JPH07172807A - カーボンナノチューブの加工方法 - Google Patents
カーボンナノチューブの加工方法Info
- Publication number
- JPH07172807A JPH07172807A JP5322501A JP32250193A JPH07172807A JP H07172807 A JPH07172807 A JP H07172807A JP 5322501 A JP5322501 A JP 5322501A JP 32250193 A JP32250193 A JP 32250193A JP H07172807 A JPH07172807 A JP H07172807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- carbon
- carbon nanotubes
- ions
- crater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】カーボンナノチューブの一部に加工する方法を
提供すること。 【構成】少なくともカーボンナノチューブ１に適当な質
量とエネルギーのイオン４を照射し、カーボンナノチュ
ーブを構成する炭素原子の結合の一部を切断して未結合
手（ダングリングボンド）５を作り出す工程を含むこと
を特徴とするカーボンナノチューブの加工方法である。
カーボンナノチューブの一部に形成する未結合の手が多
くなると、ナノチューブに穴をあけて他の物質（不純
物）を導入・排出したり、切断したりできる。また、未
結合手から新しい結晶構造を成長させることも可能にな
り、カーボンナノチューブの多様な構造が得られる。
提供すること。 【構成】少なくともカーボンナノチューブ１に適当な質
量とエネルギーのイオン４を照射し、カーボンナノチュ
ーブを構成する炭素原子の結合の一部を切断して未結合
手（ダングリングボンド）５を作り出す工程を含むこと
を特徴とするカーボンナノチューブの加工方法である。
カーボンナノチューブの一部に形成する未結合の手が多
くなると、ナノチューブに穴をあけて他の物質（不純
物）を導入・排出したり、切断したりできる。また、未
結合手から新しい結晶構造を成長させることも可能にな
り、カーボンナノチューブの多様な構造が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微小なカーボンナノチュ
ーブの加工方法に関するものである。
ーブの加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】炭素原子からなる多重の円筒状構造（カ
ーボンナノチューブ）が飯島により発見され、新しい材
料として期待されている。カーボンナノチューブは１つ
または複数のグラファイト構造を基本とした面が同心円
筒状に配置しており、円筒内部には空洞が形成されてい
る。このカーボンナノチューブの構造に関しては、飯島
によりネイチャー（Ｓ． Ｉｉｊｉｍａ， Ｎａｔｕｒ
ｅ，Ｖｏｌ．３５４，ｐ５６，１９９１）に報告されて
おり、またその製造方法についてはエブソンらによりネ
イチャー（Ｔ．Ｗ．Ｅｂｂｅｓｅｎ，Ｎａｔｕｒｅ，Ｖ
ｏｌ．３５８，ｐ２２０，１９９２）に報告されてい
る。しかし、カーボンナノチューブを任意に加工する方
法はまだ報告されていない。
ーボンナノチューブ）が飯島により発見され、新しい材
料として期待されている。カーボンナノチューブは１つ
または複数のグラファイト構造を基本とした面が同心円
筒状に配置しており、円筒内部には空洞が形成されてい
る。このカーボンナノチューブの構造に関しては、飯島
によりネイチャー（Ｓ． Ｉｉｊｉｍａ， Ｎａｔｕｒ
ｅ，Ｖｏｌ．３５４，ｐ５６，１９９１）に報告されて
おり、またその製造方法についてはエブソンらによりネ
イチャー（Ｔ．Ｗ．Ｅｂｂｅｓｅｎ，Ｎａｔｕｒｅ，Ｖ
ｏｌ．３５８，ｐ２２０，１９９２）に報告されてい
る。しかし、カーボンナノチューブを任意に加工する方
法はまだ報告されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】カーボンナノチューブ
に新しい機能を付加するためには、カーボンナノチュー
ブの一部に穴をあけたり、切断したり、不純物を導入・
排出したり、またカーボンナノチューブを枝分かれをさ
せることが必要になる。
に新しい機能を付加するためには、カーボンナノチュー
ブの一部に穴をあけたり、切断したり、不純物を導入・
排出したり、またカーボンナノチューブを枝分かれをさ
せることが必要になる。
【０００４】本発明の目的は、カーボンナノチューブに
新たな機能を付加するため、カーボンナノチューブの一
部に加工する方法を提供することにある。
新たな機能を付加するため、カーボンナノチューブの一
部に加工する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のカーボンナノチ
ューブの加工方法は、少なくともカーボンナノチューブ
に適当な質量とエネルギーのイオンを照射し、カーボン
ナノチューブを構成する炭素原子の結合の一部を切断し
て未結合手（ダングリングボンド）を作り出す工程を含
むことを特徴としている。
ューブの加工方法は、少なくともカーボンナノチューブ
に適当な質量とエネルギーのイオンを照射し、カーボン
ナノチューブを構成する炭素原子の結合の一部を切断し
て未結合手（ダングリングボンド）を作り出す工程を含
むことを特徴としている。
【０００６】
【作用】チューブの一部に穴をあけたり、切断したり、
不純物を導入・排出したり、またチューブを枝分かれを
させることが可能になる。
不純物を導入・排出したり、またチューブを枝分かれを
させることが可能になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明について実施例を示す図面を参
照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示す工程図である。図１において、（ａ）はカーボンナ
ノチューブにイオン照射中、（ｂ）はイオン照射後の工
