WO1987005182A1 - Method of producing conductor circuit boards - Google Patents

Method of producing conductor circuit boards Download PDF

Info

Publication number
WO1987005182A1
WO1987005182A1 PCT/JP1987/000111 JP8700111W WO8705182A1 WO 1987005182 A1 WO1987005182 A1 WO 1987005182A1 JP 8700111 W JP8700111 W JP 8700111W WO 8705182 A1 WO8705182 A1 WO 8705182A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal layer
conductive
conductor circuit
thin
base material
Prior art date
Application number
PCT/JP1987/000111
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tatsuo Wada
Keizo Yamashita
Tasuku Touyama
Teruaki Yamamoto
Original Assignee
Meiko Electronics Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meiko Electronics Co., Ltd. filed Critical Meiko Electronics Co., Ltd.
Priority to KR1019870700863A priority Critical patent/KR910007473B1/ko
Priority to DE87901645T priority patent/DE3787779T2/de
Publication of WO1987005182A1 publication Critical patent/WO1987005182A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/205—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a pattern electroplated or electroformed on a metallic carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09881—Coating only between conductors, i.e. flush with the conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/0152—Temporary metallic carrier, e.g. for transferring material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0726—Electroforming, i.e. electroplating on a metallic carrier thereby forming a self-supporting structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a conductive circuit board incorporated in an IC card, an electronic device, and the like.
  • an insulated substrate surface such as glass epoxy resin.
  • etching method in which masking is performed on the foil surface with a resist such as a photo resist or a print register, and unnecessary portions other than the conductive circuit are etched away.
  • This method is economically difficult to reduce the thickness of the copper foil of the copper-clad board in the process, and is not inherently suitable for thinning the conductive circuit board, but also surface treatment and cutting after copper foil production
  • it is necessary to use copper foil with a thickness of 18 m or more. It is necessary to obtain a copper-clad board with a copper foil thickness of 5 to 10 m, which is necessary for high-density circuits. It was difficult.
  • a conductor circuit board manufactured by a contract transfer method is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 55-32239 (US Patent No. 4, 053, 370). These are known from JP 24080, JP-B-57-39318, JP-A-60-U7192 and the like. "
  • JP-B-55-32239 J. S. Patent No. 4, 053, 370
  • JP-B-57-24080 and JP-B-57-39318 disclose a method for manufacturing a conductive circuit board.
  • the “belt transfer method” is a method in which a resist mask is applied to the outer surface of a metal rotating drum or the surface of a thin conductive metal strip that slides on the cathode of a horizontal mechanical device, and this metal zero is used as the cathode. This is sent to the insoluble anode while maintaining a predetermined interval, and a high-speed liquid supply is forcibly supplied between the metal strip and the anode to electrolytically form a conductor circuit on the surface of the metal strip.
  • the conductor circuit may not be partially transferred to the base material, or the resist mask material may be
  • the circuit is transferred to the material side, and the circuit is swinging and
  • the belt transfer method uses a metal band as the conductive substrate.
  • the metal band if a wide metal band is used, the metal band
  • the conductor circuit has a fine circuit pattern.
  • Damages the surface of the stainless steel plate such as scratches, dirt,
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of an overlay laminating process using a belt transfer method, in which a conductor circuit 92 adhered to the insulating substrate 91 by the belt transfer method is placed on the surface of the substrate 91. Only the conductor circuit 92 is adhered in a protruding state. Therefore, even if the overlay film 93 is to be brought into close contact with the conductor circuit 92, the overlay film 93 is connected to the conductor circuit 92. However, there is a problem that an air layer (bubbles) 94 is generated between the overlay film 93 and the conductor circuit 92.
  • the conductor circuit 92 When the air layer 94 is interposed, the conductor circuit 92 is exposed to high-temperature air during heating in the overlay laminating step, and oxidation occurs. It was difficult to completely eliminate this air layer (bubbles) 94 by the conventional method, and this was a factor that increased the production cost.
  • the conductor circuit 92 When the air layer 94 is present, the conductor circuit 92 is oxidized not only at the time of heating in the overlay lamination process but also with the passage of time. Further, at the time of the lay-up lamination process, as shown in FIG. 22, upper and lower ports 95, 95 are used to form the insulating base material 91, the conductive circuit 92, and the —Ripe and crimped with the film 93 in between.
  • This conventional transfer method forms a thin metal layer of about 1 to 10 m on a substrate.
  • the conductor circuit can be easily and reliably transferred by transferring this together with the plating resist and the conductor circuit to an insulative substrate at the time of transfer. It is better than the above-mentioned belts transfer method in that and the child to be transferred can be. Then, the surface of the thin film metal layer is roughened by a chemical etching method using a mixed solution of cupric chloride and hydrochloric acid or the like, and thereby the registration is performed.
  • the surface of the conductor circuit in order to improve the adhesion between the conductor circuit and the insulating substrate, the surface of the conductor circuit must have a predetermined roughness.
  • An object of the present invention is to manufacture a conductor circuit board that has high productivity, requires minimal equipment and installation area, and can reliably and stably realize the formation of a high-density circuit pattern. It is to provide a method.
  • a conductive circuit is formed by interposing a thin-film metal layer on an electric base material, and the conductive circuit is laminated and transferred to an insulating substrate together with the thin-film metal layer and the veneer. It is based on the recognition that it can be easily and reliably transferred to a substrate. That is, in the method for producing a conductive circuit board of the present invention, a flat conductive base material having a surface roughness of 0.08 to 0.23 m is used as a cathode, and the negative electrode and the flat anode are separated by a distance of 3 to 30 mm between the electrodes.
  • the electrolyte was forcibly supplied so that the contact speed of the electrolyte with these electrodes was 2.6 to 20.0 m / sec, and the electroplating was performed under the conditions of a current density of 0.15 to 4.0 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ .
  • a thin metal layer of l to 5 m is formed on the material.
  • a resist mask is formed on the surface of the formed thin-film metal layer excluding the portion where the conductive circuit is formed, and an electrolytic solution containing copper ions is used on the surface of the thin-film metal layer on which the resist mask is formed.
  • a conductor circuit is formed by applying electrolysis under the same conditions as the electroplating conditions, and the surface of the formed conductor circuit is subjected to a surface roughening treatment. After laminating the materials and heat-compressing them integrally to separate only the conductive base material, the thin-film metal layer is removed by etching to realize a conductive circuit.
  • a unit with a conductor circuit with a thin-film metal layer interposed is superimposed on an insulating substrate, pressurized and heated for a predetermined time, separated after lamination, and the veneer and thin-film metal layer are separated. Separation can be performed with a beaming strength of 70 to 120 g / cni, and transfer lamination without dimensional changes and appearance defects can be easily performed.
  • through-hole plating is necessary to ensure conduction between both sides.
  • the through-hole plating is (A) a method of applying a through-hole plating with a required film thickness by an electroless plating; (b) a electroless plating of a thickness of about 0.3 to 0.5 m, followed by an electrolytic plating; a method such as to obtain a thickness is considered, all electroless main luck in the form of (a) - ⁇ several hours to deposit an electroless main luck film of 2 5 M m f S of the through hole by a method for made 10
  • the time required is not only low, but the productivity is poor, the crystal grains of the deposited film are coarse, and the reliability is poor in terms of heat resistance.
  • the electrolytic copper plating After the electroless plating shown in (b), the electrolytic copper plating
  • the method of forming the required film thickness with the luck is electrically independent on the substrate circuit. If the island-shaped circuit performs Suruhorume luck, it is difficult to provide electrical continuity for electrolysis through hole portion.
  • the thin-film metal layer of the present invention provides electrical continuity to the independent circuit and enables electrolytic copper plating.
  • the thin film metal layer of the present invention can compensate for the above-mentioned defects of the substrate, and as a result, a binhole is generated Therefore, it is possible to easily and inexpensively manufacture a circuit board having a fine pattern with a width of 100 ⁇ "m or less.
  • FIG. 1 is a process flowchart showing a manufacturing procedure of a method for manufacturing a conductive circuit board according to the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram of the conductive circuit board in the thin-film metal layer forming step (S 1) shown in FIG. 1,
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the conductive circuit board in the resist mask forming step (S3) shown in FIG. 1,
  • FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of the conductive circuit board in the copper electrode forming step (S4) shown in FIG. 1,
  • FIG. 5 is a sectional configuration view of the conductive circuit board in the resist mask removing step (S6) shown in FIG. 1
  • FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram of the conductor circuit board in the transfer stacking step (S7) shown in FIG. 1
  • FIG. 7 is a cross-sectional configuration diagram of the conductive circuit board in the conductive substrate separating step (S8) shown in FIG. 1,
  • FIG. 8 is a cross-sectional configuration diagram of the conductive circuit board in the thin-film metal layer etching step (S9) shown in FIG. 1,
  • FIG. 9 is a cross-sectional configuration diagram of the conductive circuit board in the overlay laminating step (S10) shown in FIG. 1,
  • FIG. 10 is a view similar to FIG. 6, showing a step of manufacturing another conductive circuit board according to the method of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram similar to FIG. 7 in the same manufacturing process
  • FIG. 12 is a diagram similar to FIG. 8 in the same manufacturing process
  • FIG. 13 is a diagram similar to FIG. 9 in the same manufacturing process.
  • FIG. 14 is a front sectional view showing the configuration of a horizontal type high-speed disk device.
  • Fig. 15 is a side view of the high-speed plating device.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line XVI-XVI shown in FIG.
  • FIG. 17 is a sectional view taken along the line XW-XVI shown in FIG. 16,
  • Fig. 18 is a front sectional view showing the configuration of a vertical type high-speed plating device.
  • FIG. 19 is a partially cutaway front view showing the structure of a rotary high-speed plating device.
  • FIG. 20 is a top view of the housing of FIG. 19
  • FIG. 21 is a bottom view of the housing of FIG. 19, and
  • FIG. 23 is a process flowchart showing a manufacturing procedure of a conventional method for manufacturing a conductive circuit board.
  • the conductive base material 2 used for carrying out the method of the present invention has a rigidity.
  • Veneer for example, a plate-shaped conductive material with an effective size of up to 1220 x 1020 and an appropriate size in the range of 1 to 10 in thickness, chemical resistance to the chemical used in the plating process, corrosion resistance It is desirable to have a stainless steel plate (for example, hardened SUS630 is suitable), a nickel plate, a titanium or titanium alloy plate, copper or copper Alloy II or the like is used.
  • the surface of the conductive substrate 2 is cleaned and the oxide film is removed, and a pretreatment process is performed to give the surface a required roughness (step S1 in FIG. 1).
  • the surface of the conductive substrate 2 is desirably polished with a roughness in the range of 0.08 to 0.23.
  • the surface roughness of the conductive base material 2 depends on the adhesion strength of the thin-film metal layer (thin copper film) 5 formed on the conductive base material 2 in the next step, the occurrence of binholes, and the surface roughness of the thin-film metal layer 5. surface It also affects roughness.
  • the above-mentioned range of the specified roughness is such that the thin-film metal layer 5 does not indiscriminately separate during the process of forming the conductor circuit 6 and the like, and the conductive substrate 2 is peeled off (step S8 in FIG. 1) described later. ), So that the adhesiveness at the interface 8 between the conductive substrate 2 and the thin-film metal layer 5 and between the thin-film metal layer 5 and the resist film 7 described later can be obtained.
  • the interface 9 (see FIG. 3) is set so that there is a difference in the adhesive strength, that is, the adhesive strength at the interface 9 is larger than the adhesive strength at the interface 8.
  • the surface roughening treatment described above is performed chemically. However, after chemically cleaning the surface of the conductive base material 2, the surface is mechanically roughened by wet sand blast (liquid honing) or the like. It may be surfaced. If the surface is to be mechanically roughened, it is heavily polished with a rotary cloth polisher with oscillation, for example, with a scotch light # 240 cloth, and then washed with water. Then, a hairline finish is applied to the surface roughness (0.08 to 0.23 ⁇ 111) within the above range using a scotch bright # 400 to 800 feather cloth.
  • a nickel plate is used as the conductive base material 2
  • an electrolyte obtained by adding 50 g / sodium hydroxide to 20 to 50 g // sodium phosphate is used.
  • Temperature Room temperature to 40 ° C.
  • Current value Cathodic electrolytic degreasing is performed for 1 to 2 minutes under electrolysis conditions of 3 to 8 A / dm '.
  • the surface is immersed in a solution of 1 to 10 g / pound of hydrogen fluoride, 50-c or a solution of 150 rat / i of hydrochloric acid, 50 * c for 1 to 10 minutes to roughen the surface. After that, wash with warm water at 40-603 ⁇ 4.
  • Cathodic electrolytic degreasing is performed under electrolysis conditions of 10 A / dm 'for 30 seconds to 2 minutes. Then, after washing with water, pickle with a solution of hydrogen fluoride at 1 to 10 g / i at room temperature or lower for 30 seconds to 2 minutes, and then wash with water.
  • the pre-treated conductive base material 2 was used as the cathode 1, This is separated from the anode 14 by a predetermined distance of 3 to 30 mm so that the thin film metal layer 5 is electrolytically deposited on the conductive substrate 2 by high-speed plating (step in FIG. 1). Step S2, and Figure 2).
  • the thin film metal layer 5 is preferably made of copper, nickel, or the like, and these thin film metal layers 5 are laminated on the surface of the conductive substrate 2 with a thickness of 1 to 5 m.
  • the condition of high-speed plating when copper is deposited as the thin film metal layer 5 is as follows: a plating solution of 45 to 70'c is turbulent on the surface of the cathode, that is, the distance between the electrodes is 3 to 3. Rotate the negative electrode so that the wetted speed to the electrode is 2.6 to 20. Otn / sec, or forcibly supply the electrolyte between the fixed electrodes.
  • a copper sulfate plating solution, a copper pyrophosphate solution, or the like is used as a plating solution, a current having a cathode current density of 0.15 to 4.0 A Zcrf is applied, and the deposition rate of the thin film metal layer is 25 to : it is desirable to set such that L 00 ⁇ m / m in, as the high-speed main luck conditions for which ⁇ nickel as thin metal layer 5, a cathode and an anode is between separated at 300 ⁇ 350Mm, A plating solution of 40-48'C is supplied between the electrodes to perform air stirring.
  • nickel sulfate, nickel sulfamate, or the like is used as a plating solution, a current having a cathode current density of 2.2 to 4.0 A / drrf is applied, and the deposition rate of the thin film metal layer is 0.8. It is desirable to set it to 1.5 m / min.
  • Nickel-lin alloy is used for the thin film metal layer 5. Five
  • the nickel-lin alloy is deposited on the surface of the conductive substrate by electroless plating.
  • the electroless nickel plating condition is such that the plating solution at 35 to 55 is shaken such that the liquid contacting speed on the surface of the conductive substrate 2 is 40 to 80 mnt / sec. .
  • the plating solution for example, an electroless nickel solution using hypophosphorous acid or a boron-based reducing agent is used, and the deposition rate of the thin film metal layer is 1 to 2 per 30 minutes. It is desirable to set it to m.
  • the thin-film metal layer 5 subjected to the high-speed electrolytic plating is, as described above,
  • the thin film metal layer 5 Since the thin film metal layer 5 is electrolytically laminated on the conductive base material 2 having a required surface roughness, the thin film metal layer 5 is in close contact with the conductive base material 2 with an appropriate adhesion force. Due to the high-speed plating under the conditions, it is in a range suitable for obtaining a desired adhesion force between the resist mask 7 and the thin film metal layer 5 described later. That is, in the present invention, the surface roughness of the thin film metal layer 5 is reduced by combining the conditions of the surface roughness of the conductive base material, the contact speed of the plating solution, and the electrolytic current density. It can be controlled appropriately. Therefore, the surface of the thin-film metal layer 5 laminated by high-speed plating requires special surface treatment after plating.
  • electrochemical defects are present in the conductive base material 2 made of a stainless steel plate, a nickel plate, or the like, and these defects are caused by intermetallic compounds or nonmetallic inclusions, skew, and pores. These defects are caused by pressure during melting of stainless steel plate. It is formed by mixing during elongation, etc., and cannot be improved only by surface treatment of the conductive base material 2. This defect causes a bin hole in the conductor circuit 6 and is a cause.
  • the surface of the thin-film metal layer 5 formed on the surface of the conductive substrate 2 is electrochemically smooth, and the formation of a conductor circuit 6 described later on the thin-film metal layer 5 prevents generation of pinholes. Is done.
  • -A resist mask 7 is formed on the surface of the thus formed thin-film metal layer 5 excluding the portion where the deactivation circuit 6 is formed by a photo resist method, a printing method, or the like (see FIG. 1). S3, Fig. 3).
  • a resist agent that can make the adhesion at the interface 9 relatively stronger than the adhesion at the interface 8 in combination with the surface roughness of the conductive substrate 2 and the thin film metal layer 5 as described above. Selected.
  • the conductive substrate 2 on which the thin-film metal layer 5 and the resist mask 7 are formed as described above is used as a cathode 1 and is placed at a predetermined distance (for example, 3 to 30 mm, preferably The conductor circuit 6 is separated from the thin film metal layer 5 by a high-speed plating (step S4 in FIG. 1 and FIG. 4).
  • the electrolytic solution of this high-speed plating has a metal concentration of 0.20 to 2.0 ⁇ 110, preferably 0.35 to 0.98mo £ / £, and a sulfuric acid concentration of 50 to 220g / ⁇ .
  • the part that is not masked by the resist mask 7 on the thin-film metal layer 5 has a thickness of 25 to 100 m / min.
  • the conductor circuit 6 is deposited at a deposition rate of, and copper electricity II can be performed with a high efficiency of 10 to 200 times that of the conventional plating method, which is of great practical significance.
  • the copper particles to be deposited can be made extremely fine, and the elongation of the conductor circuit 6 reaches 16 to 25% without impairing the tensile strength.
  • This elongation is 1.5 to 2 times or more (equivalent to or more than that of rolled anneal copper foil) the elongation of a conductor circuit formed by a normal plating method, and it is possible to produce an extremely soft copper film. I can do it. Since it has the same performance as rolled annealed copper foil, it is particularly effective for flexible substrates that require high bending properties. Also, the generated conductor circuit 6 The surface particles can be made extremely fine with an average particle diameter of 3.0 to 7.5 m, and as a result, the protrusions formed in the surrounding surface roughening process (electrolytic plating) process are also extremely fine. It can be. Furthermore, since the conductor circuit 6 is laminated on the electrochemically smooth thin-film metal layer 5, no pinholes occur even with a thickness of 10 ⁇ or less.
  • the electrolysis conditions in the roughening electrolytic plating step of performing the roughening electrolytic plating to roughen the circuit 6 are as follows.
  • the current density is 0.25 to 0.85. No, set the distance between the electrodes to 26 to 50 degrees, and the contact speed of the electrolyte to the electrodes to 0.1 to 0.8 m / sec.
  • CuS0 4 ⁇ 5 H 2 0 . 80 ⁇ : L50gZ ⁇
  • sulfuric acid H 2 S0 4
  • nitric acid power Li um KN0 3: using the 25 to 50 g / become more mixed solution or the like.
  • the rope and the resin in the base material or the adhesive This has the advantage of increasing the affinity with the agent and improving the heat resistance (eg, solder heat resistance) of the conductor circuit by about 15% as well as the beading strength.
  • the chromate treatment is carried out by immersing in a 0.7 to 12 g / concentration potassium dichromate solution at room temperature for 5 to 45 seconds, or an electrolytic chromatogram of a city IS. Perform chromate treatment with a liquid.
  • the process proceeds to the step of removing the resist mask 7 (step S6 in FIG. 1, FIG. 5).
  • a solution such as caustic soda is used for the separation and removal of the resist mask 7.
  • the resist mask 7 is immersed in the solution for 30 to 60 seconds to dissolve and remove the resist mask 7, and then dried and dried.
  • the base material 10 may be any of an organic material and an inorganic material, such as glass, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyester resin, and the like.
  • a material such as aramid resin can be used.
  • a material obtained by coating a surface of a conductive material such as iron or aluminum with enamel and subjecting the surface of aluminum to alumite treatment to oxidize the surface may be used.
  • epoxy resin is soaked in a glass cloth or the like, and the conductor circuit 6 is immersed in the pre-preg in a semi-cured state (B stage) (the state shown in Fig. 6). Is heated and pressurized and adhered to it.
  • the conductive circuit 6 is laminated on the insulating base 10 integrally with the thick conductive base 2 and is heated and pressed, so that the conductive circuit 6 is transferred while being held on the conductive base 2 As a result, dimensional stability is ensured.
  • the conductive base material 2 also serves as a transfer jig at the time of transfer, no special jig is required.Furthermore, the thin film metal layer 5 is interposed between the conductive circuit 6 and the conductive base material 2, and the thin film metal layer Since the conductor circuit 6 and the conductor circuit 6 are bonded together with strong adhesion, the conductor circuit 6 does not shift during transfer (so-called swinging) and has fine dimensional stability because of good dimensional stability.
  • a pattern width of several m to several tens of m can be realized. Furthermore, even if there is a pinhole in the conductor circuit 6, since the thin film metal layer 5 is interposed between the conductor circuit 6 and the conductive base material 2 in a close contact state, an adhesive or the like passes through the pinhole. And is not exposed on the surface of the conductor circuit 6.
  • the conductive substrate 2 is separated from the conductive circuit 6 and the thin film metal layer 5 transferred to the insulating substrate 10 after the substrate 10 is heated and solidified (step S8 in FIG. 7) At this time, the adhesion between the thin-film metal layer 5 and the conductive circuit 6 is larger than the adhesion between the conductive substrate 2 and the thin-film metal layer 5.
  • the conductive base material 2 separates at the interface 8 with the thin film metal layer 5 and is separated from the insulating base material. On the material 10 side, the thin-film metal layer 5 and the conductor circuit 6 are closely adhered to the body.
  • the adhesive of the insulating base material 10 does not directly adhere to the conductive base material 2 and is separated from the conductive base material 2. Since it occurs between the material 2 and the thin-film metal layer 5, the conductive substrate 2 can be easily separated with a peeling strength of 70 to 120 gcm, and non-uniform force is not applied to the conductive circuit S. Dimensional stability is also ensured at this time.
  • the thin film metal layer 5 is removed by etching with an acid or the like (step S9 in FIG. 1, FIG. 8). It is desirable that the thin-film metal layer 5 be made of a net from the viewpoint of easy removal by etching.
  • the conductive substrate 10 on the side where the conductive circuit 6 is exposed is coated with an overlay having a thickness of 6 to 25 ⁇ (11) to prevent the conductive circuit S from being stained or short-circuited.
  • an ink is sometimes used, and the flexible printed circuit board generally has an on-ray film, while the rigid substrate has an ink.
  • a photosensitive resist film or the like may be used.
  • the overlay film 24 is laminated and closely adhered with a ripening roll.
  • Step S10 in Fig. 1, Fig. 9 As described above, the conductor circuit 6 is immersed in the insulating base forest 10 and the surface covered with the oval film 24 is substantially flush. Become a place It is a so-called flash circuit, and a film is laminated on this flash circuit as an overlay layer, and there is no fear that the conductor circuit 6 is displaced and moved even when crimped by a heating port. Unlike the conventional conductive circuit board shown in FIG. 18, there is no air layer (bubbles) between the over film 24 and the conductive circuit 6, so there is no fear of the conductive circuit 6 being oxidized.
  • the conductor circuit (2) after the lamination of the overlay film 24 is cut into a predetermined shape and dimensions through an inner / outer punching step (step S11 in FIG. 1) to complete a conductor circuit board.
  • FIGS. 10 to 13 are cross-sectional views of a part of the manufacturing process when the method of the present invention is applied to a conductive circuit board used as a permanent resist without dissolving and removing the resist mask. It shows the figure.
  • Cross-sectional views of the steps prior to the step shown in FIG. 10 are the same as those shown in FIGS. 2 to 4, and the flowchart of the manufacturing process is the same as that shown in FIG. Since these steps are the same as those except for the steps shown in FIGS. 10 to 13, description will be made with reference to FIGS. 1 and 2 to 4 except for those shown in FIGS. 10 to 13, the same components as those shown in FIGS. 2 to 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the resist agent may be a non-conductive material such as epoxy resin or polyamide.
  • the step S6 in FIG. I is performed without performing the step of removing the resist mask 7 (FIG. 10). In this transfer step, the conductive circuit 6 and the resist mask 7 formed on the conductive substrate 2 via the thin film metal layer 5 are combined with the thin film metal layer 5, the resist mask 7 and the conductive mask.
  • Step S7 in FIG. 1, FIG. 10 It is laminated on the insulating substrate 10 together with the material 2 and then heated and pressed by a hot press (Step S7 in FIG. 1, FIG. 10).
  • a resist mask 7 is interposed between the adjacent conductor circuits 6 and the surfaces of the resist mask 7 and the conductor circuit 6 are flush with each other, so that the insulating substrate 10 Therefore, even if the base material such as ceramics is used as a material instead of a semi-cured pre-breg, an air layer intervenes between the conductor circuit 6 and the surface of the insulating base material 10. It can be closely adhered.
  • an appropriate adhesive layer is interposed between the conductive circuit 6 and the resist mask 7 and the insulating substrate 10.
  • the conductive substrate 2 is peeled and removed (step S8 in FIG. 1, FIG. 11). At this time, the adhesion between the thin film metal layer 5 and the resist mask and the adhesion between the thin film metal layer 5 and the conductor circuit 6 are larger than the adhesion between the conductive base material 2 and the thin film metal layer ⁇ . -1
  • the conductive base material 2 is separated at the interface 8 with the thin film metal layer 5 and the thin film metal layer 5, the resist mask is completed, and the conductive circuit 6 is formed on the insulating substrate 10 side. Closely adhered.
  • the thin-film metal layer 5 is removed by etching with an acid or the like (step S9 in FIG. I, FIG. 12), and the surfaces of the conductive circuit 6 and the resist mask 7 are turned off. If film 24
  • the conductor circuit 6 is disposed with the register's screen in between, and these surfaces are flush with each other, so that an air layer (bubble) is interposed between the ONO-RAY film 24 and the conductor circuit 6. There is not. Also, even when heating and pressurizing with a heat roll, the conductor circuit 6 does not shift and move.
  • FIGS. 14 to 17 show an example of a menu apparatus for performing a horizontal type high-speed machine in the steps S2 and S4 shown in FIG.
  • a plate-shaped insoluble anode 14 is installed horizontally in the upper center of frame 12 of device 1 i.
  • the cathode 1 is fixed so as to face the anode 14 in parallel.
  • two copper plates 14a and 14b are superimposed on the insoluble anode 14 to apply a large current, and lead 14c is deposited on the entire surface of these plates.
  • Acetylene torch with a wall thickness of 2 to 10 mm, preferably within a range of 3 to 7 mm And the like.
  • lead coating 14c a lead alloy of 93% lead and 7% tin is usually used.
  • the retina to be electrified has a variation of several inches in the 35 ⁇ 111 network, and has a high current density (0.8 to 1.2 A / crf) for a long time (1000 When used, the variation in film thickness is further increased due to partial electrolytic consumption of the electrodes. Therefore, it is necessary to maintain the distance between the electrodes by reworking the electrodes.
  • a lead-coated electrode a fine powder of platinum, palladium, or the like is formed on a titanium plate in the form of a paste with a thermally depolymerizable resin, and the paste is uniformly applied to the roughened titanium surface. It may be baked to form an insoluble anode 14. The use of this titanium plate anode minimizes electrolytic consumption and eliminates the need for reworking and repairing the electrode over a long period of time (over 1000 hours).
  • the cathode 1 forms the polished surface of the conductive base material 2 polished in step S1 in step S4 of FIG.
  • the surface of the conductive base material 2 on which the thin-film metal layer 5 and the resist mask 7 are formed is attached and fixed so as to face the anode 14 side.
  • the separation distance between the cathode 1 and the insoluble anode 14 is set to an optimum distance according to each of the above-described step of forming the thin-film metal layer 5 and the step of powering the conductor circuit 6.
  • a nozzle 15 for pumping the mask liquid 23 with a high-speed flow is on the inlet side of the gap 13 between the cathode 1 and the insoluble anode 14.
  • This nozzle 15 is open at the entrance of the cavity 13 at almost the full width of the insoluble anode 14 as shown in Fig. 17, and the other end of the nozzle 15 is connected to the conduit 1 It is connected to a pump 17 via 6.
  • the pump 17 is further connected to a plating liquid storage tank (not shown) via a conduit (not shown).
  • a drainage port i 8 is opened over substantially the entire width of the insoluble anode 14.
  • Reference numeral 18 is connected to the plating liquid storage tank via a conduit 19.
  • the nozzle 15 and the liquid outlet 18 described above are used for the nozzle 15 and the drainage so that the plating liquid 23 can flow through the gap 13 with a uniform velocity distribution.
  • the change in the cross-sectional shape of the mouth 18 in the flow direction changes smoothly.
  • the plating liquid 23 discharged from the pump 17 passes through the conduit 16, the nozzle 15, the gap 13 between the cathode 1 and the insoluble anode 14, the drain port ⁇ 8, and the conduit 19 in this order.
  • the liquid is then returned to the tank, from where it is circulated continuously by the above-mentioned route once again with the pump 1.
  • the plating liquid 23 When the plating liquid 23 is supplied from the nozzle 15 to the inter-electrode gap .13 at the above-mentioned suitable plating liquid velocity, the plating liquid flows in a turbulent state near the surface of the cathode 1, and It is possible to grow the plating film at a high speed so that the metal ion concentration near the surface does not extremely decrease, that is, while suppressing the growth of the polarization layer.
  • the cathode 1 and the insoluble anode The required high current described above via the power supply board 20 s, which has chemical resistance such as copper, graphite, and lead, and high conductivity, between the anode power cable 21 and the cathode power cable 22
  • the surface of the cathode 1 facing the insoluble anode 14 and the portion not masked by the non-conductive resist mask 7 are coated with copper at a deposition rate of about 25 to 100 m / min.
  • the membrane can be electrolyzed.
  • FIG. 18 shows a vertical type plating apparatus for carrying out the method of the present invention, wherein the plating apparatus 11 shown in FIGS. 14 to 17 has a cathode 1 and an anode 14 horizontally (horizontal).
  • the plating device 25 shown in FIG. 18 is different in that the cathode 1 and the insoluble anode 14 are disposed vertically (vertically).
  • components having substantially the same functions as those of the corresponding mounting devices 11 shown in FIGS. 14 to 17 are denoted by the same reference numerals, and their details are described. Detailed description is omitted (the same applies hereinafter).
  • the mounting device 25 is provided with a mount 27 fixed on a base 26 and four corners of a quadrilateral (only two columns are shown in FIG. 18). 31 and extending from the columns 30 and 31, and horizontally supported by vertically extendable rods 30 a and 31 a, and by extension and contraction of the rods 30 a and 3 la.
  • the anode 3 and the anode 14 are spaced apart from each other by a predetermined distance between the electrodes.
  • the insoluble anode 14 is constituted by a titanium plate coated with a fine powder of platinum or the like so as to be able to conduct a large current similarly to the anodes shown in FIGS.
  • the cathode 1 has the polished surface of the conductive base material 2 polished in step S1 in the step S2 in FIG.
  • the surface of the conductive base material 2 on which the thin film metal layer 5 and the resist mask 7 are formed is fixed to the power supply layer 20 by a vacuum chuck (not shown) or the like.
  • the upper plate 28 is supported on the upper side, and the cathode 1 is inserted and inserted into the side of the anode 14 of the lined electrode 20 and fixed by the vacuum chuck or the like.
  • the upper plate 28 is lowered again to be brought into close contact with the anode 14 and the upper wall of the power supply plate 20 to complete the mounting of the cathode 1.
  • Reference numeral 29 in FIG. 18 is a 0 ring for sealing. Further, the separation distance between the cathode 1 and the insoluble anode 14 is set to an optimum distance according to each of the above-described formation process of the thin-film metal layer 5 and the power supply process of the conductor circuit 6. ,
  • a ramp 38a into which the plating liquid 23 flows in at a high speed is formed, and the lamp 38a is a gap.
  • the rectifier 35 is located on the opposite side of the gap 38 of the lamp 38a from the gap 38.
  • the pump 17 is further connected to a mechanic liquid storage tank 33.
  • a drain port 38b is opened almost over the entire width of the insoluble anode 14.
  • the port 18 is connected to the plating liquid storage tank 33 via a conduit 40.
  • the rectifying device 35 is divided into small chambers by two rectifying plates 35 a and 35 having a large number of small holes, the inner space of which is mounted in the flow direction of the plating liquid 23.
  • the liquid 23 discharged from the bomb 17 is supplied to the conduit 34, the rectifier 35, the lamp 38a, the gap 38 between the cathode 1 and the insoluble anode 14, the drain port. After passing through 38 b and the conduit 40 sequentially, it is returned to the liquid storage tank 33, where it is continuously circulated again by the pump 17 along the upper channel.
  • the plating device 25 shown in FIG. 18 supplies the plating liquid 23 to the gap 13 between the electrodes through the rectifying device 35 and further upwards, so that the plating solution 23 Has a more uniform turbulent velocity distribution in the gap 13 than the plating apparatus 11 shown in FIG. 14, which is convenient for powering a conductor circuit having a constant film thickness.
  • the cathode device 1 is insoluble in the Between the positive electrode 14 and the copper, graphite, lead, and other chemical-resistant, high-conductivity power supply 20, the anode power cable 21, and the cathode power cable 22.
  • a high current is applied so that the non-conductive resist mask 7 on the surface of the cathode 1 opposite to the insoluble anode 14 is not masked by the non-conductive resist mask 7, and it is about 25 to 100 m / min.
  • the copper film can be electrolytically deposited at the deposition rate.
  • FIGS. 19 to 21 show a rotary high-speed keying device 41 for carrying out the method of the present invention.
  • the keying device 41 includes a frame 42 and a frame 42.
  • a base 43 mounted and supported on the insoluble anode 14, a housing 45 disposed above the anode 14, a rotating body rotatably housed in the housing 45 and holding the cathode 1 46, a drive mechanism 47 for driving the rotating body 46, a frame mechanism 48 disposed above the frame 42 for carrying the housing 45, and a mechanism for storing the plating liquid.
  • a pump for supplying the liquid in the liquid tank 33 and the liquid tank 33 in a liquid-tight cavity 13 formed between the opposed ends of the anode 14 and the rotating body 46. 17
  • the frame 42 is fixed to four pillars 42b, 42b (only two pillars are shown) erected on the base 42a, and fixed on the upper end surfaces of the pillars 42b, 42b. It consists of the above 4 4 c.
  • the gantry 4 3 is placed on a base 4 2 a and is located substantially at the center of the four columns 4 2 b of the frame 4 2.
  • the insoluble anode 14 is mounted and fixed on a bridge 43 with a square board.
  • a hole Ua is formed substantially at the center of the anode 14.
  • the anode 14 is made of, for example, a titanium base material formed of a member having an oxide such as platinum or polyimide stretched to a thickness of 20 to 50 ⁇ ", and changes the composition of the plating solution.
  • a frame 43a is fitted to the anode 14 in a liquid-tight manner via a seal member 43b.
  • the height of the frame 43 a is about twice the thickness of the anode 4, and holes 43 c and 43 d are formed substantially at the center of the opposing side walls, respectively.
  • the housing 45 has a square shape when viewed from the top (FIG. 20), and is provided between the lower frame 50, the intermediate frame 51, the upper frame 52, the upper lid 53, and the lower frame 50 and the intermediate frame 51. It is composed of an inner gear 54 interposed and a current collecting slip ring 55 interposed between the intermediate frame 51 and the upper frame 52, which are firmly fixed together and integrally formed. You. In the center of the lower frame 50 of the housing 45, a large-diameter hole 50a for accommodating the rotating body is drilled, and on both sides of the upper surface of the upper lid 53, supporting members 5 protruding laterally, respectively. 7, 5 7 are fixed.
  • the rotating body 46 is housed in the housing 45, the base 46a is rotatably housed in a hole 50a of the lower frame 50 of the housing 45 with a slight gap, and the upper end of the shaft 46b is It is rotatably supported by the upper lid 53 via a bearing 59 and projects upward through a shaft hole 53 a of the upper lid 53.
  • the lower end surface 46 c of the base 46 a of the rotating body 46 is opposed to the upper surface 14 b of the anode 14 in parallel at a predetermined distance.
  • a plurality of holes 46 d are formed in the base 46 a of the rotating body 46 in parallel with the axial direction and at equal intervals in the circumferential direction.
  • a second rotating body 60 is rotatably housed in each of the holes 46d.
  • the rotating body 60 is rotatably supported by a small gap in the hole 4 ⁇ d via a not-shown receiving member.
  • the cathode 1 is held and fixed by a chuck mechanism 110 in a hole formed in the lower end surface of the rotating body 60, and is slipped through a conductive member (not shown) and a brush 103. 5 is electrically connected.
  • a gear 65 is fixed to the upper end surface of the rotating body 60, and this gear 65 is combined with an inner gear 54 provided in the housing 45.
  • the driving motor 70 of the driving mechanism 47 (FIG. 19) is mounted and fixed on the upper lid 53 of the housing 45, and the gear 72 mounted on the rotating shaft of the motor 70 is a rotating body.
  • the gear 73 is screwed and fixed to the upper end surface of the shaft 46 b of the shaft 46.
  • a drive motor 80 of a drive mechanism 48 is mounted and fixed on the upper surface 42 c of the frame 42 shown in FIG. 19, and the motor 80 drives the screw shaft 85 and pulley 8. 3.
  • the screw shaft 86 which is the driven shaft, is driven via the belt 87 and the pulley 83. Screw shaft 85, Each free end of 86 corresponds to a corresponding support member 57 of housing 5,
  • a power cable 21 is fixed to one side of the single pole 14 (FIG. 19), and a power cable 22 is fixed to a predetermined position on the upper surface of the slip ring 55.
  • plating liquid passage (conduit) 140 One end of the plating liquid passage (conduit) 140 is connected from below the anode 14 to the hole 14 a of the anode in a liquid-tight manner, and the other end is connected to the plating liquid storage tank 33 via the pump 17.
  • Passage 14 1 One end of the plating liquid passage (conduit) 140 is connected from below the anode 14 to the hole 14 a of the anode in a liquid-tight manner, and the other end is connected to the plating liquid storage tank 33 via the pump 17.
  • each of 142 is connected to each hole 43 c., 43 d of the frame 43 a of the anode 14 in a liquid-tight manner, and the other end is connected to the plating liquid storage tank 33, respectively. I have.
  • the screw 80 is driven by driving the motor 80 of the driving structure 48 to rotate the housing 45, and the housing 45 is moved. Then, the movement is stopped at a position that has risen to the upper limit position indicated by the two-dot chain line in FIG. At this time, the lower end of the housing 45 comes out of the frame 43a and is located above.
  • the cathodes 1 made of the conductive base material 2 to be subjected to plating * are attached to the respective second rotating bodies 60 of the rotating bodies 46.
  • the motor 80 of the drive mechanism 48 is driven to rotate the respective screw shafts 85, 86 in the opposite direction to that described above, and the housing 45 is shown in FIG. Stop moving to the position shown by the solid line.
  • the lower end of the housing 45 is fitted in the frame 43 a in a liquid-tight manner, and the upper surface 14 b of the anode 14 And each cathode 1 are opposed in parallel at a predetermined interval.
  • a liquid-tight gap 13 defined between the upper surface 14 b of the anode 14 and the lower end surface 46 c of the rotating body 46 forms a pump 17 from a mech liquid storage tank 33 to a pump 17,
  • the plating liquid is supplied into the gap 13 through the conduit 140, and the gap 13, that is, the gap 13 that fills the plating liquid between the anode 14 and the cathode 1.
  • the plating liquid supplied to the inside is returned to the plating liquid storage tank 33 from both sides through the passages 141 and 142.
  • the motor 70 of the drive mechanism 47 is driven to rotate the rotating body 46 in a counterclockwise direction, for example, as indicated by an arrow in FIG.
  • each of the second rotating bodies 60 rotates in the clockwise direction indicated by the arrow C in FIG. 21 via the gear 65 combined with the inner gear 54.
  • Each of these rotating bodies 60 rotates (rotates) at a rotation speed of, for example, 10 m / sec to 30 m / sec.
  • the Reynozzle number Re becomes smaller.
  • the state exceeds 2900 (Re> 2900), and the number of ray nozzles Re of the plating solution in contact with the cathode 1 is 2300 or more (Re> 2300) for any ⁇ minutes.
  • the DC power supply is turned on to supply the power cable 21, the anode 14, the plating solution, the cathode 1, and the power.
  • One-brush brush 103, slipping 55, power cable A required direct current is passed through the path of the pin 22 and a finish is applied to the end face of the cathode 1 facing the upper face 14 b of the anode 14.
  • the rotary high-speed plating apparatus supplies the liquid to the liquid-tight gap 13 because the cathode is rotated at a high speed in the plating liquid to make the metal concentration polarization layer of the plating liquid extremely small.
  • the flow rate of the plating liquid may be low, and accordingly, downsizing of the pump, saving of electric power, and reduction of the running cost are achieved. Further, there is no need for the approach distance of the plating solution for making the polarization layer of the metal concentration of the plating solution extremely small as in the prior art, and there are excellent effects such as miniaturization of the apparatus.
  • the method of the present invention performs high-speed plating by the high-speed plating device shown in FIGS. 14 to 21 described above, so that the efficiency is 10 to 200 times higher than that of the conventional plating technology.
  • the copper film can be electrolytically deposited and the production efficiency is extremely high, and by setting the plating solution speed, current density, etc. under predetermined conditions, the surface roughness and deposition of the electrolytically exposed copper film can be improved.
  • the crystal grain size to be adjusted can be adjusted to a desired value.
  • Drunk shows peeling value of conductive material and tidal money m
  • the high-speed plating apparatus for performing the method of the present invention is not limited to the above-described apparatus, and a turbulent flow state in which the number of ray nozzles Re is about 230 or more is realized near the cathode surface. Any type of mounting device can be used.
  • Table 1 shows the evaluation test results of the conductive circuit boards manufactured by the method of the present invention and the comparative method.
  • Various tests were performed to evaluate the transferability, the beading strength between the conductor circuit 6 and the insulating substrate 10, the elongation rate of the conductor circuit 6, etc., by changing the surface roughening conditions of the U road 6 in various ways.
  • the conditions other than the test conditions shown in Table 1 are the same for all the test circuit boards, and they are as follows.
  • the resist mask was dissolved and removed after the surface roughening treatment of the conductor circuit.
  • Electrolysis conditions use of copper sulfate liquid with a distance between electrodes of 11 mm and sulfuric acid of 180 g Zi 33 Conductor circuit power:
  • Electrolysis conditions distance between electrodes 11 mm, sulfuric acid 180 g Zi, using copper sulfate plating solution, deposited film thickness 35 m (comparative example 3 is 9 m),
  • Electrolysis conditions A mixed solution consisting of 100 g of copper sulfate, 50 g of sulfuric acid, and 30 g of sulfuric acid room was used, and the deposited film thickness was 3 'm.
  • Insulating base material
  • Comparative Example 1 where the surface roughness of the conductive substrate (plate) 2 is out of the lower limit specified by the method of the present invention, the thin film metal layer is separated from the conductive substrate (single plate) 2 during the forming process.
  • Comparative Example 2 in which (premature peeling) occurred and exceeded the upper limit, the adhesion strength between the conductive substrate (single plate) 2 and the thin film metal layer 5 was large during the transfer process (peeling value 310 g / cm3). ), The thin-film metal layer 5 partially remains on the conductive base material 2 side, and a circuit shift occurs.
  • the surface roughness of the conductive substrate 2 is large, a large number of pinholes are generated in the thin film metal layer 2 and enter into the pinhole formed in the resist mask removing portion of the thin film metal layer when the insulating substrate 10 is laminated. Since the embedded adhesive of the base material adheres to the surface of the conductive base material 2, the insulating base material 10 and the conductive base material 2 are strongly adhered to each other, and transferability is impaired. When one or more pinholes having a diameter of 100 or less existed per 1 d rrf, it was determined that a large number of pinholes were generated.
  • the resist mask 7 and the conductive circuit 6 are formed directly on the conductive substrate 2 without forming the thin film metal layer 5 on the surface of the conductive substrate 2, pinholes are generated in the conductive circuit (thickness 9 m) 6.
  • the resist mask 7 is transferred onto the surface of the conductive substrate 2 during transfer.
  • the conductive circuit 6 is transferred after the resist mask 7 has been removed, the base material 10 and the conductive base material 2 adhere to each other with an adhesive, and the conductive base material In this case, separation becomes difficult, and in any case, the transcription property is significantly inhibited (Comparative Example 3).
  • the resist mask 7 separates during electrolysis (Comparative Example 4), and the current density is regulated by the method of the present invention. If the upper limit is exceeded, a nodular sticking, so-called “sticking burn” occurs, and the elongation of the formed conductor circuit 6 also increases. As low as 8%, it cannot be used for circuits for flexible substrates (Comparative Example 5).
  • a thin-film metal layer is interposed between the conductive circuit and the conductive substrate, defects such as pinholes are unlikely to occur in the conductive circuit to be formed, and the transfer is performed.
  • Easy transfer at the time excellent dimensional stability, stable production of fine circuit pattern, and not only single-sided board with high-density circuit with small line distance and line width, but also through holes It can be applied to double-sided boards, multilayer boards, etc.
  • a copper circuit formed by a high-speed plating method has a high elongation and is extremely soft, so that it can be suitably applied to not only a rigid printed wiring board but also a flexible printed wiring board.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

明 細 書
導体回路板の製造方法
技 術 分 野
この発明は、 I Cカー ド、 電子機器等に組み込まれる 導体回路板の製造方法に関する。
背 景 技 術
近年、 i c力— ド、 電子機器等の高性能化、 軽薄化等に 伴い、 これらに組み込まれる導体回路板は益々回路バタ ー ンの高密度化、 薄膜化の傾向にあり、 このよう な導体 回路板を能率良く 、 大量に、 且つ、 高品質で製造する方 法が要請されている。
導体回路板を製造する従来の一般的な方法としては、 ガラスェボキシ樹脂等の絶緣基板表面に 1 8 β m乃至は 35 ^ m . 或いはそれ以上の膜厚を有する銅箔を接着積層 し、 この銅箔面にフ ォ ト レジス ト、 印刷レジス ト等の レ ジス トによりマスキ ングを施し、 導体回路以外の不要部 分をエ ッチング除去する、 所謂エ ッチング法がある。
この方法は工程上銅張基板の銅箔厚みを薄く するは経 '済的に困難で、 導体回路板の薄膜化には本質的に不向き であるばかりか、 銅箔製造後の表面処理、 切断、 铯緣基 板への積層等の工程時に物理的に加わる引張力、 折曲力 等に充分に耐え得るためには銅箔厚さが 1 8 m以上の ものを使用する必要があり、 導体回路の高密度化に必要 な、 銅箔厚さが 5 〜 1 0 mの銅張基板を得ることが函 難であった。
上述のエ ッチング法の問題を解決するものとして、 所 請転写法により作製する導体回路板が、 例えば、 特公昭 •55-32239号公報 （U.S. Patent No .4 , 053 , 370) 特公昭 57- 24080号公報、 特公昭 57-39318号公報、 特開昭 60-U7192 号公報等により公知である。 "
特公昭 55-32239号公報（じ. S. Patent No .4 , 053 , 370) 、 特公昭 57-24080号公報及び特公昭 57-39318号公報に開示 の導体回路板の製造方法 （以下これを ベル ト転写法」 という） は、 金属製回転 ドラムの外周面又はホ リ ゾンタ ルメ ツキ装置の陰極部に摺動する薄手 導電性金属帯表 面にレジス トマスクを施し、 この金属零を陰極としてこ れを不溶性の陽極に所定の間隔を保ちながら送行させ、 金属帯と陽極間にメ ッキ液を高速で強制的に供給して金 属帯表面に導体回路を電解形成させ、 この導体回路に予 め接着材が塗布された絶緣基材を密着させたあと、 絶緣 基材と導体回路を金属帯から引き剝がし、 必要に応じて 導体回路にォ一バレイを積層被覆するこ とにより導体回 路扳を実現させるものである。 このベル ト'転写法は高速 メ ツキを行-うために従来のエ ッチング法等より導体回路 形成速度が著し く 早く 、 且つ、 連镜的に導体回路扳を作 製できる点ですぐれているが、 導体回路を転写した絶緣 基材を金属帯から引き剝がす分離工程時に、 導体回路と 金属帯表面との密着強度と、 レジス トと金属帯衷面との 密着強度の相違等に起因して、 導体回路が絶緣基材倒に ' 部分的に転写しないこ とや、 レジス ト マスク材が铯緣基
材側に転写したり、 転写分離過程で回路がス ィ ング、 デ
フ オ ルムを起こ し、 シ ョ ー ト、 シヮ 、 折れ、 打痕、 裂け
目等の欠陥が発生するという問題がある。 - 又、 ベル ト転写法は導電性基材として金属帯を使用す
るので、 幅広の金属帯を使用すると金属帯が送行中に波
打ち、 金属帯と陽極間距 を一定に保つことが難しい。
従って、 金属帯上に電解される導体回路の厚みが場所に
よって異なり 、 遨細な回路パター ンを有する導体回路で
は転写時の寸法安定性に劣り、 歩留りが悪いという問題
がある。 こ のため、 ベル ト転写法では幅 ί£の金属蒂が使
用できず、 このため生産性の向上に制限がある。
更に、 例えば特公昭 57 - 24080号公報に開示されるよう
に、 リ ールに巻かれたステ ン レス飼の金属帯をリ ールに
巻き取る、 所諝リ ール ' ツ ー · リ ールの状態で使用する
と、 ステ ン レス板表面に傷、 汚れ等の損傷を与えたり、
レ ジス トパター ン付与時にパター ンに汚れ、 傷等を与え
易い。 しかも、 レジス トパター ンの汚れ、 傷等に対処す
るために作業を中断する と、 今度は回路の形成を損なう 等の問題が生じるので、 リ ール ' ツ ー ' リ ール方式では
たとえレ ジス トパタ一ンに汚れ、 傷等の損傷が発生して
も安易に作業 （ラ イ ン） を中断することが難しい。 こ の
結果、 不良率の増加、 作業性の低下等の問題が生じる。 又、 金属帯としてステ ン レス鐧を使用すると、 こ の金 厲蒂表面には気孔等の避けられない物理的欠陥や電気化 学的欠陥が存在し、 ベル ト転写法は、 こ のよ う な欠陥の ある金属帯表面上に直接導体回路を電解折出させるので 導体回路にピンホールが発生し易く 、 特に銅回路幅 100 m以下、 回路間隔 100 m以下等の高密度導体回路板 では重要な問題となる。
更に又、 第 2 2図はベル ト転写法によるオーバレイ積 層工程時の断面図であり、 ベル ト転写法により絶緣基材 9 1 に接着される導体回路 9 2 は基材 9 1表面上に導体 回路 9 2部分のみが突出した状態で接着されており、 こ のため、 オーバレイ フ ィ ルム 9 3を導体回路 9 2上から 密着させよう としてもオーバレイ フ ィ ルム 9 3を導体回 路 9 2 の外周面に完全に密着させることが出来ず、 ォー バレイ フ ィ ルム 9 3 と導体回路 9 2間に空気層 （気泡） 9 4が生じるという問題がある。 空気層 9 4が介在する とオ ーバレイ積層工程の加熱時に導体回路 9 2が高温空 気に曝され酸化が生じる。 この空気層 （気泡） 9 4を従 来法により完全に消失させることは困難であり、 製造コ ス トを上昇させる要因になつていた。 又、 空気層 9 4が 存在するとこのオ ーバ レイ積層工程の加熱時に限らず、 経時によっても導体回路 9 2の酸化が生じる。 更に、 ォ 一バレイ積層工程時には第 2 2図に示すように上下の口 ール 9 5 , 9 5 により絶縁基材 9 1 、 導体回路 9 2 、 ォ —バ レイ フ ィ ルム 93を挟んで加熟圧着する。 しかるに、 上述した通り 、 ベル ト転写法では絶緣基材 9 1 上に回路 9 2 が突出した状態で接着されているので、 ロー ラ 9 5 の押圧により導体回路 9 2 が絶緣基材 9 1に対して図中矢 印方向にずれて移動してしま う （ス イ ング してしま う） という問題があり 、 寸法安定性が悪かった。
前記特開昭 6 0 - 1 47 1 92号公報に開示の導体回路板の製 造方法 （以下これを 「従来転写法」 とい う ）
は、 基板上に薄膜金属層を施す工程 （第 23図 (a) )と、 こ の薄膜金属層表面を粗面化する工程 （第 23図 (b) )と、 薄 膜金属層表面に導体回路を形成する ^分を除きメ ツ キ レ ジス トを形成する工程 （第 )と、 メ ツ キ レジス トを 形成した薄膜金属層表面にメ ツ キを行って導体回路を形 成する工程 （第 23 (d) ) と、 その後に薄膜金属層、 導体回 路及びメ ツキ レ ジス トを共に上記基板から剝離して铯緣 性基材へ転写する工程 （第 2 3 (e) ) と、 転写された薄膜 金属層をエ ッ チングにより除去する工程 （第 2 3 図（f ) ) とからなる もので、 この従来転写法は、 基板上に 1 〜 1 0 m程度の薄膜金属層を形成しておき、 これを転写時に メ ツ キ レ ジス ト及び導体回路と共に絶緣性基材に転写す る こ とによ り 、 導体回路を容易且つ確実に転写する こ と が出来る点で前述のベル ト転写法より優れている。 そし て、 薄膜金属層表面に塩化第二銅 · 塩酸混合液等を使用 して化学ェ ツ チ ング法によ り粗面化する こ とにより レジ
- 1
5 ス ト及び導体回路メ ツキ膜の薄膜金属層への密着性を良 好に保つようにしている。 しかしながら、 従来転写法は 上述のように基板上に薄膜金属層を形成させた後、 この 薄膜金属層表面を粗面化する工程が必須要件であり、 こ の粗面化処理に時間が掛かり、 生産性の向上に悪影響を 及ぼすと共に、 工程簡略化の上で好まし く ない。
一方、 導体回路と絶緣基材との密着性を向上させるた めには導体回路表面は所定の粗度を有している必要ある 発 明 の 開 示
10 本発明の目的は、 生産性が高く 、 設備及びその設置面 積が最小限でよ く 、 しかも、 高密度の回路パター ンの形 成が確実、 且つ安定的に実現できる導体回路板の製造方 法を提供することにある。
上述の目的を達成するために本発明者等が種々研究を · 重ねた結果、 少ない生産設備と少ない設置面積で高い生 産性を上げるには、 所請高速メ ツキ法の採用が必要であ るこ と、 特別な粗面化処理工程を必要とせずに、 高速メ ツキ法により所要の粗度のメ ツキ面を得る電解メ ツキ条 件を究明し得たこと、 所謂単板プレス法により単板の導
20 電基材に薄膜金属層を介在させて導体回路を形成し、 薄 膜金属層及び単板と共に導体回路を絶緣基板に積層転写 した後、 単板及び薄膜金属層を除去すれば導体回路が絶 緣基板に容易且つ確実に転写できること等の認識に基づ く ものである。 すなわち、 本発明の導体回路板の製造方法は、 表面粗 度 0.08〜0.23 mの平板状導電基材を陰極として、 該陰 極と平板状陽極を電極間距離 3 〜30mmだけ離間させ、 こ れらの電極に対する電解液の接液ス ピー ドが 2.6 〜20.0 mノ secとなるように電解液を強制的に供給し、 電流密度 0.15〜4.0 Α Ζαίの条件で電解メ ツキを施して導電基材 に l 〜 5 mの薄膜金属層を形成させる。 そして、 形成 した薄膜金属層の、 導体回路を形成する部分を除く 表面 に レジス ト マス クを形成し、 レジス ト マスクを形成した 薄膜金属層表面に、 銅イ オ ンを舍有する電解液を用いて 電解メ ツキ条件と同じ条件で電解メ ノ キを施して導体回 路を形成し、 形成した導体回路表面に粗面化処理を施し 斯く形成させた導体回路を挟んで導電基材に絶縁基材を 積層して一体に加熱圧着し、 導電基材のみを剝離した後 前記薄膜金属層をェ ツチング除去して導体回路を実現さ せる。
上述の薄膜金属層を単板の導電基材と導体回路間に介 在させたことによる利点として、 以下の 4点を上げるこ とが出来る。
(1) 薄膜金属層を介在させた導体回路付単扳を絶緣基材 に重ね合わせ、 プ レスで所定時間加圧加温し、 固ィ'匕積層 後分離すると、 単板と薄膜金属層が 70〜120g/cni のビー リ ング強度で剝離分離ができ、 寸法変化、 外観不良のな い転写積層が容易にできる。 (2) 両面多層基板の製造において、 両面間の導通を確保 するためにはスルホールメ ツキが必要であり、 このスル ホールメ ツキ工程時に本発明の薄膜金属層を介在させな ければ、 スルホールメ ツキとしては、 （a)無電解メ ツキで 所要の膜厚のスルホールメ ツキを施す方法、 （b) 0 . 3〜0 , 5 m程度の厚みの無電解メ ツキ後電解メ ツキを施し、 所 要の膜厚を得る方法等が考えられるが、 （a)の全て無電解 メ ツキで形-成させる方法により スルホールに 2 5 M m fS 度の無電解メ ツキ膜を堆積させるには数時間〜 10時間の メ ツキ時間が必要であり、 生産性が劣るばかりか、 堆積 膜の結晶粒子が粗く 、 且つ、 耐熱性の点で信頼性に劣る , (b)の無電解メ ツキ後、 電解銅メ ツキで所要の膜厚を形成 させる方法は、 基板回路上の、 電気的に独立の島状回路 にスルホールメ ツキを施す場合、 スルホール部分に電解 のための電気的導通を与えることが困難である。 本発明 の薄膜金属層は独立回路に電気的導通を与え、 電解銅メ ッキを可能にする。
(3) 単板導電基材 （たとえば、 ステンレススチール） の 表面には、 化学的、 物理的に基材表面を充分に研磨を施 しても、 基材内部にある非金属介在物、 電気化学的欠陥 による基材中の成分が脱落したり、 金属間化合物、 偏析. 気孔等が残存しており、 これらの欠陥を経済的且つ完全 に補う ことが出来ない。 本発明の薄膜金属層は基材の上 記欠陥を補う ことができ、 この結果、 ビンホールが発生 せず、 従って、 幅 100 <" m以下のフ ァ イ ンパター ンの回 路基板を容易且つ安価に作製できる。
(4) 単板導電基材に薄膜金属層及び綢回路を形成した後、 絶緣基材への転写積層を加熱圧着工程で実施するが、 こ の際、 絶緣基材に塗布又は含浸した B ステージの樹脂接 着剤が溶融且つゲル化過程及び固化過程で単板導電基材 の周緣部表面に流出しょう とするが、 この薄膜金属層を 単板基材周緣部までの広がりで単板導電基材表面を全面 的に被覆しておく こ とにより、 流出固化した樹脂が薄膜 金属層の表面上に留まり、 転写積層分離工程で単板導電 基材を薄膜金属層の境界 （界面） から容易に分離でき、 単板導電基材に接着剤が密着 · 付着することが全く ない 利点がある。
図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明に係る導体回路板の製造方法の製造 手順を示す工程フ ー ロチャ一 ト、
第 2図は、 第 1図に示す、 薄膜金属層形成工程（S 1 )に おける導体回路板の断面構成図、
第 3図は、 第 1図に示すレジス ト マス ク形成工程（S3) における導体回路板の断面構成図、
第 4図は、 第 1図に示す銅電鐯形成工程（S4)における 導体回路板の断面構成図、
第 5図は、 第 1図に示すレジス ト マスク除去工程（S6) における導体回路板の断面構成図、 第 6図は、 第 1図に示す転写成積工程（S7)における導 体回路板の断面構成図、
第 7図は、 第 1図に示す導電基材剝離工程（S8)におけ る導体回路板の断面構成図、
第 8図は、 第 1図に示す、 薄膜金属層エ ッチング工程 (S9)における導体回路板の断面構成図、
第 9図は、 第 1図に示す、 オーバレイ積層工程（S 10) における導体回路板の断面構成図、
第 10図は、 本発明方法による別の導体回路板の製造ェ 程における、 第 6図と同様の図、
第 11図は、 同製造工程における、 第 7図と同様の図、 第 12図は、 同製造工程における、 第 8図と同様の図、 第 13図は、 同製造工程における、 第 9図と同様の図、 第 1 4図はホリ ゾンタル型の高速メ ッキ装置の構成を 示す正面断面図、
第 1 5図は同高速メ ツキ装置の側面図、
第 1 6図は、 第 1 5図に示す X VI - X VI矢線に沿う断 面図、
第 1 7図は、 第 16図に示す X W - X VI矢線に沿う断面 図、
第 1 8図はバーチカル型の高速メ ツキ装置の構成を示 す正面断面図、
第 1 9図は回転式高速メ ツキ装置の構成を示す、 一部 切欠正面図、 第 2 0図は、 第 1 9図のハウ ジ ングの上面図、 第 2 1図は、 第 1 9図のハウジングの底面図、 第 2 2図は、 従来の製造方法で導体面路板を製造する 場合におけるオーバレイ積層工程時の問題点を説明する ための断面図、 及び、
第 2 3図は、 従来の導体回路板の製造方法の製造手順 を示す工程フ ヨ —チ ヤ一 トである。
発明を実施するための最良の形態
次に、 第 1図ないし第 9図に基づき、 本発明方法によ る導体回路板の製造工程を説明すると、 先ず、 本発明方 法の実施に使用される導電基材 2 としては、 剛性を有す る単板、 例えば、 有効寸法最大 1220 X 1 020 、 厚み 1 〜 1 0 の範囲の適宜の大きさの平板状導電材からなり、 メ ツキ工程で使用する薬品に対する耐薬品性、 耐電食性 を有することが望まし く 、 ステ ン レス スチール板 （例え ば、 ハー ドニング処理を施した S U S 6 3 0が好適であ る） 、 ニ ッ ケル板、 チタ ン又はチタ ン合金板、 銅又は銅 合金扳等が使用される。 この導電基材 2 の表面の汚れ、 酸化皮膜を除去すると共に、 該表面に所要の粗度を与え る前処理工程を施す（ 第 1図のステップ S 1 )。 導電基 材 2 の表面は、 0 . 08〜 0 . 23 の範囲の粗虔で研磨する のが望ましい。 この導電基材 2 の表面粗度は、 次工程で 導電基材 2 上に形成される薄膜金属層 （薄銅膜） 5 の密 着強度やビンホ ールの発生、 更には薄膜金属層 5 の表面 粗度にも影響を与える。 又、 上述の粗度規定範囲は薄膜 金属層 5が導体回路 6 のメ ッキ等の工程時に無闇に剝離 せず、 しかも、 後述する導電基材 2 の剥離工程 （第 1図 のステップ S 8 ) において容易に剝離できる密着性が得 られるように設定されたもので、 導電基材 2 と薄膜金属 層 5間の界面 8 の密着力、 及び後述の薄膜金属層 5 とレ ジス ト膜 7間の界面 9 (第 3図参照） の密着力に差が生 じるように、 即ち、 界面 9 の密着力が界面 8 の密着力よ り大となるように設定してある。
導電基材 2 としてステ ン レススチール板を使用する場 合には、 例えば、 導電基材 2を硫酸 3 0 〜100m i / ί、 60〜70 'cの溶液に 10〜30分間浸漬してスケール除去を行 い、 次いで、 水洗後、 硝酸 60〜： L OOm ノ に酸性フ ッ化 ア ンモニゥ ム 30 g/ を加えた、 室温の溶液に 10〜 30分間 浸漬してスマツ ト除去を行う。 次に、 水洗後、 リ ン酸ナ ト リ ウム 20〜50g/ I と水酸化ナ ト リ ウム 50 g/ i の電解液 で、 電解液温度 ： 室温〜 40で、 電流値 ： 3 〜8 A /d nf の電 解条件で 1 〜 2分問陰極電解脱脂を行う。
上述の粗面化処理は化学的に行う ものであるが、 導電 基材 2表面を化学的にク リ ーニ ングした後、 湿式サ ン ド ブラス ト （液体ホーニ ング） 等により機械的に粗面化し てもよい。 機械的に粗面化する場合には、 オシレーショ ン付のロ ータ リ羽布研磨装置により、 例えば、 スコ ッ チ ブライ ト #240程度の羽布により重研磨した後、 水洗し、 その後、 スコ ッチブライ ト #400〜 800程度の羽布により 上述し範囲の表面粗度（0.08 〜0.23 ^ 111 ) になるように ヘアライ ン仕上げ加工を施す。
導電基材 2 と して二ッケル板を使用する場合には、 例 えば、 リ ン酸ナ ト リ ウム 20〜 50g/ ί に水酸化ナ ト リ ウム 50g/ を加えた電解液で、 電解液温度 ： 室温〜 40て、 電 流値 ： 3 〜8A/dm'の電解条件で 1 〜 2分間陰極電解脱脂 を行う。 そして、 水洗後、 フ ッ化水素 1 〜10g/ £ 、 50 -c の溶液、 又は、 塩酸 150ra t / i 、 50*cの溶液に 1 〜10分 間浸漬して粗面化し、 次いで、 水洗後 40〜60¾で温水洗 浄を施す。 . 導電基材 2 と してチタ ン又はチタ ン合金板を使用する 場合には、 例えば、 リ ン酸ナ ト リ ゥム 20〜 50g/ £ 、 50〜 60 *cの溶液に 3 〜 5分間浸瀆してアル力 リ浸瀆脱脂を行 う。 次いで、 水洗後、 25%フ ッ酸 （H F ) , 7 5 %硝酸 (H 03) 溶液に浸漬して化学ェ ッチングにより粗面化処 理を行う。
導電基材 2 として銅又は銅合金板を使用する場合には 例えば、 リ ン,酸ナ ト リ ゥム 20〜50g/ £ の電解液で、 電解 液温度 ： 50〜 60で、 電流値 ： 3 〜； 10 A /dm'の電解条件で 30秒〜 2分間陰極電解脱脂を行う。 次いで、 水洗後、 フ ツ化水素 1 〜10g/ i、 室温以下の溶液で 30秒〜 2分間酸 洗いし、 水洗する。
次に、 前処理を終えた導電基材 2を陰極 1 として、 こ れを陽極 1 4に所定の距離 3 〜 3 0 mmだけ離間させて対 峙させ、 所諝高速メ ツキにより導電基材 2上に薄膜金属 層 5を電解析出させる （第 1図のステ ップ S 2 、 及び第 2図） 。 薄膜金属層 5 としては銅、 二ッケル等が好適で あり、 これらの薄膜金属層 5を 1 〜 5 mの厚みで導電 基材 2表面に積層させる。
薄膜金属層 5 と して銅を折出させる場合の高速メ ツキ 条件としては、 4 5 〜 7 0 'cのメ ツキ液を陰極表面にお いて乱流状態、 即ち、 電極間距離 3 〜 3 0 m m . 電極に 対する接液スピー ドが 2.6〜 20. Otn/sec になるように陰 極電極を回転するか、 固定電極間に強制的に電解液を供 給する。 このとき、 メ ツキ液として、 例えば、 硫酸銅メ ツキ液、 ピロ リ ン酸銅液等を使用し、 陰極電流密度 0.15 〜4.0 A Zcrf の電流を印加し、 薄膜金属層の堆積速度が 25〜： L 00 μ m/minとなるように設定することが望ましい, 薄膜金属層 5 としてニッケルを圻出させる場合の高速 メ ツキ条件としては、 陰極と陽極とを 300 〜350mm で離 間させ、 この電極間に 40〜 48 'Cのメ ツキ液を供給してェ ァ攪拌を行う。 このとき、 メ ツキ液として、 例えば、 硫 酸ニ ッケル、 スルファ ミ ン酸ニ ッケル等を使用し、 陰極 電流密度 2.2〜4.0 A/d rrf の電流を印加し、 薄膜金属層 の堆積速度が 0.8 〜1.5 m/minとなるように設定する ことが望ましい。
尚、 薄膜金属層 5 と してニ ッケル · リ ン合金をを用い 5
- 1
る こ と も出来、 無電解メ ツキによ り ニ ッ ケル · リ ン合金 を導電基材表面に折出させる。 この場合の無電解ニッケ ルメ ツキ条件としては、 35〜55でのメ ツキ液を、 導電基 材 2表面の接液スビ一ドが 40〜80 mnt/s ecとなるよ う に揺 動をかける。 このとき、 メ ツキ液と して、 例えば、 次亜 リ ン酸又はボロ ン系還元剤を用いた無電解ニ ッ ケル液等 を使用し、 薄膜金属層の堆積速度が 30分間に 1〜 2 m となるよう に設定する こ とが望ま しい。
高速電解メ ツキされた薄膜金属層 5 は、 上述した通り
10 所要の表面粗度を有する導電基材 2 に電解積層される の で薄膜金属層 5 は導電基材 2 に適度の密着力で密着して おり 、 又、 その表面粗度は上述したメ ツキ条件による高 速メ ツキによ って、 後述する レジス トマスク 7 と薄膜金 属層 5 との所望の密着力を得るに好適な範囲内にある。 つま り、 本発明においては、 導電基材の表面粗度、 メ ツ キ液の接液スピー ド及び電解電流密度の各条件を組み合 わせる こ とにより 、 薄膜金属層 5 の表面粗度を好適に制 御する こ とができる。 従って、 高速メ ツ キにより積層さ れた薄膜金属層 5 の表面はメ ッキ後に特別な表面処理を
20 必要としない。
又、 ステ ン レススチール板、 ニ ッ ケル板等からなる導 電基材 2 には電気化学的欠陥が存在し、 こ らの欠陥は金 属間化合物、 或いは非金属介在物、 偏折、 気孔等からな り 、 これらの欠陥はステツ レススチール板の溶製時、 圧 延時等に混入生成されるもので、 導電基材 2 の表面処理 だけでは改善し得ないものである。 この欠陥は導体回路 6 にビンホールを生じさせ原因となるものである。 導電 基材 2 の表面に形成させた薄膜金属層 5表面は電気化学 的に平滑であり、 この薄膜金属層 5上に後述する導体回 路 6を形成させるこ とにより、 ピンホールの発生が防止 される。 - 斯く形成された薄膜金属層 5 の、 導休回路 6が形成さ れる部分を除いた表面に、 フォ ト レジス ト法、 印刷法等 により レジス トマスク 7 が形成される （第 1図のステ ツ プ S3、 第 3図） 。 レジス ト剤としては、 前述した通り、 導電基材 2及び薄膜金属層 5 の各表面粗度と相まって、 界面 9 の密着力を界面 8 の密着力より相対的に強く する こ とができる ものが選択される。
次に、 上述のよう にして薄膜金属層 5及びレジス トマ スク 7を形成させた導電基材 2を陰極 1 として、 これを 陽極 14に所定の距離 （例えば、 3 〜30mm、 好まし く は、 1 1 〜 1 5 mm ) だけ離間させて対峙させ、 高速メ ツキに より導体回路 6を薄膜金属層 5上に銅電鐯する （第 1図 のステ ップ S 4、 及び第 4図） 。 この高速メ ツキの電解 液としては、 金属調濃度 0. 20〜 2. 0<11 0 ノ 、 好まし く は、 0. 35〜0. 98mo £ / £、 及び硫酸濃度 50〜 220g / ^を 含有する硫酸銅メ ツキ液でよ く 、 メ ッキの均一性を確保 するために西独国 LPW社製の CUPPORAP I D Hs (商品名） を 1.5 πι / あて添加する。 又、 ピロ リ ン酸銅液等の通 常のメ ツキ液を使用してもよい。 又、 電流密度 0.15〜 4 A/ci s 電極に対する接液ス ピー ド 2.6 〜20mZsec 、 電解液温度 4 5 〜 7 0 、 好ま しく は 6 0 〜 6 5 とな るように夫々設定する。 メ ツキ液温が 4 5 'C未満である と、 銅イ オ ンの移動速度が低下するため電極表面に分極 層が生じ易く なり、 メ ッキ堆積速度が低下する。 一方、 液温が 70'πを越えるとメ ツキ液 2 3 の蒸発量が多 く なり 濃度が不安定なると共に、 液温高温化による設備的制限 が加わる。
電流密度と電極に対する接液スヒ.一 ドとを上述の所定 の条件に設定することにより、 薄膜金属層 5上のレジス ト マス ク 7 によ り マスキ ングされない部分に、 毎分 25〜 100 mの堆積速度で導体回路 6を堆積させ、 従来のメ ツキ法の 1 0 〜 2 0 0倍の高能率で銅電 IIを行う ことが 出来、 実用上極めて大きな意義を有する。 しかも、 堆積 する銅粒子を極めて微細にすることができ、 導体回路 6 の伸び率は抗張力を損なう ことな く 16〜25%に達する。 この伸び率は通常のメ ツキ法により形成された導体回路 の伸び率より 1.5 〜 2倍以上であり （圧延ァニール銅箔 と同等以上の値であり） 、 極めて柔らかい銅膜を作製す ることが出来る。 こ のよ う に圧延ァニール銅箔と同等の 性能を有することから、 高折曲性が必要なフ レキ シブル 基板において特に有効である。 又、 生成した導体回路 6 の表面粒子を、 平均粒子径で 3.0 〜7.5 mと極めて微 細にすることができ、 その結果、 繞く粗面化処理 （電解 メ ツキ） 工程において形成される突起状折出物も極めて 微細なものとすることが出来る。 更に、 導体回路 6 は電 気化学的に平滑な薄膜金属層 5上に積層する ので、 1 0 - 以下の厚さでもピンホールが生じない。
銅電涛工程において、 導体回路 6が所要の厚み （例え ば、 2 II！〜 3 0 0 μ m ) に達した時点で通電及びメ ッ キ液の供袷を停止し、 水洗後、 引き続き導体回路 6を粗 面化するための粗面化電解メ ツキを実施する （第 1図の ステ ッ プ S 5 ) の粗面化電解メ ノ キ工程における電 解条件は、 電流密度が0.25〜0.85 ノ<^、 電極間距離が 26〜50«、 電極に対する電解液の接液スピー ドが 0. 1 〜 0. 8 m/sec となるように夫々設定する。 尚、 電解液と しては特に限定されないが、 たとえば、 硫酸銅（CuS04. · 5 H20) ： 80〜： L50gZ ϋ、 硫酸（H2S04) : 40〜80g/ i、 及び 硝酸力 リ ウム （KN03) ： 25〜50g/ よりなる混合溶液等を 使用する。
この粗面化処理により導体回路 の粗面上には突起状 折出物が付着形成され、 こ の突起状折出物の平均粒径は 1 〜 5 となり、 後述する絶縁基材 1 0 との密着性が 極めて良好となる。
尚、 上述した粗面化処理後に更に導体回路 6表面にク 口メ ー ト処理を施すと、 綱と铯緣基材中の樹脂又は接着 剤との親和性を増大し、 ビーリ ング強度はもとより、 導 体回路の耐熱性 （例えば、 はんだ耐熱性） も 1 5 %程度 向上するという利点がある。 このク ロメ ー ト処理は、 具 体的には、 0 . 7 〜1 2g / 濃度の重ク ロム酸カ リ ウム溶液 に常温で 5 〜 4 5秒間浸漬するか、 市 ISの電解ク ロメ ー ト処理液にてク ロメ一 ト処理を施す。
粗面化処理が終了する と、 レジス トマスク 7 の除去ェ 程に進む （第 1 図のステ ップ S 6 、 第 5図） 。 この レジ ス ト マスク 7 の剝離除去には、 例えば、 カセイ ソーダ等 の溶解液が使用され、 この溶解液中に 30〜 60秒浸漬して レジス トマスク 7を溶解除去し、 水冼、 乾燥する。
次いで、 薄膜金属層 5 を介して導電基材 2 に形成させ た導体回路 6を、 これらの薄膜金属層 5及び導電基材 2 と共に絶緣基材 1 0上に積層し、 ホ ッ トプレスにより加 熟圧着させる （第 1図のステ ッ プ S 7 、 第 6図） 。 铯緣 基材 10としては、 有機材料、 及び無機材料のいずれのも のでもよ く 、 例えば、 ガラス、 エポキシ系樹脂、 フヱノ ール系樹脂、 ポリ イ ミ ド系樹脂、 ポ リ エステル系樹脂、 ァーラ ミ ド樹脂等の材料を用いることができる。 また、 鉄、 アルミ等の導電性材料の表面にホーロウを被覆し、 又、 アルミ表面を酸化するアルマイ ト処理を施して絶緣 した材料でもよい。 一般には、 ガラス布等にエポキシ樹 脂を舍浸させ、 半硬化状態 （ B ステージ） にあるプリ プ レグに導体回路 6が没入する状態 （第 6図に示す祅態） に加熱 ' 加圧され、 これと接着される。
この転写工程において、 導体回路 6 は厚手の導電基材 2 と一体に絶緣基材 1 0 に積層され、 加熱圧着されるの で、 導体回路 6 は導電基材 2 に保持されたまま転写され ることになり、 寸法安定性が確保される。 又、 導電基材 2が転写時の転写治具を兼ねるので特別の治具が不要で あり、 更に、 導体回路 6 と導電基材 2 との間に薄膜金属 層 5が介在し、 薄膜金属層 5 と導体回路 6 とが強い密着 力で結合しているので導体回路 6が転写時にずれて移動 する （所謂、 スィ ングを起こす） ことがなく 、 寸法安定 性が良いので微細な導体回路パター ンを有する高密度回 路にも適用可能である （例えば、 パターン幅数 ^ m〜数 十 ^ mが実現出来る） 。 更に、 万一導体回路 6 にピンホ ールがあっても導体回路 6 と導電基材 2 との間に薄膜金 属層 5が密着状態で介在しているので接着剤等がピンホ ールを通って導体回路 6表面に露出するこ とがない。 次に、 铯緣基材 10の加熱固化を待って導電基材 2を、 絶緣基材 1 0 に転写された導体回路 6及び薄膜金属層 5 から剝離する （第 1図のステップ S 8、 第 7図） 。 この とき、 導電基材 2 と薄膜金属層 5 との間の密着力より、 薄膜金属層 5 と導体回路 6 の密着力の'方が大であり、 更 に、 導電基材 2 と薄膜金属層 5 との間の密着力より、 導 体面路 6 と絶縁基材 1 0 の密着力の方が犬であるから、 導電基材 2 は薄膜金属層 5 との界面 8で分離して絶縁基 材 1 0側には薄膜金属層 5、 及び導体回路 6がー体に密 着している。
導電基材 2 と絶緣基材 10間に薄膜金属層 5が介在され るから、 絶緣基材 1 0の接着剤は導電基材 2 に直接付着す ることがな く 、 又、 分離が導電基材 2 と薄膜金属層 5間 で生じるから、 70〜 120 gノ c mのピーリ ング強度で導電基 材 2を容易に剝離することが出来、 導体回路 Sに不均一 な力が掛からず、 転写時の寸法安定性がこの時にも確保 される。
次いで、 薄膜金属層 5を酸等により エ ッ チ ング除去す る （第 1 図のステッ S 9、 第 8図） 。 致によるエ ッチ ング除去のし易さからは薄膜金属層 5 は網からなること が望ましい。 そして、 導体回路 6が露出する側の導絶緣 基材 1 0 に、 導体回路 S の汚損、 シ ョ ー ト等を防止する ために厚み 6 〜 2 5 ^ (11 のオーバレイ被覆を施す。 この オーバレイ被覆としてはフ ィ ルムを用いる場合、 イ ンク を用いる場合等がある力く、 フ レキシブルプリ ン ト基板に は一般にォー ノ レイ フ ィ ル.ムが、 リ ジッ ド基板にはィ ン ク を用いるのが主体であり 、 感光性レジス ト フ イ ルム等 を用いてもよい。 オーバレイ フ ィ ルムにより被覆する場 合、 オーバレイ フ ィ ルム 2 4を積層して加熟ロールによ り密着させる （第 1図のステップ S 1 0、 第 9図） 。 上 述したように導体回路 6 は絶縁基林 1 0 に没入して、 ォ 一バレイ フ ィ ルム 2 4で被覆する面は略面一になる、 所 謂フラ ッ シュ回路となっており、 このフラ ッ シュ回路に オーバレイ層として特にフ ィ ルムを積層し、 加熱口一ル で圧着しても導体回路 6がずれて移動する心配がなく 、 又、 第 1 8図に示す従来の導体回路板のようにオー バレ ィ フ ィ ルム 2 4 と導体回路 6間に空気層 （気泡） が介在 'しないので導体回路 6が酸化される心配もない。
オーバレイ フ ィ ルム 2 4 の積層を終えた導体回路扳は 内外形打ち抜き工程 （第 1図のステ ッ プ S 1 1 ) を経て 所定の形状、 寸法に切断され導体回路板が完成する。
尚、 導電基材 2表面に形成された薄膜金属層 5 、 導体 回路 6 、 及びレ ジス ト マスク 7が総 -:剝離されるために 導電基材 2 の表面を必要に応じて研1きをすれば、 こ の導 電基材 2 は繰り返し使用するこ とが可能である。
第 1 0図乃至第 1 3図は、 レジス ト マス ク 了を溶解除 去せずに永久レジス 卜として使用さ ήる導体回路板に本 発明方法を適用した場合の製造工程の一部の断面図を示 すものである。 第 10図に示す工程より前工程の断面図 第 2図乃至第 4図に示すものと同じであり、 製造工程の フ ロ ーチャ ー ト も第 1 図に示す工程の内、 ステ ッ プ S 6 の工程を除く ものと同じであるので、 第 10図乃至第 13図 に示すもの以外は第 1 図及び第 2図乃至第 4図を参照し て説明する。 尚、 第 1 0図-乃至第 1 3図において、 第 2 図乃至第 9図に示す構成要素と同じものには同じ符号を 付して、 それらの詳細な説明を省略する。 93 レ ジス ト マス ク 7 を永久レジス ト と して、 導体回路 6 の形成後にこれを溶解除去しない場合、 レジス ト剤と し てはェポキ シ系、 ボ リ ア ミ ド系等の非導電性合成樹脂が 使用され、 第 I 図のステ ッ プ S 5 に示す銅電铸によ り形 成された導体回路 6 の粗面化処理が終了する と、 第 I 図 のステ ッ プ S 6 の レジス ト マス ク 7 の除去工程を実施せ ずに第 I 図のステ ッ プ S 7 の転写工程を実施する （第 10 図） 。 この転写工程では、 薄膜金属層 5 を介して導電基 材 2 に形成させた導体回路 6及びレジス ト マス ク 7 を、 こ れらの薄膜金属層 5 、 レ ジス ト マス ク 7 、 及び導電基 材 2 と共に絶緣基材 1 0上に積層 し、 ホ ン トプレスにより 加熱圧着させる （第 1 図のステ ッ プ S 7 、 第 10図） 。 こ の場合、 隣接する導体回路 6間にはレジス トマスク 7 が 介在しており 、 この レジス ト マス ク 7 と導体回路 6 の表 面は面一に平らになっているから絶緣基材 1 0 と して、 半硬化状態のプレブレグでな く 、 セ ラ ミ ッ クス等の铯緣 基材を ί吏用 しても導体回路 6 と絶緣基材 1 0 の表面は空 気層が介在する こ とな く 密着させる こ とが出来る。 こ の 場合、 導体回路 6及びレジス ト マス ク 7 と絶緣基材 1 0 間には適宜な接着層が介在される。
次いで、 導電基材 2 を剥離除去する （第 1 図のステ ツ プ S 8 、 第 1 1図） 。 この とき、 導電基材 2 と薄膜金属層 δ との間の密着力より 、 薄膜金属層 5 と レジス トマス ク Ί 、 及び薄膜金属層 5 と導体回路 6 の密着力の方が大で - 1
5 あり、 更に、 導電基材 2 と薄膜金属層 5 との間の密着力 より、 レジス ト マス ク 7 と铯緣基材 1 0 、 及び導体回路 6 と絶緣基材 1 0 の密着力の方が大であるから、 導電基 材 2 は薄膜金属層 5 との界面 8 で分離して絶緣基材 1 0 側には薄膜金属層 5 、 レジス ト マス ク 了 、 及び導体回路 6がー体に密着している。
次に、 薄膜金属層 5が酸等により エ ッチング除去され (第 i 図のステ ッ プ S 9 、 第 1 2図） 、 導体回路 6及び レジス ト マス ク 7 の表面にォ ー ノ、' レ イ フ イ ルム 24を.加熟
10 —ルにより密着被覆する （第 1図のステ ッ プ S 1 0 、
第丄 3図） 。 導体回路 6 はレ ジス 卜 'ス ク 了を挟んで配 設され、 これらの表面が面一になつ いるので、 ォーノ · レイ フ イ ルム 2 4 と導体回路 6間に空気層 （気泡） が介 在することがない。 又、 熱ロールで加熱加圧する場合で も、 導体回路 6がずれて移動するこ とがない。
第 1 4図乃至第 1 7図は第 1 図のステ ッ プ S 2及び S 4 こ 示す工程において、 ホリ ゾンタル型の高速メ を実施 するメ 'ノ キ装置の一例を示し、 メ ；.' キ装置 1 i の フ レ ー ム 1 2 の上部中央に水平に板状不溶性陽極 1 4が設置さ
20 れ、 陰極 1 はこ の陽極 1 4に平行に対向させて固定され る。 不溶性陽極 1 4 は第 14図〜第 16図に示すように大電 流を通電するために 2枚の銅板 1 4 a 、 1 4 bが重合さ れ、 これらの表面全体に鉛 1 4 cが、 肉厚 2 〜 1 0 m m、 好まし く は 3 〜 7 mmの範囲内で一様にアセチ レ ン ト ーチ 等で被覆して構成される。 鉛被覆 14 c は、 通常、 鉛 9 3 %、 スズ 7 %の鉛合金を使用する。 極間距離が l OO m 不均一になると、 電寿される網膜は、 35 ^ 111網で数 in のばらつきが生じ、 高電流密度 （0 . 8 〜1 . 2A / crf ) で長 時間 （ 1000時間以上） 使用する場合には、 電極の部分的 な電解消耗により膜厚のばらつきは更に大き く なる。 こ のため、 電極の再加工修正により電極間距離を維持する 必要がある。 鉛被覆の電極に代えて、 チタ ン板にプラチ ナ、 パラジュゥム等の微粉末を熱解重合性樹脂でペース ト状にし、 これを粗面化されたチタ ン扳表面に均一に塗 布し 700 〜800 てで焼き付けて不溶性陽極 1 4 としても よい。 このチタ ン板陽極を使用する と、 電解消耗が極め て少な く なく なり、 長時間に亘り ( 1 0 0 0時間以上） 電極の再加工修正の必要がない。
陰極 1 は、 第 1 図のステ ッ プ S 2 の薄膜金属層形成ェ 程では、 ステ ッ プ S 1 の工程で研磨された導電基材 2 の 研磨面が、 第 1 図のステップ S 4の導体回路電铸工程で は、 薄膜金属層 5及びレジス トマス ク 7 の形成された導 電基材 2 の面を前記陽極 1 4側に対向させて取付け固定 される。 陰極 1 と不溶性陽極 1 4間の離間距離は前述し た薄膜金属層 5 の形成工程及び導体回路 6 の電铸工程の 夫々に応じた最適距離に設定される。
陰極 1及び不溶性陽極 1 4間の空隙部 1 3 の入口側に は高速流でメ 'ン キ液 2 3を圧送するノ ズル 1 5 の一端が 6 接続され、 このノ ズル 1 5 は空隙部 1 3 の入口部で第 17 図に示すように不溶性陽極 1 4の略全幅に臨んで開口し ており、 ノ ズル 1 5 の他端は導管 1 6を介してポンプ 17 に接続されている。 ポンプ 1 7 は更に図示しない導管を 介してメ ツキ液貯槽 （図示せず） に接繞されている。 空 隙部 1 3 の出口側 （ノ ズル 1 5を設けた不溶性陽極 1 4 の対向辺側） には不溶性陽極 1 4 の略全幅にわたって排 液口 i 8が開口しており 、 この俳液口 1 8 は導管 1 9を 介して前記メ ツキ液貯槽に接続されている。 そして、 前 記ノ ズル 1 5及び俳液口 1 8 はメ ツ キ液 2 3 が空隙部 13 を一様の速度分布で流れることが出来.るように、 これら のノ ズル 1 5及び排液口 1 8 の流れ方向の断面形状変化 は滑らかに変化している。 ポンプ 1 7 から吐出されたメ ツキ液 2 3 は、 導管 1 6 、 ノ ズル 1 5、 陰極 1 と不溶性 陽極 1 4 との空隙部 1 3 、 排液口 ί 8 、 導管 1 9を順次 通過してメ ッキ液貯槽に戻され、 ここから再びポンプ 1了 により上述の経路で連続して循環される。
メ ッキ液 2 3をノ ズル 15から電極間空隙部.13へ前述し た好適のメ ツキ液速度で供給すると、 陰極 1表面近傍で メ ツキ液流れは乱流状態になっており、 電極表面近傍の 金属ィォン濃度が極度に低下しないように、 即ち分極層 の生長を抑えて、 高速度でメ ツキ膜を成長させることが 可能となる。
本発明におけるメ ッキエ程では、 陰極 1 と不溶性陽極 14との間に、 銅、 黒鉛、 鉛等の耐薬品性、 高導電性を有 する給電板 2 0 s 陽極電源ケーブル 2 1 、 陰極電源ケー ブル 2 2を介して、 前述した所要の高電流が給電される ようになつており、 不溶性陽極 14に対向する陰極 1表面 及びその非導電性レジス ト マスク 7 でマスキ ングしない 部分に、 毎分 2 5 〜 1 0 0 m程度の堆積速度で銅膜を 電解圻出するこ とができる。
第 1 8図は、 本発明方法を実施するバーチカル型のメ ツキ装置を示し、 第 1 4図乃至第 1 7図に示すメ ツキ装 置 1 1 が陰極 1及び陽極 1 4を水平 （ホリ ゾンタル） に 配置したのに対し、 第 1 8図に示すメ ツキ装置 2 5 は、 陰極 1及び不溶性陽極 1 4が鉛直方向 （バーチカル） に 配置されている点で異なる。 尚、 第 i 8図において、 第 1 4図乃至第 1 7図に示すメ ツキ装置 1 1 の対応するも のと実質的に同じ機能を有する ものには同じ符号を付し て、 それらの詳細な説明を省略する （以下同様） 。
メ ツキ装置 2 5 は、 基台 2 6上に固定された架台 2 7 と、 四辺形の 4隅に配設された （第 1 8図には 2本の支 柱のみを示す） 3 0 , 3 1 と、 該支柱 3 0 , 3 1 から延 出させ、 上下方向に伸縮自在のロ ッ ド 3 0 a , 3 1 a に 横架支持され、 ロ ッ ド 3 0 a , 3 l a の伸縮により昇降 する上板 28と、 架台 2 7 の上面と上板 2 8 の下面間に垂 直且つ平行に対向して挟持固定される高導電性を有する 袷電板 2 0及び不溶性陽極 1 4 とからなり、 給電板 2 0 3 と陽極 1 4 とは所定の電極間距離だけ離間して配置され ている。 不溶性陽極 1 4 は第 14図〜第 16図に示す陽極と 同様に、 プラチナ等の微粉末でコーティ ングしたチタ ン 板により大電流を通電可能に構成される。
陰極 1 は、 第 1図のステ 'ン プ S 2 の薄膜金属層形成ェ 程では、 ステップ S 1 の工程で研磨された導電基材 2 の 研磨面が、 第 1 図のステ ッ プ S の導体回路電涛工程で は、 薄膜金属層 5及びレジス ト マスク 7 の彤成された導 電基材 2 の面を前記給電扳 2 0 に、 図示しない真空チ ヤ ック等により取り付け固定される。 尚、 陰極 1 の取り付 け時には前記上板 2 8を上方に上舁させて、 陰極 1 を袷 電扳 2 0 の陽極 1 4側面に ¾つて嵌挿し、 前記真空チ ヤ ック等により固定した後、 再び上板 28を下降させて陽極 1 4及び給電板 2 0 の上壁に密着させ、 陰極 1 の装着を 完了する。 尚、 第 1 8図中符号 2 9 はシー ル用の 0 リ ン グである。 又、 陰極 1 と不溶性陽極 1 4間の離間距離は 前述した薄膜金属層 5 の形成工程及び導体回路 6 の電铸 工程の夫々に応じた最適距離に設定される。，
陰極 1及び不溶性陽極 1 4間の空隙部 3 8 の入口側に は高速流でメ ツキ液 2 3が流入するラ ンプ部 3 8 aが形 成され、 このラ ンプ部 3 8 a は空隙部 3 8 の入口部で、 第 1 7図に示したと同様に不溶性碭極 1 4の略全幅に臨 んで開口しており、 ラ ンプ部 38 a の空隙部 3 8 と反対側 は整流装置 35、 及び導管 3 4を介してポンプ 1 7に接続 されている。 ボンプ 1 7 は更にメ ッキ液貯槽 3 3 に接続 されている。 空隙部 3 8 の出口側 （空隙部 3 8 の上部の メ ツキ液 2 3 の排出側） には不溶性陽極 1 4の略全幅に わたつて排液口 38 bが開口しており、 この排液口 1 8 は 導管 4 0 を介して前記メ ツキ液貯槽 3 3 に接続されてい る。
整流装置 35は、 その内部空間がメ ツキ液 23の流れ方向 に装着された 2枚の、 多数の小孔を有する整流板 3 5 a , 3 5 により小室に区画されており、 この整流板 3 5 a , 3 5 によ り 、 ラ ンプ部 3 8 a に流入する メ ツ キ液 2 3 の流れを整流して空隙部 3 8を下方から上方に向かって 流れるメ ツキ液 2 3 の速度分布を一様にしている。 ボ ン ブ 1 7から吐出されたメ ッキ液 2 3 は、 導管 34、 整流装 置 3 5 、 ラ ンプ部 3 8 a 、 陰極 1 と不溶性陽極 1 4 との 空隙部 3 8 、 排液口 3 8 b、 導眚 40を順次通過してメ ッ キ液貯槽 3 3 に戻され、 ここから再びポンプ 1 7 により 上逑の経路で連続して循環される。
第 1 8図に示すメ ツキ装置 2 5 は、 メ ッキ液 23を整流 装置 3 5を介し、 更に、 方から上方に向かって電極間 空隙部 1 3 に供給するので、 メ ツキ液 2 3 は空隙部 1 3 において第 1 4図に示すメ ツキ装置 1 1 より、 より均一 な乱流速度分布を有しており、 膜厚の一定な導体回路を 電铸するには好都合である。
第 1 8図に示すメ "ノキ装置においても、 陰極 1 と不溶 性陽極 1 4 との間に、 銅、 黒鉛、 鉛等の耐薬品性、 高導 電性を有する給電扳 2 0、 陽極電源ケーブル 2 1 、 陰極 電源ケーブル 2 2を介して、 前述した所要の高電流が袷 電されるようになつており、 不溶性陽極 1 4に対向する 陰極 1表面の非導電性レジス ト マスク 7でマスキ ング し ない部分に、 毎分 2 5 〜 1 0 0 m程度の堆積速度で銅 膜を電解折出することができる。
第 1 9図乃至第 2 1図は、 本発明方法を実施する回転 式高速メ ッキ装置 4 1 を示し、 メ ッキ装置 4 1 は、 フ レ ーム 4 2、 該フ レーム 4 2内に配設され不溶性陽極 1 4 を載置支持する架台 4 3 、 陽極 1 4 の上方に配置される ハウジング 4 5、 該ハゥジング 4 5 内に回転可能に収納 され陰極を 1 を摑持する回転体 4 6、 該回転体 4 6 を駆 動する駆動機構 4 7 、 フ レーム 4 2 の上部に配設されて ハウジング 4 5を舁降させる躯勖機構 4 8 、 メ ツキ液を 貯溜するメ ッキ液槽 3 3及びメ ッキ液槽 3 3 のメ ン キ液 を陽極 1 4 と回転体 4 6 の各対向する端面間に画成され る液密空隙部 1 3 内に供袷するポ ンプ 1 7 とにより構成 される。
フ レーム 4 2 は基盤 4 2 a上に立設された 4本の支柱 42 b , 42 b ( 2本のみ図示） と、 これらの各支柱 42 b , 42 bの上端面に載置固定される上扳 4 2 c とにより構成 される。 架台 4 3 は基盤 4 2 a上に載置され、 フ レーム 4 2 の 4本の支柱 4 2 bの略中央に位置している。 不溶性陽極 1 4 は正方形状の盤体で架合 4 3上に載置 固定される。 この陽極 1 4の略中央には孔 U aが穿設さ れている。 この陽極 1 4 は例えば、 チタ ン母材にブラチ ナ、 ィ リ ジゥム等の酸化物を 2 0 〜 5 0 < "の厚みに張つ た部材で形成され、 メ ツキ液の組成に変化を与えること な く 、 また不純物の混入を防止する不溶性陽極とされて いる。 陽極 1 4には枠体 4 3 aがシ ール部材 4 3 bを介 して液密に外嵌されている。 この枠体 4 3 aの高さは陽 極 4の厚みの 2倍程度あり、 対向する両側壁の略中央に は夫々孔 4 3 c , 4 3 dが穿設されている。
ハウ ジ ング 4 5 は上面視正方形状をなし （第 20図） 、 下部枠 5 0 、 中間枠 5 1 、 上部枠 5 2、 上蓋 53と、 下部 枠 5 0 と中間枠 5 1 との間に介在されるィ ンナギヤ 54、 中間枠 5 1 と上部枠 5 2 との間に介在される集電用ス リ ップリ ング 5 5 とにより構成され、 これらは強固に共締 固定されて一体に形成される。 ハウ ジ ング 4 5 の下部枠 5 0 の中央には回転体収納用の大径の孔 5 0 aが穿設さ れ、 上蓋 5 3 の上面両側には夫々側方に突出する支持部 材 5 7 , 5 7が固設されている。
回転体 4 6 はハウジング 4 5内に収納され、 基部 46 a は当該ハウジング 4 5 の下部枠 5 0 の孔 5 0 a内に僅か な空隙で回転可能に収納され、 軸 4 6 bの上端は軸受 59 を介して上蓋 5 3 に回転可能に軸支され且つ当該上蓋 53 の軸孔 5 3 aを貫通して上方に突出している。 この状態 において回転体 4 6 の基部 4 6 a の下端面 4 6 c は陽極 14の上面 1 4 b と所定の距離だけ離間して平行に対向す る。
回転体 4 6 の基部 46 a には第 1 9図及び第 2 1図に示 すように軸方向に平行に且つ周方向に等間隔に孔 4 6 d が複数例えば 4偭穿設され、 これらの各孔 4 6 d内には 第 2 の回転体 6 0 が回転可能に収納されている。 この回 転体 6 0 は図示しない蝕受を介して孔 4 ε dに僅かなギ ヤ ップで回転可能に軸支されている。 そして、 回転体 60 の下端面に穿設された孔に、 チャ ッ ク機構 1 1 0 により 陰極 1 が摑持 · 固定され、 図示しない導電部材及びブラ シ 1 0 3を介してスリ ップリ ング 5 5 に電気的に接繞さ れている。 回転体 6 0 の上端面にはギヤ 6 5が固着され ており、 このギヤ 6 5 はハウジング 4 5 に設けられたィ ンナギヤ 5 4 と嚙合している。
躯動機構 4 7 (第 1 9図） の駆動用モータ 7 0 はハウ ジング 4 5 の上蓋 5 3上に載置固定され、 該モータ 7 0 の回転軸に装着されたギヤ 7 2 は回転体 4 6 の軸 4 6 b の上端面に螺着固定されたギヤ 7 3 と嚙合する。
第 1 9図に示すフ レーム 4 2 の上扳 42 c には駆動機構 48の駆動用モータ 8 0が載置固定され、 該モータ 8 0 は スク リ ュウシャフ ト 8 5を駆動すると共にプー リ 8 3 、 ベル ト 8 7及びプーリ 8 3を介して被駆動軸であるスク リ ュウシャフ ト 86を駆動する。 スク リ ュウ シャフ ト 85 , 86の各自由端はハウ ジング 5 の対応する各支持部材 57 ,
57の各ネジ孔 5 7 a , 5 7 a に螺合している。
1 極 1 4 (第 1 9図） の一側面には電源ケーブル 2 1 が 固着され、 ス リ ップリ ング 5 5 の上面所定位置には電源 ケーブル 2 2 が固着されている。
メ ツキ液通路 （導管） 1 4 0 の一端は陽極 1 4 の下方 から当該陽極の孔 14 a に液密に接続され、 他端はポンプ 1 7を介してノ ツキ液貯槽 3 3 に連通される。 通路 14 1 ,
1 42 の各一方の開口端は夫々陽極 1 4の枠体 4 3 a の各 孔 43 c. , 43 dに液密に接続され、 各他端は夫々メ ツキ液 貯槽 3 3 に接続されている。
回転式高速メ ツキ装置 41の作用を説明すると、 先ず、 躯動璣構 4 8 のモータ 8 0を駆動してス ク リ ュウ シ ャ フ ト 8 5 > 8 6を回転させ、 ハウジング 45を、 第 1 9図の 2点鎖線で示す上限位置まで上昇した位置に移動停止さ せておく 。 このとき、 ハウジング 4 5 の下端は枠体 43 a から抜け出て上方に位置する。
次いで、 回転体 4 6 の各第 2 の回転体 6 0 にメ ツキを 施す * き導電基材 2 からなる陰極 1 を夫々装着する。 そ して、 駆動機構 4 8 のモータ 8 0を駆動して各スク リ ュ ゥ シ ャ フ ト 8 5 , 8 6を前述とは反対に回転させ、 ハウジ ング 4 5を、 第 1 9図に実線で示す位置まで移動停止さ せる。 この状態において、 ハウジング 4 5 の下端が枠体 4 3 a内に液密に嵌合し、 且つ、 陽極 1 4の上面 1 4 b と各陰極 1 とは所定の間隔で平行に対向する。 そして、 陽極 1 4の上面 1 4 b と回転体 4 6 の下端面 4 6 c との 間に画成される液密の空隙部 1 3 にメ ッキ液貯槽 3 3か らポンプ 1 7、 導管 1 4 0を介して前記空隙部 1 3内に メ ツキ液を供給し、 当該空隙部 1 3即ち、 陽極 1 4 と陰 極 1 との間にメ ツキ液を充満させる の空隙部 1 3 内 に供給されたメ ツキ液は両側から各通路 141, 142 を介 してメ ッキ液貯槽 3 3 に還流される。
-メ ツキ液の供給開始後、 駆動機構 4 7 のモータ 7 0を 駆動して回転体 4 6を例えば第 2 1図に矢印 で示す 反時計方向に回転させる。 この回転体 4 6 の回転に伴い ィ ンナギヤ 5 4 と嚙合するギヤ 6 5を介して第 2 の各回 転体 60が夫々第 2 1図に矢印 Cで示す時計方向に回転す る。 これらの各回転体 6 0 は例えば 10m/sec ~30m/sec の回転速度で回転 （自転） する。 かかる速度で回転体 60 即ち、 陰極 1がメ ツキ液中で回転すると、 当該陰極 1 に 接するメ ッキ液の金属濃度の分極層が極めて小さ く なり . この結果、 レイ ノ ズル数 R eが 2900を超えた（Re>2900) 状態となり、 陰極 1 に接するメ ツキ液はどの ^分をとつ ても レイ ノ ズル数 Reが 2300以上（Re > 2300) となる。
このように陰極 1 に接するメ ッキ液の金属濃度分極層 を極めて小さ く させた状態において前記直流電源を投入 して電源ケ一ブル 2 1 、 陽極 1 4、 メ ツキ液、 陰極 1、 力 一ボンブラシ 103、 ス リ ッ プリ ング 5 5、 電源ケ一ブ 3 ύ ル 2 2 の経路で所要の直流電流を流し、 陰極 1 の陽極 14 の上面 1 4 b と対向する端面にメ ツキを施す。
所定時間の経過後、 前記電流の供給を停止し、 ポンプ 1 7を停止させると共に躯動モータ 7 0を停止させて陰 極 1 へのメ ツキを終了させる。 この陰極 1 を回転体 6 0 から取り外す場合には前述した装着の場合と逆の操作を 行う。
回転式高速メ ツキ装置はメ ツキ液中で陰極を高速回転 させて当該メ ツキ液の金属濃度分極層を極めて小さ く す 'るようにしているために前記液密空隙部 1 3 に供給する メ ツキ液の流速は遅く てもよ く 、 これに伴いポンプの小 型化、 電力の節約、 及びラ ンニングコ ス トの低滅等が図 られる。 更に従来の如く メ ツキ液の金属濃度の分極層を 極めて小さ く するためのメ ツキ液の助走距離が不要であ り、 装置の小型化を図ることが岀来る等の優れた効果が ある。
このよう に本発明方法は上述した第 1 4図乃至第 2 1 図に示す高速メ ツキ装置により高速メ ツキを施すので、 従来のメ ツキ技術の 1 0 〜 2 0 0.倍という高能率で銅膜 を電解折出するこ とができ、 生産効率が極めて高く 、 又 メ ツキ液速度、 電流密度等を所定の条件に設定すること により、 電解圻出した銅膜の表面粗度や、 堆積する結晶 粒子径を所望の値に調整するこ とができる。
(以下余白） 第 1 表
Figure imgf000038_0001
〇は 子、 Xは不良 * 1)醉は導電基材と潮費金 m¾問のピーリング値を示す
*2) ^は雜回路と^ I»材間のビーリング値を示す *3) ビンホール多い
尚、 本発明方法を実施する高速メ ツキ装置としては上 述の装置に限定されることはな く 、 陰極表面近傍でレイ ノ ズル数 R eが約 2 3 0 0以上の乱流状態が実現出来る メ ツキ装置であればよい。
次に、 本発明の実施例を説明する。
第 1表は、 本発明方法及び比較方法により作製された 導体回路板の評価試験結果を示し、 導電基材 2 の表面粗 度、 薄膜金属層 5 の電解条件、 導体回路 6 の電解条件、 導体] U路 6 の粗面化処理条件を種々 に変え、 転写性、 導 体回路 6 と絶緣基材 1 0間のビーリ ング強度、 導体回路 6 の伸び率等の評価試験を行ったものであり、 第 1表に示 す試験条件以外の条件は、 総ての供試回路板で同じであ り、 それらは以下の通りである。 尚、 レジス ト マス クは 導体回路の粗面化処理後に溶解除去した。
導電基材 ：
材質 ： ハー ドニ ング処理を施したステ ン レススチ
一ル単板 （S U S 630 ) 、
表面処理 ： オ シ レー シ ョ ン付ロ ータ リ羽布研磨装置を 使用して第 1表に示す粗度に研磨、
薄膜金属層 ：
材質 ： 銅薄膜 （導電基材表面に 3 mの膜厚で堆 積）
電解条件 ： 電極間距離 1 1 m m、 硫酸 180 g Z i の硫酸 銅メ ッキ液使用 33 導体回路電铸 ：
電解条件 ： 電極間距離 1 1 m m、 硫酸 180g Z i の硫酸 銅メ ツキ液使用、 堆積膜厚 35 m ( 但し、 比較例 3 は 9 m ) 、
粗面化処理 ： ノ ジュ ラ メ ツキ、
電解条件 ： 硫酸銅 100 gノ ί、 硫酸 50 / ί、 δ肖酸力 リ ゥム 30 gノ より なる混合溶液使用、 堆積 膜厚 3 ' m。
絶緣基材 ：
材質 ： ガラ スエポキ シ G — 1 0
第 1表において、 本発明方法を適 ¾した実施例 1〜 3 はいずれも、 導電基材 （単板） 2 の表面粗度、 薄膜金属 層 5 の電解条件、 導体回路 6 の電解条件、 及び導体回路 6 の粗面化処理条件がいずれも本発明の規定する条件範 囲内にあり、 転写性、 導体回路 6 と铯縁基材 1 0間のピ 一リ ング強度、 導体回路 6 の伸び率がいずれも良好であ り、 総合評価も良 （〇） である。
一方、 導電基材 （单板） 2 の表面粗度が本発明方法の 規定する下限値を外れる 較例 1 では、 薄膜金属層がそ の形成工程中において導電基材 （単板） 2 より剝離 （早 い剥がれ） が生じ、 上限値を外れる比較例 2では、 転写 工程時に導電基材 （単板） 2 と薄膜金属層 5 との密着強 度が大き く （ピー リ ング値 310 g/c m)、 部分的に薄膜金属 層 5が導電基材 2側に残留し、 回路ずれが生じる。 又、 導電基材 2 の表面粗度が大きいと薄膜金属層 2に多数の ビ ンホールが発生し、 絶緣基材 1 0 の積層時に薄膜金属 層のレジス ト マス ク除去部に出来たピ ンホール内に入り 込んだ铯緣基材の接着剤が導電基材 2 の表面に付着する ため、 絶縁基材 1 0 と導電基材 2 とが強く密着してしま い、 転写性が阻害される。 尚、 1 00 以下の径のピ ン ホールが 1 d rrf 当たりに 1個以上存在するとき、 多数の ピ ンホ ールが発生していると判定した。
導電基材 2表面に薄膜金属層 5を形成させずに導電基 材 2 に直接レジス ト マスク 7及び導体回路 6 を形成させ ると、 導体回路 （膜厚 9 m ) 6 に ピ ンホールが発生す ると共に、 レジス ト マス ク 7 と導体回路 6 とを一体に転 写する場合は、 レジス トマスク 7 と導電基材 2 との密着 強度が大きいため、 転写時にレジス トマスク 7 が導電基 材 2表面に残留してしまい、 又、 レ ジス ト マスク 7 を除 去後に導体回路 6 を転写する場合は、 铯緣基材 1 0 と導 電基材 2 とが接着剤により密着してしまい、 導電基材 2 の剝離が困難になり、 何れにしても転写性が著し く 阻害 される （比較例 3 ) 。
導体回路 6 の電解時に電解液の接液スピー ドが本発明 方法の規定する上限値を超えると電解中にレジス ト マス ク 7が剝離し （比較例 4 ) 、 電流密度が本発明方法の規 定する上限値を超えると、 ノ ジユラ状メ ツキ、 所謂 「メ ツキ焼け」 が発生し、 形成された導体回路 6 の伸び率も 8 %と低く 、 フ レキ シブル基板用回路に使用することが 出来ない （比較例 5 ) 。
導体回路 6表面の粗面化処理における電解メ ツキ時の 電流密度が本癸明方法の規定する下限値を下回ると光沢 のあるメ ッキ表面となり、 粗面化メ ッキが形成されない (比較例 6 ) 。 粗面化が不充分な導体回路 6を铯緣基材 10に転写すると、 導体回路 6 と絶緣基材 10間のピー リ ン グ値は 0. 7kg/cniとなり、 密着強度が不足する。 、
導電基材 2 の表面粗度、 薄膜金属層 5 の電解条件、 導 体回路 6 の電解条件、 及び導体回路 6 の粗面化処理条件 のいずれかが本発明の規定する条件 S囲をはずれる比較 例 1〜 6 は上述の通り の不都合を有し、 ^合評価はいず れも不可 （ X ) である。
産業上の利用可能性
本発明の導体回路板の製造方法は、 導体回路と導電基 材間に薄膜金属層を介在させるので、 メ ツキ形成される 導体回路にピ ンホ ール等の欠陥が生じ難く 、 しかも、 転 写時の転写が容易で寸法安定性に優れ、 微細な回路バタ 一ン も安定して製造出来、 線間距離及び線幅が小さい高 密度の回路を形成した片面板のみならず、 スルーホール を有する両面板、 多層板等にも適用できる'。 しかも、 高 速メ ツキ法により形成させた銅回路ば伸び率が高く 、 極 めて柔らかいために、 リ ジッ トプリ ン ト配線板のみなら ずフ レキ シブルプリ ン ト配線板にも好適に適用出来る。

Claims

請求 の 範囲
1. 表面粗度 0.08〜 0.23 ^ mの平板状導電基材を陰極とし て、 該陰極と平板状陽極を電極間距離 3 〜30m mだけ離 間させ、 これらの電極に対する電解液の接液ス ピー ドが 2.6 〜20.0m/Secとなるように電解液を強制的に供給し、 電流密度 0.15〜4.0 A Zoilの条件で電解メ ツキを施して 前記導電基材に 1 〜 5 mの薄膜金属層を形成する工程 と、 形成した薄膜金属層の、 導体回路を形成する部分を 除く表面にレジス ト マス クを形成する工程と、 レジス ト マス クを形成した薄膜金属層表面に、 銅イ オ ンを含有す る電解液を用いて前記電解メ ンキ条 ί牛と同じ条件で電解 メ ツキを施して導体回路を形成する工程と、 形成した導 体回路表面に粗面化処理を施す工程と、 斯く 形成させた 導体回路を挟んで前記導電基材に铯緣基材を積層して一 体に加熱圧着する工程と、 前記導電基材のみを剥難する 工程と、 前記薄膜金属層をヱ ツチング除去する工程とか らな る こ とを特徴とする導体回路板の製造方法。
2. 前記導体回路表面に、 銅イ オ ン と硝酸イ オ ン とを含有 する酸性電解液を用い、 電流密度 0. 2 5 〜0.85Α /αί、 前記電極に対する前記酸性電解液の接液スピー ド 0. 1 〜 0. 8 m/sec. 電極間距離 2 6 〜 5 0 の条件で、 堆積膜 厚が 2 〜 5 mになるまで粗面化処理を施すこ とを特徴 とする請求の範囲第 1 項記載の導体回路板の製造方法。
3. 前記粗面化処理を施した後、 更に前記導体回路表面に ク ロメ ー ト処理を施すことを特徵とする請求の範囲第 2 項記載の導体回路板の製造方法。
4. 前記陰極及び陽極を共に固定して、 これらの電極間に 前記電解液を強制的に供袷することを特徴とする請求の
5 範囲第 1 項記載の導体回路板の製造方法。
5 . 前記陰極を、 前記電解液の接液スピー ドが得られるよ うに回転させることを特徴とする請求の範囲第 1 項記載 の導体回路板の製造方法。
6. 前記薄膜金属層のヱ ツチング除去後、 前記導体回路を 10 オーバレイ で積層被覆するこ とを特徴とする請求の範囲 第 1項記載の導体回路板の製造方法-
7. 前記铯緣基材の加熱圧着前に前記レジス トマスクを除 去し、 前記導体回路、 薄膜金属層、 及び導電基材を一体 に前記絶緣基材に加熱圧着することを特徵とする請求の
1 5 範囲第 1 項乃至第 6項のいずれか記載の導体回路板の製 造方法。
8 . 前記導体回路、 レジス ト マスク、 薄膜金属層、 及び導 電基材を一体に前記絶緣基材に加熱圧着することを特徴 とする 1求の範囲第 1 項乃至第 6項のいずれか記載の導
• 20 体回路板の製造方法。
PCT/JP1987/000111 1986-02-21 1987-02-21 Method of producing conductor circuit boards WO1987005182A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019870700863A KR910007473B1 (ko) 1986-02-21 1987-02-21 도체회로판의 제조방법
DE87901645T DE3787779T2 (de) 1986-02-21 1987-02-21 Herstellung von platten mit elektroschaltungen.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3671286 1986-02-21
JP61/036712 1986-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1987005182A1 true WO1987005182A1 (en) 1987-08-27

Family

ID=12477371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1987/000111 WO1987005182A1 (en) 1986-02-21 1987-02-21 Method of producing conductor circuit boards

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4790902A (ja)
EP (1) EP0258451B1 (ja)
JP (2) JPS62276894A (ja)
KR (1) KR910007473B1 (ja)
DE (1) DE3787779T2 (ja)
WO (1) WO1987005182A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6908534B2 (en) 1998-04-30 2005-06-21 Ebara Corporation Substrate plating method and apparatus
CN107889378A (zh) * 2017-10-20 2018-04-06 泰州市博泰电子有限公司 一种用于毫米波混合电路的多层印刷线路板的制作方法
CN114672793A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 厦门华弘昌科技有限公司 一种天线振子及其制造方法

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5063658A (en) * 1987-07-08 1991-11-12 Leonard Kurz Gmbh & Co. Embossing foil and a method of making
JP2642663B2 (ja) * 1988-03-10 1997-08-20 ヤマハ発動機株式会社 めっき型熱電対
JP2655870B2 (ja) * 1988-03-31 1997-09-24 ヤマハ発動機株式会社 プリント配線基板及びその製造方法
EP0342669B1 (en) * 1988-05-20 1995-08-23 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards
US4946563A (en) * 1988-12-12 1990-08-07 General Electric Company Process for manufacturing a selective plated board for surface mount components
US4889584A (en) * 1989-03-31 1989-12-26 Meiko Electronics Co., Ltd. Method of producing conductor circuit boards
JPH02310941A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd バンプを有するプリント回路基板およびバンプの形成方法
DE69025500T2 (de) * 1989-06-23 1996-10-31 Toagosei Co Verfahren zur Herstellung eines kupferkaschierten Laminats
US5374469A (en) * 1991-09-19 1994-12-20 Nitto Denko Corporation Flexible printed substrate
KR100274764B1 (ko) * 1991-11-29 2001-01-15 이사오 우치가사키 배선판의 제조법
US6568073B1 (en) * 1991-11-29 2003-05-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for the fabrication of wiring board for electrical tests
US5504992A (en) * 1991-11-29 1996-04-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Fabrication process of wiring board
US6133534A (en) * 1991-11-29 2000-10-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Wiring board for electrical tests with bumps having polymeric coating
US5199163A (en) * 1992-06-01 1993-04-06 International Business Machines Corporation Metal transfer layers for parallel processing
US5358604A (en) * 1992-09-29 1994-10-25 Microelectronics And Computer Technology Corp. Method for producing conductive patterns
US6171468B1 (en) 1993-05-17 2001-01-09 Electrochemicals Inc. Direct metallization process
US5725807A (en) * 1993-05-17 1998-03-10 Electrochemicals Inc. Carbon containing composition for electroplating
US5690805A (en) * 1993-05-17 1997-11-25 Electrochemicals Inc. Direct metallization process
US6710259B2 (en) 1993-05-17 2004-03-23 Electrochemicals, Inc. Printed wiring boards and methods for making them
US5476580A (en) * 1993-05-17 1995-12-19 Electrochemicals Inc. Processes for preparing a non-conductive substrate for electroplating
US6303181B1 (en) 1993-05-17 2001-10-16 Electrochemicals Inc. Direct metallization process employing a cationic conditioner and a binder
JP3361903B2 (ja) * 1994-01-06 2003-01-07 凸版印刷株式会社 プリント配線板の製造方法
US5647966A (en) * 1994-10-04 1997-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing a conductive pattern and method for producing a greensheet lamination body including the same
EP0732735B1 (en) * 1995-03-16 2005-12-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic electronic device and method of manufacturing same
US5886877A (en) * 1995-10-13 1999-03-23 Meiko Electronics Co., Ltd. Circuit board, manufacturing method therefor, and bump-type contact head and semiconductor component packaging module using the circuit board
US6027958A (en) * 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
US5878487A (en) * 1996-09-19 1999-03-09 Ford Motor Company Method of supporting an electrical circuit on an electrically insulative base substrate
US6261941B1 (en) * 1998-02-12 2001-07-17 Georgia Tech Research Corp. Method for manufacturing a multilayer wiring substrate
SE522114C2 (sv) * 1998-08-18 2004-01-13 Ericsson Telefon Ab L M Metalliska byggelement för optoelektronik
US6391220B1 (en) * 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
US6871396B2 (en) * 2000-02-09 2005-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer material for wiring substrate
JP2001319567A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Ricoh Co Ltd 電子源基板および該電子源基板を用いた画像表示装置
US6344106B1 (en) 2000-06-12 2002-02-05 International Business Machines Corporation Apparatus, and corresponding method, for chemically etching substrates
KR100671541B1 (ko) * 2001-06-21 2007-01-18 (주)글로벌써키트 함침 인쇄회로기판 제조방법
US7874066B2 (en) * 2002-07-31 2011-01-25 Sony Corporation Method of manufacturing a device-incorporated substrate
US6872321B2 (en) * 2002-09-25 2005-03-29 Lsi Logic Corporation Direct positive image photo-resist transfer of substrate design
US20040072011A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Centro De Investigaciq Materiales Avanzados, S.C. Electroless brass plating method and product-by-process
US6960370B2 (en) 2003-03-27 2005-11-01 Scimed Life Systems, Inc. Methods of forming medical devices
US20040200061A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-14 Coleman James P. Conductive pattern and method of making
US7930815B2 (en) * 2003-04-11 2011-04-26 Avery Dennison Corporation Conductive pattern and method of making
TWI258060B (en) * 2003-07-23 2006-07-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method for making cavity of light guide plate
EP1692327A2 (en) * 2003-11-25 2006-08-23 Media Lario S.r.L. Fabrication of cooling and heat transfer systems by electroforming
FI20045501A (fi) * 2004-12-23 2006-06-24 Aspocomp Technology Oy Johdinkuvio, kytkentäalusta ja johdinkuvion ja kytkentäalustan valmistusmenetelmä
US20070102103A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Klaser Technology Inc. Manufacturing method for printing circuit
JP5680401B2 (ja) * 2010-12-22 2015-03-04 新光電気工業株式会社 配線基板及び半導体パッケージ
US8687369B2 (en) 2012-02-20 2014-04-01 Apple Inc. Apparatus for creating resistive pathways
JPWO2015107618A1 (ja) * 2014-01-14 2017-03-23 株式会社メイコー プリント配線板の製造方法
KR20180060687A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
CN112638041B (zh) * 2020-12-25 2022-03-08 深圳光韵达激光应用技术有限公司 一种散热基板制作工艺
CN113923884B (zh) * 2021-11-22 2024-03-22 江苏上达半导体有限公司 一种加热可分解基材的线路成型工艺

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147192A (ja) * 1984-01-11 1985-08-03 株式会社日立製作所 プリント配線板の製造方法
JPH05139539A (ja) * 1991-11-22 1993-06-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 成形品の積込み方法及び積込み装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139539A (ja) * 1974-09-20 1976-04-02 Yates Industries Donosuitanitaishuseiomotaserudenkaishiki hoho
JPS5236762A (en) * 1975-09-18 1977-03-22 Koito Mfg Co Ltd Method of producing printed circuit board
JPS5249468A (en) * 1975-10-20 1977-04-20 Fujitsu Ltd Method of producing bothhside printed circuit board
JPS5532239A (en) * 1978-08-25 1980-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reproducing device
JPS5939917B2 (ja) * 1980-12-29 1984-09-27 株式会社小糸製作所 プリント回路用導体及びその導体を用いたプリント回路板
US4606787A (en) * 1982-03-04 1986-08-19 Etd Technology, Inc. Method and apparatus for manufacturing multi layer printed circuit boards
GB8333753D0 (en) * 1983-12-19 1984-01-25 Thorpe J E Dielectric boards
JPS60263494A (ja) * 1984-06-12 1985-12-26 日立化成工業株式会社 記録電極板の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147192A (ja) * 1984-01-11 1985-08-03 株式会社日立製作所 プリント配線板の製造方法
JPH05139539A (ja) * 1991-11-22 1993-06-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 成形品の積込み方法及び積込み装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6908534B2 (en) 1998-04-30 2005-06-21 Ebara Corporation Substrate plating method and apparatus
CN107889378A (zh) * 2017-10-20 2018-04-06 泰州市博泰电子有限公司 一种用于毫米波混合电路的多层印刷线路板的制作方法
CN114672793A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 厦门华弘昌科技有限公司 一种天线振子及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR880701066A (ko) 1988-04-22
JPS62276894A (ja) 1987-12-01
EP0258451A4 (en) 1989-01-19
JPH06101616B2 (ja) 1994-12-12
DE3787779D1 (de) 1993-11-18
US4790902A (en) 1988-12-13
JPS62276893A (ja) 1987-12-01
JPH0466399B2 (ja) 1992-10-23
DE3787779T2 (de) 1994-05-05
EP0258451A1 (en) 1988-03-09
EP0258451B1 (en) 1993-10-13
KR910007473B1 (ko) 1991-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1987005182A1 (en) Method of producing conductor circuit boards
KR900005082B1 (ko) 구리로바른 적층판의 제조방법
US7223481B2 (en) Method of producing ultra-thin copper foil with carrier, ultra-thin copper foil with carrier produced by the same, printed circuit board, multilayer printed circuit board and chip on film circuit board
US6777108B1 (en) Electrolytic copper foil with carrier foil and method for manufacturing the same and copper-clad laminate using the electrolytic copper foil with carrier foil
WO1987003915A1 (en) A process and apparatus for electroplating copper foil
JP2007186797A (ja) キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板
JP2001068804A (ja) キャリア箔付電解銅箔及びその電解銅箔の製造方法並びにその電解銅箔を使用した銅張積層板
US20040108211A1 (en) Surface treatment for a wrought copper foil for use on a flexible printed circuit board (FPCB)
JP3661763B2 (ja) プリント配線板用表面処理銅箔の製造方法
US4692221A (en) In-situ dendritic treatment of electrodeposited foil
KR100743512B1 (ko) 표면처리 동박의 제조방법
EP0250195A2 (en) Double matte finish copper foil
TW507483B (en) Process and apparatus for the manufacture of high peel-strength copper foil useful in the manufacture of printed circuit boards, and laminates made with such foil
JPS6388895A (ja) 導体回路板の製造方法
KR102504286B1 (ko) 표면 처리 동박 및 그 제조방법
JPS63299296A (ja) 導体回路板の製造方法
JPS63296963A (ja) 記録電極板の製造方法
JPS63299297A (ja) 導体回路板の製造方法
JP2002105699A (ja) 銅張り積層板用電解銅箔及びその製造方法
JPS6324088A (ja) 電着銅箔及びその製造方法
JP2005008973A (ja) 銅箔の表面粗化方法
JPS6388894A (ja) 導体回路板および導体回路板の製造方法
JPS6369291A (ja) 導体回路板および導体回路板の製造方法
JPS6379395A (ja) 導体回路板の製造方法
JPS6379396A (ja) 導体回路板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1987901645

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1987901645

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1987901645

Country of ref document: EP