KR20120129335A - 화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법 - Google Patents

화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드, 구동 전압에 연결되어 있고, 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터, 상기 보상 커패시터에 전기적으로 연결 또는 차단되는 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함하는 화소, 이를 복수 개 포함하는 표시 장치, 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전압을 방전시켜 리셋 시키고, 상기 보상 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 저장된다. 상기 제1 저장 커패시터에 대응하는 데이터 신호에 따라 데이터 전압이 저장되고, 상기 제2 저장 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 구동 전류에 따라 상기 유기발광다이오드가 발광하다.
상기 복수의 화소 각각의 유기발광다이오드가 동일한 발광 기간 동안 대응하는 구동 전류에 의해 발광하고, 상기 데이터 전압이 저장되는 단계 및 상기 유기발광다이오드가 발광하는 단계는 시간적으로 중첩된다.

Description

화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법{PIXEL, DIPLAY DEVICE COMPRISING THE PIXEL AND DRIVING METHOD OF THE DIPLAY DEVICE}
본 발명은 화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법에 관한 것이다. 특히 유기발광다이오드를 포함하는 화소 및 그 화소를 포함하는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 표시 장치, 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 타입의 표시 장치의 한 프레임은 영상 데이터를 기입(programming)하기 위한 주사(scan) 기간과 기입된 영상 데이터에 따라 발광하는 발광 기간을 포함한다. 그런데 표시 패널의 사이즈가 대형으로 증가하고, 그 해상도가 증가할수록 표시 패널의 RC 지연이 증가한다. 그러면 표시 패널의 각 화소에 영상 데이터를 기입하는 시간이 증가하여 표시 장치의 구동이 어려워진다.
또한, 표시 장치가 입체 영상을 표시하는 경우 이런 문제점은 더욱 가중된다.
표시 장치가 NTSC 방식에 따라 입체 영상을 표시하는 경우, 표시 장치는 1초에 좌안용 그림 60장 및 우안용 그림 60장을 교대로 표시해야 한다. 따라서 입체 영상을 표시하기 위한 표시 장치의 구동 주파수는 표시 장치가 평면 영상을 표시할 때에 비해 적어도 2배 이상이 된다.
입체 영상을 표시하기 위한 경우, 적어도 1/120 초 이내에 데이터 기입이 완료되어야 하므로, 주사 기간 동안 전체 표시 패널을 주사하고 영상 데이터를 기입하기 위해 높은 구동 주파수로 동작하는 드라이버가 필요하다. 높은 구동 주파수의 드라이버는 생산 단가를 증가시키는 원인이 된다.
본 발명은 대형화 및 고해상도에 적합하고 입체 영상을 표시할 수 있는 화소, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이 목적이다.
본 발명의 한 특징에 따른 표시 장치는, 유기발광다이오드, 구동 전압에 연결되어 있고, 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터, 상기 보상 커패시터에 전기적으로 연결 또는 차단되는 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함하는 화소를 복수 개 포함한다. 이 표시 장치의 구동 방법은, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전압이 방전되는 리셋 단계; 상기 보상 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 저장되는 보상 단계; 상기 제1 저장 커패시터에 대응하는 데이터 신호에 따라 데이터 전압이 저장되는 주사 단계; 및 상기 제2 저장 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 구동 전류에 따라 상기 유기발광다이오드가 발광하는 단계를 포함한다. 상기 복수의 화소 각각의 상기 발광 단계는 동시에 일어나고, 상기 주사 단계 및 발광 단계는 시간적으로 중첩된다.
상기 주사 단계는, 상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터의 연결이 차단되고, 상기 제1 저장 커패시터에 상기 대응하는 데이터 신호가 전달되는 단계를 포함한다.
상기 발광 단계는, 상기 제2 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결되고, 상기 제2 저장 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 전압이 변경되는 단계를 포함한다.
상기 리셋 단계는, 상기 구동 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 유기발광다이오드의 애노드 전극이 상기 구동 전압에 연결되고, 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 입력되는 다른 구동 전압이 상기 구동 전압보다 높은 단계를 포함한다.
상기 보상 단계는, 상기 제1 저장 커패시터가 상기 보상 커패시터에 연결되고, 상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결된 접점에 소정의 전압이 입력되고, 상기 구동 트랜지스터가 다이오드 연결되는 단계를 포함한다.
상기 표시 장치의 구동 방법은, 상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결되고, 상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결된 접점의 전압에 소정의 기준 전압이 전달되며, 상기 기준 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 전압이 초기화되는 단계를 더 포함한다. 상기 기준 전압은, 상기 구동 트랜지스터가 턴 온 시키는 레벨이다.
상기 표시 장치는, 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 연결되어 있는 다른 구동 전압을 더 포함하고, 상기 다른 구동 전압은 상기 리셋 단계 및 상기 보상 단계의 전압 레벨과 상기 발광 기간의 전압 레벨이 서로 다르다.
본 발명의 다른 특징에 따른 표시 장치는 구동 트랜지스터, 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함하는 화소를 복수 개 포함한다. 상기 표시 장치의 구동 방법은, 상기 복수의 화소 각각의 제1 저장 커패시터에 제1 프레임 데이터가 제1 주사 기간 동안 기입되는 단계, 상기 복수의 화소 각각의 제2 저장 커패시터에 제2 프레임 데이터가 제2 주사 기간 동안 기입되는 단계, 및 상기 제1 저장 커패시터에 기입된 제1 프레임 데이터에 따라 상기 복수의 화소 각각의 구동 트랜지스터에 흐르는 구동 전류에 의해 상기 복수의 화소 각각이 제1 발광 기간 동안 발광하는 단계를 포함하고, 상기 제2 주사 기간 및 상기 제1 발광 기간은 시간적으로 중첩한다.
상기 표시 장치의 구동 방법은, 상기 제1 프레임에 선행하는 제3 프레임 데이터에 따라 상기 복수의 화소가 제2 발광 기간 동안 발광하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 발광 기간과 상기 제1 주사 기간은 시간적으로 중첩한다.
상기 제1 프레임 데이터는 제1 시점(view point) 데이터이고, 상기 제2 프레임 데이터는 상기 제1 시점과 다른 제2 시점 데이터이다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 표시 장치의 화소는, 유기발광다이오드, 제1 구동 전압에 전기적으로 연결되어 있고, 상기 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터, 상기 보상 커패시터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하고, 제1 동작제어신호에 의해 제어되는 제1 동작제어 트랜지스터, 상기 보상 커패시터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하고, 제2 동작제어신호에 의해 제어되는 제2 동작제어 트랜지스터, 상기 제1 동작제어 트랜지스터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하는 제1 저장 커패시터, 및 상기 제2 동작제어 트랜지스터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하는 제2 저장 커패시터를 포함하고, 상기 제1 동작제어 트랜지스터가 턴 오프 되어 상기 제1 저장 커패시터에 대응하는 데이터 신호에 따라 데이터 전압이 저장되는 동안, 상기 제2 동작제어 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 제2 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결된다.
상기 화소는, 상기 제1 저장 커패시터의 일전극에 연결되어 있는 일전극 및 상기 대응하는 데이터 신호가 입력되는 타전극을 포함하고, 제1 주사 신호에 의해 제어되는 제1 스위칭 트랜지스터, 및 상기 제2 저장 커패시터의 일전극에 연결되어 있는 일전극 및 상기 대응하는 데이터 신호가 입력되는 타전극을 포함하고, 제2 주사 신호에 의해 제어되는 제2 스위칭 트랜지스터를 더 포함한다.
상기 화소는 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 연결되어 있는 보상 트랜지스터를 더 포함한다.
보상 기간 동안 상기 제1 스위칭 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 보상 트랜지스터가 턴 온 된다.
상기 제1 저장 커패시터는 상기 제1 구동 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함하고, 상기 제2 저장 커패시터는 상기 제1 구동 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
또는, 상기 제1 저장 커패시터는 상기 제1 구동 전압과 다른 소정의 기준 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함하고, 상기 제2 저장 커패시터는 상기 기준 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
상기 제1 구동 전압은 제2 구동 전압 및 제3 구동 전압을 포함하고, 상기 제2 구동 전압 및 상기 제3 구동 전압은 서로 동일한 파형이며, 상기 화소는, 상기 제2 구동 전압과 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 제1 발광 트랜지스터, 및 상기 제3 구동 전압과 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 제2 발광 트랜지스터를 더 포함한다.