程であり、１は断面図で示したカーボンナノチューブ、
２はカーボンナノチューブのグラファイト面、３はカー
ボンナノチューブ中心部の空洞、４は照射するイオン、
５は切断されたグラファイト面の未結合手、６はグラフ
ァイト面の切断によってできたクレーターである。
照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示す工程図である。図１において、（ａ）はカーボンナ
ノチューブにイオン照射中、（ｂ）はイオン照射後の工
程であり、１は断面図で示したカーボンナノチューブ、
２はカーボンナノチューブのグラファイト面、３はカー
ボンナノチューブ中心部の空洞、４は照射するイオン、
５は切断されたグラファイト面の未結合手、６はグラフ
ァイト面の切断によってできたクレーターである。
【０００８】この本発明の第１の実施例のカーボンナノ
チューブの加工方法について、イオン４にガリウムイオ
ン（Ｇａ+ ）を例に説明する。図１（ａ）で示すように
カーボンナノチューブ１を真空室に置き、これにＧａ+
イオン４を照射する。カーボンナノチューブに打ち込ま
れたイオン１はグラファイト面２で相互作用によりその
エネルギーの一部を失うが、まだ十分なエネルギーを持
ってカーボンナノチューブを透過する。
チューブの加工方法について、イオン４にガリウムイオ
ン（Ｇａ+ ）を例に説明する。図１（ａ）で示すように
カーボンナノチューブ１を真空室に置き、これにＧａ+
イオン４を照射する。カーボンナノチューブに打ち込ま
れたイオン１はグラファイト面２で相互作用によりその
エネルギーの一部を失うが、まだ十分なエネルギーを持
ってカーボンナノチューブを透過する。
【０００９】イオン４が透過したあとには、放出された
エネルギーによりグラファイト面を構成する炭素原子間
の結合の一部が切れ、炭素原子の未結合手５が形成され
る（図１（ｂ））。１つのイオンの透過による未結合手
５の形成がカーボンナノチューブの表面から内部にかけ
てグラファイト面各層で連続的に起こると、図１（ｂ）
に示すようなカーボンナノチューブの外側に膨らんだよ
うなクレーター６が形成される。このクレーター６の形
成が、カーボンナノチューブの空洞まで達すると、穴が
形成されることになる。
エネルギーによりグラファイト面を構成する炭素原子間
の結合の一部が切れ、炭素原子の未結合手５が形成され
る（図１（ｂ））。１つのイオンの透過による未結合手
５の形成がカーボンナノチューブの表面から内部にかけ
てグラファイト面各層で連続的に起こると、図１（ｂ）
に示すようなカーボンナノチューブの外側に膨らんだよ
うなクレーター６が形成される。このクレーター６の形
成が、カーボンナノチューブの空洞まで達すると、穴が
形成されることになる。
【００１０】エブソンらの方法により作製したカーボン
ナノチューブを集束イオン注入（ＦＩＢ）装置に入れ、
加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+ イオンを２ｘ１０13ｃｍ
-3照射した。このカーボンナノチューブを透過電子顕微
鏡に移して断面構造を観測した結果、図１（ｂ）に示さ
れるようなクレーター構造が局部的に見られ、カーボン
ナノチューブが加工されていることを確認することがで
きた。
ナノチューブを集束イオン注入（ＦＩＢ）装置に入れ、
加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+ イオンを２ｘ１０13ｃｍ
-3照射した。このカーボンナノチューブを透過電子顕微
鏡に移して断面構造を観測した結果、図１（ｂ）に示さ
れるようなクレーター構造が局部的に見られ、カーボン
ナノチューブが加工されていることを確認することがで
きた。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を示す工程図
である。図２はカーボンナノチューブにイオンをカーボ
ンナノチューブを横切るように照射し、カーボンナノチ
ューブを切断した後の断面構造を示している。ここで、
図１と同じ番号のものは図１と同等物で同一機能を果た
すものであり、７は切断部分である。
である。図２はカーボンナノチューブにイオンをカーボ
ンナノチューブを横切るように照射し、カーボンナノチ
ューブを切断した後の断面構造を示している。ここで、
図１と同じ番号のものは図１と同等物で同一機能を果た
すものであり、７は切断部分である。
【００１２】この本発明の第２の実施例のカーボンナノ
チューブの加工方法について、イオンに金イオン（Ａｕ
+ ）を例に説明する。第１の実施例で説明したように、
１つのイオン照射によりクレーター構造が形成される。
その近くに他のイオンを照射すると、またクレーター構
造が形成される。このため、カーボンナノチューブを横
断するように選択的に多数のイオンを照射すると、多く
のクレーター構造が集中して形成され、それらがつなが
って、カーボンナノチューブが切断される。
チューブの加工方法について、イオンに金イオン（Ａｕ
+ ）を例に説明する。第１の実施例で説明したように、
１つのイオン照射によりクレーター構造が形成される。
その近くに他のイオンを照射すると、またクレーター構
造が形成される。このため、カーボンナノチューブを横
断するように選択的に多数のイオンを照射すると、多く
のクレーター構造が集中して形成され、それらがつなが
って、カーボンナノチューブが切断される。
【００１３】カーボンナノチューブを集束イオン注入
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＡｕ+
イオンを３ｘ１０6 ｃｍ-1の密度でカーボンナノチュー
ブを横切るように照射した。その結果、カーボンナノチ
ューブが切断された構造が見られた。ここでＡｕ+ を用
いた理由は、Ａｕ+ は重いイオンであるため、カーボン
ナノチューブの構造を壊しやすく、イオン照射により深
くて大きなクレーター構造を形成するためである。
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＡｕ+
イオンを３ｘ１０6 ｃｍ-1の密度でカーボンナノチュー
