JP2005059167A - 微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板11に、触媒配置のための核として溝12を形成する。次に、基板11に、触媒物質14、例えば鉄(Fe)を付着させる。続いて、基板11に熱処理を行うことにより触媒物質14を溶融させて溝12に凝集させる。溝12により触媒物質14を確実に所望の位置に配置することができる。そののち、溝12にカーボンナノチューブを成長させる。
【選択図】 図6
Description
《構造体の製造方法》
まず、図1ないし図8を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る微細構造体の製造方法について説明する。本実施の形態の方法は、微細構造体として例えば一方向に配向された複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を形成するものであり、基板に触媒配置のための核を形成する「核形成工程」と、基板に触媒機能を有する物質を付着させる「付着工程」と、基板に熱処理を行うことにより触媒機能を有する物質を溶融させて核に凝集させる「凝集工程」と、触媒機能を有する物質を用いて核に成長部、例えばカーボンナノチューブを形成する「成長工程」とを含むものである。得られたカーボンナノチューブ構造体は、例えばFEDのカソードあるいは記録装置として利用される。
まず、図1に示したように、例えばガラスよりなる基板11を用意する。基板11の材料および厚みは特に限定されない。基板11の表面には、表面膜11Aが形成されていてもよい。基板11あるいは表面膜11Aの材料は、例えば、後述するように原盤13を押圧することにより溝12を形成するため、柔軟性を有するものが好ましく、具体的には酸化物もしくは窒化物、または半導体が好ましい。表面膜11Aを形成する場合、その厚みは、例えば40nmとすることができる。
続いて、図5に示したように、基板11に触媒機能を有する物質(以下、「触媒物質」という)14を付着させる。付着方法は、後の凝集工程において基板11に熱処理を行うことにより触媒物質14を溶融させて溝12に凝集させる程度に触媒物質14を付着させることができる方法であればよく、例えばスパッタリング法,蒸着,塗布あるいはPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ;プラズマCVD)法を用いることができる。
続いて、図6に示したように、基板11に熱処理を行うことにより触媒物質14を溶融させて溝12に凝集させる。これにより、触媒物質14を確実に所望の位置に配置することができる。熱処理は、例えば熱アニール法,レーザ照射,超音波照射,マイクロ波照射あるいはIR(infrared;赤外線)ランプ照射により行うことができる。
触媒物質14を溝12に凝集させたのち、図7に示したように、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition ;化学気相成長)法により、触媒物質14を用いて溝12にカーボンナノチューブ15を成長させる。成長条件としては、例えば、カーボンナノチューブ15の原料となる炭素化合物としてメタン(CH4 )を用い、溝12に凝集した触媒物質14、すなわち鉄(Fe)を触媒として、900℃、15分とすることができる。カーボンナノチューブ15は溝12にのみ成長するので、基板11の上に溝12のパターン通りに複数のカーボンナノチューブ15が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体16が形成される。カーボンナノチューブ15の直径は、原料となる炭素化合物の種類と、成長条件の設定により定めることが可能である。
次に、図8および前述の図2を参照して、原盤13の製造方法を説明する。この製造方法は、素材基板110の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布111を与え、素材基板110の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板110の表面を放熱させることにより、熱分布111に応じた位置に、すなわち、所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」とを含むものである。
まず、図8を参照して溶融工程を説明する。ここで、素材基板110の材料は、原盤13として基板11または表面膜11Aに押圧することにより溝12を形成することができるものであれば特に限定されず、押圧を繰り返すため耐久性に優れたものであればより好ましい。
次に、図2を参照して突起形成工程を説明する。すなわち、溶融工程において素材基板110の表面を溶融させたのち、エネルギービーム112の照射を止めると、素材基板110の表面の温度は徐々に低下して凝固するが、このとき、溶融工程において照射されたエネルギービーム112のエネルギー量が一定値を超えている場合には、高温領域111Hに対応する位置に、素材基板110の表面から隆起した突起13Aが形成され、表面に突起13Aを有する溝形成用原盤(以下、「原盤」という)13が形成される。
次に、図9ないし図11を参照して、本発明の変形例1について説明する。本変形例は、図9に示したように、基板11に、二次元方向に配列された点状の溝22のパターンを形成するようにしたものである。このような溝22は、図10に示したような二次元方向に配置された突起23Aを有する原盤23を用いて上記実施の形態の核形成工程と同様にして形成することができる。
図12ないし図16は、本変形例の原盤23の製造方法を表している。本変形例の原盤23の製造方法は、溶融工程において、エネルギービームのエネルギー量を、二次元方向すなわちX方向およびY方向に変調させ、素材基板10の表面に対して、X方向熱分布31XおよびY方向熱分布31Yを与えるようにしたものである。
まず、図12を参照して溶融工程を説明する。X方向熱分布131Xは、素材基板110の表面温度がX方向に変調されて、X方向高温領域131XHとX方向低温領域131XLとが周期的に形成されたものである。また、Y方向温度分布131Yは、素材基板110の表面温度がY方向に変調されて、Y方向高温領域131YHとY方向低温領域131YLとが周期的に形成されたものである。
