JP3538348B2 - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法Info
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- JP3538348B2 JP3538348B2 JP28652299A JP28652299A JP3538348B2 JP 3538348 B2 JP3538348 B2 JP 3538348B2 JP 28652299 A JP28652299 A JP 28652299A JP 28652299 A JP28652299 A JP 28652299A JP 3538348 B2 JP3538348 B2 JP 3538348B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば積層セラミッ
クコンデンサ等のセラミック電子部品の製造方法に関す
るものである。
クコンデンサ等のセラミック電子部品の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は一般的な積層セラミックコンデン
サの一部切欠斜視図であり、１はセラミック誘電体層、
２は導電体層、３は外部電極で、導電体層２はその一端
部がセラミック誘電体層１の端部において外部電極３に
接続されている。
サの一部切欠斜視図であり、１はセラミック誘電体層、
２は導電体層、３は外部電極で、導電体層２はその一端
部がセラミック誘電体層１の端部において外部電極３に
接続されている。
【０００３】以下に従来の積層セラミックコンデンサの
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【０００４】まず、セラミック誘電体層１となるチタン
酸バリウムを主成分とする誘電体粉末に有機物を添加し
て作製したスラリーをシート状に加工してセラミックシ
ートを作製し、この上に導電体層２となる金属ペースト
を所望の形状に印刷する。
酸バリウムを主成分とする誘電体粉末に有機物を添加し
て作製したスラリーをシート状に加工してセラミックシ
ートを作製し、この上に導電体層２となる金属ペースト
を所望の形状に印刷する。
【０００５】次にこの導電体層２を形成したセラミック
シートを導電体層２がセラミックシートを挟んで交互に
対向するように複数枚積層して積層体を得る。その後、
この積層体を焼成し、導電体層２が露出した両端面に外
部電極３を形成していた。
シートを導電体層２がセラミックシートを挟んで交互に
対向するように複数枚積層して積層体を得る。その後、
この積層体を焼成し、導電体層２が露出した両端面に外
部電極３を形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記方法
によると、セラミックシートは貫通ピンホールが多数存
在するために、その部分に金属ペーストが印刷された場
合には、金属成分がセラミックシートを貫通し、ショー
ト不良が発生するという問題点を有していた。
によると、セラミックシートは貫通ピンホールが多数存
在するために、その部分に金属ペーストが印刷された場
合には、金属成分がセラミックシートを貫通し、ショー
ト不良が発生するという問題点を有していた。
【０００７】そこで本発明はショート不良の少ないセラ
ミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
ミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、重量平均
分子量が４００，０００以上のポリエチレンとセラミッ
ク粉末とを含有したセラミックシートと、バインダとし
てのアクリル樹脂またはブチラール樹脂および可塑剤を
含有する導電体層とを前記導電体層中の可塑剤が飛散し
すぎないような温度で加圧し、前記導電体層中のバイン
ダと可塑剤とを軟化させて接着して前記セラミックシー
トと前記導電体層とを交互に積層した積層体を作製する
第１工程と、加熱しながら前記積層体を焼成する第２工
程とを備え、前記セラミックシートは、網目構造でかつ
前記ポリエチレンと前記セラミック粉末とが層状に存在
しているものを用いるものであり、例え層状構造の一層
にピンホールが存在したとしても何層もの有機物及びセ
ラミック粉末とで形成されているために、セラミックシ
ートを金属成分が貫通するようなピンホールが発生しに
くいものである。
に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、重量平均
分子量が４００，０００以上のポリエチレンとセラミッ
ク粉末とを含有したセラミックシートと、バインダとし
てのアクリル樹脂またはブチラール樹脂および可塑剤を
含有する導電体層とを前記導電体層中の可塑剤が飛散し
すぎないような温度で加圧し、前記導電体層中のバイン
ダと可塑剤とを軟化させて接着して前記セラミックシー
トと前記導電体層とを交互に積層した積層体を作製する
第１工程と、加熱しながら前記積層体を焼成する第２工
程とを備え、前記セラミックシートは、網目構造でかつ
前記ポリエチレンと前記セラミック粉末とが層状に存在
しているものを用いるものであり、例え層状構造の一層
にピンホールが存在したとしても何層もの有機物及びセ
ラミック粉末とで形成されているために、セラミックシ
ートを金属成分が貫通するようなピンホールが発生しに
くいものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、重量平均分子量が４００，０００以上のポリエチレ
ンとセラミック粉末とを含有したセラミックシートと、
バインダとしてのアクリル樹脂またはブチラール樹脂お
よび可塑剤とを前記導電体層中の可塑剤が飛散しすぎな
いような温度で加圧し、前記導電体層中のバインダと可
塑剤とを軟化させて接着して前記セラミックシートと前
記導電体層とを交互に積層した積層体を作製する第１工
程と、加熱しながら前記積層体を焼成する第２工程とを
備え、前記セラミックシートは、網目構造でかつ前記ポ
リエチレンと前記セラミック粉末とが層状に存在してい
るものを用いるセラミック電子部品の製造方法であり、
金属成分がセラミックシートを貫通するのを防止できる
ためショート不良の少ないセラミック電子部品を得るこ
とができる。請求項２に記載の発明は、第２の工程にお
いて、前記積層体を焼成する前に脱脂を行うもので、前
記脱脂は可塑剤の除去を行った後、バインダの除去を行
う請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法であ
る。
は、重量平均分子量が４００，０００以上のポリエチレ
ンとセラミック粉末とを含有したセラミックシートと、
バインダとしてのアクリル樹脂またはブチラール樹脂お
よび可塑剤とを前記導電体層中の可塑剤が飛散しすぎな
いような温度で加圧し、前記導電体層中のバインダと可
塑剤とを軟化させて接着して前記セラミックシートと前
記導電体層とを交互に積層した積層体を作製する第１工
程と、加熱しながら前記積層体を焼成する第２工程とを
備え、前記セラミックシートは、網目構造でかつ前記ポ
リエチレンと前記セラミック粉末とが層状に存在してい
るものを用いるセラミック電子部品の製造方法であり、
金属成分がセラミックシートを貫通するのを防止できる
ためショート不良の少ないセラミック電子部品を得るこ
とができる。請求項２に記載の発明は、第２の工程にお
いて、前記積層体を焼成する前に脱脂を行うもので、前
記脱脂は可塑剤の除去を行った後、バインダの除去を行
う請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法であ
る。
【００１０】請求項３に記載の発明は、セラミックシー
トの空隙率は５０％未満である請求項１又は２に記載の
セラミック電子部品の製造方法であり、金属成分がセラ
ミックシートを貫通するのを抑制することができる。
トの空隙率は５０％未満である請求項１又は２に記載の
セラミック電子部品の製造方法であり、金属成分がセラ
ミックシートを貫通するのを抑制することができる。
【００１１】請求項４に記載の発明は、第１工程は、ベ
ースフィルム上に形成された導電体層をセラミックシー
ト上に積層して前記ベースフィルムを剥離する工程とこ
の導電体層上にセラミックシートを積層する工程とを繰
り返すものである請求項１乃至３のいずれかに記載のセ
ラミック電子部品の製造方法であり、直接セラミックシ
ート上に誘電体層を形成する場合と比較すると導電体層
中の溶剤成分を減少させることができるので、セラミッ
クシートへの金属成分の浸入を抑制できる。
ースフィルム上に形成された導電体層をセラミックシー
ト上に積層して前記ベースフィルムを剥離する工程とこ
の導電体層上にセラミックシートを積層する工程とを繰
り返すものである請求項１乃至３のいずれかに記載のセ
ラミック電子部品の製造方法であり、直接セラミックシ
ート上に誘電体層を形成する場合と比較すると導電体層
中の溶剤成分を減少させることができるので、セラミッ
クシートへの金属成分の浸入を抑制できる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、セラミックシー
ト上に積層する前に導電体層を厚み方向に加圧する工程
を設けた請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミック
電子部品の製造方法であり、導電体層表面の凹凸を減少
させることにより、セラミックシートへの金属成分の浸
入を抑制できる。
ト上に積層する前に導電体層を厚み方向に加圧する工程
を設けた請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミック
電子部品の製造方法であり、導電体層表面の凹凸を減少
させることにより、セラミックシートへの金属成分の浸
入を抑制できる。
【００１３】
【００１４】以下本発明の実施の形態について積層セラ
ミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明する。
ミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施の形態におけるセラ
ミックシートの要部拡大縦断面図、図２は同横断面図で
あり、１０はセラミックシート、１１はセラミック粉
末、１２はポリエチレン、１３は空隙である。
ミックシートの要部拡大縦断面図、図２は同横断面図で
あり、１０はセラミックシート、１１はセラミック粉
末、１２はポリエチレン、１３は空隙である。
【００１６】また図３、図４は本発明の一実施の形態に
おける導電体層の断面図であり、２は導電体層、１４は
ベースフィルムである。
おける導電体層の断面図であり、２は導電体層、１４は
ベースフィルムである。
【００１７】さらにまた図５は一般的な積層セラミック
コンデンサの一部切欠斜視図で、１はセラミック誘電体
層、２は導電体層、３は外部電極である。
コンデンサの一部切欠斜視図で、１はセラミック誘電体
層、２は導電体層、３は外部電極である。
【００１８】まず重量平均分子量が４００，０００以上
のポリエチレンとチタン酸バリウムを主成分とするセラ
ミック原料粉末とを用いて、空隙率が５０％未満のセラ
ミックシート１０を準備する。図１、図２に示すように
有機物としての網目構造のポリエチレン１２が層状にな
っており、この網目にセラミック粉末１１が吸着してお
り結局セラミック粉末１１も網目構造のものが層状にな
っている。また網目構造のポリエチレン１２は規則的に
配列しているわけではないので、セラミックシート１０
の上面から見たときにセラミックシート１０を貫通する
空隙１３というのはほとんど無いものである。
のポリエチレンとチタン酸バリウムを主成分とするセラ
ミック原料粉末とを用いて、空隙率が５０％未満のセラ
ミックシート１０を準備する。図１、図２に示すように
有機物としての網目構造のポリエチレン１２が層状にな
っており、この網目にセラミック粉末１１が吸着してお
り結局セラミック粉末１１も網目構造のものが層状にな
っている。また網目構造のポリエチレン１２は規則的に
配列しているわけではないので、セラミックシート１０
の上面から見たときにセラミックシート１０を貫通する
空隙１３というのはほとんど無いものである。
【００１９】また、金属成分としてニッケルを、バイン
ダとしてエチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール
樹脂、可塑剤としてベンジルブチルフタレート、溶剤と
して脂肪族または芳香族系溶剤を含有する金属ペースト
を準備し、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のベ
ースフィルム１４上に導電体層２を複数形成する。この
時導電体層２は図３に示すように表面に凹凸を有してい
る。そこで図４に示すように導電体層２の表面の凹凸を
減少させてセラミックシート１０中に導電体層２が浸入
するのを抑制することが望ましい。
ダとしてエチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール
樹脂、可塑剤としてベンジルブチルフタレート、溶剤と
して脂肪族または芳香族系溶剤を含有する金属ペースト
を準備し、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のベ
ースフィルム１４上に導電体層２を複数形成する。この
時導電体層２は図３に示すように表面に凹凸を有してい
る。そこで図４に示すように導電体層２の表面の凹凸を
減少させてセラミックシート１０中に導電体層２が浸入
するのを抑制することが望ましい。
【００２０】また、この時後工程で導電体層２とベース
フィルム１４とを離型させやすくするために、あらかじ
めベースフィルム１４上にアクリル樹脂、メラミン樹
脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂のうち、少なくとも一
種類以上からなる離型層（図示せず）を形成してから導
電体層２を印刷することが望ましい。特にアクリル樹脂
とメラミン樹脂を混合系においては所望の離型性が得ら
れる。また、シリコン樹脂においては所望の離型性が得
られる他、耐溶剤性、耐湿性などに優れるために有効で
ある。
フィルム１４とを離型させやすくするために、あらかじ
めベースフィルム１４上にアクリル樹脂、メラミン樹
脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂のうち、少なくとも一
種類以上からなる離型層（図示せず）を形成してから導
電体層２を印刷することが望ましい。特にアクリル樹脂
とメラミン樹脂を混合系においては所望の離型性が得ら
れる。また、シリコン樹脂においては所望の離型性が得
られる他、耐溶剤性、耐湿性などに優れるために有効で
ある。
【００２１】次に、セラミックシート１０上に導電体層
２をベースフィルム１４ごと導電体層２がセラミックシ
ート１０と接触するように積層し、ベースフィルム１４
上から加圧して導電体層２をセラミックシート１０に転
写した後ベースフィルム１４を剥離し導電体層付きセラ
ミックシートを作製した。
２をベースフィルム１４ごと導電体層２がセラミックシ
ート１０と接触するように積層し、ベースフィルム１４
上から加圧して導電体層２をセラミックシート１０に転
写した後ベースフィルム１４を剥離し導電体層付きセラ
ミックシートを作製した。
【００２２】次いでセラミックシート１０を複数枚積み
重ねて無効層を形成し、この無効層の上に導電体層付き
セラミックシートを所望の枚数積層し、さらにその上に
無効層を形成することで仮積層体を得る。
重ねて無効層を形成し、この無効層の上に導電体層付き
セラミックシートを所望の枚数積層し、さらにその上に
無効層を形成することで仮積層体を得る。
【００２３】その後、仮積層体全体を加圧し、所望の形
状の積層体に切断し、脱脂後焼成をする。脱脂は、大気
中または窒素中で積層体を昇温させながらまず積層体中
の可塑剤の除去を行い、さらに昇温させてバインダの除
去の順に行うことが好ましい。その理由は、可塑剤とバ
インダとを一度に除去するために一気に加熱すると、可
塑剤とバインダとで新たな化合物が生成し脱脂後も積層
体中に残留することとなり、焼成時にこの化合物が燃焼
して積層体から除去されることによりデラミネーション
などの構造欠陥が発生し、ショート不良の発生率が高く
なるからである。
状の積層体に切断し、脱脂後焼成をする。脱脂は、大気
中または窒素中で積層体を昇温させながらまず積層体中
の可塑剤の除去を行い、さらに昇温させてバインダの除
去の順に行うことが好ましい。その理由は、可塑剤とバ
インダとを一度に除去するために一気に加熱すると、可
塑剤とバインダとで新たな化合物が生成し脱脂後も積層
体中に残留することとなり、焼成時にこの化合物が燃焼
して積層体から除去されることによりデラミネーション
などの構造欠陥が発生し、ショート不良の発生率が高く
なるからである。
【００２４】さらに脱脂とこれに続いて行う焼成は導電
体層２となるニッケルが過度に酸化されないように条件
設定を行う。焼成により、チタン酸バリウムを主成分と
するセラミック誘電体層１とニッケルを主成分とする導
電体層２が焼結した焼結体を得る。
体層２となるニッケルが過度に酸化されないように条件
設定を行う。焼成により、チタン酸バリウムを主成分と
するセラミック誘電体層１とニッケルを主成分とする導
電体層２が焼結した焼結体を得る。
【００２５】次いでこの焼結体の導電体層２の露出した
両端面に銅などの外部電極３を焼き付け、メッキ（図示
せず）を施した後に図５に示す積層セラミックコンデン
サを得る。
両端面に銅などの外部電極３を焼き付け、メッキ（図示
せず）を施した後に図５に示す積層セラミックコンデン
サを得る。
【００２６】（表１）は、有効層数（導電体層２間に挟
まれたセラミック誘電体層１の数）が１５０層の積層セ
ラミックコンデンサのショート数について、本実施の形
態品と従来品と比較して示しているものである。
まれたセラミック誘電体層１の数）が１５０層の積層セ
ラミックコンデンサのショート数について、本実施の形
態品と従来品と比較して示しているものである。
【００２７】
【表１】
【００２８】従来品１とは、従来のスラリーを用いて作
製した層状構造を有さないセラミックシートを用いたも
のである。
製した層状構造を有さないセラミックシートを用いたも
のである。
【００２９】（表１）から明らかなように、従来品と比
較すると本実施の形態品はショート数が減少しているこ
とがわかる。また、ショート不良発生品に対して内部断
面を解析した結果、ショート箇所は導電体層２間のショ
ートであることがわかった。
較すると本実施の形態品はショート数が減少しているこ
とがわかる。また、ショート不良発生品に対して内部断
面を解析した結果、ショート箇所は導電体層２間のショ
ートであることがわかった。
【００３０】このことから、本実施の形態によれば導電
体層２中の金属成分のセラミックシート１０への浸入を
抑制し、導電体層２間のショートを激減させ、歩留まり
を大幅に改善することができる。
体層２中の金属成分のセラミックシート１０への浸入を
抑制し、導電体層２間のショートを激減させ、歩留まり
を大幅に改善することができる。
【００３１】以下本発明のポイントについて記載する。
【００３２】（１）導電体層２と積層するときのセラミ
ックシート１０の空隙率は５０％未満となるようにして
おくことにより導電体層２中の金属成分の浸入を抑制で
きる。５０％以上のセラミックシート１０については厚
み方向に加圧して空隙率を５０％未満に調整してから導
電体層２と積層すれば良い。
ックシート１０の空隙率は５０％未満となるようにして
おくことにより導電体層２中の金属成分の浸入を抑制で
きる。５０％以上のセラミックシート１０については厚
み方向に加圧して空隙率を５０％未満に調整してから導
電体層２と積層すれば良い。
【００３３】しかしながら空隙率が低すぎても積層体の
加圧時に導電体層２の形成部と非形成部の圧力差を吸収
できなくなるので好ましくない。
加圧時に導電体層２の形成部と非形成部の圧力差を吸収
できなくなるので好ましくない。
【００３４】従って空隙率は１０％以上、５０％未満と
しておくことが好ましい。
しておくことが好ましい。
【００３５】（２）導電体層２はセラミックシート１０
の上に金属ペーストを直接印刷することにより形成して
も構わないが、ベースフィルム１４上に形成して乾燥さ
せた後にセラミックシート１０上に転写する方が金属ペ
ースト中の金属成分がセラミックシート１０中に浸入し
難い。
の上に金属ペーストを直接印刷することにより形成して
も構わないが、ベースフィルム１４上に形成して乾燥さ
せた後にセラミックシート１０上に転写する方が金属ペ
ースト中の金属成分がセラミックシート１０中に浸入し
難い。
【００３６】また、この場合、セラミックシート１０上
に積層する前に導電体層２を厚み方向に加圧して導電体
層２の表面の凹凸を減少させることにより、セラミック
シート１０への金属成分の浸入をさらに抑制できる。
に積層する前に導電体層２を厚み方向に加圧して導電体
層２の表面の凹凸を減少させることにより、セラミック
シート１０への金属成分の浸入をさらに抑制できる。
【００３７】（３）導電体層２は蒸着、スパッタなどの
薄膜形成法により直接セラミックシート１０上に形成し
ても構わない。この場合は金属成分が一体化し板状とな
っているためセラミックシート１０への金属成分の浸入
を抑制できる。
薄膜形成法により直接セラミックシート１０上に形成し
ても構わない。この場合は金属成分が一体化し板状とな
っているためセラミックシート１０への金属成分の浸入
を抑制できる。
【００３８】（４）仮積層体全体を加圧するまでに行う
加圧は、室温から導電体層２中の可塑剤が飛散しすぎな
いような温度（本実施の形態においては１５０℃）まで
の温度範囲で行うことが望ましい。その理由は、可塑剤
が飛散しすぎると導電体層２が硬く、脆くなり、セラミ
ックシート１０と導電体層２間の接着力が低下し、積層
時や焼成時に構造欠陥が発生するからである。また、上
記温度範囲で行うことにより、導電体層２に含まれるバ
インダ成分や可塑剤成分を軟化させ、導電体層２とセラ
ミックシート１０との接着性を向上させることができ
る。また、導電体層２中の可塑剤及びバインダの含有率
が低い場合には加圧時に温度を上げることにより、可塑
剤及びバインダを活性化させて導電体層２とセラミック
シート１０との接着性を向上させる。一方含有率が高い
場合には室温でも導電体層２とセラミックシート１０の
接着性は十分得ることができるので加熱する必要はな
い。つまり導電体層２中の有機成分の種類とその含有率
に応じて加熱温度を調整することが好ましい。
加圧は、室温から導電体層２中の可塑剤が飛散しすぎな
いような温度（本実施の形態においては１５０℃）まで
の温度範囲で行うことが望ましい。その理由は、可塑剤
が飛散しすぎると導電体層２が硬く、脆くなり、セラミ
ックシート１０と導電体層２間の接着力が低下し、積層
時や焼成時に構造欠陥が発生するからである。また、上
記温度範囲で行うことにより、導電体層２に含まれるバ
インダ成分や可塑剤成分を軟化させ、導電体層２とセラ
ミックシート１０との接着性を向上させることができ
る。また、導電体層２中の可塑剤及びバインダの含有率
が低い場合には加圧時に温度を上げることにより、可塑
剤及びバインダを活性化させて導電体層２とセラミック
シート１０との接着性を向上させる。一方含有率が高い
場合には室温でも導電体層２とセラミックシート１０の
接着性は十分得ることができるので加熱する必要はな
い。つまり導電体層２中の有機成分の種類とその含有率
に応じて加熱温度を調整することが好ましい。
【００３９】（５）上記実施の形態においては積層セラ
ミックコンデンサについて説明したが、積層バリスタ、
積層サーミスタ、積層コイル、セラミック多層基板など
セラミックシートと導電体層とを積層して形成するセラ
ミック電子部品においては同様の効果が得られるもので
ある。
ミックコンデンサについて説明したが、積層バリスタ、
積層サーミスタ、積層コイル、セラミック多層基板など
セラミックシートと導電体層とを積層して形成するセラ
ミック電子部品においては同様の効果が得られるもので
ある。
【００４０】
【発明の効果】以上の本発明によると、セラミックシー
トへの導電体層中の金属成分の浸入を抑制することによ
り、ショート不良の少ないセラミック電子部品を得るこ
とができる。
トへの導電体層中の金属成分の浸入を抑制することによ
り、ショート不良の少ないセラミック電子部品を得るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態におけるセラミックシー
トの断面図
トの断面図
【図２】図１に示すセラミックシートの拡大上面図
【図３】本発明の一実施の形態における導電体層の断面
図
図
【図４】本発明の一実施の形態における導電体層の断面
図
図
【図５】一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠
斜視図
斜視図
１ セラミック誘電体層
２ 導電体層
３ 外部電極
１０ セラミックシート
１１ セラミック粉末
１２ ポリエチレン
１３ 空隙
１４ ベースフィルム
フロントページの続き
(72)発明者 倉光 秀紀
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平11−260661（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−233387（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−58315（ＪＰ，Ａ)
国際公開98／50928（ＷＯ，Ａ１)
Claims (5)
- 【請求項１】 重量平均分子量が４００，０００以上の
ポリエチレンとセラミック粉末とを含有したセラミック
シートと、バインダとしてのアクリル樹脂またはブチラ
ール樹脂および可塑剤を含有する導電体層とを前記導電
体層中の可塑剤が飛散しすぎないような温度で加圧し、
前記導電体層中のバインダと可塑剤とを軟化させて接着
して前記セラミックシートと前記導電体層とを交互に積
層した積層体を作製する第１工程と、加熱しながら前記
積層体を焼成する第２工程とを備え、前記セラミックシ
ートは、網目構造でかつ前記ポリエチレンと前記セラミ
ック粉末とが層状に存在しているものを用いるセラミッ
ク電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 第２の工程において、前記積層体を焼成
する前に脱脂を行うもので、前記脱脂は可塑剤の除去を
行った後、バインダの除去を行う請求項１に記載のセラ
ミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 セラミックシートの空隙率は５０％未満
である請求項１又は２に記載のセラミック電子部品の製
造方法。 - 【請求項４】 第１工程は、ベースフィルム上に形成さ
れた導電体層をセラミックシート上に積層して前記ベー
スフィルムを剥離する工程とこの導電体層上にセラミッ
クシートを積層する工程とを繰り返すものである請求項
１乃至３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造
方法。 - 【請求項５】 セラミックシート上に積層する前に導電
体層を厚み方向に加圧する工程を設けた請求項１乃至４
のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
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