JP2009533546A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板表面上にシリコン含有材料をエピタキシャル形成する方法において、
   単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びその組合せより成るグループから選択された第２の表面とを含む基板をプロセスチャンバー内に位置させるステップと、
   シリコンソースと、ハロゲン含有化合物を含む担体ガスとで構成された堆積ガスに上記基板を露出して、上記単結晶表面にはエピタキシャル層を、上記第２の表面には多結晶層を堆積するステップと、
   エッチングガスに上記基板を露出して、上記多結晶層及びエピタキシャル層をエッチングするステップと、
   を備えた方法。
2. 前記ハロゲン含有化合物は、ＨＣｌを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記エッチングガスは、前記ハロゲン含有化合物を含む、請求項１に記載の方法。
4. 上記エピタキシャル層は、シリコンゲルマニウム、シリコン炭素、シリコンゲルマニウム炭素、及びその組合せより成るグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。
5. 基板表面上にシリコン含有材料をエピタキシャル形成する方法において、
   単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びその組合せより成るグループから選択された第２の表面とを含む基板をプロセスチャンバー内に位置させるステップと、
   シリコンソース及び担体ガスで構成された堆積ガスに上記基板を露出して、上記単結晶表面にはエピタキシャル層を、上記第２の表面には多結晶層を堆積するステップと、
   約６５０℃より低いプロセスチャンバー温度における塩素化炭化水素エッチングガスに上記基板を露出して、上記多結晶層及びエピタキシャル層をエッチングするステップと、
   を備えた方法。
6. 前記ハロゲン含有ガスは、ＨＣｌを含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記塩素化炭化水素は、塩化メチル、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化エチル、クロロアルケン、又はその組合せを含む、請求項５に記載の方法。
8. 前記塩素化炭化水素は、前記堆積ガスと同時に前記チャンバーへ流れ込む、請求項５に記載の方法。
9. 前記塩素化炭化水素は、前記堆積ガスと交互に前記チャンバーへ流れ込む、請求項５に記載の方法。
10. 上記エピタキシャル層は、シリコンゲルマニウム、シリコン炭素、シリコンゲルマニウム炭素、及びその組合せより成るグループから選択された材料を含む、請求項５に記載の方法。
11. 基板表面上にシリコン含有材料をエピタキシャル形成する方法において、
    シリコンソース及びＨＣｌを担体ガスとして含む堆積ガスに上記基板を露出するステップと、
    ＨＣｌをエッチングガスとして使用してエッチングを行うステップと、
    を備えた方法。
12. 上記堆積ガスは、更に、Ｃｌ_２、Ｈ_２、Ｎ_２、不活性ガス、又はその組合せを含む、請求項１１に記載の方法。
13. プロセスチャンバーに位置された基板上にシリコン含有材料をエピタキシャル形成する方法であって、上記基板は、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びその組合せより成るグループから選択された第２の表面とを含むものである方法において、
    上記プロセスチャンバーへのハロゲン含有ガスの流れを、上記単結晶表面にはエピタキシャル層を、上記第２の表面には多結晶層を堆積するための第１の流量に制御するステップと、
    上記プロセスチャンバーへのハロゲン含有ガスの流量を、上記多結晶層及びエピタキシャル層をエッチングするための第２の流量に制御するステップと、
    を備えた方法。
14. 上記第１の流量におけるハロゲン含有ガスと、上記第２の流量におけるハロゲン含有ガスは、同じものである、請求項１３に記載の方法。
15. 前記ハロゲン含有ガスは、ＨＣｌを含む、請求項１４に記載の方法。