JPWO2007116434A1 - カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
: CNT)を用いた電子素子の研究が盛んに行われている。カーボンナノチューブは,炭素原子の六角形の網目構造のグラフェンシートを円筒状に丸めた構造を基本とする。カーボンナノチューブは,微細化されて単層カーボンナノチューブ(シングルウオールナノチューブ(Single-Walled
Carbon Nanotube:SWNT))や2層カーボンナノチューブ(ダブルウオールナノチューブ(Double-Walled Carbon Nanotube:DWNT))になると,その直径やカイラリティの違いから金属的電気特性または半導体的電気特性を有し,それぞれの電気特性を有するカーボンナノチューブは,電子デバイスへの適用が期待できる。未だに基礎的な研究段階ではあるが,カーボンナノチューブの電子デバイスへの適用例が種々報告されている。
所定温度の熱処理を行って,当該触媒金属層を孤立した複数の微粒子にする第3の工程と,前記複数の微粒子を担持する基板を炭素含有ガス雰囲気中に置いて,当該炭素含有ガスを利用したCVD法により,前記触媒金属の微粒子上に前記カーボンナノチューブを成長させる第4の工程とを有する。
14:自然酸化膜 16:触媒層
16P:触媒微粒子 CNT:カーボンナノチューブ
図1は,本実施の形態におけるカーボンナノチューブの製造工程を示す断面図である。図1の工程(a)にて,シリコン基板10の表面に5〜200nm,望ましくは約5nm,のアルミニウム層12をスパッタリング法または蒸着法により生成する。そして,アルミニウム層12が形成された基板を成長チャンバーから取り出して室温雰囲気中にさらすことで,図1の工程(b)に示されるように表面にアルミニウムの自然酸化膜14が形成される。自然酸化膜の形成は室温雰囲気にさらすことに限定されるわけではなく、チャンバー内への酸素の導入やチャンバー内で低圧化で一定時間維持するなどの方法も有効である。
図4は,本実施の形態において成長したカーボンナノチューブのSEM像を示す図である。このサンプルは,シリコン基板上に膜厚5nmのアルミニウム層と,その上に膜厚0.4nmの鉄の層を形成し,590℃で熱処理し,水素,アセチレン,アルゴンの成長ガスによるCVD法でカーボンナノチューブを成長している。3つのサンプル(a)(b)(c)はCVD法の成長ガスのガス分圧が次の通り異なっている。
サンプル(a):ガス分圧は,H2:C2H2/Ar=1995:5
サンプル(b):ガス分圧は,H2:C2H2/Ar=1950:50
サンプル(c):ガス分圧は,H2:C2H2/Ar=1800:200
いずれもC2H2:Arの比は1:9である。
上記の実施の形態では,シリコン基板上にアルミニウム層を形成し,その表面に形成される自然酸化膜の凹凸を触媒金属の微細化に利用した。しかし,アルミニウム層の自然酸化膜に限定されず,触媒金属との表面張力などの相性によって,様々な物質の表面の凹凸を利用することができる。
本実施の形態における触媒金属の微粒子化技術を利用することで,基板上に所望の直径で所望の層数のカーボンナノチューブを再現性よく成長することができる。そこで,以下に電子デバイスに利用可能なカーボンナノチューブの製造工程について説明する。
Application of Nanotubes” p. 63 (2005)に記載されている。
Claims (15)
- 所望形状のカーボンナノチューブの製造方法において,
基板表面に微細な凹凸を形成する第1の工程と,
前記凹凸を有する表面上に所定の膜厚の触媒金属層を形成する第2の工程と,
所定温度の熱処理を行って,当該触媒金属層を孤立した複数の微粒子にする第3の工程と,前記複数の微粒子を担持する基板を炭素含有ガス雰囲気中に置いて,当該炭素含有ガスを利用したCVD法により,前記触媒金属の微粒子上に前記カーボンナノチューブを成長させる第4の工程とを有するカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1において,
前記第1の工程で,前記基板上にアルミニウム層を形成し,当該アルミニウム層の表面に自然酸化膜を形成して前記微細な凹凸を形成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項2において,
前記第2の工程の触媒金属層が,少なくとも鉄,コバルト,ニッケルを含む遷移金属であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項2において,
前記第2の工程の触媒金属の所定の膜厚を,0.1〜0.6nmにし,前記第3の工程の熱処理の所定の温度が少なくとも590℃を含む450〜650℃であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1において,
前記第1の工程には,シリコン基板を前記基板として準備する工程を有し,当該シリコン基板の表面に前記微細な凹凸が形成され,
前記第2の工程の触媒金属層が,ニッケルであることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1において,
前記第2の工程で前記触媒金属層の膜厚を第1の膜厚に制御して,前記第3の工程で生成される微粒子を第1の径に制御し,または,前記第2の工程で前記触媒金属層の膜厚を第1の膜厚より厚い第2の膜厚に制御して,前記第3の工程で生成される微粒子を第1の径より大きい第2の径に制御することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1において,
前記第4の工程における炭素含有ガスは,少なくともメタン,アセチレン,ブタンを含む炭化水素,アルコール,一酸化炭素,二酸化炭素のいずれかの第1のガスと,水素ガスとを含み,
当該第1のガスの量を第1の量に制御して単層のカーボンナノチューブを生成し,または,当該第1のガスの量を前記第1の量より多い第2の量に制御して2層のカーボンナノチューブを生成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 所望形状のカーボンナノチューブの製造方法において,
基板表面にアルミニウム層を形成し,当該アルミニウム層の表面に自然酸化膜を形成してその表面に微細な凹凸を形成する第1の工程と,
前記凹凸を有する自然酸化膜表面上に0.1〜0.6nmの膜厚の触媒金属層を形成する第2の工程と,
所定温度の熱処理を行って,当該触媒金属層を孤立した複数の微粒子にする第3の工程と,
前記複数の微粒子を担持する基板を炭素含有ガス雰囲気中に置いて,当該炭素含有ガスを利用したCVD法により,前記触媒金属の微粒子上に前記カーボンナノチューブを成長させる第4の工程とを有するカーボンナノチューブの製造方法。 - 所望形状のカーボンナノチューブの製造方法において,
基板表面に微細な凹凸を形成する第1の工程と,
前記凹凸を有する表面上に所定の膜厚の触媒金属層を形成する第2の工程と,
前記第1の工程後に前記基板表面上に,または前記第2の工程後に前記触媒金属層上に,所定の幅を有し且つ一方向に延びる溝であって,前記基板表面または触媒金属層を露出する溝を有する絶縁層を形成する第3の工程と,
所定温度の熱処理を行って,当該触媒金属層を孤立した複数の微粒子にする第4の工程と,
前記複数の微粒子を担持する基板を炭素含有ガス雰囲気中に置いて,当該炭素含有ガスを利用したCVD法により,前記溝内から前記絶縁層の表面に沿って前記触媒金属の微粒子上に前記カーボンナノチューブを成長させる第5の工程とを有するカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項9において,
前記第1の工程で,前記基板上にアルミニウム層を形成し,当該アルミニウム層の表面に自然酸化膜を形成して前記微細な凹凸を形成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項10において,
前記第2の工程の触媒金属層が,少なくとも鉄,コバルト,ニッケルを含む遷移金属であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項10において,
前記第2の工程の触媒金属の所定の膜厚を,0.1〜0.6nmにし,前記第3の工程の熱処理の所定の温度が少なくとも590℃を含む400〜650℃であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項9において,
前記第1の工程には,シリコン基板を前記基板として準備する工程を有し,当該シリコン基板の表面に前記微細な凹凸が形成され,
前記第2の工程の触媒金属層が,ニッケルであることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項9において,
前記第2の工程で前記触媒金属層の膜厚を第1の膜厚に制御して,前記第4の工程で生成される微粒子を第1の径に制御し,または,前記第2の工程で前記触媒金属層の膜厚を第1の膜厚より厚い第2の膜厚に制御して,前記第4の工程で生成される微粒子を第1の径より大きい第2の径に制御することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項9において,
前記第5の工程における炭素含有ガスは,少なくともメタン,アセチレン,ブタンを含む炭化水素,アルコール,一酸化炭素,二酸化炭素のいずれかの第1のガスと,水素ガスとを含み,当該第1のガスの量を第1の量に制御して単層のカーボンナノチューブを生成し,または,当該第1のガスの量を前記第1の量より多い第2の量に制御して2層のカーボンナノチューブを生成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
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WO2004083113A1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Cheol-Jin Lee | Massive synthesis method of double-walled carbon nanotubes using the vapor phase growth |
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US7052618B2 (en) | 2004-01-28 | 2006-05-30 | Agilent Technologies, Inc. | Nanostructures and methods of making the same |
JP2005272271A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | カーボンナノチューブの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4481853B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-06-16 | 富士通株式会社 | カーボンナノチューブデバイスの製造方法 |
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