JP4122889B2 - 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 - Google Patents
導電路又は電極、およびそれらの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4122889B2 JP4122889B2 JP2002231169A JP2002231169A JP4122889B2 JP 4122889 B2 JP4122889 B2 JP 4122889B2 JP 2002231169 A JP2002231169 A JP 2002231169A JP 2002231169 A JP2002231169 A JP 2002231169A JP 4122889 B2 JP4122889 B2 JP 4122889B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- forming
- conductive polymer
- conductive path
- ablation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 47
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 5
- 239000006224 matting agent Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 2
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018185 Al—Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 2
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIYCHXAGWOYNNA-UHFFFAOYSA-N vinyl sulfide Chemical compound C=CSC=C UIYCHXAGWOYNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018131 Al-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018461 Al—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020639 Co-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910020675 Co—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002588 FeOOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017114 Fe—Ni—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001422 N-substituted pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 229910019800 NbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- VJFCXDHFYISGTE-UHFFFAOYSA-N O=[Co](=O)=O Chemical compound O=[Co](=O)=O VJFCXDHFYISGTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008427 Si—Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920004933 Terylene® Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 1
- YVRQEGLKRIHRCH-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzothiazino[2,3-b]phenothiazine Chemical compound S1C2=CC=CC=C2N=C2C1=CC1=NC3=CC=CC=C3SC1=C2 YVRQEGLKRIHRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHWXCYJGJOLNFA-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzoxazino[2,3-b]phenoxazine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2N=C2C1=CC1=NC3=CC=CC=C3OC1=C2 AHWXCYJGJOLNFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- OIPILFWXSMYKGL-UHFFFAOYSA-N acetylcholine Chemical compound CC(=O)OCC[N+](C)(C)C OIPILFWXSMYKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004373 acetylcholine Drugs 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WEDMWEAVHLDAAH-UHFFFAOYSA-N circumanthracene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C=7C8=C9C%10=C6C(=C3)C=CC%10=CC=C9C=CC8=CC(C=73)=C6)C4=C5C3=C2C6=C1 WEDMWEAVHLDAAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- FMULMJRDHBIBNO-UHFFFAOYSA-N dibenzo[a,c]pentacene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 FMULMJRDHBIBNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNTHRSHGARDABO-UHFFFAOYSA-N dibenzo[a,l]pyrene Chemical compound C1=CC=CC2=C3C4=CC=CC=C4C=C(C=C4)C3=C3C4=CC=CC3=C21 