상기 화소는, 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 인가되는 제4 구동 전압을 더 포함하고, 리셋 기간 동안, 상기 구동 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제1 구동 전압이 상기 제4 구동 전압보다 낮은 레벨이다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 표시 장치는, 복수의 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터 선, 복수의 제1 주사 신호를 전달하는 복수의 제1 주사선, 복수의 제2 주사 신호를 전달하는 복수의 제2 주사선, 제1 동작제어신호 및 제2 동작제어신호를 전달하는 복수의 제1 동작제어선 및 복수의 제2 동작제어선, 제1 구동 전압을 전달하는 복수의 제1 구동 전압선 및 제2 구동 전압을 전달하는 복수의 제2 구동 전압선, 및 대응하는 데이터선, 제1 주사선, 제2 주사선, 제1 동작제어선, 제2 동작제어선, 제1 구동 전압선, 및 제2 구동 전압선에 연결되어 있는 화소를 복수개 포함한다. 상기 화소는, 상기 대응하는 제2 구동 전압선에 캐소드가 연결되어 있는 유기발광다이오드, 상기 제1 구동 전압에 연결되어 있고, 상기 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터, 상기 보상 커패시터와 상기 구동 전압 사이에 연결되어 있는 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함한다.
상기 대응하는 제1 주사선을 통해 전달되는 제1 주사 신호 및 상기 대응하는 제1 동작제어선을 통해 전달되는 제1 동작제어신호에 따라 상기 제1 저장 커패시터가 상기 대응하는 데이터 선에 연결되고 상기 보상 커패시터와 차단되는 제1 기간과, 상기 대응하는 제2 주사선을 통해 전달되는 제2 주사 신호 및 상기 대응하는 제2 동작제어선을 통해 전달되는 제2 동작제어신호에 따라 상기 제2 저장 커패시터가 상기 대응하는 데이터 선과 차단되고 상기 보상 커패시터에 연결되는 제2 기간이 시간적으로 중첩된다.
상기 표시 장치는 보상 신호를 전달하는 복수의 보상 제어선을 더 포함하고, 상기 화소는 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극에 연결되어 있고 상기 보상 신호에 따라 동작하는 보상트랜지스터를 더 포함한다.
상기 보상 트랜지스터가 턴 온 되고 상기 제1 전압선을 통해 전달되는 제1 구동 전압이 제1 레벨인 리셋 기간 동안, 상기 제2 전압선을 통해 전달되는 제2 구동 전압 레벨은, 상기 제1 기간 및 제2 기간 동안, 상기 제2 구동 전압의 레벨과 다르다. 상기 제1 구동 전압은 상기 제1 기간 및 제2 기간 동안 상기 제1 레벨과 다른 제2 레벨이다.
본 발명은 대형화 및 고해상도에 적합하고 입체 영상을 표시할 수 있는 화소, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공한다.
도 1은 표시부의 전체 화소를 두 개의 그룹으로 나누어 구동하는 경우를 나타낸 도면이다.
도 2는 표시 장치에서 발생할 수 있는 모션 아티팩트를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방식을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 표시부를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 동시발광 구동 방식에 따라 입체 영상이 표시되는 경우를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 다른 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 또 다른 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시장치는 동시 발광 방식으로 동작한다. 동시 발광 방식이란, 표시장치에 표시되는 한 프레임의 영상이 동시에 표시되도록, 해당 프레임에 발광하는 복수의 화소가 동시에 발광하는 방식이다.
발광 기간 동안 모든 화소가 동시 발광하기 위해서는, 발광 기간 전에 모든 화소에 데이터 기입이 완료되어야 한다. 만약 한 프레임의 기간이 모든 화소에 데이터를 기입하는 주사 기간과 발광 기간으로 구분되어야 있다면, 주사 기간이 한 프레임 기간의 반 이하일 수 있다. 뿐만 아니라 발광 기간 역시 한 프레임 기간의 반 이하일 수 있다.
발광 기간과 주사 기간을 충분히 확보하기 위해서 표시 장치의 전체 화소를 두 개의 그룹으로 나누고, 두 개의 그룹이 교대로 주사 기간 동작 또는 발광 기간 동작을 할 수 있다.
도 1은 표시부의 전체 화소를 두 개의 그룹으로 나누어 구동하는 경우를 나타낸 도면이다.
표시부의 복수의 화소 중 제1 필드에 발광하는 복수의 제1 그룹 화소 및 제2 필드에 발광하는 복수의 제2 그룹 화소가 구분된다. 제1 필드 및 제2 필드 각각은 적어도 하나의 프레임을 포함하는 표시 기간으로서, 한 프레임은 리셋 기간(1), 보상기간(2), 주사기간(3), 및 발광 기간(4)을 순차적으로 포함할 수 있다.
리셋 기간(1)은 유기발광다이오드의 애노드 전압을 방전시켜 리셋 시키는 기간이고, 보상 기간(2)의 화소의 구동 트랜지스터 문턱 전압을 보상하는 기간이다.
또한, 제1 필드(EFD)와 제2 필드(OFD)는 소정 기간(SF)만큼 이동된 시점에 동기되어 구동된다. 구체적으로, 제1 필드(EFD)의 한 프레임(1FE)에 시간적으로 인접하는 제2 필드의 한 프레임(1FO)은 시간적으로 한 프레임(1FE)으로부터 기간(SF)만큼 시프트 된다. 기간(SF)은 주사기간(3)이 서로 겹치지 않도록 설정된다. 제1 필드의 한 프레임(2FE)은 프레임(1FE)에 연속되고, 제2 필드의 한 프레임(2FO)은 프레임(1FO)에 연속된다.
제1 그룹 화소들이 발광하는 기간(4) 동안 제2 그룹 화소들 각각에는 대응하는 데이터 신호가 기입되는 주사기간(3)이 발생한다. 마찬가지로, 제2 그룹 화소들이 발광하는 기간(4) 동안 제2 그룹 화소들 각각에는 대응하는 데이터 신호가 기입되는 주사기간(3)이 발생한다. 따라서, 주사기간(3)을 충분히 확보할 수 있어 표시 패널을 구동시키기 위한 시간적 마진(margin)이 증가한다. 또한, 주사 주파수를 낮출 수 있으므로, 데이터 신호를 생성 및 데이터 선에 전달하는 데이터 구동부 및 주사 신호를 생성하는 주사 구동부의 대역폭이 감소하여 회로 부품의 단가가 감소할 수 있다.
이와 같이, 두 개의 그룹으로 화소가 구분되고 각 그룹이 발광하는 필드를 구분하여 동작하는 경우, 표시장치는 대형화 및 고해상도로 제조될 수 있다. 또한, 표시 장치는 동시 발광에 따라 구동되므로, 순차적으로 주사라인을 따라 발광하는 종래에 비해 모션 블러(motion blur)가 감소될 수 있다. 덧붙여, 두 개의 그룹 각각이 특정 시점(view point)의 영상을 표시하는 경우, 표시 장치는 두 개의 그룹 각각에 다른 시점의 화면을 표시하여 입체 영상 표시가 가능하다.
다만, 복수의 화소를 두 개의 그룹으로 구분하기 위해서, 두 개의 그룹 각각에 구동전압이 구분되어 공급되어야 하고, 구동전압이 공급되는 배선을 달리해야 한다. 또한, 제1 그룹 화소들 및 제2 그룹 화소들의 배치에 따라서 화소 회로 구조 및 배선 구조 복잡하게 될 수 있다. 즉, 패널 설계가 복잡해질 수 있다.
제1 그룹 화소들 및 제2 그룹 화소들의 배치에 따라 영상을 나타내는 데이터 역시 맵핑해야 하므로, 데이터를 맵핑하는 제어부의 구성 및 동작이 복잡해질 수 있다.
아울러, 제1 그룹 화소들과 제2 그룹 화소들 사이에 발광 시간 차가 존재하므로, 특정 속도로 패턴이 이동할 경우 제1 그룹 화소들 및 제2 그룹 화소들의 패널 내 배치 모습이 패턴으로 시인될 수 있다. 이를 모션 아티팩트(motion artifact)라 한다.
도 2는 표시 장치에서 발생할 수 있는 모션 아티팩트를 나타낸 도면이다. 도 2에서는 제1 그룹 화소들과 제2 그룹 화소들이 행별로 형성되어 있는 경우 발생할 수 있는 모션 아티팩트가 도시되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 1 그룹 화소들과 제2 그룹 화소들의 배치가 시인된다. 그러면 도 2와 같이, 두 개의 그룹 배치에 따라 각 그룹의 블록 가장자리가 어긋나게 보이는 모션 아티팩트가 발생할 수 있다.
본 발명은 동시 발광 방식으로 구동하는 표시 장치로서, 발광 기간 동작과 주사 기간 동작이 복수의 화소 각각에 수행되는 표시 장치를 제공한다. 그러면 주사 기간과 발광 기간을 충분히 확보할 수 있고, 표시 장치의 화소들을 두 개의 그룹으로 나누지 않아 모션 아티팩트등 위에 기술된 단점을 방지할 수도 있다.
아울러, 각 화소에 주사와 발광이 함께 이뤄지므로, 본 발명에 따른 표시 장치는 데이터 기입 기간 및 발광 기간을 연장시킬 수 있다.
이하 도 3등을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 방식을 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 한 프레임은 리셋 기간(1), 보상 기간(2), 주사 기간(3), 및 발광 기간(4)을 포함한다. 시간적으로 주사 기간(3)과 발광 기간(4)은 시간적으로 중첩되어 발생한다.
