JPH0754780B2 - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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- JPH0754780B2 JPH0754780B2 JP62200605A JP20060587A JPH0754780B2 JP H0754780 B2 JPH0754780 B2 JP H0754780B2 JP 62200605 A JP62200605 A JP 62200605A JP 20060587 A JP20060587 A JP 20060587A JP H0754780 B2 JPH0754780 B2 JP H0754780B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関
するもので、特に、内部電極の形成方法に特徴ある積層
セラミックコンデンサの製造方法に関するものである。
するもので、特に、内部電極の形成方法に特徴ある積層
セラミックコンデンサの製造方法に関するものである。
[従来の技術] 従来、積層セラミックコンデンサは、次のようなステッ
プを経て製造されている。
プを経て製造されている。
まず、ドクターブレード等によりシート状に成形された
セラミックグリーンシートが準備され、その上に、内部
電極となる金属、たとえばパラジウム、銀/パラジウ
ム、ニッケルなどを含むペーストが、所定のパターンを
もってスクリーン印刷される。なお、通常、セラミック
グリーンシートは、後で切断されて複数個の積層セラミ
ックコンデンサを得ることが意図されており、したがっ
て、内部電極となるペーストは、セラミックグリーンシ
ート上において、複数個の箇所に分布して形成される。
セラミックグリーンシートが準備され、その上に、内部
電極となる金属、たとえばパラジウム、銀/パラジウ
ム、ニッケルなどを含むペーストが、所定のパターンを
もってスクリーン印刷される。なお、通常、セラミック
グリーンシートは、後で切断されて複数個の積層セラミ
ックコンデンサを得ることが意図されており、したがっ
て、内部電極となるペーストは、セラミックグリーンシ
ート上において、複数個の箇所に分布して形成される。
次に、上述のように金属ペーストを形成したセラミック
グリーンシートが積重ねられ、プレスすることにより圧
着された後、個々の積層セラミックコンデンサのための
チップを得るように切断される。
グリーンシートが積重ねられ、プレスすることにより圧
着された後、個々の積層セラミックコンデンサのための
チップを得るように切断される。
そして、上述のチップは焼成される。その後、チップの
表面の所定の領域に、外部電極となる金属ペーストが塗
布され、これが焼成されることによって、積層セラミッ
クコンデンサが完成される。
表面の所定の領域に、外部電極となる金属ペーストが塗
布され、これが焼成されることによって、積層セラミッ
クコンデンサが完成される。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、積層セラミックコンデンサにおいて、小型化
を図りながら大容量を得るための手法として、積層方向
に対向しながら対をなす内部電極間の距離を短くするこ
とが行なわれている。そのためには、相対向する内部電
極間に存吾するセラミック層の厚みを薄くすればよい。
しかしながら、セラミック層の厚みを単純に薄くしてい
った場合、第10図にモデル的に示すように、セラミック
層1の厚みに対する、内部電極2の厚みの占める割合が
多くなってくる。たとえば、セラミック層1の厚みを20
μm程度に薄くできたとしても、内部電極2は、前述の
ように、スクリーン印刷により形成されるため、依然と
して、6〜10μm程度の厚みを維持したままである。
を図りながら大容量を得るための手法として、積層方向
に対向しながら対をなす内部電極間の距離を短くするこ
とが行なわれている。そのためには、相対向する内部電
極間に存吾するセラミック層の厚みを薄くすればよい。
しかしながら、セラミック層の厚みを単純に薄くしてい
った場合、第10図にモデル的に示すように、セラミック
層1の厚みに対する、内部電極2の厚みの占める割合が
多くなってくる。たとえば、セラミック層1の厚みを20
μm程度に薄くできたとしても、内部電極2は、前述の
ように、スクリーン印刷により形成されるため、依然と
して、6〜10μm程度の厚みを維持したままである。
そのため、まず、内部電極2となるべき所定のパターン
の金属ペースト層を形成したセラミックグリーンシート
状態にあるセラミック層1を積層しかつ圧着するステッ
プにおいて、困難を伴なう。なぜなら、内部電極2とな
るでき金属ペースト層は、セラミックグリーンシートの
延びる方向に対して部分的にしか存在せず、積層状態で
の厚みが面方向において不均一となるためである。
の金属ペースト層を形成したセラミックグリーンシート
状態にあるセラミック層1を積層しかつ圧着するステッ
プにおいて、困難を伴なう。なぜなら、内部電極2とな
るでき金属ペースト層は、セラミックグリーンシートの
延びる方向に対して部分的にしか存在せず、積層状態で
の厚みが面方向において不均一となるためである。
また、セラミックの焼成ステップにおいて、金属ペース
ト層の収縮によって、セラミック層の収縮がより大きく
支配され、したがって、クラックの発生、焼成収縮率の
不安定、などの影響が出る。
ト層の収縮によって、セラミック層の収縮がより大きく
支配され、したがって、クラックの発生、焼成収縮率の
不安定、などの影響が出る。
また、金属ペースト層には、溶剤が含有されており、こ
の溶剤によってセラミックグリーンシートが膨潤または
溶解されるため、内部電極間の短絡や耐電圧性の低下を
招き、信頼性の点において、また品質の点において、問
題を生じる。
の溶剤によってセラミックグリーンシートが膨潤または
溶解されるため、内部電極間の短絡や耐電圧性の低下を
招き、信頼性の点において、また品質の点において、問
題を生じる。
そこで、この発明は、積層セラミックコンデンサにおい
て、相対向する内部電極間に存在する誘電体となるべき
セラミック層の厚みを薄くしたとしても、上述したよう
な問題点を有利に解消し得る、積層セラミックコンデン
サの製造方法を提供しようとするものである。
て、相対向する内部電極間に存在する誘電体となるべき
セラミック層の厚みを薄くしたとしても、上述したよう
な問題点を有利に解消し得る、積層セラミックコンデン
サの製造方法を提供しようとするものである。
[問題点を解決するための手段] この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法
は、上述した問題点を解消するため、次のようなステッ
プを備えることが特徴である。すなわち、 a. フィルム上に内部電極となる金属膜を薄膜形成法に
より形成するステップ、 b. セラミックグリーンシートを準備するステップ、 c. 前記セラミックグリーンシート上に、前記金属膜を
前記フィルムから所定のパターンをもって転写するステ
ップ、および d. 前記金属膜が転写された前記セラミックグリーンシ
ートを積重ねるステップ。
は、上述した問題点を解消するため、次のようなステッ
プを備えることが特徴である。すなわち、 a. フィルム上に内部電極となる金属膜を薄膜形成法に
より形成するステップ、 b. セラミックグリーンシートを準備するステップ、 c. 前記セラミックグリーンシート上に、前記金属膜を
前記フィルムから所定のパターンをもって転写するステ
ップ、および d. 前記金属膜が転写された前記セラミックグリーンシ
ートを積重ねるステップ。
なお、上述した薄膜形成法としては、好ましい実施例で
は、蒸着またはスパッタリングが用いられる。
は、蒸着またはスパッタリングが用いられる。
また、前記金属膜を所定のパターンをもって転写するス
テップは、典型的には、次のような2つの態様のいずれ
かによって実施される。すなわち、その第1は、フィル
ム上に形成された金属膜を、予め、所定のパターンに相
関する特定の部分以外の部分において除去しておき、フ
ィルム上において所定のパターンを有するように金属膜
を予め処理しておいてから、そのような金属膜を転写す
る方法である。他方、第2の態様は、実際に金属膜を転
写するステップにおいて、フィルムを、所定のパターン
に相関する特定の部分において押圧して、この押圧され
た部分においてのみ金属膜を転写する方法である。
テップは、典型的には、次のような2つの態様のいずれ
かによって実施される。すなわち、その第1は、フィル
ム上に形成された金属膜を、予め、所定のパターンに相
関する特定の部分以外の部分において除去しておき、フ
ィルム上において所定のパターンを有するように金属膜
を予め処理しておいてから、そのような金属膜を転写す
る方法である。他方、第2の態様は、実際に金属膜を転
写するステップにおいて、フィルムを、所定のパターン
に相関する特定の部分において押圧して、この押圧され
た部分においてのみ金属膜を転写する方法である。
[発明の作用および効果] この発明によれば、内部電極となる金属膜が、セラミッ
クグリーンシート上ではなく、たとえばポリエチレンテ
レフタレートのような樹脂等からなるフィルム上にまず
形成される。このようなフィルムは、セラミックグリー
ンシートに比べて取扱いが容易であるので、その上に金
属膜を形成するにあたっては、薄膜形成法を容易に採用
することができる。したがって、たとえば、0.2〜2.0μ
mといった厚みの極めて薄い金属膜を形成することがで
きる。
クグリーンシート上ではなく、たとえばポリエチレンテ
レフタレートのような樹脂等からなるフィルム上にまず
形成される。このようなフィルムは、セラミックグリー
ンシートに比べて取扱いが容易であるので、その上に金
属膜を形成するにあたっては、薄膜形成法を容易に採用
することができる。したがって、たとえば、0.2〜2.0μ
mといった厚みの極めて薄い金属膜を形成することがで
きる。
上述したような金属膜は、転写技術を用いることによ
り、薄くされ、かつそのために取扱いが困難となったセ
ラミックグリーンシート上であっても、容易に形成され
ることができる。そのため、内部電極間に位置するセラ
