KR20160052754A - 감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법 - Google Patents

감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법 Download PDF

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히로시 야마자키
요시미 이가라시
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히타치가세이가부시끼가이샤
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Abstract

감광성 도전 필름(10)은, 필름 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 및 감광성 수지층(3)이 이 순서로 적층된 구조를 가진다. 감광성 도전 필름(10)에 있어서, 유기 도전재료는 티오펜 유도체의 폴리머이면 바람직하고, 감광성 수지층(3)은, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이면 바람직하다.

Description

감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법{PHOTOSENSITIVE CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE MEMBRANE, AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN}
본 발명은, 감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 특히는 액정 표시 소자 등의 플랫 패널 디스플레이나 터치스크린, 태양전지, 유기 EL 등의 장치에 설치되는 전극 배선 등의 도전 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
PC나 텔레비전 등의 대형 전자기기, 카 내비게이션(car navigation), 휴대 전화, 전자사전 등의 소형 전자기기, OAㆍFA 기기 등의 표시 기기에서는, 액정 표시 소자나 터치 스크린을 구비한 것이 보급되어 있다. 액정 표시 소자나 터치 스크린에서는, 투명 전극 등 투명성이 요구되는 곳에 투명한 도전막이 이용되고 있다. 태양전지 등에서도 마찬가지이다.
투명한 도전막을 형성할 수 있는 재료로서는, ITO(Indium-Tin-Oxide), 산화인듐이나 산화주석 등이 알려져 있다. 이들의 재료는, 가시광에 대해서 높은 투과율을 나타내고, 액정 표시 소자용 기판 등의 투명 전극을 형성하는 재료로서 주류로 되어 있다.
액정표시장치에 있어서는, 배선, 화소 전극, 단자 등의 일부를 투명 도전막으로 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 투명 도전막을 소정의 형상으로 하는 것이 필요로 된다. 투명 도전막의 패터닝 방법으로서는, 투명 도전막을 형성한 후, 이 위에 포토리소그래피법에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 웨트에칭에 의해 도전막을 패터닝하는 방법이 이용된다. 에칭액으로서는, ITO막이나 산화인듐막에 대해서는, 염산과 염화제2철의 2액으로 이루어지는 혼합액이 잘 이용되고 있다.
한편, ITO 이외의 재료를 이용하여 투명한 도전막을 형성하는 것이 검토되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는, 폴리티오펜, 폴리아닐린 등의 유기 도전성 폴리머를 함유하는 방사선 경화형 도전성 조성물을 기재 표면에 도포하여 경화하는 것에 의해, 도전성을 갖는 투명한 경화 피막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 하기 특허문헌 2에는, 지지체상에, 디아조설포늄계 등의 레지스트 재료를 도포하고, 더욱이 그 위에 티오펜계 유기 도전재를 도포하고, 그 후 노광 및 현상에 의해 도전성 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 1：일본국 특허공개공보 2005-170996호 특허문헌 2：일본국 특허공표공보 2004-504693호
그런데, ITO막이나 산화주석막은 일반적으로 스패터법에 의해 형성되지만, 스패터 방식의 상위, 스패터 파워나 가스압, 기판 온도, 분위기 가스의 종류 등에 의해 막의 성질이 변하기 쉽다. 스패터 조건의 변동에 의한 투명 도전막의 막질의 차이는, 막을 웨트에칭 할 때의 에칭 속도의 불균형일 원인으로 되고, 투명 도전막의 패터닝 불량이 발생하여, 제품의 수율 저하를 초래하기 쉽다. 그 때문에, ITO 등을 이용하는 방법은, 스패터와 레지스트 형성 및 에칭과 공정이 길고, 비용면에서도 큰 부담으로 된다. 또한, 이러한 방법은 패터닝 정도의 균일성을 얻는 것이 어렵다.
한편, 유기 도전재료에 의한 도전 패턴의 형성에 관해서는, 이하와 같은 문제가 있다. 상기 특허문헌 1에는, 도전 패턴의 형성에 관한 개시는 없다. 마스크를 이용한 에칭에 의해서 패터닝하는 것이 고려되지만, 적절한 에칭액이 없기 때문에 플라즈마 에칭이나 레이저를 이용하여 가공할 필요가 있다.
특허문헌 2에는, 유기 도전재료와 디아조 화합물의 감광 재료를 혼합한 액을 지지체에 도포하여 패터닝하는 방법이나, 지지체와 유기 도전재료 및 감광재료로 이루어지는 층과의 사이에 감광 재료를 더 배치하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 이들의 방법에서는, 소망한 기판상에 도전 패턴을 설치하려고 했을 경우의 도전 패턴과 기판과의 접착성에 관해서는 고려되지 않아, 기판의 표면 처리 등이 필요했다.
본 발명은, 상기 종래 기술이 가지는 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 기판상에, 기판과의 접착성이 충분하고, 유기 도전재료를 포함하여 이루어지는 도전 패턴을 충분한 해상도로 간편하게 형성하는 것을 가능하게 하는 감광성 도전 필름, 및, 이 감광성 도전 필름을 이용한 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 지지체, 유기 도전재료를 함유하는 도전층, 및 감광성 수지층이 이 순서로 적층된 구조를 가지는 감광성 도전 필름을 제공한다.
본 발명의 감광성 도전 필름에 의하면, 상기 구성을 가지는 것에 의해, 감광성 도전 필름을 기판상에 감광성 수지층이 밀착하도록 첩부하고, 이것을 노광, 현상하는 간편한 공정으로, 기판과의 접착성이 충분하고, 충분한 투명성을 가지는 소망한 도전 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 감광성 도전 필름에 의하면, 감광성 도전 필름을 기판상에 감광성 수지층이 밀착하도록 첩부하고, 이것을 노광하는 것에 의해, 충분한 투명성과 기재에 대한 양호한 접착성을 겸비하는 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 필름에 있어서, 투명성과 도전성의 관점에서, 상기 유기 도전재료가, 티오펜 유도체의 폴리머인 것이 바람직하다.
