WO2002063693A1 - Dispositif electronique et source d'electronsavec nanotube de carbone - Google Patents

Dispositif electronique et source d'electronsavec nanotube de carbone Download PDF

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Abstract

L'invention concerne un dispositif électronique et une source d'électrons comprenant un nanotube de carbone multicouche dans lequel des électrodes sont constituées de façon à être connectées électriquement à un grand nombre de feuillets de graphene tubulaire du nanotube de carbone multicouche conçu de façon concentrique ou spiralée. En théorie, les électrodes sont connectées électriquement à tous les feuillets de graphene tubulaires. Afin de réduire la résistance de contact entre l'électrode et les feuillets de graphene tubulaires, on coupe le nanotube de carbone juste avant la fabrication de l'électrode ou on élimine les impuretés situées entre les électrodes et les feuillets de graphene tubulaires et on forme les électrodes à partir d'un métal permettant d'obtenir une liaison chimique solide avec un atome de carbone. La résistance de contact entre le nanotube de carbone multicouche et les électrodes peut être réduite par réduction de la résistance électrique du nanotube de carbone multicouche.
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146821A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Sony Corp メモリ素子およびメモリ装置
WO2004100201A2 (fr) * 2003-05-08 2004-11-18 University Of Surrey Cathode pour une for source electronique
WO2004114428A2 (fr) * 2003-06-25 2004-12-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif electronique, element a effet magnetoresistif; tete magnetique, appareil enregistreur/reproducteur, element de memoire, matrice memoire utilisant l'element a effet magnetoresistif; procede de fabrication de dispositif electronique et procede de fabrication de l'element a effet magnetoresistif
JP2005039228A (ja) * 2003-06-25 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス、磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、記録再生装置、メモリ素子、メモリアレイ、および電子デバイスの製造方法および磁気抵抗効果素子の製造方法
WO2005067059A1 (fr) * 2003-12-26 2005-07-21 Fuji Xerox Co., Ltd. Dispositif de redressement, circuit electronique l'utilisant et procede de production du dispositif de redressement
JP2005229019A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Univ Nagoya カーボンナノチューブに対する電極の形成方法及びそれを用いたカーボンナノチューブｆｅｔ
US6979244B2 (en) * 1997-10-30 2005-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an electronic device containing a carbon nanotube
JP2006507692A (ja) * 2002-09-30 2006-03-02 ナノシス・インコーポレイテッド 大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用
JP2006209973A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Shinshu Univ 電界放出電極およびその製造方法
WO2006085559A1 (fr) * 2005-02-10 2006-08-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Structure de maintien de fine structure, dispositif semi-conducteur, circuit d’entraînement tft, panneau, affichage, capteur et leurs procédés de fabrication
US7253431B2 (en) 2004-03-02 2007-08-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for solution processed doping of carbon nanotube
JPWO2006001162A1 (ja) * 2004-06-25 2008-04-17 松下電器産業株式会社 電気機械フィルタ
JP2009044139A (ja) * 2007-07-13 2009-02-26 Hokkaido Univ カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法
US7755115B2 (en) 2006-03-03 2010-07-13 Fujitsu Limited Field effect transistor using carbon nanotube of two or more walls having the outer walls at the gate and source/drain regions removed
US7764010B2 (en) 2005-10-04 2010-07-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission device, electron emission display apparatus having the same, and method of manufacturing the same
US7790242B1 (en) 2007-10-09 2010-09-07 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Method for electrostatic deposition of graphene on a substrate
JP2010225835A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Toshiba Corp スピントランジスタ及び論理回路装置
CN102034845A (zh) * 2010-10-30 2011-04-27 北京大学 一种基于石墨烯的纳米尺度点光源阵列
CN102082159A (zh) * 2010-10-27 2011-06-01 北京大学 一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法
WO2011083632A1 (fr) * 2010-01-06 2011-07-14 Jsr株式会社 Cellule de mémoire et procédé de fabrication d'une cellule de mémoire
US8000065B2 (en) 2009-01-28 2011-08-16 Tdk Corporation Magnetoresistive element and thin-film magnetic head
US8029760B2 (en) 2006-03-30 2011-10-04 Fujitsu Limited Method of manufacturing carbon nanotube
US8193455B2 (en) 2008-12-30 2012-06-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Graphene electronics fabrication
JP2014078494A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Qinghua Univ 電界放出電子源の製造方法及び電界放出電子源アレイの製造方法
JP2017017335A (ja) * 2009-07-17 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5972735B2 (ja) 2012-09-21 2016-08-17 株式会社東芝 半導体装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252056A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Nec Corp 微細物質の固定ならびに電極形成法
JPH07122198A (ja) * 1993-10-25 1995-05-12 Nec Corp カーボンナノチューブトランジスタ
JPH07172807A (ja) * 1993-12-21 1995-07-11 Nec Corp カーボンナノチューブの加工方法
JP2000031465A (ja) * 1998-06-16 2000-01-28 Lg Semicon Co Ltd トランジスタ
JP2000323767A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Ltd 磁気電子デバイス及び磁気ヘッド
JP2000340098A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Nec Corp 電界放出型冷陰極とその製造方法および平面ディスプレイの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252056A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Nec Corp 微細物質の固定ならびに電極形成法
JPH07122198A (ja) * 1993-10-25 1995-05-12 Nec Corp カーボンナノチューブトランジスタ
JPH07172807A (ja) * 1993-12-21 1995-07-11 Nec Corp カーボンナノチューブの加工方法
JP2000031465A (ja) * 1998-06-16 2000-01-28 Lg Semicon Co Ltd トランジスタ
JP2000323767A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Ltd 磁気電子デバイス及び磁気ヘッド
JP2000340098A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Nec Corp 電界放出型冷陰極とその製造方法および平面ディスプレイの製造方法