JNTHRSHGARDABO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N heptacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N ovalene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C(C=C3)=CC=C3C6=C6C(C=C3)=C3)C4=C5C6=C2C3=C1 LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011044 quartzite Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MXNUCYGENRZCBO-UHFFFAOYSA-M sodium;ethene;2-methylprop-2-enoate Chemical compound [Na+].C=C.CC(=C)C([O-])=O MXNUCYGENRZCBO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- RIQXSPGGOGYAPV-UHFFFAOYSA-N tetrabenzo(a,c,l,o)pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C=C3C(C=C4C=C5C6=CC=CC=C6C=6C(C5=CC4=C3)=CC=CC=6)=C3)C3=C(C=CC=C3)C3=C21 RIQXSPGGOGYAPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は導電路又は電極の形成方法に関し、特に、導電性ポリマーを用いた半導体素子に用いられる導電路又は電極の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子としての有機薄膜トランジスタに用いられる導電路や電極の新しい作製法が提案されてきている。例えば、WO 01/47043、同00/79617、特開平11−274671号等にインクジェットによりダイレクトに導電路や電極を形成する技術が開示されているが、製造効率が低く、量産には不向きなものであった。
【0003】
また、特開2000−239853や同2001−35814等に金属の微粒子を分散した液を塗布し、熱融着することにより導電性の金属薄膜を形成する技術が開示されている。これらの中には、金属薄膜を形成したのちに通常のエッチング処理によりパターン化する方法が記載されているものの、レジスト形成やエッチング処理といった煩雑な処理が必要であり、製造効率がよいとはいえないものであった。又、特開2000−239853には金属微粒子の分散物をスクリーン印刷により形成する方法が記載されているが、スクリーン印刷を含む印刷による方法では、解像度が低く、位置精度の高いパターニングは難しいものであった。
【0004】
簡便で、解像度が高く、位置精度の高い、製造効率の高い導電路や電極の形成方法の提供が強く望まれていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、本発明の目的は、簡便で、製造効率が高く、解像度や位置精度の高い導電路や電極の形成方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、以下の本発明の構成により解決された。
【0007】
(1)支持体上に光感応性樹脂を含有するアブレーション層及び導電性ポリマーを含有する導電性ポリマー層をこの順に形成する工程、前記アブレーション層を高密度のエネルギー光線で露光する工程、及び前記アブレーション層の露光部に該当する前記導電性ポリマー層を前記露光部と共に剥離し除去する除去工程を経ることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。
【0008】
(2)高密度エネルギー光の照射によりアブレーションすることを特徴とする(1)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0009】
(3)高密度エネルギー光が波長700nm以上の赤外光であることを特徴とする(1)又は(2)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0010】
(4)高密度エネルギー光がレーザ光であることを特徴とする(1)〜(3)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0011】
(5)透明支持体を用い、支持体側から高密度エネルギー光を照射することを特徴とする(1)〜(4)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0012】
(6)前記(1)〜(5)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法により形成されたことを特徴とする導電路又は電極。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図をもって説明する。
【0014】
図1はアブレーションを利用し導電路や電極を形成する方法の基本的層構成図である。
【0015】
支持体10上に均一に形成された光感応性樹脂を含有するアブレーション層20と均一に形成された導電性ポリマーを含有する導電性ポリマー層30とを、その順序で形成し、層形成後実線又は破線の矢印で示す高密度エネルギー光を支持体10、又は導電性ポリマー層30を透過しアブレーション層20を露光する照射方法を示している。
【0016】
図2は吸引によりアブレーション部の剥離・除去を行う例を示す図である。
レーザ露光によりアブレーションを行った後、アブレーション層の露光部分の分解物と当該部分の導電性ポリマー層とよりなる露光部201を吸引装置300により吸引・除去し、残存した未露光部202であるところのパターニングされた導電性ポリマー層(導電路や電極)を得るものである。ここで301は導電性ポリマー等を矢印方向に吸引する吸引口、302は吸引のためのブロア、100は支持体等を矢印方向に搬送する搬送手段である。
【0017】
図3は剥離シートを用いてアブレーション部の剥離を行う例を示す図である。
図3(a)はマット剤を用いた方法で、支持体10上に光感応性樹脂を含有するアブレーション層20と均一に形成された導電性ポリマーを含有する導電性ポリマー層30とを形成し、その上にマット剤(粒子状固形物)410を含有するオーバーコート層41を塗布し、その上を剥離シート50でカバーしたものである。オーバーコート層41と導電性ポリマー層30との間にマット剤410による空隙が形成されており、支持体側からのレーザ露光によるアブレーション層のアブレーションを行うことにより、アブレーション層20及び導電性ポリマー層30をオーバーコート層41と共に剥離シート50へ転写し、剥離シートを矢印方向に剥離することにより、支持体上にパターニングされた導電性ポリマー層30(導電路や電極)を得ることができる。