ブを横切るように照射した。その結果、カーボンナノチ
ューブが切断された構造が見られた。ここでＡｕ+ を用
いた理由は、Ａｕ+ は重いイオンであるため、カーボン
ナノチューブの構造を壊しやすく、イオン照射により深
くて大きなクレーター構造を形成するためである。
【００１４】図３は本発明の第３の実施例を示す工程図
である。図３はカーボンナノチューブにイオンを照射し
て空洞まで達するクレーター構造を形成し、このクレー
ターより空洞に不純物を挿入した後の断面構造を示して
いる。ここで、図１と同じ番号のものは図１と同等物で
同一機能を果たすものであり、８は挿入した不純物であ
る。
である。図３はカーボンナノチューブにイオンを照射し
て空洞まで達するクレーター構造を形成し、このクレー
ターより空洞に不純物を挿入した後の断面構造を示して
いる。ここで、図１と同じ番号のものは図１と同等物で
同一機能を果たすものであり、８は挿入した不純物であ
る。
【００１５】この本発明の第３の実施例のカーボンナノ
チューブの加工方法について、照射イオンにガリウムイ
オン（Ｇａ+ ）、不純物８にセレン（Ｓｅ）を例に説明
する。まず、第１の実施例で説明したように、イオン照
射によりカーボンナノチューブの空洞まで達するクレー
ター構造（穴）を形成する。つぎに、カーボンナノチュ
ーブをＳｅ蒸気中にさらす。カーボンナノチューブのク
レーターから進入したＳｅは空洞部に付着する。また、
カーボンナノチューブのクレーター近傍に付着したＳｅ
は毛細管現象によりクレーター内部へと入り込んでい
き、空洞中へ導かれる。その結果、空洞中に不純物であ
るＳｅが挿入される。
チューブの加工方法について、照射イオンにガリウムイ
オン（Ｇａ+ ）、不純物８にセレン（Ｓｅ）を例に説明
する。まず、第１の実施例で説明したように、イオン照
射によりカーボンナノチューブの空洞まで達するクレー
ター構造（穴）を形成する。つぎに、カーボンナノチュ
ーブをＳｅ蒸気中にさらす。カーボンナノチューブのク
レーターから進入したＳｅは空洞部に付着する。また、
カーボンナノチューブのクレーター近傍に付着したＳｅ
は毛細管現象によりクレーター内部へと入り込んでい
き、空洞中へ導かれる。その結果、空洞中に不純物であ
るＳｅが挿入される。
【００１６】カーボンナノチューブを集束イオン注入
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+
イオンを２ｘ１０13ｃｍ-3照射して、カーボンナノチュ
ーブの空洞まで達するクレーター構造を形成した。その
後、カーボンナノチューブとＳｅを石英管に封入した。
Ｓｅを加熱してＳｅ蒸気を発生させ、カーボンナノチュ
ーブにＳｅが付着するようにした。その結果、カーボン
ナノチューブのクレーター構造のある空洞部にＳｅが挿
入されているのが見られた。
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+
イオンを２ｘ１０13ｃｍ-3照射して、カーボンナノチュ
ーブの空洞まで達するクレーター構造を形成した。その
後、カーボンナノチューブとＳｅを石英管に封入した。
Ｓｅを加熱してＳｅ蒸気を発生させ、カーボンナノチュ
ーブにＳｅが付着するようにした。その結果、カーボン
ナノチューブのクレーター構造のある空洞部にＳｅが挿
入されているのが見られた。
【００１７】図４は本発明の第４の実施例を示す工程図
である。図４はカーボンナノチューブにイオンを照射し
て空洞まで達するクレーター構造を形成し、このクレー
ターを通して空洞内の不純物の一部を取り出した後の断
面構造を示している。ここで、図１および図３と同じ番
号のものは図１および図３と同等物で同一機能を果たす
ものである。
である。図４はカーボンナノチューブにイオンを照射し
て空洞まで達するクレーター構造を形成し、このクレー
ターを通して空洞内の不純物の一部を取り出した後の断
面構造を示している。ここで、図１および図３と同じ番
号のものは図１および図３と同等物で同一機能を果たす
ものである。
【００１８】この本発明の第４の実施例のカーボンナノ
チューブの加工方法について、照射イオンにガリウムイ
オン（Ｇａ+ ）、不純物８にセレン（Ｓｅ）を例に説明
する。まず、第１の実施例で説明したように、イオン照
射によりカーボンナノチューブの空洞まで達するクレー
ター構造（穴）を形成する。ここで用いるカーボンナノ
チューブはあらかじめＳｅが空洞部に充填されているも
のである。つぎに、カーボンナノチューブをＳｅの蒸気
圧が高くなる温度まで加熱する。カーボンナノチューブ
の空洞部にあるＳｅはクレーター部より蒸発し、クレー
ター近傍のＳｅが取り除かれる。
チューブの加工方法について、照射イオンにガリウムイ
オン（Ｇａ+ ）、不純物８にセレン（Ｓｅ）を例に説明
する。まず、第１の実施例で説明したように、イオン照
射によりカーボンナノチューブの空洞まで達するクレー
ター構造（穴）を形成する。ここで用いるカーボンナノ
チューブはあらかじめＳｅが空洞部に充填されているも
のである。つぎに、カーボンナノチューブをＳｅの蒸気
圧が高くなる温度まで加熱する。カーボンナノチューブ
の空洞部にあるＳｅはクレーター部より蒸発し、クレー
ター近傍のＳｅが取り除かれる。
【００１９】カーボンナノチューブを集束イオン注入
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+
イオンを２ｘ１０13ｃｍ-3照射して、カーボンナノチュ
ーブの空洞まで達するクレーター構造を形成した。その
後、カーボンナノチューブを真空容器内に移し加熱し
た。その結果、カーボンナノチューブのクレーター構造
部近傍のＳｅが取り除かれているのが見られた。
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+
イオンを２ｘ１０13ｃｍ-3照射して、カーボンナノチュ
ーブの空洞まで達するクレーター構造を形成した。その
後、カーボンナノチューブを真空容器内に移し加熱し
た。その結果、カーボンナノチューブのクレーター構造
部近傍のＳｅが取り除かれているのが見られた。
【００２０】図５は本発明の第５の実施例を示す工程図
