JP4345774B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであって、特に、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor)型電界効果トランジスタの製造方法に関するものである。
近年、トランジスタ性能向上の為、チャネル領域へストレスを印加し、ドレイン電流を増大させる検討が行われている。ストレス印加の手法として、ゲート電極形成後に高い応力を持った膜を形成し、チャネル領域にストレスを印加する方法や、ＰチャネルＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＰＭＯＳＦＥＴ）のソース・ドレイン領域をエッチングし、その部分にシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層をエピタキシャル成長させ、チャネル領域にストレスを印加するプロセスなどが挙げられる。
チャネル領域へのストレス印加は、ＳｉＧｅ層がチャネル領域に近く、ＳｉＧｅ層の体積が多いほど効果的である。さらに、ソース・ドレイン領域はイオン注入による形成が一般的であるが、上記ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させると同時に、ボロン等の不純物を添加することで、ＰＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域を形成する方法も検討されている（例えば、下記特許文献１参照）。
ここで、上述したＰＭＯＳＦＥＴの製造方法について、図４を用いて説明する。まず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１１の表面側に素子分離領域（図示省略）を形成する。次に、シリコン基板１１上にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３を形成し、このゲート電極１３上にシリコン窒化膜からなるオフセット絶縁膜１４を形成する。次いで、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３、オフセット絶縁膜１４を覆う状態で、シリコン基板１１上に、シリコン窒化膜を形成し、ドライエッチング法により、このシリコン窒化膜をエッチバックすることで、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３およびオフセット絶縁膜１４の両脇にサイドウォール１５を形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、オフセット絶縁膜１４とサイドウォール１５をマスクにして、シリコン基板１１をエッチングによって掘り下げる、いわゆるリセスエッチングを行うことで、リセス領域１６を形成する。その後、希フッ酸を用いた洗浄処理により、シリコン基板１１表面の自然酸化膜を除去する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、リセス領域１６、すなわち、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、ボロン等のｐ型不純物を含むシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層１７をエピタキシャル成長させる。このＳｉＧｅ層１７が、ソース・ドレイン領域となり、シリコン基板１１におけるソース・ドレイン領域に挟まれたゲート電極１３直下の領域がチャネル領域１８となる。このＳｉＧｅ層１７によるチャネル領域１８へのストレス印加により、チャネル領域１８が歪むことから、十分なキャリア移動度を有するＰＭＯＳＦＥＴが形成される。
特表２００２−５３０８６４号公報（特に、図４および段落番号００３０参照）
しかし、上述したような半導体装置の製造方法では、図５に示すように、ＳｉＧｅ層１７がチャネル領域１８となるゲート電極１３の直下領域に近いほどＳｉＧｅ層１７によるストレス印加効率は上昇するが、ＳｉＧｅ層１７にはボロンからなる不純物が添加されているため、後工程でかかる熱処理、熱工程によりＳｉＧｅ層１７中の不純物が拡散してしまう（拡散領域Ａ）。このため、ショートチャネル効果を引き起こしてしまう、という問題がある。これを防止するためには、ゲート電極１３の直下領域とボロンを添加したＳｉＧｅ層１７との距離を広げることが考えられるが、チャネル領域１８にかかるストレスが弱まってしまうため、十分なキャリア移動度が得られなくなる。
したがって、本発明は、ショートチャネル効果を防止し、十分なキャリア移動度が得られる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
上述したような目的を達成するために、本発明における半導体装置の製造方法は、次のような工程を順次行うことを特徴としている。まず、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を行う。次に、ゲート電極をマスクにしたエッチングにより、シリコン基板の表面層を掘り下げる工程を行う。次いで、掘り下げられたシリコン基板の表面に、当該シリコン基板側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、シリコンとシリコンとは格子定数の異なる原子とからなる混晶層をエピタキシャル成長させる工程を行う。そして特に、第３工程で形成する混晶層は、第１の層、第２の層および第３の層からなる３層を順次積層してなり、このような混晶層を形成する第３工程は、次のように行う。先ず、掘り下げられた前記シリコン基板の表面に、前記３層のうちで最も低濃度の不純物が含有されるように、前記第１の層を形成する。次に、第１の層上に、前記第１の層側から表面に向かって、前記第１の層の不純物濃度から前記第３の層の不純物濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、前記第２の層を形成する。その後、第２の層上に、前記３層のうちで最も高濃度の不純物が含有されるように、前記第３の層を形成する。
このような半導体装置の製造方法によれば、掘り下げられたシリコン基板の表面に、シリコン基板側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、上記混晶層をエピタキシャル成長させるため、シリコン基板におけるゲート電極直下のチャネル領域近くの混晶層は、表面側と比較して低濃度の不純物が含有された状態となる。これにより、熱処理による混晶層からの不純物の拡散が抑制され、ショートチャネル効果が防止される。また、ゲート電極の直下領域と上記混晶層との距離を広げなくてもよいため、十分なキャリア移動度が得られる。
また、本発明の半導体装置は、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極の両側のシリコン基板が掘り下げられた領域に、シリコンとシリコンとは格子定数の異なる原子とからなる混晶層とを備えた半導体装置において、混晶層には、シリコン基板側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されていることを特徴としている。そして特に、混晶層は、掘り下げられた前記シリコン基板側から順に第１の層、第２の層および第３の層からなる３層をエピタキシャル成長によって積層してなる。第１の層は、前記３層のうちで最も低濃度の不純物が含有されている。第２の層は、前記第１の層側から表面に向かって、前記第１の層の不純物濃度から前記第３の層の不純物濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されている。第３の層は、前記３層のうちで最も高濃度の不純物が含有される。
このような半導体装置によれば、混晶層には、シリコン基板側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されていることから、シリコン基板におけるゲート電極直下のチャネル領域近くの混晶層は、表面側と比較して低濃度の不純物が含有される。これにより、熱処理による混晶層からの不純物の拡散が抑制され、ショートチャネル効果が防止される。また、ゲート電極の直下領域と上記混晶層との距離を広げなくてもよいことから、十分なキャリア移動度が得られる。
以上、説明したように、本発明における半導体装置の製造方法および半導体装置によれば、ショートチャネル効果が防止できるとともに、十分なキャリア移動度が得られることから、トランジスタの特性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。各実施形態においては、半導体装置の構成を製造工程順に説明する。
（第１実施形態）
本発明の半導体装置の製造方法に係る実施の形態の一例として、ＰＭＯＳＦＥＴの製造方法を例にとり、図１〜図２の製造工程断面図を用いて説明する。なお、背景技術で説明したものと同様の構成には、同一の番号を付して説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、単結晶シリコンからなるシリコン基板１１を用意し、その表面側に素子分離領域を形成する。この際、例えば、シリコン基板１１の表面側に溝を形成し、この溝内に例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜を埋め込んだＳＴＩ（shallow trench isolation）構造の素子分離領域を形成する。
次に、素子分離領域で分離されたシリコン基板１１上に、例えばシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜１２を介して、例えばポリシリコンからなるゲート電極１３をパターン形成する。この際、ゲート電極１３上に例えばシリコン窒化膜からなるオフセット絶縁膜１４が設けられるように、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３、およびオフセット絶縁膜１４を構成する各材料膜を積層成膜した後に、これらの積層膜をパターンエッチングする。
ここで、上記ゲート絶縁膜１２の構成材料としては、シリコン酸窒化膜に限定されず、シリコン酸化膜でもよく、ハフニウムやアルミニウムを含む金属酸化膜であってもよい。また、ゲート電極１３としては、ポリシリコンに限定されるものではなく、金属材料を含有してもよい。
次いで、図１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３、およびオフセット絶縁膜１４を覆う状態で、シリコン基板１１上に、例えばシリコン窒化膜１５’を成膜する。続いて、図１（ｃ）に示すように、例えばドライエッチング法により、シリコン窒化膜１５’（前記図１（ｂ）参照）をエッチバックすることにより、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３、およびオフセット絶縁膜１４の側壁に、絶縁性のサイドウォール１５を形成する。ここでは、このサイドウォール１５が、例えばシリコン窒化膜で構成されることとするが、シリコン窒化膜以外でもよく、シリコン酸化膜またはこれらの積層構造で構成されていてもよい。
次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン基板１１の表面を掘り下げるリセスエッチングを行う。この場合には、ゲート電極１３上のオフセット絶縁膜１４およびサイドウォール１５をマスクにしたエッチングにより、シリコン基板１１の表面層を掘り下げるリセスエッチングを行うことで、８０ｎｍ程度の深さのリセス領域１６を形成する。このリセスエッチングにおいては、等方性のエッチングを行うことにより、サイドウォール１５の下方にまでリセス領域１６が広げられるようにする。その後、希フッ酸を用いた洗浄処理により、シリコン基板１１表面の自然酸化膜を除去する。なお、ここでは、サイドウォール１５が設けられた状態で、リセスエッチングを行う例について説明するが、サイドウォール１５を設けずに、リセスエッチングを行う場合であっても、本発明は適用可能である。
次いで、リセス領域１６の表面、すなわち掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、シリコンとシリコンとは格子定数の異なる原子との混晶層を、不純物を含む状態で、エピタキシャル成長させる。ここでは、ＰＭＯＳＦＥＴを形成することから、例えばボロンからなる不純物を含むシリコン（Ｓｉ）とシリコンよりも格子定数の大きい原子（Ｇｅ）とからなるＳｉＧｅ層（混晶層）をエピタキシャル成長させる。
この際、本発明の特徴的な構成として、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、シリコン基板１１側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有してボロンが含有されるように、上記ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させる。ここでは、上記ＳｉＧｅ層が、第１のＳｉＧｅ層（第１の層）、第２のＳｉＧｅ層（第２の層）および第３のＳｉＧｅ層（第３の層）からなる３層を順次積層して構成されることとする。
