JP2009084072A - グラファイトナノファイバーの製造方法 - Google Patents
グラファイトナノファイバーの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009084072A JP2009084072A JP2007252172A JP2007252172A JP2009084072A JP 2009084072 A JP2009084072 A JP 2009084072A JP 2007252172 A JP2007252172 A JP 2007252172A JP 2007252172 A JP2007252172 A JP 2007252172A JP 2009084072 A JP2009084072 A JP 2009084072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite nanofiber
- graphite
- gas
- nanofiber
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
【課題】カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく電子放出特性を向上させることができるグラファイトナノファイバーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程（Ｐ１）と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程（Ｐ２）と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｐ３）とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。成長用触媒としては、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を用いることができる。
【選択図】 図３
【解決手段】本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程（Ｐ１）と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程（Ｐ２）と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｐ３）とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。成長用触媒としては、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を用いることができる。
【選択図】 図３
Description
本発明は、グラファイトナノファイバーの製造方法に関し、特にグラファイトナノファイバーの電子放出特性を向上させる技術に関する。
現在、固体中の電子を空間に取り出すための電子源として、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）やグラファイトナノファイバー（ＧＮＦ）といった所謂カーボンナノ材料が広く用いられている（例えば、特許文献１、２参照）。
これらのカーボンナノ材料は優れた電子放出特性を持っており、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）のような次世代ディスプレイには欠かせない材料となっている。
ところで、これらのカーボンナノ材料は、成長後においてアモルファスカーボンに覆われていることが多く、このことが電子放出特性の劣化の要因となっている。
従来、カーボンナノ材料を覆うアモルファスカーボンを除去する手段としては、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水等の酸素を含むガス、即ち酸化ガスによって処理を行う方法が知られている。
従来、カーボンナノ材料を覆うアモルファスカーボンを除去する手段としては、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水等の酸素を含むガス、即ち酸化ガスによって処理を行う方法が知られている。
しかし、アモルファスカーボンを除去するため酸化ガスを用いると、カーボンナノ材料自身が酸素と反応して燃えてしまい、電子放出特性が劣化するという問題も生じている。
特開平１１−１９４１３４号公報
特開２０００−３６２４３号公報
本発明は上記従来技術の課題を考慮してなされたもので、カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく電子放出特性を向上させることができるグラファイトナノファイバーの製造方法を提供することを目的とする。
一般に、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、チューブ先端に欠陥を持つことから先端からの電子放出に優れていることが知られている。
これに対し、グラファイトナノファイバーはファイバー側壁に欠陥を多く持っており、ファイバー側面からの電子放出特性に優れている。
これに対し、グラファイトナノファイバーはファイバー側壁に欠陥を多く持っており、ファイバー側面からの電子放出特性に優れている。
グラファイトナノファイバーのＳＥＭ像を図１に、カーボンナノチューブのＳＥＭ像を図２に示す。
図１から、グラファイトナノファイバーが側壁に欠陥を多く持つことが確認できる。
しかし、上述したように、ファイバー成長後、ファイバー側面がアモルファスカーボンで覆われてしまうと、電子放出特性を大幅に劣化させる原因となる。
図１から、グラファイトナノファイバーが側壁に欠陥を多く持つことが確認できる。
しかし、上述したように、ファイバー成長後、ファイバー側面がアモルファスカーボンで覆われてしまうと、電子放出特性を大幅に劣化させる原因となる。
これに対し、酸素を含むガスでアモルファスカーボンを除去しようとすると、電子源であるカーボンナノ材料自身が燃えてしまうという現象が生じ、電子源の特性を向上させることが困難である。そのため、酸素含有ガスで処理したカーボンナノ材料を、例えばＦＥＤ用電子源として使用する場合、満足できる電子放出性能を得ることができない。
このような事情に鑑みてなされた本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。
本発明では、成長用触媒として、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を好適に用いることができる。
本発明では、成長用触媒として、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を好適に用いることができる。
