CN103390386A

CN103390386A - 包括反馈电容器和复位电容器的像素电路及显示器系统

Info

Publication number: CN103390386A
Application number: CN2013101754961A
Authority: CN
Inventors: 戈尔拉玛瑞扎·恰吉
Original assignee: Ignis Innovation Inc
Current assignee: Ignis Innovation Inc
Priority date: 2012-05-11
Filing date: 2013-05-13
Publication date: 2013-11-13
Also published as: US20190371242A1; US10818231B2; EP2662852B1; US20220114963A1; US20170323599A1; EP2662852A2; EP2662852A3; US11244615B2; US20130300724A1; US9747834B2; US10424245B2; US20210043142A1

Abstract

具有用于驱动电流驱动型发射元件的像素电路的显示器包括串联连接在该像素电路的所述发射元件和编程节点之间的反馈电容器。在驱动期间，由于通过驱动晶体管在所述发射元件中传输的电流的变化而导致的所述发射元件的工作电压的变化得到消除。所述反馈电容器在编程节点处产生与所述发射元件处的变化相应的电压调节，并因而减少了光发射的变化。连接至选择线的复位电容器被选择性地连接到所述驱动晶体管的栅极端子并在编程之前复位所述驱动晶体管。所述选择线调节所述栅极端子处的电压，以通过由所述复位电容器在所述选择线和所述栅极端子之间建立的电容性耦合来复位所述驱动晶体管。

Description

包括反馈电容器和复位电容器的像素电路及显示器系统

技术领域

本发明大体上涉及用于对显示器进行驱动、校准和编程的电路和方法，尤其涉及诸如有源矩阵有机发光二极管显示器之类的包括发射元件和驱动晶体管的显示器。

背景技术

能够通过如下发光器件的阵列来创建显示器：每个发光器件均受控于个别的电路（即，像素电路），这些电路具有晶体管，所述晶体管用于对所述电路进行选择性地控制以使所述发光器件被编程有显示信息并根据显示信息发光。可以将在基板上制作的薄膜晶体管（TFT）结合到这类显示器中。包括电流驱动型发射元件的显示器可以通过与发射元件串联连接从而根据编程信息通过发射元件来传输电流的每个像素电路中的驱动晶体管来进行操作。可以将存储电容器包含在每个像素电路中以接收基于编程信息的电压并将该电压施加到驱动晶体管。在多晶硅上制作的TFT在整个显示器面板上且随着时间推移往往表现出非一致性行为。此外，发射元件随着时间推移而劣化，并且随着时间推移可能需要增加所施加的电压以维持亮度水平。因此，一些显示器利用补偿技术来实现TFT面板中的图像一致性。

经补偿的像素电路通常在促使速度、像素间距（pixel-pitch）（像素密度）和一致性达到极限时具有缺点，这导致需要权衡设计以对编程速度、像素间距和一致性之间的冲突性需求进行平衡。例如，与每个像素电路相关的额外的线路和晶体管可以允许额外的补偿以实现更好的一致性，但这不受期望地降低了像素密度。在另一例子中，可以通过使用相对高的偏置电流或初始电荷对每个像素电路进行偏置或预充电来增加编程速度，但是需要通过利用相对低的偏置电流或初始电荷来增强一致性。因而，显示器设计者被迫在编程速度、像素间距和一致性的冲突性需求之间做出权衡。

被构造成用于对移动图像的视频节目（video feed）进行显示的显示器经常针对正在显示的视频节目的每一帧以固定频率刷新该显示器。包含有源矩阵的显示器能够允许各个像素电路在编程阶段期间被编程有显示信息且然后在发射阶段期间根据显示信息发光。显示器进行操作以基于显示器的刷新速率和显示器的尺寸在时序预算（timing budget）期间对显示器中的每个像素进行编程。显示器的刷新速率也可受到视频流的帧速率的影响。

发明内容

本发明的一些实施例提供了用于显示器系统的像素电路及其驱动方案。这里，所述像素电路设有一个或多个电容器，所述电容器布置成电容性地耦合到所述像素电路的数据节点。所述电容器用于调节数据节点处的电压以接收编程信息和/或消除像素电路中的半导体元件的动态不稳定性。在一些示例中，在对像素电路进行编程之前，通过调节选择线电压对数据节点进行复位，其中对选择线电压的调节同时开启了开关晶体管并将数据节点电容性地耦合到选择线以使得数据线上的电压调节在数据节点处产生了相应的电压变化。在一些示例中，设置有电容器以用于在发射操作期间自动地调节数据节点，以消除由于像素电路中的诸如驱动晶体管和/或发射元件等半导体元件的操作的动态不稳定性而引起的电压不稳定性和/或电压变化。

在本发明的一些实施方式中，披露了一种像素电路。所述像素电路可以包括驱动晶体管、发射控制晶体管和反馈电容器。所述驱动晶体管可以包括栅极端子并可以被布置成用于传输经过发光器件的驱动电流。所述驱动电流可以根据所述栅极端子上的电压而被传输。所述发射控制晶体管可以串联连接在所述驱动晶体管和所述发光器件之间。所述反馈电容器可以连接在所述发光器件和所述驱动晶体管的所述栅极端子之间，使得所述发光器件两端间的电压变化在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生了相应的电压变化。因此，如果像素电流由于像素元件的任何不稳定性而轻微变化，那么发光器件两端间的电压（例如OLED工作电压）将发生变化，且因此通过反馈电容器改变驱动晶体管的栅极电压以恢复像素电流。

在本发明的一些实施方式中，提供了一种显示器系统，该显示器系统包括布置成行和列的多个像素电路。所述多个像素电路中的每个像素电路可以包括驱动晶体管、发射控制晶体管和反馈电容器。所述驱动晶体管可以包括栅极端子并可以被布置成用于传输经过发光器件的驱动电流。所述驱动电流可以根据所述栅极端子上的电压而被传输。所述发射控制晶体管可以串联连接在所述驱动晶体管和所述发光器件之间。所述反馈电容器可以连接在所述发光器件和所述驱动晶体管的所述栅极端子之间，使得所述发光器件两端间的电压变化在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生了相应的电压变化。

在本发明的一些实施方式中，提供了一种像素电路，该像素电路包括驱动晶体管、第一开关晶体管和复位电容器。所述驱动晶体管可以包括栅极端子且可以被布置成用于传输经过发光器件的驱动电流。所述驱动电流可以根据所述驱动晶体管的所述栅极端子上的电压而被传输。所述第一开关晶体管可以连接在所述驱动晶体管的所述栅极端子和所述像素电路的节点之间。所述复位电容器可以连接在所述节点和复位线之间，以便在所述第一开关晶体管开启时所述复位线电容性地耦合到所述驱动晶体管的所述栅极端子。在一些实施方式中，所述复位线可以在需要时控制所述第一开关晶体管，使得通过调节所述复位线上的电压来实现的所述开关晶体管的开启同时在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生了电压变化。

在本发明的一些实施方式中，提供一种用于操作像素电路的方法。所述像素电路可以包括驱动晶体管、复位电容器和第一开关晶体管。所述驱动晶体管可以包括栅极端子且可以被布置成用于传输经过发光器件的驱动电流。所述驱动电流可以根据所述栅极端子上的电压而被传输。所述电容器可以连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子以用于根据编程信息向所述栅极端子施加电压。所述第一开关晶体管可以连接在所述驱动晶体管的所述栅极端子和所述像素电路的节点之间。所述复位电容器可以连接在所述节点和复位线之间，以便在所述第一开关晶体管开启时所述复位线电容性地耦合到所述驱动晶体管的所述栅极端子。所述方法可以包括：开启所述第一开关晶体管；调节所述复位线上的电压，以经由所述复位晶体管的电容性耦合在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生电压变化；根据编程信息对所述像素电路进行编程；及驱动所述像素电路以根据所述编程信息发光。

对于本领域的普通技术人员来说，在阅读了本发明的各实施方式和/或各方面的详细说明之后，本发明的前述的和其它的方面及实施方式将变得更加清楚。上述详细说明是通过参照附图进行的，接下来将对这些附图进行简单说明。

附图说明

在阅读了下面的详细描述及参照了附图之后，本发明的上述优点及其它优点将变得更加明显。

图1是包括地址驱动器、数据驱动器、控制器、存储器和显示器面板的示例性显示器系统的图。

图2是用于包含反馈电容器的显示器的示例性像素电路构造的电路图。

图3A是具有用于图2所表示的像素电路的示例性开关电路布置的电路图。

图3B是示出了图3A所示的像素电路的编程和发射操作的时序图，其中反馈电容器自动地消除OLED的工作电压的偏移。

图4A是具有用于图2所表示的像素电路的另一示例性开关电路布置的电路图。

图4B是示出了图4A所示的像素电路的编程和发射操作的时序图，其中反馈电容器自动地消除OLED的工作电压的偏移。

图5A是具有用于图2所表示的像素电路的另一示例性开关电路布置的电路图。

图5B是示出了图5A所示的像素电路的编程和发射操作的时序图，其中反馈电容器自动地消除OLED的工作电压的偏移。

图6A是包括布置成用于经由地址选择线来复位驱动晶体管的复位电容器的像素电路的电路图。

图6B是图6A所示的像素电路的编程和驱动操作的时序图。

图7A是与图6A所示的像素电路相类似并且还包括用于在编程期间防止发射的发射控制晶体管的像素电路的电路图。

图7B是图7A所示的像素电路的编程和驱动操作的时序图。

图8A是包括布置成用于经由地址选择线来复位驱动晶体管的复位电容器且包括经由第一开关晶体管与驱动晶体管的栅极端子连接的编程电容器的另一像素电路的电路图。

图8B是图8A所示的像素电路的复位、补偿、编程和驱动操作的时序图。

图9A是与图8A所示的像素电路相类似但布置有用于经由复位选择线来复位驱动晶体管的复位电容器的另一像素电路的电路图。

图9B是与图9A所示的像素电路相类似但还包括反馈电容器的另一像素电路的电路图。

图9C是图9A和图9B所示的像素电路的复位、补偿、编程和驱动操作的时序图。

图10是布置成在多个像素电路之间共用公共的编程电容器和复位电容器的显示器系统的一部分的框图。

虽然本发明可以容易地做出各种变形和替代形式，但在附图中以示例的方式示出了具体实施方式和实施例并且在本文中将会对这些具体实施方式和实施例进行详细说明。然而，应当理解，本发明不限于所披露的特定形式。相反，本发明覆盖了落入由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有变形、等同物和替代形式。

具体实施方式

通过示例的方式描述了一个或多个当前优选的实施方式。本领域技术人员应当清楚，在不偏离权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以做出多种修改和变形。

通过使用可以由不同的制造技术（这些制造技术例如包括但不限于非晶硅、多晶硅、金属氧化物、常规CMOS、有机、纳米/微晶半导体或它们的组合）制造的显示器系统来说明本发明的实施方式。显示器系统包括可具有晶体管、电容器和发光器件的像素。晶体管可通过各种各样的材料系技术来实现，这些材料系技术包括非晶Si、微/纳米晶Si、多晶Si、有机/聚合物材料和相关的纳米复合材料、半导体氧化物或它们的组合的。电容器可具有不同的结构，这些结构包括金属-绝缘体-金属和金属-绝缘体-半导体。发光器件可以例如是但不限于有机发光二极管（OLED）。显示器系统可以是但不限于有源矩阵OLED（AMOLED）显示器系统。

在本文中，“像素电路”和“像素”可以交换使用。每个晶体管可具有栅极端子和两个其它端子（第一和第二端子）。在本文中，晶体管的两个其它端子中的一个端子（例如第一端子）可对应于但不限于漏极端子。晶体管的另一端子（例如第二端子）对应于但不限于源极端子。第一端子和第二端子也可分别指源极端子和漏极端子。

图1是示例性显示器系统50的图。显示器系统50包括地址驱动器8、数据驱动器4、控制器2、存储器6和显示器面板20。显示器面板20包括布置成行和列的像素10的阵列。每个像素10可被分别编程以发出具有可分别编程的亮度值的光。控制器2接收数字数据，该数字数据用于指示将要在显示器面板20上显示的信息（例如视频流）。控制器2向数据驱动器4发送信号32并且向地址驱动器8发送调度信号（schedulingsignal）34，以驱动该显示器面板20中的像素10来显示所指示的信息。因而，与显示器面板20相关的多个像素10包括适于根据控制器2所接收的输入数字数据来动态地显示信息的显示器阵列（显示器屏幕）。显示器屏幕可以显示例如来自控制器2所接收的视频数据流的视频信息。电压电源14可提供恒定的电源电压或者可以是由来自控制器2的信号38控制的可调节电压电源。显示器系统50也可包括如下像素电路（例如像素10中的任一像素）：这些像素电路包括用于消除像素10内的发射元件的电压变化的反馈电容器（例如结合图2至图5B所讨论的反馈电容器）。另外或可替代地，显示器系统50可包括如下像素电路（例如像素10中的任一像素）：这些像素电路包括复位电容器（例如结合图6A至图10所讨论的复位电容器），复位电容器用于经由复位电容器与地址选择线和/或复位线之间的电容性耦合在编程事件之间使驱动晶体管及其相关的存储电容器复位。

出于示例性目的，图1中的显示器系统50通过显示器面板20中的仅四个像素10进行图例说明。应当理解，显示器系统50可被实施为具有包括诸如像素10等类似像素的阵列的显示器屏幕，且显示器屏幕不限于特定数量的行和列的像素。例如，显示器系统50可被实施为具有通常可用在移动设备、监视器类设备和/或投影设备的显示器中的多行和多列像素的显示器屏幕。

通过驱动电路来操作像素10（像素电路），该驱动电路通常包括驱动晶体管和发光器件。在下文中，像素10可以指像素电路。发光器件视情况而定可以是有机发光二极管，但本发明的实施例适用于具有其它电致发光器件（包括电流驱动型发光器件）的像素电路。像素10中的驱动晶体管可包括薄膜晶体管（TFT），TFT视情况而定可以是n型或p型的非晶硅TFT或多晶硅TFT。然而，本发明的实施例不限于具有晶体管的特定极性或材料的像素电路或不仅限于具有TFT的像素电路。像素电路10还可包括存储电容器，存储电容器用于存储编程信息并允许像素电路10对已被寻址的发光器件进行驱动。因此，显示器面板20可以是有源矩阵显示器阵列。

如图1所示，在显示器面板20中被图示为左上像素的像素10连接到选择线24i、电源线26i和27i、数据线22j及监视器线28j。第一电源线26i可被充电有VDD，而第二电源线27i可被充电有VSS。像素电路10可位于第一和第二电源线之间以在像素电路的发射周期期间允许驱动电流在两个电源线26i和27i之间流动。显示器面板20中的左上像素10在显示器面板中可对应于显示器面板20的第i行和第j列的像素。类似地，显示器面板20中的右上像素10表示第i行和第m列；左下像素10表示第n行和第j列；且右下像素10表示第n行和第m列。每个像素10连接到合适的选择线（例如选择线24i和24n）、电源线（例如电源线26i、26n和27i、27n）、数据线（例如数据线22j和22m）和监视器线（例如监视器线28j和28m）。注意，本发明的各个方面适用于具有诸如与其它选择线的连接等其它连接的像素，其它选择线包括通用的选择线；本发明的各个方面还适用于具有更少连接的像素，例如缺少与监视器线的连接的像素。

参照显示器面板20中所示的左上像素10，由地址驱动器8提供了选择线24i，并且选择线24i可用于例如通过启动开关或晶体管以允许数据线22j对像素10进行编程来使得能够进行像素10的编程操作。数据线22j将编程信息从数据驱动器4传输到像素10。例如，数据线22j可用于向像素10施加编程电压或编程电流以便对像素10进行编程以使其发出期望量的亮度。通过数据驱动器4经由数据线22j供应的编程电压（或编程电流）是如下电压（或电流）：该电压（或电流）适于使像素10根据控制器2所接收的数字数据发出具有期望量的亮度的光。可以在像素10的编程操作期间将编程电压（或编程电流）施加到像素10以对像素10内的诸如存储电容器等存储器件进行充电，由此能够使像素10在编程操作之后的发射操作期间发出具有期望量的亮度的光。例如，像素10中的存储器件可以在编程操作期间被充电，以在发射操作期间向驱动晶体管的栅极端子和源极端子中的一者或多者施加电压，由此使驱动晶体管根据存储器件中存储的电压来传输经过发光器件的驱动电流。

通常，在像素10中，在像素10的发射操作期间由驱动晶体管传输的经过发光器件的驱动电流是由第一电源线26i供应并流出到第二电源线27i的电流。第一电源线26i和第二电源线27i连接到电压电源14。第一电源线26i可提供正的电源电压（例如在电路设计中通常被称作“Vdd”的电压），而第二电源线27i可提供负的电源电压（例如在电路设计中通常被称作“Vss”的电压）。本发明的实施例可被实施成这样：电源线（例如电源线26i和27i）中的一者或另一者被固定成接地电压或其它参考电压。本发明的实施例也适用于如下系统：在该系统中，电压电源14被实施成用于可调节地控制电源线（例如电源线26i和27i）中的一者或两者上所提供的电压水平。可根据来自控制器2的控制信号38动态地调节电压电源14的输出电压。本发明的实施例也适用于如下系统：在该系统中，显示器面板20中的多于一行的像素共用电压电源线26i和27i中的一者或两者。

显示器系统50还包括监视器系统12。再次参照显示器面板20中的左上像素10，监视器线28j将像素10连接到监视器系统12。监视器系统12可与数据驱动器4集成在一起或者可以是分开的独立系统。此外，监视器系统12视情况而定可以通过如下方式来予以实现：在像素10的监视操作期间监视数据线22j的电流和/或电压，且监视器线28j能够被完全省略掉。另外，显示器系统50可被实施为不具有监视器系统12或监视器线28j。监视器线28j允许监视器系统12测量与像素10相关的电流和/或电压，并由此提取用于指示像素10的劣化的信息。例如，监视器系统12可经由监视器线28j提取在像素10内的驱动晶体管中流过的电流，且由此基于所测量到的电流并基于在测量期间施加到驱动晶体管的电压来确定驱动晶体管的阈值电压或它的偏移。而且，经由监视器线28j和28m所提取的电压可指示各个像素10的由于像素10的电流-电压特性的变化或由于位于像素10内的发光器件的工作电压的偏移而导致的劣化。

监视器系统12也可提取发光器件的工作电压（例如在发光器件正在操作以发光时该发光器件两端间的电压降）。然后，监视器系统12可以将信号32传达到控制器2和/或存储器6，以允许显示器系统50将所提取的劣化信息存储在存储器6中。在像素10的随后的编程和/或发射操作期间，控制器2经由存储器信号36从存储器6获取劣化信息，然后控制器12在像素10的随后的编程和/或发射操作中补偿所提取的劣化信息。例如，一旦提取了劣化信息，那么就可以对在随后的编程操作期间被传输到像素10的编程信息进行适当的调节，使得像素10发出具有期望量的亮度且与像素10的劣化无关的光。例如，可通过适当地增加施加到像素10的编程电压来补偿像素10内的驱动晶体管的阈值电压的增加。

如在本文中所进一步描述的那样，本发明的实施例适用于如下这些系统或它们的组合：一种系统是，其不包括为显示器面板20的每一列而设的单独监视器线，例如该系统是经由用于另一目的的线路（例如数据线22j）来提供监视反馈的系统；或另一种系统是，在不使用外部补偿/监视器系统的情况下在每个像素10内完成补偿的系统。

图2是用于包含反馈电容器118的显示器的示例性像素电路110构造的电路图。像素电路110可被实施成图1所示的显示器系统50中的像素10。像素电路110包括与发光器件114串联连接的驱动晶体管112。发光器件114例如可以是诸如有机发光二极管（OLED）等电流驱动型发射元件。像素电路110还包括存储电容器116，存储电容器116连接到驱动晶体管112以根据存储电容器116上所充电的电压来改变驱动晶体管112的沟道区域的电导。在图2提供的构造中，存储电容器116具有在节点A122处与驱动晶体管112的栅极相连接的第一端子，且具有与V_DD电源线26i相连接的第二端子。在一些实施方式中，存储电容器116的第二端子视情况而定可以连接到另一稳定电压（例如接地电压、参考电压等），该稳定电压足以允许根据经由数据线22j传输的编程电压对存储电容器116进行充电。

发射控制晶体管120串联连接在驱动晶体管112和发光器件114之间。发射控制晶体管120的位置被设置成用于防止发光器件114接收电流（并由此发光），除非发射控制晶体管120是开启的。发射控制晶体管120在节点B124处连接到发光器件114的阳极端子。通过与发射控制晶体管120的栅极相连接的发射控制线25i来操作发射控制晶体管120。在一些示例中，发射控制晶体管例如在发射时段之外的诸如对像素电路110进行编程时的时段等时段期间关闭，以防止像素电路110的意外发射并由此增加最终的显示器面板（例如显示器系统50的面板20）的对比度（contrast ratio）。

在数据线22j和存储电容器116之间（在节点A122处）布置有开关电路130，开关电路130用于选择性地将数据线22j连接到存储电容器116以对像素电路110进行编程。开关电路130可包括一个或多个开关晶体管，该开关晶体管根据选择线（例如图1所示的选择线24i）进行操作以将数据线22j上的编程信息提供到像素电路110。本文将会结合图3A至图5B进一步讨论开关电路的具体示例。

在节点B124和节点A122之间连接有反馈电容器118（C_FB）。即，反馈电容器118连接在发光器件114的阳极端子和驱动晶体管112的栅极端子之间。因而，反馈电容器118在发光器件114和驱动晶体管112的栅极端子之间提供了电容性耦合。例如，经由反馈电容器118的电容性耦合，节点B124处的电压的增加（其例如是由于发光器件的开启电压的增加而引起的）在节点A处导致相应的电压增加。此外，发光器件114的阳极端子（节点B124处）的电压在驱动操作期间的变化在驱动晶体管112的栅极端子处（节点A122处）产生了相应的电压变化。驱动晶体管112的栅极端子处（节点A122处）的电压的变化使得驱动晶体管112的沟道区域的电导（其是根据驱动晶体管112的栅极端子处的电压以及驱动晶体管112的电流-电压关系而建立的）发生改变，由此也导致了所传输的驱动电流的变化。因此，本发明的一些实施方式经由位于节点A122和节点B124之间的反馈电容器所提供的电容性耦合向驱动晶体管112提供反馈，以消除发光器件上的电压变化。

在像素电路110的示例性操作中，发射控制晶体管120在第一周期期间关闭。于是，发射控制线25i在第一周期期间被设定成高。在第一周期期间，节点B124被放电至V_OLED(off)，或者放电至V_SS+V_OLED(off)（此情况下发光器件114的阴极是连接到V_SS电源线27i而不是接地的）。电压V_OLED(off)是发光器件114的关闭电压（例如发光器件两端间的电压），此时没有电流流过发光器件114。

在第一周期之后的第二周期期间，通过发射控制线25i开启发射控制晶体管120，且驱动晶体管112使用电流i_DRIVE驱动发光器件114。发光器件114的电压增加以使节点B124处的电压增加至V_OLED(i_DRIVE)（或增加至V_SS+V_OLED(i_DRIVE)，此情况下发光器件114的阴极是连接到V_SS电源线27i的）。电压V_OLED(i_DRIVE)是发光器件114的在经由驱动晶体管112将电流i_DRIVE施加到发光器件114时的电压。如果驱动晶体管112的电流发生变化，则发光器件114上的电压（即节点B124处的电压）也将发生变化，这是因为在发光器件114两端间出现的电压通常取决于所传输的经过发光器件114的电流。由于节点B124处的上述变化，反馈电容器118将会根据下述方程1改变节点A122处的电压。

ΔV_A=ΔV_BC_FB/(C_FB+C_S) (1)

在方程1中，C_FB是反馈电容器118的电容，C_S是存储电容器116的电容，ΔV_B是节点B124处的电压的变化量（其例如是由于发光器件114的电压的变化而引起的），且ΔV_A是节点A122处的由于反馈电容器118的电容性耦合而引起的电压变化量。因此，经由反馈电容器118对节点A122的调节充当反馈，该反馈用于使驱动晶体管112的电流（即电流i_DRIVE）返回以修正发光器件上的电压变化。例如，当发光器件114的电压在节点B124处增加（其例如是由于驱动晶体管112中的不稳定性所导致的驱动电流的增加而引起的）时，反馈电容器118使节点A122处的电压增加，该增加使驱动晶体管112的栅极-源极电压减小，并由此减少了驱动电流从而至少部分地消除了上述增加。

在一些示例中，在发射控制晶体管120关闭时的第一周期可以是编程周期，且在发射控制晶体管120开启时的第二周期可以是发射周期。在本发明的一些实施方式中，反馈电容器布置成在发射操作期间自动地调节驱动晶体管112的栅极-源极电压，以修正像素电路110的一个或多个元件（例如驱动晶体管112和/或发光器件114）的不稳定性，并由此提供稳定的像素电流。

虽然开关电路130通常可根据像素电路110的特定实施例来进行布置，但下文结合图3A至图5B提供了示例性构造。

图3A是具有用于图2表示的像素电路的示例性开关电路布置的像素电路210的电路图。像素电路210可被实施成图1所示的显示器系统50中的像素10，且可以是被布置成行和列以形成诸如结合图1所描述的显示器面板20等显示器面板的多个类似像素电路中的一者。然而，注意，像素电路210不是必须包括监视器反馈线28j。此外，像素电路210包括第一选择线23i（SEL1）、第二选择线24i（SEL2）和发射控制线25i（EM）。像素电路210包括与发光器件214串联连接的驱动晶体管212。发光器件214例如可以是诸如有机发光二极管（OLED）等电流驱动型发射元件。

该像素电路被配置成经由编程电容器230（Cprg）对其进行编程，编程电容器230经由第一开关晶体管228在节点A222处连接到驱动晶体管212的栅极端子。像素电路210还包括第二开关晶体管226，第二开关晶体管226（在位于驱动晶体管212和发射控制晶体管220之间的点处）连接到驱动晶体管212的与V_DD电源线26i相反的端子。第一和第二开关晶体管228和226分别根据第一选择线23i和第二选择线24i进行操作。存储电容器216在节点A222处连接到驱动晶体管212的栅极，以根据存储电容器216上所充电的电压影响驱动晶体管212的沟道区域的电导。像素电路210还包括发射控制晶体管220，发射控制晶体管220根据发射控制线25i进行操作以在发射时段之外的时段期间断开发光器件214与驱动晶体管212的连接，从而在编程和/或补偿操作期间防止意外发射。驱动晶体管212、发射控制晶体管220和发光器件214串联连接，使得在发射控制晶体管220开启时，通过驱动晶体管212传输的电流也通过发光器件214传输。

编程电容器230串联连接在数据线22j和第一开关晶体管228之间。因而，第一开关晶体管228连接在编程电容器230的第一端子和驱动晶体管212的栅极端子之间，而编程电容器230的第二端子连接到数据线22j。

像素电路210中的某些晶体管在一些方面提供了类似于像素电路110中的对应晶体管的功能。例如，以类似于驱动晶体管112的方式，驱动晶体管212基于由存储电容器216施加到栅极端子的电压将来自电压电源线26i的电流从第一端子（例如源极端子）引导至第二端子（例如漏极端子）。由驱动晶体管212引导的电流通过发光器件214传输，发光器件214与发光器件114类似地根据流过其的电流发光。以类似于发射控制晶体管120的操作的方式，发射控制晶体管220选择性地允许在驱动晶体管中流动的电流被引导至发光器件214，并由此通过减少发光器件的意外发射来增加显示器的对比度。此外，类似于反馈电容器118，反馈电容器218在节点B224和节点A222之间提供电容性耦合，使得在发射操作期间驱动晶体管212上的电压被自动调节以至少部分地消除发光器件214的电压变化。

第二开关晶体管226可由第二选择线24i操作以选择性地将驱动晶体管212的第二端子（例如漏极端子）连接到节点A222处的栅极端子。因此，在第二开关晶体管226开启时，第二开关晶体管226通过驱动晶体管212提供了电流路径，该电流路径从电压电源线26i到达（节点A222处的）栅极端子。因而，在第二开关晶体管226开启时，可以将节点A222处的栅极端子上的电压调节成与流过驱动晶体管212的电流相对应的电压。

第一开关晶体管228可由第一选择线23i操作以选择性地将编程电容器230连接到节点A222。此外，像素电路210包括连接在驱动晶体管212的栅极端子（节点A222处）与V_DD电源线26i之间的存储电容器216。第一开关晶体管228在像素电路210的发射操作期间能够使节点A222与数据线22j隔离（即不电容性耦合）。例如，像素电路210可进行操作使得在像素电路210不经历补偿操作或编程操作的任何时候都使第一开关晶体管228关闭以断开节点A222与数据线22j的连接。另外，在像素电路210的发射操作期间，存储电容器216保持基于编程信息的电压，并将该电压施加到驱动晶体管212的栅极端子以使驱动晶体管212根据编程信息来驱动经过发光器件214的电流。

图3B是图示了图3A所示的像素电路的示例性编程和发射操作的时序图，其中反馈电容器218自动地消除OLED214的工作电压的偏移。像素电路210的操作包括补偿周期244、编程周期246和发射周期250（本文中或者也称作驱动周期）。数据线22j被操控以向像素电路210提供补偿和编程的整个持续时间是具有持续时间t_ROW的行时段，且包括补偿周期244和编程周期246。可基于显示器面板20的行数和显示器系统50的刷新速率来确定该持续时间t_ROW。通过具有持续时间td1的第一延迟时段242来开始上述行时段。第一延迟时段242提供了过渡时间以允许将数据线22j从其先前的（用于另一行的）编程电压复位并设定成适于开始补偿周期244的参考电压Vref。基于显示器系统50中的晶体管的响应时间和显示器面板20中的行数来确定第一延迟时段242的持续时间td1。在具有持续时间t_COMP的时间间隔期间执行补偿周期244。在具有持续时间t_PRG的时间间隔期间执行编程周期246。

在行时段开始时，将发射控制线25i（EM）设定成高以关闭发射控制晶体管220。在行时段期间发射控制晶体管220的关闭减少了在像素电路210经历补偿和编程操作时来自发光器件214的意外发射，并由此增加了对比度。另外，节点B224处的电压在发射控制线25i为高且发射控制晶体管220保持关闭的时段期间放电至V_SS+V_OLED(off)。

在第一延迟时段242之后，开始补偿周期244。在补偿周期244期间，在补偿周期244开始时将第一和第二选择线23i和24i均设定成低，以便开启第一和第二开关晶体管228和226。在第一延迟时段242期间将数据线22j（DATA[j]）设定成参考电压V_REF，然后数据线22j以大体上恒定的速率变化成V_REF–V_A。数据线22j上的电压减小了电压V_A。在一些实施方式中，斜坡电压可以是以大体上恒定的速率减小的电压（例如具有大体上恒定的时间导数），以通过编程电容器230产生大体上恒定的电流。因而，编程电容器230提供了与施加在数据线22j上的随时间变化的斜坡电压相对应的电流。经过编程电容器230的电流在补偿时段244期间经由第二开关晶体管226和第一开关晶体管228在驱动晶体管212中传输。可基于电压V_A、持续时间t_RAMP和编程电容器230的电容（Cprg）来确定经由编程电容器230施加到像素电路210的电流的量。可根据下面的方程2来确定处于节点A222处的电压，其中Iprg是经过编程电容器230的电流，V_A是节点A222处的电压，且V_th是驱动晶体管212的阈值电压。方程2还包括与驱动晶体管212的器件特性相关的变量：迁移率（μ）、单位栅极氧化物电容（C_ox）以及器件的纵横比（W/L）。

V_{A} = VDD - | V_{th} | - \sqrt{\frac{2 Iprg}{μ C_{ox} W / L}} - - - (2)

因此，在补偿周期244结束时节点A222处的电压是用于消除晶体管器件参数的变化和/或劣化（诸如会影响驱动晶体管212的阈值电压、迁移率、氧化物厚度等的劣化）的电压。在补偿周期结束时，将第二选择线24i设定成高，以关闭第二开关晶体管226。一旦关闭了第二开关晶体管226，节点A222就不再根据通过驱动晶体管212传输的电流而受到调节。

在补偿周期244之后，开始编程周期246。在编程周期246期间，第一选择线23i保持为低，以保持第一开关晶体管228开启。将发射控制线25i和第二选择线24i设定成高以关闭发射控制晶体管220和第二开关晶体管226。在一些实施方式中，可通过延迟时间将补偿周期244和编程周期246在时间上短暂地分隔，以允许数据线22j从传输斜坡电压转变成传输编程电压。为了将像素电路210与数据线22j上的在该转变期间产生的任何噪声隔离开，第一选择线23i视情况而定可在延迟时间期间短暂地变高，以在该转变期间关闭第一开关晶体管228。在编程周期246期间，将数据线22j设定成编程电压Vp并施加到编程电容器230的第二端子。根据用于指示从发光器件214发出的光量的编程数据来确定编程电压Vp，且将该编程电压Vp转换成基于用于消除伽马效应的查找表和/或公式、色彩修正、设备特性和电路布局等的电压。

在将编程电压Vp施加到编程电容器230的第二端子时，由于节点A222通过第一开关晶体管228和编程电容器230与数据线22j的电容性耦合因而对节点A222的电压进行调节。可根据包括编程电容器230的电容和存储电容器216的电容（即Cprg和Cs值）以及编程信息的函数来选择Vp的适当值。由于通过与数据线22j的电容性耦合经由编程电容器230来传输编程信息，所以节点A222上的在编程周期246开始之前的DC电压没有被清除。具体地，节点A222上的在补偿周期244期间建立的电压在编程周期246期间受到调节，以便在节点A222上的已有电压上进行相加（或从其进行相减）。因此，编程操作没有清除在补偿周期244期间处于节点A222上的电压（Vcomp），这是因为Vcomp充当节点A222上的DC电压，该DC电压不受与数据线22j的电容性耦合的影响。因而，节点A222上的在编程周期246结束时的最终电压是Vcomp与基于Vp的电压的相加性结合。在编程周期结束时，将第一选择线23i设定成高以关闭第一开关晶体管228，并由此断开像素电路210与数据线22j的连接。

通过将发射控制线25i设定成适于开启发射控制晶体管220的低电压来开始发射周期250。可以通过第二延迟时段td2将驱动周期250的开始和编程周期246的结束分隔开，以在第一开关晶体管228的关闭和发射控制晶体管220的开启之间提供一定的时间性分隔。第二延迟时段具有基于晶体管228和220的响应时间确定的持续时间td2。

由于像素电路210在发射周期250期间从数据线22j解耦，所以能够与数据线22j上的电压水平无关地执行发射周期250。例如，在数据线22j进行操作以将（用于补偿的）斜坡电压和/或（用于编程的）编程电压传输到显示器系统50的显示器面板20中的其它行的同时，像素电路210可在发射模式中进行操作。在一些实施方式中，通过一个接一个地对显示器面板20中每个行实施补偿和编程操作来使可用于编程和补偿的时间（例如t_comp和t_prog值）最大化，使得数据线22j大体上持续地被驱动从而在依次施加到每个数据线22j的斜坡电压和编程电压之间交替。通过使发射周期250能够与补偿和编程周期244和246无关地执行，防止了数据线22j需要无用的没有执行编程或补偿的空闲时间。

在发射周期250期间，发光器件214的在节点B224处的电压中反映出来的电压变化借助由反馈电容器218在节点B224和节点A222之间提供的电容性耦合而在节点A222处产生了相应的电压变化。例如，流经发光器件的增加的电流（其例如是因为驱动晶体管212的不稳定性而引起的）由于发光器件214中的增加的功率耗散而在节点B224处产生了增加的电压。节点B224处的增加的电压根据方程1所示的比率在节点A222处导致相应的电压增加。节点A222处的上述增加减小了驱动晶体管212的栅极-源极电压，并由此减小了经过发光器件214的电流以修正驱动晶体管212的不稳定性（或修正发光器件214的不稳定性）。类似地，节点B224处的电压减小在节点A222处产生了电压减小，这使通过驱动晶体管212传输到发光器件214的电流减小。因而，反馈电容器218在发射周期250期间自动地消除驱动晶体管212和/或发光器件214的不稳定性。

图4A是具有用于图2所表示的像素电路的另一示例性开关电路布置的像素电路310的电路图。类似于上面的图3A至图3B所示的像素电路210的讨论，数据线22j也由斜坡电压驱动以经由编程电容器330产生经过像素电路310的电流。像素电路310还包括根据发射控制线25i进行操作的发射控制晶体管320和诸如有机发光二极管或其它电流驱动型发射元件等发光器件314。驱动晶体管312、发射控制晶体管320和发光器件314串联连接使得在发射控制晶体管320开启时，通过驱动晶体管312传输的电流也通过发光器件314传输。像素电路310还包括存储电容器316，存储电容器316的第一端子在节点A322处与驱动晶体管312的栅极端子相连接。存储电容器316的第二端子连接到V_DD电源线26i或连接到其它合适电压（例如参考电压）以允许根据编程信息对存储电容器316充电。编程电容器330串联连接在数据线22j和第一开关晶体管328之间。因而，第一开关晶体管328连接在编程电容器330的第一端子与节点A322之间，而编程电容器330的第二端子连接到数据线22j。

第二开关晶体管326连接在位于编程电容器330和第一开关晶体管328之间的点与位于驱动晶体管312和发射控制晶体管320之间的点之间。因而，第二开关晶体管326通过第一开关晶体管328连接到驱动晶体管312的栅极端子。在这种构造中，驱动晶体管312的栅极端子通过两个串联的晶体管（即，第一和第二开关晶体管328和326）与发射控制晶体管320分隔开。通过两个串联晶体管将节点A322处的存储电容器316与驱动电流路径分隔开，由此通过防止驱动晶体管312的源极/漏极端子影响节点A322处的电压因而减少了经过驱动晶体管312的泄漏电流。

图4B是图示了图4A所示的像素电路310的示例性复位、补偿、编程和发射操作的时序图，其中反馈电容器318自动地消除了OLED314的工作电压的偏移。像素电路310的操作包括复位周期340、补偿周期346、编程周期348和发射周期350（本文中或者称为驱动周期）。复位周期340包括第一阶段342和第二阶段344。在第一阶段342期间，将发射控制线EM[i]设定成高以关闭发射控制晶体管320并停止来自像素电路310的发射。一旦发射控制晶体管320关闭，那么驱动电流就停止流经发光器件314且发光器件314两端间的电压变成OLED关闭电压，即V_SS+V_OLED(off)。当发射控制晶体管320关闭时，电流停止流经驱动晶体管312，且在第一阶段342期间驱动晶体管312上的应力减少。

发光器件314可以是具有与VSS电源线27i相连接的阴极和在节点B324处与发射控制晶体管320相连接的阳极的有机发光二极管。在第一阶段342的结尾处，节点B324处的电压处于V_SS+V_OLED(off)。在第二阶段344期间，将发射控制线25i设定成低且第二选择线24i也为低，并且将数据线22j设定成参考电压V_REF。因此，第二开关晶体管326和发射控制晶体管320开启以将编程电容器330连接在被充电至V_REF的数据线22j和被充电至V_SS+V_OLED(off)的节点B324之间。在第二阶段344期间通过第一选择线23i使第一开关晶体管328保持关闭，使得驱动晶体管312的栅极在复位周期340期间不受影响。

发光器件314的电容（C_OLED）通常大于编程电容器330的电容（Cprg），使得在第二阶段344期间Cprg至C_OLED的连接（经由发射控制晶体管320和第二开关晶体管326）允许Cprg330上的电压大体上被放电至C_OLED。OLED电容充当对Cprg330上的电压进行放电的电流源/电流吸收器（current sink），并由此在开始补偿和编程操作之前复位编程电容器330。在第二阶段344期间，Cprg330和C_OLED串联连接，且V_SS和V_REF之间的电压差根据电压分配关系而分配于它们二者之间，其中该电压降的大部分被施加到这两个电容中的较小一者的两端（即Cprg330两端）。考虑到C_OLED大于Cprg，Cprg两端间的电压接近于V_REF+V_OLED–V_SS。由于OLED314在第一阶段342期间关闭，且由此允许节点B324处的电压处于V_SS+V_OLED(off)，所以节点B324上的在第二阶段344期间的电压变化不足以开启OLED314，使得不会有意外发射出现。

在复位周期340之后，第一和第二选择线23i和24i及发射控制线25i进行操作以提供补偿周期346、编程周期348和驱动周期350，这些周期均类似于结合图3A至图3B所详细讨论的补偿、编程和驱动周期244、246和250。

图5A是具有用于图2所表示的像素电路的另一示例性开关电路布置的像素电路410的电路图。像素电路410包括驱动晶体管412和发射控制晶体管420，驱动晶体管412与发光器件414串联连接，发射控制晶体管420连接在驱动晶体管412和发光器件414之间使得来自驱动晶体管412的电流仅在发射控制晶体管420开启时被传输到发光器件414。由第一选择线23i（SEL[i]）操作的开关晶体管428选择性地将驱动晶体管412的栅极端子（节点A422处）连接到数据线22j。

图5B是图示了图5A所示的像素电路的编程和发射操作的时序图，其中反馈电容器自动地消除OLED的工作电压的偏移。编程周期444具有持续时间t_PRG，且发射周期448具有持续时间t_DRIVE。具有持续时间td1的延迟时段442在开始编程周期444之前出现。延迟时段442（例如在显示器系统50的显示器面板20中的其它行的编程期间）将像素电路410的编程与数据线22j上的先前值分隔开。在编程周期444期间，将第一选择线23i（SEL[i]）设定成低以开启开关晶体管428，并由此将数据线22j连接到驱动晶体管412的位于节点A422处的栅极。然后，存储电容器416被充电有编程电压V_P，该编程电压V_P至少部分地基于用于像素电路410所要发出的期望量的亮度的编程信息。在编程周期期间，将发射控制线25i设定成高以使发射控制晶体管420保持关闭。发射控制晶体管420的关闭防止了发光器件414在像素电路被编程时从驱动晶体管412接收驱动电流。发射控制晶体管420的关闭也允许发光器件414两端间的电压放电至（处于）电压V_OLED(off)，从而将节点B424处的电压设定成V_SS+V_OLED(off)。

图6A是包括复位电容器532的像素电路510的电路图，复位电容器532布置成用于经由与地址选择线24i的电容性耦合来复位驱动晶体管512。像素电路510包括与电流驱动型发光器件514串联连接的驱动晶体管512，发光器件514可以是OLED。发光器件514的电容由与发光器件514并联连接的电容515（C_OLED）表示。存储电容器530连接在驱动晶体管512的栅极端子和数据线22j（DATA[j]）之间。开关晶体管526根据选择线24i进行操作，并连接在驱动晶体管512的栅极端子和位于驱动晶体管512和发光器件514之间的点之间。开关晶体管526连接到驱动晶体管512的与连接到V_DD电源线26i的那个端子相反的端子。例如，开关晶体管526可以连接到驱动晶体管512的漏极，而驱动晶体管512的源极可以连接到V_DD电源线26i。当开关晶体管526开启时，可以根据流经驱动晶体管512的电流，经由开关晶体管526对驱动晶体管512的栅极端子进行调节。

复位电容器532位于选择线24i和开关晶体管526的与连接到驱动晶体管512的栅极的那个端子相反的端子之间。例如，复位晶体管532可连接到开关晶体管526的与连接到驱动晶体管512的漏极端子的那个端子相同的端子。在这种布置中，在开关晶体管526开启时，驱动晶体管512的栅极端子经由复位电容器532电容器性地耦合到地址选择线24i。正如将要结合图6B中的时序图来描述的那样，驱动晶体管512的栅极端子和选择线24i之间的电容性耦合可用于在像素电路510的编程周期之中复位驱动晶体管。

图6B是图6A所示的像素电路510的编程和驱动操作的时序图。在编程周期之前，将数据线22j设定成复位电压V_RST，且通过将V_DD电源线26i设定成低电压而关闭发光器件514。V_DD电源线26i的低电压可小于发光器件514的关闭电压（例如低于V_OLED(off)）。在一些情形中，将V_DD电源线26i调节成低电压的动作也使OLED514关闭，并使OLED514的阳极处于V_OLED(off)。在利用数据线22j进行编程和/或补偿操作以防止OLED514在编程和/或补偿操作期间发出意外的光的同时，V_DD电源线26i可保持在该低电压水平，由此增加了显示器的对比度。

通过将数据线22j设定成编程电压V_P来开始编程周期542。编程电压V_P是根据与将要从像素电路510发出的期望量的亮度相对应的编程信息来确定的值。在一些实施方式中，视情况而定可以根据像素电路510的器件特性和/或像素电路510的使用历史来设定编程电压，以视情况而定地消除像素电路510的老化劣化。数据线22j在编程周期542期间处于编程电压V_P，而此时开关晶体管526保持关闭。在编程周期542结束时，根据编程电压V_P对数据线22j的内部线路电容进行充电，且开关晶体管526开启以开始补偿周期544。在一些示例中，可以将编程周期542看作是预充电时段，该预充电时段根据编程电压V_P对数据线22j进行充电，使得数据线22j在补偿周期544开始时处于编程电压，且像素电路510保持不受数据线22j的线路电容的影响。

在数据线22j上起始短暂地保持编程电压V_P以开始补偿周期544。由于开关晶体管526开启以开始补偿周期544，所以电容器530不再是浮动的，并且与OLED514的关闭电压（即保持于OLED电容C_OLED515上的电压V_OLED(off)）有关。

在开启开关晶体管526（这是通过将选择线24i设定为低来实现的）的同时，选择线24i的电压从高到低的变化由于选择线24i和驱动晶体管512的栅极端子之间的电容性耦合而在驱动晶体管512的栅极端子处产生了相应的电压变化。该电容性耦合是在开关晶体管526开启时由复位电容器532提供的，使得选择线24i上的电压变化根据比率C_RST/(C_RST+C_TOTAL)在驱动晶体管512的栅极端子处产生了相应的电压变化，在上述比率中C_RST是复位电容器532的电容，C_TOTAL是复位节点（即驱动晶体管512的栅极端子）处的总电容。可根据电容器530的电容、OLED电容515（C_OLED）和/或与驱动晶体管512的端子中的重叠相关的电容值来确定C_TOTAL的值。通常，选择线24i上的用于开启开关晶体管526的电压下降在驱动晶体管512的栅极端子处产生了相应的电压下降。在将V_DD电源线26i设定成低电压以关闭驱动晶体管512之后，驱动晶体管512的栅极端子（本文中或者称作复位节点）处的电压下降可以有利地清除该栅极端子上所保持的电压。

因而，在补偿周期544的起始部分中电容器530两端间的电压大约是编程电压V_P与驱动晶体管512的栅极端子处的在经由复位电容器532进行复位操作之后的复位电压（V_RESET）之间的差。驱动晶体管512的栅极端子在这里或者可称为像素电路510的复位节点。如下文中结合方程3所描述的那样，根据复位节点的电容、选择线24i上的电压变化和复位电容器532的电容来确定V_RESET的值。一些实施方式规定了如下像素电路：该像素电路同时开启开关晶体管以开始编程并且经由与开启了开关晶体管的选择线的电容性耦合对驱动晶体管进行复位。

也可以借助像素电路510中各处的电流路径来说明复位电容器532的用于对复位节点处的电压进行复位的操作。对于复位晶体管532的一个端子上的随时间变化的电压，复位电容器532通过从它的相反端子排出电流或向该相反端子供应电流来响应于上述随时间变化的电压，使得大致上保持复位电容器532两端间的电压。当选择线24i从高电压变化到低电压以开始补偿周期544并开启开关晶体管526时，复位电容器532向它的相反端子抽取电流。该电流实质上是从复位节点抽取的，这是因为发光器件514的阳极已被放电至V_OLED(off)且驱动晶体管512关闭。（一旦开关晶体管526开启）复位电容器532通过开关晶体管526连接到复位节点。于是，可以选择复位电容器532和/或开关晶体管526来进行操作以使得开关晶体管526的开启时间与复位电容器532的特性充电时间相当，并由此防止复位电容器532在开关晶体管526开启之前提供复位功能。在一些示例中，开关晶体管526的开启时间可以小于复位电容器532的特性充电时间。

在补偿周期544的短暂起始阶段之后，经由斜坡电压发生器使数据线22j上的电压稳定地降低。斜坡电压可以是在补偿周期544期间从电压V_P变化到电压V_P–V_A的下降式电压。数据线22j上的斜坡电压可具有大致恒定的时间导数，使得根据该随时间变化的电压在电容器530中建立稳定的电流。经由开关晶体管526通过驱动晶体管512传输电容器530中的电流，使得在补偿周期544结束时在驱动晶体管的栅极端子上建立电压。驱动晶体管的栅极端子上的电压至少部分地基于驱动晶体管512的电流-电压特性和电容器530中的由于斜坡电压而引起的电流以及编程电压V_P和复位电压V_RESET（其是在斜坡电压开始之前在补偿周期544的起始阶段期间在电容器530上充电的电压）。例如，类似于上文结合方程2所讨论的那样，在将斜坡电压施加到电容器530时处于驱动晶体管512的栅极端子上的电压可以部分地由驱动晶体管512的诸如栅极氧化物电容（C_ox）、迁移率（μ）、纵横比（W/L）、阈值电压（V_th）等器件参数来确定。

在补偿周期544之后，对显示器面板中的其它行进行编程和补偿（时段546期间）。在经由数据线22j对其它行进行编程和/或补偿时，V_DD电源线26i被保持在低电压以防止来自OLED514的意外发射。在时段546期间对其它行进行编程和/或补偿时，选择线24i被保持为高以允许电容器530相对于数据线22j浮动并大体上保留在补偿周期544期间生成的电荷。一旦对所有行进行了编程，数据线22j变化到参考电压V_REF，并且V_DD电源线26i增加以返回到它的工作电压（例如电压值V_DD）从而开启驱动晶体管512并开始发射周期550。

将数据线22j设定为V_REF这使得电容器530与参考电压（以及连接到数据线22j的其它像素）有关。于是，在发射周期550期间施加到驱动晶体管512的栅极端子的电压是由参考电压V_REF和电容器530两端的在补偿周期544结束时的电压之间的差来确定的。在一些示例中，V_REF可以大约等于V_DD电源线的在驱动周期550期间的电压（即电压V_DD）。在发射周期550期间，驱动晶体管512根据施加到驱动晶体管512的栅极端子的电压向发光器件514传输电流。因而，发光器件514根据电压编程信息发光。此外，在补偿周期544期间，发光器件514受到驱动以经由电压调节自动地消除像素电路510的老化劣化。

图7A是像素电路510′的电路图，该像素电路510′类似于图6A所示的像素电路510并且还包括用于在编程和/或补偿期间防止发射的发射控制晶体管520。图7B是图7A所示的像素电路510′的编程和驱动操作的时序图。发射控制晶体管520串联连接在驱动晶体管512和发光器件514之间，使得来自驱动晶体管512的电流仅在发射控制晶体管520开启时被传递到发光器件514。在编程周期562和补偿周期564期间将发射控制线25i设定为高时，发射控制晶体管520被发射控制线25i控制为关闭。因而，发射控制晶体管520提供了与图6A中的可调节电压电源线26i相类似的功能，以在采用数据线22j在周期562和564期间对像素电路510′进行补偿和编程以及在周期566期间对显示器阵列中的其它行进行补偿和编程时防止来自发光器件的发射。

在编程周期562（预充电周期）期间，将数据线22j设定成编程电压V_P，将发射控制线25i设定成高以关闭发射控制晶体管520，且将选择线24i设定成高以关闭开关晶体管526。在编程周期562结束时，数据线22j处于编程电压V_P。在补偿周期564期间，将选择线24i设定成低以开启开关晶体管526，该开关晶体管526通过复位电容器532将选择线24i和驱动晶体管512的栅极端子电容性地耦合起来。在补偿周期564期间，发射控制线25i保持为高，且因此发射控制晶体管520和串联连接的发光器件514均关闭。

为了开启开关晶体管526以开始补偿周期564，让选择线24i上的电压下降，该下降由于复位电容器532所提供的电容性耦合而在驱动晶体管512的栅极端子处产生了相应的电压下降。在图7A至图7B中，在通过发射控制晶体管520而不是通过将V_DD电源线26i设定成低电压来关闭发光器件514时，执行复位操作。

包括结合图6A至图7B所描述的像素电路510和510′中的任一者的显示器阵列通常可以被驱动以首先对整个显示器进行编程（和补偿），然后驱动该显示器以根据编程发光。由于每个像素中的电容器（例如电容器530）直接连接到由多个像素电路共用的数据线22j，所以必须在关闭该显示器的时候全部地完成编程和补偿。可经由可调节电压电源线（图6B）或经由发射控制晶体管（图7A）来关闭显示器。一旦完成了整个显示器面板的编程和补偿，那么在发射周期550和570中将数据线22j设定成参考电压V_REF以驱动该显示器。由于在发射周期期间将数据线22j设定成参考电压V_REF，所以数据线22j不能用于编程或补偿。于是，一些显示器被驱动，以在编程期间表现出全黑且然后在驱动期间表现出全亮。在一些示例中，可以将显示器面板划分为成组的分别共用公共的数据线的段，且每个段能够在该段内被逐行地编程和/或补偿，且然后在共用不同的数据线的其它段被编程和/或补偿时被驱动。

图8A是另一像素电路610的电路图，像素电路610包括布置成用于经由地址选择线24i对驱动晶体管612进行复位的复位电容器632，且还包括经由第一开关晶体管628与驱动晶体管612的栅极端子相连接的编程电容器630。像素电路610可以用作图1所示的系统50的显示器面板20中的像素10。像素电路610包括存储电容器616，存储电容器616布置成通过将存储电容器616上所充电的电压施加到驱动晶体管612的栅极端子来影响驱动晶体管612的电导。存储电容器616连接在驱动晶体管612的栅极端子和V_DD电源线26i之间，但还可以连接到其他的稳定电压：该电压足以允许根据编程信息对存储电容器616进行充电并在发射周期期间将电荷施加到驱动晶体管612。驱动晶体管612与发射控制晶体管620及发光器件614串联连接，使得发光器件614根据通过驱动晶体管612传输的电流进行操作。

第一开关晶体管628根据第一选择线23i进行操作并将驱动晶体管612的栅极端子选择性地连接到编程电容器630以将来自数据线22j的编程和补偿信号传输到像素电路610。例如，在第一开关晶体管628开启时，可以经由由编程电容器630提供的与数据线22j的电容性耦合对像素电路610进行编程和/或补偿。此外或可替代地，在第一开关晶体管628关闭时，像素电路610可与数据线22j无关地进行操作，以允许采用数据线22j对连接到数据线22j的其它像素电路（例如系统50的显示器面板20的其它行中的像素电路）进行编程和/或补偿。

第二开关晶体管626根据第二选择线24i进行操作并将驱动晶体管612的栅极端子选择性地连接到位于驱动晶体管612和发射控制晶体管620之间的节点。在一些示例中，第二开关晶体管626可为驱动晶体管612的栅极提供电流路径，根据正在通过驱动晶体管612而被传输的电流对该电流路径进行调节。例如，当开关晶体管626和628都开启时，电流可流过驱动晶体管612、第二开关晶体管626和第一开关晶体管628以及穿过编程电容器630，且可根据该电流来调节驱动晶体管612的栅极端子处的电压。可通过经由连接到数据线22j的斜坡电压发生器向编程电容器630提供增加的斜坡电压，来提供该电流。

第二开关晶体管626也选择性地将复位电容器632连接到驱动晶体管612的栅极端子。因此，当第二开关晶体管626开启时，复位电容器632将驱动晶体管612的栅极端子（即复位节点）电容性地耦合到选择线24i，使得可以通过选择线24i的操作对复位节点进行复位（例如将其调节为复位电压V_RESET）。复位电容器632通常以与图6A至图7B中的复位电容器532类似的方式进行操作。在一些实施方式中，选择线24i的从高电压（Voff）到低电压（Von）的调节同时开启了第二开关晶体管626并复位了驱动晶体管612的栅极端子处的电压。

图8A中的像素电路610在一些方面类似于图3A中的像素电路210，但是像素电路610包括用于复位驱动晶体管612的复位电容器632而不包括结合图3A所描述的反馈电容器218。然而，像素电路610中的某些电路元件执行与结合像素电路210所描述的那些电路元件相类似的功能，用于识别这些元件的元件编号与像素电路210中的相应元件的元件编号具有相同的最后两位数字。例如，第一开关晶体管628与第一开关晶体管228具有类似的功能；存储电容器616与存储电容器216具有类似的功能；发射控制晶体管620与发射控制晶体管220具有类似的功能，等等。

图8B是图8A所示的像素电路610的复位、补偿、编程和驱动操作的时序图。在补偿周期646开始之前是短暂的延迟时段644，以用于在数据线22j上建立参考电压V_REF。具有持续时间td1的延迟时段644为数据线22j上的电压从它的先前值（例如用于另一行的编程电压）变化到参考电压V_REF留出了时间。延迟时段644的持续时间td1可根据显示器面板的时间预算和数据线22j的线路电容来确定，其中数据线22j的线路电容影响了数据线22j上的电压变化速率。在延迟时段644期间可以视情况而定地将发射控制线25i设定为高以关闭发光器件614，并通过开启开关晶体管626和628中的一者或两者在发光器件614的关闭与补偿和/或编程操作的开始之间提供短暂的时间性分隔。

在延迟时段644之后，将第二选择线24i设定为低以开启第二开关晶体管626。第二开关晶体管626的开启将复位电容器632连接在驱动晶体管612的栅极端子和第二选择线24i之间。因而，一旦第二开关晶体管626开启，经由复位电容器632将驱动晶体管612的栅极端子（和存储电容器616）电容性地耦合到第二选择线24i。于是，第二选择线24i上的从Voff到Von的用于开启第二开关晶体管626的电压变化在驱动晶体管612的栅极端子（和存储电容器616）上也产生了相应的电压变化。在一些示例中，如结合方程3所描述的那样，驱动晶体管612的栅极端子的电压变化了ΔV。在一些示例中，如结合下面的方程3所描述的那样，驱动晶体管612的栅极端子的电压被调节至复位电压V_RESET。

在延迟时段644之后是补偿周期646。在补偿周期646期间将开关晶体管626和628都开启，并且发射控制晶体管620被关闭。在补偿周期646期间经由编程电容器630在数据线22j上施加斜坡电压，以通过像素电路传输电流。可以以短暂的间隔施加斜坡电压，在该短暂的间隔中数据线22j保持参考电压V_REF并然后在补偿周期646的剩余期间降低至V_REF–V_A。在提供电流斜坡时，经由编程电容器630在像素电路610中传输的该电流的值至少部分地由数据线22j上的电压变化速率来确定。该电压变化可具有大体上恒定的时间导数，使得在编程电容器630中经过的最终电流大体上是恒定的。驱动晶体管612的栅极节点处的电压在补偿周期646期间进行自调节以消除驱动晶体管的老化劣化，例如在诸如驱动晶体管612的阈值电压、迁移率、栅极氧化物电容和/或会影响电流-电压特性的其它因素等方面的老化劣化。

在补偿周期646和编程周期648之间出现串扰（cross-talk）延迟时段647。在串扰延迟时段647期间，将数据线22j从V_REF–V_A调节到编程电压V_P。将第二选择线24i设定为高以开始串扰延迟时段647，从而将数据线22j上的调节与经过驱动晶体管的电流路径（例如驱动晶体管612的漏极端子）隔离开，并由此在电压编程操作期间或者在数据线22j受到调节时和/或在各值之间防止驱动晶体管612对它的栅极电压进行自调节。

在编程周期648期间，开启第一开关晶体管628并且根据数据线22j上的编程电压V_P对存储电容器616进行充电。经由第一开关晶体管628将存储电容器616电容性地耦合到数据线22j，因此，施加到数据线22j的编程电压V_P可根据电压的变化（例如，电压的相对于值V_REF–V_A的变化）而不是根据绝对的电压水平来确定。通常，将编程电压选择成足以对存储电容器616进行充电，由此在随后的发射周期650期间影响驱动晶体管612的电导。在编程周期648结束时，将第一选择线23i设定为高以关闭第一开关晶体管628并由此断开像素电路610和数据线22j的连接。在具有持续时间td2的第二延迟时段649之后，开启发射控制晶体管620以开始发射周期650。第二延迟时段649在从数据线22j上断开连接和发射周期650之间提供了时间性分隔，由此在发射周期650期间防止像素电路610受到数据线22j上的信号的影响。在发射周期650期间，像素电路610根据存储电容器616上保持的电荷从发光器件614发出光。

图9A是另一像素电路610′的电路图，像素电路610′与图8A所示的像素电路610相类似但其中复位电容器634布置成用于经由复位线21k来复位驱动晶体管612。图9B是另一像素电路610″的电路图，像素电路610″与图9A所示的像素电路610′相类似但还包括用于自动消除像素电流的不稳定性的反馈电容器618。图9C是图9A和图9B所示的像素电路610′和610″的复位、补偿、编程和驱动操作的时序图。除了复位电容器634是不同点之外，像素电路610′的操作和结构类似于结合图8A和图8B所描述的像素电路610。复位电容器634的一个端子连接到复位线21k（RST）而不是连接到第二选择线。复位电容器634的另一个端子连接到位于驱动晶体管612和发射控制晶体管620之间的节点。于是，在第二开关晶体管626开启时，复位线21k电容性地耦合到驱动晶体管612的栅极端子。

另外，通过由经分段的显示器面板的第k段共用的经分段的控制线来操作第二开关晶体管626和发射控制晶体管620。通过经分段的第二选择线24k（SEL2[k]）来操作第二开关晶体管626，并通过经分段的发射控制线25k（EM[k]）来操作发射控制晶体管620。复位线21k还可以是由显示器面板的第k段中的像素共用的经分段的线路。显示器面板的第k段可以是包括显示器面板的多于一行的段，且可包括邻近的行或非邻近的行。例如，可以将具有720行的显示器面板划分成144段，每个段具有5行。如图10所示，第k段中的像素也可以共用公共的编程电容器（例如编程电容器730）和/和公共的复位电容器（例如复位电容器734）。

对像素电路610′（或像素电路610″）的操作包括在具有持续时间td1的第一延迟时段664之后的补偿周期666，第一延迟时段664用于将数据线22j设定成参考电压V_REF。驱动晶体管612的栅极端子在补偿周期666期间根据经过编程电容器630的电流（该电流基于数据线22j上的电压斜坡）进行自调节。串扰延迟时段667将补偿周期666和编程周期668分隔开，以允许数据线22j在第二开关晶体管626关闭时进行调节。存储电容器616在编程周期668期间根据编程信息进行充电。具有持续时间td2的第二延迟时段669在第一开关晶体管628关闭时将编程周期668和发射周期670分隔开，以在发射周期670期间将像素电路610′（610″）与数据线22j隔离开。在发射周期670期间，发光器件614根据编程信息发光。

在图9B所示的像素电路610″中，反馈电容器618连接至发光器件614和驱动晶体管612的栅极端子之间。类似于结合图2所讨论的反馈电容器118，反馈电容器618进行操作以消除发光器件614的电压的变化和/或不稳定性。在补偿周期666和编程周期668期间，在将发射控制线25k设定为高时，发光器件614的阳极端子处的电压放电至V_OLED(off)。然后，在发射周期670期间，通过经由驱动晶体管612提供的驱动电流将发光器件614开启。反馈电容器618将驱动晶体管612的栅极端子电容性地耦合到发光器件614，使得发光器件614的电压变化在驱动晶体管612的栅极端子处产生了相应的电压变化。

例如，流经发光器件614的增加的电流（其例如是由于驱动晶体管612的不稳定性而导致的）由于发光器件614中的增加的功率耗散因而在驱动晶体管612的栅极端子处产生了增加的电压。如上文结合方程1所说明的那样，上述增加的电压根据反馈电容器上的电容性电流分配关系在驱动晶体管612的栅极端子处引起了相应的电压增加。驱动晶体管612的栅极端子处的电压增加减小了驱动晶体管612的栅极-源极电压，并相应地降低了经过发光器件614的电流从而修正驱动晶体管612的不稳定性（或修正发光器件614的不稳定性）。类似地，发光器件614处的电压降低通过驱动晶体管612使去往发光器件614的电流增加。因而，在发射周期670期间，反馈电容器618自动地消除了驱动晶体管612和/或发光器件614的不稳定性。

在像素电路610′和610″中，在开始编程之前，复位电容器634进行操作以复位驱动晶体管612的栅极端子。然而，与结合图8A至图8B所描述的像素电路610相比，复位电容器634是通过与用于操作第二开关晶体管626的第二选择线24k不同的复位线21k进行操作。因而，在像素电路610′（或610″）的布置中，可以在开始复位操作之前开启第二开关晶体管626。如图9C的时序图所示，可以在补偿周期666开始时开启第二开关晶体管626。一旦开启第二开关晶体管626，驱动晶体管612的栅极端子经由复位电容器634电容性地耦合到复位线21k。在开启第二开关晶体管626之后的短暂延迟之后，可以将复位线21k调节到低电压，以便在驱动晶体管612的栅极端子（和存储电容器616）处产生相应的电压调节。

在施加斜坡电压之前，在数据线22j仍被设定成参考电压V_REF时，可以在补偿周期666的起始阶段期间执行复位操作（及复位线21k上的电压变化）。根据复位线21k上的电压变化和复位电容器634上的电压分配关系以及栅极端子处的（例如由于存储电容器616而引起的）电容，复位操作改变了驱动晶体管612的栅极端子处的电压。下文结合方程3说明在复位节点处产生的电压变化ΔV。在补偿周期666之后，可以在发射周期670开始之前且在关闭第二开关晶体管626之后使复位线22k返回到高电压，以便防止复位线22k上的电压增加影响了像素电路610′（或像素电路610″）的编程或发射操作。

图9B中的像素电路610′′提供了一种既包括复位电容器（例如复位电容器634）又包括反馈电容器（例如反馈电容器618）的示例性电路布置。然而，像素电路610″提供了把用于在编程之前复位数据节点的复位电容器和用于在发射期间自动地调节数据节点的反馈电容器组合起来的像素电路的一种示例性示例。在其它示例中，可以将包括图2至图5A中的反馈电容器的任一电路布置与诸如图6A至图9A所示的包括复位电容器的任一电路布置进行组合。在本发明的一些实施方式中，像素电路设置有一个或多个电容器，这个（这些）电容器布置成电容性地耦合到像素电路的数据节点以对数据节点处的电压进行调整，从而接收编程信息和/或消除像素电路中的半导体元件的动态不稳定性。例如，在图7A所示的像素电路510′中可包括反馈电容器。在此示例中，反馈电容器连接在发光器件514的阳极和驱动晶体管512的栅极端子之间。在另一示例中，在图3A的像素电路210中可包括复位电容器。在此示例中，复位电容器连接在第二选择线24i（或专用复位线）和驱动晶体管的栅极端子之间。

图10是布置成在多个像素电路710a～710n之间共用公共的编程电容器730和复位电容器734的显示器系统的一部分的框图。像素电路710a～710n可以是显示器面板中的单个列中的共用数据线22j且共用公共的编程电容器730的像素电路。像素电路710a～710n可以位于显示器面板的多于一行中，并视情况而定可以是相邻行，例如从第i行至第i+n行的相邻行。每个像素电路710a～710n可与图9A所示的像素电路610′或图9B所示的像素电路610″相类似，并根据经分段的第二选择线24k（SEL2[k]）、经分段的发射控制线25k（EM[k]）和经分段的复位线21k（RST[k]）进行操作。因而，每个像素电路710a～710n可包括：与发射控制晶体管及发光器件串联连接的驱动晶体管；连接到驱动晶体管的栅极端子的存储电容器；用于将驱动晶体管的栅极端子选择性地连接到编程电容器730的第一开关晶体管；以及用于将驱动晶体管的栅极端子选择性地连接到经过该驱动晶体管的电流路径的第二开关晶体管。然而，每个像素电路710a～710n共用公共的编程电容器730和公共的复位电容器734。每个像素电路710a～710n中的发射控制晶体管和第二开关晶体管可分别通过经分段的第二选择线24k和经分段的发射控制线25k进行操作。在补偿周期期间，复位电容器734也可经由经分段的复位线21k进行操作以同时复位像素电路710a～710n中的驱动晶体管的栅极端子。于是，可以通过操作经分段的控制线24k和25k并通过将斜坡电压施加到数据线22j来对第k段中的每个像素电路710a～710n同时进行补偿周期，使得通过每个像素电路710a～710n根据公共的编程电容器730上的随时间变化的电压来传输电流。

另外，每个像素电路710a～710n均连接到第一选择线，这些第一选择线分别被控制以操作每个像素电路710a～710n中的第一开关晶体管，从而以每次一行的方式根据编程信息对第一开关晶体管进行充电。在一些示例中，编程可以从第i行中的像素电路710a开始并在该段的每个行中前进从而到达第i+n行中的像素电路710n。在对第i行编程时，用于第i行的第一选择线可以为低，而用于第k段的其余第一选择线为高，使得公共的编程电容器730仅连接到像素电路710a。一旦完成了对于第i行的编程，可以将用于该第i行的第一选择线设定成高，且可以将用于第i+1行的第一选择线设定为低以对第i+1行中的像素电路710b进行编程。在其它示例中，在第i行的编程期间可以将所有的第一选择线都设定为低，使得所有的像素电路710a～710n都接收用于第i行的编程信息。一旦完成了对于第i行的编程，将用于第i行的第一选择线设定为高以断开像素电路710a和数据线22j的连接，且使用用于第i+1行的编程信息更新数据线22j，并且第k段中的剩余的像素电路710b～710n接收用于第i+1行的编程信息。因为像素电路710b～710n是浮动的（其是由于第二开关晶体管626关闭而引起的），所以像素电路710b～710n仅保留最近施加的编程信息。然后，通过将用于第i+1行的第一选择线设定为高来断开像素电路710b，且根据用于第i+1行的编程信息来设定像素电路710b的存储电容器。以每次一行的方式，一旦某个行接收了适当的编程信息就可以断开该行与数据线22j的连接，直到所有的像素电路710a～710n都得到编程。

在复位节点（即图6A至图9B中的驱动晶体管512和612的栅极端子）处获得的电压变化可根据下面的方程3来确定。

ΔV=(C_RST/(C_RST+C_TOTAL))(Voff–Von) (3)

在方程3中，ΔV是驱动晶体管的栅极端子处的由复位电容器引起的电压变化，C_TOTAL是在被复位的节点（即驱动晶体管的栅极端子）处的总的有效电容，且C_TOTAL可以根据发光器件的电容（例如像素电路510中的C_OLED515）、与驱动晶体管的栅极端子耦合的任何存储电容器和/或编程电容器（例如像素电路610中的存储电容器616和编程电容器630）的电容、以及与复位电容器一起耦合到复位节点的任何其它电容性元件的电容来确定。Von是选择线24i的on电压（开启电压）而Voff是选择线24i的off电压（关闭电压），且这两个电压之间的差（即，Voff-Von）是施加到复位电容器的一侧的电压降。在图9A和图9B的示例中，Voff–Von是复位线21k的高电压和低电压之间的差。

在复位节点（即驱动晶体管的栅极端子）处要建立的电压可以表示为V_RESET且可以是根据V_MAX和ΔV的组合来确定的，这里ΔV是由方程3给定的，而V_MAX是复位节点（即驱动晶体管的栅极端子）处的最大可能电压。因而，V_MAX的值是在图6A至图9B的像素电路的编程和/或补偿期间施加到驱动晶体管的栅极端子的编程电压和/或在该栅极端子处形成的补偿电压的范围的函数。V_RESET的关系式可以至少部分地依赖于所采用的像素电路的类型以及驱动晶体管是n型TFT或是p型TFT。在一些像素电路中，V_RESET>V_MAX–|ΔV|，而在其它像素电路中，V_RESET<V_MAX+|ΔV|。例如，在驱动晶体管（例如晶体管512或612）是p型TFT的情况下，可将复位电容器532的电容（即C_RST的值）和/或Voff及Von的值配置成使得V_RESET>V_MAX–|ΔV|。在其它示例中，在驱动晶体管是n型TFT（且像素电路可以配置成图5A至图9B所示的那些像素电路中的一者的互补电路）的情况下，复位电容器532的电容（即C_RST的值）、Voff及Von的值和/或像素设计和操作中的其它可配置值可以配置成使得V_RESET<V_MAX+|ΔV|。

在本发明的一些实施方式中，可以通过将导电元件布置成用于增大选择线24i（或另一线路）和驱动晶体管512、612的栅极端子之间的已有线路电容来创建本文所披露的复位电容器532、632和634。这种布置可以实现线路电容的增大从而通过开关晶体管（例如526、626）与驱动晶体管512、612的栅极端子分隔，使得可以经由该开关晶体管来调整电容性耦合作用。

本文披露的电路通常是指彼此连接或耦合的电路部件。在多数情形下，“连接”是指经由直接连接而实现的，即在连接点之间不存在除了导电线路以外的电路元件。尽管并不总是明确地言及，但这类连接可以通过在显示器面板的基板上界定的导电沟道来实现，例如通过在各种连接点之间沉积的导电性透明氧化物来实现。铟锡氧化物就是一种此类导电性透明氧化物。在一些情形中，耦合和/或连接起来的部件可以经由连接点之间的电容性耦合来实现耦合在一起，使得连接点通过电容性元件串联连接起来。虽然不是直接连接，但这类电容性耦合式连接仍允许连接点经由通过电容性耦合作用而在另一连接点处反映出的且无DC偏置的电压变化来相互影响。

此外，在一些情形下，本文所描述的各种各样的连接和耦合可以通过非直接连接来实现，即在两个连接点之间不存在其它电路元件。一般说来，布置在连接点之间的一个或多个电路元件可以是二极管、电阻器、晶体管、开关等。在连接为非直接连接的情况下，两个连接点之间的电压和/或电流经由连接用电路元件是充分相关联的，以便相关联得使两个连接点在大体上仍实现了本文所述的相同功能的同时能够（经由电压变化、电流变化等）相互影响。在一些示例中，电路设计领域的技术人员应能够理解，可以对电压和/或电流水平进行调节以消除额外的用于提供非直接连接的电路元件。

本文中所披露的任何电路可以根据许多不同的制造技术制造出来，这些制造技术包括例如多晶硅、非晶硅、有机半导体、金属氧化物和传统的CMOS。本文中所披露的任何电路可以用它们的互补电路架构对应物（例如，n型晶体管可以被转换成p型晶体管，反之亦然）来予以更改。

虽然已图示和说明了本发明的具体实施方式和应用例，但应该理解，本发明不限于本文所披露的精确构造和组成，且在不偏离由所附权利要求限定的本发明范围的情况下可以根据前述说明容易地做出各种变形、变化和修改。

本发明可以实施为下列的技术方案。

（1）一种像素电路，其包括：

驱动晶体管，其包括栅极端子并且被布置成传输经过发光器件的驱动电流，所述驱动电流是根据所述栅极端子上的电压而被传输的；

发射控制晶体管，其串联连接在所述驱动晶体管和所述发光器件之间；以及

反馈电容器，其连接在所述发光器件和所述驱动晶体管的所述栅极端子之间，使得所述发光器件两端间的电压变化在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生相应的电压变化。

（2）根据（1）所述的像素电路，其中，所述反馈电容器将所述驱动晶体管的所述栅极端子电容性地耦合到所述发光器件，以自动地修正所述发光器件处的电压不稳定性。

（3）根据（1）所述的像素电路，其中，所述发光器件处的由于经过所述发光器件的电流的增加而引起的电压增加在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生相应的电压增加，以使经过所述驱动晶体管的所述电流减小。

（4）根据（1）所述的像素电路，其中，所述发光器件处的由于经过所述发光器件的电流的减小而引起的电压减小在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生相应的电压减小，以使经过所述驱动晶体管的所述电流增加。

（5）根据（1）所述的像素电路，其中，所述发射控制晶体管进行操作以在对所述像素电路进行编程之前关闭，使得所述发光器件的电压放电至关闭电压。

（6）根据（1）所述的像素电路，其还包括：开关电路，所述开关电路根据选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子选择性地耦合到用于根据编程信息对所述像素电路进行编程的数据线。

（7）根据（6所述的像素电路，其中，所述开关电路包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管根据第一选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接到所述数据线。

（8）根据（6）所述的像素电路，

其中，所述开关电路还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管根据第二选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接到经过所述驱动晶体管的电流路径，且

其中，所述第一开关晶体管经由编程电容器将所述驱动晶体管的所述栅极端子耦合到所述数据线。

（9）根据（8）所述的像素电路，其中，所述第二开关晶体管在位于所述驱动晶体管和所述发射控制晶体管之间的节点处连接到经过所述驱动晶体管的所述电流路径。

（10）根据（6）所述的像素电路，

其中，所述开关电路还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管根据第二选择线进行操作，以将编程电容器连接到经过所述驱动晶体管的电流路径，且

其中，所述第一开关晶体管经由所述编程电容器将所述驱动晶体管的所述栅极端子耦合到所述数据线。

（11）根据（10）所述的像素电路，其中，所述第二开关晶体管在位于所述驱动晶体管和所述发射控制晶体管之间的节点处连接到经过所述驱动晶体管的所述电流路径。

（12）根据（6）所述的像素电路，其中，所述开关电路包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管根据第一选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接到所述数据线。

（13）根据（12）所述的像素电路，

其中，所述开关电路还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管连接在所述驱动晶体管的所述栅极端子和所述驱动晶体管的不同于所述栅极端子的端子之间，且

其中，所述驱动晶体管的所述栅极端子电容性地耦合到所述数据线，使得在所述第二开关晶体管开启且所述数据线被施加有斜坡电压时，在所述驱动晶体管、所述第二开关晶体管和所述编程电容器中传输电流，且同时所述驱动晶体管的所述栅极端子根据所传输的电流进行调节。

（14）根据（1）所述的像素电路，其还包括：存储电容器，所述存储电容器连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子。

（15）根据（14）所述的像素电路，其中，由所述反馈电容器在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生的电压变化是根据所述存储电容器和所述反馈电容器之间的电压分配关系产生的。

（16）根据（14）所述的像素电路，其中，所述存储电容器的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子，且所述存储电容器的第二端子连接到稳定电压，以允许根据编程信息对所述存储电容器进行充电。

（17）根据（14）所述的像素电路，其中，所述存储电容器的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子，且所述存储电容器的第二端子连接到电源线。

（18）根据（1）所述的像素电路，其中，所述发光器件是有机发光二极管，且所述反馈电容器连接到所述有机发光二极管的阳极端子。

（19）根据（1）所述的像素电路，其中，所述驱动晶体管是n型或p型薄膜晶体管。

（20）一种显示器系统，其包括被布置成行和列的多个像素电路，所述多个像素电路中的每个所述像素电路包括：

（21）根据（20）所述的显示器系统，其中，每个所述像素电路被配置成使得所述反馈电容器将所述驱动晶体管的所述栅极端子电容性地耦合到所述发光器件，以自动地修正所述发光器件处的电压不稳定性。

（22）一种像素电路，其包括：

第一开关晶体管，其连接在所述驱动晶体管的所述栅极端子和所述像素电路的节点之间；以及

复位电容器，其连接在所述节点和复位线之间，使得在所述第一开关晶体管开启时，所述复位线电容性地耦合到所述驱动晶体管的所述栅极端子。

（23）根据（22）所述的像素电路，其中，通过所述复位线使所述第一开关晶体管进行操作，使得在通过调节所述复位线上的电压来开启所述第一开关晶体管的同时在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生电压变化。

（24）根据（23）所述的像素电路，其中，所述驱动晶体管的所述栅极端子处的所述电压变化对所述驱动晶体管进行复位。

（25）根据（22）所述的像素电路，其还包括：发射控制晶体管，所述发射控制晶体管串联连接在所述驱动晶体管和所述发光器件之间，且

其中，所述节点位于所述驱动晶体管和所述发射控制晶体管之间。

（26）根据（25）所述的像素电路，其还包括：反馈电容器，所述反馈电容器连接在所述发光器件和所述驱动晶体管的所述栅极端子之间，使得所述发光器件两端间的电压变化在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生相应的电压变化。

（27）根据（22）所述的像素电路，其中，所述复位线进行操作，以根据所述复位电容器的电容和所述驱动晶体管的所述栅极端子处的总电容在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生电压变化。

（28）根据（22）所述的像素电路，其中，通过选择线使所述第一开关晶体管进行操作，使得在对所述复位线上的电压进行调节之前开启所述第一开关晶体管，从而在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生电压变化。

（29）根据（28）所述的像素电路，其中，所述驱动晶体管的所述栅极端子处的所述电压变化对所述驱动晶体管进行复位。

（30）根据（22）所述的像素电路，其还包括：

编程电容器，所述编程电容器连接在所述驱动晶体管的所述栅极端子和数据线之间，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子电容性地耦合到所述数据线。

（31）根据（30）所述的像素电路，其还包括：

第二开关晶体管，所述第二开关晶体管被布置成用于选择性地将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接到所述编程电容器。

（32）根据（22）所述的像素电路，其还包括：存储电容器，所述存储电容器连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子。

（33）根据（32）所述的像素电路，其中，所述存储电容器的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子，且所述存储电容器的第二端子连接到稳定电压，以允许根据编程信息对所述存储电容器进行充电。

（34）根据（32）所述的像素电路，其中，所述存储电容器的第一端子连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子，且所述存储电容器的第二端子连接到电源线。

（35）根据（22）所述的像素电路，其中，所述复位线被显示器阵列中的多于一行中的多个类似像素电路共用，使得对所述复位线上的电压的调节在所述多个像素电路的所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生电压变化。

（36）根据（35）所述的像素电路，其中，所述多个像素电路中的所述驱动晶体管响应于对所述复位线上的电压的调节而被同时复位。

（37）根据（22）所述的像素电路，

其中，所述驱动晶体管的所述栅极端子响应于对所述复位线上的电压的调节而被调节至复位电压，且

其中，在将编程信息施加到所述像素电路之前所述驱动晶体管被复位。

（38）根据（22）所述的像素电路，其中，所述发光器件是有机发光二极管，且所述反馈电容器连接到所述有机发光二极管的阳极端子。

（39）根据（22）所述的像素电路，其中，所述驱动晶体管是n型或p型薄膜晶体管。

（40）一种用于操作像素电路的方法，所述像素电路包括：

电容器，其连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子并且用于根据编程信息向所述栅极端子施加电压；

复位电容器，其连接在所述节点和复位线之间，使得在所述第一开关晶体管开启的同时所述复位线被电容性地耦合到所述驱动晶体管的所述栅极端子，

所述方法包括：

开启所述第一开关晶体管；

调节所述复位线上的电压，以经由所述复位晶体管的电容性耦合在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生电压变化；

根据编程信息对所述像素电路进行编程；以及

驱动所述像素电路以根据所述编程信息发光。

（41）根据（40）所述的用于操作像素电路的方法，其中，通过所述复位线使所述第一开关晶体管进行操作，且

调节所述复位线上的电压的步骤包括将所述复位线上的电压从所述第一开关晶体管的关闭电压变化到所述第一开关晶体管的开启电压，使得在调节所述复位线上的电压的同时开启所述第一开关晶体管。

（42）根据（40）所述的用于操作像素电路的方法，其中，通过选择线使所述第一开关晶体管进行操作，且调节所述复位线上的电压的步骤是在开启所述第一开关晶体管的步骤之后执行的。

（43）根据（40）所述的用于操作像素电路的方法，其还包括：

通过关闭串联连接在所述驱动晶体管和所述发光器件之间的发射控制晶体管，防止所述像素电路发光。

（44）根据（40）所述的用于操作像素电路的方法，其还包括：

通过将电压电源线设定成足以反向偏置所述发光器件的电压，防止所述像素电路发光。

Claims

1.一种像素电路，其包括：

2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述反馈电容器将所述驱动晶体管的所述栅极端子电容性地耦合到所述发光器件，以自动地修正所述发光器件处的电压不稳定性。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述发光器件处的由于经过所述发光器件的电流的增加而引起的电压增加在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生相应的电压增加，以使经过所述驱动晶体管的所述电流减小。

4.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述发光器件处的由于经过所述发光器件的电流的减小而引起的电压减小在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生相应的电压减小，以使经过所述驱动晶体管的所述电流增加。

5.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述发射控制晶体管进行操作以在对所述像素电路进行编程之前关闭，使得所述发光器件的电压放电至关闭电压。

6.根据权利要求1所述的像素电路，其还包括：开关电路，所述开关电路根据选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子选择性地耦合到用于根据编程信息对所述像素电路进行编程的数据线。

7.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述开关电路包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管根据第一选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接到所述数据线。

8.根据权利要求6所述的像素电路，

9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述第二开关晶体管在位于所述驱动晶体管和所述发射控制晶体管之间的节点处连接到经过所述驱动晶体管的所述电流路径。

10.根据权利要求6所述的像素电路，

11.根据权利要求10所述的像素电路，其中，所述第二开关晶体管在位于所述驱动晶体管和所述发射控制晶体管之间的节点处连接到经过所述驱动晶体管的所述电流路径。

12.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述开关电路包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管根据第一选择线进行操作，以将所述驱动晶体管的所述栅极端子连接到所述数据线。

13.根据权利要求12所述的像素电路，

14.根据权利要求1所述的像素电路，其还包括：存储电容器，所述存储电容器连接到所述驱动晶体管的所述栅极端子。

15.根据权利要求14所述的像素电路，其中，由所述反馈电容器在所述驱动晶体管的所述栅极端子处产生的电压变化是根据所述存储电容器和所述反馈电容器之间的电压分配关系产生的。