TWI225762B

TWI225762B - Pattern transferring material, its manufacturing method, wiring substrate manufactured by using the same

Info

Publication number: TWI225762B
Application number: TW090102865A
Authority: TW
Inventors: Yasuhiro Sugaya; Shingo Komatsu; Koichi Hirano; Seiichi Nakatani; Yasuyuki Matsuoka
Original assignee: Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date: 2000-02-09
Filing date: 2001-02-09
Publication date: 2004-12-21
Also published as: EP1933376A2; US6871396B2; EP1482543A3; EP1933376A3; US6936774B2; CN1333649A; CN1620220A; EP1267594A2; CN100566510C; US20010023779A1; CN1201641C; US20050186768A1; EP1154469A1; US20030102153A1; EP1267594A3; EP1482543A2; US7888789B2

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 — ---—B7__ 五、發明說明（/ ) 【發明之詳細說明】【發明所屬之技術領域】本發明係關於，將細微之配線圖案的電路元件轉寫至基板之轉寫材及其製造方法，又，關於使用前述之轉寫材來形成配線圖案以及電路元件之配線基板及其製造方法。【習知技術】近年來，隨著電子機器的高性能化及小型化的需求，半導體也被要求要更具有高密度以及高機能化。因此，用來組裝前述半導體之電路基板也必須是更加小型、高密度之物。針對該等需求，例如，能以最短距離來連接積體電路 (LSI)之間以及組裝元件間之電氣配線之基板層間之電氣連接方式，亦即內通孔（IVH)連接法，因其能達到最高密度之配線，因此不斷地從各方面被開發。 —般而言，作爲此種IVH構成之配線基板可列舉有，例如，多層陶瓷配線基板，增層法之多層印刷配線基板，樹脂與無機塡充劑的混合物所構成之多層複合配線基板等〇前述多層陶瓷配線基板，可如以下所示之方法來製作。首先，準備數片由氧化鋁等陶瓷粉末、有機黏合劑及可塑劑所構成之生胚（green sheet)。接著’在前述各生胚上鑽出通孔，將導電膠塡充於前述通孔。然後’在生胚上印刷配線圖案後，將前述各生胚積層起來。最後’便能利用脫結合劑以及燒成將此積層體製作成前述之多層陶瓷配 3 --------訂--------- Γ%先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（i) 線基板。此種多層陶瓷配線基板，因爲具有IVH構造，因此能形成相當高密度之配線圖案，非常適合於電子機器的小型化等。又，模仿此多層陶瓷配線基板的構造，根據前述增層法所形成之印刷配線基板也在各個方面被開發。例如，在曰本專利特開平9-116267號公報、特開平9-51168號公報等中揭示了以往之一般的增層法。此方法係以以往所使用之玻璃-環氧樹脂基板作爲核心材，在基板的表面上形成感光性絕緣層後，以微影法形成通孔，接著全面施以銅鍍，再將前述銅鑛以化學蝕刻來形成配線圖案之方法。又，在特開平9-326562號公報中，與前述增層法同樣，係揭示一種對藉前述微影法所加工成的通孔塡充導電性膠之方法。於特開平9-36551號公報、特開平10-51139號公報中，係揭示一種於絕緣性基板之一表面形成導體電路、另一表面形成接著劑層，然後設置貫通孔，塡充導電性膠之後，疊合複數之基材進行積層之多層化方法。又，專利第2601128號、專利第2603053號、專利第 2587596號爲，利用雷射加工對芳族聚醯胺-環氧樹脂膠片(prepreg)形成貫通孔，塡充導電膠於貫通孔後，將銅箔積層、進行圖案化，以此基板作爲核心材，更進一步夾層已塡充導電膠之膠片來多層化之方法。 < 如上所述，若使用IVH使樹脂系印刷配線基板連接，便與前述之多層陶瓷配線基板一樣，只在必要的各層間作電氣連接；更，因爲配線基板的最上層沒有貫通孔，因此 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） --------^---------^ i^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 A7 B7 五經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、發明說明（更具有優異的組裝性。惟’具有此種IVH構造之高密度組裝的樹脂系印刷配線基板’一般而言其熱傳導率低，隨著元件組裝朝著高密度發展’要使由前述元件所發生之熱散去則愈形困難。又，在2000年時，CPU的時脈（clock)變成1GHz 左右，隨著此機能之高度化，推測每個CPU晶片所消耗的電力將達到100〜150瓦特。一般而言，熱傳導性優異之陶瓷配線基板雖然具有優異的散熱性，但由於比較昂貴，應用在行動終端所使用之基板以及模組時，有耐落下性等方面之問題點。因此’爲了達成修正樹脂系印刷基板之熱傳導性課題之目的’以及爲達成在樹脂系多層基板上形成電容器之目的，專利第3063427號公報或是特開平7-142867號公報則提出了將樹脂系印刷配線基板與陶瓷基板積層之構造之解決方案。又’爲了提高基材本身的熱傳導性，特開平9-270584 號公報、特開平8_125291號公報、特開平8_288596號公報、特開平10-173097號公報則提出了多層複合基板。此多層複合配線基板爲，將環氧樹脂等之熱硬化性樹脂和熱傳導性優異之無機塡充劑（例如，陶瓷粉末等）混合、使其複合化之基板。此基板因能含有高濃度之前述之無機塡充劑，因此能提高熱傳導性。又，藉由選擇前述無機塡充劑的種類’便能隨意控制例如介電常數以及熱膨脹係數等性質。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 κι __Β7 ： "~ --—-- 五、發明說明（> ) 另一方面，隨著基板之高密度組裝的進行，重要的是微細之配線圖案的形成。在前述之多層陶瓷配線基板中，配線圖案的形成，一般則是利用例如，以網版印刷將厚膜導電膠印刷於陶瓷基板上、再藉由燒成來燒硬之方法。但，此種網版印刷在ΙΟΟμηι以下線寬之配線圖案的量產上有困難。又’在平常的印刷配線基板中，採用減成法來形成配線圖案之方法是一般的作法。在此種減成法中，係採用化學蝕刻將厚約18〜35μηι的銅箔在基板上形成配線圖案，但即使此方法也難以量產75μιη以下線寬之配線圖案，若要將前樹脂配線圖案微細化，勢必要使前述之銅箱變薄。又，若根據前述之減成法，因爲配線圖案形成突出於基板表面外之構造，因此便難以將焊料以及導電性接著劑等擺放在半導體上所形成之凸塊（bump)上；又，有前述之凸塊在配線基板間移動而發生短路之疑慮。又，因爲前述之突出的配線圖案的影響，例如，在之後的製程中，有可能成爲在以密封樹脂密封時的障礙。又，在前述之採用增層法所形成之印刷配線基板中’ 除了前述之減成法之外，例如，有採用加成法的趨勢。此種加成法係，例如，在已經形成光阻的基板表面上，選擇性地鍍敷配線圖案之方法，可形成30μιη左右線寬之配線圖案。但，與前述之減成法相比，此種方法有配線圖案對基板之間附著強度弱等的問題。因此，預先形成微細之配線圖案、進行圖案檢查後’ 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（ί ) 再將良品的配線圖案轉寫在所期望之基板上之方法便被提出。例如，美國專利5,407,511號說明書係，在碳板的表面上預先以印刷及燒成來形成微細的圖案，然後將其轉寫於陶瓷基板之方法。又，在特開平10-84186號公報與特開平10-41611號公報中，係揭示了將由形成於脫模性支持板上之銅箔所構成之配線圖案轉寫於膠片之方法。同樣地，在特開平11_261219號公報中揭示了，在由銅箔所構成之脫模性支持板上，透過鎳磷合金剝離層轉寫由銅箔所構成之配線圖案之方法。又，在特開平8-330709號公報中揭示了，利用配線圖案之銅箔的粗化面及光滑面的接著程度不同來轉寫於基板之方法。根據此種轉寫法所轉寫出之配線圖案，係被埋入基板表面，所得到之配線基板的表面係成平坦的構造，因此能避免如前所述之配線基板突出所導致之問題：更，特開平 10-190191號公報中揭示了，將配線圖案埋入基板表面時，也有將塡充於貫通孔之導電性通孔膠加以壓縮的效果。近來，配線圖案的微細化則更加地被要求，但是，在前述之以往的配線圖案轉寫技術中，在前樹脂脫模性支持板上是難以形成更加微細之配線圖案。也就是說，例如，在對接著於前述脫模性支持板之銅箔形成圖案時，一旦前述銅箔對前$脫模性支持板的接著強度弱時，微細的配線圖案變會在化學蝕刻時剝離。反之，前述之接著強度強時，前述之配線圖案轉寫至基板後，要剝離前述脫模性支持板時，配線圖案也一起被剝離了。又，亦有使銅箔表面粗 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（6) 化，藉由使銅箔之與基板間的接著強度高於與脫模性基板間的接著強度來將銅箔轉寫至基板之方法，但在此法中不易形成微細的配線圖案。又，在前述之陶瓷基板上，即使採用例如藉燒成的方式使網版印刷出之導電膠燒結，來形成配線圖案之方法，然對於前述之配線圖案的微細化亦有極限，又，在含有導電性粉末之導電膠的燒結中，因不似銅箔之金屬層，其導電性差，可能會造成今後高頻化上的問題。另一方面，以往，製作由銅箔等金屬箔來形成配線之陶瓷多層基板是相當困難的。這是因爲’要在不損害生胚性質和形狀的情況下，在生胚上形成金屬箔的配線是相當困難的。又，考慮樹脂系印刷配線基板製作方法時，以往通常使用依序積層之積層方法，衝壓製程也連續數次。如此一來，爲了使層與層之間的連接能夠確實地實現，無可避免的必須要執行各衝壓製程所發生之硬化收縮的修正等繁雜的製程。更，爲達成修正樹脂系印刷配線基板的熱傳導性之課題的目的，以及以在樹脂多層基板上形成電容器爲目的，將樹脂系印刷配線基板與陶瓷基板積層之構造已被提出。但，實際上，經過積層製程主要會造成陶瓷層發生龜裂等損傷，要製作樹脂系與陶瓷積層體係相當困難〃本發明爲了解決前述之以往的問題’其目的係提供一種用以將微細的配線圖案轉寫至基板之轉寫用配線圖案形 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱Γ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（7) 成材，以確實且容易地進行對基板的轉寫，且成本低廉。又，爲了推進基板的高密度組裝，不僅是配線圖案的微細化，如何形成以及組裝被連接於配線圖案之電路元件也是重點。以往，電感器、電容器以及電阻器等之被動元件一般係突出於基板表面的狀態下被組裝，難以埋設於基板內。因此，高密度組裝便產生限制。例如，在上述諸公報中所揭示之以往之方法中，於轉寫形成材形成的圖案均僅有銅箔等之配線部分。爲了提高組裝密度，雖也能採行將被動元件等以晶片的形態組裝於轉寫形成材上之方法，但是，在將被動元件等埋入基板內時，與配線圖案間之連接部的斷線以及晶片位置偏移等等問題便因而產生。因此，本發明之目的係提供一種能使微細配線圖案以及電路元件等埋入電路基板內之轉寫用元件配線圖案形成材，其能確保與配線圖案間的連接、以及能正確且低成本地將電路元件等組裝於電路基板上。再者，本發明之目的係提供一種使用前述之轉寫用配線圖案形成材或是轉寫用元件配線圖案形成材（轉寫材），來形成配線圖案及電路元件之配線基板。【發明所欲解決之課題】【用以解決課題之手段】爲達成前述目的，關於本發明之第1構成之轉寫材，其特徵在於，具備：第1金屬層，係作爲轉寫件；第2金屬層，係作爲配線圖案；以及，剝離層，係存在於前述第 9 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------^--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明u ) 1金屬層與第2金屬層自前ί述第1 和1第2 金屬層剝離的方式來貼合；之至少3層’在前述第1金屬層的表層部係形成有與前述配線圖案相對應之形狀t凸部 ;在前述凸部區域之上，係形成有前述剝離層及前述第2 金屬層。關於本發明之第2構成之轉寫材’其特徵在於’具備 :第1金屬層，係作爲轉寫件；以及第2金屬層’係作爲金屬配線；之至少兩層；於前述第1金屬層41 ’具備採用印刷法所形成之電路元件(與前述第2金屬層作電氣連接) 〇關於本發明之第2構成之轉寫材’可採用印刷來同時形成電感器、電容器以及電阻器等之電路元件。其中，電阻器又特別容易形成。又’電路元件並不僅限於該等被動元件，亦可形成半導體晶片等主動元件。又，因爲不需使用焊料等來進行電路元件之組裝，因此能簡化組裝製程。又，因爲減少焊料連接丨能使配線基板的可靠度提高。又，與採用焊料來組裝元件晶片的情況相比，利用印刷在轉寫材上形成電路元件的方式則能實現電路元件的薄形化，亦能容易地作埋入式轉寫以及內藏至基板內。更進一步，電路元件的配置便變得自由，例如，可使得內藏電容器等的配線距離達到最短，使得高頻特性變佳。又，關於本發明之第2構成之轉寫材，係在轉寫後，在被剝離之轉寫件的第1金屬層上，形成新的第2金屬層 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（？）及配線圖案或是電路元件’因此，便能將第1金屬層再利用，對此配線圖案的構成亦並無特別的限制。因此’便能達到低成本化’相當具有工業價値。又，爲達成前述目的，本發明之轉寫材之第1製造方法，其特徵在於：在第1金屬層上形成剝離層；在前述剝離層上形成第2金屬層；使用化學蝕刻法將前述第2金屬層、剝離層以及前述第1金屬層的表層部蝕刻，以將前述第2金屬層及前述剝離層形成出配線圖案形狀，且在前述第1金屬層的表層部上，形成對應於前述配線圖案之形狀的凹凸部％又，本發明之轉寫材之第2製造方法，其特徵在於：在第1金屬層上，讓第2金屬層形成爲配線圖案形狀採用印刷來形成與前述第2金屬層作電氣連接之電路元件。作爲配線圖案之第2金屬層，可採用鍍敷法、蒸鑛法或是濺鍍法等來直接形成於作爲轉寫件的第1金屬層上。於第2金屬層之形成時，薄膜電阻器也同樣地能以濺鎪等方式來形成。又’本發明之轉寫材之第3製造方法，其特徵在於：在第1金屬層上，形成剝離層及第2金屬層；將前述第2金屬層及剝離層加工成配線圖案形狀；採用印刷來形成與前述第2金屬層作電氣連接之電路 11 ------------ I------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 元件。又，關於本發明之第1構成之配線基板’係具備··電氣絕緣性基板；以及，採用前述第1構成之轉寫材之轉寫法在前述電氣絕緣性基板的至少一主面上所形成之配線圖案；其特徵在於，前述配線圖案係被形成於前述主面所形成之凹部內。關於本發明之第2構成之配線基板，係積層複數之配線基板而構成內通孔構造；其特徵在於’於至少一層係具備前述第1構成之配線基板。又，關於本發明之第3構成之配線基板’其特徵在於，具備··電氣絕緣性基板；採用前述第2構成之轉寫材之轉寫法在前述電氣絕緣性基板的至少一主面上所形成之配線圖案及電路元件；；前述電路元件係與前述配線圖案作電氣連接，前述電路元件及前述配線圖案係被埋設於前述主面。關於本發明之第4構成之配線基板，係積層複數之配線基板而構成內通孔構造；其特徵在於，於至少一層係具備前述第3構成之配線基板。又，關於本發明之配線基板的第1製造方法，係採用前述第1構成之轉寫材來製造配線基板；其特徵在於：將前述轉寫材之至少配線圖案金屬層(含有第2金屬層 )之形成側，壓接於未硬化狀態之片狀基材中之至少一主面藉由前述剝離層，將貼合於前述第2金屬層之前述第 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（丨丨）又 1金屬層自前述第2金屬層剝離，來將前述配線圖案金屬層轉寫至前述片狀基材。關於本發明之配線基板的第2製造方法，其特徵在於，在陶瓷片上形成貫通孔；在形成有前述貫通孔之陶瓷片的兩面或單面，配置主成分爲無機組成物之約束片，該無機組成物在前述陶瓷片的燒結溫度下並無實質的燒結收縮；將前述陶瓷片與前述約束片一同燒成；< 燒成後，去除前述約束片；在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之陶瓷基板；將前述第1構成之轉寫材之至少配線圖案金屬層(含有第2金屬層)之形成側，壓接於含有熱硬化性樹脂組成物之未硬化狀態之片狀基材中之至少一主面，藉由前述剝離層，將貼合於前述第2金屬層之前述第 1金屬層自前述第2金屬層剝離，來將前述配線圖案金屬層轉寫至前述片狀基材；於前述轉寫前或轉寫後，對含有前述熱硬化性樹脂組成物之片狀基材形成貫通孔，在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之複合配線基板；將前述陶瓷配線基板與前述複合配線基板積層，邊加熱邊壓接，來得到多層配線基板。本發明之配線基板的第3製造方法，係採用前述第2 構成之轉寫材來製造配線基板；其特徵在於，< 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（p) 將前述轉寫材之至少第2金屬層及前述電路元件之形成側，壓接於未硬化狀態之片狀基材之至少一主面；藉由剝離前述第1金屬層’將至少前述第2金屬層及前述電路元件轉寫至前述片狀基材。本發明之配線基板之第4製造方法，其特徵在於，在陶瓷片形成貫通孔；在形成前述貫通孔之陶瓷片的兩面，配置主成分爲無機組成物之約束片，該無機組成物在前述陶瓷片的燒結溫度下並無實質的燒結收縮；將前述陶瓷片與前述約束片一同燒成；，燒成後，去除前述約束片；在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之陶瓷基板；將前述第2構成之轉寫材之至少配線圖案金屬層(含有第2金屬層)之形成側，壓接於含有熱硬化性樹脂組成物之未硬化狀態之片狀基材中之至少一主面，藉由前述剝離層，將貼合於前述第2金屬層之前述第 1金屬層自前述第2金屬層剝離，來將前述配線圖案金屬層轉寫至前述片狀基材；於前述轉寫前或轉寫後，對含有前述熱硬化性樹脂組成物之片狀基材形成貫通孔，在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之複合配線基板；將前述陶瓷配線基板與前述複合配線基板積層，邊加熱邊壓接，得到多層配線基板。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） --------^---------^—^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（ο ) 如果採用前述第2構成之轉寫材’便能在多層基板的任何一層上轉寫電路元件，元件配置位置也變得自由，因此電子元件設計的自由度也大幅地提局。【發明之實施形態】 (實施形態1) ' 與本發明有關之轉寫用配線圖案形成材之第1實施形態（此後，稱爲第1轉寫材）的構成槪略例，如圖1之截面圖所示。如圖所示，前述之第1轉寫材係具有，在表層部上形成凹凸部（例如，凸部的高度約爲12μπι左右）之第1金屬層ιοί。在第1金屬層ιοί上，前述凸部構成與配線圖案相對應之形狀。在此凸部範圍的上面，形成了由有機層或是金屬鑛敷層所構成之剝離層102與第2 i屬層103。換言之，第1轉寫材係，剝離層102介在第1金屬層101 與第2金屬層103之間貼合而成之3層構造。在第1轉寫材中，第2金屬層103係配線圖案，第i 金屬層101係具有用以將前述配線圖案轉寫至基板之轉寫件(carrier)的功能。換言之’在作爲金屬配線之第2金屬層 103轉寫至基板後，第1金屬層1〇1便會與剝離層102 — 同自前述基板剝離。前述第1轉寫材之製造方法有，例如，包: (a)在第1金屬層上，隔著一層由有機層或金屬鑛敷層所構成之剝離層，形成與第1金屬層含有同一成分之金屬之第2金屬層，而形成3層構造之製程；以及， 15 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------^—^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（w) (b)藉由化學蝕刻法，不僅對第2金屬層與剝離層、也對第1金屬層的表層部加工成配線圖案形狀，在第1金屬層的表層部形成凹凸部之製程。根據此製造方法，便能採用微影法等化學鈾刻法將第 2金屬層形成微細之配線圖案。又，構成配線圖案（第2 金屬層）之金屬箔，因爲與構成轉寫件之金屬箔(第1金屬層)爲同一材料，因此，便能在一次的蝕刻製程中，在構成轉寫件之第1金屬層上，形成與第2金屬層之配線圖案爲相同圖案之凹凸。又，本實施形態之第1轉寫材，係將使用後所剝離下之第1金屬層再利用，隔著鑛敷層等之剝離層，來形成與此第1金屬層的凸部成同一形狀之第2金屬層，藉此能再生同樣的轉寫材。或者，前述之第1金屬層亦能應用於，例如，凸版印刷用之圖案形成材等其他用途。如此一來，本實施形態之第1轉寫材因能有效利用資源，從節省資源及廢棄物的減少來看係相當有利。再者，此優點在後述之實施形態中所說明之各轉寫材亦相同。再者，爲能使本實施形態之轉寫材的配線圖案做電氣連接，可形成電感器、電容器、電阻器、或是半導體元件等之電路元件，再與配線圖案一同轉寫於基板。再者，電感器、電容器及電阻器等被動元件以網版印刷等等印刷法來形成於轉寫材上爲佳。 (實施形態2) ，接著，圖2所示係，本發明之轉寫材的第2實施形態 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762

五、發明說明（) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (此後稱爲第2轉寫材）之一例的構成槪略截面圖。如圖2所示，第2轉寫材係具有，在表層部上形成凹凸部之第1金屬層1〇1。前述凸部係構成與配線圖案相對應之形狀。第2轉寫材係，在此凸部範圍的上面，形成了由有機層或是金屬鍍敷層所構成之剝離層102與第2金屬層103 ’更進—步在其上形成了第3金屬層1〇4之4層構造。亦即，第1金屬層1〇1與第2金屬層103係隔著剝離層102來貼合。在第2轉寫材中，第2金屬層1〇3及第3金屬層1〇4 係2層構造之配線圖案；第i金屬層ι〇1係具有爲了將前述配線圖案轉寫至基板之轉寫件的功能。換言之，在將作爲金屬配線之第2金屬層1〇3及第3金屬層104轉寫至基板後’第1金屬層101便會與剝離層102 —同自前述基板剝離。前述第2轉寫材之製造方法有，例如，包含： (a) 在第1金屬層上，隔著一層由有機層或金屬鍍敷層所構成之剝離層，形成與第1金屬層含有同一成分之金屬之第2金屬層，而形成3層構造之製程；以^， (b) 在第2金屬層的任意區域上形成阻鍍層等，使不被前述阻鍍層覆蓋而露出之區域成爲配線圖案形狀之製程 (e)在前述第2金屬層表面露出之前述配線圖案形狀的區域上，藉由圖案鍍敷法形成由鍍敷層所構成之第3金屬層之製程； 17 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（A) (d) 藉由剝離前述阻鍍層，在第2金屬層上將前述第 3金屬層形成配線圖案形狀之凸部之製程； (e) 採用化學蝕刻法，將未形成前述第3金屬層之區域的第2金屬層、剝離層及第1金屬層的上層部施以選擇性除去之製程。在此製造方法中，若採用與第2金屬層同一成分之金屬作爲第3金屬層時，例如，在銅箔（第2金屬層）.上形成銅鍍敷層（第3金屬層）時，與實施形態1同之理由以及採用加成法，可將第2及第3金屬層形成微細之配線圖案。再者，由於第2金屬層與剝離層較第3金屬層爲薄，乃能以短時間之蝕刻製程來去除，而讓第3金屬層之層厚幾乎未減少的前提下殘留。是以，可任意地控制配線圖案之厚度。另一方面，若採用與第2金屬層不同之金屬作爲第3 金屬層時，例如，在銅箔（第2金屬層）上將金（第3金屬層）圖案鍍敷上去’因爲第3金屬層具有阻蝕層之機能，便能將具有前述配線形狀之未形成前述第3金屬層之區域之第2金屬層、剝離層及第1金屬層的上層部選擇性地除去。更，一旦採用金作爲第3金屬層，因爲轉寫材之配線圖案的最上層變成金，若將例如裸晶片、封裝前之SAW (表面彈性波濾波器）等，以覆晶方式組裝於配線圖案上，而得到低電阻且安定之連接。再者，採用銀作爲第3金屬層亦可得到相同的效果。 18 g張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_ --- -----------------M (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 再者，前述製造方法中’在前述第2金屬層上形成第 3金屬層之前’對前述第2金屬層的表面施以粗化處理爲佳。所謂的形成前述第3金屬層之前’係在前述第2金屬層上形成配線圖案形成用之光罩（前述阻鍍層）形成之前，或是，在已形成前述配線圖案之光罩圖案的第2金屬層上，沿著前述配線圖案形成第3金屬層之則：一旦對前述第2金屬層的表面施以粗化處理’前述第2金屬層與前述第3金屬層之間的接著性便提高。前述製造方法中’採用電鍍法’在前述第2金屬層上形成前述第3金屬層爲佳。若採用前述電鍍法來形成前述第3金屬層或是前述配線圖案形成用之金屬層’不僅在前述第2金屬層與第3金屬層之間的接著面上能得到適度的接著性，也由於前述金屬層間不發生空隙’例如，即使進行蝕刻等，也能形成良好的配線圖案。另一方面，亦可在第2金屬層上以平面鍍敷形成前述第3金屬層之後，在配線圖案上形成光罩，來進行圖案形成。此種情況，對轉寫後之第2金屬層表面氧化之防止以及對焊料潤濕性之改善有效。前述製造方法中，採用化學蝕刻法，將第2金屬層以及第3金屬層連同第1金屬層的表層部加工成配線圖案狀爲佳。前述製造方法中，基於與前述相同之理由，前述第2 金屬層係包含擇自銅、鋁、銀及鎳所構成之群中至少〜種金屬，特別是以銅爲佳。第1金屬層係，在以化學蝕刻法 19 --------^---------^i^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽X 297公爱) ~ --- 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（β) 作第2金屬層蝕刻的同時，由於要在其表層部上形成與配線圖案（第2金屬層）相同形狀之凸部，以採用與第2金屬層具有相同金屬成分爲佳。其中，又以由銅箔來構成第 1及第2金屬層爲佳，又以電解銅箔更佳。至於前述第1及第2金屬層的製作方法’並無特別限制，例如，可採用眾所周知之金屬箔的製造方法等來製作〇作爲前述粗化處理，可採用，例如，黑化處理、軟蝕刻處理、噴砂處理等方法。 < 再者，爲能使本實施形態之轉寫材的配線圖案做電氣連接，可形成電感器、電容器、電阻器、或是半導體元件等之電路元件，再與配線圖案一同轉寫於基板。再者，電感器、電容器及電阻器等被動元件以網版印刷等等印刷法來形成於轉寫材上爲佳。 (實施形態3) 接著，圖3所示係，本發明之轉寫材的第3實施形態 (此後，稱爲第3轉寫材）之一例的構成槪略截面圖。如圖所示，第3轉寫材係具有，在表層部上形成凹凸部之第1金屬層101。前述凸部係構成與配線圖案相對應之形狀。第3轉寫材係，在前述凸部範圍的上面，形成了由有機層或是金屬鍍敷層所構成之剝離層102與第2金屬層103，更進一步在其上形成了第3金屬層104，在其上又形成了第4金屬層之5層構造。第1金屬層101與第2金屬層103之間係透過剝離層102貼合而成 20 ' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（I?) 在第3轉寫材中，第2金屬層103、第3金屬層104 及第4金屬層105係3層構造之配線圖案，第1金屬層 1〇1係具有爲了將前述配線圖案轉寫至基板;ξ：轉寫件的功能。換言之，在將作爲配線圖案之第2金屬層1〇3、第3 金屬層104及第4金屬層105轉寫至基板後，第1金屬層 101便會與剝離層102 —同自前述基板剝離。前述第3轉寫材之製造方法有，如以下所述。亦即’ 包含： (a) 在第1金屬層上，隔著剝離層，形成與第1金屬層含有同一成分之金屬之第2金屬層，而形成3層構造之製程；以及， 2 (b) 在第2金屬層的任意區域上形成阻鍍層等，使不被前述阻鍍層覆蓋而露出之區域成爲配線圖案形狀之製程赘 (c) 在前述第2金屬層中前述表面露出之配線圖案形狀的區域上，製作由鑛敷層所構成之第3金屬層之製程； (d) 在前述第3金屬層上，製作與前述第1〜第3金屬層不同金屬成分之第4金屬層(由對腐蝕前述第1〜第3 金屬層的蝕刻液具有化學安定性之金屬成分所構成)之製程 9 (e) 藉由剝離前述阻鍍層，將第3與第4金屬層兩層形成配線圖案形狀之凸部之製程； (f) 採用化學蝕刻法，將具有前述配線形狀之未形成第3與第4金屬層之區域的第2金屬層、剝離層及第1金 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 ^ -------- --B7 ____ 五、發明說明（产）屬層的上層部施以選擇性除去之製程。造方法，依據與前述相同之理由以及採用加成法’可形成微細之配線圖案。更可任意地控制配線圖案的厚度。前述製造方法中，在前述第2金屬層上形成第3金屬層之前’對前述第2金屬層的表面施以粗化處理爲佳。所謂的形成前述第3金屬層之前，係在前述第2金屬層上形成配線圖案形成用之光罩形成之前，或是，在已形成前述配線圖案光罩之第2金屬層上，沿著前述配線圖案形成第 3金屬層之前。一旦對前述第2金屬層的表面施以粗化處理’前述第2金屬層與前述第3金屬層之間的接著性便提局。前述製造方法中，採用電鍍法，在前述第2金屬層上形成前述第3金屬層爲佳。若採用前述電鍍法來形成前述第3金屬層或是前述配線圖案形成用之金屬層，不僅在前述第2金屬層與第3金屬層之間的接著面上能得到適度的接著性，也由於前述金屬層間不發生空隙，例如，即使進行蝕刻等，也能形成良好的配線圖案。另一方面，亦可在第2金屬層上以平面鍍敷形成前述第3金屬層之後，在配線圖案上進行光罩形成，來進行圖案形成。此種情況，對轉寫後之第2金屬層表面氧化之防止以及對焊料潤濕性之改善有效。 4 更，前述製造方法中，在前述第3金屬層上所形成之第4金屬層，係以電鍍法來形成爲佳。作爲第4金屬層的 22 -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（>1 ) 材料係，與第1〜第3金屬層具有不同的成分，換言之’ 選擇對於腐蝕前述第1至第3金屬層之蝕刻液而言具有化學安定性之金屬成分，使得即使採用製程（f)之化學蝕刻法，也不會減少第2、3、4金屬層的厚度，能與前述第1 金屬層的表層部一同加工成配線圖案狀爲佳。前述製造方法中，基於與前述相同之理由，前述第2 、第3金屬層係包含擇自銅、鋁、銀及鎳所構成之群中至少一種金屬，特別是以銅爲佳。第1金屬層係，在以化學蝕刻法作第2金屬層蝕刻的同時，由於要在其表層部上形成與配線圖案（第2金屬層）相同形狀之凸部，以採用與第2金屬層具有相同金屬成分爲佳。其中，例如，該等金屬層以由銅箔來構成爲佳，又以電解銅箔更佳。另一方面，作爲前述第4金屬層，例如，以具有化學安定性、低電阻之Ag或Au鍍敷層爲佳。至於前述第1及第2金屬層的製作方法，並無特別限制，例如，可採用眾所周知之金屬箔的製造方法等來製作〇作爲前述粗化處理，可採用，例如，黑化處理、軟蝕刻處理、噴砂處理等方法。再者，前述之實施形態1〜3之第1、第2及第3轉寫材中，隔著剝離層之前述第1金屬層與第2金屬層之間的接著強度以弱者，例如50gf/cm以下爲佳。剝離層可使用具有接著力之厚度甚小於Ιμηι之薄有機層，例如，熱硬化樹脂之尿素系樹脂、環氧系樹脂、苯酚樹脂等，但並不限 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 Β7 五、發明說明（，>) 於此，亦可採用其他熱可塑性樹脂等。但是，若厚度超過 Ιμιη，則玻璃性能便惡化，有可能造成轉寫變得困難。又，在第1〜第3轉寫材中，爲了達成南意使接著力降低之目的，亦可使鍍敷層介在其中作爲剝離層。例如，使遠薄於Ιμιη之薄金屬鍍敷層、鎳鍍敷層、鎳-磷合金層、鋁鍍敷層、或是鉻鍍敷層等作爲剝離層介在銅箔（第1 及第2金屬層）之間，可使得其具有剝離性。如此一來，將前述第2金屬層轉寫至基板之後，前述第2金屬層變得容易自前述第1金屬層剝離，將僅有第2金屬層轉寫至前述基板上變得容易。剝離層若由金屬層來構成時，l〇〇nm 〜Ιμιη的厚度便十分足夠，變得越厚越會提焉製程上的成本，因此以至少小於Ιμηι爲佳。又，在第1〜第3轉寫材中，若採用金鍍敷故意形成容易與第1金屬層剝離之剝離層’則轉寫後將第1金屬層自基板剝離時，剝離層便會留在配線圖案之第2金屬層表面。如此一來，便能得到表面經過金鍍敷處理之配線圖案，相當適合作FC組裝（覆晶組裝）、元件組裝等。又，在前述第1〜第3轉寫材中，前述第1金屬層係，以含有擇自銅、鋁、銀及鎳所構成之群中室少一種金屬爲佳，特別是以含有銅爲更佳。再者’前述金屬，可使用一種，亦可至少兩種倂用。更，在前述第1〜第3轉寫材中，例如，進行蝕刻等製程時，由於同時容易加工二層構造之金屬層，因此，前述第1金屬層及第2金屬層以具有同一成分金屬爲佳。此 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公ίΓ --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（w ) 種情況下，由於第1金屬層與第2金屬層之間沒有熱膨脹係數的差異，加熱時便不容易產生圖案變形’適合微細配線圖案的轉寫。再者，採用鍍敷層作爲剝離層的情況下’ 以能使用銅飩刻液加工爲佳。又，若含有前述同一成分之金屬，對此金屬種類雖沒有特別的限制’但由銅箔構成者爲佳，從具有優異之導電性來看，又以電解銅箔更佳。再者，前述金屬，可使用一種，亦可至少兩種倂用。又，在前述第1〜第3轉寫材中，前述第2金屬層表面的中心線平均粗糙度（Ra)，以2μπι以上爲佳，3μπι以上爲更佳。在第1轉寫材的情況，前述之中心線平均粗糖度一旦小於2μιη，便有可能導致其與轉寫之基板間的接著性不足。另一方面，在第2及第3轉寫材，前述之中心線平均粗糙度一旦小於2μπι，構成多層配線圖案之金屬間的接著性便不足，例如，在蝕刻前述金屬層時，蝕刻液便可能滲入前述金屬層空隙之間，造成配線圖案不良。又，在前述第1〜第3轉寫材中，前述第2金屬層的厚度以1〜18μιη之範圍爲佳，更好的範圍是3〜12μιη。前述之厚度若小於3μιη，將前述第2金屬層轉寫至基板時，可能無法顯現良好的導電性；前述之厚度若大於18μιη，可能難以形成微細之配線圖案。又，在前述第1〜第3轉寫材中，前述第1金屬層的厚度以4〜40μιη之範圍爲佳，特別是20〜40μπι之範圍。第1金屬層除了具有轉寫件的機能之外，其表層部還具有與配線層相同之被蝕刻出之凹凸構造，因此以具有十足厚 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（蚪）度之金屬層爲佳。又，第1〜第3轉寫材，因爲以金屬層 (第1金屬層）作爲轉寫件’對於轉寫時所產生的熱變形和平面方向之應力變形等，顯示出其十足的機械強度與耐熱性。前述第1〜第3轉寫材的整體厚度範圍係40〜150μιη ，較佳範圍爲40〜80μπι。又，配線圖案的線寬’作爲微細之線寬通常被要求到25μπι左右，在本發明中’也以此種線寬爲佳。再者，爲能使本實施形態之轉寫材的配線圖案做電氣連接，可形成電感器、電容器、電阻器、或是半導體元件等之電路元件，再與配線圖案一同轉寫於基板。再者，電感器、電容器及電阻器等被動元件以網版印刷等等印刷法來形成於轉寫材上爲佳。； (實施形態4) 在本實施形態中，係採用本發明之各種轉寫用配線圖案形成材（第1〜第3轉寫材），來說明配線基板的製造方法以及藉由此製造方法所製作出之配線基板的構成。與本發明有關，作爲採用轉寫材所製得之配線基板的製造方法有，例如，以下2種製造方法。首先，第1個製造方法係包含： (h)準備至少一個在述實施形態1〜3:中所說明之第1〜第3轉寫材，其配線層側（形成第2金屬層等之側 )係，與片狀基材（基板材料）至少一面的表面接觸來配置，將其接著之製程；以及， 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（％ ) (i)藉由自前述轉寫材將第1金屬層剝離，而僅將配線層轉寫至前述片狀基材上之製程。如此一來，便能製作出在前述片狀基材上形成凹形狀之微細配線圖案之配線基板。又，此配線基板，因配線部分呈凹形狀，因此能利用此凹部作爲定位之用，例如，適合於半導體的覆晶組裝等。 < 又，第2種製造方法係一種多層配線基板的製造方法，包含將至少兩層之利用前述第1製造方法所得到之配線基板積層之製程。若根據第1製造方法，因爲能在loot 以下之低溫下進行配線圖案的轉寫形成，因此，即使採用陶瓷生胚以及熱硬化性樹脂片中任一種作爲前述片狀基材，在進行配線圖案的轉寫之後，亦能使片維持在未硬化狀態。如此一來，便能在積層未硬化狀態之配線基板之後，一起使其熱硬化收縮。因此，重複進行積層一層層的配線基板後使其硬化收縮之製程，與以往的多層配線基板的製造方法相比，其優點在於，即使在具有至少4層之多層配線基板的製作上，也不需要進行每一層的硬化收縮修正。又，可簡略製程。如此一來，便能製作具有微細配線圖案之多層配線基板。但是，在前述之多層配線基板中，形成於內層配線基板之配線圖案未必是凹形狀。因此，用以形成此配線圖案之轉寫材’其第1金屬層的表層部並不需要形成凹凸狀，只要平坦即可。此種情況，例如，可藉由控制形成配線圖案時之化學蝕刻時間，來使其蝕刻至剝離層的階段便停止 27 ---------訂---------線 C請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _____ B7 五、發明說明（ ) 加工，使第1金屬層不被蝕刻。又，例如，若離層爲Ni 系之鍍敷層時，一旦採用氯化銅水溶液內添加銨離子之鹼性液作爲蝕刻液，便能僅將銅箔（配線圖案）部分蝕刻去除，留下剝離層。此轉寫材，壓接於基板後再將轉寫件銅箔（第1金屬層）剝離時，因爲作爲剝離層之鍍敷層也同時被剝離，因此轉寫上並沒有任何問題。再者，使用前述第1轉寫材的時候，係藉由使第1轉寫材壓接於片狀基材（基板材料），讓前述第2金屬層及第1金屬層的凸部埋入片狀基材內。之後，#由剝離第1 金屬層，製作出表面具有凹部、在此凹部之底部上具有第 2金屬層所構成之配線層之配線基板。又，在使用前述第2轉寫材的情況下，例如，藉由使第2轉寫材壓接於片狀基材，來使前述第2及第3金屬層全體、以及第1金屬層的凸部被埋入片狀基材內之後，再除去前述第1金屬層。如此一來，便成爲：表面上具有與前述第1金屬層凸部的厚度相同程度深度之凹部，且在此凹部之底部上形成由前述第2及第3金屬層命構成之二層構造配線圖案之配線基板。同樣地，在使用前述第3轉寫材的情況下，例如，在使前述第2、3及第4金屬層全體、以及第1金屬層的凸部埋入片狀基材內之後，除去前述第1金屬層。如此一來，便成爲：表面上具有與前述第1金屬層凸部的厚度相同程度深度之凹部，且在此凹部之底部上形成由前述第2、3及第4金屬層所構成之三層構造配線圖案之配線基板。 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7__ 五、發明說明（) 在前述之第1及第2配線基板的製造方法中，前述片狀基材除了含有無機塡充劑與熱硬化性樹脂組成物之外，以至少具有一個貫通孔，且導電性膠被塡充於前述貫通孔內爲佳。如此一來，便能容易地得到具有優異的熱傳導性，例如’藉由導電性膠將基板兩面的配線圖案作電連接之具有IVH構造之高密度組裝用複合配線基板。又，若採用此片狀基材’在製作配線基板時，並不需要作高溫處理，例如，熱硬化性樹脂的硬化溫度之200°C左右的低溫處理便十分足夠。前述片狀基材係，無機塡充劑的比例爲70〜95重量 %，熱硬化性樹脂組成物的比例爲5〜30重童％爲佳；特別是以無機塡充劑的比例爲85〜90重量％，熱硬化性樹脂組成物的比例爲10〜15重量％則更佳。前述片狀基材，因可含有高濃度之前述無機塡充劑，因此能藉由含有量來任意設定配線基板之熱膨脹係數、熱傳導率以及介電常數等〇則述無機塡充劑以擇自Al2〇3、MgO、BN、A1N及 Si02所構成之群中至少一種之無機塡充劑爲佳。藉由適當決定前述無機塡充劑的種類，例如，可將熱傳導性、熱膨脹性以及介電常數設定在所期望的條件。例如，能將前述片狀基材之平面方向的熱膨脹係數設定在與組裝之半導體的熱膨脹係數相同程度，同時並賦予高熱傳導性。在前述無機塡充劑中，例如，使用Al2〇3、BN、A1N 等之片狀基材係具有優異的熱傳導性，使用MgO之片狀基 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（J) 材除了具有優異的熱傳導性，同時也能使熱膨脹係數變大。又，使用Si〇2，特別是非晶質Si〇2的時候，能得到熱膨脹係數小、重量輕、低介電常數之片狀基材。，再者，前述無機塡充劑可爲一種，亦可至少兩種倂用。含有前述無機塡充劑與熱硬化性樹脂組成物之片狀基材，例如，可如以下所述來製作。首先，先將調整黏度用之溶劑加在含有前述無機塡充劑與熱硬化性樹脂組成物之混合物中，調製任意漿料黏度之漿料。作爲前述調整黏度用之溶劑，可使用例如甲基乙基酮、甲苯等。接著，在預先準備好的脫模薄膜上，用前述漿料藉由例如刮塗法等來造膜，以比前述熱硬化性樹f之硬化溫度低的溫度來處理，使前述調整黏度用之溶劑揮發後，除去前述脫模薄膜而能製作片狀基材。前述造膜時之膜厚係以前述混合物的組成和前述調整黏用之溶劑的添加量來適當地被決定；通常，厚度範圍爲 80〜200μηι。又，使前述調整黏度用之溶劑揮發的條件係例如根據前述調整濃度用溶劑的種類以及前述熱硬化性樹脂的種類等來適當地決定，通常，溫度爲70〜150°C，時間爲5〜15分鐘。作爲前述脫模薄膜，通常可使用有機薄膜，例如，可含有擇自聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚二萘、聚苯硫（PPS)、聚苯肽、聚醯亞胺以及聚醯胺所構成之群中至少一種樹脂之有機薄膜爲佳，其中又以PPS更佳。又，作爲其他的片狀基材，有使片狀補強材中含浸熱 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —----訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（d) 硬化性樹脂組成物、具有至少一個之貫通孔、且前述貫通孔內填充著導電性膠之片狀基材。前述片狀補強材，若爲能保持前述熱硬化性樹脂之多孔性材料，便並無特別的限制；以擇自玻璃纖維織布、玻璃纖維不織布、耐熱有機纖維織布及耐熱有機纖維不織布所構成之群中至少一種之片狀補強材爲佳。做爲前述耐熱有機纖維可列舉有，例如，全芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺樹脂），全芳香族聚酯，聚丁烯氧化物等，其中又以芳族聚醯胺爲佳。其餘較佳之片基材係聚醯亞胺等之薄膜。若使用聚醯亞胺等薄膜，便可得到具有優異之微細線路性、微細孔之基板。前述熱硬化性樹脂，若爲耐熱性者便無特別限制，從具有優異之耐熱性來看，以含有擇自環氧系樹脂、苯酚系樹脂及異氰酸酯系樹脂或是聚苯酞樹脂所構成之群中至少一種樹脂。又，前述熱硬化性樹脂，可爲一種，亦可至少兩種倂用。如此之片狀基材能藉由例如將前述片狀補強材浸漬於前述熱硬化性樹脂組成物之後，使其乾燥，呈現半硬化狀態來製作。前述浸漬的進行，係以前述熱硬化性樹脂佔前述片狀基材全體的比例爲30〜60重量％爲佳：在前述多層配線基板的製造方法中，若採用如上之含有熱硬化性樹脂之片狀基材時，以加壓加熱處理所得之前述熱硬化性樹脂的硬化來進行前述配線基板的積層爲佳。如此一來，在前述配線基板的積層製程中，例如，以前述 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 i^w. (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 熱硬化性樹脂的硬化溫度之200°C左右的低溫處理即足夠〇又，作爲其他片狀基材有，含有有機黏合劑、可塑劑及陶瓷粉末之生胚，具有至少一個之貫通孔，前述貫通孔內被塡充著導電性膠。此片狀基材，具有高耐熱性、密閉性佳，且具有優異之熱傳導性。 < 前述之陶瓷粉末係，以含有擇自Al2〇3、MgO、Zr02 、Ti02、BeO、BN、Si02、CaO及玻璃所構成之群之中至少一種之陶瓷爲佳，又以Α12Ο350〜55重量％與玻璃粉45 〜50重量％之混合物更佳。再者，前述陶瓷，可爲一種，亦可至少兩種倂用。作爲有機黏合劑可使用，例如，聚乙烯醇縮丁醛（ PVB)、丙烯酸樹脂、甲基纖維素樹脂等；作爲前述熱可塑劑可使用例如鄰苯二甲酸丁苄酯（BBP)、‘鄰苯二甲酸二丁酯（DBP)等。如此之含有前述陶瓷粉等之生胚可利用例如含有前述無機塡充劑與熱硬化性樹脂之片狀基材之前述製作方法來同樣地製作。再者，各處理條件係根據前述構成材料的種類等，適當地被決定。在前述多層配線板的製造方法中，採用前述生胚來作爲前述片狀基材時，以加壓加熱處理來進行與前述片狀基材間之接著、以及燒成所進行之陶瓷粉末之燒結’來進行配線基板的積層爲佳。以上之前述片狀基材的厚度範圍通常是30〜25(^m。 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音2事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（Η ) 前述片狀基材係，如前所述，具有至少一個之貫通孔，前述貫通孔內被塡充著導電性膠爲佳。前述貫通孔的位置係，通常，若形成與配線圖案連接的狀態，便並無特別的限制，間距以250〜500μηι之等間隔爲佳。< 對於前述貫通孔的大小並無特別的限制，通常，在 100〜200μπι的範圍，其中又以直徑100〜150μπι的範圍爲佳。前述貫通孔的形成方法係根據前述片狀基材的種類等來適當地被決定，可列舉有，例如，二氧化碳雷射加工、利用衝床機之加工、利用模具之整體加工等。作爲前述導電性膠，只要具有導電性，便無特別的限制；通常，可使用含有導電性金屬材料粒子6¾樹脂等。作爲前述導電性金屬材料可使用，例如，銅、銀、金、銀鈀等；作爲前述樹脂可使用環氧系樹脂、苯酚系樹脂、丙烯酸系樹脂等之熱硬化性樹脂。又，前述導電性膠中之前述導電性金屬材料的含量，通常在80〜95重量％之範圍。又，前述片狀基材若爲陶瓷生胚時，則採用玻璃及丙烯酸黏合劑取代熱硬化性樹脂。接著，前述（h)製程中之轉寫材與片狀基材間的接著方法、以及（i)製程中之將第1金屬層自第〗金屬層剝離之方法，並無特別的限制；前述片狀基材若含有熱硬化性樹脂時，例如，可如以下所述來進行。首先，將前述轉寫材與片狀基材如前所述來配置，藉由對其加壓加熱處理來使前述片狀基材中之前述熱硬化性 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 樹脂熔融軟化，讓作爲配線圖案之金屬層（第2金屬層等 )埋至前述片狀基材內。接著，將其在前述熱硬化性樹脂的軟化溫度或是硬化溫度下處理，在後者的情況下，係使前述樹脂硬化。如此一來，前述轉寫材與片狀基材便能接著，同時，前述第2金屬層與片狀基材之間的接著也被固定住了。 ' 前述加熱加壓條件，只要在前述熱硬化性樹脂不會完全硬化的範圍內便沒有特別的限制，通常，壓力約爲9.8X 105 〜9.8Xl06Pa ( 10 〜100kgf/cm2)，溫度爲 70 〜260°C，時間爲30〜120分鐘。在前述轉寫材與片狀基材接著之後，例如，拉動作爲轉寫件層之第1金屬層，藉由剝離層內來剝離，便能將第 1金屬層自第2金屬層剝離。換言之，由於透過剝離層之第1金屬層與第2金屬層之間的接著強度，^片狀基材與作爲配線層之第2金屬層之間的接著強度低，因此，前述第1金屬層與第2金屬層間的接著面便剝離，在前述片狀基材上僅有第2金屬層被轉寫，第1金屬層則被剝離。再者，前述熱硬化性樹脂的硬化，亦可在將第1金屬層自第 2金屬層剝離之後進行。另一方面，前述片狀基材，若爲含有前述陶瓷之生胚時，例如，可如以下所示來進行。與前述一樣，藉由進行加壓加熱處理，使形成配線圖案之金屬層被:i入前述片狀基材內，而能接著前述片狀基材與轉寫材。之後，與前述一樣地，藉由前述剝離來除去前述配線層（第2金屬層等 34 冢紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 -------B7 五、發明說明（w ) , )以外的轉寫材之構成材料。接著，於轉寫有形成配線圖案之第2金屬層等之前述生胚的兩面或單面上，配置在前述生胚的燒結溫度下實質不會燒結收縮、以無機組成物作爲主成分之約束片；積層之後，進行脫黏合劑及燒成處理。之後，除去前述約束片，便能形成具有由第2金屬層等所構成之配線圖案之陶瓷基板。前述轉寫時所施行之加熱加壓條件係，例如，根據前述生胚及導電性膠內所含熱硬化性樹脂的種類而適當地被決定；通常，壓力約爲9·8 X 105〜1·96 X 107pa ( 1〇〜 200kgf/cm2)，溫度爲70〜l〇〇°C，時間爲2〜30分鐘。如此一來’便能在對生胚不產生任何損傷的情況下來形成配線圖案。在已形成前述配線圖案之生胚的兩面或一面上，配置、積層在前述生胚的燒結溫度下實質不會燒結收縮、以無機組成物作爲主成分之約束片所採之加壓加熱條件係，例如，根據前述生胚及約束片內所含熱硬化性樹脂的種類而適當地被決定；通常，壓力約爲1.96X 106〜1.96Xl07Pa ( 20〜200kgf/cm2)，溫度爲70〜100°C，時間爲1〜1〇分鐘〇前述脫黏合劑處理係例如根據前述黏合劑的種類及構成配線圖案之金屬等而適當地決定其條件；通常，可使用電氣爐、進行在500〜700°C的溫度下、升溫時間·· 1〇小時、保持時間：2〜5小時的處理。特別是在銅箔配線的情況下，係使用具有優異熱分解性之嫌系丙嫌酸黏合劑 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（w ) 等之有機黏合劑所構成之生胚，在非氧化氣氯之氮氣氣氛下，進行脫黏合劑及燒成。前述燒成處理的條件係，例如，根據前述陶瓷種類而適當地被決定；通常，使用帶式爐，在空氣中或是氮氣中，溫度爲狀〇〜95〇°C，時間爲3〇〜6〇分鐘。在此，更進一步說明前述第2製造方法。根據此方法來製作多層配線基板時，係將如前述所製作出單層配線基板積層，將層與層之間接著。再者’將單層配線基板積層成複數片之後，可進行一次接著固定。，例如，將含有熱硬化性樹脂之片狀基材所製作出之配線基板積層，來製作多層配線基板的時候，首先，與前述一樣，藉由加壓加熱處理，自轉寫材僅將配線層（第2金屬層等）轉寫至前述片狀基材上，得到單層之配線基板。再者，得到此配線基板時，前述熱硬化性樹脂係尙未經過硬化處理，保持於未硬化狀態。準備數片此單層配線基板，然後積層。接著，將此積層體，在前述熱硬化性樹脂的硬化溫度下進行加壓加熱處理，藉由使前述等硬化性樹脂硬化來接著固定前述配線基板之間。在前述單層配線基板，若將爲了轉寫配線層之加熱加壓處理溫度刻意設定在 l〇〇°C以下，即使在轉寫後，片狀基材也幾乎可視爲膠片來處理。如此一來，就可以不用依序接著固定單層配線基板，可將單層配線基板積層之後，進行一次接著固定來製作多層配線基板。又，以玻璃環氧基板等作爲核心層之增層基板的情形 36 ; --------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（α) ，可採用本發明之轉寫材，在片狀基材未硬化狀態下轉寫配線圖案、形成單層配線基板，讓該等單層配線基板在未硬化狀態下依序積層，使此積層體一次硬化之方法來製作 0 又，例如，將採用含有陶瓷之片狀基材所製作出之陶瓷配線基板積層，來製作多層配線基板的時候，與前述一樣，使轉寫材壓著於前述片狀基材上、僅轉寫配線層（第 2金屬層等）之後，將數枚此單層陶瓷配線基板積層，藉由進行加熱加壓處理以及與前述陶瓷之燒成，來接著固定前述配線基板間。對於前述多層配線基板的積層數並無特別限制，通常爲4〜10層，但也有可能多及20層。又，前述多層配線板全體的厚度，通常爲200〜ΙΟΟΟμιη。再者，構成前述多層配線基板最外層之配線基板，由於必須具有優異的電連接特性，如前所述，採用本發明之轉寫材（第1、第2或第3轉寫材），使得配線層(第2金屬層等)被埋入表面的凹部內爲佳。又，前述多層配線基板最外層以外的中間層，可爲表面成平坦構造之配線基板，亦可爲在表面上形成凹部之配線層（第2金屬層等）之配線基板。 ‘ 接著，以下將詳細說明本發明配線基板的構成。採用本發明之轉寫材（第1、第2或第3轉寫材）所製作出之配線基板的第1形態，如圖8所示，係在片狀基材805的表面上形成了配線圖案801之配線基板；其特徵 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 ___ Β7 五、發明說明（4 ) 在於，在至少一方的表面上具有至少一個的凹部，前述凹部的底部上形成了前述配線圖案801。又一特徵爲，於配線圖案801上，形成了由鍍敷處理所構成之金等之鍍敷層 802 〇藉此，例如，在此配線基板上進行半導體的覆晶組裝時，如圖9所示，爲了決定在半導體905上$形成之凸塊 904的位置，可利用前述凹部。又，與半導體905之間的連接部903，因爲在具有化學安定性之金鍍敷層等上被形成，除了接觸電阻變小之外，可靠度也同時提高。又，因爲利用凹部來實施鍍敷處理，因此可確保沿面距離，不會產生鍍敷間的短路，可維持微細配線圖案的可靠度。在前述配線基板，前述配線圖案的厚度，以3〜35μιη 的範圍爲佳。前述厚度若是小於3μηι，便可能無法得到良好的導電性。反之，若是大於35μιη，則可能ά法形成微細之配線圖案。在前述配線基板，前述凹部的深度，以1〜12μιη的範圍爲佳。前述深度若是大於12μπι，例如，在組裝半導體時，凸塊之中有可能會無法接觸前述配線圖案，以及密封樹脂的密封時間可能會很長。又，前述深度若是小於Ιμιη，可能無法利用前述凹部作爲前述凸塊的定位。採用本發明之轉寫材所製作出之配線基板的第2形態，例如，如圖10 (j)所示，係在片狀基材1001的表面上形成了配線圖案（ 1002等）之多層配線基板，其特徵在於，在至少一方的表面上，具有至少一個之凹部，在前述凹 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 部的底部上形成了前述配線圖案。此多層配線基板係，可藉由採用本發明之轉寫材，在片狀基材的未硬化狀態或是生胚的狀態下，形成配線圖案。結果，便能得到，以各層的層間通孔爲首之配線圖案具有相當高之位置精度的多層配線基板。採用本發明之轉寫材所製作之配線基板的第3形態，如圖11所示，係由陶瓷所構成之電氣絕緣性基板1608，與至少含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基板1602之積層構造所構成之多層配線基板。電氣絕緣性基板1602, 係藉由採用本發明之轉寫材，在配線圖案不至突出於表面之狀態來形成。又，可將電氣絕緣性片(藉前述轉寫材轉寫有配線圖案、含有未硬化狀態之熱硬化性樹脂組成物)與由陶瓷所構成之電氣絕緣性基板積層後，在較小的衝壓下一次使其硬化，而可在不損傷陶瓷層的狀況下製作出多層配線基板。另一方面，前述多層配線基板，可預先在陶瓷基板上以印刷及燒成來形成配線圖案之後，藉由使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合來製作。惟’以印刷所形成之配線圖案，因爲成爲突起物，因此，在使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合之製程中’常常發生發生應力集中、成爲陶瓷基板層之龜裂的起點。採用本發明之轉寫材所製作之配線基板的第4形態’ 如圖12所示，與前述之第3形態基板一樣，係由陶瓷所構成之電氣絕緣性基板1608，與至少含有熱硬化性樹脂組成 39 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮7 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（β) 物之電氣絕緣性基板1602之積層構造所構成之多層配線基板。更，在被積層出之電氣絕緣性基板的各^ ’在旣定的位置上，配置了塡充著導電性通孔組成物之層間通孔16〇3 ，且形成了與其電氣連接之配線圖案1610。若根據此種構造，不僅是作爲陶瓷基板與樹脂基板的積層體’也能做與僅由陶瓷基板所構成之多層配線基板、或是僅由樹脂基板所構成之多層配線基板的配線規則相同之多層配線連接。此種情況下，作爲陶瓷基板之層間連接用通孔之導電性組成物有，金屬粉與玻璃粉所構成之燒結物；作舄樹脂基板之層間連接用通孔之導電性組成物有’金屬粉與熱硬化性樹脂的混合物所構成之樹脂組成物。又，在含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基披與陶瓷基板之間的界面，形成於陶瓷基板之配線層’以不突出於表面、埋藏於陶瓷基板內爲特徵。又，在陶瓷層的燒成製程中，在已經轉寫出配線圖案之生胚的兩面或是單面上，配置了以無機組成份爲主成分之在生胚的燒結溫度下不會產生燒結收縮的約束片之後，進行燒成處理爲佳。如此一來，因爲能實現在平面方向上無收縮之燒結，因此，即使與樹脂系基板積^，也能採用共通的層間通孔位置資料。當然，亦可預先在塡充有通孔膠的陶瓷生胚上以印刷及燒成來形成配線圖案之後，藉由使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合，來實現積層體的層間連接。惟，以印刷所形成之配線圖案，因爲成爲突起物，因此 40 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762

五、發明說明〇?) ’在使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片和陶瓷生胚接合之製程中，常常發生發生應力集中、成爲陶瓷基板層龜裂的起點。又’如圖13所示，採用本發明之轉寫材，藉由具有較高機械強度之氧化鋁基板、以具有高熱傳導性爲特徵之氮化鋁基板等之高燒結溫度之陶瓷基板1708、與至少含有熱硬性樹脂組成物之電氣絕緣性基板1702所成的積層構造，能製作形成低電阻配線之多層配線基板。在此，其特徵在於，被使用於陶瓷基板之層間通孔與被使用於樹脂系基板之層間通孔一樣，均由熱硬化性之導電性樹脂組成物所形成。當然，作爲在此所使用之陶瓷基板，亦可使用可同時與銅、銀等燒成之低溫燒成陶瓷，例如，氧化鋁系玻璃陶瓷、Bi-Ca-Nb-Ο系陶瓷等。採用本發明所製作之配線基板的第5形態，如圖14所示，與前述第3或第4形態之配線基板一樣，係爲一異種積層配線基板，其具有：由含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基板、與由陶瓷所構成之電氣絕緣性基板所成的積層構造；係隔著含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基板，積層著由具有不同組成之異種陶瓷所構成之電氣絕緣性基板1801、1802。；若根據此種構造，便能使得以往因爲燒結溫度與燒成收縮圖案之差異，而基於燒結時之相互擴散等要因所導致技術上困難之磁性陶瓷與電介質陶瓷所成的異種積層’以 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^^^裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明uo 及，高介電常數之電介質陶瓷與低介電常數之電介質陶瓷所成的異種積層變得容易。再者，在本發明之異種積層配線基板的製作製程中，採用本發明之轉寫材，將例如銅箔等配線圖案轉寫至生胚或是含有未硬化之熱硬化性樹脂之片上，來製作各層之配線基板。如此一來，可在積層時不產生損傷的情況下，得到具有整層低電阻配線之積層體。此第5形態之配線基板，因爲使得含有擊硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基板介於陶瓷基板之間，因此’將燒結溫度不同之陶瓷基板積層便成爲可能。如此一來，可容易地實現例如各層之介電常數不同的異種積層配線基板’ 以及將磁性層與電介質層積層出之異種積層配線基板。當然，亦可預先在塡充有通孔膠的陶瓷生胚上以印刷及燒成來形成配線圖案之後，藉由使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合，來實現積層體的層間連接。惟，以印刷所形成之配線圖案，因爲成爲寒起物，因此，在使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合之製程中，常常發生發生應力集中、成爲陶瓷基板層龜裂的起點。採用本發明之轉寫材所製作出之配線基板的第6形態，如圖15所示，與前述第4或第5形態之配線基板一樣’ 係陶瓷所構成之電氣絕緣性基板1801、1802與，含有至少熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基板1807所積層出之構造所構成。其中，至少在最上層或最下層，Sp置著含有前述熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性基板1807，在內層則 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------^ i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（w) 配置著由陶瓷所構成之電氣絕緣性基板1801 = 1802。若根據此種構造，因爲覆蓋基板最表面之層係以具有不易破裂性質之熱硬化性樹脂組成物所構成，因此，具有相當優異之耐落下性。再者，在該等異種積層配線基板的製程中，採用本發明之轉寫材，例如，將銅箔等配線圖案轉寫至生胚或是未硬化之含熱硬化性樹脂之片上，來製作各層之配線基板。如此一來，可在積層時不產生損傷的情況下，得到具有整層低電阻配線之多層配線基板。 4 當然，亦可預先在塡充有通孔膠的陶瓷基板上以印刷及燒成來形成配線圖案之後，藉由使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合，來實現積層體的層間連接。惟，以印刷所形成之配線圖案，因爲成爲積層時之突起物，因此，在使其與含有熱硬化性樹脂組成物之電氣絕緣性片接合之製程中，常常發生發生成爲陶瓷基板層龜裂的起點。再者，爲能使本實施形態之轉寫材的配線圖案做電氣連接，可形成電感器、電容器、電阻器、或是半導體元件等之電路元件，再與配線圖案一同轉寫於基板。再者’電感器、電容器及電阻器等被動元件以網版印刷等等印刷法來形成於轉寫材上爲佳。接著，以下將針對第1〜第4之實施形態的具體實施例，作進一步的說明。 (實施例1) 43 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（似）如圖4 (a)〜（f)所示，製作本發明之第1轉寫材〇如圖4 (a)所示，準備厚度35μιη的電解銅箔作爲第 1金屬層401 °首先’將銅鹽原料溶解於鹼液中’然後以高電流密度使其電沉積於旋轉筒，以製作金屬層（銅層），連續地捲取此銅層，來製作電解銅箔。接著，如圖4 (b)所示，在前述第1金屬層401之面上，施以鍍敷處理，形成厚約l〇〇nm之Ni-P合金層作爲剝離層402。在其上，以電鍍法來積層與前述第1金屬層 401相同之厚度9μιη之電解銅箔，以作爲配線圖案形成用之第2金屬層403，而製作出由3層構造所構成之積層體〇施行粗化處理，使此表面之中心線平均粗糙度（Ra) 變成4μιη左右。再者，前述粗化處理係，使前述電解銅箔上析出銅微粒來進行。接著，如圖4 (c)〜（e)所示，利用光微影法，貼上乾膜光阻（DFR) 404，進行配線圖案部分的曝光、顯影，再以化學蝕刻法，蝕刻前述積層體中之第2金屬層403 、剝離層402、及第1金屬層401的表層部：形成任意之配線圖案。之後，如圖4 (f)所示，以剝離劑去除作爲光罩部分 (DFR4〇4)，便得到第1轉寫材。由於第1金屬層與第2 金屬層同樣是由銅所構成，因此，便能以一次的化學鈾刻，同時將第2金屬層與第1金屬層的表層蝕刻成配線圖案 44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 _ Β7 五、發明說明（w) 狀。此第1轉寫材，其構造上特徵在於，作爲轉寫件層之第1金屬層的表層部亦被加工成配線圖案狀。在製作出之前述第1轉寫材中，與前述第1金屬層 401和前述第2金屬層4〇3接著之剝離層402係，本身的接著力弱但具有優異之抗藥品性。如此一來，即使對第1 金屬層401、剝離層402、第2金屬層403的禱層體全體進行蝕刻處理，可在層間不產生剝離的情況下，毫無問題的形成配線圖案。另一方面，前述第1金屬層與第2金屬層的接著強度係40gf/cm，具有優異之剝離性。採用此種第i 轉寫材，對基板進行第2金屬層403之轉寫的結果，第2 金屬層403與剝離層402之間的接著面容易剝離，能僅將前述第2金屬層403轉寫至前述基板。本實施例之第1轉寫材係，由於轉寫件(第1金屬層) 是由35μιη的銅箱所構成，因此，轉寫時即健轉寫材變形，轉寫件也能耐得住此變形應力。在第1轉寫材，作爲轉寫件層之第1金屬層的表層，其配線圖案部分成爲凸部，配線圖案以外的部分成爲凹部，因此，將此轉寫材壓接於片狀基材（基板材料）時，從被埋入配線圖案的部分所擠出之基材便易於流入前述凹部，容易控制使圖案變形之橫方向之變形應力。因此，本實施例之圖案變形量爲，僅由基材的硬化收縮所致之量（ 0.08%)。 ’ 作爲比較，採用完全不蝕刻第1金屬層401的表層’ 僅形成第2金屬層之配線圖案之轉寫材（亦即，其轉寫件 45 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 Α7 Β7 五、發明說明（4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 層的表面爲平坦之轉寫材），對片狀基材進行配線層的轉寫的情況下，圖案的最大變形爲0.16%。在此比較例’由於轉寫件爲厚銅箔，因此，基本上’本實施例同樣地變形較少；但是，於配線集中的部分，由於無法確保基材的流入區域，乃確認出部分的配線圖案有些許的i形。此圖案變形量，在實用上而言，是爲相當小的値；但是，例如’ 一旦採用前述比較例之轉寫材，所形成之配線圖案便成爲與基板表面成平坦或是成爲凸部，不會像在本實施例中之第1轉寫材般成爲凹部，使得在覆晶組裝時的對位變得容易，而無法得到本實施例之轉寫材的效果。藉由蝕刻至作爲轉寫件層之第1金屬層，來使得轉寫件層表面也形成對應配線圖案之凸部，本發明之效果因而被認可。再者，在本實施例，例如，雖採用具有厚k 200mn以下之Ni鑛敷層、鎳-磷合金層或是鋁鍍敷層等之鍍敷層作爲剝離層，但亦可採用由有機層所構成之剝離層。作爲有機層可列舉有’例如，以可與銅形成化學鍵之在常溫下爲固體之長脂肪族羧酸等。即使採用該等材料，亦能實現如前所述之與本實施例之轉寫材相同之轉寫材。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例2) 以與實施例1不同的製造方法，如圖5 (a)〜（e) 所示，製作本發明之第2轉寫材之一例。此讀2轉寫材係與前述實施例1之第1轉寫材具有不同的配線層構造。首先，準備厚度35μηι的電解銅箔作爲第1金屬層 501。將銅鹽原料溶解於鹼液中，以高電流密度來使其電沉 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（K ) 積於旋轉筒，以製作金屬層（銅層），連續地捲取此銅層，來製作電解銅箔。接著，在由前述電解銅箔所構成之第1金屬層501之面上，形成由厚度l〇〇nm以下之薄鎳鍍敷層所構成之剝離層502。在其上，以電鍍法來積層與前述第1金屬層501 相同之厚度3μιη之電解銅箔，以作爲配線圖案形成用之第 2金屬層503，而製作出由第1金屬層501、剝離層502、及第2金屬層503之3層構造所構成之積層體。對此積層體之第2金屬層503表面施行粗化處理，使此表面之中心線平均粗糙度（Ra)變成3μηι左右。再者，前述粗化處理係，藉由使前述電解銅箔上析出銅微粒來進行。在其上塗佈黏著劑（圖中無顯示），貼上用於光微影法之乾膜光阻（DFR) 504。再者，此DFR 504係具有阻鍍性，具有阻鍍層的功能。根據以上之製程，製作出圖5 (a )所示之積層體。 = 接著，如圖5 (b)所示，將DFR504曝光成配線圖案形狀後，進行顯影，在DFR504的配線圖案區域，形成深至第2金屬層503之凹部。凹部的深度爲25μιη。之後，如圖5 (c)所示，以電鍍銅法，在前述凹部內形成由20μιη 厚之銅鍍敷層所構成之第3金屬層505。接著，如圖5 (d )所示，使其浸漬於剝離液，去除DFR504。最後，如圖5 (e)所示，藉由使其浸漬於氯化鐵水溶液之化學蝕刻法，進行圖案化。本蝕刻係爲孓去除厚3μηι 之薄的第2金屬層503及薄剝離層5〇2(鍍敷層)而進行。結 47 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（枓）果，因爲是短時間的蝕刻，因此第3金屬層505也被少許的蝕刻，厚度成爲15μηι左右；又，第1金屬層501的一部份表層部亦被蝕刻，得到如圖5 (e)所示之第2轉寫材〇由於第1、第2及第3金屬層均由銅所構成，因此便能在一次的化學蝕刻中，除了第2及第3金詹層，也會將第1金屬層部分地蝕刻掉，能將第1金屬層表層的配線圖案以外的部分形成爲凹部。又，與實施例1 一樣，藉由餓刻加工至作爲轉寫件層之第1金屬層的表層、及利用加成法形成第3金屬層，而能任意地控制其膜厚。又，在本實施例，剝離層並不限於鍍敷層，亦可爲有機層所構成之極薄之接著劑層或是黏著劑層。在如此所製作出之第2轉寫材，用以連接前述第1金屬層501和配線圖案形成用之金屬層503 ·免5之剝離層 502係，本身的接著力弱但具有優異之抗藥品性；即使對如圖5 (d)所示之4層構造之積層體全體進行蝕刻處理，可在層間不產生剝離的情況下，毫無問題的形成配線圖案〇另一方面，前述第1金屬層501與第2金屬層503之透過剝離層502的接著強度係30g/cm，具有優異之剝離性。因此，採用此第2轉寫材，將作爲配線層之第2金屬層 503及第3金屬層505對片狀基板（基板材嵙）進行轉寫之後，第2金屬層503與剝離層502之間便容易剝離，能僅將前述配線層殘留於基板。此時，由鍍敷層所構成之剝 48 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明U7) 離層502係，在剝離時，附著於作爲轉寫件之第1金屬層 5〇1側之狀態。再者’將如圖5 (e)所示所製作出之本實施例之第2 轉寫材’顧接在含有未硬化狀態之熱硬化性樹脂之片狀基材（基板材料）的同時，進行熱硬化處理，之後，藉由化學餓刻來去除第1金屬層，而能將配線層（第2金屬層 503及第3金屬層505 )轉寫至基板。藉由控制蝕刻時間，可使含有前述配線層之基板表面平坦，亦可使配線層相對於基板成凹狀。在本實施例，與實施例1 一樣，由於轉寫件層係由 35μηι的銅箔所構成，因此，在轉寫時即使基板變形，轉寫件層亦能耐得住此變形應力。另一方面，在本實施例之第 2轉寫材，作爲轉寫件層之第1金屬層的凹部，其深度確保爲5μιη左右。如此一來，將此轉寫材壓著於片狀基材時，被埋入配線圖案的部分之基材便易於流入前述凹部，可進一步控制使圖案變形之橫方向之變形應力％因此，採用本實施例之轉寫材時之圖案變形量，僅爲來自於基材的硬化收縮之0.08%所致。因此，可確認蝕刻至作爲轉寫件層之第1金屬層表層部，使前述表層部之配線圖案部分成凸狀、配線圖案以外的部分成凹狀之效果。更，測試轉寫後之配線電阻，與實施例1比較，使第3金屬層的配線層厚度增加的部分，由於配線截面積變大，因此約能降低2〜3成的電阻値。再者，在本實施例中，如圖5 (e)所示：以化學蝕刻 49 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 Β7 五、發明說明（w ) 法進行至第1金屬層爲止之圖案化之後’進行轉寫；但是，亦可採用不進行化學蝕刻法之轉寫形成材’邊使基材硬化，邊進行轉寫。惟，在此種情況下’轉寫後’藉由剝離剝離層及第1金屬層、以軟蝕刻等去除第2金屬層’而形成僅由第3金屬層所構成之配線圖案。又，在本實施例中，可將具有凸部配線圖案之轉寫件銅箔（第1金屬箔）於轉寫後再利用。更，採用本實施例之轉寫材而被轉寫於基板之配線圖案’因其相對於基板表面形成凹部，因此可利用此凹部來定位，也具有使得覆晶組裝變得容易之優點。 (實施例3) 本實施例之轉寫材，係本發明之第2轉寫材的另一例。本實施例之轉寫材雖與實施例2之轉寫材的配線層具有不同的構造，但因其圖式爲共通，因此，利用在實施例2 所用之圖5 (a)〜（e)來說明。首先，準備厚度35μιη的電解銅箔作爲第1金屬層 501。將銅鹽原料溶解於鹼液中，以高電流密度來使其電沉積於旋轉筒，以製作金屬層（銅層），連續地捲取此銅層，來製作電解銅箔。接著，在前述第1金屬層501之面上，形成由厚度 lOOnm以下之薄鎳鍍敷層所構成之剝離層502。在其上，以鍍敷法來積層與前述第1金屬層501相同之厚度3μιη電解銅箔，以作爲配線圖案形成用之第2金屬層503，而製作出由第1金屬層501、剝離層502、及第2金屬層503之 50 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 3層構造所構成之積層體。對此積層體施行粗化處理，使此表面之中心線平均粗糖度（Ra)變成3μπι左右。再者，前述粗化處理係’藉由使前述電解銅箔上析出銅微粒來進行。在其上塗佈與實施例2相同之黏著劑（圖中無顯示），貼上用微影法之乾膜光阻（DFR) 504。此DFR504係具有耐鍍敷性’具有阻鍍層的功能。如此一來，如圖5 (a)所示，4層構造之積層體便被製作完成。接著，如圖5 (b)所示，將配線圖案部分之DFR504 曝光後，進行顯影，在DFR504的相當於配線圖案之範圍上，形成深至第2金屬層503之凹部。凹部的深度爲25μιη 。之後，如圖5 (c)所示，以電鍍金法，形成由2μηι厚之金鏟敷層所構成之第3金屬層505。接著，如圖5 (d)所示，使其浸漬於剝離液，去除DFR504。最後，如圖5 (〇所示，藉由浸漬於氯化鐵水溶液之化學蝕刻法，進行圖案化。與實施例2不同的是，在本蝕刻製程中，由於金鎪敷層505具有作爲阻蝕層之功能，因此’可選擇性地去除厚度爲3μιη之第2金屬層503及作爲薄鍍敷層之剝離層502。結果，因爲能得到在最表層上被施以金鍍敷之轉寫材，因此，配線層表層便無氧化之疑慮。如此一來，採用本轉寫材在基板上行成配線圖案後，在前述配線圖案上進行裸晶片的組裝，便能得到低電阻的連接。再者，爲了作比較，對如圖1所示之由銅箔配線一層 51 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 Β7 五、發明說明（θ ) 來構成配線圖案之轉寫材的表面全體施以金鍍敷’來製作附有金鍍敷之轉寫材’嘗試對基板進行轉寫時，配線圖案的轉寫性並沒有受到損傷。因此’在配線圖案的表層上僅形成金鍍敷層之本實施例之轉寫材的有效性便被確認了。 (實施例4) ^ 如圖6 (a)〜（e)所示，製作出本發明之第3轉寫材。此第3轉寫材，其配線層的構造係與前述第2實施例或第3實施例中本發明之第2轉寫材不同。首先，如圖6 (a)所示，製作第1金屬層601、剝離層602、第2金屬層603及乾膜光阻（DFR) 604之4層構造積層體。此積層體的構造及製作方法，與實施例1中圖 4 (Ο所示之積層體一樣，因此在此省略說明。接著，如圖6 (b)所示，對DFR604之相當於配線圖 •z 案之範圍以外的部分607進行曝光、顯影後，在配線圖案部分上形成凹部608，其深度相等於DFR604之厚度25μιη 。之後，如圖6 (c)所示，以化學鍍銅法沈積約2μηι之後，以電鍍銅法形成15μιη厚之銅鍍敷層（第3金屬層）605 。在本實施例中，更進一步，以電鎪銀法沈積約3μηι厚之銀鏟敷層（第4金屬層606)。接著，與實施例2 —樣，如圖6 (d)所示’浸漬在剝離液中去除DFR。最後，如圖6 (e)所示，寧用浸漬於氯化鐵水溶液之化學蝕刻法進行圖案化。本蝕刻，基本上雖是爲了去除3μιη厚之第2金屬層603，但由於銀鍍敷層之第4金屬層606具有蝕刻光罩的功能，因此，第3金屬層 52 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（y) 又 605及第4金屬層606除了少數之側餓部之外’基本上並不會被蝕刻，因此能維持其厚度。又，此蝕刻係進行至蝕刻到剝離層602與第1金屬層601的表層部爲止。在本實施例中，將第2金屬層603等圖案化之餓刻也爲短時間即十分足夠。如此一來，便得到在第1金屬層 601表層部上之配線圖案以外的部分形成凹狀之第3轉寫材。再者，藉由調整蝕刻時間，可任意地控制第1金屬層 601的凹部深度。 a 由於第1、第2及第3金屬層均由銅所構成’因此，便能在一次的化學蝕刻中，同時蝕刻配線層（第2、第3 金屬層）與一部份的第1金屬層，將第1金屬層表層之配線圖案以外的部分形成凹狀。本實施例之第3轉寫材係’ 與實施例1 一樣，蝕刻加工至作爲轉寫件層之第1金屬層爲止。又，與作爲配線層之第2級第3金屬層（銅鍍敷層 )不同之第4金屬層（銀鍍敷層），則採用加成法來形成〇如此所製作出之第3轉寫材，用以與作爲轉寫件層之第1金屬層601、作爲配線層之第2金屬層603、第3金屬層605、及第4金屬層606進行接著之剝離層602 ’即使其本身的接著力弱但具有優異之耐藥品性。如此一來’即使對如圖6 (d)所示之5層構造積層體之全體施以蝕刻處理，仍能有效地僅去除第2金屬層603，能在前述積層體不產生層間剝離的情況下形成轉寫材。再者，前述第1金屬層601與第2金屬層603之間所介在之剝離層602的接著 53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（p) 強度係40gf/cm，具有優異之剝離性。採用如此之第3轉寫材，將第2金屬層603、第3金屬層605及第4金屬層606所構成之3層構造之配線圖案轉寫至片狀基材（基板材料）。結果，前述第1金屬層 601與第2金屬層603之間的接著面（剝離層602)便容易地剝離，能將前述3層構造之配線圖案轉寫至前述基材。在本實施例，與實施例1 一樣’由於轉寫件層係由 35μιη的銅箔所構成，因此，在轉寫時即使基板變形，轉寫件層亦能耐得住此變形應力。另一方面，在本實施例之轉寫材，作爲轉寫件層之第1金屬層的凹部深度確保爲ι〇μηι 左右。如此一來，將此轉寫材壓接於片狀基材時，埋入配線圖案的部分之基材便易於流入前述凹部，容易控制使圖案變形之橫方向之變形應力。因此，在本實施例圖案變形，與第2實施例一樣，僅爲來自於基材的硬化收縮部分之0.07%。因此，將其蝕刻至作爲轉寫件層之第1金屬層表面，對應配線圖案之凹凸形狀的效果已被認可。更，測試轉寫後之配線電阻，與實施例1比較，藉由使第3及第4金屬層的配線層厚度增加，來增大配線截面積，能降低約2〜3成的電阻。更，本實施例中，因爲在配線層上與基材接觸之最表層爲銀鍍敷層，因此，如之後的實施例5所示，能使得與設置於基板內之導電性通孔膠之間的接著性較爲安定。又，採用本實施例之轉寫材在基板上形成配線圖案的情況，與前述各實施例一樣，亦可將凹型之配線圖案作爲 54 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 __ B7 五、發明說明（θ) 覆晶組裝的對位用。又，對應於配線圖案而形成凸部之轉寫件銅箔（第1金屬層），亦可於轉寫後再利用。 (實施例5) 採用前述實施例4所製作出之第3轉寫材，如圖7 (a )〜（c)所示，製作出複合配線基板。再者，在圖7 ( a) 〜（c)，金屬701係對應於實施例4之第3轉寫材中之第 4金屬層606，金屬層702係對應於第3轉寫材之第3金屬層605，金屬層703係對應於第3轉寫材之第2金屬層603 ，金屬層704係對應於第3轉寫材之剝離層602，金屬層 705係對應於第3轉寫材之第1金屬層601。首先，準備轉寫配線圖案之基板。此基板係，調製由下述所示之複合材料所構成之片狀基材706,於其上設置通孔，在前述通孔內塡充導電性膠707來製得。以下，顯示前述片狀基材706的成分組成。 (片狀基材706的成分組成） • A1203 (昭和電工製、AS-40 :粒徑12μιη) 90重量％ •液狀環氧樹脂（日本雷庫社製、EF-450) 9.5重量％ •碳黑（東洋碳社製）0.2重量％ •偶合劑（味之素社製、鈦酸酯系·· 46Β) 0.3重量％將前述各成分依前述組成秤重，對該等之混合物添加作爲黏度調整用溶劑之甲基乙基酮溶劑，直到前述混合物的漿料黏度變成約20Pa · s。接著，再加入氧化鋁之微粒，在鍋中以轉速500rpm的條件下混合48小時，調製出漿 55 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（β) 接著，準備75μηι厚之PET膜作爲脫模膜，在此PET 膜上，採用前述漿料，以刮塗法造出間隔約〇.7mm之造膜片。然後，將此造膜片在l〇〇°C下放置1小時’使前述片中之前述甲基乙基酮溶劑揮發，去除前述PET膜，製作出厚度350μιη之片狀基材706。由於前述鎔劑的去除是在 l〇〇°C進行，因此，前述環氧樹脂仍在未硬化狀態，前述片狀基材706因而具有可撓性。利用此片狀基材的可撓性，以二氧化碳雷射將其切成既定的大小，在間距爲〇.2mm〜2mm之等間隔的位置上設置0.15mm的貫通孔（通孔）。接著，以網版印刷法將通孔塡充用導電性膠707塡充於此貫通孔內，製作出前述基板。前述導電性膠707係，利用以下的材料依以下的組成來調製，採用3根輥子所混練出來之物。 (導電性膠707的成分組成） •球麵粒子（三井金屬礦業製：粒徑2μπι) 85重量％ •雙酚Α型環氧樹脂（油化殼_氧製、艾皮克特828) 3雷量％ •縮水甘油酯系環氧樹脂（東都化成製、YD-ΠΙ ) 9 ^量％ •胺加成化合物硬化劑（味之素社製、MY-24) 接著，如圖7 (a)所示，在前述片狀基材706的兩面上，將實施例4所示之第3轉寫材之第4金屬層401與其接觸來配置，採用熱壓機，在衝壓溫度120°C、壓力約9.8 X 105Pa ( lOkgf/cm2)下加熱加壓處理5分鐘。經由此加熱加壓處理，前述片狀基材706及導電性膠707中之環氧樹脂便熔融軟化，如圖7 (b)所示，前述第2、第3及第4 56 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) , 金屬層703、702、701所構成之配線層係埋入於片狀基材 706 中。接著，使加熱溫度更進一步上升，在溫度175°C處理 60分鐘，使前述環氧樹脂硬化。如此一來，前述片狀基材 706與第2、第3及第4金屬層703、702、701便強力地接著；又，前述導電性膠707與前述第4金屬層701便成爲電氣連接(內通孔連接），且被強力地接著。從如此之圖7 (b)所示之積層體，藉由將作爲前述轉寫件層之第1金屬層705與剝離層704同時剝離，而得到如圖7 (〇所示之兩面上被轉寫了第2、第3、第4金屬層703、702、701之配線基板。將此配線基板稱爲配線基板7A。在此配線基板7A，在前述第1金屬層705的表層上，形成了對應於以蝕刻來形成之凹部所具深度之凹部，在前述凹部之底部，形成了第2、第3、第4金屬層703、 702、70卜更進一步，除了在本實施例所製作出之前述配線基板 7A之外，也製作出採用實施例1中所說明之第1轉寫材，來轉寫配線圖案所得之配線基板（稱爲配線基板7B)。接著，對該等配線基板7A · 7B進行焊料熔焊測試、溫度循環測試，來評估其可靠度。各試驗方法係如下所述。 (焊料熔焊測試）採用帶狀式熔焊裝置（松下電器產業株式會社製），設定最高溫度爲260°C，在前述溫度作10次10秒鐘的處理。 57 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（妙） (溫度循環測試）設定高溫側125°C、低溫側_60°C ’在各溫度均保持30 分鐘，操作200次的循環。結果，前述配線基板7A、7B，即使在進行前述各測試之後，形狀上均不會產生龜裂，以超音波偵測裝置也偵測出無異常。又，導電性樹脂膠707所造成之內通孔連接電阻也與初始電阻大致相同。惟，與前述各測試前之初期性能幾乎沒有產生變化，惟在變化率方面，相對於配線基板7A之5%以下的變化率，配線基板7B的變化率爲10%以下。雖然任一配線基板的通孔連接均具有充分之安定性，但是，在配線層與導電性樹脂膠的連接部位上存在著銀鍍敷層之配線基板7A，係能實現具有較安定之通孔連接。 (實施例6) 採用前述實施例1所製作出之轉寫材，製作出如圖8 所示之陶瓷配線基板。首先，準備欲轉寫配線圖案之基板。此基板係調製含有低溫燒成陶瓷材料與有機黏合劑之低溫燒成陶瓷生胚 805，於其內設置通孔，塡充導電性膠806於前述通孔內來製作。以下，表示前述生胚805的成分組成。 (生胚805的成分組成） •陶瓷粉末ai2o3與矽硼酸鉛玻璃的混合物（日本電氣玻璃社製：MLS-1000) 88重量％ •甲基丙烯酸系丙烯基黏合劑（共榮社化學製、歐力寇克 58 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公董） ----------------^-----1—^ AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（d) 斯7025) 10重量％ ^ • BBP (關東化學社製）2重量％將前述各成分依前述組成秤重，對該等之混合物添加作爲黏度調整用溶劑之甲苯溶劑，直到前述混合物的漿料黏度變成約20Pa · s。接著，再加入氧化鋁之微粒，在鍋中以轉速500rpm的條件下混合48小時，調製出漿料。接著，準備75μιη厚之聚苯硫（PPS)膜作爲脫模膜，在此PPS膜上，採用前述漿料，以刮塗法造出間隔約 0.4mm之造膜片。然後，使前述片中之前述甲苯溶劑揮發，去除前述PPS膜，製作出厚度220μιη之生胚805。由於此生胚805,在作爲有機黏合劑之前述甲基丙烯酸系丙烯基黏合劑中添加了可塑劑ΒΒΡ，因此具有可撓性及良好的熱分解性。利用此生胚805的可撓性，可將其切割成既定的大小，利用衝床機在間距爲〇.2mm〜2mm之等間隔的位置上設置直徑0.15mm的貫通孔（通孔）。接著，以網版印刷法將通孔塡充用導電性膠707塡充於此貫通孔內，製作出前述基板。前述導電性膠806係，利用以下的材料依以下的組成來調製，採用3根輥子所混練出來之物。 (導電性膠806的成分組成） •球狀銀粒子（三井金屬礦業製：粒徑3μη〇 75重量％ •丙烯基樹脂（共榮社化學製、聚合度lOOcps) 5重量％ •矽硼酸玻璃的混合物（日本電氣玻璃社製）3重量％ •蔥品醇（關東化學社製）12重量％ 59 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 __________ B7 五、發明說明（分） • BBP (關東化學社製）2重量％，接著，在前述基板的兩面上，將實施例1所製作出之第1轉寫材之第2金屬層（配線層）與其接觸來配置，採用熱壓機，在衝壓溫度70°C、壓力約5.88Xl06Pa ( 60kgf/cm2)下加熱加壓處理5分鐘。經由此加熱加壓處理，前述基板中之丙烯酸樹脂便熔融軟化，前述第1轉寫材之第2金屬層（配線層）、剝離層及第1金屬層（轉寫件 )的一部份(凸部)便埋入於前述基板中。冷卻此積層體之後，將前述之作爲轉寫件。之第1金屬層及剝離層自前述積層體剝離，只殘留前述第2金屬層，如圖8所示，在基板的兩面上形成了具有由前述第2金屬層所構成之配線層801之配線基板800。然後，在此配線基板的兩面上，積層在燒成溫度下不燒結之氧化鋁生胚，藉由在氮環境氣氛下脫黏合劑及燒成來進行固定。首先，爲了去除前述生胚805中之有機黏合劑，使用電氣爐，在氮氣中加熱，以25°C/小時的升溫速率升至700°C，在溫度700°C下處理2小時。然後，使用帶狀爐，將已經做完前述脫黏合劑處理之配線基板，在氮氣中、900°C下處理20分鐘來進行燒成。其操作條件爲，升溫 20分鐘、降溫20分鐘、進出共計60分鐘。燒成後，便能容易地去除前述氧化鋁生胚。如此一來，便製作出低溫燒成陶瓷配線基板800。在此配線基板800的兩面上，形成了深度相當於前述第1轉寫材之第1金屬層凹凸厚度之凹部，在前述凹部的 60 " 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱^ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 __ B7 五、發明說明（ο ) 底部上則形成了由前述第2金屬層所構成之配線層801。又，前述配線基板800的兩面配線層801係藉由使導電性膠806燒結所構成之導電性金屬燒結通孔，向厚度方向來作電氣連接。在本實施例中，如圖8所示/此配線基板 8〇5的第2金屬層801上，形成了金鍍敷層802之構成。接著，針對在前述低溫燒成陶瓷配線基板800的表面上，以覆晶組裝裸晶半導體905之構成來說明。圖9所示係將裸晶半導體905組裝於前述陶瓷配線基板800上之構成槪略截面圖。首先，在裸晶半導體905表面的鋁墊904上，採用打線法形成由金線所導致的突起凸塊903，在前述凸塊903 上轉寫熱硬化性之導電性接著劑（無圖示接著，在前述陶瓷配線基板800表面的凹部（配線圖案部）上，使突出凸塊903對位，透過前述導電性接著劑使突出凸塊903 接著於金鎪敷層802，來組裝半導體905。結果，在採用如前述之第1轉寫材來轉寫第2金屬層（配線層801)所形成之前述凹部上，前述凸塊903與配線層（第2金屬層 801及金鍍敷層802)係被連接在一起。藉由焊料熔焊測試與溫度循環測試，對此覆晶組裝基板進行可靠度評估。前述各測試係在與前述實4施例4相同條件下進行。結果，將半導體905以覆晶組裝之陶瓷配線基板800，即使在進行前述各處理之後，幾乎沒有凸塊接觸電阻的變化，相當安定。再者，在本實施例，圖2所示之轉寫材，採用以銀鍍 61 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇 X 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（P ) 敷構成第2金屬層、以銀的圖案鍍敷層來構成第3金屬層之轉寫材，一旦進行轉寫，便能在前述陶瓷生胚805上形成銀鍍敷配線圖案。此時，在製程中，因爲能在大氣中脫黏合劑、燒成，因此，從成本上來看是有利的。又，配線的抗氧化性也顯著提高。 (實施例7) ，採用轉寫材與由前述實施例5同樣製作出之複合材料所構成之基板，來製作多層配線基板。圖10所示係多靥配線基板的製作製程之一例的槪略截面圖。在圖 10 ( a)〜（j)中，1001a、1001b、1001c 所希係基板用片，10〇2a、10〇2b、1002c所示係作爲轉寫件之第1金屬層，1003a、l〇〇3b、l〇〇3c所示係導電性膠， l〇(Ma、HHMb、10(MC所示係作爲配線圖案之第2金屬膺，l〇〇5a、l〇〇5b、1005c 所示係剝離層，A、B、C、D 所示係轉寫材，E所示係多層配線基板。又，在圖10 (a)〜（i)中，圖10 (a)、（d)與（ g)所示係，採用轉寫材A與基板i〇〇ia來製作單層配線基板之製程。同樣地，圖10 (b)、（e)與（h)所示係 ’採用轉寫材B與基板l〇〇ib來製作單層配線基板之製程。圖10(e)、（f)與（i)所示係，採用轉寫材c與基板 1001c來製作單層配線基板之製程。又，圖1〇 (j)所示係 ’將前述3種單層配線基板積層來製作出之多層配線基板 E °再者，只要沒有特別顯示，前述各個單層配線基板係與實施例5同樣地製作。 62 --------------------訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7___ 五、發明說明Uf ) 首先，分別製作圖10(a)、（b)、（C)所示之轉寫材A、B、C與D。首先，利用與前述實施例1同樣的製箔方法，製作作爲第1金屬層1002a、1002b、1002c、 l〇〇2d之電解銅箔35μιη。接著，在前述第1金屬層1002a、1002b、1002c、 1002d的粗面上，形成厚度lOOnm以下之由Ni- P合金鍍敷層所構成之剝離層1005a、1005b、1005c與1005d,再採用與前述實施例1 一樣之電鍍法，在其上方積層作爲配線圖案形成用之第2金屬層l〇〇4a、1004b、1004c與 1004d之9μιη厚電解銅箔，來製作3層之積層體。再者，作爲前述剝離層，亦可採用鉻鍍敷層。接著，從前述配線圖案形成用之第2金屬層1004b與 1004c側，採用只會蝕刻銅之鹼性系氯化銅水溶液來進行蝕刻，將第2金屬層1004b與1004c形成任意的配線圖案，得到圖10(b)、（c)所示之轉寫材B與C。同樣地，從前述配線圖案形成用之第2金屬層1004a與1004d側，利用化學蝕刻法進行銅及Ni- P合金鍍敷層的蝕刻，將第 2金屬層1004a與1004d形成任意的配線圖案的同時，在第1金屬層l〇〇2a與1002d的表層部上，形成對應於前述配線圖案之凹凸。再者，凸部係對應於配線圖案部分，凹部係對應於配線圖案以外的部分。如此一來，變得到如圖 1〇 (a)與（d)所示之轉寫材A與D。 ^ 接著，如圖10(a)、（b)、（c)所示，在基板用片1001a、1001b、1001c上，分別接觸配置著前述轉寫材 63 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（p) , A、B、C、D 之前述第 2 金屬層 1004a、1004b、1004c 與 1004d。再者，圖10 (c)中，在基板用片1001c的兩面上，分別配置轉寫材C與D。然後，如圖10(d)、（e)、（f)所示，將前述轉寫材 A、B、C、D 與基板 1001a、1001b、1001c、1001d 的積層體，在溫度l〇〇°C、壓力約9.8Xl05Pa (lOkgf/cm2 )下，進行5分鐘的加壓加熱處理，使得前述基板用片 1001a、1001b、1001c中的環氧樹脂熔融軟化‘，第2金屬層1004a、1004b、1004c、1004d便分別被埋入前述基板用片 1001a、1001b、1001c、1001d 之中。接著，自前述積層體，將前述第1金屬層l〇〇2a、 1002b、1002c、1002d 與前述剝離層 1005a、1005b、1005c 、1005d —同剝離，來使得僅有前述第2金屬層1004a、 1004b、1004c、1004d 被留在基板用片 l〇〇la、1001b、 1001c上。如此一來，便能得到表面爲平坦之單層配線基板（圖10 (h))、配線層部分爲凹狀之單層配線基板（參考圖10(g))、以及一面爲平坦、另一面之配線層部分爲凹狀之單層配線基板（圖10 (i))，等3種單層配線基板。最後，如圖10 (j)所示，將前述3種單層配線基板重疊，在溫度 175°C、壓力約 7.84Xl06Pa (80kgf/cm2)下，加熱加壓1小時，以使其熱硬化收縮，而能得到多層配線基板E。藉由此處理，前述基板用片1001a、1001b、 1001c及導電性膠l〇〇3a、1003b、1003c中的環氧樹脂便 64 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（u) 硬化，而能保持多層配線基板E的機械強度。又，第2金屬層1004a、1004b、1004c、l〇〇4d，係藉由零電性樹脂貫通孔1003a、1003b、1003c來互相作電連接。多層配線基板E，如前所述，在重疊單層配線基板之後，使其作一次熱硬化收縮，因此，完全沒有產生孔對孔構造中之孔偏差〇如此所製作出之前述多層配線基板E，因爲能產生線寬50μιη左右之微細配線圖案，而且具有IVH構造，因此，可作爲極小型、高密度之組裝用配線基板。特別是，採用本發明之轉寫材來轉寫形成配線圖案，因辱不會發生微細配線圖案所集中之表層面的配線位置偏差，因此，便能期待良率的提高。更，因爲組裝晶片等之表層的組裝配線層爲凹狀，因此，便能輕易地進行覆晶組裝。再者，本發明之多層配線基板，並不被限制在前述構造，例如，其內層亦可採用具有前述凹部之配線層的單層配線基板。即使在此種情況之多層基板，亦能以低電阻來進行高可靠度之通孔連接。又，若是第2金屬層爲銅箔時，亦可在亭上層部形成爲了防止氧化之金鍍敷層。此時，若是金鎪敷層的表面也相對於基板表面形成凹部，即使在微細的配線圖案下，也能保持沿面距離，有益於防止電致遷移。再者，在本實施例雖使用複合基板，但是，基材並不被限定於此，亦可使用陶瓷生胚。此時，只要變更在本實施例中所說明之製造程序之燒成製程，便能藉由同樣的製 65 本ϋ尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂-------—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π ) 造程序來實現多層配線基板。又，在本實施例中，雖使用由單層配線層之金屬層所構成之第1轉寫材來作爲轉寫材，但若是採用第2或第3 轉寫材，便能實現，可實現具有由複數金屬層所構成之配線圖案的多層配線基板。 (實施例8) 採用在前述實施例1中所說明之第1轉寫材，將陶瓷基板與至少含有熱硬化性樹脂之基板積層，製作出多層配線基板。首先，準備欲被轉寫配線圖案之片狀基材，即陶瓷配線基板1608 (參考圖16 (b))。此片狀基材係由，調製含有低溫燒成陶瓷材料與有機黏合劑之低溫燒成陶瓷生胚，於其內設置通孔，塡充導電性膠1609於前述通孔內來製作。以下，表示前述生胚的成分組成。 (生胚的成分組成） •陶瓷粉末ai2o3與矽硼酸鉛玻璃的混合物（日本電氣玻璃社製：MLS-1000) 88重量％ •甲基丙烯酸系丙烯基黏合劑（共榮社化學製、歐力寇克斯7025 ) 10重量％ • BBP (關東化學社製）2重量％將前述各成分依前述組成秤重，對該等之混合物添加作爲黏度調整用溶劑之甲苯溶劑，直到前述混合物的漿料黏度變成約20Pa · s。接著，再加入氧化鋁之微粒，在鍋中、轉速500rpm的條件下混合48小時，調數出漿料。 66 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π) 接著，準備75μιη厚之聚苯硫（PPS)膜作爲脫模膜，在此PPS膜上，採用前述漿料’以刮塗法造出間隔約 0.4mm之造膜片。然後，使前述片中之前述甲苯溶劑揮發，去除前述PPS膜，製作出厚度220μιη之生胚。由於此生胚在作爲有機黏合劑之前述甲基丙烯酸系丙烯基黏合劑中添加了可塑劑ΒΒΡ，因此具有可撓性及良好的熱分解性。利用此生胚的可撓性，將其切割成既定的大小，利用衝床機在間距爲〇.2mm〜2mm之等間隔的位置上設置 0.15mm的貫通孔（通孔）。接著，以網版印刷法將通孔塡充用導電性膠1609塡充於此貫通孔內，製作出前述片狀基材。前述導電性膠1609係，利用以下的材料依以下的組成來調製，採用3根輥子所混練出來之物。 (導電性膠1609的成分組成） •球狀銀粒子（三井金屬礦業製：粒徑3μιη) 75重量％ •丙烯基樹脂（共榮社化學製、聚合度lOOcps) 5重量％ •蔥品醇（關東化學社製）15重量％ • BBP (關東化學社製）2重量％接著，在前述基板的兩面上，將實施例1所製作出之第1轉寫材之第2金屬層（配線層）與其接觸來配置，採用熱壓機，於衝壓溫度70°C、壓力約5·88 X 106Pa ( 60kgf/cm2)下加熱加壓處理5分鐘。經由此加熱加壓處理，前述片狀基材中之丙烯酸樹脂便熔融軟化，前述第1轉寫材之配線層（第2金屬層）、剝離層及轉寫件（第i金屬層）的表層部（凸部）便埋入於前述片狀基材中。 67 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（α) 冷卻此積層體之後，將作爲轉寫件之第1轉寫材與剝離層一同自前述積層體剝離，只殘留前述第2金屬層於積層體上，便能得到如圖16 (b)中所示，在兩面上具有由第2金屬層所構成之配線層1610之陶瓷配線基板1608 ° 然後，在此陶瓷配線基板1608的兩面上，積層在燒成溫度下不燒結之氧化鋁生胚，藉由在氮環境氣氛下脫黏合劑及燒成來進行固定。首先，爲了去除前述陶瓷配線基板1608中之有機黏合劑，使用電氣爐，在氮氣中加熱，以 25°C/小時的升溫速率升至700°C，在溫度700°C下處理2 小時。然後，使用帶狀爐，將已經做完前述脫黏合劑處理之陶瓷配線基板1608，在氮氣中、900°C下處理20分鐘來進行燒成。其操作條件爲，升溫20分鐘、降溫20分鐘、進出共計60分鐘。燒成後，便能容易地去除前述氧化鋁生胚。，更，如圖16 (b)所示，將前述所製作出之陶瓷配線基板1608夾住，如圖16 (a)〜（c)所示，積層由複合材料構成之配線基板16〇5、1606、16〇7，得到全層層間連接之積層體。在此，說明複合配線基板1605等之製造方法。如隆| 16 (a)及圖Ιό (b)的最上段所示，採用本發明之第〖轉寫材1601 (與實施例1 一樣），將已被形成於此第1轉寫材上之配線圖案，轉寫至未硬化狀態之複合片（與實施例 5同樣的組成）1602，如此來製作具有配線圖案1604之單層配線基板16〇5。再者，在複合片16〇2係形成貫通孔， 68 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（π ) 在貫通孔內塡充導電性膠1603。用同樣的方法，來製作採用複合片1602之單層配線基板1606及1607。之後，在前述陶瓷配線基板1608的兩面，將前述複合單層配線基板1605〜1607積層，在衝壓溫度200°C、壓力約2.94Xl06Pa (30kgf/cm2)下加熱加壓處理60分鐘。經由此加熱加壓處理，單層配線基板1605〜1607中之複合片1602中之丙烯基樹脂便熔融軟化，如圖16 (c)所示’ 含有陶瓷層1608之全體配線基板便被一起硬化。藉由與本實施例同樣的方法，製作出如圖11或圖12 所示之由複合配線基板1602及陶瓷配線基板1608所構成之多層配線基板。此構成係與圖11及圖12所示之多層配線基板一樣。使用X光來觀察以本實施例之方法所製作出之圖11 及圖12所示多層配線基板，發現在陶瓷層上完全沒有觀察到龜裂等損傷處。又，評估本多層配線基板的通孔電阻，確認其具有低電阻之通孔連接。 ' 再者，如圖11所示，在陶瓷配線基板1608不形成內通孔，採用Ba — Ti- Ο系陶瓷作爲電容層，亦能容易地實現高電容値10〜500nF/cm2。又，圖11所示之內層電極層，可在樹脂基板層1602 形成，亦可在陶瓷層1608層內形成。更，在本實施例中，雖採用第1轉寫材來形成各單層配線基板的配線層，但若是採用第2或第3轉寫材，便能 69 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ' -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _B7 五、發明說明（u) 製作具有由複數金屬層所構成之配線層之多層配線基板。 (實施例9) 與實施例8的構成大致相同，但是，構成陶瓷層之陶瓷配線基板是以圖17(a)〜(〇)所示的方式來製作出只有在高溫下才會燒結之氧化鋁之類的材料所構成之奪層配線基板〇本實施例之多層配線基板，其特徵在於，具有：低溫燒成陶瓷所無法實現之高強度、高熱傳導基板，銅涪等之低電阻配線。首先，準備作爲陶瓷配線基板的材料之氧化鋁生胚。對其設置貫通孔，在塡充後述之導電性膠之前進行燒成。在燒成製程中，由於貫通孔的位置資料與後述之樹脂系基板（複合配線基板）共有，因此，在此氧化鋁生胚的兩面上，積層在燒成溫度下不會燒結之SiC所構成之生胚，經由在大氣環境氣氛下脫黏合劑及燒成來進行固定。首先，爲了去除前述氧化鋁生胚中之有機黏合劑，使用電氣爐，在氮氣中加熱，以25°C/小時的升溫速率升至700°C，在溫度1600°C下處理2小時來進行燒成。燒成後，便能容易地除去SiC層，可在平面方向上無收縮狀態得到燒結之 Al2〇3基板1708。再者，在本實施例中雖使用約束層之無收縮製程，但是，也可利用修正收縮量之一般的3次元等 si 向收縮燒結。接著，在氧化鋁基板17〇8上所預先形成之直徑 0.15mm的貫通孔內，以網版印刷法將貫通孔塡充用熱硬化 70 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（/,?) 型導電性膠1704塡充於此貫通孔內。前述導電性膠1704 可採用與實施例8中所說明之導電性膠具有相同成分組成之物。更，如圖17 (b)所示，將氧化鋁基板1708夾住，積層採用複合片1702之配線基板1705〜1707，如圖17 (c) 所示’得到實現全層層間連接之多層配線基板1709。在此，說明採用複合片1702之配線基板1705〜1707 的製造方法。如圖17 (a)所示，將本發明之第1轉寫材 1701 (與實施例8 —樣）壓接於未硬化狀態之複合片17〇2 (與實施例8的構成一樣）。再者，在複合片1702形成貫通孔，在貫通孔內塡充導電性膠1704(與塡充於氧化鋁基板1708內之導電性膠相同）。又，作爲形成此貫通孔時的位置資料，可採用與氧化鋁基板1708之貫通孔形成時所用之相同資料。接著，與前述實施例8 —樣，藉由一同剝離作爲轉寫件之第1轉寫材與剝離層，使得僅有第1轉寫材的配線層留在複合片1702上。如此一來，如圖π (b)的最上段所示，便製作出具有配線層1703的複合配線基板1705。使用同樣的方法，來製作複合配線基板1706 · 1707。之後，在氧化鋁基板1708的兩面上，將複合配線基板1705〜1707積層，在衝壓溫度200°C、壓力約2.94X 106Pa (30kgf/cm2)下作熱壓處理60分鐘。經由此加熱加壓處理，前述複合配線基板1705〜1707中之丙烯樹脂便熔融軟化，如圖17 (〇所示，包含氧化鋁基板U708之全體 71 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 Β7 五、發明說明（7。）配線便被一起硬化，製作出多層配線基板1709。再者，此構成與圖13所示之多層配線基板一樣。使用X光來觀察圖17 (C)及圖13所示之多層配線基板，在氧化鋁層上完全沒有觀察到龜裂等損傷處。再者’ 由於氧化鋁層具有高機械強度，因此，即使衝壓爲約9.8X 106Pa ( lOOkgf/cm2)，也不會觀察到龜裂等損傷，可得到具有優異之壓接強度等機械強度的多層配線基板° 又，評估多層配線基板1709的通孔電阻，被形成在複合層上之銅箔配線係作爲形成在氧化鋁層上之低電阻配線來作用，確認其具有低電阻之通孔連接與涼線電阻。再者，多層配線基板1709的熱傳導率，由於採用高熱傳導率之複合片作爲樹脂系基板，因此具有約6W/m · K之高熱傳導率。再者，本實施例中，在陶瓷層與複合層雖採用完全相同的導電性樹脂膠來形成內通孔，但是也可分別使用不同的熱硬化性導電性膠。又，作爲陶瓷層之基材，也不限定於氧化鋁，亦可採用具有高熱傳導性之A1N與低溫燒成之玻璃陶瓷等中任一種。 (實施例10) 實施例8或實施例9之多層配線基板，係在表層配置著採用樹脂系片之配線基板，內層配置著陶瓷配線基板；相對於此’本實施例之多層配線基板，如圖Μ所示，係以陶瓷層1801、樹脂系片1803、陶瓷層1802的順序被積層的。亦即’陶瓷配線基板被配置在表層，採用樹脂系片之 72 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 ___ B7 五、發明說明（w) 配線基板被配置在內層。本實施例之多層配線基板係採用Nd205 *Ti〇2.Si〇2 系之玻璃陶瓷等高介電常數層作爲陶瓷層1801，Al2〇3與矽硼酸玻璃所構成之低介電常數層作爲陶瓷層。1802，隔著樹脂系片1803，實現了不同介電常數之異種積層。惟’陶瓷層並不限定於此種組成，如肥粒體（ferrite )等磁性體與Ba- Ti- Ο系之電介質等之異種積層體亦被實現。本多層配線基板的優點如下所述。第1爲，要直接積層異種的陶瓷層時，由於相互擴散和板彎等問題，在某些陶瓷層種類會產生組合困難的情形；但是，藉由在陶瓷層間存在樹脂系片，便與陶瓷層種類無關，能輕易地實現異種間之積層。第2爲，藉由在陶瓷層間存在樹脂系片，積層時便不會對陶瓷層產生龜裂等損傷。本實施例之多層配線基板係，如圖18所示來製作。首先，準備Nd2〇5 · Ti02 · Si02系玻璃陶瓷生胚18〇1 ’與Ah〇3層和矽硼酸玻璃所構成之生胚ι8〇2 (同實施例 8) ° 在該等層上設置通孔，於其內塡充導電性膠1803 (同實施例8)之後，如圖18 (a)所示，邊將已形成配線圖案之轉寫材1804與1805從兩面來對位邊重疊形成積層體，如圖18 (b)所示，在80°C下加熱加壓後剝離轉寫件，藉此’如圖18 (c)所示，使得轉寫材18〇4與18〇5的配線圖案被轉寫至生胚1801上。同樣地，也將配線圖案轉寫至 73 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（γ) 生胚1802上。再者，本實施例中，由於採用接腳積層作爲製作前述積層體時的對位手段，因此在生胚1801及18〇2的既定位置上，預先鑿出直徑3mm〜3.3mm的貫通孔。由於生胚 1801及1802的貫通孔位置資料係與樹脂系基板共有，因此，必須在燒成製程中不使其產生收縮。因此，在前述積層體的兩面上，積層在燒成溫度下不會燒結之ai2o3所構成之生胚，在大氣環境氣氛中進行脫黏合劑及燒成來行固定。首先，爲了去除前述生胚1801 · 1802中之有機黏合劑，使用電氣爐，在氮氣中加熱，以25°C/小時的升溫速率升至700°C，在溫度900°C下處理2小時來燒成。燒成後，便能得到能容易去除ai2o3層、在平面方向無收縮狀態下被燒結之Nd205 · Ti02 · Si02系基板（1801 )與A1203基玻璃陶瓷基板（1802)。接著，如圖18 (d)所示，在陶瓷層間，亦即生胚 1801 · 1802之間，配置塡充著導電性膠1806之複合片基板1807，預先以接腳對位之後，在衝壓溫度170°C、壓力約7.84X 106Pa (80kgf/cm2)下熱壓處理30分鐘。在此，對位用接腳的直徑若爲3mm ，在未塡充導電性膠之通孔會見到部分收縮，在部份的通孔會產生接腳不易通過之情況。惟，考慮收縮量、預先衝出若干大（直徑約爲3.06mm〜3.3mm)之通孔上，便能毫無問題地使接腳貫通。在此種情況下，亦可使衝孔直徑爲3mm，而使接腳直徑小於3mm來對應。 74 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（p) 又，經由積層衝壓時之加熱加壓處理，前述複合片 1807中之環氧樹脂便熔融軟化’可得到與作爲陶瓷層之生胚1801 · 1802 —體化之多層配線基板（圖18 (e))。此構成係與圖14之構成一樣。再者，本實施例之複合片1807並沒有形成配線圖案，但是，視情況而定，亦可在未硬化的狀態下預先轉寫配線圖案。又，本實施例中，雖採用由無機塡充劑與環氧樹脂所構成之複合片’但並不限定於此’亦可採用擇自不含無機塡充劑之樹脂片、含有玻璃布之膠片、芳族聚醯胺樹脂與玻璃織布所構成之膠片等任一種材料。又，在本實施例中，雖採用在平面方向上幾乎沒有收縮之燒結製程，但是’也可採用修正收縮量之一般的3次元等向燒結方法。觀察圖18(e)所示之多層配線基板，發現完全沒有於陶瓷層發生龜裂等之損傷部位。又，評估本積層體之通孔電阻，確認其具有低電阻通孔連接。又，在使本多層配線基板吸濕後（85°C、85Rh、 168小時）在230°C下通過熔焊爐（JEDEC Level 11 )，與僅積層樹脂系基板時之通孔連接電阻相比，其能達成電阻變動相當小之通孔連接。此爲陶瓷層具有高耐濕性所致之效果。另一方面，例如，如圖15所示，在圖14 (或圖18 (e ))所示之多層配線基板之表層兩面上，更進一步試作積 75 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（卟）層樹脂系層1807之構成（陶瓷層、樹脂系層的構成與本實施例相同），對其進行落下測試，與僅由陶瓷配線基板單獨構成之配線基板相比，確認其龜裂等損傷極不容易發生〇再者，用於最表層之樹脂系層1807之基材，不一定要選擇在內層所用之複合片，可配合用途來_擇玻璃環氧樹脂等材料。從該等結果也可看出，若根據本實施例，便能實現同時具有陶瓷與樹脂兩方優點之基板。如以上所述，若根據本發明，便能提供在低溫下將無圖案偏差之微細配線圖案確實且容易地轉寫之轉寫材；藉由使用此轉寫材，能實現具有微細配線圖案、有利於半導體覆晶組裝等之配線基板。更，由於在轉寫材上配線層成凸狀，因、此容易壓縮 IVH，有利於使通孔連接安定化。又，本發明之轉寫材，由於僅轉寫配線圖案（第2金屬層等），因此，能再利用作爲轉寫件之第1金屬層的構成材料，能降低成本，極有工業上之用途。又，本發明之配線基板，由於採用本發明之轉寫材，因此爲配線部分不突出於基板外之構成。如此一來，若採本發明之配線基板，就能使得以往積層時由於對陶瓷層損傷所導致形成困難的問題被解決，而能容易地製作積層陶 ’z 瓷配線基板與與樹脂系配線基板之多層配線基板。再者，在實施例1〜10之各轉寫材，爲能使配線圖案 76 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（π) 做電氣連接，可形成電感器、電容器、電阻_、或是半導體元件等之電路元件’再與配線圖案〜同轉寫於基板上。再者，電感器、電容器及電阻器等被動元件以網版印刷等印刷法來形成於轉寫材上爲佳。 (實施形態5) 上述各實施形態中，係針對爲將配線圖案轉寫於基板所採用之轉寫材（第1〜第3轉寫材）進行了說明；在以下的實施形態中’將針對本發明其他轉寫材，爲了將配線圖案與電路元件同時轉寫至基板之轉寫用元痒配線圖案形成材進行說明。本發明之轉寫用兀件配線圖案形成材的一實施形態（以下，稱作第4轉寫材）的槪略截面圖如圖19 及圖 19 ( b)所示。如圖19 (a)，作爲第4轉寫材其中一形態之轉寫材 2001A之構成係，在作爲第1金屬層之脫模轉寫件用金屬箔2101、以及在其上形成作爲第2金屬層之配線用金屬箔 2102之2層構造所形成之轉寫用配線圖案形成材上，爲與配線用金屬箔2102作電氣連接，以印刷法形成電路元件，亦即電感器2103、電容器2104及電阻器2105。又，如圖19 (b)所示，作爲第4轉寫材另一形態之轉寫材2001B，基本上與圖19 (a)之轉寫材2001A具有相同之構成，但是不僅僅是電感器2103、電容器2104及電阻器2105等被動元件，半導體晶片2106等主動元件也藉由連接部2107，和配線用金屬箔2102被連接，成覆晶 77 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（7*0 組裝形態。將圖19 (a)及（b)所示之轉寫材分別壓接於基板後，藉由僅剝離脫模轉寫件2101，可將除了脫模轉寫件2101 以外的元件，亦即配線用金屬箔2102、電感器2103、電容器2104及電阻器2105等被動元件，以及半導體晶片2106 等主動元件，轉寫至基板上。 (實施形態6) 接著，將本發明之其他轉寫用元件配線圖案形成材（以下，稱爲第5轉寫材）的實施形態的構成槪略示於圖20 〇如圖20所示，第5轉寫材2002係由，作爲第1金屬層之脫模轉寫件用金屬箔2201、被形成在其上之剝離層 2202、再於其上所形成之作爲第2金屬層之配線用金屬箔 2203之3層構造所形成之轉寫用配線圖案形成材上，以印刷法來形成電感器2204、電容器2205及電阻器2206，與前述配線用金屬箔2203作電氣連接。 (實施形態7) 接著，將本發明之再一其他轉寫用元件配線圖案形成材（以下，稱爲第6轉寫材）的實施形態的構成槪略示於圖21。如圖21所示，第6轉寫材2003係由，作爲第1金屬層之脫模轉寫件用金屬箔2301、剝離層2302、及作爲第2 金屬層之配線用金屬箔2303之3層構造所構成之轉寫用配線圖案形成材上，以印刷法來形成電感器2304、電容器 78 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) " ------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π) 2305及電阻器2306，與前述配線用金屬箔2203作電氣連接。脫模轉寫件用金屬箔2301的表層部上，形成了凹凸部。前述凹部係對應於配線圖案，在此凸部區域上，形成了由有機層或金屬鍍敷層所構成之剝離層2302與配線用金屬箔2303。脫模轉寫件用金屬箔2301與配線用金屬箔 2303之間係藉由剝離層2302被貼合在一起。在前述第4至第6轉寫材，讓前述第1金屬層與第2 金屬層之間的接著強度弱，例如，以50gf/cm以下爲佳。前述第4轉寫材，由於採用鑛敷法以及蒸鍍法等，在蝕刻、鍍敷、水洗等製程下，2層金屬層間不會脫離，只有在剝離之際，僅有第2金屬層會容易地被剝離。又，採用印刷所形成之被動元件圖案能很容易地自作爲轉寫件之第1 金屬層剝離。另一方面，前述第5及第6轉寫材，採用具有接著力、厚度小於Ιμηι之有機層。作爲此有機層的材料可列舉有，例如，熱硬化樹脂之氨酯系樹脂、環氧系樹脂、苯酚樹脂等；但是，並不被限定於此，亦可採用其他的熱可塑性樹脂等。惟，一旦厚度超過Ιμπι，剝離性能便惡化，可能產生轉寫困難的情況，因此，以Ιμηι以下爲佳。另一方面，在刻意的使接著力降低之目的下，亦可使鍍敷層作爲剝離層介在其中。例如，可使厚度小於Ιμηι之金屬鍍敷層、鎳鍰敷層或是鎳磷合金層或是鋁鎪敷層介在銅箔間，使其具有剝離性。 79 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱] ' -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（γ) 义如此一來，關於由前述第2金屬層所構成之配線部，在對基板轉寫時，容易將前述第2金屬層自前述第1金屬層剝離，變得容易將前述第2金屬層及元件圖案轉寫於前述基板上。當剝離層爲金屬鏟敷層時，厚度爲lOOnm至 Ιμπι左右即相當足夠·，厚度愈厚成本便愈高，因此，以至少小於Ιμιη爲佳。再者，在第5、第6轉寫材，第2金屬層及採用印刷所形成之被動元件圖案，能很容易地從作爲轉寫件之第1 金屬層剝離。又，在第4至第6轉寫材，第1金屬層以含有擇自銅、鋁、銀及鎳所構成群中之至少一金屬爲佳。特別是，含銅者爲佳。又，第2金屬層，與第1金屬層一樣，以含有擇自銅、鋁、銀及鎳所構成群中之至少一金屬爲佳；第4 轉寫材則以含銀爲佳，第5或第6轉寫材則以含銅爲佳。因爲使用銅作爲第1金屬層具有低成本之優點，換言之，因爲在市售的產品中，存在著許多具有既定厚度之金屬箔。又，採用銅作爲第2金屬層時，容易以鎪敷來生成銅。又，在第6轉寫材的情況下，若是第1金屬層與第2 金屬層爲相同金屬，便具有能以相同蝕刻液來控制製程之效果。特別是，金屬層爲銅時，藉由蝕刻來進行微細加工的條件，均已被完整地探討了。再者，前述金屬可爲一種，亦可爲至少兩種倂用。更，在前述第6轉寫材，例如，進行蝕刻等時，在蝕刻去除剝離層及第1金屬層的表層的情況（參考圖21)下 80 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π) 又，前述第1金屬層及第2金屬層含有同〜成分之金屬爲佳。再者，採用鍍敷層作爲剝離層時，圖21所示之構成係能以銅蝕刻液加工，圖20所示之構成係無法以銅蝕刻液加工。又，如前所示，若是在第1金屬層及第2金屬層含有同一成分之金屬的情況下，對於此金屬種類並沒有特別的限制，但是由銅箔構成者爲佳，從具有優異之導電性來看，又以電解銅箔爲更佳。再者，前述金屬可爲一種，亦可爲至少兩種倂用。在前述第4至第6轉寫材中，前述第2金屬層的厚度以在1〜18μηι的範圍爲佳，其中又以3〜12μιη爲較佳。若是前述厚度小於3μηι，在將前述第2金屬層轉寫於基板時，可能無法顯示良好的導電性；若是前述厚度大於18μιη，在形成微細之配線圖案則有相當的困難。在前述第4及第5轉寫材，前述第1金屬層的厚度以在4〜ΙΟΟμιη的範圍爲佳，其中又以20〜70μπι爲較佳。第 1金屬層，除了具有轉寫件的功能以外，視情況不同，如圖21所示，與配線層一樣，表層部會具有被蝕刻之凹凸構造，因此，以具有足夠厚度之金屬層爲佳。又，在前述第 4至第6轉寫材，由於金屬層（第1金屬層）作爲轉寫件層，對於轉寫時所產生之熱變形以及平面方向的應力變形，顯示出足夠之機械強度及耐熱性。形成與前述配線圖案作電氣連接之被動元件的材料，可採用膠狀物。再者，欲被轉寫被動元件之基板，例如，爲由熱硬化樹脂所構成之基板的情況下，作^被動元件的 81 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線^^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 --- B7 五、發明說明（π) ^ 材料，以採用含有相同熱硬化性樹脂之材料爲佳。形成電感器時，作爲與熱硬化性樹脂混合在一起之材料，可採用磁性金屬粉及肥粒體作爲塡充劑。形成電容器時，同樣地 ’可採用鈦酸鋇及鉛系鈣鈦礦等高介電常數之陶瓷粉作爲塡充劑。形成各種電阻器時，可採用碳等作爲塡充劑。在此種情況下，藉由改變碳含量，可調整電阻値。以薄膜形成電阻時，可採用鎳鉻合金、矽化鉻、氮化_、或是ITO 等。另一方面，若採用前述第4或第5轉寫材，由於兩者均能在l〇〇°C以下的低溫下形成圖案轉寫，因此，亦可在陶瓷生胚上形成元件配線圖案。另一方面，要轉寫被動元件的基板若爲陶瓷的情況下，被用於被動元件的印刷之材料（膠狀物），以經過脫黏合劑製程僅殘留塡充劑之物爲佳。因此，可採用將具有良好熱分解性之黏合劑溶解之展色料(vehicle)，例如，於蔥品醇溶解黏合劑之展色料之膠。具體而言，以前述展色料與3根輥子來混練出對應上述電感器、電容器、電阻器特性之各種塡充劑，採用網版印刷來形成可能的膠狀材料。形成電感器時，可採用磁性金屬粉及低溫燒結之肥粒體作爲塡充劑，對其加入玻璃所得的混合物。形成電容器時，同樣地，可採用鈦酸鋇及玻璃、鉛系鈣鈦礦等作爲塡充劑。形成電阻器時，可採用釕燒綠石、氧化釕以及硼化鑭等作爲塡充劑，將其與玻璃混合之物。該f元件，能與低溫燒成基板用陶瓷同時燒成之外，在內層電阻器的情況 82 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 Β7 五、發明說明Ul ) , 下，也比較容易作電阻値的調整。 (實施形態8) 在本實施形態，介紹前述之第4轉寫材（參考圖19 ( a) (b))製造方法之例。此製造方法，係包含（1)如圖22 (a)〜（e)所示，在作爲轉寫件之第1金屬層2401上，形成作爲配線圖案之第2金屬層2403直接附著之狀態的兩層構成之製程，以及（2)如圖22 (e) (e，）所示，邊以與前述=第2金屬層 2403進行對位的方式作電連接，邊藉由印刷形成元件圖案 2405、2406、2407、2408 之製程。在圖22 (a)〜（e)所示之製程，使用乾膜光阻2404 在第1金凰層2401上，形成配線圖案的相反圖案後，採用包含化學鍰或電鍍法之圖案鍍敷法以及濺鍍法、蒸鑛法等之直接描繪法，形成由金屬箔所構成之配線圖案（第2金屬層2403 )。如此一來，便可能形成微細之配線圖案。又，構成第2金屬層2402的金屬箔，舍爲鍍敷法時，可與構成第1金屬層2401之金屬箔一樣，亦可由不同金屬之銀鍍敷膜所構成。又，第1金屬層的金屬箱可再利用。因此，便能降低成本，也具有優異之工業上利用性。再者，作爲與前述配線圖案作電氣連接之被動元件的形成方法，以印刷法爲最佳。印刷法，可採用偏心(off_se〇印刷、照相凹版(gravure)印刷、網版印刷中任一種，但以採用網版印刷爲佳。如果是作爲電阻器之圖案，則視情況而定，若是Ιμιη以下的薄膜爲適當，亦可採角PVD法或 83 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（π ) CVD法使電介質層附著。前述配線圖案的線寬，通常，若作爲微細之線寬，貝ί! 被要求至約25μπι左右；在本發明中，以此種線寬爲佳。 (實施形態9) 接著，前述第5轉寫材（參考圖20)的製造方法之一例顯示於圖23 (a)〜（f)。此製造方法，係包含（1 )如圖23 ( a)所示，在第1 金屬層2501上，將由有機層或金屬鍍敷層所構成之剝離層 2502、以及含有與第1金屬層2501爲相同金屬成分之第2 金屬層2503積層，形成3層構造之製程；（2)如圖23 ( b)〜（〇所示，以化學蝕刻法僅將第2金屬層2503加工成配線圖案形狀，在維持剝離層2502整體的狀態下，形成轉寫用配線圖案2503a (參考圖23 (e))之製程；（3) 如圖23 (f)所示，邊與前述配線圖案2503a作電連接的狀態下對位，邊採用印刷形成元件圖案（電感器2505、電容器2506、及電阻器2507)之製程。在前述（2)之配線圖案2503的形成製程，如圖23 ( b)所示之製程中，在第2金屬層2503上貼附乾膜光阻 2504。在圖23 (c)所示之工程中，藉由圖案曝光，形成配線圖案部分2504a。在圖23 (d)所示之製程中，經由顯影及蝕刻，除去配線圖案領域2504a以外的領域（ 2504b) 的乾膜光阻。在圖23 (e)所示之製程中，殘餘的乾膜光阻則被剝離。化學蝕刻，具體而言，例如，可如以下所述來進行。 84 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（w) 若採用含有銨離子之鹼性氯化銅水溶液作爲蝕刻液’在剝離層2502由例如鎳磷合金層所構成的情況下，能夠僅鈾刻第2金屬層2503。之後，若採用硝酸及過氧化氫水的混合液作爲蝕刻液，能夠僅去除剝離層2502。若根據此方法，被轉寫至基板之配線部不會成爲凹部，能使i板表面成平坦。 (實施形態10) 接著，前述第6轉寫材（參考圖21)製造方法之一例顯示於圖24 ( a)〜（f)。圖24 (a)〜（c)的製程，雖與在前述之實施形態9 之第5轉寫材的製造方法共通，但以下製程爲相異。易言之，在第5轉寫材的製造方法，藉由化學蝕刻僅對第2金屬層及剝離層作圖案加工，但是，g 6轉寫材的製造方法，如圖24 (d) (e)所示，經由化學蝕刻，亦將第1金屬層2601的表層部加工成配線圖案形狀。換言之，在第1金屬層2601的表層部上形成凹凸部。接著，如圖 24 (f)所示，邊與前述配線圖案2503作電連接的狀態下對位’邊採用印刷來形成元件圖案（電感器2605、電容器 2606、及電阻器26〇7)。根據上述之第*〜第6轉寫材的製造方法，任何一種製造方法均採用微影法等之化學蝕刻法’來形成配線圖案之金屬層，均可能形成^細的配線圖案。又’在第6轉寫材的製造方法，藉由採用同一種材料作爲構成配線圖案（第2金屬層）的金屬箔、以及構成轉寫件（第1金屬層）之金屬箔，可在一次的蝕刻製程中， 85 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7___ 五、發明說明（㈣）使轉寫件表層形成與配線圖案相同之凹凸形狀。如前所述，便可能將第2金屬層以外的轉寫材構成材料再利用。又，特別是在第6轉寫材的情況下，利用將第 1金屬層加工成配線圖案狀，也可能將此第1金屬層，再利用於做爲凸版印刷之不同作法之圖案形成上。如此一來，便能降低成本，具有工業上之利用性。再者，在前述之第4〜第6轉寫的製造方法，也可以電鍍法形成前述第2金屬層。又，在第2金屬層上，亦可採用電鏟法再形成其他金屬層（第3金屬層）。若採用電鏟法來形成前述第3金屬層或是配線圖案形成用之第2金屬層，便不僅能得到第2金屬層與第3金屬層間之接著面適度的接著性，前述金屬層之間也不會產生縫隙。如此一來，例如，即使進行蝕刻等，也能形成良好的配線圖案。或者，亦可在第2金屬層上，以板(panel)鍍敷形成前述第 3金屬層之後，進行配線圖案的遮罩，進行配線圖案的形成。在此種情況下，有防止轉寫後第2金屬層表面氧化、以及改善焊料潤濕性的效果。在此轉寫用配線圖案的製造方法，在前述第2金屬層上形成第3金屬層之前，對前述第2金屬層表面施以粗化處理爲佳。所謂形成第3金屬層之前，係指在前述第2金屬層上形成配線圖案用光罩之前，或是在被遮罩成前述配線圖案狀之第2金屬層上，沿著前述配線圖案形成第3金屬層之前。藉由此種對前述第2金屬層表面施以粗化處理，使得前述第2金屬層和第3金屬層之間的接著性提高。 86 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 __ 五、發明說明（W) 更，前述轉寫材的製造方法，可藉由電零法，在前述第3金屬層上，形成與第1至第3金屬層不同之金屬所構成之第4金屬層。作爲前述第4金屬層的材料，藉由選擇對用來腐蝕前述第1至第3金屬層之蝕刻液具有化學安定性之金屬成分爲佳；如此一來，在前述轉寫材的製造方法中，可藉由化學蝕刻法，在不減少第2、3、4金屬層厚度的情況下，對包含前述第1金屬層表層部之各金屬層加工成配線圖案狀。作爲此第4金屬層，例如，以具有化學安定性、低電阻之銀或金的鍍敷層等爲佳。由於該等爲不易氧化之金屬，因此，可使得被鏟敷該等金屬之配線層與例如預先被形成於基板上之通孔、裸晶片的凸塊，或是與導電性接著劑之間的接著性更加安定。在前述第5或第6轉寫材的製造方法中，作爲與前述配線圖案作電氣連接之被動元件圖案的形成方法，與第4 轉寫材的情況一樣，以印刷法最佳。剝離層以鎳鍍敷層或是鎳磷合金層等之鎪敷層來構成時，可採用偏心印刷、照相凹版印刷、網版印刷中任一種印刷法，但以採用網版印刷爲佳。又，用於元件圖案印刷的材料，以膠狀爲佳。與前述第4轉寫材的情況一樣，被轉寫元件的基板，例如，以成分爲熱硬化性樹脂所構成之基板的情況下，可採用含有熱硬化性樹脂的材料作爲元件圖案的材料。例如，形成電感器時，可採用磁性金屬粉以及肥粒體作爲與熱硬化性樹脂 87 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐）' -----— --------訂--------- C請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（A ) 混合的塡充劑。形成電容器時，可使用鈦酸鋇及Pb系鈣鈦礦等作爲塡充劑。形成電阻器時，可採用碳作爲塡充劑。電阻値可藉由改變碳的比例來控制。再者，電阻器亦可如前所述，由薄膜來形成。電阻器的材料及其製作方法，與在第4轉寫材的製造方法的說明一樣。前述第5轉寫材，與前述第4轉寫材一樣，由於可以在l〇〇°C以下的低溫形成圖案轉寫，因此也能在陶瓷生胚上形成元件配線圖案。轉寫元件之基板若爲陶瓷的情況下，作爲元件圖案印刷用的材料（膠狀），以在脫黏合劑製程後僅會殘留塡充劑的材料爲佳。因此，可採用能將具有良好熱分解性之黏合劑溶解之展色料，例如，採用將黏合劑溶解於蔥品醇之展色料的膠狀物。具體而言，以前述展色料與3根輥子來混練出對應上述電感器、電容器、電阻器特性之各種塡充劑’採用網版印刷來形成可能的膠狀材料。形成電感器時，可採用玻璃與作爲塡充劑之磁性金屬粉及低溫燒結之肥粒體所得的混合物。形成電容器時，同樣地’可採用鈦酸鋇及玻璃和鉛系鈣鈦礦等作爲塡充劑。形成電阻器時，可採用燒綠石釕、氧化釕以及硼化鑭等作爲玻璃塡充劑。該等元件，能與低溫燒成基板用陶瓷同時燒成之外，在內層電阻器的情況下，也比較容易作電阻値的調整。該2種類的第5及第6之轉寫用元件配線圖案，可適當地分開使用。例如，被形成在轉寫材上的元件配線圖案 88 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公^ " -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（π ) ，被轉寫至積層基板的內層時，特別是在通孔上又要形成通孔的情況下，從通孔連接的觀點來看，採用圖20所示之轉寫材（第5轉寫材）爲佳。另一方面，在被轉寫至表層時，特別是電感器、電容器、半導體晶片等端子間的距離接近的情況，從保持沿面距離來看，亦如圖21所示之被部分加工至轉寫件層之轉寫形成材（第6轉寫材）爲佳。 (實施形態11) 接著，採用前述第4〜第6轉寫材所製造出之電路基板的形態，顯示於圖22 (g) (g，）、圖23 (h)及圖24 ⑴。作爲採用第4〜第6轉寫材之電路基板的製造方法，至少有以下兩種製造方法。在本實施形態所敘述之第1製造方法包含：準備在前述第5〜第7實施形態之轉寫材（參考圖22 (e)、圖23 (f)及圖24 (f))，將此轉寫材之已形成元件配線圖案之一側，與片狀基材至少一方的表面接觸來作配置，然後將其接著之製程（參考圖22 (f)、圖23 (g )及圖24 ( g));以及，從已接著於片狀基材之轉寫材，將作爲轉寫件之第1 金屬層剝離，在前述片狀基材上，將至少含有第2金屬層及元件圖案之元件配線圖案層轉寫之製程；此爲一種元件內藏配線基板（參考圖22 (g)、圖23 (h)及圖24 (h) )的製造方法。 89 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（料）又如此一來，含有微細配線圖案、電感器、電容器、電阻器以及半導體晶片之元件圖案，便在前述片狀基材上形成平坦狀（參考圖22 (S)、圖23 (h))或凹狀（參考圖 24 (h))。又，如此所製作出之配線基板，例如，配線部分爲凹狀的情況下（圖24 (h))，例如，配線部分與半導體晶片的凸塊之間的對位便變得容易，利於半導體的覆晶組裝等。 (實施形態12) ^ 又，本發明之電路基板的第2製造方法，如圖25所示之多層電路基板的製造方法，包含將2層以上由實施形態 11的製造方法所得到之電路基板（圖22 (g)、圖23 (h ,)及圖24 (h))積層之製程。在此，2702、2709爲形成配線圖案之第2金屬層， 2703爲電阻器、2704爲電容器、2705爲電感器、2706爲片狀基材。此電路基板，由於是在100°C以下之低έ下，轉寫形成元件圖案及配線圖案，因此，不限於陶瓷生胚，即使在採用熱硬化樹脂之片，亦可維持未硬化狀態。如此一來，便可能在未硬化狀態下將兩層以上電路基板積層之後，一起使其熱硬化收縮。如此一來，在4層以上之多層電路基板，便不需要對每一層進行硬化收縮的修正。因此，能製造具有微細配線圖案及元件圖案之多層構造電路基板。惟，關於形成內層之配線部及元件部，因爲不需要如前所述之函狀，即使爲 90 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1225762 A7 五、發明說明（W ) 平坦也可以，因此，可利用圖22 (g)、圖23 (h)所示之電路基板。在實施形態Π及本實施形態中所說明的製造方法，前述片狀基材係，含有無機塡充劑與熱硬化性樹脂組成物，具有至少一個貫通孔，前述貫通孔內塡充著導電性膠爲佳。如此一來，便能容易地得到熱傳導性佳、具有藉由前述導電性膠使前述配線圖案作電氣連接之IVH構造的高密度組裝用複合配線基板。頁又，若採用此片狀基材，製作配線基板時，不需要作高溫處理，例如，熱硬化性樹脂組成物的硬化溫度_200它左右的低溫處理便足夠。線對於前述片狀基材全體，前述無機塡充劑的比例爲70 〜95重量％，前述熱硬化性樹脂組成物的比例爲5〜30重量％爲佳；特別是以前述無機塡充劑的比例爲85〜90重量 %，前述熱硬化性樹脂組成物的比例爲10〜15重量％則更佳。前述片狀基材，因爲含有高濃度之前述無機塡充劑，因此能藉由此含有量來任意設定配線基板之熱膨脹係數、熱傳導率以及介電係數等。 ' 濟前述無機塡充劑以擇自Al2〇3、MgO、BN、A1N及 Si〇2所構成之群中至少一種之無機塡充劑爲佳。藉由適當決定前述無機塡充劑的種類，例如，可將熱傳導性、熱膨脹性以及介電係數設定在所期望的條件。例如，能將前述片狀基材之平面方向的熱膨脹係數設定在與組裝之半導體的熱膨脹係數相同程度，同時並賦予高熱傳導性。本紙張尺度賴巾關家鮮（CNS)A4規格⑽ x 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（了o ) 在前述無機塡充劑中，例如，採用Al2〇3、BN、A1N 等之片狀基材具有優異之熱傳導性，採用MgO之片狀基材具有優異之熱傳導性、且可使熱膨脹係數變大。又，使用 Si02，特別是非晶質Si02的情況下，可得到熱膨脹係數小、輕、低介電係數之片狀基材。再者，前述無機塡充劑，可採用一種，亦可至少兩種倂用。含有前述無機塡充劑與熱硬化性樹脂組成物之片狀基材，例如，可如以下所述來製作。首先，將調整黏度用之溶劑加在含有前述無機塡充劑與熱硬化性樹脂組成物之混合物中，調製任意漿料黏度之漿料。作爲前述調整黏度用之溶劑，可使用例如甲基乙基酮、甲苯等。接著，在預先準備好的脫模薄膜上，用前述漿料藉由例如刮塗法等來造膜，在比前述熱硬化性樹_之硬化溫度更低的溫度下來處理，使前述調整黏度用之溶劑揮發後，除去前述脫模膜而能製作片狀基材。前述造膜時之膜厚係由前述混合物的組成和前述調整黏用之溶劑的添加量來適當地被決定；通常，厚度範圍爲 80〜200μηι。又，使前述調整黏度用之溶劑揮發的條件係例如根據前述調整濃度用溶劑的種類以及前述熱硬化性樹脂的種類等來適當地決定，通常，溫度爲70〜150°C，時間爲5〜15分鐘。作爲前述脫模薄膜，通常可使用有機薄膜，例如，可含有擇自聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚二萘、聚苯硫（PPS)、聚苯肽、聚醯亞胺以及聚醯胺所構成之群中至 92 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（) 少一種樹脂之有機薄膜爲佳，其中又以PPS更佳。又，作爲其他的片狀基材，係使片狀補強材中含浸熱硬化性樹脂組成物、具有一個以上之貫通孔、且前述貫通孔內塡充著導電性膠之片狀基材。前述片狀補強材，若爲能保持前述熱硬化性樹脂之者並無特別的限制；以擇自玻璃纖維織布、玻璃纖維不織布、耐熱有機纖維織布及耐熱有機纖維不織布所構成之群中至少一種之片狀補強材爲佳。作爲前述耐熱有機纖維可列舉有，例如，全芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺樹脂），全芳香族聚酯，聚丁烯氧化物等，其中又以芳族聚醯胺樹脂爲佳〇前述熱硬化性樹脂，若爲耐熱性者便無特別限制，從具有優異之耐熱性來看，以含有擇自環氧系樹脂、苯酚系樹脂及異氰酸酯系樹脂或是聚苯醚樹脂所構成之群中至少一種樹脂。又，前述熱硬化性樹脂，可爲一種種類，亦可至少兩種倂用。如此之片狀基材能藉由例如將前述片狀補強材浸漬於前述熱硬化性樹脂組成物之後，使其乾燥，呈現半硬化狀態來製作。前述浸漬的進行，係以前述熱硬化性樹脂佔前述片狀基材全體的比例爲30〜60重量％爲佳。在該等製造方法中，若採用如上之含有熱硬化性樹脂之片狀基材時’以加壓加熱處理所得之前述熱硬化性樹脂的硬化來進行前述配線基板的積層爲佳。如此一來，在前 93 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（p) 述配線基板的積層製程中，例如，前述熱硬化性樹脂的硬化溫度之200°C左右的低溫處理即足夠。作爲前述片狀基材的補強材，亦可在聚醯亞胺、LCP 、芳族聚醯胺等之薄膜片上塗佈熱硬化性樹脂、另一方面，該等配線基板並不僅限於樹脂基板，亦可爲陶瓷基板。在此種情況下，作爲片狀基材可採用含有有機黏合劑、可塑劑及陶瓷粉末之生胚，具有至少一個以上之貫通孔，前述貫通孔內被塡充著導電性膠之材料。此片狀基材，具有高耐熱性、密閉性佳，且具有優異之熱傳導性。前述之陶瓷粉末係，以含有擇自Al2〇3、MgO、Zr〇2 、Ti02、BeO、BN、Si02、CaO及玻璃所構成之群之中至少一種之陶瓷爲佳，又以Α12Ο350〜55重量％與玻璃粉45 〜50重量％之混合物更佳。再者，前述陶瓷，可爲一種種類，亦可至少兩種倂用。作爲有機黏合劑可使用，例如，聚乙烯醇縮丁醛（ PVB)、丙烯酸丙烯酸樹脂、甲基纖維素樹脂等；作爲前述熱可塑劑可使用，例如鄰苯二甲酸丁苄酯（BBP)、鄰苯二甲酸二丁酯（DBP)等。如此之含有前述陶瓷粉等之生胚可利用捥如與含有前述無機塡充劑、熱硬化性樹脂之片狀基材之前述製作方& 同樣地來製作。再者，各處理條件係根據前述構成材料的種類等適當地被決定。例如，在圖22所示之轉寫材的第2金屬層2403，亦 94 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（p) 即配線層以銀來構成的情況下，由於銀爲具有抗氧化性之金屬，便能在大氣中進行脫黏合劑處理以及燒成處理，具有製作製程容易進行的優點。另一方面，在歐23及圖24 所示之第2金屬層2503、2603是由銅所構成的情況下，由於被轉寫出之配線部爲易於氧化之賤金屬，因此必須在非氧化環境氣氛，例如，氮環境氣氛下，進行脫黏合劑處理及氮氣燒成處理。因此，生胚也必須爲能對應該氮氣製程之構成。更，用於電感器、電容器及電阻器等之印刷的展色料、黏合劑，也被要求在非氧化環境氣氛下必須具有強烈的熱分解性。如以上所述之前述片狀基材的厚度範圍零常是1〇〇〜 250μιη。前述片狀基材係，如前所述，具有至少一個之貫通孔，前述貫通孔內被塡充著導電性膠爲佳。前述貫通孔的位置係通常若形成與配線圖案連接的狀態，便並無特別的限制，間距以250〜500μιη之等間隔爲佳。對於前述貫通孔的大小並無特別的限制，通常，在 100〜200μιη的範圍，其中又以直徑100〜150μηι的範圍爲佳。；前述貫通孔的形成方法係根據前述片狀基材的種類等來適當地被決定，可列舉有，例如，二氧化碳雷射加工、利用衝床機之加工、利用模具之整體加工等。作爲前述導電性膠，只要具有導電性，便無特別的限制；通常，可使用含有導電性金屬材料粒子的樹脂等。作 95 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公董1 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（π) 爲前述導電性金屬材料可使用，例如，銅、銀、金、銀絕等；作爲前述樹脂可使用環氧系樹脂、苯酚系樹脂、纖維系樹脂、丙烯基系樹脂等之有機黏合劑。又’前述導電性膠中之前述導電性金屬材料的含量，通常在80〜95重量％之範圍。又，前述片狀基材若爲陶瓷生胚時’則採用熱可塑性黏合劑取代熱硬化佺樹脂，以玻璃粉末作爲接著劑。接著’對於前述製程中之轉寫材與片狀基材間的黏著方法、以及將第1金屬層自接著於片狀基材上之轉寫材剝離之方法，並無特別的限制；前述片狀基材若含有陶瓷基板以外的熱硬化性樹脂時，例如，可如以下所述來進行。首先，將轉寫材（圖23 (f))與片狀基材2508如圖 23 (g)所示來配置，藉由對其加壓加熱處理來使前述片狀基材中之前述熱硬化性樹脂熔融軟化，將已經形成配線圖案之金屬層2503及已經印刷之被動元件圖案2505、2506 、2507埋入前述片狀基材內。再者，2505爲電感器，2506 爲電容器、2507爲電阻器。惟，若是要轉寫像電容器一樣之在電介質層的兩面上有電極等必要的電路元件時，如圖 23 (g)所示，藉由轉寫等，將對應之配線圖案2510，預先在片狀基材2508上形成爲佳。接著，將壓接著轉寫材的片狀基材，在前述熱硬化性樹脂的軟化溫度或是硬化溫度下處理，在後者的情況下，係藉由使前述樹脂硬化，使轉寫材與片狀基材接著。又，第2金屬層2503與片狀基材2508之間的接著也被固定。 96 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮^~' ------------^^裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（7$ ) 前述加熱加壓條件，只要在前述熱硬化性樹脂不會完全硬化的範圍內便沒有特別的限制，通常，壓力爲約9.8X 105 〜9·8Χ 106Pa ( 10 〜100kgf/cm2)，溫度爲 70 〜260°C，時間爲30〜120分鐘。 4 然後，在轉寫材（圖23 (f))與片狀基材2508接著之後，例如，拉扯作爲轉寫件層之第1金屬層2501，以介面層介面來剝離，自第2金屬層2503及被動元件圖案 2505、2506、2507將第1金屬層2501剝離。換言之，隔著剝離層之前述第2金屬層及元件圖案對第1金屬層的接著強度，比對片狀基材的接著強度來得低，乃使得前述第1金屬層與第2金屬層及被動元件圖案之間的接著面剝離。結果，只有元件及配線圖案被轉寫到前述片狀基材上，第1金屬層被剝離（參考圖23 (h))。再者，前述熱硬化性樹脂的硬化，亦可在將第1金屬層自前述元件配線圖案剝離之後進行。另一方面，前述片狀基材若是構成前述陶瓷基板之生胚的情況時，例如，可採用以下的方法。例如，在圖22 ( a)〜（d)的情況下，採用銅箔作爲第1金屬層2401，以電鍍法形成銀配線作爲第2金屬層、亦即配線層。之後，以網版印刷使被動元件等與此銀配線作電氣連接的情況下形成，來形成轉寫用元件及配線圖案。惟，在陶瓷基板的情況下，由於伴隨著燒成，因此，如圖22 (e，）所示之半導體晶片便不組裝。對此構成，與前述一樣，藉由進行加熱加壓處理，使元件配線圖案埋入片狀基材之生胚中，生 97 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) 麵 ^裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（) 胚與轉寫用元件配線圖案形成材便能接著在一起。之後，與前述一樣，藉由轉寫件的剝離，將前述元件配線圖案以外的轉寫材構成材料去除。然後，在已經被轉寫元件配線圖案的生胚上，積層約束用氧化鋁生胚。接著，在大氣中進行脫黏合劑及燒成處理，使前述陶瓷燒結，將已經被轉寫之第2金屬層及元件圖案固定在前述陶瓷基板上。由於此轉寫材之配線是由銀所形成，因此，具有能在大氣中進行脫黏合劑及燒成之優點。另一方面，在圖23 (a)〜（h)及圖24 (a)〜（h) 的方法，以銅箔形成第1金屬層，作爲第2金屬層，亦即配線層，例如，採用微影法之化學蝕刻法來形成銅配線。相較於銀配線，銅配線可利用鍍敷法來低成本地製作，且具有優異的抗電致遷移性。之後，採用網版印刷將被動元件等與此銅配線作電氣連接的情況下來形成：形成轉寫用元件配線圖案。惟，在陶瓷基板的情況下，由於伴隨著燒成，因此，如圖22 (e，）所示之半導體晶片便不組裝。對此構成，與前述一樣，藉由進行加熱加壓處理，使配線圖案埋入前述片狀基材（生胚）中，片狀基材與轉寫用元件配線圖案形成便能接著在一起。之後，與前述一樣，藉由轉寫件的剝離’將前述元件配線圖案以外的轉寫材構成材料去除。然後，在已經被轉寫元件配線圖案的生晦上，積層約束用氧化鋁生胚。之後，在銅不會產生氧化的環境氣氛，例如氮環境氣氛中，進行脫黏合劑及燒成處理，藉由使前 98 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（π) 述陶瓷燒結，將已經被轉寫之第2金屬層及元件圖案固定在陶瓷基板上。由於此轉寫材的配線爲銅，因此，轉寫材本身能以比銀配線的情況更加低成本地製作，但是，考慮到銅配線的特性，燒成製程則必須要在非氧化環境氣氛下進行。 ^ 如此一來，構成生胚的黏合劑及被動元件之膠狀黏合劑，也必須使用具有良好熱分解性之材料，例如，甲基丙烯酸系丙烯基黏合劑等。因此，隨著構成基板之生胚和構成被動元件之陶瓷的燒結條件的不同，可分別使用不同構成之轉寫材。前述加熱加壓條件係，例如，根據前述生胚及導電性膠內所含熱硬化性樹脂的種類而適當地被決定；通常，壓力爲約 9·8Χ 105 〜1.96Χ 107Pa ( 10 〜200kgf/em2)，溫度爲70〜100°C，時間爲2〜30分鐘。如此一來，便能在對生胚不產生任何損傷的情況下來形成配線圖案。前述脫黏合劑處理係例如根據前述黏合劑的種類及構成配線圖案之金屬等而適當地決定其條件；通常，可使用電氣爐、進行在500〜700°C的溫度下、2〜5小時的處理。前述燒成處理的條件係，例如，根據前述陶瓷種類而適當地被決定；通常，使用帶狀爐，在空氣中或是氮氣中 ’溫度爲860〜950C ’時間爲30〜60分鐘。；更進一步說明前述配線基板的第2製造方法，亦即說明多層電路基板的製造方法。根據此方法來製作如圖25所示之多層配線基板時，係將如前述所製作出單層配線基板 99 冢紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） -----------装--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _____ B7 五、發明說明（p ^ 積層依序積層，進行層間接著來製作。當然，亦可將的單層配線基板積層至少兩層之後，同時使其硬化。例如，將採用含有熱硬化性樹脂之片狀基材所製作出之電路基板積層的情況，如圖26 (a)〜（c)所示，與前述一樣，藉由在不會熱硬化的低溫範圍下，僅將元件配線圖案轉寫至片狀基材上，得到分別示於圖26 (a’）〜（c’ )之單層電路基板。接著，將此單層電路基板的積層體，在前述熱硬化性樹脂的硬化溫度下進行加熱加壓處理，使前述熱硬化性樹脂硬化，藉此，來接著固定前述配線基板間。若刻意將轉寫配線層之加熱加壓處理溫度設定在1〇〇 °C以下，即使在轉寫後，片狀基材也幾乎可視爲膠片來處理。如此一來，就可以不用依序積層單層配線基板而接著固定，可將單層配線基板複數片積層之後，進行一次接著固定來製作多層配線基板。又，例如，將含有陶瓷之片狀基材的陶瓷電路基板積層的情況下，與前述一樣，在僅將元件配線圖案轉寫至片狀基材之後，將此單層陶瓷電路基板積層’經由加熱加壓處理，便能同時進行陶瓷的燒成及電路基板之間的接著固定。對於前述多層電路基板（圖25)的層數並無特別限制，通常爲4〜8層，但也有可能多及12層。又，前述多層電路基板全體的厚度，通常爲500〜ΙΟΟΟμπι。再者，構成前述多層電路基板（圖25)最外層以外的 100 冢紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱Γ --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（p) 中間層之電路基板的表面，若考慮由內通孔構成電氣連接構造，配線圖案等可爲被埋入凹部之凹凸面，=亦可爲平坦。爲了刻意地得到此構造，可採用第4或第5轉寫材。又，前述多層電路基板之最外層，可爲表面成平坦構造之電路基板，但是，若爲在表面具有凹部、且其底部形成第2 金屬層等之配線基板，如圖24 (h)所示之半導體晶片等的組裝便會變得較容易。以下，關於前述實施形態5〜12，以更具體的實施例來說明。 (實施例11) ^ 圖22 (a)〜（g’）所示係，第4轉寫材的製造製程一例之截面圖。如圖22 (a)〜（e)及圖22 (a)〜（e’）所示，製作出含有被動元件2405、2406、2407之轉寫材(圖22(e)) ，以及主動元件之半導體晶片2408之轉寫材(圖22(e’)）。如圖22 ( a)所示，準備厚度35μιη的電解銅箔作爲第 1金屬層2401。首先，將銅鹽原料溶解於鹼液中，使其成爲高電流密度來電沉積於旋轉筒，以製作金屬層（銅層），連續地捲取此銅層，來製作電解銅箔。接著，如圖22 (b)所示，使用乾膜光阻2404形成配線圖案的相反圖案。之後，如圖22 (c)所示，採用電鍍法，將厚度9μιη、由銀所構成之配線圖案形成用之金屬層 2403積層在前述第1金屬層2401的面上，製作出如圖22 (d)所示之2層構造。對其表面施以粗化處理，使其表面 101 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮i 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（γ) 的中心線平均粗糙度（Ra)爲約4μιη。接著，以網版印刷形成相當於被動元件^電感器、電容器及電阻器）的部分。在本實施例中，假想成要組裝在陶瓷基板上，且設定成爲可同時燒成之被動元件之構成。作爲電感器2405，採用Ni-Zn肥粒體粉、丙烯基樹脂（共榮社化學製：聚合度：lOOcps) 5重量％、蔥品醇 (關東化學社製）15重量％、BBP (關東化學社製）5重量％，採用3根輥子混練該等物質，製作膠狀物。電容器2406，採用Pb系鈣鈦礦化合物（PbO-MgO-Nb205-Ni0-W03_Ti02)粉末，同樣採用3根—子混練該等物質，製作成膠狀物。電阻器2407，在氧化釕粉末5〜50 重量％中混合矽硼酸玻璃95〜50重量％，同樣製作成膠狀物。採用該等膠狀物，利用既定形狀之光罩，在圖22 (d )所示之2層構造上，印刷形成如圖22 (〇所示之電感器2405、電容器2406、電阻器2407。印刷後，在90°C、 20分鐘之條件下使其乾燥。再者，要進行對陶瓷基板的轉寫、燒成导固定的情況下，半導體晶片等之主動元件並不形成於轉寫材上（參考圖22 (e))。但，若是在轉寫至樹脂基板的情況下，亦可將作爲主動元件之半導體晶片2408等覆晶組裝（參考圖 22 (e，））。亦可在覆晶組裝後，將底層塡料2W1以塡入半導體晶片2408與配線圖案2412之間的空隙的方式來注入，在150°C完全硬化來一體化。 102 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（πί) 採用圖22 (〇之轉寫材，如圖22 (f)〜（g)所示，製作出陶瓷電路基板。 < 首先，準備欲轉寫配線圖案之基板2409。此基板 2409係由，調製含有低溫燒成陶瓷材料與有機黏合劑之低溫燒成陶瓷生胚A，於其內設置通孔’塡充導電性膠2410 於前述通孔內來製作。以下，表示前述生胚A的成分組成〇 (生胚A的成分組成） •陶瓷粉末A1203與矽硼酸玻璃的混合物（日本電氣玻璃社製：MLS-2000) 88 重量％ •羧酸系丙烯基黏合劑（共榮社化學製、歐力寇克斯 8125T) 10 重量％ • BBP (關東化學社製）2重量％將前述各成分依前述組成秤重’對該等之混合物添加作爲黏度調整用溶劑之甲苯溶劑，直到前述混合物的漿料黏度變成約20Pa · s。接著，再加入氧化鋁之微粒，在鍋中、轉速500rpm的條件下混合48小時，調製出漿料。接著，準備75μηι厚之聚苯硫（PPS)膜作爲脫模膜，在此PPS膜上，採用前述漿料，以刮塗法造出間隔約 0.4mm之造膜片。然後，使前述片中之前述甲苯溶劑揮發，去除前述PPS膜，製作出厚度220μιη之生胚A。由於此生胚A，在作爲有機黏合劑之前述羧酸系丙烯基黏合劑中添加了可塑劑BBP，因此具有高強度、可撓性及良好的熱分解性。 103 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（/0) 利用此生胚A的可撓性’可將其切割成既定的大小，利用衝床機在間距〇.2mm〜2mm之等間隔的位置上設置直徑0.15mm的貫通孔（通孔）。接著，以網版印刷法將通孔塡充用導電性膠塡充於此貫通孔內。根據以上製程，製作基板2409。導電性膠2410係利用以下的材料依以下的組成來調製，採用3根輥子所混練出來之物。 (導電性膠2401的成分組成） •球狀銀粒子（三井金屬礦業製：粒徑3μηι) 75重量％ •丙烯基樹脂（共榮社化學製、聚合度lOOcpS) 5重量％ •蔥品醇（關東化學社製）15重量％ • BBP (關東化學社製）5重量％接著，如圖22 (〇所示，在前述基板2409的兩面，將圖22 (e)之轉寫材與其接觸來配置，採用熱壓機，在衝壓溫度70°C、壓力約5.88Xl06Pa (60kgf/cm2)下加熱加壓處理5分鐘。再者，關於電容器2406，由於其電介質層成爲被上下電極面夾住之構造，因此，亦可預先在基板 2409上，經由轉寫電極圖案2411來形成。此種方法，只有在採用電容器被印刷形成之本發明的轉寫材才有可能，採用以往的方法，難以將電介質層印刷在基板生胚上。藉由此加熱加壓處理，使前述基板2409中之丙烯基樹脂熔融軟化，而使得第2金屬層之配線層2403及電路元件 2405、2406、2407 埋入基板 2409 中。將此基板2409與轉寫材的積層體冷卻之後，將作爲轉寫材之轉寫件的金屬層2401自前述積層體剝離，便得到 104 -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -—-—_ —__B7___ 五、發明說明（f〇}) 在兩面上被轉寫出配線層2403及電路元件2405、2406、 24〇7之電路基板片。 ’ gjlt電路基板片以在燒成溫度下不燒結之氧化齊！Η故爲原料的生胚來夾住，藉由在大氣環境氣氛下脱:黏合劑及燒成來進行固定。首先，爲了去除電路基板（圖22 (g))中之有機黏合劑，使用電氣爐，以25°C/ 小時的升溫速率升至5〇〇°c，在溫度500°C下處理2小時。然後’使用帶狀爐，將已做完前述脫黏合劑^理之配線基板’在大氣中、90(TC下處理2〇分鐘來進行燒成。其操作條件爲，升溫20分鐘、降溫2〇分鐘、進出共計60分鐘。燒成後，便能容易地去除前述氧化鋁層。此配線基板，在燒成後，形成平坦的組裝表面。亦可在此電路基板（圖22 (g))的配線層2403上，形成金鍍敷層。在此電路基板上，沒有發生板彎、龜裂以及變形。其原因在於，採用了在平面方向上無收縮之燒g技術。由於採用此法，而能實現銅箔配線與陶瓷基板的同時燒成。電路元件（電感器、電容器、電阻器）各別組裝位置也正確，能以一次轉寫來形成嚴密設計之電路基板。又，即使進行電容器高溫負荷可靠度測試（125°C、 50V、100小時），電容器2406的電介質層不會產生絕緣電阻惡化，可確保1〇5Ω以上的絕緣電阻。又，電介質層的介電係數爲5000，基板層的介電係數爲8.1。電感器 2405的電感可確保爲〇·5μΗ。又，關於電阻器^2407的電阻 105 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（ί外）値，可實現自100Ω〜1ΜΩ間任思値。如此，若採用本發明之轉寫材，便能容易地實現含有電感器、電容器及電阻器等之被動元件之電路形成。除此以外，本實施例的優點係，藉由在平面方向上無收縮之燒成製程，與採用鍍敷法所構成之緻密導電圖案的轉寫製程，可得到具有極大導電係數之配線’且’藉由採用銀作爲金屬配線，可在大氣中脫黏合劑及燒成。特別是，若採用後者之製程，基板組成、電感器、電容器及電阻器等之被動元件的組成，便可大範圍地選擇。再者，將圖22 (e，）所示之轉寫材，轉寫、組裝、固定於樹脂系基板的情況雖顯示在圖22 (Γ) (g’）’但’ 確認其與陶瓷生胚一樣，可良好地進行一次轉寫、組裝。 (實施例12) 圖23 (a)〜（h)所示係，採用第5轉寫材之配線基板的製程之槪略截面圖。。如圖23 (a)〜（f)所示，製作第5轉寫材。最初，如圖23 ( a)所示，準備厚度35μηι的電解銅箔作爲第1金屬層2501。具體而言，將銅鹽原料溶解於鹼液中，使其成爲高電流密度來電沉積於旋轉筒，以製作金屬層（銅層），連續地捲取此銅層，來製作電解銅箔。接著，在前述第1金屬層2501之面上，形成薄鎳磷合金之鍍敷層作爲剝離層2502。在其上，以電鍍法來積層與前述第1金屬層2501相同之厚度9μηι之電解銅箔，以作爲配線圖案形成用之第2金屬層2503，而製作出由3層 106 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（r、o 構造所構成之積層體（參考圖23 (a))。接著，施行粗化處理，使此表面之中心線平均粗糙度 (Ra)變成4μηι左右。再者，前述粗化處理係，使前述電解銅箔上析出銅微粒來進行。接著，如圖23 (b)所示，在前述積層體上利用微影法貼上乾膜光阻（DFR) 2504，如圖23 (c)所示，進行配線圖案部分的曝光及顯影。接著，如圖23 (d)所示，以化學蝕刻法（浸漬在添加有銨離子之氯化銅水溶液所成的鹼系中），來蝕刻前述積層體中之第2金屬層2503,形成任意之配線圖案。若使用此蝕刻液，則僅有第2金屬層 2503被蝕刻，作爲剝離層之鎳磷合金層則不會被蝕刻。之後，如圖23 (e)所示，以剝離劑去除殘餘的光阻，得到轉寫材。接著，以網版印刷形成相當於被動元件的部分。在本實施例中，係設定成要組裝在陶瓷基板上，採用可同時燒成之電感器、電容器及電阻器。作爲電感器2505，採用Ni-Zn肥粒體粉、丙烯基樹脂（共榮社化學製：聚合度：lOOcps) 5重量％、蔥品醇 (關東化學社製）15重量％、BBP (關東化學社製）5重量％，採用3根輥子混練該等物質，製作成膠k物。電容器2506，採用Pb系鈣鈦礦化合物（PbO-MgO· Nb205-Ni0-W03-Ti02)粉末，同樣採用3根輥子混練該等物質，製作成膠狀物。電阻2507，在氧化釕粉末5〜50wt%中混合矽硼酸玻 107 ί紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

If5762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（/4) 璃95〜50wt%，同樣製作成膠狀物。採用該等膠狀物，利用既定形狀之光罩，在圖23 (e )所示之轉寫材上，印刷形成如圖23 (f)所示之電感器 2505、電容器2506及電阻器2507。採用此轉寫材，如圖 23 (g)〜（h)所示，製作陶瓷電路基板。首先，準備基板2508。此基板2508係i，調製含有低溫燒成陶瓷材料與有機黏合劑之低溫燒成陶瓷生胚B，於其內設置通孔，塡充導電性膠2509於前述通孔內來製作。以下，表示前述生胚B的成分組成。 (生胚B的成分組成） •陶瓷粉末ai2o3與矽硼酸玻璃的混合物（日本電氣玻璃社製：MLS-1000) 88 重量％ •甲基丙烯酸系丙烯基黏合劑（共榮社化學製、歐力寇克斯7025 ) 10重量％ ^ • BBP (關東化學社製）2重量％將前述各成分依前述組成秤重，添加作爲黏度調整用溶劑之甲苯溶劑於該等之混合物中，直到前述混合物的漿料黏度變成約20Pa · s。接著，再加入氧化鋁之微粒，在鍋中、轉速500rpm的條件下混合48小時，調製出漿料。接著，準備75μηι厚之聚苯硫（PPS)膜作爲脫模膜，在此PPS膜上，採用前述漿料，以刮塗法造出間隔約〇.4mm之造膜片。然後，使前述片中之前述_苯溶劑揮發，去除前述PPS膜，製作出厚度220μιη之生胚B。由於此生胚Β，在作爲有機黏合劑之前述甲基丙烯酸系丙烯基黏 108 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1^25762 A7 B7 五、發明說明（㈧）合劑中添加了可塑劑BBP，因此具有高強度、可撓性及良好的熱分解性。利用此生胚B的可撓性，可將其切割成既定的大小，利用衝床機在間距〇.2mm〜2mm之等間隔的位置上設置直徑0.15mm的貫通孔（通孔）。接著，以網版印刷法將通孔塡充用導電性膠2509塡充於此貫通孔內。根據以上製程，製作基板2508。再者，導電性膠2509係，利用以下的材料依以下的組成來調製，採用3根輥子所混練出來之物〇 (導電性膠2509的成分組成） •球狀銀粒子（三井金屬礦業製：粒徑3μιη) 75重量％ •丙烯基樹脂（共榮社化學製、聚合度lOOcps) 5重量％ •蔥品醇（關東化學社製）15重量％ • BBP (關東化學社製）5重量％接著，如圖23 (〇所示，在基板2508的兩面上，將前述所製作之轉寫材（圖23 (e))與其接觸來配置，採用熱壓機，在衝壓溫度70°C、壓力約5.88Xl〇6Pa ( 60kgf/cm2)下加熱加壓處理5分鐘。再者，關於電容器 2506，由於此電介質成爲被上下電極面夾住之構造，因此，亦可預先在基板2508上，經由轉寫來形成電極圖案 2510。此種方法，只有在採用電容器被印刷形成之本發明的轉寫材才有可能，採用以往的方法，難以將介電層直接印刷在基板生胚上。藉由此加熱加壓處理，使前述基板2508;中之丙嫌基 109 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 _ B7 五、發明說明（〆）樹脂熔融軟化’而使得配線層之第2金屬層2503及作爲電路元件之電感器2505、電容器2506、及電阻器2507埋入基板2508中。將如此之轉寫材與基板2508的積層體冷卻之後，將作爲轉寫材之轉寫件的第1金屬層2501與剝離層2502自前述積層體剝離’便得到在兩面上被轉寫出作爲配線圖案之第2金屬層2503及作爲電路元件之電感器2505、電容器2506、及電阻器2507的電路基板片。然後，在此電路基板片的兩面上，積層以在燒成溫度下不燒結之氧化鋁無機塡充劑做爲原料之生胚，藉由在氮環境氣氛下脫黏合劑及燒成來進行固定。首先，爲了去除電路基板片（圖23 (h))中之有機黏合劑，使用電氣爐，以25°C/小時的升溫速率升至600°C ，在溫度600°C下處理2小時。然後，使用帶狀爐，將已做完前述脫黏合劑處理之配線基板，在氮氣中、900°C下處理20分鐘來進行燒成。其操作條件爲，升溫20分鐘、降溫20分鐘、進出共計60分鐘。燒成後，便能容易地去除前述氧化鋁層。此配線基板（圖23 (h))，形成平坦的組裝表面。再者，亦可在此電路基板（圖23 (h))的配線層2503上，形成金鍍敷層。在此電路基板上，沒有發生板彎、龜裂以及變形。其原因在於，採用了在平面方向上無收縮之燒結技術，只有陶瓷基板的厚度方向產生收縮所致。如此一來，能使銅箔 110 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（,β) 配線與陶瓷基板同時燒結。同時’電路元件各別組裝位置亦正確，可一次轉寫來形成嚴密設計之電路基板。又，即使進行電容器局溫負荷可靠度測試（125 C、 50V、100小時），電容器2506的電介質層不會產生絕緣電阻惡化，可確保1〇6Ω以上的絕緣電阻。又，介電層的介電係數爲5000，基板層的介電係數爲8·1。電感器2505 的電感値可確保爲〇·5μΗ。又，關於電阻2407的電阻値，可實現100Ω〜1ΜΩ間任意値。如此，若採用本發明之轉寫材，便能容易地實現含有電感器、電容器及電阻器等之被動元件之電路形成。 (實施例13) 圖24 (a)〜（h)所示係，採用第6轉寫材之配線基板的製造製程之槪略截面圖。首先，如圖24 (a)〜（f)所示，製作第6轉寫材。首先，準備厚度35μιη的電解銅箔作爲第1金屬層 2601。首先，將銅鹽原料溶解於鹼液中，使其成爲高電流密度來電沉積於旋轉筒，以製作金屬層（銅層），連續地捲取此銅層，來製作電解銅箔。接著，在前述第1金屬層2601之面上，塗佈以有機層所構成之薄接著劑以形成剝離層2602。在其上，以電敷法來積層與前述第1金屬層2601相同之厚度爲9μπι之電解銅箔，以作爲第2金屬層2603。因此，如圖24 (a)所示，製作出由3層構造所構成之積層體。接著，施行粗化處理，使此表面之中心線平均粗糙度 111 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） " -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 A7 B7 五、發明說明（π) (Ra)變成4μηι左右。再者’前述粗化處理係，使前述電解銅箔上析出銅微粒來進行。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如圖24 (b)所示，在前述積層體上貼上乾膜光阻（DFR) 2604。接著，如圖24 (c)所示，利用微影成像法進行配線圖案部分的曝光及顯影。之後，如圖24 ( d) 所示，再以化學蝕刻法（浸漬在氯化鐵水溶液中），來蝕刻前述積層體中之第2金屬層2602及第1金屬層2601 的表層部，來形成任意之配線圖案。之後，以剝離劑去除殘餘的DFR2604，得到如圖24 ( e) 所示3層構造。由於第1金屬層與第2金屬同樣是由銅所構成，因此，便能以一次的化學蝕刻，將不僅是第2金屬層同時將第1金屬層的表層形成部分凸部的配線層。此構造之特徵在於，可加工至作爲轉寫件層之第1金屬層來形成配線圖案。再者，在本實施例中，雖採用有機層作爲剝離層，亦可採用例如鎳鍍敷層，而得到具有相同作用之轉寫材。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此3層構造，前述第1金屬層2601與作爲配線圖案形成用之第2金屬層2603之間的剝離層2602，本身的接著力弱且具有優異之耐藥品性；因此，即使對此3層構造全體施以蝕刻處理，仍能在不產生層間剝離的情況下形成配線圖案。另一方面，前述第1金屬層2601與第2金屬層2603之間所介在之剝離層2602的接著強度係40gf/cm ，具有優異之剝離性。接著，以網版印刷形成電路元件。在本實施例中，設 112 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（fif ) 定成要組裝在樹脂系基板上，僅形成可同時硬化之電感器、電容器及電阻器等被動元件。作爲電感器2605，採用Ni-Zn肥粒體粉、環氧樹脂 (日本雷庫社製·· EF-450) 10wt%、偶合劑（味之素社製、鈦酸酯系：46B) 0.3重量％，採用高速進行公轉、自轉之混練機將該等成分混練，製作成膠狀物。再者，以磁性合金粉、鐵矽鋁磁性合金粉作爲塡充劑，製作由同樣構成所得之膠狀物。電容器2506，採用Pb 系鈣鈦礦化合物（Pb0-Mg0-Nb205-Ni0_W03^Ti02)粉末，以同樣的構成用混練機混練，製作出膠狀物。電阻器 2607，係製作由使碳含量改變之同樣構成所得之膠狀物。採用該等膠狀物，利用既定形狀之光罩，在圖24 (e )所示之3層構造上，如圖24 (f)所示，藉由印刷形成電路元件，來形成第6轉寫材。印刷後，在90°C、20分鐘之條件下使其乾燥。又，在本轉寫材上，係假定進一步在採用本轉寫材進行轉寫後之配線基板組裝半導體晶片2608,預先形成配線 2613。之後，如前述圖24(g)〜(h)所示，藉以下的方法來製作印刷電路基板。首先，準備基板2610。此基板2610係，調製由複合材料所構成之片狀基材706，於其上設置通孔，在前述通孔內塡充導電性膠2611來製得。以下，顯示前述片狀基材 2610的成分組成。 113 " 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) — ---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（||> ) (片狀基材2610的成分組成） • Al2〇3 (昭和電工製、AS-40 ·•粒徑12μηι) 90重量％ •液狀環氧樹脂（日本雷庫社製、EF_450) 9.5重量％ •碳黑（東洋碳社製）〇·2重量％ •偶合劑（味之素社製、鈦酸酯系：46Β) 0.3重量％將前述各成分依前述組成秤重，對該等之混合物添加作爲黏度調整用溶劑之甲基乙基酮溶劑，直到前述混合物的漿料黏度變成約20Pa · s。接著，再加入氧化鋁之微粒，在鍋中、轉速500rpm的條件下混合48小時，調製出漿料。接著，準備75μιη厚之PET膜作爲脫模膜，在此PET 膜上，採用前述漿料，以刮塗法造出間隔約0.7mm之造膜片。然後，將此造膜片在l〇〇°C下放置1小時，使前述片中之前述甲基乙基酮溶劑揮發，去除前述PET膜，製作出厚度350μπι之片狀基材601。由於前述溶劑的去除是在 l〇〇t進行，因此，前述環氧樹脂仍在未硬化狀態，前述片狀基材706因而具有可撓性。利用此片狀基材的可撓性，利用二氧化δέ雷射將其切成既定的大小，在間距〇.2mm〜2mm之等間隔的位置上設置直徑0.15mm的貫通孔（通孔）。接著，以網版印刷法將通孔塡充用導電性膠2611塡充於此貫通孔內。根據以上製程，製作出前述基板2610。前述導電性膠2611係，利用以下的材料依以下的組成來調製，採用3根輥子所混練出來之物。 114 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（ιΟ) (導電性膠2611的成分組成） < •球狀銅粒子（三井金屬礦業製：粒徑2μηι) 85重量％ •雙酚Α型環氧樹脂（油化殻牌環氧製、艾皮克特828) 3重量％ •縮水甘油酯系環氧樹脂（東都化成製、YD-171 ) 9重量 % •胺加成化合物硬化劑（味之素社製、MY_24) 接著，如圖24 (g)所示，在前述基板2610的兩面上，將如前述所製作出之轉寫材（圖24 (f)),的元件圖案側與其接觸來配置，採用熱壓機，在衝壓溫度120°C、壓力約9.8Xl05Pa ( lOkgf/cm2)下加熱加壓處理5分鐘。再者，關於電容器2606，由於其電介質成爲被上下電極面夾住之構造，因此，亦可預先在基板2610上，經由轉寫來形成電極圖案2612。此種方法，只有在採用電容器被印刷形成之本發明的轉寫材才有可能；以往的方法，在以陶瓷作爲塡充劑之複合基板上印刷電介質層是相當困難。經由此加熱加壓處理，基板2601中之環氧樹脂（前述片狀基材及導電性膠2611中之環氧樹脂）便熔融軟化，如圖24 (h)所示，電路元件圖案（電感器2605、電容器 26〇6及電阻器2607)與作爲配線圖案之第2金屬層2603 ，係埋入於基板2610中。接著，使加熱溫度更進一步上升，在溫度175°C處理60分鐘，使前述環氧樹脂硬化。之後，在配線2613上，將半導體晶片2608作覆晶組裝。如此一來，前述片狀基材與全部電路元件圖案便強力 115 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（IK) 地接著；又，前述導電性膠2611與各電路元件圖案成爲電氣連接(內通孔連接），且被便強力地接著。之後，將轉寫件層之第1金屬層2601、剝離層2602 剝離，得到圖24(h)所示之兩面具有電路元件4圖案(電感器 2605、電容器2606及電阻器2607)以及配線圖案(第2金屬層2603)之配線基板。又，在此配線基板中，於轉寫材中係形成凹部(對應於第1金屬層2601被蝕刻之深度），所有的配線圖案與電路元件圖案係形成於前述凹部之底部。再者，採用此轉寫材，對基板2610進行第2金屬層 2603等的轉寫時，前述第1金屬層2601與第2金屬層 2603之間所存在之剝離層2602的接著面便容易地剝離，因此，能僅將前述第2金屬層2603及電路元每圖案（電感器2605、電容器2606及電阻器2607)轉寫至前述基板。在本實施例，由於作爲轉寫件層之第1金屬層2601 係由35μιη的銅箔所構成，因此，在轉寫時，基板2610的基材即使變形，轉寫件層亦能耐得住此變形應力。另一方面，本實施例之轉寫材，由於配線部分由凸部所構成，壓接時，基板2610的基材便容易流入作爲轉寫件層之第1金屬層2601的凹部內，容易控制使圖案變形之橫方向之變形應力。因此，本實施例之圖案變形量爲，僅i基材的硬化收縮（0.08%)所致之量。再者，在本實施例，雖採用由有機層所構成之剝離層，但是，例如，但亦可採用具有200nm以下厚度之Ni鎪敷層等之鍍敷層作爲剝離層，亦能實現同樣的配線圖案轉 116 -----------裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 Α7 Β7

五、發明說明（uO 寫。又，關於在配線圖案2613上進行半導體晶片2608的覆晶組裝，由於可使凸塊對位至已形成凹部之$線2613，因此相當容易進行組裝。同時，電路元件各別組裝位置亦正確，可一次轉寫來形成嚴密設計之電路基板。本實施例之配線基板’半導體晶片2608的凸塊與配線2613之間的接合良好’又’半導體晶片2608的具有分路(by pass)電容器作用所組裝之電容器2606也能良好地作用。又，即使進行電容器高溫負荷可靠度測試（、50V、100小時），電容器2606的電介質層不會產生絕緣電阻惡化，可確保1〇6Ω以上的絕緣電阻。又，電介質層的介電係數爲200，基板層的介電係數爲8.1。至於電感器2605的電感値，無論是肥粒體或是磁性合金，均可確保在0.5μΗ以上。又，關於電阻器2607的電阻値，可實現100Ω〜1ΜΩ間任意値。如此，若採用本發明之轉寫材，便能容易地實現含有配線圖案、半導體晶片等主動元件，以及電感器、電容器及電阻器等之被動元件之電路形成。 (實施例14) 採用本發明之第4〜第6轉寫材，與前述實施例13 — 樣，採用由複合材料所製作出之基板，製作出圖25所示之多層配線基板。圖26所示係多層配線基板各層的槪略製程之截面圖。 117 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（tl(〇在圖26中，2800A、2800B、及2800C分別表示轉寫材。2800A係，主要爲印刷形成電阻器2803之轉寫材。 2800B係，主要爲印刷形成作爲電容器2804之電介質層之轉寫材。2800C係，主要爲印刷形成作爲電感器2805之磁性層之轉寫材。又，在本實施例中，如圖26 (a)〜（c)所示，採用已預先在基板片中之內通孔內塡充導電性膠2807之材料。其詳細構成與實施例13 —樣，因此，在此省略說明。又，形成在多層配線基板最上層的表面上之配線層 2808與電容器2804之一者的電極2809，已預先經由轉寫等形成於基板片2806上。再者，用於此轉寫之轉寫材，與本發明之轉寫材具有相同構造爲佳。以往，將採用印刷所形成之被動元件內藏於多層基板的時候，係採用在基板生胚上印刷形成各個被動元件之方法。惟，若根據此方法，在基板表面上會產生數十μιη厚的高度差。因此，爲了達到多層化，而持續積層多層基板，則在加壓燒成時，電容器的外緣部位因外加壓力而被壓潰變形，容易造成絕緣性降低，常常發生電容器等的短路。若根據本實施例，如圖26 (b)所示，邊與已預先形成在基板片2806上之電極圖案2809對位，邊對已形成在轉寫材2800B上之電極2802及電介質層2804進行壓接。此時，由於該等電極2802及電介質層2804被埋入流動性佳之基板片2806中，如圖26 (b’）所示，可在表面完全沒有高低差的狀態下作成單層配線基板。 118 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公~_ -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（（q) ; 同樣地，若採用轉寫材2800A及2800C進行轉寫，表面完全不會產生高低差，如圖26 (a，）及（c’）所示，分別形成平坦面。最後，將圖26 〇’）〜（c’）所示之單層配線基板’ 與如圖26 (d，）所示之兩面上已轉寫形成配線菌案之配線基板加以積層，經由前述加壓加熱處理來使片一次硬化。如此一'來’已內藏著電感器、電谷器及電阻器等之電路兀件之各層便被積層，能形成如圖25所示之多^電路基板。若根據本實施例，由於各層均具有無高度差之平坦表面’ 因此，能容易地進行積層製程。如以上所述，本發明之第4〜第6轉寫材，除了微細之配線圖案，尙可印刷形成電感器、電容器及電阻器等之電路元件圖案，將該等圖案一次轉寫，因此，能容易且正確地組裝於基板上。更，爲了能藉由轉寫來組裝配線圖案及元件圖案，可在各層的表面不形成高低差的情況下埋入配線圖案及元件圖案。如此一來’此後的積潘製程’便可在沒有配線斷線以及圖案形狀壓潰等狀態下輕易地進行。再者，在前述實施形態5〜12及實施例11〜I4中，雖舉例顯示已形成包括電感器、電容器及電阻器之所有兀件之轉寫材，但是’其並不一定要形成所有的元件才行。【圖式之簡單說明】圖1所示係本發明之轉寫用圖案形成材（以下，稱作轉寫材）的第1實施形態（第1轉寫材）的-成槪略之截 119 丨本紙張尺度適用中國國冢^ (CNS)A4規格（21G X 297公^ " -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A7 B7 五、發明說明（w) 面圖。圖2所示係本發明之轉寫材的第2實施形態（第2轉寫材）的構成槪略之截面圖。圖3所示係本發明之轉寫材的第3實施形態（第3轉寫材）的構成槪略之截面圖。圖4 (a)〜（f)所示係前述第1轉寫材之製程的槪略截面圖。圖5 (a)〜（e)所示係前述第2轉寫材之製程的槪略截面圖。圖6 (a)〜（e)所示係前述第3轉寫材之製程的槪略截面圖。圖7 (a)〜（c)所示係採用本發明之轉寫材所形成之複合配線基板的製程之一例的槪略截面圖。圖8所示係採用本發明之轉寫材所製作出之陶瓷配線基板之構成槪略截面圖。圖9所示係將半導體晶片以覆晶方式組裝於陶瓷配線基板上之構成槪略截面圖。圖10 (a)〜（j)所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板的製程之一例的槪略截面圖。圖11所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板之一例的槪略截面圖。圖12所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板之另一例的槪略截面圖。圖13所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基 120 ΐ紙張尺度gi"中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公髮) ^ -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 量 1225762 五、發明說明（lj ) 板之又一例的槪略截面圖。圖I4所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板之再一例的槪略截面圖。圖I5所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板之再一例的槪略截面圖。圖16 (a)〜（c)所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板的製程之一例的槪略截面圖。 17 (a)〜（〇所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板的製程之另一例的槪略截面圖。圖18 (a)〜（e)所示係採用本發明之轉寫材所形成之多層配線基板的製程之又一例的槪略截面圖。圖19 (a)及（b)所示係，本發明之第5實施形態之轉寫用元件配線圖案形成材（第4轉寫材）έ構成槪略截面圖。圖20所示係，本發明之第6實施形態之轉寫用元件配線圖案形成材（第5轉寫材）之構成槪略截面圖。圖21所示係，本發明之第7實施形態之轉寫用元件配線圖案形成材（第6轉寫材）之構成槪略截面圖。圖22 (a)〜（g，）所示係，採用前述第4轉寫材之多層電路基板的製程截面圖。圖23 (a)〜（h)所示係，採用前述第$轉寫材之多層電路基板的製程截面圖。圖24 (a)〜（h)所示係，採用前述第6轉寫材之多層電路基板的製程截面圖。 121 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（W) 圖25所示係，採用前述第4〜第6轉寫材所製造出之多層電路基板的截面圖。圖26 (a)〜（c)係示意地表示出’採用本發明之第 6轉寫材來形成構成圖25所示之多層電路基板各層之單層配線基板之截面圖；（a’）〜所示係’以〜（e )的各種方法所形成之多層電路基板各層的截面圖；（d’ )所示係前述多層電路基板最下層之配線基板的截面圖。【符號說明】 101、 401、501、601、705、1002 第 1 金屬層 102、 402、502、602、704、1005 剝離層 103、 403、503、603、703、1004 第 2 金屬層 104、 505、605、702 第 3 金屬層 105、 606、701 第4金屬層 404、504 乾膜光阻（dry film resist) 706 片狀基材义 707、806、1603 導電膠 800、1608、1708 陶瓷配線基板 801 配線層 802 金鑛敷層 805、 1801、1802 生胚 806、 1603、1609、1704、1803 導電膠 903 突起凸塊 904 鋁銲墊又 905 半導體裸晶片 122 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）一 ' 1225762 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（Η) 1001 1604 1605 1610 1702 1705 1804 2101 2102 2103 2104 2105 2106 2107 2108 2401 2403 2404 基板用片配線圖案 ' 1607 單層配線基板 1703 配線層 1807 複合片 1707 配線基板 1805 轉寫材 2201、2203 脫模轉寫件用金屬箔 2203 配線用金屬箔電感器 < 電容器電阻器 2204 、 2304 2205 、 2305 2206 ^ 2306 半導體晶片連接部底層塡料 2501 > 2601 2503 、 2603 、 2504 、 2604 2405〜2408 元件圖案 2409 基板 2410、 2509 導電膠 2411、 2510 電極圖案 2408 半導體晶片 2412 配線圖案

第1金屬層 2702 、 2709 DFR 第2金屬層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1225762 A7 _B7 五、發明說明（ 2502 剝離層 2505、 2605、2705 電感器 2506、 2606、2704 電容器 2507、 2607、2703 電阻器 2508 基板 2706 片狀基材 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A8 B8 S__ 六、申請專利範圍 1. 一種轉寫材，其特徵在於，具備：第1金屬層，係作爲轉寫件；第2金屬層，係作爲配線圖案；、剝離層，係存在於前述第1金屬層與第2金屬層之間，以能自前述第1金屬層和第2金屬層剝離的方式來貼合 ;之至少3層，在前述第1金屬層的表層部係形成有與前述配線圖案相對應之形狀之凸部；在前述凸部區域之上，係形成有前述剝離層及前述第 2金屬層。 2·如申請專利範圍第1項之轉寫材，其年，前述第1 金屬層及第2金屬層分別含有擇自銅、鋁、銀及鎳所構成群中之至少一種之金屬。 3·如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，其中，前述第1金屬層及第2金屬層係含有同一成分之金屬。 4·如申請專利範圍第2項之轉寫材，其中，前述第1 金屬層及第2金屬層係由銅箔所構成。 5·如申請專利範圍第4項之轉寫材，其中，前述剝離層係由能被銅蝕刻液所蝕刻之材料所構成。‘ 6·如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，其中，前述第1金屬層之前述凸部的高度範圍係1〜12μηι。 7·如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，其中，前述剝離層的厚度係在Ιμπι以下。 8·如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，其中， 1 ------訂------^— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 1225762 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍前述剝離層係有機層或金屬鎪敷層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9. 如申請專利範圍第8項之轉寫材，其中，前述剝離層係金鏟敷層。 10. 如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，其中，前述第1金屬層與第2金屬層之隔著剝離層之接著強度係50gf/cm以下。 11. 如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，其中，前述第1金屬層的厚度範圍係4〜40μιη，第2金屬層的厚度範圍係1〜35μπι。 12. 如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，係在前述第2金屬層上進一步具備第3金屬層。 13. 如申請專利範圍第12項之轉寫材，其中，前述第 3金屬層的厚度範圍係2〜30μιη。々 14. 如申請專利範圍第12項之轉寫材，其中，前述第 1〜第3金屬層係含有同一成分之金屬。 15. 如申請專利範圍第12項之轉寫材，其中，前述第 3金屬層係爲金。 16. 如申請專利範圍第12項之轉寫材，係在前述第3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製金屬層上進一步具備第4金屬層，且前述第4金屬層係由對腐蝕前述第1至第3金屬層之蝕刻液具有化學安定性之金屬成分所構成。 < 17. 如申請專利範圍第16項之轉寫材，其中，前述第 4金屬層係由擇自金、銀、鎳、錫、鉍、鉛以及銅中之至少一種金屬所構成，其厚度範圍係1〜ΙΟμπι。 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 1225762 8 88 8 ABCD 六、申請專利範圍 < 18·如申請專利範圍第1項或第2項之轉寫材，係具備與前述第2金屬層作電氣連接、採用印刷法所形成之電路元件。 19·如申請專利範圍桌18項之轉寫材’其中，前述電路元件係含有擇自電感器、電容器以及電阻器中之至少一個元件。 20·如申請專利範圍第18項之轉寫材，其中，前述電路元件係由含有無機塡充劑以及樹脂組成物;έ材料所構成〇 21·如申請專利範圍第18項之轉寫材，其中，前述電路元件係由含有無機塡充劑、有機黏合劑以及可塑劑之材料所構成。 22· —種轉寫材，其特徵在於，具備·· 第1金屬層，係作爲轉寫件；第2金屬層，係作爲金屬配線；之至少兩層；於前述第1金屬層上，具備採用印刷法所形成之電路元件(與前述第2金屬層作電氣連接）。 23·如申請專利範圍第22項之轉寫材，其中，在前述第1金屬層與第2金屬層之間，係具備與前述第1金屬層和第2金屬層之間以能剝離之狀態被貼合之剝離層。 24·如申請專利範圍第23項之轉寫材，其中，前述剝離層的厚度係在Ιμιη以下。 25·如申請專利範圍第23項或第24項之轉寫材，其中’前述剝離層係由有機層或金屬鍍敷層所構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 . 26. 如申請專利範圍第25項之轉寫材，其中，前述剝離層係金鍍敷層。 ^ 27. 如申請專利範圍第23項或第24項之轉寫材，其中，前述剝離層所致之第1金屬層與第2金屬層的接著強度範圍係l〇gf/em〜50gf/cm。 28. 如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材，其中，前述電路元件係包含擇自電感器、電容器以及電阻器中之至少一個元件。 29. 如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材，其中，前述電路元件係由含有無機塡充劑以及樹脂組成物之材料所構成。 30. 如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材’ 其中，前述電路元件係由含有無機塡充劑、有機黏合劑以及可塑劑之材料所構成。 31. 如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材’ 其中，前述第1金屬層的厚度範圍係4〜ΙΟΟμπι ’第2金屬層及電路元件的厚度範圍係1〜35μιη。 32. 如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材’ 其中，前述第1金屬層的表層部上係形成凹凸；前述凸部係對應於前述第2金屬層之配線圖案；在前述凸部上，形成了在前述第1金屬層上之上層。 33. 如申請專利範圍第32項之轉寫材，其中，前述第 1金屬層之前述凸部的高度範圍係1〜。 34. 如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材’ 4 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 六、申請專利範圍其中，前述第1金屬層及第2金屬層分別含有擇自銅、銘、銀及鎳所構成群中之至少〜種之金屬。 35·如申請專利範圍第22〜24項中任一項之轉寫材，其中，前述H 1錢層及第2金屬層係含有同一成分之金 Μ ° ; 36· —種轉寫材之製造方法，其特徵在於，在第1金屬層上形成剝離層；在前述剝離層上形成第2金屬層；使用化學蝕刻法將前述第2金屬層、剝離層以及前述第1金屬層的表層部蝕刻，以將前述第2金屬層及前述剝離層形成出配線圖案形狀，且在前述第1金屬層的表層部上，形成對應於前述配線圖案之形狀的凹凸部。 37·如申請專利範圍第36項之轉寫材之^造方法，係在前述第2金屬層形成後，進行前述蝕刻前： (a) 在前述第2金屬層上，在使前述第2金屬層之表層露出配線圖案的狀態下形成阻鏟層； (b) 在前述第2金屬層露出的區域上，用鍍敷法形成第3金屬層； (c) 剝離前述阻鍍層；之後，利用前述化學蝕刻法，將未形成前述第3金屬層之區域之前述第2金屬層、前述剝離層以i前述第1金屬層的表層部加以蝕刻。 38·如申請專利範圍第37項之轉寫材之製造方法，其中，前述第3金屬層係以對前述化學蝕刻法所使用之蝕刻 5 I紙張尺度適财酬緖準（CNS )八4祕（210X297公着） --------------訂------^— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225762 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍劑具有化學安定性之金屬成分來形成，使前述第3金屬層作爲前述化學蝕刻劑時之阻蝕層來作用。 39·如申請專利範圍第38項之轉寫材之製造方法，其中，前述第3金屬層係以金或銀來形成。 40·如申請專利範圍第37項之轉寫材之製造方法，係在形成前述第3金屬層之後、剝離前述阻鍍層之前，在前述第3金屬層上，以對前述化學蝕刻法所使用之蝕刻劑具有化學安定性之金屬成分來形成第4金屬層；之後，進行前述阻鍍層的剝離以及前述化學蝕刻，將未形成前述第3及第4金屬層之區域之前述第2金屬層、前述剝離層以及前述第1金屬層的表層部加以蝕刻。 41. 如申請專利範圍第40項之轉寫材之製造方法，其中’前述第4金屬層係以對前述化學餓刻法所使用之餓刻劑具有化學安定性之金屬成分來形成，使前述第4金屬層作爲前述化學蝕刻劑時之阻蝕層來作用。。 42. 如申請專利範圍第41項之轉寫材之製造方法，其中’前述第4金屬層係以金或銀來形成。 43·如申請專利範圍第36〜42項中任一項之轉寫材之製造方法，其中，前述第2金屬層係以電鍍法來形成。 44·如申請專利範圍第36〜42項中任一項之轉寫材之製造方法，其中，前述第1金屬層及第2金屬層係由同一成分之金屬所構成。 45·如申請專利範圍第36〜42項中任一項之轉寫材之製造方法，其中，使用前述化學蝕刻法將前述第1金屬層 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------訂------~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225762 g8s 六、申請專利範圍的表層部蝕刻的深度範圍係、&4匕如申請專利範圍第36〜42項中任一項之轉寫材之製:tH方法，係包含將前述第2金屬層之麵予以粗化之製程。二如申請專獅mu 461垃轉·之製造方法，其中目丨J述被表面粗化處理之第2金屬層麵之中心線平均粗度係2μιη以上。 48·如申請專利範圍第刊〜42項中任一琯之轉製造方法，髓與前浦2纟屬層作電氣連接的方式，藉印刷法來形成電路元件。 < 49·如申請專利範圍第48項之轉寫材之製造方法，其中，前述印刷法係網版印刷。 5〇·如申請專利範圍第48項之轉寫材之製造方法，其中，前述電路元件係以含有無機填細及樹脂組成物之材料所形成。 51·如申請專利範圍第48項之轉寫材之製造方法，其中，前述電路元件係由含有無機填充劑、有機黏合劑以及可塑劑之材料所形成。 ‘ 52· —種轉寫材之製造方法，其特徵在於·· 在第1金屬層上，讓第2金屬層形成爲配線圖案形狀採用印刷來形成與前述第2金屬層作電氣連接之電路元件。 53·如申請專利範圍第52項之轉寫材之製造方法，其本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公嫠） ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 f 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 1225762 A8 B8 __^_§__〜六、申請^利範圍 —— 中’前述電路元件係採用網版印刷來形成。 54·如申請專利範圍第52項或第53項之轉寫材之製造方法，其中，前述第2金屬層係採用鍍敷法來形成。 55. —種轉寫材之製造方法，其特徵在於在第1金屬層上，形成剝離層及第2金屬層；將前述第2金屬層及剝離層加工成配線圖案形狀；採用印刷來形成與前述第2金屬層作電氣連接之電路兀件。 56·如申請專利範圍第55項之轉寫材的製造方法，其中，前述電路元件係採用網版印刷來形成。 ^ 57·如申請專利範圍第55項或第56項之轉寫材之製造方法，係使用化學蝕刻法將前述第2金屬層及剝離層加工成配線圖案形狀，且在第1金屬層的表層部，形成對應於前述配線圖案形狀之凸部的凹凸部。 58·如申請專利範圍第57項之轉寫材之製造方法，係在前述第2金屬層形成後、進行前述蝕刻前： μ (a) 在前述第2金屬層上，使前述第2金屬層之表層^ 露出配線圖案的狀態下形成阻鏟層； (b) 在前述第2金屬層露出的區域上，用鍍敷法形第3金屬層；； " (c) 剝離前述阻鑛層；之後，利用前述化學蝕刻法，將未形成前述第3金屬層之區域之前述第2金屬層、前述剝離層以及前述第丨金屬層的表層部加以蝕刻。 ~ 8 — f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 、-" t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 59. 如申請專利範圍第58項之轉寫材之製造方法，其中，前述第3金屬層係以對前述化學蝕刻法所使用之餓刻劑具有化學安定性之金屬成分來形成，使前述第3金屬層作爲前述化學蝕刻劑時之阻蝕層來作用。 60. 如申請專利範圍第59項之轉寫材之製造方法，其中，前述第3金屬層係以金或銀來形成。义 61. 如申請專利範圍第58項之轉寫材之製造方法，係在形成前述第3金屬層之後、剝離前述阻鎪層之前；於前述第3金屬層上，以對前述化學蝕刻法所使用之蝕刻劑具有化學安定性之金屬成分來形成第4金屬層；之後，進行前述阻鍍層的剝離以及前述化學蝕刻，將未形成前述第3及第4金屬層之區域之前述第2金屬層、前述剝離層以及前述第1金屬層的表層部加以蝕刻。 62·如申請專利範圍第61項之轉寫材之製造方法，其中，前述第4金屬層係以對前述化學蝕刻法所使用之触刻劑具有化學安定性之金屬成分來形成，使前述第4金屬層作爲前述化學蝕刻劑時之阻蝕層來作用。 63.如申請專利範圍第62項之轉寫材之製造方法，其中，前述第4金屬層係以金或銀來形成。 64·如申請專利範圍第57項之轉寫材之製造方法，其中，前述第2金屬層係以電鍍法來形成。 65·如申請專利範圍第57項之轉寫材之製造方法，其中，前述第1金屬層及第2金屬層係由同一成分之金屬所構成。 9 ------訂------^— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 66. 如申請專利範圍第57項之轉寫材之製造方法，其中，使用前述化學蝕刻法將前述第1金屬層的表層部蝕刻的深度範圍係1〜12μπι。 67. 如申請專利範圍第57項之轉寫材之製造方法，係包含將前述第2金屬層之表面予以粗化之製程。 68·如申請專利範圍第67項之轉寫材之製造方法，其中，前述之被表面粗化處理之第2金屬層表面之中心線平均粗度係2μπι以上。 69. —種配線基板，係具備：電氣絕緣性基板；以及利用申請專利範圍第1〜21項中任一項之轉寫材在前述電氣絕緣性基板的至少一主面上所形成之配線圖案；其特徵在於，前述配線圖案係被形成於前述主面所形成之凹部內。 70. 如申請專利範圍第69項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係具備塡充有導電性組成物之貫通孔；前述配線圖案係與前述導電性組成物作電氣連接。 71. 如申請專利範圍第69項或第70項之配線基板，其中，前述凹部的深度範圍係1〜12μιη。 72. 如申請專利範圍第69項或第70項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係包含無機塡充劑及熱硬化性樹脂組成物，並具備塡充有導電性組成物之貫通孔。 73·如申請專利範圍第72項之配線基板，其中，前述無機塡充劑係擇自Α12〇3、MgO、BN、AiN及Si02所構成 10 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 1225762 B8 C8 D8 六、申請專利範圍群中之至少一種之無機塡充劑；前述無機塡充劑的比例係70〜95重量％ ; 則述熱硬化性樹脂組成物之比例係5〜30重量％。 74·如申請專利範圍第69項或第70項之配線基板，其中’前述電氣絕緣基板係對擇自玻璃纖維之織布、玻璃纖維之不織布、耐熱有機纖維之織布及耐熱有機纖維之不織布所構成群中之至少一種之補強材，含浸熱硬化性樹脂組成物所構成者。 75·如申請專利範圍第69項或第70項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係由陶瓷所構成。 76·如申§靑專利範圍第75項之配線基板，其中，前述陶瓷係含有擇自 Al2〇3、MgO、Zr02、Ti02、Si02、BeO、 BN、CaO及玻璃所構成群中之至少一種成分，或是含有Bi 一 Ca—Nb — Ο之陶瓷。 77. 如申請專利範圍第69項或第70項之配線基板，係進一步於前述主面的凹部內所形成的配線圖案上，具備由鍍敷法所形成之金屬層。 78. 如申請專利範圍第69項或第70項之配線基板，係具備與形成於前述主面之凹部內之配線圖案連接之半導體元件’前述半導體元件之凸塊係對位於前述凹部而被覆晶接合。 79· —種多層配線基板，係積層複數之配線基板而構成內通孔構造；其特徵在於，於至少一層係具備申請專利範圍第69〜78項中任一項之配線基板。 π 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2Ϊ〇χ 297公釐) _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 1225762 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 80.如申請專利範圍第79項之配線基板，其中， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述複數之配線基板之至少一片爲具有電氣絕緣性基板(含有陶瓷)之陶瓷配線基板；前述陶瓷配線基板之至少一者，其主面之至少一側係具有形成爲凸狀之配線圖案；積層在形成有前述凸狀之配線圖案之主i之配線基板係一複合配線基板，該複合配線基板具備電氣絕緣基板(含有熱硬化性樹脂組成物）；前述凸狀之配線圖案係被埋設於前述複合配線基板之主面。 8L如申請專利範圍第80項之配線基板，其中，前述陶瓷配線基板之燒結溫度係1050°C以上。 82. 如申請專利範圍第79項之配線基板，其中，前述複數之配線基板之至少二者爲具有電氣絕緣基>反(含有陶瓷 )之陶瓷配線基板；前述陶瓷配線基板中之至少一者係含有與另一陶瓷配線基板不同的陶瓷材料；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在彼此含有不同陶瓷材料的陶瓷基板之間，配置著具有電氣絕緣基板(含有熱硬化性樹脂組成物)的配線基板。 83. 如申請專利範圍第79項之配線基板，其中，前述複數之配線基板之至少最上層與最下層係複合配線基板，該複合配線基板具備電氣絕緣基板(含有熱硬也性樹脂組成物）；其內層係具備陶瓷配線基板，該陶瓷配線基板具有電 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 A8B8C8D8 六、申請專利範圍氣絕緣基板(含有陶瓷）。 84· —種配線基板，其特徵在於，具備：笔熱絕緣性基板；採用申請專利範圍第22〜35項中任一項之轉寫材在前述電氣絕緣性基板的至少一主面上所形成之配線圖案及電路元件；. 前述電路元件係與前述配線圖案作電氣連接，前述電 •路元件及前述配線圖案係被埋設於前述主面。 85.如申請專利範圍第84項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係具有塡充著導電性組成物之貫通孔；前述配線圖案係與前述導電性組成物作電氣連接。 86·如申請專利範圍第84項或第85項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係含有無機塡充劑及熱硬化性樹脂組成物，且具備塡充有導電性組成物之貫通孔。 87.如申請專利範圍第86項之配線基板，其中，前述無機塡充劑係擇自A1203、MgO、BN、A1N及Si02所構成群中之至少一種之無機塡充劑；前述無機塡充劑的比例係70〜95重量％ ; 前述熱硬化性樹脂組成物之比例係5〜30重量％。 88·如申請專利範圍第84項或第85項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係對擇自玻璃纖維之織布、玻璃纖維之不織布、耐熱有機纖維之織布及耐熱有機纖維之不織布中之至少一種之補強材含浸熱硬化性組成物所構成 ‘者。 13 用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公^ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) ,ν一tf 1225762 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 89. 如申請專利範圍第84項或第85項之配線基板，其中，前述電氣絕緣性基板係由陶瓷材料所構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 90. 如申請專利範圍第75項之配線基板=其中，前述陶瓷材料係含有擇自Al2〇3、MgO、Zr02、Ti02、Si02、 BeO、BN、CaO及玻璃所構成群中之至少一種之陶瓷，或是含有Bi — Ca- Nb- Ο之陶瓷。 91. 一種多層配線基板，係積層複數之配線基板而構成內通孔構造；其特徵在於，其中至少一層係具備申請專利範圍第84〜90項中任一項之配線基板。 92. 如申請專利範圍第91項之配線基板，其中，前述複數之配線基板之至少一者爲具有電氣絕緣基板(含有陶瓷 )之陶瓷配線基板；前述陶瓷配線基板之至少一者，其主面之至少一側係具有形成爲凸狀之配線圖案；積層在形成有前述凸狀之配線圖案之主面之配線基板係一複合配線基板，該複合配線基板具備電氣絕緣基板(含有熱硬化性樹脂組成物）；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製前述凸狀之配線圖案係被埋設於前述複合配線基板之主面。 ‘ 93. 如申請專利範圍第92項之配線基板，其中，前述陶瓷配線基板之燒結溫度係1050°C以上。 94. 如申請專利範圍第91項之配線基板，其中，前述複數之配線基板之至少二者爲具有電氣絕緣基板(含有陶瓷 )之陶瓷配線基板； 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍前述陶瓷配線基板中之至少一者係含有與另一陶瓷配線基板不同的陶瓷材料； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在彼此含有不同陶瓷材料的陶瓷基板之間，配置著具有電氣絕緣基板(含有熱硬化性樹脂組成物)的配線基板。 95·如申請專利範圍第91項之配線基板，其中，前述複數之配線基板之至少最上層與最下層係複合配線基板，該複合配線基板具備電氣絕緣基板(含有熱硬化性樹脂組成物）；其內層係具備陶瓷配線基板，該陶瓷配線基板具有電氣絕緣基板(含有陶瓷）。 96·—種配線基板之製造方法，係採用申請專利範圍第1〜21項中任一項之轉寫材來製造配線基板；其特徵在於·· 將前述轉寫材之至少配線圖案金屬層(含有第2金胃胃 )之形成側，壓接於未硬化狀態之片狀基材中之至少一主面經濟部智慧財產局員工消費合作社印製藉由前述剝離層，將貼合於前述第2金屬層之前述第 1金屬層自前述第2金屬層剝離，來將前述配線圖案金屬層轉寫至前述片狀基材。 97.如申請專利範圍第96項之配線基板之製造方法’ 係將已轉寫出前述配線金屬層之片狀基材，在前述未硬化狀態下至少兩層積層來形成積層體，然後使前述積層體全層之前述片狀基材一起硬化。 98·如申請專利範圍第96項或第97項之配線基板之 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍製造方法，其中，前述片狀基材係包含無機塡充劑及熱硬化性樹脂組成物，且具備塡充有導電性組成物之貫通孔。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 99·如申請專利範圍第98項之配線基板之製造方法’ 其中，前述無機塡充劑係擇自A12〇3、MgO、BN、A1N及 Si〇2所構成群中之至少一種之無機塡充劑；前述無機塡充劑對前述片狀基材全體的所佔比例係70 〜95重量％ , 前述熱硬化性樹脂組成物對前述片狀基材全體的所佔比例係5〜30重量％。 100. 如申請專利範圍第96項或第97項之配線基板之製造方法，其中，前述片狀基材係對擇自玻璃纖維之織布、玻璃纖維之不織布、耐熱有機纖維之織布及耐熱有機纖維之不織布所構成群中之至少一種之補強材含浸熱硬化性樹脂組成物所構成者。 101. 如申請專利範圍第96項或第97項之配線基板之製造方法，其中，前述片狀基材係含有聚醯亞胺。 1〇2·如申請專利範圍第96項或第97項之配線基板之製造方法，其中，前述片狀基材係含有：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製有機黏合劑；可塑劑；以及含有擇自 Al2〇3、MgO、Zr〇2、Ti〇2、Si〇2、BeO、 BN、CaO、玻璃所構成群中之至少一種之陶瓷所成的陶瓷粉末；所構成之陶瓷片。 16 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） 1225762 A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 103·如申請專利範圍第102項之配線基板之製造方法，其中，對前述陶瓷片的兩主面進行採用前述轉Λ材之前述配線圖案金屬層的轉寫；在前述陶瓷片的兩面或單面，配置主成分爲無機組成物之約束片，該無機組成物在前述陶瓷片的燒結溫度下並無實質的燒結收縮；將前述陶瓷片與前述約束片一同燒成；燒成後，去除前述約束片，得到陶瓷配線基板。 104·如申請專利範圍第103項之配線基板之製造方法，係對含有熱硬化性樹脂組成物之片狀基材乏至少一主面，進行採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫，來得到複合配線基板；將前述陶瓷配線基板與前述複合配線基板積層，邊加熱邊壓接，得到多層配線基板。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} t. 1〇5·如申請專利範圍第103項或第104項之配線基板之製造方法，在進行採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫之前，在前述陶瓷片形成貫通孔，對前述貫通孔內塡充導電性組成物。 ‘ 106·—種配線基板之製造方法，其特徵在於，在陶瓷片上形成貫通孔；在形成有前述貫通孔之陶瓷片的兩面或單面，配置主成分爲無機組成物之約束片，該無機組成物在前述陶瓷片的燒結溫度下並無實質的燒結收縮； 17 尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）— ' 1225762 ABCD 鼇六、申請專利範圍將前述陶瓷片與前述約束片一同燒成；燒成後，去除前述約束片； (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁〕在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之陶瓷基板；將申請專利範圍第1〜21項中任一項之―寫材之至少配線圖案金屬層(含有第2金屬層)之形成側，壓接於含有熱硬化性樹脂組成物之未硬化狀態之片狀基材中之至少〜主面， &、藉由前述剝離層，將貼合於前述第2金屬層之前述第 1金屬層自前述第2金屬層剝離，來將前述配線圖案金屬層轉寫至前述片狀基材； t 於前述轉寫前或轉寫後，對含有前述熱硬化性樹脂組成物之片狀基材形成貫通孔，在前述貫通孔巧塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之複合配線基板；將前述陶瓷配線基板與前述複合配線基板積層，邊加熱邊壓接，來得到多層配線基板。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1〇7·如申請專利範圍第1〇5項或第1〇6項之配線基板之製造方法，在前述陶瓷片形成貫通孔時，同時形成：積層前述陶瓷基板與前述複合配線基板時之對位接腳用之貪通孔。 108·如申請專利範圍第107項之配線基板之製造方法 ’其中’前述貫通孔之孔徑係比前述接腳直徑大2〜10% 〇 1G9·如申請專利範圍第96項或第97項之配線基板之 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 製造方法，係在採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫後’對前述片狀基材表面上所形成之配線圖案金屬層上，施以鍍敷處理。 UG· —種配線基板之製造方法，係採用申請專利範圍胃22〜35項中任一項之轉寫材來製造配線基板；其特徵在於，將前述轉寫材之至少第2金屬層及前述電路元件之形接於未硬化狀態之片狀基材之至少一生面， _由剝離前述第1金屬層，將至少前述第2金屬層及前述電路元件轉寫至前述片狀基材。 Ul·如申請專利範圍第110項之配線基板之製造方法前述轉寫後之片狀基材，在前述未硬化狀態下積層胃層來形成積層體，然後使前述積層體全層之前述片狀基材層〜起硬化。 112·如申請專利範圍第110項或第111項之配線基板，其中，前述片狀基材係含有無機塡充劑及熱硬化性樹脂組成物，且具有塡充著導電性組成物之貫通孔 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 113·如申請專利範圍第112項之配線基板之製造方法 ’其中’前述無機塡充劑係擇自Al2〇3、MgO ' BN、A1N 及Sl=所構成群中之至少一種之無機塡充劑；則述無機塡充劑對前述片狀基材全體的所佔比例係70 〜95重毚％，則述熱硬化性樹脂組成物對前述片狀基材全體的所佔 __ 19 木氏張尺度適用中國)八4胁(210X297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍比例係5〜30重量％。 114·如申請專利範圍第110項或第111項之配線基板的製造方法，其中，前述片狀基材係對擇自或璃纖維之織布、玻璃纖維之不織布、耐熱有機纖維織之布及耐熱有機纖維之不織布所構成群中之至少一種之補強材含浸熱硬化性組成物所構成者。 115·如申請專利範圍第110項或第111項之配線基板之製造方法，其中，前述片狀基材係含有聚醯亞胺。 116·如申請專利範圍第110項或第ill項之配線基板之製造方法，其中，前述片狀基材係含有：有機黏合劑； ; 可塑劑，以及含有擇自 Al2〇3、MgO、Zr02、Ti〇2、Si02、BeO、 BN、CaO、玻璃所構成群中之至少一種陶瓷所成之陶瓷粉末；所構成之陶瓷片。 117.如申請專利範圍第116項之配線基板之製造方法，係對前述陶瓷片的兩主面進行採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫； 4 在前述陶瓷片的兩面或單面，配置主成分爲無機組成物之約束片，該無機組成物在前述陶瓷片的燒結溫度下並無實質的燒結收縮；將前述陶瓷片與前述約束片一同燒成；燒成後，去除前述約束片，得到陶瓷配線基板。 20 --------------訂------ f請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁〕本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225762 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 118.如申請專利範圍第117項之配線基板之製造方法 ’係對含有熱硬化性樹脂組成物之片狀基材中至少一主面 ’進行採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫，得到複合配線基板；將前述陶瓷配線基板與前述複合配線基板積層’邊加熱邊壓接，得到多層配線基板。 119·如申請專利範圍第117項之配線基板之製造方法，在進行採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫之前，在前述陶瓷片形成貫通孔，然後在前述貫通孔內塡充導電性組成物。 120. —種配線基板之製造方法，其特徵在於，在陶瓷片形成貫通孔；在形成前述貫通孔之陶瓷片的兩面，配置主成分爲無機組成物之約束片，該無機組成物在前述陶瓷片的燒結溆度下並無實質的燒結收縮；將前述陶瓷片與前述約束片一同燒成；燒成後’去除則述約束片；在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物’製得附有通孔導體之陶瓷基板；將申請專利範圍第22〜35項中任一項之轉寫材之至少配線圖案金屬層(含有第2金屬層)之形成側，壓接於含有熱硬化性樹脂組成物之未硬化狀態之片狀基材中之至少一主面，藉由前述剝離層，將貼合於前述第2金屬層之前述第 21 --------------訂----—^wi C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1225762 A8 B8 C8 ___ D8 穴、申請專利範園 1金屬層自前述第2金屬層剝離，來將前述配線圖案金屬層轉寫至前述片狀基材； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於前述轉寫前或轉寫後，對含有前述熱硬化性樹脂組成物之片狀基材形成貫通孔，在前述貫通孔內塡充熱硬化性之導電性組成物，製得附有通孔導體之複合配線基板；將前述陶瓷配線基板與前述複合配線基板積層，邊加熱邊壓接，得到多層配線基板。 121·如申請專利範圍第119項之配線基板之製造方法 ’在前述陶瓷片形成貫通孔時，同時形成積層前述陶瓷基板與前述複合配線基板時之對位接腳用之貫通孔。 122·如申請專利範圍第121項之配線基板之製造方法 ’其中’前述貫通孔之孔徑係比前述接腳直徑大2〜10% 〇 123·如申請專利範圍第no項或第ill項之配線基板之製造方法，其中，在採用前述轉寫材之前述配線圖案金屬層的轉寫後，對前述片狀基材表面上所形成之配線圖案金屬層上，施以鍍敷處理。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製張紙本