TWI393153B - A method for forming a conductive pattern and a conductive film substrate - Google Patents

A method for forming a conductive pattern and a conductive film substrate Download PDF

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Description

導電圖型之形成方法及導電膜基板
本發明係有關感光性導電薄膜、導電膜之形成方法、導電圖型之形成方法及導電膜基板，特別是關於作為液晶顯示元件等之平面顯示器、觸控螢幕、太陽電池等之裝置的電極配線所用之導電圖型之形成方法及導電膜基板。
在個人電腦或電視等之大型電子儀器、衛星導航系統、行動電話、電子辭典等之小型電子儀器、OA‧FA儀器等之顯示儀器中，液晶顯示元件或觸控螢幕的使用相當普及。此等液晶顯示元件或觸控螢幕、甚至是太陽電池等之裝置中，在被要求要透明的配線、像素電極或端子的一部分，係使用有透明導電膜。
透明導電膜之材料方面，過去以來係使用有對可見光顯示出高透過率之ITO(Indium-Tin-Oxide)、氧化銦及氧化錫等。液晶顯示元件用基板等之電極，則以將上述之材料所成的透明導電膜圖型化者為主流。
透明導電膜之圖型化方法方面係以於形成透明導電膜後，藉由光微影法形成光阻圖型，且藉由濕性蝕刻去除導電膜之預定部分而形成導電圖型之方法為一般。在ITO及氧化銦膜的情況下，蝕刻液係以使用由鹽酸與氯化鐵(ferric chloride)之2液所成的混合液為一般。
ITO膜或氧化錫膜一般係以濺鍍法而形成。但是，此方法與濺鍍方式的差異在於，透明導電膜之性質會因濺鍍功率或氣體壓力、基板溫度、周圍環境氣體之種類等而容易改變。因濺鍍條件的變動所致之透明導電膜的膜質差異，會成為透明導電膜在濕性蝕刻時蝕刻速度不均的原因，且容易導致因圖型化不良所致製品良率的降低。又，上述導電圖型之形成方法，因經過濺鍍步驟、光阻形成步驟及蝕刻步驟之故，其步驟長，在成本面上亦成沈重負擔。
最近，為了解決上述之問題，係嘗試了使用能取代ITO、氧化銦及氧化錫等之材料來形成透明的導電圖型。例如，在下述專利文獻1，係揭示有一導電圖型之形成方法，其係在基板上形成含有銀纖維等之導電性纖維的導電層後，於導電層上形成感光性樹脂層，並自其上介由圖型光罩進行曝光、顯像而成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利公開第2007/0074316號公報
然而，在上述專利文獻1中所記載的方法，經本發明者的檢討發現，暨要確保基板與導電圖型的接著性，又要導電圖型之表面電阻率為低電阻率化，確有其困難。又，使用前述導電圖型作為配線、像素電極或端子時，必須有去除感光性樹脂層的步驟，且導電圖型形成的步驟也有煩雑化的問題。
本發明係有鑑於存在上述習知技術之問題而完成者，其係以提供：可於基板上以充分的解像度即能簡便地形成與基板間具有充分接著性、且表面電阻率十分小的導電圖型之感光性導電薄膜，以及使用此感光性導電薄膜的導電膜之形成方法、導電圖型之形成方法及導電膜基板為目的。
為了解決上述課題，本發明係提供一具備有支持薄膜、設置於該支持薄膜上含有導電性纖維之導電層、設置於該導電層上之感光性樹脂層的感光性導電薄膜。
根據本發明之感光性導電薄膜，係以藉由具有上述構成，層壓感光性導電薄膜以於基板上使感光性樹脂層密著而將此曝光、顯像之簡便的步驟，而可以充分的解像度形成與基板具有充分接著性、且表面電阻率十分小的導電圖 型。
本發明之感光性導電薄膜中，上述導電層及上述感光性樹脂層的層合體，係以使兩層的合計膜厚為1~10μm時，位於450~650nm之波長區域中的最小光透過率為80%以上者為佳。當導電層及感光性樹脂層滿足如此之條件時，在顯示器面板等的高亮度化會容易許多。
又，本發明之感光性導電薄膜中，若以可容易調整所形成的導電膜之導電性的點來看，則上述導電性纖維係以銀纖維為佳。
若由使基板與導電圖型的接著性及導電膜之圖型化性更加提升的觀點來看，上述感光性樹脂層係以含有黏合劑聚合物、具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物及光聚合起始劑者為佳。
本發明又提供一種導電膜之形成方法，其係具備有層壓本發明之感光性導電薄膜，以於基板上使感光性樹脂層密著之層壓步驟、與於基板上的感光性樹脂層照射活性光線之曝光步驟。
根據本發明之導電膜之形成方法，係可使用本發明之感光性導電薄膜並藉由實施上述步驟，而容易於基板上形成與基板具有充分接著性且表面電阻率十分小的導電膜。
本發明又提供一導電圖型之形成方法，其係具備有層壓本發明之感光性導電薄膜，於基板上使感光性樹脂層密著之步驟、在基板上的感光性樹脂層預定部分照射活性光線之曝光步驟、藉由使經曝光之感光性樹脂層顯像而形成導電圖型之顯像步驟。
根據本發明之導電圖型之形成方法，係可使用本發明之感光性導電薄膜並藉由實施上述步驟，而在基板上可以充分的解像度來簡便地形成與基板具有充分接著性且表面電阻率十分小的導電圖型。
本發明又提供一導電膜基板，其係具備基板，與在該基板上藉由本發明之導電膜的形成方法所形成之導電膜。
本發明又提供一導電膜基板，其係具備基板，與在該基板上藉由本發明之導電圖型的形成方法所形成之導電圖型。
本發明之導電膜基板中，係以上述導電膜或上述導電圖型之表面電阻率為2000 Ω/□以下者為佳。
根據本發明係可提供：在基板上可以充分的解像度來簡便地形成一與基板具有充分接著性且表面電阻率十分小的導電圖型之感光性導 電薄膜，以及，使用此感光性導電薄膜的導電膜之形成方法、導電圖型之形成方法及導電膜基板。
[實施發明之形態]
以下，就本發明之較適實施形態詳細地說明。此外，本說明書中所謂「(甲基)丙烯酸酯」，意指「丙烯酸酯」及其所對應之「甲基丙烯酸酯」。同樣地所謂「(甲基)丙烯基」，意指「丙烯基」及其所對應「甲基丙烯基」、而所謂「(甲基)丙烯醯基」則意指「丙烯醯基」及其所對應之「甲基丙烯醯基」。
圖1係顯示本發明之感光性導電薄膜的一適合實施形態之模式剖面圖。圖1所示之感光性導電薄膜10，係具備有支持薄膜1、設置於支持薄膜1上之具有導電性纖維的導電層2、與設置於導電層2上的感光性樹脂層3。
以下，係各別就構成感光性導電薄膜10的支持薄膜1、含有導電性纖維的導電層2及感光性樹脂層3進行詳細說明。
支持薄膜1方面，可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等之具有耐熱性及耐溶劑性的聚合物薄膜。此等之中，由透明性或耐熱性的觀點來看，係以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為佳。此外， 此等之聚合物薄膜，因之後必須可由感光性樹脂層去除之故，不得為施以無法去除之表面處理者或材質。
又，支持薄膜1的厚度係以5~300μm為佳、10~200μm更佳、15~100μm特別佳。支持薄膜的厚度若小於5μm，則機械的強度會降低，且在為了形成導電層2而塗佈導電性纖維分散液或是為了形成感光性樹脂層3而塗佈感光性樹脂組成物的步驟、或使曝光之感光性樹脂層3進行顯像前剝離支持薄膜的步驟中，支持薄膜有易破的傾向。另外，支持薄膜的厚度若超過300μm，則透過支持薄膜使活性光線照射於感光性樹脂層時，圖型之解像度會有降低的傾向，且價格會變高。
支持薄膜1的霧度值，若由使感度及解像度良好的觀點來看，係以0.01~5.0%為佳、0.01~3.0%更佳、0.01~2.0%特佳、0.01~1.0%極佳。此外，霧度值係可以JIS K 7105為準進行測定，例如可使用NDH-1001DP(日本電色工業(股)製、商品名)等之市售的濁度計等進行測定。
導電層2中所含之導電性纖維方面，可舉例如金、銀、鉑等之金屬纖維、及奈米碳管等之碳纖維。此等係可單獨使用1種或組合2種以上 使用之。由導電性的觀點來看，係以使用金纖維或銀纖維為佳。金纖維及銀纖維係可單獨使用1種或組合2種以上使用之。再者，由可容易調整所形成之導電膜的導電性之觀點來看，以銀纖維更佳。
上述的金屬纖維，係可藉由例如將金屬離子以NaBH4 等之還原劑予以還原之方法、或藉由多元醇法進行調製。
奈米碳管係可使用Unidym公司的Hipco單層奈米碳管等之市售品。
導電性纖維的纖維徑，以1nm~50nm為佳、2nm~20nm更佳、3nm~10nm特別佳。又，導電性纖維的纖維長，以1μm~100μm為佳、2μm~50μm更佳、3μm~10μm特別佳。纖維徑及纖維長係可藉由掃瞄式電子顯微鏡而測定。
導電層2的厚度雖會因使用本發明之感光性導電薄膜所形成的導電膜或導電圖型之用途、所要求的導電性而異，但以1μm以下為佳、1nm~0.5μm更佳、5nm~0.1μm特別佳。導電層2的厚度若為1μm以下，則位於450~650nm之波長區域的光透過率高、圖型形成性亦優，特別適合於透明電極的製作。
導電層2係以具有導電性纖維彼此接觸而成之網目構造者為佳。具有如此之網目構造的導 電層2，雖可形成於感光性樹脂層3之支持薄膜側表面上，但因剝離支持薄膜時露出的表面中，若可在其面方向得到導電性的話，亦可以含於感光性樹脂層3的支持薄膜側表層之形態而形成。此外，具有網目構造之導電層2的厚度，係指藉由掃瞄式電子顯微鏡照相所測定的值。
含有導電性纖維的導電層2，係可藉由例如在支持薄膜1上塗佈將上述導電性纖維分散於水及/或有機溶劑中之視需要已添加界面活性劑等之分散安定劑等所成的導電性纖維分散液後，進行乾燥而形成。乾燥後，形成於支持薄膜1上之導電層2，可視需要而層壓。塗佈係可藉由例如輥塗佈法、刮刀塗佈法、凹版塗佈法、空氣刀塗佈法、擠壓塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法等之公知的方法予以實施。又，乾燥係可於30~150℃ 1~30分鐘程度，以熱風對流式乾燥機等予以施行。導電層2中，導電性纖維可與界面活性劑或分散安定劑共存。
感光性樹脂層3方面，係可舉出由含有(a)黏合劑聚合物、(b)具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物及(c)光聚合起始劑的感光性樹脂組成物所形成者。
(a)黏合劑聚合物方面，可舉例如丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、環氧樹脂、醯胺樹脂、醯 胺環氧樹脂、醇酸樹脂、苯酚樹脂、酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂與(甲基)丙烯酸反應所得之環氧丙烯酸酯樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂與酸酐反應所得之酸改性環氧丙烯酸酯樹脂等。此等之樹脂係可單獨使用1種或組合2種以上使用之。由鹼顯像性及薄膜形成性優異之觀點來看，係以使用丙烯酸樹脂為佳，該丙烯酸樹脂若具有係來自(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸烷基酯之單體單位作為構成單位則更佳。在此，所謂「丙烯酸樹脂」意指，主要具有來自含(甲基)丙烯基之聚合性單體的單體單位之聚合物。又，本說明書中之「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及其對應之「甲基丙烯酸」、而所謂「(甲基)丙烯酸烷基酯」意指「丙烯酸烷基酯」及其對應之「甲基丙烯酸烷基酯」。
上述丙烯酸樹脂係可使用將具有(甲基)丙烯基之聚合性單體進行自由基聚合而製造者。此丙烯酸樹脂係可單獨使用1種或組合2種以上使用之。
上述具有(甲基)丙烯基之聚合性單體方面，可舉例如二丙酮丙烯醯胺等之丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氫糠基酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙基酯、 (甲基)丙烯酸二乙基胺基乙基酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油基酯、2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,3,3-四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、α-溴代(甲基)丙烯酸、α-氯代(甲基)丙烯酸、β-呋喃(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸等。
又，上述丙烯酸樹脂除了如上述具有(甲基)丙烯基之聚合性單體外，亦可與：在苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等之α-位或者芳香族環中經取代之可聚合的苯乙烯衍生物、丙烯腈、乙烯基-n-丁基醚等之乙烯基醇之酯類、馬來酸、馬來酸酐、馬來酸單甲基酯、馬來酸單乙基酯、馬來酸單異丙基等之馬來酸單酯、富馬酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、伊康酸、巴豆酸等之1種或2種以上的聚合性單體進行共聚合。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯方面，可舉例如以下述一般式(1)所示之化合物、此等化合物之烷基上有氫氧基、環氧基、鹵素基等取代之化合物。
CH2 =C(R1 )-COOR2 …(1)
在此，R1 表示氫原子或甲基；R2 表示碳數1~12之烷基。上述碳數1~12之烷基方面，可舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基及此等之異構物。
上述以一般式(1)所示之化合物方面，可舉例如(甲基)丙烯酸甲基酯、(甲基)丙烯酸乙基酯、(甲基)丙烯酸丙基酯、(甲基)丙烯酸丁基酯、(甲基)丙烯酸戊基酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸庚基酯、(甲基)丙烯酸辛基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯。此等係可單獨使用1種或組合2種以上使用之。
又，(a)黏合劑聚合物若由使鹼顯像性更佳的觀點來看，係以具有羧基者為佳。具有羧基之聚合性單體方面，可舉出有如上述之(甲基)丙烯酸。
黏合劑聚合物所有羧基之比率，若從企圖平衡鹼顯像性與鹼耐性的觀點來看，對所使用之全聚合性單體而言，具有羧基之聚合性單體的比例方面，係以12~50質量%為佳、12~40質量%更佳、15~30質量%特佳、15~25質量%極佳 。此具有羧基之聚合性單體的比例若低於12質量%則鹼顯像性差，若超過50質量%則鹼耐性差。
黏合劑聚合物的重量平均分子量，若從企圖平衡機械強度及鹼顯像性的觀點來看，係以5000~300000為佳、20000~150000更佳、30000~100000特別佳。重量平均分子量若低於5000則耐顯像液性會降低，若超過300000則顯像時間會變長。此外，本發明中之重量平均分子量，係可藉由膠體滲透層析法(GPC)進行測定，且為藉由使用標準聚苯乙烯所作成的檢量線經換算所得之值。
此等之黏合劑聚合物係可單獨使用1種、或組合2種類以上使用之。組合2種類以上使用時的黏合劑聚合物方面，可舉例如由相異的共聚合成分所成之2種類以上的黏合劑聚合物、重量平均分子量相異之2種類以上的黏合劑聚合物、分散度相異之2種類以上的黏合劑聚合物。
接著，就(b)具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物進行說明。
具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物方面，係以具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物為佳。具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物方面，可舉例如：於多元醇上使α,β -不飽和羧酸反應而得之化合物；於2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基聚丙氧基)苯基)丙烷等之雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物、含縮水甘油基之化合物上使α,β-不飽和羧酸反應所得之化合物、具有胺基甲酸酯鍵結之(甲基)丙烯酸酯化合物等之胺基甲酸酯單體、γ-氯-β-羥基丙基-β’-(甲基)丙烯醯基氧基乙基-o-鄰苯二甲酸酯、β-羥基乙基-β’-(甲基)丙烯醯基氧基乙基-o-鄰苯二甲酸酯、β-羥基丙基-β’-(甲基)丙烯醯基氧基乙基-o-鄰苯二甲酸酯、(甲基)丙烯酸烷基酯等。此等係可單獨使用、或組合2種類以上使用。
上述2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基)丙烷方面，可舉例如2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基三乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基四乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基六 乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基七乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基八乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基九乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十一乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十二乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十三乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十四乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十五乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十六乙氧基)苯基)丙烷。此等之中，2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷係可以「BPE-500」(新中村化學工業(股)製、商品名)商業性地取得；而2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基十五乙氧基)苯基)丙烷係可以「BPE-1300」(新中村化學工業(股)製、商品名)商業性地取得。此等係可單獨使用、或組合2種類以上使用。
上述於多元醇上使α,β-不飽和羧酸反應而得之化合物方面，可舉例如伸乙基之數為2~ 14的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；伸丙基之數為2~14之聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯；伸乙基之數為2~14且伸丙基之數為2~14之聚乙烯聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷四乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷五乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯；伸丙基之數為2~14之聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
上述胺基甲酸酯單體方面，可舉例如於β位具有羥基之(甲基)丙烯基單體與異佛酮二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、1,6-六甲撐二異氰酸酯等之二異氰酸酯化合物之加成反應物、三〔(甲基)丙烯醯氧基四乙二醇異氰酸酯〕六甲撐異氰脲酸酯、EO改性胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、EO，PO改性胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯等。此外，「EO」表示氧乙烯，而經EO改性之化 合物係具有氧乙烯基之嵌段構造。又，「PO」表示氧丙烯，而經PO改性之化合物係具有氧丙烯基之嵌段構造。EO改性胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯方面，可舉例如「UA-11」(新中村化學工業(股)製、商品名)。又，EO，PO改性胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯方面，可舉例如「UA-13」(新中村化學工業(股)製、商品名)。
光聚合性化合物的含有比例，對黏合劑聚合物及光聚合性化合物的總量100質量份而言，係以30~80質量份為佳、40~70質量份更佳。此含有比例若低於30質量份則光硬化不足，且轉印之導電膜(導電層及感光性樹脂層)的塗膜性不充分，若超過80質量份，則捲取成薄膜時，難以保管。
接著就(c)光聚合起始劑進行說明。
光聚合起始劑方面，可舉例如二苯甲酮、N,N’-四甲基-4,4’-二胺基二苯甲酮(米蚩酮)、N,N’-四乙基-4,4’-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基胺基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1、2-甲基-1-〔4-(甲基硫代)苯基〕-2-嗎啉代-丙酮-1等之芳香族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-tert-丁基蒽 醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等之醌類、苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚、苯偶因苯基醚等之苯偶因醚化合物、苯偶因、甲基苯偶因、乙基苯偶因等之苯偶因化合物、1,2-辛二酮-1-〔4-(苯基硫代)苯基〕-2-(O-苯甲醯肟)、1-〔9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基〕乙酮1-(O-乙醯基肟)等之肟酯化合物、苄基二甲基縮酮等之苄基衍生物、2-(o-氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(p-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等之2,4,5-三芳基咪唑二聚物、9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9’-吖啶基)庚烷等之吖啶衍生物、N-苯基甘胺酸、N-苯基甘胺酸衍生物、香豆素系化合物、噁唑系化合物。又，2個2,4,5-三芳基咪唑之芳基的取代基係可相同而為對稱之化合物、亦可不同而為非對稱之化合物。又如二乙基噻吨酮與二甲基胺基安息香酸之組合，亦 可組合噻吨酮系化合物與3級胺化合物。此等之中，若由透明性之見解來看，係以2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1等之芳香族酮化合物或1,2-辛二酮-1-〔4-(苯基硫代)苯基〕-2-(O-苯甲醯肟)等之肟酯化合物較佳。此等係可單獨使用，或組合2種類以上使用之。
光聚合起始劑的含有比例，對黏合劑聚合物及光聚合性化合物的總量100質量份而言，係以0.1~20質量份為佳、1~10質量份更佳、1~5質量份特別佳。此含有比例若低於0.1質量份則光感度不足，若超過20質量份，則在曝光時，感光性樹脂層位於表面之吸收會大增而導致內部光硬化不足。
於感光性樹脂層3上，可視需要含有p-甲苯磺胺等之可塑劑、填充劑、消泡劑、難燃劑、安定劑、密著性賦予劑、勻塗劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、影像劑、熱交聯劑等之添加劑，且可單獨含有或含有2種類以上之組合。此等之添加劑的添加量，對黏合劑聚合物及光聚合性化合物的總量100質量份而言，分別以0.01~20質量份為佳。
感光性樹脂層3，係可藉由於已形成導電層2之支持薄膜1上，視需要而塗佈溶解於甲醇、 乙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、丙二醇單甲基醚等之溶劑或此等之混合溶劑的固形成分10~60質量%程度之感光性樹脂組成物的溶液後，乾燥而形成。但此時，乾燥後感光性樹脂層中殘存的有機溶劑量，為了避免在後續步驟有機溶劑的擴散，以2質量%以下為佳。
塗佈係可以例如輥塗佈法、刮刀塗佈法、凹版塗佈法、空氣刀塗佈法、擠壓塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法等之公知的方法予以實施。塗佈後，為了去除有機溶劑等之乾燥，則於70~150℃ 5~30分鐘程度，以熱風對流式乾燥機等進行。
