JPH0750690B2 - ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置 - Google Patents
ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置Info
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- JPH0750690B2 JPH0750690B2 JP4222772A JP22277292A JPH0750690B2 JP H0750690 B2 JPH0750690 B2 JP H0750690B2 JP 4222772 A JP4222772 A JP 4222772A JP 22277292 A JP22277292 A JP 22277292A JP H0750690 B2 JPH0750690 B2 JP H0750690B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハロゲン化物を用いる
半導体結晶のエピタキシャル成長過程において、Ｈ2 分
子による表面からのハロゲン原子の除去反応の速度を加
速する技術に関するものである。
半導体結晶のエピタキシャル成長過程において、Ｈ2 分
子による表面からのハロゲン原子の除去反応の速度を加
速する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハロゲン化物、例えば塩化物を用いる半
導体結晶のエピタキシャル成長過程においては、結晶を
構成するＧａやＳｉなどの原子は、ＧａＣｌやＳｉＣｌ
2 などの塩化物分子の形で成長中の基板に供給され、そ
の表面に吸着される。吸着後もＣｌ原子は表面に残留す
るが、Ｃｌ原子を除去しない限り次の面の成長を得るこ
とが出来ない。従来技術では、この表面残留のＣｌ原子
を塩化物分子のキャリアガスとして同時に供給されるＨ
2 分子との反応によりＨＣｌ分子として除去している。
また、除去体としてＨ2 分子をプラズマ分解して生成さ
せたＨ原子ラジカルを用いることもある。
導体結晶のエピタキシャル成長過程においては、結晶を
構成するＧａやＳｉなどの原子は、ＧａＣｌやＳｉＣｌ
2 などの塩化物分子の形で成長中の基板に供給され、そ
の表面に吸着される。吸着後もＣｌ原子は表面に残留す
るが、Ｃｌ原子を除去しない限り次の面の成長を得るこ
とが出来ない。従来技術では、この表面残留のＣｌ原子
を塩化物分子のキャリアガスとして同時に供給されるＨ
2 分子との反応によりＨＣｌ分子として除去している。
また、除去体としてＨ2 分子をプラズマ分解して生成さ
せたＨ原子ラジカルを用いることもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術においてＨ2
分子を除去体として用いる場合、除去反応が吸熱的であ
るため、４０〜５０ｋｃａｌ／ｍｏｌもの活性化エネル
ギーが反応の進行に必要である。この活性化エネルギー
は、成長反応チェンバーの温度によってきまるＨ2 分子
の並進運動エネルギーに主に由来するため、Ｃｌ原子の
除去を進めるためには塩化物分子単体の表面吸着が得ら
れる温度よりも高い温度を設定する必要がある。原子層
エピタキシー法などのエピタキシャル成長法では、可能
な限り低い温度で行うことが高い制御性を得るために重
要である。しかし、Ｈ2 分子によるＣｌ原子除去では上
記の理由によってあまり低温にはできず、塩化物分子の
飽和吸着条件で決まる本来の制御精度を維持できないと
いうジレンマがある。しかも、Ｈ2 分子と表面Ｃｌ原子
との除去反応が面成長の１サイクルの中の律速段階であ
るため、この反応を加速しない限り全結晶成長時間の短
縮が難しいという状況にある。
分子を除去体として用いる場合、除去反応が吸熱的であ
るため、４０〜５０ｋｃａｌ／ｍｏｌもの活性化エネル
ギーが反応の進行に必要である。この活性化エネルギー
は、成長反応チェンバーの温度によってきまるＨ2 分子
の並進運動エネルギーに主に由来するため、Ｃｌ原子の
除去を進めるためには塩化物分子単体の表面吸着が得ら
れる温度よりも高い温度を設定する必要がある。原子層
エピタキシー法などのエピタキシャル成長法では、可能
な限り低い温度で行うことが高い制御性を得るために重
要である。しかし、Ｈ2 分子によるＣｌ原子除去では上
記の理由によってあまり低温にはできず、塩化物分子の
飽和吸着条件で決まる本来の制御精度を維持できないと
いうジレンマがある。しかも、Ｈ2 分子と表面Ｃｌ原子
との除去反応が面成長の１サイクルの中の律速段階であ
るため、この反応を加速しない限り全結晶成長時間の短
