JPH06231999A - 内部電極形成方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
内部電極形成方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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- JPH06231999A JPH06231999A JP1660193A JP1660193A JPH06231999A JP H06231999 A JPH06231999 A JP H06231999A JP 1660193 A JP1660193 A JP 1660193A JP 1660193 A JP1660193 A JP 1660193A JP H06231999 A JPH06231999 A JP H06231999A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大容量積層セラミックコンデンサを安価に製
造すること。 【構成】 フィルム1上に内部電極のパターン状に活性
化処理を行い、無電解メッキによりそのパターン部分の
みに金属箔による内部電極4を形成する。内部電極4が
形成されたフィルム1上にセラミック誘電体層5を形成
する、或いは、キャリアフィルム10上にセラミック誘
電体層5を形成しそれに内部電極4を転写する事によ
り、セラミックグリーンシート6を作製し、積層を行
う。
造すること。 【構成】 フィルム1上に内部電極のパターン状に活性
化処理を行い、無電解メッキによりそのパターン部分の
みに金属箔による内部電極4を形成する。内部電極4が
形成されたフィルム1上にセラミック誘電体層5を形成
する、或いは、キャリアフィルム10上にセラミック誘
電体層5を形成しそれに内部電極4を転写する事によ
り、セラミックグリーンシート6を作製し、積層を行
う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サの内部電極の製造方法及び積層セラミックコンデンサ
の製造方法に関するものである。
サの内部電極の製造方法及び積層セラミックコンデンサ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】昨今、電子機器の小型化、高性能化にと
もなって積層チップコンデンサは、小型化、大容量化へ
の要望がますます増大している。
もなって積層チップコンデンサは、小型化、大容量化へ
の要望がますます増大している。
【0003】従来、積層セラミックコンデンサは、次の
ようなプロセスを経て製造されている。
ようなプロセスを経て製造されている。
【0004】まず、ドクターブレード等によりシート状
に成形されたセラミックグリーンシートが準備され、そ
の上に、内部電極となる金属、例えばパラジウム、銀−
パラジウム、ニッケル等のペーストが、スクリーン印刷
により1.0〜数μmの厚みで所定のパターンをもって
形成される。なお、通常、セラミックグリーンシート
は、後で切断されて複数個の積層セラミックコンデンサ
を得ることが意図されており、従って、内部電極となる
部分は、セラミックグリーンシート上において、複数個
の箇所に分布して形成される。
に成形されたセラミックグリーンシートが準備され、そ
の上に、内部電極となる金属、例えばパラジウム、銀−
パラジウム、ニッケル等のペーストが、スクリーン印刷
により1.0〜数μmの厚みで所定のパターンをもって
形成される。なお、通常、セラミックグリーンシート
は、後で切断されて複数個の積層セラミックコンデンサ
を得ることが意図されており、従って、内部電極となる
部分は、セラミックグリーンシート上において、複数個
の箇所に分布して形成される。
【0005】次に、上述のように内部電極を形成したセ
ラミックグリーンシートが積層され、プレスすることに
より圧着された後、個々の積層セラミックコンデンサの
為のチップを得るように切断される。その後、上記のチ
ップは焼成され、チップの表面の所定の領域に、外部電
極となる金属ペーストが塗布され、これが焼成されるこ
とによって、積層セラミックコンデンサが完成される。
ラミックグリーンシートが積層され、プレスすることに
より圧着された後、個々の積層セラミックコンデンサの
為のチップを得るように切断される。その後、上記のチ
ップは焼成され、チップの表面の所定の領域に、外部電
極となる金属ペーストが塗布され、これが焼成されるこ
とによって、積層セラミックコンデンサが完成される。
【0006】現在、内部電極のパターン形成法として、
大容量、高積層化への要望から薄膜形成法による、厚み
0.1〜1.0μmの内部電極形成方法が検討されてい
る。薄膜形成法における内部電極のパターン形成法とし
ては、エッチング、所定部分のみを押圧する、或いはマ
スキング等が用いられる(例えば特開昭64−4280
9号公報参照)。
大容量、高積層化への要望から薄膜形成法による、厚み
0.1〜1.0μmの内部電極形成方法が検討されてい
る。薄膜形成法における内部電極のパターン形成法とし
ては、エッチング、所定部分のみを押圧する、或いはマ
スキング等が用いられる(例えば特開昭64−4280
9号公報参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】一般に、積層セラミッ
クコンデンサを小型化、大容量化するための工法上の手
段として、上記のセラミックグリーンシートを薄層化
し、内部電極間の距離を短くすることや、規定寸法内で
上記のセラミックグリーンシートをできるだけ多く積層
することが有効である。しかし、内部電極に金属ペース
トを用いた場合、内部電極厚みが大きいためセラミック
グリーンシート上に大きな凸部が存在することになる。
したがって、セラミックグリーンシートを積層し、圧着
する時に、内部電極が形成されていない部分に十分な圧
力がかからず、特に大容量品の場合には、多くのセラミ
ックグリーンシートを積層することになるのでシート間
の接着性が低下し、チップ焼成後、クラックが発生して
しまうといった問題点がある。
クコンデンサを小型化、大容量化するための工法上の手
段として、上記のセラミックグリーンシートを薄層化
し、内部電極間の距離を短くすることや、規定寸法内で
上記のセラミックグリーンシートをできるだけ多く積層
することが有効である。しかし、内部電極に金属ペース
トを用いた場合、内部電極厚みが大きいためセラミック
グリーンシート上に大きな凸部が存在することになる。
したがって、セラミックグリーンシートを積層し、圧着
する時に、内部電極が形成されていない部分に十分な圧
力がかからず、特に大容量品の場合には、多くのセラミ
ックグリーンシートを積層することになるのでシート間
の接着性が低下し、チップ焼成後、クラックが発生して
しまうといった問題点がある。
【0008】また、内部電極形成法に薄膜形成法を用い
る場合、一般的にセラミックグリーンシート上ではなく
有機フィルム上に薄膜を形成し、それをセラミックグリ
ーンシート上に転写する、あるいは薄膜電極が形成され
た有機フィルム上に直接セラミックグリーンシートを形
成する方法が採用され、薄膜形成法は蒸着及びスパッタ
ーといった真空系によるものと、無電解メッキによるも
のとの2種類に大別できる。真空系による薄膜形成法の
場合、設備コストが高価であり、また内部電極を形成す
る際のパターン形成法として主にマスキングが採用され
るが、薄膜形成の際にマスク部に不要の金属箔が形成さ
れるため、ターゲットあるいは蒸着源として用いた金属
の利用効率が低くなるという問題がある。無電解メッキ
による薄膜形成法の場合、設備コストは安価であるが、
一般に被メッキ物全体を各処理液に浸漬するため被メッ
キ物である有機フィルム全体に金属箔が析出し、内部電
極パターンを形成する際にエッチングが行われ、レジス
ト塗布、エッチング、レジスト除去の工程が加わるた
め、材料コストが高価になる、また、エッチング工程で
内部電極となる部分も腐食によるダメージを受けるとい
う問題がある。
る場合、一般的にセラミックグリーンシート上ではなく
有機フィルム上に薄膜を形成し、それをセラミックグリ
ーンシート上に転写する、あるいは薄膜電極が形成され
た有機フィルム上に直接セラミックグリーンシートを形
成する方法が採用され、薄膜形成法は蒸着及びスパッタ
ーといった真空系によるものと、無電解メッキによるも
のとの2種類に大別できる。真空系による薄膜形成法の
場合、設備コストが高価であり、また内部電極を形成す
る際のパターン形成法として主にマスキングが採用され
るが、薄膜形成の際にマスク部に不要の金属箔が形成さ
れるため、ターゲットあるいは蒸着源として用いた金属
の利用効率が低くなるという問題がある。無電解メッキ
による薄膜形成法の場合、設備コストは安価であるが、
一般に被メッキ物全体を各処理液に浸漬するため被メッ
キ物である有機フィルム全体に金属箔が析出し、内部電
極パターンを形成する際にエッチングが行われ、レジス
ト塗布、エッチング、レジスト除去の工程が加わるた
め、材料コストが高価になる、また、エッチング工程で
内部電極となる部分も腐食によるダメージを受けるとい
う問題がある。
【0009】そこで、本発明は上記各種従来技術の課題
に鑑み、内部電極を効率よく安価に作成し、大容量積層
セラミックコンデンサを安価に製造できる、内部電極形
成方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法方法を
提供することを目的とするものである。
に鑑み、内部電極を効率よく安価に作成し、大容量積層
セラミックコンデンサを安価に製造できる、内部電極形
成方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法方法を
提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機フィルム
上に、内部電極となる所定のパターン状に活性化処理を
施した後、その所定部分のみに無電解メッキにより金属
を析出させ、内部電極を形成することを特徴とする。
上に、内部電極となる所定のパターン状に活性化処理を
施した後、その所定部分のみに無電解メッキにより金属
を析出させ、内部電極を形成することを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明において、内部電極に無電解メッキによ
る金属箔を用いることから、セラミックグリーンシート
表面の内部電極による凸部は激減し、シート圧着時に、
シート全体に圧力が加わるので、シート間の接着性が向
上する。その結果、より多くのセラミックグリーンシー
トを積層することができる。さらに、内部電極となる所
定のパターン状に活性化処理を施し無電解メッキにより
内部電極を形成することから、エッチング工程が不要と
なり、且つ、無電解メッキ浴に浸漬する際、無電解メッ
キ液は所定部分のみに作用するので、内部電極の材料コ
ストを必要最低限に抑えることができる。
る金属箔を用いることから、セラミックグリーンシート
表面の内部電極による凸部は激減し、シート圧着時に、
シート全体に圧力が加わるので、シート間の接着性が向
上する。その結果、より多くのセラミックグリーンシー
トを積層することができる。さらに、内部電極となる所
定のパターン状に活性化処理を施し無電解メッキにより
内部電極を形成することから、エッチング工程が不要と
なり、且つ、無電解メッキ浴に浸漬する際、無電解メッ
キ液は所定部分のみに作用するので、内部電極の材料コ
ストを必要最低限に抑えることができる。
【0012】以上のことから本発明は、薄膜電極を設備
コスト、材料コスト共に安価に製造することを可能と
し、積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化、低
コスト化の要求を容易に満たし得ることができる。
コスト、材料コスト共に安価に製造することを可能と
し、積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化、低
コスト化の要求を容易に満たし得ることができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【0014】(実施例1)図1は、本発明の第1の実施
例(請求項1、2に対応)にかかる有機フィルム上への
内部電極形成法及び内部電極が埋め込まれたセラミック
グリーンシートの作製法を示したものである。ここで、
1は有機フィルム、2は内部電極となる所定のパターン
状に形成され、パラジウム活性化処理液を含浸させたス
タンプ、3は還元処理浴、4は金属箔からなる内部電
極、5はセラミック誘電体層を示す。
例(請求項1、2に対応)にかかる有機フィルム上への
内部電極形成法及び内部電極が埋め込まれたセラミック
グリーンシートの作製法を示したものである。ここで、
1は有機フィルム、2は内部電極となる所定のパターン
状に形成され、パラジウム活性化処理液を含浸させたス
タンプ、3は還元処理浴、4は金属箔からなる内部電
極、5はセラミック誘電体層を示す。
【0015】まず、図1(a)に示すように有機フィル
ム1上に、スタンプ2を用いて所定のパターン状にパラ
ジウム活性化処理液をスタンプし、活性化処理温度の恒
温槽に所定時間放置した。次にこれを水洗した後、図1
(b)に示すように還元処理浴3に所定の時間浸漬し、
先と同様に水洗した後、ヒドラジンあるいはホウ素系の
還元剤を用いた無電解ニッケルメッキ浴に所定の条件で
任意の膜厚が得られる時間浸漬し、図1(c)に示すよ
うな内部電極のパターン状にニッケル箔4が形成された
有機フィルム1を得た。この還元処理、及び無電解メッ
キ工程時には、各処理液は予めパラジウム活性化処理を
施した部分のみに作用する。
ム1上に、スタンプ2を用いて所定のパターン状にパラ
ジウム活性化処理液をスタンプし、活性化処理温度の恒
温槽に所定時間放置した。次にこれを水洗した後、図1
(b)に示すように還元処理浴3に所定の時間浸漬し、
先と同様に水洗した後、ヒドラジンあるいはホウ素系の
還元剤を用いた無電解ニッケルメッキ浴に所定の条件で
任意の膜厚が得られる時間浸漬し、図1(c)に示すよ
うな内部電極のパターン状にニッケル箔4が形成された
有機フィルム1を得た。この還元処理、及び無電解メッ
キ工程時には、各処理液は予めパラジウム活性化処理を
施した部分のみに作用する。
【0016】別途、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体粉末120重量部、ポリビニルブチラール樹脂30
重量部、ブチルカルビトール150重量部、フタル酸ジ
オクチル4重量部を配合し、ボールミルで20時間混練
して、セラミック誘電体層用スラリーを作製し、このス
ラリーを用いてリバースロール法でセラミック誘電体層
5を有機フィルム1の上に形成し所望の大きさに切断し
た。
電体粉末120重量部、ポリビニルブチラール樹脂30
重量部、ブチルカルビトール150重量部、フタル酸ジ
オクチル4重量部を配合し、ボールミルで20時間混練
して、セラミック誘電体層用スラリーを作製し、このス
ラリーを用いてリバースロール法でセラミック誘電体層
5を有機フィルム1の上に形成し所望の大きさに切断し
た。
【0017】上記のようにして得られたセラミックグリ
ーンシート6の断面図を図1(d)に示す。但し、図で
は厚み方向が強調されている。
ーンシート6の断面図を図1(d)に示す。但し、図で
は厚み方向が強調されている。
【0018】その後、この内部電極が埋め込まれたセラ
ミックグリーンシート6を複数枚準備し、図2に示すよ
うに転写によって積層を行った。先ずフィルム11上に
形成された生セラミックからなるベース7上に、内部電
極4が埋め込まれたセラミックグリーンシート6を、そ
の有機フィルム1側を上にして配置し、上部より金型8
で加圧し、内部電極4とセラミック誘電体層5を同時に
転写する。なおこのときの転写は、金型8をヒーター9
で50〜120℃に加熱した状態で、50〜200kg
/cm2に加圧して行う。転写工程に際し、予め有機フ
ィルム1上にメラミン系樹脂またはエポキシ系樹脂から
なる離形処理層を形成しておくと転写時のセラミックグ
リーンシートの剥離性が向上する。この様にして、有機
フィルム1を剥す。
ミックグリーンシート6を複数枚準備し、図2に示すよ
うに転写によって積層を行った。先ずフィルム11上に
形成された生セラミックからなるベース7上に、内部電
極4が埋め込まれたセラミックグリーンシート6を、そ
の有機フィルム1側を上にして配置し、上部より金型8
で加圧し、内部電極4とセラミック誘電体層5を同時に
転写する。なおこのときの転写は、金型8をヒーター9
で50〜120℃に加熱した状態で、50〜200kg
/cm2に加圧して行う。転写工程に際し、予め有機フ
ィルム1上にメラミン系樹脂またはエポキシ系樹脂から
なる離形処理層を形成しておくと転写時のセラミックグ
リーンシートの剥離性が向上する。この様にして、有機
フィルム1を剥す。
【0019】更に、その上に、図1(d)のセラミック
グリーンシート6を載せて、同様の手順で所望の積層数
まで転写を繰り返した後、生セラミックベース7と同程
度の厚みの内部電極が埋め込まれていないセラミックグ
リーンシートを転写し、所望の寸法で切断した後、13
00℃で焼成した。(表1)は本方法で内部電極厚み
0.1〜1.0μm、セラミック誘電体層厚み2〜8μ
m、積層数150層で1.6×1.6×3.2mmのチ
ップを作製し、焼結体のクラック発生数を従来法と比較
して示したものである。
グリーンシート6を載せて、同様の手順で所望の積層数
まで転写を繰り返した後、生セラミックベース7と同程
度の厚みの内部電極が埋め込まれていないセラミックグ
リーンシートを転写し、所望の寸法で切断した後、13
00℃で焼成した。(表1)は本方法で内部電極厚み
0.1〜1.0μm、セラミック誘電体層厚み2〜8μ
m、積層数150層で1.6×1.6×3.2mmのチ
ップを作製し、焼結体のクラック発生数を従来法と比較
して示したものである。
【0020】
【表1】
【0021】(表1)からも明らかなように本方法は、
内部電極厚み0.1〜1.0μm、セラミック誘電体厚
み2〜8μmの範囲で150層以上の積層が可能であ
り、従来法に比べると積層セラミックコンデンサの高積
層化に有効であることが分かる。
内部電極厚み0.1〜1.0μm、セラミック誘電体厚
み2〜8μmの範囲で150層以上の積層が可能であ
り、従来法に比べると積層セラミックコンデンサの高積
層化に有効であることが分かる。
【0022】なお、本実施例では内部電極にニッケル、
セラミック誘電体にチタン酸バリウムを用いた積層セラ
ミックコンデンサについて示したが、本発明は、銅、パ
ラジウム、銀、白金、及び金等無電解メッキが可能な金
属を内部電極とする積層セラミックコンデンサ、例えば
内部電極に銅、セラミック誘電体にニオブ・マグネシウ
ム酸鉛を用いた積層セラミックコンデンサ等についても
同様に適用できる事は言うまでもない。
セラミック誘電体にチタン酸バリウムを用いた積層セラ
ミックコンデンサについて示したが、本発明は、銅、パ
ラジウム、銀、白金、及び金等無電解メッキが可能な金
属を内部電極とする積層セラミックコンデンサ、例えば
内部電極に銅、セラミック誘電体にニオブ・マグネシウ
ム酸鉛を用いた積層セラミックコンデンサ等についても
同様に適用できる事は言うまでもない。
【0023】また、本実施例では最初に触媒活性を有す
る金属塩を含む活性化処理液を所定部分にスタンプした
後、還元処理、無電解メッキを行ったが、最初に還元剤
を所定の部分に吸着させ、次いで触媒活性を有する金属
塩を含む活性化処理液に浸漬し、還元剤で処理された部
分のみに触媒活性を有する金属を吸着させた後、無電解
メッキを行う方法、或いは1液性の活性化処理剤を用い
る方法についても同様に適用できる事は言うまでもな
い。
る金属塩を含む活性化処理液を所定部分にスタンプした
後、還元処理、無電解メッキを行ったが、最初に還元剤
を所定の部分に吸着させ、次いで触媒活性を有する金属
塩を含む活性化処理液に浸漬し、還元剤で処理された部
分のみに触媒活性を有する金属を吸着させた後、無電解
メッキを行う方法、或いは1液性の活性化処理剤を用い
る方法についても同様に適用できる事は言うまでもな
い。
【0024】(実施例2)次に、別の実施例2(請求項
3に対応)の説明をする。本実施例の製造方法が実施例
1と異なる点は、同一の有機フィルム上に内部電極及び
セラミック誘電体層を設けず、キャリアフィルム上にセ
ラミック誘電体層を形成し、一方で有機フィルム上に先
の実施例と同様に無電解メッキにより内部電極を形成
し、これを先のセラミック誘電体層に転写して、内部電
極が転写されたセラミックグリーンシートを得ることに
ある。本実施例の場合、内部電極が形成されるフィルム
とセラミック誘電体層が形成されるフィルムが別である
ため、離形処理層を設ける際にそれぞれに応じた離形処
理剤が使用でき、転写工程時のフィルムの剥離性が向上
し、セラミックグリーンシートの転写が容易となる。例
えば、先の実施例では無電解メッキを行うために溌水性
の強いシリコン系あるいはフッ素系等の離形処理剤は使
用できなかったが、本実施例ではセラミック誘電体層を
形成するフィルムに溌水性が強い離形処理剤を用いるこ
とが可能となる。さらに、内部電極をセラミック誘電体
層に転写する際、セラミック誘電体層、あるいは内部電
極を形成した有機フィルム上に、フェノール系樹脂また
はケトン系樹脂またはブチラール系樹脂からなる接着層
を形成すると内部電極とセラミック誘電体層との接着性
が向上する。
3に対応)の説明をする。本実施例の製造方法が実施例
1と異なる点は、同一の有機フィルム上に内部電極及び
セラミック誘電体層を設けず、キャリアフィルム上にセ
ラミック誘電体層を形成し、一方で有機フィルム上に先
の実施例と同様に無電解メッキにより内部電極を形成
し、これを先のセラミック誘電体層に転写して、内部電
極が転写されたセラミックグリーンシートを得ることに
ある。本実施例の場合、内部電極が形成されるフィルム
とセラミック誘電体層が形成されるフィルムが別である
ため、離形処理層を設ける際にそれぞれに応じた離形処
理剤が使用でき、転写工程時のフィルムの剥離性が向上
し、セラミックグリーンシートの転写が容易となる。例
えば、先の実施例では無電解メッキを行うために溌水性
の強いシリコン系あるいはフッ素系等の離形処理剤は使
用できなかったが、本実施例ではセラミック誘電体層を
形成するフィルムに溌水性が強い離形処理剤を用いるこ
とが可能となる。さらに、内部電極をセラミック誘電体
層に転写する際、セラミック誘電体層、あるいは内部電
極を形成した有機フィルム上に、フェノール系樹脂また
はケトン系樹脂またはブチラール系樹脂からなる接着層
を形成すると内部電極とセラミック誘電体層との接着性
が向上する。
【0025】図3は、本発明の第2の実施例にかかるセ
ラミックグリーンシートの作製方法を示すものである。
図3において、図1に示す部分と同一の部分については
同一の番号を付し、製造工程についても同一の工程につ
いては説明を省略する。なお、10は例えば有機材料等
からなる、キャリアフィルムを示す。
ラミックグリーンシートの作製方法を示すものである。
図3において、図1に示す部分と同一の部分については
同一の番号を付し、製造工程についても同一の工程につ
いては説明を省略する。なお、10は例えば有機材料等
からなる、キャリアフィルムを示す。
【0026】先ず、第1の実施例と同様に、図3(a)
に示すように有機フィルム1上に内部電極のパターン状
にニッケル箔による内部電極4を形成し、別途、先実施
例と同様にセラミック誘電体層用スラリーを作製し、図
3(b)に示すようにセラミック誘電体層5をシリコン
系樹脂で離形処理されたキャリアフィルム10上に形成
した。これらを図3(c)に示すように有機フィルム1
及びキャリアフィルム10が外側になるように重ね合わ
せ、金型8をヒーター9で100〜120℃に加熱しな
がら、50〜700kg/cm2の圧力で押圧した後、
有機フィルム1を除去しセラミック誘電体層5上に内部
電極4が転写されたセラミックグリーンシート6を作製
した。さらに比較のために、セラミック誘電体層5上に
スクリーン印刷により、ブチラール系樹脂からなる接着
層を形成し、先と同様に転写を行い、内部電極とセラミ
ック誘電体層の接着性を向上したセラミックグリーンシ
ートを作成した。また、接着層を形成する手段として、
マスクフィルムでセラミック誘電体層を覆い、接着剤を
噴霧してもよい。
に示すように有機フィルム1上に内部電極のパターン状
にニッケル箔による内部電極4を形成し、別途、先実施
例と同様にセラミック誘電体層用スラリーを作製し、図
3(b)に示すようにセラミック誘電体層5をシリコン
系樹脂で離形処理されたキャリアフィルム10上に形成
した。これらを図3(c)に示すように有機フィルム1
及びキャリアフィルム10が外側になるように重ね合わ
せ、金型8をヒーター9で100〜120℃に加熱しな
がら、50〜700kg/cm2の圧力で押圧した後、
有機フィルム1を除去しセラミック誘電体層5上に内部
電極4が転写されたセラミックグリーンシート6を作製
した。さらに比較のために、セラミック誘電体層5上に
スクリーン印刷により、ブチラール系樹脂からなる接着
層を形成し、先と同様に転写を行い、内部電極とセラミ
ック誘電体層の接着性を向上したセラミックグリーンシ
ートを作成した。また、接着層を形成する手段として、
マスクフィルムでセラミック誘電体層を覆い、接着剤を
噴霧してもよい。
【0027】以降の、セラミックグリーンシートの積層
からチップの完成にいたる製造工程は第1の実施例と同
様である。
からチップの完成にいたる製造工程は第1の実施例と同
様である。
【0028】(表2)は本実施例により、内部電極厚み
0.5μm、セラミック誘電体層厚み4μm、積層数1
50層で1.6×1.6×3.2mmのチップを作製
し、焼結体のクラック発生数を第1の実施例及び接着層
を形成したものと比較して示したものである。
0.5μm、セラミック誘電体層厚み4μm、積層数1
50層で1.6×1.6×3.2mmのチップを作製
し、焼結体のクラック発生数を第1の実施例及び接着層
を形成したものと比較して示したものである。
【0029】
【表2】
【0030】(表2)からも明らかなように本発明は、
内部電極を形成する有機フィルムとセラミック誘電体層
を形成するキャリアフィルムにそれぞれに応じた離形処
理層を設けたことで、転写不良によるクラック発生率が
減少し、さらに接着層を設けることでその効果が高くす
ることが出来ることが分かる。
内部電極を形成する有機フィルムとセラミック誘電体層
を形成するキャリアフィルムにそれぞれに応じた離形処
理層を設けたことで、転写不良によるクラック発生率が
減少し、さらに接着層を設けることでその効果が高くす
ることが出来ることが分かる。
【0031】なお、本実施例2では、内部電極形成法と
して無電解メッキを用いた例について示したが、請求項
3の本発明には、蒸着、スパッター等の真空系による薄
膜形成法、及びスクリーン印刷等の厚膜形成法による内
部電極形成法についても同様に適用できることは言うま
でもない。
して無電解メッキを用いた例について示したが、請求項
3の本発明には、蒸着、スパッター等の真空系による薄
膜形成法、及びスクリーン印刷等の厚膜形成法による内
部電極形成法についても同様に適用できることは言うま
でもない。
【0032】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、内部電極を無電解メッキ法より作製すること
で、セラミックグリーンシート表面の凸部を激減させる
ことができる。また、有機フィルムに内部電極のパター
ン状に活性化処理を施し、無電解メッキにより所定の部
分のみ内部電極を形成することで、内部電極形成に必要
な設備コスト、材料コスト共に安価に出来る。よって、
高積層化、薄層化を必要とする大容量積層セラミックコ
ンデンサを安価に製造することが可能となる。
本発明は、内部電極を無電解メッキ法より作製すること
で、セラミックグリーンシート表面の凸部を激減させる
ことができる。また、有機フィルムに内部電極のパター
ン状に活性化処理を施し、無電解メッキにより所定の部
分のみ内部電極を形成することで、内部電極形成に必要
な設備コスト、材料コスト共に安価に出来る。よって、
高積層化、薄層化を必要とする大容量積層セラミックコ
ンデンサを安価に製造することが可能となる。
【0033】また、請求項3の本発明では、内部電極を
形成する有機フィルムとセラミック誘電体層を形成する
キャリアフィルムにそれぞれに応じた離形処理層を設け
たことで、転写時のセラミックグリーンシートの剥離性
が向上し、転写不良によるクラック発生率が減少する。
形成する有機フィルムとセラミック誘電体層を形成する
キャリアフィルムにそれぞれに応じた離形処理層を設け
たことで、転写時のセラミックグリーンシートの剥離性
が向上し、転写不良によるクラック発生率が減少する。
【図1】本発明の第1の実施例におけるセラミックグリ
ーンシートの製造工程図である。
ーンシートの製造工程図である。
【図2】本発明におけるセラミックグリーンシートの積
層工程図である。
層工程図である。
【図3】本発明の第2の実施例におけるセラミックグリ
ーンシートの製造工程図である。
ーンシートの製造工程図である。
1 有機フィルム 2 活性化処理液を含浸させたスタンプ 3 還元処理浴 4 金属箔からなる内部電極 5 セラミック誘電体層 6 セラミックグリーンシート 7 生セラミック層からなるベース 8 金型 9 ヒーター 10 キャリアフィルム
フロントページの続き (72)発明者 加藤 純一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】有機フィルム上に所定のパターン状に活性
化処理を施し、その所定パターン状部分のみに無電解メ
ッキにより内部電極となる金属箔を形成する事を特徴と
する積層セラミックコンデンサの内部電極製造方法。 - 【請求項2】有機フィルム上に活性化処理液を所定部分
に塗着或いはスタンプした後、その活性化処理液の規定
処理温度の恒温槽に規定時間保持し活性化処理を施し、
前記所定部分のみに無電解メッキにより内部電極となる
金属箔を形成する事を特徴とする請求項1記載の積層セ
ラミックコンデンサの内部電極製造方法。 - 【請求項3】有機フィルム上に形成された内部電極を誘
電体グリーンシートに転写し、これを複数枚重ねる積層
セラミックコンデンサの製造方法において、前記内部電
極を形成する前記有機フィルム上の離形処理層と、前記
誘電体グリーンシートを形成する前記キャリアフィルム
上の離形処理層とに用いられる離形剤がそれぞれに応じ
た異なる離形剤であることを特徴とする積層セラミック
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05016601A JP3093505B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05016601A JP3093505B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06231999A true JPH06231999A (ja) | 1994-08-19 |
JP3093505B2 JP3093505B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=11920822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05016601A Expired - Fee Related JP3093505B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3093505B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002210859A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | セラミックコンデンサ−製造用離型フィルムおよびその製造法 |
CN100463084C (zh) * | 2001-06-08 | 2009-02-18 | 株式会社村田制作所 | 金属膜及其制备方法以及层压陶瓷电子元件的制备方法 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP05016601A patent/JP3093505B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002210859A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | セラミックコンデンサ−製造用離型フィルムおよびその製造法 |
CN100463084C (zh) * | 2001-06-08 | 2009-02-18 | 株式会社村田制作所 | 金属膜及其制备方法以及层压陶瓷电子元件的制备方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3093505B2 (ja) | 2000-10-03 |
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