현재 프레임의 발광 기간(4)에 화소는 직전 프레임의 주사 기간(3)에 기입된 데이터에 따라 발광하고, 현재 프레임의 주사 기간(3)에 화소에 기입되는 데이터에 따라 화소는 다음 프레임의 발광 기간(4)에 발광한다.
기간 T1에 N 번째 프레임의 주사 기간(3) 및 발광 기간(4)이 포함된다. 따라서 기간 T1의 주사 기간(3)에 화소들에 기입되는 데이터는 N 번째 프레임의 데이터이고, 기간 T1의 발광 기간(4)에 화소들은 N-1 번째 프레임의 주사 기간(3)에 기입된 N-1 번째 프레임의 데이터에 따라 발광한다.
기간 T2은 N+1 번째 프레임의 주사 기간(3) 및 발광 기간(4)이 포함된다. 따라서 기간 T2의 주사 기간(3)에 화소들에 기입되는 데이터는 N+1 번째 프레임의 데이터이고, 기간 T2의 발광 기간(4)에 화소들은 N 번째 프레임의 주사 기간(3, 즉 기간 T1)에 기입된 N 번째 프레임의 데이터에 따라 발광한다.
기간 T3 및 T4의 주사 기간(3)에서는 N+2 번째 프레임의 데이터 및 N+3 번째 프레임의 데이터가 화소들에 기입되고, 기간 T3 및 T4의 발광 기간(4)에서는 N+1 번째 프레임의 주사기간(3)에 기입된 데이터 및 N+2 번째 프레임의 주사기간(3)에 기입된 데이터에 따라 화소들이 발광한다.
현재 프레임의 데이터가 주사 기간(3)에 화소에 기입되고, 주사 기간(3)과 동일한 기간인 발광 기간(4)에 화소가 직전 프레임의 데이터에 따라 발광하기 위한 화소 구조를 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 표시부(100)를 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 표시부(100)는 복수의 제1 주사선(SA1-SAn), 복수의 제2 주사선(SB1-SBn), 복수의 데이터선(data1-datam), 제1 전압선(101), 제2 전압선(102), 보상제어선(103), 제1 동작제어선(104), 및 제2 동작제어선(105)을 포함한다.
복수의 제1 주사선(SA1-SAn) 각각은 수평방향으로 연장되어 형성되어 있고, 복수의 제1 주사선(SA1-SAn) 각각에 한 행의 복수의 화소(PX)가 연결되어 있다. 복수의 제1 주사선(SB1-SBn) 각각은 수평방향으로 연장되어 형성되어 있고, 복수의 제1 주사선(SB1-SBn) 각각에 한 행의 복수의 화소(PX)가 연결되어 있다.
복수의 데이터선(data1-datam) 각각은 수직방향으로 연장되어 형성되어 있고, 복수의 제1 주사선(SA1-SAn) 및 복수의 제2 주사선(SB1-SBn)에 교차되어 형성된다. 복수의 데이터선(data1-datam) 각각에 한 열의 복수의 화소(PX)가 연결되어 있다.
제1 전압선(101)은 복수의 화소(PX) 각각에 구동 전압(ELVDD)을 전달하기 위한 배선이다. 제1 전압선(101)은 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있는 구조로 형성될 수 있다. 도 4에서는 그 일 예로, 제1 전압선(101)이 수직방향으로 형성되어 있는 복수의 배선 및 이들을 연결하는 하나의 연결배선으로 형성된다.
제2 전압선(102)은 복수의 화소(PX) 각각에 구동 전압(ELVSS)을 전달하기 위한 배선이다. 제2 전압선(102) 역시 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있는 구조로 형성될 수 있다. 도 4에서는 그 일 예로, 제2 전압선(101)이 수직방향으로 형성되어 있는 복수의 배선 및 이들을 연결하는 하나의 연결배선으로 형성된다.
보상제어선(103)은 복수의 화소(PX) 각각에 보상제어신호(GC)를 전달하기 위한 배선이다. 보상제어선(103) 역시 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있는 구조로 형성될 수 있다. 도 4에서는 그 일 예로, 보상제어선(103)이 수평방향으로 형성되어 있는 복수의 배선 및 이들을 연결하는 하나의 연결배선으로 형성된다.
제1 동작제어선(104)은 복수의 화소(PX) 각각에 제1 동작제어신호(MA)를 전달하기 위한 배선이다. 제1 동작제어선(104) 역시 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있는 구조로 형성될 수 있다. 도 4에서는 그 일 예로, 제1 동작제어선(104)이 수평방향으로 형성되어 있는 복수의 배선 및 이들을 연결하는 하나의 연결배선으로 형성된다.
제2 동작제어선(105)은 복수의 화소(PX) 각각에 제2 동작제어신호(MB)를 전달하기 위한 배선이다. 제2 동작제어선(105) 역시 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있는 구조로 형성될 수 있다. 도 4에서는 그 일 예로, 제2 동작제어선(105)이 수평방향으로 형성되어 있는 복수의 배선 및 이들을 연결하는 하나의 연결배선으로 형성된다.
복수의 화소(PX) 각각은 복수의 데이터 선 중 대응하는 데이터 선, 복수의 제1 주사선 중 대응하는 제1 주사선, 복수의 제2 주사선 중 대응하는 제2 주사선, 두 개의 구동 전압선, 보상제어선, 제1 동작제어선, 및 제2 동작제어선에 연결되어 있다.
이하, 도 5를 참조하여 화소 구조를 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 화소 구조를 나타낸 도면이다. 도 5에 도시된 화소(PX)는 제1 주사선(SAi), 제2 주사선(SBi), 및 데이터선(dataj)에 연결되어 있는 화소를 나타낸 것이다. 다른 화소 역시 도 5에 도시된 화소 구조와 동일하다.
도 5에 도시된 바와 같이, 화소는 6 개의 트랜지스터(TD, TSA, TSB, TMA, TMB, TGC), 2개의 저장 커패시터(CA, CB), 보상 커패시터(CTH), 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
화소를 동작시키는데 필요한 구동 전압(ELVDD) 및 구동 전압(ELVSS)은 구동트랜지스터(TD) 및 유기발광다이오드(OLED)가 직렬 연결되어 있는 양단에 공급된다.
도 5에 도시된 6 개의 트랜지스터(TD, TSA, TSB, TMA, TMB, TGC)의 채널 타입은 P-채널 타입이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 각 트랜지스터의 게이트 전극에 입력되는 신호 레벨 및 신호 레벨에 따른 각 트랜지스터의 동작 상태에 따라 각 트랜지스터의 채널 타입이 결정된다.
구동 트랜지스터(TD)는 구동 전압(ELVDD)에 연결되는 소스 전극, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결되는 드레인 전극, 및 보상 커패시터(CTH)에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함한다.
보상 보상트랜지스터(TGC)는 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 및 드레인 전극각각에 연결되어 있는 양 전극 및 보상제어신호(GC)가 입력되는 게이트 전극을 포함한다. 보상 보상트랜지스터(TGC)는 보상 기간(2) 중 구동 트랜지스터(TD)를 다이오드 연결시킨다.
보상 커패시터(CTH)는 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결되어 있는 일전극 및 두 개의 트랜지스터(TMA, TMB)각각의 일 전극에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
제1 동작제어트랜지스터(TMA)는 제1 동작제어신호(MA)가 입력되는 게이트 전극, 보상 커패시터(CTH)의 타 전극에 연결되어 있는 일전극, 및 제1 스위칭트랜지스터(TSA)의 일전극 및 저장 커패시터(CA)의 일전극에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
제1 스위칭트랜지스터(TSA)는 주사신호(SA[i])가 입력되는 게이트 전극, 제1 동작제어트랜지스터(TMA)의 타전극 및 커패시터(CA)의 일전극에 연결되어 있는 일전극, 및 데이트 라인(dataj)에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
제2 동작제어트랜지스터(TMB)는 제2 동작제어신호(MB)가 입력되는 게이트 전극, 보상 커패시터(CTH)의 타 전극에 연결되어 있는 일전극, 및 제2 스위칭트랜지스터(TSB)의 일전극 및 저장 커패시터(CB)의 일전극에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
제2 스위칭트랜지스터(TSB)는 주사신호(SB[i])가 입력되는 게이트 전극, 제2 동작제어트랜지스터(TMB)의 타전극 및 저장 커패시터(CB)의 일전극에 연결되어 있는 일전극, 및 데이트 라인(dataj)에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
저장 커패시터(CA)의 타 전극은 전압(ELVDD)에 연결되어 있고, 저장 커패시터(CB)의 타전극은 전압(ELVDD)에 연결되어 있다.
도 5에 도시된 화소는 저장 커패시터(CA)에 기입된 데이터 신호에 따라 구동 트랜지스터(TD)를 구동시키는 제1 경로, 및 저장 커패시터(CB)에 기입된 데이터 신호에 따라 구동 트랜지스터(TD)를 구동시키는 제2 경로를 포함한다.
제1 경로의 개방 및 연결을 제어하는 스위치가 트랜지스터(MA)이고, 제2 경로의 개방 및 연결을 제어하는 스위치가 트랜지스터(MB)이다. 트랜지스터(MA)는 제1 동작제어신호(MA)에 의해 제어되고, 트랜지스터(MB)는 제2 동작제어신호(MB)에 의해 제어된다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 리셋 기간(1), 보상 기간(2), 주사 기간(3), 및 발광 기간(4) 각각에 따라 구동 전압(ELVDD, ELVSS), 제1 주사신호(SA[1]-SA[n]), 제2 주사신호(SB[1]-SB[n]), 제1 동작제어신호(MA), 제2 동작제어신호(MB), 데이터신호(data[1]-data[m]), 및 보상제어신호(GC)가 변한다.
도 6에서는 매 프레임의 리셋 기간(1) 전에 초기화 기간(INIT)이 더 포함된다. 본 발명의 실시 예에 따른 리셋 구간은 초기화 기간을 더 포함한다. 초기화 동작은 표시 패널의 특성에 따라 생략이 가능하다.
초기화 기간(INIT) 중 제1 주사신호(SA[1]-SA[n])가 인에이블(ENABLE) 레벨인 기간 동안, 데이터신호(data[1]-data[m])는 접점(ND)의 전압을 초기화 시키는 기준 전압으로 변경된다. 제1 스위칭트랜지스터(TSA)는 P 채널 타입이므로, 제1 주사신호(SA[1]-SA[n])의 인에이블(ENABLE) 레벨은 로우 레벨이다.
기준 전압의 레벨은 유기발광다이오드(OLED)의 응답 파형을 개선하기 위한 레벨로 설정된다.
유기발광다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터(TD)의 히스테리시스 특성에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 응답 파형이 영향을 받는다. 예를 들면, 구동 트랜지스터의 드레인 전류와 게이트-소스 전압 간의 특성 곡선에서, 게이트-소스 전압이 증가하는 방향의 드레인 전류와 게이트-소스 전압이 감소하는 방향의 드레인 전류 간의 차이가 발생한다. 이런 현상이 구동 트랜지스터의 히스테리시스 특성이다.
동일한 데이터 신호에 대해서 고휘도에서 저 휘도로 변할 때의 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류와, 저 휘도에서 고휘도로 변할 때의 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류가 달라지면, 화면의 끌림 현상(motion blur)이 발생한다. 유기발광다이오드(OLED)의 응답 파형이 영향을 받는다는 의미는 위와 같이 히스테리시스 특성에 의한 영향을 받는 경우를 의미한다.
초기화 기간은 구동 트랜지스터의 게이트 전극 전압을 초기화시켜 히스테리시스 특성을 배제하기 위한 것이다.
본 발명의 실시 예에서 트랜지스터는 모두 P 채널 타입이므로, 인에이블 레벨은 P 채널 타입의 트랜지스터를 충분히(fully) 턴 온 시킬 수 있는 로우 레벨을 의미한다. 반대로 디스에이블(DISABLE) 레벨은 P 채널 타입의 트랜지스터를 충분히(fully) 턴 오프 시킬 수 있는 하이 레벨이다.
본 발명의 실시 예에서 기준 전압은 로우 레벨의 전압으로 설정되어 있으나, 이는 구동 트랜지스터의 채널 타입에 따라 변경될 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터가 N 채널 타입인 경우 기준 전압은 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.
초기화 기간(INIT)에서, 제1 주사신호(SA[1]-SA[n])가 인에이블 레벨이고 제1 동작제어신호(MA)가 인에이블 레벨인 기간 동안, 제1 스위칭트랜지스터(TSA) 및 제1 동작제어트랜지스터(TMA)가 턴 온 되어 데이터 신호(data[1]-data[m])가 접점(ND)에 전달된다. 이 때, 데이터신호(data[1]-data[m])는 로우 레벨의 기준 전압이므로, 접점(ND)의 전압이 감소하여 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전압이 감소한다.
초기화 기간(INIT)에 모든 화소의 접점(ND)의 전압이 기준 전압으로 감소하는바, 모든 화소의 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전압이 접점(ND)의 감소 폭만큼 감소하여 낮은 전압이 되어 로우 레벨이 되어 구동 트랜지스터(TD)는 턴 온 된다. 이때, 구동 전압(ELVSS)이 하이 레벨이므로 유기발광다이어드(OLED)에 전류가 흐르지 않고, 발광하지 않는다.
리셋 기간(1)에서 구동전압(ELVDD)이 로우 레벨이 되면, 온 상태인 구동트랜지스터(TD)를 통해 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압이 구동전압(ELVDD) 레벨로 리셋 된다. 리셋 기간(1)에서 제1 주사신호(SA[1]-SA[n])가 디스에이블 레벨이므로, 제1 스위칭트랜지스터(TSA)는 턴 오프 상태이다.
리셋 기간(1) 중 시점 T11에 보상제어신호(GC)가 로우 레벨이 되면, 보상보상트랜지스터(TGC)가 턴 온 되어, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드가 연결된다.
보상 기간(2)에서 구동 전압(ELVDD)이 하이 레벨이 되면, 온 상태인 보상보상트랜지스터(TGC)에 의해 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 및 드레인 전극이 연결된다. 즉, 구동 트랜지스터(TD)는 다이오드 연결된다. 그러면 다이오드 연결된 구동 트랜지스터(TD)를 통해 전류가 흐르게 된다. 이 때 구동 전압(ELVSS)은 하이 레벨이므로 유기발광다이오드(OLED)에 전류가 흐르지 않고, 발광하지 않는다.
보상기간(2)에서 제1 주사신호(SA[1]-SA[n])는 모두 로우 레벨이고 제1 스위칭트랜지스터(TSA)가 턴 온 되어, 데이터 신호(data[1]-data[m])가 접점(ND)에 전달된다. 보상기간(2)의 데이터 신호(data[1]-data[m])의 전압을 보조전압(VSUS)이라 한다. 본 발명의 실시 예에서 보존전압(VSUS)은 10V로 설정되고, 보상기간(2)에서 구동 전압(ELVDD)은 12V로 설정되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
다이오드 연결된 구동 트랜지스터(TD)에 의해 접점(NG)의 전압은 ELVDD+VTH(구동 트랜지스터 TD의 문턱 전압)이고, 접점(ND)의 전압은 VSUS이므로, 보상 커패시터(CTH)에는 전압(ELVDD+VTH-VSUS)이 저장된다.
보상제어신호(GC)가 하이 레벨이 되면, 보상트랜지스터(TGC)가 턴 오프 되고, 보상 커패시터(CTH)에 직렬 연결된 커패시터(CA) 및 보상 커패시터(CTH)에 의해 접점(ND) 및 접점(NG)의 전압이 유지된다.
보상 기간(2)후에 주사기간(3) 및 발광 기간(4)이 동시에 진행된다. N 프레임의 직전 프레임(N-1 프레임, 도시하지 않음)의 주사 기간 동안 화소(PX)에 기입된 데이터 신호에 따르는 구동 전류가 발생하여 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. N-1 프레임의 주사 기간 동안 복수의 화소(PX) 각각에 전달된 데이터 신호(data[1]-data[m])는 커패시터(CB)에 저장되어 있다.
N 프레임 주사기간(3) 동안 복수의 화소(PX)에 복수의 데이터 신호(data[1]-data[m])가 순차적으로 전달된다. N 프레임에 기입되는 데이터 신호(data[1]-data[m])는 커패시터(CA)에 저장된다.
보상 기간(2)이 종료된 후, 구동 전압(ELVSS)은 하이 레벨 10V에서 로우 레벨 0V로 감소하고, 제1 동작제어신호(MA)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변경되며, 제2 동작제어신호(MB)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경된다. 제1 동작제어신호(MA) 및 제2 동작제어신호(MB)는 서로 반전된 신호로서, 주사기간(3) 및 발광기간(4)에 두 동작제어신호(MA, MB)의 레벨이 매 프레임마다 변경된다.
주사기간(3) 및 발광기간(4) 동안, 제1 동작제어트랜지스터(TMA) 또는 제2 동작제어트랜지스터(TMB)를 턴 온 시키는 동작제어신호에 의해 발광 동작이 수행되고, 제1 동작제어트랜지스터(TMA) 또는 제2 동작제어트랜지스터(TMB)를 턴 오프 시키는 동작제어신호에 의해 주사 동작이 수행된다.
도 6에서는 일 예로서, N 프레임의 주사기간(3) 및 발광기간(4) 동안, 제1 동작제어신호(MA)가 제1 동작제어트랜지스터(TMA)를 턴 오프 시키는 하이 레벨이므로 저장 커패시터(CA)에 N 프레임의 데이터 신호(data[1]-data[m])가 기입되는 주사 동작이 수행된다. 그리고 제2 동작제어신호(MB)가 제2 동작제어트랜지스터(TMB)를 턴 온 시키는 로우 레벨이므로 저장 커패시터(CB)에 저장된 데이터 신호에 따라 구동 트랜지스터(TD)가 구동 전류를 제어하고, 유기발광다이오드(OLED)가 구동 전류에 의해 발광하는 발광 동작이 수행된다.
먼저, N 프레임의 발광 동작을 설명한다. 제2 동작제어신호(MB)가 로우 레벨이므로 제2 동작제어트랜지스터(TMB)가 턴 온 되어 접점(ND)은 저장 커패시터(CB)에 연결된다. 저장 커패시터(CB)에는 직전 N-1 프레임의 데이터 신호가 저장되어 있다.
제2 동작제어트랜지스터(TMB)의 턴 온에 의해 저장 커패시터(CB)에 저장되어 있던 데이터 신호가 접점(ND)에 인가된다. 구동 트랜지스터(TD)의 기생 커패시터(CP, 도시하지 않음)와 보상 커패시터(CTH)가 직렬 연결되어 있으므로, 접점(ND)에 대한 구동 트랜지스터의 커패시터는 보상 커패시터(CTH)와 기생커패시터(CP)가 직렬 연결된 커패시터(CX)는 CTH*CP/(CTH+CP)이다.
발광기간(4)에 커패시터(CX)와 커패시터(CB)가 직렬 연결되고, 두 커패시터의 전하 공유(charge sharing)에 의한 접점(ND)의 전압(VDT)은 아래 수학식 1과 같다.
Figure pat00001
여기서, a는 CB/(CB+CX)이다. 커패시터(CB) 및 커패시터(CX) 각각의 커패시턴스를"CB"및"CX"로 나타낸다. Vdata는 직전 N-1 프레임의 데이터 신호에 따라 커패시터(CB)에 저장된 전압을 의미한다.
두 커패시터의 전하 공유에 따라 커패시터(CB)에 저장된 전압이 변하고, 접점(ND)은 전압(VDT)으로 변경된다. 커패시터(CTH)에 의해 접점(ND)과 게이트 전극(NG)가 커플링되어 있는바, 접점(ND)의 전압 변화(VDT-VSUS)에 따라 게이트 전극(NG)의 전압 역시 전압(ELVDD+VTH-VSUS+VDT)으로 변한다.
발광기간(4)동안 구동 트랜지스터(VD)를 통해 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 구동 전류(IOLED)는 아래 수학식 2와 같다.
Figure pat00002
이 때, k는 구동 트랜지스터(TD)의 고유 파라미터에 따라 결정되는 상수이다.
수학식 2에 도시된 바와 같이, 구동전류(IOLED)는 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 구동 전압(ELVDD)에 영향을 받지 않는다. 따라서 구동 전류는 구동 트랜지스터 간의 문턱 전압 편차 및 구동 전압을 공급하는 배선에서 발생하는 전압강하(IR-DROP)에 영향을 받지 않고, 데이터 신호에 따라 결정된다.
다음으로 주사기간(3)에 대해서 설명한다.
제1 동작제어신호(MA)에 의해 접점(ND)과 차단된 커패시터(CA)에 주사기간(3) 동안 N 프레임의 데이터 신호가 기입된다. 이 주사기간(3) 동안 커패시터(CA)에 저장된 전압에 따라 다음 N+1 프레임의 발광기간(4)의 접점(ND)의 전압이 결정되고, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극(NG) 전압을 결정한다.
주사기간(3) 동안 복수의 제1 주사신호(SA[1]-SA[m])가 순차적으로 인에이블 레벨인 로우 레벨 펄스 신호가 된다. 그러면 로우 레벨 펄스인 제1 주사신호(SA[1]-SA[m])가 공급되는 주사 선에 연결되어 있는 복수의 화소 각각의 제1 스위칭트랜지스터(TSA)가 턴 온 되고, 턴 온 된 제1 스위칭트랜지스터(TSA)를 통해 복수의 데이터 신호(data[1]-data[m]) 중 대응하는 데이터 신호가 커패시터(CA)에 저장된다.
이와 같이 N 프레임이 종료되고, 다음 N+1 프레임이 시작된다. N+1 프레임의 초기화 기간(INIT), 리셋기간(1) 및 보상 기간(2) 동안에 제2 동작제어트랜지스터(TMB)가 턴 온 상태이고, 제1 동작제어트랜지스터(TMA)는 턴 오프 상태이다.
도 6에 도시된 바와 같이, N 프레임의 발광 기간(4), N+1 프레임의 초기화 기간(INIT), 리셋기간(INIT), 및 보상 기간(INIT) 동안 제2 동작제어신호(MB)가 인에이블 레벨인 로우 레벨이고, 제1 동작제어신호(MA)가 디스에이블 레벨인 하이 레벨이다.
제1 동작제어신호(MA)와 제2 동작제어신호(MB)는 교대로 인에이블 레벨 및 디스에이블 레벨을 가지는 신호로 동일한 주파수이고, 한 프레임의 위상 차가 있다.
N+1 프레임의 초기화 기간(INIT) 및 보상기간(2)은 N 프레임과 달리 제2 동작제어트랜지스터(TMB)를 통해 수행된다. 또한, N+1 프레임의 주사 기간(3) 동안 제2 동작제어신호(MB)는 디스에이블 레벨이고, 커패시터(CB)에 주사 동작이 수행된다. 그리고 N+1 프레임의 발광 기간(4) 동안 제1 동작제어신호(MA)가 인에이블 레벨이 되어, N 프레임의 주사기간(3) 동안 기입된 복수의 데이터 신호에 따라 복수의 화소(PX)가 발광한다.
초기화 기간(INIT)에서, 제1 주사신호(SB[1]-SB[n])가 인에이블 레벨이고 제2 동작제어신호(MB)가 인에이블 레벨이므로, 제2 스위칭트랜지스터(TSB) 및 제2 동작제어트랜지스터(TMB)가 턴 온 되어 데이터 신호(data[1]-data[m])가 접점(ND)에 전달된다. 이 때, 데이터신호(data[1]-data[m])는 로우 레벨의 기준 전압이므로, 접점(ND)의 전압이 기준 전압으로 초기화되고, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전압이 감소한다.
초기화 기간(INIT)에 모든 화소의 접점(ND)의 전압이 기준 전압으로 감소하는바, 모든 화소의 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전압이 접점(ND)의 감소 폭만큼 감소하여 낮은 전압이 되어 로우 레벨이 된다. 구동 전압(ELVSS)이 하이 레벨이므로 유기발광다이어드(OLED)에 전류가 흐르지 않고, 발광하지 않는다.
리셋 기간(1)에서 구동전압(ELVDD)이 로우 레벨이 되면, 온 상태인 구동트랜지스터(TD)를 통해 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전압이 구동전압(ELVDD) 레벨로 리셋 된다. 리셋 기간(1)에서 제1 주사신호(SB[1]-SB[n])가 디스에이블 레벨이므로, 제2 스위칭트랜지스터(TSB)는 턴 오프 상태이다.
리셋 기간(1) 중 시점 T12에 보상제어신호(GC)가 로우 레벨이 되면, 보상보상트랜지스터(TGC)가 턴 온 되어, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드가 연결된다.
보상 기간(2)에서 구동 전압(ELVDD)이 하이 레벨이 되면, 구동 트랜지스터(TD)는 다이오드 연결된다. 그러면 다이오드 연결된 구동 트랜지스터(TD)를 통해 전류가 흐르게 된다. 이 때 구동 전압(ELVSS)은 하이 레벨이므로 유기발광다이오드(OLED)에 전류가 흐르지 않고, 발광하지 않는다.
보상기간(2)에서 제1 주사신호(SB[1]-SB[n])는 모두 로우 레벨이고 제2 스위칭트랜지스터(TSB)가 턴 온 되어, 데이터 신호(data[1]-data[m])가 접점(ND)에 전달된다. 보상기간(2)의 데이터 신호(data[1]-data[m])는 보조전압(VSUS)이다. 다이오드 연결된 구동 트랜지스터(TD)에 의해 접점(NG)의 전압은 ELVDD+VTH이고, 접점(ND)의 전압은 보조전압(VSUS)이므로, 보상 커패시터(CTH)에는 전압(ELVDD+VTH-VSUS) 저장된다.
보상 기간(2)후에 주사기간(3) 및 발광 기간(4)이 동시에 진행된다. N+1 프레임의 직전 N 프레임의 주사 기간(3) 동안 화소(PX)에 기입된 데이터 신호에 따르는 구동 전류가 발생하여 유기발광다이오드(OLED)가 발광하고, N+1 프레임의 복수의 데이터 신호(data[1]-data[m])가 순차적으로 복수의 화소(PX)에 기입된다. N+1 프레임에 전달되는 데이터 신호(data[1]-data[m])는 커패시터(CB)에 저장된다.
보상 기간(2)이 종료된 후, 구동 전압(ELVSS)은 하이 레벨 10V에서 로우 레벨 0V로 감소하고, 제2 동작제어신호(MB)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변경되며, 제1 동작제어신호(MA)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경된다.
N+1 프레임의 주사기간(3) 및 발광기간(4) 동안, 제2 동작제어신호(MB)가 제2 동작제어트랜지스터(TMB)를 턴 오프 시키는 하이 레벨이므로 저장 커패시터(CB)에 N+1 프레임의 데이터 신호(data[1]-data[m])가 기입되는 주사 동작이 수행된다. 그리고 제1 동작제어신호(MA)가 제1 동작제어트랜지스터(TMA)를 턴 온 시키는 로우 레벨이므로 저장 커패시터(CA)에 저장된 데이터 신호에 따라 구동 트랜지스터(TD)가 구동 전류를 제어하고, 유기발광다이오드(OLED)가 구동 전류에 의해 발광하는 발광 동작이 수행된다.
먼저, N+1 프레임의 발광 동작을 설명한다. 제1 동작제어신호(MA)가 로우 레벨이므로 제1 동작제어트랜지스터(TMA)가 턴 온 되어 접점(ND)은 저장 커패시터(CA)에 연결된다. 저장 커패시터(CA)에는 직전 N 프레임의 데이터 신호가 저장되어 있다.
제1 동작제어트랜지스터(TMA)의 턴 온에 의해 저장 커패시터(CA)에 저장되어 있던 데이터 신호가 접점(ND)에 인가된다. 위의 수학식 1과 같이, 접점(ND)의 전압(VDT)은 a*Vdata 이다. 여기서, a는 CB/(CB+CX)이고, Vdata는 직적 N 프레임의 데이터 신호에 따라 커패시터(CA)에 저장된 전압을 의미한다. 그리고, 접점(ND)의 전압 변화(VDT-VSUS)에 따라 게이트 전극(NG)의 전압 역시 전압(ELVDD+VTH-VSUS+VDT)으로 변한다. 발광기간(4)동안 구동 트랜지스터(VD)를 통해 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 구동 전류(IOLED)는 수학식 2와 같다.
다음으로 주사기간(3)에 대해서 설명한다.
제2 동작제어신호(MB)에 의해 접점(ND)과 차단된 커패시터(CB)에 주사기간(3) 동안 N+1 프레임의 데이터 신호가 기입된다. 주사기간(3) 동안 복수의 제2 주사신호(SB[1]-SB[m])가 순차적으로 인에이블 레벨인 로우 레벨 펄스 신호가 된다. 그러면 로우 레벨 펄스인 제2 주사신호(SB[1]-SB[m])가 공급되는 주사 선에 연결되어 있는 복수의 화소 각각의 제2 스위칭트랜지스터(TSB)가 턴 온 되고, 턴 온 된 제2 스위칭트랜지스터(TSB)를 통해 복수의 데이터 신호(data[1]-data[m]) 중 대응하는 데이터 신호가 커패시터(CB)에 저장된다.
이와 같은 동작이 반복되면서, 주사기간(3) 및 발광기간(4)이 동시에 수행된다.
본 발명의 실시 예에 따른 동시발광 구동 방식은 종래에 비해 입체 영상을 표시하는데 더 적합하다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 동시발광 구동 방식에 따라 입체 영상이 표시되는 경우를 나타낸 도면이다.
표시장치는 입체 영상을 표시하기 위해서 좌안 영상과 우안 영상을 표시한다. 좌안 영상과 우안 영상을 표시하는 방식 중 하나로 셔터 안경(shutter glasses)을 사용하는 방식이 있다. 셔터 안경의 좌안 렌즈는 좌안 영상이 표시되는 기간 동안 열려있고, 우안 렌즈는 이 기간 동안 닫혀있다. 셔터 안경의 우안 렌즈는 우안 영상이 표시되는 기간 동안 열려있고, 좌안 렌즈는 이 기간 동안 닫혀있다.
도 7에서는 셔터 안경 방식에 따라 표시 장치가 좌안 영상과 우안 영상을 교대로 표시하는 방법이 도시되어 있다. 도 7에서 도시된 바와 같이, 각 프레임은 리셋기간(1), 보상기간(2), 주사기간(3), 및 발광 기간(4)을 포함한다.
도 7에서는 좌안 영상을 나타내는 복수의 데이터 신호(이하, 좌안 영상 데이터 신호라 함.)가 복수의 화소 각각에 기입되는 프레임은 도면 부호"L"을 사용하여 나타내고, 우안 영상을 나타내는 복수의 데이터 신호(이하, 우안 영상 데이터 신호라 함.)가 복수의 화소 각각에 기입되는 프레임은 도면 부호 "R"을 사용하여 나타낸다.
리셋기간(1), 보상기간(2), 주사기간(3), 및 발광기간(4) 각각에 구동전압, 주사신호, 보상제어신호, 동작제어신호의 파형은 도 6에 도시된 파형과 동일하다. 각 기간에 대한 설명은 생략한다.
기간 T21의 주사기간(3)에 N_L 프레임의 좌안 영상 데이터 신호가 복수의 화소에 전달된다. 주사기간(3) 동안 복수의 화소(PX) 각각에 대응하는 좌안 영상 데이터 신호가 기입된다. 이 때, 기간 T21의 발광기간(4) 동안 N-1_R 프레임의 주사 기간(3)에 기입된 우안 영상 데이터 신호에 따라 복수의 화소가 발광한다.
기간 T22의 주사기간(3)에 N_R 프레임의 우안 영상 데이터 신호가 복수의 화소에 전달된다. 주사기간(3) 동안 복수의 화소(PX) 각각에 대응하는 우안 영상 데이터 신호가 기입된다. 이 때, 기간 T22의 발광기간(4) 동안 N_L 프레임의 주사 기간(3)에 기입된 좌안 영상 데이터 신호에 따라 복수의 화소가 발광한다.
기간 T23의 주사기간(3)에 N+1_L 프레임의 좌안 영상 데이터 신호가 복수의 화소에 전달된다. 주사기간(3) 동안 복수의 화소(PX) 각각에 대응하는 좌안 영상 데이터 신호가 기입된다. 이 때, 기간 T23의 발광기간(4) 동안 N_R 프레임의 주사 기간(3)에 기입된 우안 영상 데이터 신호에 따라 복수의 화소가 발광한다.
기간 T24의 주사기간(3)에 N+1_R 프레임의 우안 영상 데이터 신호가 복수의 화소에 전달된다. 주사기간(3) 동안 복수의 화소(PX) 각각에 대응하는 우안 영상 데이터 신호가 기입된다. 이 때, 기간 T24의 발광기간(4) 동안 N+1_L 프레임의 주사 기간(3)에 기입된 좌안 영상 데이터 신호에 따라 복수의 화소가 발광한다.
이와 같은 방식으로 좌안 영상이 기입되는 동안 우안 영상이 동시에 발광하고, 우안 영상이 기입되는 동안 좌안 영상이 동시에 발광한다. 그러면 발광 기간을 충분히 확보할 수 있어, 입체 영상의 화질이 향상된다.
주사 기간(3)과 발광 기간(4)이 동일한 기간에 속해 있으므로, 각 프레임의 발광 기간(4) 간의 간격(T31)을 주사 기간에 관계없이 설정할 수 있다. 이때, 셔터 안경의 액정 응답 속도에 최적화된 간격으로 발광 기간(4) 간의 간격을 설정할 수 있다.
주사 기간(3)과 발광기간(4)이 동일한 기간에 속하지 않는 종래의 경우, 주사 기간(3) 후에 발광기간(4)이 위치하므로, 한 프레임의 기간 중 발광기간(4)을 설정할 수 있는 시간적 마진이 적다. 본 발명의 실시 예에 따르는 경우, 한 프레임의 기간 중 리셋 기간 및 보상 기간, 또는 초기화 기간, 리셋기간, 및 보상 기간을 제외한 기간에 발광 기간(4)을 설정할 수 있다. 따라서 발광기간(4)을 설정할 수 있는 시간적 마진이 종래에 비해 증가하여, 셔터 안경의 액정 응답 속도를 고려하여 발광기간(4) 간의 간격을 설정할 수 있다.
예를 들어, 좌안 영상(또는 우안 영상)의 발광이 끝난 시점부터 셔터 안경의 우안 렌즈(또는 좌안 렌즈)를 완전하게 여는데 소요되는 시간을 고려하여 발광 기간(4) 간의 간격(T31)을 설정할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 동시 발광 방식에 적용 가능한 다양한 화소 구조를 도 8 및 9를 참조하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 다른 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 8에 도시된 화소(PX`)는 도 5에 도시된 화소(PX)에 비해 기준 전압을 더 포함한다. 저장 커패시터(CA) 및 저장 커패시터(CB)가 구동 전압(ELVDD) 대신 기준전압(VREF)에 연결되어 있다.
주사기간(3) 및 발광기간(4)이 동시에 발생하므로, 발광기간(4) 동안 구동 전압(ELVDD)의 전압 강하(IR-DROP)가 주사기간(3) 중의 데이터 기입에 영향을 줄 수 있다.
예를 들어, 데이터 신호(data[j])가 화소(PX')에 기입되어 저장 커패시터(CA)에 데이터 신호(data[j])에 따른 전압이 저장되는 동안, 구동 전압(ELVDD)이 전압 강하로 감소되면, 저장 커패시터(CA)에 저장되는 전압이 감소한다. 이를 방지하기 위해서 구동 전압(ELVDD)과 다른 기준 전압(VREF)을 사용할 수 있다.
저장 커패시터(CA)는
저장 커패시터(CB)는 제2 스위칭트랜지스터(TSB) 및 제2 동작제어트랜지스터(TMB)에 연결되어 있는 일전극 및 기준 전압(VREF)에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 또 다른 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 9에 도시된 화소(PX``)는 도 5에 도시된 화소(PX)에 비해 저장 커패시터(CA) 및 저장 커패시터(CB) 각각이 구동 전압(ELVDD_A) 및 구동 전압(ELVDD_B)에 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(TD)는 제1 발광트랜지스터(ETA) 및 제2 발광트랜지스터(ETB) 각각을 통해 구동 전압(ELVDD_A) 및 구동 전압(ELVDD_B)에 번갈아 연결된다. 구동 전압(ELVDD_A) 및 구동 전압(ELVDD_B)은 동일한 파형을 가지는 전압이다.
저장 커패시터(CA)는 제1 스위칭트랜지스터(TSA) 및 제1 동작제어트랜지스터(TMA)에 연결되어 있는 일전극 및 구동 전압(ELVDD_A)에 연결되어 있는 타전극을 포함한다. 저장 커패시터(CB)는 제2 스위칭트랜지스터(TSB) 및 제2 동작제어트랜지스터(TMB)에 연결되어 있는 일전극 및 구동 전압(ELVDD_B)에 연결되어 있는 타전극을 포함한다.
제1 발광트랜지스터(ETA)는 구동 전압(ELVDD_A)과 구동 트랜지스터(TD) 사이에 연결되어 있고, 제1 동작제어신호(MA)에 의해 온/오프가 제어된다. 제1 발광트랜지스터(ETA)는 제1 동작제어신호(MA)가 입력되는 게이트 전극, 구동 전압(ELVDD_A)에 연결되어 있는 소스 전극, 및 구동 트랜지스터(TD)의 소스 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함한다.
제2 발광트랜지스터(ETB)는 구동 전압(ELVDD_B)과 구동 트랜지스터(TD) 사이에 연결되어 있고, 제2 동작제어신호(MB)에 의해 온/오프가 제어된다. 제2 발광트랜지스터(ETB)는 제2 동작제어신호(MB)가 입력되는 게이트 전극, 구동 전압(ELVDD_B)에 연결되어 있는 소스 전극, 및 구동 트랜지스터(TD)의 소스 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함한다.
제1 동작제어신호(MA)에 의해 제1 발광트랜지스터(ETA)가 턴 온 되면, 구동 트랜지스터(TD)는 구동 전압(ELVDD_A)에 연결된다. 이 때, 발광기간(4) 동안 구동 트랜지스터(TD)는 구동 전압(ELVDD_A)과 게이트 전극의 전압 차에 따라 구동 전류를 생성한다.
제2 동작제어신호(MB)에 의해 제2 발광트랜지스터(ETB)가 턴 온 되면, 구동 트랜지스터(TD)는 구동 전압(ELVDD_B)에 연결된다. 이 때, 발광기간(4) 동안 구동 트랜지스터(TD)는 구동 전압(ELVDD_B)과 게이트 전극의 전압 차에 따라 구동 전류를 생성한다.
이와 같이 두 개의 구동 전압(ELVDD_A, ELVDD_B)을 사용하는 것은, 기준 전압(VREF)을 이용하는 것과 같은 효과를 제공한다. 즉, 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 기간 동안에 구동 트랜지스터(TD)에 연결되는 구동 전압과 그 기간 동안 커패시터(CA) 및 커패시터(CB) 중 데이터 기입이 이뤄지는 커패시터에 연결되는 구동 전압이 상이하다.
예를 들어, 구동 트랜지스터(TD)가 구동 전압(ELVDD_B)에 연결되어 구동 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급하는 기간 동안, 커패시터(CA)에서는 데이터 신호에 따른 전압이 저장된다. 이 때, 커패시터(CA)에 연결되는 구동 전압(ELVDD_A)이다. 이와 같이, 발광 동작에 사용되는 구동 전압과 데이터 기입 동작에 사용되는 구동 전압이 구분되어 있으므로, 발광에 의한 전압 강하(IR-drop)가 데이터 기입 동작 중 발생하지 않고, 화면의 휘도 균일도를 확보할 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 구성을 설명한다. 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10)는 영상 처리부(700), 타이밍 제어부(200), 데이터 구동부(300), 주사 구동부(400), 전원 제어부(500), 보상 제어 신호부(600), 및 표시부(100)를 포함한다.
영상 처리부(700)는 입력 신호(InS)로부터 영상 신호(ImS) 및 동기 신호를 생성한다. 동기 신호는 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync), 및 메인 클록신호(CLK)를 포함한다.
영상 처리부(700)는 입력 신호(InS)에 포함된 영상을 나타내는 신호(이하, 영상 소스 신호)가 입체 영상을 표시하는 신호인 경우, 좌안 그림을 나타내는 좌안 영상 신호 및 우안 그림을 나타내는 우안 영상 신호를 프레임 단위로 구분한다. 영상 처리부(700)는 좌안 영상 신호 및 우안 영상 신호를 수직 동기, 및 수평 동기에 따라 배열하여 영상 신호(ImS)를 생성한다.
영상 처리부(700)는 영상 소스 신호가 평면 영상을 표시하는 신호인 경우, 평면 그림을 나타내는 영상 소스 신호를 프레임 단위로 구분하고, 영상 소스 신호를 수직 동기, 및 수평 동기에 따라 배열하여 영상 신호(ImS)를 생성한다.
메인 클록 신호(CLK)는 영상 소스 신호 안에 포함된 기본 주파수를 가지는 클록 신호이거나, 영상 처리부(700)가 필요에 따라 적절히 생성한 클록 신호 중 하나일 수 있다.
타이밍 제어부(200)는 영상 신호(ImS), 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 및 메인 클록 신호(CLK)에 따라 제1 내지 제4 구동제어신호(CONT1-CONT4), 및 영상 데이터 신호(ImD)를 생성한다.
타이밍 제어부(200)는 수직 동기 신호(Vsync)에 따라 프레임 단위로 영상 신호(ImS)를 구분하고, 수평 동기 신호(Hsync)에 따라 주사 라인 단위로 영상 신호(ImS)를 구분하여 영상 데이터 신호(ImD)를 생성하고, 데이터 구동부(300)로 제1 구동 제어 신호(CONT1)와 함께 전송한다.
데이터 구동부(300)는 제1 구동 제어 신호(CONT1)에 따라 입력된 영상 데이터 신호(ImD)를 샘플링 및 홀딩하고, 복수의 데이터 선 각각에 복수의 데이터 신호(data[1]-data[m])를 전달한다.
주사 구동부(400)는 제2 구동 제어 신호(CONT2)에 따라 복수의 제1 주사 신호(SA[1]-SA[n]), 복수의 제2 주사 신호(SB[1]-SB[n]), 제1 동작제어신호(MA), 및 제2 동작제어신호(MB)를 생성하고 각 프레임의 초기화기간(INIT), 리셋기간(1), 보상기간(2), 주사 기간(3) 및 발광기간(4) 동안 대응하는 주사선에 전달한다.
전원 제어부(500)는 제3 구동 제어 신호(CONT3)에 따라 초기화기간(INIT), 리셋 기간(1), 보상기간(2), 주사기간(3) 및 발광 기간(4)에 따라 구동 전압(ELVDD, ELVSS)의 레벨을 결정하여 전원선에 공급한다. 도 9에 따르는 화소 구조가 적용되는 경우, 2 개의 구동 전압(ELVDD_A, ELVDD_B)이 전원 제어부(500)로부터 생성되어 표시부(100)에 공급된다.
보상제어신호부(600)는 제4 구동 제어 신호(CONT4)에 따라 초기화기간(INIT), 리셋 기간(1), 보상기간(2), 주사기간(3) 및 발광 기간(4)동안 보상제어신호(GC)의 레벨을 결정하여 제어 신호선에 공급한다.
표시부(100)는 앞서 도 4를 참조하여 설명하였다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
리셋 기간(1), 보상기간(2), 주사기간(3), 발광 기간(4)
복수의 제1 주사선(SA1-SAn), 복수의 제2 주사선(SB1-SBn)
복수의 데이터선(data1-datam), 제1 전압선(701), 제2 전압선(702)
보상제어선(703), 제1 동작제어선(704), 제2 동작제어선(705)
구동 트랜지스터(TD), 제1 스위칭트랜지스터(TSA)
제2 스위칭트랜지스터(TSB), 제1 동작제어트랜지스터(TMA)
제2 동작제어트랜지스터(TMB), 보상트랜지스터(TGC)
저장 커패시터(CA, CB), 보상 커패시터(CTH), 유기발광다이오드(OLED)
구동전압(ELVDD, ELVSS, ELVDD_A, ELVDD_B), 화소(PX, PX`, PX``)
영상 처리부(700), 타이밍 제어부(200), 데이터 구동부(300)
주사 구동부(400), 전원 제어부(500), 보상 제어 신호부(600), 표시부(100)

Claims (23)

  1. 유기발광다이오드, 구동 전압에 연결되어 있고, 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터, 상기 보상 커패시터에 전기적으로 연결 또는 차단되는 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함하는 화소를 복수 개 포함하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전압이 방전되는 리셋 단계;
    상기 보상 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 저장되는 보상 단계;
    상기 제1 저장 커패시터에 대응하는 데이터 신호에 따라 데이터 전압이 저장되는 주사 단계; 및
    상기 제2 저장 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 구동 전류에 따라 상기 유기발광다이오드가 발광하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 화소 각각의 상기 발광 단계는 동시에 일어나고, 상기 주사 단계 및 상기 발광 단계는 시간적으로 중첩되는 표시 장치의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주사 단계는,
    상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터의 연결이 차단되고, 상기 제1 저장 커패시터에 상기 대응하는 데이터 신호가 전달되는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광 단계는,
    상기 제2 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결되고, 상기 제2 저장 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 전압이 변경되는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 리셋 단계는,
    상기 구동 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 유기발광다이오드의 애노드 전극이 상기 구동 전압에 연결되고, 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 입력되는 다른 구동 전압이 상기 구동 전압보다 높은 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보상 단계는,
    상기 제1 저장 커패시터가 상기 보상 커패시터에 연결되고, 상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결된 접점에 소정의 전압이 입력되고, 상기 구동 트랜지스터가 다이오드 연결되는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 리셋 단계는,
    상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결되고, 상기 제1 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결된 접점의 전압에 소정의 기준 전압이 전달되며, 상기 기준 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 전압이 초기화 되는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기준 전압은, 상기 구동 트랜지스터를 턴 온 시키는 레벨인 표시 장치의 구동 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 표시 장치는, 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 연결되어 있는 다른 구동 전압을 더 포함하고,
    상기 다른 구동 전압은 상기 리셋 단계 및 상기 보상 단계의 전압 레벨과 상기 발광 기간의 전압 레벨이 서로 다른 표시 장치의 구동 방법.
  9. 구동 트랜지스터, 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함하는 화소 복수 개 포함하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각의 제1 저장 커패시터에 제1 프레임 데이터가 제1 주사 기간 동안 기입되는 단계,
    상기 복수의 화소 각각의 제2 저장 커패시터에 제2 프레임 데이터가 제2 주사 기간 동안 기입되는 단계, 및
    상기 제1 저장 커패시터에 기입된 상기 제1 프레임의 데이터에 따라 상기 복수의 화소 각각의 구동 트랜지스터에 흐르는 구동 전류에 의해 상기 복수의 화소 각각이 제1 발광 기간 동안 발광하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 주사 기간 및 상기 제1 발광 기간은 시간적으로 중첩하는 표시 장치의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 프레임에 선행하는 제3 프레임 데이터가 상기 복수의 화소 각각의 제2 저장 커패시터에 기입되고, 상기 복수의 화소 각각의 제2 저장 커패시터에 기입된 데이터에 따라 상기 복수의 화소 각각의 구동 트랜지스터에 흐르는 구동 전류에 의해 상기 복수의 화소 각각이 제2 발광 기간 동안 발광하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 발광 기간과 상기 제1 주사 기간은 시간적으로 중첩하는 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 프레임 데이터는 제1 시점(view point) 데이터이고, 상기 제2 프레임 데이터는 상기 제1 시점과 다른 제2 시점 데이터인 표시 장치의 구동 방법.
  12. 유기발광다이오드,
    제1 구동 전압에 전기적으로 연결되어 있고, 상기 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터,
    상기 보상 커패시터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하고, 제1 동작제어신호에 의해 제어되는 제1 동작제어 트랜지스터,
    상기 보상 커패시터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하고, 제2 동작제어신호에 의해 제어되는 제2 동작제어 트랜지스터,
    상기 제1 동작제어 트랜지스터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하는 제1 저장 커패시터, 및
    상기 제2 동작제어 트랜지스터의 타전극에 연결되어 있는 일전극을 포함하는 제2 저장 커패시터를 포함하고,
    상기 제1 동작제어 트랜지스터가 턴 오프 되어 상기 제1 저장 커패시터에 대응하는 데이터 신호에 따라 데이터 전압이 저장되는 동안, 상기 제2 동작제어 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 제2 저장 커패시터와 상기 보상 커패시터가 연결되는 화소.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 저장 커패시터의 일전극에 연결되어 있는 일전극 및 상기 대응하는 데이터 신호가 입력되는 타전극을 포함하고, 제1 주사 신호에 의해 제어되는 제1 스위칭 트랜지스터, 및
    상기 제2 저장 커패시터의 일전극에 연결되어 있는 일전극 및 상기 대응하는 데이터 신호가 입력되는 타전극을 포함하고, 제2 주사 신호에 의해 제어되는 제2 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 화소.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 연결되어 있는 보상 트랜지스터를 더 포함하는 화소.
  15. 제14항에 있어서,
    보상 기간 동안 상기 제1 스위칭 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 보상 트랜지스터가 턴 온 되는 화소.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 저장 커패시터는 상기 제1 구동 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함하고,
    상기 제2 저장 커패시터는 상기 제1 구동 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함하는 화소.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 제1 저장 커패시터는 상기 제1 구동 전압과 다른 소정의 기준 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함하고,
    상기 제2 저장 커패시터는 상기 기준 전압에 연결되어 있는 타전극을 포함하는 화소.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 제1 구동 전압은 제2 구동 전압 및 제3 구동 전압을 포함하고,
    상기 제2 구동 전압 및 상기 제3 구동 전압은 서로 동일한 파형이며,
    상기 화소는,
    상기 제2 구동 전압과 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 제1 발광 트랜지스터, 및
    상기 제3 구동 전압과 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 제2 발광 트랜지스터를 더 포함하는 화소.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 화소는,
    상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 인가되는 제4 구동 전압을 더 포함하고,
    리셋 기간 동안, 상기 구동 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제1 구동 전압이 상기 제4 구동 전압보다 낮은 레벨인 화소.
  20. 복수의 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터 선,
    복수의 제1 주사 신호를 전달하는 복수의 제1 주사선,
    복수의 제2 주사 신호를 전달하는 복수의 제2 주사선,
    제1 동작제어신호 및 제2 동작제어신호를 전달하는 제1 동작제어선 및 제2 동작제어선,
    제1 구동 전압을 전달하는 제1 전압선 및 제2 구동 전압을 전달하는 제2 전압선, 및
    대응하는 데이터선, 대응하는 제1 주사선, 대응하는 제2 주사선, 상기 제1 동작제어선, 상기 제2 동작제어선, 상기 제1 전압선, 및 상기 제2 전압선에 연결되어 있는 화소를 복수개 포함하고,
    상기 화소는,
    상기 제2 전압선에 캐소드가 연결되어 있는 유기발광다이오드,
    상기 제1 전압선에 연결되어 있고, 상기 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 보상 커패시터,
    상기 보상 커패시터와 상기 구동 전압 사이에 연결되어 있는 제1 저장 커패시터 및 제2 저장 커패시터를 포함하고,
    상기 대응하는 제1 주사선을 통해 전달되는 제1 주사 신호 및 상기 제1 동작제어선을 통해 전달되는 제1 동작제어신호에 따라 상기 제1 저장 커패시터가 상기 대응하는 데이터 선에 연결되고 상기 보상 커패시터와 차단되는 제1 기간과, 상기 대응하는 제2 주사선을 통해 전달되는 제2 주사 신호 및 상기 제2 동작제어선을 통해 전달되는 제2 동작제어신호에 따라 상기 제2 저장 커패시터가 상기 대응하는 데이터 선과 차단되고 상기 보상 커패시터에 연결되는 제2 기간이 시간적으로 중첩되는 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 표시 장치는 보상 신호를 전달하는 보상 제어선을 더 포함하고,
    상기 화소는 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극에 연결되어 있고, 상기 보상 신호에 따라 동작하는 보상트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 보상 트랜지스터가 턴 온 되고 상기 제1 전압선을 통해 전달되는 제1 구동 전압이 제1 레벨인 리셋 기간 동안, 상기 제2 전압선을 통해 전달되는 제2 구동 전압 레벨은, 상기 제1 기간 및 제2 기간 동안, 상기 제2 구동 전압의 레벨과 다른 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 구동 전압은 상기 제1 기간 및 제2 기간 동안 상기 제1 레벨과 다른 제2 레벨인 표시 장치.
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