このような本発明にあっては、成長させたグラファイトナノファイバーを、水素を含有するガスを用いて加熱処理を行うようにしたことから、ファイバー側面を覆っているアモルファスカーボンが除去され、その結果、電子放出特性を向上させることができる。
本発明の場合、加熱処理の際に酸化ガスを用いていないので、カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく、アモルファスカーボンを除去することができる。
本発明によれば、カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく電子放出特性向上させたグラファイトナノファイバーを提供することができる。
このような本発明によるグラファイトナノファイバーによれば、ＦＥＤのような次世代フラットパネルディスプレイ等の電子放出エミッタを製造する際に、有用な電子源として利用できるという効果を奏する。
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図３は、本発明に係るグラファイトナノファイバーの製造方法の一例を示す流れ図である。
図３に示すように、本例では、まず、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を例えば基板上に成膜する（第１のプロセスＰ１）。
図３は、本発明に係るグラファイトナノファイバーの製造方法の一例を示す流れ図である。
図３に示すように、本例では、まず、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を例えば基板上に成膜する（第１のプロセスＰ１）。
本発明の場合、成長用触媒としては、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金（例えばインバー合金）を用いることができる。
これらの材料うち、Ｉ−Ｖ特性を向上させる観点からは、インバー合金を用いるとより効果的である。
これらの材料うち、Ｉ−Ｖ特性を向上させる観点からは、インバー合金を用いるとより効果的である。
本発明の場合、成長用触媒の成膜方法は、特に限定されず、例えば、スパッタリング法やＥＢ蒸着法を用いることができる。
このような成長用触媒を成膜した後、グラファイトナノファイバーを作成するためカーボンナノ材料を成長させる（第２のプロセスＰ１）。
カーボンナノ材料の成長は、所定の原料ガスを供給しながら加熱プロセスにより行う。
このような成長用触媒を成膜した後、グラファイトナノファイバーを作成するためカーボンナノ材料を成長させる（第２のプロセスＰ１）。
カーボンナノ材料の成長は、所定の原料ガスを供給しながら加熱プロセスにより行う。
本発明の場合、グラファイトナノファイバーを作成するための原料ガスは、特に限定されず、公知の原料を使用することができる。
このような原料ガスとしては、例えば、Ｈ2とＣＯ（例えば、分圧１：１の割合）との組み合わせや、Ｈ2とＣＨ4やＣ2Ｈ2等の飽和若しくは不飽和の炭化水素又はアルコール類等との組み合わせ等を挙げることができる。
このような原料ガスとしては、例えば、Ｈ2とＣＯ（例えば、分圧１：１の割合）との組み合わせや、Ｈ2とＣＨ4やＣ2Ｈ2等の飽和若しくは不飽和の炭化水素又はアルコール類等との組み合わせ等を挙げることができる。
この場合、炭化水素は、Ｎ2やＡｒやＨｅ等の不活性ガスで希釈されたものであってもよい。
これらの材料うち、ＧＮＦ成長のしやすさの観点からは、Ｈ2とＣＯの混合ガスを用いるとより効果的である。
これらの材料うち、ＧＮＦ成長のしやすさの観点からは、Ｈ2とＣＯの混合ガスを用いるとより効果的である。
また、成長プロセスの条件も、特に制限されず、公知の方法を用いる通常のプロセス条件でよい。例えば、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマ法、又はレーザーアブレーション法等を用いて、公知のプロセス条件でカーボンナノ材料の成長を行うことができる。
これらの方法うち、簡易成長プロセスの観点からは、熱ＣＶＤ法を用いるとより効果的である。
さらに、カーボンナノ材料成長後、Ｈ2ガス中で加熱処理を行う（第３のプロセスＰ１）。
本発明の場合、特に限定されることはないが、ガラス基板の耐熱温度の観点からは、加熱温度を４００〜６００℃とすることが好ましい。
また、特に限定されることはないが、ＧＮＦ表面アモルファス除去の観点からは、加熱時間を５〜２０分とすることが好ましい。
また、特に限定されることはないが、ＧＮＦ表面アモルファス除去の観点からは、加熱時間を５〜２０分とすることが好ましい。
さらに、特に限定されることはないが、加圧によるダメージ低減の観点からは、加熱処理中の圧力を１〜１×１０5Ｐａとすることが好ましい。
このような加熱処理により、グラファイトナノファイバーを覆っているアモルファスカーボンを除去することができ、これを電子源に用いることでＦＥＤのような次世代フラットパネルディスプレイにとって不可欠な電子源特性を向上させることが可能になる。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳細に説明する。
＜比較例１＞
成長用触媒として鉄（Ｆｅ）を用い、スパッタリングにより膜厚１０ｎｍの膜を２０ｍｍ×２０ｍｍのガラス基板上に成膜した。
そして、原料ガスとしてＨ2ガスとＣＯガスの混合ガスを用い（Ｈ2：ＣＯ＝１：１）、大気圧下、温度５２５℃の条件で熱ＣＶＤ法によりＧＮＦ成長を行った。
成長したＧＮＦに対し、二極測定法によりＩ−Ｖ特性評価を行った。
この場合、アノードと電子源間距離は０．５ｍｍとし、印加電圧は３．５ｋＶまでとした。
成長用触媒として鉄（Ｆｅ）を用い、スパッタリングにより膜厚１０ｎｍの膜を２０ｍｍ×２０ｍｍのガラス基板上に成膜した。
そして、原料ガスとしてＨ2ガスとＣＯガスの混合ガスを用い（Ｈ2：ＣＯ＝１：１）、大気圧下、温度５２５℃の条件で熱ＣＶＤ法によりＧＮＦ成長を行った。
成長したＧＮＦに対し、二極測定法によりＩ−Ｖ特性評価を行った。
この場合、アノードと電子源間距離は０．５ｍｍとし、印加電圧は３．５ｋＶまでとした。
＜実施例１＞
比較例１によって作成したＧＮＦを用い、Ｈ2ガス中において、温度５２５℃、時間１０分間の条件で加熱処理を行った。
加熱処理後のＧＮＦに対し、比較例１と同様の手法でＩ−Ｖ特性評価を行った。
比較例１によって作成したＧＮＦを用い、Ｈ2ガス中において、温度５２５℃、時間１０分間の条件で加熱処理を行った。
加熱処理後のＧＮＦに対し、比較例１と同様の手法でＩ−Ｖ特性評価を行った。
＜比較例２＞
成長用触媒としてインバー合金を用い、スパッタリングにより膜厚１０ｎｍの膜を２０ｍｍ×２０ｍｍのガラス基板上に成膜した。
そして、原料ガスとしてＨ2ガスとＣＯガスの混合ガスを用い（Ｈ2：ＣＯ＝１：１）を用い、大気圧下において、温度５２５℃の条件で熱ＣＶＤ法によりＧＮＦ成長を行った。
成長したＧＮＦに対し、二極測定によりＩ−Ｖ特性評価を行った。
この場合、アノード−電子源間距離は０．５ｍｍとし、印加電圧は３．５ｋＶまでとした。
成長用触媒としてインバー合金を用い、スパッタリングにより膜厚１０ｎｍの膜を２０ｍｍ×２０ｍｍのガラス基板上に成膜した。
そして、原料ガスとしてＨ2ガスとＣＯガスの混合ガスを用い（Ｈ2：ＣＯ＝１：１）を用い、大気圧下において、温度５２５℃の条件で熱ＣＶＤ法によりＧＮＦ成長を行った。
成長したＧＮＦに対し、二極測定によりＩ−Ｖ特性評価を行った。
この場合、アノード−電子源間距離は０．５ｍｍとし、印加電圧は３．５ｋＶまでとした。
＜実施例２＞
比較例２によって作成したＧＮＦを用い、Ｈ2ガス中において、温度５２５℃、１０分間の条件で加熱処理を行なった。
加熱処理後のＧＮＦに対し、比較例１と同様の手法でＩ−Ｖ特性評価を行った。
比較例２によって作成したＧＮＦを用い、Ｈ2ガス中において、温度５２５℃、１０分間の条件で加熱処理を行なった。
加熱処理後のＧＮＦに対し、比較例１と同様の手法でＩ−Ｖ特性評価を行った。
＜比較例３＞
比較例１によって作成したＧＮＦを用い、Ｏ2ガス中において、温度４００℃、１０分間の条件で加熱処理を行った。
処理後の試料に対し、ＳＥＭ観察を行なったところ、ＧＮＦは消失していた。
比較例１によって作成したＧＮＦを用い、Ｏ2ガス中において、温度４００℃、１０分間の条件で加熱処理を行った。
処理後の試料に対し、ＳＥＭ観察を行なったところ、ＧＮＦは消失していた。
実施例１、２及び比較例１、２で作成したＧＮＦのＩ−Ｖ特性評価結果を図４に示す。
図４に示される結果から明らかなように、水素ガスによる加熱処理を行った実施例１、２は、水素ガスによる加熱処理を行なわない比較例１、２と比較してＩ−Ｖ特性が向上していることが確認できる。
図４に示される結果から明らかなように、水素ガスによる加熱処理を行った実施例１、２は、水素ガスによる加熱処理を行なわない比較例１、２と比較してＩ−Ｖ特性が向上していることが確認できる。
また、成膜用触媒に鉄を用いた実施例１と比較して、インバー合金を用いた実施例２においては、Ｉ−Ｖ特性が向上している。
これらの結果から、本発明によれば、ＧＮＦの周りを覆っていたアモルファスカーボンが除去されたことにより電子放出特性が向上したことが確認できた。
Ｐ１…第１のプロセス Ｐ２…第２のプロセス Ｐ３…第３のプロセス
Claims (2)
- グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程と、
原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程と、
成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法。 - 前記成長用触媒は、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金である請求項１記載のグラファイトナノファイバーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007252172A JP5124221B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007252172A JP5124221B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009084072A true JP2009084072A (ja) | 2009-04-23 |
| JP2009084072A5 JP2009084072A5 (ja) | 2010-05-13 |
| JP5124221B2 JP5124221B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=40657982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007252172A Active JP5124221B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5124221B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5549984B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-07-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高比表面積のカーボンナノチューブ集合体の製造方法 |
| JP5549983B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-07-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高比表面積のカーボンナノチューブ集合体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648716A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンドの欠陥除去方法 |
| JP2001031410A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-02-06 | Cheol Jin Lee | 拡散炉における熱処理を用いたカーボンナノチューブの精製方法 |
| JP2006335583A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Ulvac Japan Ltd | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
-
2007
- 2007-09-27 JP JP2007252172A patent/JP5124221B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648716A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンドの欠陥除去方法 |
| JP2001031410A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-02-06 | Cheol Jin Lee | 拡散炉における熱処理を用いたカーボンナノチューブの精製方法 |
