DE102019122474B9

DE102019122474B9 - Ansteuerverfahren und anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102019122474B9
Application number: DE102019122474.8A
Authority: DE
Inventors: Daniel Richter; Marcel Severin
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2019-08-21
Filing date: 2019-08-21
Publication date: 2023-03-02
Anticipated expiration: 2039-08-22
Also published as: WO2021032733A1; DE102019122474A1; DE102019122474B4; US20220293040A1; US11688332B2

Abstract

Ansteuerverfahren für eine Anzeigevorrichtung (1), die eine Vielzahl von lichtemittierenden Halbleiteremittern (E) mit unterschiedlichen intrinsischen Anschaltzeiten (A) aufweist, wobei das Verfahren umfasst:A) Bestimmen der intrinsischen Anschaltzeiten (A) der einzelnen Halbleiteremitter (E),B) Bestimmen und Speichern je einer Anschaltverzögerung (V) und/oder einer Anschaltstromveränderung (J) für jeden einzelnen der Halbleiteremitter (E), undC) Bestromen der einzelnen Halbleiteremitter (E) gemäß der zuvor bestimmten Anschaltverzögerung (V) und/oder Anschaltstromveränderung (J), sodass die Halbleiteremitter (E) in einem Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung (1) gleich lange Startzeiten (S) für eine Lichtemission haben, wobei- die Halbleiteremitter (E) nach einer Einschaltphase mit einer Sollstromstärke (L) bestromt werden,- während der Einschaltphase die Sollstromstärke (L) für die einzelnen Halbleiteremitter (E) zumindest zeitweise um die zugehörige Anschaltstromveränderung (J) erhöht oder erniedrigt wird, und- die Anschaltstromveränderungen (J) je bei höchstens 50 % der Sollstromstärke (L) liegen.

Description

Es wird ein Ansteuerverfahren angegeben. Darüber hinaus wird eine Anzeigevorrichtung angegeben.
Die Druckschriften US 2011 / 0 234 097 A1 sowie US 2013 / 0 300 724 A1 , US 2016 / 0 119 990 A1 und auch US 2014 / 0 139 139 A1 betreffen Ansteuerverfahren für Halbleiterbauteile.
Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein Ansteuerverfahren anzugeben, mit dem lichtemittierende Halbleiteremitter effizient und mit einer hohen Farbwiedergabequalität ansteuerbar sind.
Diese Aufgabe wird durch ein Ansteuerverfahren und durch eine Anzeigevorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen Ansprüche.
Mit dem Verfahren werden eine Vielzahl von lichtemittierenden Halbleiteremittern angesteuert. Bei den Halbleiteremittern handelt es sich bevorzugt um Leuchtdiodeneinheiten und/oder um Leuchtdiodenchips. Jeder der Halbleiteremitter kann somit durch einen separaten Leuchtdiodenchip gebildet sein. Alternativ sind die Halbleiteremitter einzelne Segmente von Leuchtdiodenchips, wobei entsprechende Leuchtdiodenchips mehrere der Segmente umfassen und die Segmente bevorzugt elektrisch unabhängig voneinander betreibbar sind.
Die Halbleiteremitter umfassen jeweils eine Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge weist mindestens eine aktive Zone auf, die im Betrieb des Leuchtdiodenchips zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet ist. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al_nIn_1-n-mGa_mN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al_nIn_1-n-mGa_mP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al_nIn_1-n-mGa_mAs oder wie Al_nGa_mIn_1-n-mAs_kP_1-k, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 sowie 0 ≤ k < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
Eine Strahlung, die in den Halbleiteremittern erzeugt wird, wird von den Halbleiteremittern insbesondere so emittiert oder im Wesentlichen so emittiert, wie in der zugeordneten Halbleiterschichtenfolge produziert. Das heißt, es sind bevorzugt Halbleiterschichtenfolgen zur Erzeugung von rotem Licht, zur Erzeugung von grünem Licht und zur Erzeugung von blauem Licht vorhanden. Das heißt, die Anzeigevorrichtung für das Ansteuerverfahren kann frei von Leuchtstoffen sein. Alternativ ist es möglich, dass Halbleiteremitter für verschiedene Farben auf dem gleichen Halbleitermaterialsystem und/oder auf der gleichen Halbleiterschichtenfolge basieren und dass eine Emissionsfarbe über einen oder über mehrere, erforderlichenfalls nur lokal aufgebrachte, Leuchtstoffe erfolgt.
Die Halbleiteremitter weisen unterschiedliche intrinsische Anschaltzeiten auf. Die intrinsische Anschaltzeit ist diejenige Zeitspanne von einem Beginnen eines Bestromens des betreffenden Halbleiteremitters bis zum Einsetzen einer Lichtemission einer bestimmten Stärke des betreffenden Halbleiteremitters. Bei einer vorgegebenen Spannung und/oder bei einem vorgegebenen Strom handelt es sich bei der intrinsischen Anschaltzeit um eine inhärente Eigenschaft des betreffenden Halbleiteremitters, zumindest bei einer bestimmten Temperatur, wie Raumtemperatur, also 300 K.
Das Ansteuerverfahren umfasst den Schritt des Bestimmens der intrinsischen Anschaltzeiten der einzelnen Halbleiteremitter. Das Bestimmen der Anschaltzeiten erfolgt beispielsweise durch eine Analyse eines zeitlichen Verlaufs einer Spannung an dem Halbleiteremitter und/oder eines zeitlichen Verlaufs einer Spannung an einer Stromquelle oder an einer Spannungsquelle für den betreffenden Halbleiteremitter. Alternativ kann die Anschaltzeit durch eine zeitliche Abhängigkeit einer Lichtkurve eines bestimmten Halbleiteremitters ermittelt werden.
Bevorzugt erfolgt das Bestimmen der intrinsischen Anschaltzeiten der Halbleiteremitter über eine elektrische, zeitabhängige Charakteristik. Es wird bevorzugt für jeden einzelnen Halbleiteremitter die intrinsische Anschaltzeit individuell ermittelt.
Das Ansteuerverfahren umfasst den Schritt des Bestimmens und/oder des Speicherns je einer Anschaltverzögerung und/oder einer Anschaltstromveränderung für jeden einzelnen der Halbleiteremitter. Die Anschaltverzögerungen sind jeweils Zeitspannen, für die ein Anschaltvorgang eines bestimmten Halbleiteremitters verzögert wird. Die Anschaltstromveränderungen sind Änderungen eines Stroms während einer Einschaltphase des zugehörigen Halbleiteremitters.
Durch die Anschaltverzögerungen und/oder durch die Anschaltstromveränderungen lässt sich das Anschaltverhalten des betreffenden Halbleiteremitters verändern, sodass Unterschiede in den intrinsischen Anschaltzeiten zwischen verschiedenen Halbleiteremittern ausgleichbar sind und eine Lichtemission der verschiedenen Halbleiteremitter somit gleichzeitig oder im Wesentlichen gleichzeitig beginnen kann. Im Wesentlichen Gleichzeitig bedeutet beispielsweise mit einer zeitlichen Toleranz von höchstens 0,1 µs oder 30 ns, insbesondere zwischen einschließlich 10 ns und 30 ns.
Das Verfahren umfasst den Schritt des Bestromens der einzelnen Halbleiteremitter gemäß der zuvor bestimmten Anschaltverzögerung und/oder Anschaltstromveränderung. Damit lassen sich gleich lange Startzeiten für die Lichtemission der Halbleiteremitter in einem Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung erreichen. Es ist möglich, dass das Bestimmen und Speichern der Anschaltverzögerungen und/oder der Anschaltstromveränderungen vor einem eigentlichen bestimmungsgemäßen Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung erfolgt, insbesondere in einem Kalibriermodus.
Das Ansteuerverfahren dient somit zur Ansteuerung einer Anzeigevorrichtung, die eine Vielzahl von lichtemittierenden Halbleiteremittern mit unterschiedlichen intrinsischen Anschaltzeiten aufweist. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:

A) Bestimmen der intrinsischen Anschaltzeiten der einzelnen Halbleiteremitter,
B) Bestimmen und Speichern je einer Anschaltverzögerung und/oder einer Anschaltstromveränderung für jeden einzelnen der Halbleiteremitter, und
C) Bestromen der einzelnen Halbleiteremitter gemäß der zuvor bestimmten Anschaltverzögerung und/oder Anschaltstromveränderung, sodass die Halbleiteremitter in einem Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung gleich lange Startzeiten für eine Lichtemission haben.

Aufgrund der Technologieunterschiede zwischen Nitridbasierten Halbleiteremittern und Phosphid-basierten Halbleiteremittern sowie aufgrund von Unterschieden in den typischen Chipgrößen für rot, grün und blau emittierende Halbleiterchips in Anzeigevorrichtungen mit vielen verschiedenen Halbleiterchips unterscheiden sich die Anschaltzeiten der einzelnen Chips teils signifikant voneinander. Gleiches gilt für die Halbleiterchips einer bestimmten Emissionsfarbe, welche nominell baugleich sind, herstellungsbedingt jedoch Toleranzen in den Anschaltzeiten aufweisen. Im Wesentlichen hängen die Anschaltzeiten, auch als Turn on-Zeiten bezeichnet, von dem Quotienten aus der Kapazität C und dem Betriebsstrom I ab, kurz C/I. Dabei ist die Kapazität C insbesondere eine Funktion der Chipfläche und des Materialsystems, neben anderen Einflussfaktoren.
Speziell bei niedrigen darzustellenden Helligkeiten der Anzeigevorrichtung und bei hohen Bildwiederholungsraten in Videoanwendungen, also bei geringen Betriebsströmen, ist ohne weitere Maßnahmen in der Regel eine Rotverschiebung zu beobachten. Dies liegt insbesondere daran, dass die Anschaltzeiten für grün und blau emittierende Halbleiterchips wesentlich länger sind als für rot emittierende Halbleiterchips. Aufgrund von Schwankungen der Anschaltzeiten innerhalb einer Chipcharge kommt es zudem zu zufälligen Schwankungen der Anschaltzeiten, welche ohne weitere Maßnahmen nur schwer ausgleichbar sind.
Mit dem hier beschriebenen Ansteuerverfahren ist eine automatische, Halbleiteremitter-aufgelöste Kompensation der unterschiedlichen Anschaltzeiten, insbesondere einhergehend mit verschiedenen Kapazitäten der Halbleiteremitter, ermöglicht und Diskretisierungsfehler können minimiert werden.
Mit dem hier beschriebenen Ansteuerverfahren und mit der hier beschriebenen Ansteuervorrichtung sind niedrigere minimale Helligkeiten ohne Farbverschiebungen darstellbar. Fertigungstoleranzen, äußere Einflüsse und Diskretisierungsfehler können somit nahezu komplett kompensiert werden. Außerdem sind höhere Helligkeiten der Anzeigevorrichtung erreichbar.
Insbesondere durch die Anschaltstromveränderungen kann ein Großteil bis hin zur gesamten Taktzeit einer Impulsweitenmodulation, kurz PWM, zur Darstellung von Bildinhalten genutzt werden, da weniger und/oder kürzere Anschaltverzögerungen notwendig sind. Somit kann ein Dynamikumfang der darstellbaren Helligkeiten der Anzeigevorrichtung maximiert werden, wobei Farbverschiebungen vermeidbar sind. Dies resultiert in einer Verbesserung der Darstellung insbesondere von HDR-Bildern. HDR steht für High Dynamic Range.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Anzeigevorrichtung eine oder mehrere Gruppen von Halbleiteremittern auf. Die nachfolgende Beschreibung erfolgt zur Vereinfachung der Ausführungen für lediglich eine einzige Gruppe von Halbleiteremittern; gleichermaßen lassen sich die Ausführungen aber auf mehrere Gruppen von Halbleiteremittern übertragen.
Die beispielsweise nur eine Gruppe umfasst N der Halbleiteremitter. N beträgt beispielsweise mindestens vier oder mindestens acht oder mindestens 16. Alternativ oder zusätzlich liegt N bei höchstens 256 oder bei höchstens 64 oder bei höchstens 16. Alternativ ist es möglich, dass N eine vergleichsweise große Zahl ist, beispielsweise mindestens 10³ und/oder von höchstens 10¹⁰.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt eine Ansteuerung der Anzeigevorrichtung mit einer Taktfrequenz, insbesondere mittels einer Impulsweitenmodulation. Die Taktfrequenz der PWM liegt beispielsweise bei mindestens 15 MHz oder 30 MHz und/oder bei höchstens 100 MHz oder 50 MHz oder 35 MHz. Der Taktfrequenz ist eine Taktzeit zugeordnet. Die Taktzeit ist das Inverse der Taktfrequenz.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform betragen die individuellen Anschaltverzögerungen für die N Halbleiteremitter je ein K_i-Faches einer Taktzeit der Taktfrequenz. Dabei sind diese Halbleiteremitter mit i durchnummeriert, wobei i ∈ [1; N]_ℕ sowie alle K_i ∈ ℕ₀. Für einen oder mehrere oder alle der Halbleiteremitter der betreffenden Gruppe gilt K_i ≠ 0.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt für alle K_i: 0 ≤ K_i ≤ 12. Bevorzugt gilt für zumindest einige oder auch für alle der K_i: 2 ≤ K_i ≤ 8.
Solche Anschaltverzögerungen, die der Taktzeit oder einem Vielfachen der Taktzeit entsprechen, werden auch als Dummy Clocks bezeichnet. In anderen Worten entsprechen die Dummy Clocks der Anzahl der Taktzeiten, die die Anschaltverzögerung andauert. Für Anwendungen mit hohen Multiplexraten ist beispielsweise das Anspringverhalten der Lichtemission von blau emittierenden Chips ohne weitere Maßnahmen solange verzögert, dass es bei dunklen Bildinhalten, also bei einem besonders niedrigen Vorwärtsstrom, und bei langen Anschaltzeiten zu einem rotstichigen Bildinhalt kommt. Das heißt, die blau emittierenden Chips weisen vergleichsweise große intrinsische Anschaltzeiten auf.
Neben einem Einfluss des Materialsystems und der Zielwellenlängen der Halbleiterchips gibt es noch Herstellungsverteilungen der einzelnen Chipkapazitäten. Diese sind üblicherweise statistisch verteilt und lassen sich nicht durch einen standardisierten Dummy Clock-Ansatz kompensieren, ohne dass genauere Kenntnisse der einzelnen Kapazitäten der Halbleiteremitter vorliegen. Werden Dummy Clocks in anderen Verfahren verwendet, so erfolgt im Regelfall eine Korrektur bestenfalls für ein bestimmtes Betriebsfeld eines Ansteuerchips mit einer bestimmten Kanalanzahl und/oder es werden pro Emissionsfarbe die gleiche Anzahl von Dummy Clocks eingestellt. Aufgrund von Kosteneinsparungen kann eine solche Dummy Clock-Einstellung auch für die gesamte Anzeigevorrichtung einheitlich eingestellt sein.
Hierdurch lassen sich Farbverschiebungen jedoch nur bedingt korrigieren. Demgegenüber erfolgt bei dem hier beschriebenen Ansteuerverfahren eine Bestimmung der Anschaltverzögerungen individuell für die einzelnen Halbleiteremitter, so dass auch innerhalb der Halbleiterchips einer bestimmten Emissionsfarbe unterschiedliche Dummy Clocks eingestellt werden können.
Die chipfeine Kompensation wird mit dem hier beschriebenen Anstellverfahren insbesondere automatisch durchgeführt, beispielsweise durch eine Messung einer Anstiegszeit oder einer Abklingzeit in einem Spannungsverlauf.
Die Halbleiteremitter werden nach einer Einschaltphase mit einer Sollstromstärke bestromt. Das heißt, nach der Einschaltphase kann für die einzelnen Halbleiteremitter die applizierte Stromstärke konstant sein. Es ist möglich, dass die Halbleiteremitter aus einer Konstantstromquelle gespeist werden. Bevorzugt ist die Sollstromstärke für alle Halbleiteremitter einer bestimmten Emissionsfarbe nominell, also innerhalb von betriebsbedingten Schwankungen, gleich.
Während der Einschaltphase wird die Sollstromstärke für die einzelnen Halbleiteremitter zeitweise oder dauerhaft um die zugehörige Anschaltstromveränderung erhöht oder erniedrigt. Das heißt, anders als im normalen Betrieb von Halbleiteremittern an einer Konstantstromquelle wird gezielt die Sollstromstärke in der Einschaltphase verändert. Hierdurch lassen sich unterschiedliche Ladeströme von Kapazitäten, die mit den Halbleiteremittern assoziiert sind, kompensieren.
Gemäß zumindest eine Ausführungsform liegt die zu den einzelnen Halbleiteremittern gehörige Anschaltstromverzögerung pro Anschaltzyklus während der Einschaltphase je nur in höchstens zwei Taktzeiten oder auch nur in höchstens einer der Taktzeiten vor. Das heißt, die Anschaltstromveränderung wird nur vergleichsweise kurzzeitig eingesetzt und insbesondere nicht über die gesamte Einschaltphase hinweg.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden zumindest einige der Halbleiteremitter pro Anschaltzyklus während der Einschaltphase mit Taktzeiten mit sowie mit Taktzeiten ohne Anschaltstromveränderung betrieben. Damit ist die Anschaltstromveränderung gezielt auf bestimmte Taktzeiten des Anschaltzyklus begrenzt.
Alternativ ist es möglich, dass die Anschaltstromveränderung über die gesamte Einschaltphase hinweg vorliegt. Das heißt, während der Einschaltphase einerseits und während des nachfolgenden Normalbetriebs liegt je eine bestimmte, konstante Stromstärke vor.
Die Anschaltstromveränderung liegt für die einzelnen Halbleiteremitter je bei höchstens 50 % der Sollstromstärke. Zusätzlich kann die Anschaltstromveränderung bei mindestens 15 % der Sollstromstärke liegen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform gehen die unterschiedlichen intrinsischen Anschaltzeiten innerhalb der zumindest einen Gruppe mit den N Halbleiteremittern zu mindestens 40 % oder 60 % oder 80 % oder vollständig auf unterschiedliche Kapazitäten der Halbleiteremitter zurück.
Diese Halbleiteremitter der vorgenannten Gruppe weisen bevorzugt im Rahmen der Herstellungstoleranzen die gleiche Emissionsfarbe und/oder Emissionswellenlänge auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden im Schritt B) die Anschaltverzögerungen und/oder die Anschaltstromveränderungen für die einzelnen Halbleiteremitter durch eine Messung eines zeitlichen Spannungsverlaufs an einer Stromzuführung des jeweiligen Halbleiteremitters ermittelt. Dabei erfolgt das Ermitteln der Anschaltverzögerungen und/oder der Anschaltstromveränderungen insbesondere durch das Ermitteln einer Anstiegszeit oder einer Abklingzeit des zeitlichen Spannungsverlaufs.
Die Anstiegszeit oder die Abklingzeit ist beispielsweise eine sogenannte τ10-τ90-Zeit, also eine Zeitspanne, innerhalb der die Spannung von 10 % auf 90 %, bezogen auf einen Startpunkt und auf einen Endpunkt der Spannungsveränderung, abfällt oder ansteigt. Alternativ kann die Anstiegszeit oder die Abklingzeit eine Zeitkonstante sein, während der ein Anstieg oder ein Abklingen auf ein e-Faches oder auf 1/e erfolgt, wobei e ≈ 2,71828.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Halbleiteremitter mit einer Vorlade-Funktion betrieben. Das heißt, an einer Stromzuführung liegt vor einem Einschalten des betreffenden Halbleiteremitters eine Vorlade-Spannung an, die bevorzugt größer ist als eine Vorwärts-Spannung des zugeordneten Halbleiteremitters. Über eine angepasste Vorlade-Funktion, auch als Precharge bezeichnet, sind unterschiedliche Kapazitäten der Halbleiteremitter effizient kompensierbar und die Einschaltphase lässt sich insgesamt verkürzen. Die Vorlade-Funktion ist insbesondere in einer Konstantstromquelle für die betreffenden Halbleiteremitter realisiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind einige oder alle der Halbleiteremitter, denen die verschiedenen Anschaltverzögerungen und/oder Anschaltstromveränderungen zugeordnet sind, zur Emission von Licht der gleichen Farbe eingerichtet, zum Beispiel zur Erzeugung von rotem Licht. Insbesondere sind diese Halbleiteremitter im Rahmen der Herstellungstoleranzen baugleich. Somit wird über die Anschaltverzögerungen und/oder über die Anschaltstromveränderungen eine Schwankungsbreite der Halbleiteremitter aufgrund deren Herstellung kompensiert.
Darüber hinaus wird eine Anzeigevorrichtung angegeben. Die Anzeigevorrichtung wird mit einem Ansteuerverfahren betrieben, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale der Anzeigevorrichtung sind daher auch für das Ansteuerverfahren offenbart und umgekehrt.
Die Anzeigevorrichtung umfasst mehrere der Halbleiteremitter, die zur Lichtemission eingerichtet sind und die die verschiedenen intrinsischen Anschaltzeiten aufweisen. Weiterhin umfasst die Ansteuervorrichtung einen oder mehrere Steuerchips, wobei der mindestens eine Steuerchip zum Bestimmen der intrinsischen Anschaltzeiten der einzelnen Halbleiteremitter sowie zum Bestimmen und Speichern je einer Anschaltverzögerung und/oder einer Anschaltstromveränderung für jeden der einzelnen Halbleiteremitter eingerichtet ist. Weiterhin ist eine Stromquelle, insbesondere eine Konstantstromquelle, vorhanden, die zum Bestromen der einzelnen Halbleiteremitter gemäß der zuvor bestimmten Anschaltverzögerung und/oder Anschaltstromveränderungen eingerichtet ist, so dass die Halbleiteremitter im Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung gleich lange Startzeiten haben und somit eine Lichtemission der Halbleiteremitter gleichzeitig beginnt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Anzeigevorrichtung mehrere der Steuerchips und mehrere der Stromquellen, wobei zwischen den Steuerchips und den Stromquellen eine eindeutige Zuordnung vorliegen kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Anzeigevorrichtung zumindest einen Taktgeber. Durch den Taktgeber ist die Taktfrequenz vorgegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist pro Gruppe von Halbleiteremittern genau einer der Steuerchips zur Ansteuerung dieser Halbleiteremitter vorhanden. Die Halbleiteremitter innerhalb einer jeden der Gruppen weisen bevorzugt je die gleiche Emissionsfarbe auf. Die Gruppen beinhalten bevorzugt mindestens vier oder acht oder 16 und/oder höchstens 128 oder 64 oder 32 der Halbleiteremitter.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind in den Steuerchips je die Anschaltverzögerungen und/oder die Anschaltstromveränderungen für die an den betreffenden Steuerchip angeschlossenen Halbleiteremitter abgespeichert. Das heißt, die Anschaltverzögerungen und/oder die Anschaltstromveränderungen sind lokal und/oder nahe an den betreffenden Halbleiteremittern hinterlegt. Ansteuerwege an die betreffenden Halbleiteremitter sind bevorzugt möglichst kurz gestaltet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Stromquellen jeweils dazu eingerichtet, von dem zugeordneten Steuerchip zur Bestromung des betreffenden Halbleiteremitters oder der betreffenden Halbleiteremitter angesteuert zu werden. Beispielsweise ist die eine Stromquelle pro Steuerchip zur sequentiellen Bestromung aller zugeordneter Halbleiteremitter eingerichtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Anzeigevorrichtung ein RGB-Display. Das heißt, rot emittierende Halbleiteremitter, grün emittierende Halbleiteremitter und blau emittierende Halbleiteremitter sind in Kombination miteinander vorhanden, wobei die unterschiedlich farbig emittierenden Halbleiteremitter bevorzugt auf unterschiedlichen Halbleitermaterialsystemen beruhen.
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Ansteuerverfahren und eine hier beschriebene Anzeigevorrichtung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:

1 eine schematische Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Anzeigevorrichtung,
2 eine schematische Schaltskizze zum Betreiben von Halbleiteremittern für hier beschriebene Verfahren und Anzeigevorrichtungen,
3 bis 8 schematische Darstellungen von Zeitverläufen von Spannungen oder Lichtemissionen oder Strömen für Halbleiteremitter für hier beschriebene Ansteuerverfahren und für hier beschriebene Anzeigevorrichtungen, und
9 einen schematischen zeitlichen Spannungsverlauf zur Bestimmung einer Abklingzeit zur Ermittlung von Ansteuerverzögerungen und/oder Anschaltstromveränderungen für hier beschriebene Ansteuerverfahren und für hier beschriebene Anzeigevorrichtungen.

In 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer Anzeigevorrichtung 1 illustriert. Die Anzeigevorrichtung 1 umfasst eine Vielzahl von Halbleiteremittern E, die für eine Lichtemission eingerichtet sind. Die Halbleiteremitter E sind jeweils in Gruppen von beispielsweise acht Halbleiteremittern E an je einen Steuerchip 5 angeschlossen. Bei dem Steuerchip 5 handelt es sich insbesondere um einen integrierten Schaltkreis, kurz IC. Über den jeweiligen Steuerchip 5 sind die Halbleiteremitter E elektrisch einzeln ansteuerbar.
Die Steuerchips 5 sind bevorzugt gemeinsam an eine Kontrolleinheit 2 angeschlossen. Die Kontrolleinheit 2 ist insbesondere dazu eingerichtet, Ansteuersignale oder Signale für darzustellende Bilder zu empfangen. Das heißt, über die Kontrolleinheit 2 kann das gesamte, von der Anzeigevorrichtung 1 darzustellende Bild aus einem Eingangssignal erfasst und in Steuersignale für die einzelnen Steuerchips 5 umgewandelt werden. Bevorzugt umfasst die Kontrolleinheit 2 einen Taktgeber 6, der eine Taktfrequenz ausgibt. Die Taktfrequenz liegt bevorzugt im Megahertzbereich.
Alle Halbleiteremitter E, die an einen bestimmten Steuerchip 5 angeschlossen sind, sind bevorzugt im Rahmen der Herstellungstoleranzen baugleich und zur Emission von Licht einer bestimmten Farbe eingerichtet. Das heißt, Bildpunkte 7 zur farbigen Emission erstrecken sich über mehrere der Stränge und damit über mehrere Steuerchips 5 hinweg.
In 2 ist ein Beispiel einer Schaltung um einen einzelnen Steuerchip 5 gezeichnet. Über ein Steuersignal C wird bevorzugt eine Stromquelle 4 vom Steuerchip 5 aus angesteuert. Die Stromquelle 4 kann mit einer Schalteinheit 8 zusammenwirken, beispielsweise zusammengesetzt aus mehreren Transistoren. Über die Schalteinheit 8 und über die Stromquelle 4 sind mehrere der lichtemittierenden Halbleiteremitter E sequentiell ansteuerbar.
Der Steuerchip 5 empfängt, neben nicht gezeichneten Ansteuersignalen von der Kontrolleinheit 2, bevorzugt ein Signal vom Taktgeber 6. Weiterhin besteht bevorzugt eine Leitung vom Steuerchip 5 zum Messen einer Spannung U an einen Ausgang der Stromquelle 4.
Abweichend von der Darstellung der 2 ist es auch möglich, dass die Stromquelle 4 und der Steuerchip 5 in einer einzigen Komponente, wie einem Mikrocontroller, integriert sind. Die Leitungen für die Spannung U und für das Steuersignal C können damit Leitungen innerhalb eines Halbleiterchips sein.
In 3 ist ein Verlauf eines Lichtstroms Φv in Abhängigkeit von der Zeit t dargestellt. Dabei sind die Kurven für einen Halbleiteremitter EB für blaues Licht, für ein Halbleiteremitter EG für grünes Licht und für mehrere Halbleiteremitter ER für rotes Licht dargestellt. Zu erkennen ist, dass die verschiedenen Halbleiteremitter EB, EG, ER verschiedene intrinsische Anschaltzeiten AR, AG, AB aufweisen. Das heißt, eine Lichtemission der verschiedenen Halbleiteremitter beginnt zu verschiedenen Zeiten. Somit liegen verschiedene Startzeiten S für die jeweilige Lichtemission vor.
Dabei sind die Unterschiede in den Anschaltzeiten AR, AG, AB zwischen verschiedenen Emissionsfarben relativ groß. Jedoch treten auch innerhalb beispielsweise der rot emittierenden Halbleiteremitter ER Schwankungen der intrinsischen Anschaltzeit AR auf. Insbesondere die Verteilung der Anschaltzeiten AR zwischen den verschiedenen Halbleiteremittern ER für rotes Licht unterliegt statistischen Schwankungen.
In 4 ist eine Korrektur über unterschiedliche Anschaltverzögerungen VB, VG, VR veranschaulicht. Dabei erfolgt eine Ansteuerung mit einer Taktfrequenz mit Taktzeiten T, wobei die Taktzeit T ein Inverses der Taktfrequenz ist. Um eine Lichtemission aller Halbleiteremitter EB, EG, ER gleichzeitig starten zu lassen, werden für die verschiedenen Arten von Halbleiteremittern unterschiedliche Anzahlen an Taktzeiten T als Anschaltverzögerung VB, VG, VR vorgegeben.
Das Resultat hieraus ist in 5 dargestellt. Aufgrund dieser Kompensation beginnt eine Lichtemission der Halbleiteremitter näherungsweise bei der gleichen Startzeit S.
Wie in 3 insbesondere für die rot emittierenden Halbleiteremitter ER illustriert, liegen jedoch unterschiedliche intrinsische Anschaltzeiten AR für die verschiedenen Emitter ER vor. Diese ist in 6 näher erläutert. Dabei ist zu erkennen, dass eine Kompensation nur über die Anschaltverzögerungen V1, V2, V3 immer noch eine vergleichsweise große Ungenauigkeit hinsichtlich der tatsächlichen Startzeiten S zur Folge hat. Dies ist dadurch kompensierbar, dass eine Anschaltstromveränderung J erfolgt, in 6 schematisch durch eine Schraffur gekennzeichnet. Die Anschaltstromveränderung J ist beispielsweise eine Reduzierung eines Stroms gegenüber einem Sollstrom J für einen nachfolgenden kontinuierlichen Betrieb des betreffenden Halbleiteremitters ER, insbesondere in der letzten Taktzeit T der zugehörigen Anschaltverzögerung V1, V2, V3.
In 7 ist demgegenüber schematisch illustriert, dass die Anschaltstromveränderung J eine Erhöhung der Sollstromstärke L ist. Dabei ist in 7 ein Strom E gegenüber der Zeit t aufgetragen.
In den 6 und 7 sind somit Varianten gezeigt, wonach die Anschaltstromveränderung J eine Reduzierung oder eine Erhöhung der Sollstromstärke L ist. Weiterhin ist illustriert, dass die Anschaltstromveränderung J über eine gesamte Einschaltphase hinweg vorliegen kann oder auf bestimmte Taktzeiten innerhalb einer Einschaltphase begrenzt ist. Diese beiden Möglichkeiten, also Anschaltstromerhöhung und Anschaltstromerniedrigung einerseits sowie andererseits Applizieren der Anschaltstromveränderung während einer gesamten Einschaltphase oder nur während eines Teils der Einschaltphase, können beliebig miteinander kombiniert werden, so dass auch die in den 6 und 7 nicht dargestellten Kombinationen vorliegen können.
In 8 ist ein Verlauf einer Spannung U entlang der Zeit t dargestellt. Die Spannung U wird insbesondere an einem Ausgang der Stromquelle 4, die insbesondere ein Konstantstromtreiber ist, hin zu den Halbleiteremittern E gemessen, wie in 2 veranschaulicht. Ein Einschalten der verschiedenen Halbleiteremitter E1, E2, E3 erfolgt zur Zeit t = 0. Zu erkennen ist, dass unterschiedliche zeitliche Verläufe der Spannungen für die jeweiligen Halbleiteremitter E1, E2, E3 vorliegen. Die Halbleiteremitter E1, E2, E3 entsprechen insbesondere den Halbleiteremittern ER aus 6 und sind damit nominell im Rahmen der Herstellungstoleranzen zwar baugleich und zum Bespiel zur Erzeugung von rotem Licht eingerichtet, weisen aber dennoch verschiedene Anschaltzeiten A1, A2, A3 auf.
Über die unterschiedlichen Verläufe der Spannungen zu den Halbleiteremittern E1, E2, E3 lassen sich die verschiedenen intrinsischen Anschaltzeiten A1, A2, A3 ermitteln. Diese Anschaltzeiten A1, A2, A3 gehen insbesondere einher mit verschiedenen Kapazitäten der zugehörigen Halbleiteremitter E1, E2, E3.
Durch dieses Bestimmen und Speichern der verschiedenen Anschaltzeiten A1, A2, A3 lassen sich die Anschaltstromveränderungen J und die Anschaltverzögerungen V bestimmen, die nötig sind, um die Lichtemission der betreffenden Halbleiteremitter E1, E2, E3 gleichzeitig starten zu lassen. Über den jeweils zugeordneten Steuerchip 5 kann dann eine entsprechende Ansteuerung der Halbleiteremitter E1, E2, E3 erfolgen.
Ein beispielhafter Verlauf der Spannung U am Ausgang des Konstantstromtreibers 4 ist in 9 dargestellt. Beispielsweise wird die Anzeigevorrichtung 1 mit einer Versorgungsspannung von 5 V versorgt und der Treiberausgang liegt bei einer Spannung von 2 V, falls der zugehörige Halbleiteremitter angeschaltet ist. Damit fallen 3 V über den Halbleiteremitter ab und die Vorwärtsspannung wird erreicht und Strom beginnt zu fließen. Diese ist im Zeitbereich I dargestellt.
Soll der Treiber den zugeordneten Halbleiteremitter ausschalten, so wird der Treiberausgang auf ein höheres Potential gezogen und die Vorwärtsspannung des Halbleiteremitters wird somit verringert, bis kein Strom mehr fließen kann. Dies ist am Beginn des Zeitbereichs II dargestellt.
Daraufhin wird optional im Zeitbereich III eine Vorlade-Funktion aktiviert, die Störeffekte wie sogenanntes Lower Ghosting unterdrücken kann. Nach diesen Schritten I bis III ist ein kompletter Zyklus hinsichtlich des Ausschaltens abgefahren und der nächste Zyklus, beispielsweise ein Betreiben der nächsten Zeile in der Anzeigevorrichtung, kann beginnen. Hierzu muss das Potential des Ausgangs des Treibers wieder auf 2 V fallen. Dieses Fallen der Spannung U ist abhängig von einer Kapazität des betriebenen Halbleiteremitters.
Sollte hier ein Halbleiteremitter mit einer vergleichsweise hohen Kapazität betrieben werden, so dauert das entsprechende Aufladen bei gleichem Strom entsprechend länger. So ergeben sich verschieden große Aufladezeiten, die mit einer τ10-τ90-Messung bestimmt werden können, wodurch Rückschlüsse auf die Kapazität des zugehörigen Halbleiteremitters gezogen werden können. Eine entsprechende Messung der Abklingzeit der Spannung U ist im Zeitbereich IV in 9 illustriert. Im Zeitbereich V ist der zugehörige Halbleiteremitter wieder angeschaltet und der Zeitbereich V endet dann, nicht dargestellt, nachfolgend mit einem Zeitbereich I. In 9 ist somit ein gesamter Zyklus veranschaulicht.
Beim Vorgehen, wie in 9 illustriert, wird bevorzugt im Steuerchip 5 ein Wert der Initialspannung abgespeichert und bei genügend schnellem Abrastern wird die Anschaltphase im Zeitbereich IV gemessen. Durch das Vergleichen der daraus ermittelten Spannungswerte kann der Wert von τ10-τ90 ermittelt werden. Der Wert τ10-τ90 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 0,5 µs und 1,5 µs, insbesondere über alle Halbleiteremitter gemittelt. Je höher dieser Wert ist, desto länger muss die vorzuhaltende Anschaltverzögerung V sein und/oder je größer der dafür benötigte Aufladestrom und damit die Anschaltstromveränderung J. Dieser Aufladestrom entspricht nicht zwingend der Sollstromstärke L, also dem Display-Betriebsstrom, sondern wird bevorzugt individuell angepasst.
So können zusätzlich Diskretisierungsfehler, die bei diskreten Anschaltverzögerungen V mit Intervallen entsprechend der Taktzeit T und mit der Sollstromstärke L auftreten, durch das analoge Signal der Anschaltstromveränderung minimiert werden, wie in Verbindung mit 6 illustriert. Außerdem kann durch eine regelmäßige Messung auf sich ändernde Betriebsmodi reagiert werden, so dass eine immer optimale Kompensation erreicht werden kann, über die gesamte Lebensdauer der Anzeigevorrichtung hinweg.
Diese Messung, wie in Verbindung mit 9 illustriert, erfolgt bevorzugt für jeden der Halbleiteremitter und das Messergebnis wird für jeden der Halbleiteremitter abgespeichert, so dass eine individuelle, auf jeden einzelnen Halbleiteremitter abgestimmte Bestromung durchgeführt werden kann.
Beispielsweise liegen die Kapazitäten der Halbleiteremitter, bei einer Kantenlänge von 230 µm bei quadratischen Dünnfilm-LED-Chips, bei 10 pF für eine Emission im roten Spektralbereich, bei 30 pF für eine Emission im grünen Spektralbereich und bei 40 pF für eine Emission im blauen Spektralbereich. Dies gilt insbesondere für differentielle Kapazitäten bei 0 V. Diese Werte können zum Beispiel mit einer Toleranz von höchstens einem Faktor 5 oder von höchstens einem Faktor 2 in allen Ausführungsbeispielen gelten.
Eine Schwankung der Kapazität zwischen verschiedenen, nominell baugleichen Halbleiteremittern liegt zum Beispiel bei höchstens +/- 10 % oder +/- 20 % und/oder bei mindestens +/- 2 % oder +/- 5 %. Bei Halbleiteremittern mit einem Saphirsubstrat kann die Schwankung der Kapazität auch bei bis zu +/-50 % liegen.
Typische Taktzeiten T liegen bei 30 ns, bei einer Taktfrequenz von 33 MHz. Die Taktzeit kann auch deutlich kleiner sein und bei höchstens 10 ns oder 5 ns liegen, zum Beispiel bei einer Taktfrequenz von bis zu 240 MHz.
Typische Werte für die Anschaltverzögerung liegen bei 1 µs bis 1,5 µs, insbesondere zwischen 0,2 µs und 2 µs.
Die Halbleiteremitter werden beispielsweise bis zu 256mal während der Darstellung eines Frames angesprochen.
Bevorzugt sind die Kapazitäten C der Halbleiteremitter nach höchstens 15 oder nach höchstens 10 Taktzeiten komplett geladen.
Basierend zum Beispiel auf einer Anschaltverzögerung von wenigen µs und einer Taktfrequenz von bis zu 240 MHz, entsprechend einer Taktzeit von 3,75 ns, ist mit dem hier beschriebenen Verfahren eine ausreichend genaue zeitliche Auflösung und Korrektur der Anschaltverzögerung insbesondere anhand des Verlaufs der Spannung, wie beispielhaft in 9 illustriert, möglich.
Bezugszeichenliste

1: Anzeigevorrichtung
2: Kontrolleinheit
3: Stromzuführung
4: Stromquelle
5: Steuerchip
6: Taktgeber
7: Bildpunkt
8: Schalteinheit
A: intrinsische Anschaltzeit
B: Blau
C: Steuersignal
E: lichtemittierender Halbleiteremitter
G: Grün
I: Strom
J: Anschaltstromveränderung
L: Sollstromstärke
R: Rot
S: Startzeit für eine Lichtemission
t: Zeit
T: Taktzeit
U: Spannung
V: Anschaltverzögerung
ΦV: Lichtstrom
I...V: Zeitbereiche

Claims

Ansteuerverfahren für eine Anzeigevorrichtung (1), die eine Vielzahl von lichtemittierenden Halbleiteremittern (E) mit unterschiedlichen intrinsischen Anschaltzeiten (A) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: A) Bestimmen der intrinsischen Anschaltzeiten (A) der einzelnen Halbleiteremitter (E), B) Bestimmen und Speichern je einer Anschaltverzögerung (V) und/oder einer Anschaltstromveränderung (J) für jeden einzelnen der Halbleiteremitter (E), und C) Bestromen der einzelnen Halbleiteremitter (E) gemäß der zuvor bestimmten Anschaltverzögerung (V) und/oder Anschaltstromveränderung (J), sodass die Halbleiteremitter (E) in einem Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung (1) gleich lange Startzeiten (S) für eine Lichtemission haben, wobei - die Halbleiteremitter (E) nach einer Einschaltphase mit einer Sollstromstärke (L) bestromt werden, - während der Einschaltphase die Sollstromstärke (L) für die einzelnen Halbleiteremitter (E) zumindest zeitweise um die zugehörige Anschaltstromveränderung (J) erhöht oder erniedrigt wird, und - die Anschaltstromveränderungen (J) je bei höchstens 50 % der Sollstromstärke (L) liegen.
Ansteuerverfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei - die Anzeigevorrichtung (1) mindestens eine Gruppe mit N Halbleiteremittern (E) aufweist, - die Anzeigevorrichtung (1) mit einer Taktfrequenz angesteuert wird, - die individuellen Anschaltverzögerungen (V) für die N Halbleiteremitter (E) ein K_i-Faches einer Taktzeit der Taktfrequenz betragen und diese Halbleiteremitter (E) mit i durchnummeriert sind mit i ∈ [1; N]_ℕ sowie alle K_i ∈ ℕ₀, und - für zumindest einen der Halbleiteremitter (E) K_i ≠ 0 gilt.
Ansteuerverfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei für alle K_i gilt: 0 ≤ K_i ≤ 12, und wobei für zumindest einige der K_i gilt: 2 ≤ K_i ≤ 8.
Ansteuerverfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei die zu den einzelnen Halbleiteremittern (E) gehörige Anschaltstromveränderung (J) pro Anschaltzyklus während der Einschaltphase je nur in höchstens zwei Taktzeiten vorliegt.
Ansteuerverfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die zu den einzelnen Halbleiteremittern (E) gehörige Anschaltstromveränderung (J) pro Anschaltzyklus während der Einschaltphase je nur in genau einer Taktzeit vorliegt, und wobei zumindest einige der Halbleiteremitter (E) pro Anschaltzyklus während der Einschaltphase mit Taktzeiten mit und mit Taktzeiten ohne Anschaltstromveränderung (J) betrieben werden.
Ansteuerverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Anschaltverzögerungen (V) zumindest einiger der Halbleiteremitter (E) mindestens 0,2 µs und höchstens 2 µs beträgt.
Ansteuerverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Schritt B) die Anschaltverzögerungen (V) und/oder die Anschaltstromveränderungen (J) für die einzelnen Halbleiteremitter (E) durch eine Messung eines zeitlichen Spannungsverlaufs an einer Stromzuführung (3) des jeweiligen Halbleiteremitters (E) ermittelt werden.
Ansteuerverfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Anschaltverzögerungen (V) und/oder die Anschaltstromveränderungen (J) im Schritt B) durch eine Anstiegszeit oder durch eine Abklingzeit des zeitlichen Spannungsverlaufs bestimmt werden.
Ansteuerverfahren nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiteremitter (E) mit einer Vorlade-Funktion betrieben werden, sodass an der Stromzuführung (3) vor einem Einschalten des betreffenden Halbleiteremitters (E) eine Vorlade-Spannung anliegt, die größer ist als eine Vorwärtsspannung dieses Halbleiteremitters (E).
Ansteuerverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest einige der Halbleiteremitter (E), denen die verschiedenen Anschaltverzögerungen (V) und/oder Anschaltstromveränderungen (J) zugeordnet sind, zur Emission von Licht der gleichen Farbe eingerichtet sind.
Ansteuerverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest einige der Halbleiteremitter (E), denen die verschiedenen Anschaltverzögerungen (V) und/oder Anschaltstromveränderungen (J) zugeordnet sind, im Rahmen der Herstellungstoleranzen baugleich sind.
Anzeigevorrichtung (1), die mit einem Ansteuerverfahren nach einem der vorherigen Ansprüche betrieben wird, umfassend: - mehrere der Halbleiteremitter (E), die zur Lichtemission eingerichtet sind und die die intrinsischen Anschaltzeiten (t) aufweisen, - einen Steuerchip (5), der zum Bestimmen der intrinsischen Anschaltzeiten (t) der einzelnen Halbleiteremitter (E) sowie zum Bestimmen und Speichern je einer Anschaltverzögerung (V) und/oder einer Anschaltstromveränderung (J) für jeden einzelnen der Halbleiteremitter (E) eingerichtet ist, und - eine Stromquelle (4), die zum Bestromen der einzelnen Halbleiteremitter (E) gemäß der zuvor bestimmten Anschaltverzögerung (V) und/oder Anschaltstromveränderung (J) eingerichtet ist, sodass die Halbleiteremitter (E) im Anzeigebetrieb der Anzeigevorrichtung (1) gleich lange Startzeiten (S) haben.
Anzeigevorrichtung (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, umfassend mehrere der Steuerchips (5) und mehrere der Stromquellen (4) sowie ferner umfassend einen Taktgeber (6), wobei - Gruppen von je mindestens vier und von höchstens 64 der im Rahmen der Herstellungstoleranzen baugleichen Halbleiteremitter (E) je von genau einem der Steuerchips (5) angesteuert werden, - in den Steuerchips (5) je die Anschaltverzögerungen (V) und/oder die Anschaltstromveränderungen (J) für die an den betreffenden Steuerchip (5) angeschlossenen Halbleiteremitter (E) abgespeichert sind, - die Stromquellen (4) dazu eingerichtet sind, jeweils von dem zugeordneten Steuerchip (5) zur Bestromung des betreffenden Halbleiteremitters (E) angesteuert zu werden, und - die Anzeigevorrichtung (1) ein RGB-Display ist, sodass rot, grün und blau emittierende Halbleiteremitter (E) vorhanden sind.