【0018】
図3(b)はクッション層を用いた方法で、クッション層42を剥離シート50でカバーし、支持体側からレーザ光によるアブレーション層のアブレーションを行うことにより、アブレーションされた部分はクッション層42に吸着され、剥離シート50を矢印方向に剥離することにより、支持体上にパターニングされた導電性ポリマー層30(導電路や電極)を得るものである。
【0019】
アブレーションに用いる高密度エネルギー光としては、支持体とアブレーション層との界面或いは導電性ポリマー層とアブレーション層との界面でアブレートするような光源であれば特に制限はなく用いることができる。露光方法としては、キセノンランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどによるフラッシュ露光を、フォトマスクを介して行ってもよいし、レーザー光等を収束させ走査露光を行っても良い。その中でも、高解像度を得るためには、エネルギー印加面積が絞り込める電磁波、特に波長が1nm〜1mmの紫外線、可視光線、赤外線が好ましく、このようなレーザ光源としては、一般によく知られている、ルビーレーザ、YAGレーザ、ガラスレーザ等の固体レーザ;He−Neレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、CO2レーザ、COレーザ、He−Cdレーザ、N2レーザ、エキシマーレーザ等の気体レーザ;InGaPレーザ、AlGaAsレーザ、GaAsPレーザ、InGaAsレーザ、InAsPレーザ、CdSnP2レーザ、GaSbレーザ等の半導体レーザ;化学レーザ、色素レーザ等を挙げることができ、これらの中でも効率的にアブレーションを起こさせるためには、波長が700〜1200nmの赤外レーザを用いるのが、光エネルギーを熱エネルギーに変換できる(光エネルギーでアブレーション層の分子運動を大きくし、効率よくアブソレートできる)ことから、感度の面で好ましい。
【0020】
レーザ1ビーム当たりの出力は20〜200mWである赤外線レーザが最も好ましく用いられる。エネルギー密度としては、好ましくは50〜500mJ/cm2、更に好ましくは100〜200mJ/cm2である。
【0021】
レーザ光をパターン照射する方向としては、導電性ポリマー層側からでも、支持体側からでもよい。
【0022】
なお、ここで言うアブレートとは、物理的或いは化学的変化によりアブレーション層が完全に飛散する、一部が破壊される或いは飛散する、支持体の界面又は導電性ポリマー層の界面近傍のみに物理的或いは化学的変化が起こるという現象も含む。
【0023】
さらに前述のように剥離シートを引き剥がす方法としては、剥離板、剥離ロールによる剥離角度固定方法、手で支持体と剥離シートとを固定せずに引き剥がす手剥離方法等、パターニングに影響を与えなければ種々の剥離方法を用いることができる。
【0024】
以下、本発明の構成に用いられる材料について説明する。
本発明に用いられる支持体としては、ガラス、ベークライトやフレキシブルなプラスチックフィルムなど、任意の材料を用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、等からなるフィルムが挙げられる。このようなプラスチックフィルムを用いることにより、軽量化を図ることができ、可撓性を高め、可搬性を高めることができ、又衝撃に対する耐性を向上できる。軟化点は150℃以上が好ましく、更には200℃以上の樹脂が好ましい。
【0025】
そしてプラスチックフィルムは、フィルム状に延伸しヒートセットしたものが寸法安定性の点で好ましく、又レーザー光を支持体側から露光する場合があることから、その場合は支持体としては該レーザー光の有効波長に対して透過率の高いものが好ましく、通常80%以上、更には85%以上の透過率の支持体を用いることが好ましい。
【0026】
本発明に用いられるアブレーション層は、微粒子、バインダー樹脂および必要に応じて添加される各種添加剤から構成することができる。
【0027】
アブレーション層中の微粒子は、従来から公知の色材となりうる微粒子(以後色材微粒子と略記する)の中から、使用する用途に応じた色調の微粒子を適時選択して用いることができる。
【0028】
上述の色材微粒子は、レーザー光を効率的に熱に変換してアブレーションが生ずる色材微粒子の方が、製造時の塗工液の安定性やコストの面から好ましい。例えば、印刷版作成時の透過原稿や医療の診断画像のように黒色の画像を作成するには、グラファイト、カーボンブラック、金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物、四三酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化銅、チタンブラック、磁性粉末などの600〜1200nmの波長域に吸収のある色材微粒子を用いることができ、特に、画像解像度やアブレーションが生じた部分の残存濃度の点から、磁性粉末を用いるのがより好ましい。
【0029】
この様な磁性粉末は、強磁性酸化鉄粉末、強磁性金属粉末、立方晶板状粉末等が挙げられ、中でも、強磁性金属粉末を好適に用いることができる。
【0030】
このような強磁性金属粉末としては、Fe、Coを始め、Fe−Al系、Fe−Al−Ni系、Fe−Al−Zn系、Fe−Al−Co系、Fe−Al−Ca系、Fe−Ni系、Fe−Ni−Al系、Fe−Ni−Co系、Fe−Ni−Zn系、Fe−Ni−Mn系、Fe−Ni−Si系、Fe−Ni−Si−Al−Mn系、Fe−Ni−Si−Al−Zn系、Fe−Ni−Si−Al−Co系、Fe−Al−Si系、Fe−Al−Zn系、Fe−Co−Ni−P系、Fe−Co−Al−Ca系、Ni−Co系、Fe、Ni、Co等を主成分とするメタル磁性粉末等の強磁性金属粉末が挙げられ、中でもFe系金属粉末が好ましい。
【0031】
尚、強磁性金属粉末の形状は、長軸径が0.30μm以下、好ましくは0.20μm以下の針状が好ましく、このような強磁性金属粉末を用いることによりアブレーション層の表面性を向上させることができる。また、色材微粒子の含有量は、アブレーション層形成成分の50〜99質量%程度、好ましくは60〜95質量%である。
【0032】
アブレーション層のバインダー樹脂は、前記色材微粒子を十分に保持できるものであれば、特に制限無く用いることができる。
【0033】
このようなバインダー樹脂としては、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。
【0034】
また、色材微粒子として強磁性金属粉末を用いる場合においては、アブレーション層塗工液の液安定性を考えると、バインダー樹脂中に、−SO3M、−OSO3M、−COOM及び−PO(OM1)2[ここに、Mは水素原子又はアルカリ金属を、M1は水素原子、アルカリ金属又はアルキル基を表す]から選ばれる少なくとも1種の極性基を有することが、強磁性金属粉末の分散性を向上させることができることから好ましい。
【0035】
バインダー樹脂の含有量は、アブレーション層形成成分の1〜50質量%程度、好ましくは5〜60質量%である。
【0036】
本発明に係る導電性ポリマー層30を構成する導電性ポリマーとしては、ドーピングが施された導電性π共役系ポリマーが好ましい。
【0037】
たとえばポリピロール、ポリ(N−置換ピロール)、ポリ(3−置換ピロール)、ポリ(3,4−二置換ピロール)などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ(3−置換チオフェン)、ポリ(3,4−二置換チオフェン)、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチエニレンビニレンなどのポリチエニレンビニレン類、ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、ポリアニリン、ポリ(N−置換アニリン)、ポリ(3−置換アニリン)、ポリ(2,3−置換アニリン)などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ(N−置換カルバゾール)などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ(p−フェニレン)などのポリ(p−フェニレン)類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平11−195790号に記載された多環縮合体などを用いることができる。
【0038】
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チエニレンビニレン、フェニレンビニレン、p−フェニレン、これらの置換体またはこれらの2種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数nが4〜10であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数nが20以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれた少なくとも1種が好ましい。
【0039】
前記ドーピングとは電子授与性分子(アクセプター)または電子供与性分子(ドナー)をドーパントとして導電性ポリマー層に導入することを意味する。従って、ドーピングが施された導電性ポリマー層は、前記の縮合多環芳香族化合物とドーパントを含有する導電性ポリマー層である。本発明に用いるドーパントとしてアクセプター、ドナーのいずれも使用可能である。
【0040】
このアクセプターとしてCl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IFなどのハロゲン、PF5、AsF5、SbF5、BF3、BC13、BBr3、SO3などのルイス酸、HF、HC1、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3H、ClSO3H、CF3SO3Hなどのプロトン酸、酢酸、蟻酸、アミノ酸などの有機酸、FeCl3、FeOCl、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoCl5、WF5、WCl6、UF6、LnCl3(Ln=La、Ce、Nd、Pr、などのランタノイドとY)などの遷移金属化合物、Cl-、Br-、I-、ClO4 -、PF6 -、AsF5 -、SbF6 -、BF4 -、スルホン酸アニオンなどの電解質アニオンなどを挙げることができる。
【0041】
またドナーとしては、Li、Na、K、Rb、Csなどのアルカリ金属、Ca、Sr、Baなどのアルカリ土類金属、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Ybなどの希土類金属、アンモニウムイオン、R4P+、R4As+、R3S+、アセチルコリンなどをあげることができる。
【0042】
これらのドーパントのドーピングの方法として予め導電性ポリマー層を作製しておき、ドーパントを後で導入する方法、導電性ポリマー層作製時にドーパントを導入する方法のいずれも使用可能である。前者の方法のドーピングとして、ガス状態のドーパントを用いる気相ドーピング、溶液あるいは液体のドーパントを該層に接触させてドーピングする液相ドーピング、個体状態のドーパントを該層に接触させてドーパントを拡散ドーピングする固相ドーピングの方法をあげることができる。また液相ドーピングにおいては電解を施すことによってドーピングの効率を調整することができる。後者の方法では、導電性ポリマーとドーパントの混合溶液あるいは分散液を同時に塗布、乾燥してもよい。たとえば真空蒸着法を用いる場合、導電性ポリマーとともにドーパントを共蒸着することによりドーパントを導入することができる。またスパッタリング法で該層を作製する場合、導電性ポリマーとドーパントの二元ターゲットを用いてスパッタリングして導電性ポリマー層中にドーパントを導入することができる。さらに他の方法として、電気化学的ドーピング、光開始ドーピング等の化学的ドーピングおよび例えば刊行物「工業材料」34巻、第4号、55頁(1986年)に示されたイオン注入法等の物理的ドーピングの何れも使用可能である。
【0043】
以上の導電性ポリマーのうち、水溶性又は水分散性の材料を用いて、導電性ポリマーの水系溶液又は水系分散液から導電性ポリマー層を形成するのが好ましい。これにより、光感応性樹脂の現像液として好ましいアルカリ水溶液によって導電性ポリマー層毎除去することが可能となる。またアニオンがドーピングされた導電性ポリマーを用いると、アルカリ水溶液への親和性をより高めることができる。このアニオン種としては、スルホン酸アニオンが最も好ましく、導電性ポリマー層の機械的強度を高める観点からポリスチレンスルホン酸などのポリマーを用いるのが好ましい。導電性ポリマーの最も好ましい態様は、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体(PEDOT/PSS錯体)である。
【0044】
導電性ポリマー層の厚みは、用途にもよるが導電性確保のため0.1〜3μmが好ましい。
【0045】
