KR20030087628A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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KR20030087628A
KR20030087628A KR10-2003-7010001A KR20037010001A KR20030087628A KR 20030087628 A KR20030087628 A KR 20030087628A KR 20037010001 A KR20037010001 A KR 20037010001A KR 20030087628 A KR20030087628 A KR 20030087628A
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display device
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KR10-2003-7010001A
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다케나카아츠시
이케자키미츠루
구사후카가오루
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인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 제조 후의 플리커 조정을 불필요하게 할 수 있는 액정 표시 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 액정 표시 장치는 IPS 구동 방식의 액정 표시 장치이다. 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 갖고 있다. 이것이 플리커의 원인이라고 생각된다. DC 전압 성분이 전원 투입 후의 소정 시간 내에 허용치 이하로 자동적으로 감소됨으로써, 화소 내의 전극에 인가하는 전위를 변경하여 플리커 조정을 행하는 것이 불필요하게 된다. 이를 위해서는, 초기 DC 전압 성분을 충분히 작게 하고, 또한 전하가 액정 패널 내를 고속으로 이동할 수 있는 구성이 아니면 안된다. 초기 DC 전압 성분을 작게 하기 위한 하나의 기술로서, 관통 전압 보상 구동 방식을 채용하고 있다. 대향 기판 내의 전하의 이동을 쉽게 하기 위해서 대향 기판의 구성이 적합화되어 있다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
퍼스널 컴퓨터나 기타 각종 모니터용 표시 장치로서, 액정 표시 장치의 보급은 놀라운 것이다. 이러한 종류의 액정 표시 장치는 일반적으로 액정 패널의 배면에 조명용 면형 광원인 백라이트를 설치하여, 소정의 넓이를 갖는 액정면을 전체적으로 균일한 밝기로 조사함으로써, 액정 패널의 액정면에 형성된 화상을 가시상화하도록 구성되어 있다. 이 액정 패널은 2장의 유리 기판 사이에 충전된 액정에 구동 전압을 인가함으로써, 액정을 구동하는 구성으로 되어 있다. 액정 패널은 이와 같이 하여 액정을 구동하여 액정(분자)의 방향을 바꿈으로써, 투과광의 편광을 제어하여, 원하는 화상을 표시하는 것이다.
그런데, 종래, 이러한 액정 패널은 2장의 유리 기판 상에 각각 액정 구동용 전극을 설치하고, 2장의 유리 기판을 연결하는 방향, 바꿔 말하면 유리 기판의 기판 면에 거의 직교하는 방향의 전계를 발생시켜, 이것에 의해 액정을 구동하는 TN(twisted nematic) 방식이 널리 알려져 있다.
그러나, 이러한 방식의 액정 패널에 있어서는 시야각이 좁기 때문에, 이것을개선하는 기술로서, IPS(In Plane Switching: 횡전계) 방식이 알려져 있다. 이것은 2장의 유리 기판 중 하나의 유리 기판에만 배치한 전극에 구동 전압을 인가하여, 기판 면을 따른 수평 방향(가로 방향)의 전계를 발생시켜, 액정을 구동하는 것이다.
액정에 DC 전압이 연속적으로 계속해서 인가되면, 액정이 열화된다. 따라서, TN 방식에 있어서도, IPS 방식에 있어서도, 액정에 인가하는 전압은 공통 전위를 기준으로 대칭이 되도록 설계된다.
그러나, 액정 표시 패널의 제조 공차 때문에, 각 제품마다 동일한 표시 신호에 대한 화소 전극과 공통 전극 사이의 액정에 인가되는 전압치가 변화되어 버린다. 이 때문에, 공통 전위를 기준으로 하는 액정 인가 전압의 각 극성의 절대치가 비대칭이 된다. 이에 따라, 액정에 인가되는 전압이 설계치로부터 한쪽(공통 전위를 중심으로 하여 + 측 또는 - 측)으로 벗어나기 때문에, 화면이 어른거리는 플리커를 발생시킨다.
이하에, 구체예에 의해 이 플리커의 발생을 설명한다. 또한, 이것은 플리커 발생의 개념을 설명하기 위한 것이므로, 반드시 실제의 제품에 따른 정확한 것이 아니다. 예컨대, 공통 전위가 7.5 V로 일정하게 설계되어 있는 경우에, 12.5 V의 전위를 화소 전극에 설정한 경우와 2.5 V의 전위를 화소 전극에 설정한 경우는 동일한 밝기로 표시되는 것이다. 그러나, 제조 공차 때문에, 실제로 액정에 인가되는 전압은 화소 전극에 12.7 V와 2.7 V를 인가한 경우의 전압이 되어 버린다. 이에 따라, + 측에 0.2 V의 직류 성분이 생긴다. 12.7 V 쪽이 2.7 V보다도 밝기 때문에,플리커가 발생한다. 이러한 전압의 편차는 주로 축적 용량이나 기생 용량이 제조 공차에 의해 설계치로부터 벗어나는 것에 기인한다.
종래에는 플리커 조정 기능을 갖는 회로를 제어 회로 기판 상에 설치함으로써, 이 문제를 해결하고 있었다. 액정 인가 전압의 각 극성의 절대치의 비대칭성을 해소함으로써, 플리커의 발생을 막을 수 있다. 또한, 종래에는 화소에 인가되는 전압치를 외부에서 변화시킴으로써, 액정 인가 전압의 각 극성의 절대치의 비대칭성을 해소하고 있었다. 이와 같이 화소에 인가되는 전압치를 외부에서 변화시키는 방법으로서, 종래의 2개의 방법이 알려져 있다.
하나는 공통 전위의 값을 외부에서 수동으로 조정함으로써, 각 극성의 절대치가 공통 전위에 대하여 대칭이 되도록 하고 있었다. 상기한 예로 말하면, 공통 전위를 7.7 V로 함으로써, 각 극성의 절대치를 대칭으로 할 수 있다. 다른 하나는 TFT의 게이트 전압치를 외부에서 수동으로 변경함으로써, 플리커 조정을 행하고 있었다.
그러나, 상기한 플리커 조정 회로의 사용에는 몇 가지 문제가 있었다.
첫번째로, 제조 공차에 의한 전압치의 편차는 제품마다 다른 동시에, 하나의 제품의 면 내에서도 생기고 있다. 예컨대, 화면의 좌측 화소의 전압치의 편차와 우측 화소의 전압치의 편차는 서로 다르다. 따라서, 외부에서 모든 화소에 공통인 공통 전위나 게이트 전위를 조작하여도, 이 면 내의 불균등성을 해소하는 것은 불가능하였다.
두번째로, 이러한 플리커 조정 회로는 부품 갯수의 증대로 이어지기 때문에,액정 표시 디스플레이의 비용을 증가시키는 원인이 되고 있었다.
세번째로, 플리커 조정의 공정에 있어서는, 사람이 외부에서 수동으로 제품마다 조정을 행하고 있기 때문에, 이 공정이 제조 속도를 악화시키는 요인의 하나가 되고 있었다.
본 발명은 이러한 기술적 과제에 기초하여 이루어진 것으로, 액정 표시 장치 제조 후의 플리커 조정을 불필요하게 할 수 있는 액정 표시 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 하나의 기판 상에 화소 전극과 공통 전극을 갖는 IPS형(In Plane Switchig) 액정 표시 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 실시예에 있어서의 액정 표시 모듈의 구성을 도시한 개략도.
도 2는 본 실시예에 있어서의 화소의 구성을 도시한 개략도.
도 3은 본 실시예에 있어서의 화소의 개략 구성을 도시한 단면도.
도 4는 본 실시예에 있어서의 화소의 TFT의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 5는 본 실시예에 있어서의 DC 전압 성분에 의한 전계 경로를 설명하는 도면.
도 6은 본 실시예에 있어서의 관통 전압 보상 구동을 설명하는 타이밍도.
도 7은 본 발명에 따른 액정 표시 장치와 종래의 액정 표시 장치의 DC 전압성분의 시간 변화를 설명하는 도면.
도 8은 본 실시예에 있어서의 플리커 검사 패턴을 설명하는 도면.
본 발명의 발명자들은 상기 과제에 대해서 고찰 및 연구를 행한 결과, IPS형의 액정 표시 장치에 있어서는, 플리커 조정을 불필요하게 할 수 있다는 것을 발견하였다.
즉, 공통 전위를 기준으로 하는 액정 인가 전압의 각 극성의 절대치가 비대칭이 된 경우, 화소 전극과 공통 전극 사이에는 일정한 전압치인 DC 전압 성분이 존재하고 있다. 이 DC 전압 성분은 액정 재료에 인가되는 정상적인 전계로 간주할 수 있다. IPS형 액정 패널에 있어서, 화소 전극과 공통 전극 사이는 용량과 저항이 병렬로 접속된 회로로서 모델화할 수 있다. 따라서, 액정 내의 한쪽 전극측(예컨대 화소 전극측)에 + 전하가 존재하고, 다른쪽 전극측(예컨대 공통 전극측)에 - 전하가 존재함으로써, 이 전계가 발생하고 있다고 간주할 수 있다.
이 DC 전압 성분이 허용치 이하라면, 플리커 결함은 발생하지 않는다. 따라서, 발명자들은 DC 전압 성분이 자동적으로 허용치 이하로 감소하면, 플리커 조정을 불필요하게 할 수 있다는 결론에 도달하였다.
또한, 액정 표시 장치에 있어서는, 전원이 투입되고 나서 표시 화면에 화상이 표시될 때까지, 일정 시간이 걸린다. 이것은 주로 백라이트의 광원(예컨대 냉음극관)이 점등할 때까지의 시간에 해당한다. 상기 DC 전압 성분이 이 표시 시간까지의 사이에 허용치 이하로 감소하고 있으면, 상기 플리커 조정을 불필요하게 할 수 있다는 것을 발견하였다.
이것을 가능하게 하기 위해서는 두가지 조건을 충족시킬 필요가 있다. 하나는 전원 투입 시의 초기 DC 전압 성분이 작은 것이다. 다른 하나는 액정 재료에 대한 DC 전압 성분을 만들어 내는 전하가 액정 패널 내를 빠르게 이동하는 것이다.
전하의 이동에 대해서는 액정 재료 내의 이동뿐만 아니라 대향 기판 내의 이동이 매우 중요한 것을 발견하였다. 이것은, IPS형 액정 표시 장치에 있어서는, 액정 재료의 저항이 가로 방향에서 매우 큰 것에 기인한다고 생각된다. 즉, 액정 재료내부만을 통과하는 전계에 있어서는, 액정 재료의 가로 방향 저항이 매우 크기 때문에, 전하가 빠르게 이동할 수 없다. 한편, 세로 방향의 저항은 가로 방향에 비하여 충분히 작다. 한쪽 전극으로부터 나와 세로 방향으로 액정 재료를 통과하는 전계는 대향 기판 내를 통과하고, 다시, 액정 재료로 되돌아가 세로 방향으로 통과하여, 다른 한쪽 전극으로 들어간다. DC 전압 성분을 감소시키기 위해서는 저항치가 작은 전계 경로가 존재하는 것이 중요하다고 생각된다. 이 전계 경로에 있어서, 전하가 빠르게 이동할 수 있으면, 소정 시간 내에 허용치 이하의 DC 전압 성분으로 하는 것이 가능해지기 때문이다.
그러나, 상기한 바와 같이, 전하의 이동 속도를 확보하는 것만으로는 충분하지 않다. 왜냐하면, 초기 DC 전압 성분이 큰 경우에는, 소정 시간 내에 필요한 DC 전압 성분치로 할 수 없기 때문이다. 따라서, 초기 DC 전압 성분을 작게 하고, 또한 고속의 전하 이동이 가능한 액정 표시 장치를 구성함으로써, 처음으로 플리커 조정을 불필요하게 할 수 있다는 것을 발명자들은 발견하였다.
