JPS6369291A - 導体回路板および導体回路板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明はプリント配線板等の導体回路板、詳細には、
導体回路を電気メッキ等により、銅、ニッケル、ニッケ
ル合金、その他の金属で形成し、絶縁基板に一体に密着
せしめる導体回路板及び導体回路板の製造方法に係る。

更に詳細には、集積回路部品のように極めて小さいピッ
チ間隔の電子部品のリード端子を取り付け、ハンダ付け
しても、リード端子を取り付けた導体回路部分間に溢れ
たハンダによるブリッジの生じにくい導体回路板及び導
体回路板の製造方法に係る。

（（７）　　従来の技術 （従来例１） 従来、プリント回路板を製造するには、フェノール、ガ
ラスエポキシ樹脂等の非導電基板（絶縁基板）に、１８
または３５μ、またはそれ以上の膜厚を有する調停金属
箔を一体に接着せしめ、該銅箔表面のプリント回路構成
部のみにフォトレジスト或いは印刷レジストを密着させ
、不要な銅（露出部）を適当なエッチャントで溶解除去
する方法が知られている。

（従来例２） 他方、金属製回転ドラム又は金属製回転ドラムの周囲を
摺動する金属製ベルトの金属表面上にレジスト剤でマス
クを施し、ついで金属製回転ドラム又は金属製ベルトを
メッキ陰極とし、対向する陽極との間に電流を通ずるこ
とにより金属製回転ドラム又は金属製ベルト表面に銅を
電析せしめ、プリント回路板用導体回路を製造する方法
が知られている（「プリント回路板用導体回路の製造方
法」特公昭５５−３２２３８（ＵＳＰ、４．０５３．３
７０乃。

同法により得られた導体回路から導体回路仮を作製する
には、金属ドラム又は金属ベルト上の導体回路にポリエ
ステル、ポリイミド、フェノール等目的に応じて選定し
た絶縁基板を、必要に応じて接着剤を介して強固に接着
せしめた後、金属ドラム又は金属ベルトから分離し、次
いでオーバーレイを被覆して導体回路を得る。

（従来例３） プリント配線板に、ＩＣ等のように、小さいピッチ間隔
の電子部品を取り付け、ハンダ付けするときに生ずるブ
リッジを防止するための手段しとては、特公昭５４−４
１１０２ｒプリント配線板」が知られている。この「プ
リント配線板」は、「絶縁基板に導電体パターンを印刷
し、この導電体パターンの形成面に半田付けするランド
を残して全面に第１層の半田付抵抗層を形成し、かつ、
ランド間隔の狭い部分に半田の橋絡を防止する橋絡防止
用の半田付抵抗層を同第１層の半田付抵抗層上に形成し
たことを特徴とするプリント配線板。」からなる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 （従来例１） 現在プリント回路基板の製造方法として最も多用されて
いる従来例１においては、銅箔製造後の表面処理、切断
、絶縁基板への積層等の工程において、単体としての銅
箔に加えられる引張力、折り曲げ力に耐える銅箔厚さで
ある１８μ以上の箔を用いなければならない。

しかるに近年、各種装置、機器を薄型、小型化する傾向
は極めて強くなってきており、従ってこれらに用いられ
るプリント回路基板についても同様なことが言える。ち
なみにプリント回路導体を形成する銅箔の厚さは５〜１
０μ程度が要求されてはいるが、同のような理由により
この要求は未だ満足されていない状況にある。一方、膜
厚が５０〜１５０μ程度の厚銅箔を選択的にエツチング
してプリント回路とする用途もみられる。その好例は、
小型モータであり、従来の銅巻線コイルの代わりに→リ
エステル、ポリイミド等の絶縁基板に接着剤により積層
した銅箔の導体回路とする部分以外の部分をエツチング
により除去したいわゆるシート状コイルを用いるもので
ある。

この工法においては、少なくとも５０μ以上の膜厚を有
する銅箔をエツチングしなければならならず、エツチン
グに要する時間が長くなるため導体端部の寸法精度が低
下するという品質上の問題と同時に製造コストも高くな
るという大きな難点がある。

（従来例２） 従来例２では、導体回路形成に使用するレジスト膜は、
メッキにおける陰極表面からの離脱を防止するため陰極
側表面に強固に固定する必要があり、そのためレジスト
膜は導体回路の陰極表面からの剥離後も陰極に残存する
。そこで陰極を再使用するにはレジストを除去する必要
があり、陰極に残ったレジストは、スコッチブライト、
研摩剤等によって削り取る。しかし、物理的に研摩をす
ると、陰極として例えばステンレススチールを用いる場
合等は、表面が加工硬化して、再加工はしにくくなる問
題点を有する。

更に、第２１図に断面を示すように、従来得られろ導体
回路板においては、絶縁基板（３１）上に、銅からなる
回路（３２）部分のみが突設して形成されている。その
ため、オーバーレイフィルム（３３）を回路（３２）上
から密着せしめる場合には、フィルムは回路（３２）の
外周面に全て密着することはできず、オーバレイフィル
ム（３３）及び回路（３２）で形成される空気を封入し
た空間部（３４）を生ずる。そして、オーバーレイは一
般に加熱して行うため、銅からなる回路（３２）及び接
着剤は加熱されながら空気に触れるため、更には経時に
よっても酸化する問題点を有する。

更に、オーバーレイフィルムをかけろときは、同じく第
２１図に示すようにロール（３５）によって、絶縁基板
（３１）、回路（３２）、オーバーレイフィルム（３３
）を挟んで押圧して行う。し李るに従来は、回路（３２
）は、絶縁基板（３１）から回路部分のみ突設して設置
し、かつ回路（３２）と絶縁基板（３１）とは接着剤で
固定されているにすぎないため、ローラ（３５）の当接
により、回路（３２）は図中各矢示方向へ移行する問題
点を有する。更に、従来法により得られた導体回路から
導体回路板を作製するには、金属ドラムまたは金属ベル
ト上の導体回路にポリエステル、ポリミド、フェノール
等目的に応じて選定した絶縁基板を、必要に応じて接着
剤を介して強固に密着せしめた後、金属ドラムまたは金
属ベルトから分離し、次いでオーバーレイを被覆して導
体回路板を得るため、分離工程でシワや折れ、打痕、裂
は目等を生ずる問題点を有する。

（従来例３） 従来の導体回路板では第２２図に示すように絶縁基板（
４１）表面には一般に約３５μの導体回路（４２）を積
層し、その上に約１５〜２５μの非導電性レジスト膜（
４３）（オーバーレイ）を形成す−０そのため、スキー
ジ−による印刷時に、第２３図に示すように導体回路（
４２）の角（Ａ）の印刷が薄くなったり、導体回路（４
２）間は、導体回路（４２）上に比し、絶縁基板（４１
）側に谷状に低くなって谷部（Ｂ）を形成している。そ
のため、電子部品（４４）のリード端子（４５）をハン
ダ（４６）で導体回路に固定すると、あふれたハンダ（
４６）は第２３図に示すように、非導電性レジスト膜（
４２）表面に沿って導体回路間に流れやすくなり、ブリ
ッジを生じやすくなる。そのため、従来例３に示す「プ
リント配線板」のように、第２２図に示すような第２層
目の非導電性レジスト膜（半田付抵抗層Ｘ４７）を必要
とした。

しかしながら、２回にわたる膜形成は工程が重複する問
題点を有した。

に）問題点を解決するための手段及び作用この発明は絶
縁基板に積層する導体回路表面と回路非形成部分表面と
が同一平面がらなり、導体回路及び絶縁基板を貫通する
孔を追納る導体回路部分間の表面には非導電性レジスト
膜を形成することを特徴とする導体回路板、及び剛性を
有しメッキ装置に固定する平板状導電性陰極基材表面に
金属膜を一体に被覆せしめ、金属膜表面上の導体回路を
形成せしめようとする部分以外の部分には、非導電性レ
ジスト膜を密着せしめて陰極を構成し、該メッキ陰極に
平行に対向する不溶性陽極を１〜３０ｍｍの間隙を有し
て配置固定し、固定された陰極と不溶性陽極との間に形
成される空隙部にメッキ液を１ｍ／ｓｅｃ以上の高速度
で移動するように供給するとともに、陰極と陽極との間
に０．８〜４．ＯＡ／ｃｍ″の電流密度となるように通
電し、導体回路形成部分のみに選択的に金属を高速度で
電析せしめ、金属導体が所要の膜厚に達したところで通
電を止めて導体回路を形成し、非導電性レジスト膜を除
去し、導体回路表面に絶縁基彼を積層し、絶縁基板と平
板状導電性陰極基材を圧着することで、導体回路を絶縁
基板中にめり込ませるとともに導体回路及び金属膜を絶
縁基板に一体に密着せしめ、金属膜及び導体回路を一体
に陰極材より分離し、金属膜及び導体回路及び絶縁基板
を貫通する孔を所定位置に形成し、導体回路表面を被覆
する最表層金属膜を除去し、孔を形成する導体回路部分
間の表面には非導電性レジスト膜を形成することで導体
回路板とすることを特徴とする導体回路板の製造方法、
及び剛性を有しメッキ装置に固定する平板状導電性陰極
基材表面に金属膜を一体に被覆せしめ、金属膜表面上の
導体回路を形成せしめようとする部分以外の部分には、
非導電性レジスト膜を密着せしめて陰極を構成し、該メ
ッキ陰極に平行に対向する不溶性陽極を１〜３０ｍｍの
間隙を有して配置固定し、固定された陰極と不溶性陽極
との間に形成される空隙部にメッキ液を１　ｍ／　ｓｅ
ｃ以上の高速度で移動するように供給するとともに、陰
極と陽極との間に０．８〜４．０Ａ／ｃｍ２の電流密度
となるように通電し、導体回路形成部分のみに選択的に
ｒ属を高速度で電析せしめ、金属導体が所要の膜厚に達
したところで通電を止めて導体回路を形成し、ついで導
体回路表面に粗面化処理を施し、次いで絶縁基板に陰極
基材表面上の金属膜、導体回路、非導電性レジスト膜を
一体に密着せしめた後、金属膜、導体回路、非導電性レ
ジスト膜及び絶縁基板を一体に陰極材より分離し、金属
膜及び導体回路及び絶縁基板を貫通する孔を所定位置に
形成し、非導電性レジスト膜表面を被覆する最表層金属
膜を除去し、孔を形成する導体回路部分間の表面には非
導電性レジスト膜を形成することを特徴とする導体回路
板の製造方法を提供することで、従来の問題点を解決す
る。

導体回路表面に形成する非導電性レジスト膜は、同一平
面となった導体回路表面及び非回路形成部分表面に被覆
されるため、非導電性レジスト膜自体も平面状にかけら
れ、従来例のように谷部を生ずることはない。そのため
、電子部品のリード端子をハンダで導体回路に国定した
とき、仮にハンダが溢れても、非導電性レジスト膜表面
に沿って流れて、ブリッジを発生することはない。

（ホ）　　実　　施　　例 次に本発明の第１実施例の詳細を実施例図面に基づき説
明する。本発明に使用する陰極（１）の平板状導電材（
２）は、剛性を有するに足る肉厚（通常５〜１０ｍｍ）
で、例えば１００ＯＸ　１０００ｍｍの平板状導電材か
らなり、メッキ工程で使用する薬品に対する耐薬品性、
耐電食性を有することが望ましいことから一般的にはス
テンレススチール、ニッケル等を研摩したものである。

第１図に断面を示すように、陰［ｉ　（１）のステンレ
ススチール、ニッケル板等からなる平板状導電材（２）
中には、電気化学的欠陥部（３）、（４）が存する。電
気化学的欠陥部（３）、（４）は、企図間化合物、或い
は非金属介在物、偏析、気孔からなり、ステンレススチ
ールの形成過程で浪人生成されたものであり、周囲と電
気化学的性質を異にし、従って平板状導電材（２）表面
１−４のまま電析させると、ピンホールを生ずるという
問題点がある。

更には、従来例２で述べたごとく、メッキ陰極表面上に
直接レジストを形成せしめてメッキにより導体回路を製
作する工法においては、メッキ時の陰極表面からのレジ
ストの脱離を防止するため、陰極レジスト間の密着を強
固にする必要があり、その結果レジストは、導体回路の
陰極表面からの分離後も陰極側に残存し、それによって
特に製品の品質にかかわる問題点を内在している。

本発明においては、上記二つの問題点を同時に解消する
ため、平板状導電材（２）表面に予め金属膜（５）を一
様に形成せしめる。金属膜（５）は導電体であればよい
。金属膜（５）を形成せしめるには、まず平板状導電材
（２）表面に前処理を施す。前処理は平板状導電材（２
）表面の汚れ、酸化皮膜を除去するとともに、平板状導
電オ（２）表面と該表面上に形成せしめる金属膜（５）
の界面（８）、及び第３図に示すごとく金属膜（５）表
面と緩［表面上に形成せしめる導体回路（６）、あるい
は及び非導電性レジスト膜（力との界面（９）の密着力
の差を生せしめ、界面（９）の密着力が界面（８）の密
着力よりも大となるようにすることを目的とする。

平板状導電材としてステンレススチールを用いる場合は
例えば次ぎに述べるような表面処理を施せばよい。まず
、硫酸＝８０〜ｌｏｏｍ（！／ｇ１６０〜７０℃で、１
０〜３０分かけてスケール除去を行う。ついで水洗し、
硝酸二６０〜１００ｍρ／Ｑ＋　３ｒＮ／Ｑ酸性フツ化
アンモニウムにより室温下で１０〜３０分スマット除去
する。ついで水洗し、リン酸ナトリウム２０〜５０ｇ／
Ｌ水酸化ナトリウム５０９／ｆ２．３〜８Ａ／ｄｍ”、
室温〜４ｏ°Ｃ）条件下で１〜２分陰極電解脱脂する。

表面処理の各工程の時間、温度、濃度条件を変えること
で、金属ｆｆｌ　（５）との密着力の強弱をっけ、平板
状導電材（２）と金属膜（５）間の密着力と、金属膜（
５）と導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）間
の密着力との相対的な密着力の違いを生ぜしむる。

同様（Ｊ、平板状導電材（２）としてニッケルを用いた
場合は例えば以下のような表面処理をおこなう。

即ち、リン酸ナトリウム２０〜５Ｑ９／Ｑ、水酸化ナト
リウム５０ｇ／Ｃ，３〜８Ａ／ｄＩｌ！、室温〜４０℃
の条件下で１〜２分陰極電解脱脂を行う。ついで水洗し
、フッ化水素１〜１０９／１２．５０℃で１〜１０分の
条件下、または、塩酸：　１５０ｍ＆＃！の、５０℃、
１〜１０分の条件下で活性化し、ついで水洗し、４０〜
６０℃の温水水洗をおこなう。平板状導電材（２）とし
てチタン及びチタン合金を用いる場合は例えば以下のよ
うな表面処理を行う。

即ち、まず、リン酸ナトリウム２０〜５０９＃、　５０
〜６０℃の条件下で３〜５分アルカリ浸漬脱脂を行う。

ついで水洗し、活性化を行う。活性化は、化学エツチン
グにより行う。化学エツチングは２５％ＨＦ、７５％Ｈ
Ｎ　Ｏ３により、純チタン、又はチタン合金について行
う。

平板状導電材（２）として銅または銅合金を用いる場合
は、まずリン酸ナトリウム２０〜５０９／ｆｆ、５０−
”６０℃、３〜ＩＯＡ／ｄｍ”の条件下で３０秒〜２分
間、電解し、陰極電解脱脂する。ついで水洗し、フッ化
水素１−１０９／ｅ、室温下で３０秒〜２分間酸洗いし
、ついで水洗して行う。このように表面処理した平板状
導電材（２）表面に金属膜（５）を積層する。金属膜（
５）は、銅、ニッケル、ニッケルーリン合金等を用いる
ことができる。これら金属薄層は、電気メッキ、無電解
メッキ、蒸着、スパッタリング等により、０．１〜数μ
（２〜３μ）厚で積層する。ここにおいて、平板状導電
材（２）表面にピンホール等の物理的欠陥が存在せず、
又電気化学的欠陥も存在しない電気化学的に一様にして
適度の密着力を有する金属膜（５）を積層する陰極（１
）を得る。

ついで、金属膜（５）表面に第２図に示すように非導電
性レジスト膜（７）を固定する。非導電性レジスト膜（
７）は、フォトレジスト法、印刷法等により、必要とさ
れる回路以外の部分をレジスト剤でマスクする。

この陰極（１）を、第１７図、第１８図に示すメヅキ装
！（１１）のフレーム（１２）の上部中央に水平に設置
した銅と鉛から成る板状不溶性陽極（１４）に、金属膜
（５）非導電性レジスト膜（力の表面を向けて平行に対
向させて固定し、陰極（１）及び不溶性陽極（１４）の
対向面の空隙部（１３）を（！＝１〜３０ｎ＋ｎ＋の範
囲内に、好ましくは１〜ｌＱｍｍ。

更に好ましくは１〜５ｍｍの範囲に設置する。不溶性陽
極（１４）は第１８図、第１９図に示すように大電流を
通電するための銅板（１４）ａ　、　（１４）ｌ）の表
面全体に鉛（１４）ｃを肉厚２〜１０ｍｍ５好ましくは
３〜７ｕ＋ｍの範囲内で一様にアセチレントーチ等で被
覆してなる。

このようにして形成された陰極（１）及び不溶性陽極（
１４）との空隙部（１３）に高速流でメッキ液（２３）
を圧入するノズル（１５）を、第２０図に示すように不
溶性陽極（１４）の少なくとも全幅にわたって開口せし
め、ノズル（１５）の基部は導管（１６）に連結し、導
管（１６）はポンプ（１７）に連結する。ポンプ（１７
）は更に他の導管を介してメッキ液貯槽（図示せず）に
接続する。ノズル（１５）を設けた不溶性陽極（１４）
の対向辺には不溶性陽極（１４）の少なくとも全幅にわ
たって排液口（１８）を設け、導管（１９）に連結する
。導管（１９）は前記メッキ液貯槽（図示せず）に接続
することにより、ポンプ（１７）から吐出されたメッキ
ａ（２３）、この実施例では、電気銅メッキ液は導管（
１６）、ノズル（１５）、陰、極（１）と不溶性陽極（
１４）との空隙部（１３）、排液口（１８）、導管（１
９）を順次通過してメッキ液貯槽に蓄えられ、ここから
再びポンプ（１７）により吐出され、連続して循環され
る。

本発明において使用されるメッキ液（２３）は、金属銅
濃度１．０〜２．０ｍｏＱ／　ｆ７．好ましくは１．２
〜１　、８ｍｏＱ／　Ｑ、最も好ましくは１．４〜１．
６ｍｏＱ／Ｌ硫酸を濃度３０〜７０ｇ／１２含有する硫
酸銅メッキ液で、ノズル（１５）より高速メッキゾーン
へ５５〜７０℃で、好ましくは６０〜６５℃の液温で供
給される。このような条件を満足する硫酸銅メッキ液を
用いることにより、前記のように不溶性陽極（１４）を
使用することができ、従って極間距離ｉ服一定に保つこ
とができる。それにより品質の安定、製造工程の一食性
をはかることができる。メッキ液温か５５℃以下である
と、銅イオンの移動速度が低下するため電極表面に分極
層が生じ易くなり、メッキ堆積速度が低下する。一方、
液温か７０　’Ｃを越えるとメッキ液（２３）の蒸発量
が多くなり濃度が不安定となる。

メッキ１（２３）はノズル（１５）から電極間空隙部（
１３）へ１．５〜２．５ｍ／ｓｅｃで、好ましくは２ｍ
／ｓｅｃ前後の流速で、かつ乱流状態で供給することに
より、電極表面近傍の金属イオン濃度が極度に低下しな
いように、即ち分極層の生長を抑えて、高速度でメッキ
膜を成長させることが可能となる。

本発明におけるメッキ工程では、陰極（１１と不溶性陽
極（１４）との間に、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性
を存する給電板（２０）、陽極電源コード（２１）、陰
極電源コード（２２）を介して、ｏ、ｇ　〜４．ＯＡｍ
ｐ／ｃｍ２の高電流を通電する。

以上の操−作により、不溶性陽極（１４）に対向する陰
極（１）の表面上の非導電性レジスト膜（７）でマスキ
ングしない部分には、毎分２５〜１００μの堆積速度で
高密度の微細結晶構造を有する銅膜を析出することがで
き、第３図に示すように導体回路（６）は金属膜（５）
と密着する。このように本発明によれば従来のメッキ技
術の１０〜２００倍という高能率で銅膜を製造すること
ができ、実用上極めて大きな意義を有している。

メッキ工程において陰極（１）表面上の非導電性レジス
ト膜（７）でマスキングしない部分に必要な厚さ、本発
明の主目的とするところでは数（２〜３）μ〜数百（２
００〜３００）μで導体回路（６）が形成された時点で
、ａ電及びメッキ液（２３）の供給を停止し、導体回路
（６）、非導電性レジスト膜（７）、及び金属膜（５）
と平板状導電材（２）を一体のまま高速メッキ装置（１
１）から取り外す。この状態において平板状導電材（２
）表面には、金属膜（５）が、金属膜（５）表面には、
導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）が積層さ
れている。導体回路（６）は電気化学的に平滑な金属膜
（５）上に積層するので、１０μ以下の厚さでもピンホ
ールは生じない。

ついで、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）
表面を水洗後、導体回路（６）の表面処理を行う、表面
処理は、次工程での積層板である絶縁基板（１０）への
導体回路（６）圧着後における両者間の密着力を確保す
るため、導体回路（６）の表面を粗化するために行うも
のであり、例えば電解処理後微細粒子処理をする工程、
次いでバリヤー処理、亜鉛メッキ処理をする工程、次い
で化学処理、防錆処理、カセイソーダ処理をする工程か
ら成る。導体回路（６）の表面処理により、ホットプレ
ス（加熱圧着）後の導体回路（６）と絶縁基板（ｌＯ）
との転写による密着力は、平板状導電材（２）と金属膜
（５）との密着力より大となるように制御する。

表面処理終了後、あるいは表面処理前に非導電性レジス
ト膜（７）を除去する。非導電性レジスト＠（７）の除
去は、レジスト剤として紫外線硬化タイプの液レジスト
、ドライフィルム等を用いたときは、それに適した除去
剤例えば水酸化ナトリウムを主成分とし１こアルカリ除
去剤などの方法によって行う。レジスト膜（７）の除去
後第４図に示すように絶縁基板（１ｏ）への金属膜（５
）、導体回路（６）の積層及び、第５図に示すように導
体回路（６）絶縁基板へのめり込み即ち、埋設、第６図
に示す陰極（１）の分離を行う。即ち、第４図に示すよ
うに陰極（１）に析出し、表面処理を施した導体回路（
６）に、絶縁基板（１０）を重ねる。絶縁基板（１０）
は有機材料、無機材料いずれでも可能であり、例えばガ
ラス、エポキン、フェノール、ポリイミド、ポリエステ
ル、アラミツド等の材料を用いることができるが、加熱
圧着により導体回路（６）が表面から絶縁基板（１０）
へめり込むことが可能な素材構造であることが必要であ
る。

この実施例ではガラス布基材エポキシ樹ｔ１６　（ガラ
ス布エポキン、ガラス基材エボキノ樹）旨銅張積層板）
を使用する。導体回路（６）の絶縁基板（１０）へのめ
り込みは、導体回路（６）より軟らかい素材で絶縁基板
を構成することでめり込み部分の絶縁基板（１０）全体
を押しのける作用によっても、絶縁基板（１０）の一部
中に含浸する作用によってもよい。

ただし、用いる絶縁基板（１０）に接着力が期待できな
い時は、絶縁基板（１０）または導体回路（６）金属膜
（５）の表面に接着剤を塗布する。陰極（＋１、導体回
路（６）金属膜（５）及びこれと重ねた絶縁基板（１０
）をホットプレスに挿入して加熱圧着し、導体回路（６
）及び金属膜（５）と絶縁基板（１０）を強固に密着せ
しめ、かつ導体回路（６）を第５図に示すように絶縁基
板（１０）にめり込ませ、埋設状態とし、積層板を形成
させた後、陰極（１）から分離する。ホットプレスはｌ
　７０　’Ｃ〜２００℃望ましくは１７０℃〜１８０℃
の温度条件で、５５〜７０ｋｇ／　ｃｍ”望ましくは６
４ｋｇ／ｃｍ”の圧力で６５〜８５分間望ましくは７５
分間行う。導体回路（６）は金属膜（５）により中方向
が支持されているため、ゼットプレス時にも移動するこ
とはない。このとき、平板状導電材（２）と金属膜（５
）との間の密着力より金属膜（５）及び導体回路（６）
と絶縁基板（１０）との間の密着力の方が大であるため
、第６図に示すように、絶縁基板（１０）側には金属膜
（５）及び導体回路（６）が転写される。ついでドリリ
ングを行う。即ち、所定の位置に第７図に示すように、
金属膜（５）、導体回路（６）、絶縁基板（１０）を貫
通し、電子部品のリード端子の挿入可能な孔（２４）を
設ける。このとき導体回路（６）は、金属膜（５）で支
持されるため移動することはない。

ついで、金属膜（５）を酸等により溶解除去し、第８図
に示すような導体間が正規の絶縁状態となった導体回路
板を得る。このとき、導体回路（６）の表面は絶縁基板
（１０）表面と同一平面を形成する。酸による処理のし
易さからは金属膜（５）は銅からなることが望ましい。

酸等による金属の除去は、金属膜（５）のみでたり、平
板状導電材（２）に直接回路を形成した時には必要とさ
れる平板状導電材（２）までの酸等による除去は不要で
あるので、いわゆるソフトエツチングですみ、工程の短
縮、時間の短縮、平板状導電材（２）の再使用が容易と
なる。

ついで、第９図に示すように導体回路（６）及び絶縁基
板（１０）表面の孔（２４）形成部分間に数μ〜数十μ
厚の非導電性レジスト膜（２５）（オーバーレイ）を被
覆する。導体回路（６）は、めり込んだ箇所の絶縁基板
（１０）の周囲により両側は挟持され、かつ密着してお
り、絶縁基板（１０）表面及び導体回路（６）表面は同
一の平面を形成しているため、非導電性レジスト膜（２
５）即ち、オーバーレイを用いる場合、導体回路（６）
との間に空隙を生じて空気が入り込むことはなく、オー
バレイ表面も平面となり導体回路（６）は移動すること
はない。しかして、陰極（１）の平板状導電材（２）表
面から金属膜（５）及び導体回路（６）及び非導電性レ
ジスト膜（７）が分離するため、平板状導電材（２）の
表面を必要に応じて研摩し、再び前記工程を繰り返すこ
とで導体回路板を形成することが可能となる。導体回路
板の非導電性レジスト膜（２５）は、同一平面となった
、絶縁基板（１０）表面及び導体回路（６）表面に被覆
されるため、非導電性レジスト膜（２５）自体も平面状
にかけられ、従来例のように谷部を形成することはない
。そのため、第１０図に示すように電子部品のリード端
子（２７）をハンダ（２６）で導体回路（６）に固定し
たとき、仮にハンダ（２６）が仮に溢れても、水平に横
に流れ、非導電性レジスト膜（２５）の谷部表面に沿っ
て流れるため生ずるブリッジを発生することはない。そ
のためブリッジ防止のための二重のレジストも不要とな
る。

次ぎに本発明の第２実施例を実施例図面に基づき説明す
る。

第１実施例で得られた第３図に示す状態の導体回路（６
）及び非導電性レジスト膜（７）表面を水洗後、導体回
路（６）及び非導電性レジスト膜（力の表面処理を行う
。非導電性レジスト膜（７）を形成するレジスト剤の種
類の選択は、平板状導電材（２）表面の表面処理ととも
に、平板状導電材（２）と金属膜（５）との間の密着力
の方が、非導電性レジスト膜（７）及び導体回路（６）
と金属膜（５）との間の密着力より相対的に弱くなるよ
うに選択しておく。

表面処理は、次工程での積層板である絶縁基板（１０）
への導体回路（６）圧着後における両者間の密着力を確
保するため、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（
７）の表面を粗化するために行うものであり、例えば電
解処理後微細粒子処理をする工程、次いでバリヤー処理
、亜鉛メッキ処理をする工程、次いで化学処理、防錆処
理、カセイソーダ処理をする工程から成る。導体回路（
６）の表面処理及びレジスト剤の選択により、ホットプ
レス後の導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）
と絶縁基板（１０）との密着力は、平板状導電材（２）
と金属膜（５）との密着力より大となるように制御する
。

表面処理・終了後、水洗、乾燥し、第１１図に示すよう
に絶縁基板（１ｏ）への金属膜（５）、導体回路（６）
及び非導電ルジスト膜（７）の積層及び、第１２図に示
すように陰極（＋）の分離を行う。即ち、第１１図に示
すように陰極（１）に析出し、表面処理を施した導体回
路（６）及び非導電性レジスト膜（７）に、絶縁基板（
１０）を重ねる。絶縁基板（１０）は有機材料、無機材
料いずれでも可能であり、例えばガラス、エポキシ、フ
ェノール、ポリイミド、ポリエステル、アラミツド等の
材料を用いることができる。また、鉄、アルミ等導電材
料の表面にホーロウを被覆し、またはアルミ表面を酸化
するアルマイト処理を施して絶縁した材料でもよい。た
だし、用いる絶縁基板（１０）に接着力が期待できない
時は、絶縁基板（１０）または導体回路（６）及び非導
電性レジスト膜（力の表面に接着剤を塗布する。

陰極（１）、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（
７）及びこれと重ねた絶縁基板（１ｏ）をホットプレス
に挿入して加熱圧着し、導体回路（６）及び非導電性レ
ジスト膜（７）と絶縁基板（１ｏ）を強固に密着せしめ
、積層板を形成させた後、陰極（１）から分離する。ホ
ットプレスは１７０８Ｃ〜２００℃望ましくは１７０　
’Ｃ〜１８０℃の温度条件で、５５〜７０ｋｇ／　ｃｍ
２望ましくは６４ｋｇ／ｃｍ’の圧力で６５〜８５分間
望ましくは７５分間行う。このとき、平板状導電材（２
）と金属膜（５）との間の密着力より、金属膜（５）と
非導電性レノスト膜（７）及び導体回路（６）との間の
密着力の方が大であり、更に、非導電性レジスト膜（７
）及び導体回路（６）と絶縁基板（ｌＯ）との間の密着
力も平板状導電材（２）と金属膜（５）との間の密着力
より大であるため、第１２図に示すように、絶縁基板（
１０）側には金属膜（５）及び導体回路（６）及び非導
電性レジスト膜（７）が転写される。ついで所定の位置
に第１３図に示すように、金属膜（５）、導体回路（６
）、絶縁基板（１０）を貫通し、電子部品のリード端子
の挿入可能な孔（２４）を設けろ。このとき、導体回路
（６）は、金属膜（５）で支持されるため移動すること
はない。ついで、金属膜（５）を酸等により溶解除去し
、第１４図に示すような導体間が正規の絶縁状態となっ
た導体回路板を得る。酸による処理のし易さからは金属
膜（５）は銅からなることかが望ましい。

ついで、第１５図に示すように金属膜（５）の孔（２４
）形成部分間の金属＠（５）、非導電性レジスト膜（７
）表面に数μ〜数十μ厚の非導電性レジスト膜（２５０
オーバーレイ）を被覆する。導体回路（６）は、非導電
性レジスト膜（７）により両側は挟持され、かつ非導電
性レジスト膜（７）と密着しているため、非導電性レジ
スト膜（２５）即ちオーバーレイを用いる場合、導体回
路（６）との間に空隙を生じて空気が入り込むことはな
く、導体回路（６）は移動することはない。しかして、
陰極（１）の平板状導電材（２）表面から金属膜（５）
及び導体回路（６）及び非導電材レジスト膜（７）が分
離するため、平板状導電材に）の表面を必要に応じて研
摩し、再び前記工程を繰り返すことで導体回路板を形成
することが可能となる。導体回路板の非導電性レジスト
膜（２５）は、同一平面となった、絶縁基板（１０）及
び導体回路（６）表面に被覆されるため、非導電性しシ
スト膜（２５）自体も平面状にかけられ、従来例のよう
に谷部を形成することはない。そのため、第１６図に示
すように電子部品のリード端子（２７）をハンダ（２６
）で導体回路（６）に固定したとき、仮にハンダ（２６
）が仮に溢れても、非導電性レジスト膜（２５）の谷部
表面にそって流れるため生、するブリッジを発生するこ
とはない。そのためブリッジ防止のための二重のレジス
トも不要となる。

両面実装の導体回路板とするときは、絶縁基板の両面に
ついてこれらの作業を施し、スルホールメッキを行えば
良い。

（へ）発明の効果 本発明による導体回路板の製造方法によれば、非導電性
レジスト膜は、金属膜、導体回路とともに絶縁基板に転
写されるなどして陰極の平板状導電材表面には残らない
ため、平板状導電材からの非導電性レジスト膜の除去は
不要となり、平板状導電材の再使用が可能となる。更に
、導体回路は非導電性レジスト膜間あるいは絶縁基板間
に存し、これら表面と同一平面を形成するため、絶縁基
板への接着オーバレイ工程において、導体回路とオーバ
レイとの間に空気が封じられ、導体回路及び接着剤が酸
化することはない。

導体回路は、このような構造からなるため同時に、導体
回路表面にオーバレイフィルムをロールでかけるときも
、導体回路が移動することもない。更に、導体回路は、
陰極の平板状導電材に被覆した電気化学的に欠陥の無い
金属膜上に電析されるためピンホールを生ずることもな
い。また、導体回路は、金属膜上に密着した後、一体か
つ直接に絶縁板においてホットプレス等により密着、転
写せしめて陰極から分離するため、導体回路に亀裂、シ
ワ等の品質上の欠陥を生ずることがない。

更には、導体回路の製造には高速メッキ技術を用いるた
め、例えば１０μの膜厚を得るのに要するメッキ時間は
、１分乃至それ以下とすることができ、極めて生産性が
優れている。

導体回路板の表面もブリッジ発生防止のためのレジスト
は一層ですみ、二層とする手間は省略される。

しかして特に高能率、安価に導体回路板を供給すること
ができることに本発明の最大の意義があり、その実用的
価値は極めて大きい

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第
７図、第８図、第９図、第１０図はこの発明の実施例の
断面図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図、第
１５図、第１６図は他の実施例の断面図、第１７図は同
実施例に使用するメッキ装置の正面断面図、第１８図は
同側面断面概略図、第１９図は第１８図の一部拡大図、
第２０図は第１９図Ａ−Ａ断面図、第２１図、第２２図
、第２３図は従来例図である。 （１）・・・・・・陰極、（２）”””平板状導電材、
（５）・・・・・・金属膜、（６）・・・・・・導体回
路、（７）・・・・・・非導電性レジスト膜、（１０）
・・・・・・絶縁基板、（１１）・・・・・・メッキ装
置、（１３）・・・・・・空隙部、（１４）・・・・・
・不溶性陽極、（２３）・・・・・・メッキ液。 特許出願人　　名幸電子工業株式会社 代理人弁理士　　安　　原　　正　　２同　　　　　　
　　　　　安　　　原　　　正　　　義第１図　　　第
２図 第３図　　　第４図 第５図　　第６図 第１１図　　　　第１２図 第１９図 第２０図 第２２図 手　　続　　補　　正　　書 ｌ　事件の表示 昭和６１年特許願第２１３４８１号 ２　発明の名称 導体回路板 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　名幸電子工業株式会社 ４　　代　　理　　人　　〒１６２ 住所　東京都新宿区市谷船河原町２番地（池１名） 全文訂正明細書 ｌ　発明の名称 導体回路板 ２、特許請求の範囲 ■　絶縁基板に積層する導体回路表面と回路非形成部分
表面とが同一平面からなり、導体回路及び絶縁基板を貫
通する孔を形成する導体回路部分間の表面には非導電性
レジスト膜を形成することを特徴とする導体回路板。 ■　回路非形成部分表面が、導体回路と横方向に一体と
なり、絶縁基板に転写されて密着する非導電性レジスト
膜表面である特許請求の範囲第１項記載の導体回路板。 ■　回路非形成部分表面が、導体回路を絶縁基板表面側
から埋設した箇所以外の絶縁基板表面である特許請求の
範囲第１項記載の導体回路板。 ■　埋設する金団が数μ〜数１００μ厚である特許請求
の範囲第１項又は、第２項又は第３項記載の導体回路板
。 ′３、発明の詳細な説明 （イ）産業上の利用分野 この発明はプリント配線板等の導体回路板、詳細１ごは
、導体回路を電気メッキ等により、銅、ニッケル、ニッ
ケル合金、その池の余興で形成し、絶縁基板に一体に密
着せしめる導体回路板に係る。 更に詳細には、集積回路部品のように極めて小さいピッ
チ間隔の電子部品のリード端子を取り付け、ハンダ付け
しても、リード端子を取り付けた導体回路部分間に溢れ
たハンダによるブリッジの生じにくい導体回路板に係る
。 険）従来の技術 （従来例１） 従来、プリント回路板を製造するには、フェノール、ガ
ラスエポキシ樹脂等の非導電基板（絶縁基板）に、１８
または３５μ、またはそれ以上の膜厚を有する銅環金属
箔を一体に接着せしめ、該銅箔表面のプリント回路構成
部のみにフォトレジスト或いは印刷レジストを密着させ
、不要な銅（露出部）を適当なエッチャントで溶解除去
する方法が知られている。 （従来例２） 他方、金属製回転ドラム又は金属製回転ドラムの周囲を
摺動する金属製ベルトの金属表面上にレジスト剤でマス
クを施し、ついで金属製回転ドラム又は金属製ベルトを
メッキ陰極とし、対向する陽極との間に電流を通ずるこ
とにより金属製回転ドラム又は金属製ベルト表面に銅を
電析せしめ、プリント回路板用導体回路を製造する方法
が知られている（「プリント回路板用導体回路の製造方
法」特公昭５５−３２２３８（ＵＳＰ、４．０５３．３
７０））。 同法により得られた導体回路から導体回路板を作製する
には、金属ドラム又は金属ベルト上の導体回路にポリエ
ステル、ポリイミド、フェノール等目的に応じて選定し
た絶縁基板を、必要に応じて接着剤を介して強固に接着
せしめた後、金属ドラム又は金属ベルトから分離し、次
いでオーバーレイを被覆して導体回路を得る。 （従来例３） プリント配線板に、ＩＣ等のように、小さいピッチ間隔
の電子部品を取り付け、ハンダ付けするときに生ずるブ
リッジを防止するための手段しとては、特公昭５４−４
１１０２ｒプリント配線板」が知られている。この「プ
リント配線板」は、「絶縁基板に導電体パターンを印刷
し、この導電体パターンの形成面に半田付けするランド
を残して全面に第１層の半田付抵抗層を形成し、かつ、
ランド間隔の狭い部分に半田の橋絡を防止する橋絡防止
用の半田付抵抗層を同第１層の半田付抵抗層上に形成し
たことを特徴とするプリント配線板。」からなる。 （ハ）発明が解決しようとする問題点 （従来例１） 現在プリント回路基板の製造方法として最も多用されて
いる従来例１においては、銅箔製造後の表面処理、切断
、絶縁基板への積層等の工程において、単体としての銅
箔に加えられる引張力、折り曲げ力に耐える銅箔厚さで
ある１８μ以上の箔を用いなければならない。 しかるに近年、各種装置、機器を薄型、小型化する傾向
は極めて強くなってきており、従ってこれらに用いられ
るプリント回路基板についても同様なことが言える。ち
なみにプリント回路導体を形成する銅箔の厚さは５〜１
０μ程度が要求されてはいるが、同のような理由により
この要求は未だ満足されていない状況にある。一方、膜
厚が５０〜１５０μ程度の厚銅箔を選択的にエツチング
してプリント回路とする用途もみられる。その好例は、
小型モータであり、従来の胴巻線コイルの代わりにポリ
エステル、ポリイミド等の絶縁基板に接着剤により積層
した銅箔の導体回路とする部分以外の部分をエツチング
により除去したいわゆるシート状コイルを用いるもので
ある。 この工法においては、少なくとも５０μ以上の膜厚を有
する銅箔をエツチングしなければならならず、エツチン
グに要する時間が長くなるため導体端部の寸法精度が低
下するという品質上の問題と同時に製造コストも高くな
るという大きな難点がある。 （従来例２） 従来例２では、導体回路形成に使用するレジスト膜は、
メッキにおける陰極表面からの離脱を防止するため陰極
側表面に強固に固定する必要があり、そのためレジスト
膜は導体回路の陰極表面からの剥離後も陰極に残存する
。そこで陰極を再使用するにはレジストを除去する必要
があり、陰極に残ったレジストは、スコッチブライト、
研摩剤等によって削　、り取る。しかし、物理的に研摩
をすると、陰極として例えばステンレススチールを用い
る場合等は、表面が加工硬化して、再加工はしにくくな
る問題点を有する。 更に、第２１図に断面を示すように、従来得られる導体
回路板においては、絶縁基板（３１）上に、銅からなる
回路（３２）部分のみが突設して形成されている。その
ため、オーバーレイフィルム（３３）を回路（３２）上
から密着せしめる場合には、フィルムは回路（３２）の
外周面に全て密着することはできず、オーバレイフィル
ム（３３）及び回路（３２）で形成される空気を封入し
た空間部（３４）を生ずる。そして、オーバーレイは一
般に加熱して行うため、銅からなる回路（３２）及び接
着剤は加熱されながら空気に触れるため、更には経時に
よっても酸化する問題点を有する。 更に、オーバーレイフィルムをかけるときは、同じく第
２１図に示すようにロール（３５）によって、絶縁基板
（３１）、回路（３２）、オーバーレイフィルム（３３
）を挟んで押圧して行う。しかるに従来は、回路（３２
）は、絶縁基板（３１）から回路部分のみ突設して設置
し、かつ回路（３２）ト絶縁基板（３１）とは接着剤で
固定されているにすぎないため、ローラ（３５）の当接
により、回路（３２）は図中各矢示方向へ移行する問題
点を有する。更に、従来法により得られた導体回路から
導体回路板を作製するには、金属ドラムまたは金属ベル
ト上の導体回路にポリエステル、ポリミド、フェノール
等目的に応じて選定した絶縁基板を、必要に応じて接着
剤を介して強固に密着せしめた後、金属ドラムまたは金
属ベルトから分離し、次いでオーバーレイを被覆して導
体回路板を得るため、分離工程でシワや折れ、打痕、裂
は目等を生ずる問題点を有する。 （従来例３） 従来の導体回路板では第２２図に示すように絶縁基板（
４１）表面には一般に約３５μの導体回路（４２）を積
層し、その上に約１５〜２５μの非導電性レジスト膜（
４３０オーバーレイ）を形成する。そのため、スキージ
−による印刷時に、第２３図に示すように導体回路（４
２）の角（Ａ）の印刷が薄くなったり、導体回路（４２
）間は、導体回路（４２）上に比し、絶縁基板（４１）
側に谷状に低（なって谷部（Ｂ）を形成している。そ、
っため、電子部品（４４）のリード端子（４５）をハン
ダ（４６）で導体回路に固定すると、あふれたハンダ（
４６）は第２３図に示すように、非導電性レジスト膜（
４２）表面に沿って導体回路間に流れやすくなり、ブリ
ッジを生じやすくなる。そのため、従来例３に示す「プ
リント配線板」のように、第２２図に示すような第２層
目の非導電性レジスト膜（半田付抵抗層）（４７）を必
要とした。 しかしながら、２回にわたる膜形成は工程が重複する問
題点を有した。 に）問題点を解決するための手段 この発明は絶縁基板に積層する導体回路表面と回路非形
成部分表面とが同一平面からなり、導体回路及び絶縁基
板を貫通する孔を形成する導体回路部分間の表面には非
導電性レジスト膜を形成することを特徴とする導体回路
板に係る。 （ホ）　　作　　　用 導体回路表面に形成する非導電性レジスト膜は、同一平
面となった導体回路表面及び非回路形成部分表面に被覆
されるため、非導電性レジスト膜自体も平面状にかけら
れ、従来例のように谷部を生ずることはない。そのため
、電子部品のリード端子をハンダで導体回路に固定した
とき、仮にハンダが溢れても、非導電性レジスト膜表面
に沿って流れて、ブリッジを発生することはない。 （へ）　　実　　施　　例 次に本発明の実施例の第１製造方法の詳細を実施例図面
に基づき説明する。本発明に使用する陰極（１）の平板
状導電材（２）は、剛性を有するに足る肉厚（通常５〜
１０ｍｍ）で、例えば１０００Ｘ　１０００ｍｍの平板
状導電材からなり、メッキ工程で使用する薬品に対する
耐薬品性、耐電食性を有することが望ましいことから一
般的にはステンレススチール、ニッケル等を研摩したも
のである。第１図に断面を示すように、陰極（１）のス
テンレススチール、ニッケル板等からなる平板状導電材
（２）中には、電気化学的欠陥部（３）、（４）が存す
る。電気化学的欠陥部（３）、（４）は、金属間化合物
、或いは非金属介在物、偏析、気孔からなり、ステンレ
ススチールの形成過程で浪人生成されたものであり、周
囲と電気化学的性質を異にし、従って平板状導電材（２
）表面にそのまま電析させると、ピンホールを生ずると
いう問題点がある。 更には、従来例２で述べたごとく、メッキ陰極表面上に
直接レジストを形成せしめてメッキにより導体回路を製
作する工法においては、メッキ時の陰極表面からのレジ
ストの脱離を防止するため、陰極レジスト間の密着を強
固にする必要があり、その結果レジストは、導体回路の
陰極表面からの分離後も陰極側に残存し、それによって
特に製品の品質にかかわる問題点を内在している。 本発明においては、上記二つの問題点を同時に解消する
ため、平板状導電材（２）表面に予め金属膜（５）を一
様に形成せしめる。金属膜（５）は導電体であればよい
。金属膜（５）を形成せしめるには、まず平板状導電材
（２）表面に前処理を施す。前処理は平板状導電材（２
）表面の汚れ、酸化皮膜を除去するとともに、平板状導
電材（２）表面と該表面上に形成せしめる金属膜（５）
の界面（８）、及び第３図に示すごとく金属膜（５）表
面と該表面上に形成せしめる導体回路（６）、あるいは
及び非導電性レジスト膜（７）との界面（９）の密着力
の差を生ぜしめ、界面（９）の密着力が界面（８）の密
着力よりも大となるようにすることを目的とする。 平板状導電材としてステンレススチールを用いる場合は
例えば次ぎに述べるような表面処理を施せばよい。まず
、硫酸：８０〜１００ｍ＋２／Ｑ１６０〜７０℃で、１
０〜３０分かけてスケール除去を行う。ついで水洗し、
硝酸二６０〜１００ｍ（！／ｉ２＋　３０９ＩＱ酸性フ
ツ化アンモニウムにより室温下で１０〜３０分スマット
除去する。ついで水洗し、リン酸ナトリウム２０〜５０
９ＩＱ、水酸化ナトリウム５ｈ＃！、３〜８Ａ／ｄＩ１
１！、室温〜４ｏ℃）条件下で１〜２分陰極電解脱脂す
る。表面処理の各１程の時間、温度、濃度条件を変える
ことで、金属膜（５）との密着力の強弱をつけ、平板状
導電材（２）と金属膜（５）間の密着力と、金属膜（５
）と導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）間の
密着力との相対的な密着力の違いを生ぜしむる。 同様に、平板状導電材に）としてニッケルを用いた場合
は例えば以下のような表面処理をおこなう。 即ち、リン酸ナトリウム２０〜５０９／Ｑ、水酸化ナト
リウム５０９／Ｑ、　３〜８Ａ　／ｄｍ”、室温〜４０
℃の条件下で１〜２分陰極電解脱脂を行う。ついで水洗
し、フッ化水素１〜１０９／Ｑ、５０℃で１〜１０分の
条件下、または、塩酸：　１５０ｍ（！／（！の、５０
℃、１〜１０分の条件下で活性化し、ついで水洗し、４
０〜６０℃の温水水洗をおこなう。平板状導電材（２）
としてチタン及びチタン合金を用いる場合は例えば以下
のような表面処理を行う。 即ち、まず、リン酸ナトリウム２０〜５０９／Ｑ、　５
０〜６０℃の条件下で３〜５分アルカリ浸漬脱脂を行う
。ついで水洗し、活性化を行う。活性化は、化学エツチ
ングにより行う。化学エツチングは２５％ＨＦ、７５％
ＨＮＯ３により、純チタン、又はチタン合金について行
う。 平板状導電材（２）として銅または銅合金を用いる場合
は、まずリン酸ナトリウム２０〜５０ｇ／１２．５０〜
６０℃、３〜ＩＯＡ／ｄｍ″の条件下で３０秒〜２分間
、電解し、陰極電解脱脂する。ついで水洗し、フッ化水
素１〜１０９／１２．室温下で３０秒〜２分間酸洗いし
、ついで水洗して行う。このように表面処理した平板状
導電材（２）表面に金属膜（５）を積層する。金属膜（
５）は、銅、ニッケル、ニヅケルーリン合金等を用いる
ことができる。これら金属薄層は、電気メッキ、無電解
メッキ、蒸着、スパッタリング等により、０．１〜数μ
（２〜３μ）厚で積層する。ここにおいて、平板状導電
材（２）表面にピンホール等の物理的欠陥が存在せず、
又電気化学的欠陥も存在しない電気化学的に一様にして
適度の密着力を有する金属膜（５）を積層する陰極（１
）を得る。 ついで、金属膜（５）表面に第２図に示すように非導電
性レジスト膜（力を固定する。非導電性レジスト膜（７
）は、フォトレジスト法、印刷法等により、必要とされ
る回路以外の部分をレジスト剤でマスクする。 この陰極（１）を、第１７図、第１８図に示すメッキ装
置（１１）のフレーム（１２）の上部中央に水平に設置
した銅と鉛から成る板状不溶性陽極（１４）に、金属膜
（５）非導電性レジスト膜（７）の表面を向けて平行に
対向させて固定し、陰極（１）及び不溶性陽極（１４）
の対向面の空隙部（１３）をＱ＝１〜３０ＩＩＩＩ１１
の範囲内に、好ましくは１〜１０ｍｍ。 更に好ましくは１〜５ｍｍの範囲に設置する。不溶性陽
極（１４）は第１８図、第１９図に示すように大電流を
通電するための銅板（１４）ａ　、（１４）ｂの表面全
体に鉛（１４）ｃを肉厚２〜１ＯＩｌｌＩＩ１１好まし
くは３〜７ｍｍの範囲内で一様にアセチレントーチ等で
被覆してなる。 このようにして形成された陰極（１）及び不溶性陽極（
１４）との空隙部（１３）に高速流でメッキ液（２３）
を圧入するノズル（１５）を、第２０図ニ示すように不
溶性陽極（１４）の少なくとも全幅にわたって開口せし
め、ノズル（１５）の基部は導管（１６）に連結し、導
管（１６）はポンプ（１７）に連結する。ポンプ（１７
）は更に他の導管を介してメッキ液貯槽（図示せず）に
接続する。ノズル（１５）を設けた不溶性陽極（１４）
の対向辺には不溶性陽極（１４）の少なくとも全幅にわ
たって排液口（１８）を設け、導管（１９）に連結する
。導管（１９）は前記メッキ液貯槽（図示せず）に接続
することにより、ポンプ（１７）から吐出されたメッキ
液（２３）、この実施例では、電気銅メッキ液は導管（
１６）、ノズル（１５）、陰極（１）と不溶性陽極（１
４）との空隙部（１３）、排液口（１８）、導管（１９
）を順次通過してメッキ液貯槽に蓄えられ、ここから再
びポンプ（１７）により吐出され、連続して循環される
。 本発明において使用されるメッキ液（２３）は、金属銅
濃度１．Ｇ　〜２．０ｍｏ（／　Ｑ、好ましくは１２〜
１　、８ｍｏ１２／　（１，最も好ましくは１．４〜１
．６ｍｏｃ／Ｌ硫酸を轟度３０〜７０ｇＩＱ含有する硫
酸銅メッキ液で、ノズル（１５）より高速メッキゾーン
・＼５５〜７０℃で、好ましくは６０〜６５°Ｃの液温
で供給される。このような条件を満足する硫酸銅メッキ
液を用いることにより、前記のように不溶性陽極（１４
）を使用することができ、従って極間距離を一定に保つ
ことができる。それにより品質の安定、製造工程の一貫
性をはかることができる。メッキ液温が５５℃以下であ
ると、銅イオンの移動速度か低下するため電極表面に分
極層が生じ易くなり、メッキ堆積速度が低下する。一方
、液温か７０℃を越えるとメッキ液（２３）の蒸発量が
多くなり濃度が不安定となる。 メッキ液（２３）はノズル（１５）から電極間空隙部（
１３）へ１．５〜２．５ｍ／ｓｅｃで、好ましくは２ｍ
／ｓｅｃＭ後の流速で、かつ乱流状態で供給することに
より、電極表面近傍の金属イオン濃度が極変に低下しな
いように、即ち分極層の生長を抑えて、高速度でメッキ
膜を成長させることが可能となる。 本発明におけるメッキ工程では、陰極（１）と不溶性陽
極（１４）との間に、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性
を有する給電板（２０）、陽極電源コード（２１）、陰
極電源コード（２２）を介して、０．８〜４．０Ａｍｐ
／ｃｍ”の高電流を通電する。 以上の操作により、不溶性陽極（１４）に対向する陰極
（１）の表面上の非導電性レジスト膜（７）でマスキン
グしない部分には、毎分２５〜１００μの堆積速度で高
密度の微細結晶構造を有する銅膜を析出することができ
、第３図に示すように導体回路（６）は金属膜（５）と
密着する。このように本発明によれば従来のメッキ技術
の１０〜２００倍という高能率で銅膜を製造することが
でき、実用上極めて大きな意義を有している。 メッキ工程において陰極（１）表面上の非導電性レジス
ト膜（７）でマスキングしない部分に必要な厚さ、本発
明の主目的とするところでは数（２〜３）μ〜数百（２
００〜３００）μで導体回路（６）が形成された時点で
、通電及びメッキ液（２３）の供給を停止し、導体回路
（６）、非導電性レジスト膜（７）、及び金属膜（５）
と平板状導電材（２）を一体のまま高速メッキ装置（１
１）から取り外す。この状態において平板状導電材（２
）表面には、金属膜（５）か、金属膜（５）表面には、
導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（７）が積層さ
れている。導体回路（６）は電気化学的に平滑な金属膜
（５）上に積層するので、１０μ以下の厚さでもピンホ
ールは生じない。 ついで、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（力表
面を水洗後、導体回路（６）の表面処理を行う、表面処
理は、次工程での積層板である絶縁基板（１０）への導
体回路（６）圧着後における両者間の密着力を確保する
ため、導体回路（６）の表面を粗化するために行うもの
であり、例えば電解処理後微細粒子処理をする工程、次
いでバリヤー処理、亜鉛メッキ処理をする工程、次いで
化学処理、防錆処理、カセイソーダ処理をする工程から
成る。導体回路（６）の表面処理により、ホットプレス
（加熱圧着）後の導体回路（６ンと絶縁基板（１０）と
の転写による密導電性レジスト膜（７）を除去する。非
導電性レジスト膜（７）の除去は、レジスト剤として紫
外線硬化タイプの液レジスト、ドライフィルム等を用い
たときは、それに適した除去剤例えば水酸化ナトリウム
を主成分としたアルカリ除去剤などの方法によって行う
。レジスト膜（７）の除去後第４図に示すように絶縁基
板（１０）への金属膜（５）、導体回路（６）の積層及
び、第５図に示すように導体回路（６）絶縁基板へのめ
り込み即ち、埋設、第６図に示す陰極（１）の分離を行
う。即ち、第４図に示すように陰極（１）に析出し、表
面処理を施した導体回路（６）に、絶縁基板（１０）を
重ねる。絶縁基板（１０）は有機材料、無機材料いずれ
でも可能であり、例えばガラス、エポキシ、フェノール
、ポリイミド、ポリエステル、アラミツド等の材料を用
いることができるが、加熱圧着により導体回路（６）が
表面から絶縁基板（１０）へめり込むことが可能な素材
構造であることが必要である。この実騙例ではガラス布
基材エポキシ樹脂（ガラス布エポキシ、ガラス基材エポ
キシ樹脂鋼張積層板）を使用する。導体回路（６）の絶
縁基板（１０）へのめり込みは、導体回路（６）より軟
らかい素材で絶縁基板を構成することでめり込み部分の
絶縁基［（１０）全体を押しのける作用によっても、絶
縁基板（１０）の一部中に含浸する作用によってもよい
。 ただし、用いる絶縁基板（１０）に接着力が期待できな
い時は、絶縁基板（１０）または導体回路（６）金属膜
（５）の表面に接着剤を塗布する。陰極（１）、導体回
路（６）・金属膜（５）及びこれと重ねた絶縁基板（１
０）をホットプレスに挿入して加熱圧着し、導体回路（
６）及び金属膜（５）と絶縁基板（１０）を強固に密着
せしめ、かつ導体回路（６）を第５図に示すように絶縁
基板（１０）にめり込ませ、埋設状態とし、積層板を形
成させた後、陰極（１）から分離する。ホットプレスは
１７０℃〜２０Ｇ℃望ましくは１７（１℃〜１ｇ＋１℃
の温度条件で、５５〜７０ｋｇ／　ｃｍ２望ましくは６
４ｋｇ／ｃｍ’の圧力で６５〜８５分間望ましくは７５
分間行う。導体回路（６）は金属膜（５）により中方向
が支持されているため、ホットプレス時にも移動するこ
とはない。このとき、平板状導電材（２）と金属膜（５
）との間の密着力より金属膜（５）及び導体回路（６）
と絶縁基板（１０）との間の密着力の方が犬であるため
、第６図に示すように、絶縁基板（１Ｇ）側には金属膜
（５）及び導体回路（６）が転写される。ついでドリリ
ングを行う。即ち、所定の位置に第７図に示すように、
金属膜（５）、導体回路（６）、絶縁基板（１０）を貫
通し、電子部品のリード端子の挿入可能な孔（２４）を
設ける。このとき導体回路（６）は、金属膜（５）で支
持されるため移動することはない。 ついで、金属膜（５）を酸等により溶解除去し、第８図
に示すような導体間が正規の絶縁状態となった導体回路
板を得る。このとき、導体回路（６）の表面は絶縁基板
（１０）表面と同一平面を形成する。酸による処理のし
易さからは金属膜（５）は銅からなることが望ましい。 酸等による金属の除去は、金属膜（５）のみでたり、平
板状導電材（２）に直接回路を形成した時には必要とさ
れる平板状導電材（２）までの酸等による除去は不要で
あるので、いわゆるソフトエツチングですみ、工程の短
縮、時間の短縮、平板状導電材（２）の再使用が容易と
なる。 ついで、第９図に示すように導体回路（６）及び絶縁基
板（１０）表面の孔（２４）形成部分間に数μ〜数十μ
厚の非導電性レジスト膜（２５０オーバーレイ）を被覆
する。導体回路（６）は、めり込んだ箇所の絶縁基板（
１０）の周囲により両側は挟持され、かつ密着しており
、絶縁基板（１０）表面及び導体回路（６）表面は同一
の平面を形成しているため、非導電性レジスト膜（２５
）即ち、オーバーレイを用いる場合、導体回路（６）と
の間に空隙を生じて空気が入り込むことはなく、オーバ
レイ表面も平面となり導体回路（６）は移動することは
ない。しかして、陰極（１）の平板状導電材（２）表面
から金属膜（５）及び導体回路（６）及び非導電性レジ
スト膜（７）が分離するため、平板状導電材（２）の表
面を必要に応じて研摩し、再び前記工程を繰り返すこと
で導体回路板を形成することが可能となる。導体回路板
の非導電性レジスト膜（２５）は、同一平面となった、
絶縁基板（１０）表面及び導体回路（６）表面に被覆さ
れるため、非導電性レジスト膜（２５）自体も平面状に
かけられ、従来例のように谷部を形成することはない。 そのため、第１０図に示すように電子部品のリード端子
（２７）をハンダ（２６）で導体回路（６）に固定した
とき、仮にハンダ（２６）が仮に溢れても、水平に横に
流れ、非導電性レジスト膜（２５）の谷部表面に沿って
流れるため生ずるブリッジを発生することはない。その
ためブリッジ防止のための二重のレジストも不要となる
。 次ぎに本発明の実施例の第２製造方法を実施例図面に基
づき説明する。 第１製造方法で得られた第３図に示す状態の導体回路（
６）及び非導電性レジスト膜（７）表面を水洗後、導体
回路（６）及び非導電性レジスト膜（力の表面処理を行
う。非導電性レジスト膜（７）を形成するレジスト剤の
種類の選択は、平板状導電材（２）表面の表面処理とと
もに、平板状導電材（２）と金属膜（５）との間の密着
力の方が、非導電性レジスト膜（力及び導体回路（６）
と金属膜（５）との間の密着力より相対的に弱くなるよ
うに選択しておく。 表面処理は、次工程での積層板である絶縁基板（１０）
への導体回路（６）圧着後における両者間の密着力を確
保するため、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（
７）の表面を粗化するために行うものであり、例えば電
解処理後微細粒子処理をする工程、次いでバリヤー処理
、亜鉛メッキ処理をする工程、次いで化学処理、防錆処
理、カセイソーダ処理をする工程から成る。導体回路（
６）の表面処理及びレノスト剤の選択により、ホットプ
レス後の導体回路（６）及び非導電性レノスト膜（力と
絶縁基板（１０）との密着力は、平板状導電ヰオ（２）
と金属膜（５）とのづぺ　莫　−ｈ　　し　ハ　＋　〕
−すご　ス　　シ　　ら　？−慟１４１　十　六　へ表
面処理終了後、水洗、乾燥し、第１１図に示すように絶
縁基板（１０）への金属膜（５）、導体回路（６）及び
非導電性レジスト膜（７）の積層及び、第１２図に示す
ように陰極（１）の分離を行う。即ち、第１１図に示す
ように陰極（１）に析出し、表面処理を施した導体回路
（６）及び非導電性レジスト膜（７）に、絶縁基板（１
０）を重ねる。絶縁基板（ｌＯ）は有機材料、無機材料
いずれでも可能であり、例えばガラス、エポキシ、フェ
ノール、ポリイミド、ポリエステル、アラミツド等の材
料を用いることかできる。また、鉄、アルミ等導電材料
の表面にホーロウを被覆し、またはアルミ表面を酸化す
るアルマイト処理を施して絶縁した材料でもよい。ただ
し、用いる絶縁基板（１０）に接着力が期待できない時
は、絶縁基板（１０）または導体回路（６）及び非導電
性レジスト膜（７）の表面に接着剤を塗布する。 陰極（１）、導体回路（６）及び非導電性レジスト膜（
７）及びこれと重ねた絶縁基板（１０）をホットプレス
に挿入して加熱圧若し、導体回路（６）及び非導電性レ
ジスト膜（７）と絶縁基板（１０）を強固に密着せしめ
、積層板を形成させた後、陰極（１）から分離する。ホ
ットプレスは１７０℃〜２００℃望ましくは１７０℃〜
１８０℃の温度条件で、５５〜７０ｋｇ／　ｃｍ”望ま
しくは６４ｋｇ／ｃｍ″の圧力で６５〜８５分間望まし
くは７５分間行う。このとき、平板状導電材（２）と金
属膜（５）との間の密着力より、金属膜（５）と非導電
性レジスト膜（７）及び導体回路（６）との間の密着力
の方が大であり、更に、非導電性レジスト膜（力及び導
体回路（６）と絶縁基板（１０）との間の密着力も平板
状導電材（２）と金属膜（５）との間の密着力より大で
あるため、第１２図に示すように、絶縁基板（１０）側
には金属膜（５）及び導体回路（６）及び非導電性レジ
スト膜（７）が転写される。ついで所定の位置に第１３
図に示すように、金属膜（５）、導体回路（６）、絶縁
基板（１０）を貫通し、電子部品のリード端子の挿入可
能な孔（２４）を設ける。このとき、導体回路（６）は
、金属膜（５）で支持されるため移動することはない。 ついで、金属膜（５）を酸等により溶解除去し、第１４
図に示すような導体間が正規の絶縁状態となった導体回
路板を得る。酸による処理のし易さからは金属膜（５）
は銅からなることかが望ましい。 ついで、第１５図に示すように金属膜（５）の孔（２４
）形成部分間の金属膜（５）、非導電性レジスト膜（７
）表面に数μ〜数十μ厚の非導電性レジスト膜（２５）
（オーバーレイ）を被覆する。導体回路（６）は、非導
電性レジスト膜（力により両側は挟持され、かつ非導電
性レジスト膜（力と密着しているため、非導電性レジス
ト膜（２５）即ちオーバーレイを用いる場合、導体回路
（６）との間に空隙を生じて空気が入り込むことはなく
、導体回路（６）は移動することはない。しかして、陰
極（１）の平板状導電材（２）表面から金属膜（５）及
び導体回路（６）及び非導電材レジスト膜（７）が分離
するため、平板状導電材（２）の表面を必要に応じて研
摩し、再び前記工程を繰り返すことで導体回路板を形成
することが可能となる。導体回路板の非導電性レジスト
膜（２５）は、同一平面となった、絶縁基板（ｌＯ）及
び導体回路（６）表面に被覆されるため、非導電性レジ
スト膜（２５）自体も平面状にかけられ、従来例のよう
に谷部を形成することはない。そのため、第１６図に示
すように電子部品のリード端子（２７）をハンダ（２６
）で導体回路（６）に固定したとき、仮にハンダ（２６
）が仮に溢れても、非導電性レジスト膜（２５）の谷部
表面にそって流れるため生ずるブリッジを発生すること
はない。そのためブリッジ防止のための二重のレジスト
も不要となる。 両面実装の導体回路板とするときは、絶縁基板の両面に
ついてこれらの作業を施し、スルホールメッキを行えば
良い。 （へ）発明の効果 本発明による導体回路板の製造方法によれば、非導電性
レジスト膜は、金属膜、導体回路とともに絶縁基板に転
写されるなどして陰極の平板状導電材表面には残らない
ため、平板状導電材からの非導電性レジスト膜の除去は
不要となり、平板状導電材の再使用が可能となる。更に
、導体回路は非導電性レジスト膜間あるいは絶縁基板間
に存し、これら表面と同一平面を形成するため、絶縁基
板への接着オーバレイ工程において、導体回路とオーバ
レイとの間に空気が封じられ、導体回路及び接着剤が酸
化することはない。 導体回路は、このような構造からなるため同時に、導体
回路表面にオーバレイフィルムをロールでかけるときも
、導体回路が移動することもない。更に、導体回路は、
陰極の平板状導電材に被覆した電気化学的に欠陥の無い
金属膜上に電析されるためピンホールを生ずることもな
い。また、導体回路は、金属膜上に密着した後、一体か
つ直接に絶縁板においてホットプレス等により密着、転
写せしめて陰極から分離するため、導体回路に亀裂、シ
ワ等の品質上の欠陥を生ずることがない。 更には、導体回路の製造には高速メッキ技術を用いるた
め、例えば１０μの膜厚を得るのに要するメッキ時間は
、１分乃至それ以下とすることができ、極めて生産性が
優れている。 導体回路板の表面もブリッジ発生防止のためのレジスト
は一層ですみ、二層とする手間は省略される。 しかして特に高能率、安価に導体回路板を供給すること
ができることに本発明の最大の意義があり、その実用的
価値は極めて大きい４、図面の簡単な説明 第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第
７図、第８図、第９図、第１０図はこの発明の実施例の
断面図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図、第
１５図、第１６図は他の実施例の断面図、第１７図は同
実施例に使用するメッキ装置の正面断面図、第１８図は
同側面断面概略図、第１９図は第１８図の一部拡大図、
第２０図は第１９図Ａ−Ａ断面図、第２１図、第２２図
、第２３図は従来例図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　絶縁基板に積層する導体回路表面と回路非形成部分
   表面とが同一平面からなり、導体回路及び絶縁基板を貫
   通する孔を形成する導体回路部分間の表面には非導電性
   レジスト膜を形成することを特徴とする導体回路板。 ２　回路非形成部分表面が、導体回路と横方向に一体と
   なり、絶縁基板に転写されて密着する非導電性レジスト
   膜表面である特許請求の範囲第１項記載の導体回路板。 ３　回路非形成部分表面が、導体回路を絶縁基板表面側
   から埋設した箇所以外の絶縁基板表面である特許請求の
   範囲第１項記載の導体回路板。 ４　埋設する金属が数μ〜数１００μ厚である特許請求
   の範囲第１項又は、第２項又は第３項記載の導体回路板
   。 ５　剛性を有しメッキ装置に固定する平板状導電性陰極
   基材表面に金属膜を一体に被覆せしめ、金属膜表面上の
   導体回路を形成せしめようとする部分以外の部分には、
   非導電性レジスト膜を密着せしめて陰極を構成し、該メ
   ッキ陰極に平行に対向する不溶性陽極を１〜３０ｍｍの
   間隙を有して配置固定し、固定された陰極と不溶性陽極
   との間に形成される空隙部にメッキ液を１ｍ／ｓｅｃ以
   上の高速度で移動するように供給するとともに、陰極と
   陽極との間に０．８〜４．０Ａ／ｃｍ＾２の電流密度と
   なるように通電し、導体回路形成部分のみに選択的に金
   属を高速度で電析せしめ、金属導体が所要の膜厚に達し
   たところで通電を止めて導体回路を形成し、非導電性レ
   ジスト膜を除去し、導体回路表面に絶縁基板を積層し、
   絶縁基板と平板状導電性陰極基材を圧着することで、導
   体回路を絶縁基板中にめり込ませるとともに導体回路及
   び金属膜を絶縁基板に一体に密着せしめ、金属膜及び導
   体回路を一体に陰極材より分離し、金属膜及び導体回路
   及び絶縁基板を貫通する孔を所定位置に形成し、導体回
   路表面を被覆する最表層金属膜を除去し、孔を形成する
   導体回路部分間の表面には非導電性レジスト膜を形成す
   ることで導体回路板とすることを特徴とする導体回路板
   の製造方法。 ６　圧着が加熱圧着である特許請求の範囲第５項記載の
   導体回路板の製造方法。 ７　金属膜、導体回路を分離した平板状導電性陰極基材
   は研摩、活性化した後再び同工程を繰り返すことにより
   導体回路を製造する特許請求の範囲第５項、又は第６項
   記載の導体回路板の製造方法。 ８　剛性を有しメッキ装置に固定する平板状導電性陰極
   基材表面に金属膜を一体に被覆せしめ、金属膜表面上の
   導体回路を形成せしめようとする部分以外の部分には、
   非導電性レジスト膜を密着せしめて陰極を構成し、該メ
   ッキ陰極に平行に対向する不溶性陽極を１〜３０ｍｍの
   間隙を有して配置固定し、固定された陰極と不溶性陽極
   との間に形成される空隙部にメッキ液を１ｍ／ｓｅｃ以
   上の高速度で移動するように供給するとともに、陰極と
   陽極との間に０．８〜４．０Ａ／ｃｍ＾２の電流密度と
   なるように通電し、導体回路形成部分のみに選択的に金
   属を高速度で電析せしめ、金属導体が所要の膜厚に達し
   たところで通電を止めて導体回路を形成し、ついで導体
   回路表面に粗面化処理を施し、次いで絶縁基板に陰極基
   材表面上の金属膜、導体回路、非導電性レジスト膜を一
   体に密着せしめた後、金属膜、導体回路、非導電性レジ
   スト膜及び絶縁基板を一体に陰極材より分離し、金属膜
   及び導体回路及び絶縁基板を貫通する孔を所定位置に形
   成し、非導電性レジスト膜表面を被覆する最表層金属膜
   を除去し、孔を形成する導体回路部分間の表面には非導
   電性レジスト膜を形成することを特徴とする導体回路板
   の製造方法。 ９　圧着が加熱圧着である特許請求の範囲第８項記載の
   導体回路板の製造方法。 １０　金属膜、導体回路及び非導電性レジスト膜を分離
   した平板状導電性陰極基材は研摩、活性化した後再び同
   工程を繰り返すことにより導体回路を製造する特許請求
   の範囲第８項、又は第９項記載の導体回路板の製造方法
   。