溶融工程において素材基板110の表面を溶融させたのち、エネルギービーム112の照射を止めると、溶融工程において照射されたエネルギービーム112のエネルギー量が一定値を超えている場合には、図10および図15に示したように、高温領域133Hに対応する素材基板110の表面が隆起して、突起23Aが形成される。
続いて、図17を参照して変形例2を説明する。本変形例は、上記実施の形態の原盤13を用いた溝形成方法において、原盤13と基板11との相対的位置をずらして原盤13を基板11に複数回押圧するようにしたものである。
《記録装置の製造方法》
次に、本発明の第2の実施の形態に係る記録装置の製造方法について説明する。本実施の形態の方法は、上記第1の実施の形態と同様にして「核形成工程」、「付着工程」および「凝集工程」を行い、溝12に触媒物質14を凝集させたのち、触媒物質14を用いて核12に筒状成長部すなわち例えばカーボンナノチューブ15を形成する「筒状成長工程」と、カーボンナノチューブ15の先端を所定の平面内に形成すると共に先端を開放端(オープンエンド)とする「高さ均一化工程」と、開放端からカーボンナノチューブ15の少なくとも先端部に磁気材料を挿入する「挿入工程」とを更に含むようにしたものである。
まず、第1の実施の形態で図1ないし図6を参照して説明したのと同様にして、核形成工程、付着工程および凝集工程を行い、溝12に触媒物質14を凝集させる。
次に、第1の実施の形態で図7を参照して説明したのと同様にして、触媒物質14を用いて溝12にカーボンナノチューブ15を成長させる。
続いて、図18を参照して、高さ均一化工程を説明する。まず、図18(A)に示したように、カーボンナノチューブ15の周囲に固定層17を充填し、カーボンナノチューブ15を固定層17により固定する。固定層17の材料としては、例えば、二酸化ケイ素(SiO2 ),窒化ケイ素(SiN),ポリイミド,ポリメチルメタクリレート(Poly Methyl Methacrylate;PMMA),金属酸化膜などの絶縁体材料、あるいはシリコン,ゲルマニウムなどの半導体材料などが用いられる。固定層17の形成方法としては、例えば、PECVD法、PVD(Physical Vapor Deposition )法、SOG(Spin On Glass )などが挙げられる。固定層17の厚さは、特に限定されない。
続いて、図19を参照して挿入工程を説明する。まず、図19(A)に示したように、例えばスピンコート法、蒸着法またはPVD法などにより、固定層17の上に、開放端15Aを塞ぐように例えば鉄などの磁気材料よりなる薄膜18を形成する。このとき、薄膜18は開放端15Aからカーボンナノチューブ15の内部に入り込む。
Claims (16)
- 基板に触媒配置のための核を形成する核形成工程と、
前記基板に触媒機能を有する物質を付着させる付着工程と、
前記基板に熱処理を行うことにより前記触媒機能を有する物質を溶融させて前記核に凝集させる凝集工程と、
前記触媒機能を有する物質を用いて前記核に成長部を形成する成長工程と
を含むことを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 前記核として溝を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造方法。 - 前記溝を、表面に突起を有する原盤を前記基板に押圧することにより形成する
ことを特徴とする請求項2記載の微細構造体の製造方法。 - 前記触媒機能を有する物質を、前記凝集工程において前記触媒機能を有する物質を溶融させて前記核に凝集させることができる程度の厚みで付着させる
ことを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造方法。 - 前記触媒機能を有する物質を、その濡れ性を利用して前記核に凝集させる
ことを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造方法。 - 前記成長部として、炭素(C),シリコン(Si),金(Au),酸化亜鉛(Zn)およびカドミウム(Cd)からなる群のうちの少なくとも1種よりなるものを形成する
ことを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造方法。 - 前記成長部として、筒状炭素分子を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造方法。 - 前記成長部として、炭素よりなる壁状構造体を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造方法。 - 溝を有する基板と、
前記溝の深さ方向の少なくとも一部に充填された触媒機能を有する物質と、
前記溝に形成された成長部と
を備えたことを特徴とする微細構造体。 - 前記成長部が、炭素(C),シリコン(Si),金(Au),酸化亜鉛(Zn)およびカドミウム(Cd)からなる群のうちの少なくとも1種により構成されている
ことを特徴とする請求項9記載の微細構造体。 - 前記成長部が、筒状炭素分子である
ことを特徴とする請求項9記載の微細構造体。 - 前記成長部が、炭素よりなる壁状構造体である
ことを特徴とする請求項9記載の微細構造体。 - 基板に触媒配置のための核を形成する核形成工程と、
前記基板に触媒機能を有する物質を付着させる付着工程と、
前記基板に熱処理を行うことにより前記触媒機能を有する物質を溶融させて前記核に凝集させる凝集工程と、
前記触媒機能を有する物質を用いて前記核に筒状成長部を形成する筒状成長工程と、
前記筒状成長部の先端を所定の平面内に形成すると共に前記先端を開放端とする高さ均一化工程と、
前記開放端から前記筒状成長部の少なくとも先端部に磁気材料を挿入する挿入工程と
を含むことを特徴とする記録装置の製造方法。 - 前記高さ均一化工程において、少なくとも前記筒状成長部の周囲に固定層を形成して前記筒状成長部を固定し、前記固定層と共に前記筒状成長部を研磨し、
前記挿入工程において、前記固定層の上に前記開放端を塞ぐように前記磁気材料よりなる薄膜を形成し、前記薄膜を研磨する
ことを特徴とする請求項13記載の記録装置の製造方法。 - 前記研磨を、化学機械研磨により行う
ことを特徴とする請求項14記載の記録装置の製造方法。 - 溝を有する基板と、
前記溝の深さ方向の少なくとも一部に充填された触媒機能を有する物質と、
前記溝に形成された筒状成長部と、
前記筒状成長部の少なくとも先端部に挿入された磁気材料からなる磁性層と
を備えたことを特徴とする記録装置。
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