JPH06252056A - 微細物質の固定ならびに電極形成法 - Google Patents
微細物質の固定ならびに電極形成法Info
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- JPH06252056A JPH06252056A JP3507193A JP3507193A JPH06252056A JP H06252056 A JPH06252056 A JP H06252056A JP 3507193 A JP3507193 A JP 3507193A JP 3507193 A JP3507193 A JP 3507193A JP H06252056 A JPH06252056 A JP H06252056A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は微細な物質の一部に他の材料を付着
させる、基板上に固定する、さらに電極を作製すること
を目的とする。 【構成】 目的とする微細な線状物質2、例えばカーボ
ンナノチューブをレジスト3中に分散し基板1上に塗布
する。次に、微細線状物質の分散の程度や方位に併せて
設計したパターンでレジストを感光し現像する。その
後、必要に応じて選んだ材料4を堆積させ、微細線状物
質に材料を付着させる。付着させた材料を適当に選べば
微細線状物質と基板を良好に固定することができる。ま
た材料が導伝性のものであれば電極を形成することがで
きる。必要があれば、リフトオフ法により試料と材料の
みを基板上に残すことができる。
させる、基板上に固定する、さらに電極を作製すること
を目的とする。 【構成】 目的とする微細な線状物質2、例えばカーボ
ンナノチューブをレジスト3中に分散し基板1上に塗布
する。次に、微細線状物質の分散の程度や方位に併せて
設計したパターンでレジストを感光し現像する。その
後、必要に応じて選んだ材料4を堆積させ、微細線状物
質に材料を付着させる。付着させた材料を適当に選べば
微細線状物質と基板を良好に固定することができる。ま
た材料が導伝性のものであれば電極を形成することがで
きる。必要があれば、リフトオフ法により試料と材料の
みを基板上に残すことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微細な物質の一部に他
の材料を付着させ、また基板上に固定し、さらに電極を
形成する方法に関するものである。
の材料を付着させ、また基板上に固定し、さらに電極を
形成する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術および解決すべき課題】微細な物質の位置
を固定するためには種々の方法がとられてきた。固定さ
れた物質の電気的測定を行うために、物質に電流を流し
たり電圧を加えたりするためには電極を取付けなければ
ならない。電極の取付法は物質の大きさや性状により種
々の方法がとられている。しかしながら、物質の長さが
数μmもしくはそれ以下に短くなり、太さもマイクロメ
ータからナノメートルの大きさとなると、物質の方向や
位置を、その物質を作製した後で制御することは極めて
困難となる。そのため、それらの材料を基板上に固定し
電極を取り付けることははななだ困難となる。
を固定するためには種々の方法がとられてきた。固定さ
れた物質の電気的測定を行うために、物質に電流を流し
たり電圧を加えたりするためには電極を取付けなければ
ならない。電極の取付法は物質の大きさや性状により種
々の方法がとられている。しかしながら、物質の長さが
数μmもしくはそれ以下に短くなり、太さもマイクロメ
ータからナノメートルの大きさとなると、物質の方向や
位置を、その物質を作製した後で制御することは極めて
困難となる。そのため、それらの材料を基板上に固定し
電極を取り付けることははななだ困難となる。
【0003】本発明の目的は、長さや太さが数十μmか
ら数nm程度の試料を基板上に密着性良く固定し、さら
に形成が容易なプロセスでかつ接触抵抗の小さい電極を
形成する方法を提供することにある。
ら数nm程度の試料を基板上に密着性良く固定し、さら
に形成が容易なプロセスでかつ接触抵抗の小さい電極を
形成する方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、微細な線状物
質の一部に他の材料を付着させたり、微細な線状物質の
一部を基板に固定したり、微細な線状物質の一部に電極
を付ける方法において、前記線状物質を拡散させたレジ
ストを基板上に塗布し、前記レジストを露光,現像し、
電極または固定用材料を付着する、ことを特徴とする。
質の一部に他の材料を付着させたり、微細な線状物質の
一部を基板に固定したり、微細な線状物質の一部に電極
を付ける方法において、前記線状物質を拡散させたレジ
ストを基板上に塗布し、前記レジストを露光,現像し、
電極または固定用材料を付着する、ことを特徴とする。
【0005】また本発明は、微細な線状物質の一部に他
の材料を付着させたり、微細な線状物質の一部を基板に
固定したり、微細な線状物質の一部に電極を付ける方法
において、前記線状物質を拡散させた溶媒を基板上に塗
布し、前記溶媒を蒸発させ、レジストを塗布し、前記レ
ジストを露光,現像し、電極または固定用材料を付着す
る、ことを特徴とする。
の材料を付着させたり、微細な線状物質の一部を基板に
固定したり、微細な線状物質の一部に電極を付ける方法
において、前記線状物質を拡散させた溶媒を基板上に塗
布し、前記溶媒を蒸発させ、レジストを塗布し、前記レ
ジストを露光,現像し、電極または固定用材料を付着す
る、ことを特徴とする。
【0006】さらに本発明は、微細な線状物質の一部に
他の材料を付着させたり、微細な線状物質の一部を基板
に固定したり、微細な線状物質の一部に電極を付ける方
法において、前記線状物質を拡散させた膜形成用溶液を
基板上に塗布して膜を形成し、レジストを塗布し、前記
レジストを露光,現像してパターンを形成し、エッチン
グにより前記パターンを前記膜に転写し、電極または固
定用材料を付着する、ことを特徴とする。
他の材料を付着させたり、微細な線状物質の一部を基板
に固定したり、微細な線状物質の一部に電極を付ける方
法において、前記線状物質を拡散させた膜形成用溶液を
基板上に塗布して膜を形成し、レジストを塗布し、前記
レジストを露光,現像してパターンを形成し、エッチン
グにより前記パターンを前記膜に転写し、電極または固
定用材料を付着する、ことを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明においては、物質はレジスト中または溶
媒中または膜形成用溶液中に分散し基板上に塗布され
る。溶媒中もしくは膜形成用溶液中に分散させて塗布し
た場合は、その後レジストを塗布する。レジスト塗布
後、物質の大きさ,分散の程度に応じて設計したパター
ンを露光する。レジストはポジ型でもネガ型でも使用で
きる。現像後、物質を基板に固定するための材料を堆積
させる。物質は堆積材料で覆われ基板に固定される。こ
のとき堆積材料が導体であれば電極となる。必要に応じ
てリフトオフすることにより不要な部分の堆積物を取り
除くことができる。
媒中または膜形成用溶液中に分散し基板上に塗布され
る。溶媒中もしくは膜形成用溶液中に分散させて塗布し
た場合は、その後レジストを塗布する。レジスト塗布
後、物質の大きさ,分散の程度に応じて設計したパター
ンを露光する。レジストはポジ型でもネガ型でも使用で
きる。現像後、物質を基板に固定するための材料を堆積
させる。物質は堆積材料で覆われ基板に固定される。こ
のとき堆積材料が導体であれば電極となる。必要に応じ
てリフトオフすることにより不要な部分の堆積物を取り
除くことができる。
【0008】
【実施例】図1は、物質をレジスト中に分散させる場合
の実施例を説明するための各工程ごとの断面図である。
の実施例を説明するための各工程ごとの断面図である。
【0009】図1(a)に示すように、まず、基板1を
用意する。基板としては、微細線状物質を固定するだけ
の目的の場合には特に種類を選ばない。微細線状物質の
電気測定または光学測定等が必要な場合は、それに応じ
て基板の伝導度や光透過係数が最適な基板を選択する。
例えば室温で測定するためには常温で絶縁体のもの、例
えばガラス,半絶縁性半導体基板を用いる。また高周波
特性を測定するためには誘電率の小さい材料、例えばS
iO2 や雲母などを選択すると良い。光特性も同時に計
測したい場合は、石英その他の材料を用いることができ
る。また高温測定する場合にも、石英基板は有効であ
る。低温で電気測定をする場合は、半導体を基板に用い
ることもできる。
用意する。基板としては、微細線状物質を固定するだけ
の目的の場合には特に種類を選ばない。微細線状物質の
電気測定または光学測定等が必要な場合は、それに応じ
て基板の伝導度や光透過係数が最適な基板を選択する。
例えば室温で測定するためには常温で絶縁体のもの、例
えばガラス,半絶縁性半導体基板を用いる。また高周波
特性を測定するためには誘電率の小さい材料、例えばS
iO2 や雲母などを選択すると良い。光特性も同時に計
測したい場合は、石英その他の材料を用いることができ
る。また高温測定する場合にも、石英基板は有効であ
る。低温で電気測定をする場合は、半導体を基板に用い
ることもできる。
【0010】次に、図1(b)に示すように、微細線状
物質2を、レジスト3中に分散し基板1に塗布する。微
細線状物質としては、電極の形成しにくい微小な材料、
例えばカーボンナノチューブなどを分散させる。レジス
ト3は電子ビーム露光用,紫外線露光用などの種類を使
い分ける。レジストは、ポジ,ネガどちらのタイプでも
よい。膜厚の均一性が必要な場合は、スピンコーティン
グする。その後、レジスト3に必要なプリベーキング等
の処理を施す。レジストを塗布した後の微細線状物質2
の分散の程度や方位を測定し、それに併せて固定や電極
付け等に適したパターンを設計する。例えばカーボンナ
ノチューブは直径は数nmから数十nmであるが、長さ
は1〜2μmほどある。そこで、最も簡単なパターンと
しては間隔1μmの溝状のパターンを形成し、その溝パ
ターンに続けて電極パターンを形成する。
物質2を、レジスト3中に分散し基板1に塗布する。微
細線状物質としては、電極の形成しにくい微小な材料、
例えばカーボンナノチューブなどを分散させる。レジス
ト3は電子ビーム露光用,紫外線露光用などの種類を使
い分ける。レジストは、ポジ,ネガどちらのタイプでも
よい。膜厚の均一性が必要な場合は、スピンコーティン
グする。その後、レジスト3に必要なプリベーキング等
の処理を施す。レジストを塗布した後の微細線状物質2
の分散の程度や方位を測定し、それに併せて固定や電極
付け等に適したパターンを設計する。例えばカーボンナ
ノチューブは直径は数nmから数十nmであるが、長さ
は1〜2μmほどある。そこで、最も簡単なパターンと
しては間隔1μmの溝状のパターンを形成し、その溝パ
ターンに続けて電極パターンを形成する。
【0011】それらのパターンを、図1(c)に示すよ
うに、光露光法や電子ビーム露光法などで露光し、その
後レジスト3を現像する。次に、図1(d)に示すよう
に、目的に応じた材料4を蒸着などで付着させる。材料
4には、電気測定のためには金,銀,白金,タングステ
ン,アルミニウムなどの金属を用いる。材料の付着性が
悪い場合は導伝性高分子などを用いることもできる。固
定のみを目的とする場合は、材料4としてふっ化物,塩
化物などの塩や高分子などを用いることができる。次
に、図1(e)に示すように、リフトオフ法によりレジ
スト3を除去することによりレジスト上部の材料4を除
去する。この作業で微細線状物質2の一部に他の材料4
が付着するとともに微細線状物質は基板1に固定され
る。材料4として導伝体を用いた場合は、材料は微細線
状物質の電極となる。
うに、光露光法や電子ビーム露光法などで露光し、その
後レジスト3を現像する。次に、図1(d)に示すよう
に、目的に応じた材料4を蒸着などで付着させる。材料
4には、電気測定のためには金,銀,白金,タングステ
ン,アルミニウムなどの金属を用いる。材料の付着性が
悪い場合は導伝性高分子などを用いることもできる。固
定のみを目的とする場合は、材料4としてふっ化物,塩
化物などの塩や高分子などを用いることができる。次
に、図1(e)に示すように、リフトオフ法によりレジ
スト3を除去することによりレジスト上部の材料4を除
去する。この作業で微細線状物質2の一部に他の材料4
が付着するとともに微細線状物質は基板1に固定され
る。材料4として導伝体を用いた場合は、材料は微細線
状物質の電極となる。
【0012】図2は、分散媒を用いた場合の実施例を示
す断面図である。分散媒としては、アルコール,アセト
ンなどを用いることができる。まず図2(a)に示すよ
うに、基板1を用意し、次に図2(b)に示すように、
微細線状物質2をアルコールなどに分散し基板1に塗布
する。微細線状物質2が適当な間隔で基板1上に残り、
分散媒は蒸発してなくなる。その後図2(c)に示すよ
うに、レジスト3を塗布し、続いて図1において説明し
たようにパターンを形成する。次に図2(d)に示すよ
うに、露光,現像して、続いて図2(e)に示すよう
に、材料4を付着させる。最後に図2(f)に示すよう
に、リフトオフにより微細線状物質2を基板1上に固定
し、または電極を作製することができる。
す断面図である。分散媒としては、アルコール,アセト
ンなどを用いることができる。まず図2(a)に示すよ
うに、基板1を用意し、次に図2(b)に示すように、
微細線状物質2をアルコールなどに分散し基板1に塗布
する。微細線状物質2が適当な間隔で基板1上に残り、
分散媒は蒸発してなくなる。その後図2(c)に示すよ
うに、レジスト3を塗布し、続いて図1において説明し
たようにパターンを形成する。次に図2(d)に示すよ
うに、露光,現像して、続いて図2(e)に示すよう
に、材料4を付着させる。最後に図2(f)に示すよう
に、リフトオフにより微細線状物質2を基板1上に固定
し、または電極を作製することができる。
【0013】図3は、膜形成用溶液に物質を分散させて
基板上に塗布する実施例を説明するための断面図であ
る。
基板上に塗布する実施例を説明するための断面図であ
る。
【0014】まず図3(a)に示すように、基板1を用
意し、続いて図3(b)に示すように、微細線状物質2
を分散させた膜形成用ポリイミドの溶液を塗布し、膜5
を形成する。次に図3(c),(d)に示すように、膜
5上にレジスト3を塗布し、露光,現像してパターンを
形成する。続いて図3(e)に示すように、レジスト3
に形成したパターンをエッチングより下層の膜5に転写
する。次に図3(f)に示すように、材料4を付着させ
る。最後に図3(g)に示すように、リフトオフによ
り、膜5および膜5上のレジストを除去し、試料2を基
板1上に固定しまたは電極を作製することができる。こ
の2層膜法は露光時に電子ビームや紫外線を膜5に照射
したくない場合に有効である。
意し、続いて図3(b)に示すように、微細線状物質2
を分散させた膜形成用ポリイミドの溶液を塗布し、膜5
を形成する。次に図3(c),(d)に示すように、膜
5上にレジスト3を塗布し、露光,現像してパターンを
形成する。続いて図3(e)に示すように、レジスト3
に形成したパターンをエッチングより下層の膜5に転写
する。次に図3(f)に示すように、材料4を付着させ
る。最後に図3(g)に示すように、リフトオフによ
り、膜5および膜5上のレジストを除去し、試料2を基
板1上に固定しまたは電極を作製することができる。こ
の2層膜法は露光時に電子ビームや紫外線を膜5に照射
したくない場合に有効である。
【0015】
【発明の効果】本発明により極微細な試料、例えばカー
ボンナノチューブを容易に基板上に固定することができ
る。さらに付着する材料および基板を適当に選べば電極
作製が行え、電気測定や光学的測定が行える。本発明の
方法は従来の半導体製造プロセスと互換性がある。よっ
て、極微細な構造物の電気的,光学的に特異な物性を電
子デバイスとして利用するための基本構造にもなる。
ボンナノチューブを容易に基板上に固定することができ
る。さらに付着する材料および基板を適当に選べば電極
作製が行え、電気測定や光学的測定が行える。本発明の
方法は従来の半導体製造プロセスと互換性がある。よっ
て、極微細な構造物の電気的,光学的に特異な物性を電
子デバイスとして利用するための基本構造にもなる。
【図1】本発明の一実施例を示す工程ごとの断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の一実施例を示す工程ごとの断面図であ
る。
る。
【図3】本発明の一実施例を示す工程ごとの断面図であ
る。
る。
1 基板 2 微細線状物質 3 レジスト 4 電極または固定用材料
Claims (4)
- 【請求項1】微細な線状物質の一部に他の材料を付着さ
せたり、微細な線状物質の一部を基板に固定したり、微
細な線状物質の一部に電極を付ける方法において、 前記線状物質を拡散させたレジストを基板上に塗布し、 前記レジストを露光,現像し、 電極または固定用材料を付着する、ことを特徴とする方
法。 - 【請求項2】微細な線状物質の一部に他の材料を付着さ
せたり、微細な線状物質の一部を基板に固定したり、微
細な線状物質の一部に電極を付ける方法において、 前記線状物質を拡散させた溶媒を基板上に塗布し、 前記溶媒を蒸発させ、 レジストを塗布し、 前記レジストを露光,現像し、 電極または固定用材料を付着する、ことを特徴とする方
法。 - 【請求項3】微細な線状物質の一部に他の材料を付着さ
せたり、微細な線状物質の一部を基板に固定したり、微
細な線状物質の一部に電極を付ける方法において、 前記線状物質を拡散させた膜形成用溶液を基板上に塗布
して膜を形成し、 レジストを塗布し、 前記レジストを露光,現像してパターンを形成し、 エッチングにより前記パターンを前記膜に転写し、 電極または固定用材料を付着する、ことを特徴とする方
法。 - 【請求項4】リフトオフにより前記レジスト上の材料を
除去することを特徴とする請求項1,2または3記載の
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3507193A JPH07101672B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 微細物質の固定ならびに電極形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3507193A JPH07101672B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 微細物質の固定ならびに電極形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252056A true JPH06252056A (ja) | 1994-09-09 |
JPH07101672B2 JPH07101672B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12431775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3507193A Expired - Lifetime JPH07101672B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 微細物質の固定ならびに電極形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07101672B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063693A1 (fr) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Hitachi, Ltd. | Dispositif electronique et source d'electronsavec nanotube de carbone |
JP2005158950A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びこれを用いた発光装置 |
JP2006513557A (ja) * | 2002-05-21 | 2006-04-20 | エイコス・インコーポレーテッド | カーボンナノチューブ被覆物をパターン化する方法およびカーボンナノチューブ配線 |
US7067098B2 (en) | 1996-08-08 | 2006-06-27 | William Marsh Rice University | Method for forming an array of single -wall carbon nanotubes and compositions thereof |
US7354563B2 (en) | 1997-03-07 | 2008-04-08 | William Marsh Rice University | Method for purification of as-produced fullerene nanotubes |
KR100877690B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2009-01-08 | 한국전자통신연구원 | 나노 와이어 배열 소자 제조방법 |
JP2010016259A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Panasonic Corp | パターン形成方法 |
US7846786B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-12-07 | Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method of fabricating nano-wire array |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP3507193A patent/JPH07101672B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7067098B2 (en) | 1996-08-08 | 2006-06-27 | William Marsh Rice University | Method for forming an array of single -wall carbon nanotubes and compositions thereof |
US7959779B2 (en) | 1996-08-08 | 2011-06-14 | William Marsh Rice University | Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies |
US7115864B2 (en) | 1996-08-08 | 2006-10-03 | William Marsh Rice University | Method for purification of as-produced single-wall carbon nanotubes |
US7097820B2 (en) | 1996-08-08 | 2006-08-29 | William Marsh Rice University | Continuous fiber of single-wall carbon nanotubes |
US7419624B1 (en) | 1997-03-07 | 2008-09-02 | William Marsh Rice University | Methods for producing composites of fullerene nanotubes and compositions thereof |
US7481989B2 (en) | 1997-03-07 | 2009-01-27 | William Marsh Rice University | Method for cutting fullerene nanotubes |
US7939136B2 (en) | 1997-03-07 | 2011-05-10 | William Marsh Rice University | Method for forming composites of sub-arrays of fullerene nanotubes |
US7354563B2 (en) | 1997-03-07 | 2008-04-08 | William Marsh Rice University | Method for purification of as-produced fullerene nanotubes |
US7390767B2 (en) | 1997-03-07 | 2008-06-24 | William Marsh Rice University | Method for producing a catalyst support and compositions thereof |
US7390477B2 (en) | 1997-03-07 | 2008-06-24 | William Marsh Rice University | Fullerene nanotube compositions |
US7655302B2 (en) | 1997-03-07 | 2010-02-02 | William Marsh Rice University | Continuous fiber of fullerene nanotubes |
US7419651B2 (en) | 1997-03-07 | 2008-09-02 | William Marsh Rice University | Method for producing self-assembled objects comprising fullerene nanotubes and compositions thereof |
US7632569B2 (en) | 1997-03-07 | 2009-12-15 | William Marsh Rice University | Array of fullerene nanotubes |
US7510695B2 (en) | 1997-03-07 | 2009-03-31 | William Marsh Rice University | Method for forming a patterned array of fullerene nanotubes |
WO2002063693A1 (fr) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Hitachi, Ltd. | Dispositif electronique et source d'electronsavec nanotube de carbone |
JP4512176B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2010-07-28 | 株式会社日立製作所 | カーボンナノチューブ電子素子および電子源 |
JPWO2002063693A1 (ja) * | 2001-02-08 | 2004-06-10 | 株式会社日立製作所 | カーボンナノチューブ電子素子および電子源 |
JP2006513557A (ja) * | 2002-05-21 | 2006-04-20 | エイコス・インコーポレーテッド | カーボンナノチューブ被覆物をパターン化する方法およびカーボンナノチューブ配線 |
JP2005158950A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びこれを用いた発光装置 |
KR100877690B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2009-01-08 | 한국전자통신연구원 | 나노 와이어 배열 소자 제조방법 |
US7846786B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-12-07 | Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method of fabricating nano-wire array |
JP2010016259A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Panasonic Corp | パターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH07101672B2 (ja) | 1995-11-01 |
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