| JP2006335583A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Ulvac Japan Ltd | グラファイトナノファイバーの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5549984B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-07-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高比表面積のカーボンナノチューブ集合体の製造方法 |
| JP5549983B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-07-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高比表面積のカーボンナノチューブ集合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5124221B2 (ja) | 2013-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20100227058A1 (en) | Method for fabricating carbon nanotube array | |
| EP1810950B1 (en) | Carbon nanotube aggregate and process for producing the same | |
| JP4873413B2 (ja) | 多層カーボンナノチューブの集合構造 | |
| US20090121219A1 (en) | Carbon nanotubes, method of growing the same, hybrid structure and method of growing the hybrid structure, and light emitting device | |
| JP2007161572A (ja) | カーボンナノチューブの形成方法およびこれを利用した電界放出素子の製造方法 | |
| Wang et al. | Nucleation and growth of well-aligned, uniform-sized carbon nanotubes by microwave plasma chemical vapor depositon | |
| JP2007123280A (ja) | ＺｎＯの突起物を有するカーボンナノチューブ | |
| Gautier et al. | Field emission properties of graphenated multi-wall carbon nanotubes grown by plasma enhanced chemical vapour deposition | |
| JPWO2007116434A1 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| Weng et al. | Structural transformation and field emission enhancement of carbon nanofibers by energetic argon plasma post-treatment | |
| JP5732636B2 (ja) | 配向カーボンナノチューブの製造方法 | |
| US20110064645A1 (en) | Carbon nanotube and method for producing the same | |
| JP2007182374A (ja) | 単層カーボンナノチューブの製造方法 | |
| Liu et al. | Synthesis and field emission properties of aluminum nitride nanocones | |
| Liu et al. | The controlled growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotube arrays by a gas flow process | |
| JP5124221B2 (ja) | グラファイトナノファイバーの製造方法 | |
| US20130302592A1 (en) | Method for growth of carbon nanoflakes and carbon nanoflake structure | |
| JP5653822B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP2007319761A (ja) | 炭素系ナノ材料生成用触媒組成物、炭素系ナノ材料デバイス、電子放出素子用カソード基板及びその作製方法、並びに電子放出素子デバイス及びその作製方法 | |
| Kim et al. | Position-controlled AlN/ZnO coaxial nanotube heterostructure arrays for electron emitter applications | |
| JP2007091484A (ja) | カーボンファイバの製造方法および基板ユニット | |
| Donnet et al. | Mechanism growth of multiwalled carbon nanotubes on carbon black | |
| Show et al. | Development of triode type RF plasma enhanced CVD equipment for low temperature growth of carbon nanotube | |
| JP4988234B2 (ja) | シングルウォールカーボンナノチューブの成長方法 | |
| JP2009173493A (ja) | カーボンファイバ製造方法およびカーボンファイバ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100325 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100325 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120330 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5124221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |