JPS62276894A - スル−ホ−ル付導体回路板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） この発明は、ＩＣカード、電子機器等に組み込まれるス
ルーホール付導体回路板の製造方法に関する。

（従来の技術及びその問題点） 近年、ＩＣカード、電子機器等の高性能化、軽薄化等に
伴い、これらに組み込まれる導体回路板は益々回路パタ
ーンの裔密度化、薄膜化の傾向にあり、その中で、基板
の両面に導体回路を形成さすることにより配線密度を高
めた両面導体回路板が注目されている。そして、このよ
うな導体回路板を能率良く、大量に、且つ、高品質で製
造する方法が要請されている。

導体回路板を製造する従来の一般的な方法としては、ガ
ラスエボキン樹脂等の絶縁基板表面に１８μｍ乃至は３
５μｍ、或いはそれ以上の膜厚を有する銅箔を接着積層
し、この銅箔面にフォトレジスト、印刷レジスト等の材
料によりマスキングを施し、逗体回路以外の不要部分を
エツチング除去する、所謂エツチング法がある。

この方法は工程上絶縁基板上の銅箔の厚さを薄くするこ
とが出来ず、導体回路板の薄膜化には木質的に不向きで
あるばかりか、銅箔製造後の表面処理、切断、絶縁基板
への積層等の工程時に物理的に加わる引張力、折曲力等
に充分に耐え得るためには銅箔厚さが１８μｍ以上のも
のを使用する必要があり、導体回路の高密度化に必要な
、銅箔厚さが５〜ｌＯμｍの銅張基板を得ることが困難
であった。

上述のエツチング法の問題を解決するものとして、所謂
転写法により作製する導体回路板が、例えば、特公昭５
５−３２２３９号公報、特公昭５７−２４０８０号公報
、特公昭５７−３９３１８号公報、特開昭６０−１４７
１９２号公報により公知である。

特公昭５５−３２２３９号公報、特公昭５７〜２４０８
０号公報及び特公昭５’Ｌ３９３１８号公報Ｇこ開示の
導体回路板の製造方法（以下これを「ヘルド転写法」と
いう）は、金属製回転ドラムの外周面又はホリヅンクル
メノキ装置の陰極部に摺動する）１手の導電性金属帯表
面にレジストマスクを施し、この金属帯を陰楕としてこ
れを不溶性の陽極に所定の間隔を保ちながら送行させ、
金属帯と陽極間にメッキ液を高速で強制的に供給して金
属帯表面に導体回路を電解形成させ、この導体回路に予
め接着材が塗布された絶縁基材を密着させたあと、絶縁
基材と導体回路を金属帯から引き剥がし、必要に応じて
導体回路にオーバレイを積層液：Ｖｌすることにより導
体回路板を実現させるものである。このベルト転写法は
高速メッキを行うために従来の工、チング法等より導体
回路形成速度が暑しく早く、且つ、連続的に導体回路［
反を作製できる点ですくれているが、導体回路を転写し
た絶縁基材を金属帯から引き刊がす分離工程時に、導体
回路と金属帯表面との密性強度と、レジストと金属帯表
面との密着・強度の相違等に起因して、ｎ体回路が′４
ｆＡ縁基材側に部分的に転写しないことや、レジストマ
スク材が絶縁基材側に転写したり、転写分！過程で回路
がスイング、デフォルムを起こし、ショート、シワ、折
れ、打痕、裂は目等の欠陥が発生するという間題がある
。

又、ベルト転写法は導電性基材として金属帯を使用する
ので、幅広の金属帯を使用すると金属帯が送行中に波打
ち、金属帯と陽極間距離を一定に保つことが難しい。従
って、金属帯上に電解される導体回路の厚みが場所によ
って異なり、微細な回路パターンを有する導体回路では
転写時の寸法安定性に劣り、歩留りが悪いという問題が
ある。

このため、ヘルド転写法では幅広の金属帯が使用できず
、このため生産性の向上に制限がある。

更に、例えば特公昭５７−２４０８０号公ンｇに開示さ
れるように、リールに巻かれたステンレス鋼の金属帯を
リールに巻き取る、所謂リール・ツー・リールの状態で
使用すると、ステンレス板表面に傷、汚れ等のＦＵ傷を
与えたり、レジストパターン付与時にパターンに汚れ、
傷等を与え易い。しかも、レジストパターンの汚れ、傷
等に対処するために作業を中断すると、今度は回路の形
成をｔ員なう等の問題が生じるので、リール・ツー・リ
ール方式ではたとえレジストパターンに汚れ、傷等の損
傷が発生しても安易に作業（ライン）を中断することが
難しい。この結果、不良率の増加、作業性の低下等の問
題が生じる。

又、金属帯としてステンレス鋼を使用すると、この金属
帯表面には気孔等の避けられない物理的欠陥や電気化学
的欠陥が存在し、ベルト転写法は、このような欠陥のあ
る金属帯表面上に直接導体回路を電解析出させるので、
導体回路にピンホールが発生し易く、特に銅回路幅１０
０μｍ以下、回路間隔１００μｍ以下等の高密度導体回
路板では重要な問題となる。

前記特開昭６（１−１４７１９２号公報に開示の導体回
路板の製造方法（以下これを「従来転写法」という）は
、基板上に薄膜金属層を施す工程（第２１図ｆｉｌ）と
、この薄膜金属層表面を粗面化する工程（第２１図（ｂ
））と、薄膜金属層表面に導体回路を形成する部分を除
きメツキレシストを形成する工程（第２１（Ｃ１）と、
メツキレシストを形成した薄膜金属層表面にメッキを行
って導体回路を形成する工程（第２１（ｄｉ）と、その
後に薄膜金属層、導体回路及びメツキレシストを共に上
記基板から７１１離して絶縁性基材へ転写する工程（第
２１（ｅｌ）と、転写された薄膜金属層をエツチングに
より除去する工程（第２１図（ｒ））とからなるもので
、この従来転写法は、基板上に１〜１０μｍ程度の薄膜
金属層を形成しておき、これを転写時にメツキレシスト
及び導体回路と共に絶縁性基材に転写することにより、
４体回路を容易且つ確実に転写することが出来る点で前
述のベルト転写法より優れている。そして、薄膜金属層
表面に塩化第二銅・塩酸混合液等を使用して化学エツチ
ング法により粗面化することによりレジスト及び導体回
路メッキ膜の薄膜金属層への密着性を良好に保つように
している。しかしながら、従来転写法は上述のように基
板上に薄膜金属層を形成させた後、この薄膜金属層表面
を粗面化する工程が必須要件であり、この粗面化処理に
時間が掛かり、生産性の向上に悪影宮を及ぼすと共に、
工ｆ７節略化の上で好ましくない。

一方、導体回路と絶縁基材との密着性を向上させるため
には導体回路表面は所定の粗度を存しでいる必要がある
。

更に、上述の各転写法を両面導体回路板の製造に適用す
る場合、導体回路が形成された一対の導電性基材を導体
回路を内側にして互いに対向させ、絶縁基材を挟んで三
者を一体に加熱圧着したのち前記絶縁基材から導電性基
材のみを引き７４１がして絶′４＆基材の両面に導体回
路を転写して残留させる事が一般的である。しかしなが
ら、上記のヘルド転写法では、原理的に両面の導体回路
の正確な位置合わせが困デにであり、両面導体回路板へ
の応用は不可能に近い。又、仮にできたとしても、絶縁
基材から導電性基材をｆｆ１ｌｌ離する時に上記したよ
うなノワ、折れ、打痕、裂は口等の問題、及びピンホー
ル等の問題に加えて、両面板に不可欠なスルーホールメ
ッキを施す工ｆ７で、電気的に独立した導体部分つまり
島状部の導通をとることが困難であるという新たな問題
が生し、また、従来転写法では、上記したような工程の
ＷＱＭさが依然として存在する。

本発明は上述の種々の問題点を解決するためになされた
もので、生産性が高く、設備及びその設置面積が最小限
でよ（、しかも、高密度の回路パターンの形成が確実、
且つ安定的に実現でき、特に両面導体回路板のスルーホ
ール孔明は加工時に、島状部の導通を容易に確保しうる
スルーホール付導体回路板の製造方法を提供することを
目的とする。

（問題点を解決するための手段及び作用）上述の目的を
達成するために本発明者等が種々研究を重ねた結果、少
ない生産設備と少ない設置面積で高い生産性を上げるに
は、所謂高速メッキ法の採用が必要であること、特別な
粗面化処理工程を必要とせずに、高速メッキ法により所
要の粗度のメッキ面を得る電解メッキ条件を究明しｔｉ
ｔたこと、所謂単板プレス法によりｉＬ導電基材薄銅膜
を介在させて導体回路を形成し、これを絶縁基（反に転
写すれば４体回路が絶縁基板に容易且つ確実に転写でき
ること、更には、スルーホール付両面導体回路板の製造
に適用した場合も同様の効果が得られるとともに、全面
に形成された薄銅膜が導通媒体として機能するため、ス
ルーホールのメッキ工程において、スルーホールを形成
した４体部が島状部であっても、容易にメッキを施すこ
とができること等の認識に基づくものである。

Ｊ’ｌＪち、本発明のスルーホール付導体回路板の製造
方法は、表面粗度０．０８〜０．２３μｍの平板状導電
基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極問罪Ｍ３
〜３０ｍｍだけ離間させ、これらの電極に対する電解液
の接液スピードが２．６〜２Ｑ、Ｑｍ／ｓｅｃとなるよ
うに電解液を強制的に供給し、電流密度０．１５〜４．
ＯＡ／ｃａｌの条件で電解メッキを施して前記導電基材
に１〜５μｍの薄膜金属層を形成する工程と、形成した
薄膜金属層の、導体回路を形成する部分を除く表面にレ
ジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを形成
したＦ！膜金金属層表面、洞イオンを含有する電解液を
用いて前記電解メッキ条件と同じ条件で電解メッキを施
して導体回路を形成する工程と、形成した導体回路表面
に粗面化処理を施す工程と、斯く導体回路が形成された
導電基材２個を夫々の導体回路が内側になるようにして
互いに対向させ、各基板の間に絶縁基材を挟んで一体に
加熱圧着し、該２個の基板を積層する工程と、該積層体
から導電基材のみを剥離して前記絶縁基材の両面に導体
回路及び薄膜金属層を転写する工程と、該絶縁基やオに
両面の導体回路を接続するためのスルーホールを孔明す
る工程と、該スルーホールの周壁面及びｒｍ記絶縁基材
両面のスルーホール開口周縁部を除く領域にレジストマ
スクを形成する工程と、該スルーホールの周壁面及び前
記接層体両面のスルーホール開口周縁部のみを触媒化し
たのら、当該領域に電気メッキを施す工程と、前記レジ
ストマスクを除去するとともに、該レジストマスクが形
成されていた領域の前記薄膜金属層を除去する工程とか
らなることを特徴とする。

上述の薄膜金属層をＩＩｉ仮のぷ電基材と導体回路間に
介在させたことによる作用として、以下の４点を上げる
ことが出来る。

ｉｌｌ　　薄膜金属層を介在させた導体回路付単板を絶
縁基材に重ね合わせ、プレスで所定時間加圧加温し、固
化積層後分離すると、単板と薄膜金属層が７０〜１２０
ｇ／ｃｍのビーリング強度でｈ＋ｕ分副ができ、寸法変
化、外観不良のない転写積層が容易にできる。

１２）　　両面多層基板の製造において、両面間の導通
を確保するためにはスルホールメッキが姑要であり、こ
のスルホールメッキ工程時に本発明の薄膜金１ヱ層を介
在させなければ、スルホールメッキとしては、（ａｌ無
電解メッキで所要の膜厚のスルホールメッキを施す方法
、（ｂｌ　０　、３〜０．５μｍ程度の厚みの無電解メ
ッキ後Ｔｉ解メッキを施し、所要の膜ＰＬを得る方法等
が考えられるが、（ａｌの全て無電解メッキで形成さ仕
る方法によりスルホールに２５μｍ程度の無電解メ・ツ
キ膜を堆積させるには数時間〜１０時間のメツ半時間が
必要であり、生産性が劣るばかりか、堆積膜の結晶粒子
が粗く、且つ、耐りさ性の点が（ε軸性に劣る。（ｂｌ
の無電解メツ牛後、電解銀Ｉメッキで所要の膜厚を形成
させる方法は、基板回路」−の電気的に独立の島状回路
にスルホ−ルメノキを施す場合、スルホール部分に電解
のための電気的導通を与えることが困難である。本発明
の薄膜金属層は独立回路に電気的４通を与え、電解銅メ
ッキを可能にする。

（３）　　単板ＲＴ１．基材（例えばステンレススチー
ル）の表面は化学的、物理的に基材表面を充分に研磨を
施しても、基材内部にある非金属介在物、電気化学的欠
陥による基材中の成分が脱落したり、金属間化合物、偏
析、気孔等が残存し、これらの欠陥を経済的且つ完全に
補うことが出来ない。本発明の薄膜金属層は基材の上記
欠陥を補うことができ、この結果、ピンホールが発生せ
ず、従って、幅１００μｍ以下のファインパターンの回
路基板を容易且つ安価に作製できる。

＋４１　　＠ｖｉ導電基材に薄膜金属層及び銅回路を形
成した後、絶縁基材に転写積層を加熱圧着工程で実施す
るが、この際、絶縁基材に■布又は含浸したＢステージ
の樹脂接着剤が溶融且つゲル化及び固化過程でＩＷ仮導
電基材の周縁部表面に流出しようとするが、この薄膜金
属層を単板基材周縁部までの広がりで単板導電基材表面
を被覆しておくことにより、流出固化した樹脂が薄］１
々金属層の上に留まり、転写積層分離工程で単板導電基
材と薄膜金属層の境界（界面）より容易に分離でき、ｊ
ｌｌ仮導Ｔｉ基材に密着・付着することが全くない利点
がある。

次に、第１図乃至第１２図に基づき、本発明方法シこよ
るスルーホール付導体回路板の製造工程を説明すると、
先ず、本発明方法の実施に使用される導電基材２として
は、剛性を有する単板、例えば存効寸法最大１２２０　
Ｘ　１０２０＋＋＋＋ｗ、厚み１〜１０ｍｍの範囲の適
宜の大きさの平板状導電材からなり、メッキ工程で使用
する薬品に対する耐薬品性、耐電食性を存することが望
ましく、ステンレススチーフ１手反（例えば、ハードニ
ング処理を施した５ＩＩＳ６３０が好適である）、二／
ケル板、チタン又はチタン合金板、銅又は銅合金板等が
使用される。この導電基材２の表面の汚れ、酸化皮膜を
除去すると共に該表面に所要の粗度を与える前処理工程
を施す（第１図（ａ））。導電基材２の表面は、’０．
０８〜０．２３μｍの範囲の粗度で研磨するのが望まし
い。この導電基材２の表面粗度は、次工程で導電基材２
上に形成される薄膜金属層（薄銅膜）５の密着強度やピ
ンホールの発生、更には、薄膜金属層５の表面粗度にも
影響を与える。又、上述の粗度の規定範囲は薄膜金蓮層
５が導体回路６のメッキ等の工程時に無闇にＴＩ離せず
、しかも、後述する導電基材２の剥離工程（第１図（ｈ
））において容易に剥離できる？ｉｉ着性が得られるよ
うに設定されたもので、導ＴＬ基材２と薄膜金属層５間
の界面８の密着力、及び後述の薄膜金属層５とレジスト
膜７間の界面９（第３図参照）の密着力に差が生しるよ
うに、即ち、界面９の密着力が界面８の密着力より大と
なるように設定しである。

導ＴＬ基材２としてステンレススチール板を使用する場
合には、例えば、４電基材２を硫酸８０〜１００ｍ　ｊ
！　／　１．６０〜７０’ｃの溶液に１０〜３０分間浸
ｌ貞してスケール除去を行い、次いで、水洗後、硝酸６
０〜１００ｍ　１　／　１に酸性フッ化アンモニウム３
０ｇ／　１を加えた、室温の溶液に１０〜３０分間ン受
漬してスマット除去を行う。次に、水洗後、リン酸ナト
リウム２０〜５０ｇ／　１と水酸化ナトリウム５０ｇ／
　Ｉ！の電解液で、電解液メ晶度：室温〜４０°Ｃ，電
流値＝３〜８Ａ／ｄ　ｍの電解条件で１〜２分間陰極電
解脱脂を行う。上述の粗面化処理は化学的に行うもので
あるが、導電基材２表面を化学的にクリーニングした後
、湿式サンドブラスト（液体ホーニング）等により機械
的に粗面化してもよい。

導ＴＬ基材２としてニッケル仮を使用する場合には、例
えば、リン酸ナトリウム２０〜５０ｇ／　（ｌに水酸化
ナトリウム５０ｇ／　１を加えた電解液で、電解液温度
：室温〜４０℃、電流値；３〜８Ａ／ｄ耐の電解条件で
１〜２分間陰極電解脱脂を行う。そして、水洗後、フン
化水素１〜ｌｏｇ／　ｊ！　、５０°Ｃの溶液、又は、
塩酸１５０ｍ　ｅ　／　１．５０℃の溶液に１−１０分
間浸漬して粗面化し、次いで、水洗後４０〜６０℃で温
水洗浄を施す。

’Ｉｆ−′ｒｆ、）５材２としてチタン又はチタン合金
板を使用する場合には、例えば、リン酸ナトリウム２０
〜５０ｇ／　Ｉ！、５０〜６０℃の７容）夜に３〜５分
間ｌ憂／貞してアルカリ浸清脱脂を１〒う。次いで、水
洗後、２５χフツ酸（ＩＩＦ）　　７５％硝Ｈ（ｌｌＮ
Ｏ＊）　？容液ニ浸漬して化学エツチングにより粗面化
処理を行う。

導電基材２として洞又は銅合金板を使用する場合には、
例えば、リン酸ナトリウム２０〜５０ｇ／　１の電解液
で、電解液温度：５０〜６０℃、電流値；３〜１０Ａ／
ｄｍの電解条件で３０秒〜２分間陰極電解脱脂を行う。

次いで、水洗後、フッ化水素１〜Ｌｏｇ／　１、室温以
下の溶液で３０秒〜２分間酸洗いし、水洗する。

次に、前処理を終えた導電基材２を陰極ｌとして、これ
を陽極１４に所定の距離（３〜ｂけ離間させて対峙させ
、所謂高速メッキにより導電基Ｉ第２上に薄膜金属層５
を電解析出さける（第１図ｆｂｌ、及び第２図）。７ｙ
ｔ膜金属層５としては銅、ニッケル等が好適であり、こ
れらの薄膜金属層５を１〜５μｍの厚みで導７４基材２
表面に積層させる。

薄膜金属層５として銅を析出させる場合の高速メッキ条
件としては、４５〜７０℃のメッキ液を陰極表面におい
て乱流状態、即ち、電極間距離３〜３゜■ｍ１電極に対
する接液スピードが２．６〜２０．０ｍ／ＳＱＣになる
ように陰極電極を回転するか、固定電極間に強制的に７
！ｊ、解液を供給する。このとき、メッキ板として、例
えば、硫酸銅メ・アキ液、ピロリン酸銅液等を使用し、
陰陽電流密度０．１５〜４．ＯＡ／Ｃｌ１１の電流を印
加し、薄膜金属層の堆積速度が２５〜１００　ｐ　ｍ／
ｍｉｎとなるように設定することが望ましい。

３膜金属層５としてニッケルを析出させる場合の高速メ
ッキ条件としては、陰極と陽極とを３００〜３５０ｍｍ
で離間させ、この電極間に４０〜４８℃のメッキ液を供
給してエアＰＡ拌を行う。このとき、メッキ液として、
例えば、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル等を使
用し、陰陽電流密度２．２〜４、ＯＡ／ｄｍの電流を印
加し、薄膜金泥層の堆積速度が０．８〜１．５　μｍ／
ｍｉｎとなるように設定することが望ましい。

なお、薄膜金属層５としてニッケル・リン合金を使用す
ることもでき、その場合、金属層５を析出させる場合の
無電解ニッケルメッキ条件としては、３５〜５５℃のメ
ッキ液を、導電基材２表面の接液スピードが４０〜８０
ｍｍ／ｓｅｃとなるように揺動をかける。このとき、メ
ッキ液として、例えば、次亜リン酸又はボロン系還元剤
を用いた無電解ニッケル液等を使用し、薄膜金属層の堆
積速度が３０分間に１〜２μｍとなるように設定するこ
とが望ましい。

高速メッキされた薄膜金属層５は、上述した通り所要の
表面粗度を存する導電基材２に電解積層されるので薄膜
金属層５は導電基材２に適度の密着力で密着しており、
又、その表面粗度は上述したメッキ条件による高速メッ
キによって後述するレジストマスク７と薄膜金属層２と
の所望の密着力を得るに好適な範囲内にある。つまり、
本発明においては、導電基材の表面粗度、メッキ液の接
液スピード及び電解電流密度の各条件を■み合わせるこ
とにより、薄膜金属層５の表面粗度を好適に制御するこ
とができる。従って、高速メッキにより積層された薄膜
金属層５の表面はメッキ後に特別な表面処理を必要とし
ない。

又、ステンレススチール板、ニッケル板等カラなる導電
基材２には電気化学的欠陥が存在し、これらの欠陥は金
属間化合物、或いは非金属介在物、偏析、気孔等からな
り、これらの欠陥はステンレススチール板の溶製時、圧
延時等に〆尾大生成されるもので、導電基材２の表面処
理だけでは改善し得ないものである。この欠陥は導体回
路６にピンホールを生じさせ原因となるものである。導
電基材２の表面に形成させた薄膜金属層５表面は電気化
学的に平滑であり、この薄膜金属層５上に後述する導体
回路６を形成させることにより、ピンホールの発生が防
止される。

斯く形成された薄膜金属層５の、導体回路６が形成され
る部分を除いた表面に、フォトレジスト法、印刷法等に
よりレジストマスク７が形成される（第１図（Ｃ１、第
３図）。レジスト剤としては、１ｉｉｉ述した通り、導
電基材２及び薄膜金属層５の各表面粗度と相まって、界
面９の密着力を界面８の密着力より相対的に強くするこ
とができるものが選択される。

次に、上述のようにして薄膜金属層５及びレジストマス
ク７を形成させた導電基材２を陰極ｌとして、これを陽
極１４に所定の距離（例えば、３〜３０ＩＩＩ１１、好
ましくは、１１〜１５１１ｍ）だけ離間させて対峙させ
、高速メッキにより導体回路６を薄膜金属層５上に銅電
鋳する（第１図＋ｄｌ、及び第４図）。

この高速メッキの電解液としては、金属銅濃度０゜２０
〜２．Ｏｗ＋ｏｊ２／ｌ、好ましくは、０．３５〜０．
９８ｍ。

１／１、最も好ましくは１．４〜１．６　ｍｏｊ！　／
　１　、及び硫酸濃度５０〜２２０　ｇ／　１を含有す
る硫酸銅メッキ液でよく、メッキの均一性を確保するた
めに、西独間ＬＰＷ社製のＣＵＰＰＯＲＡＩ’ｌＤ　Ｉ
Ｉｓ　　（商品名）を１゜５　　／ｌあて添加する。又
、ビロリン酸銅液等の通常のメッキ液を使用してもよい
。又、電流密度０、１５〜４　Ａ　／　ｃａｌ　、電解
液の流速２．６〜２０ｍ／秒、電解液温度４５〜７０℃
、好ましくは６０〜６５℃となるように夫々設定する。

メッキ液温か４５℃未満であると、銅イオンの移動速度
が低下するため電極表面に分権層が生じ易くなり、メッ
キ堆積速度が低下する。一方、液温か７０°Ｃを越える
とメッキ液の仄発量が多くなり）温度が不安定になると
共に液温高塩化による設備的制限が加わる。

電流密度と電解液の流速とを上述の所定の条件に設定す
ることにより、薄膜金ｒｊ４層５上のレジストマスク７
によりマスキングされない部分に、毎分２５〜１ｏｏＩ
！ｍの堆積速度で導体回路６を堆積させ、従来のメッキ
法の１０〜２００倍の高能率で銅電鋳を行うことが出来
、実用土瓶めて大きな意義を有する。しかも、堆積する
銅粒子を極めて微細にすることができ、導体回路６の伸
び率は抗張力を…なうことなく１６〜２５％に達する。

この伸び率は通常のメッキ法により形成された導体回路
の伸び率の１．５〜２倍以上であり　（圧延アニール銅
箔と同等以上の値であり）、極めて柔らかい銅膜を作製
することが出来る。このように圧延アニール銅箔と同等
の性能を有することから、高折曲性が必要なフレキシブ
ル基板において特に存効である。又、生成した導体回路
６の表面粒子を、平均粒子径で３．０〜７，５　μｍと
極めて微細にすることができ、その結果、続く粗面化処
理（電解メ。

キ）工程において形成される突起状析出物も極めて微細
なものとすることが出来る。更に、導体回路６は電気化
学的に平滑な薄膜金属層５上に積層するので、１０μｍ
以下の厚さでもピンホールが生しない。

銅電鋳工程において、導体回路６が所要の厚み（例えば
、２μｍ〜３００μｍ）に達した時点で通電及びメッキ
液の供給を停正し、水洗後、引き続き導体回路６を粗面
化するための粗面化電解メッキを実施する（第１図（ｅ
））。この粗面化電解メッキ工程における電解条件は、
電流密度が０．２５〜０．８５Ａ／ｃシ、電極に対する
電解液の接液スピードが０．１〜０．８ｍ／、！少とな
るように夫々設定する。尚、電解液としては特に限定さ
れないが、例えば、硫酸Ｘ　（ＣｕＳ０４・５　ＩＩＪ
）　：　８０〜１５０ｇ／ｌ、硫酸（１１□ＳＯｉ　）
　：　４０〜８０ｇ／　１　、及び硝酸カリウム（ＫＮ
（ｈ）　：２Ｓ〜５０ｇ／　ｎよりなる混合溶液等を使
用する。

この粗面化処理により４体回路６の粗面上には突起状析
出物が付着形成され、この突起状析出物の平均粒径は１
〜５μｍとなり、後述する絶縁基材１０との密着性が極
めて良好となる。

尚、上述した粗面化処理後に更に導体回路６表面にクロ
メート処理を施すと、を色１１　ｉＪ材である樹脂との
親和性が高まり、ピーリング強度はもとより、導体回路
の耐熱性（例えば、はんだ耐熱性）も１５％程度向上す
るという利点がある。このクロメート処理は、具体的に
は、０．７〜１２ｇ／　１濃度の重クロム酸カリウム溶
液に常温で５〜４５秒間浸〆貴するか、市販の電解り［
１メート処理液にてクロメート処理を施す。

粗面化処理が終了すると、レジストマスク７の除去工程
に進む（第１図ｍ、第５図）。このレジストマスク７の
、７＋１離除去には、例えば、カセイソーダ等の熔解液
が使用され、この溶解液中に３０〜６０秒間浸漬してレ
ジストマスク７を溶解除去し、水洗、乾燥する。

次いで、上記によりＥｌｌ金金属層５介して導体回路６
が形成された導電基材２を２個互いに導体回路６が内側
となるように対向させて、これらの間に絶縁基材介在さ
せて積層したのち、ホットプレスにより加熱圧着させる
（第１図ｉｇ＋、第６図）。

絶縁基材１０としては、有機材ギ４、及び無機材料のい
ずれのものでもよく、例えば、ガラス、エポキシ樹脂、
フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系
樹脂、アーラミド樹脂等の材料を用いることができる。

一般には、ガラス布等にエポキシ樹脂を含浸させ、半硬
化状ｇ（Ｂステージ）にあるプリプレグに導体回路６が
没入する状態（第６図に示す状態）に加熱・加圧され、
これと接着される。

この転写工程において、各導７！１基材２上の導体回路
６は厚手の導電基材２と一体に絶縁基材ｌＯの両面に積
層され、加熱圧着されるので、導体回路６は導電基材２
に保持されたまま転写されることになり、寸法安定性が
確保される。又、導電基材２が転写時の転写冶具を兼ね
るので特別の治具が不要であり、更に、導体回路６と導
電基材２との間に７１ＪＢＱ金属層５が介在し、薄膜金
属層５と導体回路６とが強い密着力で結合しているので
導体回路６が転写時にずれて移動する（所謂、スイング
を起こす）ことがなく、寸法安定性が良いので微細な導
体回路パターンを有する高密度回路にも適用可能である
く例えば、パターン幅数８由〜数十μｍが実現出来る）
。更に、万一導体回路６にピンホールがあっても導体回
路６と［基材２との間に薄膜金属ＪｉＪ５が密着状態で
介在しているので接着剤等がピンホールを通って導体回
路６表面に露出することがない。

尚、上記の転写工程においては、レジストマスク７を溶
解除去したのちに、導体回路６及び薄膜金属層５を絶縁
基材１０に転写することとしたが、この工程に限定され
るものではなく、レジストマスク７を溶解除去せずに永
久レジストとしてそのまま導体回路６及び薄膜金属層５
と共に絶縁基材１ｏに転写してもよい。

次に、絶縁基材１０の加熱固化を待って導電基材２を、
絶縁基材１０に転写された導体回路６及び薄膜金属層５
から剥離する（第１図（ｈｌ、第７図）。

このとき、Ｂ電基材２と薄膜金属Ｎ５との間の密着力よ
り、薄膜金属層５と導体回路６の密２力の方が大であり
、更に、導電基材２と薄膜金属層５との間の密着力より
、導体回路６と絶縁基材ｌＯの密着力の方が大であるか
ら、導電基材２は薄膜金属層５との界面８で分離して絶
縁基材ｌＯ側には薄膜金属層５、及び導体回路６が一体
に密着している６尚、導電基材２表面に形成された薄膜
金ＶＡ層５、導体回路６、及びレジストマスク７が総て
除去されるために、前記導電基材２の表面を必要に応じ
て研磨をすれば、この基板２は繰り返し使用することが
可能である。

導電基材２と絶縁基材１０間に薄膜金属層５が介在され
るから、絶縁基材ｌＯの接着剤は導電基材２に直接付着
することがなく、又、分離が導電基材２と薄膜金属ＰＪ
Ｓ間で生しるから、７０〜１２０ｇ　／　ｃｍのピーリ
ング強度で導電基材２を容易に剥離することが出来、導
体回路６に不均一な力が掛からず、転写時の寸法安定性
がこの時にも確保される。

次いで、絶縁基材ｌＯの両面に積層された導体回路６．
６間を接続するためのスルーホール１０１を形成する（
第１図（１）、第８図）、このスルーホール形成工程に
は、通常の方法例えばドリル等を使用した切削加工を適
用することができる。しかるのち、スルーホール１０１
の周壁１０１ａ及び絶縁基材ｌＯの両面の薄膜金属層５
のスルーホー壁１０１３及び開口周縁部５ａ、５ａを除
く領域にレジストマスク２４を形成して、メッキの予備
処理として前記メッキ形成面を触媒化して触媒化面１０
２とする工程（第１図（ｊｌ、＋に＋、第９図）と、該
メッキ形成面に無電解メッキをほどこしてスルーホール
メッキＮ１０４を形成する工程（第１図（１）、第１１
図）とからなる。上記触媒化の具体的方法としては、例
えば先ずメッキ形成面を脱脂、洗浄、研磨したのちに、
コンディショナー（整面）、プリエツチング（マイクロ
ｔｎ面化）、キャタリスト（触媒化）、アクセレータ（
活性化）の各工程を経て、しかるのち、無電解銅メッキ
を施す。一方、続くスルーホールメッキ層１０４形成方
法は、特に限定されないが、例えば銅の電解メッキなど
により行うことができる。銅のメッキ浴としては、例え
ば、ビロリン酸洞又は硫酸１８０ｇ／ｊ！、硫酸銅８０
ｇ／βのハイ硫酸銅浴に光沢剤を添加したもの（光沢硫
酸銅メッキ液）などが使用される。斯くして得られたス
ルーホールメッキＮ１０４の厚さは通常ｌＯ〜３０μｍ
とされる。

ついで、レジストマスク１０６を溶解除去したのち、当
該レジストマスク１０６の下面に形成されていたｇＪＷ
ｆＪ金属層５をエツチング除去する（第１図ｆｍ＋、（
ｎｌ、第１１図）。酸によるエツチング除去のし易さか
らは１膜金属層５は銅からなることが望ましい。

上記によりレジストマスク１０６及び薄膜金属層５が除
去された領域に、必要に応じてソルダーレジスト１０５
を形成する（第１図（０）、第１２図）。

このソルダーレジスト１０５の形成には、通常の印刷法
を使用することができる。

第１３図乃至第１６図は第１図中）及び＋ｄｌに示す工
程において、ホリゾンタル型の高速メッキを実施するメ
ッキ装置の一例を示し、メッキ装置１１のフレーム１２
の上部中央に水平に板状不溶性陽極１４が設置され、陰
ｇ１１はこの陽極１４に平行に対向させて固定される。

不溶性陽極１４は第１３図〜第１５図に示すように大電
流を通電するために２枚の銅板１４ａ、１４ｂが重合さ
れ、ごれらの表面全体に鉛１４ｃが、肉厚２〜１０１１
Ｉｌ！１、好ましくは３〜７■の範囲内で一様にアセチ
レントーチ等で被覆して構成される。鉛被覆１４ｃは、
通常、鉛９３％、スズ７％の鉛合金を使用する。極間距
離が１００μｍ不均一になると、電鋳される銅膜は、３
５μｍ銅で数μｍのばらつきが生し、高電流密度（０’
、８〜１．２Ａ／　ｃｆｆｌ）で長時間（１０００時間
以上）使用する場合には、電極の部分的か電解消耗によ
り膜厚のばらつきは更に大きくなる。このため、電極の
再加工修正により電極間距離を維持する必要がある。鉛
被覆の電極に代えて、チタン仮にプラチナ、パラジニウ
ム等の微粉末を熱解重合性樹脂でペースト状にし、これ
を粗面化されたチタン板表面に均一に塗布し７００〜８
００℃で焼き付けて不溶性陽極１４としてもよい、この
チタン仮陽極を使用すると、電解消耗が極めて少なくな
くなり、長時間に亘り（１０００時間以上）電極の再加
工修正の必要がない。

陰極ｌは、第１図ｆｂｌのＦｊ！膜金属層形成工程では
、工程ｆａ＋で研磨された導電基材２の研磨面が、第１
図ｆｄ＋の導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５及びレ
ジストマスク７の形成された’ＡＭ基材２の面を前記陽
極１４側に対向させて取付は固定される。

陰極ｌと不溶性陽極１４間の離間距離は前述した薄膜金
属層５の形成工程及び導体回路６の電鋳工程の夫々に応
じた最適距離に設定される。

陰極ｌ及び不溶性陽極１４間の空隙部１３の入口側に、
よ高速流でメッキ液２３を圧送するノズル１５の一端が
接、涜され、このノズル１５は空隙部１３の人口部で第
１６図に示すように不溶性陽極１４の略全幅に臨んで開
口しており、ノズル１５の他端は専管１６を介してポン
プ１７に接続されている。ポンプ１７は更に図示しない
導管を介してメッキ液貯槽（図示せず）に接続されてい
る。

空隙部１３の出口側（ノズル１５を設けた不溶性陽極１
４の対向辺側）には不溶性陽極１４の略全幅にわたって
排液口１８が開口しており、この排液口１８は導管１９
を介して前記メッキを夜貯漕に接続されている。そして
、前記ノズル１５及び排液口１８はメッキ液２３が空隙
部１３を一様の速度分布で流れることが出来るように、
これらのノズルＩ５及び排液口１８の流れ方向の断面形
状変化は滑らかに変化している。ポンプ１７から吐出さ
れたメッキ液２３は、専管１６、ノズル１５、陰極１と
不溶性陽極１４との空隙部１３、排液口１８、導管１９
を順次通過してメッキ液貯槽に戻され１．ここから再び
ポンプ１７により上述の経路で連続して循環される。

メンキ液２３をノズル１５から電極間空隙部Ｉ３へ前述
した好適のメッキ液速度で供給すると、陰極１表面近傍
でメッキ液流れば乱流状態になっており、電極表面近傍
の金属イオン濃度が極度に低下しないように、即ち分極
層の生長を抑えて、高速度でメッキ膜を成長させること
が可能となる。

本発明におけるメノキ工程では、陰極１と不溶性陽極１
４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性を有
する給電板２０．陽極電源ケーブル２１、陰極＠、源ケ
ーブル２２を介して、前述した所要の高電流が給電され
るようになっており、不溶性陽極１４に対向する陰極１
表面及びその非導電性レジストマスク７でマスキングし
ない部分に、毎分２５〜１００μｍ程度の堆積速度で銅
膜を電解析出することができる。

第１７図は、本発明方法を実施するバーチカル型のメッ
キ装置を示し、第１３図乃至第１６図に示すメッキ装置
Ｘ１が陰極１及び陽極１４を水平（ホリゾンタル）に配
置したのに対し、第１７図に示すメッキ装置２５は、陰
極１及び不溶性陽極１４が鉛直方向（バーチカル）に配
置されている点で異なる。尚、第１７図において、第１
３図乃至第１６図に示すメッキ装置１１の対応するもの
と実質的に同じ機能を有するものには同じ符号を付して
、それらの詳細な説明を省略する（以下同様）。

メッキ装置２５は、基台２６上に固定された架台２７と
、四辺形の４隅に配設された（第１７図には２木の支柱
のみを示す）３０．３１と、該支柱３０．３１から延出
させ、上下方向に伸縮自在のロッド３０ａ、３１ａに横
架支持され、ロフト３０ａ、３１ａの伸縮により昇降す
る上板２８と、架台２７の上面と上板２８の下面間に垂
直且つ平行に対向して挟持固定される高導電性を有する
給電板２０及び不溶性陽極１４とからなり、給電板２０
と陽極１４とは所定の電極間距離だけ離間して配置され
ている。不溶性陽極１４は第１３図〜第１５図に示す陽
極と同様に、プラチナ等の微粉末でコーティングしたチ
タン仮により大電流を通電可能に構成される。

陰極１は、第１図（ｂｌの薄膜金属層形成工程では、工
程＋８１で研磨された導電基材２の研磨面が、第１図（
ｄ＋の導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５及びレジス
トマスク７の形成された導Ｔ１基材２の面を前記給電板
２０に、図示しない真空チャック等により取り付は固定
される。尚、陰極１の取り付は時には前記上坂２８を上
方に上昇させて、陰極１を給電板２０の陽極１４側面に
沿って嵌挿し、前記真空チャック等により固定した後、
再び上板２８を下降させて陽極１４及び給電板２０の上
壁に密着させ、陰極１の装着を完了する。尚、第１７図
中符号２９はシール用のＯリングである。又、陰極１と
不溶性陽極１４間の離間距離は前述した薄膜金属層５の
形成工程及び導体回路６の電鋳工程の夫々に応じた最適
距離に設定される。

陰極１及び不溶性陽極１４間の空隙部３８の入口側には
高速流でメッキ液２３が流入するランプ部３８ａが形成
され、このランプ部３８ａは空隙部３８の入口部で、第
１６図に示したと同様に不溶性陽極１４の略全幅に招ん
で開口しており、ランプ部３８ａの空隙部３８と反対側
は整流装置３５、及び導管３４を介してポンプ１７に接
続されている。ポンプ１７は更にメッキ液貯槽３３に接
続されている。空隙部３８の出口側（空隙部３８の上部
のメッキ液２３の排出側）には不溶性陽極１４の略全幅
にわたって排液口３８ｂが開口しており、この排液口１
８は導管４０を介して前記メッキ液貯槽３３に接続され
ている。

整？＆”装置３５は、その内部空間がメッキ液２３の流
れ方向に装着された２枚の、多数の小孔を有する整流板
３５ａ、３５ｂにより小室に区画されており、この整流
）反３５ａ、３５ｂにより、ランプ部３８ａに流入する
メッキ液２３の流れを整流して空隙部３８を下方から上
方に向かって流れるメッキ液２３の速度分布を一様にし
ている。ポンプ１７から吐出されたメッキ液２３は、導
管３４、整流装置３５、ランプ部３８ａ、陰極１と不溶
性陽極１４との空隙部３日、排液口３８ｂ、専管４０を
順次通過してメッキ液貯槽３３に戻され、ここから再び
ポンプ１７により上述の経路で連続して循環される。

第１７図に示すメッキ装置２５は、メッキ液２３を整流
！？を置３５を介し、更に、下方から上方に向かって電
極間空隙部１３に供給するので、メッキ液２３は空隙部
１３において第１３図に示すメ。

主装置１１より、より均一な乱流速度分布を有しており
、膜厚の一定な導体回路を電鋳するには好都合である。

第１７回に示すメッキ装置においても、陰極１と不溶性
陽極１４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電
性を有する給電機２０、陽極電源ケーブル２１、陰極電
源ケーブル２２を介して、前述した所要の高電流が給電
されるようになっており、不溶性陽極１４に対向する陰
極１表面の非’ＲＳｔ　性レジストマスク７でマスキン
グしない部分に、毎分２５〜１００μｍ程度の堆積速度
で銅膜を電解析出することができる。

第１８図乃至第２０図は、本発明方法を実施する回転式
高速メッキ装置４１を示し、メッキ装置４１は、フレー
ム４２、該フレーム４２内に配設され不溶性陽！！ｉ１
４を載置支持する架台４３、陽極１４の上方に配置され
るハウジング４５、該ハウジング４５内に回転可能に収
納され陰極を１を掴持する回転体４６、該回転体４６を
駆動する駆動機構４７、フレーム４２の上部に配設され
てハウジング４５を昇降させる駆動ａ構４８、メッキ液
を貯溜するメッキ液槽３３及びメッキ液（ａ３３のメッ
キ液を陽極１４と回転体４６の各対向する端面間に画成
される液密空隙部１３内に供給するポンプ１７とにより
構成される。

フレーム４２は基盤４２ａ上に立設された４木の支柱４
２ｂ、４２ｂ　（２木のみ図示）と、これらの各支柱４
２ｂ、４２ｂの上端面に載置固定される上坂４２ｃとに
より構成される。

架台４３は基盤４２ａ上に７ａ、置され、フレーム４２
の４本の支柱４２ｂの略中央に位置している。

不溶性陽極１４は正方形状の盤体で架台４３上にＵ、置
固定される。この陽極１４の略中央には孔１４ａが穿設
されている。この陽極１４は例えば、チタン母材にプラ
チナ、イリジウム等の酸化物を２０〜５０μの厚みに張
った部材で形成され、メッキ液の組成に変化を与えるこ
となく、また不純物の混入を防止する不溶性陽極とされ
ている。陽極１４には枠体４３ａがシール部材４３ｂを
介して液密に外嵌されている。この枠体４３ａの高さは
陽極４の厚みの２倍程度あり、対向する両側壁の略中央
には夫々孔４３ｃ、４３ｄが穿設されている。

ハウジング４５は上面規正方形状をなしく第１９図）、
下部枠５０、中間枠５１、上部枠５２、上蓋５３と、下
部枠５０と中間枠５１との間に介在されるインナギヤ５
４、中間枠５１と上部枠５２との間に介在される２７．
用スリ、プリング５５とにより構成され、これらは強固
に共締固定されて一体に形成される。ハウジング４５の
下部枠５０の中央には回転体収納用の大径の孔５０ａが
穿設され、上Ｍ５３の上面両側には夫々側方に突出する
支持部材５７．５７が固設されている。

回転体４６はハウジング・１５内に収納され、基部４６
ａは当該ハウジング４５の下部枠５０の孔５０ａ内に僅
かな空隙で回転可能に収納され、軸４６ｂの上端は軸受
５９を介して上Ｍ５３に回転可能に軸支され且つ当該上
方５３の軸孔５３ａを貫通して上方に突出している。こ
の状態において回転体４６の基部４６ａの下端面４６ｃ
は陽極１４の上面１４ｂと所定の距離だけ離間して平行
に対向する。

回転体４６の基部４６ａには第１８図及び第２０図に示
すように軸方向に平行に且つ周方向に等間隔に孔４６ｄ
が複数例えば４個穿設され、これらの各孔４６ｄ内には
第２の回転体６０が回転可能に収納されている。この回
転体６０は図示しない軸受を介して孔４６ｄに僅かなギ
ヤノブで回転可能に軸支されている。そして、回転体６
０の下端面に穿設された孔に、チャック段積１１０によ
り陰極１が掴持・固定され、図示しない導電部材及びブ
ラシ１０３を介してスリップリング５５に電気的に接続
されている。回転体６０の上端面にはギヤ６５が固着さ
れており、このギヤ６５はハウジング４５に設けられた
インナギヤ５４と噛合している。

駆動機構、ｔ７　（第１８図）の駆動用モータ７０はハ
ウジング４５の上Ｍ２Ｓ上に載置固定され、咳モーク７
０の回転軸に装着されたギヤ７２は回転体４６の軸４６
ｂの上端面に螺着固定されたギヤ７３と噛合する。

第１８図に示すフレーム４２の上板４２ｃには駆動機構
４８の駆動用モータ８０が載置固定され、酸モータ８０
はスクリュウシャフト８５を駆動すると共にプーリ８３
、ヘルド８７及びプーリ８３を介して被駆動軸であるス
クリュウシャフト８６を駆動する。スクリュウシャフト
８５．８６の各自由端はハウジング５の対応する各支持
部材５７゜５７の各ネジ孔５７ａ、５７ａに螺合してい
る。

陽極１４（第１８図）の−側面には電源ケーブル２１が
固着され、スリップリング５５の上面所定位置には電源
ケーブル２２が固着されている。

メッキ液通路（導管）１４０の一端は陽極１４の下方か
ら当該陽極の孔１４ａに１佼密に接続され、他端はポン
プ１７を介してメッキ液貯槽３３に連通される。通路１
４１．１４２の各一方の開口端は夫々陽極１４の枠体４
３ａの答礼４３　ｃ　、　４３　ｄに液密に接続され、
各他端は夫々メッキ液貯槽３３に接続されている。

回転式高速メッキ装置４１の作用を説明すると、先ず、
駆動機構４８のモータ８０を駆動してスクリュウシャフ
ト８５．８６を回転させ、ハウジング４５を、第１８図
の２点鎖線で示す上限位置まで上界した位置に移動停止
させておく。このとき、ハウジング４５の下端は枠体４
３ａから抜は出て上方に位置する。

次いで、回転体４６の各第２の回転体６０にメ・７キを
施すべき導電基材２からなる陰極ｌを夫々袋若する。そ
して、駆動機構４８のモータ８０を駆動して各スクリュ
ウシャフト８５．８６を前述とは反対に回転させ、ハウ
ジング４５を、第１８図に実線で示す位置まで移動停止
させる。この状態において、ハウジング４５の下端が枠
体４３ａ内に液密に嵌合し、且つ、陽極１４の上面１４
ｂと各陰極ｌとは所定の間隔で平行に対向する。そして
、陽極１４の上面１４ｂと回転体４６の下端面４６ｃと
の間に画成される液密の空隙部１３にメッキ液貯槽３３
からポンプ１７、導管１４０を介して前記空隙部１３内
にメッキ液を供給し、当該空隙部１３即ち、陽極１４と
陰極１との間にメッキ液を充満させる。この空隙部■３
内に供給されたメツキン夜は両側から各通路１４１．１
４２を介してメッキ液貯槽３３に還流される。

メッキ液の供給開始後、駆動機構４７のモータ７０を駆
動して回転体４６を例えば第２０図に矢印ＣＣで示す反
時計方向に回転させる。この回転体４６の回転に伴いイ
ンナギヤ５４と噛合するギヤ６５を介して第２の各回転
体６０が夫々第２０図に矢印Ｃで示す時計方向に回転す
る。これらの各回転体６０は例えばｌ　Ｏｍ／ｓｅｃ　
〜３０ｔｏ／ｓｅｃの回転速度で回転（自転）する。か
かる速度で回転体６０即ち、陰極１がメッキ液中で回転
すると、当該陰極１に接するメッキ液の金属濃度の分極
層が極めて小さくなり、この結果、レイノズル数Ｒｅが
２９００を超えた（Ｒｅ　＞２９００）状態となり、陰
極ｌに接するメッキ液はどの部分をとってもレイノズル
数Ｒｅが２３００以上（Ｒｅ　＞２３００）となる。

このように陰極１に接するメッキ液の金属濃度分極層を
極めて小さくさせた状態において前記直流電源を投入し
て電源ケーブル２１陽極１４、メッキ液、陰極１、カー
ボンブラシ１０３、スリップリング５５、電源ケーブル
２２の経路で所要の直流電流を流し、陰極１の陽極１４
の上面１４ｂと対向する端面にメッキを施す。

所定時間の経過後、前記電流の供給を停止し、ポンプ１
７を停止させると共に駆動モータ７０を停止させて陰極
１へのメッキを終了させる。この陰極１を回転体６０か
ら取り外す場合には前述した装着の場合と逆の操作を行
う。

回転式高速メッキ装置はメッキ液中で陰極を高速回転さ
せて当該メッキ液の金属濃度分用層を極めて小さくする
ようにしているために前記１夜密空隙部１３に供給する
メッキ液の流速は近くてもよく、これに伴いポンプの小
型化、電力の節約、及びランニングコストの低減等が図
られる。更に従来の如くメッキ液の金ｎ４度の分極層を
極めて小さくするためのメッキ液の助走距離が不要であ
り、ＶＮの小型化を図ることが出来る等の優れた効果が
ある。

このように本発明方法は上述した第１３図乃至第２０図
に示す高速メッキ装置により高速メッキを施すので、従
来のメッキ技術の１０〜２００（”；Ｊという高能率で
銅膜を電解析出することができ、生産効率が極めて高く
、又メッキ液速度、電流密度等を所定の条件に設定する
ことにより、電解析出した銅膜の表面粗度や、堆積する
結晶粒子径を所望の値に調整することができる。

尚、本発明方法を実施する高速メッキ装置としては上述
の装置に限定されることはなく、陰極表面近傍でレイノ
ズル数Ｒｅが約２３００以上の乱流状態が実現出来るメ
ッキ’２’ｌｌであればよい。

（実施例） 次に、本発明の詳細な説明する。

（以下余白） 第１表は、本発明方法及び比較方法により作製された導
体回路板の評価試験結果を示し、導電基材２の表面粗度
、薄膜金属層５の電解条件、導体回路６の電解条件、導
体回路６の粗面化処理条件を種々に変え、転写性、導体
回路６と絶縁基材１０間のピーリング強度、導体回路６
の伸び率等の評価試験を行ったものであり、第１表に示
す試験条件以外の条件は、総ての供試回路板で同しであ
り、それらは以下の通りである。尚、レジストマスクは
導体回路の粗面化処理後に溶解除去した。

ｌｌ益林： 材質：ハードニング処理を施したステンレ７！、、１ｌ
−−ルｉ仮（ＳＩＩＳ６３０）、表面処理ニオシレージ
ョン付ロータリ胴布研磨装置を使用して第１表に示す粗
度に 研磨、 ｉ役灸員ｌ； 材質：銅薄膜（導Ｔｉ、基材表面に３μｍの膜厚で堆積
） 電解条件＝ＴＬ極間距問罪１ｍｍ、硫酸１８０ｇ／　１
の硫酸銅メッキ液使用 １裳ｔｕＦ１辺： 電解条件：電極間距離１１ｍｍ、硫酸１８０ｇ／６の硫
酸銅メッキ液使用、堆積膜厚３５ μｍ（但し、比較例３は９μｍ）、 ■皿上延圧ニッシュラメツキ、 電解条件：硫酸銅１００ｇ／ｌ、硫酸５０ｇ／ｌ、硝酸
カリウム３０ｇ／Ｒよりなる混合溶 液使用、堆積膜厚３μｍ。

建練羨杯； 材質ニガラスエポキシＧ−１０ 第１表において、本発明方法を適用した実施例１〜３は
いずれも、導１！基材（単板）２の表面粗度、薄膜金ｇ
４層５の電解条件、導体回路６の電解条件、及び導体回
路６の粗面化処理条件がいずれも本発明の規定する条件
範囲内にあり、転写性、導体回路６と絶縁基材１０間の
ピーリング強度、導体回路６の伸び率がいずれも良好で
あり、総合評価も良（○）である。

一方、導電基材（単Ｆｉ）２の表面粗度が本発明方法の
規定する下限値を外れる比較例１では、薄膜金属層がそ
の形成工程中において導電基材（単機）２よりＭ１１離
（早い剥がれ）が生し、上限値を外れる比較例２では、
転写工程時に導電基材（単板）２と薄膜金属層５との密
着強度が大きく　（ピーリング値３１０ｇ／ｃｍ）、部
分的に薄膜金属層５が導電基材２側に残留し、回路ずれ
が生しる。又、導電基材２の表面粗度が大きいと薄ｎり
金属層２に多数のピンホールが発生し、絶縁基材１０の
ｖＩ層時に薄膜金属層のレジストマスク除去部に出来た
ピンホール内に入り込んだ絶縁基材の接着剤が導電基＋
Ａ２の表面に付着するため、絶縁基材と導電基材とが強
く密着してしまい、転写性が阻害される。

尚、１００μｍ以下の径のピンホールがｌｄｍ′当たり
に１個以上存在するとき、多数のピンホールが発生して
いると判定した。

シミ基材２表面に薄膜金属層５を形成させずに導電基材
２に直接レジストマスク７及び！ｎ導体回路を形成させ
ると、導体回路（膜Ｊ１μｍ）６にピンホールが発生す
ると共に、レジストマスク７と導体回路６とを一体に転
写する場合は、レジストマスク７と導電基材２との密着
強度が大きいため、転写時にレジストマスク７が導１１
ｔ基材２表面に残留してしまい、又、レジストマスク７
を除去後に導体回路６を転写する場合は、絶縁基材１０
と導電基材２とが接着剤により密着してしまい、導電基
材２の剥離が困難になり、何れにしても転写性が著しく
阻害される（比較例３）。

導体回路６の電解時に電解液の接液スピードが本発明方
法の規定する上限値を超えると電解中にレジストマスク
７が剥離しく比較例４）、電流密度が本発明方法の規定
する上限値を超えると、ノジュラ状メッキ、所謂「メッ
キ焼け」が発生し、形成された導体回路６の伸び率も８
％と低く、フレキシブルＶＥ仮用回路に使用することが
出来ない（比較例５）。

導体回路６表面の粗面化処理における電解メッキ時の電
？Ａ密度が本発明方法の規定する下限値を下回ると光沢
のあるメッキ表面となり、粗面化メッキが形成されない
（比較例６）。粗面化が不充分な導体回路６を絶縁基材
１ｏに転写すると、導体回路６と絶縁基材１ｏ間のビー
リング値は０．７ｋｇ／ｃｍとなり、密着強度が不足す
る。

導電基材２の表面粗度、薄膜金属層５の電解条件、導体
回路６の電解条件、及び導体回路６の粗面化処理条件の
いずれかが本発明の規定する条件範囲をはずれる比較例
１〜６はＵ：、述の１１Ｊりの不都合を有し、総合評価
はいずれも不可（×）である。

更に、上記第１０表の実施例１と同様な条件で導体回路
形成、粗面化処理、転写積層を行って、島状導体回路部
分１５０個を有する３３０ｍｍＸ３３０１１１１の両面
配線板を製造し、核島状導体回路部分に夫々直径０．４
曹ｍのスルーホールを形成したのち、以下の条件でスル
ーホールメッキを施した。

スルーホールメッキ条　； メッキ液　光沢硫Ｍ銅メッキ液 液　　ｍ　　２Ｓ℃ 浸漬時間　６０分間 電流密度　　３Ａ／ｄｒｄ メンキ厚　２５μｍ かかる条件で島状導体回路部分のスルーホール全て、即
ち１５０個について上記スルーホールメッキを施したと
ころ、メツキネ良即ちスルーホールにおける導通不良が
生したものは皆無であった。

尚、比較のために、薄膜金属層を形成しないで上記の如
く両面転写を行った両面配線板についても、同様にスル
ーホールを形成したのち、スルーホールメッキを施して
導通を調べたところ、１５０個中、全てに導通不良が発
生した。以上のことから、本発明においては全面に薄膜
金属層が形成されているので、島状の導体回路部分のス
ルーボールメッキの場合も確実にメッキが行われてスル
ーホールにおける導通不良などが発生することが防止さ
れるが、薄膜金属層が形成されない従来法では、メッキ
時の通電が島状部分に確実に行われず、スルーホールの
導通不良が頻発することが確認された。

（発明の効果） 以上詳述したように、本発明のスルーホール付導体回路
板の製造方法に依れば、表面粗度０．０８〜０，２３の
平板状導電基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電
極間距離３〜３０ｍｍだけ離間させ、これらの電極に対
する電解液の接液スピードが２．６〜２０．０ｍ／ｓｅ
ｃとなるように電解液を強制的に供給し、電流密度０，
１５〜４．０Ａ／ｃｍ２の条件で電解メッキを施して前
記導電基材に１〜５μｍの薄膜金属層を形成する工程と
、形成した薄膜金属層の、導体回路を形成する部分を除
く表面にレジストマスクを形成する工程と、レジストマ
スクを形成した薄膜金属層表面に、銅イオンを含有する
電解液を用いて前記電解メッキ条件と同し条件で電解メ
ッキを施して導体回路を形成する工程と、形成した導体
回路表面に粗面化処理を施す工程と、斯く導体回路が形
成された導電基材２個を夫々の導体回路が内側になるよ
うにして互いに対向させ、各基板の間に絶縁基材を挟ん
で一体に加熱圧着し、該２個の基板を積層する工程と、
該積層体から導電基材のみを′ｉ１１離して前記絶縁基
材の両面に導体回路及び薄膜金属層を転写ｔ−る工程と
、該絶縁基材に両面の導体回路を接続するためのスルー
ホールを孔明する工程と、該スルーホールの周壁面及び
前記絶縁基材両面のスルーホール開口周縁部を除く領域
にレジストマスクを形成する工程と、該スルーホールの
周壁面及び前記積層体両面のスルーホール開口周縁部の
みを触媒化したのち、当該領域に電気メッキを施す工程
と、前記レジストマスクを除去するとともに、該レジス
トマスクが形成されていた領域の前記薄膜金属層を除去
する工程とで構成したので、薄膜金属層及び導体回路の
メッキ形成時間が従来のメッキ方法に比較して著しく短
縮され、生産性が高く、工程も簡略化されるので本発明
方法を実施する導体回路板の製造装置乙ご必要な設備及
びその設置面積が少なくて済む。

又、辺体回路七導電基材間に１手の薄膜金属層を介在さ
せるので、メッキ形成される導体回路にピンホール等の
欠陥が生じ難く、しかも、転写時の転写が容易で寸法安
定性に優れ、最細な回路パターンも安定して製造でき、
更に、島状導体回路部分のスルーホールメッキを確実に
おこなうことができてスルーホールの導通不良等を有効
に防止しうるので歩留まりが向上して品質も向上すると
いう種々の優れた効果を奏する。

更に、本発明方法によれば、高速電解メッキにより抗張
力が高く、しかもアニール銅箔と同等以上の延び率を示
す銅回路を形成することができる。

又、本発明の単板プレス法により導体回路が絶縁基材中
に埋設され、導体回路表面と絶縁基材表面とが同一平面
を為す、所謂フラッシュ回路を形成することにより、そ
の後のオーバーレイ印刷時の気泡の巻き込みやインクの
滲み等の発生を防止し得るという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係るスルーホール付導体回路板の製
造方法の製造手順を示す工程フローチャート、第２回乃
至第１２図は、第１図に示す工程におけるスルーホール
付導体回路板の断面構成図、第１３図はホリヅ、ンタル
型の高速メッキ装五の構成を示す正面断面図、第１４図
は高速メッキ装置の側面図、第１５図は、第１４図に示
すｘｖ−ｘｖ矢腺に沿う断面図、第１６図は、第１５図
に示すｘｖｒ−ｘｖ＋矢線に沿う断面図、第１７図はバ
ーチカル型の高速メッキ装置の構成を示す正面断面図、
第１８図は回転式高速メッキ装置の構成を示す、一部切
欠正面図、第１９図は第１８図のハウジングの上面図、
第２０回は第１８図のハウジングの底面図、第２１図は
、従来の導体回路板の製造方法の製造手順を示す工程フ
ローチャートである。 １・・・陰極、２・・・導Ｔ４基材、５・・・薄膜金属
層、６・・・導体回路、７・・・レジストマスク、１０
．１０３・・・絶縁基材、１１・・・ホリゾンタル型高
速メッキ装置、１４・・・不溶性陽極、２５・・・バー
チカル型高速メフ＊装ａ、１０１・・・スルーホール、
１０４・・・スルーホールメッキ層。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面粗度０．０８〜０．２３μｍの平板状導電基
   材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３〜
   ３０ｍｍだけ離間させ、これらの電極に対する電解液の
   接液スピードが２．６〜２０．０ｍ／ｓｅｃとなるよう
   に電解液を強制的に供給し、電流密度０．１５〜４．０
   Ａ／ｃｍ＾２の条件で電解メッキを施して前記導電基材
   に１〜５μｍの薄膜金属層を形成する工程と、形成した
   薄膜金属層の、導体回路を形成する部分を除く表面にレ
   ジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを形成
   した薄膜金属層表面に、銅イオンを含有する電解液を用
   いて前記電解メッキ条件と同じ条件で電解メッキを施し
   て導体回路を形成する工程と、形成した導体回路表面に
   粗面化処理を施す工程と、斯く導体回路が形成された導
   電基材２個を夫々の導体回路が内側になるようにして互
   いに対向させ、各基板の間に絶縁基材を挟んで一体に加
   熱圧着し、該２個の基板を積層する工程と、該積層体か
   ら導電基材のみを剥離して前記絶縁基材の両面に導体回
   路及び薄膜金属層を転写する工程と、該絶縁基材に両面
   の導体回路を接続するためのスルーホールを孔明する工
   程と、該スルーホールの周壁面及び前記絶縁基材両面の
   スルーホール開口周縁部を除く領域にレジストマスクを
   形成する工程と、該スルーホールの周壁面及び前記積層
   体両面のスルーホール開口周縁部のみを触媒化したのち
   、当該領域に電気メッキを施す工程と、前記レジストマ
   スクを除去するとともに、該レジストマスクが形成され
   ていた領域の前記薄膜金属層を除去する工程とからなる
   ことを特徴とするスルーホール付導体回路板の製造方法
   。
2. （２）前記導体回路表面に、銅イオンと硝酸イオンとを
   含有する酸性電解液を用い、電流密度０．２５〜０．８
   ５Ａ／ｃｍ＾２、前記電極に対する前記酸性電解液の接
   液スピードが０．１〜０．８ｍ／ｓｅｃ、電極間距離２
   ６〜５０ｍｍの条件で、堆積膜厚が２〜５μｍになるま
   で粗面化処理を施すことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のスルーホール付導体回路板の製造方法。
3. （３）前記粗面化処理を施した後、更に前記導体回路表
   面にクロメート処理を施すことを特徴とする特許請求の
   範囲第２項記載のスルーホール付導体回路板の製造方法
   。
4. （４）前記陰極及び陽極を共に固定して、これらの電極
   間に前記電解液を強制的に供給することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の導体回
   路板の製造方法。
5. （５）前記陰極を、前記電解液の接液スピードが得られ
   るように回転させることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項乃至第３項のいずれか記載の導体回路板の製造方法
   。
6. （６）前記絶縁基材の加熱圧着前に前記レジストマスク
   を除去し、前記導体回路、薄膜金属層、及び導電基材を
   一体に前記絶縁基材に加熱圧着することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか記載のスルー
   ホール付導体回路板の製造方法。