光照射後にアブレートされたアブレーション層を剥離するために設ける剥離シートは、ヒートシール性の有る樹脂シートを剥離シートとしたり、上記の支持体として用いられる樹脂フィルム上にクッション層を設けて形成したものでもよい。クッション層は、それ自身常温で接着性を有するもの、熱や圧力を掛けることにより接着性を発現するもののいずれでもよく、例えば、低軟化点の樹脂、接着性付与剤、熱溶剤、ワックス、微粒子等を適宜選択し含有させることにより、各層間の接着強度を、未露光部はクッション層と導電性ポリマー層との間の接着強度が最も低く、露光部は支持体とアブレーション層との間の接着強度が最も低くなるようにクッション層と導電性ポリマー層との間の接着強度を調整し、形成することができる。
【0046】
低軟化点の樹脂としては、ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、アクリル系樹脂、アイオノマー樹脂、セルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂等が挙げられ、接着性付与剤としては、ロジン、水添ロジン、ロジンマレイン酸、重合ロジン及びロジンフェノール等の未変性若しくは変性物、テルペン並びに石油樹脂及びそれらの変性物等が挙げられる。又、熱溶剤としては、公知の常温で固体であり、加熱時に可逆的に液化又は軟化する化合物を適時選択して用いることができる。
【0047】
剥離シートの厚みは6〜100μm程度、好ましくは10〜50μmであり、クッション層の厚みは0.05〜30μm程度、好ましくは0.1〜20μmである。
【0048】
支持体上に形成された導電性ポリマー層の上にはオーバーコート層を形成しても良く、オーバーコート層の膜厚は通常0.01μm以上、0.3μm以下であり、バインダー樹脂としては、ポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体等の塩化ビニル系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等のポリオレフィン系樹脂、ポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール系樹脂、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体等のスチレン系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセトアセタール、ポリビニルホルマール等のアセタール系樹脂、及びポリビニルアルコール、ゼラチン等の水溶性樹脂等が挙げられる。
【0049】
これらの樹脂を硬化剤を用いて硬化してもよく、このような硬化剤としては、例えば、ポリウレタン樹脂を合成する際に用いられるポリイソシアネートなどを挙げることができる。
【0050】
オーバーコート層中には必要に応じてマット剤を添加しても良い。マット剤としては、カーボンブラック、グラファイト、TiO2、BaSO4、ZnS、MgCO3、CaCO3、ZnO、CaO、WS2、MoS2、MgO、SnO2、Al2O3、α−Fe2O3、α−FeOOH、SiC、CeO2、BN、SiN、MoC、BC、WC、チタンカーバイド、コランダム、人造ダイアモンド、ザクロ石、ガーネット、ケイ石、トリボリ、ケイソウ土、ドロマイト等の無機フィラーやポリエチレン樹脂粒子、フッ素樹脂粒子、グアナミン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、シリコン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子等の有機フィラーを挙げることができる。
【0051】
オーバーコート層には必要に応じて、ワックス、シリコン系化合物及びフッ素系化合物の中から少なくとも1種類の添加剤(滑剤)を適宜選択し含有させることにより、各層間の接着強度を、未露光部はオーバーコート層と導電性ポリマー層との間の接着強度が最も低く、露光部は支持体とアブレーション層との間の接着強度が最も低くなるようにオーバーコート層と導電性ポリマー層との間の接着強度を調整し、形成することができる。
【0052】
また、形成された導電路或いは電極と支持体との接着性を向上させるためには、任意のプライマー層を設けても良い。
【0053】
各層の組成物の塗布方法としては、ディッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレイコート、ダイコート等の公知の塗布方法を用いることができ、連続塗布又は薄膜塗布が可能な塗布方法が好ましく用いられる。
【0054】
【発明の効果】
本発明の方法により、解像度や位置精度の高い導電路や電極を、簡便な作製方法で提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】アブレーションを利用し導電路や電極を形成する方法の基本的層構成図である。
【図2】吸引によりアブレーション部の剥離・除去を行う例を示す図である。
【図3】剥離シートを用いてアブレーション部の剥離を行う例を示す図である。
【符号の説明】
10 支持体
20 アブレーション層
30 導電性ポリマー層
41 オーバーコート層
42 クッション層
50 剥離シート
201 露光部
202 未露光部
300 吸引装置
Claims (6)
- 支持体上に光感応性樹脂を含有するアブレーション層及び導電性ポリマーを含有する導電性ポリマー層をこの順に形成する工程、前記アブレーション層を高密度のエネルギー光線で露光する工程、及び前記アブレーション層の露光部に該当する前記導電性ポリマー層を前記露光部と共に剥離し除去する除去工程を経ることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。
- 高密度エネルギー光の照射によりアブレーションすることを特徴とする請求項1記載の導電路又は電極の形成方法。
- 高密度エネルギー光が波長700nm以上の赤外光であることを特徴とする請求項1又は2記載の導電路又は電極の形成方法。
- 高密度エネルギー光がレーザ光であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- 透明支持体を用い、支持体側から高密度エネルギー光を照射することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- 請求項1〜5の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法により形成されたことを特徴とする導電路又は電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002231169A JP4122889B2 (ja) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002231169A JP4122889B2 (ja) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004071936A JP2004071936A (ja) | 2004-03-04 |
