JPS6379395A - 導体回路板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明はプリント配線板等の導体回路板、詳細には、
導体回路を電気メッキ等により、銅、ニッケル、ニッケ
ル合金、その他の金属で形成し、絶縁基板に一体に密着
せしめる導体回路板の製造方法に係る。

更に詳細には、集積回路部品のように極めて小さいピッ
チ間隔の電子部品のリード端子を取り付け、ハンダ付け
しても、リード端子を取り付けた導体回路部分間に溢れ
たハンダによるブリッジの生じにくい導体回路板の製造
方法に係る。

険）従来の技術 （従来例１） 従来、プリント回路板を製造するには、フェノール、ガ
ラスエポキシ樹脂等の非導電基板（絶縁基板）に、１８
または３５μ、またはそれ以上の膜厚を有する調停金属
箔を一体に接着せしめ、該銅箔表面のプリント回路構成
部のみにフォトレジスト或いは印ｆｉｌルジストを密着
させ、不要な銅（露出部）を適当なエッヂヤントで溶解
除去する方法が知られている。

（従来例２） 他方、金属製回転ドラム又は金属製回転ドラムの周囲を
摺動する金属製ベルトの金属表面上にレジスト剤でマス
クを施し、ついて金属製回転ドラム又は金属製ベルトを
メッキ陰極とし、対向する陽極との間に電流を通ずるこ
とにより金属製回転ドラム又は金属製ベルト表面に銅を
電析せしめ、プリント回路板用導体回路を製造する方法
が知られている（「プリント回路板用導体回路の製造方
法」特公昭５５−３２２３８（ＵＳＰ、　４　、０５３
．３７０））。

同法により得られた導体回路から導体回路板を作製する
には、金属ドラム又は金属ベルト上の導体回路にポリエ
ステル、ポリイミド、フェノール等目的に応じて選定し
た絶縁基板を、必要に応じて接着剤を介して強固に接着
せしめた後、金属ドラム又は金属ベルトから分離し、次
いでオーバーレイを被覆して導体回路を得る。

（従来例３） プリント配線板−に、ＩＣ等のように、小さいピッチ間
隔の電子部品を取り付け、ハンダ付けするときに生ずる
ブリッジを防止するための手段しとては、特公昭５４−
４１１０２ｒプリント配線板」が知られている。この「
プリント配線板」は、「絶縁基板に導電体パターンを印
刷し、この導電体パターンの形成面に半田付けするラン
ドを残して全面に第１層の半田付抵抗層を形成し、かつ
、ランド間隔の狭い部分に半田の橋絡を防止する橋絡防
止用の半田付抵抗層を同第１層の半田付抵抗層上に形成
したことを特徴とするプリント配線板。コからなる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 （従来例１） 現在プリント回路基板の製造方法として最も多用されて
いる従来例１においては、銅箔製造後の表面処理、切断
、絶縁基板への積層等の工程において、単体としての銅
箔に加えられる引張力、折り曲げ力に耐えろ銅箔厚さで
ある１８μ以上の箔を用いなければならない。

しかるに近年、各種装置、機器を薄型、小型化する傾向
は極めて強くなってきており、従ってこれらに用いられ
るプリント回路基板についても同様なことが言える。ち
なみにプリント回路導体を形成する銅箔の厚さは５〜１
０μ程度が要求されてはいるが、同のような理由により
この要求は未だ満足されていない状況にある。一方、膜
厚が５０〜１５０μ程度の厚銅箔を選択的にエツチング
してプリント回路とする用途もみられる。その好例は、
小型モータであり、従来の銅巻線コイルの代わりにポリ
エステル、ポリイミド等の絶縁基板に接着剤により積層
した銅箔の導体回路とする部分以外の部分をエツチング
に上り除去したいわゆるシート状コイルを用いるもので
ある。

この工法においては、少なくとも５０μ以上の膜厚を何
する銅箔をエツチングしなければならならず、エツチン
グに要する時間が長くなるため導体端部の寸法精度が低
下するという品質上の問題と同時に製造コストら高くな
るという大きな難点がある。

（従来例２） 従来例２では、導体回路形成に使用するレジスト膜は、
メッキにおける陰極表面からの離脱を防止するため陰極
側表面に強固に固定する必要があり、そのためレジスト
膜は導体回路の陰極表面からの剥離後も陰極に残存する
。そこで陰極を再使用するにはレジストを除去する必要
があり、陰極に残ったレジストは、スコッチブライト、
研摩剤等によって削り取る。しかし、物理的に研摩をす
ると、陰極として例えばステンレススチールを用いる場
合等は、表面が加工硬化して、再加工はしにくくなる問
題点を有する。

更に、第１４図に断面を示すように、従来得られる導体
回路板においては、絶縁基板（３１）上に、銅からなる
回路（３２）部分のみが突設して形成されている。その
ため、オーバーレイフィルム（３３）を回路（３２）上
から密着せしめる場合には、フィルムは回路（３２）の
外周面に全て密着することはできず、オーバレイフィル
ム（３３）及び回路（３２）で形成される空気を封入し
た空間部（３４）を生ずる。そして、オーバーレイは一
般に加熱して行うため、銅からなる回路（３２）及び接
着剤は加熱されながら空気に触れるため、更には経時に
よっても酸化する問題点を有する。

更に、オーバーレイフィルムをかけるときは、同じく第
１４図に示すようにロール（３５）によって、絶縁基板
（３Ｉ）、回路（３２）、オーバーレイフィルム（３３
）を挟んで押圧して行う。しかるに従来は、回路（３２
）は、絶縁基板（３１）から回路部分のみ突設して設置
し、かつ回路（３２）と絶縁基板（３１）とは接着剤で
固定されているにすぎないため、ローラ（３５）の当接
により、回路（３２）は図中各矢示方向へ移行する問題
点を有する。更に、従来法により得られた導体回路から
導体回路板を作製するには、金属ドラムまたは金属ベル
ト上の導体回路にポリエステル、ポリミド、フェノール
等目的に応じて選定した絶縁基板を、必要に応じて接着
剤を介して強固に密着せしめた後、金属ドラムまたは金
属ベルトから分離し、次いでオーバーレイを被覆して導
体回路板を得るため、分離工程でシワや折れ、打痕、裂
は目等を生ずる問題点を有する。

（従来例３） 従来の導体回路板では第１５図に示すように絶縁基板（
４１）表面には一般に約３５μの導体回路（４２）を積
層し、その上に約１５〜２５μの非導電性レジスト膜（
４３）（オーバーレイ）を形成する。そのため、スキー
ジ−による印刷時に、第２３図に示すように導体回路（
４２）の角（Ａ）の印刷が薄くなったり、導体回路（４
２）間は、導体回路（４２）上に比し、絶縁基板（４１
）側に谷状に低くなって谷部（Ｂ）を形成している。そ
のため、電子部品（４４）のリード端子（４５）をハン
ダ（４６）で導体回路に固定すると、あふれたハンダ（
４６）は第１６図に示すように、非導電性しやすくなり
、ブリッジを生じやすくなる。そのため、従来例３に示
す「プリント配線板」のように、第１５図に示すような
第２Ｂ目の非導電性レジスト膜（半田付抵抗層）（４７
）を必要とした。

しかしながら、２回にわたる膜形成は工程が重複する問
題点を有した。

に）間冠点を解決するための手段及び作用この発明は、
剛性を有しメッキ装置に固定する平板状導電性陰極基材
表面に金属膜を一体に被覆せしめ、金属膜表面上の導体
回路を形成せしめようとする部分以外の部分には、非導
電性レジスト膜を密着せしめて陰極を構成し、該メッキ
陰極に平行に対向する不溶性陽極を１〜３０ｍｍの間隙
を有して配置固定し、固定された陰極と不溶性陽極との
間に形成される空隙部にメッキ液を１ｍ／ｓｅｃ以上の
高速度で移動するように供給するとともに、陰極と陽極
との間に０．８〜４．０Ａ／ｃｍ”の電流密度と選択的
に金属を高速度で電析せしめ、金属導体が所要の膜厚に
達したところで通電を止めて導体回路を形成し、ついで
導体回路表面に粗面化処理を施し、次いで絶縁基板に陰
極基材表面上の金属膜、導体回路、非導電性レジスト膜
を一体に密着せしめた後、金属膜、導体回路、非導電性
レジスト膜及び絶縁基板を一体に陰極材より分離し、金
属膜及び導体回路及び絶縁基板を貢通する孔を所定位置
に形成し、非導電性レジスト膜表面を被覆する最表層金
属膜を除去し、孔を形成する導体回路部分間の表面には
非導電性レジスト膜を形成することを特徴とする導体回
路板の製造方法を提供することで、従来の問題点を解決
する。

導体回路表面に形成する非導電性レジスト膜は、同一平
面となった導体回路表面及び非回路形成部分表面に被覆
されるため、非導電性レジスト膜自体も平面状にかけら
れ、従来例のように谷部を生ずることはない。そのため
、電子部品のリード端子をハンダで導体回路に固定した
とき、仮にハンダが溢れても、非導電性レジスト膜表面
に沿って流れて、ブリッジを発生ずることはない。

しυ　　実　　施　　例 次に本発明の実施例の詳細を実施例図面に基づき説明す
る。本発明に使用する陰極（１）の平板状導電材（２）
は、剛性を有するに足る肉厚（通常５〜１０ｍｍ）で、
例えば１００ＱＸ　１０００ｍｍの平板状導電材からな
り、メッキ工程で使用する薬品に対する耐薬品性、耐電
食性を有することが望ましいことから一般的にはステン
レススチール、ニッケル等を研摩したものである。

第１図に断面を示すように、陰極（＋）のステンレスス
チール、ニッケル仮等からなる平板状導電材（２）中に
は、電気化学的欠陥部（３）、（４）か存する。電気化
学的欠陥部（３）、（４）は、金属間化合物、或いは非
金属介在物、偏析、気孔からなり、ステンレススチール
の形成過程で浪人生成されたしのであり、周囲と電気化
学的性質を異にし、従って平板状導電材（２）表面にそ
のまま電析させると、ピンホールを生ずるという問題点
がある。

更には、従来例２で述べたごとく、メッキ陰極表面上に
直接レジストを形成せしめてメッキにより導体回路を製
作する工法においては、メッキ時の陰極表面からのレジ
ストの脱離を防止するため、陰極レジスト間の密着を強
固にする必要があり、その結果レジストは、導体回路の
陰極表面からの分離後も陰極側に残存し、それによって
特に製品の品質にかかわる問題点を内在している。

本発明においては、上記二つの問題点を同時に解消する
ため、平板状導電材（２）表面に予め金属膜（５）を−
様に形成せしめる。金属膜（５）は導電体であればよい
。金属膜（５）を形成せしめるには、まず平板状導電材
（２）表面に前処理を施す。前処理は平板状導電材（２
）表面の汚れ、酸化皮膜を除去するとともに、平板状導
電材（２）表面と該表面上に形成部しめる金属膜（５）
の界面（８）、及び第３図に示すごとく金属膜（５）表
面と該表面上に形成せしめる導体回路（６）、あるいは
及び非導電性レジスト膜（７）との界面（９）の密着力
の差を生ぜしめ、界面（９）の密着力が界面（８）の密
着力よりも大となるようにすることを目的とする。

平板状導電材としてステンレススチールを用いろ場合は
例えば次ぎに述べるような表面処理を施せばよい。まず
、硫酸；８０〜１００ｍ１２／Ｑ１６０〜７０’Ｃで、
１０〜３０分かけてスケール除去を行う。ついで水洗し
、硝酸：６０〜ｌｏｏｍＱ＃＋　３０ｇ／Ｑ酸性フッ化
アンモニウムにより室温下で１０〜３０分スマット除去
する。ついで水洗し、リン酸ナトリウム２０〜５０ｇ＃
、水酸化ナトリウム５０ｇＩＱ、　３〜８Ａ／ｄｍ”、
室温〜４００Ｃの条件下で１〜２分陰極電解脱脂する。

表面処理の各工程の時間、温度、濃度条件を変えること
で、金属膜（５）との密着力の強弱をつけ、平板状導電
材（２）と金属膜（５）間の密着力と、金属膜（５）と
導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）間の密１
１力との相対的な密着ツノの迎いを生ぜしむろ。

同様に、平板状導電材（２）としてニッケルを用いた場
合は例えば以下のような表面処理をおこなう。

即ち、リン酸ナトリウム２０〜５０９ＩＱ、水酸化ナト
リウム５０９／Ｑ、　３〜８Ａ　／ｄｍ’、室温〜４０
℃の条件下で１〜２分陰極電解脱指を行う。ついで水洗
し、フッ化水素１〜１ｈ＃！、５０℃で１〜１０分の条
件下、または、塩酸：　１５０ｍρ／ρの、５０℃、１
〜１０分の条件下で活性化し、ついで水洗し、４０〜６
０°Ｃの温水水洗をおこなう。平板状導電材（２）とし
てヂタン及びチタン合金を用いる場合は例えば以下のよ
うな表面処理を行う。

即ち、まず、リン酸ナトリウム２０〜５０９／Ｌ　５０
〜６０℃の条件下で３〜５分アルカリ浸漬脱脂を行う。

ついで水洗し、活性化を行う。活性化は、化学エツチン
グにより行う。化学エツチングは２５％ＨＦ、７５％Ｈ
Ｎ　Ｏ３により、純チタン、又はチタン合金について行
う。

平板状導電材（２）として鋼または鋼合金を用いる場合
は、まずリン酸ナトリウム２０〜５０９／Ｃ１５０〜６
０°ＣＮ　３〜１０Ａ、／ｄｍ”の条件下で３０秒〜２
分間、電解し、陰極電解脱脂する。ついで水洗し、フッ
化水素１〜１０９／（！、室温下で３０秒〜２分間酸洗
いし、ついで水洗して行う。このように表面処理した平
板状導電材（２）表面に金属膜（５）を積層する。金属
膜（５）は、銅、ニッケル、ニッケルーリン合金等を用
いることができる。これら金属薄層は、電気メッキ、無
電解メッキ、蒸着、スパッタリング等により、０，１〜
数μ（２〜３μ）厚で積層する。ここにおいて、平板状
導電材（２）表面にピンホール等の物理的欠陥が存在け
ず、又電気化学的欠陥ら存在しない電気化学的に一様に
して適度の密着力を有する金属膜（５）を積層する陰極
（１）を得る。

ついで、金属膜（５）表面に第２図に示すように非導電
性レジスト膜（７）を固定する。非導電性レジスト膜（
７）は、フォトレジスト法、印刷法等により、必要とさ
れる回路以外の部分をレジスト剤でマスクする。

この陰極（１）を、第１０図、第１１図に示すメッキ装
置（１１）のフレーム（１２）の上部中央に水平に設置
した銅と鉛から成る板状不溶性陽極（１４）に、金属膜
（５）非導電性レジスト膜（７）の表面を向けて平行に
対向させて固定し、陰極（１）及び不溶性陽極（１４）
の対向面の空隙部（１３）をａ＝１〜３０ｍｍの範囲内
に、好ましくは１〜１０ｍｍ。

更に好ましくは１〜５ｍｍの範囲に設置する。不溶性陽
極（１４）は第１１図、第１２図に示すように大電流を
通電するための銅板（２４）ａ　、（１４）ｂの表面全
体に鉛（１４）ｃを肉厚２〜ｔＯｍｍ、好ましくは３〜
７ｍｍの範囲内で一様にアセチレントーチ等で被覆して
なる。

このようにして形成された陰極（１）及び不溶性陽極（
１４）との空隙部（１３）に高速流でメッキ液（２３）
を圧入するノズル（１５）を、第１３図に示すように不
溶性陽極（１４）の少なくとも全幅にわたって開口せし
め、ノズル（１５）の基部は導管（１６）に連結し、導
管（１６）はポンプ（１７）に連結する。ポンプ（１７
）は更に他の導管を介してＪ、、、＊’ｖ腔帥ト宙をロ
訂；乎÷ト→Ｆ’１ｒ−ｂζ坊、トスノヅ）１゜（１５
）を設けた不溶性陽極（１４）の対向辺には不溶性陽極
（１４）の少なくとも全幅にわたって排液口（１８）を
設け、導管（１９）に連結する。導管（１９）は前記メ
ッキ液貯槽（図示せず）に接続することにより、ポンプ
（１７）から吐出されたメッキ液（２３）、この実施例
では、電気銅メッキ液は導管（１６）、ノズル（１５）
、陰極（１）と不溶性陽極（１４）との空隙部（１３）
、排液口（１８）、導管（１９）を順次ａ遇してメッキ
液貯槽に蓄えられ、ここから再びポンプ（１７）により
吐出され、連続して循環される。

本発明において使用されるメッキ液（２３）は、金Ｉｉ
１銅濃度１．０〜２．Ｏｍｏ＆／Ｑ、好ましくは１．２
〜１．８ｍｏ（／　Ｑ、最も好ましくは１．４〜１．６
ｍｏＲ／ｆｌ！。

硫酸を濃度３０〜７０ｇ／１２含有する硫酸銅メッキ液
で、ノズル（１５）より高速メッキゾーンへ５５〜７０
°Ｃで、好ましくは６０〜６５°Ｃの液温で供給される
。このような条件を満足する硫酸銅メッキ液を用いるこ
とにより、前記のように不溶性陽極（１４）を使用する
ことができ、従って極間距離を一定に保つことができる
。それにより品質の安定、製造工程の一貫性をはかるこ
とができる。メッキ液温か５５℃以下であると、銅イオ
ンの移動速度が低下するため電極表面に分極層が生じ易
くなり、メッキ堆積速度が低下する。一方、液温が７０
℃を越えるとメッキ液（２３）の蒸発量が多くなり濃度
が不安定となる。

メッキ液（２３）はノズル（１５）から電極間空隙部（
１３）へ１．５〜２．５ｉ／ｓｅｃで、好ましくは２ｍ
／ｓｅｃ前後の流速で、かつ乱流状態で供給することに
より、電極表面近傍の金属イオン濃度が極度に低下しな
いように、即ち分極層の生長を抑えて、高速度でメッキ
膜を成長させることが可能となる。

本発明におけるメッキ工程では、陰極（１）と不溶性陽
極（１４）との間に、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性
を有する給電板（２０）、陽極電源コード（２１）、陰
極電源コード（２２）を介して、０．８〜４．ＯＡｍｐ
／ｃｍ”の高電流を通電する。

以上の操作により、不溶性陽極（１４）に対向する陰極
（１）の表面上の非導電性レジスト膜（７）でマスキン
グしない部分には、毎分２５〜１００μの堆積速度で高
密度の微細結晶構造を有する銅膜を析出することができ
、第３図に示すように導体回路（６）は金属膜（５）と
密着する。このように本発明によれば従来のメッキ技術
の１０〜２Ｈ倍という高能率で銅膜を製造することがで
き、実用上極めて大きな意義を有している。

メッキ工程において陰極（１）表面上の非導電性レジス
ト膜（７）でマスキングしない部分に必要な厚さ、本発
明の主目的とするところでは数（２〜３）μ〜数百（２
００〜３００）μで導体回路（６）が形成された時点で
、通電及びメッキ液（２３）の供給を停止し、導体回路
（６）、非導電性レジスト膜（７）、及び金属膜（５）
と平板状導電材（２）を一体のまま高速メッキ装置（１
１）から取り外す。この状態において平板状導電材に）
表面には、金属膜（５）が、金属膜（５）表面には、導
体回路（６）及び非導電性レジスト膜（力が積層されて
いる。導体回路（６）は電気化学的に平滑な金属膜（５
）上に積層するので、１０μ以下の厚さでもピンホール
は生じない。

ついで、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）
表面を水洗後、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜
（力の表面処理を行う。非導電性レジスト膜（７）を形
成するレジスト剤の種類の選択は、平板状導電材（２）
表面の表面処理とともに、平板状導電材（２）と金属膜
（５）との間の密着力の方が、非導電性レジスト膜（７
）及び導体回路（６）と金属膜（５）との間の密着力よ
り相対的に弱くなるように選択しておく。

表面処理は、次工程での積層板である絶縁基板（１０）
への導体回路（６）圧着後における両者間の密着力を確
保するため、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（
７）の表面を粗化するために行うものであり、例えば電
解処理後微細粒子処理をする工程、次いでバリヤー処理
、亜鉛メッキ処理をする工程、次いで化学処理、防錆処
理、カセイソーダ処理をする工程から成る。導体回路（
６）の表面処理及びレジスト剤の選択により、ホットプ
レス後の導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）
と絶縁基板（１ｏ）との密着力は、平板状導電材（２）
と金属膜（５）との密着力より大となるように制御する
。

表面処理終了後、水洗、乾燥し、第４図に示すように絶
縁基板（１０）への金属膜（５）、導体゛回路（６）及
び非導電性レジスト膜（７）の積層及び、第５図に示す
ように陰極（１）の分離を行う。即ち、第４図に示すよ
うに陰極（１）に析出し、表面処理を施した導体回路（
６）及び非導電性レジスト膜（７）に、絶縁基板（１０
）を重ねる。絶縁基板（ｌＯ）は汀機材料、無機材料い
ずれでも可能であり、例えばガラス、エポキシ、フェノ
ール、ポリイミド、ポリエステノベアラミッド等の材料
を用いることができる。また、鉄、アルミ等導電材料の
表面に十−ロウを被覆し、またはアルミ表面を酸化する
アルマイト処理を施して絶縁した材料でもよい。ただし
、用いる絶縁基板（１０）に接着力が期待できない時は
、絶縁基板（１０）または導体回路（６）及び非導電性
レジスト膜（７）の表面に接着剤を塗布する。

陰極（１）、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（
７）及びこれと重ねた絶縁基板（１０）をポットプレス
に挿入して加熱圧着し、導体回路（６）及び非導電性レ
ジスト膜（７）と絶縁基板（１０）を強固に密着せしめ
、積層板を形成させた後、陰極（１）から分離する。ホ
ットプレスは１７０℃〜２００℃望ましくは１７０℃〜
１８０℃の温度条件で、５５〜７０ｋｇ／　Ｃｍ’望ま
しくは６４ｋｇ／ｃｍ’の圧力で６５〜８５分間望まし
くは７５分間行う。このとき、平板状導電材（２）と金
属膜（５）との間の密着力より、金属膜（５）と非導電
性レジスト膜（７）及び導体回路（６）との間の密着力
の方が大であり、更に、非導電性レジスト膜（７）及び
導体回路（６）と絶縁基板（１０）との間の密着力も平
板状導電材（２）と金属膜（５）との間の密着力より大
であるため、第５図に示すように、絶縁基板（１０）側
には金属膜（５）及び導体回路（６）及び非導電性レジ
スト膜（７）が転写される。ついで所定の位置に第６図
に示すように、金属膜（５）、導体回路（６）、絶縁基
板（１０）を貫通し、電子部品のリード端子の挿入可能
な孔（２４）を設ける。このとき、導体回路（６）は、
金属膜（５）で支持されるため移動することはない。つ
いで、金属膜（５）を酸等により溶解除去し、第７図に
示すような導体間が正規の絶縁状聾となった導体回路板
を得る。酸による処理のし易さからは金属膜（５）は銅
からなることがが望ましい。

ついで、第８図に示すように金属膜（５）の孔（２４）
形成部分間の金属膜（５）、非導電性レジスト膜（７）
表面に数μ〜数十μ厚の非導電性レジスト膜（２５）（
オーバーレイ）を被覆する。導体回路（６）は、非導電
性レジスト膜（７）により両側は挟持され、かつ非導電
性レジスト膜（力と密着しているため、非導電性レジス
ト膜（２５）即ちオーバーレイを用いろ場合、導体回路
（６）との間に空隙を生じて空気が入り込むことはなく
、導体回路（６）は移動することはない。しかして、陰
極（１）の平板状導電材（２）表面から金属膜（５）及
び導体回路（６）及び非導電材レジスト膜（７）が分離
するため、平板状導電材（２）の表面を必要に応じて研
摩し、再び前記工程を繰り返すことで導体回路板を形成
することが可能となる。導体回路板の非導電性レジスト
膜（２５）は、同一平面となった、絶縁基板（１０）及
び導体回路（６）表面に被覆されるため、非導電性レジ
スト膜（２５）自体も平面状にかけられ、従来例のよう
に谷部を形成することはない。そのため、第９図に示す
ように電子部品のリード端子（２７）をハンダ（２６）
で導体回路（６）に固定したとき、仮にハンダ（２６）
が仮に溢れても、非導電性レジスト膜（２５）の谷部表
面にそって流れろため生ずるブリッジを発生することは
ない。そのためブリッジ防止のための二重のレジストも
不要となる。

両面実装の導体回路板とするときは、絶縁基板の両面に
ついてこれらの作業を施し、スルホールメブキを行えば
良い。

（へ）発明の効果 本発明による導体回路板の製造方法によれば、非導電性
レジスト膜は、金属膜、導体回路とともに絶縁基板に転
写されるなどして陰極の平板状導電材表面には残らない
ため、平板状導電材からの非導電性レジスト膜の除去は
不要となり、平板状導電材の再使用が可能となる。更に
、導体回路は非導電性レジスト膜間あるいは絶縁基板間
に存し、これら表面と同一平面を形成するため、絶縁基
板への接着オーバレイ工程において、導体回路とオーバ
レイとの間に空気が封じられ、導体回路及び接着剤が酸
化することはない。

導体回路は、このような構造からなるため同時に、導体
回路表面にオーバレイフィルムをロールでかけるときも
、導体回路がＢ動することもない。更に、導体回路は、
陰極の平板状導電オに被覆した電気化学的に欠陥の無い
金属膜上に電析されろためピンホールを生ずることらな
い。まｆこ、導体回路は、金唄良上に密着した後、一体
かつ直接に絶縁板においてホットプレス等により密着、
転写せしめて陰極から分離するため、導体回路に亀裂、
シワ等の品質上の欠陥を生ずることがない。

更には、導体回路の製造には高速メッキ技術を用いるた
め、例えば１０μの膜厚を得るのに要するメッキ時間は
、１分乃至それ以下とすることができ、極めて生産性が
優れている。

導体回路板の表面もブリッジ発生防止のためのレジスト
は一層ですみ、二層とする手間は省略される。

しかして特に高能率、安価に導体回路板を供給すること
ができることに本発明の最大の意義があり、その実用的
価値は極めて大きい

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第
７図、第８図、第９図、第１０図はこの発明の実施例の
断面図、第１０図は同実施例に使用するメッキ装置の正
面断面図、第１１図は同側面断面概略図、第１２図は第
１１図の一部拡大図、第１３図は第１２図Ａ−Ａ断面図
、第１４図、第１５図、第１６図は従来例図である。 （１）・・・・・・陰極、（２）・・・・・・平板状導
電材、（５）・・・・・・金属膜、（６）・・・・・・
導体回路、（７）・・・・・・非導電性レジスト膜、（
１０）・・・・・・絶縁基板、（１１）・・・・・・メ
ッキ装置、（１３）・・・・・・空隙部、（１４）・・
・・・・不溶性陽極、（２３）・・・・・・メッキ液。 特許出願人　　名幸電子工業株式会社 代理人弁理士　　安　　原　　正　　２同　　　　　　
　　　　　安　　　原　　　正　　　義第１２図 刊 第１３図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）剛性を有しメッキ装置に固定する平板状導電性陰
   極基材表面に金属膜を一体に被覆せしめ、金属膜表面上
   の導体回路を形成せしめようとする部分以外の部分には
   、非導電性レジスト膜を密着せしめて陰極を構成し、該
   メッキ陰極に平行に対向する不溶性陽極を１〜３０ｍｍ
   の間隙を有して配置固定し、固定された陰極と不溶性陽
   極との間に形成される空隙部にメッキ液を１ｍ／ｓｅｃ
   以上の高速度で移動するように供給するとともに、陰極
   と陽極との間に０．８〜４．０Ａ／ｃｍ＾２の電流密度
   となるように通電し、導体回路形成部分のみに選択的に
   金属を高速度で電析せしめ、金属導体が所要の膜厚に達
   したところで通電を止めて導体回路を形成し、ついで導
   体回路表面に粗面化処理を施し、次いで絶縁基板に陰極
   基材表面上の金属膜、導体回路、非導電性レジスト膜を
   一体に密着せしめた後、金属膜、導体回路、非導電性レ
   ジスト膜及び絶縁基板を一体に陰極材より分離し、金属
   膜及び導体回路及び絶縁基板を貫通する孔を所定位置に
   形成し、非導電性レジスト膜表面を被覆する最表層金属
   膜を除去し、孔を形成する導体回路部分間の表面には非
   導電性レジスト膜を形成することを特徴とする導体回路
   板の製造方法。
2. （２）圧着が加熱圧着である特許請求の範囲第１項記載
   の導体回路板の製造方法。
3. （３）金属膜、導体回路及び非導電性レジスト膜を分離
   した平板状導電性陰極基材は研摩、活性化した後再び同
   工程を繰り返すことにより導体回路を製造する特許請求
   の範囲第１項、又は第２項記載の導体回路板の製造方法
   。