より効率的
になったものと考えられる。同様に水素を含む雰囲気に
おいても、紫外線照射によって炭化水素が生成するた
め、非ダイヤモンド成分の除去効果が上がることを本発
明者らは確認した。
試料で、紫外線照射を酸素を含む雰囲気で行なった。紫
外線照射時の酸素分圧は1×10-4Torr程度とした。波長3
08nmのエキシマレーザ光の照射条件は１パルス当りのエ
ネルギー200〜300mJ、平均照射エネルギー密度0.5〜0.8
J/cm2と、（実施例１）よりも低いエネルギーで行なっ
た。その結果、紫外線の照射エネルギーが低いにも関わ
らず、（実施例１）と同等の効果が得られた。これは、
雰囲気中の酸素原子と非ダイヤモンド成分中の炭素原子
とが紫外線のエネルギを得て反応し、一酸化炭素ガスの
ような形で気化する機構が加味されるため、より効率的
になったものと考えられる。同様に水素を含む雰囲気に
おいても、紫外線照射によって炭化水素が生成するた
め、非ダイヤモンド成分の除去効果が上がることを本発
明者らは確認した。
【００２５】（実施例３）ダイヤモンドにイオン注入な
どを行なった場合、表面およびイオンの注入領域に格子
欠陥が生成される。また、それに起因してグラファイト
成分が生成される。そこでダイヤモンド１０１として単
結晶ダイヤモンドを用い、ホウ素イオン(B+)を100keVの
エネルギーで5×1014個/cm2イオン注入することによっ
て欠陥を生じさせたものに紫外線の照射を行なった。紫
外線を照射する前の試料の状態をラマン分光法およびカ
ソードルミネセンス法などを用いて調べた結果、前記の
ように注入領域の格子構造が乱れていることが確かめら
れた。そこでこのダイヤモンド１０１を真空槽に設置
し、真空ポンプによって圧力が1×10-6Torr以下になる
ように充分に真空排気した。そして、紫外線１０４とし
て波長308nmのエキシマレーザ光をパルス状に照射し
た。照射条件としては（実施例１）と同様に、１パルス
のエネルギー：400〜500mJ、照射回数：10〜1000回、平
均照射エネルギー密度：1〜2J/cm2で行なった。その結
果、イオン注入によって生成された格子欠陥１０２は除
去されると共に、グラファイトなどの非ダイヤモンド成
分の生成は起っていないことが確かめられた。
どを行なった場合、表面およびイオンの注入領域に格子
欠陥が生成される。また、それに起因してグラファイト
成分が生成される。そこでダイヤモンド１０１として単
結晶ダイヤモンドを用い、ホウ素イオン(B+)を100keVの
エネルギーで5×1014個/cm2イオン注入することによっ
て欠陥を生じさせたものに紫外線の照射を行なった。紫
外線を照射する前の試料の状態をラマン分光法およびカ
ソードルミネセンス法などを用いて調べた結果、前記の
ように注入領域の格子構造が乱れていることが確かめら
れた。そこでこのダイヤモンド１０１を真空槽に設置
し、真空ポンプによって圧力が1×10-6Torr以下になる
ように充分に真空排気した。そして、紫外線１０４とし
て波長308nmのエキシマレーザ光をパルス状に照射し
た。照射条件としては（実施例１）と同様に、１パルス
のエネルギー：400〜500mJ、照射回数：10〜1000回、平
均照射エネルギー密度：1〜2J/cm2で行なった。その結
果、イオン注入によって生成された格子欠陥１０２は除
去されると共に、グラファイトなどの非ダイヤモンド成
分の生成は起っていないことが確かめられた。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、ダイヤモンド中に存在する格子欠陥や非ダイ
ヤモンド成分を容易に除去することが出来るという長所
を有する。このことはダイヤモンドを用いた様々な用途
において、その優れた特性を損なうことなく応用出来る
可能性を開いたことになる。
本発明は、ダイヤモンド中に存在する格子欠陥や非ダイ
ヤモンド成分を容易に除去することが出来るという長所
を有する。このことはダイヤモンドを用いた様々な用途
において、その優れた特性を損なうことなく応用出来る
可能性を開いたことになる。
【００２７】また、照射紫外線のエネルギー密度が、0.
1〜10J/cm2である場合は、効率よく欠陥を除去すること
が出来る。
1〜10J/cm2である場合は、効率よく欠陥を除去すること
が出来る。
【００２８】また、照射紫外線源としてエキシマレーザ
を用いる場合は、容易に高エネルギー密度の紫外線を照
射することが可能となり、効率良く処理することが出来
る。
を用いる場合は、容易に高エネルギー密度の紫外線を照
射することが可能となり、効率良く処理することが出来
る。
【００２９】また、紫外線を照射する際の雰囲気とし
て、少なくとも水素を含む雰囲気あるいは少なくとも酸
素を含む雰囲気を用いる場合は、グラファイトや非晶質
カーボン成分の除去が容易になる。
て、少なくとも水素を含む雰囲気あるいは少なくとも酸
素を含む雰囲気を用いる場合は、グラファイトや非晶質
カーボン成分の除去が容易になる。
【図１】本発明にかかるダイヤモンドの欠陥除去方法に
おける紫外線照射手順を示す工程図である。
おける紫外線照射手順を示す工程図である。
１０１ ダイヤモンド １０２ 非ダイヤモンド成分 １０３ 格子欠陥 １０４ 紫外線 １０５ 処理されたダイヤモンド
Claims (5)
- 【請求項１】 ダイヤモンドあるいは基板素材上のダイ
ヤモンド薄膜に、紫外線を照射することを特徴とするダ
イヤモンドの欠陥除去方法。 - 【請求項２】 照射紫外線のエネルギー密度が、0.1〜1
0J/cm2であることを特徴とする請求項１記載のダイヤモ
ンドの欠陥除去方法。 - 【請求項３】 照射紫外線がエキシマレーザ光であるこ
とを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドの欠陥除去
方法。 - 【請求項４】 紫外線を照射する雰囲気が、少なくとも
水素を含む雰囲気であることを特徴とする請求項１記載
のダイヤモンドの欠陥除去方法。 - 【請求項５】 紫外線を照射する雰囲気が、少なくとも
酸素を含む雰囲気であることを特徴とする請求項１記載
のダイヤモンドの欠陥除去方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198591A JPH0648716A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ダイヤモンドの欠陥除去方法 |
| US08/517,460 US6083354A (en) | 1992-07-24 | 1995-08-21 | Treatment method for diamonds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198591A JPH0648716A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ダイヤモンドの欠陥除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648716A true JPH0648716A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=16393739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198591A Pending JPH0648716A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | ダイヤモンドの欠陥除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648716A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006057134A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水素化炭素膜の改質方法 |
| JP2009084072A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Ulvac Japan Ltd | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
| JP2011178616A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Tatsuhiko Aizawa | 炭素系物質除去方法及び該除去方法を備えた部品等の製造方法・リサイクル方法 |
| JP2015034102A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 学校法人中部大学 | グラフェン膜の製造方法 |
| US20220017372A1 (en) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | John RYDER | Apparatus and method for decolorizing diamonds |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4198591A patent/JPH0648716A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006057134A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水素化炭素膜の改質方法 |
| JP2009084072A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Ulvac Japan Ltd | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
| JP2011178616A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Tatsuhiko Aizawa | 炭素系物質除去方法及び該除去方法を備えた部品等の製造方法・リサイクル方法 |
| JP2015034102A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 学校法人中部大学 | グラフェン膜の製造方法 |
| US20220017372A1 (en) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | John RYDER | Apparatus and method for decolorizing diamonds |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4624736A (en) | Laser/plasma chemical processing of substrates | |
| Bayliss et al. | The compositional and structural changes that accompany the thermal annealing of (100) surfaces of GaAs, InP and GaP in vacuum | |
| Hanabusa | Photoinduced deposition of thin films | |
| US5620512A (en) | Diamond film growth from fullerene precursors | |
| Clark et al. | The 1.681 eV centre in polycrystalline diamond | |
| JPH0648716A (ja) | ダイヤモンドの欠陥除去方法 | |
| JPH0496226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63224233A (ja) | 表面処理方法 | |
| US6083354A (en) | Treatment method for diamonds | |
| US5817559A (en) | Production method for a semiconductor device | |
| JPH03116727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06321690A (ja) | 半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法 | |
| JPH05213695A (ja) | ダイヤモンド薄膜の堆積方法 | |
| JP2679011B2 (ja) | 不純物原子の導入方法 | |
| JPH0517291A (ja) | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法 | |
| JP3095190B2 (ja) | 材料の結晶欠陥除去方法 | |
| JP3207531B2 (ja) | 高品位ダイヤモンドの形成方法 | |
| JPH07263424A (ja) | デジタルエッチング方法及び装置 | |
| JPS59163831A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPS6390138A (ja) | 半導体表面の清浄化方法 | |
| JPH0789793A (ja) | 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法 | |
| JPH1012580A (ja) | シリコン基板表面の清浄化方法及びその装置 | |
| JPH0228323A (ja) | ＳｉＯ↓２膜のエッチング方法 | |
| JPH0648893A (ja) | ダイヤモンドの表面処理方法 | |
| JPH04214626A (ja) | シリコン基板の酸化膜の除去方法 |