縮が難しいという状況にある。
【０００４】一方、プラズマ分解などで生成されるＨ原
子ラジカルを除去体とする場合、Ｈ2 分子の場合とは異
なり温度的な制約条件なしにＣｌ原子除去が出来るが、
その反応性の高さゆえに表面のエッチングなどの望まし
くない副作用が伴うという問題がある。
子ラジカルを除去体とする場合、Ｈ2 分子の場合とは異
なり温度的な制約条件なしにＣｌ原子除去が出来るが、
その反応性の高さゆえに表面のエッチングなどの望まし
くない副作用が伴うという問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、ハロゲン原
子の除去体として振動励起させたＨ2 分子を用いる。こ
こで、Ｈ2 分子の並進エネルギーが大きい必要はない。
すなわち、温度を従来よりも低く抑えることが可能であ
る。励起によって与えられた過剰の振動エネルギーは、
反応の進行に伴いハロゲン化水素分子を生成させるよう
な並進エネルギーに変換され、加熱によって並進エネル
ギーを高めるよりも効率良く反応を進めることができ
る。図１に示すように、マイクロ波ないしは誘導ラマン
レーザの照射によってＨ2 分子を振動励起させるキャビ
ティー１．１につながるノズル１．２を成長表面に近接
して設置することにより、失活を抑えて振動励起させた
Ｈ2分子１．４を表面の残留ハロゲン（この例ではＣ
ｌ）原子団１．５に供給する。振動励起キャビティー及
び随伴するノズル部分を含めた成長チェンバーの模式図
を図２に与える。ノズル口の位置はアクチュエータ（図
１の１．３）によって、成長させるべき結晶の形状に応
じて成長中、自由に設定できる。図２に示した装置を用
いることにより、従来よりも低温の条件下で制御性の高
いエピタキシャル成長をより短時間で達成することがで
きる。
子の除去体として振動励起させたＨ2 分子を用いる。こ
こで、Ｈ2 分子の並進エネルギーが大きい必要はない。
すなわち、温度を従来よりも低く抑えることが可能であ
る。励起によって与えられた過剰の振動エネルギーは、
反応の進行に伴いハロゲン化水素分子を生成させるよう
な並進エネルギーに変換され、加熱によって並進エネル
ギーを高めるよりも効率良く反応を進めることができ
る。図１に示すように、マイクロ波ないしは誘導ラマン
レーザの照射によってＨ2 分子を振動励起させるキャビ
ティー１．１につながるノズル１．２を成長表面に近接
して設置することにより、失活を抑えて振動励起させた
Ｈ2分子１．４を表面の残留ハロゲン（この例ではＣ
ｌ）原子団１．５に供給する。振動励起キャビティー及
び随伴するノズル部分を含めた成長チェンバーの模式図
を図２に与える。ノズル口の位置はアクチュエータ（図
１の１．３）によって、成長させるべき結晶の形状に応
じて成長中、自由に設定できる。図２に示した装置を用
いることにより、従来よりも低温の条件下で制御性の高
いエピタキシャル成長をより短時間で達成することがで
きる。
【０００６】Ｈ2 分子は、振動状態としては励起されて
いても電子状態としては基底状態にあり、Ｈ−Ｈ間の化
学結合は保持されているのでハロゲン原子部分以外への
活性は低く、プラズマ分解などで生成されるＨ原子ラジ
カルを除去体とする場合と異なり、エッチング等の副次
効果の問題は生じない。
いても電子状態としては基底状態にあり、Ｈ−Ｈ間の化
学結合は保持されているのでハロゲン原子部分以外への
活性は低く、プラズマ分解などで生成されるＨ原子ラジ
カルを除去体とする場合と異なり、エッチング等の副次
効果の問題は生じない。
【０００７】
【作用】Ｈ2 分子の持っている運動エネルギーは、並進
運動の分（Ｅt r a ）、振動運動の分（Ｅv i b ）、及
び回転運動の分（Ｅr o t ）の和で与えられる。結晶成
長の反応チェンバーで設定される４００〜１０００°Ｃ
までの温度領域では、各々のエネルギーはＥt r a ＝
（３／２）ＲＴ（Ｒは気体定数、Ｔは絶対温度）、Ｅ
v i b ＝（ｖ＋（１／２））ｈν（ｖは振動の量子数、
ｈはプランク定数、νは振動数で、Ｈ2 のｈνは０．５
５ｅＶである）、及びＥr o t ＝ＲＴで与えられる。こ
の内、回転エネルギーは今注目しているハロゲン（ここ
ではＣｌ）原子の除去反応への寄与は本質的ではないと
考えられ、以下では議論の対象としない。
運動の分（Ｅt r a ）、振動運動の分（Ｅv i b ）、及
び回転運動の分（Ｅr o t ）の和で与えられる。結晶成
長の反応チェンバーで設定される４００〜１０００°Ｃ
までの温度領域では、各々のエネルギーはＥt r a ＝
（３／２）ＲＴ（Ｒは気体定数、Ｔは絶対温度）、Ｅ
v i b ＝（ｖ＋（１／２））ｈν（ｖは振動の量子数、
ｈはプランク定数、νは振動数で、Ｈ2 のｈνは０．５