JP4122889B2 true JP4122889B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=32017015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002231169A Expired - Fee Related JP4122889B2 (ja) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4122889B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4945899B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2012-06-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4881806B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-02-22 | 信越ポリマー株式会社 | 配線シートの製造方法 |
KR20160052754A (ko) * | 2010-05-13 | 2016-05-12 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법 |
-
2002
- 2002-08-08 JP JP2002231169A patent/JP4122889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004071936A (ja) | 2004-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7510951B2 (en) | Method for forming high-resolution pattern with direct writing means | |
US7462570B2 (en) | Method for forming high-resolution pattern and substrate having prepattern formed thereby | |
US6429450B1 (en) | Method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials | |
EP1944775B1 (en) | Production of electronic devices | |
CN100585731C (zh) | 存储器件制造中的方法 | |
EP1361619A2 (en) | Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof | |
JP4606136B2 (ja) | 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置 | |
TW200821746A (en) | Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices | |
TW200712773A (en) | Negative photosensitive resin composite, method of forming pattern and electronic component | |
US20060159945A1 (en) | Solution and method for the treatment of a substrate, and semiconductor component | |
EP2166543B1 (en) | Production of electronic devices | |
JP2003324202A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
Ishii et al. | Nanocomposite resist system | |
JP2004031933A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び、それにより製造された有機薄膜トランジスタと有機薄膜トランジスタシート | |
US20090127544A1 (en) | Method for producing organic electronic devices on solvent-and/or temperature-sensitive plastic substrates | |
JP4122889B2 (ja) | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 | |
JP2006248139A (ja) | ブランケットおよび有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JPWO2005098927A1 (ja) | Tftシートおよびその製造方法 | |
US4702993A (en) | Treatment of planarizing layer in multilayer electron beam resist | |
JP2007264118A (ja) | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
TW201410802A (zh) | 反向印刷用導電性墨水及薄膜電晶體之製造方法、以及以該製造方法形成之薄膜電晶體 | |
US20090302279A1 (en) | Method of Obtaining Patterns In an Organic Conductor Substrate and Organic Material Thus Obtained | |
US4810617A (en) | Treatment of planarizing layer in multilayer electron beam resist | |
JP2001060257A (ja) | Icカード用積層フィルム | |
KR20070077084A (ko) | 패턴형성용 조성물, 그를 이용한 유기 메모리 소자의활성층패터닝방법 및 그 방법에 의해 제조된 활성층을포함하는 유기 메모리 소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4122889 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |