JP3252534B2 - 基板への導電パターン形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上または多層基板
内の絶縁層上等に導電パターンを形成するための方法に
関し、特に、複雑な導電パターンを容易にかつ安価に形
成し得る方法に関する。
内の絶縁層上等に導電パターンを形成するための方法に
関し、特に、複雑な導電パターンを容易にかつ安価に形
成し得る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器や電子部品の小型化に伴って、
基板上あるいは多層基板内の配線パターンについても、
複雑化及び高密度化が進行している。上記のような配線
パターンを形成する方法としては、従来、以下のような
方法が採用されていた。
基板上あるいは多層基板内の配線パターンについても、
複雑化及び高密度化が進行している。上記のような配線
パターンを形成する方法としては、従来、以下のような
方法が採用されていた。
【０００３】基板上あるいは絶縁層上に導電ペースト
を印刷することにより配線パターンを形成する方法、
基板上あるいは絶縁層上に薄膜形成法により全面に金属
薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術により微
細加工して所望の形状の配線パターンを形成する方法、
基板上もしくは絶縁層上にマスクを配置し、その状態
で薄膜形成法により配線パターンを形成する方法、並び
に合成樹脂フィルム等からなる支持体上にマスクを配
置した状態で所望のパターンの金属薄膜を形成した後、
該金属薄膜を基板上あるいは絶縁層上に転写する方法。
を印刷することにより配線パターンを形成する方法、
基板上あるいは絶縁層上に薄膜形成法により全面に金属
薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術により微
細加工して所望の形状の配線パターンを形成する方法、
基板上もしくは絶縁層上にマスクを配置し、その状態
で薄膜形成法により配線パターンを形成する方法、並び
に合成樹脂フィルム等からなる支持体上にマスクを配
置した状態で所望のパターンの金属薄膜を形成した後、
該金属薄膜を基板上あるいは絶縁層上に転写する方法。
【０００４】通常の回路基板では、上記のような各種方
法によって基板上に所望の形状の配線パターンが形成さ
れており、他方、多層基板では、絶縁膜上に上記各種の
方法で所望のパターンの配線を形成した後、そのような
配線パターンの形成された絶縁層を積層することによ
り、多層基板が形成されている。
法によって基板上に所望の形状の配線パターンが形成さ
れており、他方、多層基板では、絶縁膜上に上記各種の
方法で所望のパターンの配線を形成した後、そのような
配線パターンの形成された絶縁層を積層することによ
り、多層基板が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】導電ペーストを印刷
し、焼結することにより得られた配線パターンでは、金
属の密度が低いため、十分な電流容量を得ることができ
ない。従って、ある程度の電流容量を確保しようとした
場合、配線パターンの薄膜化及び狭幅化を進めることが
できず、複雑かつ高密度な配線パターンを形成するのに
は適当ではなかった。
し、焼結することにより得られた配線パターンでは、金
属の密度が低いため、十分な電流容量を得ることができ
ない。従って、ある程度の電流容量を確保しようとした
場合、配線パターンの薄膜化及び狭幅化を進めることが
できず、複雑かつ高密度な配線パターンを形成するのに
は適当ではなかった。
【０００６】〜の各方法では、配線パターンが金属
薄膜により形成されるため、十分な電流容量を確保する
ことができるため、配線パターンの薄膜化及び狭幅化を
進めることができ、高密度の配線パターンを形成し得
る。
薄膜により形成されるため、十分な電流容量を確保する
ことができるため、配線パターンの薄膜化及び狭幅化を
進めることができ、高密度の配線パターンを形成し得
る。
【０００７】しかしながら、配線パターンの形状が複雑
化すると、対応が困難となる。特に、配線パターンを変
更することが必要な場合等においては、フォトリソグラ
フィーに用いるマスクや薄膜形成法により用いるマスク
等を作製し直さなければならず、コストが非常に高くつ
くという問題があった。のみならず、配線パターンの厚
みを薄くした場合に、配線密度が高くなるにつれて所望
の位置に配線パターンを形成したり、あるいは転写した
りすることが難しく、かつ転写に際して配線部分に断線
等が生じる恐れがあるという問題があった。
化すると、対応が困難となる。特に、配線パターンを変
更することが必要な場合等においては、フォトリソグラ
フィーに用いるマスクや薄膜形成法により用いるマスク
等を作製し直さなければならず、コストが非常に高くつ
くという問題があった。のみならず、配線パターンの厚
みを薄くした場合に、配線密度が高くなるにつれて所望
の位置に配線パターンを形成したり、あるいは転写した
りすることが難しく、かつ転写に際して配線部分に断線
等が生じる恐れがあるという問題があった。
【０００８】なお、上記のような問題は、単なる配線パ
ターンだけでなく、その一部に例えばインダクタを構成
するための導体部分のような機能性導体部分を含む導電
パターンを形成する必要がある場合においても同様に問
題となっていた。
ターンだけでなく、その一部に例えばインダクタを構成
するための導体部分のような機能性導体部分を含む導電
パターンを形成する必要がある場合においても同様に問
題となっていた。
【０００９】本発明の目的は、基板上あるいは基板内に
配置される絶縁層上に導電パターンを形成する方法であ
って、複雑かつ高密度の導電パターンであっても、容易
かつ安価に形成することが可能な方法を提供することに
ある。
配置される絶縁層上に導電パターンを形成する方法であ
って、複雑かつ高密度の導電パターンであっても、容易
かつ安価に形成することが可能な方法を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上または
基板内に配置された絶縁層上に所定のパターンの導電パ
ターンを形成する方法であって、集合されて前記導電パ
ターンを構成するように、かつ薄膜形成法により形成さ
れた複数の金属帯のそれぞれが支持体上に形成されてい
る複数の転写用金属帯供給体を用意し、前記複数の転写
用金属帯供給体を用いて、金属帯を基板上または基板内
に配置される絶縁層上に転写し、前記所定のパターンの
導電パターンを形成することを特徴とする、基板への導
電パターン形成方法である。
基板内に配置された絶縁層上に所定のパターンの導電パ
ターンを形成する方法であって、集合されて前記導電パ
ターンを構成するように、かつ薄膜形成法により形成さ
れた複数の金属帯のそれぞれが支持体上に形成されてい
る複数の転写用金属帯供給体を用意し、前記複数の転写
用金属帯供給体を用いて、金属帯を基板上または基板内
に配置される絶縁層上に転写し、前記所定のパターンの
導電パターンを形成することを特徴とする、基板への導
電パターン形成方法である。
【００１１】
【作用及び発明の効果】本発明は、上記のように転写法
により基板上あるいは基板内に配置される絶縁層上に所
定のパターンの導電パターンを形成するものである。本
発明では、転写に用いられる転写用金属帯供給体が、複
数用意されており、この複数の転写用金属帯供給体のそ
れぞれに金属帯が形成されており、かつ複数の金属帯が
集合されることにより所望の導電パターンを構成するよ
うに、各金属帯の形状が選ばれている。従って、基板上
にあるいは基板内に配置される絶縁層上に、上記複数の
転写用金属帯供給体から順次金属帯を転写していくこと
により、所定の導電パターンが形成される。よって、導
電パターンの配線形状が複雑かつ高密度な場合であって
も、部分的に転写していくものであるため、容易かつ安
定に転写することができ、金属帯の断線等が生じ難い。
また、金属帯をより薄くしたり、あるいは狭幅化を進め
た場合でも、安定に所望のパターンの導電パターンを形
成することができる。
により基板上あるいは基板内に配置される絶縁層上に所
定のパターンの導電パターンを形成するものである。本
発明では、転写に用いられる転写用金属帯供給体が、複
数用意されており、この複数の転写用金属帯供給体のそ
れぞれに金属帯が形成されており、かつ複数の金属帯が
集合されることにより所望の導電パターンを構成するよ
うに、各金属帯の形状が選ばれている。従って、基板上
にあるいは基板内に配置される絶縁層上に、上記複数の
転写用金属帯供給体から順次金属帯を転写していくこと
により、所定の導電パターンが形成される。よって、導
電パターンの配線形状が複雑かつ高密度な場合であって
も、部分的に転写していくものであるため、容易かつ安
定に転写することができ、金属帯の断線等が生じ難い。
また、金属帯をより薄くしたり、あるいは狭幅化を進め
た場合でも、安定に所望のパターンの導電パターンを形
成することができる。
【００１２】加えて、上記導電パターンは薄膜形成法に
より形成された金属帯により構成されるため、十分な電
流容量を確保することができ、導電パターン自体の薄層
化及び狭幅化を進めることができる。
より形成された金属帯により構成されるため、十分な電
流容量を確保することができ、導電パターン自体の薄層
化及び狭幅化を進めることができる。
【００１３】しかも、導電パターンを上記のように分割
して転写していくものであるため、導電パターンの変更
に際しては、変更される部分においてのみ金属帯の形状
を変更した転写用金属帯供給体を用意すればよいため、
安価に複雑な形状の導電パターンを形成することができ
る。
して転写していくものであるため、導電パターンの変更
に際しては、変更される部分においてのみ金属帯の形状
を変更した転写用金属帯供給体を用意すればよいため、
安価に複雑な形状の導電パターンを形成することができ
る。
【００１４】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより本発明を明らかにする。図１は、本実施
例により最終的に形成される配線パターンを説明するた
めの平面図である。
することにより本発明を明らかにする。図１は、本実施
例により最終的に形成される配線パターンを説明するた
めの平面図である。
【００１５】図１を参照して、絶縁性基板１上に導電パ
ターン２が形成されている。本実施例では、上記導電パ
ターン２が、後述の複数の転写用金属帯供給体から金属
帯を転写することにより形成される。
ターン２が形成されている。本実施例では、上記導電パ
ターン２が、後述の複数の転写用金属帯供給体から金属
帯を転写することにより形成される。
【００１６】図２は、上記基板１を、５行×４列の２０
個の領域に分割した状態を示す模式的平面図である。本
実施例では、この２０個の各領域Ａ〜Ｔにおいて、個別
に金属帯が転写されて、図１に示した導電パターン２の
一部が順次転写されていく。
個の領域に分割した状態を示す模式的平面図である。本
実施例では、この２０個の各領域Ａ〜Ｔにおいて、個別
に金属帯が転写されて、図１に示した導電パターン２の
一部が順次転写されていく。
【００１７】図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本実施
例で用いられる転写用金属帯供給体を示す各平面図であ
る。転写用金属帯供給体３は、ポリエチレンテレフタレ
ートやポリプロピレン等の合成樹脂フィルムからなる支
持体３ａ上に、主としてＡｇからなり、かつ薄膜形成法
により形成された金属帯３ｂを形成した構造を有する。
薄膜形成法としては、蒸着、スパッタ、イオンプレーテ
ィング等が用いられる。この金属帯３ｂは、図２のＡで
示す領域に転写される金属帯に相当する。
例で用いられる転写用金属帯供給体を示す各平面図であ
る。転写用金属帯供給体３は、ポリエチレンテレフタレ
ートやポリプロピレン等の合成樹脂フィルムからなる支
持体３ａ上に、主としてＡｇからなり、かつ薄膜形成法
により形成された金属帯３ｂを形成した構造を有する。
薄膜形成法としては、蒸着、スパッタ、イオンプレーテ
ィング等が用いられる。この金属帯３ｂは、図２のＡで
示す領域に転写される金属帯に相当する。
【００１８】金属帯供給体４は、支持体３ａと同様にし
て構成された支持体４ａ上に薄膜形成法によりＡｇを主
体とする金属帯４ｂを形成した構造を有し、金属帯４ｂ
は、図２のＢで示す領域に転写される形状とされてい
る。
て構成された支持体４ａ上に薄膜形成法によりＡｇを主
体とする金属帯４ｂを形成した構造を有し、金属帯４ｂ
は、図２のＢで示す領域に転写される形状とされてい
る。
【００１９】さらに、転写用金属帯供給体５は、同様に
して構成された支持体５ａ上に、薄膜形成法によりＡｇ
を主体とする金属帯５ｂを形成した構造を有する。金属
帯５ｂの平面形状は、図２の領域Ｅに相当する部分の導
電パターンを形成するように構成されている。
して構成された支持体５ａ上に、薄膜形成法によりＡｇ
を主体とする金属帯５ｂを形成した構造を有する。金属
帯５ｂの平面形状は、図２の領域Ｅに相当する部分の導
電パターンを形成するように構成されている。
【００２０】図３では、上記３種類の転写用金属帯供給
体のみを示したが、同様にして、図２の残りの各領域に
金属帯を転写するための転写用金属供給体がそれぞれ用
意される。
体のみを示したが、同様にして、図２の残りの各領域に
金属帯を転写するための転写用金属供給体がそれぞれ用
意される。
【００２１】また、図３に示した転写用金属帯供給体３
〜５では、それぞれ、単なる配線パターンを構成するよ
うに金属帯３ｂ，４ｂ，５ｂが構成されていたが、残り
の転写用金属帯供給体中には、抵抗体を構成するため
に、金属帯の途中に抵抗膜が接続された構造を有するも
のもある。例えば、図１に参照番号６で示す部分には、
図示のように抵抗素子が接続されるが、このような抵抗
素子は、上記のように抵抗膜を金属帯の中段部分に接続
されるように形成することにより、金属帯の転写と同時
に転写されて形成される。
〜５では、それぞれ、単なる配線パターンを構成するよ
うに金属帯３ｂ，４ｂ，５ｂが構成されていたが、残り
の転写用金属帯供給体中には、抵抗体を構成するため
に、金属帯の途中に抵抗膜が接続された構造を有するも
のもある。例えば、図１に参照番号６で示す部分には、
図示のように抵抗素子が接続されるが、このような抵抗
素子は、上記のように抵抗膜を金属帯の中段部分に接続
されるように形成することにより、金属帯の転写と同時
に転写されて形成される。
【００２２】本実施例の基板への導電パターン形成方法
では、上記のように図２に示した各領域Ａ〜Ｔにおい
て、それぞれ、転写用金属帯供給体から金属帯やその他
の機能部分が転写され、最終的に図１に示す導電パター
ン２が構成される。
では、上記のように図２に示した各領域Ａ〜Ｔにおい
て、それぞれ、転写用金属帯供給体から金属帯やその他
の機能部分が転写され、最終的に図１に示す導電パター
ン２が構成される。
【００２３】従って、上記のようにして用意される複数
の転写用金属帯供給体では、各転写用金属帯供給体上に
形成される金属帯が集合された状態で図１に示した導電
パターン２を構成するよう分割されていることが必要で
ある。
の転写用金属帯供給体では、各転写用金属帯供給体上に
形成される金属帯が集合された状態で図１に示した導電
パターン２を構成するよう分割されていることが必要で
ある。
【００２４】なお、特に図示はしないが、上記各転写用
金属帯供給体３〜５上に形成される金属帯３ｂ〜５ｂに
は、一部にコイル状のパターンを設けることにより、イ
ンダクタとして機能させ得るように構成してもよく、こ
のような機能性導電パターン部分も本発明における導電
パターンなる表現に含まれるものとする。
金属帯供給体３〜５上に形成される金属帯３ｂ〜５ｂに
は、一部にコイル状のパターンを設けることにより、イ
ンダクタとして機能させ得るように構成してもよく、こ
のような機能性導電パターン部分も本発明における導電
パターンなる表現に含まれるものとする。
【００２５】次に、上記実施例について行った具体的な
実験結果につき説明する。まず、アルミナＡｌ2 Ｏ
3 と、ホウケイ酸ガラスの粉末とを、それぞれ、重量比
で５５対４５となるように量り取り、有機バインダーと
共に溶媒中に分散し、混練することによりスラリーを得
た。得られたスラリーを用い、合成樹脂フィルム上に均
一な厚み（１０μｍ）のセラミック−ガラス生シートを
作製した。上記セラミック−ガラス生シート上に、レー
ザー光を照射することにより、所定の部分にスルーホー
ルを形成し、かつ該スルーホールにアルミナのパウダー
を混練してなる銀ペーストを充填し、スルーホール電極
を形成した。
実験結果につき説明する。まず、アルミナＡｌ2 Ｏ
3 と、ホウケイ酸ガラスの粉末とを、それぞれ、重量比
で５５対４５となるように量り取り、有機バインダーと
共に溶媒中に分散し、混練することによりスラリーを得
た。得られたスラリーを用い、合成樹脂フィルム上に均
一な厚み（１０μｍ）のセラミック−ガラス生シートを
作製した。上記セラミック−ガラス生シート上に、レー
ザー光を照射することにより、所定の部分にスルーホー
ルを形成し、かつ該スルーホールにアルミナのパウダー
を混練してなる銀ペーストを充填し、スルーホール電極
を形成した。
【００２６】上記のようにして、スルーホール電極が形
成されたセラミック−ガラス生シートを図４（ａ）に示
すように、予め所定の寸法に切り込みをいれておく。こ
の生シートを図４（ｂ）に示すように、枠７ａを備えた
ベースプレート７とポンチ８の間に設置する。枠７ａは
ベースプレート７に対して上下に動くようになってお
り、後に述べるように、圧着する際には、既に積層され
たシートの最上面と同じかそれより下に位置するように
なっている。また、ポンチ８も上下に動くようになって
おり、生シートを固定するために吸引孔８ｂを有する。
吸引孔８ｂは図示しない真空ポンプ等の吸引源に接続さ
れている。
成されたセラミック−ガラス生シートを図４（ａ）に示
すように、予め所定の寸法に切り込みをいれておく。こ
の生シートを図４（ｂ）に示すように、枠７ａを備えた
ベースプレート７とポンチ８の間に設置する。枠７ａは
ベースプレート７に対して上下に動くようになってお
り、後に述べるように、圧着する際には、既に積層され
たシートの最上面と同じかそれより下に位置するように
なっている。また、ポンチ８も上下に動くようになって
おり、生シートを固定するために吸引孔８ｂを有する。
吸引孔８ｂは図示しない真空ポンプ等の吸引源に接続さ
れている。
【００２７】上記のようにして用意したセラミック−ガ
ラス生シート９を合成樹脂フィルム１０に支持された状
態で図５（ａ）に示すように、セラミック−ガラス生シ
ートを、ベースプレート７の内部に既に積層された生シ
ート９ａ〜９ｃ上にポンチ８で加圧することにより圧着
する。しかる後、ポンチ８に吸引孔８ｂから吸引される
ことによって固定された合成樹脂フィルム１０を、ポン
チ８を上昇させることによって、セラミック−ガラスシ
ート９の打ち抜かれた部分から剥離し、セラミック−ガ
ラス生シート９，９ａ〜９ｃが貼り合わされた生基板を
得た。
ラス生シート９を合成樹脂フィルム１０に支持された状
態で図５（ａ）に示すように、セラミック−ガラス生シ
ートを、ベースプレート７の内部に既に積層された生シ
ート９ａ〜９ｃ上にポンチ８で加圧することにより圧着
する。しかる後、ポンチ８に吸引孔８ｂから吸引される
ことによって固定された合成樹脂フィルム１０を、ポン
チ８を上昇させることによって、セラミック−ガラスシ
ート９の打ち抜かれた部分から剥離し、セラミック−ガ
ラス生シート９，９ａ〜９ｃが貼り合わされた生基板を
得た。
【００２８】次に図５（ｂ）に示すようにポンチ８とベ
ースプレート７との間に図３（ａ）〜（ｃ）に示した転
写用金属帯供給体を含む複数の転写用金属帯供給体１１
を用い、図２の領域Ａから領域Ｔまで順に転写させてい
き、金属帯からなる図１の導電パターン２を形成した。
ースプレート７との間に図３（ａ）〜（ｃ）に示した転
写用金属帯供給体を含む複数の転写用金属帯供給体１１
を用い、図２の領域Ａから領域Ｔまで順に転写させてい
き、金属帯からなる図１の導電パターン２を形成した。
【００２９】上記のようにして、一層分導電パターン２
を形成した後に、ポンチ８とベースプレート７との間に
新たなセラミック−ガラス生シートを設置し、上記の工
程を繰り返すことにより、導電パターンの形成された部
分の上に新たなセラミック−ガラス生シートを圧着さ
せ、再度、先と同様にして転写法により導電パターンを
形成した。
を形成した後に、ポンチ８とベースプレート７との間に
新たなセラミック−ガラス生シートを設置し、上記の工
程を繰り返すことにより、導電パターンの形成された部
分の上に新たなセラミック−ガラス生シートを圧着さ
せ、再度、先と同様にして転写法により導電パターンを
形成した。
【００３０】上記のような工程を所定回数繰り返すこと
により、枠材７内に、所定の導電パターン層が複数層形
成されている積層生基板を得た。得られた積層生基板を
積層ステージ７から取り出し、平面形状が３ｍｍ角の矩
形形状に製造し、９００℃で焼成した後、得られた焼結
済み多層基板に内部の導電パターンと接続すべき所定の
外部電極をめっき法により形成し、セラミック多層基板
を得た。
により、枠材７内に、所定の導電パターン層が複数層形
成されている積層生基板を得た。得られた積層生基板を
積層ステージ７から取り出し、平面形状が３ｍｍ角の矩
形形状に製造し、９００℃で焼成した後、得られた焼結
済み多層基板に内部の導電パターンと接続すべき所定の
外部電極をめっき法により形成し、セラミック多層基板
を得た。
【００３１】なお、上記実施例では、セラミック多層基
板内に構成される導電パターンを構成するために、本発
明の方法を使用したが、単板型の回路基板上に導電パタ
ーンを形成する際にも、本発明を適用することができ
る。
板内に構成される導電パターンを構成するために、本発
明の方法を使用したが、単板型の回路基板上に導電パタ
ーンを形成する際にも、本発明を適用することができ
る。
【図１】実施例により得られる導電パターンを説明する
ための平面図。
ための平面図。
【図２】基板上の分割された領域を説明するための模式
的平面図。
的平面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、転写用金属帯供
給体を示す平面図。
給体を示す平面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、実施例において
セラミック−ガラス生シートを積層する工程を説明する
ための断面図。
セラミック−ガラス生シートを積層する工程を説明する
ための断面図。
【図５】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、実施例において
セラミック−ガラス生シートを積層する工程を説明する
ための断面図。
セラミック−ガラス生シートを積層する工程を説明する
ための断面図。
１…基板 ２…導電パターン ３〜５…転写用金属帯供給体 ３ａ，４ａ，５ａ…支持体 ３ｂ，４ｂ，５ｂ…金属帯
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−1088（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−133991（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216499（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−231999（ＪＰ，Ａ) 実開 昭51−69755（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/20
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上または基板内に配置された絶縁層
上に所定のパターンの導電パターンを形成する方法であ
って、 集合されて前記導電パターンを構成するように、かつ薄
膜形成法により形成された複数の金属帯のそれぞれが支
持体上に形成されている複数の転写用金属帯供給体を用
意し、 前記複数の転写用金属帯供給体を用いて、金属帯を基板
上または基板内に配置される絶縁層上に転写し、前記所
定のパターンの導電パターンを形成することを特徴とす
る、基板への導電パターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13860393A JP3252534B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 基板への導電パターン形成方法 |
| EP19940108706 EP0629110B1 (en) | 1993-06-10 | 1994-06-07 | Method of forming conductive pattern on substrate |
| DE1994629690 DE69429690T2 (de) | 1993-06-10 | 1994-06-07 | Verfahren zur Bildung eines leitfähigen Musters auf einem Substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13860393A JP3252534B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 基板への導電パターン形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350225A JPH06350225A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3252534B2 true JP3252534B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=15225955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13860393A Expired - Fee Related JP3252534B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 基板への導電パターン形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0629110B1 (ja) |
| JP (1) | JP3252534B2 (ja) |
| DE (1) | DE69429690T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6871396B2 (en) * | 2000-02-09 | 2005-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transfer material for wiring substrate |
| EP2355144A1 (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Component placement on flexible and/or stretchable substrates |
Family Cites Families (3)
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| JPH04122093A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Fujitsu Ltd | ペーストの転写方法と転写治具 |
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-
1993
- 1993-06-10 JP JP13860393A patent/JP3252534B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-07 EP EP19940108706 patent/EP0629110B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-07 DE DE1994629690 patent/DE69429690T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0629110A3 (en) | 1996-04-24 |
| EP0629110A2 (en) | 1994-12-14 |
| JPH06350225A (ja) | 1994-12-22 |
| DE69429690T2 (de) | 2002-10-17 |
| EP0629110B1 (en) | 2002-01-23 |
| DE69429690D1 (de) | 2002-03-14 |
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