JPS62276893A - 導体回路板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） この発明は、ＩＣカード、電子機器等に組み込まれる導
体回路板の！！！遣方法に関する。

（従来の技術及びその問題点） 近年、ＩＣカード、電子機器等の高性能化、軽薄化等に
伴い、これらに組み込まれる導体回路板は益々回路バク
ーンの高密度化、薄膜化の傾向にあり、このような導体
回路板を能率良く、大量に、且つ、高品質で製造する方
法が要請されている。

導体回路板を製造する従来の一般的な方法としては、ガ
ラスエポキシ樹脂等の絶縁基板表面に１８μｍ乃至は３
５μｍ、或いはそれ以上のｊ漠厚を有する銅箔を接着積
層し、この銅箔面にフォトレジスト、印刷レジスト等の
レジストによりマスキングを施し、導体回路以外の不要
部分をエツチング除去する、所謂エツチング法がある。

この方法は工程上銅張基板の銅箔厚みを薄くするは経済
的に困難で、導体回路板の薄膜化には本質的に不向きで
あるばかりか、銅箔製造後の表面処理、切断、絶縁基板
への積層等の工程時に物理的に加わる引張力、折曲力等
に充分に耐え得るためには銅ＦｉＦＸさが１８μｍ以上
のものを使用する必要があり、導体回路の高密度化に必
要な、銅箔厚さが５〜１０μｍの銅張基板を得ることが
困難であった。

上述のエツチング法の問題を解決するものとして、所謂
転写法により作製する導体回路板が、例えば、特公昭５
５−３２２３９号公報、１キ公昭５７−２４０８０号公
報、特公昭５７〜３９３１８号公報、特開昭６０−１４
７１９２号公報等により公知である。

特公昭５５−３２２３９号公報、特公昭５７−２４０８
０号公報及び特公昭５７−３９３１８号公報に開示の導
体回路板の製造方法（以下これを「ヘルド転写法」とい
う）は、金属製回転ドラムの外周面又はポリヅンタルメ
ッキ装置の陰掻部に摺動する薄手のに電性金属帯表面に
レジストマスクを施し、この金属帯を陰極としてこれを
不溶性の陽極に所定の間隔を保ちながら送行させ、金属
帯と陽極間にメッキ液を高速で強制的に供給して金属帯
表面に導体回路を電解形成させ、この導体回路に予め接
着材が塗布された絶縁基材を密着させたあと、絶縁基材
と導体回路を金属帯から引き剥がし、必要に応じて導体
回路にオーバレイを積層被覆することにより導体回路板
を実現させるものである。このベルト転写法は高速メッ
キを行うために従来のエツチング法等より導体回路形成
速度が著しく早く、且つ、連続的に導体回路板を作製で
きる点ですぐれているが、導体回路を転写した絶縁基材
を金属帯から引き剥がす分離工程時に、導体回路と金属
帯表面との密着強度と、レジストと金属帯表面との密着
強度の相違等に起因して、導体回路が絶縁基材側に部分
的に転写しないことや、レジストマスク材が絶縁基材側
に転写したり、転写分＃ｌ過程で回路がスイング、デフ
ォルムを起こし、ショート、シワ、折れ、打痕、裂は目
等の欠陥が発生するという問題がある。

又、ベルト転写法は導電性基材として金属帯を使用する
ので、幅広の金属帯を使用すると金属帯が送行中に波打
ち、金属帯と陽極間距離を一定に保つことが難しい。従
って、金属帯上に電解される導体回路のＪ７みが場所に
よって異なり、微細な回路パターンを仔する導体回路で
は転写時の寸法安定性に劣り、歩留りが悪いという問題
がある。

このため、ベルト転写法では幅広の金属帯が使用できず
、このため生産性の向上に制限がある。

更に、例えば特公昭５７−２４０８０号公報に開示され
るように、リールに巻かれたステンレス鋼の金属帯をリ
ールに巻き取る、所謂リール・ツー・リールの状態で使
用すると、ステンレス板表面に傷、ｌηれ等の…傷を与
えたり、レジストパターン付与時にパターンに汚れ、傷
等を与え易い。しかも、レジストパターンの汚れ、傷等
に対処するために作業を中断すると、今度は回路の形成
を損なう等の問題が生じるので、リール・ツー・リール
方式ではたとえレジストパターンに汚れ、傷等のｔ員傷
が発生しても安易に作業（ライン）を中断することが難
しい。この結果、不良率の増加、作業性の低下等の問題
が生じる。

又、金属帯としてステンレス鋼を使用すると、この金属
帯表面には気孔等の避けられない物理的欠陥や電気化学
的欠陥が存在し、ベルト転写法は、このような欠陥のあ
る金属帯表面上に直接導体回路を電解析出させるので、
導体回路にピンホールが発生し易く、特に銅回路幅１０
０μｍ以下、回路間隔１００μｍ以下等の高密度導体回
路板では重要な問題となる。

更に又、第２２図はベルト転写法によるオーバレイ桔層
工程時の断面図であり、ベルト転写法により絶縁基材９
１に接着される導体回路９２は基材９１表面上に導体回
路９２部分のみが突出した状態で接着されており、この
ため、オーバレイフィルム９３を導体回路９２上から密
着させようとしてもオーバレイフィルム９３を導体回路
９２の外周面に完全に密着させることが出来ず、オーバ
レイフィルム９３と導体回路９２間に空気層（気泡）９
４が生じるという問題がある。空気層９４が介在すると
オーバレイ積層工程の加熱時に導体回路９２が高温空気
に曝され酸化が生じる。この空気層（気泡）９４を従来
法により完全に消失させることは困難であり、製造コス
トを上昇させる要因になっていた。又、空気層９４が存
在するとこのオーバレイ積層工程の加熱時に限らず、経
時によっても導体回路９２の酸化が生じる。更に、オー
バレイ積層工程時には第２２図に示すように上下のａ−
ル９５．９５により絶縁基材９１、導体回路９２、オー
バレイフィルム９３を挟んで加熱圧着する。しかるに、
上述した通り、ベルト転写法では絶縁基材９１上に回路
９２が突出した状態で接着されているので、ローラ９５
の押圧により導体回路９２が絶縁基材９１に対して図中
矢印方向にずれて移動してしまう　（スイングしてしま
う）という問題があり、寸法安定性が悪かった。

前記特開昭６０−１４７１９２号公報に開示の導体回路
板の製造方法（以下これを「従来転写法」という）は、
基板上に薄膜金属層を施す工程（第２３図（ａ））と、
この薄膜金属層表面を粗面化する工程（第２３図（ｂ）
）と、薄膜金属層表面に導体回路を形成する部分を除き
メンキレジストを形成する工程（第２３（Ｃ））と、メ
ンキレジストを形成した薄１１り金属層表面にメッキを
行って導体回路を形成する工程（第２３ｆｄ＋）と、そ
の後に薄膜金属層、導体回路及びメツキレシストを共に
上記基板から剥離して絶縁性基材へ転写する工程（第２
：Ｈｅ１）と、転写されたＹＡ膜金金属層エツチングに
より除去する工程（第２３図（ｆ））とからなるもので
、この従来転写法は、基板上に１〜１０μｍ程度の薄膜
金属層を形成しておき、これを転写時にメツキレシスト
及び導体回路と共に絶縁性基材に転写することにより、
導体回路を容易且つ確実に転写することが出来る点で前
述のヘルド転写法より優れている。そして、薄膜金属層
表面に塩化第二銅・塩酸混合液等を使用して化学エンチ
ング法によりネ■面化することによりレジスト及び導体
回路メッキＨりの薄膜金属層への密着性を良好に保つよ
うにしている。しかしながら、従来転写法は上述のよう
に基板上に’ｉｉｉ　ＩＩり金属層を形成させた後、こ
の薄膜金属層表面を粗面化する工程が必須要件であり、
この粗面化処理に時間が掛かり、生産性の向上に悪影ツ
を及ぼすと共に、工程簡略化の上で好ましくない。

一方、導体回路と絶縁基材との密着性を向上させるため
には導体回路表面は所、定の粗度を有している必要ある
。

本発明は上述の種々の問題点を解決するためにてされた
もので、生産性が高＜、’ａｏｍ及びその設置面積が最
小限でよく、しかも、高密度の回路パターンの形成が確
実、且つ安定的に実現できる導体回路板の製造方法を提
供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段及び作用）上述の目的を
達成するために本発明者等が種々研究を重ねた結果、少
ない生産設備と少ない設置面積で高い生産性を上げるに
は、所謂高速メッキ法の採用が必要であること、特別な
粗面化処理工程を必要とせずに、高速メッキ法により所
要の粗度のメッキ面を得る電解メッキ条件を究明し得た
こと、所謂単板プレス法により単板の導電基材に薄膜金
属層を介在させて導体回路を形成し、薄膜金属層及び単
板と共に導体回路を絶縁基板に積層転写した後、単板及
び薄Ｉり金属層を除去すれば導体回路が絶縁基板に容易
且つ確実に転写できること等の認識に基づくものである
。

即ち、本発明の導体回路板の製造方法は、表面粗度０．
０８〜０．２３μｍの平板状導電基材を陰極として、該
陰極と平板状陽極を電極間能Ｎ３〜３０ｍｍだけ離間さ
せ、これらの電極に対する電解液の接液スピードが２．
６〜２０．０ｍ／ｓｅｃとなるように電解１夜を強制的
に供給し、＄流密度０．１５〜４．ＯＡ／ｃｄの条件で
電解メッキを施して前記導電基材に１〜５μｍの薄膜金
属層を形成する工程と、形成した薄膜金属層の、導体回
路を形成する部分を除く表面にレジストマスクを形成す
る工程と、レジストマスクを形成した薄ＩＩつ金属層表
面に、銅イオンを含有する電解液を用いて前記電解メッ
キ条件と同じ条件で電解メッキを施して導体回路を形成
する工程と、形成した導体回路表面に粗面化処理を施す
工程と、斯く形成させた導体回路を挟んで前記導電基材
に絶縁基材を積層して一体に加熱圧着する工程と、前記
導電基材のみをｔｆ、＋＋　ｈ＋する工程と、前記薄膜
金属層をエツチング除去する工程とからムることを特徴
とする。

上述の薄膜金属層を単板の導電基材と導体回路間に介在
させたことによる作用として、以下の４点を上げること
が出来る。

（１）薄膜金属層を介在させた導体回路付単板を絶縁基
材に重ね合わせ、プレスで所定時間加圧加温し、固化積
層後分離すると、単板と薄膜金属層が７０〜１２０ｇ／
ａｍのと−リング強度で剥離分離ができ、寸法変化、外
観不良のない転写積層が容易にできる。

（２）両面多層基板の製造において、両面間の導通をも
１保するためにはスルホールメッキが必要であり、この
スルホールメッキ工程時に本発明の薄膜金属層を介在さ
せなければ、スルホールメッキとしては、（８）無電解
メッキで所要の膜厚のスルホールメッキを施す方法、（
ｂｌ　０　、３〜０．５μｍ程度の厚みの無電解メッキ
後電解メッキを施し、所要の膜厚を得る方法等が考えら
れるが、（ａｌの全て無電解メッキで形成させる方法に
よりスルホールに２５μｍ４’ｊ、度の無電解メッキ膜
を堆積させるには数時間〜１０時間のメブキ時間が必要
であり、生産性が劣るばかりか、堆積膜の結晶粒子力１
■＜、且つ、耐熱性の点で信頼性に劣る。ｆｂｌの無電
解メッキ後、電解銅メッキで所要の膜厚を形成させる方
法は、基板回路上の、電気的に独立の島状回路にスルホ
ールメッキを施す場合、スルホール部分に電解のための
電気的導通を与えることが困難である。本発明の薄膜金
属層は独立回路に電気的導通を与え、電解銅メッキを可
能にする。

（３）単板ｉｔ基材（たとえば、ステンレススチール）
の表面には、化学的、物理的に基材表面を充分に研磨を
施しても、基材内部にある非金属介在物、電気化学的欠
陥による基材中の成分が脱落したり、金属間化合物、偏
析、気孔等が残存しており、これらの欠陥を経済的且つ
完全に補うことが出来ない。本発明の薄膜金属層は基材
の上記欠陥を補うことができ、この結果、ピンホールが
発生せず、従って、幅１００μｍ以下のファインパター
ンの回路基板を容易且つ安価に作製できる。

（４）　　単板導電基材に薄膜金属層及び銅回路を形成
した後、絶縁基材への転写積層を加熱圧着工程で実施す
るが、この際、絶縁基材に塗布又は含浸したＢステージ
の樹脂接着剤が溶７１つゲル化過程及び同化過程で単板
導電基材の周縁部表面に流出しようとするが、この薄膜
金属層を単板基材周縁部までの広がりで単板導電基材表
面を全面的に被覆しておくことにより、流出固化した樹
脂が薄１１２金属層の表面上に留まり、転写積層分離工
程で単板導電基材を薄膜金属層の境界（界面）から容易
に分離でき、単板導電基材に接着剤が密着・付着するど
とが全くない利点がある。

次に、第１図ないし第９図に基づき、本発明方法による
導体回路板の製造工程を説明すると、先ず、本発明方法
の実施に使用される導電基材２としては、剛性を有する
単板、例えば、有効寸法最大１２２０　Ｘ　１０１０２
Ｏ＋、厚み１〜１ＯＩｎＩ１１の範囲の適宜の大きさの
平板状導電材からなり、メッキ工程で使用する薬品に対
する耐薬品性、耐電食性を有することが望ましく、ステ
ンレススチール板（例えば、ハードニング処理を施した
５ＵＳ６３０が好適である）、ニッケル板、チタン又は
チタン合金板、銅又は銅合金板等が使用される。この導
電基材２の表面の汚れ、酸化皮膜を除去すると共に、該
表面に所要の粗度を与える前処理工程を施す（第１図ｆ
ａｔ）、導電基材２の表面は、０．０８〜０．２３μｍ
の範囲の粗度で研磨するのが望ましい。この導電基材２
の表面粗度は、次工程で導電基材２上に形成される薄膜
金属層（薄銅膜）５の密着強度やピンホールの発生、更
には薄膜金属層５の表面粗度にも影響を与える。又、上
述の粗度規定範囲は薄ｊ１グ。

金属層５が導体回路６のメッキ等の工程時に無闇にｆｆ
１ｌ＋離せず、しかも、後述する導電基材２の剥離工程
（第１図（ｈ））において容易に剥離できる密着性が得
られるように設定されたもので、導電基材２と薄膜金属
層５間の界面８の密着力、及び後述の薄膜金属層５とレ
ジス）　ｆｆ９７間の界面９　（第３図参照）の密着力
に差が生じるように、即ち、界面９の密着力が界面８の
密着力より大となるように設定しである。

感電基材２としてステンレススチール板を使用する場合
には、例えば、導電基材２を硫酸８０〜ｌｏｏｍ　１　
／　ｊ！　、６０〜７０℃の溶液に１０〜３０分間浸ン
貞してスケール除去を行い、次いで、水洗後、硝酸６０
〜１００ｍ　１　／　１に酸性フッ化アンモニウム３０
ｇ／　ｌを加えた、室温の溶液に１０〜３０分間浸清し
てスマット除去を行う。次に、水洗後、リン酸ナトリウ
ム２０〜５０ｇ／　ｌと水酸化ナトリウム５０ｇ／βの
電解液で、電解液温度二室温〜４０℃、を流値二３〜８
Ａ／ｄ　ｎ（の電解条件で１〜２分間陰極電解脱脂を行
う。

上述の粗面化処理は化学的に行うものであるが、導電基
材２表面を化学的にクリーニングした後、湿式サンドブ
ラスト　（液体ホーニング）等により機械的に粗面化し
てもよい。機械的に粗面化する場合には、オシレーシッ
ン付のロークリ羽布研磨装置により、例えば、スコッチ
ブライト１２４０程度の胴布により重研磨した後、水洗
し、その後、スコッチブライｌ−１４００〜８００程度
の胴布により上述し範囲の表面粗度（０，０８〜０．２
３μｍ）になるようにヘアライン仕上げ加工を施す。

導電基材２としてニッケル板を使用する場合には、例え
ば、リン酸ナトリウム２０〜５０ｇ／　７！に水酸化ナ
トリウム５０ｇ／　ｌを加えた電解液で、電解液温度：
室温〜４０℃、電流値：３〜８Ａ／ｄ　ｃｄの電解条件
で１〜２分間陰極電解脱脂を行う。そして、水洗後、フ
ッ化水素１−１０ｇ／　ｌ　、５０℃の溶液、又は、塩
酸１５０ｍ　ｌ　／　１．５０℃の溶液に１−１０分間
漫潰して粗面化し、次いで、水洗後４０〜６０℃で温水
洗浄を施す。

感電基材２としてチタン又はチタン合金板を使用する場
合には、例えば、リン酸ナトリウム２０〜５０ｇ／　１
．５０〜６０℃の溶液に３〜５分間浸清してアルカリ浸
漬脱脂を行う。次いで、水洗後、２５χフ７酸（ＩＩＦ
）−７５％硝酸（ＩＩＮＯ，）溶液に浸漬して化学エツ
チングにより粗面化処理を行う。

導電基材２として銅又は銅合金板を使用する場合には、
例えば、リン酸ナピリウム２０〜５０ｇ／　１の電解液
で、電解液温度；５０〜６０℃、電流値：３〜１０　Ａ
　／ｄ　ｒｄの電解条件で３０秒〜２分間陰極電解脱脂
を行う。次いで、水洗後、フッ化水素１〜ＩＯｇ／　Ｉ
！、室温以下の溶液で３０秒〜２分間酸洗いし、水洗す
る。

次に、前処理を終えた導電基材２を陰極１として、これ
を陽極１４に所定の距離３〜３０ｍｍだけ折開させて対
峙させ、所謂高速メッキにより導′；［基材２上に薄膜
金属層５を電解析出させる（第１図ｆｂｌ、及び第２図
）。薄膜金属層５としては銅、ニッケル等が好適であり
、これらの薄膜金属層５を１〜５μｍの厚みで導電基材
２表面に積層させる。

薄膜金属層５として銅を析出させる場合の高速メッキ条
件としては、４５〜７０℃のメッキ液を陰極表面におい
て乱流状態、即ち、電極間距離３〜３０ｍｍ、を極に対
する接液スピードが２．６〜２０、軸／ｓｅｃになるよ
うに陰極電極を回転するか、固定電極間に強制的に電解
液を供給する。このとき、メッキ液として、例えば、硫
酸銅メッキ液、ピクリン酸銅液等を使用し、陰極電流密
度０．１５〜４．０Ａ／ｃｄの電流を印加し、薄膜金属
層の堆積速度が２５〜１００μｍ／ｗｉｎとなるように
設定することが望ましい。

薄膜金属層５としてニッケルを析出させる場合の高速メ
ッキ条件としては、陰極と陽極とを３００〜３５０ｍｍ
で離間させ、この電極間に４０〜４８℃のメッキ液を供
給してエア攪拌を行う。このとき、メッキ液として、例
えば、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル等を使用
し、陰極電流密度２．２〜４、ＯＡ／ｄｍの電流を印加
し、薄膜金属層の堆積速度が０．８〜１．５　μｍ／ｍ
ｉｎとなるように設定することが望ましい。

尚、薄１模金属層５としてニッケル・リン合金をを用い
ることも出来、無電解メッキによりニッケル・リン合金
を導電基材表面に析出させる。この場合の無電解ニッケ
ルメッキ条件としては、３５〜５５℃のメッキ液を、導
電基材２表面の接液スピードが４０〜８０ｍｍ／ｓｅｅ
となるように揺Φカを力）ける。このとき、メッキ液と
して、例えば、次亜リン酸又はボロン系還元剤を用いた
無電解ニッケル液等を使用し、薄膜金属層の堆積速度が
３０分間に１〜２μｍとなるように設定することが望ま
しい。

高速電解メッキされた薄膜金属層５は、上述した通り所
要の表面ね度を有する導電基材２に電解積層されるので
薄膜金属層５は導電基材２に適度の密着力で密着してお
り、又、その表面粗度は上述したメッキ条件による高速
メッキによって、後述するレジストマスク７と薄膜金属
ＪＩＪ５との所望の密着力を得るに好適な範囲内にある
。つまり、本発明においては、導電基材の表面粗度、メ
ッキ液の接液スピード及び電解電流密度の各条件を組み
合わせることにより、薄膜金属層５の表面粗度を好適に
制御することができる。従って、高速メッキにより積層
された薄膜金属層５の表面はメッキ後に特別な表面処理
を必要としない。

又、ステンレススチール板、ニッケル機等カラなる導電
基材２には電気化学的欠陥が存在し、こらの欠陥は金属
間化合物、或いは非金属介在物、偏析、気孔等からなり
、これらの欠陥はステンレススチール板のｌ８製時、圧
延時等に混入生成されるもので、導電基材２の表面処理
だけでは改善し得ないものである。この欠陥は導体回路
６にピンホールを生しさせ原因となるものである。導電
基材２の表面に形成させた薄膜金属層５表面は電気化学
的に平滑であり、この薄膜金属層５上に後述する導体回
路６を形成さセることにより、ピンホールの発生が防止
される。

斯く形成された薄膜ＪＩｌ属層５の、導体回路６が形成
される部分を除いた表面に、フォトレジスト法、印刷法
等によりレジストマスク７が形成される（第１図（Ｃ１
、第３図）。レジスト剤としては、前述した通り、導電
基材２及び薄膜金属層５の各表面粗度と相まって、界面
９の密着力を界面８の密着力より相対的に強（すること
ができるものが選択される。

次に、上述のようにして薄膜金属層５及びレジストマス
ク７を形成させた導１を基材２を陰ｉ＋として、これを
陽極１４に所定の距離（例えば、３〜３０ｍｍ、好まし
くは、１１−１５＋ａｍ）だけ離間させて対峙させ、高
速メッキにより導体回路６を薄膜金属層５上に銅電鋳す
る（第１図（ｄ）、及び第４図）。この高速メッキの電
解液としては、金属Ｌｑ？Ｑ度０．２０〜２．０ｍｏ　
７！／　ｌ、好ましくは、０．３５〜０．９８１１１ｏ
　１　／　ｌ　、及び硫酸濃度５０〜２２０ｇ／ｆを含
有する硫酸銅メッキ液でよく、メッキの均一性を確保す
るために西独国ＬＰＷ社製のＣｔｌＰＰＯＲＡＰＩＤ　
１１直商品名）を１．５　　ｍｌ／βあて添加する。又
、ピロリン酸銅液等の通常のメッキ液を使用してもよい
。

又、電流密度０．１５〜４Ａ／ｄ、１圏に対する接液ス
ピード′２，６　〜２０ｍ／ｓｅｃ　　、＠解ン夜温変
４５〜７０℃、好ましくは６０〜６５℃となるように夫
々設定する。

メッキ液温が４５℃未満であると、銅イオンの移動速度
が低下するため１掻表面に分極層が生じ易くなり、メッ
キ堆積速度が低下する。一方、液温か７０℃を越えると
メッキ液２３の蒸発量が多くなり濃度が不安定なると共
に、液温高温化による設備的制限が加わる。

電流密度と電極に対する接液スヒードとを上述の所定の
条件に設定することにより、薄膜金属層５上のレジスト
マスク７によりマスキングされない部分に、毎分２５〜
ｌＯＯμｍの堆積速度で導体回路６をＩＩＣ積させ、従
来のメッキ法の１０〜２００倍の高能率で銅電鋳を行う
ことが出来、実用上極めて大きな意義を存する。しかも
、堆積する銅粒子を極めて微細にすることができ、導体
回路６の伸び率は抗張力をｔ員なうことなく１６〜２５
％に達する。この伸び率は通常のメッキ法により形成さ
れた導体回路の伸び率より１．５〜２倍以上であり　（
圧延アニール銅箔と同等以上の値であり）、極めて柔ら
かい銅膜を作製することが出来る。このように圧延アニ
ール銅箔と同等の性能を有することから、高折曲性が必
要なフレキシブル基板において特に有効である。又、生
成した導体回路６の表面粒子を、平均粒子径で３．０〜
７．５　μｍと極めて微細にすることができ、その結果
、続く粗面化処ｆ！ｌ！（電解メッキ）工程において形
成される突起状析出物も極めて微細なものとすることが
出来る。更に、導体回路６は電気化学的に平滑な薄膜金
属層５上に積層するので、１０μ以下の厚さでもピンホ
ールが生じない。

銅電鋳工程において、導体回路６か所要の厚み（例えば
、２μｍ〜３００μｍ）に達した時点でｉ１！ｌ電及び
メッキ液の供給を停止し、水洗後、引き続き導体回路６
を粗面化するための粗面化電解メッキを実施する（第１
図（ｅ））。この粗面化電解メッキ工程における電解条
件は、電流密度が０．２５〜０．８５Ａ／ｃｊ、電極間
距離が２６〜５０ｍｍ、ＴＬ極に対する電解液の接液ス
ピードが０．１〜０．８ｍ／ｓｅｃとなるように夫々設
定する。尚、電解液としては特に限定されないが、たと
えば、硫酸ＩＲ＜Ｃｕ５Ｏ＜・５＋１□Ｏ）：８０〜１
５０ｇ／ｌ、硫酸（１１□Ｓｏ、）　：４０〜８０ｇ／
　ｌ、及び硝酸カリウム（ＫＮ（ｈ）　：　２５〜５０
ｇ／　７！よりなる混合？８液等を使用する。

この粗面化処理により導体回路６の粗面上には突起状析
出物が付着形成され、この突起状析出物の平均粒径は１
〜５μｍとなり、後述する絶縁基材１０との密着性が極
めて良好となる。

尚、上述した粗面化処理後に更に導体回路６表面にクロ
メート処理を施すと、銅と絶縁基材中の樹脂又は接着剤
との親和性を増大し、ピーリング強度はもとより、導体
回路の耐熱性（例えば、はんだ耐熱性）も１５％程度向
上するという利点がある。このクロメート処理は、具体
的には、０．７〜１２ｇ／　ｌ　？Ｈ度の重クロム酸カ
リウム溶液に常温で５〜４５秒間浸漬するか、市販の電
解クロメート処理液にてクロメート処理を施す。

粗面化処理が終了すると、レジストマスク７の除去工程
に進む（第１図（「）、第５図）。このレジストマスク
７の剥離除去には、例えば、カセイソーダ等の溶解液が
使用され、この溶解液中に３０〜６０秒浸漬してレジス
トマスク７を溶解除去し、水洗、乾燥する。

次いで、薄膜金属Ｎ５を介して導電基材２に形成させた
導体回路６を、これらの薄膜金属層５及び４７１１基材
２と共に絶縁基材１ｏ上に積層し、ホットプレスにより
加熱圧着さセる（第１図ｆｇｌ、第６図）。絶縁基材ｌ
Ｏとしては、ｆ機材料、及び無機材料のいずれのもので
もよく、例えば、ガラス、エポキシ系樹脂、フェノール
系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、アー
ラミド樹脂等の材料を用いることができる。また、鉄、
アルミ等の導電性材料の表面にホーロウを破覆し、又ア
ルミ表面を酸化するアルマイト処理を施して絶縁した材
料でもよい。−最には、ガラス布等にエポキシ樹脂を含
浸させ、半硬化状態（Ｂステージ）にあるプリプレグに
ぶ体回路６が没入する状態（第６図に示す状態）に加熱
・加圧され、これと接着される。

この転写工程において、導体回路６は厚手の導ＴＬｗ材
２と一体に絶縁基材１０に積層され、加熱圧着されるの
で、導体回路６は導電基材２に保持されたまま転写され
ることになり、寸法安定性が確保される。又、導電基材
２が転写時の転写治具を兼ねるので特別の治具が不要で
あり、更に、導体回路６とｉ電基材２との間に薄膜金属
層５が介在し、薄膜金属層５と導体回路６とが強い密着
力で結合しているので導体回路６が転写時にずれて移動
する（所謂、スイングを起こす）ことがなく、寸法安定
性が良いので微細な導体回路パターンを有する高密度回
路にも通用可能である（例えば、パターン幅数μｍ−数
十μｍが実現出来る）。更に、万−導体回路６にピンホ
ールがあっても導体回路６と導電基材２との間にＦＪ膜
金属Ｊ！！５が密着状態で介在しているので接着剤等が
ピンホールを通って導体回路６表面に露出することがな
い。

次に、絶縁基材１０の加熱固化を待って導電基材２を、
絶縁基材ｌＯに転写された導体回路６及び薄膜金属層５
から剥離する（第１図（ｈｌ、第７図）。

このとき、導電基材２とａ膜金属層５との間の密着力よ
り、薄膜金属層５と導体回路６の密着力の方が大であり
、更に、導電基材２と薄膜金属層５との間の密着力より
、導体回路６と絶縁基材１０の密着力の方が大であるか
ら、導電基材２は薄膜金属Ｒ１Ｊ５との界面８で分離し
てｍｌ！を縁基材１０側には薄膜金属層５、及び導体回
路６が一体に密着している。

導電基材２と絶縁基材１０間に薄膜金属層５が介在され
るから、絶縁基材１０の接着剤は導電基け２に直接付着
することがなく、又、分離が導電基材２と薄膜金属層５
間で生じるから、７０〜１２０ｇ／ｃｍのビーリング強
度でＲ電基材２を容易に剥離することが出来、導体回路
６に不均一な力が掛からず、転写時の寸法安定性がこの
時にも確保される。

次いで、薄膜金属層５を酸等によりエツチング除去する
（第１図（１１、第８図）。酸によるエツチング除去の
し易さからは薄膜金属層５は銅からなることが望ましい
。そして、導体回路６が露出する側の４絶縁基材１０に
、導体回路６の汚Ｈ１、ンヨート等を防止するために厚
み６〜２５μｍのオーバレイ被覆を施す。このオーバレ
イ被覆とじてはフィルムを用いる場合、インクを用いる
場合等があるが、フレキシブルプリント基板には一般に
オーバレイフィルムが、リジッド基板にはインクを用い
るのが主体であり、感光性レジストフィルム等を用いて
もよい。オーバレイフィルムにより被覆する場合、オー
バレイフィルム２４を積層して加熱ロールにより密着さ
せる（第１図（Ｊｌ、第９図）。上述したように導体回
路６は絶縁基材１゜に没入して、オーバレイフィルム２
４でＷｌ、Ｎする面は路面−になる、所謂フラッシュ回
路となっており、このフラッシュ回路にオーバレイ層と
して特にフィルムを積層し、加熱ロールで圧着しても導
体回路６がずれて移動する心配がなく、又、第１８図に
示す従来の導体回路板のようにオーバレイフィルム２４
と導体回路６間に空気層（気／ｅ２）が介在しないので
導体回路６が酸化される心配もない。

オーバレイフィルム２４の積層を終えた導体回路板は内
外形打ち抜き工程（第１図（ｋ））を経て所定の形状、
寸法に切断され導体回路板が完成する。

尚、導電基材２表面に形成された薄膜金属層５、導体回
路６、及びレジストマスク７が総て剥離されるために、
導電基材２の表面を必要に応じて研磨をすれば、この導
電基材２は繰り返し使用することが可能である。

第１０図乃至第１３図は、レジストマスク７を溶解除去
せずに永久レジストとして使用される導体回路板に本発
明方法を通用した場合の製造工程の一部の断面図を示す
ものである。第１０図に示す工程より前工程の断面図は
第２図乃至第４図に示すものと同じであり、製造工程の
フローチャートも第１図に示す工程の内、工程（「）を
除くものと同しであるので、第１Ｏ図乃至第１３図に示
すもの以外は第１図及び第２図乃至第４図を参照して説
明する。尚、第１０図乃至第１３図において、第２図乃
至第９図に示す構成要素と同じものには同じ符号を付し
て、それらの詳細な説明を省略する。

レジストマスク７を永久レジストとして、導体回路６の
形成後にこれを溶解除去しない場合、しシスト剤として
はエポキシ系、ポリアミド系等の非導電性合成樹脂が使
用され、第１図ｆ’ｅｌに示す銅電鋳により形成された
導体回路６の粗面化処理が終了すると、第１図（ｆｌの
レジストマスク７の除去工程を実施せずに第１図ｆｇｌ
の転写工程を実施する（第１Ｏ図）。この転写工程では
、薄膜金属層５を介して導電基材２に形成させた導体回
路６及びレジストマスク７を、これらの薄膜金属層５、
レジストマスク７、及び導電基材２と共に絶縁基材ｌＯ
上に積層し、ホラＩ・プレスにより加熱圧着さ・ヒる（
第１図ｆｇｌ、第１Ｏ図）。この場合、隣接する導体回
路６間にはレジストマスク７が介在しており、このレジ
ストマスク７と導体回路６の表面ば面一に平らになって
いるから絶縁基材１０として、半硬化状態のプレプレグ
でなく、セラミックス等の絶縁基材を使用しても導体回
路６と絶縁基材１０の表面は空気層が介在することなく
密着させることが出来る。この場合、導体回路６及びレ
ジストマスク７と絶縁基材１０間には適宜な接、？２層
が介在される。

次いで、導電基材２を剥離除去する（第１図＋ｈｌ、第
１ｔ図）、このとき、導電基材２と薄膜金属層５との間
の密着力より、薄膜金属層５とレジストマスク７、及び
薄膜金属層５と導体回路６の密着力の方が大であり、更
に、導電基材２と薄膜金属層５との間の密着力より、レ
ジストマスク７と絶縁基材ｌＯ１及び導体回路６と絶縁
基材１０の密着力の方が大であるから、導電基材２は薄
膜金属層５との界面８で分離して絶縁基材１０側には薄
膜金属層５、レジストマスク７、及び導体回路６が一体
に密着している。

次に、薄膜金属層５が酸等によりエツチング除去され（
第１図（１）、第１２図）、導体回路６及びレジストマ
スク７の表面にオーバレイフィルム２４を加熱ロールに
より密着被覆する（第１図ｆｊｌ、第１３図）。導体回
路６はレジストマスク７を挟んで配設され、これらの表
面が而−になっているので、オーバレイフィルム２４と
導体回路６間に空気層（気泡）が介在することがない、
又、熱ロールで加熱加圧する場合でも、導体回路６がず
れて移動することがない。

第１４図乃至第１７図は第１図山）及び（ｄ＋に示す工
程において、ホリゾンタル型の高速メッキを実施するメ
ッキ装置の一例を示し、メッキ装置１１のフレーム１２
の上部中央に水平に板状不溶性陽極１４が設置され、陰
極ｌはこの陽極１４に平行に対向させて固定される。不
）容性陽極１４は第１４図〜第１６図に示すように大電
流を１ｌｌｌ電するために２枚の銅板１４ａ、１４ｂが
重合され、これらの表面全体に鉛１４ｃが、肉厚２〜１
０ｍｍ、好ましくは３〜７ｍｍの範囲内で一様にアセチ
レントーチ等で被覆して構成される。鉛被覆１４Ｃは、
通常、鉛９３％、スズ７％の鉛合金を使用する。極間距
離が１００μｍ不均一になると、電５ｈされる銅膜は、
３５μｍ銅で数μｍのばらつきが生じ、高′ｌ′ｉｔ流
密度（０，８−１，２Ａ／ｃｊ）で長時間（１０００時
間以上）使用する場合には、電極の部分的な電解消耗に
より膜厚のばらつきは更に大きくなる。このため、電極
の再加工修正により電極間距離を維持する必要がある。

鉛被覆の電極に代えて、チタン仮にプラチナ、バラジニ
ウム等の微粉末を熱解重合性樹脂でペースト状にし、こ
れを粗面化されたチタン板表面に均一に塗布し７００〜
８００℃で焼き付けて不溶性陽極１４としてもよい。こ
のチタン仮陽極を使用すると、電解消耗が極めて少なく
なくなり、長時間に亘り（１０００時間以上）電極の再
加工修正の必要がない。

陰極１は、第１図［ｂｌの薄膜金属層形成工程では、工
程ｔａｌで研磨された導電基材２の研磨面が、第１図ｆ
ｄｌの導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５及びレジス
トマスク７の形成された導電基材２の而を前記陽極１４
側に対向させて取付は固定される。

陰極１と不溶性陽極１４間の離間距離は前述した薄膜金
属層５の形成工程及び導体回路６の電鋳工程の夫々に応
した最適距離に設定される。

陰極ｌ及び不溶性陽極１４間の空隙部１３の入口側には
高速流でメッキ液２３を圧送するノズル１５の一端が接
続され、このノズル１５は空隙部１３の入口部で第１７
図に示すように不溶性陽極１４の略全幅に臨んで開口し
ており、ノズル１５の他端は導管１６を介してポンプＩ
７に接続されている。ポンプ１７は更に図示しない導管
を介してメッキ液貯槽く図示せず）に接続されている。

空隙部１３の出口側（ノズル１５を設けた不溶性陽極１
４の対向辺側）には不溶性陽極１４の略全幅にわたって
排液口１８が開口しており、この排液口１８は導管１９
を介して前記メッキ液貯槽に接続されている。そして、
前記ノズル１５及び排液口１８はメッキ液２３が空隙部
Ｉ３を一様の速度分布で流れることが出来るように、こ
れらのノズル１５及び排液口１８の流れ方向の断面形状
変化は滑らかに変化している。ポンプ１７から吐出され
たメッキ液２３は、導管１６、ノズル１５、陰極ｌと不
溶性陽極１４との空隙部１３、排液口１８、導管１９を
順次通過してメッキ液貯槽に戻され、ここから再びポン
プ１７により上述の経路で連続して循環される。

メッキｆ！ｉ、２３をノズル１５から電極間空隙部１３
へ前述した好適のメッキ液速度で供給すると、陰極１表
面近傍でメッキ液流れは乱流状態になっており、電極表
面近傍の金属イオン濃度が極度に低下しないように、即
ち分極層の生長を抑えて、高速度でメッキ膜を成長させ
ることが可能となる。

本発明におけるメッキ工程では、陰極ｌと不溶性陽極１
４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性を有
する給電板２０Ｓ陽極電源ケーブル２１、陰極を源ケー
ブル２２を介して、前述した所要の高電流が給電される
ようになっており、不溶性陽極１４に対向する陰極１表
面及びその非導電性レジストマスク７でマスキングしな
い部分に、毎分２５〜１００μｍ程度の堆積速度で銅膜
を電解析出することができる。

第１８図は、本発明方法を実施するバーチカル型のメッ
キ装置を示し、第１４図乃至第１７図に示すメッキ装置
ｌｌが陰極■及び陽極１４を水平（ホリゾンタル）に配
置したのに対し、第１８図に示すメッキ装置２５は、陰
極！及び不溶性陽極１４が鉛直方向（バーチカル）に配
置されている点で異なる。尚、第１８図において、第１
４図乃至第１７図に示すメッキ装置１１の対応するもの
と実質的に同じ機能を存するものには同じ符号を付して
、それらの詳細な説明を省略する（以下同様）。

メッキ装置２５は、基台２６上に固定された架台２７と
、四辺形の４隅に配設された（第１８図には２本の支柱
のみを示す）３０．３１と、該支柱３０．３１から延出
させ、上下方向に伸縮自在のロフＦ３０ａ、３１ａに横
架支持され、ロッド３０ａ、３１ａの伸縮により昇降す
る上＋Ｆ１２８と、架台２７の上面と上板２日の下面間
に垂直且つ平行に対向して挟持固定される高２１＄電性
を有する給電板２０及び不溶性陽極１４とからなり、給
電板２０と陽極１４とは所定の電極間和剤だけ離間して
配置されている。不溶性陽極１４は第１４図〜第１６図
に示す陽極と同様に、プラチナ等の微粉末でコーティン
グしたチタン仮により大電流をｉｌ！ｌ電可能に構成さ
れる。

陰極１は、第１１２１１ｂｌの薄膜金属層形成工程では
、工程（ａｌで研でされた導電基材２の研磨面が、第１
図ｆｄ＋の導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５及びレ
ジストマスク７の形成された導電基材２の面を前記給電
板２０に、図示しない真空チャック等により取り付は固
定される。尚、陰極１の取り付は時には前記上板２８を
上方に上界させて、陰極１を給電板２０の陽極Ｉ４側面
に沿って嵌挿し、前記真空チャック等により固定した後
、再び一ヒ坂２８を下降させて陽極１４及び給電板２０
の土壁に密着させ、陰極ｌの装着を完了する。尚、第１
８図中符号２９はシール用の○リングである６又、陰極
ｌと不溶性陽極１４間の離間距離は前述した薄膜金属層
５の形成工程及び導体回路６の電鋳工程の夫々に応した
最適距離に設定される。

陰極１及び不溶性陽極１４間の空隙部３日の人口側には
高速流でメッキ液２３が流入するランプ部３８ａが形成
され、このランプ部３８ａは空隙部３８の人口部で、第
１７図に示したと同様に不溶性陽極１４の略全幅に臨ん
で開口しており、ランプ部３８ａの空隙部３８と反対側
はＩ流装置３５、及び導管３４を介してポンプ１７に接
続されている。ポンプ１７は更にメッキ液貯槽３３に接
続されている。空隙部３８の出口側（空隙部３８の上部
のメッキ液２３の排出側）には不溶性陽極１４の略全幅
にわたって排液口３８ｂが開口しており、この排液口１
８は導管４０を介して前記メッキ液貯槽３３に接続され
ている。

整流装置３５は、その内部空間がメッキ１２３の流れ方
向に装着された２枚の、多数の小孔を有する整流板３５
　ａ、　　３５　ｂにより小室に区画されており、この
整流板３５ａ、３５ｂにより、ランプ部３８ａに流入す
るメッキ液２３の流れをｇ流して空隙部３８を下方から
上方に向かって流れるメッキ液２３の速度分布を一様に
している。ポンプ１７から吐出されたメッキ液２３は、
導管３４、整流装置３５、ランプ部３８ａ、陰極１と不
溶性陽極１４との空隙部３８、排液口３８ｂ、導管４０
を順次通過してメッキ液貯槽３３に戻され、ここから再
びポンプ１７により上述の経路で連続してＶａ環される
。

第１８図に示すメッキ装置２５は、メッキ液２３を整流
装置３５を介し、更に、下方から上方に向かって電極間
空隙部１３に供給するので、メッキ液２３は空隙部１３
において第１４図に示すメッキ装置１１より、より均一
な乱流速度分布を存しており、膜厚の一定なｗ体回路を
電鋳するには好都合である。

第１８図に示すメッキ装置においても、陰極１と不溶性
陽極１４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電
性を有する給電板２０．陽極？ｉｌｔ源ケーブル２１、
陰極電源ケーブル２２を介して、前述した所要の高電流
が給電されるようになっており、不）容性陽極１４に対
向する陰極１表面の非導電性レジストマスク７でマスキ
ングしない部分に、毎分２５〜ｌＯＯμｍ程度の堆積速
度で銅膜を電解析出することができる。

第１９図乃至第２１図は、本発明方法を実施する回転式
高速メッキ装置４１を示し、メッキ装置４１は、フレー
ム４２、該フレーム４２内に配設され不溶性陽極１４を
載置支持する架台４３、陽極１４の上方に配置されるハ
ウジング４５、該ハウ゛ジング４５内に回転可能に収納
され陰極を１を閃持する回転体４６、該回転体４６を駆
動する駆動機構４７、フレーム４２の上部に配設されて
ノ１ウジング４５を昇降させる駆動機構４８、メッキ液
を貯溜するメッキ液槽３３及びメッキ）夜槽３３のメッ
キ液を陽極１４と回転体４６の各対向する端面間に画成
される液密空隙部１３内に供給するポンプ１７とにより
構成される。

フレーム４２は基盤４２ａ上に立設された４本の支柱４
２ｂ、４２ｂ　（２本のみ図示）と、これらの各支柱４
２ｂ、４２ｂの上端面に載置固定される上板４２Ｃとに
より構成される。架台４３は基盤４２ａ上にｕ、置され
、フレーム４２の４本の支柱４２ｂの略中央に位置して
いる。

不溶性陽極１４は正方形状の盤体で架台４３上に載置固
定される。この陽極１４の略中央には孔１４ａが穿設さ
れている。この陽極１４は例えば、チタン母材にプラチ
ナ、イリジウム等の酸化物を２０〜５０μの厚みに張っ
た部材で形成され、メッキ液の組成に変化を与えること
なく、また不純物の混入を防止する不溶性陽極とされて
いる。陽極１４には枠体４３ａがシール部材４３ｂを介
して液密に外嵌されている。この枠体４３ａの高さは陽
極４の厚みの２倍程度あり、対向する両側壁の略中央に
は人々孔４３ｃ、４３ｄが穿設されている。

ハウジング４５は上面規正方形状をなしく第２０図）、
下部枠５０、中間枠５１、上部枠５２、トＭ５３と、下
部枠５０と中間枠５Ｉとの間に介在されるインナギヤ５
４、中間枠５１と上部枠５２との間に介在される集電用
スリップリング５５とにより構成され、これらは強固に
共線固定されて一体に形成される。ハウジング４５の下
部枠５０の中央には回転体収納用の大径の孔５０ａが穿
設され、上蓋５３の上面両側には夫々側方に突出する支
持部材５７．５７が固設されている。

回転体４６はハウジングｌＩ　５内に収納され、基部４
６ａは当該ハウジング４５の下部枠５０の孔５Ｑａ内に
僅かな空隙で回転可能に収納され、軸４６ｂの上端は軸
受５９を介して上蓋５３に回転可能に軸支され且つ当該
上蓋５３の軸孔５３　ａを貫通して上方に突出している
。この状態において回転体４６の基部４６ａの下端面４
６Ｃは陽極１４の上面１４ｂと所定の距離だけ離間して
平行に対向する。

回転体４６の基部４６ａには第１９図及び第２１図に示
すように軸方向に平行に且つ周方向に等間隔に孔４６ｄ
が複数例えば４個穿設され、これらの各孔４６ｄ内には
第２の回転体６０が回転可能に収納されている。この回
転体６０は図示しない軸受を介して孔４６ｄに僅かなギ
ャップで回転可能に軸支されている。そして、回転体６
０の下端面に穿設された孔に、チャック機構１１０によ
り陰極１が掴持・固定され、図示しない導電部材及びブ
ラン１０３を介してスリップリング５５に電気的に接続
されている。回転体６０の上端面にはギヤ６５が固着さ
れており、このギヤ６５はハウジング４５に設けられた
インナギヤ５４と噛合している。

駆動機構４７　（第１９図）の駆動用モータ７０はハウ
ジング４５の上１ｉ５３−ｈに載置固定され、該モータ
７０の回転軸に装着されたギヤ７２は回転体４６の軸４
Ｇｂの上端面に螺着固定されたギヤ７３と噛合する。

第１９図に示すフレーム４２の上４Ｆｉ４２ｃには駆動
機構４８の駆動用モータ８０がｖｊ、置固定され、咳モ
ータ８０はスクリュウシャフト８５を駆動すると共にプ
ーリ８３、ヘルド８７及びプーリ８３を介して被駆動軸
であるスクリュウシャフト８６を駆動する。スクリュウ
シャフト８５．８６の各自由端はハウジング５の対応す
る各支持部材５７゜５７の各ネジ孔５７ａ、５７ａに螺
合している。

陽極１４（第１９図）の−側面には電源ケーブル２１が
固着され、スリップリング５５の上面所定値でには電源
ケーブル２２が固着されている。

メッキ液通路（導管）１４０の一端は陽極１４の下方か
ら当該陽極の孔１４ａに液密に接続され、他端はポンプ
１７を介してメッキ液貯槽３３に連通される。通路１４
１．１４２の各一方の開口端は夫々陽極１４の枠体４３
ａの各孔４３ｃ、４３ｄに液密に接続され、各他端は夫
々メッキ液貯槽３３に接続されている。

回転式高速メッキ装置４Ｉの作用を説明すると、先ず、
駆動機構４８のモータ８０を駆動してスクリュウシャフ
ト８５．８６を回転させ、ハウジング４５を、第１９図
の２点鎖線で示す上限位置まで上昇した位置に移動停止
させておく。このとき、ハウジング４５の下端は枠体４
３ａから抜は出て上方に位置する。

次いで、回転体４６の各第２の回転体６０にメッキを施
すべき導電基材２からなる陰穫１を夫々装着する。そし
て、駆動機構４８のモータ８０を駆動して各スクリュウ
シャフト８５．８６を前述とは反対に回転させ、ハウジ
ング４５を、第１９図に実線で示す位１ηまで移動停止
させる。この状態において、ハウジング４５の下端が枠
体４３ａ内に／＆密に昧合し、且つ、陽極１４の上面１
４１）と各陰穫ｌとは所定の間隔で平行に対向する。そ
して、陽極１４の上面＋４ｂと回転体４６の下端面４６
ｃとの間に画成される液密の空隙部１３にメッキ液貯槽
３３からポンプ１７．４管１４０を介して前記空隙部１
３内にメッキ液を供給し、当該空隙部Ｉ３即ち、陽極１
４と陰極ｌとの間にメッキ液を充満させる。この空隙部
１３内に供給されたメッキ液は両側から各通路１４１．
．１４２を介してメッキ液貯槽３３に還流される。

メッキ液の供給開始後、駆動機構４７のモータ７０を駆
動して回転体４６を例えば第２１図に矢ＥＩ　ＣＣで示
す反時計方向に回転させる。この回転体４６の回転に伴
いインナギヤ５４と噛合するギヤ６５を介して第２の各
回転体６０が夫々第２１図に矢印Ｃで示す時計方向に回
転する。これらの各回転体６０は例えば１０ｍ／ｓｅｅ
　〜３０ｍ／ｓｅｅの回転速度で回転（自転）する。か
かる速度で回転体６０即ち、陰極ｌがメッキ液中で回転
すると、当該陰極ｌに接するメッキ液の金属濃度の分極
層が極めて小さくなり、この結果、レイノズル数Ｒｅが
２９００を超えた（Ｒｅ　＞２９００）状態となり、陰
極１に接するメッキ液はどの部分をとってもレイノズル
数Ｒｅが２３００以上（Ｒｅ　＞２３００）となる。

このように陰極ｌにｔ妾するメッキ液の金属１；度分極
層を極めて小さくさせた状態において前記直流電源を投
入して電源ケーブル２１、陽極１４、メッキ液、陰極１
、カーボンブラシ１０３、スリップリング５５、電源ケ
ーブル２２の経路で所要の直２ｉｔ電流を流し、陰極ｌ
の陽極１４の上面１４ｂと対向する端面にメッキを施す
。

所定時間の経過後、前記電流の供給を停止し、ポンプ１
７を停止させると共に駆動モータ７０を停止させて陰極
ｌへのメッキを終了させる。この陰Ｆｉ＋を回転体６０
から取り外す場合には前述した装着の場合と逆の操作を
行う。

回転式高速メッキ装置はメッキ液中で陰極を高速回転さ
せて当該メッキ液の金属濃度分極層を極めて小さくする
ようにしているために前記液密空隙部１３に供給するメ
ッキ液の流速は遅くてもよく、これに伴いポンプの小型
化、電力の節約、及びランニングコストの低減等が図ら
れる。更に従来の如くメッキ液の金属濃度の分極層を極
めて小さくするためのメッキ液の助走距離が不要であり
、装置の小型化を図ることが出来る等の優れた効果があ
る。

このように本発明方法は上述した第１４図乃至第２１図
に示す高速メッキｇＭにより高速メッキを施すので、従
来のメッキ技術の１０〜２００倍という高能率で銅膜を
電解析出することができ、生産効率が極めて高く、又メ
ッキ液速度、電流密度等を所定の条件に設定することに
より、電解析出した銅膜の表面粗度や、堆積する結晶粒
子径を所望の値に調整することができる。

尚、本発明方法を実施する高速メッキ装置としては上述
の装置に限定されることはなく、陰極表面近傍でレイノ
ズル数Ｒｅが約２３００以上の乱流状態が実現出来るメ
ッキ装置であればよい。

（実施例） 次に、本発明の詳細な説明する。

（以下余白） 第１表は、本発明方法及び比較方法により作製された導
体回路板の評価試験結果を示し、導電基材２の表面粗度
、薄膜金属層５の電解条件、導体回路６の電解条件、導
体回路６の粗面化処理条件を種々に変え、転写性、導体
回路６と絶縁基材１０間のビーリング強度、導体回路６
の伸び率等の評価ＸｉＥ験を行ったものであり、第１表
に示す試験条件以外の条件は、総ての供試回路板で同じ
であり、それらは以下の通りである。尚、レジストマス
クは導体回路の粗面化処理後に溶解除去した。

閏１因社： 材質：ハードニング処理を施したステンレススチール単
板（ＳＵＳ６３０）、 表面処理；オシレーンヨン付ロークリ胴布研磨装置を使
用して第１表に示す粗度に 研＊、 逍囚倉履ｌ： 材質：銅薄膜（導電基材表面に３μｎ１の膜厚で堆積） 電解条件：電掻間距離１１ｍｍ、硫酸１８０ｇ／ｊ’の
硫酸銅メッキ液使用 見止皿路里賃： 電解条件：電極間距離１１ｍｍ、硫酸１８０ｇ／Ｉ！の
硫酸銅メッキ液使用、堆積膜厚３５ μｍ（但し、比較例３は９μｍ）、 凰血−傷処！Ｌ−ノジュラメノキ、 電解条件；硫酸銅１００ｇ／β、硫酸５０ｇ／ｌ硝酸カ
リウム３０ｇ／ｌよりなるン昆合溶液使用、堆積膜厚３
μｍ。

良練故林： 材質ニガラスエポキシｃ−ｉ。

第１表において、本発明方法を適用した実施例１〜３は
いずれも、導電基材（単板）２の表面粗度、薄膜金属層
５の電解条件、導体回路６の電解条件、及び導体回路６
の粗面化処理条件がいずれも本発明の規定する条件範囲
内にあり、転写性、導体回路６と絶縁基材１０間のビー
リング強度、導体回路６の伸び率がいずれも良好であり
、総合評価も良（○）である。

一方、ｉ電基材（単板）２の表面粗度が本発明方法の規
定する下限値を外れる比較例１では、薄膜金属層がその
形成工程中において導電基材（１１１板）２より？ｌｌ
、ＩＩ　（早い剥がれ）が生じ、上限値を外れる比較例
２では、転写−Ｌ片時にＡ？ｉｆ基材＜ｒｒｘ板）２と
薄膜金属層５との密着強度が大きく　（ビーリング値３
１０ｇ／ｃｍ）、部分的に薄１１り金属層５が導電基材
２側に残留し、回路ずれが生じる。又、導電基材２の表
面粗度が大きいと薄膜金属層２に多数のピンホールが発
生し、絶縁基材ＩＯの接層時に薄膜金属層のレジストマ
スク除去部に出来たピンホール内に入り込んだ絶縁基材
の接着剤が導電基材２の表面に付着するため、絶縁基材
１０と導電基材２とが強（密着してしまい、転写性が■
害される６尚、１００μｍ以下の径のピンホールが１ｄ
　＋ｎ当たりに１個以上存在するとき、多数のピンホー
ルが発生していると判定した。

導電基材２表面に７ｉ！膜金属層５を形成させずに導電
基材２に直接レノス）・マスク７及び導体回路６を形成
させると、導体回路（膜厚９μｍ）６にピンホールが発
生すると共に、レジストマスク７と導体回路６とを一体
に転写する場合は、レジストマスク７と導電基材２との
密着強度が大きいため、転写時にレジストマスク７が導
電基材２表面に残留してしまい、又、レジスＩ・マスク
７を除去後に導体回路６を転写する場合は、絶縁基材１
０と導電基材２とが接着剤により密着してしまい、導電
基材２の剥離が困難になり、何れにしても転写性が著し
く■害される（比較例３）。

導体回路６の電解時に電解液の接液スピードが本発明方
法の規定する上限値を超えると電解中にレジストマスク
７がｆｆ１ｌ＋　諦しく比較例４）、電流密度が本発明
方法の規定する上限値を超えると、ノジェラ状メッキ、
所謂「メッキ焼け」が発生し、形成された導体回路６の
伸び率も８％と低く、フレキシブル基板用回路に使用す
ることが出来ない（比較例５）。

導体回路６表面の本１１面化処理におＩＪる電解メ、・
キ時の電２ｉｔ密度が本発明方法の規定する下限値を下
回ると光沢のあるメッキ表面となり、粗面化メッキが形
成されない（比較例６）、粗面化が不充分な導体回路６
を絶８ｉ基材ｌＯに転写すると、導体回路６と絶縁基材
１０間のピーリング値は０．７ｋｇ／ｃｍとなり、密着
強度が不足する。

導電基材２の表面粗度、薄膜金属層５の電解条件、導体
回路６の電解条件、及び立体回路６の粗面化処理条件の
いずれかが本発明の規定する条件範囲をはずれる比較例
１〜６は上述の通りの不都合を仔し、■、６合評価はい
ずれも不可（×）である。

（発明の効果） 以上詳述したように、本発明の導体回路板の製造方法に
依れば、表面粗度０．０８〜０．２３μｍの平板状導電
基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３
〜３０ｍｍだけ離間させ、これらの電極に対する電解液
の接液スピードが２．６〜２０．０ｍ／ｓｅｃとなるよ
うに電解液を強制的に供給し、電流密度０．１５〜４．
ＯＡ／ｃ１１１の条件で電解メッキを施して前記導ＴＬ
基材に１〜５μｍの）薄膜金属層を形成する工程と、形
成した薄膜金属層の、導体回路を形成する部分を除く表
面にレジストマスクを形成する工程と、レジストマスク
を形成した薄膜金属層表面に、銅イオンを含有する電解
液を用いて前記電解メッキ条件と同し条件で電解メッキ
を施して導体回路を形成する工程と、形成した導体回路
表面に粗面化処理を施す工程と、斯く形成させた導体回
路を挟んで前記導電基材に絶縁基材を積層して一体に加
熱圧着する工程と、前記５ＩＡ電基材のみを剥離する工
程と、前記薄膜金属層をエツチング除去する工程とで構
成したので、薄膜金属層及び導体回路のメッキ形成時間
が従来のメッキ方法に比較して著しく短縮され、生産性
が高く、工程も簡略化されるので本発明方法を実施する
導体回路板の製造装置に必要な設備及びその設置面積が
少なくて済む。又、導体回路と４１を基材間に薄膜金属
層を介在させるので、メッキ形成される導体回路にピン
ホール等の欠陥が生じ難く、しかも、転写時の転写が容
易で寸法安定性に優れ、微細な回路パターンも安定して
製造出来るので歩留まりが向上して品質も向上するとい
う種々の優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る導体回路板の！！！遣方法の製
造手順を示す工程フーロチャート、第２図乃至第９図は
、第１図に示す工程における導体回路板の断面構成図、
第１Ｏ図乃至第１３図は、本発明方法を別の導体回路板
の製造に適用した場合の製造工程における導体回路板の
断面構成図、第１４図はホリヅンタル型の高速メッキ装
置の構成を示す正面断面図、第１５図は同１坊速メツキ
装置の側面図、第１６図は、第１５図に示すＸＩ／Ｉ−
ＸＶＩ矢線に沿う断面図、第１７図は、第１６図に示す
Ｘ■−Ｘ■矢襟に沿う断面図、第１８図はバーチカル型
の高速メッキ装置の構成を示す正面断面図、第１９図は
回転式高速メッキ砦置の構成を示す、一部切欠正面図、
第２０図は第１９図のハウジングの上面図、第２１図は
第１９図のハウジングの底面図、第２２図は、従来の製
造方法で導体回路板を製造する場合におけるオーバし・
イ積層工程時の問題点を説明するための断面図、第２３
図は、従来の導体回路板の製造方法の製造手順を示す工
程フーロチャートである。 ■・・・陰極、２・・・導電基材、５・・・薄膜金属層
、６・・・導体回路、７・・・レジストマスク、１０．
ｔｏａ・・・絶縁基板、１１・・・ホリゾンタル型高速
メッキ装置、１４・・・不溶性陽穫、２４・・・オーバ
レイ、２５・・・バーチカル型高速メッキ装置、４１・
・・回転式高速メッキ装置。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面粗度０．０８〜０．２３μｍの平板状導電基
   材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３〜
   ３０ｍｍだけ離間させ、これらの電極に対する電解液の
   接液スピードが２．６〜２０．０ｍ／ｓｅｃとなるよう
   に電解液を強制的に供給し、電流密度０．１５〜４．０
   Ａ／ｃｍ＾２の条件で電解メッキを施して前記導電基材
   に１〜５μｍの薄膜金属層を形成する工程と、形成した
   薄膜金属層の、導体回路を形成する部分を除く表面にレ
   ジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを形成
   した薄膜金属層表面に、銅イオンを含有する電解液を用
   いて前記電解メッキ条件と同じ条件で電解メッキを施し
   て導体回路を形成する工程と、形成した導体回路表面に
   粗面化処理を施す工程と、斯く形成させた導体回路を挟
   んで前記導電基材に絶縁基材を積層して一体に加熱圧着
   する工程と、前記導電基材のみを剥離する工程と、前記
   薄膜金属層をエッチング除去する工程とからなることを
   特徴とする導体回路板の製造方法。
2. （２）前記導体回路表面に、銅イオンと硝酸イオンとを
   含有する酸性電解液を用い、電流密度０．２５〜０．８
   ５Ａ／ｃｍ＾２、前記電極に対する前記酸性電解液の接
   液スピード０．１〜０．８ｍ／ｓｅｃ、電極間距離２６
   〜５０ｍｍの条件で、堆積膜厚が２〜５μｍになるまで
   粗面化処理を施すことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の導体回路板の製造方法。
3. （３）前記粗面化処理を施した後、更に前記導体回路表
   面にクロメート処理を施すことを特徴とする特許請求の
   範囲第２項記載の導体回路板の製造方法。
4. （４）前記陰極及び陽極を共に固定して、これらの電極
   間に前記電解液を強制的に供給することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の導体回
   路板の製造方法。
5. （５）前記陰極を、前記電解液の接液スピードが得られ
   るように回転させることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項乃至第３項のいずれか記載の導体回路板の製造方法
   。
6. （６）前記薄膜金属層のエッチング除去後、前記導体回
   路をオーバレイで積層被覆することを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の導体回路板の製造方法。
7. （７）前記絶縁基材の加熱圧着前に前記レジストマスク
   を除去し、前記導体回路、薄膜金属層、及び導電基材を
   一体に前記絶縁基材に加熱圧着することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか記載の導体回
   路板の製造方法。
8. （８）前記導体回路、レジストマスク、薄膜金属層、及
   び導電基材を一体に前記絶縁基材に加熱圧着することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか
   記載の導体回路板の製造方法。