具体的には、図２（ｅ）に示すように、掘り下げられたシリコン基板１１の表面、すなわち、リセス領域１６の表面に、上記３層のうち最も低濃度のボロンが含有されるように、第１のＳｉＧｅ層２１ａを形成する。ここでは、ボロン濃度が１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3となるように、１ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で第１のＳｉＧｅ層２１ａをエピタキシャル成長させる。
上記第１のＳｉＧｅ層２１ａの成膜条件としては、成膜ガスとして、ジクロロシラン（Dichlorosilane（ＤＣＳ））、水素（Ｈ2）により１．５vol％に希釈された水素化ゲルマニウム（ＧｅＨ4）、塩化水素（ＨＣｌ）および水素（Ｈ2）により１００ｐｐｍに希釈されたジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用い、ガス流量をＤＣＳ／ＧｅＨ4／ＨＣｌ／Ｂ2Ｈ6＝１０〜１００／１０〜１００／１０〜１００／１〜５０（ｍｌ／ｍｉｎ）とし、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。ただし、上記ガス流量は、標準状態における体積流量を示すものとし、これ以降に示すガス流量についても同様であることとする。
ここで、この低濃度の不純物が含有される第１のＳｉＧｅ層２１ａは、後述するように、形成するＳｉＧｅ層の中でもチャネル領域近くに配置されるため、熱処理によるＳｉＧｅ層からのボロンの拡散が抑制され、ショートチャネル効果が防止される。そして、ショートチャネル効果を確実に防止するため、形成するＰＭＯＳＦＥＴのキャリア移動度を低下させない範囲で、上記第１のＳｉＧｅ層２１ａは、上記膜厚の範囲内でも１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚を有して形成されることが、さらに好ましい。
なお、背景技術で説明したように、リセス領域の表面に、成膜条件を変えずにＳｉＧｅ層を直接形成する場合でも、成膜の都合上、リセス領域の表面に低濃度の不純物が含有されるＳｉＧｅ層が形成される場合もあるが、本実施形態の第１のＳｉＧｅ層２１ａはそれとは異なり、成膜条件を変えて、所定の膜厚となるように、低濃度の不純物が含有される第１のＳｉＧｅ層２１ａを形成する。
次に、図２（ｆ）に示すように、第１のＳｉＧｅ層２１ａ上に、第１のＳｉＧｅ層２１ａ側から表面に向かって、第１のＳｉＧｅ層２１ａの不純物濃度から後述する第３のＳｉＧｅ層の不純物濃度まで連続的に変化するような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、第２のＳｉＧｅ層２１ｂをエピタキシャル成長させる。ここでは、第１のＳｉＧｅ層２１ａのボロンの濃度範囲が１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3であり、後述するように、第３のＳｉＧｅ層のボロンの濃度範囲が１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3であることから、第１のＳｉＧｅ層２１ａ側から表面に向かって、１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3の濃度範囲から１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3の濃度範囲まで連続的に高濃度となるような濃度勾配を有してボロンが含有されるように、第２のＳｉＧｅ層２１ｂを形成する。この第２のＳｉＧｅ層２１ｂの膜厚は、１ｎｍ〜２０ｎｍであることとする。
この第２のＳｉＧｅ層２１ｂの成膜条件としては、上記第１のＳｉＧｅ層２１ａと同一の成膜ガスを用い、成膜ガスのうち、ＤＣＳ、ＧｅＨ4、ＨＣｌについては、ガス流量をＤＣＳ／ＧｅＨ4／ＨＣｌ＝１０〜１００／１０〜１００／１０〜１００（ｍｌ／ｍｉｎ）とする。そして、Ｈ2により１００ｐｐｍに希釈されたＢ2Ｈ6のガス流量を１〜５０（ｍｌ／ｍｉｎ）から５０〜３００（ｍｌ／ｍｉｎ）に連続的に変化させる。また、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
ここで、３層のうちで最も不純物濃度の低い第１のＳｉＧｅ層２１ａと、後述する最も不純物濃度の高い第３のＳｉＧｅ層との間に、上記第２のＳｉＧｅ層２１ｂが介在することで、第１のＳｉＧｅ層２１ａと第３のＳｉＧｅ層との不純物の濃度差による成膜の不具合が緩和される。このため、第１のＳｉＧｅ層２１ａと第３のＳｉＧｅ層の不純物の濃度差が小さい場合には、第２のＳｉＧｅ層２１ｂを形成しなくてもよい。また、ここでは、第１のＳｉＧｅ層２１ａ側から第３のＳｉＧｅ層側に向かって、連続的に高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、第２のＳｉＧｅ層２１ｂを形成することとしたが、濃度勾配は段階的であってもよい。この場合には、Ｂ2Ｈ6のガス流量を段階的に変化させる。
次に、図２（ｇ）に示すように、第２のＳｉＧｅ層２１ｂ上に、上記３層のうちで最も高濃度の不純物が含有されるように、第３のＳｉＧｅ層２１ｃを形成する。ここでは、ボロン濃度が１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3となるように、５０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で第３のＳｉＧｅ層２１ｃをエピタキシャル成長させる。
この第３のＳｉＧｅ層２１ｃの成膜条件としては、上記第１のＳｉＧｅ層２１ａ、第２のＳｉＧｅ層２１ｂと同一の成膜ガスを用い、ガス流量をＤＣＳ／ＧｅＨ4／ＨＣｌ／Ｂ2Ｈ6＝１０〜１００／１０〜１００／１０〜１００／５０〜３００（ｍｌ／ｍｉｎ）とし、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
これにより、リセス領域１６の表面に、第１のＳｉＧｅ層２１ａ、第２のＳｉＧｅ層２１ｂおよび第３のＳｉＧｅ層２１ｃを順次積層してなるＳｉＧｅ層２１が形成される。ここで、上記リセス領域１６は８０ｎｍ程度の深さで形成されることから、第１のＳｉＧｅ層２１ａ、第２のＳｉＧｅ層２１ｂおよび第３のＳｉＧｅ層２１ｃで順次埋め込まれ、第３のＳｉＧｅ層２１ｃは、シリコン基板１１の表面から盛り上がった状態となる。そして、このＳｉＧｅ層２１には、シリコン基板１１側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有してボロンからなる不純物が含有されている。
このＳｉＧｅ層２１が、本実施形態の製造方法により形成されるＰＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域となり、ＳｉＧｅ層２１により挟まれたゲート電極１３直下のシリコン基板１１の領域がチャネル領域１８となる。
この後の工程は、通常のＰＭＯＳＦＥＴの製造方法と同様に行う。例えばＳｉＧｅ層２１の表面側をシリサイド化して、シリサイド層を形成してもよい。この際、上述したように、チャネル領域１８近くに配置される第１のＳｉＧｅ層２１ａには、低濃度の不純物が含有されていることから、ＳｉＧｅ層２１を形成した後に熱処理を行う場合でも不純物の拡散Ａが抑制され、ショートチャネル効果が防止される。
以上のようにして、ＳｉＧｅ層２１によるチャネル領域１８へのストレス印加（圧縮応力）により、チャネル領域１８を歪ませたＰＭＯＳＦＥＴが製造される。
このような半導体装置の製造方法およびこれにより得られる半導体装置によれば、シリコン基板１１側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、ＳｉＧｅ層２１をエピタキシャル成長させることから、熱処理によるＳｉＧｅ層２１からの不純物の拡散Ａが抑制され、ショートチャネル効果が防止される。特に、本実施形態によれば、ＳｉＧｅ層２１を３層で構成し、チャネル領域１８に近い第１のＳｉＧｅ層２１ａを他の層と比較して低濃度の不純物が含有されるように形成するため、ショートチャネル効果を確実に防止することができる。また、上記ＳｉＧｅ層２１とゲート電極１３の直下領域からの距離を広げなくてもよいため、十分なキャリア移動度が得られる。したがって、トランジスタの特性を向上させることができる。
さらに、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、成膜ガスを変えずに、成膜条件を変更するだけの一連の作業で、不純物の濃度勾配を有するＳｉＧｅ層２１を成膜することができるため、生産性にも優れている。
なお、上記第１実施形態においては、ＰＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域となるＳｉＧｅ層に、不純物としてボロンを含有させる例について説明したが、不純物としては、上記ボロン以外に、ガリウム（Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）を用いてもよい。不純物として、例えばＧａを用いる場合には、上述した第１実施形態において、成膜ガスとして用いたＢ2Ｈ6の代わりに、トリエチルガリウム（Ｇａ（Ｃ2Ｈ5）3）またはトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3）3）を適用する。また、不純物として、例えばＩｎを用いる場合には、成膜ガスとして用いたＢ2Ｈ6の代わりに、トリエチルインジウム（Ｉｎ（Ｃ2Ｈ5）3）またはトリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3）3）を適用する。
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、ＰＭＯＳＦＥＴの製造方法を例にとり説明したが、本実施形態においてはＮＭＯＳＦＥＴの製造方法を例にとり、図３を用いて説明する。なお、シリコン基板１１の表面を掘り下げるまでの工程は、図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明した工程と同様に行うこととする。
ＮＭＯＳＦＥＴを製造する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、リセス領域１６の表面、すなわち、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、例えば砒素（Ａｓ）からなる不純物を含むシリコン（Ｓｉ）とシリコンよりも格子定数の小さい原子（Ｃ）とからなるシリコン炭素（ＳｉＣ）層（混晶層）をエピタキシャル成長させる。
この場合であっても、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、シリコン基板１１側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有してＡｓが含有されるように、ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる。ここでは、第１実施形態と同様に、上記ＳｉＣ層が、第１のＳｉＣ層（第１の層）、第２のＳｉＣ層（第２の層）および第３のＳｉＣ層（第３の層）からなる３層を順次積層して構成されることとする。
具体的には、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、上記３層のうち最も低濃度の不純物が含有されるように、第１のＳｉＣ層２２ａを形成する。ここでは、Ａｓ濃度が１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3となるように、１ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で第１のＳｉＣ層２２ａを形成することとする。
この第１のＳｉＣ層２２ａの成膜条件としては、成膜ガスとして、ＤＣＳ、水素（Ｈ2）により１vol％に希釈されたモノメチルシラン（ＳｉＨ3ＣＨ3）、ＨＣｌ、水素（Ｈ2）により１vol％に希釈された水素化砒素（ＡｓＨ3）を用い、ガス流量をＤＣＳ／ＳｉＨ3ＣＨ3／ＨＣｌ／ＡｓＨ3＝１０〜１００／１〜５０／１０〜１００／１〜２５（ｍｌ／ｍｉｎ）とし、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
ここで、この低濃度の不純物が含有される第１のＳｉＣ層２２ａは、後述するように、形成するＳｉＣ層の中でもチャネル領域に近くに配置されるため、熱処理によるＳｉＣ層からのＡｓの拡散が抑制され、ショートチャネル効果が防止される。そして、ショートチャネル効果を確実に防止するため、形成するＮＭＯＳＦＥＴのキャリア移動度を低下させない範囲で、上記第１のＳｉＣ層２２ａは、上記膜厚の範囲内でも1０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚を有して形成されることが、さらに好ましい。
次に、図３（ｂ）に示すように、第１のＳｉＣ層２２ａ上に、第１のＳｉＣ層２２ａ側から表面に向かって、第１のＳｉＣ層２２ａの不純物濃度から後述する第３のＳｉＣ層の不純物濃度まで連続的に変化するような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、第２のＳｉＣ層２２ｂを形成する。ここでは、第１のＳｉＣ層２２ａのＡｓの濃度範囲が１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3であり、後述するように、第３のＳｉＣ層のＡｓの濃度範囲が１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3であることから、第１のＳｉＣ層２２ａ側から表面に向かって、１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3の濃度範囲から１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3の濃度範囲まで連続的に高濃度となるような濃度勾配を有してＡｓが含有されるように、第２のＳｉＣ層２２ｂを形成する。この第２のＳｉＣ層２２ｂの膜厚は、１ｎｍ〜２０ｎｍであることとする。
この第２のＳｉＣ層２２ｂの成膜条件としては、上記第１のＳｉＣ層２２ａと同一の成膜ガスを用い、ＤＣＳ、ＳｉＨ3ＣＨ3、ＨＣｌについては、第１のＳｉＣ層２２ａと同様に、ガス流量をＤＣＳ／ＳｉＨ3ＣＨ3／ＨＣｌ＝１０〜１００／１〜５０／１０〜１００／１〜２５（ｍｌ／ｍｉｎ）に設定する。そして、Ｈ2により１vol％に希釈されたＡｓＨ3のガス流量を１〜２５（ｍｌ／ｍｉｎ）から２５〜５０（ｍｌ／ｍｉｎ）となるように、連続的に変化させる。また、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
ここで、３層のうちで最も不純物濃度の低い第１のＳｉＣ層２２ａと、後述する最も不純物濃度の高い第３のＳｉＣ層との間に、上記第２のＳｉＣ層２２ｂが介在されることで、第１のＳｉＣ層２２ａと第３のＳｉＣ層との不純物の濃度差による成膜の不具合が緩和される。このため、第１のＳｉＣ層２２ａと第３のＳｉＣ層の不純物の濃度差が小さい場合には、第２のＳｉＣ層２２ｂを形成しなくてもよい。また、ここでは、第１のＳｉＣ層２２ａ側から第３のＳｉＣ層２２ｃ側に向かって、連続的に高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、第２のＳｉＣ層２２ｂを形成することとしたが、濃度勾配は段階的であってもよい。この場合には、ＡｓＨ3のガス流量を段階的に変化させる。
次に、図３（ｃ）に示すように、第２のＳｉＣ層２２ｂ上に、上記３層のうちで最も高濃度の不純物が含有されるように、第３のＳｉＣ層２２ｃを形成する。ここでは、Ａｓ濃度が１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3となるように、５０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で第３のＳｉＣ層２２ｃを形成する。
この第３のＳｉＣ層２２ｃの成膜条件としては、上記第１のＳｉＣ層２２ａ、第２のＳｉＣ層２２ｂと同一の成膜ガスを用い、ガス流量をＤＣＳ／ＳｉＨ3ＣＨ3／ＨＣｌ／ＡｓＨ3＝１０〜１００／１〜５０／１０〜１００／２５〜５０（ｍｌ／ｍｉｎ）に設定する。また、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
これにより、リセス領域１６の表面に、第１のＳｉＣ層２２ａ、第２のＳｉＣ層２２ｂおよび第３のＳｉＣ層２２ｃを順次積層してなるＳｉＣ層２２が形成される。ここで、上記リセス領域１６は８０ｎｍ程度の深さで形成されることから、第１のＳｉＣ層２２ａ、第２のＳｉＣ層２２ｂおよび第３のＳｉＣ層２２ｃで順次埋め込まれ、第３のＳｉＣ層２２ｃは、シリコン基板１１の表面から盛り上がった状態となる。そして、このＳｉＣ層２２には、シリコン基板１１側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有してＡｓからなる不純物が含有されている。
このＳｉＣ層２２が、本実施形態の製造方法により形成されるＮＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域となり、ＳｉＣ層２２により挟まれたゲート電極１３直下のシリコン基板１１の領域がチャネル領域１８となる。
この後の工程は、通常のＮＭＯＳＦＥＴの製造方法と同様に行う。例えばＳｉＣ層２２の表面側をシリサイド化して、シリサイド層を形成してもよい。この際、上述したように、チャネル領域１８近くに配置される第１のＳｉＣ層２２ａには、低濃度の不純物が含有されていることから、ＳｉＣ層２２を形成した後に熱処理を行う場合でも不純物の拡散Ａが抑制され、ショートチャネル効果が防止される。
以上のようにして、ＳｉＣ層２２によるチャネル領域１８へのストレス印加（引っ張り応力）により、チャネル領域１８を歪ませたＮＭＯＳＦＥＴが製造される。
このような半導体装置の製造方法およびこれにより得られる半導体装置によっても、シリコン基板１１側ら表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、ＳｉＣ層２２をエピタキシャル成長させることから、熱処理によるＳｉＣ層２２からの不純物の拡散が抑制され、ショートチャネル効果が防止される。特に、本実施形態によれば、ＳｉＣ層２２を３層で構成し、チャネル領域１８に近い第１のＳｉＣ層２２ａを他の層と比較して低濃度の不純物が含有されるように形成することで、ショートチャネル効果を確実に防止することができる。また、上記ＳｉＣ層２２とゲート電極１３の直下領域からの距離を広げなくてもよいため、十分なキャリア移動度が得られる。したがって、トランジスタの特性を向上させることができる。
（変形例１）
なお、上記第２実施形態においては、ＮＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域となるＳｉＣ層に、不純物としてＡｓを含有させる例について説明したが、不純物としては、上記Ａｓ以外に、リン（Ｐ）を用いてもよい。
この場合にも、１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3の濃度範囲でＰからなる不純物が含有されるように、１ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で第１のＳｉＣ層２２ａを形成する。
この第１のＳｉＣ層２２ａの成膜条件としては、成膜ガスとして、ＤＣＳ、Ｈ2により１vol％に希釈されたＳｉＨ3ＣＨ3、ＨＣｌ、Ｈ2により５０ｐｐｍに希釈された水素化リン（ＰＨ3）を用い、ガス流量をＤＣＳ／ＳｉＨ3ＣＨ3／ＨＣｌ／ＰＨ3＝１０〜１００／１〜５０／１０〜１００／１〜１５０（ｍｌ／ｍｉｎ）とし、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
次に、第１のＳｉＣ層２２ａ上に、第１のＳｉＣ層２２ａ側から表面に向かって、１×１０18ｃｍ3〜１×１０19ｃｍ3の濃度範囲から１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3の濃度範囲まで高濃度となるような濃度勾配を有してＰからなる不純物が含有されるように、第２のＳｉＣ層２２ｂを１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で形成する。
この第２のＳｉＣ層２２ｂの成膜条件としては、上記第１のＳｉＣ層２２ａと同一の成膜ガスを用い、ＤＣＳ、ＳｉＨ3ＣＨ3、ＨＣｌについては、ガス流量をＤＣＳ／ＳｉＨ3ＣＨ3／ＨＣｌ＝１０〜１００／１〜５０／１０〜１００に設定する。そして、Ｈ2により５０ｐｐｍに希釈されたＰＨ3のガス流量を１〜１５０（ｍｌ／ｍｉｎ）から１５０〜３００（ｍｌ／ｍｉｎ）となるように、連続的にまたは段階的に変化させる。また、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
次いで、第２のＳｉＣ層２２ｂ上に、１×１０19ｃｍ3〜５×１０20ｃｍ3の濃度範囲でＰからなる不純物が含有されるように、５０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で第３のＳｉＣ層２２ｃを形成する。
この第３のＳｉＣ層２２ｃの成膜条件としては、上記第１のＳｉＣ層２２ａ、第２のＳｉＣ層２２ｃと同一の成膜ガスを用い、ガス流量をＤＣＳ／ＳｉＨ3ＣＨ3／ＨＣｌ／ＰＨ3＝１０〜１００／１〜５０／１０〜１００／１５０〜３００（ｍｌ／ｍｉｎ）に設定する。また、処理温度を６５０℃〜７５０℃、処理圧力を１．３ｋＰａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
このようなＮＭＯＳＦＥＴの製造方法およびＮＭＯＳＦＥＴによっても、上述した第２実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、上述した第１実施形態および第２実施形態ならびに変形例１においては、ＳｉＧｅ層またはＳｉＣ層からなる混晶層を、第１の層、第２の層および第３の層が順次積層された３層で構成し、不純物が所定の濃度範囲で維持されるように第１の層および第３の層を形成するとともに、第１の層側から第３の層側に向かって連続的に高濃度となるような濃度勾配を有して第２の層を形成する例について説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、シリコン基板側から表面に向かって段階的に高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有される複数層で混晶層を形成してもよく、連続的に高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有される単一層で混晶層を形成してもよい。ただし、混晶層のうちチャネル領域に近い部分は、不純物が低濃度で維持された領域を、1０ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で有することが好ましい。
また、上述した実施形態においては、ＰＭＯＳＦＥＴとＮＭＯＳＦＥＴとをそれぞれ形成する半導体装置の製造方法の例について説明したが、ＰＭＯＳＦＥＴとＮＭＯＳＦＥＴの両方を搭載したＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor)ＦＥＴを形成する場合にも本発明は適用可能である。
本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程断面図（その１）である。 本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程断面図（その２）である。 本発明の半導体装置の製造方法に係る第２実施形態を説明するための製造工程断面図である。 従来の半導体装置の製造方法を説明するための製造工程断面図である。 従来の半導体装置の製造方法における課題を説明するための断面図である。
符号の説明
１１…シリコン基板、１２…ゲート絶縁膜、１３…ゲート電極、２１…ＳｉＧｅ層、２１ａ…第１のＳｉＧｅ層、２１ｂ…第２のＳｉＧｅ層、２１ｃ…第３のＳｉＧｅ層、２２…ＳｉＧｅ層、２２ａ…第１のＳｉＣ層、２２ｂ…第２のＳｉＣ層、２２ｃ…第３のＳｉＣ層

Claims (3)

  1. シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第１工程と、
    前記ゲート電極をマスクにしたエッチングにより、前記シリコン基板の表面層を掘り下げる第２工程と、
    掘り下げられた前記シリコン基板の表面に、当該シリコン基板側から表面に向かって高濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、シリコンとシリコンとは格子定数の異なる原子とからなる混晶層をエピタキシャル成長させる第３工程とを有する半導体装置の製造方法において、
    前記混晶層が、第１の層、第２の層および第３の層からなる３層を順次積層してなり、
    前記第３工程では、
    掘り下げられた前記シリコン基板の表面に、前記３層のうちで最も低濃度の不純物が含有されるように、前記第１の層を形成する工程と、
    前記第１の層上に、前記第１の層側から表面に向かって、前記第１の層の不純物濃度から前記第３の層の不純物濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されるように、前記第２の層を形成する工程と、
    前記第２の層上に、前記３層のうちで最も高濃度の不純物が含有されるように、前記第３の層を形成する工程とを行う
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体装置がｐ型の電界効果トランジスタであり、
    前記第３工程では、前記シリコン基板の表面に、前記濃度勾配を有してｐ型の不純物が含有されるように、シリコンとゲルマニウムとからなる前記混晶層をエピタキシャル成長させる
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体装置がｎ型の電界効果トランジスタであり、
    前記第３工程では、前記シリコン基板の表面に、前記濃度勾配を有してｎ型の不純物が含有されるように、シリコンと炭素とからなる前記混晶層をエピタキシャル成長させる
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (302)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8017487B2 (en) * 2006-04-05 2011-09-13 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Method to control source/drain stressor profiles for stress engineering
US7687337B2 (en) * 2007-07-18 2010-03-30 Freescale Semiconductor, Inc. Transistor with differently doped strained current electrode region
JP5168287B2 (ja) * 2008-01-25 2013-03-21 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2009122542A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7902009B2 (en) * 2008-12-11 2011-03-08 Intel Corporation Graded high germanium compound films for strained semiconductor devices
DE102009006884B4 (de) * 2009-01-30 2011-06-30 Advanced Micro Devices, Inc., Calif. Verfahren zur Herstellung eines Transistorbauelementes mit In-Situ erzeugten Drain- und Source-Gebieten mit einer verformungsinduzierenden Legierung und einem graduell variierenden Dotierstoffprofil und entsprechendes Transistorbauelement
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5381382B2 (ja) * 2009-06-19 2014-01-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5287621B2 (ja) * 2009-09-10 2013-09-11 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
US8236660B2 (en) * 2010-04-21 2012-08-07 International Business Machines Corporation Monolayer dopant embedded stressor for advanced CMOS
US8299535B2 (en) * 2010-06-25 2012-10-30 International Business Machines Corporation Delta monolayer dopants epitaxy for embedded source/drain silicide
KR101703096B1 (ko) 2010-09-02 2017-02-07 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 제조방법
US8901537B2 (en) 2010-12-21 2014-12-02 Intel Corporation Transistors with high concentration of boron doped germanium
US9484432B2 (en) 2010-12-21 2016-11-01 Intel Corporation Contact resistance reduction employing germanium overlayer pre-contact metalization
US8455930B2 (en) * 2011-01-05 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strained semiconductor device with facets
CN102709183B (zh) * 2011-03-28 2016-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于制造半导体器件的方法
US8338279B2 (en) 2011-03-30 2012-12-25 International Business Machines Corporation Reduced pattern loading for doped epitaxial process and semiconductor structure
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5875143B2 (ja) * 2011-08-26 2016-03-02 学校法人関西学院 半導体ウエハの製造方法
CN103000499B (zh) * 2011-09-14 2015-12-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种锗硅硼外延层生长方法
US8927374B2 (en) * 2011-10-04 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN103107070B (zh) * 2011-11-14 2017-11-07 联华电子股份有限公司 半导体装置及制作外延层的方法
CN103187299B (zh) * 2011-12-31 2015-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶体管的形成方法
US8889523B2 (en) * 2012-01-02 2014-11-18 United Microelectronics Corp. Semiconductor process
US9190471B2 (en) 2012-04-13 2015-11-17 Globalfoundries U.S.2 Llc Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets
CN103681496B (zh) * 2012-09-04 2016-04-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103794503A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管的制作方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10134896B2 (en) * 2013-03-01 2018-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cyclic deposition etch chemical vapor deposition epitaxy to reduce EPI abnormality
US8940595B2 (en) * 2013-03-15 2015-01-27 International Business Machines Corporation Faceted intrinsic epitaxial buffer layer for reducing short channel effects while maximizing channel stress levels
CN104701149A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法
US9543387B2 (en) * 2014-03-10 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN105304481A (zh) * 2014-06-10 2016-02-03 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
US10084063B2 (en) * 2014-06-23 2018-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9991343B2 (en) * 2015-02-26 2018-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
EP3311417A4 (en) * 2015-06-19 2019-01-16 Intel Corporation CARBON-BASED INTERFACE FOR EPITAXIAL GROWTH SOURCE / DRAIN TRANSISTOR REGIONS
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9691901B2 (en) * 2015-10-02 2017-06-27 United Microelectronics Corp. Semiconductor device
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CN107275210B (zh) * 2016-04-06 2023-05-02 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) * 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
CN110767741B (zh) * 2019-10-17 2023-09-15 上海华力集成电路制造有限公司 Nmos管及其制造方法
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
CN113611736B (zh) * 2020-05-29 2022-11-22 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 半导体元件及其制作方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11444199B2 (en) * 2020-08-03 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03151669A (ja) 1989-11-08 1991-06-27 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2964895B2 (ja) 1995-01-04 1999-10-18 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP2001338988A (ja) * 2000-05-25 2001-12-07 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5060002B2 (ja) 2001-07-12 2012-10-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004260132A (ja) 2003-02-05 2004-09-16 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US7132338B2 (en) 2003-10-10 2006-11-07 Applied Materials, Inc. Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process
US7238580B2 (en) * 2005-01-26 2007-07-03 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor fabrication process employing stress inducing source drain structures with graded impurity concentration
US7494858B2 (en) * 2005-06-30 2009-02-24 Intel Corporation Transistor with improved tip profile and method of manufacture thereof
JP5091403B2 (ja) 2005-12-15 2012-12-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8017487B2 (en) * 2006-04-05 2011-09-13 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Method to control source/drain stressor profiles for stress engineering

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