또한, 도전막의 패터닝성과 기재에 대한 접착성을 더욱 향상시키는 관점에서, 상기 감광성 수지층이, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 도전 필름은, 제조로부터 사용까지의 기간에 있어서의 이물 부착이나 손상의 방지의 점에서, 상기 감광성 수지층의 도전층측과는 반대측에 보호 필름이 더 적층되어 있는 것이 바람직하다. 이 보호 필름은 감광성 도전 필름을 사용할 때에 제거할 수 있다.
본 발명은, 또한, 상기 본 발명의 감광성 도전 필름의 상기 감광성 수지층을 기재에 첩부하여 기재상에 적어도 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 적층하고, 적층된 상기 감광성 수지층을 노광하는 것을 특징으로 하는 도전막의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 도전막의 형성 방법에 의하면, 기재에 본 발명의 감광성 도전 필름의 감광성 수지층을 첩부하는 것에 의해 기재상에 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 설치하고, 이것을 노광한다고 하는 간편한 공정으로, 기재상에 상기 도전층으로 이루어지는 도전막을 용이하게 형성할 수 있다. 이 도전막은, 상기 감광성 수지층이 노광에 의해 경화함으로써, 기재상에 충분히 접착된다.
본 발명은, 또한, 상기 본 발명의 감광성 도전 필름의 상기 감광성 수지층을 기재에 첩부하여 기재상에 적어도 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 적층하고, 적층된 감광성 수지층을 노광, 현상하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의하면, 기재에 본 발명의 감광성 도전 필름의 감광성 수지층을 첩부하는 것에 의해 기재상에 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 설치하고, 이것을 노광, 현상한다고 하는 간편한 공정으로, 기재상에 상기 도전층이 패터닝되어 이루어지는 도전 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 이 도전 패턴은, 상기 감광성 수지층이 노광에 의해 경화함으로써, 기재상에 충분히 접착된다.
본 발명은, 또한, 기판과, 그 기판상에 상기 본 발명의 도전막의 형성 방법에 의해 형성된 도전막을 구비하는 도전막 기판을 제공한다.
본 발명은, 또한, 기판과, 그 기판상에 상기 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 도전 패턴을 구비하는 도전막 기판을 제공한다.
발명을 실시하기 위한 형태
이하, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관하여 상세하게 설명한다. 또, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 또는 그것에 대응하는 「메타크릴레이트」를 의미한다. 동일하게 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」 또는 그것에 대응하는 「메타크릴」을 의미하고, 「(메타)아크릴로일」이란 「아크릴로일」 또는 그것에 대응하는 「메타크릴로일」을 의미한다.
도 1은, 본 발명의 감광성 도전 필름의 적절한 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 감광성 도전 필름(10)은, 필름상의 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 감광성 수지층(3), 및 보호 필름(4)이 이 순서로 적층되어 이루어진다.
이하, 본 실시 형태에 관련되는 감광성 도전 필름(10)을 구성하는 필름상의 지지체(이하 「필름 지지체」라고 하는 경우도 있다. ), 도전층, 감광성 수지층 및 보호 필름의 각각에 관하여 상세하게 설명한다.
필름 지지체(1)로서는, 투명한 지지 필름인 것이 바람직하다. 여기에서 투명이란, 기재에 전사 후의 노광 공정에 있어서의 노광 광선에 투과성을 가지는 것을 의미하고, 본 실시 형태에 있어서는, 자외선(300~400nm) 영역에서 투과성을 가지는 것이 바람직하다.
투명한 지지 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 들 수 있다. 이들 중, 투명성이나 내열성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 또, 이들의 중합체 필름은, 후에 감광성 수지층(3)을 현상할 때나, 형성된 도전막을 노출시키기 위해서 제거되므로, 제거가 불가능하게 되는 표면 처리가 실시된 것이거나, 재질이거나 되어서는 안된다.
상기 지지 필름의 두께는, 5~300㎛인 것이 바람직하고, 20~300㎛인 것이 보다 바람직하다. 지지 필름의 두께가, 5㎛ 미만이면, 기계적 강도가 저하하고, 도전층을 형성할 때나 감광성 수지층을 형성할 때, 혹은 감광성 수지층의 현상 전에 지지 필름을 박리하는 경우에, 지지 필름이 찢어지기 쉬워지게 되는 경향이 있고, 한편, 300㎛를 넘으면, 지지 필름을 개재시켜 활성 광선을 감광성 수지층에 조사하는 경우에 해상도가 저하하는 경향이 있고, 또한 가격이 비싸지게 되는 경향이 있다.
도전층(2)에 포함되는 유기 도전재료로서는, 예를 들면, 티오펜 혹은 티오펜 유도체의 폴리머나 아닐린 혹은 아닐린 유도체의 폴리머를 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리헥실티오펜, 폴리아닐 린등을 이용할 수 있다. 또한, 「크레비오스P」(에이치ㆍ시ㆍ스탈크(H℃. Starck)사제, 상품명), 「세프루지다OC-U1」(신에츠 폴리머 주식회사제, 상품명) 등의 시판품을 이용할 수 있다.
도전층(2)에 포함되는 유기 도전재료가, 광조사에 의해 패턴을 형성할 수 있는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 유기 도전재료는, 본 발명의 효과가 얻어지는 범위이면, 광조사에 의해 패턴을 형성할 수 있는 재료와 병용하여 도전층(2)에 함유시켜도 된다.
티오펜 혹은 티오펜 유도체의 폴리머로서는, 하기식(1)로 표시될 수 있는 반복 단위를 가지는 폴리머를 들 수 있다.
[화1]
Figure pat00001
식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 할로알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 6~40의 아릴아미노기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~40의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 2~40의 복소환기를 나타내고, 서로 이웃이 되는 치환기끼리는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 또한, 폴리머의 말단기로서는 각각, 수소 원자, 또는 치환 혹은 무치환의 1가의 기를 들 수 있다.
상기식(1)의 R1 및 R2에 있어서, 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 불소, 염소, 브롬, 및 요오드 등을 들 수 있다.
탄소수 1~20의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 3,5-테트라메틸시클로헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 및 3,5-테트라메틸시클로헥실기를 들 수 있다.
탄소수 1~20의 할로알킬기로서는, 예를 들면, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 및 펜타플루오로에틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기이다.
탄소수 1~20의 알콕시기로서는, 예를 들면, -OY로 표시되고, Y가 상기의 알킬기로 설명한 것과 같은 것을 들 수 있고, 바람직한 예도 동일하다.
탄소수 6~40의 아릴아미노기로서는, 예를 들면, 디페닐아미노기 등, 또는 디페닐아미노기나 아미노기를 치환기로서 가지는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 플루오란테닐기, 비페닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 다페닐아미노기나 아미노기를 치환기로서 가지는, 페닐기, 나프틸기이다.
핵탄소수 6~40의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기를 들 수 있다. 치환기로서는, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 이소프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 나프틸기, 비페닐기이다.
치환 또는 무치환의 탄소수 2~40의 복소환기로서는, 예를 들면, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라지닐기, 2-피리디닐기, 1-이미다졸릴기, 2-이미다졸릴기, 1-피라졸릴기, 1-인돌리디닐기, 2-인돌리디닐기, 3-인돌리디닐기, 5-인돌리디닐기, 6-인돌리디닐기, 7-인돌리디닐기, 8-인돌리디닐기, 2-이미다조피리디닐기, 3-이미다조피리디닐기, 5-이미다조피리디닐기, 6-이미다조피리디닐기, 7-이미다조피리디닐기, 8-이미다조피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-벤조푸라닐기, 3-벤조푸라닐기, 4-벤조푸라닐기, 5-벤조푸라닐기, 6-벤조푸라닐기, 7-벤조푸라닐기, 1-이소벤조푸라닐기, 3-이소벤조푸라닐기, 4-이소벤조푸라닐기, 5-이소벤조푸라닐기, 6-이소벤조푸라닐기, 7-이소벤조푸라닐기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-이소퀴놀릴기, 3-이소퀴놀릴기, 4-이소퀴놀릴기, 5-이소퀴놀릴기, 6-이소퀴놀릴기, 7-이소퀴놀릴기, 8-이소퀴놀릴기, 2-퀴노퀴살리닐기, 5-퀴노퀴살리닐기, 6-퀴노퀴살리닐기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, β-카르볼린-1-일, β-카르볼린-3-일, β-카르볼린-4-일, β-카르볼린-5-일, β-카르볼린-6-일, β-카르볼린-7-일, β-카르볼린-8-일, β-카르볼린-9-일, 1-페난트리디닐기, 2-페난트리디닐기, 3-페난트리디닐기, 4-페난트리디닐기, 6-페난트리디닐기, 7-페난트리디닐기, 8-페난트리디닐기, 9-페난트리디닐기, 10-페난트리디닐기, 1-아크리디닐기, 2-아크리디닐기, 3-아크리디닐기, 4-아크리디닐기, 9-아크리디닐기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린 4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나디닐기, 2-페나디닐기, 1- 페노티아지닐기, 2-페노티아지닐기, 3-페노티아지닐기, 4-페노티아지닐기, 10-페노티아지닐기, 1-페녹사지닐기, 2-페녹사지닐기, 3-페녹사지닐기, 4-페녹사지닐기, 10-페녹사지닐기, 2-옥사조릴기, 4-옥사조릴기, 5-옥사조릴기, 2-옥사디아조릴기, 5-옥사디아조릴기, 3-푸라자닐기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-부틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-부틸-1-인돌릴기, 4-t-부틸-1-인돌릴기, 2-t-부틸-3-인돌릴기, 4-t-부틸-3-인돌릴기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-실라플루오레닐기, 2-실라플루오레닐기, 3-실라플루오레닐기, 4-실라플루오레닐기, 1-겔마플루오레닐기, 2-겔마플루오레닐기, 3-겔마플루오레닐기, 및 4-겔마플루오레닐기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 바람직하게는, 2-피리디닐기, 1-인돌리디닐기, 2-인돌리디닐기, 3-인돌리디닐기, 5-인돌리디닐기, 6-인돌리디닐기, 7-인돌리디닐기, 8-인돌리디닐기, 2-이미다조피리디닐기, 3-이미다조피리디닐기, 5-이미다조피리디닐기, 6-이미다조피리디닐기, 7-이미다조피리디닐기, 8-이미다조피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-실라플루오레닐기, 2-실라플루오레닐기, 3-실라플루오레닐기, 4-실라플루오레닐기, 1-겔마플루오레닐기, 2-겔마플루오레닐기, 3-겔마플루오레닐기, 4-겔마플루오레닐기이다.
또, 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 이소프로필기, 부틸기, 및 페닐기 등을 들 수 있다.
R1 및 R2는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 환으로서는, 예를 들면, 디옥산환, 벤젠환, 시클로헥실환, 나프틸환이 바람직하다.
식(1)의 Y1 및 Y2는, 바람직하게는, 각각 독립하여 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~40의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 2~40의 복소환기이다. 알킬기, 아릴기 또는 복소환기에 관해서는, R1, R2와 동일한 것을 들 수 있다.
식(1)로 표시되는 폴리티오펜 또는 폴리티오펜 유도체는, 시판의 제품, 또는 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수 있다. 폴리티오펜 또는 폴리티오펜 유도체의 분자량은, 일반적으로, 수평균 분자량으로서, 1,000~100,000의 범위의 것을 이용한다. 분자량이 이것보다 작으면 π전자공역계에 근거하는 충분한 도전성이 발휘되지 않고, 다른 한편, 분자량이 지나치케 크면 점조로 되어 박막 형성이 곤란해진다. 반복 단위는 인접하는 반복 단위와, 헤드테일, 헤드-헤드 또는 테일-테일의 양식으로 결합하여 폴리머를 형성하고 있다. 티오펜환의 3위치를 치환하는 알킬기 또는 알콕시기는, 너무 장쇄의 것을 이용하면, 분자의 입체 구조의 규칙에 혼란이 생겨서 이동도를 손상할 염려가 있으므로, 탄소수 20 이하의 것이 바람직하다.
도전층(2)는, 예를 들면, 필름 지지체(1)상에, 상술한 유기 도전재료를 물 및/또는 유기용제, 필요에 따라서 계면활성제 등의 분산 안정제 등을 더한 도전층 형성용 분산액을 도공한 후, 건조하는 것에 의해 형성할 수 있다. 도공은, 예를 들면, 롤 코트법, 콤마 코트법, 그라비아 코트법, 에어 나이프 코트법, 다이코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 건조는, 30~150℃에서 1~30분간 정도, 열풍 대류식 건조기 등으로 행할 수 있다.
도전층(2)의 두께는, 본 발명의 감광성 도전 필름을 이용하여 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴의 용도나 구해지는 도전성에 따라서도 다르지만, 1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.01㎛~0.5㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.01㎛~0.3㎛인 것이 특히 바람직하다. 도전층(2)의 두께가 1㎛ 이하이면, 광의 투과성을 확보하기 쉬워진다.
감광성 수지층(3)으로서는, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.
바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 아미드에폭시 수지, 알키드 수지, 및 페놀 수지 등을 들 수 있다. 알칼리 현상성이 뛰어난 관점에서, 아크릴 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 이용할 수 있다.
상기의 바인더 폴리머는, 예를 들면, 중합성 단량체를 라디칼 중합시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 α-위치 혹은 방향족환에 있어서 치환되고 있는 중합 가능한 스티렌 유도체, 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르류, (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산테트라히드로푸르푸릴에스테르, (메타)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, α-브로모(메타)아크릴산, α-클로르(메타)아크릴산, β-푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산, 말레산, 말레산무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산모노에스테르, 푸마르산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산 및 프로피올산 등을 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물, 이들의 화합물의 알킬기에 수산기, 에폭시기, 할로겐기 등이 치환한 화합물을 들 수 있다.
[화2]
Figure pat00002
일반식(2) 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1~12의 알킬기를 나타낸다. 상기 탄소수 1~12의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 및 이들의 구조 이성체를 들 수 있다.
상기 일반식(2)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산프로필에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르, (메타)아크릴르산펜틸에스테르, (메타)아크릴산헥실에스테르, (메타)아크릴산헵틸에스테르, (메타)아크릴산옥틸에스테르, (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르, (메타)아크릴산노닐에스테르, (메타)아크릴산데실에스테르, (메타)아크릴산운데실에스테르, (메타)아크릴산도데실에스테르를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에서 이용되는 바인더 폴리머는, 알칼리 현상성을 보다 양호하게 하는 관점에서, 카르복실기를 가지는 것이 바람직하다. 이와 같은 바인더 폴리머는, 예를 들면, 카르복실기를 가지는 중합성 단량체와 그 외의 중합성 단량체를 라디칼 중합시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 카르복실기를 가지는 중합성 단량체로서는, 상술한 바와 같은(메타)아크릴산이 바람직하다.
바인더 폴리머가 가지는 카르복실기의 비율은, 사용하는 전체 중합성 단량체에 대한 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 비율로서, 알칼리 현상성과 알칼리 내성의 밸런스를 도모하는 관점에서, 12~50중량%인 것이 바람직하고, 12~40중량%인 것이 보다 바람직하고, 15~30중량%인 것이 특히 바람직하고, 15~25중량%인 것이 극히 바람직하다. 이 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 비율이 12중량% 미만에서는 알칼리 현상성이 뒤떨어지는 경향이 있고, 50중량%를 넘으면 알칼리 내성이 뒤떨어지는 경향이 있다.
바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은, 기계 강도 및 알칼리 현상성의 밸런스를 도모하는 관점에서, 20000~300000인 것이 바람직하고, 40000~150000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이, 20000 미만에서는 내현상액성이 저하하는 경향이 있고, 300000을 넘으면 현상 시간이 길어지게 되는 경향이 있다. 또, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔퍼미에이션크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌을 이용하여 작성한 검량선에 의해 환산된 값이다.
이들의 바인더 폴리머는, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다. 2종류 이상을 조합하여 사용하는 경우의 바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 다른 공중합 성분으로 이루어지는 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 중량 평균 분자량의 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 분산도의 2종류 이상의 바인더 폴리머를 들 수 있다.
다음에, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물에 관하여 설명한다. 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물로서는, 예를 들면, 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 2,2-비스(4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판, 2,2- 비스(4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판 등의 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물, 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 우레탄 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 모노머, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.
상기 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물로서는 예를 들면, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌기의수가 2~14인 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14이고, 프로필렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판테트라에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판펜타에톡시트리(메타)아크릴레이트 등의 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라(메타)아크릴레이트 등의 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨알콕시트리(메타)아크릴레이트 등의 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨알콕시펜타(메타)아크릴레이트 등의 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.
상기 중에서도, 투명성, 접착성이 뛰어나다는 점에서는, 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 우레탄 모노머로서는, 예를 들면, β위치에 히드록실기를 가지는 (메타)아크릴 모노머와 이소포론디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4- 톨루엔디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물, 트리스[(메타)아크릴옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트]헥사메틸렌이소시아누레이트, EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트, EO, PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 「EO」는 에틸렌옥사이드를 나타내고, EO변성된 화합물은 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. 또한, 「PO」는 프로필렌옥사이드를 나타내고, PO변성된 화합물은 프로필렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 「UA-11」(신나카무라화학공업주식회사제, 상품명)을 들 수 있다. 또한, EO, PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 「UA-13」(신나카무라화학공업주식회사제, 상품명)이 들 수 있다.
광중합성 화합물의 함유 비율은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서, 30~80중량부인 것이 바람직하고, 40~70중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유 비율이 30중량부 미만이면 광경화가 불충분하게 되고, 전사한 도전막의 경화성이 불충분하게 되는 경향이 있고, 80중량부를 넘으면 필름으로서 권취한 경우, 보관이 곤란하게 되는 경향이 있다.
다음에, 광중합 개시제에 관하여 설명한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미힐러케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤, 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라키논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라키논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난타라퀴논, 2-메틸1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물, 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일옥심)], 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(o-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물, 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸이량체, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체, N-페닐글리신, N-페닐글리신 유도체, 쿠마린계 화합물, 옥사졸계 화합물을 들 수 있다. 또한, 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는 동일하고 대상인 화합물을 주어도 되고, 상위하여 비대칭인 화합물을 주어도 된다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합이어도 된다. 이들 중에서도, 투명성의 견지에서는, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논 1 등의 방향족 케톤 화합물이나 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일 옥심)] 등의 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.
광중합 개시제의 함유 비율은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서, 0.1~30중량부인 것이 바람직하고, 1~10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유 비율이 0.1중량부 미만에서는 광감도가 불충분하게 되는 경향이 있고, 30중량부를 넘으면 노광할 때에 조성물의 표면에서의 흡수가 증대하여 내부의 광경화가 불충분하게 되는 경향이 있다.
감광성 수지층(3)에는, 필요에 따라서, p-톨루엔설폰아미드 등의 가소제, 충전제, 소포제, 난연제, 안정제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리촉진제, 산화 방지제, 향료, 이메징제, 열가교제 등의 첨가제를, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 함유시킬 수 있다. 이들의 첨가제의 첨가량은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서 각각 0.01~20중량부인 것이 바람직하다.
감광성 수지층(3)은, 도전층(2)를 형성한 투명한 필름 지지체(1)상에, 필요에 따라서, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 용제 또는 이들의 혼합용제에 용해한, 고형분 10~60중량% 정도의 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 것이 바람직하다. 단, 이 경우, 건조 후의 감광성 수지층 중의 잔존 유기용제량은, 후의 공정에서의 유기용제의 확산을 방지하기 위해서, 2중량% 이하인 것이 바람직하다.
감광성 수지 조성물의 도포는, 예를 들면, 롤 코트법, 콤마 코트법, 그라비아 코트법, 에어나이프 코트법, 다이코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 건조는, 70~150℃에서 5~30분간 정도에서 행할 수 있다.
감광성 수지층(3)의 두께는, 용도에 따라 다르지만, 건조 후의 두께로 1~50㎛인 것이 바람직하고, 1~20㎛인 것이 보다 바람직하고, 1~10㎛인 것이 특히 바람직하다. 이 두께가 1㎛ 미만에서는 공업적으로 도공이 곤란하게 되는 경향이 있고, 50㎛를 넘으면 광투과의 저하에 의한 감도가 불충분하게 되어 감광성 수지층의 광경화성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 접착성, 패터닝이 뛰어난 점에서는, 감광성 수지층(3)의 두께는 1㎛ 이상인 것이 바람직하다.
다음에, 보호 필름에 관하여 설명한다. 본 발명의 감광성 도전 필름에 있어서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 감광성 수지층(3)의 필름 지지체(1)측과는 반대측의 면에 보호 필름을 적층할 수 있다.
보호 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서 상술한 필름 지지체와 동일한 중합체 필름을 이용해도 된다.
보호 필름과 감광성 수지층과의 사이의 접착력은, 보호 필름을 감광성 수지층으로부터 박리하기 쉽게 하기 위해서, 도전층(2) 및 감광성 수지층(3)과 필름 지지체(1)과의 사이의 접착력보다 작은 것이 바람직하다.
또한, 보호 필름은, 저피쉬아이의 필름인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 보호 필름 중에 포함되는 직경 80㎛ 이상의 피쉬아이 수가 5개/㎡ 이하인 것이 바람직하다. 또, 「피쉬아이」는, 재료를 열용융하고, 혼련, 압출, 2축 연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에, 재료의 이물, 미용해물, 산화 열화물 등이 필름 중에 받아들여진 것이다.
보호 필름의 두께는, 1~100㎛인 것이 바람직하고, 5~50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5~30㎛인 것이 더욱 바람직하고, 15~30㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호 필름의 두께가 1㎛ 미만에서는 라미네이트할 때, 보호 필름이 찢어지기 쉬워지는 경향이 있고, 100㎛를 넘으면 가격이 비싸게 되는 경향이 있다.
감광성 도전 필름은, 필름 지지체상에 접착층, 가스 배리어층 등의 층를 더 가지고 있어도 된다.
감광성 도전 필름은, 예를 들면, 그대로의 평판상의 형태로, 또는, 원통상 등의 권심에 감아 롤상의 형태로 저장할 수 있다. 또, 이 때, 필름 지지체가 가장 외측으로 되도록 감기는 것이 바람직하다.
또한, 감광성 도전 필름이 보호 필름을 가지지 않은 경우, 이러한 감광성 도전 필름은, 그대로의 평판상의 형태로 저장할 수 있다.
권심으로서는, 종래 이용되고 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱을 들 수 있다. 또한 롤상으로 권취된 감광성 도전 필름의 단면에는, 단면 보호의 관점에서 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하고, 더하여 내에지퓨젼의 관점에서 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 감광성 도전 필름을 곤포할 때에는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 감광성 도전 필름은, 필름 지지체상에, 도전층 형성용 분산액을 도공하여 도전층을 형성하고, 뒤이어 감광성 수지 조성물을 도공하여 감광성 수지층을 형성한 것인 것이 바람직하다. 필름 지지체상에 도전층 형성용 분산액을 도공하는 것에 의해, 균일한 도전층을 형성하는 것이 용이하게 된다.
본 실시 형태의 감광성 도전 필름에 의하면, 도전 패턴이 필요하게 되는 기재상에, 감광성 수지층 및 도전층을 전사하고, 노광 및 현상을 행하는 것에 의해, 투명하고, 양호한 패턴을 가지는 도전막을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 감광성 도전 필름으로부터 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴은 유연성이 풍부하기 때문에, 플렉서블 디스플레이의 전극 등으로서 적절하다. 더욱이, 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴은 유기물로 구성할 수 있기 때문에, 바이어스 전압을 인가하는 전자기기의 전극으로서 이용하는 경우에는 마이그레이션을 충분히 억제할 수 있다고 하는 효과를 가진다.
본 발명의 도전막의 형성 방법의 일실시 형태로서는, 상기의 본 실시 형태의 감광성 도전 필름을, 기재상에 감광성 수지층이 밀착하도록 라미네이트하는 라미네이트 공정과, 기재상의 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하는 노광 공정을 구비하는 방법을 들 수 있다. 감광성 도전 필름이 보호 필름을 가지고 있는 경우는, 보호 필름을 박리 한 감광성 도전 필름을, 기재상에 감광성 수지층측으로부터 라미네이트한다. 상기 라미네이트 공정에 의해, 기재상에, 감광성 수지층, 도전층 및 지지체가 이 순서로 적층된다.