또한, 예컨대, 일본 특허 공개 공보 제 2000-66222호, 일본 특허 공개 공보 제 평10-133205호, 일본 특허 공개 공보 제 평7-159786호 등에는 CF 기판 또는 어레이 기판을 구성하는 요소의 물성치가 기재되어 있지만, 어느 선행 기술에도 본 발명이 해결한 과제 및 그 해결 수단에 대해서는 일체 개시되어 있지 않다.
위와 같은 인식에 기초하여, 본 발명의 제1 형태의 액정 표시 장치는 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖는다. 액정 표시 장치는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 갖고 있다. 복수의 화소의 각각은 상기 제1 기판 상에 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가되는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖고 있다. 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 갖고, 액정 표시 장치의 전원 투입 후의 소정 시간 내에, DC 전압 성분은 상기 초기치로부터 허용치 이하로 자동적으로 감소된다. DC 전압 성분이 전원 투입 후의 소정 시간 내에 허용치 이하로 자동적으로 감소됨으로써, 화소 내의 전극에 인가하는 전위를 변경하여 플리커 조정을 행하는 것이 불필요하게 된다.
여기서, 액정 표시 장치란, 본 발명의 목적이 달성되는 범위에서, 2장의 대향 기판 사이에 액정을 봉입한 액정 패널, 액정 패널에 드라이버 회로나 백라이트 유닛을 장착한 액정 모듈, 최종 제품으로서의 액정 디스플레이 등을 포함하는 것이다.
제2 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 초기 DC 전압 성분은 0.5 V 이하이다.
제3 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, DC 전압 성분 허용치는 0.15 V이다.
제4 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 외부에서 화소 내의 전극에 인가하는 전위를 변경함으로써 플리커 조정을 행하는 회로를 갖고 있지 않다.
제5 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 복수의 주사선과 복수의 신호선을 가지며, 상기 화소 전극은 주사선과의 사이에서 축적 용량을 형성한다.
제6 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖는다. 또한, 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 갖고 있다. 복수의 화소의 각각은 제1 기판 상에 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가되는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖는다. 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 갖고, 액정 표시 장치의 전원 투입 후의 5초 내에, DC 전압 성분은 상기 초기치로부터 0.15 V 이하로 자동적으로 감소된다.
제7 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1, 제5 또는 제6 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 스위칭 소자는 TFT이며, TFT에 인가되는 게이트 신호가 떨어질 때 축적 용량을 통해 역특성의 보상 신호를 인가하는 보상 구동이 행해진다.
제8 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제7 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 제2 기판은 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 내측에 형성된 제2 수지층을 가지며, 제1 수지층은 2.5E+15[Ω·cm] 이하의 저항률을 갖고, 제2 수지층은 1 E+00∼1E+04[Ω·cm]의 저항률을 갖는다.
제9 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제7 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 제1 수지층은 보호막이며, 제2 수지층은 블랙 매트릭스층이다.
제10 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖고, THz 구동(T는 자연수)된다. 이 액정 표시 장치는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 갖는다. 복수 화소의 각각은 제1 기판 상에 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가되는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖는다. 복수의 화소는 프레임마다 다른 전압 극성으로 구동되고, 하나의 프레임에 있어서, 제1 전압 극성으로 구동되는 제1 그룹의 화소와, 제2 전압 극성으로 구동되는 제2 그룹의 화소를 갖고 있다. 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 갖고, 액정 표시 장치의 전원 투입 후의 소정 시간 내에, DC 전압 성분은 허용치 이하로 자동적으로 감소된다. 제1 그룹의 화소가 휘도가 가장 작은 전압치로 구동되고, 제2 그룹의 화소가 소정의 중간 전압치로 구동된 경우, DC 전압 성분이 허용치 이하에 있음으로써, 액정 표시 장치로부터의 투과광 파형의 T/2Hz 성분의 진폭은 THz 성분의 진폭의 10배 이하이다.
제11 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제10 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 스위칭 소자는 TFT(Thin Film Transistor)이며, TFT에 인가되는 게이트 신호가 떨어질 때 축적 용량을 통해 역특성의 보상 신호를 인가하는 보상 구동이 행해진다.
제12 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제10 또는 제11 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 제2 기판은 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 내측에 형성된 제2 수지층을 갖고 있다. 상기 제1 수지층은 2.5E+15[Ω·cm] 이하의 저항률을 갖고 있다. 상기 제2 수지층은 1E+00∼1E+04[Ω·cm]의 저항률을 갖는다.
제13 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 또는 제10 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 전원 투입 후의 소정 시간은 전원을 투입한 후, 액정 표시 장치의 표시 화면에 화상이 표시될 때까지의 시간이다.
제14 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 또는 제10 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 상기 전원 투입 후의 소정 시간은 상기 전원을 투입한 후 5초이다.
제15 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 가지며, 매트릭스형으로 배치된복수의 화소를 갖는다. 복수의 화소의 각각은 제1 기판 상에 TFT 소자와, 상기 TFT 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가하는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖고 있다. 복수의 화소의 각각은 제2 기판 상에 2.5E+15[Ω·cm] 이하의 저항률을 갖는 수지 보호층과, 상기 보호층의 내측에 1E+00∼1E+04[Ω·cm]의 저항률을 갖는 수지 블랙 매트릭스층을 갖고 있다. 액정 표시 장치는 TFT 소자에 인가되는 게이트 신호가 떨어질 때 축적 용량을 통해 역특성의 보상 신호를 인가하는 보상 구동이 행해진다.
제16 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제15 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 복수의 화소에 표시 신호를 전송하는 복수의 신호선과, TFT 소자의 게이트에 게이트 신호를 전송하는 복수의 게이트선을 갖고 있다. 축적 용량은 화소 전극과 상기 복수의 게이트선 중 하나의 게이트선 사이에 형성되어 있다.