５ｅＶである）、及びＥr o t ＝ＲＴで与えられる。こ
の内、回転エネルギーは今注目しているハロゲン（ここ
ではＣｌ）原子の除去反応への寄与は本質的ではないと
考えられ、以下では議論の対象としない。
【０００８】さて、振動励起を行わない場合は、Ｈ2 分
子の振動量子数ｖは最低状態の０にあり、吸熱反応であ
るＣｌ原子の除去反応の活性化障壁の乗り越え確率を増
して反応速度を加速するためには、温度を高めて並進エ
ネルギーを増やさねばならない。しかし、吸熱反応では
活性化エネルギーの大きさを決める遷移状態は、反応座
標で言って反応始源系ではなく反応生成系に近い位置に
あり、加熱による並進エネルギーの増加によって得られ
る加速効果は、振動エネルギーの増加による効果に比べ
れば小さい。そこで、Ｈ2 分子に対して振動励起を行っ
てｖ＞０とすれば、より低い並進エネルギー、すなわち
より低い温度条件でＣｌ原子除去の反応を加速すること
が可能である。これを図３と図４の反応軌跡の模式図に
示すが、ここで横軸は表面のＣｌ原子とＨ2 分子の距
離、縦軸はＨ2 分子内の核間距離である。また、等高線
の右下の部分が始源系（入口）、左上の部分が生成系
（出口）、そして×印が遷移状態である。図３は、Ｈ2
分子の振動励起を行わず、並進エネルギーを大きくした
場合の典型的な古典軌跡である。このように、遷移状態
に至る前に始源系へ反射される確率が高く、反応速度は
あまり大きくならない。一方、図４に示すようにＨ2 分
子に対して振動励起を行った場合は、図３よりも低い並
進エネルギーにも関わらず、かなりの振動エネルギーが
反応経路の曲がった所で並進エネルギーに変換されるた
め、遷移状態を越えて反応が進行する確率が高い。すな
わち、Ｈ2 分子を振動励起させることによって表面Ｃｌ
原子の除去反応は加速される。
子の振動量子数ｖは最低状態の０にあり、吸熱反応であ
るＣｌ原子の除去反応の活性化障壁の乗り越え確率を増
して反応速度を加速するためには、温度を高めて並進エ
ネルギーを増やさねばならない。しかし、吸熱反応では
活性化エネルギーの大きさを決める遷移状態は、反応座
標で言って反応始源系ではなく反応生成系に近い位置に
あり、加熱による並進エネルギーの増加によって得られ
る加速効果は、振動エネルギーの増加による効果に比べ
れば小さい。そこで、Ｈ2 分子に対して振動励起を行っ
てｖ＞０とすれば、より低い並進エネルギー、すなわち
より低い温度条件でＣｌ原子除去の反応を加速すること
が可能である。これを図３と図４の反応軌跡の模式図に
示すが、ここで横軸は表面のＣｌ原子とＨ2 分子の距
離、縦軸はＨ2 分子内の核間距離である。また、等高線
の右下の部分が始源系（入口）、左上の部分が生成系
（出口）、そして×印が遷移状態である。図３は、Ｈ2
分子の振動励起を行わず、並進エネルギーを大きくした
場合の典型的な古典軌跡である。このように、遷移状態
に至る前に始源系へ反射される確率が高く、反応速度は
あまり大きくならない。一方、図４に示すようにＨ2 分
子に対して振動励起を行った場合は、図３よりも低い並
進エネルギーにも関わらず、かなりの振動エネルギーが
反応経路の曲がった所で並進エネルギーに変換されるた
め、遷移状態を越えて反応が進行する確率が高い。すな
わち、Ｈ2 分子を振動励起させることによって表面Ｃｌ
原子の除去反応は加速される。
【０００９】
【実施例】ＧａＣｌ分子を用いるＧａＡｓ結晶成長にお
いてＧａ原子層を析出させる場合について述べる。Ｈ2
分子の振動励起は、Ｚｈｕらの方法（ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジクス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．）６７（１９９０）６０４）に従い、Ａｒ原子とＨ
2 分子の混合ガスにマイクロ波を照射して行い、振動準
位が０から１に励起されたＨ2 分子を得た。これを図２
に示すような配置からＧａＣｌ分子の供給と同時に成長
面に吹き出させた。振動励起を用いず、キャリヤーＨ2
分子ガスの並進エネルギーだけを活性化エネルギーに当
てる場合は、成長チェンバー内の温度は５００°Ｃ程度
に設定しなければＣｌ原子の除去反応は起こらない。し
かし、本実施例において振動励起Ｈ2 を利用した場合、
２００°ＣでもＣｌ原子の除去が達成できた。また、Ｇ
ａ面１層の成長時間も従来の１／５に短縮された。ま
た、図５に示すようにエッチング加工によって得た溝構
造を形成したＧａＡｓ結晶板５．１の側壁部分への成長
の場合では、Ａｓの供給と組み合わせた原子層エピタキ
シャル成長においても、従来より均一性の高い、すなわ
ち制御性のよい成長層５．２を得ることができた。以上
の実施例ではＧａＡｓの成長について述べたが、ＳｉＣ
ｌ2 分子を用いるＳｉエピタキシャル結晶成長において
も同様に適用することができる。
いてＧａ原子層を析出させる場合について述べる。Ｈ2
分子の振動励起は、Ｚｈｕらの方法（ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジクス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．）６７（１９９０）６０４）に従い、Ａｒ原子とＨ
2 分子の混合ガスにマイクロ波を照射して行い、振動準
位が０から１に励起されたＨ2 分子を得た。これを図２
に示すような配置からＧａＣｌ分子の供給と同時に成長
面に吹き出させた。振動励起を用いず、キャリヤーＨ2
分子ガスの並進エネルギーだけを活性化エネルギーに当
てる場合は、成長チェンバー内の温度は５００°Ｃ程度
に設定しなければＣｌ原子の除去反応は起こらない。し
かし、本実施例において振動励起Ｈ2 を利用した場合、
２００°ＣでもＣｌ原子の除去が達成できた。また、Ｇ
ａ面１層の成長時間も従来の１／５に短縮された。ま
た、図５に示すようにエッチング加工によって得た溝構
造を形成したＧａＡｓ結晶板５．１の側壁部分への成長
の場合では、Ａｓの供給と組み合わせた原子層エピタキ
シャル成長においても、従来より均一性の高い、すなわ
ち制御性のよい成長層５．２を得ることができた。以上
の実施例ではＧａＡｓの成長について述べたが、ＳｉＣ
ｌ2 分子を用いるＳｉエピタキシャル結晶成長において
も同様に適用することができる。
【００１０】
【発明の効果】Ｈ2 分子によるＣｌ原子の除去反応に対
して、以上述べたように本発明によれば、成長チェンバ
ーの加熱によらず反応速度を加速できるので、従来より
も低温の条件で制御性の高いエピタキシャル成長を短時
間で得ることが可能である。従って量子細線、量子井戸
等の微細構造をより高精度にしかも短時間に作製するこ
とができる。
して、以上述べたように本発明によれば、成長チェンバ
ーの加熱によらず反応速度を加速できるので、従来より
も低温の条件で制御性の高いエピタキシャル成長を短時
間で得ることが可能である。従って量子細線、量子井戸
等の微細構造をより高精度にしかも短時間に作製するこ
とができる。
【図１】成長中の基板表面に隣接して設置されたＨ2 分
子ガスを振動励起させるキャビティー部分、及びキャビ
ティー部から導かれたガス噴出ノズル部分の模式図であ
る。
子ガスを振動励起させるキャビティー部分、及びキャビ
ティー部から導かれたガス噴出ノズル部分の模式図であ
る。
【図２】振動励起させたＨ2 分子ガスを供給する部分を
含む塩化物エピタキシャル成長装置の見取り図である。
含む塩化物エピタキシャル成長装置の見取り図である。
【図３】表面上に２個残ったＣｌ原子にＨ2 分子が衝突
して２個のＨＣｌ分子を生成する吸熱反応において、Ｈ
2 分子の並進エネルギーを大きく、振動エネルギーを小
さく与えた場合のポテンシャルエネルギー曲面上の典型
的な古典軌跡図である。
して２個のＨＣｌ分子を生成する吸熱反応において、Ｈ
2 分子の並進エネルギーを大きく、振動エネルギーを小
さく与えた場合のポテンシャルエネルギー曲面上の典型
的な古典軌跡図である。
【図４】表面上に２個残ったＣｌ原子にＨ2 分子が衝突
して２個のＨＣｌ分子を生成する吸熱反応において、Ｈ
2 分子の並進エネルギーを小さく、振動エネルギーを大
きく与えた場合のポテンシャルエネルギー曲面上の典型
的な古典軌跡図である。
して２個のＨＣｌ分子を生成する吸熱反応において、Ｈ
2 分子の並進エネルギーを小さく、振動エネルギーを大
きく与えた場合のポテンシャルエネルギー曲面上の典型
的な古典軌跡図である。
【図５】ＧａＡｓ結晶の溝部分の側壁に原子層エピタキ
シャルを成長させた構造の模式図である。
シャルを成長させた構造の模式図である。
１．１ Ｈ2 分子ガスを振動励起させるマイクロ波等の
エネルギーを供給する部分を有するキャビティー １．２ キャビティーにおいて励起されたＨ2 分子を導
いて成長基板近傍に噴出させるノズル部 １．３ ノズル部分を最適位置に動かすアクチュエータ １．４ 振動励起されたＨ2 分子 １．５ 表面に残されたＣｌ原子 １．６ 反応により生じたＨＣｌ分子 １．７ 結晶基板 ２．１ 成長チェンバー外壁 ２．２ 成長基板 ２．３ 塩化物分子など結晶成長ソースガスをチェンバ
ー内に導入するダクト群 ２．４ 振動励起させたＨ2 分子ガスを基板表面に供給
する装置 ２．５ ポンプへつながる排気ダクト ５．１ 溝構造を持つＧａＡｓ結晶本体 ５．２ 新たにエピタキシャル成長させたＧａＡｓ層