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6979244B2 (en) * 1997-10-30 2005-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an electronic device containing a carbon nanotube
US8022610B2 (en) 1997-10-30 2011-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device containing carbon nanotubes
US7453193B2 (en) 1997-10-30 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device containing a carbon nanotube
US7148619B2 (en) 1997-10-30 2006-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device containing a carbon nanotube
JP2006507692A (ja) * 2002-09-30 2006-03-02 ナノシス・インコーポレイテッド 大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用
JP2004146821A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Sony Corp メモリ素子およびメモリ装置
WO2004100201A3 (fr) * 2003-05-08 2005-03-24 Univ Surrey Cathode pour une for source electronique
WO2004100201A2 (fr) * 2003-05-08 2004-11-18 University Of Surrey Cathode pour une for source electronique
WO2004114428A3 (fr) * 2003-06-25 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dispositif electronique, element a effet magnetoresistif; tete magnetique, appareil enregistreur/reproducteur, element de memoire, matrice memoire utilisant l'element a effet magnetoresistif; procede de fabrication de dispositif electronique et procede de fabrication de l'element a effet magnetoresistif
JP2005039228A (ja) * 2003-06-25 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス、磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、記録再生装置、メモリ素子、メモリアレイ、および電子デバイスの製造方法および磁気抵抗効果素子の製造方法
US7450348B2 (en) 2003-06-25 2008-11-11 Panasonic Corporation Electronic device, magnetoresistance effect element; magnetic head, recording/reproducing apparatus, memory element and manufacturing method for electronic device
WO2004114428A2 (fr) * 2003-06-25 2004-12-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif electronique, element a effet magnetoresistif; tete magnetique, appareil enregistreur/reproducteur, element de memoire, matrice memoire utilisant l'element a effet magnetoresistif; procede de fabrication de dispositif electronique et procede de fabrication de l'element a effet magnetoresistif
WO2005067059A1 (fr) * 2003-12-26 2005-07-21 Fuji Xerox Co., Ltd. Dispositif de redressement, circuit electronique l'utilisant et procede de production du dispositif de redressement
JP2005229019A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Univ Nagoya カーボンナノチューブに対する電極の形成方法及びそれを用いたカーボンナノチューブｆｅｔ
US7253431B2 (en) 2004-03-02 2007-08-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for solution processed doping of carbon nanotube
EP1760882A4 (fr) * 2004-06-25 2017-12-20 Panasonic Corporation Filtre électromécanique
JPWO2006001162A1 (ja) * 2004-06-25 2008-04-17 松下電器産業株式会社 電気機械フィルタ
JP4633724B2 (ja) * 2004-06-25 2011-02-16 パナソニック株式会社 電気機械フィルタ
JP2006209973A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Shinshu Univ 電界放出電極およびその製造方法
US7772125B2 (en) 2005-02-10 2010-08-10 Panasonic Corporation Structure in which cylindrical microstructure is maintained in anisotropic groove, method for fabricating the same, and semiconductor device, TFT driving circuit, panel, display and sensor using the structure in which cylindrical microstructure is maintained in anisotropic groove
WO2006085559A1 (fr) * 2005-02-10 2006-08-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Structure de maintien de fine structure, dispositif semi-conducteur, circuit d’entraînement tft, panneau, affichage, capteur et leurs procédés de fabrication
CN1976869B (zh) * 2005-02-10 2010-12-22 松下电器产业株式会社 用于维持微细结构体的结构体、半导体装置、tft驱动电路、面板、显示器、传感器及它们的制造方法
JP5127442B2 (ja) * 2005-02-10 2013-01-23 パナソニック株式会社 微細構造体を保持するための構造体の製造方法、半導体装置の製造方法、およびセンサの製造方法
US7764010B2 (en) 2005-10-04 2010-07-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission device, electron emission display apparatus having the same, and method of manufacturing the same
US7755115B2 (en) 2006-03-03 2010-07-13 Fujitsu Limited Field effect transistor using carbon nanotube of two or more walls having the outer walls at the gate and source/drain regions removed
US8029760B2 (en) 2006-03-30 2011-10-04 Fujitsu Limited Method of manufacturing carbon nanotube
JP2009044139A (ja) * 2007-07-13 2009-02-26 Hokkaido Univ カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法
US7790242B1 (en) 2007-10-09 2010-09-07 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Method for electrostatic deposition of graphene on a substrate
US8650749B2 (en) 2008-12-30 2014-02-18 HGST Netherlands B.V. Method for manufacturing graphene electronics
US8193455B2 (en) 2008-12-30 2012-06-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Graphene electronics fabrication
US8000065B2 (en) 2009-01-28 2011-08-16 Tdk Corporation Magnetoresistive element and thin-film magnetic head
JP2010225835A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Toshiba Corp スピントランジスタ及び論理回路装置
JP7150958B2 (ja) 2009-07-17 2022-10-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP7408748B2 (ja) 2009-07-17 2024-01-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2017017335A (ja) * 2009-07-17 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2022008355A (ja) * 2009-07-17 2022-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011083632A1 (fr) * 2010-01-06 2011-07-14 Jsr株式会社 Cellule de mémoire et procédé de fabrication d'une cellule de mémoire
CN102082159B (zh) * 2010-10-27 2012-07-04 北京大学 一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法
CN102082159A (zh) * 2010-10-27 2011-06-01 北京大学 一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法
CN102034845A (zh) * 2010-10-30 2011-04-27 北京大学 一种基于石墨烯的纳米尺度点光源阵列
JP2014078494A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Qinghua Univ 電界放出電子源の製造方法及び電界放出電子源アレイの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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