ミック層を薄くすることが容易で、したがって、大型化
を避けながら、内部電極およびセラミック層の積層数を
増加することができる。その結果、小型かつ大容量の積
層セラミックコンデンサを得ることができる。
り、薄くされ、かつそのために取扱いが困難となったセ
ラミックグリーンシート上であっても、容易に形成され
ることができる。そのため、内部電極間に位置するセラ
ミック層を薄くすることが容易で、したがって、大型化
を避けながら、内部電極およびセラミック層の積層数を
増加することができる。その結果、小型かつ大容量の積
層セラミックコンデンサを得ることができる。
また、上述したような多層化にあたり、従来技術が遭遇
した内部電極となる金属ペースト層の厚みが起因して、
積層および圧着ステップが困難になることは防止される
とともに、焼成ステップにおいて、金属ペースト層の収
縮がセラミック層に悪影響を及ぼすため、クラック発生
や、焼成収縮率不安定などの問題点が発生することもな
くなる。また、従来の方法における金属ペースト層に含
まれる溶剤がセラミックグリーンシートを膨潤させたり
溶解したりすることがなくなり、内部電極間の短絡や耐
電圧性の低下を招くことはない。したがって、信頼性の
高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
した内部電極となる金属ペースト層の厚みが起因して、
積層および圧着ステップが困難になることは防止される
とともに、焼成ステップにおいて、金属ペースト層の収
縮がセラミック層に悪影響を及ぼすため、クラック発生
や、焼成収縮率不安定などの問題点が発生することもな
くなる。また、従来の方法における金属ペースト層に含
まれる溶剤がセラミックグリーンシートを膨潤させたり
溶解したりすることがなくなり、内部電極間の短絡や耐
電圧性の低下を招くことはない。したがって、信頼性の
高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
また、従来の金属ペーストには、ワニスなどの燃焼成分
が含まれているが、この発明に係る金属膜には、そのよ
うな燃焼成分が含まれていない。したがって、焼成後の
内部電極が、従来の場合と比較して、緻密になり、等価
直列抵抗の低い、すなわち損失の小さい積層セラミック
コンデンサを得ることができる。また、焼成時における
燃焼成分の燃焼が、焼成されたセラミック層間において
デラミネーションを発生させることがあるが、この発明
によれば、このようなデラミネーションが発生しにくく
なり、この点においても、信頼性の高い積層セラミック
コンデンサを得ることができる。
が含まれているが、この発明に係る金属膜には、そのよ
うな燃焼成分が含まれていない。したがって、焼成後の
内部電極が、従来の場合と比較して、緻密になり、等価
直列抵抗の低い、すなわち損失の小さい積層セラミック
コンデンサを得ることができる。また、焼成時における
燃焼成分の燃焼が、焼成されたセラミック層間において
デラミネーションを発生させることがあるが、この発明
によれば、このようなデラミネーションが発生しにくく
なり、この点においても、信頼性の高い積層セラミック
コンデンサを得ることができる。
[実施例] 第1図ないし第7図は、この発明の一実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
第1図に拡大された断面図で部分的に示すように、ま
ず、ポリエチレンテレフタレート等の厚さ20〜100μm
のフィルム11が用意される。フィルム11は、上述したポ
リエチレンテレフタレートに限らず、100℃程度の温度
では変形しない他の材料から構成されてもよい。
ず、ポリエチレンテレフタレート等の厚さ20〜100μm
のフィルム11が用意される。フィルム11は、上述したポ
リエチレンテレフタレートに限らず、100℃程度の温度
では変形しない他の材料から構成されてもよい。
フィルム11上には、内部電極となる、パラジウム、銀/
パラジウム、ニッケル、銅、などの金属からなる金属膜
12が薄膜形成法により形成される。この薄膜形成法とし
ては、たとえば、スパッタリング、蒸着、などが用いら
れる。また、金属膜12は、0.2〜2.0μm程度の厚みとさ
れる。なお、金属膜12は、フィルム11から後でセラミッ
クグリーンシート上に転写することが予定されており、
そのため、金属膜12のフィルム11への付着力をコントロ
ールするため、たとえばシリコン・コート等の離型処理
をフィルム11の表面に施しておくことが好ましい。
パラジウム、ニッケル、銅、などの金属からなる金属膜
12が薄膜形成法により形成される。この薄膜形成法とし
ては、たとえば、スパッタリング、蒸着、などが用いら
れる。また、金属膜12は、0.2〜2.0μm程度の厚みとさ
れる。なお、金属膜12は、フィルム11から後でセラミッ
クグリーンシート上に転写することが予定されており、
そのため、金属膜12のフィルム11への付着力をコントロ
ールするため、たとえばシリコン・コート等の離型処理
をフィルム11の表面に施しておくことが好ましい。
次に、第2図に示すように、金属膜12上に、たとえばス
クリーン印刷によりレジスト膜13が部分的に形成され、
その後、レジスト膜13が形成された部分以外の部分にお
いて、たとえば硝酸などを用いた酸処理によって、金属
膜12が除去される。レジスト膜13は、金属膜12を内部電
極とするために内部電極に与えられる所定のパターンに
相関するパターンを有している。
クリーン印刷によりレジスト膜13が部分的に形成され、
その後、レジスト膜13が形成された部分以外の部分にお
いて、たとえば硝酸などを用いた酸処理によって、金属
膜12が除去される。レジスト膜13は、金属膜12を内部電
極とするために内部電極に与えられる所定のパターンに
相関するパターンを有している。
次に、第3図に示すように、レジスト膜13が有機溶剤に
より除去され、所定のパターンを有する金属膜12がフィ
ルム11上に残される。
より除去され、所定のパターンを有する金属膜12がフィ
ルム11上に残される。
このようにして、第4図に示すように、1枚のフィルム
11上に、金属膜12が複数個のパターンをもって形成され
る。
11上に、金属膜12が複数個のパターンをもって形成され
る。
なお、上述した第2図のステップにおいて、レジスト膜
13を形成するにあたり、スクリーン印刷の代わりに、光
硬化型レジストを用い、露光によって内部電極に相当す
るパターンを形成し、硬化されなかったレジストを除去
した後、金属膜12を所定のパターンに相関する特定の部
分以外の部分において除去するようにしてもよい。
13を形成するにあたり、スクリーン印刷の代わりに、光
硬化型レジストを用い、露光によって内部電極に相当す
るパターンを形成し、硬化されなかったレジストを除去
した後、金属膜12を所定のパターンに相関する特定の部
分以外の部分において除去するようにしてもよい。
次に、第5図に示すように、金属膜12をセラミックグリ
ーンシート14上に転写するステップが実施される。すな
わち、セラミックグリーンシート14は、下金型15上に置
かれる。そして、その上に、金属膜12が接するようにフ
ィルム11が置かれ、上金型16によってプレスされる。上
金型16は、ヒータ17を備え、約100℃の温度をフィルム1
1に与えながら、20〜500kg/cm2の圧力で、フィルム11
をセラミックグリーンシート14に対して押圧する。これ
によって、フィルム11上に形成されていた金属膜12は、
セラミックグリーンシート14上に転写される。
ーンシート14上に転写するステップが実施される。すな
わち、セラミックグリーンシート14は、下金型15上に置
かれる。そして、その上に、金属膜12が接するようにフ
ィルム11が置かれ、上金型16によってプレスされる。上
金型16は、ヒータ17を備え、約100℃の温度をフィルム1
1に与えながら、20〜500kg/cm2の圧力で、フィルム11
をセラミックグリーンシート14に対して押圧する。これ
によって、フィルム11上に形成されていた金属膜12は、
セラミックグリーンシート14上に転写される。
第6図には、金属膜12が転写されたいくつかのセラミッ
クグリーンシート14が図示されている。各セラミックグ
リーンシート14は、そこに形成された金属膜12を所望の
ごとく位置合わせしながら、所望の枚数だけ積重ねら
れ、圧着された後、1点鎖線18で示す位置で切断され
る。なお、第6図においては、各1点鎖線18間の間隔と
セラミックグリーンシート14および金属膜12の厚み方向
寸法とを比べればわかるように、厚み方向寸法が誇張さ
れた状態で図示されている。
クグリーンシート14が図示されている。各セラミックグ
リーンシート14は、そこに形成された金属膜12を所望の
ごとく位置合わせしながら、所望の枚数だけ積重ねら
れ、圧着された後、1点鎖線18で示す位置で切断され
る。なお、第6図においては、各1点鎖線18間の間隔と
セラミックグリーンシート14および金属膜12の厚み方向
寸法とを比べればわかるように、厚み方向寸法が誇張さ
れた状態で図示されている。
上述のようにして得られたチップは、従来の積層セラミ
ックコンデンサの製造方法と同様、焼成され、第7図に
示すように、チップ19を得た後、このチップ19の両端部
に外部電極20および21が、たとえば金属ペーストを塗布
した後、焼成することによって形成される。このように
して、積層セラミックコンデンサが得られる。なお、第
7図において、チップ19の内部に存在する複数の内部電
極は、前述した金属膜12によって与えられたものであ
る。
ックコンデンサの製造方法と同様、焼成され、第7図に
示すように、チップ19を得た後、このチップ19の両端部
に外部電極20および21が、たとえば金属ペーストを塗布
した後、焼成することによって形成される。このように
して、積層セラミックコンデンサが得られる。なお、第
7図において、チップ19の内部に存在する複数の内部電
極は、前述した金属膜12によって与えられたものであ
る。
第8図および第9図は、この発明の他の実施例を説明す
るための図である。この実施例では、第1図に示すよう
に、金属膜12を形成したフィルム11を得た後、フィルム
11で金属膜12を所定のパターンとすることなく、そのま
ま転写ステップに付される。そのため、第8図に示すよ
うに、転写ステップにおいて用いられる上金型16aに特
徴がある。
るための図である。この実施例では、第1図に示すよう
に、金属膜12を形成したフィルム11を得た後、フィルム
11で金属膜12を所定のパターンとすることなく、そのま
ま転写ステップに付される。そのため、第8図に示すよ
うに、転写ステップにおいて用いられる上金型16aに特
徴がある。
第8図を参照して、下金型15上に保持されたセラミック
グリーンシート14上には、全面またはほぼ全面にわたっ
て金属膜12が形成されたままのフィルム11が、セラミッ
クグリーンシート14と金属膜12とが接する状態で置かれ
る。金属膜12を熱転写するための上金型16aには、内部
電極に要求される所定のパターンに相関する形状を有す
る凸部23が形成されている。したがって、金属膜12を形
成したフィルム11は、凸部23の部分において押圧され、
この押圧された部分においてのみ金属膜12をセラミック
グリーンシート14に転写する。
グリーンシート14上には、全面またはほぼ全面にわたっ
て金属膜12が形成されたままのフィルム11が、セラミッ
クグリーンシート14と金属膜12とが接する状態で置かれ
る。金属膜12を熱転写するための上金型16aには、内部
電極に要求される所定のパターンに相関する形状を有す
る凸部23が形成されている。したがって、金属膜12を形
成したフィルム11は、凸部23の部分において押圧され、
この押圧された部分においてのみ金属膜12をセラミック
グリーンシート14に転写する。
このようにして転写を終えた状態が、第9図に示されて
いる。第9図において、セラミックグリーンシート14上
には、特定の部分において、金属膜12が転写されてい
る。
いる。第9図において、セラミックグリーンシート14上
には、特定の部分において、金属膜12が転写されてい
る。
以後の工程は、前述した実施例と同様であるので、説明
を省略する。
を省略する。
第1図ないし第7図は、この発明の一実施例を説明する
ための図である。ここにおいて、特に、第1図は、金属
膜12を形成したフィルム11を示す断面図であり、第2図
は、第1図の金属膜12に対して、レジスト膜13によって
所定のパターンを付与した状態を示し、第3図は、第2
図のレジスト膜13を除去したステップを示し、第4図
は、第3図のステップにおいて、金属膜12を複数個のパ
ターンをもって形成したフィルム11を示す平面図であ
り、第5図は、金属膜12をセラミックグリーンシート14
上に転写するステップを示す断面図であり、第6図は、
転写された金属膜12を有するセラミックグリーンシート
14を積層しかつ切断するステップを示し、第7図は、得
られた積層セラミックコンデンサを示す断面図である。 第8図および第9図は、この発明の他の実施例を説明す
るための図である。ここにおいて、特に、第8図は、金
属膜12の特定の部分をセラミックグリーンシート14に転
写するステップを示す断面図であり、第9図は、所定の
パターンをもってセラミックグリーンシート14上に金属
膜12が転写された状態を示す断面図である。 第10図は、従来技術の問題点を説明するための内部電極
2を介在させたセラミック層1の積層状態を拡大して示
す図解図である。 図において、11はフィルム、12は金属膜、13はレジスト
膜、14はセラミックグリーンシート、16,16aは上金型、
17はヒータ、22は内部電極、23は凸部である。
ための図である。ここにおいて、特に、第1図は、金属
膜12を形成したフィルム11を示す断面図であり、第2図
は、第1図の金属膜12に対して、レジスト膜13によって
所定のパターンを付与した状態を示し、第3図は、第2
図のレジスト膜13を除去したステップを示し、第4図
は、第3図のステップにおいて、金属膜12を複数個のパ
ターンをもって形成したフィルム11を示す平面図であ
り、第5図は、金属膜12をセラミックグリーンシート14
上に転写するステップを示す断面図であり、第6図は、
転写された金属膜12を有するセラミックグリーンシート
14を積層しかつ切断するステップを示し、第7図は、得
られた積層セラミックコンデンサを示す断面図である。 第8図および第9図は、この発明の他の実施例を説明す
るための図である。ここにおいて、特に、第8図は、金
属膜12の特定の部分をセラミックグリーンシート14に転
写するステップを示す断面図であり、第9図は、所定の
パターンをもってセラミックグリーンシート14上に金属
膜12が転写された状態を示す断面図である。 第10図は、従来技術の問題点を説明するための内部電極
2を介在させたセラミック層1の積層状態を拡大して示
す図解図である。 図において、11はフィルム、12は金属膜、13はレジスト
膜、14はセラミックグリーンシート、16,16aは上金型、
17はヒータ、22は内部電極、23は凸部である。
フロントページの続き (72)発明者 中川 卓二 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−35508(JP,A) 特開 昭60−236207(JP,A) 特公 昭62−35255(JP,B2)
Claims (4)
- 【請求項1】フィルム上に内部電極となる金属膜を薄膜
形成法により形成するステップと、 セラミックグリーンシートを準備するステップと、 前記セラミックグリーンシート上に、前記金属膜を前記
フィルムから所定のパターンをもって転写するステップ
と、 前記金属膜が転写された前記セラミックグリーンシート
を積重ねるステップと、 を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項2】前記薄膜形成法は、蒸着またはスパッタリ
ングである、特許請求の範囲第1項記載の積層セラミッ
クコンデンサの製造方法。 - 【請求項3】前記金属膜を所定のパターンをもって転写
するステップは、前記フィルム上に形成された前記金属
膜を前記所定のパターンに相関する特定の部分以外の部
分において除去するステップを含む、特許請求の範囲第
1項または第2項記載の積層セラミックコンデンサの製
造方法。 - 【請求項4】前記金属膜を所定のパターンをもって転写
するステップは、前記金属膜を形成した前記フィルム
を、前記所定のパターンに相関する特定の部分において
押圧して、この押圧された部分においてのみ前記金属膜
を転写するように実施される、特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の積層セラミックコンデンサの製造方
法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62200605A JPH0754780B2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
KR1019890001400A KR970004272B1 (ko) | 1987-08-10 | 1989-02-08 | 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 |
EP89301265A EP0381879B1 (en) | 1987-08-10 | 1989-02-09 | Method of manufacturing laminated ceramic electronic component |
US07/311,097 US5009744A (en) | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Method of manufacturing laminated ceramic electronic component |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62200605A JPH0754780B2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6442809A JPS6442809A (en) | 1989-02-15 |
JPH0754780B2 true JPH0754780B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=16427146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62200605A Expired - Lifetime JPH0754780B2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (4)
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---|---|
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EP (1) | EP0381879B1 (ja) |
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KR (1) | KR970004272B1 (ja) |
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- 1987-08-10 JP JP62200605A patent/JPH0754780B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1989
- 1989-02-08 KR KR1019890001400A patent/KR970004272B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-02-09 EP EP89301265A patent/EP0381879B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 US US07/311,097 patent/US5009744A/en not_active Expired - Lifetime
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