JP2004260132A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000005465 channeling Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 7
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
【解決手段】半導体基板(11)に形成したゲート絶縁膜(14)及びゲート電極(15)に対し自己整合的に第1導電型不純物をイオン注入して第1のソース・ドレイン領域(16n、16p、17n、17p)を形成する。その後、ゲート電極に側壁膜(19)を形成する。側壁膜を形成したゲート電極に対し自己整合的に第1導電型不純物をイオン注入し、第1のソース・ドレイン領域より深い深さを有する第2のソース・ドレイン領域(21p、21n)を形成する。このとき、イオン注入の角度は、半導体基板の面方位、すなわち、チャネリング現象が発生する結晶面の面方向に対して±3°以内の角度とする。
【選択図】 図2
Description
でイオン注入することにより形成する。
p型ソース・ドレイン領域22p形成後、nMOS形成領域を覆うフォトレジスト20nを除去し、pMOS形成領域をフォトレジスト20pで覆い、nMOS形成領域にn型ディープソース・ドレイン21nを形成した断面図が、図3(a)である。n型ディープソース・ドレイン21nの形成条件は、砒素(As)をエネルギー8KeV、ドーズ量4E15cm-2、半導体基板11の面方向に対し0°の角度でチャネリング注入した。
のリーク電流、短チャネル効果の抑制を図ることが可能となる。
12、623 nウエル
13、622 素子分離領域
14、512、612 ゲート絶縁膜
15、513、613 ゲート電極
16p、627 n型ポケット領域
16n p型ポケット領域
17p、626 p型エクステンション領域
17n n型エクステンション領域
18p、18n、20n、20p フォトレジスト
19、514、614、628 ゲート側壁膜
21p、624 p型ディープソース・ドレイン領域
21n n型ディープソース・ドレイン領域
22p、625 p型ソース・ドレイン領域
22n n型ソース・ドレイン領域
515 ソース・ドレイン・エクステンション領域
519 ハロー構造
521 ディープ・ソース・ドレイン
Claims (7)
- 異なる深さのソース・ドレイン領域を有するMOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する第1の工程と、該ゲート電極に対し自己整合的に第1導電型不純物をイオン注入して第1のソース・ドレイン領域を形成する第2の工程と、該第2の工程後、前記ゲート電極側壁に絶縁膜を形成する第3の工程と、前記ゲート電極及びその側壁に形成された絶縁膜に対し自己整合的に、チャンネリング現象が起こるような角度で第1導電型不純物をイオン注入して前記第1のソース・ドレイン領域より深い深さを有する第2のソース・ドレイン領域を形成する第4の工程、とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記チャンネリング現象が起こるような角度は、前記半導体基板の面方位に対して±3°以内であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型不純物はp型不純物であり、前記第4の工程における第1導電型不純物はインジウム(In)又はボロン(B)であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型不純物はn型不純物であり、前記第4の工程における第1導電型不純物は砒素(As)又はアンチモン(Sb)であることを特徴
とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第4の工程後、さらに、前記ゲート電極及びその側壁に形成された絶縁膜に対し自己整合的に第1導電型不純物をイオン注入して第3のソース・ドレイン領域を形成する第5の工程を有することを特徴とする請求項1乃至4何れか一記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4の工程において、前記半導体基板を冷却しながら前記第2のソース・ドレイン領域を形成することを特徴とする請求項1乃至5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の冷却は−100°C以下であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003367284A JP2004260132A (ja) | 2003-02-05 | 2003-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003028852 | 2003-02-05 | ||
JP2003367284A JP2004260132A (ja) | 2003-02-05 | 2003-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004260132A true JP2004260132A (ja) | 2004-09-16 |
Family
ID=33133700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003367284A Pending JP2004260132A (ja) | 2003-02-05 | 2003-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (2)
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