である。図５はカーボンナノチューブにイオンを照射し
て多数の未結合手が存在するクレーター構造を形成し、
ここの未結合手を核として新たなカーボンナノチューブ
構造を成長させた後の断面構造を示している。ここで、
図１と同じ番号のものは図１と同等物で同一機能を果た
すものであり、９はカーボンナノチューブの接続部分、
１０は新たに成長したカーボンナノチューブである。
である。図５はカーボンナノチューブにイオンを照射し
て多数の未結合手が存在するクレーター構造を形成し、
ここの未結合手を核として新たなカーボンナノチューブ
構造を成長させた後の断面構造を示している。ここで、
図１と同じ番号のものは図１と同等物で同一機能を果た
すものであり、９はカーボンナノチューブの接続部分、
１０は新たに成長したカーボンナノチューブである。
【００２１】この本発明の第５の実施例のカーボンナノ
チューブの加工方法について、照射イオンにガリウムイ
オン（Ｇａ+ ）を例に説明する。まず、第１の実施例で
説明したように、イオン照射によりカーボンナノチュー
ブにクレーター構造を形成する。つぎに、このカーボン
ナノチューブをカーボンナノチューブ製造装置内に導入
し、カーボンナノチューブの成長を行う。このとき、ク
レーター部の未結合手に新たな炭素原子が結合してゆ
き、そこに新たなカーボンナノチューブ構造が形成され
る。
チューブの加工方法について、照射イオンにガリウムイ
オン（Ｇａ+ ）を例に説明する。まず、第１の実施例で
説明したように、イオン照射によりカーボンナノチュー
ブにクレーター構造を形成する。つぎに、このカーボン
ナノチューブをカーボンナノチューブ製造装置内に導入
し、カーボンナノチューブの成長を行う。このとき、ク
レーター部の未結合手に新たな炭素原子が結合してゆ
き、そこに新たなカーボンナノチューブ構造が形成され
る。
【００２２】カーボンナノチューブを集束イオン注入
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+
イオンを２ｘ１０13ｃｍ-3照射して、カーボンナノチュ
ーブにクレーター構造を形成した。その後、カーボンナ
ノチューブをカーボンナノチューブ製造装置に導入し、
メタン（ＣＨ4 ）ガスを流して放電を行った。その結
果、カーボンナノチューブのクレーター構造のあった部
分から新たなカーボンナノチューブが成長しているのが
見られた。
（ＦＩＢ）装置に入れ、加速電圧１３０ｋｅＶのＧａ+
イオンを２ｘ１０13ｃｍ-3照射して、カーボンナノチュ
ーブにクレーター構造を形成した。その後、カーボンナ
ノチューブをカーボンナノチューブ製造装置に導入し、
メタン（ＣＨ4 ）ガスを流して放電を行った。その結
果、カーボンナノチューブのクレーター構造のあった部
分から新たなカーボンナノチューブが成長しているのが
見られた。
【００２３】以上の本発明の実施例では、照射イオンと
してＧａ+ やＡｕ+ しか示さなかったが、その他のイオ
ンでもよいことは明らかである。照射イオンの質量，加
速エネルギー，照射量を適当に選ぶことにより、クレー
ターの大きさや密度を制御することができる。
してＧａ+ やＡｕ+ しか示さなかったが、その他のイオ
ンでもよいことは明らかである。照射イオンの質量，加
速エネルギー，照射量を適当に選ぶことにより、クレー
ターの大きさや密度を制御することができる。
【００２４】選択的にカーボンナノチューブの一部だけ
にクレーターを形成するときには、イオンビームを絞っ
て照射する必要があり、ＦＩＢ装置やマスクを用いる必
要がある。しかし、確率的にクレーター構造を形成する
ためには通常のイオン注入装置のように広がったイオン
ビームを利用してもよい。
にクレーターを形成するときには、イオンビームを絞っ
て照射する必要があり、ＦＩＢ装置やマスクを用いる必
要がある。しかし、確率的にクレーター構造を形成する
ためには通常のイオン注入装置のように広がったイオン
ビームを利用してもよい。
【００２５】第３の実施例および第４の実施例において
不純物としてはＳｅしか示さなかったが、金属や半導体
などその他の不純物でもよいことは明らかである。
不純物としてはＳｅしか示さなかったが、金属や半導体
などその他の不純物でもよいことは明らかである。
【００２６】ここで示した実施例ではそれぞれ個別の方
法として説明したが、もちろんこれらの実施例を組み合
わせてカーボンナノチューブの多様な構造を作製するこ
ともできる。
法として説明したが、もちろんこれらの実施例を組み合
わせてカーボンナノチューブの多様な構造を作製するこ
ともできる。
【００２７】
【発明の効果】本発明のカーボンナノチューブの加工方
法により、カーボンナノチューブの一部に穴をあけた
り、切断したり、不純物を導入・排出したり、またチュ
ーブを枝分かれをさせることができ、カーボンナノチュ
ーブに新しい機能を付加することが可能になる。
法により、カーボンナノチューブの一部に穴をあけた
り、切断したり、不純物を導入・排出したり、またチュ
ーブを枝分かれをさせることができ、カーボンナノチュ
ーブに新しい機能を付加することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す工程図である。
（ａ）はカーボンナノチューブにイオン照射中、（ｂ）
はイオン照射後の状態を示している。
（ａ）はカーボンナノチューブにイオン照射中、（ｂ）
はイオン照射後の状態を示している。
【図２】本発明の第２の実施例を示す工程図であり、カ
ーボンナノチューブを切断した後の断面構造を示してい
る。
ーボンナノチューブを切断した後の断面構造を示してい
る。
【図３】本発明の第３の実施例を示す工程図であり、ク
レーターより空洞に不純物を挿入した後の断面構造を示
している。
レーターより空洞に不純物を挿入した後の断面構造を示
している。
【図４】本発明の第４の実施例を示す工程図であり、ク
レーターを通して空洞内の不純物の一部を取り出した後
の断面構造を示している。
レーターを通して空洞内の不純物の一部を取り出した後
の断面構造を示している。
【図５】本発明の第５の実施例を示す工程図であり、新
たなカーボンナノチューブ構造を成長させた後の断面構
造を示している。
たなカーボンナノチューブ構造を成長させた後の断面構
造を示している。
１ カーボンナノチューブ ２ グラファイト面 ３ 空洞 ４ イオン ５ 未結合手 ６ クレーター ７ 切断部分 ８ 不純物 ９ 接続部分 １０ 新たに成長したカーボンナノチューブ
Claims (5)
- 【請求項１】少なくともカーボンナノチューブに適当な
質量とエネルギーのイオンを照射し、前記カーボンナノ
チューブを構成する炭素原子の結合の一部を切断して未
結合手（ダングリングボンド）を作り出す工程を含むこ
とを特徴とするカーボンナノチューブの加工方法。 - 【請求項２】請求項１記載のカーボンナノチューブの加
工方法により該カーボンナノチューブの円周全体にわた
って炭素原子の未結合手を作り、前記カーボンナノチュ
ーブを切断することを特徴とするカーボンナノチューブ
の加工方法。 - 【請求項３】請求項１記載のカーボンナノチューブの加
工方法により該カーボンナノチューブの空洞まで穴をあ
け、前記穴から前記空洞に不純物を挿入することを特徴
とするカーボンナノチューブの加工方法。 - 【請求項４】請求項１記載のカーボンナノチューブの加
工方法により該カーボンナノチューブの空洞まで穴をあ
け、前記穴から前記空洞にある不純物を引き出すことを
特徴とするカーボンナノチューブの加工方法。 - 【請求項５】請求項１記載のカーボンナノチューブの加
工方法により該カーボンナノチューブの一部に未結合手
を形成し、前記未結合手から新たなカーボンナノチュー
ブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブ
の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5322501A JP2591458B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | カーボンナノチューブの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5322501A JP2591458B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | カーボンナノチューブの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07172807A true JPH07172807A (ja) | 1995-07-11 |
| JP2591458B2 JP2591458B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=18144358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5322501A Expired - Fee Related JP2591458B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | カーボンナノチューブの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591458B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1092680A1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-04-18 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Methods for opening tips of and purifying carbon nanotubes |
| WO2002024574A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de production d'un nanotube hybride de carbone mono-paroi |
| WO2002024572A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Japan Science And Technology Corporation | Nanotube hybride de carbone mono-paroi |
| WO2002049412A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Showa Denko K.K. | Branched vapor-grown carbon fiber, electrically conductive transparent composition and use thereof |
| WO2002063693A1 (fr) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Hitachi, Ltd. | Dispositif electronique et source d'electronsavec nanotube de carbone |
| US6593166B1 (en) | 1998-03-24 | 2003-07-15 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method for construction of nanotube matrix material |
| WO2004024623A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Nec Corporation | 反応性グラファイト状層状物質の製造方法 |
| WO2003084865A3 (en) * | 2001-06-14 | 2004-06-17 | Hyperion Catalysis Int | Field emission devices using modified carbon nanotubes |
| US6780075B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-08-24 | Nec Corporation | Method of fabricating nano-tube, method of manufacturing field-emission type cold cathode, and method of manufacturing display device |
| JP2004308836A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Nissin Kogyo Co Ltd | シール部材 |
| JP2004331452A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Hitachi Chem Co Ltd | カーボンナノファイバ及びその製造方法 |
| US6946410B2 (en) | 2002-04-05 | 2005-09-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for providing nano-structures of uniform length |
| US7108773B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Solids supporting mass transfer for fuel cells and other applications and solutions and methods for forming |
| JP2007286066A (ja) * | 2007-05-28 | 2007-11-01 | Yoshikazu Nakayama | 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ |
| US7838843B2 (en) | 2005-03-14 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Carbon nano tube processing method, processing apparatus, and carbon nano tube dispersion liquid, carbon nano tube powder |
| US7861932B2 (en) | 1999-05-25 | 2011-01-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | System for printing unique interactive document in response to print request |
| CN110341199A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-10-18 | 沈阳航空航天大学 | 一种增强轻质合金和复合材料胶接界面粘结强度的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8454923B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-06-04 | Carbon Solutions, Inc. | Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06184738A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 炭素薄膜の形成方法とその改質方法およびその改質方法を用いた電子デバイスおよびｘ線多層膜ミラーとその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP5322501A patent/JP2591458B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06184738A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 炭素薄膜の形成方法とその改質方法およびその改質方法を用いた電子デバイスおよびｘ線多層膜ミラーとその製造方法 |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7307272B2 (en) | 1998-03-24 | 2007-12-11 | Silverbrook Research Pty Ltd | Nanotube based multi-level memory structure |
| US7132679B2 (en) | 1998-03-24 | 2006-11-07 | Kia Silverbrook | Single wall carbon nanotube electronic devices |
| US6940088B2 (en) | 1998-03-24 | 2005-09-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | Molecular structures comprising single wall carbon nanotubes |
| JP2010100520A (ja) * | 1998-03-24 | 2010-05-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | ナノチューブ、及び該ナノチューブを有する電気装置 |
| US7119357B2 (en) | 1998-03-24 | 2006-10-10 | Silverbrook Research Pty Ltd | Nanotube based multi-level memory structure |
| US6593166B1 (en) | 1998-03-24 | 2003-07-15 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method for construction of nanotube matrix material |
| US7861932B2 (en) | 1999-05-25 | 2011-01-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | System for printing unique interactive document in response to print request |
| EP1092680A1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-04-18 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Methods for opening tips of and purifying carbon nanotubes |
| US6780075B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-08-24 | Nec Corporation | Method of fabricating nano-tube, method of manufacturing field-emission type cold cathode, and method of manufacturing display device |
| WO2002024574A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de production d'un nanotube hybride de carbone mono-paroi |
| JP2002097009A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ハイブリッド単層カーボンナノチューブ |
| WO2002024572A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Japan Science And Technology Corporation | Nanotube hybride de carbone mono-paroi |
| US7122132B2 (en) | 2000-12-20 | 2006-10-17 | Showa Denko K.K. | Branched vapor-grown carbon fiber, electrically conductive transparent composition and use thereof |
| WO2002049412A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Showa Denko K.K. | Branched vapor-grown carbon fiber, electrically conductive transparent composition and use thereof |
| JPWO2002063693A1 (ja) * | 2001-02-08 | 2004-06-10 | 株式会社日立製作所 | カーボンナノチューブ電子素子および電子源 |
| JP4512176B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2010-07-28 | 株式会社日立製作所 | カーボンナノチューブ電子素子および電子源 |
| WO2002063693A1 (fr) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Hitachi, Ltd. | Dispositif electronique et source d'electronsavec nanotube de carbone |
| WO2003084865A3 (en) * | 2001-06-14 | 2004-06-17 | Hyperion Catalysis Int | Field emission devices using modified carbon nanotubes |
| US7960904B2 (en) | 2001-06-14 | 2011-06-14 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Field emission devices using carbon nanotubes modified by energy, plasma, chemical or mechanical treatment |
| US6946410B2 (en) | 2002-04-05 | 2005-09-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for providing nano-structures of uniform length |
| US6998358B2 (en) | 2002-04-05 | 2006-02-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method for providing nano-structures of uniform length |
| US7632551B2 (en) | 2002-09-10 | 2009-12-15 | Nec Corporation | Method for preparing reactive layered material in graphite form |
| WO2004024623A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Nec Corporation | 反応性グラファイト状層状物質の製造方法 |
| US7108773B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Solids supporting mass transfer for fuel cells and other applications and solutions and methods for forming |
| JP2004308836A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Nissin Kogyo Co Ltd | シール部材 |
| JP2004331452A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Hitachi Chem Co Ltd | カーボンナノファイバ及びその製造方法 |
| US7838843B2 (en) | 2005-03-14 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Carbon nano tube processing method, processing apparatus, and carbon nano tube dispersion liquid, carbon nano tube powder |
| JP2007286066A (ja) * | 2007-05-28 | 2007-11-01 | Yoshikazu Nakayama | 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ |
| CN110341199A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-10-18 | 沈阳航空航天大学 | 一种增强轻质合金和复合材料胶接界面粘结强度的方法 |
| CN110341199B (zh) * | 2019-06-06 | 2021-06-29 | 沈阳航空航天大学 | 一种增强轻质合金和复合材料胶接界面粘结强度的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2591458B2 (ja) | 1997-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07172807A (ja) | カーボンナノチューブの加工方法 | |
| US6429104B1 (en) | Method for forming cavities in a semiconductor substrate by implanting atoms | |
| EP0438544B1 (en) | Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays | |
| US7829377B2 (en) | Diamond medical devices | |
| JP2008526682A (ja) | ダイヤモンド製医療装置 | |
| JP4792625B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法及び電子デバイス | |
| WO2004105111A1 (ja) | 電子ビーム微細加工方法 | |
| JPH03163825A (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| Srivastava et al. | Swift heavy ion induced formation of nanocolumns of C clusters in a Si based polymer | |
| US20050181624A1 (en) | Method of forming quantum dots at predetermined positions on a substrate | |
| TW201041017A (en) | Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation | |
| DE102015218218B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines gebondeten SiC-Wafers | |
| JPH0648715A (ja) | 半導体ダイヤモンドの製造方法 | |
| JP2006199582A (ja) | 集束イオンビームを利用した炭素ナノチューブの製造方法 | |
| JP2891114B2 (ja) | 半導体のパターン形成方法 | |
| JP2608957B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の製造方法 | |
| JP3532512B2 (ja) | 発光基板の作製方法 | |
| JPS6013258B2 (ja) | 炭化物フイ−ルドエミツタ−の製造法 | |
| EP1051747A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltkreise | |
| JPH11349307A (ja) | 機能性炭素材料の製造方法 | |
| JPH0469421B2 (ja) | ||
| JP3572580B2 (ja) | 窒素注入ｃ６０フラーレン薄膜およびその作製方法 | |
| CN116288244A (zh) | 图形化金刚石的制备方法和具有图形化金刚石的制品及其应用 | |
| Raineri et al. | Silicon on an insulator produced by helium implantation and oxidation | |
| Milne et al. | 39.1: Electron Emission from Self‐Aligned Carbon Nanotube Field Emission Microcathodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961029 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |