JP2990621B2 - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は積層セラミック電子部
品の製造方法に関するものである。
品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、電子部品の電極、より特定的
には積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するた
め、転写技術を用いることが、特開平１−４２８０９号
公報に記載されている。この転写技術は、薄い内部電極
を形成するために有効な技術として評価される。
には積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するた
め、転写技術を用いることが、特開平１−４２８０９号
公報に記載されている。この転写技術は、薄い内部電極
を形成するために有効な技術として評価される。
【０００３】より詳細には、薄い内部電極、すなわち金
属薄膜を形成する方法として、蒸着またはスパッタリン
グのような薄膜形成法が知られている。積層セラミック
コンデンサを製造する場合、焼成前の複数のセラミック
グリーンシートを積層することが行われるが、内部電極
は、隣合うセラミックグリーンシート間に形成されるも
のであるので、積層される前の段階において、セラミッ
クグリーンシート上に形成されなければならない。しか
しながら、機械的に軟弱であり、取扱いが困難なセラミ
ックグリーンシート上に、直接、前述したような薄膜形
成法を用いて、金属薄膜を形成することは困難である。
そのため、内部電極となる金属薄膜が、セラミックグリ
ーンシート上ではなく、取扱いが容易な別のフィルム上
にまず形成され、このようなフィルム上に形成された金
属薄膜を、セラミックグリーンシート上に、転写するこ
とによって、セラミックグリーンシート上に金属薄膜を
形成することが容易または可能とされる。
属薄膜を形成する方法として、蒸着またはスパッタリン
グのような薄膜形成法が知られている。積層セラミック
コンデンサを製造する場合、焼成前の複数のセラミック
グリーンシートを積層することが行われるが、内部電極
は、隣合うセラミックグリーンシート間に形成されるも
のであるので、積層される前の段階において、セラミッ
クグリーンシート上に形成されなければならない。しか
しながら、機械的に軟弱であり、取扱いが困難なセラミ
ックグリーンシート上に、直接、前述したような薄膜形
成法を用いて、金属薄膜を形成することは困難である。
そのため、内部電極となる金属薄膜が、セラミックグリ
ーンシート上ではなく、取扱いが容易な別のフィルム上
にまず形成され、このようなフィルム上に形成された金
属薄膜を、セラミックグリーンシート上に、転写するこ
とによって、セラミックグリーンシート上に金属薄膜を
形成することが容易または可能とされる。
【０００４】このように、内部電極を、転写技術を用い
て金属薄膜によって形成することにより、得られた積層
セラミックコンデンサを小型化、特に薄型化することが
可能になるばかりでなく、セラミックグリーンシートを
積層したとき、積層状態での厚みを、セラミックグリー
ンシートの延びる方向において、より均一にすることが
できる。この後者の特徴は、また、積層されたセラミッ
クグリーンシートを焼成した後で、デラミネーションな
どの不都合を招く可能性を減じることにもつながる。
て金属薄膜によって形成することにより、得られた積層
セラミックコンデンサを小型化、特に薄型化することが
可能になるばかりでなく、セラミックグリーンシートを
積層したとき、積層状態での厚みを、セラミックグリー
ンシートの延びる方向において、より均一にすることが
できる。この後者の特徴は、また、積層されたセラミッ
クグリーンシートを焼成した後で、デラミネーションな
どの不都合を招く可能性を減じることにもつながる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、積層セラ
ミックコンデンサにおいて、いくつかの利点を与える金
属薄膜からなる内部電極の形成が、転写技術により可能
にされたわけであるが、転写技術を実施するためには、
転写すべき金属薄膜が、たとえ一部においても欠けるこ
となく、転写されるべき面に完全に転写されること、す
なわち転写性に優れていることが望まれる。たとえば、
積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するため、
転写技術を用いたとき、金属薄膜が所望のパターンを以
て完全に転写されないとすると、当然に、得られた積層
セラミックコンデンサは不良品となるからである。
ミックコンデンサにおいて、いくつかの利点を与える金
属薄膜からなる内部電極の形成が、転写技術により可能
にされたわけであるが、転写技術を実施するためには、
転写すべき金属薄膜が、たとえ一部においても欠けるこ
となく、転写されるべき面に完全に転写されること、す
なわち転写性に優れていることが望まれる。たとえば、
積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するため、
転写技術を用いたとき、金属薄膜が所望のパターンを以
て完全に転写されないとすると、当然に、得られた積層
セラミックコンデンサは不良品となるからである。
【０００６】そこで、この発明の目的は、不良品が発生
せず、容量低下などの電気的特性の劣化のない、セラミ
ックグリーンシートと金属薄膜を用いた積層セラミック
電子部品を提供することである。
せず、容量低下などの電気的特性の劣化のない、セラミ
ックグリーンシートと金属薄膜を用いた積層セラミック
電子部品を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】セラミックグリーンシー
トと、セラミックグリーンシートの表面に形成された電
極とを含んでなる積層セラミック電子部品の製造方法は
（ａ）蒸着によりフィルム上に第１の金属層を形成する
ステップと、（ｂ）湿式めっきにより第１の金属層の上
に第２の金属層を形成するステップと、（ｃ）第１およ
び第２の金属層をパターニングするステップと、（ｄ）
金属層を覆うように、前記フィルム上にセラミックのス
ラリーをコーティングしてセラミックグリーンシートを
形成するステップと、（ｅ）フィルムに支持された金属
一体化グリーンシートをセラミックグリーンシートまた
は他の金属一体化グリーンシート上に圧着し積層するス
テップと、（ｆ）フィルムを剥離するステップと、
（ｇ）積層したセラミックグリーンシートを焼成するス
テップとを備えることを特徴とする。
トと、セラミックグリーンシートの表面に形成された電
極とを含んでなる積層セラミック電子部品の製造方法は
（ａ）蒸着によりフィルム上に第１の金属層を形成する
ステップと、（ｂ）湿式めっきにより第１の金属層の上
に第２の金属層を形成するステップと、（ｃ）第１およ
び第２の金属層をパターニングするステップと、（ｄ）
金属層を覆うように、前記フィルム上にセラミックのス
ラリーをコーティングしてセラミックグリーンシートを
形成するステップと、（ｅ）フィルムに支持された金属
一体化グリーンシートをセラミックグリーンシートまた
は他の金属一体化グリーンシート上に圧着し積層するス
テップと、（ｆ）フィルムを剥離するステップと、
（ｇ）積層したセラミックグリーンシートを焼成するス
テップとを備えることを特徴とする。
【０００８】好ましくは、湿式めっきは電気めっきであ
る。 この発明の他の局面では湿式めっきは無電解めっき
である。
る。 この発明の他の局面では湿式めっきは無電解めっき
である。
【０００９】上述した第１の金属層と第２の金属層と
は、互いに異種の金属からなるものであっても、互いに
同種の金属からなるものであってもよい。
は、互いに異種の金属からなるものであっても、互いに
同種の金属からなるものであってもよい。
【００１０】上述した第１の金属層としては、たとえ
ば、ニッケル、銅、銀などがある。また、第２の金属層
としては、たとえば、ニッケル、銅などがある。
ば、ニッケル、銅、銀などがある。また、第２の金属層
としては、たとえば、ニッケル、銅などがある。
【００１１】これら金属層を形成するために用いられる
フィルムとしては、可撓性、耐熱性を有し、蒸着、湿式
めっきおよびフォトリソグラフィ等によるパターン化に
対しても十分に耐え得るものが必要とされ、ポリエチレ
ンテレフタレートなどの樹脂フィルムや、ニッケル、
銅、アルミニウムなどの金属箔などがある。
フィルムとしては、可撓性、耐熱性を有し、蒸着、湿式
めっきおよびフォトリソグラフィ等によるパターン化に
対しても十分に耐え得るものが必要とされ、ポリエチレ
ンテレフタレートなどの樹脂フィルムや、ニッケル、
銅、アルミニウムなどの金属箔などがある。
【００１２】この発明にかかる金属薄膜は転写性に優れ
たものとして準備されたものであるが、対象となる被転
写物としては、セラミックグリーンシート、セラミッ
ク、樹脂、金属などがある。また、転写の条件として
は、この金属薄膜を被転写物に接する状態としておき、
いわゆるホットスタンピングにより、たとえば、圧力１
０〜５００ｋｇ／ｃｍ２、温度６０〜９５℃の範囲内で
実施される。
たものとして準備されたものであるが、対象となる被転
写物としては、セラミックグリーンシート、セラミッ
ク、樹脂、金属などがある。また、転写の条件として
は、この金属薄膜を被転写物に接する状態としておき、
いわゆるホットスタンピングにより、たとえば、圧力１
０〜５００ｋｇ／ｃｍ２、温度６０〜９５℃の範囲内で
実施される。
【００１３】
【作用】この発明は、まず、蒸着によりフィルム上に形
成された金属薄膜は、一般に、フィルムに対する付着力
が比較的小さい、すなわち転写性に優れている、という
本発明者の知見に基づいている。
成された金属薄膜は、一般に、フィルムに対する付着力
が比較的小さい、すなわち転写性に優れている、という
本発明者の知見に基づいている。
【００１４】この発明に係る積層セラミック電子部品の
製造方法においては、セラミックグリーンシートの表面
には二層の金属層からなる電極が形成され、これらの金
属層は蒸着および湿式めっきによって形成される。
製造方法においては、セラミックグリーンシートの表面
には二層の金属層からなる電極が形成され、これらの金
属層は蒸着および湿式めっきによって形成される。
【００１５】金属薄膜を蒸着により形成しようとする場
合、金属の種類によって、蒸着しやすいものと、そうで
ないものとがある。また、同じ蒸着技術を用いて金属薄
膜を形成しても、金属の種類によって、転写性に優れた
ものと、そうでないものとがある。したがって、この発
明の目的を達成するためには、まず、蒸着しやすく、転
写性に優れた金属を、蒸着によりフィルム上に形成され
る薄膜を構成する金属として用いなければならない。し
かしながら、上述のような蒸着の容易性および転写の容
易性を考慮して選ばれた金属は、必ずしも、目的とする
電子部品の電極材料等として適しているとは限らない。
また、金属層の全厚みを蒸着のみで形成しようとする
と、次のような問題が発生する。つまり、蒸着過程でフ
ィルムの剥離面側に熱変性が生じることに起因して、剥
離のための力が大きくなるか、剥離しにくくなる。ま
た、蒸着して得られた金属層の残留応力によりフィルム
が反ってしまうことになる。さらには、蒸着レートが低
いため、金属層の形成に時間を要し、製造コストが高く
なる。それゆえに、この発明においては、上述したよう
な蒸着の容易性および転写の容易性を考慮して選ばれた
金属によって第１の金属層を形成しながら、その上方に
第２の金属層を形成し、第１の金属層に用いられる金属
に欠けている性質を補おうとしている。第２の金属層
は、蒸着の容易性および転写の容易性を考慮する必要が
ないため、目的とする電子部品の電極等に要求される性
質を考慮して、最適の金属を以て構成することができ
る。また、第２の金属層は、第１の金属層に欠けていた
性質を補うという観点からだけでなく、蒸着により形成
される第１の金属層の厚みを補って、転写に供される金
属薄膜全体としての必要な厚みを達成することを容易に
するという意義をも有している。したがって、第１の金
属層と第２の金属層とは、互いに異種の金属からなる場
合に限らず、互いに同種の金属から構成されていてもよ
い。
合、金属の種類によって、蒸着しやすいものと、そうで
ないものとがある。また、同じ蒸着技術を用いて金属薄
膜を形成しても、金属の種類によって、転写性に優れた
ものと、そうでないものとがある。したがって、この発
明の目的を達成するためには、まず、蒸着しやすく、転
写性に優れた金属を、蒸着によりフィルム上に形成され
る薄膜を構成する金属として用いなければならない。し
かしながら、上述のような蒸着の容易性および転写の容
易性を考慮して選ばれた金属は、必ずしも、目的とする
電子部品の電極材料等として適しているとは限らない。
また、金属層の全厚みを蒸着のみで形成しようとする
と、次のような問題が発生する。つまり、蒸着過程でフ
ィルムの剥離面側に熱変性が生じることに起因して、剥
離のための力が大きくなるか、剥離しにくくなる。ま
た、蒸着して得られた金属層の残留応力によりフィルム
が反ってしまうことになる。さらには、蒸着レートが低
いため、金属層の形成に時間を要し、製造コストが高く
なる。それゆえに、この発明においては、上述したよう
な蒸着の容易性および転写の容易性を考慮して選ばれた
金属によって第１の金属層を形成しながら、その上方に
第２の金属層を形成し、第１の金属層に用いられる金属
に欠けている性質を補おうとしている。第２の金属層
は、蒸着の容易性および転写の容易性を考慮する必要が
ないため、目的とする電子部品の電極等に要求される性
質を考慮して、最適の金属を以て構成することができ
る。また、第２の金属層は、第１の金属層に欠けていた
性質を補うという観点からだけでなく、蒸着により形成
される第１の金属層の厚みを補って、転写に供される金
属薄膜全体としての必要な厚みを達成することを容易に
するという意義をも有している。したがって、第１の金
属層と第２の金属層とは、互いに異種の金属からなる場
合に限らず、互いに同種の金属から構成されていてもよ
い。
【００１６】
【発明の効果】この発明に係る積層セラミック電子部品
の製造方法においては、蒸着によりフィルム上に第１の
金属層を形成し、その上に湿式めっきによって第２の金
属層を形成し、これら金属層をパターニングしてそこに
セラミックのスラリーをコーティングしてセラミックグ
リーンシートを成形する。その後この金属層一体化セラ
ミックグリーンシートをセラミックグリーンシートまた
は他の金属一体化グリーンシート上に圧着して積層し、
それを焼成して積層セラミック電子部品を製造する。金
属薄膜の剥離力を小さくできるため、グリーンシートの
厚みを均一にする ことができる。フィルムからの金属薄
膜の剥離力が小さく、楽に転写できるため、金属薄膜や
グリーンシートが歪むことがない。
の製造方法においては、蒸着によりフィルム上に第１の
金属層を形成し、その上に湿式めっきによって第２の金
属層を形成し、これら金属層をパターニングしてそこに
セラミックのスラリーをコーティングしてセラミックグ
リーンシートを成形する。その後この金属層一体化セラ
ミックグリーンシートをセラミックグリーンシートまた
は他の金属一体化グリーンシート上に圧着して積層し、
それを焼成して積層セラミック電子部品を製造する。金
属薄膜の剥離力を小さくできるため、グリーンシートの
厚みを均一にする ことができる。フィルムからの金属薄
膜の剥離力が小さく、楽に転写できるため、金属薄膜や
グリーンシートが歪むことがない。
【００１７】その結果、電気的特性の劣化のない積層セ
ラミック電子部品の製造方法を提供できる。
ラミック電子部品の製造方法を提供できる。
【００１８】
【実施例】この発明に従って、次のような実験を行なっ
た。
た。
【００１９】実験例１ この実験例１では、転写用金属箔の作製を試みた。
【００２０】図１に示すように、まず、フィルム１を用
意した。フィルム１としては、１００℃程度の温度では
変形しないポリエチレンテレフタレートからなるものを
用い、後で形成する金属薄膜の転写性をより高めるた
め、そのようなフィルム１に、シリコン・コートを施し
た。
意した。フィルム１としては、１００℃程度の温度では
変形しないポリエチレンテレフタレートからなるものを
用い、後で形成する金属薄膜の転写性をより高めるた
め、そのようなフィルム１に、シリコン・コートを施し
た。
【００２１】次に、フィルム１上に、図１に示すよう
に、ニッケル蒸着膜２を形成した。このニッケル蒸着膜
２の形成には、加速電圧１０ｋＶのエレクトロン・ビー
ム加熱を用い、雰囲気圧力を５×１０−４Ｔｏｒｒ以下
とした。得られたニッケル蒸着膜２の厚みは、０．１μ
ｍであった（比較例１）。
に、ニッケル蒸着膜２を形成した。このニッケル蒸着膜
２の形成には、加速電圧１０ｋＶのエレクトロン・ビー
ム加熱を用い、雰囲気圧力を５×１０−４Ｔｏｒｒ以下
とした。得られたニッケル蒸着膜２の厚みは、０．１μ
ｍであった（比較例１）。
【００２２】次に、図１に示すように、ニッケル蒸着膜
２上に、電気めっきにより、ニッケルめっき膜３を形成
した。このとき、電気めっきは、電流密度を１Ａ／ｄｍ
２とし、めっき浴をスルファミン酸浴とし、ニッケル蒸
着膜２を（−）、ニッケル板を（＋）として実施され
た。このようなめっき処理を３分間行ない、厚み１μｍ
のニッケルめっき膜３を得た（参考例１）。
２上に、電気めっきにより、ニッケルめっき膜３を形成
した。このとき、電気めっきは、電流密度を１Ａ／ｄｍ
２とし、めっき浴をスルファミン酸浴とし、ニッケル蒸
着膜２を（−）、ニッケル板を（＋）として実施され
た。このようなめっき処理を３分間行ない、厚み１μｍ
のニッケルめっき膜３を得た（参考例１）。
【００２３】他方、上述した電気めっきに代えて、図１
に示すように、ニッケル蒸着膜２上に、無電解めっきに
より、ニッケルめっき膜３を形成した。このとき、無電
解めっきは、アルカリ性ヒドラジン浴を用い、液温８０
℃で実施した。このようなめっき処理を４分間行ない、
厚み１μｍのニッケルめっき膜３を得た（参考例２）。
に示すように、ニッケル蒸着膜２上に、無電解めっきに
より、ニッケルめっき膜３を形成した。このとき、無電
解めっきは、アルカリ性ヒドラジン浴を用い、液温８０
℃で実施した。このようなめっき処理を４分間行ない、
厚み１μｍのニッケルめっき膜３を得た（参考例２）。
【００２４】上述した比較例１ならびに参考例１および
２の各々について、転写性を評価するため、紙およびプ
ラスチック上への転写を試みた。まず、比較例１ならび
に参考例１および２の各々につき、金属薄膜の表面（す
なわち、比較例１ではニッケル蒸着膜２の表面、参考例
１および２ではニッケルめっき膜３の表面）に接着剤を
コーティングした。次いで、これら比較例１ならびに参
考例１および２の各々につき、ホットスタンピング法に
より、紙およびプラスチックの各々に金属薄膜の転写を
試みた。ホットスタンピング処理において、１００ｋｇ
／ｃｍ２の圧力を１０秒間加えた。
２の各々について、転写性を評価するため、紙およびプ
ラスチック上への転写を試みた。まず、比較例１ならび
に参考例１および２の各々につき、金属薄膜の表面（す
なわち、比較例１ではニッケル蒸着膜２の表面、参考例
１および２ではニッケルめっき膜３の表面）に接着剤を
コーティングした。次いで、これら比較例１ならびに参
考例１および２の各々につき、ホットスタンピング法に
より、紙およびプラスチックの各々に金属薄膜の転写を
試みた。ホットスタンピング処理において、１００ｋｇ
／ｃｍ２の圧力を１０秒間加えた。
【００２５】比較例１によれば、ホットスタンピング処
理の温度を１００℃にしたとき、金属薄膜（ニッケル蒸
着膜２）が紙およびプラスチックに転写することができ
たのに対し、参考例１および２の各々では、８０℃の温
度であっても、紙およびプラスチックに金属薄膜（ニッ
ケル蒸着膜２およびニッケルめっき膜３）を転写するこ
とができた。
理の温度を１００℃にしたとき、金属薄膜（ニッケル蒸
着膜２）が紙およびプラスチックに転写することができ
たのに対し、参考例１および２の各々では、８０℃の温
度であっても、紙およびプラスチックに金属薄膜（ニッ
ケル蒸着膜２およびニッケルめっき膜３）を転写するこ
とができた。
【００２６】上述した実験例において、ニッケルの代わ
りに、金、銀、銅の各々を用いた場合についても、同様
の結果が得られた。また、これらの金属を用いて２層以
上としても同様の結果が得られた。
りに、金、銀、銅の各々を用いた場合についても、同様
の結果が得られた。また、これらの金属を用いて２層以
上としても同様の結果が得られた。
【００２７】実験例２ 図２に示すように、フィルム４を、まず、用意した。こ
のフィルム４は、実験例１で用いたフィルム１と同じも
のとした。
のフィルム４は、実験例１で用いたフィルム１と同じも
のとした。
【００２８】次に、フィルム４上に、蒸着により、厚み
０．１μｍの銅蒸着膜５を形成した（比較例２）。な
お、蒸着条件は、実験例１と同様とした。
０．１μｍの銅蒸着膜５を形成した（比較例２）。な
お、蒸着条件は、実験例１と同様とした。
【００２９】次に、銅蒸着膜５上に、電気めっきによ
り、厚み１μｍのニッケルめっき膜６を形成した（実施
例１）。この電気めっき条件についても、実験例１と同
様とした。
り、厚み１μｍのニッケルめっき膜６を形成した（実施
例１）。この電気めっき条件についても、実験例１と同
様とした。
【００３０】他方、上述した電気めっきに代えて、銅蒸
着膜５上に、無電解めっきにより、厚み１μｍのニッケ
ルめっき膜６を形成した（実施例２）。この無電解めっ
き条件についても、実験例１と同様とした。
着膜５上に、無電解めっきにより、厚み１μｍのニッケ
ルめっき膜６を形成した（実施例２）。この無電解めっ
き条件についても、実験例１と同様とした。
【００３１】これら比較例２ならびに実施例１および２
の各々の転写性を評価するため、次のような実験を行な
った。
の各々の転写性を評価するため、次のような実験を行な
った。
【００３２】チタン酸バリウムを主成分とする非還元性
誘電体セラミックのスラリーを用意した。このスラリー
を、金属薄膜（比較例２では銅蒸着膜５、実施例１およ
び２ではニッケルめっき膜６）の表面にコーティング
し、乾燥した後、セラミックグリーンシート７の剥離を
行なった。比較例２では、セラミックグリーンシート７
の剥離にもかかわらず、銅蒸着膜５はフィルム４からま
ったく剥がれなかった。他方、実施例１および２では、
セラミックグリーンシート７の剥離に伴われて、銅蒸着
膜５およびニッケルめっき膜６がフィルム４から剥離さ
れた。
誘電体セラミックのスラリーを用意した。このスラリー
を、金属薄膜（比較例２では銅蒸着膜５、実施例１およ
び２ではニッケルめっき膜６）の表面にコーティング
し、乾燥した後、セラミックグリーンシート７の剥離を
行なった。比較例２では、セラミックグリーンシート７
の剥離にもかかわらず、銅蒸着膜５はフィルム４からま
ったく剥がれなかった。他方、実施例１および２では、
セラミックグリーンシート７の剥離に伴われて、銅蒸着
膜５およびニッケルめっき膜６がフィルム４から剥離さ
れた。
【００３３】次に実施例１および２につき、ニッケルめ
っき膜６上にフォトレジストをコーティングした後、フ
ォトエッチング法により、積層セラミックコンデンサの
内部電極を形成するように、金属薄膜（銅蒸着膜５およ
びニッケルめっき膜６）のパターニングを行なった。
っき膜６上にフォトレジストをコーティングした後、フ
ォトエッチング法により、積層セラミックコンデンサの
内部電極を形成するように、金属薄膜（銅蒸着膜５およ
びニッケルめっき膜６）のパターニングを行なった。
【００３４】次いで、フィルム４の、金属薄膜が形成さ
れた側の面上に、ドクターブレード法により、厚み１０
〜１５μｍのセラミックグリーンシート７を成形した。
このセラミックグリーンシート７の成形には、前述した
非還元性誘電体セラミックのスラリーを用いた。
れた側の面上に、ドクターブレード法により、厚み１０
〜１５μｍのセラミックグリーンシート７を成形した。
このセラミックグリーンシート７の成形には、前述した
非還元性誘電体セラミックのスラリーを用いた。
【００３５】次いで、上述のセラミックグリーンシート
７を積重ね、積重ねごとに、熱圧着を行ない、それぞれ
の熱圧着の後で、フィルム４を剥離した。このとき、金
属薄膜がフィルム４側に残ることはなかった。
７を積重ね、積重ねごとに、熱圧着を行ない、それぞれ
の熱圧着の後で、フィルム４を剥離した。このとき、金
属薄膜がフィルム４側に残ることはなかった。
【００３６】このようにして得られた積層体を、１個の
積層セラミックコンデンサを与える寸法にカットした
後、焼成し、次いで外部電極を形成し、積層セラミック
コンデンサを作製した。
積層セラミックコンデンサを与える寸法にカットした
後、焼成し、次いで外部電極を形成し、積層セラミック
コンデンサを作製した。
【００３７】得られた積層セラミックコンデンサは、内
部電極を金属ペーストのスクリーン印刷により形成した
従来の典型的な積層セラミックコンデンサに比べて、そ
の厚みが薄く、また、その厚みがセラミックシートの延
びる方向においてより均一であった。また、内部電極に
ポアなどの欠陥がないため、容量低下など、電気的特性
の劣化もみられなかった。
部電極を金属ペーストのスクリーン印刷により形成した
従来の典型的な積層セラミックコンデンサに比べて、そ
の厚みが薄く、また、その厚みがセラミックシートの延
びる方向においてより均一であった。また、内部電極に
ポアなどの欠陥がないため、容量低下など、電気的特性
の劣化もみられなかった。
【００３８】実験例３ 実験例１と同様に、フィルム１を準備した。
【００３９】次に、フィルム１上に、図１に示すよう
に、蒸着により、厚み１μｍの銅蒸着膜２を形成した
（比較例３）。なお、蒸着条件は実験例１と同様とし
た。
に、蒸着により、厚み１μｍの銅蒸着膜２を形成した
（比較例３）。なお、蒸着条件は実験例１と同様とし
た。
【００４０】一方、フィルム１上に、図１に示すよう
に、蒸着により、厚み０．１μｍの銅蒸着膜２を形成
し、さらに、銅蒸着膜２の上に、電気めっきにより、厚
み１μｍの銅めっき膜３を形成した（参考例３）。な
お、電気めっき条件は、実験例１と同様とした。
に、蒸着により、厚み０．１μｍの銅蒸着膜２を形成
し、さらに、銅蒸着膜２の上に、電気めっきにより、厚
み１μｍの銅めっき膜３を形成した（参考例３）。な
お、電気めっき条件は、実験例１と同様とした。
【００４１】他方、上述した電気めっきに代えて、銅蒸
着膜２の上に、無電解めっきにより、厚み１μｍの銅め
っき膜３を形成した（参考例４）。なお、無電解めっき
条件は、実験例１と同様とした。
着膜２の上に、無電解めっきにより、厚み１μｍの銅め
っき膜３を形成した（参考例４）。なお、無電解めっき
条件は、実験例１と同様とした。
【００４２】これら比較例３ならびに参考例３および４
の各々の転写性を評価するため、次のような実験を行な
った。
の各々の転写性を評価するため、次のような実験を行な
った。
【００４３】２ｃｍ角の板を２枚準備し、比較例３なら
びに参考例３および４の各々のものを２枚の板の間に挟
み、比較例３ならびに参考例３および４の各々と板とを
その接触面で接着剤により固定した。この状態で、板を
外方に向って引張り、フィルム１から銅蒸着膜２の剥離
力を調べたところ、比較例３では３０００ｇであったの
に対し、参考例３および４の各々のものは２０００ｇで
剥離した。
びに参考例３および４の各々のものを２枚の板の間に挟
み、比較例３ならびに参考例３および４の各々と板とを
その接触面で接着剤により固定した。この状態で、板を
外方に向って引張り、フィルム１から銅蒸着膜２の剥離
力を調べたところ、比較例３では３０００ｇであったの
に対し、参考例３および４の各々のものは２０００ｇで
剥離した。
【００４４】また、比較例３のものは、フィルム１の反
りが大きく、平面状のものが得られにくいため、フォト
エッチング法によるパターニングが困難であった。
りが大きく、平面状のものが得られにくいため、フォト
エッチング法によるパターニングが困難であった。
【００４５】実験例４ 実験例１と同様に、フィルム１を準備した。
【００４６】次に、フィルム１上に、第１図に示すよう
に、蒸着により、厚み１μｍのニッケル蒸着膜２を形成
した（比較例４）。なお、蒸着条件は実験例１と同様と
した。
に、蒸着により、厚み１μｍのニッケル蒸着膜２を形成
した（比較例４）。なお、蒸着条件は実験例１と同様と
した。
【００４７】一方、フィルム１上に、図１に示すよう
に、蒸着により、厚み０．１μｍのニッケル蒸着膜２を
形成し、さらに、ニッケル蒸着膜２の上に、電気めっき
により、厚み１μｍのニッケルめっき膜３を形成した
（参考例５）。なお、電気めっき条件は、実験例１と同
様とした。
に、蒸着により、厚み０．１μｍのニッケル蒸着膜２を
形成し、さらに、ニッケル蒸着膜２の上に、電気めっき
により、厚み１μｍのニッケルめっき膜３を形成した
（参考例５）。なお、電気めっき条件は、実験例１と同
様とした。
【００４８】他方、上述した電気めっきに代えて、ニッ
ケル蒸着膜２の上に、無電解めっきにより、厚み１μｍ
のニッケルめっき膜３を形成した（参考例６）。なお、
無電解めっき条件は、実験例１と同様とした。
ケル蒸着膜２の上に、無電解めっきにより、厚み１μｍ
のニッケルめっき膜３を形成した（参考例６）。なお、
無電解めっき条件は、実験例１と同様とした。
【００４９】これら比較例４ならびに参考例５および６
の各々の転写性を評価するため、実験例１と同様に行な
ったところ、比較例４では、ホットスタンピング処理の
温度を１００℃にしても転写できず、またニッケル蒸着
膜のひび割れが著しく、さらには反りも大きく、平面状
のものが得られにくいため、フォトエッチング法による
パターニングが困難であった。一方、参考例５および６
の各々のものは、８０℃の温度で、紙およびプラスチッ
クに金属薄膜（ニッケル蒸着膜２およびニッケルめっき
膜３）を転写することができた。
の各々の転写性を評価するため、実験例１と同様に行な
ったところ、比較例４では、ホットスタンピング処理の
温度を１００℃にしても転写できず、またニッケル蒸着
膜のひび割れが著しく、さらには反りも大きく、平面状
のものが得られにくいため、フォトエッチング法による
パターニングが困難であった。一方、参考例５および６
の各々のものは、８０℃の温度で、紙およびプラスチッ
クに金属薄膜（ニッケル蒸着膜２およびニッケルめっき
膜３）を転写することができた。
【００５０】以上、この発明を、実験例１ないし４に関
連して説明したが、第１の金属層および第２の金属層の
各々に用いられる金属は、任意である。
連して説明したが、第１の金属層および第２の金属層の
各々に用いられる金属は、任意である。
【００５１】また、第２の金属層は、必ずしも、第１の
金属層に接触して設けられる必要はない。たとえば、第
１の金属層と第２の金属層との間に、少なくとも１つの
第３の金属層が形成されていてもよい。この場合、第３
の金属層は、スパッタリング、電気めっき、無電解めっ
き、などの方法で形成されてもよい。
金属層に接触して設けられる必要はない。たとえば、第
１の金属層と第２の金属層との間に、少なくとも１つの
第３の金属層が形成されていてもよい。この場合、第３
の金属層は、スパッタリング、電気めっき、無電解めっ
き、などの方法で形成されてもよい。
【００５２】また、第１の金属層を形成するためのフィ
ルムは、たとえば樹脂から構成されるが、前述したよう
に、シリコン・コートのような転写性を向上させるため
の処理が施されていることを必須とするものではない。
フィルム自身を構成する材料として、本来的に金属との
付着力が小さいものを用いれば、敢えて転写性を向上さ
せるための表面処理を施す必要はない。
ルムは、たとえば樹脂から構成されるが、前述したよう
に、シリコン・コートのような転写性を向上させるため
の処理が施されていることを必須とするものではない。
フィルム自身を構成する材料として、本来的に金属との
付着力が小さいものを用いれば、敢えて転写性を向上さ
せるための表面処理を施す必要はない。
【００５３】以上の実施例のほか、第１の金属層および
第２の金属層の材質を選択することにより、以下に説明
するようなものを構成することができる。
第２の金属層の材質を選択することにより、以下に説明
するようなものを構成することができる。
【００５４】まず、第１の金属層として銅、第２の金属
層としてニッケルを選択し、これを半導体磁器コンデン
サ用のセラミックグリーンシートの上に転写し、こうし
て準備したものを複数枚積み重ねたのち、焼成すること
により、セラミックグリーンシートの磁器化が行われる
とともに、その後の再酸化処理により、銅がセラミック
に拡散し、半導体磁器の粒界の絶縁体化が行われ、粒界
絶縁型の積層セラミックコンデンサが得られる。
層としてニッケルを選択し、これを半導体磁器コンデン
サ用のセラミックグリーンシートの上に転写し、こうし
て準備したものを複数枚積み重ねたのち、焼成すること
により、セラミックグリーンシートの磁器化が行われる
とともに、その後の再酸化処理により、銅がセラミック
に拡散し、半導体磁器の粒界の絶縁体化が行われ、粒界
絶縁型の積層セラミックコンデンサが得られる。
【００５５】この他、第１の金属層としてアルミニウ
ム、第２の金属層として銅、第３の金属層としてアルミ
ニウムを選択し、これをセラミックグリーンシートの上
に転写し、こうして準備したものを複数枚積み重ねたの
ち、焼成すると、アルミニウムがＡｌ２Ｏ３になり、銅
の拡散防止層となる。これを積層セラミックコンデンサ
の製造に適用すれば、内部電極となる銅がセラミック層
に拡散するのが防止されるため、特性、特に容量ばらつ
きの少ない積層セラミックコンデンサが製造できる。こ
の場合、銅の代わりにニッケルで構成しても同様の効果
が得られる。
ム、第２の金属層として銅、第３の金属層としてアルミ
ニウムを選択し、これをセラミックグリーンシートの上
に転写し、こうして準備したものを複数枚積み重ねたの
ち、焼成すると、アルミニウムがＡｌ２Ｏ３になり、銅
の拡散防止層となる。これを積層セラミックコンデンサ
の製造に適用すれば、内部電極となる銅がセラミック層
に拡散するのが防止されるため、特性、特に容量ばらつ
きの少ない積層セラミックコンデンサが製造できる。こ
の場合、銅の代わりにニッケルで構成しても同様の効果
が得られる。
【図１】この発明の参考例を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例を示す断面図である。
１，４ フィルム ２ ニッケル蒸着膜（第１の金属層） ３，６ ニッケルまたは銅めっき膜（第２の金属層） ５ 銅蒸着膜（第１の金属層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 28/02
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックグリーンシートと、前記セラ
ミックグリーンシートの表面に形成された電極とを含ん
でなる積層セラミック電子部品の製造方法であって、 （ａ） 蒸着によりフィルム上に第１の金属層を形成す
るステップと、 （ｂ） 湿式めっきにより前記第１の金属層の上に第２
の金属層を形成するステップと、 （ｃ） 前記第１および第２の金属層をパターニングす
るステップと、 （ｄ） 前記金属層を覆うように、前記フィルム上にセ
ラミックのスラリーをコーティングしてセラミックグリ
ーンシートを形成するステップと、 （ｅ） 前記フィルムに支持された金属一体化グリーン
シートをセラミックグリーンシートまたは他の金属一体
化グリーンシート上に圧着し積層するステップと、 （ｆ） 前記フィルムを剥離するステップと、 （ｇ） 前記積層したセラミックグリーンシートを焼成
するステップとを備えることを特徴とする、積層セラミ
ック電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記湿式めっきは電気めっきである、請
求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記湿式めっきは無電解めっきである、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１および第２の金属層は異なった
金属で形成される、請求項１に記載の積層セラミック電
子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１および第２の金属層は同じ金属
で形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部
品の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144591A JP2990621B2 (ja) | 1990-11-05 | 1991-06-17 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
| SG1996001893A SG42991A1 (en) | 1990-11-05 | 1991-11-05 | Metal thin film having excellent transferability and method of preparing the same |
| DE1991621842 DE69121842T2 (de) | 1990-11-05 | 1991-11-05 | Dünne Metallschicht mit ausgezeichneter Übertragungsfähigkeit und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP19910310229 EP0485176B1 (en) | 1990-11-05 | 1991-11-05 | Metal thin film having excellent transferability and method of preparing the same |
| US08/026,208 US6007652A (en) | 1990-11-05 | 1993-03-02 | Method of preparing metal thin film having excellent transferability |
Applications Claiming Priority (3)
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