이하에 본 발명의 일 실시예에 있어서의 액정 표시 장치를 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 본 실시예는 IPS(In Plane Switching) 구동 방식의 액정 표시 장치이다. 본 실시예에 있어서, 플리커 조정을 불필요하게 한 액정 표시 장치에 대해서 설명한다. 플리커 조정 기능을 불필요하게 하기 위해서는 초기 DC 전압 성분을 충분히 작게 하고, 또한 전하가 액정 패널 내를 고속으로 이동할 수 있는 구성이 아니면 안된다. 본 실시예는 초기 DC 전압 성분을 작게 하기 위한 하나의 기술로서, 관통 전압 보상 구동 방식을 채용하고 있다. 관통 전압 보상 구동 방식에 대해서는 뒤에 설명한다. 또한, 대향 기판 내의 전하의 이동을 쉽게 하기 위해서, 대향 기판의 구성이 적합화되고 있다.
도 1은 본 실시예에 있어서의 액정 모듈의 전체 구성을 설명하기 위한 사시도이다. 도 1은 사이드 라이트형의 백라이트 유닛을 갖는 액정 모듈(100)을 개략적으로 도시하는 구성도이다. 도면에 있어서, 101은 백라이트 유닛이고, 102는 구동 회로가 부착된 액정 패널(액정 셀)이며, 103은 광을 확산시켜, 액정 표시 패널면에서의 밝기를 균일하게 하는 확산 시트이다. 104는 광을 집광함으로써, 표시 정면의 휘도를 향상시키는 프리즘 시트이고, 105는 광원으로부터의 광을 유도하여 확산시키는 도광판이며, 106은 도광판이나 프리즘 시트 등의 백라이트 유닛(101)의 부품을 수납하는 프레임이다.
액정 패널(102)은 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소로 구성되는 표시 영역과 그 외주 영역인 액자 영역을 갖고 있다. 또한, 액정 패널(102)은 어레이 회로가 형성된 어레이 기판과 그 대향 기판을 가지며, 그 2개의 기판 사이에 액정이 봉입되어 있다. 107은 광원으로서의 냉음극관이고, 108은 액정 셀(102)과 백라이트 유닛(101)을 외측에서 유지, 보호하는 베젤이다. 확산 시트(103), 프리즘 시트(104), 도광판(105), 프레임(106), 그리고 냉음극관(107)에 의해 백라이트 유닛(101)을 구성한다. 냉음극관(107)은 프레임(106)의 내측에 배치되어 있고, 도면에는 직접 기재되어 있지 않다. 또한, 백라이트 유닛으로서는, 그 밖에, 직하형의 백라이트 유닛이 알려져 있다. 이것은 액정 패널의 표시면 바로 아래에 1개 또는 복수개의 광원이 배치되어 있다.
표시 영역 내의 각 화소는 RGB 중 어느 하나의 색 표시를 행한다. 물론, 흑백 디스플레이에 있어서는, 흑과 백 중 어느 하나의 색 표시를 행한다. 어레이 기판 상의 표시 영역 내에는 복수의 신호선과 게이트선이 매트릭스형으로 설치되어 있다. 신호선과 게이트선은 서로 거의 직각으로 겹치도록 설치되어 있다. 각 화소는 드라이버 IC에서 입력되는 표시 신호 전압에 기초하여 액정에 전계를 인가한다. 이 드라이버 IC는 통상 TAB에 의해 어레이 기판에 접속되지만, 어레이 기판의 유리 기판 상에 직접 설치되는 경우도 있다.
통상, 신호선용의 복수의 소스 드라이버 IC(110)가 TFT 어레이 기판의 X축측에 설치되고, 게이트 전압을 제어하는 게이트선용의 복수의 게이트 드라이버 IC(111)가 Y축측에 설치된다. 소스 드라이버 IC(110)로부터 입력되는 전압이 TFT의소스/드레인을 통해 화소 전극에 보내어지고, 화소 전극과 공통 전극이 액정에 전계를 인가한다. 이 전압을 바꿈으로써 액정에의 인가 전압을 변화시킬 수 있고, 액정의 광 투과율을 제어한다. 공통 전극에 공통 전위를 인가하는 회로는 제어 회로 기판(도시되지 않음) 상에 구성된다.
도 2는 본 실시예에 있어서의 화소 구조를 도시한 도면이다. 도 2에 있어서, 201은 스위칭 소자로서의 비결정질 실리콘 TFT(Thin Film Transistor)이고, 202는 TFT의 소스/드레인에 접속된 화소 전극이며, 203은 화소 전극과의 사이에서 액정에 전계를 인가하는 공통 전극이고, 204는 TFT에 표시 신호를 전송하는 신호선이며, 205는 TFT의 게이트에 게이트 전압을 전송하는 게이트선이다.
게이트선, 신호선, 그리고 공통 전극은 전형적으로는 AlNd나 MoW로 형성되어 있다. 화소 전극은 통상 Al이나 ITO(Indium Tin 0xide) 등으로 형성되어 있다.
화소 전극의 일부는 하나의 상류의 주사선과 절연체를 통해 겹쳐져, 축적 용량을 형성하고 있다. 이것은 소위 Cs on gate라고 불리는 구성이다. 또한, 화소 전극의 다른 일부는 공통 전극과도 절연체층을 통해 겹쳐져 있고, 이것은 축적 용량의 일부를 형성하고 있다.
화소는 X 방향으로 연장되는 2개의 게이트선(205)과 Y 방향으로 연장되는 2개의 신호선(204)에 의해 둘러싸여 있다. 신호선(204)의 내측에는 빗살 형상을 갖는 공통 전극(203)이 배치되어 있다. 2개의 공통 전극(203) 사이에 화소 전극(202)이 형성되어 있다. 화소 전극(202)과 그 양측의 공통 전극(203) 사이에는 기판 면에 거의 평행한 전계가 형성된다.
또한, 화소 전극과 공통 전극은 상기 구성에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 화소 전극을 빗살형으로 형성하고, 공통 전극과 맞물리도록 배치하는 것도 가능하다. 또는, 화소 전극을 く자형의 형태로 형성하는 등, 전극 형상의 다양한 변경이 가능하다. 또한, 공통 전극을 화소 전극보다도 상층에 배치하고, 화소의 개구부 이외의 모든 영역을 덮도록 배치하는 것도 가능하다. 화소 전극과 신호선의 상호 작용을 방지하기 위해서 화소 전극과 신호선 사이에 공통 전극이 배치되는 것이 바람직하다.
도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절취한 단면도이다. 도 3에 있어서, 301은 제1 기판인 어레이 기판이고, 302는 제2 기판인 컬러 필터 기판이다.
컬러 필터 기판(302)은 유리 기판(303)과, 유리 기판(303) 상에 형성된 블랙 매트릭스층(이하 BM층이라 함)(304)과, BM층(304) 상에 형성된 RGB의 컬러 필터층(이하 CF층이라 함)(305)과, CF층 상에 형성된 보호막층(306)과, 보호막층 상에 형성된 배향막(321)을 갖고 있다. BM층(304)은 아크릴계의 수지나 에폭시계의 수지에 흑색 안료를 분산시킨 것이 전형적으로 사용되며, 이 안료는 카본 재료이다. BM층(304)은 보호막층(306)과 일부에서 접촉하고 있다.
CF층(305)은 아크릴계의 수지나 에폭시계의 수지에 적, 청, 녹 중 어느 하나의 안료를 분산시킨 것이 일반적이다. 보호막(306)은 아크릴계의 수지나 에폭시계의 수지를 퇴적한 것이 많이 사용되고, 그 내측의 층을 보호하는 기능과, 그 표면을 평탄화하는 기능도 갖는다. 배향막은 통상 폴리이미드 재료에 의해 구성되며, 액정 재료의 무전계 시의 배향을 제어한다. 본 실시예에 있어서는, 대향 기판으로서 CF 기판을 설명하고 있지만, 흑백 표시 장치에 있어서는, 대향 기판으로부터 CF층이 제외된다.
대향 기판인 CF 기판 내에서의 빠른 전하의 이동을 실현하기 위해서는 보호막(306)과 BM층(304)의 저항치가 중요한 요소의 하나가 된다. 보호막의 저항률이 충분히 작은 동시에, BM층의 저항률도 충분히 작을 필요가 있다. 이것은 액정 재료로부터 배향막을 통해 보호막, BM층, 또한 보호막으로 계속되는 전계 경로(도 5의 B선)를 생각한 경우에, 보호막과 BM층 양쪽의 저항이 충분히 작지 않으면, 전하의 이동 속도를 확보할 수 없기 때문이다. 또한, BM층은 컬러 액정 디스플레이에도 흑백 액정 디스플레이에도 사용되기 때문에, 범용성이 높다. 또한, CF층과 달리, 안료에 의해 저항치를 제어하기 쉽다고 하는 특성을 갖고 있다. 단, BM층의 저항치가 지나치게 작으면 바람직하지 못하기 때문에, BM층의 저항치는 소정의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 크롬 등의 금속을 사용한 저항치가 매우 작은 BM층은 바람직하지 못하다.
따라서, BM층(304)의 저항률은 바람직하게는 1E+00∼1E+04[Ω·cm]이다. BM층의 막 두께는 예컨대 약 1.5 ㎛이다.
CF층(305)의 저항률은 예컨대 RGB에 대하여 각각 대략 3E+13, 1E+13, 그리고, 5E+11[Ω·cm]이다. 또한, CF층의 막 두께는 대략 2.0 ㎛이다.
보호막층(306)의 저항률은 바람직하게는 약 2.5E+15[Ω·cm] 이하이며, 더욱 바람직하게는 약 8.5E+14[Ω·cm] 이하이다. 보호막층의 막 두께는 예컨대 대략 1.0 ㎛이다.
배향막의 저항률은 대략 1.0E+15[Ω·cm], 막 두께는 대략 0.1 ㎛로 할 수 있다.
어레이 기판(301)은 하층에서부터 순서대로 유리 기판(307), 공통 전극(308), 산화실리콘 절연체층(309), 질화실리콘 절연체층(310), 신호선(311) 및 화소 전극(312), 질화실리콘·패시베이션층(313), 그리고, 배향막(322)을 갖고 있다. 이하에 각 요소의 치수를 예시한다. 예컨대, 공통 전극(308)의 두께는 Al의 경우는 대략 0.3 ㎛이고, ITO의 경우는 대략 0.05 ㎛이다. 산화실리콘층(309)의 두께는 약 0.4 ㎛이고, 질화실리콘층(310)의 두께는 약 0.05 ㎛이다. 신호선(311) 및 화소 전극(312)의 두께는 약 0.3 ㎛이고, 패시베이션층(313)의 두께는 대략 0.2 ㎛이다.
어레이 기판과 CF 기판 사이에는 액정 재료가 봉입되어 있고, 2개의 기판의 간격은 스페이서에 의해 대략 5 ㎛로 유지된다.
도 4는 도 1의 B-B'선을 따라 절취한 단면도로서, TFT(201)의 구조를 설명하는 도면이다. 도면에 있어서, 401은 유리 기판, 402는 게이트선, 403은 산화실리콘 절연체층, 404는 질화실리콘 절연체층, 405는 비결정질 실리콘층, 406은 질화실리콘층, 407은 소스/드레인 전극, 408은 질화실리콘 패시베이션층이다. 이 위에 배향막이 형성된다. 또한, TFT은 상부 게이트 구조로 하는 것도 하부 게이트 구조로 하는 것도 가능하다. 또한, 스위칭 소자로서는 MIM(Metal Insulator Metal) 등을 이용하는 것도 가능하다.
표시 동작에 대해서 설명한다. 주사선으로서의 게이트선은 게이트 드라이버IC(111)로부터 보내어진 게이트 신호를 TFT의 게이트로 전송한다. 게이트 신호가 ON이 되면 TFT가 ON 상태가 되고, 데이터 드라이버 IC(110)로부터 송신된 표시 신호가 신호선과 TFT의 소스/드레인을 통해 화소 전극(202)으로 보내어진다. 공통 전극(203)에는 공통 전위가 인가되어 있고, 화소 전극과 공통 전극 사이에서 전계가 형성된다. 전계의 강도를 변화시킴으로써, 액정 분자의 방향을 제어한다. 액정 분자는 기판에 거의 평행한 면 내에서 그 장축의 방향을 변화시킨다. 액정 재료 내를 통과하는 광의 편광은 액정 분자의 복굴절성에 의해 변화되므로, 액정 분자의 방향에 따라 대향 기판 상의 편광판을 통과하는 광의 양이 변화된다. 공통 전위는 예컨대 7.5 V로 설계된다. 화소 전극에 인가되는 전위는 예컨대 최대 13.5 V, 최소 1.5 V로 설계된다.
액정은 교류로 구동된다. 즉, 프레임마다 화소 내의 액정에 인가하는 전압의 극성을 +와 -로 반전시킨다. 여기서 전압의 극성은 공통 전위를 기준으로서 결정된다. 액정의 구동 방식으로서는 몇 가지가 알려져 있고, 라인 반전 구동이나 도트 반전 구동이 사용된다.
라인 반전 구동은 게이트선마다 화소 전극에 인가하는 신호 전압의 극성을 반전시키는 구동 방법이다. 예컨대, 제1 프레임의 홀수 행의 화소 행에는 + 극성의 전압을 인가하고, 짝수 행에는 - 극성의 전압을 인가한다. 제2 프레임에 있어서는, 홀수 행의 화소 행에는 - 극성의 전압을 인가하고, 짝수 행에는 + 극성의 전압을 인가한다.
도트 반전 구동이란, 동일 행(게이트선) 내에 있어서, 화소마다 인가 전압의극성을 반전시키는 구동 방식이다. 제1 프레임의 홀수 행에 있어서, 홀수 열(홀수번째의 신호선)의 화소에는 + 극성의 전압을 인가하고, 짝수 열의 화소에는 - 극성의 전압을 인가한다. 제1 프레임의 짝수 행에 있어서, 홀수 열의 화소에는 - 극성의 전압을 인가하고, 짝수 열의 화소에는 + 극성의 전압을 인가한다. 제2 프레임에 있어서는, 각 화소의 전압 극성을 반전시킨다. 또한, 공통 전위를 일정치로 유지하지 않고서, 프레임의 진행에 따라 변화시키는 것도 가능하다.
다음에, 관통 전압 보상 구동에 대해서 설명한다. 도 6은 게이트 신호와 액정 재료에 인가되는 전압의 크기의 관계를 나타내는 타이밍 차트이다. 본 실시예에 있어서는, 관통 전압 보상 구동 방식을 채용하고 있다. 액정 표시 장치의 화소에 있어서는 몇 개의 기생 용량이 존재한다. 그 중에서 화소의 구동에 큰 영향을 미치는 것에는 게이트선과 화소 전극(게이트와 소스. 여기서는, 화소 전극측을 소스라고 부름) 사이의 기생 용량이 있다. 이것은 통상 Cgs(또는 Cgd)라 불린다. 게이트 전위의 변화는 이 Cgs를 통해 표시 전압의 변화를 일으킨다. 관통 전압 보상 구동은 TFT의 게이트 신호가 L의 논리 레벨로 떨어질 때에, 역극성의 펄스를 축적 용량을 통해 액정 재료에 인가하는 기술이다. 기생 용량 Cgs 때문에, 게이트 전압이 떨어지면, 액정 재료에 인가되어 있는 전압치가 감소한다. 화소 전극과 축적 용량을 형성하는 도체부에 역특성의 신호를 인가함으로써, 상기 감소분을 보충할 수 있다.
이하에, 도 6에 따라서, 하나의 화소의 구동 동작을 설명한다. A는 i번째의 게이트선에 인가되는 게이트 신호이다. B는 i+1번째의 화소 행에 있어서의 하나의 화소의 액정 재료에 인가되는 전압의 크기이다. C는 i+1번째의 게이트선에 인가되는 게이트 신호이다. i+1번째의 화소 행에 있어서의 화소의 TFT는 i+1번째의 게이트선에 의해 제어된다. X축이 시간의 경과를 표시하고, Y축이 신호의 값을 나타내고 있다. 게이트 신호는 3개의 전위 V1, V2 및 V3을 갖고 있다. V1, V2 및 V3은 예컨대, 접지 전위를 기준으로 각각 27 V, -5 V 및 -9 V로 설정된다.
t1에 있어서 i+1번째의 게이트의 논리 상태가 H(게이트 ON 전압 V1)가 되면, 표시 신호가 신호선으로부터 TFT를 통해 화소 전극에 인가된다. 이 후, t2에서 i+1번째의 게이트의 논리 상태가 L(게이트 OFF 전압 V3)이 된다. 이 때, 게이트 전위가 V1에서 V3으로 강하되기 때문에, 게이트와 소스(화소 전극) 사이의 기생 용량 Cgs에 의해 표시 전압이 강하된다. t3에서 i번째의 게이트선의 전위가 V3에서 V2로 상승하기 때문에, 게이트선과 화소 전극 사이의 축적 용량 Cs를 통해 표시 전압이 증가된다. t4에서 i+1번째의 게이트의 전위가 V3에서 V2로 상승한다. 이 상승은 기생 용량 Cgs를 통해 표시 전압을 상승시킨다. 실제의 설계에 있어서는 기생 용량에 의한 전압의 강하 및 상승과 Cs를 통한 상승과의 합이 0이 되도록 설계된다.
이상과 같은 관통 전압 보상 구동에 따라, 기생 용량에 의해 야기되는 표시 전압의 감소를 보상할 수 있다. 동시에, 화소 전극과 공통 전극 사이의 초기 DC 전압 성분을 작게 억제하는 것이 가능하다. 제조 공차에 의한 표시 전압의 변화는 기생 용량 Cgs의 변화에 기인하는 부분이 크다. 통상의 구동 방식에 있어서는, 기생 용량의 변화의 표시 전압의 변화에 대한 기여는 기생 용량의 변화에 대하여 화소 전체의 용량이 어느 정도 변화되었는지에 따라 결정된다. 한편, 관통 전압 보상 구동에 있어서는, 기생 용량의 변화에 대하여 축적 용량 Cs가 어느 정도 변화되었는지에 따라 결정된다. 따라서, 관통 전압 보상 구동에 따라, 화소 전극과 공통 전극 사이의 초기 DC 전압 성분을 작게 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 관통 전압 보상 구동 방식의 액정 표시 장치에 있어서는, 제조 공차에 의한 기생 용량과 축적 용량의 변화에 의한 표시 전압의 변화를 작게 하도록 설계하는 것이 가능하다. 이와 같이 설계함으로써, 상기 효과를 더욱 확실한 것으로 할 수 있다.
또한, 관통 전압 보상 구동은 Cs 온 게이트 구조를 필수적인 요건으로 하고 있지 않다. 예컨대, Cs선을 게이트선과는 별도로 설치하고, 이 Cs선에 상기 효과를 얻을 수 있는 신호를 인가함으로써, 관통 전압 보상 구동을 실현할 수 있다.
도 7은 종래의 액정 표시 디스플레이와 본 발명에 따른 액정 표시 디스플레이의 DC 전압 성분의 변화를 비교 설명하는 도면이다. 도 7에 있어서, Y축은 화소 전극과 공통 전극 사이의 DC 전압 성분의 값이다. X축은 전원이 ON이 된 후의 경과 시간이다. 도면에 있어서, (1)과 (2)는 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 DC 전압 성분의 변화를 도시하는 모델 곡선이다. (3)은 종래의 액정 표시 장치에 있어서의 DC 전압 성분의 변화를 도시하는 모델 곡선이다.
이미 설명한 바와 같이, 화소 전극과 공통 전극 사이는 저항과 용량이 병렬로 접속된 회로로서 모델화된다. 따라서, DC 전압 성분은 전원 투입 직후의 초기치로부터 지수 함수적으로 감소한다.
도 7로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래의 액정 표시 장치는 소정 시간 후에 허용치 이상의 DC 전압 성분을 가지고 있다. 한편, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 DC 전압 성분이 소정 시간 내에 허용치 이하가 되도록 구성되어 있다. 소정 시간은 액정 표시 디스플레이의 전원을 ON으로 하고 나서, 표시 화면에 화상이 표시될 때까지의 시간으로 설정할 수 있다. 이 시간은 통상 3∼5초, 또는 그 이하의 시간이다.
DC 전압 성분의 허용치는 플리커의 발생에 따라 결정되며, 약 0.15 V 이하가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 약 0.12 V 이하이며, 가장 바람직하게는 약 0.08 V 이하이다. 또는, 플리커의 발생은 표시 화면의 특성으로부터 결정하는 것이 가능하다. 이것은 화면에 특정 패턴의 화상을 표시하여, 특정 주파수의 광의 파장을 측정, 비교함으로써 행한다.
도 8은 이 특정 패턴을 설명하는 도면이다. 도 8에 있어서, (A)는 도트 반전구동 액정 표시 장치를 위한 패턴이다. (B)는 라인 반전 구동 액정 표시 장치를 위한 패턴이다. 적, 청, 녹은 각 화소의 CF층의 색이다. 또한, 도 8은 노멀리 화이트 액정 표시 장치의 경우를 설명하고 있다. 흑의 화소는 가장 광의 투과율이 작은 전압으로 구동된다. 노멀리 블랙 모드에서는, 최대 구동 전압치로 구동되고 있다. 중간조는 통상 최대 구동 전압치의 50%의 값으로 구동되고 있다. 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 동일한 극성의 화소의 그룹은 동일한 전압치로 구동되고, 다른 극성의 화소의 그룹은 다른 전압치로 구동되고 있다. 도트 반전 구동에 있어서는, 상하 좌우에 인접하는 화소(도트)는 다른 계조로 표시를 행한다. 라인 반전 구동에 있어서는, 동일한 행의 화소는 동일한 계조로 표시하고, 인접하는 행의 화소는 다른 계조로 표시한다.
여기서, 액정 표시 장치가 60 Hz로 구동되고 있는 경우, 표시 장치에 도 8의 패턴을 표시시켜, 투과광 파형의 60 Hz 성분의 진폭과 30 Hz 성분의 진폭을 비교한다. 선택되는 주파수는 THz로 구동되는 표시 장치에 있어서는, THz와 T/2Hz이다. THz 구동의 표시 장치는 1초 사이에 T 프레임의 화상을 표시한다.
투과광 파형의 30 Hz 성분의 진폭이 60 Hz 성분의 진폭의 10배 이하인 것이 바람직하다. 또한, 2 도트 반전 구동 액정 표시 장치, 2 라인 반전 구동 액정 표시 장치 및 흑백 패널에 있어서도 원리는 동일하다.
인터레이스 구동되는 액정 표시 장치에 관해서도 동일하게 적용 가능하다. 인터레이스 구동은 하나의 프레임을 2개의 필드로 나누어 표시한다. 한쪽 필드가 홀수 행의 화소 행을 구동하고, 다른쪽 필드가 짝수 행의 화소 행을 구동한다. 각 필드는 통상 도트 반전 구동 또는 라인 반전 구동된다. 따라서, 각 필드는 2 종류의 구동 전압 극성을 갖는다. 특정 패턴에 있어서, 하나의 필드 내의 구동되고 있지 않는 화소 행은 흑을 표시한다. 구동되고 있는 화소 중 한쪽 극성의 화소는 흑을 표시하고, 다른쪽 극성의 화소는 중간조를 표시한다. 하나의 프레임 내에서는, 예컨대 + 극성의 화소는 흑을 표시하고, - 극성의 화소는 중간조를 표시한다.
초기 DC 전압 성분의 값과 감소율은 상보적 관계에 있기 때문에, 각각이 특정한 범위를 가질 수 있다. 초기 DC 전압 성분이 큰 경우는, 감소율도 커야만 한다. 그러나, 감소율의 크기는 한계가 있기 때문에, 초기 DC 전압 성분의 크기도 그것에 따라 한정된다. 따라서, 초기 DC 전압 성분은 0.5 V 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.25 V 이하이며, 가장 바람직하게는 0.2 V 이하이다. 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 전원 투입으로부터 약 1초 후의 화소 전극과 공통 전극 사이의 DC 전압 성분을 0.04∼0.06 V로 하는 것이 가능하고, 이 액정 표시 장치는 플리커 결함을 갖고 있지 않다.
또한, 이상으로 설명한 것은 본 발명의 일 실시예로서, 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위의 기재에 기초하여 결정된다. 또한, 본 발명의 범위 내에서 상기 실시예의 요소를 변경, 추가할 수 있는 것은 당업자에게 있어서 분명하다.

Claims (16)

  1. 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖는 액정 표시 장치로서,
    상기 액정 표시 장치는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 가지며,
    상기 복수의 화소의 각각은 상기 제1 기판 상에 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가되는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖고,
    상기 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 갖고,
    상기 액정 표시 장치의 전원 투입 후의 소정 시간 내에, 상기 DC 전압 성분은 상기 초기치로부터 허용치 이하로 자동적으로 감소되며,
    상기 DC 전압 성분이 전원 투입 후의 소정 시간 내에 허용치 이하로 자동적으로 감소됨으로써, 상기 화소 내의 전극에 인가하는 전위를 변경하여 플리커 조정을 행하는 것이 불필요하게 되는 것인 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 초기 DC 전압 성분은 0.5 V 이하인 것인 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 DC 전압 성분 허용치는 0.15 V인 것인 액정 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 외부에서 상기 화소 내의 전극에 인가하는 전위를 변경함으로써 플리커 조정을 행하는 회로를 갖고 있지 않는 것인 액정 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 복수의 주사선과 복수의 신호선을 가지며, 상기 화소 전극은 주사선과의 사이에서 축적 용량을 형성하는 것인 액정 표시 장치.
  6. 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖는 액정 표시 장치로서,
    상기 액정 표시 장치는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 가지며,
    상기 복수의 화소의 각각은 상기 제1 기판 상에 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가되는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖고,
    상기 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 가지며,
    상기 액정 표시 장치의 전원 투입 후의 5초 내에, 상기 DC 전압 성분은 상기 초기치로부터 0.15 V 이하로 자동적으로 감소되는 것인 액정 표시 장치.
  7. 제1항, 제5항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 TFT이며, 상기 TFT에 인가되는 게이트 신호가 떨어질 때 축적 용량을 통해 역특성의 보상 신호를 인가하는 보상 구동이 행해지는 것인 액정 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 기판은 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 내측에 형성된 제2 수지층을 가지며, 상기 제1 수지층은 2.5E+15[Ω·cm] 이하의 저항률을 갖고, 상기 제2 수지층은 1E+00∼1E+04[Ω·cm]의 저항률을 갖는 것인 액정 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 수지층은 보호막이며, 상기 제2 수지층은 블랙 매트릭스층인 것인 액정 표시 장치.
  10. 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖고, THz 구동(T는 자연수)되는 액정 표시 장치로서,
    상기 액정 표시 장치는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 가지며,
    상기 복수의 화소의 각각은 상기 제1 기판 상에 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가되는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖고,
    상기 복수의 화소는 프레임마다 다른 전압 극성으로 구동되고,
    상기 복수의 화소는 하나의 프레임에 있어서, 제1 전압 극성으로 구동되는 제1 그룹의 화소와, 제2 전압 극성으로 구동되는 제2 그룹의 화소를 갖고,
    상기 액정 표시 장치의 전원 투입 직후에, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 그 사이에 초기 DC 전압 성분을 갖고,
    상기 액정 표시 장치의 전원 투입 후의 소정 시간 내에, 상기 DC 전압 성분은 허용치 이하로 자동적으로 감소되며,
    상기 제1 그룹의 화소가 휘도가 가장 작은 전압치로 구동되고, 상기 제2 그룹의 화소가 소정의 중간 전압치로 구동된 경우, 상기 DC 전압 성분이 허용치 이하에 있음으로써, 상기 액정 표시 장치로부터의 투과광 파형의 T/2Hz 성분의 진폭은 THz 성분의 진폭의 10배 이하인 것인 액정 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 TFT이며, 상기 TFT에 인가되는 게이트 신호가 떨어질 때 축적 용량을 통해 역특성의 보상 신호를 인가하는 보상 구동이 행해지는 것인 액정 표시 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제2 기판은 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 내측에 형성된 제2 수지층을 가지며, 상기 제1 수지층은 2.5E+15[Ω·cm] 이하의 저항률을 갖고, 상기 제2 수지층은 1E+00∼1E+04[Ω·cm]의 저항률을 갖는 것인 액정 표시 장치.
  13. 제1항 또는 제10항에 있어서, 상기 전원 투입 후의 소정 시간은 상기 전원을 투입한 후 상기 액정 표시 장치의 표시 화면에 화상이 표시될 때까지의 시간인 것인 액정 표시 장치.
  14. 제1항 또는 제10항에 있어서, 상기 전원 투입 후의 소정 시간은 상기 전원을 투입한 후 5초인 것인 액정 표시 장치.
  15. 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 봉입된 액정 재료를 갖는 액정 표시 장치로서,
    상기 액정 표시 장치는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 가지며,
    상기 복수의 화소의 각각은,
    상기 제1 기판 상에 TFT 소자와, 상기 TFT 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극과의 사이에서 상기 액정 재료에 인가하는 전계를 형성하는 공통 전극을 갖고,
    상기 제2 기판 상에 2.5E+15[Ω·cm] 이하의 저항률을 갖는 수지 보호층과, 상기 보호층의 내측에 1E+00∼1E+04[Ω·cm]의 저항률을 갖는 수지 블랙 매트릭스층을 가지며,
    상기 TFT 소자에 인가되는 게이트 신호가 떨어질 때 축적 용량을 통해 역특성의 보상 신호를 인가하는 보상 구동이 행해지는 것인 액정 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 상기 복수의 화소에 표시 신호를 전송하는 복수의 신호선과, 상기 TFT 소자의 게이트에 게이트 신호를 전송하는 복수의 게이트선을 가지며,
    상기 축적 용량은 상기 화소 전극과 상기 복수의 게이트선 중 하나의 게이트선 사이에 형성되어 있는 것인 액정 표시 장치.
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