기재로서는, 예를 들면, 유리 기판, 폴리카보네이트 등의 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.
라미네이트 공정은, 예를 들면, 감광성 도전 필름을, 보호 필름이 있는 경우는 그것을 제거한 후, 가열하면서 감광성 수지층측을 기재에 압착하는 것에 의해 적층하는 방법에 의해 행해진다. 또, 이 작업은, 밀착성 및 추종성의 견지에서 감압하에서 적층하는 것이 바람직하다. 감광성 도전 필름의 적층은, 감광성 수지층 및/또는 기판을 70~130℃로 가열하는 것이 바람직하고, 압착 압력은, 0.1~1.OMPa 정도(1~10kgf/c㎡ 정도)로 하는 것이 바람직하지만, 이들의 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층을 상기와 같이 70~130℃로 가열하면, 미리 기재를 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서 기재의 예열 처리를 행할 수도 있다.
노광 공정에서는, 활성 광선을 조사하는 것에 의해서 조사된 부분의 감광성 수지층이 경화되고, 이 경화물에 의해서 도전층이 고정됨으로써, 기재상에 도전막이 형성된다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것이 이용된다. 또한, Ar이온 레이저, 반도체 레이저 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 사진용 플래드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것도 이용된다.
도전층상의 필름 지지체가 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 필름 지지체를 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 지지체가 차광성인 경우에는, 필름 지지체를 제거한 후에 감광성 수지층에 활성 광선을 조사한다.
또한, 기재가 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 기재측으로부터 기재를 통하여 활성 광선을 조사할 수 있지만, 해상도의 점에서, 도전층측으로부터 도전층 및 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다.
상기의 공정을 거치는 것에 의해, 기재상에 도전막을 구비하는 도전막 부착 기재가 얻어진다. 본 실시 형태의 도전막의 형성 방법에 있어서는, 형성된 도전막을, 필름 지지체의 박리 후, 필요에 따라서, 60~250℃ 정도의 가열 또는 0.2~10J/c㎡ 정도의 노광을 행하는 것에 의해 더욱 경화해도 된다. 가열과 노광의 양자를 행하여 더욱 경화해도 된다.
이와 같이, 본 발명의 도전막의 형성 방법에 의하면, 유리나 플라스틱 등 기판상에 용이하게 투명한 도전막을 형성하는 것이 가능하다.
다음에, 도면을 참조하면서, 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 관하여 설명한다.
본 실시 형태에 관련되는 도전 패턴의 형성 방법은, 상술한 감광성 도전 필름(10)을, 기판(20)상에 감광성 수지층(3)이 밀착하도록 라미네이트하는 공정(도 2의 (a))과, 기판(20)상의 감광성 수지층(3)의 소정 부분에 활성 광선을 조사하는 노광 공정(도 2의 (b))과, 노광한 감광성 수지층(3)을 현상하는 것에 의해 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 구비한다. 이들의 공정을 거치는 것에 의해, 기판(20)상에 패터닝된 도전막(도전 패턴)(2a)를 구비하는 도전막 부착 기판(40)이 얻어진다(도 2의(c)).
라미네이트 공정은, 예를 들면, 감광성 도전 필름(10)을, 보호 필름이 있는 경우는 그것을 제거한 후, 가열하면서 감광성 수지층(3)측을 기판에 압착하는 적층 방법에 의해 행해진다. 또, 이 작업은, 밀착성 및 추종성의 견지에서 감압하에서 적층하는 것이 바람직하다. 감광성 도전 필름(10)의 적층은, 감광성 수지층(3) 및/또는 기판(20)을 70~130℃로 가열하는 것이 바람직하고, 압착 압력은, 0.1~1.OMPa 정도(1~10kgf/c㎡정도)로 하는 것이 바람직하지만, 이들의 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층(3)을 상기와 같이 70~130℃로 가열하면, 미리 기판을 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서 기판의 예열처리를 행할 수도 있다.
노광 공정에서의 노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)로 불리는 네거티브 또는 포지티브 마스크 패탄을 통하여 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것이 이용된다. 또한, Ar 이온 레이저, 반도체 레이저 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 사진용 플래드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 레이저 노광법 등을 이용한 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다.
도전층(2)상의 필름 지지체(1)이 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 필름 지지체(1)을 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 필름 지지체(1)이 차광성인 경우에는, 필름 지지체(1)을 제거한 후에 감광성 수지층(3)에 활성 광선을 조사한다.
또한, 기판(피착물)(20)이 활성 광선에 대해서 투명인 경우에는, 기판(20)측으로부터 기판(20)을 통해 활성 광선을 조사할 수 있지만, 해상도의 점에서, 도전층(2)측으로부터 도전층(2) 및 감광성 수지층(3)에 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 현상 공정에서는, 감광성 수지층(3)의 노광부 이외의 부분이 제거된다. 구체적으로는, 도전층(2)상에 필름 지지체(1)이 존재하고 있는 경우에는, 우선 필름 지지체(1)을 제거하고, 그 후, 웨트 현상에 의해 감광성 수지층(3)의 노광부 이외의 부분을 제거한다. 이것에 의해, 소정의 패턴을 가지는 수지 경화층(3a)상에 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2a)가 남아, 도전 패턴이 형성된다.
웨트 현상은, 예를 들면, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제계 현상액 등의 감광성 수지에 대응한 현상액을 이용하여, 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크래핑 등의 공지의 방법에 의해 행해진다.
현상액으로서는, 알칼리성 수용액 등의 안전하고 또한 안정하며, 조작성이 양호한 것이 이용된다. 상기 알칼리성 수용액의 염기로서는, 예를 들면, 리튬, 나트륨 또는 칼륨의 수산화물 등의 수산화알칼리, 리튬, 나트륨, 칼륨 혹은 암모늄의 탄산염 또는 중탄산염 등의 탄산알칼리, 인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속 인산염, 피로인산나트륨, 피로인산칼륨 등의 알칼리 금속 피로인산염 등이 이용된다.
또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1~5중량% 탄산나트륨 수용액, 0.1~5중량% 탄산칼륨 수용액, 0.1~5중량% 수산화나트륨 수용액, 0.1~5중량% 4붕산나트륨 수용액 등이 바람직하다. 또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액의 pH는 9~11의 범위로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는, 감광성 수지층의 현상성에 맞추어 조절된다. 또한, 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기용제 등을 혼입시켜도 된다.
또한, 물 또는 알칼리 수용액과 1종 이상의 유기용제로 이루어지는 수계 현상액을 이용할 수 있다. 여기에서, 알칼리 수용액에 포함되는 염기로서는, 상술한 염기 이외에, 예를 들면, 붕사나 메타규산나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-아미노-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 1,3-디아미노프로판올-2, 모르폴린을 들 수 있다.
유기용제로서는, 예를 들면, 3-아세톤알코올, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소수 1~4의 알콕시기를 가지는 알콕시 에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.
수계 현상액은, 유기용제의 농도를 2~90중량%로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는, 현상성에 맞추어 조정할 수 있다. 더욱이, 수계 현상액의 pH는, 레지스트의 현상이 충분히 가능한 범위에서 가급적 작게 하는 것이 바람직하고, pH8~12로 하는 것이 바람직하고, pH9~10으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 수계 현상액 중에는, 계면활성제, 소포제 등을 소량 첨가할 수도 있다.
유기용제계 현상액으로서는, 예를 들면, 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 이들의 유기 용제는, 인화 방지를 위해서, 1~20중량%의 범위에서 물을 첨가하는 것이 바람직하다.
상술한 현상액은, 필요에 따라서, 2종 이상을 병용해도 된다.
현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 배틀 방식, 스프레이 방식, 블러싱, 슬래핑 등을 들 수 있다. 이들 중, 고압 스프레이 방식을 이용하는 것이, 해상도 향상의 관점에서 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서는, 소정의 패턴으로 노광한 후의 감광성 수지층(3)을 현상하여 미노광 부분을 제거하는 것에 의해, 미노광 부분의 감광성 수지층상의 도전층은 함께 제거되고, 노광 부분의 감광성 수지층상의 도전층은 남아, 도전 패턴이 형성된다. 현상시에는, 현상액이 도전층(2)에 스며들어 미노광의 감광성 수지층을 팽윤시키거나 감광성 수지층의 단부로부터 현상액이 스며들어 감광성 수지층을 팽윤시키거나 하는 것에 의해서, 감광성 수지층이 용해, 분산하여 패턴이 형성된다. 도전층(2)의 층두께가 0.5㎛로 얇은 경우에는, 현상액이 도전층(2)를 개재시켜 감광성 수지층(3)으로 도달하기 쉬워져, 현상성이 향상한다.
본 실시 형태의 도전 패턴의 형성 방법에 있어서는, 현상 후에 필요에 따라서, 60~250℃ 정도의 가열 또는 0.2~10J/c㎡ 정도의 노광을 행하는 것에 의해 도전 패턴을 더욱 경화해도 된다. 가열과 노광의 양자를 행하여 더 경화해도 된다.
이와 같이, 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의하면, ITO 등의 무기막과 같이 에칭 레지스트를 형성하는 일 없이, 유리나 플라스틱 등 기판상에 용이하게 투명한 도전 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
본 발명에 관련되는 도전막 부착 기판은, 상술한 도전막의 형성 방법이나 도전 패턴의 형성 방법에 의해 얻어지지지만, 투명 전극으로서 유효하게 활용할 수 있는 관점에서, 도전막 또는 도전 패턴의 표면 저항율이 10000Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 5000Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2000Ω/□ 이하인 것이 특히 바람직하다. 표면 저항율은, 예를 들면, 유기 도전재료를 포함하는 분산액의 농도 또는 도공량에 의해서 조정할 수 있다. 분산액의 농도를 높게 할수록, 또한, 도공량을 많게 하여 두께를 두껍게 할수록, 표면 저항율은 저하하는 경향이 있다. 또한, 도핑 처리에 의해서도 조정할 수 있다.
이상, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 의하면, 기판상에, 기판과의 접착성이 충분하고, 유기 도전재료를 포함하여 이루어지는 도전 패턴을 충분한 해상도로 간편하게 형성하는 것을 가능하게 하는 감광성 도전 필름, 및, 이것을 이용한 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 감광성 도전 필름의 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
<도전층 형성용 도액의 조제>
(도전층 형성용 도액(1)(유기 도전재료 용액))
폴리에틸렌디옥시티오펜의 알코올 용액인 「세푸루지다OC-U1」(신에츠폴리머 주식회사제, 광패터닝 도료, 상품명)을 메탄올 10배로 희석하고, 이것을 도전층 형성용 도액(1)으로 했다.
(도전층 형성용 도액 2(유기 도전재료 용액))
폴리에틸렌디옥시티오펜의 수용액인 「크레비오스 P」(에이치·시·스탈크(H.C.Starck)사제, 상품명)을 물로 5배로 희석하고, 이것을 도전층 형성용 도액 2로 했다.
<감광성 수지 조성물의 용액의 조제>
[아크릴 수지의 합성]
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 메틸셀로솔브와 톨루엔과의 혼합액(메틸셀로솔브/톨루엔=3/2(중량비), 이하, 「용액 s」라 한다) 400g을 더하고, 질소가스를 불어 넣으면서 교반하여, 80℃까지 가열했다. 한편, 단량체로서 메타크릴산 100g, 메타크릴산메틸 250g, 아크릴산에틸 100g 및 스티렌 50g과, 아조비스이소부티로니트릴 0.8g을 혼합한 용액(이하, 「용액 a」라 한다)을 준비했다. 다음에, 80℃로 가열된 용액 s에 용액 a를 4시간 걸려 적하한 후, 80℃에서 교반하면서 2시간 보온했다. 더욱이, 100g의 용액 s에 아조비스이소부티로니트릴 1.2g을 용해한 용액을, 10분 걸려 플라스크 내에 적하했다. 그리고, 적하 후의 용액을 교반하면서 80℃에서 3시간 보온한 후, 30분간 걸려 90℃로 가열했다. 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머 용액을 얻었다. 이 바인더 폴리머 용액에, 아세톤을 더하여 불휘발 성분(고형분)이 50중량%로 되도록 조제하여, 바인더 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은 80000이었다. 이것을 아크릴 폴리머 A로 했다.
표 1에 나타낸 재료를 동표에 나타내는 배합량(단위:중량부)으로 배합하여, 감광성 수지 조성물의 용액을 조제했다.
Figure pat00003
1) 메타크릴산：메타크릴산메틸:아크릴산에틸:및 스티렌=20：50:20:10의 중량비율의 아크릴 폴리머
<감광성 도전 필름의 제작>
(실시예 1)
도전층 형성용 도액(1)을, 지지 필름(필름 지지체)인 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 테이진주식회사제, 상품명 「G2-50」) 상에 25g/㎡로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3분간 건조하여, 도전층을 형성했다. 또 도전층의 건조 후의 막두께는, 약 0.1㎛이었다.
다음에, 지지 필름의 도전층이 설치되어 있는 측에, 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 감광성 수지층을 형성했다. 감광성 수지층의 건조 후의 막두께는, 5㎛이었다. 또한, 감광성 수지층을, 폴리에틸렌제의 보호 필름(타마폴리주식회사제, 상품명 「NF-13」)으로 덮고, 감광성 도전 필름을 얻었다.
(실시예 2)
도전층 형성용 도액 2를, 지지 필름인 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 테이진주식회사제, 상품명 「G2-50」) 상에 25g/㎡로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3시간 건조하여, 도전층을 형성했다. 또, 건조 후의 도전층의 막두께는, 약 0.1㎛이었다.
다음에, 지지 필름의 도전층이 설치되어 있는 측에, 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 감광성 수지층을 형성했다. 감광성 수지층의 건조 후의 막두께는, 5㎛이었다. 또한, 감광성 수지층을, 폴리에틸렌제의 보호 필름(타마폴리주식회사제, 상품명 「NF-13」)로 덮고, 감광성 도전 필름을 얻었다.
＜도전막의 형성＞
0.7mm 두께의 소다 유리판을 80℃로 가온하고, 그 표면상에 실시예 1, 2에서 얻어진 감광성 도전 필름을, 보호 필름을 박리하면서 감광성 수지층을 기판에 대향시켜, 120℃, 0.4MPa의 조건에서 라미네이트했다. 라미네이트 후, 기판을 냉각하여 기판의 온도가 23℃로 된 시점에서 PET필름면에 고압 수은등 램프를 가지는 노광기(주식회사 오크제작소제, 상품명 「HMW-201B」)를 이용하여, 1000mJ/c㎡의 노광량으로 도전층 및 감광성 수지층을 노광했다. 노광 후, 실온(25℃)에서 15분간 방치하고, 뒤이어, 지지체인 PET 필름을 박리함으로써, 실시예에서 제작한 도전막을 소다 유리판상에 형성했다. 실시예 1, 2의 필름을 이용하여 형성한 것의 표면 저항은, 각각 2000Ω/□, 2800Ω/□이고, 650nm의 광에 대한 투과율은 90%, 85%이었다. 결과를 표 1에 나타냈다.
또, 상기의 표면 저항은, 저저항율계(미츠비시화학주식회사제, 로레스타 GP)를 이용하고, 4탐침법에 의해 JIS K 7194에 준거하여 측정한 표면 저항율이다. 또한, 상기의 투과율은, 분광 광도계(주식회사 히타치하이테크노로지즈제, 상품명 「U-3310」)을 이용하여 측정한, 450~650nm의 파장역에 있어서의 최소 광투과율이다. 결과를 표 1에 나타냈다.
<도전 패턴의 형성>
1mm 두께의 폴리카보네이트 기판을 80℃로 가온하고, 그 표면상에, 실시예 1,2로 얻어진 감광성 도전 필름을, 보호 필름을 박리하면서 감광성 수지층을 기판에 대향시키고, 120℃, 0.4MPa의 조건에서 라미네이트했다. 래미네이트 후, 기판을 냉각하여 기판의 온도가 23℃가 된 시점에서, 지지체인 PET 필름면에 라인폭/스페이스폭이 100/100㎛에서 길이가 100mm인 배선 패턴을 가지는 포토마스크(photomask)를 밀착시켰다. 그리고, 고압 수은등 램프를 가지는 노광기(주식회사 오크제작소제, 상품명 「HMW-201B」)를 이용하여, 200mJ/c㎡의 노광량으로 도전층 및 감광성 수지층을 노광했다.
노광 후, 실온(25℃)에서 15분간 방치하고, 뒤이어, 지지체인 PET 필름을 박리하여, 30℃에서 1중량% 탄산나트륨 수용액을 30초간 스프레이하는 것에 의해 현상했다. 현상 후, 라인폭/스페이스폭이 약 100/100㎛인 도전 패턴을 폴리카보네이트 기판상에 형성했다. 각각의 도전 패턴은 양호하게 형성되어 있는 것이 확인되었다.
Figure pat00004
1…필름 지지체, 2…도전층, 2a…도전 패턴, 3…감광성 수지층, 3a…경화물층, 4…보호 필름, 10…감광성 도전 필름, 20…기판, 30…아트워크, 40…도전막 부착 기판,

Claims (6)

  1. 지지체, 유기 도전재료를 함유하는 도전층, 및 감광성 수지층이 이 순서로 적층된 구조를 가지고,
    상기 유기 도전재료가 티오펜 유도체의 폴리머이고,
    알칼리성 수용액에 의한 웨트 현상용인, 전사형 감광성 도전 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지층이, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것인, 전사형 감광성 도전 필름.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 바인더 폴리머가, 카르복실기를 가지는, 전사형 감광성 도전 필름.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물이, 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 및 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 전사형 감광성 도전 필름.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 광중합 개시제가, 방향족 케톤 화합물 또는 옥심에스테르 화합물을 포함하는, 전사형 감광성 도전 필름.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 수지층의 상기 도전층측과는 반대측에 보호 필름이 더 적층되어 있는, 전사형 감광성 도전 필름.
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