感光性樹脂層3的厚度雖因用途而異，但乾燥後的厚度以1~200μm為佳、1~15μm更佳、1~10μm特別佳。此厚度若小於1μm則難以塗佈，若超過200μm則因光透過之降低導致感度不足，轉印之感光性樹脂層的光硬化性會降低。
本實施形態之感光性導電薄膜中，上述導電層2及上述感光性樹脂層3的層合體係使兩層的合計膜厚為1~10μm時，在450~650nm之波長區域中之最小光透過率以80%以上為佳、85%以上更佳。當導電層及感光性樹脂層滿足如此 之條件時，位於顯示器面板等之高亮度化容易達成。
本發明之感光性導電薄膜中，係可層合保護薄膜以與感光性樹脂層3之支持薄膜1側與反對側的面相接。
保護薄膜方面，係可使用例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜等之具有耐熱性及耐溶劑性的聚合物薄膜。又，保護薄膜方面，可使用與上述的支持體薄膜同樣的聚合物薄膜。
保護薄膜與感光性樹脂層之間的接著力，為了使保護薄膜容易自感光性樹脂層剝離，係以較導電層2及感光性樹脂層3與支持薄膜1之間的接著力為小者佳。
又，保護薄膜係以保護薄膜中所含之直徑80μm以上的魚眼數為5個/m2 以下者佳。此外，所謂「魚眼」係指，在藉由將材料熱溶融、混練、押出、2軸延伸、澆鑄法等製造薄膜時，材料之異物、未溶解物、氧化劣化物等混入薄膜中者。
保護薄膜的厚度係以1~100μm為佳、5~50μm更佳、5~30μm又更佳、15~30μm特別佳。保護薄膜的厚度若小於1μm，則層壓之際，保護薄膜易破，若超過100 μm，則價格高漲。
感光性導電薄膜尚可於支持薄膜上，具有接著層、氣體屏障層等之層。
感光性導電薄膜係可以例如其原本之平板狀的形態、或、以捲入圓筒狀等之捲芯而呈滾筒狀之形態進行貯藏。此外，此時係以捲取使支持薄膜為最外側者為佳。
又，當感光性導電薄膜不具有保護薄膜時，該感光性導電薄膜係可以原本之平板狀的形態予以貯藏。
捲芯方面，若為習知所使用者即無特別限定，可舉例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氯化乙烯樹脂、ABS樹脂(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚合物)等之塑膠。又捲取成滾筒狀之感光性導電薄膜的端面上，若由端面保護的觀點來看，係以設置端面區隔者為佳，再由耐邊緣熔解的觀點來看，係以設置防濕端面區隔者為佳。又，於捆包感光性導電薄膜之際，係以捲於透濕性小的黑色薄片中予以包裝者為佳。
<導電膜之形成方法>
本發明之導電膜之形成方法係具備有層壓本發明之感光性導電薄膜以於基板上使感光性樹脂層密著之層壓步驟、於基板上的感光性樹 脂層照射活性光線之曝光步驟。當感光性導電薄膜具有保護薄膜時，係使剝離保護薄膜之感光性導電薄膜，於基板上由感光性樹脂層側進行層壓。藉由層壓步驟，係可於基板上，依感光性樹脂層、導電層及支持薄膜之順序層合。
基板方面，可舉例如玻璃基板、聚碳酸酯等之塑膠基板等。基板係以位於450~650nm之波長區域的最小光透過率為80%以上者為佳。
層壓步驟係可藉由例如，具有保護薄膜時係去除該保護薄膜後，藉由邊加熱感光性導電薄膜邊將感光性樹脂層側壓著於基板上而層合之方法予以實施。此外，此作業若由密著性及追隨性的見解來看，係以減壓下進行層合為佳。感光性導電薄膜的層合係使感光性樹脂層及/或基板加熱至70~130℃為佳，而壓著壓力雖以0.1~1.0MPa程度(1~10kgf/cm2 程度)較佳，但在此等條件上並無特別限制。又，若將感光性樹脂層如上述加熱至70~130℃，雖無須預熱處理基板，但為了更加提昇層合性，也可實施基板的預熱處理。
曝光步驟係藉由照射活性光線而使感光性樹脂層硬化，且藉由此硬化物使導電層固定，而可於基板上形成導電膜。活性光線的光源方面，係可使用公知的光源，例如碳弧光燈、水 銀蒸氣弧光燈、超高壓水銀燈、高壓水銀燈、氙氣燈等之有效地使紫外線、可見光等放射者。又，可使用Ar離子雷射、半導體雷射等之有效地使紫外線、可見光等放射者。再者，可使用照相用擴散燈泡、太陽燈等之有效地使可見光放射者。
導電層上的支持薄膜若對活性光線為透明時，係可通過支持薄膜照射活性光線，支持薄膜若具遮光性時，則去除支持薄膜後於感光性樹脂層上照射活性光線。
又，當基板對活性光線為透明時，係可由基板側通過基板照射活性光線，但以解像度之點，係以由導電層側對導電層及感光性樹脂層照射活性光線為佳。
藉由經歷上述之步驟，係可獲得在基板上具備有導電膜之導電膜基板。本實施形態的導電膜之形成方法中，於剝離支持薄膜後，可視需要而將所形成之導電膜藉由60~250℃程度的加熱或0.2~10J/cm2 程度的曝光更加硬化。
如此，根據本發明之導電膜之形成方法，係可於玻璃或塑膠等基板上容易地形成透明的導電膜。
<導電圖型之形成方法>
接著，參考圖示，並就本發明之導電圖型 之形成方法進行說明。
本實施形態之導電圖型之形成方法，係具備有：層壓上述感光性導電薄膜10，以於基板20上使感光性樹脂層3密著之步驟(圖2之(a))、在基板20上的感光性樹脂層3之預定部分照射活性光線之曝光步驟(圖2之(b))、將經曝光之感光性樹脂層3藉由顯像而形成導電圖型之顯像步驟。藉由經歷此等之步驟，係可獲得於基板20上具備有經圖型化之導電膜(導電圖型)2a的導電膜基板40(圖2之(c))。
層壓步驟係可藉由例如，具有保護薄膜時係於去除該保護薄膜後，藉由邊加熱感光性導電薄膜邊將感光性樹脂層側壓著於基板上而層合之方法予以實施。此外，此作業若由密著性及追隨性的見解來看，係以減壓下進行層合為佳。感光性導電薄膜的層合係使感光性樹脂層及/或基板加熱至70~130℃為佳，而壓著壓力雖以0.1~1.0MPa程度(1~10kgf/cm2 程度)較佳，但在此等條件上並無特別限制。又，若將感光性樹脂層如上述加熱至70~130℃，雖無須預熱處理基板，但為了更加提昇層合性，也可實施基板的預熱處理。
曝光步驟中的曝光方法方面，係可舉出透過稱為底圖(art work)之負型或正型光罩圖 型使活性光線呈影像狀地照射之方法(光罩曝光法)。活性光線的光源方面，係可使用公知的光源，例如碳弧光燈、水銀蒸氣弧光燈、超高壓水銀燈、高壓水銀燈、氙氣燈等之有效地使紫外線、可見光等放射者。又，可使用Ar離子雷射、半導體雷射等之有效地使紫外線、可見光等放射者。再者，可使用照相用擴散燈泡、太陽燈等之有效地使可見光放射者。又，亦可採用藉由使用雷射曝光法等直接描繪法使活性光線呈影像狀地照射之方法。
導電層上的支持薄膜若對活性光線為透明時，係可通過支持薄膜照射活性光線，支持薄膜若具遮光性時，則去除支持薄膜後於感光性樹脂層上照射活性光線。
又，當基板對活性光線為透明時，係可由基板側通過基板照射活性光線，但以解像度之點，係以由導電層側對導電層及感光性樹脂層照射活性光線為佳。
本實施形態之顯像步驟中，係去除感光性樹脂層之曝光部以外的部分。具體而言，導電層上存在有透明的支持薄膜時，首先去除支持薄膜，之後，藉由濕性顯像而去除感光性樹脂層之曝光部以外的部分。藉此，係於具有預定圖型之樹脂硬化層3a上，含有導電性纖維的導 電層2a會殘留，而形成導電圖型。
濕性顯像係可使用例如鹼性水溶液、水系顯像液、有機溶劑系顯像液等之對應感光性樹脂之顯像液，而以噴霧、搖動浸漬、擦刷、拍擊等之公知的方法予以實施。
顯像液方面，係可使用鹼性水溶液等之安全且安定、操作性良好者。上述鹼性水溶液的鹼基方面，可使用例如鋰、鈉或鉀之氫氧化物等之鹼氫氧化物(alkali hydroxide)、鋰、鈉、鉀或者銨之碳酸鹽或重碳酸鹽等之碳酸鹼、磷酸鉀、磷酸鈉等之鹼金屬磷酸鹽、焦磷酸鈉、焦磷酸鉀等之鹼金屬焦磷酸鹽等。
又，用於顯像之鹼性水溶液方面，係以0.1~5質量%碳酸鈉水溶液、0.1~5質量%碳酸鉀水溶液、0.1~5質量%氫氧化鈉水溶液、0.1~5質量%四硼酸鈉水溶液等為佳。又，用於顯像之鹼性水溶液的pH係以pH為9~11的範圍者佳，其溫度係可搭配感光性樹脂層的顯像性而予以調節。又，鹼性水溶液中，亦可混入表面活性劑、消泡劑、促進顯像用之少量的有機溶劑等。
又，可使用由水或鹼水溶液與一種以上的有機溶劑所構成之水系顯像液。在此，鹼水溶液中所含的鹼基方面，除了上述的鹼以外，還可舉例如硼砂或偏矽酸鈉、氫氧化四甲基銨、 乙醇胺、乙二胺、二伸乙基三胺、2-胺基-2-羥基甲基-1、3-丙烷二醇、1、3-二胺基丙醇-2、嗎福林(morpholine)。有機溶劑方面，可舉例如3丙酮醇、丙酮、乙酸乙基酯、具有碳數1~4之烷氧基的烷氧基乙醇、乙基醇、異丙基醇、丁基醇、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丁基醚。此等係可單獨使用1種、或組合2種類以上使用之。
水系顯像液係以使有機溶劑的濃度為2~90質量%較佳，其溫度係可搭配顯像性進行調整。再者，水系顯像液的pH，在光阻的顯像充分可行的範圍下可盡量地小，以pH8~12為佳、pH9~10更佳。又，水系顯像液中可少量地添加界面活性劑、消泡劑等。
有機溶劑系顯像液方面，可舉例如1,1,1-三氯乙烷、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、環己酮、甲基異丁基酮、γ-丁內酯(butyrolactone)等。此等之有機溶劑為防止引火，而以添加1~20質量%之範圍的水為佳。
上述之顯像液可視其需要併用2種以上。
顯像方式上，可舉例如浸漬方式、攪拌方式、噴霧方式、擦刷、拍擊等。此等之中，以提昇解像度的觀點來看，係以使用高壓噴霧方式為佳。
本實施形態之導電圖型之形成方法中，顯像後可視需要而藉由實施60~250℃程度的加熱或0.2~10J/cm2 程度的曝光而使導電圖型更加硬化。
如此，根據本發明之導電圖型之形成方法，將不會形成如ITO等之無機膜之蝕刻光阻，而可於玻璃或塑膠等基板上容易地形成透明的導電圖型。
本發明之導電膜基板係可藉由上述導電膜之形成方法或導電圖型之形成方法而得，但以有效活用作為透明電極的觀點來看，導電膜或導電圖型之表面電阻率係以2000 Ω/□以下為佳、1000 Ω/□以下更佳、500 Ω/□以下特別佳。表面電阻率係可藉由例如導電性纖維分散液之濃度或塗佈量而調整。
又，本發明之導電膜基板係以450~650nm之波長區域中之最小光透過率為80%以上為佳、85%以上更佳。
 [實施例]
以下，本發明雖根據實施例具體地說明，但本發明非僅受限於此等。
<導電性纖維分散液之調製>
(導電性纖維分散液1(奈米碳管分散液))
於純水中分散Unidym公司的Hipco單層奈米碳管之高純度品使其成為0.4質量%、及分散界面活性劑之十二烷基-五乙二醇使其成為0.1質量%之濃度，得到導電性纖維分散液1。
(導電性纖維分散液2(銀纖維分散液))
〔使用多元醇法之銀纖維的調製〕
在2000ml的3口燒瓶中，置入乙二醇500ml，在氮氣氛圍下，以磁性轉子邊攪拌邊藉由油浴加熱至160℃為止。此時，滴下另外準備之使PtCl2 2mg溶解於50ml的乙二醇中的溶液。4~5分鐘後，使AgNO3 5g溶解於乙二醇300ml之溶液、與使重量平均分子量為4萬之聚乙烯基吡咯烷酮(和光純藥(股)製)5g溶解於乙二醇150ml之溶液，各自從滴定漏斗在1分鐘內滴下，之後於160℃攪拌60分鐘。
放置直到上述反應溶液降到30℃以下之後，以丙酮稀釋成10倍，藉由離心機以2000轉數離心20分鐘，傾析上清液。於沈澱物中加入丙酮攪拌後以與前述同樣的條件離心，傾析丙酮。之後，使用蒸餾水同樣地離心2次後，得到銀纖維。將所得的銀纖維以光學顯微鏡觀察之結果，纖維徑(直徑)約5nm、纖維長約5μm。
〔銀纖維分散液之調製〕
於純水中分散上述所得之銀纖維使成0.2質 量%、及分散十二烷基一五乙二醇使成0.1質量%之濃度，得到導電性纖維分散液2。
<感光性樹脂組成物之溶液的調製> <丙烯酸樹脂之合成>
在具備有攪拌機、還流冷卻器、溫度計、滴定漏斗及氮氣導入管之燒瓶中，加入甲基溶纖劑與甲苯之混合液(甲基溶纖劑/甲苯=3/2(質量比)、以下稱為「溶液s」)400g，邊吹入氮氣邊攪拌，加熱至80℃為止。另外，單體方面係準備了混合有甲基丙烯酸100g、甲基丙烯酸甲基酯250g、丙烯酸乙基酯100g及苯乙烯50g、與偶氮雙異丁腈0.8g之溶液(以下稱為「溶液a」)。接著，於加熱至80℃的溶液s中花4小時滴下溶液a後，於80℃邊攪拌邊保溫2小時。再來，於100g的溶液s中花10分鐘滴下溶解了偶氮雙異丁腈1.2g之溶液於燒瓶內。然後，滴下後的溶液邊攪拌邊於80℃保溫3小時後，花30分鐘加熱至90℃。於90℃保溫2小時後，冷卻而得黏合劑聚合物溶液。此黏合劑聚合物溶液中加入丙酮，使不揮發成分(固形成分)為50質量%進行調製，得到(a)成分之黏合劑聚合物溶液。所得之黏合劑聚合物的重量平均分子量為80000。以此為丙烯酸聚合物A。
使表1所示之材料以同表中所示之搭配量( 單位：質量份)進行搭配，調製感光性樹脂組成物之溶液。
1甲基丙烯酸：甲基丙烯酸甲酯：丙烯酸乙酯：及苯乙烯=20：50：20：10之重量比率的丙烯酸聚合物。
<感光性導電薄膜的製作-1>
(實施例1)
將上述所得之導電性纖維分散液1，以25g/m2 均一地塗佈於支持薄膜之50μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜、帝人(股)製、商品名「G2-50」)上，以100℃的熱風對流式乾燥機乾燥3分鐘，置於室溫藉由以10kg/cm的線壓進行加壓，而於支持薄膜上形成導電層。此外，導電層之乾燥後的膜厚約0.02μm。
接著，將感光性樹脂組成物之溶液均一地塗佈於形成有導電層之50μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，以100℃的熱風對流式乾燥機乾燥10分鐘形成感光性樹脂層。之後，以聚乙烯製的保護薄膜(TAMAPOLY(股)製、商品名「NF-13」)覆蓋感光性樹脂層，得到感光性導電薄膜。此外，感光性樹脂層之乾燥後的膜厚5μm。
(實施例2)
將上述所得之導電性纖維分散液2以25g/m2 均一地塗佈於支持薄膜之50μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜、帝人(股)製、商品名「G2-50」)上，以100℃的熱風對流式乾燥機乾燥10分鐘，置於室溫，以10kg/cm的線壓進行加壓而於支持薄膜上形成導電層。此外，導電層之乾燥後的膜厚約0.01μm。
接著，將感光性樹脂組成物之溶液均一地塗佈於形成有導電層之50μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上，以100℃的熱風對流式乾燥機乾燥10分鐘而形成感光性樹脂層。之後，以聚乙烯製的保護薄膜(TAMAPOLY(股)製、商品名「NF-13」)覆蓋感光性樹脂層，得到感光性導電薄膜。此外，感光性樹脂層之乾燥後的膜厚為5μm。
<導電膜之形成>
將1mm厚的聚碳酸酯基板加溫至80℃，在其表面上，邊剝離保護薄膜而使感光性樹脂層與基板對向，以120℃、0.4MPa的條件層壓實施例1及2所得之感光性導電薄膜。層壓後，冷卻基板而於基板的溫度降至23℃時，由支持薄膜側使用具有高壓水銀燈之曝光機(Oak(股)製、商品名「HMW-201B」)，以1000mJ/cm2 的曝光量用光照射導電層及感光性樹脂層。曝光後，放置於室溫(25℃)下15分鐘，接著，剝離支持薄膜之PET薄膜，而使含奈米碳管或銀纖維所成的導電膜形成於聚碳酸酯基板上。個別的導電膜之表面電阻率為2000 Ω/□、500 Ω/□，450~650nm之波長區域中之最小光透過率(含基板)各自為80%、85%。
除了將基板變更為0.7mm厚的鈉玻璃板(soda glass)之外，其餘係與上述同樣地實施，使用實施例1及2所得之感光性導電薄膜在玻璃基板上形成導電膜。個別的導電膜之表面電阻率為2000 Ω/□、500 Ω/□，而在450~650nm之波長區域中之最小光透過率(含基板)為82%、87%。此外，表面電阻率及透過率係以下述之方法測定。
〔表面電阻率的測定〕
使用低電阻率計(三菱化學公司製、LorestaGP)，藉由4探針法依JIS K 7194測定表面電阻率。
〔光透過率的測定〕
使用分光光度計(日立High Technologies公司製、商品名「U-3310」)，測定450nm、550nm及650nm中之光透過率、及450~650nm之波長區域中之最小光透過率。
<感光性導電薄膜的製作-2>
(實施例3)
與實施例1同樣地實施後形成導電層，而除了使導電層及感光性樹脂層的合計膜厚為10μm來形成感光性樹脂層之外，其餘係與實施例1同樣地進行，製成感光性導電薄膜。
(實施例4)
與實施例2同樣地實施後形成導電層，而除了使導電層及感光性樹脂層的合計膜厚為10μm來形成感光性樹脂層之外，其餘係與實施例2同樣地進行，製成感光性導電薄膜。
<光透過率之評價>
於加溫至80℃之1mm厚的聚碳酸酯基板上，邊剝離保護薄膜邊使感光性樹脂層與基板對向，以120℃、0.4MPa之條件層壓上述所得之感光性導電薄膜。層壓後，冷卻基板而於基板的溫 度降至23℃時，由支持薄膜側使用具有高壓水銀燈之曝光機(Oak(股)製、商品名「HMW-201B」)，以1000mJ/cm2 的曝光量用光照射導電層及感光性樹脂層。曝光後，放置於室溫(25℃)下15分鐘，接著，剝離支持薄膜之PET薄膜，而使含奈米碳管或銀纖維所成的導電膜形成於聚碳酸酯基板上。
以聚碳酸酯基板單體作為參考，使用分光光度計(日立High Technologies公司製、商品名「U-3310」)，測定含有導電性纖維的導電層及感光性樹脂層之450nm、550nm及650nm中之光透過率、及450~650nm之波長區域中之最小光透過率。評價結果列示於表2。
<導電圖型之形成>
於加溫至80℃之1mm厚的聚碳酸酯基板上， 於其表面上，邊剝離保護薄膜邊使感光性樹脂層與基板對向，以120℃、0.4MPa之條件層壓實施例1、2所得之感光性導電薄膜。層壓後，冷卻基板而於基板的溫度降至23℃時，使具有線幅/間隔幅為100/100μm且長度為100mm的配線圖型之光罩密著於支持薄膜之PET薄膜面上。然後，使用具有高壓水銀燈之曝光機(Oak(股)製、商品名「HMW-201B」)，以200mJ/cm2 的曝光量用光照射導電層及感光性樹脂層。
曝光後，放置於室溫(25℃)15分鐘，接著，剝離支持薄膜之PET薄膜，於30℃以30秒鐘噴霧1質量%碳酸鈉水溶液進行顯像。顯像後，使含奈米碳管或銀纖維所成之導電膜的線幅/間隔幅約100/100μm之導電圖型形成於聚碳酸酯基板上。確認各自良好地形成導電圖型。
[產業上的可利用性]
根據本發明，係可提供：在基板上可以充分的解像度來簡便地形成一與基板具有充分接著性且表面電阻率十分小的導電圖型之感光性導電薄膜，以及，使用此感光性導電薄膜的導電膜之形成方法、導電圖型之形成方法及導電膜基板。
1‧‧‧支持薄膜
2‧‧‧導電層
2a‧‧‧導電圖型
3‧‧‧感光性樹脂層
3a‧‧‧樹脂硬化層
10‧‧‧感光性導電薄膜
20‧‧‧基板
30‧‧‧底圖(art work)
40‧‧‧導電膜基板
[圖1]顯示本發明之感光性導電薄膜的一實 施形態之模式剖面圖。
[圖2]為了說明本發明之導電圖型形成方法的一實施形態之模式剖面圖。
1‧‧‧支持薄膜
2‧‧‧導電層
3‧‧‧感光性樹脂層
10‧‧‧感光性導電薄膜

Claims (7)

  1. 一種導電圖型之形成方法，其係具備於基板上層壓一具備有支持薄膜、設置於該支持薄膜上之含有導電性纖維的導電層以及設置於該導電層上之感光性樹脂層所成的感光性導電薄膜，以使前述感光性樹脂層密著之步驟、及對前述基板上之前述感光性樹脂層的預定部分照射活性光線之曝光步驟、及藉由使經曝光之前述感光性樹脂層顯像而形成導電圖型之顯像步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電圖型之形成方法，其中，前述導電層及前述感光性樹脂層之層合體係，使兩層之合計膜厚為1~10μm時，位於450~650nm波長區域之最小光透過率為80%以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電圖型之形成方法，其中，前述導電性纖維係銀纖維。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之導電圖型之形成方法，其中，前述感光性樹脂層係含有黏合劑聚合物、具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物及光聚合起始劑。
  5. 如申請專利範圍第3項之導電圖型之形成 方法，其中，前述感光性樹脂層係含有黏合劑聚合物、具有乙烯性不飽和鍵結之光聚合性化合物及光聚合起始劑。
  6. 一種導電膜基板，其係具備基板、及該基板上藉由如申請專利範圍第1~5項之導電圖型之形成方法所形成之導電圖型。
  7. 如申請專利範圍第6項之導電膜基板，其中，前述導電圖型之表面電阻率為2000 Ω/□以下。
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943963A (zh) * 2009-07-08 2011-01-12 群康科技(深圳)有限公司 导电板及应用其的触摸屏
JP5606769B2 (ja) * 2010-04-09 2014-10-15 富士フイルム株式会社 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池
KR20160052754A (ko) * 2010-05-13 2016-05-12 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법
CN102645989B (zh) * 2011-02-16 2015-11-25 群康科技(深圳)有限公司 触摸屏面板的制备方法
CN102819340B (zh) * 2011-06-09 2016-03-02 天津富纳源创科技有限公司 触摸屏面板的制备方法
CN102902425B (zh) * 2011-07-28 2016-06-08 宸鸿科技(厦门)有限公司 电容式触控面板结构及制造方法
JP5303069B2 (ja) * 2011-08-03 2013-10-02 東レ株式会社 導電積層体、パターン化導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル
JP5763492B2 (ja) * 2011-09-30 2015-08-12 富士フイルム株式会社 静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置
CN103210350B (zh) * 2011-10-03 2019-06-18 日立化成株式会社 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
WO2013084282A1 (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 日立化成株式会社 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
WO2013084283A1 (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 日立化成株式会社 タッチパネル用電極の保護膜の形成方法、感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP5714526B2 (ja) 2012-03-08 2015-05-07 日本写真印刷株式会社 フレキシブルタッチパネル
KR101751588B1 (ko) 2012-04-04 2017-06-27 히타치가세이가부시끼가이샤 도전 패턴의 형성 방법 및 도전 패턴 기판
CN102637486A (zh) * 2012-05-14 2012-08-15 南昌欧菲光科技有限公司 一种用于电容式触摸屏双层透明导电薄膜的制备方法
JPWO2013176155A1 (ja) * 2012-05-24 2016-01-14 東レ株式会社 パターニングされた導電基材の製造方法、これによってパターニングされた導電基材およびタッチパネル
KR102121539B1 (ko) * 2012-09-27 2020-06-10 미래나노텍(주) 전극 필름의 제조 장치 및 제조 방법
KR20140063302A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 캐리어 기판 제거 장치, 표시장치 제조 시스템, 및 표시장치 제조 방법
WO2014098157A1 (ja) * 2012-12-19 2014-06-26 株式会社クラレ 膜形成方法、導電膜、及び絶縁膜
WO2014196154A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
JP5686445B2 (ja) 2013-07-01 2015-03-18 日本写真印刷株式会社 相互静電容量方式タッチパネル
CN105359069B (zh) * 2013-07-03 2019-12-10 阿莫善斯有限公司 用于触屏板的触摸感应器、其制造方法及由其构成的触屏板
JP6205925B2 (ja) * 2013-07-12 2017-10-04 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
JP2015052774A (ja) * 2013-08-07 2015-03-19 日立化成株式会社 加飾基板上におけるレジストパターン又は導電パターンの製造方法、及び転写形感光性導電フィルム
JP6206028B2 (ja) * 2013-09-19 2017-10-04 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
WO2015049939A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、これを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
JP5858197B2 (ja) 2013-10-16 2016-02-10 日立化成株式会社 導電性繊維を含む積層体、感光性導電フィルム、導電パターンの製造方法、導電パターン基板、及びタッチパネル
CN105637130B (zh) * 2013-10-17 2019-07-19 日产化学工业株式会社 感光性纤维及其制造方法
TWI567600B (zh) * 2013-11-26 2017-01-21 恆顥科技股份有限公司 觸控裝置
WO2015137278A1 (ja) 2014-03-14 2015-09-17 日立化成株式会社 感光性導電フィルム
CN103886934B (zh) * 2014-04-04 2016-08-24 纳诺电子化学（苏州）有限公司 一种透明导电膜
JP2015219308A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、感光性導電積層体、導電膜の形成方法及び導電積層体
JP2016066590A (ja) * 2014-06-09 2016-04-28 日立化成株式会社 導電フィルム、感光性導電フィルム、導電膜の形成方法、導電パターンの形成方法及び導電膜基材
KR102287289B1 (ko) * 2014-07-08 2021-08-06 주식회사 동진쎄미켐 투명 전극 복합체
SG11201702198QA (en) * 2014-09-22 2017-04-27 Basf Se Transparent conductive layer, a film comprising the layer, and a process for its production
CN104575701B (zh) * 2014-12-17 2017-01-11 张家港康得新光电材料有限公司 高分子透明导电膜及其制备方法
JP6027633B2 (ja) * 2015-01-13 2016-11-16 日本写真印刷株式会社 タッチ入力センサの製造方法及び感光性導電フィルム
KR102297878B1 (ko) 2015-01-16 2021-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
TWI548587B (zh) * 2015-01-26 2016-09-11 國立臺灣大學 奈米金屬線圖案化之方法，使用該方法製備而成之圖案化奈米金屬線電極以及包含該圖案化奈米金屬線電極做為材料之電晶體元件
JPWO2016167228A1 (ja) * 2015-04-15 2018-02-08 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電パターンの形成方法、導電パターン付き基材、及びタッチパネルセンサ
JP2016206463A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 株式会社トクヤマ フォトクロミック積層体
WO2016181496A1 (ja) * 2015-05-12 2016-11-17 日立化成株式会社 導電膜作製液セット、導電パターンの形成方法、及びタッチパネル
JP6042486B1 (ja) 2015-05-29 2016-12-14 日本写真印刷株式会社 タッチセンサの製造方法及びタッチセンサ
JP2017045687A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、感光性導電フィルムロール、及びそれを用いた導電膜・導電パターンの形成方法
CN105139924B (zh) * 2015-10-09 2017-09-05 重庆文理学院 一种双保护膜的银纳米线透明导电薄膜的制备方法
US9801284B2 (en) * 2015-11-18 2017-10-24 Dow Global Technologies Llc Method of manufacturing a patterned conductor
JP2017201350A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電パターンの形成方法及び導電パターン基板の製造方法
US11773275B2 (en) 2016-10-14 2023-10-03 C3 Nano, Inc. Stabilized sparse metal conductive films and solutions for delivery of stabilizing compounds
CN106773235A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 广州汇驰实业发展有限公司 一种调光膜及其制备方法
CN107093494B (zh) * 2017-03-22 2021-07-13 中山大学 一种可转移图案化的导电薄膜及其制备与图案化的方法
CN107015705A (zh) * 2017-05-19 2017-08-04 信利光电股份有限公司 一种触控显示装置、触控面板及其制作方法
JP6399175B2 (ja) * 2017-09-07 2018-10-03 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP2017228312A (ja) * 2017-09-07 2017-12-28 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
US20190364665A1 (en) * 2018-05-22 2019-11-28 C3Nano Inc. Silver-based transparent conductive layers interfaced with copper traces and methods for forming the structures
JPWO2021065317A1 (zh) * 2019-09-30 2021-04-08
KR102711341B1 (ko) * 2022-05-23 2024-09-27 한국광기술원 투명 전극 필름, 전극을 선택적으로 전사하여 투명 전극 필름을 제조하는 장치 및 그 방법
CN115734459B (zh) * 2022-11-07 2024-03-12 湖北通格微电路科技有限公司 玻璃基线路板及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW560017B (en) * 2001-07-12 2003-11-01 Hitachi Ltd Semiconductor connection substrate
TWI225762B (en) * 2000-02-09 2004-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern transferring material, its manufacturing method, wiring substrate manufactured by using the same
TWI226115B (en) * 2003-04-09 2005-01-01 Phoenix Prec Technology Corp Substrate with enhanced supporting structure and method for fabricating the same
TWI260189B (en) * 2005-03-30 2006-08-11 Advanced Semiconductor Eng Method of fabricating a device-containing substrate
TWI266568B (en) * 2004-03-08 2006-11-11 Brain Power Co Method for manufacturing embedded thin film resistor on printed circuit board
CN101292362A (zh) * 2005-08-12 2008-10-22 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2975921B2 (ja) * 1998-02-25 1999-11-10 大塚化学株式会社 微細な導電性繊維、該導電性繊維を配合した樹脂組成物及び導電性糸
JP3948217B2 (ja) * 2000-06-05 2007-07-25 昭和電工株式会社 導電性硬化性樹脂組成物、その硬化体、及びその成形体
JP2001356209A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法
KR100588991B1 (ko) 2000-09-20 2006-06-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성방법 및 프린트배선판의 제조방법
JP4779244B2 (ja) * 2001-06-28 2011-09-28 Ｔｄｋ株式会社 機能性層パターンの形成方法
CN1195793C (zh) * 2001-08-06 2005-04-06 昭和电工株式会社 导电的可固化树脂组合物和燃料电池用的隔板
AU2003244167A1 (en) * 2002-06-24 2004-01-06 Mitsubishi Plastics, Inc. Conductive resin film, collector and production methods therefore
JPWO2004006235A1 (ja) 2002-07-05 2005-11-04 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
JP4471346B2 (ja) * 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004253326A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
WO2005010092A1 (ja) * 2003-07-24 2005-02-03 Nitto Denko Corporation 無機粉体含有樹脂組成物、膜形成材料層、転写シート、誘電体層形成基板の製造方法、及び誘電体層形成基板
KR100832259B1 (ko) * 2004-04-20 2008-05-28 타키론 가부시기가이샤 터치 패널용 투명 전기전도 성형체 및 터치 패널
JP4666961B2 (ja) * 2004-06-29 2011-04-06 Ｔｄｋ株式会社 透明導電層が付与された物体、及び転写用導電性フィルム
JP2006069848A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブパターンの形成方法
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
JP4657685B2 (ja) * 2004-11-11 2011-03-23 日立エーアイシー株式会社 電磁波シールドフィルムの製造方法およびそのフィルム
JP4805587B2 (ja) * 2005-02-24 2011-11-02 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶表示装置とその製造方法
JP2006310154A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Bussan Nanotech Research Institute Inc 透明導電膜および透明導電膜用コーティング組成物
US8603611B2 (en) * 2005-05-26 2013-12-10 Gunze Limited Transparent planar body and transparent touch switch
JP2006344479A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法
JP5146732B2 (ja) * 2005-11-10 2013-02-20 住友金属鉱山株式会社 インジウム系ナノワイヤ、酸化物ナノワイヤ及び導電性酸化物ナノワイヤ並びにそれらの製造方法
KR20070074316A (ko) 2006-01-09 2007-07-12 주식회사 팬택 이동통신단말기에서의 ｂｒｅｗ 실행시 ｕｉ 이벤트 처리방법
JP4635925B2 (ja) 2006-03-22 2011-02-23 Ｔｄｋ株式会社 転写用導電性フィルム及びそれを用いた透明導電層が付与された物体
JP4582033B2 (ja) * 2006-03-22 2010-11-17 Ｔｄｋ株式会社 転写用導電性フィルム及びそれを用いた透明導電層が付与された物体
CN101410755B (zh) * 2006-03-31 2011-08-17 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、使用其的感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法
JP5126654B2 (ja) 2006-04-20 2013-01-23 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜形成用ネガ型感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法
TWI426531B (zh) * 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
JP2008159581A (ja) 2006-11-30 2008-07-10 Hitachi Chem Co Ltd 導電膜形成用材料、導電膜及びその形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI225762B (en) * 2000-02-09 2004-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern transferring material, its manufacturing method, wiring substrate manufactured by using the same
TW560017B (en) * 2001-07-12 2003-11-01 Hitachi Ltd Semiconductor connection substrate
TWI226115B (en) * 2003-04-09 2005-01-01 Phoenix Prec Technology Corp Substrate with enhanced supporting structure and method for fabricating the same
TWI266568B (en) * 2004-03-08 2006-11-11 Brain Power Co Method for manufacturing embedded thin film resistor on printed circuit board
TWI260189B (en) * 2005-03-30 2006-08-11 Advanced Semiconductor Eng Method of fabricating a device-containing substrate
CN101292362A (zh) * 2005-08-12 2008-10-22 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体

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