エネルギーを供給する部分を有するキャビティー １．２ キャビティーにおいて励起されたＨ2 分子を導
いて成長基板近傍に噴出させるノズル部 １．３ ノズル部分を最適位置に動かすアクチュエータ １．４ 振動励起されたＨ2 分子 １．５ 表面に残されたＣｌ原子 １．６ 反応により生じたＨＣｌ分子 １．７ 結晶基板 ２．１ 成長チェンバー外壁 ２．２ 成長基板 ２．３ 塩化物分子など結晶成長ソースガスをチェンバ
ー内に導入するダクト群 ２．４ 振動励起させたＨ2 分子ガスを基板表面に供給
する装置 ２．５ ポンプへつながる排気ダクト ５．１ 溝構造を持つＧａＡｓ結晶本体 ５．２ 新たにエピタキシャル成長させたＧａＡｓ層
Claims (2)
- 【請求項１】 ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピ
タキシャル成長方法において、振動励起させたＨ2 分子
を基板表面に供給することを特徴とするエピタキシャル
成長方法。 - 【請求項２】 Ｈ2 分子を振動励起させるキャビティー
と、Ｈ2 分子を出す開口部とを有し、基板と開口部との
距離を変化させ基板と開口部を近接させて振動励起分子
の失活を防ぐ手段を有する振動励起分子供給装置を備え
たことを特徴とするエピタキシャル結晶成長装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4222772A JPH0750690B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置 |
| US08/110,116 US5469806A (en) | 1992-08-21 | 1993-08-20 | Method for epitaxial growth of semiconductor crystal by using halogenide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4222772A JPH0750690B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196406A JPH06196406A (ja) | 1994-07-15 |
| JPH0750690B2 true JPH0750690B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=16787650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4222772A Expired - Lifetime JPH0750690B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5469806A (ja) |
| JP (1) | JPH0750690B2 (ja) |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08193267A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Nec Corp | 金属薄膜成膜方法 |
| US6342277B1 (en) | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| WO2002019363A2 (en) * | 2000-08-28 | 2002-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pre-polycoating of glass substrates |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
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1992
- 1992-08-21 JP JP4222772A patent/JPH0750690B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-08-20 US US08/110,116 patent/US5469806A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5469806A (en) | 1995-11-28 |
| JPH06196406A (ja) | 1994-07-15 |
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